JP4542827B2

JP4542827B2 - 電磁界感応機能体

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Publication number: JP4542827B2
Application number: JP2004163207A
Authority: JP
Inventors: 洋司小塚; 充博天野
Original assignee: Tokai University Educational Systems
Current assignee: Tokai University Educational Systems
Priority date: 2004-06-01
Filing date: 2004-06-01
Publication date: 2010-09-15
Anticipated expiration: 2024-06-01
Also published as: JP2005347393A

Description

本発明は、入射電磁波に対する電磁気的諸性質を制御できるようにした電磁界感応機能体に関する。

近年、高層ビルが多くなったため、ビルによる電波の反射により、放送受信や通信に支障が出るようになってきた。このため、電波を反射しない電波吸収体の必要性が増してきた。このような電波吸収体には、フェライト、カーボングラファイト、強誘電体などが用いられる。また、高周波回路素子であるフィルタやサーキュレータなどを構成する材料としても、異方性を付与したフェライトなどが用いられる。

しかし、フェライト電波吸収体を例にとれば、誘電率や透磁率といった電磁気的諸性質が製造時に決まってしまい、後日これらの諸性質を変えることは不可能であった。しかも、従来の材料は、その諸性質が周波数に依存していているため、電波吸収体として、使用周波数が制限され、設計の自由度が少ないという問題があった。

このため、本発明者は、後記特許文献１で、ゴムフェライトの電波吸収体に貫通孔である調整孔を設けて、整合周波数を調整することを提案している。
特許第３１８２３９２号公報

前記特許文献１に開示された電波吸収体によれば、調整孔の大きさや形状を変えることにより、かなり整合周波数を変えたり、周波数帯域を広げることが可能になったが、材料が本来有していた誘電率や透磁率といった電磁気的諸性質を変えるものではないので、完成した電波吸収体の周波数特性を必要に応じて適時変えることは困難であるという問題があった。

本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであって、電波吸収材やマイクロ波又はミリ波デバイスの電磁気的諸性質と、その周波数特性を随時簡単に変更できる電磁界感応機能体を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するために、請求項１に係る発明は、複数の光感受性素子の各端を連結して、該連結点を立方体の頂点とする３次元構造の単位セルを構成し、該単位セルを複数個集合させた電磁界感応機能体であって、前記光感受性素子を照射する発光体を備え、該発光体に供給する電圧を制御できるようにしたことを特徴とする。

請求項２に係る発明は、一対の導体間を光感受性素子で連結して電界変化に感応するようにした電界感応回路から単位セルを構成し、該単位セルを複数個集合させた電磁界感応機能体であって、前記光感受性素子を照射する発光体を備え、該発光体に供給する電圧を制御できるようにしたことを特徴とする。

請求項３に係る発明は、電界変化に感応する電界感応回路と、磁界変化に感応する磁界感応回路とを有する単位セルを複数個集合させた電磁界感応機能体であって、前記電界感応回路は、４つのダイオードの各端を接続した正方形のループをしており、前記磁界感応回路は、前後一対の十字形の導体と、前記一対の導体の先端同士を接続するダイオードと、前後一方の十字形の導体の中心に挿入されたコンデンサとからなり、前記電界感応回路内に組み込まれたダイオード又は前記磁界感応回路内に組み込まれたダイオードのバイアス電圧を制御できるようにしたことを特徴とする。

請求項１に係る発明によれば、単位セルが立方体の３次元構造であるから、各辺は当該辺に平行な電界変化に感応する電界感応回路となり、各面を一周する四辺は各面を貫く入射磁界変化に感応する磁界感応回路となる。したがって、どのような偏波面を有する電磁波が単位セルに入射しても単位セルが感応するので、発光体に供給する電圧を制御することによって、光感受性素子の抵抗を変化させて、外部から入射する電磁波によって単位セルの各部に誘起される電流又は電圧を変化させることができ、これによって、透磁率や誘電率等の電磁気的諸性質を簡単に変更できる。特に、前記電界感応回路と前記磁界感応回路の共振周波数付近では、各光感受性素子の抵抗を変化させることにより、各回路のインピーダンスが大きく変わって、共振状態等が大きく変化するので、透磁率や誘電率等の電磁気的諸性質が大きく変更できる。これにより、周波数特性を随時簡単に変更できる電磁界感応機能体が得られる。また、光感受性素子に制御用導線を接続する必要がないので、極めて簡単な構成の電磁界感応機能体が得られる。

請求項２に係る発明によれば、請求項１にかかる発明と同様に、発光体に供給する電圧を制御することによって、光感受性素子の抵抗を変化させることができるので、電磁気的諸性質とその周波数特性を随時簡単に変更でき、しかも、光感受性素子に制御用導線を接続する必要がないので、極めて簡単な構成の電磁界感応機能体が得られる。特に、単位セルを一対の導体間を光感受性素子で連結して電界変化に感応するようにした電界感応回路から構成しているので、単位セルが奥行きの少ない２次元構造となって、薄い電磁界感応機能体を得ることができ、既存の材料の表面に貼って使用することが容易である。

請求項３に係る発明によれば、電界感応回路は正面視正方形をしており、磁界感応回路も正面視で十字形をしているので、どのような偏波面を有する電磁波が単位セルに入射しても単位セルが感応する。したがって、ダイオードのバイアス電圧を制御すると、電界感応回路又は前記磁界感応回路中のダイオードの抵抗が変化するので、請求項１にかかる発明と同様に、電磁気的諸性質とその周波数特性を随時簡単に変更できる。

図１−図４は、本発明の基本概念を説明するものである。図１は、立方体の各頂点に受動又は能動型の３端子の回路素子３が配置された単位セル１を表している。このような回路素子としてはトランジスタ等、制御信号により導通状態を制御できるものであればよい。図２は、受動または能動型の２端子の回路素子４から成る立方体構造の単位セル１の例である。２端子の回路素子４としては、ダイオード、光感受性素子、熱感受性素子、磁気感受性素子、感圧素子等、２端子素子で何らかの制御信号により導通状態が簡単に変化するものであればよい。図３は、３端子の回路素子３と２端子の回路素子４と組み合わせた単位セル１の例である。

回路素子３、４にトランジスタ又はダイオードを用いた場合、回路素子３、４の動作の制御はバイアス電圧を変えることにより行う。回路素子３、４は、バイアス電圧を変えることにより、導通状態が変わるので、無抵抗状態、高抵抗状態、非導通状態、定電流状態又は定電圧状態等に、導通状態を多様に変化させることができる。

単位セル１は、立方体をしているから、各辺は当該辺に平行な電界変化に感応する電界感応回路となり、各面を一周する四辺は各面を貫く入射磁界変化に感応する磁界感応回路となる。各辺又は各頂点に設置した回路素子３、４の導通状態を変えることにより、電界感応回路又は磁界感応回路のインピーダンスが変わり、その共振状態を制御したり、回路素子３、４の抵抗による損失を制御したりすることができる。

このような単位セル１を上下左右前後に適切な配置で集合させ、例えば、図４に示したように、結晶格子の如く規則正しく集合させて電磁界感応機能体を構成する。もちろん、ガラスの分子のように無秩序な配置で集合させて電磁界感応機能体を構成してもよいが、この場合は、バイアス電圧印下用配線が複雑になる。

ここで、回路素子３、４の動作を制御することにより、回路素子の抵抗による損失を変化させて、外部から入射する電磁界によって電界感応回路又は磁界感応回路に誘起される電流又は電圧を変化させることができ、これによって、本発明の電磁界感応機能体の透磁率や誘電率等の電磁気的諸性質を随時簡単に変更できる。特に、各回路の共振周波数付近では、各回路素子を導通、適当な抵抗、高抵抗、非導通と変化させると、各回路のインピーダンスも大きく変わって、共振状態等が大きく変化するので、透磁率や誘電率等の電磁気的諸性質も大きく変化する。これにより、周波数特性も簡単に変更できる電磁界感応機能体が得られる。

一般に、電磁波の反射率、吸収率、透過率、減衰率等の電磁気的諸性質は、主に媒質の誘電率と透磁率と導電率によって決まるため、本発明の電磁界感応機能体によれば、各回路の抵抗とともに誘電率又は透磁率を変えることにより、所望の周波数特性を有する電波吸収材が簡単に得られる。特に、回路素子３、４の動作をコンピュータによりプログラム制御すると、本発明の機能性をいっそう高めることが可能になる。

また、単位セル１の結晶学的な空間配置を変更することにより、電磁波に対する諸性質、例えば、反射率、吸収率、透過率、異方性、偏波性、減衰性等も簡単に制御できる。特に、単位セル１の配置を結晶体に類似させたため、結晶の光学的性質から電磁波に対する諸性質を類推でき、この結果、設計時点で電磁波に対し、損失の大きな媒質、カイラル状媒質又は異方性媒質を呈する材料の実現が比較的容易に想定でき、従来の材料開発に要求されていた原子、分子構造レベルにおける複雑な物性的な検討をする必要が少なくなるという大きな効果がある。

もちろん、単位セル１は、立方体に限るものではなく、直方体、球形等の適宜形状の３次元構造ばかりでなく、平面的な２次元構造も可能である。勿論、２次元構造の単位セルと３次元構造の単位セルを組み合わせて使用することも可能である。

図５に、電波吸収体として用いる本発明の電磁界感応機能性体の単位セル１に関する第１の実施例を示す。

この単位セル１は、ゴムフェライト材１０の表面に上下一対の導体１２を固定し、この一対の導体１２間を一対のダイオード１４で連結し、垂直方向の電界変化に感応する電界感応回路１６を有している。これらのダイオード１４には図示しないバイアス回路からバイアス電圧が供給されており、このバイアス電圧を制御することにより、ダイオード１４の導通状態を制御している。なお、図５では、上下一対の単位セル１の間では、ダイオード１４の極性は互いに逆方向にしているが、必ずしも、このように順逆の極性配置にする必要はない。

この単位セル１は、さらに、電界感応回路１６の導体１２とダイオード１４で囲まれる空間におけるゴムフェライト材１０中に、水平方向の磁界変化に感応する一対の磁界感応回路１８を埋め込んでいる。この磁界感応回路１８は、上下一対のダイオード２０と、一対のダイオード２０の一端間を導体２２で連結するとともに、一対のダイオード２０の他端間をマイクロチップコンデンサ２４で連結し、水平方向の磁束が貫くループ状の回路である。この一対のダイオード２２の極性は、上下逆方向になっている。このダイオード２０にも図示しないバイアス回路からバイアス電圧が供給されている。

これらの単位セル１においては、ゴムフェライト材１０の背面にはスペーサ１１を介して導体板１１Ａが貼り付けられている。ただし、この導体板１１Ａは、電波吸収体として用いるときは必須なものであるが、フィルタや減衰器として用いるときは不要である。また、電波吸収材は、ゴムフェライトでなくてもよく、適宜電波吸収材を使用できる。

これらの単位セル１を上下左右に適切な配置で集合させ、例えば、結晶格子のように規則正しく又はガラスの分子のように無秩序な配置で集合させて電磁界感応機能体を構成する。

これらの単位セル１から構成された電磁界感応機能体の透磁率、すなわちゴムフェライト材１０の誘電率を制御する方法について説明する。透磁率制御の場合は、電界感応回路１６の各ダイオード１４は零バイアスで使用し、磁界感応回路１８の各ダイオード２０には可変バイアス電圧を与える。この単位セル１に電界が上下方向、磁界が水平方向に変化する交番電磁界が入射したとする。この交番電磁界によって、磁界感応回路１８には、磁界を打ち消すように電流が誘起される。つまり、入射磁界と逆位相の磁界が発生し、入射磁界を打ち消すように作用する。このとき、ダイオード２０に与えるバイアス電圧を変化させると、ダイオード２０の抵抗が変化して、電界感応回路１８に誘起される電流が変化し、電磁界感応機能体内の交番磁界の強さも変化する。このことは、バイアス電圧を変化させると、この電磁界感応機能体の透磁率、すなわちゴムフェライト材１０の透磁率を制御できることを意味する。

特に磁界感応回路１８の共振周波数付近では、バイアス電圧によってダイオード２０を導通、適当な抵抗、高抵抗、非導通と変化させると、磁界感応回路１８の共振状態等が大きく変化するので、透磁率を大きく変化させることができる。こうして、透磁率の周波数特性を大きく変えることができる。透磁率が変化すれば、当然、電磁波に対する反射率や吸収率や透過率等の電磁気的諸性質も変化する。

次に、これらの単位セル１から構成された電磁界感応機能体の誘電率、すなわちゴムフェライト材１０の誘電率を制御する方法について説明する。

誘電率制御の場合は、磁界感応回路１８のダイオード２０は零バイアスで使用し、電界感応回路１６のダイオード１４には可変バイアス電圧を与える。この単位セル１に垂直方向に変化する交番電界が入射したとする。この交番電界によって導体１２間に誘起される電位差によって、ダイオード１４には電流が流れる。このとき、ダイオード１６に与えるバイアス電圧を変化させて、ダイオード１６の抵抗を変化させると、一対の導体１２間の電位差が変化し、電磁界感応機能体内の交番電界の強さも変化する。同時に隣接する単位セル１の導体１２Ａ、１２Ｂ間のキャパシタンス値も変化する。このことは、バイアス電圧を変化させると、この電磁界感応機能体の誘電率、すなわちゴムフェライト材１０の誘電率が変化することを意味する。

特に電界感応回路１６の共振周波数付近では、バイアス電圧によってダイオード１４を導通、適当な抵抗、高抵抗、非導通と変化させると、電界感応回路１６の共振状態等が大きく変化するので、誘電率も大きく変化する。誘電率が変化すれば、当然、電磁波に対する反射率や吸収率や透過率等の電磁気的諸性質も変化する。

電界感応回路１６のダイオード１４と磁界感応回路１８のダイオード２０を同時に変化させると、この電磁界感応機能体の誘電率と透磁率を同時に変化させ、いっそう効果的に電磁波に対する反射率や吸収率や透過率等の電磁気的諸性質を変化させることができる。

以上の説明から分かるように、図５に示した単位セル１は、垂直偏波（電界の振動方向が垂直で、磁界の振動方向が水平である。）の電磁波に対する電磁気的諸性質を変える効果がある。水平偏波の電磁波に対しては、図５に示した単位セル１を９０°回転して使用すればよい。

図６に、本実施例の電磁界感応機能体において、各ダイオード１４、２０バイアス電圧を変化させたときの電磁波の反射率の周波数特性に関する実験結果を示す。この実験は、単位セル１を固定した厚さ６．３ｍｍのゴムフェライトの背面に厚さ１２ｍｍのスペーサ１１を介して導体板１１Ａを貼り付けたものに電波を照射して反射率を求めた。図６において、黒丸（・）はダイオード２０のバイアス電圧が０．０Ｖのときであり、白丸（。）はダイオード２０のバイアス電圧が１．０Ｖのときであり、また、図中の周波数特性曲線に付された０．０Ｖ〜１．０Ｖの数値は、ダイオード１４のバイアス電圧を示す。これから、各ダイオード１４、２０にバイアス電圧をかけると、概して反射率を小さくできるが、特定の周波数での反射率が特に小さくなり、しかも、各ダイオード１４、２０のバイアス電圧を変えることによって、特に反射率を小さくできる周波数を変えることができることが分かる。

なお、本実施例では、単位セル１内に磁界感応回路１８を複数設けたが、単位セル１内には電界感応回路１６と磁界感応回路１８をそれぞれ１つ設けるだけでもよい。また、電界感応回路１６においては、一対の導体１２間を１つのダイオード１４で連結するだけでもよいし、３つ以上のダイオード１４で連結してもよい。

図７に、本発明の電磁界感応機能体の単位セル１に関する第２の実施例を示す。この単位セル１は、導体板１１Ａから所定距離離して上下一対の導体１２間を一対のＣｄＳ等の光感受性素子３０で連結した電界感応回路３２を有しており、この光感受性素子３０の背後に近接させて、光感受性素子３０を照射するＬＥＤ（発光ダイオード）３４等の発光体を配置している。発光体としては、ＬＥＤ３４の代わりに、電球又は光ファイバー等の適宜発光体を使用することもでき、或いは１つの発光体で単位セル１の全光感受性素子３０を制御してもよい。この単位セル１も、前記第１の実施例のように、上下左右に適切な配置で集合させて電磁界感応機能体を構成する。

本実施例によれば、ＬＥＤ３４に供給する電圧を制御すると、光感受性素子３０の抵抗値を制御することができる。このことは、前記第１の実施例の電界感応回路１６のダイオード１４のバイアス電圧を制御することと同じであり、隣接する単位セル１の導体１２Ａ、１２Ｂ間のキャパシタンス値も変化するから、本実施例でも前記第１の実施例と同様に誘電率制御ができるという効果を奏する。また、単位セル１が奥行きの少ない２次元構造であるから、薄い電磁界感応機能体を得ることができ、既存の材料の表面に貼って使用することが容易である。

図８に、本実施例の実験結果を示す。実験方法は、本実施例の単位セル１を導体板１１Ａから１２ｍｍのスペースをとって固定したものに、電波を照射して反射率を求めた。前記第１の実施例ではダイオード１４、２０のバイアス電圧を変えたが、本実施例ではＬＥＤ３４にかける電圧０．０Ｖ〜２．５Ｖまで変えている。この実験から、ＬＥＤ３４にかける電圧を上げるほど、反射率を小さくすることができ、しかも特定周波数での反射率を特に下げることが分かる。

なお、電界感応回路１６においては、一対の導体１２間を１つ又は３つ以上の光感受性素子３０で連結してもよい。

図９に、本発明の第３の実施例を示す。図９に示した単位セル１は、ＣｄＳ等の光感受性素子３０、３６の各端を接続して成る立方体構造をしている。ただし、図９において、奥行き方向に延びる４辺の光感受性素子３６は、１．０ＭΩの固定抵抗として用いる。固定抵抗となる光感受性素子３６以外の光感受性素子３０に近接させて図示しないＬＥＤが配置されている。この単位セル１も、上下左右前後に適切な配置で集合させて電磁界感応機能体を構成する。

本実施例の場合も、ＬＥＤを点灯すると、光感受性素子３０の抵抗値が変化する。したがって、前記第２の実施例と同じ効果を奏する。しかも、本実施例の場合、立方体の３次元構造の単位セル１であるから、どのような偏波面を有する電磁波が入射しても単位セル１が感応するので、電界Ｅに起因する電流、磁界Ｈに起因する電流、電磁波の進行方向Ｓの位相差に起因する電流のいずれに対しても、光感受性素子３０で制御することができて、電磁気的諸性質を効果的に制御できる。さらに、近傍波源による電磁波も吸収でき、従来にない電波吸収体を実現できる。

図１０に、本実施例の電磁界感応機能体の反射率に関するシミュレーション結果を示す。各光感受性素子３０の抵抗値を１００Ω〜１６００Ωの間で変化させたところ、各光感受性素子３０の抵抗値が約４００Ω程度のときが、最も広帯域にわたって電波の反射率が低くなることが分かる。

図１１に、本発明の第４の実施例を示す。図１１に示した単位セル１も、光感受性素子３０の各端を接続して成る立方体構造をしている。そして、この光感受性素子３０に近接させて図示しないＬＥＤが配置されている。この単位セル１も、上下左右前後に適切な配置で集合させて電磁界感応機能体を構成する。

本実施例の場合も、ＬＥＤを点灯すると、光感受性素子３０の抵抗値が変化する。しかも、単位セル１が立方体をしているため、上下左右前後いずれの方向の電磁界変化にも感応する。したがって、前記第３の実施例と同じ効果を奏する。

図１２に本実施例の電磁界感応機能体の反射率に関するシミュレーション結果を示す。各光感受性素子３０の抵抗値を１００Ω〜１６００Ωの間で変化させたところ、各光感受性素子３０の抵抗値が約４００Ω程度のときが、最も広帯域にわたって電波の反射率が低くなることが分かる。

図１３及び図１４に、本発明の第５の実施例を示す。本実施例の電磁界感応機能体は、電波吸収体として用いるものである。

図１３に示したように、単位セル１は、ダイオード４２の各端を接続してなる正方形のループをした電界感応回路４０を有する。この電界感応回路４０の内部には、前後一対の十字形の導体４４と、この一対の導体４４の先端同士を接続するダイオード４６と、前後一方の十字形の導体４４の中心に挿入されたコンデンサ４８とからなる磁界感応回路５０を有している。これらのダイオード４２、４６には図示しないバイアス回路からバイアス電圧が供給されており、このバイアス電圧を制御することにより、ダイオード４２、４６の導通状態を制御している。なお、これらのダイオード４２、４６は、トランジスタ等の適宜スイッチ素子に変更することが可能である。

図１４に示したように、電界感応回路４０はゴムフェライト材１０の表面に固定され、磁界感応回路５０はゴムフェライト材１０の内部に埋め込まれる。ゴムフェライト材１０の背面にはスペーサ１１を介して導体板１１Ａが貼り付けられている。ただし、この導体板１１Ａは、電波吸収体として用いるときは必須なものであるが、フィルタや減衰器として用いるときは不要である。そして、これらの単位セル１を上下左右に適切な配置で集合させ、例えば、結晶格子のように規則正しく集合させて電磁界感応機能体を構成する。

本実施例によれば、電界感応回路４０は正方形をしているので、水平方向ｘ又は垂直方向ｙのいずれの電界変化にも感応するととともに、ダイオード４２のバイアス電圧を制御することによってダイオード４２の導通状態を変更することができるので、水平偏波と垂直偏波の電磁波のいずれに対しても前記第１の実施例の電界感応回路１６と同様に働くことができる。また、磁界感応回路５０も正面視で十字形をしているので、水平方向ｘ又は垂直方向ｙのいずれの磁界変化にも感応するととともに、ダイオード４６のバイアス電圧を制御することによってダイオード４６の導通状態を変更することができるので、水平偏波と垂直偏波の電磁波のいずれに対しても前記第１の実施例の磁界感応回路１８と同様に働くことができる。

したがって、本実施例の単位セル１を集合させた電磁界感応機能体は、正面方向ｚから入射する電磁波がいかなる偏波面を有していても、電波吸収体として効果を奏する。

ところで、本発明の電磁界感応機能体は、電波吸収体として用いられるだけではない。たとえば、電磁界感応機能体に対して、搬送波となる連続電磁波を照射するとともに、単位セル１の各回路素子の動作を変調信号で制御することにより、連続電磁波の反射係数を変化させて、変調信号で変調された電磁波を再放射する通信装置としても使用できる。

また、本発明の電磁界感応機能体は、カイラル媒質や各種異方性や、所望の周波数特性や反射特性、減衰特性などを実現することが出来るため、これらの特性に基づいて、マイクロ波やミリ波におけるフィルタやサーキュレータ、アイソレータや可変型アッテネータ、可変整合負荷など多くの電磁波デバイスや各種ディスプレイ、ロボット等への応用が考えられる。

さらに、各単位セル１の電磁気的諸性質をコンピュータでプログラム制御するとともに、電波吸収体にアンテナを設けると、特定周波数の到来電波のみを吸収できるので、その特定周波数の電波が検出可能なセンサとすることができる。

本発明の電磁界感応機能体を構成する単位セルの概念を説明する図である。前記単位セルの別の例を示す図である。前記単位セルのさらに別の例を示す図である。前記単位セルの集合させた電磁界感応機能体を示す図である。本発明の電磁界感応機能体を構成する単位セルの第１の実施例を示す図である。前記第１の実施例の効果を示す図である。本発明の電磁界感応機能体を構成する単位セルの第２の実施例を示す図である。前記第２の実施例の効果を示す図である。本発明の電磁界感応機能体を構成する単位セルの第３の実施例を示す図である。前記第３の実施例の効果を示す図である。本発明の電磁界感応機能体を構成する単位セルの第４の実施例を示す図である。前記第４の実施例の効果を示す図である。本発明の電磁界感応機能体を構成する単位セルの第５の実施例を示す図である。前記第５の実施例の単位セルを集合させた状態を示す図である。

１単位セル
１２、４４導体
１４、２０、４２、４６ダイオード（回路素子）
１６、３２、４０電界感応回路
１８、５０磁界感応回路
３０、３６光感受性素子
３４ＬＥＤ（発光体）

Claims

複数の光感受性素子の各端を連結して、該連結点を立方体の頂点とする３次元構造の単位セルを構成し、該単位セルを複数個集合させた電磁界感応機能体であって、
前記光感受性素子を照射する発光体を備え、該発光体に供給する電圧を制御できるようにしたことを特徴とする電磁界感応機能体。
上下一対の導体間を光感受性素子で連結して電界変化に感応するようにした電界感応回路から単位セルを構成し、該単位セルを複数個集合させた電磁界感応機能体であって、
前記光感受性素子を照射する発光体を備え、該発光体に供給する電圧を制御できるようにしたことを特徴とする電磁界感応機能体。
電界変化に感応する電界感応回路と、磁界変化に感応する磁界感応回路とを有する単位セルを複数個集合させた電磁界感応機能体であって、
前記電界感応回路は、４つのダイオードの各端を接続した正方形のループをしており、
前記磁界感応回路は、前後一対の十字形の導体と、前記一対の導体の先端同士を接続するダイオードと、前後一方の十字形の導体の中心に挿入されたコンデンサとからなり、
前記電界感応回路内に組み込まれたダイオード又は前記磁界感応回路内に組み込まれたダイオードのバイアス電圧を制御できるようにしたことを特徴とする電磁界感応機能体。