JP4567328B2 - Manufacturing method of multilayer ceramic substrate - Google Patents

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本発明は多層セラミック基板の製造方法に関する。更に詳しくは、焼結収縮を抑制する焼成方法を用いて好適に製造される多層セラミック基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate. More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate that is preferably manufactured using a firing method that suppresses sintering shrinkage.

近年、電子部品分野では多数個取りによる高効率な製造が求められ、多層セラミック基板においても製造時の大型化が望まれている。しかし、通常の焼成方法を用いて大型セラミック基板を製造すると、焼成収縮をその全面にわたって把握することが困難であり、セラミック基板の寸法精度及び実装工程での位置合わせ精度等を十分に得ることが難しい。 これに対して、高い寸法精度を達することができる焼成方法として無収縮焼成法が知られている。即ち、例えば、下記特許文献1、特許文献2及び特許文献3等である。この無収縮焼成法は、平面方向の収縮を実質的に伴わず、焼成時の寸法ばらつきを極めて小さくできるという利点を有する。   In recent years, in the electronic component field, high-efficiency manufacturing by taking a large number of pieces has been demanded, and it is desired to increase the size of a multilayer ceramic substrate during manufacturing. However, when a large ceramic substrate is manufactured using a normal firing method, it is difficult to grasp the firing shrinkage over the entire surface, and it is possible to sufficiently obtain the dimensional accuracy of the ceramic substrate and the alignment accuracy in the mounting process. difficult. On the other hand, a non-shrinkage firing method is known as a firing method capable of achieving high dimensional accuracy. That is, for example, Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3 below. This non-shrinkage firing method has the advantage that the dimensional variation during firing can be made extremely small without substantially shrinking in the plane direction.

特開平4−243978号公報 (第6頁など)JP-A-4-243978 (Page 6, etc.) 特開2002−43757号公報 (第4頁など)JP 2002-43757 A (Page 4 etc.) 特開2002−226259号公報 (第4頁など)JP 2002-226259 A (Page 4 etc.)

上記特許文献1では、強制層(本明細書でいう収縮抑制層)へのガラスの移行を50μm以下に抑えること等が示されているが、誘電特性等までをも加味してガラスを選択することは容易ではなく、具体的にどのようなガラスを選択することが可能であるは示されていない。更に、上記特許文献2では、同様にガラスの結晶化前の粘度を所定のものとすることが述べられており、また、結晶化開始温度が所定範囲にあることが好ましい旨が述べられている。しかし、収縮抑制層との接合性及び除去性を鑑みたものではなく、導体層との接合性を最適化する発明である。更に、上記特許文献3も同様に、収縮抑制層との接合性及び除去性を鑑みたものではなく、セラミックの変色を防止する技術に関するものである。   In the above-mentioned Patent Document 1, it is shown that the glass transition to the forced layer (shrinkage suppression layer referred to in the present specification) is suppressed to 50 μm or less, etc., but the glass is selected in consideration of the dielectric properties and the like. It is not easy and does not show what glass can be specifically selected. Furthermore, in the above-mentioned Patent Document 2, it is described that the viscosity of the glass before crystallization is set to a predetermined value, and that the crystallization start temperature is preferably in a predetermined range is described. . However, this is not an invention in view of the bondability and removability with the shrinkage suppression layer, but an invention that optimizes the bondability with the conductor layer. Further, Patent Document 3 similarly relates to a technique for preventing discoloration of ceramics, not considering the bondability and removability with the shrinkage suppression layer.

本発明は上記に鑑みてなされたものであり、環境負荷の大きいPbを含有しなくとも、多層セラミック基板に適した誘電特性を保持しつつ、製造時においては効果的に収縮を抑制でき、更には、収縮抑制層の除去は容易となる多層セラミック基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and even without containing Pb having a large environmental load, while maintaining dielectric properties suitable for a multilayer ceramic substrate, it is possible to effectively suppress shrinkage during production, and An object of the present invention is to provide a method for producing a multilayer ceramic substrate in which the removal of the shrinkage suppression layer is facilitated.

本発明者らは、無収縮焼成法による多層セラミック基板の製造方法について検討を行った。その結果、上記特許公報1に示されているように、「焼成後強制層の除去を容易にするため、焼成されるセラミック部品のガラスが処理の間実質的に強制層に浸透又は相互作用してはならない」こと及び「ガラスの組成は強制層へのガラス浸透を妨げるようなそれであるべきである」こと等のように、ガラスが強制層へ移行することを積極的に防止するだけでは焼成収縮は十分に抑制できない場合があることを見知した。一方、ガラスが過度に収縮抑制層へ移行すると上記特許公報1でも示されているようにその除去が困難となった。しかし、多層セラミック基板に用いるガラス粉末は、多層セラミック基板の誘電特性を大きく左右する重要な材料であり、収縮抑制だけを念頭に選択することはできない。また、開示のようにガラスの粘度及び接触角等だけからはガラスの選択が困難であり、実際にはどのようなガラスを選択することで収縮抑制でき且つ収縮抑制層の除去も問題なく行うことができるのかが不明であった。特に、近年問題となっているPb等の環境負荷の大きい材料を含有させることなく、上記を達することは更に困難である。
本発明者らは、上記課題について検討を重ねた結果、Pbを含有しなくとも、ガラスの溶融特性をある範囲に収めることで極めて効果的に上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
The present inventors have studied a method for producing a multilayer ceramic substrate by a non-shrinkage firing method. As a result, as disclosed in the above-mentioned patent publication 1, “to facilitate removal of the forced layer after firing, the glass of the ceramic part being fired substantially penetrates or interacts with the forced layer during processing. It must be fired simply to prevent the glass from moving into the forced layer, such as "Do not be" and "The glass composition should be that which prevents glass penetration into the forced layer". It was discovered that shrinkage may not be sufficiently suppressed. On the other hand, when the glass is excessively transferred to the shrinkage suppression layer, it is difficult to remove the glass as shown in the above-mentioned Patent Publication 1. However, the glass powder used for the multilayer ceramic substrate is an important material that greatly affects the dielectric properties of the multilayer ceramic substrate, and cannot be selected only with the suppression of shrinkage in mind. In addition, as disclosed, it is difficult to select a glass only from the viscosity and contact angle of the glass, and in practice, any glass can be selected to suppress shrinkage, and the removal of the shrinkage suppression layer should be performed without any problem. It was unclear whether it was possible. In particular, it is more difficult to achieve the above without containing a material having a large environmental load such as Pb which has been a problem in recent years.
As a result of repeated studies on the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved very effectively by keeping the melting characteristics of glass within a certain range without containing Pb, and the present invention has been completed. It was.

即ち、本発明は以下の通りである。
)セラミックフィラーとガラス粉末とを含有する未焼成シートを積層して得られた積層体の表裏面に、該積層体の焼成温度では焼結されない収縮抑制層を配設し、該積層体を焼成する焼成工程と、
該焼成工程を行った後に、該収縮抑制層を除去する除去工程と、を備える多層セラミック基板の製造方法において、
上記ガラス粉末は、ガラス転移点が580〜700℃であり、該ガラス転移点と軟化点との温度差が140℃以下であり、且つ、アルカリ金属を含有し、該アルカリ金属の含有量が、酸化物換算で該ガラス全体に対して合計2.0質量%以下で、Pbを含有しないガラスからなり、
上記収縮抑制層は、ガラス粉末を含まず、かつアルミナ粉末を含み、
上記焼成工程では、上記積層体を無加圧で焼成し、上記ガラスが上記積層体から上記収縮抑制層へ拡散し、
上記ガラスは、更に、Si、Al、B、Ca及びZnを含有し、該Bの含有量は酸化物換算で該ガラス全体に対して12〜30質量%であることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
(2)上記ガラスは、ガラス転移点と屈伏点との温度差が25〜45℃である上記(1)に記載の多層セラミック基板の製造方法。
)上記多層セラミック基板は、上記積層体と同時焼成された導体部を備える上記(1)又は2のうちのいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
That is, the present invention is as follows.
( 1 ) A shrinkage suppression layer that is not sintered at the firing temperature of the laminate is disposed on the front and back surfaces of the laminate obtained by laminating an unfired sheet containing a ceramic filler and glass powder. Firing step of firing,
In the method for producing a multilayer ceramic substrate, comprising the removal step of removing the shrinkage suppression layer after performing the firing step,
The glass powder has a glass transition point of 580 to 700 ° C., a temperature difference between the glass transition point and the softening point is 140 ° C. or less, contains an alkali metal, and the content of the alkali metal is The total glass is 2.0% by mass or less in terms of oxide, and it is made of glass not containing Pb.
The shrinkage suppression layer does not contain glass powder, and contains alumina powder,
In the firing step, the laminate is fired without pressure, and the glass diffuses from the laminate to the shrinkage suppression layer ,
The glass further contains Si, Al, B, Ca, and Zn, and the content of B is 12 to 30% by mass with respect to the whole glass in terms of oxide. Manufacturing method.
(2) The said glass is a manufacturing method of the multilayer ceramic substrate as described in said (1) whose temperature difference of a glass transition point and a yield point is 25-45 degreeC.
( 3 ) The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to any one of (1) and ( 2 ), wherein the multilayer ceramic substrate includes a conductor portion that is co-fired with the multilayer body.

本発明の多層セラミック基板の製造方法によれば、Pbを含有しない多層セラミック基板に適した誘電特性を保持された多層セラミック基板を、効果的に焼成収縮が抑制され、更に、焼成後に収縮抑制層の除去が容易となる方法で得ることができる。また、低抵抗導体との同時焼成も問題なく行うことができる。
ガラスのガラス転移点と屈伏点との温度差が25〜45℃である場合は、収縮抑制層へガラスが移行する温度と時間とが最適化され、収縮抑制効果を十分に発揮させつつ焼成後の収縮抑制層の除去も容易となる。
ガラスがBを含有し、Bの含有量が12〜30質量%であるので、より確実にガラスのTg及びTs−Tgを所望の範囲に収めることができ、ガラスの溶融特性を適切な範囲に保つことができる。また、低抵抗導体との同時焼成が可能な程度の低温焼成が確実となり、反りを生じることを防止できる。更に、ガラスの化学的安定性(耐薬品性)が十分に得られる。
ガラスがSi、Al、Ca及びZnを含有するので、より確実にガラスのTg及びTs−Tgを所望の範囲に収めることができ、ガラスの溶融特性を適切な範囲に保つことができる。また、誘電特性、熱膨張特性及び機械的特性をバランスよく得ることが可能となる。
ガラスのアルカリ金属の含有量が所定量以下であるので、ガラスのみが過焼結となることを防止でき、更に、低抵抗導体を用いた場合にもマイグレーションの発生を効果的に抑制できる。
積層体と同時焼成された導体部を備える場合は、寸法精度が高く、優れた電気的信頼性を得ることができる。
According to the method for producing a multilayer ceramic substrate of the present invention, the multilayer ceramic substrate having dielectric properties suitable for the multilayer ceramic substrate not containing Pb is effectively suppressed from firing shrinkage, and further, the shrinkage inhibiting layer after firing. Can be obtained by a method that makes it easy to remove. Moreover, simultaneous firing with a low-resistance conductor can be performed without any problem.
When the temperature difference between the glass transition point and the yield point of the glass is 25 to 45 ° C., the temperature and time at which the glass moves to the shrinkage suppression layer is optimized, and after firing while fully exhibiting the shrinkage suppression effect Removal of the shrinkage suppression layer is also facilitated.
Glass containing B, since the content of B is 12 to 30 wt%, can be more reliably Tg and Ts-Tg glass fall within the desired range, the melting characteristics of the glass to a suitable range Can keep. Moreover, low temperature firing to the extent that simultaneous firing with the low resistance conductor is possible is ensured, and warpage can be prevented. Furthermore, the chemical stability (chemical resistance) of the glass is sufficiently obtained.
Glass Si, Al, because it contains Ca and Zn, can be more reliably Tg and Ts-Tg glass fall within the desired range, it is possible to keep the melting characteristics of the glass to a suitable range. In addition, dielectric properties, thermal expansion properties, and mechanical properties can be obtained with a good balance.
Since the content of the alkali metal in the glass is not more than a predetermined amount, it is possible to prevent only the glass from being oversintered, and furthermore, the occurrence of migration can be effectively suppressed even when a low resistance conductor is used.
In the case of including a conductor portion that is co-fired with the multilayer body, the dimensional accuracy is high and excellent electrical reliability can be obtained.

本発明について、以下詳細に説明する。
[1]多層セラミック基板
本発明の製造方法によって製造される多層セラミック基板は、ガラスセラミック混合部を備え、そのガラス相は、ガラス転移点(以下、単に「Tg」ともいう)が580〜700℃であり、ガラス転移点と軟化点(以下、単に「Ts」ともいう)との温度差(以下、単に「Ts−Tg」ともいう)が140℃以下であり、且つ、Pbの含有量が酸化物換算でガラス全体に対して0質量%であるガラスからなることを特徴とする。
The present invention will be described in detail below.
[1] Multilayer Ceramic Substrate The multilayer ceramic substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention includes a glass ceramic mixing portion, and the glass phase has a glass transition point (hereinafter also simply referred to as “Tg”) of 580 to 700 ° C. The temperature difference (hereinafter also simply referred to as “Ts−Tg”) between the glass transition point and the softening point (hereinafter also simply referred to as “Ts-Tg”) is 140 ° C. or less, and the Pb content is oxidized. It consists of glass which is 0 mass% with respect to the whole glass in physical conversion.

(1)ガラス相
上記「ガラス相」は、ガラスセラミック混合部を構成し、セラミックフィラーに対してマトリックスとなっているものである。ガラスセラミック混合部及びセラミックフィラーについては後述する。
ガラス相を構成するガラスは、Tgが580〜700℃である。Tgが大きい程、ガラスの軟化がより高温で始まり、より短時間で緻密化できるためガラスの収縮抑制層への拡散を抑えることとなる。また、Tgが小さい程、ガラスの軟化は低温で始まり、ガラスの収縮抑制層への拡散を促進することとなる。このバランスにおいてTgが580〜700℃の範囲にある場合は、収縮抑制効果を十分に発揮させつつ焼成後の収縮抑制層の除去も容易となる。また、Tgが670℃を超えた場合は、低抵抗導体(Ag及びCu等)と同時焼成する際の焼結のタイミングをコントロールすることが困難となり、得られる多層セラミック基板に反りを生じたり、導体部(導体パターン等)が基板から剥がれたりする場合があり好ましくない。このTgは、600〜680℃であることが好ましく、620〜660℃であることがより好ましい。
(1) Glass Phase The above “glass phase” constitutes a glass ceramic mixing part and is a matrix with respect to the ceramic filler. The glass ceramic mixing part and the ceramic filler will be described later.
The glass constituting the glass phase has a Tg of 580 to 700 ° C. As Tg increases, the softening of the glass starts at a higher temperature and can be densified in a shorter time, so that the diffusion of the glass into the shrinkage suppression layer is suppressed. Further, as Tg is smaller, the softening of the glass starts at a lower temperature and promotes the diffusion of the glass into the shrinkage suppression layer. When Tg is in the range of 580 to 700 ° C. in this balance, the shrinkage suppression layer after firing can be easily removed while sufficiently exhibiting the shrinkage suppression effect. In addition, when Tg exceeds 670 ° C., it becomes difficult to control the timing of sintering when co-firing with a low-resistance conductor (Ag and Cu, etc.), and the resulting multilayer ceramic substrate is warped, The conductor part (conductor pattern or the like) may be peeled off from the substrate, which is not preferable. This Tg is preferably 600 to 680 ° C, and more preferably 620 to 660 ° C.

また、Ts−Tgは140℃以下である。Ts−Tgが大きい程、ガラスの軟化は緩やかに生じ、ガラスの収縮抑制層への拡散が促進されることとなるが、Ts−Tgが140℃を超えると、拡散が過度となる傾向にあり、焼成後の収縮抑制層の除去が困難となるため好ましくない。一方、Ts−Tgは小さい程、ガラスの軟化がより急激に生じ、より短時間で緻密化できるためガラスの収縮抑制層への拡散を抑えることとなるが、Ts−Tgは、通常、70℃以上であり、これを超える温度差を有すれば拡散が過度に少なくなることがないため、十分な収縮抑制効果を得ることができる。即ち、Ts−Tgが140℃以下であれば、収縮抑制効果を十分に発揮させつつ焼成後の収縮抑制層の除去も容易となる。このTs−Tgは、130℃以下であることが好ましく、125℃以下であることがより好ましい。   Moreover, Ts-Tg is 140 degrees C or less. As Ts-Tg increases, the softening of the glass occurs more slowly and the diffusion of the glass into the shrinkage suppression layer is promoted. However, when Ts-Tg exceeds 140 ° C., the diffusion tends to be excessive. This is not preferable because it is difficult to remove the shrinkage suppression layer after firing. On the other hand, as Ts-Tg is smaller, the softening of the glass occurs more rapidly, and the glass can be densified in a shorter time, so that diffusion to the shrinkage suppression layer of the glass is suppressed. As described above, if there is a temperature difference exceeding this, diffusion does not become excessively small, and therefore a sufficient shrinkage suppressing effect can be obtained. That is, if Ts-Tg is 140 ° C. or lower, the shrinkage suppression layer after firing can be easily removed while sufficiently exhibiting the shrinkage suppression effect. This Ts-Tg is preferably 130 ° C. or lower, and more preferably 125 ° C. or lower.

更に、屈伏点(以下、単に「Mg」ともいう)の温度は特に限定されないが、TgとMgとの温度差(以下、単に「Mg−Tg」ともいう)は25〜45℃(より好ましくは28〜42℃、更に好ましくは30〜42℃)であることが好ましい。このMg−Tgがこの範囲にあることにより、更に収縮抑制層へガラスが移行する温度と時間とが最適化され、収縮抑制効果を十分に発揮させつつ焼成後の収縮抑制層の除去も容易となる。   Further, the temperature of the yield point (hereinafter also simply referred to as “Mg”) is not particularly limited, but the temperature difference between Tg and Mg (hereinafter also simply referred to as “Mg-Tg”) is 25 to 45 ° C. (more preferably 28-42 ° C., more preferably 30-42 ° C.). By this Mg-Tg being in this range, the temperature and time for the glass to be further transferred to the shrinkage suppression layer are further optimized, and it is easy to remove the shrinkage suppression layer after firing while fully exhibiting the shrinkage suppression effect. Become.

このガラスの組成は、通常、アルミノケイ酸塩系ガラス(アルミノホウケイ酸塩系ガラスを含む)である。従って、このガラスはSi及びAlを含有する。
Siの含有量は特に限定されないが、ガラス全体を100質量%とした場合に酸化物(SiO)換算で15〜60質量%(より好ましくは20〜55質量%、更に好ましくは25〜50質量%)とすることが好ましい。この範囲では、特により確実にガラスのTg及びTs−Tgを上記の範囲に収めることができ、ガラスの溶融特性を適切な範囲に保つことができる。また、低抵抗導体との同時焼成が可能な程度の低温焼成が確実となり、反りを生じることを防止できる。更に、εを多層セラミック基板に適した範囲(即ち、例えば、εが6〜10)に収めることができる。
尚、低抵抗導体とは、銀、銅、金及びパラジウムなどを主成分とするために、導電性が高いが、融点が低い(例えば、1085℃以下)導体である。更に、同時焼成が可能な温度とは、通常、1050℃以下である。
The composition of this glass is usually aluminosilicate glass (including aluminoborosilicate glass). Therefore, this glass contains Si and Al.
Although Si is not content particularly limited, and oxides in the case where the entire glass is 100 mass% 15-60% by weight (SiO 2) in terms of (more preferably 20 to 55 wt%, more preferably 25 to 50 mass %). In this range, the Tg and Ts-Tg of the glass can be kept within the above range particularly reliably, and the melting characteristics of the glass can be maintained in an appropriate range. Moreover, low temperature firing to the extent that simultaneous firing with the low resistance conductor is possible is ensured, and warpage can be prevented. Furthermore, range suitable for epsilon r multilayer ceramic substrate (i.e., for example, epsilon r is 6-10) may be accommodated in.
Note that the low-resistance conductor is a conductor having high conductivity but low melting point (for example, 1085 ° C. or lower) since silver, copper, gold, palladium, and the like are the main components. Furthermore, the temperature at which simultaneous firing is possible is usually 1050 ° C. or lower.

一方、Alの含有量特に限定されないが、ガラス全体を100質量%とした場合に酸化物(Al)換算で6〜30質量%(より好ましくは8〜28質量%、更に好ましくは10〜26質量%)とすることが好ましい。この範囲であれば、多層セラミック基板の機械的強度が十分に得られ、焼成温度が高くなり過ぎることなく、低抵抗導体との同時焼成を確実に行うことができる。
これらのSi及びAlの含有量は、各々の組合せとするとことができる。即ち、例えば、Siが15〜60質量%且つAlが6〜30質量%であることが好ましく、Siが20〜55質量%且つAlが8〜28質量%であることがより好ましく、Siが25〜50質量%且つAlが10〜26質量%であることが特に好ましい。
On the other hand, is not particularly limited content of Al, an oxide in the case where the entire glass is 100 mass% (Al 2 O 3) 6~30% by weight in terms of (more preferably 8 to 28 wt%, more preferably 10 to 26% by mass) is preferable. Within this range, the mechanical strength of the multilayer ceramic substrate can be sufficiently obtained, and the simultaneous firing with the low-resistance conductor can be reliably performed without the firing temperature becoming too high.
These Si and Al contents can be combined with each other. That is, for example, Si is preferably 15 to 60% by mass and Al is preferably 6 to 30% by mass, Si is preferably 20 to 55% by mass and Al is preferably 8 to 28% by mass, and Si is 25% by mass. It is particularly preferable that -50% by mass and Al is 10-26% by mass.

また、このガラスは、ガラス全体を100質量%とした場合にPbの酸化物(PbO)換算による含有量が0〜1質量%である。本発明の分野におけるガラスではPbの含有により融点を下げることができるため、従来よりPbを含有させることで焼結性及び加工性等を確保してきた。しかし、近年環境負荷が大きいためPbを含有させずに従来の特性を得る努力がなされている。本発明は、このPbを含有しなくとも誘電特性を保持しつつ、優れた収縮抑制効果を得ることができるものであり、即ち、Pbは積極的に含有させずとも本発明の効果を得ることができる。ガラスには、Pbは含有されない(蛍光X線測定法による検出限界以下である)。 Further, this glass has a Pb oxide (PbO) conversion content of 0 to 1% by mass when the entire glass is 100% by mass. Since the melting point of the glass in the field of the present invention can be lowered by the inclusion of Pb, the sinterability and workability have been ensured by containing Pb conventionally. However, in recent years, due to the large environmental load, efforts have been made to obtain conventional characteristics without containing Pb. The present invention can obtain an excellent shrinkage suppression effect while maintaining dielectric properties without containing Pb, that is, the effect of the present invention can be obtained without positively containing Pb. Can do. The glass does not contain Pb (below the detection limit by fluorescent X-ray measurement).

ガラスを構成する元素としては、Bが含有される。Bはその含有量によりガラスの溶融特性を変化させることができる。このBの含有量は、ガラス全体を100質量%とした場合の酸化物(B)換算で12〜30質量%であり、より好ましくは14〜25質量%、更に好ましくは16〜22質量%とすることが好ましい。この範囲であれば、より確実にガラスのTg及びTs−Tgを上記の範囲に収めることができ、ガラスの溶融特性を適切な範囲に保つことができる。また、低抵抗導体との同時焼成が可能な程度の低温焼成が確実となり、反りを生じることを防止できる。更に、ガラスの化学的安定性(耐薬品性)が十分に得られ、例えば、配線基板の製造時にメッキ工程等を要する場合の侵食を防止できる。
このBと、上記Si及びAlとの含有量は、各々の組合せとするとことができる。即ち、例えば、Siが15〜60質量%、Alが6〜30質量%且つBが12〜30質量%であることが好ましく、Siが20〜55質量%、Alが8〜28質量%且つBが14〜25質量%であることがより好ましく、Siが25〜50質量%、Alが10〜26質量%且つBが16〜22質量%であることが特に好ましい。
B is contained as an element constituting the glass. B can change the melting characteristics of the glass depending on its content. The content of this B is 12 to 30 wt% of an oxide (B 2 O 3) in terms of when the entire glass is 100 mass%, more preferably 14 to 25 wt%, more preferably 16 to 22 It is preferable to set it as the mass%. If it is this range, Tg and Ts-Tg of glass can be more reliably accommodated in said range, and the melting characteristic of glass can be maintained in a suitable range. Moreover, low temperature firing to the extent that simultaneous firing with the low resistance conductor is possible is ensured, and warpage can be prevented. Furthermore, the chemical stability (chemical resistance) of the glass is sufficiently obtained, and, for example, erosion can be prevented when a plating process or the like is required at the time of manufacturing the wiring board.
The contents of B and the Si and Al can be combined with each other. That is, for example, it is preferable that Si is 15 to 60% by mass, Al is 6 to 30% by mass and B is 12 to 30% by mass, Si is 20 to 55% by mass, Al is 8 to 28% by mass and B is Is more preferably 14 to 25% by mass, particularly preferably Si is 25 to 50% by mass, Al is 10 to 26% by mass, and B is 16 to 22% by mass.

また、ガラスは、上記B、Si及びAl以外にもCa、Znを含有する。
Caの含有量は特に限定されないが、ガラス全体を100質量%とした場合に酸化物(CaO)換算で8〜22質量%(より好ましくは10〜20質量%、更に好ましくは12〜17質量%)とすることが好ましい。この範囲では、より確実にガラスのTg及びTs−Tgを上記の範囲に収めることができ、ガラスの溶融特性を適切な範囲に保つことができる。また、低抵抗導体との同時焼成が可能な程度の低温焼成が確実となり、反りを生じることを防止できる。更に、熱膨張係数が大きくなり過ぎることがなく(即ち、例えば、25℃から400℃まで温度を上昇させた際の熱膨張率が12ppm/℃以下)、高い信頼性を有する多層セラミック基板を得ることができる。
Further, the glass contains Ca and Zn in addition to B, Si and Al .
Although content of Ca is not specifically limited, When the whole glass is 100 mass%, it is 8-22 mass% (more preferably 10-20 mass%, still more preferably 12-17 mass%) in conversion of an oxide (CaO). ) Is preferable. In this range, Tg and Ts-Tg of glass can be more reliably contained in said range, and the melting characteristic of glass can be maintained in an appropriate range. Moreover, low temperature firing to the extent that simultaneous firing with the low resistance conductor is possible is ensured, and warpage can be prevented. Furthermore, the thermal expansion coefficient does not become too large (that is, the coefficient of thermal expansion when the temperature is increased from 25 ° C. to 400 ° C., for example, is 12 ppm / ° C. or less), and a multilayer ceramic substrate having high reliability is obtained. be able to.

Znの含有量は特に限定されないが、ガラス全体を100質量%とした場合に酸化物(ZnO)換算で2〜18質量%(より好ましくは3〜16質量%、更に好ましくは4〜14質量%)とすることが好ましい。この範囲であれば、低抵抗導体との同時焼結性を十分に得ることができ、反りを生じることなく焼結できる。また、多層セラミック基板の耐薬品性を十分に得ることができる。   Although content of Zn is not specifically limited, When the whole glass is 100 mass%, it is 2-18 mass% (more preferably 3-16 mass%, still more preferably 4-14 mass%) in conversion of an oxide (ZnO). ) Is preferable. If it is this range, sufficient sinterability with a low-resistance conductor can be fully obtained, and it can sinter without producing a curvature. In addition, the chemical resistance of the multilayer ceramic substrate can be sufficiently obtained.

これらCa及びZnと、上記Si、Al及びBとの含有量は、各々の組合せとするとことができる。即ち、例えば、Siが15〜60質量%、Alが6〜30質量%、Bが12〜30質量%、Caが8〜12質量%且つZnが2〜18質量%であることが好ましく、Siが20〜55質量%、Alが8〜28質量%、Bが14〜25質量%、Caが10〜20質量%且つZnが3〜16質量%であることがより好ましく、Siが25〜50質量%、Alが10〜26質量%、Bが16〜22質量%、Caが12〜17質量%且つZnが4〜14質量%であることが特に好ましい。   The contents of these Ca and Zn and the above Si, Al, and B can be combined. That is, for example, Si is preferably 15 to 60% by mass, Al is 6 to 30% by mass, B is 12 to 30% by mass, Ca is 8 to 12% by mass, and Zn is preferably 2 to 18% by mass, Is more preferably 20 to 55 mass%, Al is 8 to 28 mass%, B is 14 to 25 mass%, Ca is 10 to 20 mass%, Zn is 3 to 16 mass%, and Si is 25 to 50 mass%. It is particularly preferable that 10% by mass, Al is 10 to 26% by mass, B is 16 to 22% by mass, Ca is 12 to 17% by mass, and Zn is 4 to 14% by mass.

また、このガラスアルカリ金属(特にLi、Na及びK)の含有量はガラス全体を100質量%とした場合に酸化物(LiO、NaO及びKO等)換算による含有量が2.0質量%以下(より好ましくは1.8質量%以下、更に好ましくは1.5質量%以下)である。この範囲であれば、ガラス転移点が過度に低くなり、ガラスのみが過焼結となることも確実に防止でき、更に、低抵抗導体を用いた場合にもマイグレーションの発生を効果的に抑制できる。 Further, the content of alkali metals (particularly Li, Na and K) in this glass is such that the content in terms of oxides (Li 2 O, Na 2 O and K 2 O, etc.) in terms of 100% by mass of the entire glass. 2.0% by mass or less (more preferably 1.8% by mass or less, and still more preferably 1.5% by mass or less). Within this range, the glass transition point becomes excessively low, and it is possible to reliably prevent oversintering of only the glass, and furthermore, the occurrence of migration can be effectively suppressed even when a low resistance conductor is used. .

(2)セラミックフィラー
上記「セラミックフィラー」は、ガラスセラミック混合部のガラス相内に分散されて含有されるものである。このセラミックフィラーは、その種類及び含有量等により、多層セラミック基板の誘電特性、熱膨張特性及び機械的特性を調整できる。セラミックフィラーとしては、例えば、ガーナイト、チタニア、アルミナ、チタン酸塩(チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等)、窒化アルミニウム、ムライト、ジルコニア、石英、コーディエライト、フォルステライト、ワラストナイト、アノーサイト、エンスタタイト、ジオプサイト、アーケルマナイト、ゲーレナイト及びスピネル等の各粉末を挙げることができる。これらのうち、例えば、誘電特性における高周波帯域(特にGHz帯域)のεを大きくするためにはガーナイト、チタニア、チタン酸塩、アルミナの各粉末を用いることが好ましい。また、機械的強度を向上させるためにはガーナイト、チタニア、ジルコニア、アルミナの各粉末が好ましい。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。2種以上を用いることにより、誘電特性、熱膨張特性及び機械的強度等のいずれをも向上させることができる。
(2) Ceramic filler The “ceramic filler” is dispersed and contained in the glass phase of the glass ceramic mixing part. The ceramic filler can adjust the dielectric characteristics, thermal expansion characteristics and mechanical characteristics of the multilayer ceramic substrate according to the type and content thereof. Examples of ceramic fillers include garnite, titania, alumina, titanates (magnesium titanate, calcium titanate, strontium titanate, barium titanate, etc.), aluminum nitride, mullite, zirconia, quartz, cordierite, forsterite. , Wollastonite, anorthite, enstatite, diopsite, akermanite, gelenite, spinel and the like. Among these, for example, in order to increase ε r in a high frequency band (particularly in the GHz band) in dielectric characteristics, it is preferable to use garnite, titania, titanate, and alumina powders. In order to improve mechanical strength, each powder of garnite, titania, zirconia, and alumina is preferable. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. By using two or more kinds, it is possible to improve all of dielectric characteristics, thermal expansion characteristics, mechanical strength, and the like.

このセラミックフィラーの形状は特に限定されず、例えば、粒子状、鱗片状、繊維状、ウィスカ状等種々の形状とすることができるが、通常、粒子状である。更に、その大きさも特に限定されないが、通常、1〜10μm(粒子形状の場合には平均粒径、その他の場合は平均最大長さ)とすることが好ましい。この範囲であれば、多層セラミック基板の組織が過度に粗くなることなく、また、製造時に取扱い上の困難を伴うこともない。
尚、セラミックフィラーは、通常、多層セラミック基板の製造時にセラミックフィラーとして添加された形状及び大きさのままで多層セラミック基板中に存在する。しかし、製造時にガラス粉末等として添加され、焼成により結晶質成分(アノーサイト、スピネル及びガーナイト等)として析出したものも含むものである。
The shape of the ceramic filler is not particularly limited, and can be various shapes such as a particulate shape, a scale shape, a fiber shape, and a whisker shape, but is usually a particulate shape. Furthermore, although the size is not particularly limited, it is usually preferably 1 to 10 μm (average particle diameter in the case of particle shape, average maximum length in other cases). Within this range, the structure of the multilayer ceramic substrate does not become excessively rough, and there is no difficulty in handling during production.
The ceramic filler is usually present in the multilayer ceramic substrate with the shape and size added as the ceramic filler during the production of the multilayer ceramic substrate. However, it also includes those added as glass powder or the like at the time of production and precipitated as crystalline components (anocite, spinel, garnite, etc.) by firing.

(3)ガラスセラミック混合部
本発明の製造方法によって製造される多層セラミック基板は、ガラスセラミック混合部(図1における11)を有する。多層セラミック基板(図1における1)は、通常、このガラスセラミック混合部以外に導体部(図1における12)を備え、ガラスセラミック混合部はこの導体部に対する絶縁部として機能できる。
上記「ガラスセラミック混合部」は、ガラス相(図1における111)とセラミックフィラー(図1における112)とを有する。ガラス相及びセラミックフィラーの割合は特に限定されないが、通常、ガラス相とセラミックフィラーとの合計を100質量%とした場合に、ガラス相が27〜73質量%(より好ましくは25〜70質量%、更に好ましくは40〜60質量%)であることが好ましい。この範囲であれば、十分に緻密化することができ、十分な抗折強度(例えば、JIS R 1601に従う3点曲げ強さが200MPa以上)を得ることができる。また、低抵抗導体と反り等の不具合を生じることなく同時焼結でき、更には、焼成時のガラス融出による焼成治具とガラスとの反応等も確実に防止できる。
(3) Glass ceramic mixing part The multilayer ceramic substrate manufactured by the manufacturing method of this invention has a glass ceramic mixing part (11 in FIG. 1). The multilayer ceramic substrate (1 in FIG. 1) normally includes a conductor portion (12 in FIG. 1) in addition to the glass ceramic mixing portion, and the glass ceramic mixing portion can function as an insulating portion for the conductor portion.
The “glass ceramic mixing part” has a glass phase (111 in FIG. 1) and a ceramic filler (112 in FIG. 1). The ratio of the glass phase and the ceramic filler is not particularly limited. Usually, when the total of the glass phase and the ceramic filler is 100% by mass, the glass phase is 27 to 73% by mass (more preferably 25 to 70% by mass, More preferably, it is 40 to 60% by mass). If it is this range, it can fully densify and sufficient bending strength (for example, the 3 point | piece bending strength according to JISR1601 is 200 Mpa or more) can be obtained. Further, simultaneous sintering can be performed without causing problems such as warping with the low-resistance conductor, and further, reaction between the firing jig and glass due to glass melting during firing can be reliably prevented.

また、このガラスセラミック混合部は、多層セラミック基板内において、均一な組成(ガラスセラミック混合部全てが同じ組成)であってもよく、非均一な組成(ガラスセラミック混合部内に異なる組成の部分を有する)であってもよい。非均一な組成である場合とは、例えば、製造時にガラス粉末とセラミックフィラーとの配合割合の異なる複数の未焼成シートを用いることにより、ガラス相とセラミックフィラーとの含有割合が異なるガラスセラミック混合部を有する場合等が挙げられる。また、製造時に用いるセラミックフィラーの種類等が異なる複数の未焼成シートを用いることにより、セラミックフィラーの種類等が異なるガラスセラミック混合部を有する場合等が挙げられる。   The glass ceramic mixing portion may have a uniform composition (all the glass ceramic mixing portions have the same composition) or a non-uniform composition (a portion having a different composition in the glass ceramic mixing portion) in the multilayer ceramic substrate. ). In the case of non-uniform composition, for example, by using a plurality of unfired sheets having different blending ratios of glass powder and ceramic filler at the time of manufacture, glass ceramic mixing parts having different glass phase and ceramic filler content ratios And the like. Moreover, the case where it has the glass ceramic mixing part from which the kind etc. of a ceramic filler differs by using the some unbaking sheet | seat from which the kind etc. of the ceramic filler used at the time of manufacture differs is mentioned.

本発明の製造方法によって製造される多層セラミック基板を構成するガラスセラミック混合部は、1〜15GHz(特に3〜10GHz)におけるεを4.5〜13(更には5〜10、特に6〜10)とすることができる。また、1〜15GHz(特に3〜10GHz)におけるQ・fを650〜1200GHz(更には850〜1200GHz、特に850〜1100GHz)とすることができる。更に、25℃から80℃まで昇温させた場合のτを−120〜−50ppm/℃(更には−90〜−50ppm/℃、特に−80〜−60ppm/℃)とすることができる。また、1〜15GHz(特に3〜10GHz)における誘電損失を70×10−4以下(更には60×10−4以下、特に50×10−4以下、通常20×10−4以上)とすることができる。更に、25℃から400℃まで昇温させた場合の熱膨張係数を5〜12ppm/℃とすることができる。 Glass-ceramic mixed portion constituting a multilayer ceramic substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention, 1~15GHz (especially 3-10 GHz) 4.5 to 13 The epsilon r in (further 5 to 10, especially 6 to 10 ). Further, Q · f at 1 to 15 GHz (particularly 3 to 10 GHz) can be set to 650 to 1200 GHz (more preferably 850 to 1200 GHz, particularly 850 to 1100 GHz). Furthermore, τ f when the temperature is raised from 25 ° C. to 80 ° C. can be set to −120 to −50 ppm / ° C. (further −90 to −50 ppm / ° C., particularly −80 to −60 ppm / ° C.). The dielectric loss at 1 to 15 GHz (especially 3 to 10 GHz) is 70 × 10 −4 or less (more preferably 60 × 10 −4 or less, particularly 50 × 10 −4 or less, usually 20 × 10 −4 or more). Can do. Furthermore, the thermal expansion coefficient when the temperature is raised from 25 ° C. to 400 ° C. can be 5 to 12 ppm / ° C.

(4)その他の部位及び多層セラミック基板の構造
本発明の製造方法によって製造される多層セラミック基板は、ガラスセラミック混合部以外に、同時焼成された導体部を備えることができる。上記「導体部」は、導電性(通常、常温において3μΩ・cm以下)を有する部位である。この導体部を構成する材料は特に限定されないが、銀、銅、金及びパラジウム等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。更に、その形状及び厚さ等も特に限定されない。この導体部としては、例えば、導体パターン及び異なる層間の導体パターン同士を接続する導体等が挙げられる。導体パターンとしては、例えば、通常の導通用配線、抵抗用配線、インダクタンス用配線、及び、ボンディングパッド等が挙げられる。また、異なる層間の導体パターン同士を接続する導体としては、スルーホール内導体及びビア導体等が挙げられる。
(4) Structure of Other Parts and Multilayer Ceramic Substrate The multilayer ceramic substrate manufactured by the manufacturing method of the present invention can include a co-fired conductor portion in addition to the glass ceramic mixing portion. The “conductor portion” is a portion having conductivity (usually 3 μΩ · cm or less at normal temperature). Although the material which comprises this conductor part is not specifically limited, Silver, copper, gold | metal | money, palladium, etc. are mentioned. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. Further, the shape and thickness thereof are not particularly limited. As this conductor part, the conductor etc. which connect a conductor pattern and the conductor patterns of a different interlayer are mentioned, for example. Examples of the conductor pattern include normal conduction wiring, resistance wiring, inductance wiring, and bonding pads. Examples of conductors that connect conductor patterns between different layers include through-hole conductors and via conductors.

また、本発明の製造方法によって製造される多層セラミック基板はガラスセラミック混合部及び導体部以外にも他部を備えることができる。他部としては、電子部品が挙げられる。電子部品の種類は特に限定されず種々の電子部品を配設することができる。電子部品としては、種々の能動部品及び受動部品等が挙げられる。これらの電子部品の配設部位も特に限定されず、例えば、多層セラミック基板内に設けられたスルーホール内に配設されていてもよく、多層セラミック基板に形成されたキャビティ内に配設されていてもよく、多層セラミック基板の表面に配設されていてもよい。
更に、本発明の製造方法によって製造される多層セラミック基板の形状は特に限定されず、例えば、平板形状であってもよく、非平板形状であってもよい。非平板形状とは、例えば、キャビティ(凹部)を有する場合等である。
Moreover, the multilayer ceramic substrate manufactured by the manufacturing method of this invention can be equipped with another part other than a glass ceramic mixing part and a conductor part. Examples of other parts include electronic components. The kind of electronic component is not particularly limited, and various electronic components can be provided. Examples of the electronic component include various active components and passive components. The location of these electronic components is not particularly limited. For example, the electronic components may be placed in a through hole provided in the multilayer ceramic substrate, or in a cavity formed in the multilayer ceramic substrate. It may be arranged on the surface of the multilayer ceramic substrate.
Furthermore, the shape of the multilayer ceramic substrate produced by the production method of the present invention is not particularly limited, and may be, for example, a flat plate shape or a non-flat plate shape. The non-flat shape is, for example, a case having a cavity (concave portion).

本発明の製造方法によって製造される多層セラミック基板は、セラミックフィラーとガラス粉末とを含有する未焼成シートを積層して得られた積層体の表面及び裏面に、この積層体の焼成温度では焼結されない収縮抑制層を各々設け、この収縮抑制層を備えた積層体を焼成した後、収縮抑制層を除去する方法により製造する。更に、この方法で製造する際には、焼成は無加圧で行う。これら方法については、以下の本発明の製造方法において詳説する。 The multilayer ceramic substrate produced by the production method of the present invention is sintered at the firing temperature of the laminate on the front and back surfaces of the laminate obtained by laminating unfired sheets containing ceramic filler and glass powder. Each of the shrinkage-suppressing layers not provided is provided, and the laminate including the shrinkage-suppressing layer is fired, and then manufactured by a method of removing the shrinkage-suppressing layer. Furthermore, when manufacturing by this method, baking is performed under no pressure. These methods will be described in detail in the production method of the present invention below.

[2]多層セラミック基板の製造方法
本発明の製造方法は、セラミックフィラーとガラス粉末とを含有する未焼成シートを積層して得られた積層体の表裏面に、積層体の焼成温度では焼結されない収縮抑制層を配設し、積層体を焼成する焼成工程と、
焼成工程を行った後に、収縮抑制層を除去する除去工程と、を備える多層セラミック基板の製造方法において、
ガラス粉末は、ガラス転移点が580〜700℃であり、ガラス転移点と軟化点との温度差が140℃以下であり、且つ、アルカリ金属を含有し、該アルカリ金属の含有量が、酸化物換算で該ガラス全体に対して合計2.0質量%以下で、Pbを含有しないガラスからなり、
収縮抑制層は、ガラス粉末を含まず、かつアルミナ粉末を含み、
焼成工程では、積層体を無加圧で焼成し、ガラスが積層体から収縮抑制層へ拡散し、
ガラスは、更に、Si、Al、B、Ca及びZnを含有し、Bの含有量は酸化物換算で該ガラス全体に対して12〜30質量%であることを特徴とする。
[2] Manufacturing Method of Multilayer Ceramic Substrate The manufacturing method of the present invention involves sintering at the firing temperature of the laminate on the front and back surfaces of the laminate obtained by laminating an unfired sheet containing a ceramic filler and glass powder. A firing step of disposing a non-shrinkage suppression layer and firing the laminate;
In the method for manufacturing a multilayer ceramic substrate, comprising a removal step of removing the shrinkage suppression layer after performing the firing step,
The glass powder has a glass transition point of 580 to 700 ° C., a temperature difference between the glass transition point and the softening point is 140 ° C. or less, contains an alkali metal, and the content of the alkali metal is an oxide. The total glass is 2.0% by mass or less in terms of conversion, and the glass does not contain Pb.
The shrinkage suppression layer does not contain glass powder and contains alumina powder,
In the firing step, the laminate is fired without pressure, and the glass diffuses from the laminate to the shrinkage suppression layer .
The glass further contains Si, Al, B, Ca and Zn, and the content of B is 12 to 30% by mass with respect to the whole glass in terms of oxide .

上記「未焼成シート」は、少なくともセラミックフィラーとガラス粉末とを含有するものであり、積層体を構成する。また、焼成されて前述のガラスセラミック混合部を構成することとなる。未焼成シート中に含有されるセラミックフィラーとガラス粉末との割合は、前記ガラスセラミック混合部におけるセラミックフィラーとガラスとの割合をそのまま適用できる。尚、通常、ガラスが析出してなるセラミックフィラーはガラスセラミック混合部に含有されないか、又は、含有されるとしても極めて少量である。   The “unfired sheet” contains at least a ceramic filler and glass powder, and constitutes a laminate. Moreover, it will baked and will comprise the above-mentioned glass ceramic mixing part. The ratio of the ceramic filler and glass in the said glass ceramic mixing part can be applied as it is for the ratio of the ceramic filler and glass powder contained in the unfired sheet. In general, the ceramic filler formed by precipitation of glass is not contained in the glass ceramic mixing part or is contained in a very small amount even if contained.

上記「セラミックフィラー」は、焼成によりガラスから析出してなるセラミックフィラーを含まない点において異なる以外、前述の多層セラミック基板におけるセラミックフィラーをそのまま適用できる。
上記「ガラス粉末」は、焼成されて多層セラミック基板のガラス相となる粉末である。このガラス粉末を構成するガラスは、前記ガラス相を構成するガラスと、通常、同じであり、前記ガラス相を構成するガラスをそのまま適用できる。また、このガラス粉末を構成するガラス粒子の形状は特に限定されず、上記セラミックフィラーと同様な形状とすることができる。また、ガラス粒子の大きさも特に限定されないが、通常、1〜7μm(粒子形状の場合には平均粒径、その他の場合は平均最大長さ)とすることが好ましい。この範囲であれば、ガラスの収縮抑制層への拡散が良好であり、焼成性がよく、また、製造時に取扱い上の困難を伴うこともない。
この未焼成シートは、セラミックフィラー及びガラス粉末以外のものを含有することができる。他のものとしては、バインダ及び溶剤等が挙げられる。
The above-mentioned “ceramic filler” can be directly applied to the ceramic filler in the multilayer ceramic substrate, except that it does not contain a ceramic filler deposited from glass by firing.
The “glass powder” is a powder that is fired to become a glass phase of a multilayer ceramic substrate. The glass constituting the glass powder is usually the same as the glass constituting the glass phase, and the glass constituting the glass phase can be applied as it is. Moreover, the shape of the glass particle which comprises this glass powder is not specifically limited, It can be set as the same shape as the said ceramic filler. Moreover, although the magnitude | size of a glass particle is not specifically limited, Usually, it is preferable to set it as 1-7 micrometers (average particle diameter in the case of a particle shape, average maximum length in other cases). If it is this range, the spreading | diffusion to the shrinkage | contraction suppression layer of glass will be favorable, baking property will be good, and the difficulty on handling will not be accompanied at the time of manufacture.
This green sheet can contain things other than a ceramic filler and glass powder. Others include binders and solvents.

上記「積層体」は、少なくとも未焼成シートが2層以上積層されたものである。この積層体は未焼成シート以外にも他の部分を備えていてもよい。他の部分としては、導体部となる未焼成導体パターン(未焼成シート間等に配置できる)及び未焼成導体ペースト(未焼成シートに形成された貫通孔内等に配置できる)等が挙げられる。更に、電子部品等を積層体に形成された貫通孔内又はキャビティ内等に備えることもできる。   The “laminate” is a laminate in which at least two unfired sheets are laminated. This laminated body may be provided with other parts besides the unfired sheet. Examples of the other parts include an unfired conductor pattern (can be disposed between unfired sheets) and an unfired conductor paste (can be disposed in a through-hole formed in the unfired sheet) to be a conductor portion. Furthermore, an electronic component or the like can be provided in a through hole or a cavity formed in the laminate.

上記「収縮抑制層」は、積層体の焼成温度では焼結されない層である。多層セラミック基板となる積層体は、この収縮抑制層をその表裏面に備えることにより、焼成による収縮(特にxy方向の焼成収縮)が抑制される。また、積層体の焼成温度では焼結されないとは、通常、収縮抑制層はセラミック粉末を含有するが、この収縮抑制層を構成するセラミック粉末同士が焼成による癒着を生じないことである。また、特に積層体中に含有されるセラミックフィラーと焼成による癒着を生じないことが好ましい。更に、この収縮抑制層は、積層体の表裏に1層づつを備えてもよく、各々2層以上を備えてもよい。2層以上を備える場合には、積層体の一面側に備えられた収縮抑制層は各々同じ組成であってもよく、異なる組成であってもよい。また、収縮抑制層にセラミック粉末としてアルミナ粉末が含有される。
また、この収縮抑制層には、ガラス粉末が含まれていない。焼成収縮が抑制され、かつ、焼成後の収縮抑制層の除去を容易にする。
The “shrinkage suppression layer” is a layer that is not sintered at the firing temperature of the laminate. The laminated body which becomes a multilayer ceramic substrate is provided with this shrinkage suppression layer on the front and back surfaces thereof, whereby shrinkage due to firing (particularly firing shrinkage in the xy direction) is suppressed. In addition, the fact that the laminate is not sintered at the firing temperature usually means that the shrinkage suppression layer contains ceramic powder, but the ceramic powders constituting the shrinkage inhibition layer do not cause adhesion due to firing. In particular, it is preferable that adhesion due to firing with the ceramic filler contained in the laminate does not occur. Furthermore, this shrinkage | contraction suppression layer may be provided for every 1 layer on the front and back of a laminated body, and may each be equipped with 2 or more layers. When two or more layers are provided, the shrinkage suppression layers provided on one surface side of the laminate may have the same composition or different compositions. The shrinkage suppression layer contains alumina powder as a ceramic powder.
Moreover, this shrinkage | contraction suppression layer does not contain glass powder. Firing shrinkage is suppressed, and removal of the shrinkage inhibiting layer after firing is facilitated.

上記「焼成工程」は、積層体の焼成温度では焼結されない収縮抑制層を表裏面に備える積層体を焼成する工程である。焼成は、積層体が焼結される焼成温度において加熱することである。この焼成における焼成温度は、通常、1050℃以下(好ましくは950℃以下、更に好ましくは900℃以下、通常、800℃以上)の低温である。また、焼成時間は、通常、10時間以下(好ましくは5時間以下、更に好ましくは2時間以下、通常0.5時間以上)である。これらの焼成温度及び焼成時間は、用いるセラミックフィラー、ガラス粉末及びその他の焼成時に備えるもの等により適宜選択することが好ましい。更に、焼成温度は、収縮抑制層の焼結温度よりも300℃以上(より好ましくは200℃以上)低いことが好ましい。
また、この焼成は無加圧で行う。無加圧とは、焼成雰囲気に対する加圧を行わず、更に、収縮抑制層以外の自重以外のものを積層体に更に積層しないことである。即ち、多層セラミック基板となる積層体は、収縮抑制層の自重以外の圧力を受けずに焼成されることとなる。
The “baking step” is a step of firing the laminate including the shrinkage suppression layers on the front and back surfaces that are not sintered at the firing temperature of the laminate. Firing is heating at a firing temperature at which the laminate is sintered. The firing temperature in this firing is usually a low temperature of 1050 ° C. or lower (preferably 950 ° C. or lower, more preferably 900 ° C. or lower, usually 800 ° C. or higher). The firing time is usually 10 hours or shorter (preferably 5 hours or shorter, more preferably 2 hours or shorter, usually 0.5 hours or longer). These firing temperatures and firing times are preferably selected as appropriate depending on the ceramic filler used, glass powder, and other materials provided during firing. Furthermore, the firing temperature is preferably 300 ° C. or more (more preferably 200 ° C. or more) lower than the sintering temperature of the shrinkage suppression layer.
Moreover, this baking is performed without pressure. The non-pressurization means that no pressure is applied to the firing atmosphere, and no layer other than its own weight other than the shrinkage suppression layer is further laminated on the laminate. That is, the laminate that becomes the multilayer ceramic substrate is fired without receiving pressure other than the weight of the shrinkage suppression layer.

上記「除去工程」は、焼成工程を行った後に、収縮抑制層を除去する工程である。この除去はどのような方法で行ってもよい。例えば、熱衝撃を用いる方法及び道具を用いて掻き取る方法等が挙げられる。このうち熱衝撃を用いる方法としては、例えば、焼成工程を経た焼成体(収縮抑制層を伴った多層セラミック基板)を25〜100℃の範囲の温度に保持した後、保持した温度よりも10℃以上低い冷却媒体(水など)にさらし、この温度差による熱衝撃を利用して瞬時に焼結時の残留応力を開放することにより除去する方法が挙げられる。一方、道具を用いて掻き取る方法としては、例えば、液体(水など)及び/又は粉体(アルミナ粉末など)等をスプレーガン等により吹き付けて除去する方法、並びに、硬質なへら及び刷毛等を用いて掻き取る方法等が挙げられる。   The “removal step” is a step of removing the shrinkage suppression layer after performing the firing step. This removal may be performed by any method. For example, a method using thermal shock and a method of scraping with a tool may be used. Among these methods, as a method using thermal shock, for example, a fired body (multilayer ceramic substrate with a shrinkage suppression layer) that has undergone a firing process is held at a temperature in the range of 25 to 100 ° C., and then 10 ° C. above the held temperature. A method of removing the residual stress at the time of sintering by exposing to a low cooling medium (such as water) and instantaneously using the thermal shock due to this temperature difference is mentioned. On the other hand, as a method of scraping with a tool, for example, a method of spraying and removing liquid (water, etc.) and / or powder (alumina powder, etc.) with a spray gun, etc., and a hard spatula and brush, etc. A method of scraping with use is mentioned.

以下、実験例により本発明を具体的に説明する(実験例1−9、11−12、1−17は、実施例である。実験例10、13、14は、参考例である)。
[1]多層セラミック基板の作製
(1)ガラス粉末の調整
SiO粉末、B粉末、Al粉末、CaO粉末及びZnO粉末の表1に示す割合で混合して混合粉末を得た。得られた混合粉末を加熱溶融させた後、水に投入して急冷により水砕してガラスフリットを得た。得られたガラスフリットをボールミルにて更に粉砕し、平均粒径3μmのガラス粉末を得た。各ガラス粉末の溶融特性(Tg、Ts及びMg)を測定し、その結果を表2に示した。測定は示差熱分析装置(リガク社製、形式「THERMOFLEX」)を用いて行った。
Hereinafter, the present invention will be described specifically by Experiment (Experiment 1-9,11-12,1 5 -17 are examples. Experimental Example 10,13, 14, is a reference example).
[1] Production of Multilayer Ceramic Substrate (1) Preparation of Glass Powder Mixed powder is obtained by mixing at a ratio shown in Table 1 of SiO 2 powder, B 2 O 3 powder, Al 2 O 3 powder, CaO powder and ZnO powder. It was. The obtained mixed powder was heated and melted, and then poured into water and crushed by rapid cooling to obtain a glass frit. The obtained glass frit was further pulverized by a ball mill to obtain glass powder having an average particle diameter of 3 μm. The melting characteristics (Tg, Ts, and Mg) of each glass powder were measured, and the results are shown in Table 2. The measurement was performed using a differential thermal analyzer (manufactured by Rigaku Corporation, type “THERMFLEX”).

(2)未焼成シートの作製
一方、セラミックフィラーとしてアルミナ粉末(平均粒径3μm、比表面積1.0m/g)を用意した。先に得られたガラス粉末とアルミナ粉末との体積比率が1:1となるように秤量した後、混合した。更に、成形に必要なバインダ(アクリル系バインダ)及び可塑剤(フタル酸ジ−2−エチルヘキシル)並びに溶剤(メチルエチルケトン)を加えて更に混合してスラリーを得た。得られたスラリーをドクターブレード法により縦横各々200mm且つ厚さ0.15mmのシート状に成形して未焼成シートを得た。
(2) Production of Unsintered Sheet On the other hand, alumina powder (average particle size 3 μm, specific surface area 1.0 m 2 / g) was prepared as a ceramic filler. The glass powder and the alumina powder obtained above were weighed so that the volume ratio was 1: 1, and then mixed. Furthermore, a binder (acrylic binder) and a plasticizer (di-2-ethylhexyl phthalate) and a solvent (methyl ethyl ketone) necessary for molding were added and further mixed to obtain a slurry. The obtained slurry was formed into a sheet having a length and width of 200 mm and a thickness of 0.15 mm by a doctor blade method to obtain an unfired sheet.

(3)収縮抑制層の作製
上記(2)で用いたアルミナ粉末を用意し、上記(2)と同様にしてスラリーを得た。得られたスラリーをドクターブレード法により縦横各々200mm且つ厚さ0.30mmのシート状に成形して収縮抑制層を得た。
(3) Production of Shrinkage Suppression Layer The alumina powder used in (2) above was prepared, and a slurry was obtained in the same manner as (2) above. The obtained slurry was formed into a sheet shape of 200 mm in length and width and 0.30 mm in thickness by a doctor blade method to obtain a shrinkage suppression layer.

(4)積層体の形成及び収縮抑制層の積層
上記(2)で得られた未焼成シートを4枚を積層して積層体を得た。この積層体の表裏面に更に、上記(3)で得られた収縮抑制層を積層し、表裏面に収縮抑制層を備える積層体を得た。
(4) Formation of Laminate and Lamination of Shrinkage Suppression Layer Four laminates of unfired sheets obtained in (2) above were laminated to obtain a laminate. Furthermore, the shrinkage | contraction suppression layer obtained by said (3) was laminated | stacked on the front and back of this laminated body, and the laminated body provided with a shrinkage | contraction suppression layer on the front and back was obtained.

(5)焼成工程
上記(4)までに得られた収縮抑制層を備える積層体を、焼成炉内に載置し、無加圧で各々表1に示す焼成温度で焼成を行った。
(5) Firing step The laminate including the shrinkage suppression layer obtained up to the above (4) was placed in a firing furnace and fired at a firing temperature shown in Table 1 without pressure.

(6)除去工程
上記(5)を経た後、温度25℃で30分以上保持した後、10℃の冷水に浸漬して熱衝撃を加えることにより収縮抑制層を除去して実例1〜17及び比較例1〜7の多層セラミック基板を得た。
(6) removing step after a above (5), after holding a temperature 25 ° C. over 30 minutes, removed to experimental examples 1 to the shrinkage inhibiting layer by applying heat shock by immersion in cold water 10 ° C. 17 and Comparative Examples 1 to 7 were obtained.

Figure 0004567328
Figure 0004567328

Figure 0004567328
Figure 0004567328

[2]多層セラミック基板の評価
(1)収縮率及び収縮率のばらつきの測定
上記[1]により得られた多層セラミック基板の収縮率を測定し、表3に示した。更に、この収縮率のばらつき(3σ)を算出し、表3に示した。
(2)剥離性の測定
上記[1](6)の除去工程において除去の容易性を以下の3段階に評価して、表3に示した。
「◎」・・・収縮抑制層を除去できた面積が積層体表裏面の99%以上の場合。
「○」・・・収縮抑制層を除去できた面積が積層体表裏面の90%以上且つ99%未満の場合。
「△」・・・収縮抑制層を除去できた面積が、積層体表裏面の50%以上且つ90%未満の場合。
「×」・・・収縮抑制層を除去できた面積が、積層体表裏面の50%未満の場合。
[2] Evaluation of multilayer ceramic substrate (1) Measurement of shrinkage rate and variation in shrinkage rate The shrinkage rate of the multilayer ceramic substrate obtained by the above [1] was measured and shown in Table 3. Further, this variation in shrinkage (3σ) was calculated and shown in Table 3.
(2) Measurement of peelability Table 3 shows the ease of removal in the removal steps [1] and (6) described above, evaluated in the following three stages.
“◎”: When the area where the shrinkage suppression layer was removed is 99% or more of the front and back surfaces of the laminate.
“◯”: When the area where the shrinkage suppression layer can be removed is 90% or more and less than 99% of the front and back surfaces of the laminate.
“Δ”: The area where the shrinkage suppression layer can be removed is 50% or more and less than 90% of the front and back surfaces of the laminate.
"X" ... The area which could remove the shrinkage | contraction suppression layer is less than 50% of a laminated body front and back.

(3)誘電特性の測定
上記[1]で得られた多層セラミック基板の一部を切り出して、縦50mm、横50mm、厚さ0.635mmの板状体に研磨加工して各誘電特性測定用磁器を得た。この誘電特性測定用磁器を用い、JIS R 1627に従い、TE011モードで共振周波数は3〜12GHzとしてε及びQ値を測定した。その結果を表3に示した。尚、Q値は、共振周波数(f)との積(Q・f)として表した。
(3) Measurement of dielectric characteristics A part of the multilayer ceramic substrate obtained in [1] above is cut out and polished into a plate-like body having a length of 50 mm, a width of 50 mm, and a thickness of 0.635 mm. Obtained porcelain. The dielectric properties using a measuring porcelain, in accordance with JIS R 1627, the resonance frequency in TE011 mode was measured epsilon r and the Q value as 3~12GHz. The results are shown in Table 3. The Q value was expressed as a product (Q · f) with the resonance frequency (f).

(4)熱膨張特性の測定
上記[1]で得られた多層セラミック基板の一部を切り出して、縦3mm、横3mm、高さ1.6mmの柱状体に研磨加工して各熱膨張特性測定用磁器を得た。この熱膨張特性測定用磁器を用い、25℃から400℃まで昇温させた時の熱膨張係数を示差膨張式熱機械分析装置(株式会社リガク社製、型式「TMA8140C」)を用いて測定した。その結果を表3に併記した。
(4) Measurement of thermal expansion characteristics A part of the multilayer ceramic substrate obtained in [1] above is cut out and polished into a columnar body having a length of 3 mm, a width of 3 mm, and a height of 1.6 mm, and each thermal expansion characteristic is measured. A porcelain was obtained. Using this ceramic for measuring thermal expansion characteristics, the coefficient of thermal expansion when the temperature was raised from 25 ° C. to 400 ° C. was measured using a differential expansion thermomechanical analyzer (manufactured by Rigaku Corporation, model “TMA8140C”). . The results are also shown in Table 3.

Figure 0004567328
Figure 0004567328

[3]ガラス粉末とセラミックフィラーとの配合
上記[1](1)で得たガラス粉末のうち実例4のものを用い、ガラス粉末とアルミナ粉末との体積比率を表4に示す5種類とした以外は、上記[1]と同様にして積層体の焼成を行った(焼成温度は表4に示す温度)。得られた各多層セラミック基板のガラスとセラミックフィラーの各粒子の比重、比表面積および混合比率から算出した理論上の密度を基準とする相対密度を測定し、表4に示した。
[3] used as the glass powder and experimental examples of the glass powder obtained in blending the above with the ceramic filler [1] (1) 4, 5 types shown in Table 4 the volume ratio of the glass powder and the alumina powder Except for the above, the laminate was fired in the same manner as in [1] above (the firing temperature is the temperature shown in Table 4). The relative density based on the theoretical density calculated from the specific gravity, specific surface area, and mixing ratio of each particle of glass and ceramic filler of each obtained multilayer ceramic substrate was measured and shown in Table 4.

Figure 0004567328
Figure 0004567328

[4]実例の効果
表1〜3より、比較例1〜7では、いずれも簡便な方法では50%以上の面積比率で収縮抑制層を除去することが困難であることが分かる。また、焼成収縮のばらつきも比較的大きいことが分かる。
これに対して、実例1〜17に示すようにPbの含有量が0〜1質量%(特にPbを含有しない場合)であっても、Tgが580〜700℃であり且つTs−Tgが140℃以下(105〜140℃)であれば、実用的な誘電特性を保持しつつ、焼成収縮率は0.28以下且つばらつきは0.19以下に抑制して、収縮抑制層を極めて簡便な方法により50%以上の面積比率で除去できることが分かる。更に、実例1〜14に示すように、上記TgとTs−Tgの条件に加えてMg−Tgが25〜45℃の範囲であれば、実用的な誘電特性を保持しつつ、焼成収縮率は0.28以下且つばらつきは0.13以下に抑制して、収縮抑制層を極めて簡便な方法により90%以上の面積比率で除去できることが分かる。また、特に、実例4及び7に示すように、Tgが630〜640℃、Ts−Tgが110〜120℃、Mg−Tgが40℃である場合は、εrは7.1〜7.6、Q・fは880〜1000GHz、τは−75〜−70ppm/℃と優れた誘電特性を発揮させつつ、焼成収縮率は0.28以下且つばらつきは0.06以下に抑制して、収縮抑制層を極めて簡便な方法により99%以上の面積比率で除去できることが分かる。
[4] than the effect Table 1-3 Experiment examples, Comparative Examples 1-7, it can be seen that it is difficult to remove the shrinkage suppression layer at an area ratio of 50% or more in both a simple method. It can also be seen that the variation in firing shrinkage is relatively large.
In contrast, even content of 0 to 1 mass% of Pb, as shown in experimental examples 1 to 17 (especially if containing no Pb), a Tg of from 580 to 700 ° C. and Ts-Tg Is 140 ° C. or lower (105 to 140 ° C.), while maintaining practical dielectric properties, the firing shrinkage rate is suppressed to 0.28 or lower and the variation is suppressed to 0.19 or lower, making the shrinkage suppression layer extremely simple. It can be seen that it can be removed with an area ratio of 50% or more by this method. Furthermore, as shown in experimental examples 1 to 14, so long as the Mg-Tg in addition to the conditions of the Tg and Ts-Tg is 25 to 45 ° C., while maintaining practical dielectric properties, firing shrinkage It can be seen that the rate is suppressed to 0.28 or less and the variation is controlled to 0.13 or less, and the shrinkage suppression layer can be removed at an area ratio of 90% or more by a very simple method. In particular, as shown in Experimental Examples 4 and 7, Tg is 630 through 640 ° C., Ts-Tg is 110 to 120 ° C., if Mg-Tg is 40 ° C., the .epsilon.r 7.1-7. is 6, Q · f 880~1000GHz, the tau f while exhibiting excellent dielectric properties and -75 to-70 ppm / ° C., the firing shrinkage is suppressed to 0.28 or less and the variation 0.06, It can be seen that the shrinkage suppression layer can be removed at an area ratio of 99% or more by a very simple method.

また、表4より、ガラス粉末とセラミックフィラーとの質量比率を変化させることで、焼成温度は同じであっても得られる多層セラミック基板の密度に差を生じることが分かる。この結果より、少なくともガラス粉末の体積比率が30〜70質量%では相対密度が99%を超えることが分かる。特にガラス粉末の質量比率が50質量%である場合には、相対密度が99.8%と十分に緻密化されていることが分かる。   Moreover, it can be seen from Table 4 that by changing the mass ratio of the glass powder and the ceramic filler, a difference occurs in the density of the obtained multilayer ceramic substrate even if the firing temperature is the same. From this result, it is understood that the relative density exceeds 99% at least when the volume ratio of the glass powder is 30 to 70% by mass. In particular, when the mass ratio of the glass powder is 50% by mass, it can be seen that the relative density is sufficiently densified as 99.8%.

本発明は、電子部品関連分野において広く利用される。例えば、本発明は、半導体素子をフリップチップ接続するための電極パットを備えたパッケージ(C4パッケージ等)、CSP(Chip Size Package)、MCP(Multi Chip Package)等のパッケージ、及び、これらのパッケージに抵抗、コンデンサ及び/又はインダクタを備えるMCM−C(Multi Chip Module−Ceramic)等のモジュールなどに利用される。   The present invention is widely used in the field of electronic components. For example, the present invention relates to packages such as a package (C4 package or the like) having electrode pads for flip-chip connection of semiconductor elements, a package such as CSP (Chip Size Package), MCP (Multi Chip Package), and the like. It is used for a module such as MCM-C (Multi Chip Module-Ceramic) including a resistor, a capacitor and / or an inductor.

本発明の製造方法によって製造される多層セラミック基板を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the multilayer ceramic substrate manufactured by the manufacturing method of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1;多層セラミック基板、11;ガラスセラミック混合部、111;ガラス相、112;セラミックフィラー、12;導体部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Multilayer ceramic substrate, 11; Glass ceramic mixing part, 111; Glass phase, 112; Ceramic filler, 12; Conductor part.

Claims (3)

セラミックフィラーとガラス粉末とを含有する未焼成シートを積層して得られた積層体の表裏面に、該積層体の焼成温度では焼結されない収縮抑制層を配設し、該積層体を焼成する焼成工程と、
該焼成工程を行った後に、該収縮抑制層を除去する除去工程と、を備える多層セラミック基板の製造方法において、
上記ガラス粉末は、ガラス転移点が580〜700℃であり、該ガラス転移点と軟化点との温度差が140℃以下であり、且つ、アルカリ金属を含有し、該アルカリ金属の含有量が、酸化物換算で該ガラス全体に対して合計2.0質量%以下で、Pbを含有しないガラスからなり、
上記収縮抑制層は、ガラス粉末を含まず、かつアルミナ粉末を含み、
上記焼成工程では、上記積層体を無加圧で焼成し、上記ガラスが上記積層体から上記収縮抑制層へ拡散し、
上記ガラスは、更に、Si、Al、B、Ca及びZnを含有し、該Bの含有量は酸化物換算で該ガラス全体に対して12〜30質量%であることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
A shrinkage suppression layer that is not sintered at the firing temperature of the laminate is disposed on the front and back surfaces of the laminate obtained by laminating an unfired sheet containing a ceramic filler and glass powder, and the laminate is fired. A firing step;
In the method for producing a multilayer ceramic substrate, comprising the removal step of removing the shrinkage suppression layer after performing the firing step,
The glass powder has a glass transition point of 580 to 700 ° C., a temperature difference between the glass transition point and the softening point is 140 ° C. or less, contains an alkali metal, and the content of the alkali metal is The total glass is 2.0% by mass or less in terms of oxide, and it is made of glass not containing Pb.
The shrinkage suppression layer does not contain glass powder, and contains alumina powder,
In the firing step, the laminate is fired without pressure, and the glass diffuses from the laminate to the shrinkage suppression layer ,
The glass further contains Si, Al, B, Ca, and Zn, and the content of B is 12 to 30% by mass with respect to the whole glass in terms of oxide. Manufacturing method.
上記ガラスは、ガラス転移点と屈伏点との温度差が25〜45℃である請求項1に記載の多層セラミック基板の製造方法。   The method for producing a multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein the glass has a temperature difference between a glass transition point and a yield point of 25 to 45 ° C. 上記多層セラミック基板は、上記積層体と同時焼成された導体部を備える請求項1又は2に記載の多層セラミック基板の製造方法。 The said multilayer ceramic substrate is a manufacturing method of the multilayer ceramic substrate of Claim 1 or 2 provided with the conductor part co-fired with the said laminated body.
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