JP4604462B2 - Simulation method of density distribution and size distribution of oxygen precipitation nuclei in single crystal - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チョクラルスキー(以下、CZという。)法にて引上げられるシリコン等の単結晶内の酸素析出核の密度分布及びサイズ分布をコンピュータシミュレーションする方法に関するものである。ここで言う酸素析出核とは、単結晶内の空孔と酸素を消費して形成された酸素析出核であり、これを低温(700〜800℃)の熱処理で安定化し、更に高温(1000〜1100℃)の熱処理で成長させると、光学顕微鏡などでBMD(Bulk Micro-Defect)として観察される。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種のシミュレーション方法として、図7に示すように、総合伝熱シミュレータを用いてCZ法によるシリコン単結晶4引上げ時の引上げ機1内のホットゾーン構造及びそのシリコン単結晶4の引上げ速度に基づいて、シリコン融液2の熱伝導率を操作することによりシリコン融液2の内部温度分布を予測し、この内部温度分布からシリコン単結晶4のメッシュの座標及び温度をそれぞれ求め、更にシリコン単結晶4内の格子間シリコン及び空孔の拡散係数及び境界条件に基づいて拡散方程式を解くことにより、上記格子間シリコン及び空孔の密度分布をコンピュータを用いて求める方法が知られている。このシミュレーション方法では、ホットゾーンの各部材がメッシュ分割されてモデル化される。特にシリコン融液2のメッシュは計算時間を短くするために10mm程度と比較的粗く設定される。
【0003】
一方、CZ法によるシリコン単結晶育成時の操業条件及び炉内の温度条件をコンピュータにデータとして入力し、単結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズ及び密度と単結晶の成長速度との関係をコンピュータを用いたシミュレーションにより求め、このシミュレーション結果に基づいて単結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズ及び密度が所定値になるように成長速度を選択して単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。このシリコン単結晶の製造方法では、総合伝熱解析プログラムを用いて炉内の熱分布のシミュレーションを行い、単結晶の育成時の単結晶中心の鉛直方向における温度勾配を求める。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−145696号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来の格子間シリコン及び空孔の密度分布のシミュレーション方法では、実際の引上げ機においては発生するシリコン融液の対流を考慮しておらず、またシリコン融液のメッシュが比較的粗いため、固液界面形状の再現性が悪く、精度の良い単結晶内温度分布を提供できない。そのため、シリコン単結晶内の格子間シリコン及び空孔の密度分布が実測値と大幅に相違してしまい、結晶冷却過程に比較的低温で生成されるシリコン単結晶内の欠陥である酸素析出核の密度分布及びサイズ分布は判らなかった。
一方、上記特許文献1に示されたシリコン単結晶の製造方法では、シリコン単結晶の鉛直方向のグローンイン欠陥のサイズ分布及び密度分布を予測できるけれども、シリコン単結晶の半径方向のグローイン欠陥のサイズ分布及び密度分布を予測できず、ウェーハ内面のグローイン欠陥を検討できない問題点があった。
【0006】
本発明の目的は、融液の対流を考慮して成長中の単結晶内の温度分布を解析した後に、融液から切離された単結晶の冷却過程を考慮して解析することにより、単結晶内の酸素析出核の密度分布及びサイズ分布を正確に予測できる、単結晶内酸素析出核の密度分布及びサイズ分布のシミュレーション方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、図1〜図6に示すように、引上げ機11による単結晶14の融液12からの引上げ開始時から単結晶14の冷却完了時までの引上げ機11のホットゾーンをメッシュ構造でモデル化する第1ステップと、ホットゾーンの各部材毎にメッシュをまとめかつこのまとめられたメッシュに対する各部材の物性値とともに単結晶14の引上げ長及びこの引上げ長に対応する単結晶14の引上げ速度をそれぞれコンピュータに入力する第2ステップと、各部材の表面温度分布をヒータの発熱量及び各部材の輻射率に基づいて求める第3ステップと、各部材の表面温度分布及び熱伝導率に基づいて熱伝導方程式を解くことにより各部材の内部温度分布を求めた後に融液12が乱流であると仮定して得られた乱流モデル式及びナビエ・ストークスの方程式を連結して解くことにより対流を考慮した融液12の内部温度分布を更に求める第4ステップと、単結晶14及び融液12の固液界面形状を単結晶の三重点Sを含む等温線に合せて求める第5ステップと、第3ステップから第5ステップを三重点Sが単結晶14の融点になるまで繰返し引上げ機11内の温度分布を計算して単結晶14のメッシュの座標及び温度を求めこれらのデータをそれぞれコンピュータに入力する第6ステップと、単結晶14の引上げ長及び引上げ高さを段階的に変えて第1ステップから第6ステップまでを繰返し引上げ機11内の温度分布を計算して単結晶14のメッシュの座標及び温度を求めこれらのデータをそれぞれコンピュータに入力する第7ステップと、単結晶14の融液12からの引上げ開始時から単結晶14の冷却完了時までの時間を所定の間隔毎に区切りこの区切られた時間間隔毎に第7ステップで求めた単結晶14のメッシュの座標及び温度のデータから単結晶14の引上げ長及び引上げ高さと単結晶14内の温度分布とを求める第8ステップと、単結晶14内の空孔及び格子間原子の拡散係数及び境界条件に基づいて拡散方程式を解くことにより所定の時間間隔の経過した後の空孔及び格子間原子の密度分布を求める第9ステップと、空孔の密度分布に基づいてボイド21の形成開始温度を求める第10ステップと、単結晶14内のそれぞれのメッシュの格子点における温度が次第に低下してボイド21の形成開始温度になったときのボイド21の密度を求める第11ステップと、単結晶14内のそれぞれのメッシュの格子点における温度がボイド21の形成開始温度より低いときのボイド21の半径を求める第12ステップと、ボイド21の周囲に成長する内壁酸化膜22の形成開始温度を求める第13ステップと、単結晶14内のそれぞれのメッシュの格子点における温度が次第に低下して内壁酸化膜22の形成開始温度より低くなったときのボイド21の半径と内壁酸化膜22の厚さとを互いに関連させて求める第14ステップと、単結晶14内の酸素の密度分布と空孔の密度分布と温度分布に基づいて酸素析出核の単位時間当りの発生量と臨界半径とを求める第15ステップと、酸素析出核の単位時間当りの発生量がゼロを越えたときにボイド21の半径及び内壁酸化膜22の厚さを求める計算を停止しかつ酸素析出核の半径を求める第16ステップと、第8ステップから第16ステップを単結晶14の冷却が完了するまで繰返す第17ステップとを含む、コンピュータを用いて単結晶内酸素析出核の密度分布及びサイズ分布のシミュレーションを行う方法である。
【0008】
この請求項1に記載されたシミュレーション方法では、融液12の対流を考慮して融液12から成長する単結晶14内の温度分布を求めるだけでなく、更に冷却過程における単結晶14内の温度分布までも求めることによって、単結晶14内の酸素析出核の密度分布及びサイズ分布を正確に予測できる。即ち、融液12から切離された単結晶14の冷却過程における単結晶14の徐冷及び急冷の効果を考慮して解析することによって、ボイド21及び内壁酸化膜22からなるボイド欠陥の密度分布とサイズ分布を求め、酸素析出核の単位時間当りの発生量とこの臨界半径を求め、更に酸素析出核の単位時間当りの発生量がゼロを越えたときに、ボイド半径及び内壁酸化膜厚さを求める計算を停止し、かつ酸素析出核の半径を求める。これにより単結晶14内の酸素析出核の密度分布及びサイズ分布を正確に予測できる。
ここで、酸素析出核の臨界半径とは、結晶成長中に発生した核の最小半径をいい、この半径は空孔密度の過飽和度及び酸素密度の過飽和度に依存する。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図5に示すように、シリコン単結晶引上げ機11のチャンバ内には、シリコン融液12を貯留する石英るつぼ13が設けられる。この石英るつぼ13は図示しないが黒鉛サセプタ及び支軸を介してるつぼ駆動手段に接続され、るつぼ駆動手段は石英るつぼ13を回転させるとともに昇降させるように構成される。また石英るつぼ13の外周面は石英るつぼ13から所定の間隔をあけてヒータ(図示せず)により包囲され、このヒータは保温筒(図示せず)により包囲される。ヒータは石英るつぼ13に投入された高純度のシリコン多結晶体を加熱・溶融してシリコン融液12にする。またチャンバの上端には図示しないが円筒状のケーシングが接続され、このケーシングには引上げ手段が設けられる。引上げ手段はシリコン単結晶14を回転させながら引上げるように構成される。
【0010】
このように構成されたシリコン単結晶引上げ機11におけるシリコン単結晶14内の酸素析出核の密度分布及びサイズ分布のシミュレーション方法を図1〜図6に基づいて説明する。
先ず第1ステップとして、シリコン単結晶14を所定長さL1(例えば100mm)まで引上げた状態におけるシリコン単結晶引上げ機11のホットゾーンの各部材、即ちチャンバ,石英るつぼ13,シリコン融液12,シリコン単結晶14,黒鉛サセプタ,保温筒等をメッシュ分割してモデル化する。具体的には上記ホットゾーンの各部材のメッシュ点の座標データをコンピュータに入力する。このときシリコン融液12のメッシュのうちシリコン単結晶14の径方向のメッシュであってかつシリコン融液12のシリコン単結晶14直下の一部又は全部のメッシュ(以下、径方向メッシュという。)を0.01〜5.00mm、好ましくは0.25〜1.00mmに設定する。またシリコン融液12のメッシュのうちシリコン単結晶14の長手方向のメッシュであってかつシリコン融液12の一部又は全部のメッシュ(以下、長手方向メッシュという。)を0.01〜5.00mm、好ましくは0.1〜0.5mmに設定する。
【0011】
径方向メッシュを0.01〜5.00mmの範囲に限定したのは、0.01mm未満では計算時間が極めて長くなり、5.00mmを越えると計算が不安定になり、繰返し計算を行っても固液界面形状が一定に定まらなくなるからである。
また長手方向メッシュを0.01〜5.00mmの範囲に限定したのは、0.01mm未満では計算時間が極めて長くなり、5.00mmを越えると固液界面形状の計算値が実測値と一致しなくなるからである。なお、径方向メッシュの一部を0.01〜5.00の範囲に限定する場合には、シリコン単結晶14直下のシリコン融液12のうちシリコン単結晶14外周縁近傍のシリコン融液12を上記範囲に限定することが好ましく、長手方向メッシュの一部を0.01〜5.00の範囲に限定する場合には、シリコン融液12の液面近傍及び底近傍を上記範囲に限定することが好ましい。
【0012】
第2ステップとして上記ホットゾーンの各部材毎にメッシュをまとめ、かつこのまとめられたメッシュに対して各部材の物性値をそれぞれコンピュータに入力する。例えば、チャンバがステンレス鋼にて形成されていれば、そのステンレス鋼の熱伝導率,輻射率,粘性率,体積膨張係数,密度及び比熱がコンピュータに入力される。またシリコン単結晶14の引上げ長及びこの引上げ長に対応するシリコン単結晶14の引上げ速度と、後述する乱流モデル式(1)の乱流パラメータCとをコンピュータに入力する。
【0013】
第3ステップとして、ホットゾーンの各部材の表面温度分布をヒータの発熱量及び各部材の輻射率に基づいてコンピュータを用いて求める。即ち、ヒータの発熱量を任意に設定してコンピュータに入力するとともに、各部材の輻射率から各部材の表面温度分布をコンピュータを用いて求める。次に第4ステップとしてホットゾーンの各部材の表面温度分布及び熱伝導率に基づいて熱伝導方程式(1)をコンピュータを用いて解くことにより各部材の内部温度分布を求める。ここでは、記述を簡単にするためxyz直交座標系を用いたが、実際の計算では円筒座標系を用いる。
【数1】
【0014】
上記式(1)において、ρは各部材の密度、cは各部材の比熱、Tは各部材の各メッシュ点での絶対温度、tは時間である。またλx,λy及びλzは各部材の熱伝導率のx,y及びz方向成分であり、qはヒータの発熱量である。
【0015】
一方、シリコン融液12に関しては、上記熱伝導方程式(1)でシリコン融液12の内部温度分布を求めた後に、このシリコン融液12の内部温度分布に基づき、シリコン融液12が乱流であると仮定して得られた乱流モデル式(2)及びナビエ・ストークスの方程式(3)〜(5)を連結して、シリコン融液12の内部流速分布をコンピュータを用いて求める。
【数2】
【0016】
上記式(2)において、κtはシリコン融液12の乱流熱伝導率であり、cはシリコン融液12の比熱であり、Prtはプラントル数であり、ρはシリコン融液12の密度であり、Cは乱流パラメータであり、dはシリコン融液12を貯留する石英るつぼ13壁からの距離であり、kはシリコン融液12の平均流速に対する変動成分の二乗和である。
【数3】
【0017】
上記式(3)〜式(5)において、u,v及びwはシリコン融液12の各メッシュ点での流速のx,y及びz方向成分であり、νlはシリコン融液12の分子動粘性係数(物性値)であり、νtはシリコン融液12の乱流の効果による動粘性係数であり、Fx,Fy及びFzはシリコン融液12に作用する体積力のx,y及びz方向成分である。
【0018】
上記乱流モデル式(2)はkl(ケイエル)−モデル式と呼ばれ、このモデル式の乱流パラメータCは0.4〜0.6の範囲内の任意の値が用いられることが好ましい。乱流パラメータCを0.4〜0.6の範囲に限定したのは、0.4未満又は0.6を越えると計算により求めた界面形状が実測値と一致しないという不具合があるからである。また上記ナビエ・ストークスの方程式(3)〜(5)はシリコン融液12が非圧縮性であって粘度が一定である流体としたときの運動方程式である。
【0019】
上記求められたシリコン融液12の内部流速分布に基づいて熱エネルギー方程式(6)を解くことにより、シリコン融液12の対流を考慮したシリコン融液12の内部温度分布をコンピュータを用いて更に求める。
【数4】
【0020】
上記式(6)において、u,v及びwはシリコン融液12の各メッシュ点での流速のx,y及びz方向成分であり、Tはシリコン融液12の各メッシュ点での絶対温度であり、ρはシリコン融液12の密度であり、cはシリコン融液12の比熱であり、κlは分子熱伝導率(物性値)であり、κtは式(1)を用いて計算される乱流熱伝導率である。
【0021】
次いで第5ステップとして、シリコン単結晶14及びシリコン融液12の固液界面形状を図5の点Sで示すシリコンの三重点S(固体と液体と気体の三重点(tri-junction))を含む等温線に合せてコンピュータを用いて求める。第6ステップとして、コンピュータに入力するヒータの発熱量を変更し(次第に増大し)、上記第3ステップから第5ステップを三重点がシリコン単結晶14の融点になるまで繰返した後に、引上げ機11内の温度分布を計算してシリコン単結晶のメッシュの座標及び温度を求め、これらのデータをコンピュータに記憶させる。
【0022】
次に第7ステップとして、シリコン単結晶14の引上げ長L1にδ(例えば50mm)だけ加えて上記第1ステップから第6ステップまでを繰返した後に、引上げ機11内の温度分布を計算してシリコン単結晶14のメッシュの座標及び温度を求め、これらのデータをコンピュータに記憶させる。この第7ステップは、シリコン単結晶14の引上げ長L1が長さL2(L2はシリコン融液12から切離されたときのシリコン単結晶14の長さ(成長完了時の結晶長)である。)に達してシリコン単結晶14がシリコン融液12から切離された後、更にシリコン単結晶14が引上げられてその高さH1(H1はシリコン単結晶14の直胴開始部からシリコン融液12の液面までの距離である(図5)。)がH2(H2は冷却完了時のシリコン単結晶14の直胴開始部からシリコン融液12の液面までの距離である。)に達するまで、即ちシリコン単結晶14の冷却が完了するまで行われる。なお、シリコン単結晶14がシリコン融液12から切離された後は、シリコン単結晶14の引上げ高さH1にδ(例えば50mm)だけ加え、上記と同様に上記第1ステップから第6ステップまでを繰返す。
【0023】
シリコン単結晶14の引上げ高さH1がH2に達すると、第8ステップに移行する。第8ステップでは、シリコン単結晶14をシリコン融液12から成長させて引上げ始めたときt0から、シリコン単結晶14をシリコン融液12から切離して更にシリコン単結晶14を引上げ、その冷却が完了したときt1までの時間を、所定の間隔Δt秒(微小時間間隔)毎に区切る。このときシリコン単結晶14内の格子間シリコン及び空孔の拡散係数及び境界条件のみならず、後述するボイド21及び内壁酸化膜22(図6)の密度分布及びサイズ分布を求めるための式に用いられる定数をそれぞれコンピュータに入力する。上記区切られた時間間隔Δt秒毎に、第7ステップで求めたシリコン単結晶14のメッシュの座標及び温度のデータから、シリコン単結晶14の引上げ長L1及び引上げ高さH1と、シリコン単結晶14内の温度分布とを求める。
【0024】
即ち、第1〜第7ステップでシリコン単結晶のメッシュの座標及び温度を引上げ長δ毎に求め、シリコン単結晶を例えば50mm引上げるのに数十分要するため、この数十分間でのシリコン単結晶のメッシュの温度変化を時間の関数として微分することにより、時刻t0からΔt秒後におけるシリコン単結晶14の引上げ長L1及び引上げ高さH1とシリコン単結晶14内の温度分布を算出する。次にシリコン単結晶14内の空孔及び格子間シリコンの拡散係数及び境界条件に基づいて拡散方程式を解くことにより、Δt秒経過後の空孔及び格子間シリコンの密度分布を求める(第9ステップ)。
【0025】
具体的には、空孔の密度Cvの計算式が次の式(7)で示され、格子間シリコンの密度Ciの計算式が次の式(8)で示される。式(7)及び式(8)において、密度Cv及び密度Ciの経時的進展を計算するために、空孔と格子間シリコンの熱平衡がシリコン単結晶の全表面で維持されると仮定する。
【数5】
【0026】
上記式(7)及び式(8)において、K1及びK2は定数であり、Ei及びEvはそれぞれ格子間シリコン及び空孔の形成エネルギーであり、Cve及びCieは空孔の平衡密度及び格子間シリコンの平衡密度である。またkBはボルツマン定数、Tは絶対温度を意味する。
【0027】
上記平衡式は時間で微分され、空孔及び格子間シリコンに対してそれぞれ次の式(9)及び式(10)になる。
【数6】
【0028】
上記式(9)及び式(10)において、Θ(x)はヘビサイド関数(Heaviside function)である。即ち、x<0のときΘ(x)=0であり、かつx>0のときΘ(x)=1である。またTpは内壁酸化膜22(ボイド21表面に形成されたシリコンの酸化膜(SiOx膜))の形成開始温度であり、Tvはボイド21の形成開始温度である(図6)。DOは酸素拡散係数であり、COは酸素析出核形成温度での酸素密度である。更にJcは臨界半径を有する酸素析出核の単位時間当りの発生量であり、rcは酸素析出核の半径である。なお、式(9)及び(10)のそれぞれ右側の第1項はフィックの拡散式であり、右側の第1項中のDv及びDiは、次の式(11)及び(12)で表される空孔及び格子間シリコンの拡散係数である。
【数7】
【0029】
上記式(11)及び式(12)において、△Ev及び△Eiはそれぞれ空孔及び格子間シリコンの活性化エネルギーであり、dv及びdiはそれぞれ定数である。また式(9)及び式(10)のそれぞれ右側の第2項中のEv t及びEi tは熱拡散による空孔及び格子間シリコンの活性化エネルギーであり、kBはボルツマン定数である。式(9)及び式(10)のそれぞれ右側の第3項のkivは空孔及び格子間シリコンペアの再結合定数である。式(9)及び式(10)のそれぞれ右側の第4項のNvはボイド21の密度であり、rvはボイド21の半径であり、更に式(9)の右側の第5項のNpは内壁酸化膜22の密度であり、Rpは内壁酸化膜22の外半径である。
【0030】
上記式(9)が成立つのは、空孔が析出するための空孔の流束が十分に大きく、シリコン単結晶14を構成するSiマトリックスと内壁酸化膜を構成するSiOxとの単位質量当りの体積差を埋められる場合、即ちγDOCO≦Dv(Cv−Cve)の場合である。上記以外の場合、即ちγDOCO>Dv(Cv−Cve)の場合には、次式(13)が成立つ。ここで、γは酸化物が歪みなく成長するのに必要な酸素1原子当たりの空孔量であり、酸素析出核の相に依存する数である。酸素析出核がSiO2からなる場合にはγ≒0.5であり、酸素析出核がSiOからなる場合にはγ≒0.65である。またDOは酸素の拡散係数であり、COは酸素析出核形成温度での酸素密度である。
【数8】
【0031】
上記式(13)において、Θ(x)はヘビサイド関数(Heaviside function)である。即ち、x<0のときΘ(x)=0であり、かつx>0のときΘ(x)=1である。またTpは内壁酸化膜22の形成開始温度であり、Tvはボイド21の形成開始温度である。更にJcは臨界半径を有する酸素析出核の単位時間当りの発生量であり、rcは酸素析出核の半径である。なお、式(13)の右側の第1項はフィックの拡散式であり、右側の第1項中のDvは、式(11)で表される空孔の拡散係数である。
【0032】
次に第10ステップとして、上記拡散方程式を解くことにより求めた空孔の密度Cv分布に基づいて、ボイド21の形成開始温度Tvを次の式(14)から求める。
【数9】
【0033】
上記式(14)において、Cvはシリコン単結晶14中の空孔密度であり、Cv0はシリコン単結晶14の融点Tmでの空孔平衡密度であり、Evは空孔形成エネルギーである。またσvはシリコン単結晶14の結晶面(111)における界面エネルギーであり、ρはシリコン単結晶14の密度であり、kBはボルツマン定数である。
【0034】
第11ステップとして、シリコン単結晶14内のそれぞれのメッシュの格子点における温度が次第に低下してボイド21の形成開始温度Tvになったときに、次の近似式(15)を用いてボイド21の密度Nvを求める。
【数10】
【0035】
上記式(15)において、nvはボイド21の密度であり、(dT/dt)はシリコン単結晶14の冷却速度である。上記ボイド21の密度は空孔過飽和度に依存するけれども、計算するシリコン単結晶14での核形成温度のような狭い温度領域では一定とみなしてよい。またDvはボイド21の拡散係数であり、kBはボルツマン定数であり、Cvはシリコン単結晶14中の空孔密度である。
【0036】
第12ステップとして、シリコン単結晶14内のそれぞれのメッシュの格子点における温度がボイド21の形成開始温度Tvより低いときのボイドの半径rvを、次の式(16)から求める。ここでボイド21の成長速度は空孔の拡散速度に依存する拡散律速である。またボイド21の形状は実際には八面体であるけれども、ここでは計算の効率化から球状として扱う。
【数11】
【0037】
上記式(16)において、t1はシリコン単結晶14のメッシュの格子点における温度がボイド21の形成開始温度Tvまで低下したときの時刻である。またrvcrはボイド21の臨界半径であり、この臨界半径rvcrは上記時刻t1での値とする。更にCve及びCieはそれぞれの状態での空孔及び格子間シリコンの平衡密度である。
【0038】
第13ステップとして、ボイド21の周囲に成長する内壁酸化膜22の形成開始温度Tpを求める。内壁酸化膜22の形成開始温度Tpがボイド21の形成開始温度Tvより小さい場合には、酸素と空孔が結合し、ボイド21表面に内壁酸化膜22が成長する(図6)。本発明のモデルでは、上記内壁酸化膜22はボイド21が発生するとすぐに成長するものとして扱った。ここで、「すぐに」とは、「ボイドが発生した次の繰返し計算から」という意味である。
【0039】
第14ステップとして、シリコン単結晶14内のそれぞれのメッシュの格子点における温度が次第に低下して内壁酸化膜22の形成開始温度Tpより低くなったときのボイド21の半径rvと内壁酸化膜22の厚さdとを互いに関連させて求める。一般的に、酸素はその拡散とシリコンとの反応によって内壁酸化膜22が形成される。酸素が内壁酸化膜22外からこの酸化膜の外周面に流入する流束JOは、ボイド21の中心を原点とする内壁酸化膜22の外半径をRpとするとき、次の式(17)から求められる。
【数12】
【0040】
上記式(17)において、DOは酸素の拡散係数であり、COは酸素密度であり、COeifは球状のボイド21の中心を原点とする半径Rpにおける酸素平衡密度であり、gOはSiOx及びSiの界面、即ち内壁酸化膜22の外周面における酸素原子の反応割合である。また空孔が内壁酸化膜22外からこの酸化膜の外周面(半径Rpの球面)に流入する流束Jvは次の式(18)から求められる。
【数13】
【0041】
上記式(18)において、gvは内壁酸化膜22の外周面での空孔の反応割合であり、Cveifは内壁酸化膜22の外周面での空孔の平衡密度である。シリコンの内壁酸化膜22が成長すると同時に空孔が消費され、空孔の消費割合は酸素1原子に対してγである。このため内壁酸化膜22が歪みなく成長するための条件は、酸素の流束JOに対して空孔の流束はγJOであるので、空孔の流束γJOは次の式(19)から求められる。
【数14】
【0042】
従って、(Jv−γJO)は内壁酸化膜22に吸収される空孔の流束となる。ここで空孔の内壁酸化膜22外からこの酸化膜への流束が増大する場合((Jv−γJO)>0)、或いは空孔のボイド21内から酸化膜への流束が時間の経過に対して増大する場合((Jv−γJO)<0)の上記流束の時間に対する変化の割合をαとすると、このαは内壁酸化膜22の厚さに依存すると考えられる。このため内壁酸化膜22の厚さd、即ち(Rp−rv)がd0未満であるならば、内壁酸化膜22は空孔を酸化膜外及びボイド21内の双方向から部分浸透させると考えられる。換言すれば、d<d0であってα≠0である場合には、空孔はある割合で内壁酸化膜22を貫通してボイド21の成長に使われる。但し、格子間シリコンは酸素析出層が核形成されると同時にボイド21の成長に使われなくなる。
【0043】
また空孔の内壁酸化膜22外からこの酸化膜への流束量が少ない場合、即ち(Jv−γJO)<0である場合には、歪みの無い内壁酸化膜22を成長させることができないので、空孔はボイド21内から酸化膜に流入し、ボイド21の外径は小さくなる。この結果、d≧d0であってα=0の場合には、内壁酸化膜22は空孔を全く通過させなくなる。そして、nvをボイド21中の空孔の数とすると、dnv/dtは空孔の流入量となり、dnv/dt=α(Jv−γJO)であるならば、次の式(20)が成り立つ。なお、式(20)において、rvは式(16)で求めたボイド21の半径であり、Rpは内壁酸化膜22の外半径である。またDOは酸素の拡散係数であり、COは酸素密度である。更にCOeifは球状のボイド21の中心を原点とする半径Rpにおける酸素平衡密度であり、gOは内壁酸化膜22の外周面における酸素原子の反応割合である。
【数15】
【0044】
同時に内壁酸化膜22を構成するSiOx分子の数は式(20)の酸素が内壁酸化膜22外からこの酸化膜の外周面に流入する流束JOの消費に依存して変化するため、次の式(21)が成り立つ。なお、式(21)において、ρp=x/ΩSiOxと定義する。このρpの定義式において、ΩSiOxはSiOxの分子容量(molecular volume)であり、その単位は分子量/密度である。またxはSiOxのxに対応する。
【数16】
【0045】
上記式(21)を上記式(20)に代入すると次の式(22)が得られる。なお、式(22)において、ηはΩSiOx/ΩSiである。このηの定義式において、ΩSiは1/ρであり、ρはシリコン単結晶14の密度である。
【数17】
【0046】
上記式(20)及び式(22)から次のことが分かる。先ずdがd0になった時刻をt3とすると、この時刻t3においてαがゼロとなるため、内壁酸化膜22は非浸透となる。またボイド21の外径がrv(t3)で固定されている間は、内壁酸化膜22の成長はシリコン単結晶14のマトリックスから流入する空孔或いは酸素の消費量によって決まる。即ち、(Jv−γJO)>0である場合には式(22)は次の式(23)となり、(Jv−γJO)<0である場合には式(22)は次の式(24)となる。
【数18】
【0047】
上記式(23)及び式(24)において、ΩSiOxはSiOxの分子容量(molecular volume)である。また式(23)及び式(24)において、内壁酸化膜の外周面での空孔平衡密度はRpと無関係であり、Cveif=CveかつCOeif=COeであると想定している。式(23)又は式(24)から内壁酸化膜22の外半径Rpを求め、内壁酸化膜22の外半径Rpからボイド21の半径rvを引くことにより、内壁酸化膜22の厚さdを求める。
【0048】
次に第15ステップとして、シリコン単結晶14内の酸素の密度分布と空孔の密度分布と温度分布に基づいて酸素析出核の単位時間当りの発生量Jcと上記臨界半径rcrとを求める。具体的には、酸素析出核成長(SiOx相)は、酸素密度COと空孔密度Cvと温度Tに依存するため、古典論では定常状態での酸素析出核の単位時間当りの発生量Jcを次の式(25)から求める。
【数19】
【0049】
上記式(25)において、σcは酸素析出核形成温度でのSiOxとSiとの界面エネルギーであり、DOは酸素拡散係数である。またCOは酸素析出核形成温度での酸素密度であり、kBはボルツマン定数である。更にF*は酸素析出核の成長バリアであり、酸素析出核を球体と仮定すれば、F*は次の式(26)により求めることができる。
【数20】
【0050】
上記式(26)において、ρcはSiOxからなる酸素析出核の酸素数密度であり、fcは酸素析出核形成のために必要な駆動力(酸素原子1個当りの力)であり、このfcを次の式(27)から求める。
【数21】
【0051】
上記式(27)において、COは酸素析出核形成温度での酸素密度であり、COeは酸素平衡密度である。またγは酸化物が歪みなく成長するのに必要な酸素1原子当たりの空孔量であり、酸素析出核の相に依存する数である。酸素析出核がSiO2からなる場合にはγ≒0.5であり、酸素析出核がSiOからなる場合にはγ≒0.65である。更にCvは空孔の密度であり、Cveは空孔の平衡密度である。なお、式(25)及び式(26)におけるσc(酸素析出核形成温度でのSiOxとSiとの界面エネルギー)は核形成を支配する重要なパラメータであり、このパラメータσcは核形成に依存しており、一般的には温度と酸素析出核の半径によって値が変化する。一方、酸素析出核の臨界半径rcrを次の式(28)により求める。
【数22】
【0052】
次に第16ステップとして、酸素析出核の単位時間当りの発生量がゼロを越えると、ボイド21の半径及び内壁酸化膜22の厚さを求める計算を停止し、かつ酸素析出核の半径を求める。酸素析出核は酸素と空孔を消費しながら成長し、空孔はSiとその酸化物(SiOx)との間の歪みを調整する。また本発明のモデルでは、酸素析出核の成長速度は酸素の拡散と空孔の拡散に限定すると仮定している。γDOCO<Dv(Cv−Cve)であるならば、酸素析出核の成長速度は酸素の拡散に限定され、次の式(29)により求められる。
【数23】
【0053】
またγDOCO>Dv(Cv−Cve)であるならば、クラスターの成長時に、Siとその酸化物(SiOx)との間の歪みを無くすために空孔が消費されるので、クラスターの成長速度は次の式(30)で表される。
【数24】
【0054】
上記第8ステップから第16ステップをシリコン単結晶14の冷却が完了するまで繰返す(第17ステップ)。なお、式(9)〜式(30)は互いに関連させてコンピュータにより解く。
【0055】
上述のように、シリコン融液12の対流を考慮してシリコン融液12から成長するシリコン単結晶14内の温度分布を求めた後に、シリコン融液12から切離されたシリコン単結晶14の冷却過程を考慮し、シリコン単結晶14の徐冷及び急冷の効果を結果に反映して解析することにより、シリコン単結晶14内の酸素析出核の密度分布及びサイズ分布を正確に予測できる。即ち、シリコン単結晶14がシリコン融液12から切離された後のシリコン単結晶14の引上げ速度を考慮して、ボイド21及び内壁酸化膜22からなるボイド欠陥の密度分布とサイズ分布をコンピュータを用いて求め、酸素析出核の単位時間当りの発生量Jcとこの臨界半径rcrとをコンピュータを用いて求め、更に臨界半径rcr以上の半径rcを有する酸素析出核の単位時間当りの発生量Jcがゼロを越えたときに、ボイド半径rc及び内壁酸化膜厚さdを求める計算を停止し、かつ臨界半径rcr以上の半径rcを有する酸素析出核の半径rcをコンピュータを用いて求める。この結果、臨界半径rcr以上の半径rcを有する酸素析出核の単位時間当りの発生量Jcを求めることにより、シリコン単結晶14内の酸素析出核の密度分布を正確に予測できる。また臨界半径rcr以上の半径rcを有する酸素析出核の半径rcを求めることにより、シリコン結晶14内の酸素析出核のサイズ分布を正確に予測できる。
なお、この実施の形態では、単結晶としてシリコン単結晶を挙げたが、GaAs単結晶,InP単結晶,ZnS単結晶若しくはZnSe単結晶でもよい。
【0056】
【実施例】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
<実施例1>
図5及び図6に示すように、石英るつぼ13に貯留されたシリコン融液12から直径6インチのシリコン単結晶14を引上げる場合の、シリコン単結晶14内のボイド21及び内壁酸化膜22からなるボイド欠陥の密度分布及びサイズ分布を、図1〜図4のフローチャートに基づくシミュレーション方法により求めた。
【0057】
即ち、シリコン単結晶引上げ機11のホットゾーンをメッシュ構造でモデル化した。ここで、シリコン融液12のシリコン単結晶14直下のシリコン単結晶14の径方向のメッシュを0.75mmに設定し、シリコン融液12のシリコン単結晶14直下以外のシリコン単結晶14の径方向のメッシュを1〜5mmに設定した。またシリコン融液12のシリコン単結晶14の長手方向のメッシュを0.25〜5mmに設定し、乱流モデル式の乱流パラメータCとして0.45を用いた。更にシリコン単結晶14の引上げ開始時t0から冷却完了時t1までの引上げ長及び引上げ高さの段階的な変更を50mmずつとした。このような条件下で、シリコン融液12の対流を考慮してシリコン単結晶14内の温度分布を求めた。
【0058】
次にシリコン単結晶14の引上げ開始時t0から冷却完了時t1までの時間を所定の間隔Δt秒(微小な時間の間隔)毎に区切り、この時間間隔Δt秒毎に上記シリコン単結晶14のメッシュの座標及び温度のデータから、シリコン単結晶14の引上げ長及び引上げ高さとシリコン単結晶内14の温度分布を求め、更にボイド21の形成開始温度を求めてボイド21の密度分布及びサイズ分布を求めた。即ち、シリコン単結晶14をシリコン融液12から切離した後のシリコン単結晶14の徐冷及び急冷を考慮して、シリコン単結晶14内のボイド21の密度分布及びサイズ分布をコンピュータを用いてそれぞれ求めた。
【0059】
一方、ボイド21の周囲に成長する内壁酸化膜22は、ボイド21が発生するとすぐに成長するものとして扱ったので、内壁酸化膜22の形成開始温度Tpをボイド21の形成開始温度Tvと同一とした。ここで、「すぐに」とは、「ボイドが発生した次の繰返し計算から」という意味である。次に内壁酸化膜22の形成開始温度より低くなったときの内壁酸化膜22の外半径Rpをコンピュータを用いて求めた。次に壁酸化膜22の外半径Rpをボイド21の半径から引くことにより内壁酸化膜22の厚さdを求めた。なお、内壁酸化膜の密度分布は上記ボイドの密度分布と同一とした。
【0060】
次にシリコン単結晶14内の酸素の密度分布と空孔の密度分布と温度分布に基づいて、酸素析出核の単位時間当りの発生量Jcとこの臨界半径rcrとをコンピュータを用いて求めた。更に臨界半径rcr以上の半径rcを有する酸素析出核の単位時間当りの発生量Jcがゼロを越えたときに、ボイド半径rc及び内壁酸化膜厚さdを求める計算を停止し、かつ臨界半径rcr以上の半径rcを有する酸素析出核の半径rcをコンピュータを用いて求めた。
【0061】
シリコン単結晶14の半径方向の位置を変えた場合(図8(a)のA部とB部)の、上記酸素析出核のサイズ分布及び密度分布を図8(b)の実線A及び実線Bで示した。またシリコン単結晶14の引上げ速度を変えた場合(図8(a)のA部とC部)の、上記酸素析出核のサイズ分布及び密度分布を図8(b)の実線A及び実線Cで示した。
【0062】
<比較例1>
実施例1と同一形状のシリコン単結晶を同一の条件で引上げた。このシリコン単結晶を比較例1とした。
【0063】
<比較試験及び評価>
実施例1の方法で求めた図8(a)のA部、B部及びC部での酸素析出核の密度分布のうち、経験的に求めた熱処理条件に依存したあるサイズ以上の酸素析出核の総数(A1、B1及びC1)をコンピュータを用いて求めた。その結果を表1に示す。一方、比較例1のシリコン単結晶において、上記図8(a)のA部、B部及びC部に対応する部分の酸素析出核の密度分布を所定の熱処理後に光学顕微鏡にて測定した。その結果を表1に示す。
【0064】
【表1】
【0065】
表1から明らかなように、実施例1の方法で算出した酸素析出核の密度分布は比較例1の実際に測定した酸素析出核の密度分布とオーダーが一致した。この結果、酸素析出核の密度分布を実施例1の方法によりオーダーレベルで見積もり可能であることが判った。
【0066】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、融液の対流を考慮して融液から成長する単結晶内の温度分布をコンピュータを用いて求めるだけでなく、更に冷却過程における単結晶内の温度分布までも求めることによって、単結晶内の酸素析出核の密度分布及びサイズ分布を正確に予測できる。即ち、融液から切離された単結晶の冷却過程における単結晶の徐冷及び急冷の効果を考慮することによって、ボイド及び内壁酸化膜からなるボイド欠陥の密度分布とサイズ分布を求め、酸素析出核の単位時間当りの発生量とこの臨界半径とを求め、更に酸素析出核の単位時間当りの発生量がゼロを越えたときに、ボイド半径及び内壁酸化膜厚さを求める計算を停止し、かつ酸素析出核の半径をコンピュータを用いて求める。この結果、酸素析出核の単位時間当りの発生量を求めることにより単結晶内の酸素析出核の密度分布を正確に予測でき、酸素析出核の半径を求めることにより結晶内の酸素析出核のサイズ分布を正確に予測できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施形態シリコン単結晶内のボイド欠陥の密度分布及びサイズ分布のシミュレーション方法の第1段を示すフローチャート。
【図2】そのボイド欠陥の密度分布及びサイズ分布のシミュレーション方法の第2段を示すフローチャート。
【図3】そのボイド欠陥の密度分布及びサイズ分布のシミュレーション方法の第3段を示すフローチャート。
【図4】そのボイド欠陥の密度分布及びサイズ分布のシミュレーション方法の第4段を示すフローチャート。
【図5】本発明のシリコン融液をメッシュ構造としたシリコン単結晶の引上げ機の要部断面図。
【図6】そのシリコン単結晶内のボイド及び内壁酸化膜の模式図。
【図7】従来例のシリコン融液をメッシュ構造としたシリコン単結晶の引上げ機の要部断面図。
【図8】シリコン単結晶の半径方向の位置を変えた場合と、シリコン単結晶の引上げ速度を変えた場合に、コンピュータを用いて求めた酸素析出核のサイズ分布及び密度分布を示す図。
【符号の説明】
11 シリコン単結晶引上げ機
12 シリコン融液
14 シリコン単結晶
21 ボイド
22 内壁酸化膜
S シリコンの三重点[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for computer simulation of the density distribution and size distribution of oxygen precipitation nuclei in a single crystal such as silicon pulled by the Czochralski (hereinafter referred to as CZ) method. The oxygen precipitation nuclei mentioned here are oxygen precipitation nuclei formed by consuming vacancies and oxygen in a single crystal, and this is stabilized by a low-temperature (700 to 800 ° C.) heat treatment, and further high temperature (1000 to When grown by heat treatment at 1100 ° C., it is observed as BMD (Bulk Micro-Defect) with an optical microscope or the like.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a simulation method of this type, as shown in FIG. 7, the hot zone structure in the
[0003]
On the other hand, the operating conditions and the temperature conditions in the furnace when the silicon single crystal is grown by the CZ method are input as data to a computer, and the size and density of vacancy-induced grow-in defects introduced into the single crystal and the growth rate of the single crystal. Is determined by computer simulation, and the growth rate is selected so that the size and density of the vacancy-induced grow-in defects introduced into the single crystal become a predetermined value based on the simulation result. A method for producing a silicon single crystal that grows silicon is known (see, for example, Patent Document 1). In this silicon single crystal manufacturing method, the heat distribution in the furnace is simulated using a comprehensive heat transfer analysis program to determine the temperature gradient in the vertical direction of the single crystal center during single crystal growth.
[0004]
[Patent Document 1]
JP 2002-145696 A
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above conventional method of simulating the density distribution of interstitial silicon and vacancies, the actual puller does not consider the convection of the silicon melt generated, and the mesh of the silicon melt is relatively coarse. The reproducibility of the solid-liquid interface shape is poor and it is impossible to provide an accurate temperature distribution in the single crystal. Therefore, the density distribution of interstitial silicon and vacancies in the silicon single crystal is significantly different from the measured value, and oxygen precipitation nuclei that are defects in the silicon single crystal generated at a relatively low temperature during the crystal cooling process. The density distribution and size distribution were not known.
On the other hand, in the method for manufacturing a silicon single crystal disclosed in
[0006]
The object of the present invention is to analyze the temperature distribution in a growing single crystal in consideration of the convection of the melt and then analyze the cooling process of the single crystal separated from the melt. An object is to provide a method for simulating the density distribution and size distribution of oxygen precipitation nuclei in a single crystal, which can accurately predict the density distribution and size distribution of oxygen precipitation nuclei in the crystal.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
As shown in FIGS. 1 to 6, the invention according to
[0008]
In the simulation method according to the first aspect, not only the temperature distribution in the
Here, the critical radius of the oxygen precipitation nucleus means the minimum radius of the nucleus generated during crystal growth, and this radius depends on the supersaturation degree of the vacancy density and the supersaturation degree of the oxygen density.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 5, a
[0010]
A method of simulating the density distribution and size distribution of oxygen precipitation nuclei in the silicon
First, as a first step, a silicon
[0011]
The reason why the radial mesh is limited to the range of 0.01 to 5.00 mm is that the calculation time becomes extremely long if it is less than 0.01 mm, and the calculation becomes unstable if it exceeds 5.00 mm. This is because the solid-liquid interface shape cannot be fixed.
The longitudinal mesh is limited to the range of 0.01 to 5.00 mm because the calculation time is extremely long if it is less than 0.01 mm, and the calculated value of the solid-liquid interface shape matches the actual measurement value if it exceeds 5.00 mm. Because it will not do. When a part of the radial mesh is limited to the range of 0.01 to 5.00, the
[0012]
As a second step, the meshes are grouped for each member in the hot zone, and the physical property values of the members are input to the computer with respect to the grouped meshes. For example, if the chamber is made of stainless steel, the thermal conductivity, emissivity, viscosity, volume expansion coefficient, density and specific heat of the stainless steel are input to the computer. Further, the pulling length of the silicon
[0013]
As a third step, the surface temperature distribution of each member in the hot zone is obtained using a computer based on the amount of heat generated by the heater and the radiation rate of each member. That is, the heating value of the heater is arbitrarily set and inputted to the computer, and the surface temperature distribution of each member is obtained from the radiation rate of each member using the computer. Next, as a fourth step, the internal temperature distribution of each member is obtained by solving the heat conduction equation (1) using a computer based on the surface temperature distribution and the thermal conductivity of each member in the hot zone. Here, in order to simplify the description, the xyz orthogonal coordinate system is used, but in the actual calculation, a cylindrical coordinate system is used.
[Expression 1]
[0014]
In the above formula (1), ρ is the density of each member, c is the specific heat of each member, T is the absolute temperature at each mesh point of each member, and t is time. Λx, ΛyAnd λzIs the x, y and z direction components of the thermal conductivity of each member, and q is the amount of heat generated by the heater.
[0015]
On the other hand, for the
[Expression 2]
[0016]
In the above formula (2), κtIs the turbulent thermal conductivity of the
[Equation 3]
[0017]
In the above formulas (3) to (5), u, v, and w are x, y, and z direction components of the flow velocity at each mesh point of the
[0018]
The turbulent model equation (2) is referred to as a kl-model equation, and an arbitrary value within the range of 0.4 to 0.6 is preferably used as the turbulent parameter C of the model equation. The reason why the turbulent flow parameter C is limited to the range of 0.4 to 0.6 is that when the value is less than 0.4 or exceeds 0.6, there is a problem that the interface shape obtained by calculation does not match the actual measurement value. . The Navier-Stokes equations (3) to (5) are equations of motion when the
[0019]
By solving the thermal energy equation (6) based on the obtained internal flow velocity distribution of the
[Expression 4]
[0020]
In the above equation (6), u, v and w are x, y and z direction components of the flow velocity at each mesh point of the
[0021]
Next, as a fifth step, a silicon triple point S (solid-liquid-gas triple point (tri-junction)) in which the solid-liquid interface shape of the silicon
[0022]
Next, as a seventh step, the pulling length L of the silicon
[0023]
Lifting height H of silicon
[0024]
That is, in the first to seventh steps, the mesh coordinates and temperature of the silicon single crystal are obtained for each pulling length δ, and it takes several tens of minutes to pull the silicon single crystal, for example, 50 mm. By differentiating the temperature change of the single crystal mesh as a function of time, the time t0The pulling length L of the silicon
[0025]
Specifically, the hole density CvIs calculated by the following formula (7), and the density C of interstitial silicon isiIs calculated by the following equation (8). In the equations (7) and (8), the density CvAnd density CiIn order to calculate the evolution over time, it is assumed that the thermal equilibrium between vacancies and interstitial silicon is maintained on the entire surface of the silicon single crystal.
[Equation 5]
[0026]
In the above formulas (7) and (8), K1And K2Is a constant, EiAnd EvAre the energy of formation of interstitial silicon and vacancies, respectively, and CveAnd CieIs the equilibrium density of vacancies and the equilibrium density of interstitial silicon. KBMeans Boltzmann constant and T means absolute temperature.
[0027]
The above equilibrium equation is differentiated with respect to time and becomes the following equations (9) and (10) for the vacancies and interstitial silicon, respectively.
[Formula 6]
[0028]
In the above formulas (9) and (10), Θ (x) is a heaviside function. That is, Θ (x) = 0 when x <0, and Θ (x) = 1 when x> 0. TpIs the formation start temperature of the inner wall oxide film 22 (silicon oxide film (SiOx film) formed on the surface of the void 21), and TvIs the formation start temperature of the void 21 (FIG. 6). DOIs the oxygen diffusion coefficient, COIs the oxygen density at the oxygen precipitation nucleation temperature. JcIs the amount of oxygen precipitation nuclei generated per unit time with a critical radius, rcIs the radius of the oxygen precipitation nuclei. The first term on the right side of each of the equations (9) and (10) is Fick's diffusion formula, and D in the first term on the right side is DvAnd DiIs a diffusion coefficient of vacancies and interstitial silicon expressed by the following equations (11) and (12).
[Expression 7]
[0029]
In the above formula (11) and formula (12), ΔEvAnd △ EiAre the activation energies of the vacancies and interstitial silicon, respectively, dvAnd diAre constants. Further, E in the second term on the right side of each of the equations (9) and (10)v tAnd Ei tIs the activation energy of vacancies and interstitial silicon due to thermal diffusion, kBIs the Boltzmann constant. The third term k on the right side of each of the equations (9) and (10)ivIs the recombination constant of vacancies and interstitial silicon pairs. N in the fourth term on the right side of each of the equations (9) and (10)vIs the density of void 21 and rvIs the radius of the void 21, and N in the fifth term on the right side of the equation (9)pIs the density of the inner wall oxide film 22 and RpIs the outer radius of the inner wall oxide film 22.
[0030]
The above equation (9) is satisfied because the vacancy flux for vacancy deposition is sufficiently large, and the unit mass of the Si matrix constituting the silicon
[Equation 8]
[0031]
In the above equation (13), Θ (x) is a heaviside function. That is, Θ (x) = 0 when x <0, and Θ (x) = 1 when x> 0. TpIs the temperature at which the inner wall oxide film 22 is formed, and TvIs the formation start temperature of the void 21. JcIs the amount of oxygen precipitation nuclei generated per unit time with a critical radius, rcIs the radius of the oxygen precipitation nuclei. The first term on the right side of equation (13) is Fick's diffusion formula, and D in the first term on the right sidevIs a diffusion coefficient of holes represented by the formula (11).
[0032]
Next, as a tenth step, the density C of the pores obtained by solving the above diffusion equationvBased on the distribution, formation start temperature T of void 21vIs obtained from the following equation (14).
[Equation 9]
[0033]
In the above formula (14), CvIs the vacancy density in the silicon
[0034]
As an eleventh step, the temperature at the lattice point of each mesh in the silicon
[Expression 10]
[0035]
In the above formula (15), nvIs the density of the void 21 and (dT / dt) is the cooling rate of the silicon
[0036]
As a twelfth step, the temperature at the lattice point of each mesh in the silicon
## EQU11 ##
[0037]
In the above equation (16), t1 is the temperature at the lattice point of the mesh of the silicon
[0038]
As a thirteenth step, the formation start temperature T of the inner wall oxide film 22 growing around the void 21pAsk for. Formation start temperature T of inner wall oxide film 22pIs the formation start temperature T of the void 21vIf it is smaller, oxygen and vacancies combine to grow an inner wall oxide film 22 on the surface of the void 21 (FIG. 6). In the model of the present invention, the inner wall oxide film 22 is treated as growing immediately after the void 21 is generated. Here, “immediately” means “from the next repeated calculation in which a void has occurred”.
[0039]
As a fourteenth step, the temperature at the lattice point of each mesh in the silicon
[Expression 12]
[0040]
In the above formula (17), DOIs the diffusion coefficient of oxygen, COIs the oxygen density and COeifIs the radius R with the center of the spherical void 21 as the originpIs the oxygen equilibrium density in gOIs the reaction rate of oxygen atoms at the interface between SiOx and Si, that is, the outer peripheral surface of the inner wall oxide film 22. In addition, the voids are formed from outside the inner wall oxide film 22 to the outer peripheral surface of the oxide film (radius RpFlux flowing into the spherical surfacevIs obtained from the following equation (18).
[Formula 13]
[0041]
In the above formula (18), gvIs the reaction rate of vacancies on the outer peripheral surface of the inner wall oxide film 22, and CveifIs the equilibrium density of holes on the outer peripheral surface of the inner wall oxide film 22. As the inner wall oxide film 22 of silicon grows, vacancies are consumed, and the vacancy consumption rate is γ for one oxygen atom. Therefore, the condition for the inner wall oxide film 22 to grow without distortion is the oxygen flux JOIn contrast, the hole flux is γJOSo the flux of holes γJOIs obtained from the following equation (19).
[Expression 14]
[0042]
Therefore, (Jv-ΓJO) Is a flux of holes absorbed by the inner wall oxide film 22. Here, when the flux from outside the inner wall oxide film 22 of the pores to this oxide film increases ((Jv-ΓJO)> 0), or when the flux from the void 21 to the oxide film increases with time ((Jv-ΓJO) <0) where the rate of change of the flux with respect to time is α, this α is considered to depend on the thickness of the inner wall oxide film 22. Therefore, the thickness d of the inner wall oxide film 22, that is, (Rp-Rv) Is d0If it is less than that, it is considered that the inner wall oxide film 22 partially penetrates the void from both sides of the oxide film and the void 21. In other words, d <d0If α ≠ 0, vacancies penetrate the inner wall oxide film 22 at a certain rate and are used for the growth of the void 21. However, the interstitial silicon is not used for the growth of the void 21 at the same time as the oxygen precipitation layer is nucleated.
[0043]
Further, when the amount of flux from outside the inner wall oxide film 22 to the oxide film is small, that is, (Jv-ΓJO) <0, the inner wall oxide film 22 without distortion cannot be grown, so that the voids flow into the oxide film from the void 21 and the outer diameter of the void 21 is reduced. As a result, d ≧ d0When α = 0, the inner wall oxide film 22 does not pass through the holes at all. And nvWhere dn is the number of vacancies in void 21v/ dt is the inflow of holes, dnv/ dt = α (Jv-ΓJO), The following equation (20) holds. In formula (20), rvIs the radius of the void 21 obtained by the equation (16), and RpIs the outer radius of the inner wall oxide film 22. DOIs the diffusion coefficient of oxygen, COIs the oxygen density. In addition COeifIs the radius R with the center of the spherical void 21 as the originpIs the oxygen equilibrium density in gOIs the reaction rate of oxygen atoms on the outer peripheral surface of the inner wall oxide film 22.
[Expression 15]
[0044]
At the same time, the number of SiOx molecules constituting the inner wall oxide film 22 is the flux J in which the oxygen in the formula (20) flows from the inner wall oxide film 22 to the outer peripheral surface of this oxide film.OTherefore, the following equation (21) is established. In equation (21), ρp= X / ΩSiOxIt is defined as This ρpIn the definition formula, ΩSiOxIs the molecular volume of SiOx, the unit of which is molecular weight / density. X corresponds to x of SiOx.
[Expression 16]
[0045]
Substituting the above equation (21) into the above equation (20) yields the following equation (22). In Equation (22), η is ΩSiOx/ ΩSiIt is. In this definition of η, ΩSiIs 1 / ρ, and ρ is the density of the silicon
[Expression 17]
[0046]
The following can be understood from the above equations (20) and (22). First, d is d0TThreeThen, this time tThreeIn this case, α becomes zero, so that the inner wall oxide film 22 does not penetrate. The outer diameter of the void 21 is rv(tThree), The growth of the inner wall oxide film 22 is determined by the consumption of vacancies or oxygen flowing from the matrix of the silicon
[Expression 18]
[0047]
In the above formula (23) and formula (24), ΩSiOxIs the molecular volume of SiOx. In the equations (23) and (24), the vacancy equilibrium density on the outer peripheral surface of the inner wall oxide film is RpIs unrelated to Cveif= CveAnd COeif= COeIs assumed. From equation (23) or equation (24), outer radius R of inner wall oxide film 22pThe outer radius R of the inner wall oxide film 22pTo radius 21 of void 21vTo obtain the thickness d of the inner wall oxide film 22.
[0048]
Next, as a fifteenth step, based on the oxygen density distribution, the vacancy density distribution, and the temperature distribution in the silicon
[Equation 19]
[0049]
In the above equation (25), σcIs the interface energy between SiOx and Si at the oxygen precipitation nucleation temperature, DOIs the oxygen diffusion coefficient. Also COIs the oxygen density at the oxygen precipitation nucleation temperature and kBIs the Boltzmann constant. F*Is a growth barrier for oxygen precipitation nuclei, and assuming that the oxygen precipitation nuclei are spheres, F*Can be obtained by the following equation (26).
[Expression 20]
[0050]
In the above equation (26), ρcIs the oxygen number density of the oxygen precipitation nuclei made of SiOx, and fcIs the driving force (force per oxygen atom) necessary for the formation of oxygen precipitation nuclei, and this fcIs obtained from the following equation (27).
[Expression 21]
[0051]
In the above formula (27), COIs the oxygen density at the oxygen precipitation nucleation temperature, COeIs the oxygen equilibrium density. Γ is the amount of vacancies per one oxygen atom necessary for the oxide to grow without distortion, and is a number depending on the phase of the oxygen precipitation nuclei. Oxygen precipitation nuclei are SiO2When γ is approximately γ≈0.5, and when the oxygen precipitation nucleus is SiO, γ is approximately 0.65. In addition CvIs the density of vacancies and CveIs the equilibrium density of vacancies. Note that σ in Equation (25) and Equation (26)c(Interfacial energy between SiOx and Si at the oxygen precipitation nucleation temperature) is an important parameter governing nucleation, and this parameter σcDepends on nucleation, and generally varies depending on temperature and radius of oxygen precipitation nuclei. On the other hand, the critical radius r of the oxygen precipitation nucleuscrIs obtained by the following equation (28).
[Expression 22]
[0052]
Next, as a sixteenth step, when the generation amount of oxygen precipitation nuclei per unit time exceeds zero, the calculation for determining the radius of the void 21 and the thickness of the inner wall oxide film 22 is stopped and the radius of the oxygen precipitation nuclei is obtained. . The oxygen precipitation nuclei grow while consuming oxygen and vacancies, and the vacancies adjust the strain between Si and its oxide (SiOx). In the model of the present invention, it is assumed that the growth rate of oxygen precipitation nuclei is limited to oxygen diffusion and vacancy diffusion. γDOCO<Dv(Cv-Cve), The growth rate of the oxygen precipitation nuclei is limited to the diffusion of oxygen, and is obtained by the following equation (29).
[Expression 23]
[0053]
ΓDOCO> Dv(Cv-Cve), Vacancies are consumed during cluster growth to eliminate strain between Si and its oxide (SiOx), and the cluster growth rate is expressed by the following equation (30). The
[Expression 24]
[0054]
The eighth to sixteenth steps are repeated until the cooling of the silicon
[0055]
As described above, after determining the temperature distribution in the silicon
In this embodiment, a silicon single crystal is used as the single crystal. However, a GaAs single crystal, an InP single crystal, a ZnS single crystal, or a ZnSe single crystal may be used.
[0056]
【Example】
Next, examples of the present invention will be described in detail together with comparative examples.
<Example 1>
As shown in FIGS. 5 and 6, when the silicon
[0057]
That is, the hot zone of the silicon
[0058]
Next, when the pulling of the silicon
[0059]
On the other hand, since the inner wall oxide film 22 growing around the void 21 is treated as growing immediately after the void 21 is generated, the formation start temperature T of the inner wall oxide film 22 is increased.pThe formation start temperature T of the void 21vIt was the same. Here, “immediately” means “from the next repeated calculation in which a void has occurred”. Next, the outer radius R of the inner wall oxide film 22 when it becomes lower than the formation start temperature of the inner wall oxide film 22.pWas determined using a computer. Next, the outer radius R of the wall oxide film 22pIs subtracted from the radius of the void 21 to obtain the thickness d of the inner wall oxide film 22. The density distribution of the inner wall oxide film was the same as the density distribution of the voids.
[0060]
Next, based on the density distribution of oxygen, the density distribution of vacancies, and the temperature distribution in the silicon
[0061]
When the position of the silicon
[0062]
<Comparative Example 1>
A silicon single crystal having the same shape as in Example 1 was pulled up under the same conditions. This silicon single crystal was designated as Comparative Example 1.
[0063]
<Comparison test and evaluation>
Of the density distribution of oxygen precipitation nuclei in part A, B and C in FIG. 8A obtained by the method of Example 1, oxygen precipitation nuclei of a certain size or more depending on the heat treatment conditions obtained empirically. Total number (A1, B1And C1) Using a computer. The results are shown in Table 1. On the other hand, in the silicon single crystal of Comparative Example 1, the density distribution of oxygen precipitation nuclei in the portions corresponding to the A part, the B part, and the C part in FIG. 8A was measured with an optical microscope after a predetermined heat treatment. The results are shown in Table 1.
[0064]
[Table 1]
[0065]
As is apparent from Table 1, the density distribution of oxygen precipitation nuclei calculated by the method of Example 1 was in the same order as the density distribution of oxygen precipitation nuclei actually measured in Comparative Example 1. As a result, it was found that the density distribution of oxygen precipitation nuclei can be estimated at the order level by the method of Example 1.
[0066]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, not only can the temperature distribution in the single crystal grown from the melt be taken into account by taking into account the convection of the melt, but also the temperature in the single crystal during the cooling process. By determining even the distribution, it is possible to accurately predict the density distribution and size distribution of the oxygen precipitation nuclei in the single crystal. That is, by considering the effect of slow cooling and rapid cooling of the single crystal in the cooling process of the single crystal separated from the melt, the density distribution and size distribution of void defects consisting of voids and inner wall oxide films are obtained, and oxygen precipitation Calculate the amount of nuclei generated per unit time and this critical radius, and when the amount of oxygen precipitated nuclei generated per unit time exceeds zero, stop calculating the void radius and inner wall oxide thickness, The radius of the oxygen precipitation nuclei is obtained using a computer. As a result, the density distribution of oxygen precipitation nuclei in a single crystal can be accurately predicted by determining the amount of oxygen precipitation nuclei generated per unit time, and the size of the oxygen precipitation nuclei in the crystal can be determined by determining the radius of the oxygen precipitation nuclei. The distribution can be predicted accurately.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a flowchart showing a first stage of a simulation method of density distribution and size distribution of void defects in a silicon single crystal according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart showing a second stage of a method for simulating the density distribution and size distribution of the void defect.
FIG. 3 is a flowchart showing a third stage of the simulation method of the density distribution and size distribution of the void defect.
FIG. 4 is a flowchart showing a fourth stage of a simulation method of the density distribution and size distribution of the void defect.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a main part of a silicon single crystal pulling machine having a mesh structure of the silicon melt according to the present invention.
FIG. 6 is a schematic view of a void and an inner wall oxide film in the silicon single crystal.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a principal part of a silicon single crystal pulling machine having a mesh structure of a silicon melt of a conventional example.
FIG. 8 is a diagram showing the size distribution and density distribution of oxygen precipitation nuclei obtained using a computer when the radial position of the silicon single crystal is changed and when the pulling speed of the silicon single crystal is changed.
[Explanation of symbols]
11 Silicon single crystal pulling machine
12 Silicon melt
14 Silicon single crystal
21 void
22 Inner wall oxide film
S Triple point of silicon
Claims (1)
前記ホットゾーンの各部材毎にメッシュをまとめかつこのまとめられたメッシュに対する前記各部材の物性値とともに前記単結晶(14)の引上げ長及びこの引上げ長に対応する前記単結晶(14)の引上げ速度をそれぞれコンピュータに入力する第2ステップと、
前記各部材の表面温度分布をヒータの発熱量及び前記各部材の輻射率に基づいて求める第3ステップと、
前記各部材の表面温度分布及び熱伝導率に基づいて熱伝導方程式を解くことにより前記各部材の内部温度分布を求めた後に融液(12)が乱流であると仮定して得られた乱流モデル式及びナビエ・ストークスの方程式を連結して解くことにより対流を考慮した前記融液(12)の内部温度分布を更に求める第4ステップと、
前記単結晶(14)及び前記融液(12)の固液界面形状を前記単結晶の三重点(S)を含む等温線に合せて求める第5ステップと、
前記第3ステップから前記第5ステップを前記三重点(S)が前記単結晶(14)の融点になるまで繰返し前記引上げ機(11)内の温度分布を計算して前記単結晶(14)のメッシュの座標及び温度を求めこれらのデータをそれぞれ前記コンピュータに入力する第6ステップと、
前記単結晶(14)の引上げ長及び引上げ高さを段階的に変えて前記第1ステップから前記第6ステップまでを繰返し前記引上げ機(11)内の温度分布を計算して前記単結晶(14)のメッシュの座標及び温度を求めこれらのデータをそれぞれ前記コンピュータに入力する第7ステップと、
前記単結晶(14)の前記融液(12)からの引上げ開始時から前記単結晶(14)の冷却完了時までの時間を所定の間隔毎に区切り前記区切られた時間間隔毎に第7ステップで求めた前記単結晶(14)のメッシュの座標及び温度のデータから前記単結晶(14)の引上げ長及び引上げ高さと前記単結晶(14)内の温度分布とを求める第8ステップと、
前記単結晶(14)内の空孔及び格子間原子の拡散係数及び境界条件に基づいて拡散方程式を解くことにより前記所定の時間間隔の経過した後の空孔及び格子間原子の密度分布を求める第9ステップと、
前記空孔の密度分布に基づいてボイドの形成開始温度を求める第10ステップと、
前記単結晶(14)内のそれぞれのメッシュの格子点における温度が次第に低下して前記ボイド(21)の形成開始温度になったときの前記ボイド(21)の密度を求める第11ステップと、
前記単結晶(14)内のそれぞれのメッシュの格子点における温度が前記ボイド(21)の形成開始温度より低いときの前記ボイド(21)の半径を求める第12ステップと、
前記ボイド(21)の周囲に成長する内壁酸化膜(22)の形成開始温度を求める第13ステップと、
前記単結晶(14)内のそれぞれのメッシュの格子点における温度が次第に低下して前記内壁酸化膜(22)の形成開始温度より低くなったときに前記ボイド(21)の半径と前記内壁酸化膜(22)の厚さとを互いに関連させて求める第14ステップと、
前記単結晶(14)内の酸素の密度分布と前記空孔の密度分布と温度分布に基づいて酸素析出核の単位時間当りの発生量と前記臨界半径とを求める第15ステップと、
前記酸素析出核の単位時間当りの発生量がゼロを越えたときに前記ボイド(21)の半径及び前記内壁酸化膜(22)の厚さを求める計算を停止しかつ前記酸素析出核の半径を求める第16ステップと、
第8ステップから第16ステップを前記単結晶(14)の冷却が完了するまで繰返す第17ステップと
を含むコンピュータを用いて単結晶内酸素析出核の密度分布及びサイズ分布のシミュレーションを行う方法。The hot zone of the puller (11) is modeled with a mesh structure from the start of pulling of the single crystal (14) from the melt (12) by the puller (11) until the cooling of the single crystal (14) is completed. A first step to:
The mesh is grouped for each member of the hot zone and the pulling length of the single crystal (14) and the pulling speed of the single crystal (14) corresponding to the pulling length together with the physical property values of the members with respect to the gathered mesh A second step of entering each into the computer;
A third step of determining the surface temperature distribution of each member based on the heat value of the heater and the radiation rate of each member;
The turbulence obtained on the assumption that the melt (12) is turbulent after obtaining the internal temperature distribution of each member by solving the heat conduction equation based on the surface temperature distribution and thermal conductivity of each member. A fourth step of further obtaining an internal temperature distribution of the melt (12) considering convection by concatenating and solving a flow model equation and Navier-Stokes equations;
A fifth step of obtaining a solid-liquid interface shape of the single crystal (14) and the melt (12) according to an isotherm including a triple point (S) of the single crystal;
The third step to the fifth step are repeated until the triple point (S) reaches the melting point of the single crystal (14), and the temperature distribution in the puller (11) is calculated to calculate the single crystal (14). A sixth step of obtaining the coordinates and temperature of the mesh and inputting these data to the computer, respectively;
The pulling length and the pulling height of the single crystal (14) are changed in stages, and the temperature distribution in the pulling machine (11) is calculated repeatedly from the first step to the sixth step to calculate the single crystal (14 ) To obtain the coordinates and temperature of the mesh and input these data to the computer, respectively,
A time from the start of pulling of the single crystal (14) from the melt (12) to the completion of cooling of the single crystal (14) is divided at predetermined intervals, and a seventh step is performed for each divided time interval. An eighth step of determining the pulling length and pulling height of the single crystal (14) and the temperature distribution in the single crystal (14) from the mesh coordinates and temperature data of the single crystal (14) determined in
Obtain the density distribution of the vacancies and interstitial atoms after the predetermined time interval by solving the diffusion equation based on the diffusion coefficients and boundary conditions of the vacancies and interstitial atoms in the single crystal (14) 9th step;
A tenth step of determining a void formation start temperature based on the density distribution of the pores;
An eleventh step of determining the density of the void (21) when the temperature at the lattice point of each mesh in the single crystal (14) gradually decreases to the formation start temperature of the void (21);
A twelfth step of determining a radius of the void (21) when a temperature at a lattice point of each mesh in the single crystal (14) is lower than a formation start temperature of the void (21);
A thirteenth step of determining a formation start temperature of the inner wall oxide film (22) grown around the void (21);
The radius of the void (21) and the inner wall oxide film when the temperature at the lattice point of each mesh in the single crystal (14) gradually decreases and becomes lower than the formation start temperature of the inner wall oxide film (22). A fourteenth step for determining the thickness of (22) in relation to each other;
A fifteenth step of determining the amount of oxygen precipitation nuclei per unit time and the critical radius based on the density distribution of oxygen in the single crystal (14), the density distribution of the vacancies, and the temperature distribution;
When the generation amount per unit time of the oxygen precipitation nuclei exceeds zero, the calculation for determining the radius of the void (21) and the thickness of the inner wall oxide film (22) is stopped, and the radius of the oxygen precipitation nuclei is set. A 16th step to be obtained;
A method of simulating the density distribution and size distribution of oxygen precipitation nuclei in a single crystal using a computer including a seventeenth step in which steps 8 to 16 are repeated until the cooling of the single crystal (14) is completed.
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