JP4582465B2 - High purity nickel or nickel alloy target and method for producing the same - Google Patents

High purity nickel or nickel alloy target and method for producing the same Download PDF

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本発明は、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)及びプラズマのイグニッション(点弧)性に優れたニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a nickel or nickel alloy sputtering target excellent in film uniformity (film thickness uniformity) and plasma ignition (ignition) properties, and a method for producing the same.

ハードディスク用磁気記録媒体、磁気ヘッド、LSIチップ等に磁性膜を形成する方法として、スパッタリング法が広く用いられている。
スパッタリング法は、陽極となる基板と陰極となるターゲットとを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。
A sputtering method is widely used as a method for forming a magnetic film on a magnetic recording medium for a hard disk, a magnetic head, an LSI chip, or the like.
In the sputtering method, a substrate serving as an anode and a target serving as a cathode are opposed to each other, and an electric field is generated by applying a high voltage between these substrate and target in an inert gas atmosphere. Electrons and inert gas collide to form a plasma. The cations in the plasma collide with the target surface and strike target atoms, and the ejected atoms adhere to the opposing substrate surface to form a film. This is based on the principle that

現在、スパッタリングの多くは、いわゆるマグネトロンスパッタリングと呼ばれている方法が使用されている。マグネトロンスパッタリング法は、ターゲットの裏側に磁石をセットしターゲット表面に電界と垂直方向に磁界を発生させてスパッタリングを行なう方法であり、このような直交電磁界空間内ではプラズマの安定化および高密度化が可能であり、スパッタ速度を大きくすることができるという特徴を有している。   Currently, most of sputtering uses a so-called magnetron sputtering method. Magnetron sputtering is a method in which a magnet is set on the back side of a target and a magnetic field is generated in the direction perpendicular to the electric field on the target surface to perform sputtering. In such an orthogonal electromagnetic field space, plasma stabilization and densification are achieved. It is possible to increase the sputtering rate.

一般に、このようなマグネトロンスパッタリング法を用い、NiやCo等の強磁性体またはフェリ磁性体等の磁性体薄膜を基板上に形成することが行なわれている。マグネトロンスパッタリングは磁界中に電子を捕らえて、効率よくスパッタガスを電離するが、ターゲットが磁化をもつ場合、ターゲットそのものが磁気特性によって、スパッタ面近傍の磁界に影響を与える。
近年、特にゲート材料として、シリサイド化温度が低いこと、膜の電気抵抗が低いこと、さらにはシリサイド反応で使用されるシリコンが少ないなどの特性があることから、コバルトに替えてニッケル又はニッケル合金を使用する提案がなされている。
In general, using such a magnetron sputtering method, a magnetic thin film such as a ferromagnetic material such as Ni or Co or a ferrimagnetic material is formed on a substrate. Magnetron sputtering captures electrons in the magnetic field and efficiently ionizes the sputtering gas. However, when the target has magnetization, the target itself affects the magnetic field in the vicinity of the sputtering surface due to the magnetic characteristics.
In recent years, as a gate material, nickel or nickel alloy is used instead of cobalt because of its low silicidation temperature, low electrical resistance of the film, and low silicon used in the silicidation reaction. Proposals to use have been made.

一般に、強磁性体は磁気的に閉回路を作るためにマグネトロンスパッタリングすることが極めて難しいという問題がある。しかし、最近ではニッケル又はニッケル合金のような強磁性体ターゲットでも、強力なマグネットを用いるなどのマグネトロンスパッタリング装置の改善によって、ニッケル又はニッケル合金ターゲットの厚さが5mm程度あれば、十分な成膜速度が得られるようになっている。
しかし、逆に言うとニッケル又はニッケル合金のようなターゲットにおいては、その厚さを5mm以下好ましくは3mm以下に薄くし、かつ均一な膜が得られるように、ターゲットを加工する必要があるという大きな課題がある。
また、スパッタ面内の磁気特性が不均一であるターゲットを用いると、エロージョン部の最深部が歪み、予定した膜厚分布が得られないという問題があり、磁性体であるニッケル又はニッケル合金ターゲットは、特にこの傾向が著しいと言える。
In general, a ferromagnetic material has a problem that it is extremely difficult to perform magnetron sputtering in order to magnetically form a closed circuit. However, recently, even with a ferromagnetic target such as nickel or a nickel alloy, if the thickness of the nickel or nickel alloy target is about 5 mm due to improvements in the magnetron sputtering apparatus such as using a strong magnet, a sufficient film forming speed is achieved. Can be obtained.
However, in other words, in a target such as nickel or a nickel alloy, it is necessary to reduce the thickness to 5 mm or less, preferably 3 mm or less, and to process the target so as to obtain a uniform film. There are challenges.
In addition, when using a target with non-uniform magnetic characteristics in the sputter plane, there is a problem that the deepest part of the erosion part is distorted and a predetermined film thickness distribution cannot be obtained. This is especially true.

圧延を施したターゲット素材は、当然歪みが等方的ではない。すなわち結晶粒が一方向に延ばされた集合組織となる。このため、三次元的に見た場合には勿論のこと、圧延面内ですら、磁気特性に異方性を生ずる。
ニッケル又はニッケル合金ターゲットは、この磁気的異方性を利用するものであるが、内部組織に歪み等がそのまま存在するという欠点を有している。
このような圧延板から円盤状のターゲットを切出してターゲットを作製すると、本来円形のエロージョンが進行するところが、1方向に延ばされた形となる。
本来、円形基板上への成膜の際に本来円形のエロージョンとなることが期待されていたものであるから、該円形基板上での均一の膜厚が得られないという問題がある。
以上から、通常成膜の厚さは磁気特性を左右するので、ある程度の膜厚があり、かつそれが均一であることが必要である。しかし、ゲート膜は薄くても良く、成膜速度や膜厚は特に問題となることはない。
しかしながら、上記の成膜特性において、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)がゲート膜の特性に大きな影響を与え、特に、最近の300mmウエハプロセスでは大きな問題となっている。
Naturally, the target material subjected to rolling is not isotropic. That is, it becomes a texture in which crystal grains are extended in one direction. For this reason, when viewed three-dimensionally, anisotropy occurs in the magnetic characteristics even in the rolling plane.
A nickel or nickel alloy target utilizes this magnetic anisotropy, but has a drawback that strain or the like exists in the internal structure as it is.
When a disk-shaped target is cut out from such a rolled plate to produce the target, the originally circular erosion progresses in a shape extended in one direction.
Originally, since it was originally expected to form a circular erosion during film formation on a circular substrate, there is a problem that a uniform film thickness cannot be obtained on the circular substrate.
From the above, since the thickness of the normal film formation affects the magnetic characteristics, it is necessary to have a certain film thickness and be uniform. However, the gate film may be thin, and the film formation speed and film thickness are not particularly problematic.
However, in the film formation characteristics described above, the film uniformity (thickness uniformity) has a great influence on the characteristics of the gate film, and is a big problem particularly in the recent 300 mm wafer process.

本発明は、上記のような問題または欠点に鑑みてなされたもので、300mmウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)を良好にすることができ、かつプラズマのイグニッション(点弧)性に優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned problems or drawbacks, and can improve film uniformity (film thickness uniformity) even in a manufacturing process using a 300 mm wafer, and plasma. An object of the present invention is to provide a high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering excellent in ignition (ignition) property and a method for producing the same.

上記の課題を解決するために、本発明者はスパッタリング用ターゲットの製造に際して、スパッタ膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)の改善には、むしろ透磁率の高い方が良いとの知見を得、さらに加工工程の改良により、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)を向上させることができ、これによって得られた高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングすることにより、安定した製造条件で、再現性よくかつ品質の良いニッケル又はニッケル合金薄膜を得ることができるとの知見を得た。
本発明はこの知見に基づき、
1.マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、該ターゲットの透磁率が100以上、高純度ニッケルの場合は平均結晶粒径が323μm以上1215μm以下、高純度ニッケル合金の場合は平均結晶粒径が23.5μm以上1290μm以下であり、平均結晶粒径の5倍以上に粒成長した粗大結晶粒を含まず、スパッタ膜のユニフォーミティ(%、3σ)が10%以下であるユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット、を提供する。
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor has obtained the knowledge that, in the production of a sputtering target, it is rather better to have a high permeability in order to improve the uniformity (thickness uniformity) of the sputtered film. Furthermore, by improving the processing process, the film uniformity (thickness uniformity) can be improved, and stable production is achieved by magnetron sputtering using the high-purity nickel or nickel alloy target obtained thereby. It was found that a nickel or nickel alloy thin film with good reproducibility and quality can be obtained under conditions.
The present invention is based on this finding,
1. A high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering, in which the magnetic permeability of the target is 100 or more , in the case of high-purity nickel, the average crystal grain size is 323 μm or more and 1215 μm or less, and in the case of a high-purity nickel alloy, the average crystal grain size Is 23.5 μm or more and 1290 μm or less, does not include coarse crystal grains grown more than 5 times the average crystal grain size, and has excellent uniformity with sputtered film uniformity (%, 3σ) of 10% or less A high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering is provided.

本発明は、さらに
2.純度が4N5(99.995重量%)以上である高純度ニッケル又はニッケル合金を熱間鍛造した後、30%以上の圧延率で冷間圧延し、これをさらに300°C以上の温度で再結晶させる熱処理工程からなり、前記冷間圧延と熱処理を少なくとも2回以上繰り返し、ターゲットの透磁率が100以上、高純度ニッケルの場合は平均結晶粒径を323μm以上1215μm以下、高純度ニッケル合金の場合は平均結晶粒径を23.5μm以上1290μm以下とし、スパッタ膜のユニフォーミティ(%、3σ)が10%以下であるユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットの製造方法
3.純度が5N(99.999重量%)以上であることを特徴とする上記記載のスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットの製造方法
4.高純度ニッケル又はニッケル合金の熱間鍛造に際し、こねくり鍛造することを特徴とする上記2又は3記載のスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットの製造方法
5.平均結晶粒径の5倍以上に粒成長した粗大結晶粒を含まないことを特徴とする上記2〜4のいずれか一に記載のスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットの製造方法、を提供するものである。
The present invention further provides 2. After hot forging high-purity nickel or nickel alloy with a purity of 4N5 (99.995 wt%) or higher, it is cold-rolled at a rolling rate of 30% or higher and recrystallized at a temperature of 300 ° C or higher. In the case of a high purity nickel alloy, the cold rolling and the heat treatment are repeated at least twice, the magnetic permeability of the target is 100 or more, and in the case of high purity nickel, the average grain size is 323 μm or more and 1215 μm or less. 2. Method for producing high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering having an average crystal grain size of 23.5 μm or more and 1290 μm or less and excellent uniformity of sputtered film (%, 3σ) of 10% or less 3. A method for producing a high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering having excellent uniformity of the sputtered film according to 2 above, wherein the purity is 5N (99.999% by weight) or more. 4. The method for producing a high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering excellent in uniformity of the sputtered film according to the above 2 or 3 , wherein hot forging of the high-purity nickel or nickel alloy is performed. High purity nickel or nickel for magnetron sputtering excellent in sputtered film uniformity as described in any one of 2 to 4 above, which does not contain coarse crystal grains grown more than 5 times the average crystal grain size An alloy target manufacturing method is provided.

本発明のマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法は、結晶粒径が均一で粗大化した異常結晶粒がなく、300mmウエハを用いた成膜プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)とプラズマのイグニッション(点弧)性を良好にすることができるという優れた効果を有する。   The high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering according to the present invention and the method for producing the same have no abnormal crystal grains having a uniform crystal grain size and coarse, and even in a film forming process using a 300 mm wafer, the film uniformity ( (Uniformity of film thickness) and plasma ignition (ignition) can be improved.

高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットの製造に際しては、まず高純度ニッケル又はニッケル合金を溶製し、これをブロック(インゴット)に鋳造する。
次に、これを熱間鍛造し、さらに30%以上の圧延率で冷間圧延し、これを400°C以上の温度で熱処理する。本発明においては前記冷間圧延と熱処理を少なくとも2回以上繰り返す。そして、最終的に、平板状その他のマグネトロンスパッタリング装置にセットできるターゲット形状に加工する。
この高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットの透磁率が100以上であることが重要であり、本発明の大きな特徴の一つである。上記の製造工程によってこれを達成する。
In producing a high-purity nickel or nickel alloy target, first, high-purity nickel or a nickel alloy is melted and cast into a block (ingot).
Next, this is hot forged, further cold-rolled at a rolling rate of 30% or higher, and heat-treated at a temperature of 400 ° C. or higher. In the present invention, the cold rolling and heat treatment are repeated at least twice. Finally, it is processed into a target shape that can be set in a flat plate or other magnetron sputtering apparatus.
It is important that the magnetic permeability of this high-purity nickel or nickel alloy target is 100 or more, which is one of the major features of the present invention. This is achieved by the manufacturing process described above.

透磁率が高いとプラズマが起ち難くなりスパッタリングが難しくなることは既に述べた通りであり、一般的には透磁率がなるべく低くなるような工夫がなされている。しかし、透磁率が高い場合には、スパッタリングによるエロージョンでターゲット形状が変化することによって、磁束変化が少なくなり、成膜の均一性の変動が少なくなるという効果があることが分かった。
つまり、透磁率が低いほど漏洩磁場が大きく、エロージョン部近傍のプラズマ密度が高くなり、このエロージョンの進行に伴い、よりこの部分のスパッタ成膜が大きくなってしまい、ターゲットライフを通じてユニフォーミティの変化が大きくなってしまうことになる。
本発明は、このような透磁率が高いことによる効果を利用してスパッタ膜のユニフォーミティを改善するものであり、従来とは全くことなる技術思想に基づくものである。
As described above, when the magnetic permeability is high, plasma is difficult to occur and sputtering is difficult. As a general rule, the magnetic permeability is made as low as possible. However, it has been found that when the magnetic permeability is high, the target shape is changed by erosion by sputtering, whereby the change in magnetic flux is reduced and the variation in film formation uniformity is reduced.
In other words, the lower the permeability, the larger the leakage magnetic field, and the higher the plasma density near the erosion part. As this erosion progresses, the sputter deposition in this part becomes larger, and the uniformity changes throughout the target life. It will be bigger.
The present invention improves the uniformity of the sputtered film using the effect of such a high magnetic permeability, and is based on a technical idea completely different from the conventional one.

また、高純度ニッケル又はニッケル合金は軟質な材料であり、異常な粒成長を起こし易く、細粒の中に粗大粒が混在する不均一な金属組織に成り易いという傾向がある。そして、この不均一組織は膜のユニフォーミティに大きく影響する。
また、このような高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット内部組織の粗大粒の混在は、プラズマのイグニッション(点弧)性にも悪影響を与えると考えられる。
上記のように、マグネトロンスパッタリングの際に好適なプラズマを形成させるためには、ニッケル又はニッケル合金ターゲットを5mm以下、好ましくは3mm程度の厚さにする必要があるが、もし異常な粒成長を起こしたターゲットの不均一組織が存在すると、それはターゲットが薄いだけに、ターゲット全体に大きく影響を与えることになる。その結果、スパッタリング膜のユニフォーミティ及びプラズマのイグニッション(点弧)性をより悪化させる。
したがって、マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット中に、平均結晶粒径の5倍以上に粒成長した粗大結晶粒を含まないことが望ましい。これによって、膜のユニフォーミティ及びプラズマのイグニッション(点弧)性がさらに改善される。
Further, high-purity nickel or nickel alloy is a soft material, tends to cause abnormal grain growth, and tends to have a non-uniform metal structure in which coarse grains are mixed in fine grains. This heterogeneous structure greatly affects the film uniformity.
In addition, it is considered that such coarse particles in the internal structure of the high-purity nickel or nickel alloy target adversely affect the ignition (ignition) property of the plasma.
As described above, in order to form a suitable plasma during magnetron sputtering, it is necessary to make the nickel or nickel alloy target 5 mm or less, preferably about 3 mm in thickness. If there is a heterogeneous texture of the target, it will have a large effect on the entire target, as the target is thin. As a result, the uniformity of the sputtering film and the ignition property of the plasma are further deteriorated.
Therefore, it is desirable that the high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering does not contain coarse crystal grains that have grown to be five times or more the average crystal grain size. This further improves the uniformity of the film and the ignition of the plasma.

このような、異常な粒成長を起こさない均一組織のニッケル又はニッケル合金ターゲットにするためには、上記の通り凝固組織を破壊したインゴットを30%以上の圧延率での冷間圧延と300°C以上の温度での熱処理を2回以上、繰り返して平板状に形成していくことが重要である。また、このような加工の繰り返しにより、ターゲット板に平坦性を持たせることができるという特徴を有する。
30%未満の圧延率では、異常粒成長した粗大組織を十分破壊(分断)できず、また300°C未満では透磁率が本発明で考えている程度の大きな値にならない。したがって、熱処理の範囲は300°C以上とする。
また、一回の30%以上の圧延率での冷間圧延と300°C以上の温度での熱処理(たとえ80%程度の強加工をしても)では、異常粒成長した粗大組織を十分に消失させることができない。
したがって、この工程は少なくとも2回以上、繰り返すことが必要である。なお、この冷間圧延と熱処理は必ずしも同一条件とする必要はない。
以上の工程によって、膜のユニフォーミティ及びプラズマのイグニッション(点弧)性に優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットを製造することができる。
In order to make such a nickel or nickel alloy target having a uniform structure that does not cause abnormal grain growth, an ingot in which the solidified structure is broken as described above is cold-rolled at a rolling rate of 30% or more and 300 ° C. It is important to repeat the heat treatment at the above temperature twice or more to form a flat plate. In addition, the target plate can be made flat by repeating such processing.
If the rolling rate is less than 30%, the coarse structure in which abnormal grains have grown cannot be sufficiently broken (divided), and if it is less than 300 ° C., the magnetic permeability does not become as large as that considered in the present invention. Therefore, the heat treatment range is set to 300 ° C. or higher.
In addition, in a single cold rolling at a rolling rate of 30% or more and heat treatment at a temperature of 300 ° C. or higher (even if strong processing of about 80%), the coarse structure in which abnormal grains have grown is sufficiently obtained. It cannot be lost.
Therefore, this process needs to be repeated at least twice. Note that the cold rolling and the heat treatment are not necessarily performed under the same conditions.
Through the above steps, a high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering excellent in film uniformity and plasma ignition (ignition) properties can be produced.

高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットとしては、純度が4N5(99.995重量%)以上、さらに5N(99.999重量%)以上である高純度ニッケル又はニッケル合金であることが望ましい。
ニッケル合金としては、Ni−Ti、Ni−Zr、Ni−Hf、Ni−V、Ni−Nb、Ni−Ta、Ni−Cr、Ni−Co、Ni−Pt、Ni−Pd、Ni−Ir、Ni−Fe、Ni−Mnなどを挙げることができる。添加する合金元素は、強磁性体としての性質が大きく変化するほどの含有量としないことは勿論であり、添加量としては0.5〜7at%程度である。
また、ターゲット中の平均結晶粒径が20〜1200μmであり、スパッタリングのエロージョン面における平均結晶粒径のばらつきが変動係数20%以内であることが望ましい。
これによって、ターゲットライフを通じての膜のユニフォーミティ及びプラズマのイグニッション(点弧)性に優れた好適なマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットを得ることができる。
なお、下記実施例及び比較例に示すニッケル合金については、上記ニッケル合金の一部のみを例示するが、いずれの合金においても同様の結果が得られた。
The high-purity nickel or nickel alloy target is preferably a high-purity nickel or nickel alloy having a purity of 4N5 (99.995% by weight) or more, and further 5N (99.999% by weight) or more.
Nickel alloys include Ni-Ti, Ni-Zr, Ni-Hf, Ni-V, Ni-Nb, Ni-Ta, Ni-Cr, Ni-Co, Ni-Pt, Ni-Pd, Ni-Ir, Ni -Fe, Ni-Mn, etc. can be mentioned. Needless to say, the alloy element to be added does not have such a content that the properties as a ferromagnetic material greatly change, and the added amount is about 0.5 to 7 at%.
Further, it is desirable that the average crystal grain size in the target is 20 to 1200 μm, and the variation in the average crystal grain size on the erosion surface of sputtering is within a variation coefficient of 20%.
As a result, a suitable high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering excellent in film uniformity and plasma ignition (ignition) throughout the target life can be obtained.
In addition, about the nickel alloy shown to the following Example and comparative example, although only a part of the said nickel alloy is illustrated, the same result was obtained also in any alloy.

以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明の技術思想に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。   Hereinafter, description will be made based on Examples and Comparative Examples. In addition, a present Example is an example to the last, and is not restrict | limited at all by this example. In other words, the present invention is limited only by the scope of the claims, and includes various modifications other than the embodiments included in the technical idea of the present invention.

参考例1〜2、実施例3〜5
純度99.995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解し、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。このインゴットを均熱化処理(900〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造(こねくり鍛造)を行った。熱間鍛造の開始温度は900°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。
900°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率30〜60%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。次に、これをさらに圧延率30〜60%で冷間圧延し、300〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。
これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケルターゲット試料とした。ターゲット試料の平均粒径は、表1に示す通り116〜1215μmにあり、異常結晶粒が見られない組織のターゲットが得られた。なお、平均結晶粒径116μm、137μmについては、参考例である。また、このニッケルターゲットの透磁率は121〜255であり、良好な平坦性を有していた。なお、組織観察と透磁率の測定は、ターゲットを放射状に均一に17点測定し、その平均値とした。以下の実施例及び比較例は、同様にして測定した。
( Reference Examples 1-2, Examples 3-5 )
Electron beam melting was performed using nickel having a purity of 99.995% as a raw material, and this was cast into an ingot (120φ × 70 h). After this ingot was soaked (held at 900 to 1150 ° C. for 2 hours), hot forging (kneading forging) was performed. The starting temperature of hot forging was 900 ° C. to 1150 ° C., and the true strain was about 5.
In hot forging below 900 ° C., cracks often occur, and at temperatures exceeding 1150 ° C., the material is significantly oxidized, so the temperature is set in the above range.
This was cold-rolled at a rolling rate of 30 to 60%, heat-treated at 300 ° C to 600 ° C for 1 hour, and recrystallized. Next, this was further cold-rolled at a rolling rate of 30 to 60%, heat-treated at 300 to 600 ° C. for 1 hour, and recrystallized.
A sample was cut out from the rolled plate obtained in this manner to obtain a discoid nickel target sample having a thickness of 3 mm and a diameter of 440 mm. The average particle diameter of the target sample was 116 to 1215 μm as shown in Table 1, and a target having a structure in which abnormal crystal grains were not observed was obtained. The average crystal grain size of 116 μm and 137 μm is a reference example . Moreover, the magnetic permeability of this nickel target was 121-255, and it had favorable flatness. In addition, the observation of the structure and the measurement of the magnetic permeability were carried out by measuring the targets uniformly at 17 points in a radial manner, and taking the average value. The following examples and comparative examples were measured in the same manner.

次に、このニッケルターゲットを用いて300mmウエハに対してマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティはターゲットライフ約5kwh毎に新しいウエハに1000Åの膜を成膜して、間接的に4端子法による49点の抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は、いずれも10%以下であり、しかもターゲットライフ90kwh(スパッタパワー1kw)まで持続し、優れた膜のユニフォーミティを示した。その詳細を、同様に表1に示す。但し、ターゲットライフ0〜10kWhは不安的期であり測定範囲外とした。
なお、表1には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、いずれも良好であった。
Next, magnetron sputtering was performed on a 300 mm wafer using this nickel target, and the film uniformity (%, 3σ) and plasma ignition (ignition) were measured and observed. The film uniformity was calculated from a resistance value of 49 points by a four-terminal method indirectly by depositing a 1000-mm film on a new wafer every target life of about 5 kwh.
The measurement results of the film uniformity were all 10% or less, and lasted up to a target life of 90 kwh (sputtering power 1 kw), indicating an excellent film uniformity. The details are also shown in Table 1. However, the target life of 0 to 10 kWh was an unstable period and was outside the measurement range.
In addition, although the ignition (ignition) property of plasma is not displayed in Table 1, all were favorable.

Figure 0004582465
Figure 0004582465

(比較例1〜8)
実施例と同様の純度99.99%のニッケルを原料として電子ビーム溶解し、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。このインゴットを均熱化処理(900〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は900°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。
これを圧延率50〜80%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理した。この冷間圧延と熱処理は1回である。
これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケルターゲット試料とした。ターゲット組織には、粗大結晶粒が観察された。
(Comparative Examples 1-8)
Electron beam melting was performed using nickel having a purity of 99.99% as a raw material in the same manner as in the examples, and this was cast into an ingot (120φ × 70 h). The ingot was subjected to a soaking treatment (held at 900 to 1150 ° C. for 2 hours), and then hot forging was performed. The starting temperature of hot forging was 900 ° C. to 1150 ° C., and the true strain was about 5.
This was cold-rolled at a rolling rate of 50 to 80% and heat-treated at 300 to 600 ° C. for 1 hour. This cold rolling and heat treatment are performed once.
A sample was cut out from the rolled plate obtained in this manner to obtain a discoid nickel target sample having a thickness of 3 mm and a diameter of 440 mm. Coarse crystal grains were observed in the target structure.

次に、このニッケルターゲットを用いて実施例と同一の条件でマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティの測定は間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は上限値が12〜20の範囲にあり、膜のユニフォーミティが著しく悪い結果となった。その詳細を、同様に表1に示す。特に、この比較例1〜8については、ターゲットライフが40kwhを過ぎたころから急激に膜のユニフォーミティが悪化する傾向が見られた。
なお、表1には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、同イグニッション性は不良であった。
Next, using this nickel target, magnetron sputtering was performed under the same conditions as in the example, and the uniformity (%, 3σ) of the film and the ignition (ignition) property of the plasma were measured and observed. The measurement of the film uniformity was indirectly calculated from the resistance value by the 4-terminal method.
The measurement result of the film uniformity was in the range of 12 to 20, and the film uniformity was extremely bad. The details are also shown in Table 1. In particular, in Comparative Examples 1 to 8, there was a tendency that the uniformity of the film suddenly deteriorated after the target life exceeded 40 kwh.
In addition, although the ignition (ignition) property of plasma is not displayed in Table 1, the ignition property was poor.

(実施例6〜10)
純度99、995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解した。別に純度99.995%のチタンを原料として電子ビーム溶解し、このニッケルにチタンを5at%添加して、コールドウォールタイプの真空誘導炉で溶解してニッケル−チタン合金とし、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。
このインゴットを均熱化処理(750〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は750°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。750°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率30〜60%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。次に、これをさらに圧延率30〜60%で冷間圧延し、300〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。
(Examples 6 to 10)
Electron beam melting was performed using nickel of purity 99, 995% as a raw material. Separately, titanium with a purity of 99.995% is used as a raw material, and 5nm% of titanium is added to the nickel. Then, it is melted in a cold wall type vacuum induction furnace to form a nickel-titanium alloy, which is cast and ingot. (120φ × 70 h).
The ingot was subjected to a soaking treatment (held at 750 to 1150 ° C. for 2 hours), and then hot forging was performed. The starting temperature of hot forging was 750 ° C. to 1150 ° C., and the true forging was performed at about 5. In hot forging below 750 ° C, cracks often occur, and at temperatures exceeding 1150 ° C, the material is significantly oxidized, so the temperature is set in the above range.
This was cold-rolled at a rolling rate of 30 to 60%, heat-treated at 300 ° C to 600 ° C for 1 hour, and recrystallized. Next, this was further cold-rolled at a rolling rate of 30 to 60%, heat-treated at 300 to 600 ° C. for 1 hour, and recrystallized.

これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケル合金ターゲット試料とした。ターゲット試料の平均粒径は表2に示す通り24〜850μmにあり、異常結晶粒が見られない組織のターゲットが得られた。また、このニッケル合金ターゲットの透磁率は107〜235であり、良好な平坦性を有していた。
次に、このニッケル合金ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティは間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は、いずれも10%以下であり、しかもターゲットライフ90kwh(スパッタパワー1kw)まで持続し、優れた膜のユニフォーミティを示した。その詳細を、同様に表2に示す。
なお、表2には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、いずれも良好であった。
A sample was cut out from the rolled plate obtained in this manner, and used as a disk-shaped nickel alloy target sample having a thickness of 3 mm and a diameter of 440 mm. The average particle size of the target sample was 24 to 850 μm as shown in Table 2, and a target having a structure in which abnormal crystal grains were not observed was obtained. Moreover, the magnetic permeability of this nickel alloy target was 107 to 235 and had good flatness.
Next, magnetron sputtering was performed using this nickel alloy target, and the uniformity (%, 3σ) of the film and the ignition (ignition) property of the plasma were measured and observed. The film uniformity was indirectly calculated from the resistance value by the four-terminal method.
The measurement results of the film uniformity were all 10% or less, and lasted up to a target life of 90 kwh (sputtering power 1 kw), indicating an excellent film uniformity. The details are similarly shown in Table 2.
In addition, although the ignition (ignition) property of plasma is not displayed in Table 2, all were favorable.

Figure 0004582465
Figure 0004582465

(比較例9〜16)
純度99、995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解した。別に純度99.995%のチタンを原料として電子ビーム溶解し、このニッケルにチタンを5at%添加して、コールドウォールタイプの真空誘導炉で溶解してニッケル−チタン合金とし、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。
このインゴットを均熱化処理(750〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は750°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。750°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率50〜80%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理した。この冷間圧延と熱処理は1回である。これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケル合金ターゲット試料とした。ターゲット組織には、粗大結晶粒が観察された。
(Comparative Examples 9-16)
Electron beam melting was performed using nickel of purity 99, 995% as a raw material. Separately, titanium with a purity of 99.995% is used as a raw material, and 5nm% of titanium is added to the nickel. Then, it is melted in a cold wall type vacuum induction furnace to form a nickel-titanium alloy, which is cast and ingot. (120φ × 70 h).
The ingot was subjected to a soaking treatment (held at 750 to 1150 ° C. for 2 hours), and then hot forging was performed. The starting temperature of hot forging was 750 ° C. to 1150 ° C., and the true forging was performed at about 5. In hot forging below 750 ° C, cracks often occur, and at temperatures exceeding 1150 ° C, the material is significantly oxidized, so the temperature is set in the above range.
This was cold-rolled at a rolling rate of 50 to 80% and heat-treated at 300 to 600 ° C. for 1 hour. This cold rolling and heat treatment are performed once. A sample was cut out from the rolled plate obtained in this manner, and used as a disk-shaped nickel alloy target sample having a thickness of 3 mm and a diameter of 440 mm. Coarse crystal grains were observed in the target structure.

次に、このニッケル合金ターゲットを用いて同一の条件でマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティの測定は間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は上限値が13〜22の範囲にあり、膜のユニフォーミティが著しく悪い結果となった。その詳細を、同様に表2に示す。特に、この比較例9〜16については、ターゲットライフが30kwhを過ぎたころから急激に膜のユニフォーミティが悪化する傾向が見られた。
なお、表2には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、同イグニッション性は不良であった。
Next, magnetron sputtering was performed using this nickel alloy target under the same conditions, and the film uniformity (%, 3σ) and plasma ignition (ignition) were measured and observed. The measurement of the film uniformity was indirectly calculated from the resistance value by the 4-terminal method.
The measurement result of the film uniformity was in the range of 13 to 22, and the film uniformity was extremely bad. The details are similarly shown in Table 2. In particular, in Comparative Examples 9 to 16, there was a tendency that the uniformity of the film suddenly deteriorated when the target life exceeded 30 kwh.
In Table 2, the ignition (ignition) property of the plasma is not displayed, but the ignition property is poor.

(実施例11〜15)
純度99、995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解した。別に純度99.995%のマンガンを原料とし、このニッケルにマンガンを0.5at%添加して、コールドウォールタイプの真空誘導炉でアルゴンガス雰囲気にて溶解してニッケル−マンガン合金とし、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。
このインゴットを均熱化処理(750〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は750°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。750°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率30〜60%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。次に、これをさらに圧延率30〜60%で冷間圧延し、300〜600°Cで1時間熱処理し、再結晶させた。
(Examples 11 to 15)
Electron beam melting was performed using nickel of purity 99, 995% as a raw material. Separately, manganese with a purity of 99.995% is used as a raw material, 0.5 at% of manganese is added to this nickel, and it is melted in an argon gas atmosphere in a cold wall type vacuum induction furnace to form a nickel-manganese alloy. Ingot (120φ × 70h).
The ingot was subjected to a soaking treatment (held at 750 to 1150 ° C. for 2 hours), and then hot forging was performed. The starting temperature of hot forging was 750 ° C. to 1150 ° C., and the true forging was performed at about 5. In hot forging below 750 ° C, cracks often occur, and at temperatures exceeding 1150 ° C, the material is significantly oxidized, so the temperature is set in the above range.
This was cold-rolled at a rolling rate of 30 to 60%, heat-treated at 300 ° C to 600 ° C for 1 hour, and recrystallized. Next, this was further cold-rolled at a rolling rate of 30 to 60%, heat-treated at 300 to 600 ° C. for 1 hour, and recrystallized.

これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケル合金ターゲット試料とした。ターゲット試料の平均粒径は表3に示す通り62〜1290μmにあり、異常結晶粒が見られない組織のターゲットが得られた。また、このニッケル合金ターゲットの透磁率は105〜215であり、良好な平坦性を有していた。
次に、このニッケル合金ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティは間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は、いずれも10%以下であり、しかもターゲットライフ90kwh(スパッタパワー1kw)まで持続し、優れた膜のユニフォーミティを示した。その詳細を、同様に表3に示す。
なお、表3には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、いずれも良好であった。
A sample was cut out from the rolled plate obtained in this manner, and used as a disk-shaped nickel alloy target sample having a thickness of 3 mm and a diameter of 440 mm. The average particle diameter of the target sample was 62 to 1290 μm as shown in Table 3, and a target having a structure in which abnormal crystal grains were not observed was obtained. Moreover, the magnetic permeability of this nickel alloy target was 105 to 215 and had good flatness.
Next, magnetron sputtering was performed using this nickel alloy target, and the uniformity (%, 3σ) of the film and the ignition (ignition) property of the plasma were measured and observed. The film uniformity was indirectly calculated from the resistance value by the four-terminal method.
The measurement results of the film uniformity were all 10% or less, and lasted up to a target life of 90 kwh (sputtering power 1 kw), indicating an excellent film uniformity. The details are similarly shown in Table 3.
In Table 3, the plasma ignition (ignition) properties are not shown, but all were good.

Figure 0004582465
Figure 0004582465

(比較例17〜24)
純度99、995%のニッケルを原料として電子ビーム溶解した。別に純度99.995%のマンガンを原料とし、このニッケルにマンガンを0.5at%添加して、コールドウォールタイプの真空誘導炉でアルゴンガス雰囲気にて溶解してニッケル−マンガン合金とし、これを鋳造してインゴット(120φ×70h)とした。
このインゴットを均熱化処理(750〜1150°Cで2時間保持)した後、熱間鍛造を行った。熱間鍛造の開始温度は750°C〜1150°Cであり、真歪み約5で行った。750°C未満の熱間鍛造では割れが入ることが多く、1150°Cを超える温度では材料の酸化が著しいので、上記の範囲の温度とした。
これを圧延率50〜80%で冷間圧延し、300°C〜600°Cで1時間熱処理した。この冷間圧延と熱処理は1回である。
(Comparative Examples 17-24)
Electron beam melting was performed using nickel of purity 99, 995% as a raw material. Separately, manganese with a purity of 99.995% is used as a raw material, 0.5 at% of manganese is added to this nickel, and it is melted in an argon gas atmosphere in a cold wall type vacuum induction furnace to form a nickel-manganese alloy. Ingot (120φ × 70h).
The ingot was subjected to a soaking treatment (held at 750 to 1150 ° C. for 2 hours), and then hot forging was performed. The starting temperature of hot forging was 750 ° C. to 1150 ° C., and the true forging was performed at about 5. In hot forging below 750 ° C, cracks often occur, and at temperatures exceeding 1150 ° C, the material is significantly oxidized, so the temperature is set in the above range.
This was cold-rolled at a rolling rate of 50 to 80% and heat-treated at 300 to 600 ° C. for 1 hour. This cold rolling and heat treatment are performed once.

これによって得た圧延板から試料を切り出し、厚さ3mm、直径440mmの円盤状ニッケル合金ターゲット試料とした。ターゲット組織には、粗大結晶粒が観察された。
次に、このニッケル合金ターゲットを用いて同一の条件でマグネトロンスパッタリングを実施し、膜のユニフォーミティ(%、3σ)及びプラズマのイグニッション(点弧)性を測定及び観察した。なお、膜のユニフォーミティの測定は間接的に4端子法による抵抗値から計算した。
膜のユニフォーミティの測定結果は上限値が15〜25の範囲にあり、膜のユニフォーミティが著しく悪い結果となった。その詳細を、同様に表3に示す。特に、この比較例17〜24については、ターゲットライフが30kwhを過ぎたころから急激に膜のユニフォーミティが悪化する傾向が見られた。
なお、表3には、プラズマのイグニッション(点弧)性を表示していないが、同イグニッション性は不良であった。
A sample was cut out from the rolled plate obtained in this manner, and used as a disk-shaped nickel alloy target sample having a thickness of 3 mm and a diameter of 440 mm. Coarse crystal grains were observed in the target structure.
Next, magnetron sputtering was performed using this nickel alloy target under the same conditions, and the film uniformity (%, 3σ) and plasma ignition (ignition) were measured and observed. The measurement of the film uniformity was indirectly calculated from the resistance value by the 4-terminal method.
The measurement result of the film uniformity was in the range of 15 to 25, and the film uniformity was extremely bad. The details are similarly shown in Table 3. In particular, in Comparative Examples 17 to 24, there was a tendency that the uniformity of the film suddenly deteriorated when the target life exceeded 30 kwh.
In Table 3, the plasma ignition (ignition) property is not shown, but the ignition property is poor.

本発明のマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法は、結晶粒径が均一で粗大化した異常結晶粒がなく、300mmウエハを用いた成膜プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)とプラズマのイグニッション(点弧)性を良好にすることができるという優れた効果を有するので、ハードディスク用磁気記録媒体、磁気ヘッド、LSIチップ等に磁性膜を形成する材料に好適である。   The high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering according to the present invention and the method for producing the same have no abnormal crystal grains having a uniform crystal grain size and coarse, and even in a film forming process using a 300 mm wafer, the film uniformity ( (Uniformity of film thickness) and plasma ignition (ignition) can be improved, so that it can be used as a material for forming magnetic films on magnetic recording media for hard disks, magnetic heads, LSI chips, etc. Is preferred.

Claims (4)

純度が4N5(99.995重量%)以上であるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、ニッケルの場合は、透磁率が185以上255以下、平均結晶粒径が323μm以上1215μm以下、ニッケル合金の場合は、合金元素はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt、Pd、Ir、Fe、Mnからなり、その添加量は0.5〜5at%で強磁性を示し、透磁率が105以上235以下、平均結晶粒径が23.5μm以上1290μm以下であり、ニッケル又はニッケル合金ターゲットはいずれも、平均結晶粒径の5倍以上に粒成長した粗大結晶粒を含まず、スパッタ膜のユニフォーミティ(%、3σ)が10%以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット。 A high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering having a purity of 4N5 (99.995% by weight) or more, and in the case of nickel, the magnetic permeability is 185 or more and 255 or less , the average crystal grain size is 323 μm or more and 1215 μm or less, In the case of a nickel alloy, the alloy elements include Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Co, Pt, Pd, Ir, Fe, and Mn, and the addition amount is 0.5 to 5 at% and is ferromagnetic. The magnetic permeability is 105 or more and 235 or less , the average crystal grain size is 23.5 μm or more and 1290 μm or less, and any nickel or nickel alloy target has coarse crystal grains grown to 5 times or more of the average crystal grain size. High purity Ni for magnetron sputtering, characterized in that the sputtered film uniformity (%, 3σ) is 10% or less. A nickel or nickel alloy target. 純度が4N5(99.995重量%)以上である高純度ニッケル又はニッケル合金を熱間鍛造した後、30%以上の圧延率で冷間圧延し、これをさらに300°C以上の温度で再結晶させる熱処理工程からなり、前記冷間圧延と熱処理を少なくとも2回以上繰り返すことを特徴とする請求項1記載のマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットの製造方法。   After hot forging high-purity nickel or nickel alloy with a purity of 4N5 (99.995 wt%) or higher, it is cold-rolled at a rolling rate of 30% or higher and recrystallized at a temperature of 300 ° C or higher. The method for producing a high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering according to claim 1, wherein the cold rolling and the heat treatment are repeated at least twice. 純度が5N(99.999重量%)以上であることを特徴とする請求項2記載のマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットの製造方法。   The method for producing a high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering according to claim 2, wherein the purity is 5N (99.999% by weight) or more. 高純度ニッケル又はニッケル合金の熱間鍛造に際し、こねくり鍛造することを特徴とする請求項2又は3記載のマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットの製造方法。 4. The method for producing a high-purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering according to claim 2, wherein the forging is carried out during hot forging of the high-purity nickel or nickel alloy.
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