JP4514984B2 - Optical waveform shaping device - Google Patents

Optical waveform shaping device Download PDF

Info

Publication number
JP4514984B2
JP4514984B2 JP2001124598A JP2001124598A JP4514984B2 JP 4514984 B2 JP4514984 B2 JP 4514984B2 JP 2001124598 A JP2001124598 A JP 2001124598A JP 2001124598 A JP2001124598 A JP 2001124598A JP 4514984 B2 JP4514984 B2 JP 4514984B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photonic crystal
waveform shaping
light
photonic
shaping device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001124598A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002318354A (en
Inventor
義浩 瀧口
研策 伊藤
淳平 山中
正臣 高坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP2001124598A priority Critical patent/JP4514984B2/en
Publication of JP2002318354A publication Critical patent/JP2002318354A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4514984B2 publication Critical patent/JP4514984B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ホトニック結晶を用いた光波形整形装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体単結晶は、特定の原子が周期的かつ規則的に配列してなる物質である。このような半導体単結晶中での電子伝搬特性は、結晶を構成している原子の種類とその配列の原子間隔とによって決定される。すなわち、半導体単結晶中での電子伝搬特性は、電子の波動性と、構成原子による周期ポテンシャルとに起因して発生するエネルギーバンドギャップを有するバンド構造を示す。
【0003】
これに対して、ホトニック結晶は、電子に対する上記のバンド構造と同様に、光に対するバンド構造を有するものとしてヤブラノビッチ(Yablonovich)氏等によって提案された3次元構造体である。ホトニック結晶では、光の波動性と、光に対するポテンシャル差となる屈折率差を有する物質を光の波長程度の周期で配列してなる周期構造とによって、光に対するバンド構造を生成する。
【0004】
ホトニック結晶中においては、その3次元構造による光の波動性の束縛条件によって光伝搬特性が制限される。すなわち、ホトニック結晶中では、光に対するエネルギーバンドギャップであるホトニックバンドギャップが存在し、特定の波長帯域の光が結晶内を伝搬できないなど、入射光の波長とその伝搬方向とによって結晶構造特有の性質を示す。ファブリペロー干渉計や多層膜鏡なども、0次元あるいは1次元のホトニック結晶である。
【0005】
従来、様々なホトニック結晶が提案されている。例えば、サブミクロンサイズの粒子を光の波長程度の周期で配列してなるものがある。また、マイクロ波帯であれば、粒子としてのポリマー球を空間中に配列するものが知られている。
【0006】
この他、ポリマー球を金属内で固化させた後で化学的にポリマー球を溶解することにより周期的微小空間を金属中に形成するものや、金属中に等間隔で穴を開けるもの、固体材料中にレーザを用いて屈折率が周囲と異なる領域を形成するもの、光重合性ポリマーをリソグラフィ技術を用いて溝状に加工したものなどがある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
これらの加工によって形成されたホトニック結晶は、ホトニックバンドギャップを生成するために高い精度で作成されている。そして、いったん結晶構造が決定されると、ホトニック結晶は、その構造に応じて一意的に決定されるホトニックバンド構造を有することとなる。
【0008】
一方、このようなホトニック結晶は、異なる波長における透過特性や反射特性がバンド構造によって異なるため、そのホトニックバンド構造に対応した波長分散特性を有する。この波長分散特性は、光波形整形装置などに応用することが可能であると考えられる。しかしながら、このような光波形整形装置においては、ホトニック結晶のホトニックバンド構造を充分に変化させることができないため、その波長分散特性を可変とすることができない。
【0009】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、波長分散特性を充分に変化させることが可能な光波形整形装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による光波形整形装置は、所定波長帯域内の入力光に対して、所定の波長分散を発生させる光波形整形装置であって、ホトニックバンド構造と、波長毎に屈折率が異なる波長分散特性とを有し、かつ、外力を印加することにより変形し、その変形に応じて波長分散特性が変化する可塑性のホトニック結晶からなる分散媒質と、ホトニック結晶の波長分散特性を保持または変化させる波長分散制御手段とを備え、波長分散制御手段は、ホトニック結晶への外力の印加を行う外力印加手段を含むことを特徴とする。
【0011】
上記した光波形整形装置においては、入力光に対して波長分散を発生させる分散媒質として、可塑性のホトニック結晶を用いている。このとき、波長分散制御手段を介して外力を加えてホトニック結晶を変形させると、ホトニックバンド構造(ホトニックバンドギャップ)が大きく変化し、ホトニック結晶での波長分散特性(群速度または群速度分散特性)を充分に変化させることが可能となる。
【0013】
また、このような光波形整形装置においては、ホトニック結晶自体の容積を小さくした場合においても、有効に光波形の整形を行うことができるので、装置全体を小型化することもできる。
【0014】
また、ホトニック結晶は、ホトニックバンド構造におけるホトニックバンドギャップの波長が、入力光の波長近傍となるように形成されていることを特徴とする。このような波長構成とすることによって、入力光に対して充分な波長分散を発生させて、光波形の整形を効率的に行うことができる。
【0015】
また、入力光がホトニック結晶中を複数回通過して出力されるように構成されていることを特徴とする。このような構成によれば、入力光に発生される波長分散を大きくすることができる。
【0016】
このように光を複数回通過させる構成としては、例えば、分散媒質であるホトニック結晶に加えて、ホトニック結晶中を通過する往復光路が形成されるように配置された一対の反射手段と、往復光路上に設置され、往復光路から入力された光に対して、再び往復光路に出力するか、または、装置外部への出力光路に出力するかを切換可能に構成された光出力手段とをさらに備えることが好ましい。光出力手段としては、例えば、ポッケルスセルなどの切換可能な偏光素子と偏光ビームスプリッタとを組合せる構成などがある。
【0017】
また、ホトニック結晶として、それぞれ入力光が通過するとともに、入力光の波長に対して一方の波長分散特性を正、他方の波長分散特性を負とすることが可能な2個のホトニック結晶を用いることを特徴とする。このように、逆符号の波長分散特性を有するホトニック結晶を組合せることによって、様々な光波形の整形が可能となる。
【0018】
さらに、分散媒質であるホトニック結晶に加えて、ホトニック結晶中を入力光が通過して出力された光を入力する光学装置と、光学装置から出力された光を入力して、ホトニック結晶とは逆の波長分散を発生させる波長分散素子とをさらに備えることを特徴とする。光学装置の後段に設置される波長分散素子については、前段の分散媒質と同様にホトニック結晶を用いても良い。
【0019】
波長分散制御手段の構成については、波長分散制御手段は、ホトニック結晶への外力の印加を行う外力印加手段を含むことを特徴とする。外力印加手段としては、様々なものがある。
【0020】
例えば、ホトニック結晶を収容する容器をさらに備え、外力印加手段は、容器内に収容されたホトニック結晶に対して一定方向に圧力を外力として印加することを特徴とした構成がある。この場合、容器の外壁によってホトニック結晶を保持し、所望の外力以外の力による変形を抑制するとともに、その変形方向を制限することができる。
【0021】
このとき、容器の外壁の少なくとも一部分が透明とされている、または、この部分に透明の窓が設けられていることが好ましい。この場合、入力光は、入力光に対して透明な外壁または窓の部分を介してホトニック結晶内に導入されるが、ホトニック結晶は容器の外壁によって保持されるので、部品点数を減らすことができる。
【0022】
また、容器は、半導体基板を加工することによって形成されているとともに、外力印加手段は、半導体基板上に形成された、電気的な入力に応じて変形する圧電素子であることが好ましい。この場合、半導体基板に形成された凹部などの容器内にホトニック結晶が配置され、この半導体基板上に圧電素子が形成されるので、半導体微細加工技術を用いてこれらを形成することができ、装置全体を小型化することができる。
【0023】
また、外力印加手段は、内径が変化するように変形可能な中空部材であり、ホトニック結晶は、中空部材内に配置されていることを特徴とした構成がある。中空部材は内径が変化するように変形するので、この変形に応じてホトニック結晶は中空部材の長手方向に伸縮するように変形する。入力光はホトニック結晶の長手方向の一端から入力され、出力光は他端から出力される。したがって、この場合、径方向の光の広がりを抑制することができ、出力光の単位面積当たりの強度低下を抑制することができる。
【0024】
また、外力印加手段は、電気的な入力に応じて変形する圧電素子であることを特徴とする構成がある。この場合、電気的な入力で圧電素子が変形することにより、ホトニック結晶に外力を印加するので、特定の計測値等に基づいて電気的な入力を行うシステムを構成することができる。
【0025】
また、外力印加手段は、手動入力に応じてホトニック結晶を押圧する押圧機構であることを特徴とする構成がある。この場合、計測系において、手動による外力の調整が可能となる。
【0026】
さらに、ホトニック結晶のホトニックバンド構造に応じて変化する、ホトニック結晶からの出力光に関する物理量を測定し、その測定値に基づいて波長分散制御手段による波長分散特性の保持または変化を制御するフィードバック手段をさらに備えることを特徴とする。所望の波長分散特性にする場合には、これに対応するホトニックバンド構造に応じて変化する物理量を測定して、フィードバック手段によって波長分散制御手段の動作を制御することができる。例えば、波長分散制御手段が外力印加手段を含む場合には、外力印加手段による外力の印加が制御される。
【0027】
また、ホトニック結晶を加熱するヒータと、ホトニック結晶の温度を測定する温度センサとをさらに備え、温度センサによって測定された温度に基づいてヒータによる加熱を制御することを特徴とする。この場合、ホトニック結晶の温度を温度センサによって測定しつつ加熱を行うので、ホトニック結晶の温度を所望の値、好ましくはほぼ一定な値とすることができ、ホトニックバンド構造及び波長分散特性の温度による変化を抑制することができる。
【0028】
また、光波形整形装置に用いられるホトニック結晶としては、ゲル状の物質内にシリカまたはチタン酸バリウムの微小球を複数含有してなることを特徴とするものがある。また、ホトニック結晶は、ゲル状の物質内に形成された微小空間を複数含有してなることとしても良い。これらの場合、ホトニック結晶を容易に変形させることが可能な可塑性のホトニック結晶とすることができる。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による光波形整形装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【0031】
図1は、本発明による光波形整形装置の一実施形態を概略的に示す構成図である。この光波形整形装置は、所定波長帯域内の波長を有する入力光に対して所望の波長分散を与えて、その光波形を整形する光波形整形装置である。光波形整形装置では、所定波長帯域内で波長毎に屈折率が異なる波長分散特性を有する分散媒質によって、光波形が整形される。
【0032】
図1に示す光波形整形装置は、土台1と、土台1上に設置された分散媒質であるホトニック結晶2と、ホトニック結晶2に外力を印加する(外力を増加または減少させる)外力印加手段である加圧/減圧装置3とを有して構成されている。また、ホトニック結晶2の入力側には第1光学素子5が、出力側には第2光学素子6がそれぞれ設置されている。これら入力側及び出力側の光学素子5、6は、それぞれ必要に応じて設置されるものであり、両者とも設置されない構成であっても良い。
【0033】
ホトニック結晶2は、その結晶構造に応じて、ホトニックバンド構造、及びそれに対応する波長分散特性を有する。また、このホトニック結晶2は可塑性であり、後述するように、外力の印加によって精度良く変形し、変形に応じてその波長分散特性が変化するものである。すなわち、加圧/減圧装置3での外力の印加によってホトニック結晶2を変形させると、そのホトニックバンド構造及び対応する波長分散特性が変化する。
【0034】
加圧/減圧装置3は、外力制御手段である外圧制御装置4によって制御され、外圧制御装置4は上記外力の大きさ及びその印加時間を精度良く制御する。本実施形態においては、この加圧/減圧装置(外力印加手段)3及び外圧制御装置4によって、ホトニック結晶2の波長分散特性を保持または変化させる波長分散制御手段が構成されている。
【0035】
光波形を整形する対象となる所定波長帯域内の入力光は、第1光学素子5を介してホトニック結晶2に入射される。このとき、ホトニック結晶2中を伝搬される入力光に対して、ホトニック結晶2の波長分散特性に応じた波長分散が発生する。所望の波長分散が与えられて光波形が整形された光は、ホトニック結晶2から出射され、第2光学素子6を介して光波形整形装置の外部へと出力光として出力される。
【0036】
上記した光波形整形装置に用いられる可塑性のホトニック結晶2について説明する。図2は、ホトニック結晶2の一例を示す斜視図である。
【0037】
このホトニック結晶2は、ゲル状の物質2G内にシリカまたはチタン酸バリウムの微小球(光学的な微結晶)2Bを複数含有してなる。このホトニック結晶2は可塑性であり、容易に変形させることができる。微小球2Bは、物質2G内に光の波長程度の周期で規則的に均一に配列されている。
【0038】
微小球2Bの間隔は、光波形を整形する対象となる入力光の波長帯域に応じて、例えば波長の半分から1/4程度に設定される。この結晶構造により、ホトニック結晶2内においてホトニックバンド構造が生成される。また、ゲルは外力によって容易に変形するため、ホトニック結晶2の結晶構造、したがってそのホトニックバンド構造が容易に変化する。この変化によって、ホトニック結晶2を通過する光に対する波長分散特性も同様に変化する。なお、微小球2Bと物質2Gとは屈折率が異なり、また、双方とも選択する光の波長に対して透明であるか、適当な透過率を有するものである。
【0039】
例えば、ゾルの材料として紫外線硬化樹脂を混ぜたものを用い、これに紫外線を照射してゲル化することによって、上記したゲル状の物質2Gが得られる。代表的な紫外線硬化樹脂は、アクリルアミドに架橋剤及び光重合開始剤を混ぜたものであり、従来から多くのものが知られている。また、この微小球2Bの周期構造数は50程度で良いため、ホトニック結晶2は最大でも100μm角程度の素子で充分に機能する。
【0040】
また、ホトニック結晶2の他の例としては、図2に示した構成のホトニック結晶2において、ゲル状の物質2G内に配列される微小球2Bを微小空間に置き換えたものを用いても良い。具体的な微小空間としては、ゲル状の物質2G内に複数の気泡を配列する構成などが可能である。このようなホトニック結晶2も、同様に外力によって容易に変形させることができる。
【0041】
上記した光波形整形装置においては、入力光に対して波長分散を発生させる分散媒質として、可塑性のホトニック結晶2を用いている。このとき、外力印加手段3及び外圧制御装置4からなる波長分散制御手段を介して外力を加えてホトニック結晶2を変形させると、ホトニックバンド構造(ホトニックバンドギャップ)が大きく変化し、ホトニック結晶2での波長分散特性(群速度または群速度分散特性)を充分に変化させることが可能となる。
【0042】
すなわち、外力を印加してホトニックバンド構造を変化させることが可能なホトニック結晶2を用いることによって、入力側及び出力側の光学素子5、6間の波長分散特性が充分に変化する光波形整形装置が得られる。
【0043】
このような可塑性のホトニック結晶は、後述するように、通常のガラスなどに比較して大きな波長分散特性や、結晶の可塑性に起因する波長領域の変化(チューニング)性などの特性を有するため、従来の光波形整形装置に用いられてきたプリズム、回折格子、ガラスブロックなどの波長分散素子に比較して、多くの利点を有している。
【0044】
例えば、このような光波形整形装置においては、ホトニック結晶2自体の容積を小さくした場合においても、上述したように有効に光波形の整形を行うことができる。したがって、このホトニック結晶2を用いれば、装置の小型化を達成することができる。なお、ホトニック結晶2は弾性を有していても良い。
【0045】
また、プリズムなどの従来の波長分散素子では、入力光の素子への入射方向や角度に波長分散が大きく影響される。例えば、回折格子では、単位長さ当りの格子数及び格子の切り込み角度などが決まると、その波長分散特性が一意的に決まるため、任意の方向から光を入射させたり、光を何度も入射させるなどの構成とすることが難しい。これに対して、ホトニック結晶2を用いた場合には、様々な構成が可能となる。
【0046】
また、可塑性のないホトニック結晶を用いた場合、結晶の温度を変えたり、結晶に大強度光を照射して非線型光学効果を発生させることによって、そのホトニックバンド構造を変化させることが可能である。しかしながら、温度によってバンド構造を制御する場合には、その応答が遅いという問題がある。また、光照射によって制御する場合には、大強度の励起光が必要となり、また、結晶の光学的な劣化を生じるという問題がある。また、いずれの制御方法でも、得られる可変範囲は狭いものとなる。
【0047】
これに対して、外力を印加してホトニックバンド構造を変化させる可塑性のホトニック結晶によれば、充分な可変範囲で容易に、ホトニックバンド構造及び波長分散特性を変化させることが可能となる。
【0048】
ホトニック結晶2において生成されるホトニックバンド構造及び波長分散特性について、その例を示しつつ具体的に説明する。
【0049】
図3は、多層膜構造のホトニック結晶、すなわちダイクロイックミラーにおける光の透過率(任意定数)の波長(nm)依存性を示すグラフである。入力光は白色光である。このグラフでは、ホトニック結晶中に生成されているホトニックバンドギャップに対応して、波長帯域400nm近傍の光の透過率が周囲の波長帯域よりも低下する透過特性が得られている。なお、このグラフは、上述した構成のホトニック結晶2によるものではないが、微小球2Bが完全に等間隔に配列された場合には、特定の方向に関しては、その光学特性は図3に示したものと同様となる。
【0050】
このようなホトニックバンド構造を有するホトニック結晶は、そのバンド構造に応じた特徴的な波長分散特性を示す(例えば、文献「Arnout Imhof et al., Phys.Rev.Lett. vol.83, p.2942 (1999)」参照)。すなわち、ホトニック結晶は、異なる波長における透過特性や反射特性がバンド構造によって異なるため、異なる波長におけるホトニック結晶中での光の屈折率、すなわち光の伝搬速度(位相速度、群速度)が異なる波長分散特性を有する。
【0051】
図4(a)〜(c)は、ホトニック結晶における波長分散特性の一例を示すグラフである(上記文献参照)。これらのグラフにおいては、それぞれの横軸は周波数(1015rad/s)によって示されており、これは入力光の波長に対応する。また、これらのグラフは、溶液中に形成された固定されていないホトニック結晶を用いて得られたものである。
【0052】
図4(a)は、ホトニック結晶の透過率の波長依存性を示すグラフである。このグラフでは、図3のグラフの場合と同様に、所定の波長近傍(周波数2.4×1015rad/s近傍)で透過率が低下するホトニックバンド構造が得られている。
【0053】
これに対して、このホトニックバンド構造に対応するホトニック結晶の波長分散特性が、図4(b)及び(c)に示されている。図4(b)は、入力光がホトニック結晶中を通過したときに得られる遅延時間Δt(ps、群遅延に対応)を、また、図4(c)は、群速度分散パラメータβ2(ps2/m、群速度分散に対応)をそれぞれ示している。ここで、これら2つのグラフにおいては、グラフ中の各点は実測値を示し、実線は理論的に解析した計算値を示している。
【0054】
これらの図4(b)及び(c)のグラフに示すように、ホトニック結晶は、そのホトニックバンド構造に応じた波長分散特性を示す。したがって、このような波長分散特性を有するホトニック結晶を、光波形整形装置の分散媒質として利用することにより、入力光に対して光波形の整形を行うことが可能となる。特に、ホトニック結晶における波長分散の値は、通常のガラスなどと比較して2〜3桁程度大きく、高い効率での波長分散の付与、及びそれによる光波形の整形が可能である。また、分散媒質であるホトニック結晶の容積を小さくしても充分な波長分散が得られるので、装置の小型化も可能である。
【0055】
具体的には、ホトニック結晶は、図4(b)及び(c)のグラフに示すように、そのホトニックバンドギャップ近傍で大きい波長分散を示す。このため、光波形整形装置に用いるホトニック結晶としては、ホトニックバンド構造におけるホトニックバンドギャップの波長が、入力光の波長近傍となるように形成されたものを用いることが好ましい。このような波長構成とすることによって、入力光に対して充分な波長分散を発生させて、光波形の整形を効率的に行うことができる。
【0056】
次に、ホトニック結晶におけるホトニックバンド構造及び波長分散特性の可変性について説明する。
【0057】
図5は、多層膜構造のホトニック結晶、すなわちダイクロイックミラーにおける光の反射率(任意定数)の波長(nm)依存性を示すグラフである。図5(a)は、ダイクロイックミラーに外力を加えない場合のグラフ、図5(b)は、1%の格子歪みがミラー垂直方向に生じるように圧縮方向に圧力(外力)を加えた場合のグラフ、また、図5(c)は、1%の格子歪みがミラー垂直方向に生じるように展延方向に圧力を加えた場合のグラフである。
【0058】
なお、格子歪みがミラー面に沿って生じるように圧力を加えることもできる。また、図5(a)のグラフは、図3または図4(a)に示した透過率のグラフに対応している。また、このグラフは上述した構成のホトニック結晶2によるものではないが、その光学特性の変化の傾向は同様である。
【0059】
これらのグラフによれば、外力が加わっていないときの反射強度ピークは、波長λc=1500nm程度である(図5(a))。これに対して、1%の圧縮歪みを加えた場合には、この波長λcは1480nm程度(図5(b))と短波長側にシフトし、一方、1%の展延歪みを加えた場合には、波長λcは1520nm程度(図5(c))と長波長側にシフトしている。
【0060】
すなわち、ホトニック結晶に外力によるわずかな格子歪みを導入すると、結晶内での結晶構造の変化に起因してホトニックバンド構造が変化し、得られる透過特性及び反射特性が入力光の波長に対して変化する。また、図4(a)〜(c)に関して上述したように、ホトニック結晶での波長分散特性は、ホトニックバンドギャップ近傍で大きい波長分散を示し、ホトニックバンド構造、特にホトニックバンドギャップの位置に大きく依存している。
【0061】
以上より、可塑性のホトニック結晶に対して、波長分散制御手段によって外力を印加して格子歪みを導入することによって、その波長分散特性が波長に対して可変となる。したがって、図1に示した構成の光波形整形装置によれば、波長分散特性を充分に変化させることが可能な光波形整形装置が実現される。
【0062】
以下、上記した実施形態の光波形整形装置の好適な実施例について説明する。
【0063】
図6は、光波形整形装置の第1実施例を示す構成図である。本実施例においては、外力印加手段3として、押え板30及び圧電素子(ピエゾ素子)31を用いている。また、これに対応して、外圧制御装置4として、電圧可変電源41を用いている。これにより、本実施例では、押え板30、圧電素子31、及び電源41によって波長分散制御手段が構成されている。
【0064】
図6に示す構成においては、ホトニック結晶2の上部に押え板30が配置されており、この押え板30は土台1とともにホトニック結晶2を挟持している。また、圧電素子31は、その上面が土台1に対して固定された位置に配置されており、その下面が押え板30に固定されている。
【0065】
ここで、圧電素子31に対して電源41から電圧が印加されると、圧電素子31は電源41から印加される電圧及びその変化に応じて、土台1の表面に対して垂直な方向に移動する。このとき、圧電素子31に固定されている押え板30と土台1との間の距離が変化するので、ホトニック結晶2が光路に沿って延びるように変形して、そのホトニックバンド構造及び波長分散特性が変化する。また、本実施例においては、ホトニック結晶2の光入力面及び光出力面には、それぞれ窓材10が貼り付けられている。
【0066】
以上の構成において、入力側の窓材10を介してホトニック結晶2中に入力光が入射されると、入射された光はホトニック結晶2中を伝搬して、外力印加手段3から印加されている外力に応じて決まる波長分散特性によって発生した波長分散が与えられる。そして、所望の波長分散が与えられて光波形が整形された光は、出力側の窓材10を介して出力光として出力される。
【0067】
例えば、図6に模式的に示すように、入力光として時間幅の短い(例えばフェムト秒の)光パルスを入力することを考える。このような入力光パルスは、一定の波長帯域内に広がった波長成分を含んでいる。このような光パルスがホトニック結晶2中を伝搬すると、ホトニック結晶2の波長分散特性により、各波長成分毎に伝搬時間が異なってくる。
【0068】
すなわち、波長分散が正であれば、長波長成分(例えば赤色の光線)が早く短波長成分(例えば青色の光線)が遅く伝搬し、出力光として長波長成分を先頭として時間的に広がった光パルスが得られる。逆に、波長分散が負であれば、短波長成分が早く長波長成分が遅く伝搬し、出力光として短波長成分を先頭として時間的に広がった光パルスが得られる。
【0069】
ここで、ホトニック結晶2においては、図4(a)〜(c)に示したように、ホトニックバンドギャップに対して短波長側及び長波長側の2つのバンド端で、波長分散が逆となる。したがって、ホトニックバンド構造でのホトニックバンドギャップの波長を、入力光の波長近傍となるようにホトニック結晶2等を構成しておくとともに、外力印加手段3によってホトニックバンド構造を調整すれば、上記したような光波形の整形を効率的に行うことができる。
【0070】
また、本実施例の外力印加手段3では、電気的な入力で圧電素子31が変形することにより、ホトニック結晶2に外力を印加するので、特定の計測値等に基づいて電気的な入力を行うシステムを構成することができる。
【0071】
また、ホトニック結晶2に対して窓材10を設けているので、ホトニック結晶2の光入力面及び光出力面が保護される。窓材10としては、光学フィルタなどの光学素子を用いても良い。また、光入力面または光出力面の一方のみに窓材10を設けても良い。
【0072】
図7は、光波形整形装置の第2実施例を示す構成図である。本実施例においては、外力印加手段3等の構成については、図6の実施例と同様である。また、ホトニック結晶2の光入力面側及び光出力面側には、それぞれ所定距離をおいて凹面鏡11が設置されている。
【0073】
以上の構成において、ホトニック結晶2中に所定の入力光路から入力光が入射されると、入射された光は一対の凹面鏡11で反射されることによってホトニック結晶2中を複数回通過した後、所定の出力光路に出力光として出力される。
【0074】
このような構成によれば、ホトニック結晶2中での光の伝搬距離が1回の通過毎に長くなるので、入力光に対して与えられる波長分散を大きくすることができる。また、所望の波長分散を得るために必要なホトニック結晶2が小さくてすむので、装置を小型化することができる。
【0075】
なお、図7においては、ホトニック結晶2中を複数回通過する光の光路を、説明のために模式的に示している。実際には、それぞれの光路及びホトニック結晶2の結晶方位を考慮して、正確に波長分散特性を示す方向で光の通過を繰り返す必要がある。また、ホトニック結晶の両側に設置される反射手段としては、凹面鏡11に限らず、平面鏡などを用いても良い。
【0076】
図8は、光波形整形装置の第3実施例を示す構成図である。本実施例においては、外力印加手段3、及び窓材10の設置等の構成については、図6の実施例と同様である。また、入力光が入射される分散媒質である前段のホトニック結晶2aに加えて、ホトニック結晶2a中を入力光が通過して出力された光が入力される光学装置71と、光学装置71から出力された光が入力される後段の波長分散素子(分散媒質)であるホトニック結晶2bとがさらに設置されている。なお、後段のホトニック結晶2bについても、外力印加手段3等の構成は、前段のホトニック結晶2aと同様である。
【0077】
以上の構成では、入力光に対して、前段のホトニック結晶2aによって所望の波長分散が与えられる。その後、ホトニック結晶2aからの光に対して光学装置71において所定の変換が行われ、さらに後段のホトニック結晶2bによって所望の波長分散が与えられて、最終的な出力光として出力される。
【0078】
より具体的には、例えば、入力光の波長に対する一方のホトニック結晶2aの波長分散特性を正(負)とし、他方のホトニック結晶2bの波長分散特性を逆符号の負(正)とする構成が可能である。
【0079】
このとき、図8に模式的に示すように、時間幅の短い入力光パルスは、ホトニック結晶2aによってチャープされた後に、光学装置71によって変換される。そして、さらに後段のホトニック結晶2bで逆の波長分散が与えられることによって再びその時間幅が短くされて、所望の変換がされた出力光パルスとして出力される。
【0080】
このように、ホトニック結晶に加えて光学装置及び後段の波長分散素子を設置する構成、あるいは、逆符号の波長分散特性を有するホトニック結晶を組合せる構成を用いることによって、様々な光波形の整形が可能となる。光学装置71としては、光増幅器や、光波形整形素子、偏光素子など様々なものを適用することが可能である。例えば、光学装置71として光増幅器を適用した場合には、入力光をいったん時間的に広げた後に光増幅し、再度光圧縮を行うチャープ・パルス増幅装置の構成とすることができる。
【0081】
なお、2個のホトニック結晶2a、2bでの逆符号の波長分散特性については、例えば、異なる結晶構造のホトニック結晶を用いる構成や、同一の結晶構造のホトニック結晶を用い、ホトニックバンドギャップの両側のバンド端となるようにそれぞれに印加される外力を制御する構成などが可能である。また、光を1個のホトニック結晶中を2回通過させる構成とし、それぞれの通過時でホトニック結晶に印加する外力を変えて異なる波長分散を与えることもできる。
【0082】
また、これら2個のホトニック結晶2a、2bに設定される波長分散特性は逆符号に限らず、目的に応じて様々に設定してよい。また、後段に追加される波長分散素子については、ホトニック結晶(分散媒質)2bに限らず、プリズムや回折格子などの他の波長分散素子を用いても良い。
【0083】
図9は、光波形整形装置の第4実施例を示す構成図である。本実施例においては、外力印加手段3等の構成については、図6の実施例と同様である。また、入力光に波長分散を与える分散媒質であるホトニック結晶2に加えて、ホトニック結晶2中を通過する往復光路が形成されるように配置された一対の反射手段である反射鏡12と、この往復光路上に設置されて、光出力手段を構成しているポッケルスセル(偏光素子)72及び偏光ビームスプリッタ73とがさらに設置されている。
【0084】
本実施例の光波形整形装置は、図7の実施例と同様に、光がホトニック結晶2中を複数回通過することによって大きい波長分散が得られる構成となっている。特に、一対の反射鏡12に加えて、ポッケルスセル72及び偏光ビームスプリッタ73からなる光出力手段を設置することによって、光の複数回の通過を同一の往復光路上で実現するとともに、その通過回数を可変としている。
【0085】
すなわち、所定の直線偏光を有する入力光が入力光路から偏光ビームスプリッタ73を介して往復光路上に入力されると、その入力光が最初に通過するときにポッケルスセル72を動作させて光の偏光面が回転される。偏光面が回転された光は、2つの反射鏡12間の往復光路を繰り返し往復して、ホトニック結晶2中を複数回通過する。そして、所定のタイミングでポッケルスセル72を再び動作させて光の偏光面を回転し、偏光ビームスプリッタ73を介して出力光路に出力光を取り出す。
【0086】
このように、往復光路から入力された光に対して、再び往復光路に出力(透過)するか、または、装置外部への出力光路に出力(反射)するかを切換可能な光出力手段を設けることによって、入力光を所望の回数だけホトニック結晶2中を通過させた後、出力光を取り出すことが可能となる。この構成では、光のホトニック結晶2の通過回数を変えることができるので、入力光に与える波長分散量が可変となる。なお、光出力手段については、上記したポッケルスセル72及び偏光ビームスプリッタ73からなる構成に限らず、様々なものを用いて良い。
【0087】
上述した図6〜図9の実施例では、いずれも外力印加手段3として圧電素子31を用いているが、この外力印加手段3としては、圧電素子31に限らず、様々なものを用いて良い。
【0088】
図10は、光波形整形装置の第5実施例を示す構成図である。本実施例は、図1に示した外力印加手段3を、手動入力に応じてホトニック結晶2を押圧する押圧機構3としたものであり、外圧制御装置4が手動入力によっている点を除いて、他の構成は図1のものと同一である。この場合、この押圧機構3が波長分散制御手段となる。
【0089】
押圧機構3は、土台1に対して固定された位置に配置された支持板32aと、支持板32aに設けられたネジ孔に螺合したネジ部32bと、ネジ部32bの一端に固定されたネジ回しヘッド32cとからなるネジ送り機構を備えている。また、ネジ部32bの他端には、押え板30が当接している。
【0090】
この構成において、ヘッド32cを所定方向に回転させると、ネジ部32bが押え板30の方向に移動する。押え板30の下面は、ホトニック結晶2に接着剤によって固定されているので、ヘッド32cの回転に伴ってホトニック結晶2には外力が印加され、ホトニック結晶2が光路に沿って延びるように変形する。ホトニック結晶2は可塑性であるが、圧縮性及び展延性を有して変形することもできる。
【0091】
このような光波形整形装置は、実験計測系において、手動による外力の微調整が可能となるので、本装置をホトニック結晶の波長分散特性に関する基礎研究などに適用することができる。
【0092】
図11は、光波形整形装置の第6実施例を示す構成図である。本実施例の光波形整形装置は、ホトニック結晶を収容する容器8をさらに備えており、外力印加手段3は、容器8内に収容されたホトニック結晶2に対して一定方向に、外力としての圧力を印加する。この場合、容器8の外壁によってホトニック結晶2を保持し、所望の外力以外の力による変形を抑制するとともに、その変形方向を制限することができる。なお、図11においては、外力印加手段3として圧電素子31を用いた場合について示している。
【0093】
ここで、容器8の外壁の少なくとも一部分、すなわち、入力光の光路を含む部分は透明とされている。あるいは、この部分に透明な窓を設けても良い。この透明な外壁または窓を介してホトニック結晶2中に入力光が入射される。出力光の光路を含む外壁部分も同様に透明とすることができる。ホトニック結晶2は、容器8の外壁によって保持されるので、装置に必要な部品点数を減らすことができる。
【0094】
なお、上述及び以下の実施例において、ホトニック結晶2の外力印加手段3としてチューブ型の圧電素子を用いても良い。図12は、チューブ型の圧電素子を用いた光波形整形装置の第7実施例の主要部を示す斜視図である。外力印加手段3としての圧電素子31はチューブ型の中空部材とされており、これを容器8として、その内部にホトニック結晶2が配置されている。すなわち、本実施例での外力印加手段3は、内径が変化するように変形可能な圧電素子(中空部材)31である。
【0095】
この圧電素子31は、内径が変化するように変形するので、この変形に応じてホトニック結晶2は中空の圧電素子31の長手方向に伸縮するように変形する。また、入力光はホトニック結晶2の長手方向の一端から入力され、出力光は他端から出力される。したがって、このような構成では、径方向の光の広がりを抑制することができ、出力光の単位面積当たりの強度低下を抑制することができる。
【0096】
図13は、光波形整形装置の第8実施例を示す構成図である。本実施例の光波形整形装置では、ホトニック結晶2の光入力面及び光出力面にそれぞれ窓材10を設けるとともに、ホトニック結晶2のホトニックバンド構造(ホトニックバンドギャップ)に応じて変化する物理量を測定し、その測定値に基づいて波長分散制御手段による波長分散特性の保持または変化を制御するフィードバック手段を構成する光学特性測定機器90を設置している。
【0097】
本実施例では、この光学特性測定機器90及び電源41によってフィードバック手段が構成されている。また、波長分散制御手段が外力印加手段3を含んでいることに対応して、このフィードバック手段は、外力印加手段3によってホトニック結晶2に印加される外力の大きさを制御する。
【0098】
ホトニック結晶2における波長分散特性を所望の波長分散特性とする場合には、これに対応するホトニックバンド構造に応じて変化する物理量、好ましくは出力光強度または出力光スペクトルを測定する。そして、出力光の強度または特定波長の強度などが一定となるように、光学特性測定機器90及び電源41からなるフィードバック手段を介して、外力印加手段3を制御する。
【0099】
より具体的には、ホトニック結晶2によって光波形が整形された光は、出力光として、その強度またはスペクトルなどが光学特性測定機器90によって測定される。そして、この測定データが特定の条件を満たすように、ホトニック結晶2の構造制御装置としての圧電素子31が電源41を介してフィードバック制御される。
【0100】
このフィードバック制御により、ホトニック結晶2による出力光の応答特性の安定化、高精度化を達成することができる。
【0101】
ホトニック結晶2は、半導体微細加工技術(マイクロエレクトロメカニック:MEMS技術)を用いて製造することもできる。例えば、上述の容器を半導体基板を加工することによって形成し、圧電素子31をその半導体基板(図示せず)上に形成する。この場合、半導体基板に形成された容器、特に凹部内にホトニック結晶2が配置され、この半導体基板上に圧電素子31が形成されるので、半導体微細加工技術を用いてこれらを形成することができ、装置全体を小型化することができる。もちろん、半導体基板内に圧電素子31の駆動回路、電源、波長フィルタ付きホトダイオード等をさらに形成することもできる。
【0102】
なお、上述した半導体微細加工技術は、例えば、走査型トンネル顕微鏡の探針などを作製する際にも用いられている。この探針は、圧電素子が設けられたものであるが、数nmのオーダーで圧電素子の伸縮を制御することができる。
【0103】
図14は、光波形整形装置の第9実施例を示す構成図である。本実施例の光波形整形装置は、図13の実施例と比較して、ヒータ91、温度センサ92、及びヒータ電源93を設けた点が異なり、他の構成は図13に示したものと同一である。
【0104】
この光波形整形装置においては、ホトニック結晶2を加熱するヒータ91を土台1上に設けている。また、ホトニック結晶2の温度を測定する温度センサ92を土台1上に設けている。これらは、いずれもホトニック結晶2の近傍に配置されている。また、ヒータ電源93は、温度センサ92によって測定された温度に基づいてヒータ91への供給電力を制御する。
【0105】
本実施例においては、ホトニック結晶2の温度を温度センサ92によって測定しつつ、これを加熱しているので、ホトニック結晶2の温度を所望の値、好ましくは一定値にすることができる。これにより、ホトニックバンド構造、例えばホトニックバンドギャップの位置と、それに伴う波長分散特性の温度による変化を抑制することができる。なお、ヒータ91や温度センサ92もMEMS技術を用いてモノシリックに作製することが可能である。
【0106】
本発明による光波形整形装置は、上述した実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、ファブリペロー干渉計や多層膜鏡(ダイクロイックミラー)も、0次元あるいは1次元のホトニック結晶であり、可塑性のホトニック結晶2としては、このようなものも適用することができる。
【0107】
また、上記した本願発明に関する例では、外力印加手段を含む波長分散制御手段を介して外力を加えてホトニック結晶2を変形させる構成としているが、参考例としては、波長分散制御手段が外場印加手段を有する構成としても良い。このとき、外場印加手段を含む波長分散制御手段を介して外場を加えることによって、同様にホトニックバンド構造及び波長分散特性を変化させることが可能である。このような外場としては、例えば、ホトニック結晶での屈折率や周期構造の位置などを変化させる電場、磁場、力、温度場などの場がある。
【0108】
また、上述のような柔らかい(可塑性の)ホトニック結晶2は、今後、その微小球2Bや気泡の大きさや配列の安定性、その制御性を向上させるための機械的精度、ゲルの長期安定性、温度安定性、光ファイバや他の光学部品との接続方法、ゲル封入容器、毎回同様の外力を印加できる外力印加機構等について、さらなる研究が進められるものと期待される。
【0109】
【発明の効果】
本発明による光波形整形装置は、以上詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわち、分散媒質として可塑性のホトニック結晶を用いるとともに、外力印加手段などによって構成される波長分散制御手段を備える光波形整形装置によれば、波長分散特性を充分に変化させることが可能な光波形整形装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】光波形整形装置の一実施形態を概略的に示す構成図である。
【図2】ホトニック結晶の一例を示す斜視図である。
【図3】ホトニック結晶における光の透過率の波長依存性を示すグラフである。
【図4】ホトニック結晶の波長分散特性を示すグラフである。
【図5】ホトニック結晶における光の反射率の波長依存性の外力による変化を示すグラフである。
【図6】光波形整形装置の第1実施例を示す構成図である。
【図7】光波形整形装置の第2実施例を示す構成図である。
【図8】光波形整形装置の第3実施例を示す構成図である。
【図9】光波形整形装置の第4実施例を示す構成図である。
【図10】光波形整形装置の第5実施例を示す構成図である。
【図11】光波形整形装置の第6実施例を示す構成図である。
【図12】光波形整形装置の第7実施例の主要部を示す斜視図である。
【図13】光波形整形装置の第8実施例を示す構成図である。
【図14】光波形整形装置の第9実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
1…土台、10…窓材、11…凹面鏡、12…反射鏡、2、2a、2b…可塑性のホトニック結晶、
3…外力印加手段(加圧/減圧装置、押圧機構)、30…押え板、31…圧電素子、32a…支持板、32b…ネジ部、32c…ネジ回しヘッド、4…外圧制御装置、41…電圧可変電源、
5…第1光学素子、6…第2光学素子、71…光学装置、72…ポッケルスセル、73…偏光ビームスプリッタ、8…容器、90…光学特性測定機器、91…ヒータ、92…温度センサ、93…ヒータ電源。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical waveform shaping device using a photonic crystal.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor single crystal is a substance in which specific atoms are arranged periodically and regularly. The electron propagation characteristics in such a semiconductor single crystal are determined by the type of atoms constituting the crystal and the atomic spacing of the arrangement. That is, the electron propagation characteristic in the semiconductor single crystal shows a band structure having an energy band gap generated due to the wave nature of electrons and the periodic potential due to the constituent atoms.
[0003]
On the other hand, the photonic crystal is a three-dimensional structure proposed by Yablonovich et al. As having a band structure for light as well as the above band structure for electrons. In a photonic crystal, a band structure for light is generated by the wave nature of light and a periodic structure in which substances having a refractive index difference that is a potential difference with respect to light are arranged with a period of about the wavelength of light.
[0004]
In a photonic crystal, the light propagation characteristics are limited by the constraint of the wave nature of light due to its three-dimensional structure. In other words, in photonic crystals, there is a photonic band gap that is an energy band gap for light, and light in a specific wavelength band cannot propagate through the crystal. Show properties. Fabry-Perot interferometers and multilayer mirrors are also zero-dimensional or one-dimensional photonic crystals.
[0005]
Conventionally, various photonic crystals have been proposed. For example, there is one in which submicron-sized particles are arranged with a period of about the wavelength of light. In the case of the microwave band, one in which polymer spheres as particles are arranged in a space is known.
[0006]
Other than this, the polymer spheres are solidified in the metal and then the polymer spheres are chemically dissolved to form periodic microspaces in the metal. Some of them use a laser to form a region where the refractive index is different from the surroundings, and others are photopolymerizable polymers processed into grooves using lithography techniques.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Photonic crystals formed by these processes are produced with high accuracy in order to generate a photonic band gap. Once the crystal structure is determined, the photonic crystal has a photonic band structure that is uniquely determined according to the structure.
[0008]
On the other hand, such a photonic crystal has wavelength dispersion characteristics corresponding to the photonic band structure because transmission characteristics and reflection characteristics at different wavelengths differ depending on the band structure. This wavelength dispersion characteristic is considered to be applicable to an optical waveform shaping device or the like. However, in such an optical waveform shaping device, the photonic band structure of the photonic crystal cannot be changed sufficiently, so that its wavelength dispersion characteristic cannot be made variable.
[0009]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an optical waveform shaping device capable of sufficiently changing the wavelength dispersion characteristics.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve such an object, an optical waveform shaping device according to the present invention is an optical waveform shaping device that generates predetermined wavelength dispersion for input light within a predetermined wavelength band, and has a photonic band structure. , Having a wavelength dispersion characteristic with a different refractive index for each wavelength, and External force By applying Depending on the deformation A dispersion medium composed of a plastic photonic crystal whose wavelength dispersion characteristic changes and a chromatic dispersion control means for maintaining or changing the wavelength dispersion characteristic of the photonic crystal are provided. The chromatic dispersion control means includes external force application means for applying an external force to the photonic crystal. It is characterized by that.
[0011]
In the optical waveform shaping device described above, a plastic photonic crystal is used as a dispersion medium for generating chromatic dispersion for input light. At this time, if the photonic crystal is deformed by applying external force through the chromatic dispersion control means, the photonic band structure (photonic band gap) changes greatly, and the chromatic dispersion characteristics (group velocity or group velocity dispersion) in the photonic crystal are changed. (Characteristic) can be sufficiently changed.
[0013]
Further, in such an optical waveform shaping device, even when the volume of the photonic crystal itself is reduced, the optical waveform can be effectively shaped, so that the entire device can be miniaturized.
[0014]
The photonic crystal is characterized in that the photonic band gap in the photonic band structure is formed so as to be close to the wavelength of the input light. By adopting such a wavelength configuration, sufficient chromatic dispersion can be generated for the input light, and the optical waveform can be shaped efficiently.
[0015]
Further, the present invention is characterized in that the input light passes through the photonic crystal a plurality of times and is output. According to such a configuration, the chromatic dispersion generated in the input light can be increased.
[0016]
As a configuration for allowing light to pass a plurality of times, for example, in addition to a photonic crystal that is a dispersion medium, a pair of reflecting means arranged so as to form a round-trip optical path that passes through the photonic crystal, and round-trip light Light output means installed on the road and configured to switch whether light input from the round-trip optical path is output again to the round-trip optical path or output to the output optical path to the outside of the apparatus. It is preferable. Examples of the light output means include a configuration in which a switchable polarization element such as a Pockels cell and a polarization beam splitter are combined.
[0017]
In addition, as the photonic crystals, two photonic crystals that each allow the input light to pass and that can make one chromatic dispersion characteristic positive and the other chromatic dispersion characteristic negative with respect to the wavelength of the input light are used. It is characterized by. In this way, various optical waveforms can be shaped by combining photonic crystals having chromatic dispersion characteristics with opposite signs.
[0018]
Furthermore, in addition to the photonic crystal, which is a dispersion medium, the light output through the photonic crystal is input. Do The optical device further includes a wavelength dispersion element that receives the light output from the optical device and generates chromatic dispersion opposite to that of the photonic crystal. As for the wavelength dispersion element installed at the subsequent stage of the optical device, a photonic crystal may be used in the same manner as the dispersion medium at the previous stage.
[0019]
As for the configuration of the chromatic dispersion control means, the chromatic dispersion control means includes an external force application means for applying an external force to the photonic crystal. There are various external force applying means.
[0020]
For example, there is a configuration in which a container for storing a photonic crystal is further provided, and the external force applying means applies pressure as an external force in a certain direction to the photonic crystal stored in the container. In this case, the photonic crystal can be held by the outer wall of the container, and deformation due to a force other than a desired external force can be suppressed and the deformation direction can be limited.
[0021]
At this time, it is preferable that at least a part of the outer wall of the container is transparent, or a transparent window is provided in this part. In this case, the input light is introduced into the photonic crystal through a portion of the outer wall or window transparent to the input light. However, since the photonic crystal is held by the outer wall of the container, the number of parts can be reduced. .
[0022]
The container is preferably formed by processing a semiconductor substrate, and the external force applying means is preferably a piezoelectric element formed on the semiconductor substrate and deformed in response to an electrical input. In this case, the photonic crystal is arranged in a container such as a recess formed in the semiconductor substrate, and the piezoelectric element is formed on the semiconductor substrate, so that these can be formed using a semiconductor microfabrication technique, The whole can be reduced in size.
[0023]
Further, the external force application means is a hollow member that can be deformed so that the inner diameter changes, and the photonic crystal is arranged in the hollow member. Since the hollow member is deformed so that the inner diameter changes, the photonic crystal is deformed so as to expand and contract in the longitudinal direction of the hollow member in accordance with the deformation. Input light is input from one end of the photonic crystal in the longitudinal direction, and output light is output from the other end. Therefore, in this case, the spread of light in the radial direction can be suppressed, and a decrease in intensity per unit area of output light can be suppressed.
[0024]
Further, there is a configuration characterized in that the external force applying means is a piezoelectric element that deforms in response to an electrical input. In this case, an external force is applied to the photonic crystal when the piezoelectric element is deformed by an electrical input, so that a system that performs an electrical input based on a specific measurement value or the like can be configured.
[0025]
Further, the external force applying means is a pressing mechanism that presses the photonic crystal in response to manual input. In this case, the external force can be manually adjusted in the measurement system.
[0026]
Furthermore, it changes according to the photonic band structure of the photonic crystal. , Output light from photonic crystals It further comprises feedback means for measuring a physical quantity and controlling retention or change of the chromatic dispersion characteristic by the chromatic dispersion control means based on the measured value. When a desired chromatic dispersion characteristic is obtained, a physical quantity that changes in accordance with the corresponding photonic band structure is measured, and the operation of the chromatic dispersion control means can be controlled by the feedback means. For example, when the chromatic dispersion control means includes external force application means, application of external force by the external force application means is controlled.
[0027]
Further, a heater for heating the photonic crystal and a temperature sensor for measuring the temperature of the photonic crystal are further provided, and heating by the heater is controlled based on the temperature measured by the temperature sensor. In this case, since the heating is performed while measuring the temperature of the photonic crystal with a temperature sensor, the temperature of the photonic crystal can be set to a desired value, preferably a substantially constant value, and the temperature of the photonic band structure and wavelength dispersion characteristics can be set. The change by can be suppressed.
[0028]
In addition, as a photonic crystal used in the optical waveform shaping device, there is a photonic crystal containing a plurality of microspheres of silica or barium titanate in a gel-like substance. Further, the photonic crystal may include a plurality of minute spaces formed in a gel-like substance. In these cases, the photonic crystal can be a plastic photonic crystal that can be easily deformed.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of an optical waveform shaping device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the dimensional ratios in the drawings do not necessarily match those described.
[0031]
FIG. 1 is a block diagram schematically showing an embodiment of an optical waveform shaping device according to the present invention. This optical waveform shaping device is an optical waveform shaping device that gives desired chromatic dispersion to input light having a wavelength within a predetermined wavelength band and shapes the optical waveform. In the optical waveform shaping device, the optical waveform is shaped by a dispersion medium having a wavelength dispersion characteristic having a different refractive index for each wavelength within a predetermined wavelength band.
[0032]
The optical waveform shaping device shown in FIG. 1 includes a base 1, a photonic crystal 2 that is a dispersion medium installed on the base 1, and external force application means that applies external force to the photonic crystal 2 (increases or decreases the external force). And a certain pressurizing / depressurizing device 3. A first optical element 5 is installed on the input side of the photonic crystal 2, and a second optical element 6 is installed on the output side. These optical elements 5 and 6 on the input side and the output side are respectively installed as necessary, and may be configured such that neither is installed.
[0033]
The photonic crystal 2 has a photonic band structure and a chromatic dispersion characteristic corresponding to the photonic band structure according to the crystal structure. Further, the photonic crystal 2 is plastic, and is deformed with high precision by application of an external force as described later, and its wavelength dispersion characteristic changes according to the deformation. That is, when the photonic crystal 2 is deformed by applying an external force in the pressurizing / depressurizing device 3, the photonic band structure and the corresponding chromatic dispersion characteristics change.
[0034]
The pressurizing / depressurizing device 3 is controlled by an external pressure control device 4 which is an external force control means, and the external pressure control device 4 accurately controls the magnitude of the external force and its application time. In the present embodiment, the pressurizing / depressurizing device (external force applying means) 3 and the external pressure control device 4 constitute chromatic dispersion control means for maintaining or changing the chromatic dispersion characteristics of the photonic crystal 2.
[0035]
Input light within a predetermined wavelength band that is a target for shaping the optical waveform is incident on the photonic crystal 2 via the first optical element 5. At this time, chromatic dispersion corresponding to the chromatic dispersion characteristic of the photonic crystal 2 occurs with respect to the input light propagated through the photonic crystal 2. The light having the desired wavelength dispersion and the light waveform shaped is emitted from the photonic crystal 2 and output as output light to the outside of the light waveform shaping device via the second optical element 6.
[0036]
The plastic photonic crystal 2 used in the above optical waveform shaping device will be described. FIG. 2 is a perspective view showing an example of the photonic crystal 2.
[0037]
The photonic crystal 2 includes a plurality of silica or barium titanate microspheres (optical microcrystals) 2B in a gel-like substance 2G. The photonic crystal 2 is plastic and can be easily deformed. The microspheres 2B are regularly and uniformly arranged in the substance 2G with a period of about the wavelength of light.
[0038]
The interval between the microspheres 2B is set to, for example, about half to ¼ of the wavelength according to the wavelength band of the input light that is a target for shaping the optical waveform. With this crystal structure, a photonic band structure is generated in the photonic crystal 2. In addition, since the gel is easily deformed by an external force, the crystal structure of the photonic crystal 2 and, therefore, its photonic band structure is easily changed. Due to this change, the wavelength dispersion characteristic for the light passing through the photonic crystal 2 also changes. Note that the microsphere 2B and the substance 2G have different refractive indexes, and both are transparent to the wavelength of light to be selected or have an appropriate transmittance.
[0039]
For example, the above-described gel-like substance 2G is obtained by using a mixture of an ultraviolet curable resin as a sol material and irradiating it with ultraviolet rays to cause gelation. A typical ultraviolet curable resin is a mixture of acrylamide mixed with a cross-linking agent and a photopolymerization initiator, and many have been conventionally known. Further, since the number of periodic structures of the microspheres 2B may be about 50, the photonic crystal 2 functions sufficiently with an element of about 100 μm square at the maximum.
[0040]
As another example of the photonic crystal 2, the photonic crystal 2 having the configuration shown in FIG. 2 may be used in which the microspheres 2B arranged in the gel-like substance 2G are replaced with a microspace. As a specific minute space, a configuration in which a plurality of bubbles are arranged in the gel-like substance 2G is possible. Similarly, the photonic crystal 2 can be easily deformed by an external force.
[0041]
In the optical waveform shaping device described above, the plastic photonic crystal 2 is used as a dispersion medium that generates chromatic dispersion for input light. At this time, if the photonic crystal 2 is deformed by applying an external force through the chromatic dispersion control means comprising the external force applying means 3 and the external pressure control device 4, the photonic band structure (photonic band gap) changes greatly, and the photonic crystal 2 can sufficiently change the wavelength dispersion characteristic (group velocity or group velocity dispersion characteristic).
[0042]
In other words, by using the photonic crystal 2 that can change the photonic band structure by applying an external force, the optical waveform shaping that sufficiently changes the wavelength dispersion characteristics between the optical elements 5 and 6 on the input side and the output side. A device is obtained.
[0043]
Such plastic photonic crystals, as described later, have characteristics such as large wavelength dispersion characteristics and wavelength region change (tuning) characteristics due to crystal plasticity, as compared with ordinary glass. Compared to wavelength dispersion elements such as prisms, diffraction gratings, and glass blocks that have been used in the optical waveform shaping apparatus, there are many advantages.
[0044]
For example, in such an optical waveform shaping device, even when the volume of the photonic crystal 2 itself is reduced, the optical waveform can be effectively shaped as described above. Therefore, if this photonic crystal 2 is used, it is possible to reduce the size of the apparatus. The photonic crystal 2 may have elasticity.
[0045]
Further, in a conventional wavelength dispersion element such as a prism, the wavelength dispersion is greatly influenced by the incident direction and angle of input light to the element. For example, in a diffraction grating, once the number of gratings per unit length and the cutting angle of the grating are determined, the wavelength dispersion characteristics are uniquely determined. Therefore, light can be incident from any direction or light can be incident many times. It is difficult to have a configuration such as On the other hand, when the photonic crystal 2 is used, various configurations are possible.
[0046]
In addition, when non-plastic photonic crystals are used, it is possible to change the photonic band structure by changing the temperature of the crystal or irradiating the crystal with high intensity light to generate a nonlinear optical effect. is there. However, when the band structure is controlled by temperature, there is a problem that the response is slow. Moreover, when controlling by light irradiation, there is a problem that high-intensity excitation light is required and optical degradation of the crystal occurs. In addition, the variable range obtained by any control method is narrow.
[0047]
On the other hand, according to the plastic photonic crystal that changes the photonic band structure by applying an external force, it is possible to easily change the photonic band structure and chromatic dispersion characteristics within a sufficiently variable range.
[0048]
The photonic band structure and chromatic dispersion characteristics generated in the photonic crystal 2 will be specifically described with examples.
[0049]
FIG. 3 is a graph showing the wavelength (nm) dependence of light transmittance (arbitrary constant) in a photonic crystal having a multilayer structure, that is, a dichroic mirror. The input light is white light. In this graph, a transmission characteristic is obtained in which the transmittance of light in the vicinity of the wavelength band of 400 nm is lower than that of the surrounding wavelength band corresponding to the photonic band gap generated in the photonic crystal. Although this graph is not based on the photonic crystal 2 having the above-described configuration, when the microspheres 2B are completely arranged at equal intervals, the optical characteristics are shown in FIG. 3 for a specific direction. It will be the same as the thing.
[0050]
A photonic crystal having such a photonic band structure exhibits characteristic wavelength dispersion characteristics according to the band structure (for example, the literature “Arnout Imhof et al., Phys. Rev. Lett. Vol. 83, p. 2942 (1999) "). In other words, since photonic crystals have different transmission and reflection characteristics at different wavelengths depending on the band structure, the refractive index of light in photonic crystals at different wavelengths, that is, chromatic dispersion with different light propagation speeds (phase velocity, group velocity). Has characteristics.
[0051]
4A to 4C are graphs showing examples of wavelength dispersion characteristics in photonic crystals (see the above-mentioned document). In these graphs, each horizontal axis represents frequency (10 15 rad / s), which corresponds to the wavelength of the input light. These graphs are obtained using unfixed photonic crystals formed in the solution.
[0052]
FIG. 4A is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the photonic crystal. In this graph, as in the case of the graph of FIG. 3, the vicinity of a predetermined wavelength (frequency: 2.4 × 10 15 A photonic band structure in which the transmittance decreases in the vicinity of rad / s is obtained.
[0053]
On the other hand, the chromatic dispersion characteristics of the photonic crystal corresponding to this photonic band structure are shown in FIGS. 4B and 4C. 4B shows the delay time Δt (ps, corresponding to the group delay) obtained when the input light passes through the photonic crystal, and FIG. 4C shows the group velocity dispersion parameter β. 2 (Ps 2 / M, corresponding to group velocity dispersion). Here, in these two graphs, each point in the graph indicates an actual measurement value, and a solid line indicates a calculated value theoretically analyzed.
[0054]
As shown in the graphs of FIGS. 4B and 4C, the photonic crystal exhibits chromatic dispersion characteristics according to the photonic band structure. Therefore, by using a photonic crystal having such a wavelength dispersion characteristic as a dispersion medium of an optical waveform shaping device, it becomes possible to shape an optical waveform with respect to input light. In particular, the value of chromatic dispersion in a photonic crystal is about two to three orders of magnitude higher than that of ordinary glass, so that chromatic dispersion can be imparted with high efficiency and the optical waveform can be shaped accordingly. Further, since sufficient wavelength dispersion can be obtained even if the volume of the photonic crystal, which is a dispersion medium, is reduced, the apparatus can be miniaturized.
[0055]
Specifically, as shown in the graphs of FIGS. 4B and 4C, the photonic crystal exhibits a large chromatic dispersion near the photonic band gap. For this reason, it is preferable to use a photonic crystal used in the optical waveform shaping device so that the wavelength of the photonic band gap in the photonic band structure is close to the wavelength of the input light. By adopting such a wavelength configuration, sufficient chromatic dispersion can be generated for the input light, and the optical waveform can be shaped efficiently.
[0056]
Next, the variability of the photonic band structure and chromatic dispersion characteristics in the photonic crystal will be described.
[0057]
FIG. 5 is a graph showing the wavelength (nm) dependence of the reflectance (arbitrary constant) of light in a photonic crystal having a multilayer film structure, that is, a dichroic mirror. FIG. 5A is a graph when no external force is applied to the dichroic mirror, and FIG. 5B is a graph when pressure (external force) is applied in the compression direction so that 1% lattice distortion occurs in the mirror vertical direction. The graph and FIG. 5C are graphs when pressure is applied in the extending direction so that 1% lattice distortion occurs in the mirror vertical direction.
[0058]
It is also possible to apply pressure so that lattice distortion occurs along the mirror surface. Further, the graph of FIG. 5A corresponds to the transmittance graph shown in FIG. 3 or FIG. Although this graph is not based on the photonic crystal 2 having the above-described configuration, the tendency of the change in the optical characteristics is the same.
[0059]
According to these graphs, the reflection intensity peak when no external force is applied is about wavelength λc = 1500 nm (FIG. 5A). On the other hand, when 1% compressive strain is applied, the wavelength λc shifts to the short wavelength side of about 1480 nm (FIG. 5B), while 1% spreading strain is applied. The wavelength λc is shifted to the long wavelength side of about 1520 nm (FIG. 5C).
[0060]
In other words, when a slight lattice distortion due to external force is introduced into the photonic crystal, the photonic band structure changes due to the change in the crystal structure in the crystal, and the obtained transmission and reflection characteristics depend on the wavelength of the input light. Change. Further, as described above with reference to FIGS. 4A to 4C, the chromatic dispersion characteristics of the photonic crystal show large chromatic dispersion near the photonic band gap, and the photonic band structure, particularly the position of the photonic band gap. Depends heavily on.
[0061]
As described above, by applying an external force to the plastic photonic crystal by the chromatic dispersion control means to introduce lattice distortion, the chromatic dispersion characteristic becomes variable with respect to the wavelength. Therefore, according to the optical waveform shaping device having the configuration shown in FIG. 1, an optical waveform shaping device capable of sufficiently changing the wavelength dispersion characteristic is realized.
[0062]
Hereinafter, a preferred example of the optical waveform shaping device of the above-described embodiment will be described.
[0063]
FIG. 6 is a block diagram showing a first embodiment of the optical waveform shaping device. In the present embodiment, a presser plate 30 and a piezoelectric element (piezo element) 31 are used as the external force applying means 3. Correspondingly, a voltage variable power supply 41 is used as the external pressure control device 4. Thus, in this embodiment, the chromatic dispersion control means is configured by the presser plate 30, the piezoelectric element 31, and the power source 41.
[0064]
In the configuration shown in FIG. 6, a press plate 30 is disposed on the photonic crystal 2, and the press plate 30 holds the photonic crystal 2 together with the base 1. The piezoelectric element 31 is disposed at a position where the upper surface is fixed with respect to the base 1, and the lower surface is fixed to the presser plate 30.
[0065]
Here, when a voltage is applied to the piezoelectric element 31 from the power supply 41, the piezoelectric element 31 moves in a direction perpendicular to the surface of the base 1 in accordance with the voltage applied from the power supply 41 and its change. . At this time, since the distance between the press plate 30 fixed to the piezoelectric element 31 and the base 1 changes, the photonic crystal 2 is deformed so as to extend along the optical path, and the photonic band structure and wavelength dispersion are changed. The characteristic changes. In the present embodiment, window materials 10 are attached to the light input surface and the light output surface of the photonic crystal 2, respectively.
[0066]
In the above configuration, when input light is incident on the photonic crystal 2 through the input-side window member 10, the incident light propagates in the photonic crystal 2 and is applied from the external force applying means 3. The chromatic dispersion generated by the chromatic dispersion characteristic determined according to the external force is given. Then, the light having the desired wavelength dispersion and the light waveform shaped is output as output light through the window member 10 on the output side.
[0067]
For example, as schematically shown in FIG. 6, it is considered that an optical pulse having a short time width (eg, femtosecond) is input as input light. Such an input light pulse includes a wavelength component spread within a certain wavelength band. When such an optical pulse propagates through the photonic crystal 2, the propagation time differs for each wavelength component due to the chromatic dispersion characteristics of the photonic crystal 2.
[0068]
That is, if the chromatic dispersion is positive, the long wavelength component (for example, red light beam) propagates quickly and the short wavelength component (for example, blue light beam) propagates slowly, and the output light spreads in time with the long wavelength component at the head. A pulse is obtained. On the other hand, if the chromatic dispersion is negative, the short wavelength component propagates early and the long wavelength component propagates slowly, and an optical pulse spreading in time with the short wavelength component as the head is obtained as output light.
[0069]
Here, in the photonic crystal 2, as shown in FIGS. 4A to 4C, the wavelength dispersion is reversed at the two band ends on the short wavelength side and the long wavelength side with respect to the photonic band gap. Become. Therefore, if the photonic crystal 2 and the like are configured so that the wavelength of the photonic band gap in the photonic band structure is close to the wavelength of the input light, and the photonic band structure is adjusted by the external force applying means 3, The optical waveform shaping as described above can be performed efficiently.
[0070]
Further, in the external force applying means 3 of the present embodiment, the piezoelectric element 31 is deformed by an electrical input, so that an external force is applied to the photonic crystal 2. Therefore, an electrical input is performed based on a specific measured value or the like. The system can be configured.
[0071]
Moreover, since the window material 10 is provided for the photonic crystal 2, the light input surface and the light output surface of the photonic crystal 2 are protected. As the window member 10, an optical element such as an optical filter may be used. Further, the window material 10 may be provided only on one of the light input surface and the light output surface.
[0072]
FIG. 7 is a block diagram showing a second embodiment of the optical waveform shaping device. In the present embodiment, the configuration of the external force applying means 3 and the like is the same as that of the embodiment of FIG. Concave mirrors 11 are provided on the light input surface side and the light output surface side of the photonic crystal 2 at a predetermined distance.
[0073]
In the above configuration, when input light is incident on the photonic crystal 2 from a predetermined input optical path, the incident light is reflected by the pair of concave mirrors 11 to pass through the photonic crystal 2 a plurality of times, and then the predetermined light path. Is output as output light to the output optical path.
[0074]
According to such a configuration, since the propagation distance of light in the photonic crystal 2 becomes longer every time it passes, chromatic dispersion given to the input light can be increased. In addition, since the photonic crystal 2 necessary for obtaining desired wavelength dispersion is small, the apparatus can be miniaturized.
[0075]
In FIG. 7, the optical path of light that passes through the photonic crystal 2 a plurality of times is schematically shown for the sake of explanation. Actually, it is necessary to repeat the passage of light in the direction showing the chromatic dispersion characteristic accurately in consideration of each optical path and the crystal orientation of the photonic crystal 2. Further, the reflecting means installed on both sides of the photonic crystal is not limited to the concave mirror 11, and a plane mirror or the like may be used.
[0076]
FIG. 8 is a block diagram showing a third embodiment of the optical waveform shaping device. In the present embodiment, the configuration of the external force applying means 3 and the window material 10 is the same as that of the embodiment of FIG. Further, in addition to the preceding photonic crystal 2a that is a dispersion medium to which the input light is incident, an optical device 71 to which the light output by passing the input light through the photonic crystal 2a is input, and output from the optical device 71 A photonic crystal 2b, which is a subsequent wavelength dispersion element (dispersion medium) to which the received light is input, is further provided. Note that the configuration of the external force applying means 3 and the like in the subsequent photonic crystal 2b is the same as that in the previous photonic crystal 2a.
[0077]
In the above configuration, desired wavelength dispersion is given to the input light by the preceding photonic crystal 2a. Thereafter, predetermined conversion is performed on the light from the photonic crystal 2a in the optical device 71, and further desired chromatic dispersion is given by the subsequent photonic crystal 2b to be output as final output light.
[0078]
More specifically, for example, the chromatic dispersion characteristic of one photonic crystal 2a with respect to the wavelength of input light is positive (negative), and the chromatic dispersion characteristic of the other photonic crystal 2b is negative (positive) with an opposite sign. Is possible.
[0079]
At this time, as schematically shown in FIG. 8, the input light pulse having a short time width is chirped by the photonic crystal 2 a and then converted by the optical device 71. Further, when the reverse chromatic dispersion is given by the subsequent photonic crystal 2b, the time width is shortened again, and an output light pulse having undergone desired conversion is output.
[0080]
In this way, various optical waveforms can be shaped by using a configuration in which an optical device and a subsequent wavelength dispersion element are installed in addition to a photonic crystal, or a configuration in which a photonic crystal having a wavelength dispersion characteristic of an opposite sign is combined. It becomes possible. As the optical device 71, various devices such as an optical amplifier, an optical waveform shaping element, and a polarizing element can be applied. For example, when an optical amplifier is applied as the optical device 71, a configuration of a chirped pulse amplifying device that optically amplifies the input light after temporally spreading and then optically compresses again can be obtained.
[0081]
As for the wavelength dispersion characteristics of opposite signs in the two photonic crystals 2a and 2b, for example, a configuration using photonic crystals having different crystal structures, or using photonic crystals having the same crystal structure, both sides of the photonic band gap are used. For example, a configuration in which an external force applied to each band end is controlled so as to be at the band end of each other is possible. In addition, it is possible to provide light having different wavelength dispersion by changing the external force applied to the photonic crystal during each pass by passing light through the photonic crystal twice.
[0082]
Further, the chromatic dispersion characteristics set for these two photonic crystals 2a, 2b are not limited to the opposite signs, and may be set variously according to the purpose. Further, the wavelength dispersion element added in the subsequent stage is not limited to the photonic crystal (dispersion medium) 2b, and other wavelength dispersion elements such as a prism and a diffraction grating may be used.
[0083]
FIG. 9 is a block diagram showing a fourth embodiment of the optical waveform shaping device. In the present embodiment, the configuration of the external force applying means 3 and the like is the same as that of the embodiment of FIG. Further, in addition to the photonic crystal 2 that is a dispersion medium that imparts wavelength dispersion to the input light, a pair of reflecting mirrors 12 that are arranged so as to form a round-trip optical path that passes through the photonic crystal 2, and this A Pockels cell (polarization element) 72 and a polarization beam splitter 73 which are installed on the reciprocating optical path and constitute light output means are further installed.
[0084]
As in the embodiment of FIG. 7, the optical waveform shaping device of the present embodiment is configured such that a large chromatic dispersion is obtained when light passes through the photonic crystal 2 a plurality of times. In particular, in addition to the pair of reflecting mirrors 12, a light output means comprising a Pockels cell 72 and a polarization beam splitter 73 is installed, so that a plurality of passes of light can be realized on the same reciprocating optical path, and the number of passes Is variable.
[0085]
That is, when input light having a predetermined linear polarization is input from the input optical path to the reciprocating optical path via the polarization beam splitter 73, the Pockels cell 72 is operated when the input light first passes through, thereby polarizing the light. The face is rotated. The light whose polarization plane has been rotated repeatedly reciprocates in the reciprocating optical path between the two reflecting mirrors 12 and passes through the photonic crystal 2 a plurality of times. Then, the Pockels cell 72 is operated again at a predetermined timing to rotate the polarization plane of the light, and the output light is extracted to the output optical path via the polarization beam splitter 73.
[0086]
In this way, there is provided a light output means capable of switching whether light input from the reciprocating optical path is output (transmitted) again to the reciprocating optical path or output (reflected) to the output optical path to the outside of the apparatus. Thus, the output light can be extracted after the input light has passed through the photonic crystal 2 a desired number of times. In this configuration, since the number of times the light passes through the photonic crystal 2 can be changed, the amount of chromatic dispersion given to the input light is variable. The light output means is not limited to the configuration composed of the Pockels cell 72 and the polarization beam splitter 73 described above, and various devices may be used.
[0087]
6 to 9 described above, the piezoelectric element 31 is used as the external force applying means 3, but the external force applying means 3 is not limited to the piezoelectric element 31, and various other elements may be used. .
[0088]
FIG. 10 is a block diagram showing a fifth embodiment of the optical waveform shaping device. In this embodiment, the external force applying means 3 shown in FIG. 1 is a pressing mechanism 3 that presses the photonic crystal 2 in response to manual input, except that the external pressure control device 4 is manually input. The other structure is the same as that of FIG. In this case, the pressing mechanism 3 serves as a wavelength dispersion control unit.
[0089]
The pressing mechanism 3 is fixed to a support plate 32a arranged at a position fixed to the base 1, a screw portion 32b screwed into a screw hole provided in the support plate 32a, and one end of the screw portion 32b. A screw feed mechanism including a screwdriver head 32c is provided. Further, the presser plate 30 is in contact with the other end of the screw portion 32b.
[0090]
In this configuration, when the head 32 c is rotated in a predetermined direction, the screw portion 32 b moves in the direction of the presser plate 30. Since the lower surface of the pressing plate 30 is fixed to the photonic crystal 2 with an adhesive, an external force is applied to the photonic crystal 2 as the head 32c rotates, and the photonic crystal 2 is deformed so as to extend along the optical path. . The photonic crystal 2 is plastic, but can be deformed with compressibility and spreadability.
[0091]
Such an optical waveform shaping device allows manual fine adjustment of an external force in an experimental measurement system, so that this device can be applied to basic research on wavelength dispersion characteristics of a photonic crystal.
[0092]
FIG. 11 is a block diagram showing a sixth embodiment of the optical waveform shaping device. The optical waveform shaping device of the present embodiment further includes a container 8 for storing a photonic crystal, and the external force applying means 3 is a pressure as an external force in a fixed direction with respect to the photonic crystal 2 stored in the container 8. Apply. In this case, the photonic crystal 2 can be held by the outer wall of the container 8 to suppress deformation due to a force other than a desired external force and limit the deformation direction. FIG. 11 shows a case where a piezoelectric element 31 is used as the external force applying means 3.
[0093]
Here, at least a part of the outer wall of the container 8, that is, a part including the optical path of the input light is transparent. Or you may provide a transparent window in this part. Input light is incident on the photonic crystal 2 through the transparent outer wall or window. Similarly, the outer wall portion including the optical path of the output light can be transparent. Since the photonic crystal 2 is held by the outer wall of the container 8, the number of parts required for the apparatus can be reduced.
[0094]
In the above and following embodiments, a tube-type piezoelectric element may be used as the external force applying means 3 of the photonic crystal 2. FIG. 12 is a perspective view showing the main part of a seventh embodiment of an optical waveform shaping device using a tube-type piezoelectric element. The piezoelectric element 31 as the external force applying means 3 is a tube-type hollow member, and this is used as a container 8 in which the photonic crystal 2 is disposed. That is, the external force applying means 3 in this embodiment is a piezoelectric element (hollow member) 31 that can be deformed so that the inner diameter changes.
[0095]
Since the piezoelectric element 31 is deformed so that the inner diameter changes, the photonic crystal 2 is deformed so as to expand and contract in the longitudinal direction of the hollow piezoelectric element 31 according to the deformation. Input light is input from one end of the photonic crystal 2 in the longitudinal direction, and output light is output from the other end. Therefore, with such a configuration, it is possible to suppress the spread of light in the radial direction, and it is possible to suppress a decrease in intensity per unit area of output light.
[0096]
FIG. 13 is a block diagram showing an eighth embodiment of the optical waveform shaping device. In the optical waveform shaping device of the present embodiment, the window material 10 is provided on each of the light input surface and the light output surface of the photonic crystal 2, and the physical quantity changes according to the photonic band structure (photonic band gap) of the photonic crystal 2. And an optical characteristic measuring device 90 that constitutes a feedback means for controlling the retention or change of the chromatic dispersion characteristic by the chromatic dispersion control means based on the measured value.
[0097]
In this embodiment, the optical characteristic measuring instrument 90 and the power source 41 constitute a feedback means. Corresponding to the fact that the chromatic dispersion control means includes the external force applying means 3, this feedback means controls the magnitude of the external force applied to the photonic crystal 2 by the external force applying means 3.
[0098]
When the chromatic dispersion characteristic in the photonic crystal 2 is set to a desired chromatic dispersion characteristic, a physical quantity that changes in accordance with the corresponding photonic band structure, preferably an output light intensity or an output light spectrum is measured. Then, the external force applying means 3 is controlled via the feedback means including the optical characteristic measuring device 90 and the power supply 41 so that the intensity of the output light or the intensity of the specific wavelength is constant.
[0099]
More specifically, the intensity or spectrum of the light whose optical waveform has been shaped by the photonic crystal 2 is measured by the optical property measuring instrument 90 as output light. Then, the piezoelectric element 31 as the structure control device of the photonic crystal 2 is feedback-controlled via the power supply 41 so that the measurement data satisfies a specific condition.
[0100]
By this feedback control, it is possible to achieve stabilization and high accuracy of response characteristics of output light by the photonic crystal 2.
[0101]
The photonic crystal 2 can also be manufactured using a semiconductor microfabrication technology (microelectromechanical: MEMS technology). For example, the container described above is formed by processing a semiconductor substrate, and the piezoelectric element 31 is formed on the semiconductor substrate (not shown). In this case, since the photonic crystal 2 is disposed in a container formed on the semiconductor substrate, particularly in the recess, and the piezoelectric element 31 is formed on the semiconductor substrate, these can be formed using a semiconductor microfabrication technique. The entire apparatus can be reduced in size. Of course, a driving circuit for the piezoelectric element 31, a power source, a photodiode with a wavelength filter, and the like can be further formed in the semiconductor substrate.
[0102]
The above-described semiconductor microfabrication technology is also used when, for example, a probe of a scanning tunneling microscope is manufactured. This probe is provided with a piezoelectric element, but the expansion and contraction of the piezoelectric element can be controlled on the order of several nm.
[0103]
FIG. 14 is a block diagram showing a ninth embodiment of the optical waveform shaping device. The optical waveform shaping device of the present embodiment is different from the embodiment of FIG. 13 in that a heater 91, a temperature sensor 92, and a heater power supply 93 are provided, and other configurations are the same as those shown in FIG. It is.
[0104]
In this optical waveform shaping device, a heater 91 for heating the photonic crystal 2 is provided on the base 1. A temperature sensor 92 for measuring the temperature of the photonic crystal 2 is provided on the base 1. These are all arranged in the vicinity of the photonic crystal 2. The heater power supply 93 controls the power supplied to the heater 91 based on the temperature measured by the temperature sensor 92.
[0105]
In this embodiment, since the temperature of the photonic crystal 2 is measured by the temperature sensor 92 and heated, the temperature of the photonic crystal 2 can be set to a desired value, preferably a constant value. Thereby, it is possible to suppress changes in the photonic band structure, for example, the position of the photonic band gap and the accompanying chromatic dispersion characteristics due to temperature. The heater 91 and the temperature sensor 92 can also be manufactured monolithically using the MEMS technology.
[0106]
The optical waveform shaping device according to the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications are possible. For example, a Fabry-Perot interferometer and a multilayer mirror (dichroic mirror) are also zero-dimensional or one-dimensional photonic crystals. Such plastic photonic crystals 2 can also be applied.
[0107]
Also mentioned above Related to the present invention In the example, the photonic crystal 2 is deformed by applying an external force through a chromatic dispersion control unit including an external force applying unit. As a reference example, The chromatic dispersion control means may have an external field applying means. At this time, the photonic band structure and the chromatic dispersion characteristics can be similarly changed by applying an external field via the chromatic dispersion control means including the external field applying means. Examples of such an external field include a field such as an electric field, a magnetic field, a force, and a temperature field that change the refractive index and the position of the periodic structure in the photonic crystal.
[0108]
In addition, the soft (plastic) photonic crystal 2 as described above will be used in the future to improve the stability and size of the microspheres 2B and bubbles, mechanical accuracy to improve the controllability, long-term stability of the gel, Further research is expected on temperature stability, connection methods with optical fibers and other optical components, gel-sealed containers, external force application mechanisms that can apply the same external force each time, and the like.
[0109]
【The invention's effect】
As described in detail above, the optical waveform shaping device according to the present invention provides the following effects. That is, according to the optical waveform shaping device that uses a plastic photonic crystal as a dispersion medium and includes chromatic dispersion control means constituted by external force application means, etc., optical waveform shaping that can sufficiently change the chromatic dispersion characteristics. A device is realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram schematically illustrating an embodiment of an optical waveform shaping device.
FIG. 2 is a perspective view showing an example of a photonic crystal.
FIG. 3 is a graph showing the wavelength dependence of light transmittance in a photonic crystal.
FIG. 4 is a graph showing wavelength dispersion characteristics of a photonic crystal.
FIG. 5 is a graph showing a change in wavelength dependence of light reflectance in a photonic crystal due to an external force.
FIG. 6 is a configuration diagram illustrating a first embodiment of an optical waveform shaping device.
FIG. 7 is a block diagram showing a second embodiment of the optical waveform shaping device.
FIG. 8 is a block diagram showing a third embodiment of the optical waveform shaping device.
FIG. 9 is a block diagram showing a fourth embodiment of the optical waveform shaping device.
FIG. 10 is a block diagram showing a fifth embodiment of the optical waveform shaping device.
FIG. 11 is a block diagram showing a sixth embodiment of the optical waveform shaping device.
FIG. 12 is a perspective view showing a main part of a seventh embodiment of the optical waveform shaping device.
FIG. 13 is a block diagram showing an eighth embodiment of the optical waveform shaping device.
FIG. 14 is a block diagram showing a ninth embodiment of the optical waveform shaping device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base, 10 ... Window material, 11 ... Concave mirror, 12 ... Reflective mirror, 2, 2a, 2b ... Plastic photonic crystal,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... External force application means (pressurization / decompression device, pressing mechanism), 30 ... Press plate, 31 ... Piezoelectric element, 32a ... Support plate, 32b ... Screw part, 32c ... Screwdriver head, 4 ... External pressure control device, 41 ... Voltage variable power supply,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 ... 1st optical element, 6 ... 2nd optical element, 71 ... Optical apparatus, 72 ... Pockels cell, 73 ... Polarizing beam splitter, 8 ... Container, 90 ... Optical property measuring instrument, 91 ... Heater, 92 ... Temperature sensor, 93: Heater power supply.

Claims (16)

所定波長帯域内の入力光に対して、所定の波長分散を発生させる光波形整形装置であって、
ホトニックバンド構造と、波長毎に屈折率が異なる波長分散特性とを有し、かつ、外力を印加することにより変形し、その変形に応じて前記波長分散特性が変化する可塑性のホトニック結晶からなる分散媒質と、
前記ホトニック結晶の前記波長分散特性を保持または変化させる波長分散制御手段とを備え、
前記波長分散制御手段は、前記ホトニック結晶への前記外力の印加を行う外力印加手段を含むことを特徴とする光波形整形装置。
An optical waveform shaping device that generates predetermined wavelength dispersion for input light within a predetermined wavelength band,
Has a photonic band structure, and a wavelength dispersion characteristic of refractive index is different for each wavelength, and then deformed by applying an external force, the wavelength dispersion characteristic consists plasticity of the photonic crystal varies in accordance with the deformation A dispersion medium;
E Bei and a wavelength dispersion control means for holding or changing the wavelength dispersion characteristic of the photonic crystal,
The optical waveform shaping device, wherein the chromatic dispersion control means includes external force application means for applying the external force to the photonic crystal .
前記ホトニック結晶は、前記ホトニックバンド構造におけるホトニックバンドギャップの波長が、前記入力光の波長近傍となるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の光波形整形装置。  2. The optical waveform shaping device according to claim 1, wherein the photonic crystal is formed so that a wavelength of a photonic band gap in the photonic band structure is close to a wavelength of the input light. 前記入力光が前記ホトニック結晶中を複数回通過して出力されるように構成されていることを特徴とする請求項1または2記載の光波形整形装置。  3. The optical waveform shaping device according to claim 1, wherein the input light is configured to pass through the photonic crystal a plurality of times and output. 前記分散媒質である前記ホトニック結晶に加えて、
前記ホトニック結晶中を通過する往復光路が形成されるように配置された一対の反射手段と、
前記往復光路上に設置され、前記往復光路から入力された光に対して、再び前記往復光路に出力するか、または、装置外部への出力光路に出力するかを切換可能に構成された光出力手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項3記載の光波形整形装置。
In addition to the photonic crystal as the dispersion medium,
A pair of reflecting means arranged to form a reciprocating optical path passing through the photonic crystal;
Light output installed on the reciprocating optical path and configured to switch whether light input from the reciprocating optical path is output again to the reciprocating optical path or output to the output optical path to the outside of the apparatus. 4. The optical waveform shaping device according to claim 3, further comprising means.
前記ホトニック結晶として、それぞれ前記入力光が通過するとともに、前記入力光の波長に対して一方の波長分散特性を正、他方の波長分散特性を負とすることが可能な2個のホトニック結晶を用いることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の光波形整形装置。  As the photonic crystals, two photonic crystals are used that allow the input light to pass therethrough and have one chromatic dispersion characteristic positive and the other chromatic dispersion characteristic negative with respect to the wavelength of the input light. The optical waveform shaping device according to any one of claims 1 to 4. 前記分散媒質である前記ホトニック結晶に加えて、
前記ホトニック結晶中を前記入力光が通過して出力された光を入力する光学装置と、
前記光学装置から出力された光を入力して、前記ホトニック結晶とは逆の波長分散を発生させる波長分散素子と
をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の光波形整形装置。
In addition to the photonic crystal as the dispersion medium,
An optical device for inputting the light output through the input light through the photonic crystal;
6. The light according to claim 1, further comprising a wavelength dispersion element that receives light output from the optical device and generates chromatic dispersion opposite to that of the photonic crystal. Waveform shaping device.
前記ホトニック結晶を収容する容器をさらに備え、前記外力印加手段は、前記容器内に収容された前記ホトニック結晶に対して一定方向に圧力を前記外力として印加することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の光波形整形装置。Further comprising a container for accommodating the photonic crystal, said external force applying means according to claim 1, wherein applying a pressure in a certain direction with respect to the contained the photonic crystal on the container as said external force The optical waveform shaping device according to any one of the above. 前記容器の外壁の少なくとも一部分が透明とされている、または、この部分に透明の窓が設けられていることを特徴とする請求項記載の光波形整形装置。8. The optical waveform shaping device according to claim 7, wherein at least a part of the outer wall of the container is transparent, or a transparent window is provided in this part. 前記外力印加手段は、内径が変化するように変形可能な中空部材であり、前記ホトニック結晶は、前記中空部材内に配置されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の光波形整形装置。The external force applying means is a deformable hollow member such internal diameter is changed, the photonic crystal, any one of claims 1 to 6, characterized in that it is disposed in the hollow member Optical waveform shaping device. 前記外力印加手段は、電気的な入力に応じて変形する圧電素子であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載の光波形整形装置。The external force applying unit, an optical waveform shaping device according to any one of claims 1-8, characterized in that the piezoelectric element that deforms in response to electrical input. 前記容器は、半導体基板を加工することによって形成されているとともに、前記外力印加手段は、前記半導体基板上に形成された、電気的な入力に応じて変形する圧電素子であることを特徴とする請求項記載の光波形整形装置。The container is formed by processing a semiconductor substrate, and the external force applying means is a piezoelectric element formed on the semiconductor substrate and deformed according to an electrical input. The optical waveform shaping device according to claim 7 . 前記外力印加手段は、手動入力に応じて前記ホトニック結晶を押圧する押圧機構であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の光波形整形装置。The external force applying unit, an optical waveform shaping device of any one of claims 1 to 6, characterized in that a pressing mechanism for pressing the photonic crystal according to manual input. 前記ホトニック結晶の前記ホトニックバンド構造に応じて変化する、前記ホトニック結晶からの出力光に関する物理量を測定し、その測定値に基づいて前記波長分散制御手段による前記波長分散特性の保持または変化を制御するフィードバック手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項記載の光波形整形装置。 A physical quantity relating to the output light from the photonic crystal, which changes according to the photonic band structure of the photonic crystal, is measured, and holding or changing the chromatic dispersion characteristic by the chromatic dispersion control means is controlled based on the measured value optical waveform shaping apparatus according to any one of claims 1 to 12, characterized in that it further comprises feedback means for. 前記ホトニック結晶を加熱するヒータと、前記ホトニック結晶の温度を測定する温度センサとをさらに備え、前記温度センサによって測定された温度に基づいて前記ヒータによる加熱を制御することを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項記載の光波形整形装置。2. The apparatus according to claim 1, further comprising a heater for heating the photonic crystal and a temperature sensor for measuring a temperature of the photonic crystal, and controlling heating by the heater based on the temperature measured by the temperature sensor. The optical waveform shaping device according to any one of to 13 . 前記ホトニック結晶は、ゲル状の物質内にシリカまたはチタン酸バリウムの微小球を複数含有してなることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項記載の光波形整形装置。The photonic crystal has a gel-like optical waveform shaping device of any one of claims 1-14, characterized in that silica or microspheres barium titanate and comprising a plurality contained in materials. 前記ホトニック結晶は、ゲル状の物質内に形成された微小空間を複数含有してなることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項記載の光波形整形装置。The photonic crystals, optical waveform shaping apparatus according to any one of claims 1-14, characterized in that the gel-like minute space formed in the material comprising a plurality contained.
JP2001124598A 2001-04-23 2001-04-23 Optical waveform shaping device Expired - Fee Related JP4514984B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001124598A JP4514984B2 (en) 2001-04-23 2001-04-23 Optical waveform shaping device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001124598A JP4514984B2 (en) 2001-04-23 2001-04-23 Optical waveform shaping device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002318354A JP2002318354A (en) 2002-10-31
JP4514984B2 true JP4514984B2 (en) 2010-07-28

Family

ID=18973960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001124598A Expired - Fee Related JP4514984B2 (en) 2001-04-23 2001-04-23 Optical waveform shaping device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4514984B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4978943B2 (en) * 2003-12-17 2012-07-18 オリンパス株式会社 Photonic crystal
JP5164086B2 (en) * 2005-03-04 2013-03-13 独立行政法人物質・材料研究機構 Method and apparatus for detecting distortion of an object
US20080316570A1 (en) * 2007-06-20 2008-12-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Optical modulator module and temperature sensor
EP3324166A1 (en) * 2016-11-22 2018-05-23 Nokia Technologies OY Force sensing

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000035554A (en) * 1998-04-23 2000-02-02 Furukawa Electric Co Ltd:The Light wavelength adjusting device and light source using it, light wavelength separator, and multi-wavelength optical communication system
JP2000121987A (en) * 1998-10-20 2000-04-28 Nec Corp Wavelength dispersion compensator
JP2001004859A (en) * 1999-05-14 2001-01-12 Lucent Technol Inc Manufacture of article containing material exhibiting periodicity
WO2001018283A1 (en) * 1999-09-07 2001-03-15 Qinetiq Limited Colloidal photonic crystals
JP2001072414A (en) * 1999-09-01 2001-03-21 Japan Science & Technology Corp Photonic crystal and its production
JP2001091912A (en) * 1999-09-24 2001-04-06 Toshiba Corp Optical element and demultiplexer

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10206753A (en) * 1997-01-28 1998-08-07 Nec Corp Variable wavelength optical device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000035554A (en) * 1998-04-23 2000-02-02 Furukawa Electric Co Ltd:The Light wavelength adjusting device and light source using it, light wavelength separator, and multi-wavelength optical communication system
JP2000121987A (en) * 1998-10-20 2000-04-28 Nec Corp Wavelength dispersion compensator
JP2001004859A (en) * 1999-05-14 2001-01-12 Lucent Technol Inc Manufacture of article containing material exhibiting periodicity
JP2001072414A (en) * 1999-09-01 2001-03-21 Japan Science & Technology Corp Photonic crystal and its production
WO2001018283A1 (en) * 1999-09-07 2001-03-15 Qinetiq Limited Colloidal photonic crystals
JP2001091912A (en) * 1999-09-24 2001-04-06 Toshiba Corp Optical element and demultiplexer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002318354A (en) 2002-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4619507B2 (en) Optical fiber coupling device, wavelength tunable device, pressure sensor, acceleration sensor, and optical device
WO2002027384A1 (en) Optical device
US20070196048A1 (en) Optical waveform shaping
KR100405581B1 (en) Process and device for producing optical element
JP4627362B2 (en) Tunable light source
CA3034584A1 (en) Femtosecond laser inscription
WO2001044863A1 (en) Ultrabroad-band variable-wavelength wavelength-multiplexed pulse waveform shaping device
JPH04503429A (en) microchip laser
WO2013132266A2 (en) Optical device
JP2019522361A (en) Distributed adjustment unit
JP4514984B2 (en) Optical waveform shaping device
WO2009126810A2 (en) Phase modulator system for generating millijoule level few-cycle laser pulses
Radzewicz et al. Piezo-driven deformable mirror for femtosecond pulse shaping
JP2002350908A (en) Ray deflector using photonic crystal, optical switch suing this device and ray deflection method
Siegle et al. Split-disk micro-lasers: Tunable whispering gallery mode cavities
TWI223484B (en) A multi-wavelength external-cavity laser with digital and mode-hop-free fine tuning mechanisms
WO2011075851A1 (en) System and method for the spatial tailoring of laser light using temporal phase modulation
JP2006349776A (en) Wavelength selection element
WO2017059018A1 (en) Laser pulse including a flat top
Silva et al. Reflectivity and bandwidth modulation of fiber Bragg gratings in a suspended core fiber by tunable acoustic waves
WO1997031289A1 (en) Apparatus and method for controlling the spectral response of a waveguide bragg grating
JP2013142867A (en) Ultrasonic variable-focal length lens array and control method of the same
JPH08286056A (en) Method and device for producing fiber grating
JP2004165393A (en) Wavelength conversion laser equipment
Douglass et al. Rapid prototyping of arrayed waveguide gratings

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100209

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100409

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20100409

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100511

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100512

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees