JP4543004B2 - Pattern forming method, imprint mold, and magnetic recording medium manufacturing method - Google Patents
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本発明は、パタン形成方法、このパタン形成方法を用いて製造されるインプリントモールド、およびこのインプリントモールドを用いる磁気記録媒体の製造方法に関する。 The present invention relates to a pattern forming method, an imprint mold manufactured using the pattern forming method, and a method of manufacturing a magnetic recording medium using the imprint mold.
磁気記録装置が発明されて以来、その記録密度は年々増加の傾向を続けており、現在もその記録密度は増加し続けている。 Since the invention of the magnetic recording apparatus, the recording density has been increasing year by year, and the recording density continues to increase even now.
しかし、磁気記録においては、記録媒体の磁気特性によって程度の差はあるものの、熱擾乱のためにある記録密度以上では磁気記録を保つことができなくなる現象が指摘されており、この現象により記録密度が制限されると考えられている。 However, in magnetic recording, although there are differences depending on the magnetic characteristics of the recording medium, it has been pointed out that due to thermal disturbance, magnetic recording cannot be maintained above a certain recording density. Is believed to be limited.
この問題を回避するために、あらかじめ磁気記録材料を非記録材料によりドットに分断し、各々のドットを単一の記録セルとして記録再生を行うパターンドメディアが提案されている。このパターンドメディアでは、記録セルを非磁性体により孤立させているので、熱擾乱に対する安定性が高く、高い保磁力を示す。 In order to avoid this problem, there has been proposed a patterned medium in which a magnetic recording material is divided into dots by a non-recording material in advance and each dot is recorded and reproduced as a single recording cell. In this patterned medium, since the recording cell is isolated by a non-magnetic material, it has high stability against thermal disturbance and high coercive force.
上記のパターンドメディアは、テラビット級の記録密度を実現するために有効な手段であると考えられている。しかし、このような高記録密度を達成しようとすると、要求されるセルサイズが30〜20nmとなり、従来のフォトリソグラフィの解像限界を超える微細加工が必要である。そこで、電子線描画によるパタン形成が提案されているが、電子線での微細パタンの描画には長時間を要するため、加工された媒体は非常に高価なものとなる。 The patterned medium is considered to be an effective means for realizing a terabit-class recording density. However, in order to achieve such a high recording density, the required cell size becomes 30 to 20 nm, and fine processing exceeding the resolution limit of conventional photolithography is required. Therefore, pattern formation by electron beam drawing has been proposed, but drawing a fine pattern with an electron beam requires a long time, and thus the processed medium becomes very expensive.
このような問題を解決するために、ジブロックコポリマーの相分離を利用したパターンドメディアの製造方法が提案されている(非特許文献1および特許文献1参照)。これらの製造方法では、たとえばポリスチレンとポリメチレンメタクリレートのジブロックコポリマーを相分離させてドットパタンを形成し、磁性膜にドットパタンを転写して記録セルとして用いられる磁性ドットを形成している。これらの製造方法では、ジブロックコポリマーの相分離により、円形のドットパタンが細密充填の配置をとって形成される。 In order to solve such a problem, a method for producing patterned media using phase separation of a diblock copolymer has been proposed (see Non-Patent Document 1 and Patent Document 1). In these production methods, for example, a dot pattern is formed by phase-separating a diblock copolymer of polystyrene and polymethylene methacrylate, and the dot pattern is transferred to a magnetic film to form magnetic dots used as recording cells. In these production methods, a circular dot pattern is formed in a close packed arrangement by phase separation of the diblock copolymer.
こうしたパターンドメディアを搭載した磁気記録装置においては、記録ヘッドによって2つ以上の記録セルにまたがった書き込みや読み取りがなされるおそれがあるので、記録ヘッドに応じて磁性ドットの配列およびトラック幅などの条件を最適化できることが望ましい。しかし、ジブロックコポリマーを相分離させてドットパタンを形成する方法では、記録ヘッドの形状に応じて磁性ドットの配列およびトラック幅などの条件を最適化するのは困難であった。
本発明の目的は、たとえば記録ヘッドの形状に応じて、トラック幅などを最適に設計する自由度が高いパタン形成方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a pattern forming method having a high degree of freedom for optimally designing a track width or the like according to the shape of a recording head, for example.
本発明の一態様に係るパタン形成方法は、基板上にジブロックコポリマー膜を塗布し、前記ジブロックコポリマー膜を相分離させて1つのポリマー成分をシリンダーまたはラメラの形態にし;前記ジブロックコポリマー膜に対してラインパタンを有するインプリントモールドを用いてインプリントを施し、前記シリンダーまたはラメラの長さ方向に対して交差する第1の凹部を形成し;前記シリンダーまたはラメラの形態のポリマー成分をエッチングにより除去して第2の凹部を形成し;前記第1および第2の凹部にシリコン含有レジストを埋め込み;前記シリコン含有レジストをマスクとして、前記ジブロックコポリマー膜をエッチングし、つづいて前記基板をエッチングすることを特徴とする。 The pattern forming method according to an aspect of the present invention includes applying a diblock copolymer film on a substrate, phase-separating the diblock copolymer film to form one polymer component in the form of a cylinder or a lamella; Imprint using an imprint mold having a line pattern to form a first recess intersecting the longitudinal direction of the cylinder or lamella; etching a polymer component in the form of the cylinder or lamella To form a second recess; a silicon-containing resist is embedded in the first and second recesses; the diblock copolymer film is etched using the silicon-containing resist as a mask, and then the substrate is etched. It is characterized by doing.
本発明の他の態様に係る格子状パタンを有するインプリントモールドは、上記のパタン形成方法により加工された基板を有することを特徴とする。 An imprint mold having a lattice pattern according to another aspect of the present invention includes a substrate processed by the pattern forming method described above.
本発明のさらに他の態様に係る磁気記録媒体の製造方法は、媒体基板上に磁性膜を成膜し、前記磁性膜上にレジストを塗布し、前記レジストに対して上記の格子状パタンを有するインプリントモールドを用いてインプリントを行い、レジストに格子状の凹部を形成し、前記格子状の凹部以外の領域に残存したレジストをマスクとして前記磁性膜をエッチングし、格子状の溝で分離された磁性膜パタンを形成することを特徴とする。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising: forming a magnetic film on a medium substrate; applying a resist on the magnetic film; and having the lattice pattern described above for the resist Imprinting is performed using an imprint mold to form a lattice-shaped concave portion in the resist, and the magnetic film is etched using the resist remaining in a region other than the lattice-shaped concave portion as a mask, and separated by lattice-shaped grooves. A magnetic film pattern is formed.
本発明のパタン形成方法によれば、高い自由度で、たとえば記録ヘッドの形状に応じて、トラック幅などを最適に設計することができる。 According to the pattern forming method of the present invention, the track width and the like can be optimally designed with a high degree of freedom, for example, according to the shape of the recording head.
以下、本発明の実施形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.
本発明の実施形態において、基板材料は特に限定されず、プラスチック基板、ガラス基板、シリコン基板などが一般的である。なお、基板上に薄膜を形成してもよい。すなわち、本発明の実施形態に係るパタン形成方法により、基板を直接加工してもよいし、基板上に形成された薄膜を加工してもよい。 In the embodiment of the present invention, the substrate material is not particularly limited, and a plastic substrate, a glass substrate, a silicon substrate, and the like are common. A thin film may be formed on the substrate. That is, the substrate may be directly processed by the pattern forming method according to the embodiment of the present invention, or a thin film formed on the substrate may be processed.
本発明の実施形態において、基板上に塗布されるジブロックコポリマー膜は、エッチング耐性の異なる2種のポリマー成分を含む。ジブロックコポリマーは、シリンダーまたはラメラの形態に相分離することが可能であれば、組成や分子量は特に限定されない。ここでシリンダーというのは、上述の2種のポリマーのうちの1つがジブロックコポリマー膜中において細長の円筒形状となっている状態を表現している。一例としては、図3(a)においてその断面で表されたPMMA成分15である。また、ラメラというのは、上述の2種のポリマーが層状に相分離をしている状態を表現しており、本発明においては基板に対して垂直方向に相分離している場合が望ましい。一例としては、図3(a)においてその断面が円状の代わりに四角形形状となったPMMA成分15である。
In an embodiment of the present invention, the diblock copolymer film applied on the substrate includes two polymer components having different etching resistances. The composition and molecular weight of the diblock copolymer are not particularly limited as long as the diblock copolymer can be phase-separated into a cylinder or lamellar form. Here, the cylinder expresses a state in which one of the above-mentioned two kinds of polymers has an elongated cylindrical shape in the diblock copolymer film. As an example, it is the
ジブロックコポリマー膜としては、たとえば、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)、ポリスチレン−ポリ(エチレン−alt−プロピレン)(PS−PEP)、ポリスチレン−ポリブタジエン(PS−PBD)、ポリスチレン−ポリイソプレン(PS−PI)、ポリスチレン−ポリビニルメチルエーテル(PS−PVME)、ポリスチレン−ポリエチレンオキサイド(PS−PEO)、その他公知のものが挙げられる。これらのジブロックコポリマー膜は、アニールすることにより相分離させることができる。 Examples of the diblock copolymer film include polystyrene-polymethyl methacrylate (PS-PMMA), polystyrene-poly (ethylene-alt-propylene) (PS-PEP), polystyrene-polybutadiene (PS-PBD), polystyrene-polyisoprene ( PS-PI), polystyrene-polyvinyl methyl ether (PS-PVME), polystyrene-polyethylene oxide (PS-PEO), and other known ones. These diblock copolymer films can be phase-separated by annealing.
ジブロックコポリマー膜を相分離させる際に、シリンダーまたはラメラの方向を所望の方向に揃えるには、基板上にあらかじめガイド溝を形成し、ガイド溝内にジブロックコポリマー膜を塗布し、ジブロックコポリマー膜を相分離させる方法(T. Yamaguchi, et al., J. Photopolym. Sci. Technol., 18 (2005) pp. 421)、またはジブロックコポリマー膜を膜面に沿ってせん断応力を加えながら相分離させる方法(D. E. Angelescu, et al., Adv. Mater., 16(2004) pp. 1739)を用いることが好ましい。このときのガイド溝またはせんだん応力の方向は、本発明の実施形態のひとつである磁気記録媒体の場合、ヘッドのアーム軌跡に追従した形であることが望ましい。 In order to align the cylinder or lamella in the desired direction when phase-separating the diblock copolymer film, a guide groove is formed on the substrate in advance, and the diblock copolymer film is applied in the guide groove. Phase separation of membranes (T. Yamaguchi, et al., J. Photopolym. Sci. Technol., 18 (2005) pp. 421), or diblock copolymer membranes while applying shear stress along the membrane surface It is preferable to use a method of separation (DE Angelescu, et al., Adv. Mater., 16 (2004) pp. 1739). In this case, it is desirable that the direction of the guide groove or the tendon stress follows the arm trajectory of the head in the case of the magnetic recording medium which is one of the embodiments of the present invention.
次に、ラインパタンを有するインプリントモールドを用意する。ラインパタンを有するインプリントモールドは、たとえば電子線リソグラフィーにより形成する。ジブロックコポリマー膜に対してラインパタンを有するインプリントモールドを用いてインプリントを施し、シリンダーまたはラメラの長さ方向に対して交差する第1の凹部を形成する。ラインパタンとジブロックコポリマーの長さ方向の交わる角度はその目的に応じて調整することができる。 Next, an imprint mold having a line pattern is prepared. The imprint mold having the line pattern is formed by, for example, electron beam lithography. Imprinting is performed on the diblock copolymer film using an imprint mold having a line pattern to form a first recess that intersects the longitudinal direction of the cylinder or lamella. The angle at which the line pattern and the diblock copolymer intersect in the length direction can be adjusted according to the purpose.
次に、ジブロックコポリマー膜の2種のポリマー成分のエッチング耐性の違いを利用して、シリンダーまたはラメラの形態のポリマー成分をエッチングにより選択的に除去して第2の凹部を形成する。エッチング方法としては、酸素エッチングが挙げられるが、特に限定されない。 Next, using the difference in etching resistance between the two polymer components of the diblock copolymer film, the polymer component in the form of a cylinder or a lamella is selectively removed by etching to form a second recess. Examples of the etching method include oxygen etching, but are not particularly limited.
このとき、図7に示すように、第1の凹部の深さ(A)と、ジプロックコポリマー膜の膜厚(B)と、第2の凹部の深さ(C)が、C≦A<Bの関係を満たすことが好ましい。 At this time, as shown in FIG. 7, the depth (A) of the first recess, the film thickness (B) of the ziplock copolymer film, and the depth (C) of the second recess are C ≦ A <B. It is preferable to satisfy the relationship.
次に、第1および第2の凹部にシリコン含有レジストを埋め込む。シリコン含有レジストは、酸素エッチング耐性の高いレジストである。シリコン含有レジストとしては、スピンオングラス(SOG)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)などが挙げられる。 Next, a silicon-containing resist is embedded in the first and second recesses. The silicon-containing resist is a resist having high oxygen etching resistance. Examples of the silicon-containing resist include spin-on glass (SOG) and HSQ (hydrogen silsesquioxane).
次いで、シリコン含有レジストをマスクとして、ジブロックコポリマー膜をエッチングし、つづいて基板をエッチングする。その後、不要になったシリコン含有レジストを除去する。こうして、矩形の凹部を囲む格子状の凸部を有するパタンを形成することができる。 Next, the diblock copolymer film is etched using the silicon-containing resist as a mask, and then the substrate is etched. Thereafter, the silicon-containing resist that has become unnecessary is removed. In this way, a pattern having a grid-like convex portion surrounding the rectangular concave portion can be formed.
図1、図2(a)〜(f)および図3(a)〜(f)を参照して、本発明の実施形態に係るパタン形成方法を説明する。図1は本発明の磁気記録媒体の平面図、図2(a)〜(f)は図1の領域aの拡大平面図、図3(a)〜(f)は図2(a)〜(f)のA−A断面図である。ここでは、基板上にカーボン膜を成膜し、ジブロックコポリマーとしてポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)を用い、カーボン膜にパタンを形成する例を説明する。 A pattern forming method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2A to 2F, and FIGS. 3A to 3F. 1 is a plan view of the magnetic recording medium of the present invention, FIGS. 2A to 2F are enlarged plan views of a region a in FIG. 1, and FIGS. 3A to 3F are FIGS. It is AA sectional drawing of f). Here, an example will be described in which a carbon film is formed on a substrate, polystyrene-polymethyl methacrylate (PS-PMMA) is used as a diblock copolymer, and a pattern is formed on the carbon film.
基板11上にカーボン膜12を成膜する。カーボン膜12上にジブロックコポリマー膜13としてPS−PMMAを塗布し、アニールを行うことにより相分離させる。この結果、PS成分14中にシリンダーの形態のPMMA成分15が形成される(図2a、図3a)。
A
ラインパタンを有するインプリントモールド20を用意する。基板11上で相分離されたジブロックコポリマー膜13と、インプリントモールド20とを対向させてプレス装置により圧力を加えてインプリントを行う。こうして、ジブロックコポリマー膜13のPMMA成分15からなるシリンダーの長さ方向に対して交差する第1の凹部16を形成する(図2b、図3b)。PMMA成分15からなるシリンダーの長さ方向と、第1の凹部16とのなす角度は、たとえば記録ヘッドの形状に応じて、図2bに示すように約60°から90°の範囲で設定することができる。
An
酸素エッチングを行い、ジブロックコポリマー膜13のPMMA成分15からなるシリンダーを選択的に除去して第2の凹部17を形成する(図2c、図3c)。
Oxygen etching is performed to selectively remove the cylinder made of the
第1の凹部16および第2の凹部17に酸素エッチング耐性の高いシリコン含有レジストとしてSOG18を埋め込む(図2d、図3d)。
SOG18をマスクとして、酸素RIEによりジブロックコポリマー膜13をエッチングし、さらにカーボン膜12をエッチングする(図2e、図3e)。
Using the
その後、不要になったSOG18をCF4ガスでエッチングして除去する。こうして、基板11上のカーボン膜12に、矩形の凹部を囲む格子状の凸パタンを形成することができる(図2f、図3f)。
Thereafter, the
上記の方法で製造された、基板上のカーボン膜に格子状パタンを形成したものは、たとえばインプリントモールドとして使用することができる。 The carbon film on the substrate produced by the above method and having a lattice pattern formed thereon can be used as an imprint mold, for example.
図4(a)〜(d)を参照して、格子状パタンを有するインプリントモールドを用いて磁気記録媒体を製造する方法を説明する。 With reference to FIGS. 4A to 4D, a method for manufacturing a magnetic recording medium using an imprint mold having a lattice pattern will be described.
媒体基板31上に磁性膜32を成膜し、磁性膜32上にインプリント用のレジスト33を塗布する。このレジストの材料はインプリントが可能であれば特に限定されない。ホットエンボス、室温インプリントなどのインプリント法に適した材料を選択することができる。具体的には、有機系ポリマー、SOG、HSQなどの材料が挙げられる。レジスト33に対向させて格子状パタンを有するインプリントモールド30をセットし、プレス装置により圧力をかけてインプリントを行う(図4a)。インプリントモールド30を取り外して、レジスト33に格子状の溝34を形成する(図4b)。溝34の底部に残るレジスト残渣を除去した後、残存する凸状のレジストパタンをマスクとして、磁性膜32をエッチングする(図4c)。その後、残存するレジストパタンを剥離して、所望の形状を有する記録セルが形成された磁気記録媒体を製造する(図4d)。形成された記録セル35は、たとえば図5に示すような縦横比の異なる平行四辺形の形状を有する。このような形状の記録セルは、記録ヘッドの形状に追従することができる。
A
上記のように矩形のナノパタンは、ジブロックコポリマーの相分離を利用するだけでは形成することが困難であるが、本発明の方法によれば高い自由度で最適なパタンを設計することができる。 As described above, it is difficult to form a rectangular nanopattern simply by utilizing phase separation of a diblock copolymer, but according to the method of the present invention, an optimal pattern can be designed with a high degree of freedom.
なお、この方法は、磁気記録媒体に限らず、光ディスクや半導体装置など、微細パタンの形成を必要とする分野へ応用することができる。 This method is not limited to magnetic recording media, but can be applied to fields that require the formation of fine patterns, such as optical disks and semiconductor devices.
以下に実施例に基づいて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
(実施例1)
図2(a)〜(f)および図3(a)〜(f)に示した方法に従ってカーボン膜を加工した例を説明する。
Example 1
An example in which a carbon film is processed in accordance with the method shown in FIGS. 2A to 2F and FIGS. 3A to 3F will be described.
2.5インチの基板11上に、スパッタリングにより20nmのカーボン膜12を成膜した。カーボン膜12上に、ポリスチレン−ポリ(エチレン−alt−プロピレン)(PS−PEP)ジブロックコポリマーのトルエン溶液をスピンコートして、厚さ30nmのジブロックコポリマー膜13を形成した。図6に示すように、ジブロックコポリマー膜13上に、ポリジメチルシロキサンからなるパッド51を置き、その上に錘板52を載せた。100℃でアニールしてジブロックコポリマーを相分離させながら、錘板52を一方向(図中、矢印で表示)へ牽引してパッド51を介してジブロックコポリマー膜13にせん断応力を加えることにより、その方向に沿ってPEP成分からなるシリンダーが並んだ相分離膜を得た。
A 20
次に、幅50nm、高さ25nmの凸ラインが200nmピッチで形成されたニッケル製のインプリントモールド20を用意し、PEP成分のシリンダーの長さ方向に対してインプリントモールド20のラインが90°の角度をなすようにプレス装置にセットし、2000barの圧力で60秒押し付けてインプリントを行い、ジブロックコポリマー膜13に第1の凹部16を形成した。酸素ドライエッチングで、ジブロックコポリマー膜13のPEP成分からなるシリンダーのみを除去して第2の凹部17を形成した。
Next, an
メチルシロキサンポリマー成分を0.3%含むSOG溶液をスピンコートして第1の凹部16および第2の凹部17に埋め込んだ。SOG18をマスクとして酸素RIEエッチングを施し、ジブロックコポリマー膜13をエッチングし、さらにカーボン膜12をエッチングした。その後、不要になったSOG18をCF4ガスでエッチングして除去した。こうして、基板11上のカーボン膜12に、25nm×150nmの凹部を囲む格子状の凸パタンを形成した。これは、インプリントモールドとして用いることができる。
An SOG solution containing 0.3% of a methylsiloxane polymer component was spin-coated and embedded in the
(実施例2)
図2(a)〜(f)および図3(a)〜(f)に示した方法に従ってカーボン膜を加工した別の例を説明する。
(Example 2)
Another example in which the carbon film is processed in accordance with the method shown in FIGS. 2 (a) to 2 (f) and FIGS. 3 (a) to 3 (f) will be described.
2.5インチの基板11上に、スパッタリングにより20nmのカーボン膜12を成膜した。カーボン膜12上にノボラックレジストを20nmの厚さに塗布し、500nmのピッチで磁気記録装置のヘッドのアーム軌跡に沿って100nmの凸部が形成されたニッケル製モールドを1000barの圧力で押し付けて、カーボン膜上に70nm幅のガイド溝を形成した。
A 20
ポリスチレン−ポリメタクリレート(PS−PMMA)ジブロックコポリマーのキシレン溶液をスピンコートして、ガイド溝内にジブロックコポリマーを埋め込み、200℃で10時間アニールして相分離させ、ガイド溝の方向に沿ってPMMA成分からなるシリンダーが並んだ相分離膜を得た。 A xylene solution of polystyrene-polymethacrylate (PS-PMMA) diblock copolymer is spin coated, the diblock copolymer is embedded in the guide groove, and phase-separated by annealing at 200 ° C. for 10 hours, along the direction of the guide groove. A phase separation membrane in which cylinders made of PMMA components were arranged was obtained.
次に、幅50nm、高さ25nmの凸ラインが200nmピッチで同心円状に形成されたニッケル製のインプリントモールド20を用意し、2000barの圧力で60秒押し付けてインプリントを行い、ジブロックコポリマー膜13に第1の凹部16を形成した。酸素ドライエッチングで、ジブロックコポリマー膜13のPMMA成分からなるシリンダーのみを除去して第2の凹部17を形成した。
Next, a
メチルシロキサンポリマー成分を0.3%含むSOG溶液をスピンコートして第1の凹部16および第2の凹部17に埋め込んだ。SOG18をマスクとして酸素RIEエッチングを施し、ジブロックコポリマー膜13をエッチングし、さらにカーボン膜12をエッチングした。その後、不要になったSOG18をCF4ガスでエッチングして除去した。こうして、基板11上のカーボン膜12に、25nm×150nmの凹部を囲む格子状の凸パタンを形成した。これは、インプリントモールドとして用いることができる。
An SOG solution containing 0.3% of a methylsiloxane polymer component was spin-coated and embedded in the
(実施例3)
図4(a)〜(d)に示した方法に従って、磁気記録媒体を製造した例を説明する。
(Example 3)
An example in which a magnetic recording medium is manufactured according to the method shown in FIGS.
ガラス基板31上に20nmの磁性膜32を成膜し、磁性膜32上に厚さ30nmのノボラック系レジスト33をスピンコートした。レジスト33に対向させて実施例2で作製した格子状パタンを有するインプリントモールド30をセットし、プレス装置により2000barの圧力をかけてインプリントを行った。インプリントモールド30を取り外して、レジスト33に格子状の溝34を形成した。溝34の底部に残るレジスト残渣を除去した後、残存する凸状のレジストパタンをマスクとして、Arイオンミリングにより磁性膜32をエッチングした。その後、残存するレジストパタンを剥離して、25nm×150nmの磁性セルが形成された磁気記録媒体を製造した。
A 20 nm
11…基板、12…カーボン膜、13…ジブロックコポリマー膜、14…PS成分、15…PMMA成分、16…第1の凹部、17…第2の凹部、18…SOG、20…インプリントモールド、30…インプリントモールド、31…媒体基板、32…磁性膜、33…レジスト、34…溝、35…記録セル、51…パッド、52…錘板。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記ジブロックコポリマー膜に対してラインパタンを有するインプリントモールドを用いてインプリントを施し、前記シリンダーまたはラメラの長さ方向に対して交差する第1の凹部を形成し、
前記シリンダーまたはラメラの形態のポリマー成分をエッチングにより除去して第2の凹部を形成し、
前記第1および第2の凹部にシリコン含有レジストを埋め込み、
前記シリコン含有レジストをマスクとして、前記ジブロックコポリマー膜をエッチングし、つづいて前記基板をエッチングする
ことを特徴とするパタン形成方法。 Applying a diblock copolymer film on a substrate, phase-separating the diblock copolymer film to form one polymer component in the form of a cylinder or lamella,
Imprinting the diblock copolymer film using an imprint mold having a line pattern to form a first recess intersecting the length direction of the cylinder or lamella,
The polymer component in the form of the cylinder or lamella is removed by etching to form a second recess,
A silicon-containing resist is embedded in the first and second recesses;
Etching the diblock copolymer film using the silicon-containing resist as a mask, followed by etching the substrate.
前記磁性膜上にレジストを塗布し、
前記レジストに対して請求項5に記載の格子状パタンを有するインプリントモールドを用いてインプリントを行い、レジストに格子状の凹部を形成し、
前記格子状の凹部以外の領域に残存したレジストをマスクとして前記磁性膜をエッチングし、格子状の溝で分離された磁性膜パタンを形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 A magnetic film is formed on a medium substrate,
A resist is applied on the magnetic film,
Imprinting using the imprint mold having the lattice pattern according to claim 5 to the resist, forming a lattice-shaped recess in the resist,
A method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising: etching a magnetic film using a resist remaining in a region other than the lattice-shaped recess as a mask to form a magnetic film pattern separated by a lattice-shaped groove.
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