JP2002318354A - Light waveform shaping device - Google Patents

Light waveform shaping device

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JP2002318354A
JP2002318354A JP2001124598A JP2001124598A JP2002318354A JP 2002318354 A JP2002318354 A JP 2002318354A JP 2001124598 A JP2001124598 A JP 2001124598A JP 2001124598 A JP2001124598 A JP 2001124598A JP 2002318354 A JP2002318354 A JP 2002318354A
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研策 伊藤
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Masaomi Kosaka
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light waveform shaping device which can sufficiently vary chromatic dispersion characteristics. SOLUTION: Plastic photonic crystal 2 is formed by incorporating micro spheres or air bubbles of silica or barium titanate in a gel of a substance and used as a dispersing medium which gives chromatic dispersion to input light. When the photonic crystal 2 is applied with an external force by an external force applying means 3 constituting a chromatic dispersion control means, the photonic crystal 2 deforms and its photonic band structure and chromatic dispersion characteristics accompanying the band structure easily vary. Consequently, the light wavelength shaping device is actualized which can sufficiently vary the chromatic dispersion characteristics by the application of the external force.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ホトニック結晶を
用いた光波形整形装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveform shaping device using a photonic crystal.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体単結晶は、特定の原子が周期的か
つ規則的に配列してなる物質である。このような半導体
単結晶中での電子伝搬特性は、結晶を構成している原子
の種類とその配列の原子間隔とによって決定される。す
なわち、半導体単結晶中での電子伝搬特性は、電子の波
動性と、構成原子による周期ポテンシャルとに起因して
発生するエネルギーバンドギャップを有するバンド構造
を示す。
2. Description of the Related Art A semiconductor single crystal is a substance in which specific atoms are periodically and regularly arranged. The electron propagation characteristics in such a semiconductor single crystal are determined by the type of atoms constituting the crystal and the atomic spacing of the arrangement. That is, the electron propagation characteristics in the semiconductor single crystal indicate a band structure having an energy band gap generated due to the wave nature of the electrons and the periodic potential due to the constituent atoms.

【0003】これに対して、ホトニック結晶は、電子に
対する上記のバンド構造と同様に、光に対するバンド構
造を有するものとしてヤブラノビッチ(Yablonovich)
氏等によって提案された3次元構造体である。ホトニッ
ク結晶では、光の波動性と、光に対するポテンシャル差
となる屈折率差を有する物質を光の波長程度の周期で配
列してなる周期構造とによって、光に対するバンド構造
を生成する。
[0003] On the other hand, a photonic crystal has a band structure for light, similar to the above band structure for electrons, and has a structure similar to that of Yablonovich.
It is a three-dimensional structure proposed by Mr. et al. In a photonic crystal, a band structure with respect to light is generated by the wave property of light and a periodic structure in which substances having a refractive index difference, which is a potential difference with respect to light, are arranged at a period about the wavelength of light.

【0004】ホトニック結晶中においては、その3次元
構造による光の波動性の束縛条件によって光伝搬特性が
制限される。すなわち、ホトニック結晶中では、光に対
するエネルギーバンドギャップであるホトニックバンド
ギャップが存在し、特定の波長帯域の光が結晶内を伝搬
できないなど、入射光の波長とその伝搬方向とによって
結晶構造特有の性質を示す。ファブリペロー干渉計や多
層膜鏡なども、0次元あるいは1次元のホトニック結晶
である。
[0004] In a photonic crystal, the light propagation characteristics are limited by the constraints on the wave nature of light due to its three-dimensional structure. That is, in a photonic crystal, there is a photonic band gap, which is an energy band gap for light, and light in a specific wavelength band cannot propagate through the crystal. Show properties. Fabry-Perot interferometers, multilayer mirrors, and the like are also zero-dimensional or one-dimensional photonic crystals.

【0005】従来、様々なホトニック結晶が提案されて
いる。例えば、サブミクロンサイズの粒子を光の波長程
度の周期で配列してなるものがある。また、マイクロ波
帯であれば、粒子としてのポリマー球を空間中に配列す
るものが知られている。
Conventionally, various photonic crystals have been proposed. For example, there is a type in which particles of submicron size are arranged at a cycle of about the wavelength of light. In the case of a microwave band, a type in which polymer spheres as particles are arranged in a space is known.

【0006】この他、ポリマー球を金属内で固化させた
後で化学的にポリマー球を溶解することにより周期的微
小空間を金属中に形成するものや、金属中に等間隔で穴
を開けるもの、固体材料中にレーザを用いて屈折率が周
囲と異なる領域を形成するもの、光重合性ポリマーをリ
ソグラフィ技術を用いて溝状に加工したものなどがあ
る。
In addition, a method in which a polymer microsphere is solidified in a metal and then the polymer sphere is chemically dissolved to form a periodic minute space in the metal, and a hole is formed in the metal at regular intervals. And a solid material in which a region having a different refractive index from the surroundings is formed using a laser, and a photopolymerizable polymer processed into a groove shape using a lithography technique.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】これらの加工によって
形成されたホトニック結晶は、ホトニックバンドギャッ
プを生成するために高い精度で作成されている。そし
て、いったん結晶構造が決定されると、ホトニック結晶
は、その構造に応じて一意的に決定されるホトニックバ
ンド構造を有することとなる。
The photonic crystals formed by these processes are produced with high precision in order to generate a photonic band gap. Then, once the crystal structure is determined, the photonic crystal has a photonic band structure uniquely determined according to the structure.

【0008】一方、このようなホトニック結晶は、異な
る波長における透過特性や反射特性がバンド構造によっ
て異なるため、そのホトニックバンド構造に対応した波
長分散特性を有する。この波長分散特性は、光波形整形
装置などに応用することが可能であると考えられる。し
かしながら、このような光波形整形装置においては、ホ
トニック結晶のホトニックバンド構造を充分に変化させ
ることができないため、その波長分散特性を可変とする
ことができない。
On the other hand, such a photonic crystal has a wavelength dispersion characteristic corresponding to the photonic band structure because transmission characteristics and reflection characteristics at different wavelengths differ depending on the band structure. It is considered that this wavelength dispersion characteristic can be applied to an optical waveform shaping device or the like. However, in such an optical waveform shaping device, since the photonic band structure of the photonic crystal cannot be sufficiently changed, the wavelength dispersion characteristics cannot be made variable.

【0009】本発明は、以上の問題点を解決するために
なされたものであり、波長分散特性を充分に変化させる
ことが可能な光波形整形装置を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide an optical waveform shaping device capable of sufficiently changing chromatic dispersion characteristics.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による光波形整形装置は、所定波長帯
域内の入力光に対して、所定の波長分散を発生させる光
波形整形装置であって、ホトニックバンド構造と、波長
毎に屈折率が異なる波長分散特性とを有し、かつ、外力
または外場を印加することにより波長分散特性が変化す
る可塑性のホトニック結晶からなる分散媒質と、ホトニ
ック結晶の波長分散特性を保持または変化させる波長分
散制御手段とを備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, an optical waveform shaping device according to the present invention provides an optical waveform shaping device for generating a predetermined chromatic dispersion for input light within a predetermined wavelength band. A dispersion medium comprising a plastic photonic crystal having a photonic band structure and a wavelength dispersion characteristic having a different refractive index for each wavelength, and having a wavelength dispersion characteristic changed by applying an external force or an external field. And a wavelength dispersion control means for maintaining or changing the wavelength dispersion characteristics of the photonic crystal.

【0011】上記した光波形整形装置においては、入力
光に対して波長分散を発生させる分散媒質として、可塑
性のホトニック結晶を用いている。このとき、波長分散
制御手段を介して外力を加えてホトニック結晶を変形さ
せると、ホトニックバンド構造(ホトニックバンドギャ
ップ)が大きく変化し、ホトニック結晶での波長分散特
性(群速度または群速度分散特性)を充分に変化させる
ことが可能となる。
In the above-described optical waveform shaping device, a plastic photonic crystal is used as a dispersion medium for generating wavelength dispersion for input light. At this time, if the photonic crystal is deformed by applying an external force through the wavelength dispersion control means, the photonic band structure (photonic band gap) changes greatly, and the wavelength dispersion characteristics (group velocity or group velocity dispersion) of the photonic crystal are changed. Characteristic) can be changed sufficiently.

【0012】また、波長分散制御手段を介して外場を加
えた場合にも、同様にホトニックバンド構造及び波長分
散特性を変化させることが可能である。このような外場
としては、例えば、ホトニック結晶での屈折率や周期構
造の位置などを変化させる電場、磁場、力、温度場など
の場がある。
Also, when an external field is applied via the chromatic dispersion control means, the photonic band structure and the chromatic dispersion characteristics can be similarly changed. As such an external field, for example, there are fields such as an electric field, a magnetic field, a force, and a temperature field that change the refractive index and the position of the periodic structure in the photonic crystal.

【0013】また、このような光波形整形装置において
は、ホトニック結晶自体の容積を小さくした場合におい
ても、有効に光波形の整形を行うことができるので、装
置全体を小型化することもできる。
In such an optical waveform shaping device, even when the volume of the photonic crystal itself is reduced, the optical waveform can be effectively shaped, so that the entire device can be reduced in size.

【0014】また、ホトニック結晶は、ホトニックバン
ド構造におけるホトニックバンドギャップの波長が、入
力光の波長近傍となるように形成されていることを特徴
とする。このような波長構成とすることによって、入力
光に対して充分な波長分散を発生させて、光波形の整形
を効率的に行うことができる。
Further, the photonic crystal is characterized in that the photonic band gap in the photonic band structure is formed so as to have a wavelength near the wavelength of the input light. With such a wavelength configuration, it is possible to generate sufficient chromatic dispersion for the input light and to efficiently shape the optical waveform.

【0015】また、入力光がホトニック結晶中を複数回
通過して出力されるように構成されていることを特徴と
する。このような構成によれば、入力光に発生される波
長分散を大きくすることができる。
Further, it is characterized in that the input light is configured to pass through the photonic crystal a plurality of times and to be output. According to such a configuration, the chromatic dispersion generated in the input light can be increased.

【0016】このように光を複数回通過させる構成とし
ては、例えば、分散媒質であるホトニック結晶に加え
て、ホトニック結晶中を通過する往復光路が形成される
ように配置された一対の反射手段と、往復光路上に設置
され、往復光路から入力された光に対して、再び往復光
路に出力するか、または、装置外部への出力光路に出力
するかを切換可能に構成された光出力手段とをさらに備
えることが好ましい。光出力手段としては、例えば、ポ
ッケルスセルなどの切換可能な偏光素子と偏光ビームス
プリッタとを組合せる構成などがある。
As a configuration for transmitting light a plurality of times as described above, for example, in addition to a photonic crystal which is a dispersion medium, a pair of reflecting means arranged to form a reciprocating optical path passing through the photonic crystal may be used. An optical output means installed on the reciprocating optical path and configured to be able to switch between light output from the reciprocating optical path and output to the reciprocating optical path or output to the output optical path to the outside of the apparatus. It is preferable to further include As the light output means, for example, there is a configuration in which a switchable polarization element such as a Pockels cell and a polarization beam splitter are combined.

【0017】また、ホトニック結晶として、それぞれ入
力光が通過するとともに、入力光の波長に対して一方の
波長分散特性を正、他方の波長分散特性を負とすること
が可能な2個のホトニック結晶を用いることを特徴とす
る。このように、逆符号の波長分散特性を有するホトニ
ック結晶を組合せることによって、様々な光波形の整形
が可能となる。
Further, as the photonic crystal, two photonic crystals capable of passing input light and having one wavelength dispersion characteristic positive and the other wavelength dispersion characteristic negative with respect to the wavelength of the input light are used. Is used. Thus, various optical waveforms can be shaped by combining photonic crystals having wavelength dispersion characteristics of opposite signs.

【0018】さらに、分散媒質であるホトニック結晶に
加えて、ホトニック結晶中を入力光が通過して出力され
た光を入力して、所定の変換を行う光学装置と、光学装
置から出力された光を入力して、ホトニック結晶とは逆
の波長分散を発生させる波長分散素子とをさらに備える
ことを特徴とする。光学装置の後段に設置される波長分
散素子については、前段の分散媒質と同様にホトニック
結晶を用いても良い。
Further, in addition to the photonic crystal, which is a dispersion medium, an optical device for inputting light output from an input light passing through the photonic crystal and performing a predetermined conversion, and a light output from the optical device. And a wavelength dispersion element that generates a wavelength dispersion opposite to that of the photonic crystal. As for the wavelength dispersion element provided at the subsequent stage of the optical device, a photonic crystal may be used similarly to the dispersion medium at the previous stage.

【0019】波長分散制御手段の構成については、波長
分散制御手段は、ホトニック結晶への外力の印加を行う
外力印加手段を含むことを特徴とする。外力印加手段と
しては、様々なものがある。
The chromatic dispersion control means is characterized in that the chromatic dispersion control means includes external force applying means for applying an external force to the photonic crystal. There are various external force applying means.

【0020】例えば、ホトニック結晶を収容する容器を
さらに備え、外力印加手段は、容器内に収容されたホト
ニック結晶に対して一定方向に圧力を外力として印加す
ることを特徴とした構成がある。この場合、容器の外壁
によってホトニック結晶を保持し、所望の外力以外の力
による変形を抑制するとともに、その変形方向を制限す
ることができる。
For example, there is a configuration in which a container for storing a photonic crystal is further provided, and the external force applying means applies a pressure as an external force in a certain direction to the photonic crystal stored in the container. In this case, the photonic crystal can be held by the outer wall of the container, and deformation due to a force other than a desired external force can be suppressed, and the direction of the deformation can be restricted.

【0021】このとき、容器の外壁の少なくとも一部分
が透明とされている、または、この部分に透明の窓が設
けられていることが好ましい。この場合、入力光は、入
力光に対して透明な外壁または窓の部分を介してホトニ
ック結晶内に導入されるが、ホトニック結晶は容器の外
壁によって保持されるので、部品点数を減らすことがで
きる。
At this time, it is preferable that at least a part of the outer wall of the container is made transparent or a transparent window is provided in this part. In this case, the input light is introduced into the photonic crystal via an outer wall or window portion transparent to the input light, but the photonic crystal is held by the outer wall of the container, so that the number of parts can be reduced. .

【0022】また、容器は、半導体基板を加工すること
によって形成されているとともに、外力印加手段は、半
導体基板上に形成された、電気的な入力に応じて変形す
る圧電素子であることが好ましい。この場合、半導体基
板に形成された凹部などの容器内にホトニック結晶が配
置され、この半導体基板上に圧電素子が形成されるの
で、半導体微細加工技術を用いてこれらを形成すること
ができ、装置全体を小型化することができる。
Preferably, the container is formed by processing a semiconductor substrate, and the external force applying means is a piezoelectric element formed on the semiconductor substrate and deforming in response to an electric input. . In this case, a photonic crystal is arranged in a container such as a concave portion formed in a semiconductor substrate, and a piezoelectric element is formed on the semiconductor substrate. The whole can be reduced in size.

【0023】また、外力印加手段は、内径が変化するよ
うに変形可能な中空部材であり、ホトニック結晶は、中
空部材内に配置されていることを特徴とした構成があ
る。中空部材は内径が変化するように変形するので、こ
の変形に応じてホトニック結晶は中空部材の長手方向に
伸縮するように変形する。入力光はホトニック結晶の長
手方向の一端から入力され、出力光は他端から出力され
る。したがって、この場合、径方向の光の広がりを抑制
することができ、出力光の単位面積当たりの強度低下を
抑制することができる。
The external force applying means is a hollow member which can be deformed so as to change its inner diameter, and the photonic crystal is arranged in the hollow member. Since the hollow member is deformed so as to change the inner diameter, the photonic crystal is deformed in accordance with this deformation so as to expand and contract in the longitudinal direction of the hollow member. Input light is input from one end of the photonic crystal in the longitudinal direction, and output light is output from the other end. Therefore, in this case, the spread of light in the radial direction can be suppressed, and a decrease in the intensity of output light per unit area can be suppressed.

【0024】また、外力印加手段は、電気的な入力に応
じて変形する圧電素子であることを特徴とする構成があ
る。この場合、電気的な入力で圧電素子が変形すること
により、ホトニック結晶に外力を印加するので、特定の
計測値等に基づいて電気的な入力を行うシステムを構成
することができる。
Further, there is a configuration in which the external force applying means is a piezoelectric element which is deformed in response to an electric input. In this case, since an external force is applied to the photonic crystal when the piezoelectric element is deformed by an electric input, a system for performing an electric input based on a specific measured value or the like can be configured.

【0025】また、外力印加手段は、手動入力に応じて
ホトニック結晶を押圧する押圧機構であることを特徴と
する構成がある。この場合、計測系において、手動によ
る外力の調整が可能となる。
The external force applying means may be a pressing mechanism for pressing the photonic crystal in response to a manual input. In this case, the external force can be manually adjusted in the measurement system.

【0026】さらに、ホトニック結晶のホトニックバン
ド構造に応じて変化する物理量を測定し、その測定値に
基づいて波長分散制御手段による波長分散特性の保持ま
たは変化を制御するフィードバック手段をさらに備える
ことを特徴とする。所望の波長分散特性にする場合に
は、これに対応するホトニックバンド構造に応じて変化
する物理量を測定して、フィードバック手段によって波
長分散制御手段の動作を制御することができる。例え
ば、波長分散制御手段が外力印加手段を含む場合には、
外力印加手段による外力の印加が制御される。
Further, the apparatus further comprises feedback means for measuring a physical quantity which changes in accordance with the photonic band structure of the photonic crystal, and controlling retention or change of the chromatic dispersion characteristic by the chromatic dispersion control means based on the measured value. Features. When a desired chromatic dispersion characteristic is obtained, a physical quantity that changes according to the corresponding photonic band structure can be measured, and the operation of the chromatic dispersion control means can be controlled by the feedback means. For example, when the chromatic dispersion control means includes an external force applying means,
The application of the external force by the external force applying means is controlled.

【0027】また、ホトニック結晶を加熱するヒータ
と、ホトニック結晶の温度を測定する温度センサとをさ
らに備え、温度センサによって測定された温度に基づい
てヒータによる加熱を制御することを特徴とする。この
場合、ホトニック結晶の温度を温度センサによって測定
しつつ加熱を行うので、ホトニック結晶の温度を所望の
値、好ましくはほぼ一定な値とすることができ、ホトニ
ックバンド構造及び波長分散特性の温度による変化を抑
制することができる。
Further, the apparatus further comprises a heater for heating the photonic crystal, and a temperature sensor for measuring the temperature of the photonic crystal, wherein the heating by the heater is controlled based on the temperature measured by the temperature sensor. In this case, since the heating is performed while measuring the temperature of the photonic crystal with a temperature sensor, the temperature of the photonic crystal can be set to a desired value, preferably a substantially constant value, and the temperature of the photonic band structure and the wavelength dispersion characteristic can be increased. Can be suppressed.

【0028】また、光波形整形装置に用いられるホトニ
ック結晶としては、ゲル状の物質内にシリカまたはチタ
ン酸バリウムの微小球を複数含有してなることを特徴と
するものがある。また、ホトニック結晶は、ゲル状の物
質内に形成された微小空間を複数含有してなることとし
ても良い。これらの場合、ホトニック結晶を容易に変形
させることが可能な可塑性のホトニック結晶とすること
ができる。
As a photonic crystal used in the optical waveform shaping device, there is a photonic crystal characterized by containing a plurality of silica or barium titanate microspheres in a gel substance. Further, the photonic crystal may include a plurality of microspaces formed in a gel-like substance. In these cases, a plastic photonic crystal that can easily deform the photonic crystal can be obtained.

【0029】また、波長分散制御手段は、ホトニック結
晶への外場の印加を行う外場印加手段を含むことを特徴
としても良い。外場印加手段としては、様々なものがあ
る。
The wavelength dispersion controlling means may include an external field applying means for applying an external field to the photonic crystal. There are various external field applying means.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
光波形整形装置の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the optical waveform shaping device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same elements will be denoted by the same reference symbols, without redundant description. Also, the dimensional ratios in the drawings do not always match those described.

【0031】図1は、本発明による光波形整形装置の一
実施形態を概略的に示す構成図である。この光波形整形
装置は、所定波長帯域内の波長を有する入力光に対して
所望の波長分散を与えて、その光波形を整形する光波形
整形装置である。光波形整形装置では、所定波長帯域内
で波長毎に屈折率が異なる波長分散特性を有する分散媒
質によって、光波形が整形される。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing an embodiment of an optical waveform shaping device according to the present invention. This optical waveform shaping device is an optical waveform shaping device that gives desired wavelength dispersion to input light having a wavelength within a predetermined wavelength band and shapes the optical waveform. In an optical waveform shaping device, an optical waveform is shaped by a dispersion medium having a wavelength dispersion characteristic having a different refractive index for each wavelength within a predetermined wavelength band.

【0032】図1に示す光波形整形装置は、土台1と、
土台1上に設置された分散媒質であるホトニック結晶2
と、ホトニック結晶2に外力を印加する(外力を増加ま
たは減少させる)外力印加手段である加圧/減圧装置3
とを有して構成されている。また、ホトニック結晶2の
入力側には第1光学素子5が、出力側には第2光学素子
6がそれぞれ設置されている。これら入力側及び出力側
の光学素子5、6は、それぞれ必要に応じて設置される
ものであり、両者とも設置されない構成であっても良
い。
The optical waveform shaping device shown in FIG.
Photonic crystal 2 which is a dispersion medium installed on a base 1
Pressurizing / depressurizing device 3 which is an external force applying means for applying an external force to the photonic crystal 2 (increasing or decreasing the external force)
And is configured. A first optical element 5 is provided on the input side of the photonic crystal 2, and a second optical element 6 is provided on the output side. The optical elements 5 and 6 on the input side and the output side are respectively installed as necessary, and a configuration in which neither is installed may be adopted.

【0033】ホトニック結晶2は、その結晶構造に応じ
て、ホトニックバンド構造、及びそれに対応する波長分
散特性を有する。また、このホトニック結晶2は可塑性
であり、後述するように、外力の印加によって精度良く
変形し、変形に応じてその波長分散特性が変化するもの
である。すなわち、加圧/減圧装置3での外力の印加に
よってホトニック結晶2を変形させると、そのホトニッ
クバンド構造及び対応する波長分散特性が変化する。
The photonic crystal 2 has a photonic band structure and a wavelength dispersion characteristic corresponding to the photonic band structure according to the crystal structure. The photonic crystal 2 is plastic and, as described later, is deformed with high accuracy by the application of an external force, and its wavelength dispersion characteristic changes according to the deformation. That is, when the photonic crystal 2 is deformed by application of an external force in the pressurizing / depressurizing device 3, the photonic band structure and the corresponding wavelength dispersion characteristics change.

【0034】加圧/減圧装置3は、外力制御手段である
外圧制御装置4によって制御され、外圧制御装置4は上
記外力の大きさ及びその印加時間を精度良く制御する。
本実施形態においては、この加圧/減圧装置(外力印加
手段)3及び外圧制御装置4によって、ホトニック結晶
2の波長分散特性を保持または変化させる波長分散制御
手段が構成されている。
The pressurizing / depressurizing device 3 is controlled by an external pressure control device 4 which is an external force control means. The external pressure control device 4 accurately controls the magnitude of the external force and the application time.
In the present embodiment, the pressurizing / depressurizing device (external force applying means) 3 and the external pressure control device 4 constitute a chromatic dispersion control means for maintaining or changing the chromatic dispersion characteristics of the photonic crystal 2.

【0035】光波形を整形する対象となる所定波長帯域
内の入力光は、第1光学素子5を介してホトニック結晶
2に入射される。このとき、ホトニック結晶2中を伝搬
される入力光に対して、ホトニック結晶2の波長分散特
性に応じた波長分散が発生する。所望の波長分散が与え
られて光波形が整形された光は、ホトニック結晶2から
出射され、第2光学素子6を介して光波形整形装置の外
部へと出力光として出力される。
The input light within a predetermined wavelength band whose optical waveform is to be shaped is incident on the photonic crystal 2 via the first optical element 5. At this time, chromatic dispersion according to the chromatic dispersion characteristics of the photonic crystal 2 occurs for the input light propagating in the photonic crystal 2. The light having the desired wavelength dispersion and shaped into an optical waveform is emitted from the photonic crystal 2 and output as output light to the outside of the optical waveform shaping device via the second optical element 6.

【0036】上記した光波形整形装置に用いられる可塑
性のホトニック結晶2について説明する。図2は、ホト
ニック結晶2の一例を示す斜視図である。
The plastic photonic crystal 2 used in the optical waveform shaping device will be described. FIG. 2 is a perspective view illustrating an example of the photonic crystal 2.

【0037】このホトニック結晶2は、ゲル状の物質2
G内にシリカまたはチタン酸バリウムの微小球(光学的
な微結晶)2Bを複数含有してなる。このホトニック結
晶2は可塑性であり、容易に変形させることができる。
微小球2Bは、物質2G内に光の波長程度の周期で規則
的に均一に配列されている。
This photonic crystal 2 is a gel-like substance 2
G contains a plurality of silica or barium titanate microspheres (optical microcrystals) 2B. This photonic crystal 2 is plastic and can be easily deformed.
The microspheres 2B are regularly and uniformly arranged in the material 2G at a period about the wavelength of light.

【0038】微小球2Bの間隔は、光波形を整形する対
象となる入力光の波長帯域に応じて、例えば波長の半分
から1/4程度に設定される。この結晶構造により、ホ
トニック結晶2内においてホトニックバンド構造が生成
される。また、ゲルは外力によって容易に変形するた
め、ホトニック結晶2の結晶構造、したがってそのホト
ニックバンド構造が容易に変化する。この変化によっ
て、ホトニック結晶2を通過する光に対する波長分散特
性も同様に変化する。なお、微小球2Bと物質2Gとは
屈折率が異なり、また、双方とも選択する光の波長に対
して透明であるか、適当な透過率を有するものである。
The interval between the microspheres 2B is set to, for example, about half to one-fourth of the wavelength in accordance with the wavelength band of the input light whose optical waveform is to be shaped. With this crystal structure, a photonic band structure is generated in the photonic crystal 2. In addition, since the gel is easily deformed by an external force, the crystal structure of the photonic crystal 2 and therefore the photonic band structure thereof are easily changed. Due to this change, the wavelength dispersion characteristic for light passing through the photonic crystal 2 also changes. The microsphere 2B and the substance 2G have different refractive indices, and both are transparent to the selected light wavelength or have an appropriate transmittance.

【0039】例えば、ゾルの材料として紫外線硬化樹脂
を混ぜたものを用い、これに紫外線を照射してゲル化す
ることによって、上記したゲル状の物質2Gが得られ
る。代表的な紫外線硬化樹脂は、アクリルアミドに架橋
剤及び光重合開始剤を混ぜたものであり、従来から多く
のものが知られている。また、この微小球2Bの周期構
造数は50程度で良いため、ホトニック結晶2は最大で
も100μm角程度の素子で充分に機能する。
For example, a material obtained by mixing a sol material with an ultraviolet curable resin and irradiating it with ultraviolet light to form a gel can obtain the above-mentioned gel-like substance 2G. A typical UV-curable resin is a mixture of acrylamide with a crosslinking agent and a photopolymerization initiator, and many of them are conventionally known. In addition, since the number of periodic structures of the microspheres 2B may be about 50, the photonic crystal 2 sufficiently functions with an element having a size of about 100 μm square at the maximum.

【0040】また、ホトニック結晶2の他の例として
は、図2に示した構成のホトニック結晶2において、ゲ
ル状の物質2G内に配列される微小球2Bを微小空間に
置き換えたものを用いても良い。具体的な微小空間とし
ては、ゲル状の物質2G内に複数の気泡を配列する構成
などが可能である。このようなホトニック結晶2も、同
様に外力によって容易に変形させることができる。
Another example of the photonic crystal 2 is a photonic crystal 2 having the configuration shown in FIG. 2 in which the microspheres 2B arranged in the gel material 2G are replaced with microspaces. Is also good. As a specific minute space, a configuration in which a plurality of bubbles are arranged in the gel material 2G can be used. Such a photonic crystal 2 can also be easily deformed by an external force.

【0041】上記した光波形整形装置においては、入力
光に対して波長分散を発生させる分散媒質として、可塑
性のホトニック結晶2を用いている。このとき、外力印
加手段3及び外圧制御装置4からなる波長分散制御手段
を介して外力を加えてホトニック結晶2を変形させる
と、ホトニックバンド構造(ホトニックバンドギャッ
プ)が大きく変化し、ホトニック結晶2での波長分散特
性(群速度または群速度分散特性)を充分に変化させる
ことが可能となる。
In the optical waveform shaping device described above, a plastic photonic crystal 2 is used as a dispersion medium for generating wavelength dispersion with respect to input light. At this time, if the photonic crystal 2 is deformed by applying an external force through the wavelength dispersion control means including the external force applying means 3 and the external pressure control device 4, the photonic band structure (photonic band gap) changes greatly, 2 can sufficiently change the wavelength dispersion characteristic (group velocity or group velocity dispersion characteristic).

【0042】すなわち、外力を印加してホトニックバン
ド構造を変化させることが可能なホトニック結晶2を用
いることによって、入力側及び出力側の光学素子5、6
間の波長分散特性が充分に変化する光波形整形装置が得
られる。
That is, by using the photonic crystal 2 capable of changing the photonic band structure by applying an external force, the optical elements 5 and 6 on the input side and the output side are used.
Thus, an optical waveform shaping device in which the wavelength dispersion characteristics between the wavelengths sufficiently changes is obtained.

【0043】このような可塑性のホトニック結晶は、後
述するように、通常のガラスなどに比較して大きな波長
分散特性や、結晶の可塑性に起因する波長領域の変化
(チューニング)性などの特性を有するため、従来の光
波形整形装置に用いられてきたプリズム、回折格子、ガ
ラスブロックなどの波長分散素子に比較して、多くの利
点を有している。
As described later, such a plastic photonic crystal has characteristics such as a larger wavelength dispersion characteristic than ordinary glass or the like and a change (tuning) property in a wavelength region caused by crystal plasticity. Therefore, it has many advantages as compared with wavelength dispersion elements such as prisms, diffraction gratings, and glass blocks used in conventional optical waveform shaping devices.

【0044】例えば、このような光波形整形装置におい
ては、ホトニック結晶2自体の容積を小さくした場合に
おいても、上述したように有効に光波形の整形を行うこ
とができる。したがって、このホトニック結晶2を用い
れば、装置の小型化を達成することができる。なお、ホ
トニック結晶2は弾性を有していても良い。
For example, in such an optical waveform shaping device, even when the volume of the photonic crystal 2 itself is reduced, the optical waveform can be effectively shaped as described above. Therefore, if this photonic crystal 2 is used, the size of the device can be reduced. Note that the photonic crystal 2 may have elasticity.

【0045】また、プリズムなどの従来の波長分散素子
では、入力光の素子への入射方向や角度に波長分散が大
きく影響される。例えば、回折格子では、単位長さ当り
の格子数及び格子の切り込み角度などが決まると、その
波長分散特性が一意的に決まるため、任意の方向から光
を入射させたり、光を何度も入射させるなどの構成とす
ることが難しい。これに対して、ホトニック結晶2を用
いた場合には、様々な構成が可能となる。
In a conventional chromatic dispersion element such as a prism, chromatic dispersion is greatly affected by the incident direction and angle of input light to the element. For example, in the case of a diffraction grating, when the number of gratings per unit length and the cut angle of the grating are determined, the wavelength dispersion characteristics are uniquely determined. Therefore, light can be incident from any direction or light can be incident many times. It is difficult to adopt such a configuration. On the other hand, when the photonic crystal 2 is used, various configurations are possible.

【0046】また、可塑性のないホトニック結晶を用い
た場合、結晶の温度を変えたり、結晶に大強度光を照射
して非線型光学効果を発生させることによって、そのホ
トニックバンド構造を変化させることが可能である。し
かしながら、温度によってバンド構造を制御する場合に
は、その応答が遅いという問題がある。また、光照射に
よって制御する場合には、大強度の励起光が必要とな
り、また、結晶の光学的な劣化を生じるという問題があ
る。また、いずれの制御方法でも、得られる可変範囲は
狭いものとなる。
When a photonic crystal having no plasticity is used, the photonic band structure is changed by changing the temperature of the crystal or irradiating the crystal with high-intensity light to generate a nonlinear optical effect. Is possible. However, when the band structure is controlled by the temperature, there is a problem that the response is slow. Further, in the case of controlling by light irradiation, there is a problem that a high-intensity excitation light is required and optical deterioration of the crystal occurs. Further, in any of the control methods, the obtained variable range is narrow.

【0047】これに対して、外力を印加してホトニック
バンド構造を変化させる可塑性のホトニック結晶によれ
ば、充分な可変範囲で容易に、ホトニックバンド構造及
び波長分散特性を変化させることが可能となる。
On the other hand, according to the plastic photonic crystal in which the photonic band structure is changed by applying an external force, the photonic band structure and the wavelength dispersion characteristic can be easily changed in a sufficient variable range. Becomes

【0048】ホトニック結晶2において生成されるホト
ニックバンド構造及び波長分散特性について、その例を
示しつつ具体的に説明する。
The photonic band structure and wavelength dispersion characteristics generated in the photonic crystal 2 will be specifically described with reference to examples.

【0049】図3は、多層膜構造のホトニック結晶、す
なわちダイクロイックミラーにおける光の透過率(任意
定数)の波長(nm)依存性を示すグラフである。入力
光は白色光である。このグラフでは、ホトニック結晶中
に生成されているホトニックバンドギャップに対応し
て、波長帯域400nm近傍の光の透過率が周囲の波長
帯域よりも低下する透過特性が得られている。なお、こ
のグラフは、上述した構成のホトニック結晶2によるも
のではないが、微小球2Bが完全に等間隔に配列された
場合には、特定の方向に関しては、その光学特性は図3
に示したものと同様となる。
FIG. 3 is a graph showing the wavelength (nm) dependence of light transmittance (arbitrary constant) in a photonic crystal having a multilayer structure, that is, a dichroic mirror. The input light is white light. In this graph, a transmission characteristic is obtained in which the transmittance of light near a wavelength band of 400 nm is lower than the surrounding wavelength band, corresponding to the photonic band gap generated in the photonic crystal. Note that this graph is not based on the photonic crystal 2 having the above-described configuration, but when the microspheres 2B are completely arranged at equal intervals, the optical characteristics of the microspheres 2B in a specific direction are shown in FIG.
Is the same as that shown in FIG.

【0050】このようなホトニックバンド構造を有する
ホトニック結晶は、そのバンド構造に応じた特徴的な波
長分散特性を示す(例えば、文献「Arnout Imhof et a
l., Phys.Rev.Lett. vol.83, p.2942 (1999)」参照)。
すなわち、ホトニック結晶は、異なる波長における透過
特性や反射特性がバンド構造によって異なるため、異な
る波長におけるホトニック結晶中での光の屈折率、すな
わち光の伝搬速度(位相速度、群速度)が異なる波長分
散特性を有する。
A photonic crystal having such a photonic band structure exhibits a characteristic wavelength dispersion characteristic corresponding to the band structure (for example, see Arnout Imhof et al.
l., Phys. Rev. Lett. vol.83, p.2942 (1999) ").
That is, since the photonic crystal has different transmission characteristics and reflection characteristics at different wavelengths depending on the band structure, the refractive index of light in the photonic crystal at different wavelengths, that is, the wavelength dispersion of the light propagation speed (phase velocity, group velocity) differs. Has characteristics.

【0051】図4(a)〜(c)は、ホトニック結晶に
おける波長分散特性の一例を示すグラフである(上記文
献参照)。これらのグラフにおいては、それぞれの横軸
は周波数(1015rad/s)によって示されており、
これは入力光の波長に対応する。また、これらのグラフ
は、溶液中に形成された固定されていないホトニック結
晶を用いて得られたものである。
FIGS. 4A to 4C are graphs showing an example of the wavelength dispersion characteristics of the photonic crystal (see the above-mentioned document). In these graphs, each horizontal axis is indicated by frequency (10 15 rad / s),
This corresponds to the wavelength of the input light. These graphs were obtained using unfixed photonic crystals formed in the solution.

【0052】図4(a)は、ホトニック結晶の透過率の
波長依存性を示すグラフである。このグラフでは、図3
のグラフの場合と同様に、所定の波長近傍(周波数2.
4×1015rad/s近傍)で透過率が低下するホトニ
ックバンド構造が得られている。
FIG. 4A is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the photonic crystal. In this graph, FIG.
As in the case of the graph of FIG.
(Near 4 × 10 15 rad / s), a photonic band structure in which the transmittance is reduced is obtained.

【0053】これに対して、このホトニックバンド構造
に対応するホトニック結晶の波長分散特性が、図4
(b)及び(c)に示されている。図4(b)は、入力
光がホトニック結晶中を通過したときに得られる遅延時
間Δt(ps、群遅延に対応)を、また、図4(c)
は、群速度分散パラメータβ2(ps2/m、群速度分散
に対応)をそれぞれ示している。ここで、これら2つの
グラフにおいては、グラフ中の各点は実測値を示し、実
線は理論的に解析した計算値を示している。
On the other hand, the wavelength dispersion characteristics of the photonic crystal corresponding to this photonic band structure are shown in FIG.
(B) and (c). FIG. 4B shows the delay time Δt (ps, corresponding to the group delay) obtained when the input light passes through the photonic crystal, and FIG.
Indicates group velocity dispersion parameter β 2 (ps 2 / m, corresponding to group velocity dispersion). Here, in these two graphs, each point in the graph indicates an actually measured value, and a solid line indicates a calculated value theoretically analyzed.

【0054】これらの図4(b)及び(c)のグラフに
示すように、ホトニック結晶は、そのホトニックバンド
構造に応じた波長分散特性を示す。したがって、このよ
うな波長分散特性を有するホトニック結晶を、光波形整
形装置の分散媒質として利用することにより、入力光に
対して光波形の整形を行うことが可能となる。特に、ホ
トニック結晶における波長分散の値は、通常のガラスな
どと比較して2〜3桁程度大きく、高い効率での波長分
散の付与、及びそれによる光波形の整形が可能である。
また、分散媒質であるホトニック結晶の容積を小さくし
ても充分な波長分散が得られるので、装置の小型化も可
能である。
As shown in the graphs of FIGS. 4B and 4C, the photonic crystal exhibits wavelength dispersion characteristics according to the photonic band structure. Therefore, by using a photonic crystal having such wavelength dispersion characteristics as a dispersion medium of an optical waveform shaping device, it becomes possible to shape an optical waveform of input light. In particular, the value of the chromatic dispersion in the photonic crystal is about two to three orders of magnitude larger than that of ordinary glass or the like, so that the chromatic dispersion can be imparted with high efficiency and the optical waveform can be shaped thereby.
Further, since a sufficient wavelength dispersion can be obtained even if the volume of the photonic crystal as the dispersion medium is reduced, the size of the apparatus can be reduced.

【0055】具体的には、ホトニック結晶は、図4
(b)及び(c)のグラフに示すように、そのホトニッ
クバンドギャップ近傍で大きい波長分散を示す。このた
め、光波形整形装置に用いるホトニック結晶としては、
ホトニックバンド構造におけるホトニックバンドギャッ
プの波長が、入力光の波長近傍となるように形成された
ものを用いることが好ましい。このような波長構成とす
ることによって、入力光に対して充分な波長分散を発生
させて、光波形の整形を効率的に行うことができる。
Specifically, the photonic crystal is shown in FIG.
As shown in the graphs of (b) and (c), a large chromatic dispersion is exhibited near the photonic band gap. Therefore, the photonic crystal used in the optical waveform shaping device includes:
It is preferable to use one formed such that the wavelength of the photonic band gap in the photonic band structure is near the wavelength of the input light. With such a wavelength configuration, it is possible to generate sufficient chromatic dispersion for the input light and to efficiently shape the optical waveform.

【0056】次に、ホトニック結晶におけるホトニック
バンド構造及び波長分散特性の可変性について説明す
る。
Next, the variability of the photonic band structure and the wavelength dispersion characteristics of the photonic crystal will be described.

【0057】図5は、多層膜構造のホトニック結晶、す
なわちダイクロイックミラーにおける光の反射率(任意
定数)の波長(nm)依存性を示すグラフである。図5
(a)は、ダイクロイックミラーに外力を加えない場合
のグラフ、図5(b)は、1%の格子歪みがミラー垂直
方向に生じるように圧縮方向に圧力(外力)を加えた場
合のグラフ、また、図5(c)は、1%の格子歪みがミ
ラー垂直方向に生じるように展延方向に圧力を加えた場
合のグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the wavelength (nm) dependence of the light reflectance (arbitrary constant) of a photonic crystal having a multilayer structure, that is, a dichroic mirror. FIG.
5A is a graph when no external force is applied to the dichroic mirror, and FIG. 5B is a graph when pressure (external force) is applied in the compression direction so that 1% lattice distortion occurs in the mirror vertical direction. FIG. 5C is a graph in the case where pressure is applied in the spreading direction so that 1% lattice distortion occurs in the mirror vertical direction.

【0058】なお、格子歪みがミラー面に沿って生じる
ように圧力を加えることもできる。また、図5(a)の
グラフは、図3または図4(a)に示した透過率のグラ
フに対応している。また、このグラフは上述した構成の
ホトニック結晶2によるものではないが、その光学特性
の変化の傾向は同様である。
Note that pressure can be applied so that lattice distortion occurs along the mirror surface. Further, the graph of FIG. 5A corresponds to the transmittance graph shown in FIG. 3 or FIG. Although this graph is not based on the photonic crystal 2 having the above-described configuration, the tendency of the change in the optical characteristics is the same.

【0059】これらのグラフによれば、外力が加わって
いないときの反射強度ピークは、波長λc=1500n
m程度である(図5(a))。これに対して、1%の圧
縮歪みを加えた場合には、この波長λcは1480nm
程度(図5(b))と短波長側にシフトし、一方、1%
の展延歪みを加えた場合には、波長λcは1520nm
程度(図5(c))と長波長側にシフトしている。
According to these graphs, the reflection intensity peak when no external force is applied has a wavelength λc = 1500 n
m (FIG. 5A). On the other hand, when 1% compression strain is applied, the wavelength λc is 1480 nm.
(FIG. 5 (b)) and shift to the shorter wavelength side, while 1%
Is applied, the wavelength λc is 1520 nm.
The degree (FIG. 5C) is shifted to the longer wavelength side.

【0060】すなわち、ホトニック結晶に外力によるわ
ずかな格子歪みを導入すると、結晶内での結晶構造の変
化に起因してホトニックバンド構造が変化し、得られる
透過特性及び反射特性が入力光の波長に対して変化す
る。また、図4(a)〜(c)に関して上述したよう
に、ホトニック結晶での波長分散特性は、ホトニックバ
ンドギャップ近傍で大きい波長分散を示し、ホトニック
バンド構造、特にホトニックバンドギャップの位置に大
きく依存している。
That is, when a slight lattice distortion due to an external force is introduced into the photonic crystal, the photonic band structure changes due to a change in the crystal structure in the crystal, and the obtained transmission characteristics and reflection characteristics change with the wavelength of the input light. Change with respect to Further, as described above with reference to FIGS. 4A to 4C, the wavelength dispersion characteristics of the photonic crystal show a large wavelength dispersion near the photonic band gap, and the photonic band structure, particularly, the position of the photonic band gap. Depends heavily on

【0061】以上より、可塑性のホトニック結晶に対し
て、波長分散制御手段によって外力を印加して格子歪み
を導入することによって、その波長分散特性が波長に対
して可変となる。したがって、図1に示した構成の光波
形整形装置によれば、波長分散特性を充分に変化させる
ことが可能な光波形整形装置が実現される。
As described above, by applying an external force to the plastic photonic crystal by the chromatic dispersion control means to introduce lattice distortion, the chromatic dispersion characteristics can be changed with respect to the wavelength. Therefore, according to the optical waveform shaping device having the configuration shown in FIG. 1, an optical waveform shaping device capable of sufficiently changing the wavelength dispersion characteristics is realized.

【0062】以下、上記した実施形態の光波形整形装置
の好適な実施例について説明する。
Hereinafter, a preferred example of the optical waveform shaping device according to the above embodiment will be described.

【0063】図6は、光波形整形装置の第1実施例を示
す構成図である。本実施例においては、外力印加手段3
として、押え板30及び圧電素子(ピエゾ素子)31を
用いている。また、これに対応して、外圧制御装置4と
して、電圧可変電源41を用いている。これにより、本
実施例では、押え板30、圧電素子31、及び電源41
によって波長分散制御手段が構成されている。
FIG. 6 is a block diagram showing a first embodiment of the optical waveform shaping device. In this embodiment, the external force applying means 3
A pressing plate 30 and a piezoelectric element (piezo element) 31 are used. In response to this, a variable voltage power supply 41 is used as the external pressure control device 4. Thereby, in the present embodiment, the holding plate 30, the piezoelectric element 31, and the power source 41
Constitutes a chromatic dispersion controller.

【0064】図6に示す構成においては、ホトニック結
晶2の上部に押え板30が配置されており、この押え板
30は土台1とともにホトニック結晶2を挟持してい
る。また、圧電素子31は、その上面が土台1に対して
固定された位置に配置されており、その下面が押え板3
0に固定されている。
In the configuration shown in FIG. 6, a holding plate 30 is disposed above photonic crystal 2, and holding plate 30 holds photonic crystal 2 together with base 1. The upper surface of the piezoelectric element 31 is fixed to the base 1, and the lower surface of the piezoelectric element 31 is
It is fixed to 0.

【0065】ここで、圧電素子31に対して電源41か
ら電圧が印加されると、圧電素子31は電源41から印
加される電圧及びその変化に応じて、土台1の表面に対
して垂直な方向に移動する。このとき、圧電素子31に
固定されている押え板30と土台1との間の距離が変化
するので、ホトニック結晶2が光路に沿って延びるよう
に変形して、そのホトニックバンド構造及び波長分散特
性が変化する。また、本実施例においては、ホトニック
結晶2の光入力面及び光出力面には、それぞれ窓材10
が貼り付けられている。
Here, when a voltage is applied to the piezoelectric element 31 from the power supply 41, the piezoelectric element 31 moves in a direction perpendicular to the surface of the base 1 in accordance with the voltage applied from the power supply 41 and its change. Go to At this time, since the distance between the holding plate 30 fixed to the piezoelectric element 31 and the base 1 changes, the photonic crystal 2 is deformed so as to extend along the optical path, and its photonic band structure and wavelength dispersion are changed. The characteristics change. In this embodiment, the window material 10 is provided on the light input surface and the light output surface of the photonic crystal 2 respectively.
Is pasted.

【0066】以上の構成において、入力側の窓材10を
介してホトニック結晶2中に入力光が入射されると、入
射された光はホトニック結晶2中を伝搬して、外力印加
手段3から印加されている外力に応じて決まる波長分散
特性によって発生した波長分散が与えられる。そして、
所望の波長分散が与えられて光波形が整形された光は、
出力側の窓材10を介して出力光として出力される。
In the above configuration, when the input light enters the photonic crystal 2 through the input side window member 10, the incident light propagates through the photonic crystal 2 and is applied from the external force applying means 3. The chromatic dispersion generated by the chromatic dispersion characteristic determined according to the applied external force is given. And
The light whose desired chromatic dispersion is given and whose optical waveform is shaped is
The light is output as output light through the window member 10 on the output side.

【0067】例えば、図6に模式的に示すように、入力
光として時間幅の短い(例えばフェムト秒の)光パルス
を入力することを考える。このような入力光パルスは、
一定の波長帯域内に広がった波長成分を含んでいる。こ
のような光パルスがホトニック結晶2中を伝搬すると、
ホトニック結晶2の波長分散特性により、各波長成分毎
に伝搬時間が異なってくる。
For example, as shown schematically in FIG. 6, it is assumed that an optical pulse having a short time width (for example, femtosecond) is input as input light. Such an input light pulse is
It contains wavelength components spread within a certain wavelength band. When such a light pulse propagates through the photonic crystal 2,
Due to the wavelength dispersion characteristics of the photonic crystal 2, the propagation time differs for each wavelength component.

【0068】すなわち、波長分散が正であれば、長波長
成分(例えば赤色の光線)が早く短波長成分(例えば青
色の光線)が遅く伝搬し、出力光として長波長成分を先
頭として時間的に広がった光パルスが得られる。逆に、
波長分散が負であれば、短波長成分が早く長波長成分が
遅く伝搬し、出力光として短波長成分を先頭として時間
的に広がった光パルスが得られる。
That is, if the chromatic dispersion is positive, the long wavelength component (for example, a red light beam) propagates quickly and the short wavelength component (for example, a blue light beam) propagates slowly. A spread light pulse is obtained. vice versa,
If the chromatic dispersion is negative, the short-wavelength component propagates earlier and the long-wavelength component propagates later, and an optical pulse that is temporally spread with the short-wavelength component at the top is obtained as output light.

【0069】ここで、ホトニック結晶2においては、図
4(a)〜(c)に示したように、ホトニックバンドギ
ャップに対して短波長側及び長波長側の2つのバンド端
で、波長分散が逆となる。したがって、ホトニックバン
ド構造でのホトニックバンドギャップの波長を、入力光
の波長近傍となるようにホトニック結晶2等を構成して
おくとともに、外力印加手段3によってホトニックバン
ド構造を調整すれば、上記したような光波形の整形を効
率的に行うことができる。
Here, in the photonic crystal 2, as shown in FIGS. 4 (a) to 4 (c), the chromatic dispersion at the two band ends on the short wavelength side and the long wavelength side with respect to the photonic band gap. Is reversed. Therefore, if the photonic crystal 2 and the like are configured so that the wavelength of the photonic band gap in the photonic band structure is close to the wavelength of the input light, and the photonic band structure is adjusted by the external force applying means 3, The shaping of the optical waveform as described above can be performed efficiently.

【0070】また、本実施例の外力印加手段3では、電
気的な入力で圧電素子31が変形することにより、ホト
ニック結晶2に外力を印加するので、特定の計測値等に
基づいて電気的な入力を行うシステムを構成することが
できる。
The external force applying means 3 of this embodiment applies an external force to the photonic crystal 2 by deforming the piezoelectric element 31 by an electric input. A system for inputting can be configured.

【0071】また、ホトニック結晶2に対して窓材10
を設けているので、ホトニック結晶2の光入力面及び光
出力面が保護される。窓材10としては、光学フィルタ
などの光学素子を用いても良い。また、光入力面または
光出力面の一方のみに窓材10を設けても良い。
Further, the window material 10 is
Is provided, the light input surface and light output surface of the photonic crystal 2 are protected. An optical element such as an optical filter may be used as the window material 10. Further, the window material 10 may be provided on only one of the light input surface and the light output surface.

【0072】図7は、光波形整形装置の第2実施例を示
す構成図である。本実施例においては、外力印加手段3
等の構成については、図6の実施例と同様である。ま
た、ホトニック結晶2の光入力面側及び光出力面側に
は、それぞれ所定距離をおいて凹面鏡11が設置されて
いる。
FIG. 7 is a block diagram showing a second embodiment of the optical waveform shaping device. In this embodiment, the external force applying means 3
The configuration such as is the same as that of the embodiment of FIG. A concave mirror 11 is provided on the light input surface side and the light output surface side of the photonic crystal 2 at a predetermined distance from each other.

【0073】以上の構成において、ホトニック結晶2中
に所定の入力光路から入力光が入射されると、入射され
た光は一対の凹面鏡11で反射されることによってホト
ニック結晶2中を複数回通過した後、所定の出力光路に
出力光として出力される。
In the above configuration, when input light enters the photonic crystal 2 from a predetermined input optical path, the incident light is reflected by the pair of concave mirrors 11 and passes through the photonic crystal 2 a plurality of times. Thereafter, the light is output to a predetermined output optical path as output light.

【0074】このような構成によれば、ホトニック結晶
2中での光の伝搬距離が1回の通過毎に長くなるので、
入力光に対して与えられる波長分散を大きくすることが
できる。また、所望の波長分散を得るために必要なホト
ニック結晶2が小さくてすむので、装置を小型化するこ
とができる。
According to such a configuration, the propagation distance of light in the photonic crystal 2 increases with each pass, so that
The chromatic dispersion given to the input light can be increased. Further, since the photonic crystal 2 required to obtain the desired wavelength dispersion can be small, the size of the device can be reduced.

【0075】なお、図7においては、ホトニック結晶2
中を複数回通過する光の光路を、説明のために模式的に
示している。実際には、それぞれの光路及びホトニック
結晶2の結晶方位を考慮して、正確に波長分散特性を示
す方向で光の通過を繰り返す必要がある。また、ホトニ
ック結晶の両側に設置される反射手段としては、凹面鏡
11に限らず、平面鏡などを用いても良い。
In FIG. 7, the photonic crystal 2
An optical path of light passing through the inside a plurality of times is schematically illustrated for explanation. Actually, it is necessary to repeat the passage of light in a direction exhibiting the wavelength dispersion characteristic accurately in consideration of each optical path and the crystal orientation of the photonic crystal 2. Further, the reflection means provided on both sides of the photonic crystal is not limited to the concave mirror 11, but a plane mirror or the like may be used.

【0076】図8は、光波形整形装置の第3実施例を示
す構成図である。本実施例においては、外力印加手段
3、及び窓材10の設置等の構成については、図6の実
施例と同様である。また、入力光が入射される分散媒質
である前段のホトニック結晶2aに加えて、ホトニック
結晶2a中を入力光が通過して出力された光が入力され
る光学装置71と、光学装置71から出力された光が入
力される後段の波長分散素子(分散媒質)であるホトニ
ック結晶2bとがさらに設置されている。なお、後段の
ホトニック結晶2bについても、外力印加手段3等の構
成は、前段のホトニック結晶2aと同様である。
FIG. 8 is a block diagram showing a third embodiment of the optical waveform shaping device. In the present embodiment, the configuration such as installation of the external force applying means 3 and the window member 10 is the same as that of the embodiment of FIG. Further, in addition to the photonic crystal 2a in the preceding stage, which is a dispersion medium into which the input light is incident, an optical device 71 to which light output by passing the input light through the photonic crystal 2a is input, and an output from the optical device 71. A photonic crystal 2b, which is a wavelength dispersion element (dispersion medium) at a subsequent stage to which the input light is input, is further provided. The configuration of the external force applying means 3 and the like in the photonic crystal 2b in the subsequent stage is the same as that in the photonic crystal 2a in the preceding stage.

【0077】以上の構成では、入力光に対して、前段の
ホトニック結晶2aによって所望の波長分散が与えられ
る。その後、ホトニック結晶2aからの光に対して光学
装置71において所定の変換が行われ、さらに後段のホ
トニック結晶2bによって所望の波長分散が与えられ
て、最終的な出力光として出力される。
In the above configuration, the desired wavelength dispersion is given to the input light by the photonic crystal 2a at the preceding stage. Thereafter, the light from the photonic crystal 2a is subjected to a predetermined conversion in the optical device 71, and a desired wavelength dispersion is given by the subsequent photonic crystal 2b, and the light is output as final output light.

【0078】より具体的には、例えば、入力光の波長に
対する一方のホトニック結晶2aの波長分散特性を正
(負)とし、他方のホトニック結晶2bの波長分散特性
を逆符号の負(正)とする構成が可能である。
More specifically, for example, the wavelength dispersion characteristic of one photonic crystal 2a with respect to the wavelength of input light is defined as positive (negative), and the wavelength dispersion characteristic of the other photonic crystal 2b is defined as negative (positive) with the opposite sign. It is possible to adopt a configuration in which

【0079】このとき、図8に模式的に示すように、時
間幅の短い入力光パルスは、ホトニック結晶2aによっ
てチャープされた後に、光学装置71によって変換され
る。そして、さらに後段のホトニック結晶2bで逆の波
長分散が与えられることによって再びその時間幅が短く
されて、所望の変換がされた出力光パルスとして出力さ
れる。
At this time, as schematically shown in FIG. 8, the input light pulse having a short time width is converted by the optical device 71 after being chirped by the photonic crystal 2a. Then, by applying the opposite wavelength dispersion to the photonic crystal 2b at the subsequent stage, the time width is shortened again, and the photonic crystal 2b is output as a desired converted output optical pulse.

【0080】このように、ホトニック結晶に加えて光学
装置及び後段の波長分散素子を設置する構成、あるい
は、逆符号の波長分散特性を有するホトニック結晶を組
合せる構成を用いることによって、様々な光波形の整形
が可能となる。光学装置71としては、光増幅器や、光
波形整形素子、偏光素子など様々なものを適用すること
が可能である。例えば、光学装置71として光増幅器を
適用した場合には、入力光をいったん時間的に広げた後
に光増幅し、再度光圧縮を行うチャープ・パルス増幅装
置の構成とすることができる。
As described above, by using a configuration in which an optical device and a subsequent wavelength dispersion element are provided in addition to a photonic crystal, or a configuration in which a photonic crystal having wavelength dispersion characteristics of the opposite sign is combined, various optical waveforms can be obtained. Can be shaped. As the optical device 71, various devices such as an optical amplifier, an optical waveform shaping element, and a polarizing element can be applied. For example, when an optical amplifier is applied as the optical device 71, a configuration of a chirp / pulse amplifying device that temporarily widens the input light, amplifies the light once, and performs optical compression again can be adopted.

【0081】なお、2個のホトニック結晶2a、2bで
の逆符号の波長分散特性については、例えば、異なる結
晶構造のホトニック結晶を用いる構成や、同一の結晶構
造のホトニック結晶を用い、ホトニックバンドギャップ
の両側のバンド端となるようにそれぞれに印加される外
力を制御する構成などが可能である。また、光を1個の
ホトニック結晶中を2回通過させる構成とし、それぞれ
の通過時でホトニック結晶に印加する外力を変えて異な
る波長分散を与えることもできる。
The wavelength dispersion characteristics of the opposite sign in the two photonic crystals 2a and 2b may be determined, for example, by using a photonic crystal having a different crystal structure or using a photonic crystal having the same crystal structure. A configuration in which the external force applied to each of the band ends on both sides of the gap is controlled can be employed. Further, it is also possible to adopt a configuration in which light passes through one photonic crystal twice, and to give different wavelength dispersions by changing an external force applied to the photonic crystal in each pass.

【0082】また、これら2個のホトニック結晶2a、
2bに設定される波長分散特性は逆符号に限らず、目的
に応じて様々に設定してよい。また、後段に追加される
波長分散素子については、ホトニック結晶(分散媒質)
2bに限らず、プリズムや回折格子などの他の波長分散
素子を用いても良い。
Further, these two photonic crystals 2a,
The chromatic dispersion characteristic set to 2b is not limited to the reverse sign, and may be set variously according to the purpose. For the wavelength dispersive element added at the subsequent stage, a photonic crystal (dispersion medium)
Not limited to 2b, another wavelength dispersion element such as a prism or a diffraction grating may be used.

【0083】図9は、光波形整形装置の第4実施例を示
す構成図である。本実施例においては、外力印加手段3
等の構成については、図6の実施例と同様である。ま
た、入力光に波長分散を与える分散媒質であるホトニッ
ク結晶2に加えて、ホトニック結晶2中を通過する往復
光路が形成されるように配置された一対の反射手段であ
る反射鏡12と、この往復光路上に設置されて、光出力
手段を構成しているポッケルスセル(偏光素子)72及
び偏光ビームスプリッタ73とがさらに設置されてい
る。
FIG. 9 is a block diagram showing a fourth embodiment of the optical waveform shaping device. In this embodiment, the external force applying means 3
The configuration such as is the same as that of the embodiment of FIG. Further, in addition to the photonic crystal 2 which is a dispersion medium for providing wavelength dispersion to the input light, a reflecting mirror 12 which is a pair of reflecting means arranged so as to form a reciprocating optical path passing through the photonic crystal 2, A Pockels cell (polarizing element) 72 and a polarizing beam splitter 73 which are provided on a reciprocating optical path and constitute light output means are further provided.

【0084】本実施例の光波形整形装置は、図7の実施
例と同様に、光がホトニック結晶2中を複数回通過する
ことによって大きい波長分散が得られる構成となってい
る。特に、一対の反射鏡12に加えて、ポッケルスセル
72及び偏光ビームスプリッタ73からなる光出力手段
を設置することによって、光の複数回の通過を同一の往
復光路上で実現するとともに、その通過回数を可変とし
ている。
The optical waveform shaping device of this embodiment has a configuration in which a large wavelength dispersion can be obtained by passing light through the photonic crystal 2 a plurality of times, as in the embodiment of FIG. In particular, by installing light output means including the Pockels cell 72 and the polarization beam splitter 73 in addition to the pair of reflecting mirrors 12, it is possible to realize a plurality of passes of light on the same reciprocating optical path, Is variable.

【0085】すなわち、所定の直線偏光を有する入力光
が入力光路から偏光ビームスプリッタ73を介して往復
光路上に入力されると、その入力光が最初に通過すると
きにポッケルスセル72を動作させて光の偏光面が回転
される。偏光面が回転された光は、2つの反射鏡12間
の往復光路を繰り返し往復して、ホトニック結晶2中を
複数回通過する。そして、所定のタイミングでポッケル
スセル72を再び動作させて光の偏光面を回転し、偏光
ビームスプリッタ73を介して出力光路に出力光を取り
出す。
That is, when input light having a predetermined linear polarization is input from the input optical path to the reciprocating optical path via the polarization beam splitter 73, the Pockels cell 72 is operated when the input light first passes. The plane of polarization of the light is rotated. The light whose polarization plane has been rotated reciprocates in a reciprocating optical path between the two reflecting mirrors 12 and passes through the photonic crystal 2 a plurality of times. Then, the Pockels cell 72 is operated again at a predetermined timing to rotate the polarization plane of the light, and the output light is taken out to the output optical path via the polarization beam splitter 73.

【0086】このように、往復光路から入力された光に
対して、再び往復光路に出力(透過)するか、または、
装置外部への出力光路に出力(反射)するかを切換可能
な光出力手段を設けることによって、入力光を所望の回
数だけホトニック結晶2中を通過させた後、出力光を取
り出すことが可能となる。この構成では、光のホトニッ
ク結晶2の通過回数を変えることができるので、入力光
に与える波長分散量が可変となる。なお、光出力手段に
ついては、上記したポッケルスセル72及び偏光ビーム
スプリッタ73からなる構成に限らず、様々なものを用
いて良い。
As described above, the light input from the reciprocating optical path is output (transmitted) to the reciprocating optical path again, or
By providing an optical output means capable of switching whether to output (reflect) the output light path to the outside of the device, it is possible to extract the output light after passing the input light through the photonic crystal 2 a desired number of times. Become. In this configuration, the number of times light passes through the photonic crystal 2 can be changed, so that the amount of chromatic dispersion given to input light can be changed. The light output means is not limited to the configuration including the Pockels cell 72 and the polarization beam splitter 73 described above, and various means may be used.

【0087】上述した図6〜図9の実施例では、いずれ
も外力印加手段3として圧電素子31を用いているが、
この外力印加手段3としては、圧電素子31に限らず、
様々なものを用いて良い。
Although the piezoelectric elements 31 are used as the external force applying means 3 in the above-described embodiments of FIGS.
The external force applying means 3 is not limited to the piezoelectric element 31,
Various things may be used.

【0088】図10は、光波形整形装置の第5実施例を
示す構成図である。本実施例は、図1に示した外力印加
手段3を、手動入力に応じてホトニック結晶2を押圧す
る押圧機構3としたものであり、外圧制御装置4が手動
入力によっている点を除いて、他の構成は図1のものと
同一である。この場合、この押圧機構3が波長分散制御
手段となる。
FIG. 10 is a block diagram showing a fifth embodiment of the optical waveform shaping device. In the present embodiment, the external force applying means 3 shown in FIG. 1 is a pressing mechanism 3 for pressing the photonic crystal 2 in response to a manual input, except that the external pressure control device 4 is manually input. Other configurations are the same as those in FIG. In this case, the pressing mechanism 3 serves as a wavelength dispersion control unit.

【0089】押圧機構3は、土台1に対して固定された
位置に配置された支持板32aと、支持板32aに設け
られたネジ孔に螺合したネジ部32bと、ネジ部32b
の一端に固定されたネジ回しヘッド32cとからなるネ
ジ送り機構を備えている。また、ネジ部32bの他端に
は、押え板30が当接している。
The pressing mechanism 3 includes a support plate 32a disposed at a position fixed to the base 1, a screw portion 32b screwed into a screw hole provided in the support plate 32a, and a screw portion 32b.
And a screw feed mechanism comprising a screwdriver head 32c fixed to one end of the screw feeder. The holding plate 30 is in contact with the other end of the screw portion 32b.

【0090】この構成において、ヘッド32cを所定方
向に回転させると、ネジ部32bが押え板30の方向に
移動する。押え板30の下面は、ホトニック結晶2に接
着剤によって固定されているので、ヘッド32cの回転
に伴ってホトニック結晶2には外力が印加され、ホトニ
ック結晶2が光路に沿って延びるように変形する。ホト
ニック結晶2は可塑性であるが、圧縮性及び展延性を有
して変形することもできる。
In this configuration, when the head 32c is rotated in a predetermined direction, the screw portion 32b moves in the direction of the holding plate 30. Since the lower surface of the holding plate 30 is fixed to the photonic crystal 2 with an adhesive, an external force is applied to the photonic crystal 2 with the rotation of the head 32c, and the photonic crystal 2 is deformed so as to extend along the optical path. . The photonic crystal 2 is plastic, but can be deformed with compressibility and spreadability.

【0091】このような光波形整形装置は、実験計測系
において、手動による外力の微調整が可能となるので、
本装置をホトニック結晶の波長分散特性に関する基礎研
究などに適用することができる。
Such an optical waveform shaping apparatus allows manual fine adjustment of an external force in an experimental measurement system.
This apparatus can be applied to basic research on the wavelength dispersion characteristics of photonic crystals.

【0092】図11は、光波形整形装置の第6実施例を
示す構成図である。本実施例の光波形整形装置は、ホト
ニック結晶を収容する容器8をさらに備えており、外力
印加手段3は、容器8内に収容されたホトニック結晶2
に対して一定方向に、外力としての圧力を印加する。こ
の場合、容器8の外壁によってホトニック結晶2を保持
し、所望の外力以外の力による変形を抑制するととも
に、その変形方向を制限することができる。なお、図1
1においては、外力印加手段3として圧電素子31を用
いた場合について示している。
FIG. 11 is a block diagram showing a sixth embodiment of the optical waveform shaping device. The optical waveform shaping device according to the present embodiment further includes a container 8 for storing a photonic crystal, and the external force applying unit 3 includes a photonic crystal 2 contained in the container 8.
, A pressure as an external force is applied in a certain direction. In this case, the photonic crystal 2 is held by the outer wall of the container 8, and deformation due to a force other than a desired external force can be suppressed, and the direction of the deformation can be limited. FIG.
1 shows a case where the piezoelectric element 31 is used as the external force applying means 3.

【0093】ここで、容器8の外壁の少なくとも一部
分、すなわち、入力光の光路を含む部分は透明とされて
いる。あるいは、この部分に透明な窓を設けても良い。
この透明な外壁または窓を介してホトニック結晶2中に
入力光が入射される。出力光の光路を含む外壁部分も同
様に透明とすることができる。ホトニック結晶2は、容
器8の外壁によって保持されるので、装置に必要な部品
点数を減らすことができる。
Here, at least a part of the outer wall of the container 8, that is, a part including the optical path of the input light is transparent. Alternatively, a transparent window may be provided in this portion.
Input light enters the photonic crystal 2 via the transparent outer wall or window. Similarly, the outer wall portion including the optical path of the output light can be transparent. Since the photonic crystal 2 is held by the outer wall of the container 8, the number of parts required for the device can be reduced.

【0094】なお、上述及び以下の実施例において、ホ
トニック結晶2の外力印加手段3としてチューブ型の圧
電素子を用いても良い。図12は、チューブ型の圧電素
子を用いた光波形整形装置の第7実施例の主要部を示す
斜視図である。外力印加手段3としての圧電素子31は
チューブ型の中空部材とされており、これを容器8とし
て、その内部にホトニック結晶2が配置されている。す
なわち、本実施例での外力印加手段3は、内径が変化す
るように変形可能な圧電素子(中空部材)31である。
In the above and following embodiments, a tube type piezoelectric element may be used as the external force applying means 3 of the photonic crystal 2. FIG. 12 is a perspective view showing a main part of a seventh embodiment of an optical waveform shaping device using a tube type piezoelectric element. The piezoelectric element 31 as the external force applying means 3 is a tubular hollow member, which is used as a container 8 and the photonic crystal 2 is disposed inside the container 8. That is, the external force applying means 3 in the present embodiment is a piezoelectric element (hollow member) 31 that can be deformed so that the inner diameter changes.

【0095】この圧電素子31は、内径が変化するよう
に変形するので、この変形に応じてホトニック結晶2は
中空の圧電素子31の長手方向に伸縮するように変形す
る。また、入力光はホトニック結晶2の長手方向の一端
から入力され、出力光は他端から出力される。したがっ
て、このような構成では、径方向の光の広がりを抑制す
ることができ、出力光の単位面積当たりの強度低下を抑
制することができる。
Since the piezoelectric element 31 is deformed so as to change the inner diameter, the photonic crystal 2 is deformed so as to expand and contract in the longitudinal direction of the hollow piezoelectric element 31 in accordance with the deformation. The input light is input from one end of the photonic crystal 2 in the longitudinal direction, and the output light is output from the other end. Therefore, with such a configuration, the spread of light in the radial direction can be suppressed, and a decrease in the intensity of the output light per unit area can be suppressed.

【0096】図13は、光波形整形装置の第8実施例を
示す構成図である。本実施例の光波形整形装置では、ホ
トニック結晶2の光入力面及び光出力面にそれぞれ窓材
10を設けるとともに、ホトニック結晶2のホトニック
バンド構造(ホトニックバンドギャップ)に応じて変化
する物理量を測定し、その測定値に基づいて波長分散制
御手段による波長分散特性の保持または変化を制御する
フィードバック手段を構成する光学特性測定機器90を
設置している。
FIG. 13 is a block diagram showing an eighth embodiment of the optical waveform shaping device. In the optical waveform shaping device of the present embodiment, the window material 10 is provided on each of the light input surface and the light output surface of the photonic crystal 2, and a physical quantity that changes according to the photonic band structure (photonic band gap) of the photonic crystal 2. Is measured, and an optical characteristic measuring device 90 is provided which constitutes feedback means for controlling retention or change of chromatic dispersion characteristics by the chromatic dispersion control means based on the measured value.

【0097】本実施例では、この光学特性測定機器90
及び電源41によってフィードバック手段が構成されて
いる。また、波長分散制御手段が外力印加手段3を含ん
でいることに対応して、このフィードバック手段は、外
力印加手段3によってホトニック結晶2に印加される外
力の大きさを制御する。
In this embodiment, the optical characteristic measuring device 90
The power supply 41 constitutes a feedback unit. The feedback means controls the magnitude of the external force applied to the photonic crystal 2 by the external force applying means 3 in response to the chromatic dispersion control means including the external force applying means 3.

【0098】ホトニック結晶2における波長分散特性を
所望の波長分散特性とする場合には、これに対応するホ
トニックバンド構造に応じて変化する物理量、好ましく
は出力光強度または出力光スペクトルを測定する。そし
て、出力光の強度または特定波長の強度などが一定とな
るように、光学特性測定機器90及び電源41からなる
フィードバック手段を介して、外力印加手段3を制御す
る。
When the wavelength dispersion characteristic of the photonic crystal 2 is set to a desired wavelength dispersion characteristic, a physical quantity, preferably an output light intensity or an output light spectrum, which changes according to the corresponding photonic band structure is measured. Then, the external force applying unit 3 is controlled via the feedback unit including the optical characteristic measuring device 90 and the power supply 41 so that the intensity of the output light or the intensity of the specific wavelength becomes constant.

【0099】より具体的には、ホトニック結晶2によっ
て光波形が整形された光は、出力光として、その強度ま
たはスペクトルなどが光学特性測定機器90によって測
定される。そして、この測定データが特定の条件を満た
すように、ホトニック結晶2の構造制御装置としての圧
電素子31が電源41を介してフィードバック制御され
る。
More specifically, the light whose optical waveform has been shaped by the photonic crystal 2 has its intensity or spectrum measured by the optical characteristic measuring device 90 as output light. Then, the piezoelectric element 31 as a structure control device of the photonic crystal 2 is feedback-controlled via the power supply 41 so that the measurement data satisfies a specific condition.

【0100】このフィードバック制御により、ホトニッ
ク結晶2による出力光の応答特性の安定化、高精度化を
達成することができる。
By this feedback control, it is possible to stabilize the response characteristics of the output light by the photonic crystal 2 and to achieve high accuracy.

【0101】ホトニック結晶2は、半導体微細加工技術
(マイクロエレクトロメカニック:MEMS技術)を用
いて製造することもできる。例えば、上述の容器を半導
体基板を加工することによって形成し、圧電素子31を
その半導体基板(図示せず)上に形成する。この場合、
半導体基板に形成された容器、特に凹部内にホトニック
結晶2が配置され、この半導体基板上に圧電素子31が
形成されるので、半導体微細加工技術を用いてこれらを
形成することができ、装置全体を小型化することができ
る。もちろん、半導体基板内に圧電素子31の駆動回
路、電源、波長フィルタ付きホトダイオード等をさらに
形成することもできる。
The photonic crystal 2 can also be manufactured by using a semiconductor fine processing technology (micro-electromechanical: MEMS technology). For example, the above-described container is formed by processing a semiconductor substrate, and the piezoelectric element 31 is formed on the semiconductor substrate (not shown). in this case,
The photonic crystal 2 is arranged in a container formed on the semiconductor substrate, particularly in the concave portion, and the piezoelectric element 31 is formed on the semiconductor substrate. Can be reduced in size. Of course, a drive circuit for the piezoelectric element 31, a power supply, a photodiode with a wavelength filter, and the like can be further formed in the semiconductor substrate.

【0102】なお、上述した半導体微細加工技術は、例
えば、走査型トンネル顕微鏡の探針などを作製する際に
も用いられている。この探針は、圧電素子が設けられた
ものであるが、数nmのオーダーで圧電素子の伸縮を制
御することができる。
The above-described semiconductor fine processing technique is also used, for example, when manufacturing a probe of a scanning tunneling microscope. This probe is provided with a piezoelectric element, but can control expansion and contraction of the piezoelectric element on the order of several nm.

【0103】図14は、光波形整形装置の第9実施例を
示す構成図である。本実施例の光波形整形装置は、図1
3の実施例と比較して、ヒータ91、温度センサ92、
及びヒータ電源93を設けた点が異なり、他の構成は図
13に示したものと同一である。
FIG. 14 is a block diagram showing a ninth embodiment of the optical waveform shaping device. The optical waveform shaping device of the present embodiment has
In comparison with the third embodiment, the heater 91, the temperature sensor 92,
The difference is that a heater power supply 93 is provided, and the other configuration is the same as that shown in FIG.

【0104】この光波形整形装置においては、ホトニッ
ク結晶2を加熱するヒータ91を土台1上に設けてい
る。また、ホトニック結晶2の温度を測定する温度セン
サ92を土台1上に設けている。これらは、いずれもホ
トニック結晶2の近傍に配置されている。また、ヒータ
電源93は、温度センサ92によって測定された温度に
基づいてヒータ91への供給電力を制御する。
In this optical waveform shaping device, a heater 91 for heating the photonic crystal 2 is provided on the base 1. A temperature sensor 92 for measuring the temperature of the photonic crystal 2 is provided on the base 1. These are all arranged near the photonic crystal 2. The heater power supply 93 controls the power supplied to the heater 91 based on the temperature measured by the temperature sensor 92.

【0105】本実施例においては、ホトニック結晶2の
温度を温度センサ92によって測定しつつ、これを加熱
しているので、ホトニック結晶2の温度を所望の値、好
ましくは一定値にすることができる。これにより、ホト
ニックバンド構造、例えばホトニックバンドギャップの
位置と、それに伴う波長分散特性の温度による変化を抑
制することができる。なお、ヒータ91や温度センサ9
2もMEMS技術を用いてモノシリックに作製すること
が可能である。
In this embodiment, the temperature of the photonic crystal 2 is heated while the temperature of the photonic crystal 2 is measured by the temperature sensor 92, so that the temperature of the photonic crystal 2 can be set to a desired value, preferably a constant value. . As a result, it is possible to suppress the photonic band structure, for example, the position of the photonic band gap, and the accompanying change in the wavelength dispersion characteristics due to temperature. The heater 91 and the temperature sensor 9
2 can also be made monolithically using MEMS technology.

【0106】本発明による光波形整形装置は、上述した
実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々な変
形が可能である。例えば、ファブリペロー干渉計や多層
膜鏡(ダイクロイックミラー)も、0次元あるいは1次
元のホトニック結晶であり、可塑性のホトニック結晶2
としては、このようなものも適用することができる。
The optical waveform shaping device according to the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications are possible. For example, Fabry-Perot interferometers and multilayer mirrors (dichroic mirrors) are also zero-dimensional or one-dimensional photonic crystals, and plastic photonic crystals 2
As such, such a thing can be applied.

【0107】また、上記した例では、外力印加手段を含
む波長分散制御手段を介して外力を加えてホトニック結
晶2を変形させる構成としているが、波長分散制御手段
が外場印加手段を有する構成としても良い。このとき、
外場印加手段を含む波長分散制御手段を介して外場を加
えることによって、同様にホトニックバンド構造及び波
長分散特性を変化させることが可能である。このような
外場としては、例えば、ホトニック結晶での屈折率や周
期構造の位置などを変化させる電場、磁場、力、温度場
などの場がある。
In the above example, the photonic crystal 2 is deformed by applying an external force via the chromatic dispersion control means including the external force applying means. However, the chromatic dispersion control means may be provided with the external field applying means. Is also good. At this time,
By applying an external field via a chromatic dispersion control unit including an external field applying unit, it is possible to similarly change the photonic band structure and the chromatic dispersion characteristics. As such an external field, for example, there are fields such as an electric field, a magnetic field, a force, and a temperature field that change the refractive index and the position of the periodic structure in the photonic crystal.

【0108】また、上述のような柔らかい(可塑性の)
ホトニック結晶2は、今後、その微小球2Bや気泡の大
きさや配列の安定性、その制御性を向上させるための機
械的精度、ゲルの長期安定性、温度安定性、光ファイバ
や他の光学部品との接続方法、ゲル封入容器、毎回同様
の外力を印加できる外力印加機構等について、さらなる
研究が進められるものと期待される。
Also, the soft (plastic) as described above
The photonic crystal 2 will be used in the future to improve the stability of the size and arrangement of the microspheres 2B and the bubbles, mechanical accuracy for improving the controllability, long-term stability of the gel, temperature stability, optical fibers and other optical components. It is expected that further research will be conducted on the connection method with the gel, the gel enclosure, and the external force applying mechanism that can apply the same external force every time.

【0109】[0109]

【発明の効果】本発明による光波形整形装置は、以上詳
細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、分散媒質として可塑性のホトニック結晶を用いると
ともに、外力印加手段などによって構成される波長分散
制御手段を備える光波形整形装置によれば、波長分散特
性を充分に変化させることが可能な光波形整形装置が実
現される。
As described above in detail, the optical waveform shaping device according to the present invention has the following effects. That is, according to the optical waveform shaping device that uses a plastic photonic crystal as a dispersion medium and includes a wavelength dispersion control unit including an external force applying unit, the optical waveform shaping that can sufficiently change the wavelength dispersion characteristics The device is realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】光波形整形装置の一実施形態を概略的に示す構
成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing an embodiment of an optical waveform shaping device.

【図2】ホトニック結晶の一例を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an example of a photonic crystal.

【図3】ホトニック結晶における光の透過率の波長依存
性を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing the wavelength dependence of light transmittance in a photonic crystal.

【図4】ホトニック結晶の波長分散特性を示すグラフで
ある。
FIG. 4 is a graph showing wavelength dispersion characteristics of a photonic crystal.

【図5】ホトニック結晶における光の反射率の波長依存
性の外力による変化を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing a change in wavelength dependence of light reflectivity of a photonic crystal due to an external force.

【図6】光波形整形装置の第1実施例を示す構成図であ
る。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a first embodiment of an optical waveform shaping device.

【図7】光波形整形装置の第2実施例を示す構成図であ
る。
FIG. 7 is a configuration diagram showing a second embodiment of the optical waveform shaping device.

【図8】光波形整形装置の第3実施例を示す構成図であ
る。
FIG. 8 is a configuration diagram showing a third embodiment of the optical waveform shaping device.

【図9】光波形整形装置の第4実施例を示す構成図であ
る。
FIG. 9 is a configuration diagram showing a fourth embodiment of the optical waveform shaping device.

【図10】光波形整形装置の第5実施例を示す構成図で
ある。
FIG. 10 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of the optical waveform shaping device.

【図11】光波形整形装置の第6実施例を示す構成図で
ある。
FIG. 11 is a configuration diagram showing a sixth embodiment of the optical waveform shaping device.

【図12】光波形整形装置の第7実施例の主要部を示す
斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view showing a main part of a seventh embodiment of the optical waveform shaping device.

【図13】光波形整形装置の第8実施例を示す構成図で
ある。
FIG. 13 is a configuration diagram showing an eighth embodiment of the optical waveform shaping device.

【図14】光波形整形装置の第9実施例を示す構成図で
ある。
FIG. 14 is a configuration diagram showing a ninth embodiment of the optical waveform shaping device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…土台、10…窓材、11…凹面鏡、12…反射鏡、
2、2a、2b…可塑性のホトニック結晶、3…外力印
加手段(加圧/減圧装置、押圧機構)、30…押え板、
31…圧電素子、32a…支持板、32b…ネジ部、3
2c…ネジ回しヘッド、4…外圧制御装置、41…電圧
可変電源、5…第1光学素子、6…第2光学素子、71
…光学装置、72…ポッケルスセル、73…偏光ビーム
スプリッタ、8…容器、90…光学特性測定機器、91
…ヒータ、92…温度センサ、93…ヒータ電源。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base, 10 ... Window material, 11 ... Concave mirror, 12 ... Reflecting mirror,
2, 2a, 2b: plastic photonic crystal, 3: external force applying means (pressurizing / depressurizing device, pressing mechanism), 30: holding plate,
31: piezoelectric element, 32a: support plate, 32b: screw part, 3
2c: screwdriver head, 4: external pressure control device, 41: variable voltage power supply, 5: first optical element, 6: second optical element, 71
... Optical device, 72 ... Pockels cell, 73 ... Polarizing beam splitter, 8 ... Container, 90 ... Optical property measuring device, 91
... heater, 92 ... temperature sensor, 93 ... heater power supply.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高坂 正臣 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 Fターム(参考) 2H041 AA21 AB10 AB38 AC02 AC07 AZ00 2H079 AA07 AA12 AA13 BA01 CA04 DA03 EB24 FA01 KA05  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Masaomi Takasaka 1126 Nomachi, Ichinomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture F-term in Hamamatsu Photonics Co., Ltd. 2H041 AA21 AB10 AB38 AC02 AC07 AZ00 2H079 AA07 AA12 AA13 BA01 CA04 DA03 EB24 FA01 KA05

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定波長帯域内の入力光に対して、所定
の波長分散を発生させる光波形整形装置であって、 ホトニックバンド構造と、波長毎に屈折率が異なる波長
分散特性とを有し、かつ、外力または外場を印加するこ
とにより前記波長分散特性が変化する可塑性のホトニッ
ク結晶からなる分散媒質と、 前記ホトニック結晶の前記波長分散特性を保持または変
化させる波長分散制御手段とを備えることを特徴とする
光波形整形装置。
1. An optical waveform shaping device for generating a predetermined chromatic dispersion with respect to input light within a predetermined wavelength band, having a photonic band structure and a wavelength dispersion characteristic having a different refractive index for each wavelength. And a dispersion medium made of a plastic photonic crystal whose wavelength dispersion characteristics change by applying an external force or an external field, and a wavelength dispersion control unit that holds or changes the wavelength dispersion characteristics of the photonic crystal. An optical waveform shaping device, characterized in that:
【請求項2】 前記ホトニック結晶は、前記ホトニック
バンド構造におけるホトニックバンドギャップの波長
が、前記入力光の波長近傍となるように形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の光波形整形装置。
2. The optical waveform according to claim 1, wherein the photonic crystal is formed such that a wavelength of a photonic band gap in the photonic band structure is near a wavelength of the input light. Shaping equipment.
【請求項3】 前記入力光が前記ホトニック結晶中を複
数回通過して出力されるように構成されていることを特
徴とする請求項1または2記載の光波形整形装置。
3. The optical waveform shaping device according to claim 1, wherein the input light is configured to pass through the photonic crystal a plurality of times and to be output.
【請求項4】 前記分散媒質である前記ホトニック結晶
に加えて、 前記ホトニック結晶中を通過する往復光路が形成される
ように配置された一対の反射手段と、 前記往復光路上に設置され、前記往復光路から入力され
た光に対して、再び前記往復光路に出力するか、また
は、装置外部への出力光路に出力するかを切換可能に構
成された光出力手段とをさらに備えることを特徴とする
請求項3記載の光波形整形装置。
4. In addition to the photonic crystal as the dispersion medium, a pair of reflecting means arranged so as to form a reciprocating optical path passing through the photonic crystal; Light output means configured to switch between light input from the reciprocating optical path and output to the reciprocating optical path again or output to an output optical path to the outside of the apparatus is further provided. The optical waveform shaping device according to claim 3.
【請求項5】 前記ホトニック結晶として、それぞれ前
記入力光が通過するとともに、前記入力光の波長に対し
て一方の波長分散特性を正、他方の波長分散特性を負と
することが可能な2個のホトニック結晶を用いることを
特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の光波形整
形装置。
5. The two photonic crystals, each of which allows the input light to pass therethrough and is capable of setting one of the wavelength dispersion characteristics to be positive and the other to be negative with respect to the wavelength of the input light. The optical waveform shaping device according to claim 1, wherein the photonic crystal is used.
【請求項6】 前記分散媒質である前記ホトニック結晶
に加えて、 前記ホトニック結晶中を前記入力光が通過して出力され
た光を入力して、所定の変換を行う光学装置と、 前記光学装置から出力された光を入力して、前記ホトニ
ック結晶とは逆の波長分散を発生させる波長分散素子と
をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれ
か一項記載の光波形整形装置。
6. An optical device for performing predetermined conversion by inputting, in addition to the photonic crystal serving as the dispersion medium, light output from the input light passing through the photonic crystal, and the optical device. The optical waveform shaping device according to any one of claims 1 to 5, further comprising: a chromatic dispersion element that receives light output from the device and generates chromatic dispersion opposite to the photonic crystal. .
【請求項7】 前記波長分散制御手段は、前記ホトニッ
ク結晶への前記外力の印加を行う外力印加手段を含むこ
とを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の光波
形整形装置。
7. The optical waveform shaping device according to claim 1, wherein said chromatic dispersion control means includes an external force applying means for applying said external force to said photonic crystal.
【請求項8】 前記ホトニック結晶を収容する容器をさ
らに備え、前記外力印加手段は、前記容器内に収容され
た前記ホトニック結晶に対して一定方向に圧力を前記外
力として印加することを特徴とする請求項7記載の光波
形整形装置。
8. The photonic crystal according to claim 8, further comprising a container for storing said photonic crystal, wherein said external force applying means applies a pressure in a certain direction to said photonic crystal stored in said container as said external force. The optical waveform shaping device according to claim 7.
【請求項9】 前記容器の外壁の少なくとも一部分が透
明とされている、または、この部分に透明の窓が設けら
れていることを特徴とする請求項8記載の光波形整形装
置。
9. The optical waveform shaping device according to claim 8, wherein at least a part of an outer wall of the container is made transparent, or a transparent window is provided in this part.
【請求項10】 前記外力印加手段は、内径が変化する
ように変形可能な中空部材であり、前記ホトニック結晶
は、前記中空部材内に配置されていることを特徴とする
請求項7記載の光波形整形装置。
10. The light according to claim 7, wherein said external force applying means is a hollow member deformable so that an inner diameter is changed, and said photonic crystal is disposed inside said hollow member. Waveform shaping device.
【請求項11】 前記外力印加手段は、電気的な入力に
応じて変形する圧電素子であることを特徴とする請求項
7記載の光波形整形装置。
11. The optical waveform shaping device according to claim 7, wherein said external force applying means is a piezoelectric element which deforms in response to an electric input.
【請求項12】 前記容器は、半導体基板を加工するこ
とによって形成されているとともに、前記外力印加手段
は、前記半導体基板上に形成された、電気的な入力に応
じて変形する圧電素子であることを特徴とする請求項8
記載の光波形整形装置。
12. The container is formed by processing a semiconductor substrate, and the external force applying means is a piezoelectric element formed on the semiconductor substrate and deforming in response to an electric input. 9. The method according to claim 8, wherein
The optical waveform shaping device as described in the above.
【請求項13】 前記外力印加手段は、手動入力に応じ
て前記ホトニック結晶を押圧する押圧機構であることを
特徴とする請求項7記載の光波形整形装置。
13. The optical waveform shaping device according to claim 7, wherein said external force applying means is a pressing mechanism for pressing said photonic crystal in response to a manual input.
【請求項14】 前記ホトニック結晶の前記ホトニック
バンド構造に応じて変化する物理量を測定し、その測定
値に基づいて前記波長分散制御手段による前記波長分散
特性の保持または変化を制御するフィードバック手段を
さらに備えることを特徴とする請求項1〜13のいずれ
か一項記載の光波形整形装置。
14. A feedback unit that measures a physical quantity that changes according to the photonic band structure of the photonic crystal and controls holding or change of the chromatic dispersion characteristic by the chromatic dispersion control unit based on the measured value. The optical waveform shaping device according to claim 1, further comprising:
【請求項15】 前記ホトニック結晶を加熱するヒータ
と、前記ホトニック結晶の温度を測定する温度センサと
をさらに備え、前記温度センサによって測定された温度
に基づいて前記ヒータによる加熱を制御することを特徴
とする請求項1〜14のいずれか一項記載の光波形整形
装置。
15. A heater for heating the photonic crystal, and a temperature sensor for measuring a temperature of the photonic crystal, wherein heating by the heater is controlled based on the temperature measured by the temperature sensor. The optical waveform shaping device according to any one of claims 1 to 14.
【請求項16】 前記ホトニック結晶は、ゲル状の物質
内にシリカまたはチタン酸バリウムの微小球を複数含有
してなることを特徴とする請求項1〜15のいずれか一
項記載の光波形整形装置。
16. The optical waveform shaping according to claim 1, wherein the photonic crystal contains a plurality of silica or barium titanate microspheres in a gel-like substance. apparatus.
【請求項17】 前記ホトニック結晶は、ゲル状の物質
内に形成された微小空間を複数含有してなることを特徴
とする請求項1〜15のいずれか一項記載の光波形整形
装置。
17. The optical waveform shaping device according to claim 1, wherein the photonic crystal contains a plurality of minute spaces formed in a gel material.
【請求項18】 前記波長分散制御手段は、前記ホトニ
ック結晶への前記外場の印加を行う外場印加手段を含む
ことを特徴とする請求項1〜17のいずれか一項記載の
光波形整形装置。
18. The optical waveform shaping method according to claim 1, wherein said chromatic dispersion control means includes an external field applying means for applying said external field to said photonic crystal. apparatus.
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