JP4490207B2 - Polymer insulating film pattern forming method and electronic device - Google Patents
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Description
本発明は、ポリマー絶縁膜のパターン形成方法および電子素子に関するものである。 The present invention relates to a polymer insulating film pattern forming method and an electronic device.
近年のVLSI、ULSIのように、演算素子等の電子素子の高集積化が求められるに伴い、素子の多層化及び微細配線技術の重要性が増してきた。
図12は、演算回路の例を示す図である。p-ch、n-chはそれぞれ正孔輸送材を用いたトランジスタと、電子輸送材を用いたトランジスタを示している。図12の演算回路は、NOT演算回路の例であるが、この他にもOR、NAND、NOR、XOR演算回路等が図13(a)に例示される様に層間絶縁膜201を介して集積/接続され、また層間絶縁膜201上で微細な配線電極202が接続されることにより、高集積化された演算素子が構成される。この演算素子におけるトランジスタ203は、周知のように、ゲート電極204、ゲート絶縁膜205、ソース電極206、ドレイン電極207、半導体208を備える(図13(b))。
また、図14は、表示装置の一例を示す図である。表示装置209は、基板210と透明導電膜211を有する第2の基板212との間に表示素子213が設けられている。非表示側には、TFT(電子素子)214が配置され、画素電極215が層間絶縁膜216上に形成され、この画素電極215と透明導電膜211との間に電圧が印加されることにより表示素子214が画像の表示を行う。高精細な表示を行うためには、この画素電極215が層間絶縁膜216上に微細に形成されている必要がある。なお、符号204,205,206,207,208は、図13と同様に、ゲート電極204、ゲート絶縁膜205、ソース電極206、ドレイン電極207、半導体208である。
As electronic devices such as arithmetic elements are required to be highly integrated like VLSI and ULSI in recent years, the importance of multi-layered elements and fine wiring technology has increased.
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of an arithmetic circuit. p-ch and n-ch respectively indicate a transistor using a hole transport material and a transistor using an electron transport material. The arithmetic circuit of FIG. 12 is an example of a NOT arithmetic circuit, but other OR, NAND, NOR, XOR arithmetic circuits, etc. are integrated via the interlayer
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a display device. In the display device 209, a display element 213 is provided between the
ここで図13,14からわかるように、層間絶縁膜は電極材料上だけでなく、トランジスタがある場合は半導体材料層上に成膜される。一方近年半導体材料として、有機材料を用いた素子が、低コスト化や大面積化容易性等の製造上のメリットや無機材料にない機能発現の可能性から注目されている。例えば、特許文献1によれば、光や熱などの物理的外部刺激によりキャリア移動度が変化する有機半導体材料を用いた電界効果型トランジスタが提案されている。
この有機半導体材料は、トルエン、THF、キシレン等極性の小さい有機溶媒に溶解して塗布成膜する場合があり、この様な溶剤を用いて層間絶縁膜を成膜した場合、有機半導体材料層に対して損傷を与えるといった問題を有していた。
Here, as can be seen from FIGS. 13 and 14, the interlayer insulating film is formed not only on the electrode material but also on the semiconductor material layer when there is a transistor. On the other hand, in recent years, an element using an organic material as a semiconductor material has been attracting attention because of its merit in manufacturing such as cost reduction and ease of enlargement and the possibility of function not found in inorganic materials. For example, according to
In some cases, this organic semiconductor material is dissolved in an organic solvent having a small polarity such as toluene, THF, xylene, and formed into a coating film. When an interlayer insulating film is formed using such a solvent, an organic semiconductor material layer is formed on the organic semiconductor material layer. On the other hand, it has a problem of causing damage.
一方、層間絶縁膜材料として例えば特許文献2には、SiO2が用いられている。SiO2は高い絶縁耐圧を有しており、層間絶縁膜として信頼性が高い材料である反面、一般にスパッタ等の真空製膜プロセスにて成膜する必要があるため、この場合装置コストの増加といった問題がある。この問題はSi3N4、SiON等を用いた場合も同様であるため、スピンコート等の塗布プロセスで成膜可能且高い絶縁耐圧を有する材料が望まれていた。また、層間絶縁膜においては、配線遅延の原因となる寄生容量を小さくする事が必要である。この配線遅延はLSI等演算素子の動作周波数低下の原因であるため、SiO2よりも比誘電率の小さい材料(ε=3.9未満)が望まれていた。
On the other hand, for example,
層間絶縁膜には、各配線層の電気的接触を取るためにコンタクトホールが形成される。
特許文献3には、感光性レジストを使ったフォトリソグラフィ法が開示されている。まず絶縁膜上に金属薄膜を設け、その上に感光性レジストを塗布してフォトリソグラフィ法によりパターンを形成する。次に金属薄膜をドライエッチングして、パターニングされた金属薄膜をマスクとして絶縁膜を反応性イオンエッチングすることで絶縁膜にコンタクトホールを形成している。
また例えば特許文献4には、感光性ポリイミドを使いフォトマスクによる露光でコンタクトホールを形成する技術が開示されている。
上記の方法は露光に紫外線などのエネルギーの高い光源を使うため、絶縁膜以外の構成要素に対してダメージを与える恐れがある。特に有機材料を配線材料、電極材料、半導体材料などの構成要素使った素子の場合、これらの特性に悪影響を及ぼす恐れがある。
Contact holes are formed in the interlayer insulating film in order to make electrical contact between the wiring layers.
For example,
Since the above method uses a light source with high energy such as ultraviolet rays for exposure, there is a risk of damaging components other than the insulating film. Particularly in the case of an element using an organic material as a component such as a wiring material, an electrode material, or a semiconductor material, these characteristics may be adversely affected.
本発明は上記問題点を解決し、絶縁膜を簡易にパターニングすることができ、素子の構成要素に対するダメージの少ない絶縁膜のパターン形成方法および電子素子を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide an insulating film pattern forming method and an electronic device that can easily pattern an insulating film and cause little damage to constituent elements of the device.
本発明の第1は、熱重合性のポリマー前駆体材料を含有するポリマー絶縁膜材料を下地上に塗布してポリマー前駆体層を形成する工程と、加熱手段によって該ポリマー前駆体層を選択的に重合する工程と、重合後のポリマーを溶解せずかつ前記ポリマー前駆体層を溶解する溶媒を用いて未重合のポリマー前駆体材料を除去する工程とを有し、前記加熱手段が、赤外線を用いる手段であり、赤外線透過性材料上に赤外線遮光性材料のネガパターンを形成してマスクを作製し、該マスクを介して前記ポリマー前駆体層上に赤外線を照射することを特徴とするポリマー絶縁膜のパターン形成方法である。
この構成によれば、絶縁膜を簡易にパターニングすることができ、素子の構成要素に対するダメージの少ない絶縁膜のパターン形成方法が提供される。
また、この構成によれば、加熱手段が赤外線であるので、精細度の高いパターニングを行なうことができる。
さらに、この構成によれば、遮光性のネガパターンを形成したマスクを介して赤外線を照射するので、より高精細なパターンを容易に形成できる。
In the first aspect of the present invention, a polymer insulating film material containing a heat-polymerizable polymer precursor material is coated on a base to form a polymer precursor layer, and the polymer precursor layer is selectively formed by heating means. in the step of polymerizing, and does not dissolve the polymer with a solvent which dissolves the polymer precursor layer possess and removing the unpolymerized polymer precursor material after polymerization, the heating means, infrared A polymer insulation characterized in that a negative pattern of an infrared ray shielding material is formed on an infrared ray transmissive material to produce a mask, and the polymer precursor layer is irradiated with infrared rays through the mask. This is a film pattern forming method.
According to this structure, the insulating film can be easily patterned, and a method for forming a pattern of the insulating film with less damage to the constituent elements of the element is provided.
Further, according to this configuration, since the heating means is infrared, patterning with high definition can be performed.
Furthermore, according to this configuration, since infrared rays are irradiated through the mask on which a light-shielding negative pattern is formed, a higher definition pattern can be easily formed.
本発明の第2は、前記加熱手段が、赤外線レーザーを走査して照射する手段であることを特徴とする前記第1に記載のポリマー絶縁膜のパターン形成方法である。
この構成によれば、赤外線レーザーを走査して照射するので、さらに簡便にポリマー絶縁膜のパターン形成を行なうことができる。
A second aspect of the present invention is the pattern forming method for a polymer insulating film according to the first aspect, wherein the heating unit is a unit that scans and irradiates an infrared laser.
According to this configuration, since the infrared laser is scanned and irradiated, the pattern of the polymer insulating film can be further easily formed.
本発明の第3は、ポリマー絶縁膜材料が赤外線吸収材料を含有することを特徴とする前記第1または2に記載のポリマー絶縁膜のパターン形成方法である。
この構成によれば、ポリマー絶縁膜材料が赤外線吸収材料を含有するので、少ないエネルギーでポリマー絶縁膜のパターン形成を行なうことができる。
A third aspect of the present invention is the polymer insulating film pattern forming method according to the first or second aspect, wherein the polymer insulating film material contains an infrared absorbing material.
According to this configuration, since the polymer insulating film material contains the infrared absorbing material, the pattern of the polymer insulating film can be formed with less energy.
本発明の第4は、前記赤外線吸収材料がポリマー前駆体層中で膜厚方向に分布を持って存在することを特徴とする前記第3に記載のポリマー絶縁膜のパターン形成方法である。
この構成によれば、赤外線吸収材料がポリマー前駆体層中で膜厚方向に分布を持って存在するので、絶縁特性が良好なポリマー絶縁膜を簡易にパターン形成することができる。
A fourth aspect of the present invention is the pattern forming method for a polymer insulating film according to the third aspect, wherein the infrared absorbing material is present in the polymer precursor layer with a distribution in the film thickness direction.
According to this configuration, since the infrared absorbing material exists in the polymer precursor layer with a distribution in the film thickness direction, it is possible to easily pattern the polymer insulating film with good insulating characteristics.
本発明の第5は、ポリマー前駆体材料がポリアミック酸であることを特徴とする前記第1〜4のいずれかに記載のポリマー絶縁膜のパターン形成方法である。
この構成によれば、ポリマー前駆体層がポリアミック酸であるので、簡易に絶縁特性の良好なポリマー絶縁膜のパターン形成を行なうことができる。
A fifth aspect of the present invention is the polymer insulating film pattern forming method according to any one of the first to fourth aspects, wherein the polymer precursor material is a polyamic acid.
According to this configuration, since the polymer precursor layer is a polyamic acid, it is possible to easily form a pattern of a polymer insulating film with good insulating properties.
本発明の第6は、前記ポリマー絶縁膜材料の塗布が、ポリマー前駆体を含む溶媒を用いて行われるものであり、かつ前記溶媒が水に対して任意の割合で相溶する溶媒であることを特徴とする前記第1〜5のいずれかに記載のポリマー絶縁膜のパターン形成方法である。
この構成によれば、前記溶媒が水に対して任意の割合で相溶するので、基板や構成要素にダメージを与えることなく、ポリマー絶縁膜のパターン形成を行なうことができる。
In the sixth aspect of the present invention, the application of the polymer insulating film material is performed using a solvent containing a polymer precursor, and the solvent is a solvent compatible with water at an arbitrary ratio. which is a pattern forming method of a polymer insulating film according to any one the first to fifth characterized.
According to this configuration, since the solvent is compatible with water at an arbitrary ratio, the pattern of the polymer insulating film can be formed without damaging the substrate and the constituent elements.
本発明の第7は、前記第1〜6のいずれかに記載のポリマー絶縁膜のパターン形成方法により、配線部の溝を形成することを特徴とする配線パターンの形成方法である。
この構成によれば、簡易に配線パターンを形成することができる。
Seventh invention, the pattern forming method of a polymer insulating film according to any one the first to sixth, a method of forming a wiring pattern and forming a groove in the wiring portion.
According to this configuration, a wiring pattern can be easily formed.
本発明の第8は、前記第1〜4のいずれかに記載のポリマー絶縁膜のパターン形成方法により、ポリマー絶縁膜にコンタクトホールを形成したことを特徴とする電子素子である。
この構成によれば、簡易な方法で、多層の積層配線が行われた電子素子を提供できる。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided an electronic device wherein a contact hole is formed in the polymer insulating film by the polymer insulating film pattern forming method according to any one of the first to fourth aspects.
According to this configuration, it is possible to provide an electronic element in which multilayer wiring is performed by a simple method.
本発明の第9は、前記電子素子の構成要素が有機半導体材料を含むことを特徴とする前記第8に記載の電子素子である。
この構成によれば、簡易な方法で、有機半導体材料を用いた多層の配線が行なわれた電子素子を提供できる。
A ninth aspect of the present invention is the electronic element according to the eighth aspect, wherein the constituent elements of the electronic element include an organic semiconductor material.
According to this configuration, it is possible to provide an electronic device in which multilayer wiring using an organic semiconductor material is performed by a simple method.
本発明の第10は、前記第8または9に記載の電子素子を用いて構成されたことを特徴とする表示装置である。
この構成によれば、従来よりも簡便で安価に表示素子を提供することができる。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a display device comprising the electronic element according to the eighth or ninth aspect.
According to this configuration, it is possible to provide a display element that is simpler and less expensive than the conventional one.
本発明によれば、絶縁膜を簡易にパターニングすることができ、素子の構成要素に対するダメージの少ない絶縁膜のパターン形成方法および電子素子を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, an insulating film can be patterned easily and the pattern formation method and electronic device of an insulating film with little damage with respect to the component of an element can be provided.
本発明の第1の特徴は、熱重合性のポリマー前駆体材料を含有するポリマー絶縁膜材料を下地上に塗布してポリマー前駆体層を形成する工程と、加熱手段によって該ポリマー前駆体層を選択的に重合する工程と、重合後のポリマーを溶解せずかつ前記ポリマー前駆体層を溶解する溶媒を用いて未重合のポリマー前駆体材料を除去する工程とを有することを特徴とするポリマー絶縁膜のパターン形成方法にある。なお、本発明でいうポリマー前駆体材料とは重合によってポリマーとなる材料のことを意味し、モノマー、オリゴマー、中間体などを含むものである。 The first feature of the present invention is that a polymer insulating film material containing a heat-polymerizable polymer precursor material is applied on a base to form a polymer precursor layer, and the polymer precursor layer is formed by heating means. A polymer insulation comprising: a step of selectively polymerizing; and a step of removing unpolymerized polymer precursor material using a solvent that does not dissolve the polymer after polymerization and dissolves the polymer precursor layer. A method for forming a film pattern. In addition, the polymer precursor material as used in the field of this invention means the material which becomes a polymer by superposition | polymerization, and includes a monomer, an oligomer, an intermediate body, etc.
図1は、本発明の方法の一例を説明するための図である。図1(a)に示すように、基板11表面にポリマー前駆体材料を含有するポリマー絶縁膜材料を塗布し、ポリマー前駆体層12を形成する。図1では基板11表面には何も構成されていないが、基板11表面に配線、抵抗、コンデンサ、ダイオード、トランジスタなどの電子素子などが形成されていても良い。次に図1(b)および(c)に示すように図示しない加熱手段によって加熱によってポリマー前駆体層12を選択的に重合し、重合部13および未重合部14を形成する。最後に図1(d)のように、重合したポリマーは溶解せず、未重合部を溶解する溶剤を用い、未重合部のポリマー前駆体を溶解、除去し、ポリマー絶縁膜のパターニングが完了する。従来使われているような感光性絶縁膜材料を使って絶縁材料をパターニングする場合と比較して、熱重合性のポリマー前駆体は取り扱いが容易でありイエロールームのような設備を必要としないため簡便なパターニングを実現できる。熱重合性のポリマー前駆体としては、ポリアミック酸誘導体、アクリル酸誘導体、フェノール誘導体などをあげることができる。
なお本発明においては、ポリアミック酸を脱水反応により閉環し、ポリイミドとする反応も「重合」と称するものとする。ただし、このポリアミック酸の閉環を「重合」と称するものの、この閉環の際には、複数分子が結合するような反応は起こらない。
FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the method of the present invention. As shown in FIG. 1A, a polymer insulating film material containing a polymer precursor material is applied to the surface of a
In the present invention, a reaction in which a polyamic acid is closed by a dehydration reaction to form a polyimide is also referred to as “polymerization”. However, although this polyamic acid ring closure is referred to as “polymerization”, a reaction in which a plurality of molecules are bonded does not occur during the ring closure.
本発明の第2の特徴は、加熱手段として赤外線を用いることである。加熱手段として赤外線を使うので、精細度の高いパターニングを行なうことが可能となる。赤外線加熱の方法は、赤外線ランプ、赤外線レーザーなどの方法をあげることができる。 The second feature of the present invention is to use infrared rays as the heating means. Since infrared rays are used as the heating means, patterning with high definition can be performed. Examples of the infrared heating method include an infrared lamp and an infrared laser.
本発明の第3の特徴は、赤外線透過性材料上に赤外線吸収材料のポジパターンを形成してマスクを作製し、該マスクを介して前記ポリマー前駆体層上に赤外線を照射することである。同じパターンを大量に作製しやすく、マスクの精細度を高めることによって容易に高精細なパターンを形成することが可能となる。
図2は、赤外線吸収材料のポジパターンを形成したマスクを介して、ポリマー前駆体層上に赤外線を照射する工程を説明するための図である。先の図1と同様に、基板11表面にポリマー前駆体材料を含有するポリマー絶縁膜材料を塗布し、ポリマー前駆体層12を形成し(図2(a))、図2(b)に示すように、光透過性基板15上に赤外線吸収材料16によってポジパターンを形成する。図2(a)に示すようなポリマー前駆体層12を形成した基板11に、ポジパターンを形成したフォトマスク17を図(b)に示すように、赤外線吸収材料16がポリマー前駆体層12に接するように重ね、赤外線を照射する。これによりフォトマスク17の赤外線吸収材料16が赤外線を吸収して発熱し、ポリマー前駆体層12を選択的に加熱し、図2(c)に示すように重合部13と未重合部14を形成する。このとき、ポリマー前駆体層12が、フォトマスク17を透過して直接照射された赤外線によって重合することのないように、ポリマー絶縁膜材料の赤外線吸収効率よりもフォトマスクに設けた赤外線吸収材料の赤外線吸収効率が高いことが必要である。赤外線の照射によりポリマー前駆体層12のフォトマスク17のポジ部(赤外線吸収材料部)と重なっていた部分が重合する。最後に前記のポリマー前駆体を溶解する溶媒で洗浄することで図2(d)に示すようなポリマー絶縁膜のパターンを得る。
赤外線吸収材料としては、染料や顔料を用いることができる。染料としては、アゾ染料、ニトロ染料、ニトソロ染料、スチルベンアゾ染料、ケトイミン染料、トリフェニルメタン染料、キサンテン染料、アクリジン染料、キノリン染料、メチン・ポリメチン染料、チアゾール染料、インダミン・インドフェノール染料、アジン染料、オキサジン染料、チアジン染料、硫化染料、アミノケトン染料、オキシケトン染料、アントラキノン染料、インジゴイド染料、フタロシアニン染料などを挙げることができる。顔料としては、金属酸化物や塩類などの化合物からなる無機顔料や、ニトソロ顔料、染付けレーキ顔料、アゾレーキ、不溶性アゾ、モノアゾ、ジスアゾ、縮合アゾ、ベンズイミダゾロンなどのアゾ系顔料、フタロシアニン、アントラキノン、ペリレン、キナクリドン、ジオキサジン、イソインドリノン、キノフタロン、イソインドリン、アゾメチン、ピロロピロールなどの有機顔料を挙げることができる。さらに、カーボンブラックも好適に用いることができる。
The third feature of the present invention is that a positive pattern of an infrared absorbing material is formed on an infrared transmitting material to produce a mask, and the polymer precursor layer is irradiated with infrared through the mask. A large amount of the same pattern can be easily produced, and a high-definition pattern can be easily formed by increasing the definition of the mask.
FIG. 2 is a diagram for explaining a process of irradiating infrared rays on the polymer precursor layer through a mask in which a positive pattern of the infrared absorbing material is formed. As in the previous FIG. 1, a polymer insulating film material containing a polymer precursor material is applied to the surface of the
As the infrared absorbing material, a dye or a pigment can be used. As dyes, azo dyes, nitro dyes, nitrosolo dyes, stilbene azo dyes, ketoimine dyes, triphenylmethane dyes, xanthene dyes, acridine dyes, quinoline dyes, methine / polymethine dyes, thiazole dyes, indamine / indophenol dyes, azine dyes Oxazine dye, thiazine dye, sulfur dye, aminoketone dye, oxyketone dye, anthraquinone dye, indigoid dye, phthalocyanine dye and the like. Examples of pigments include inorganic pigments composed of compounds such as metal oxides and salts, nitro pigments, dye lake lakes, azo lakes, insoluble azo, monoazo, disazo, condensed azo, azo pigments such as benzimidazolone, phthalocyanine, anthraquinone, Mention may be made of organic pigments such as perylene, quinacridone, dioxazine, isoindolinone, quinophthalone, isoindoline, azomethine, pyrrolopyrrole. Furthermore, carbon black can also be used suitably.
本発明の第4の特徴は、赤外線透過性材料上に赤外線遮光性材料のネガパターンを形成してマスクを作製し、該マスクを介して前記ポリマー前駆体層上に赤外線を照射することである。図2の方法と比べて、マスク側が発熱しないため、パターン精度を高くすることが可能となる。
図3は、遮光性のネガパターンを形成したマスクを介して赤外線を照射する工程を説明するための図である。先の図1と同様に、基板11表面にポリマー前駆体材料を含有するポリマー絶縁膜材料を塗布し、ポリマー前駆体層12を形成し(図3(a))、図3(b)に示すように光透過性基板15に遮光性材料18によってネガパターンを形成する。図3(a)に示すようなポリマー前駆体層12を形成した基板11に、ネガパターンを形成したフォトマスク19を重ねて赤外線を照射し、図3(c)に示すように重合部13と未重合部14を形成する。このとき、図3(b)に示すように、遮光性材料18がポリマー前駆体層12に接するように重ねると赤外線の回りこみによるパターンのボケを防ぐことができるので好ましい。これによりフォトマスク19を透過した赤外線によってポリマー前駆体層12が発熱して選択的に加熱される。最後に前記のポリマー前駆体を溶解する溶媒で洗浄することで図3(d)に示すようなポリマー絶縁膜のパターンを得る。
A fourth feature of the present invention is that a mask is formed by forming a negative pattern of an infrared light shielding material on an infrared transparent material, and infrared rays are irradiated on the polymer precursor layer through the mask. . Compared with the method of FIG. 2, since the mask side does not generate heat, the pattern accuracy can be increased.
FIG. 3 is a diagram for explaining a process of irradiating infrared rays through a mask on which a light-shielding negative pattern is formed. As in the previous FIG. 1, a polymer insulating film material containing a polymer precursor material is applied to the surface of the
本発明の第5の特徴は、加熱手段が、赤外線レーザーを走査して照射する手段である。図4は、赤外線レーザーを走査して照射する手段の一例を示す図である。赤外線レーザー20からの赤外線はレンズ21などの光学系によって整形され、ポリゴンミラーやガルバノミラーといった偏向機構22によって偏向された後、レンズ23によってポリマー前駆体層12に集光される。走査速度は赤外線レーザーの波長、強度、ポリマー前駆体層12の赤外線吸収特性などから決定される。レーザーを使って選択的に重合する場合には図2や図3のようなフォトマスクを用意する必要がないため、より簡便にポリマー絶縁膜のパターン形成を行なうことが可能となる。
The fifth feature of the present invention is that the heating means scans and irradiates an infrared laser. FIG. 4 is a view showing an example of means for scanning and irradiating an infrared laser. Infrared rays from the
本発明の第6の特徴は、前記ポリマー前駆体層を形成した後、赤外線吸収材料を塗布して赤外線吸収材料層を形成する工程を有することである。赤外線吸収材料層によって赤外線吸収効率が向上するため、照射された赤外線を効率よく吸収してポリマー前駆体層を加熱することができるため、より少ないエネルギーでポリマー絶縁膜のパターン形成を行なうことができる。
図5は、赤外線吸収材料を塗布して赤外線吸収材料層を形成する工程を説明するための図である。図5(a)のようにポリマー前駆体層12の上に赤外線吸収材料層24を設ける。次に前述したような赤外線のマスク露光もしくは赤外線レーザの選択的な照射を行い、図5(b)に示すように赤外線吸収材料層を選択的に加熱する。図5(b)ではネガフォトマスク19を使う方法を示しているが、ポジマスクによる方法や、赤外線レーザー走査でもかまわない。図5(c)のようにポリマー前駆体層12が選択的に重合され、重合部13と未重合部14を形成し、最後に赤外線吸収材料層24および未重合部14を除去することで図5(d)に示すようにパターン形成されたポリマー絶縁膜を得る。赤外線吸収材料としては上述したような染料や顔料を用いることができる。
The sixth feature of the present invention is that it has a step of forming an infrared absorbing material layer by applying an infrared absorbing material after forming the polymer precursor layer. Since the infrared absorption efficiency is improved by the infrared absorbing material layer, it is possible to efficiently absorb the irradiated infrared rays and heat the polymer precursor layer, so that the pattern of the polymer insulating film can be formed with less energy. .
FIG. 5 is a diagram for explaining a process of forming an infrared absorbing material layer by applying an infrared absorbing material. An infrared
本発明の第7の特徴は、前記赤外線吸収材料層をパターニングすることである。赤外線吸収材料層がパターニングされているため、赤外線照射は全面に行えばよく、より簡便にポリマー絶縁膜のパターン形成を行なうことができる。
図6は、赤外線吸収材料層をパターニングした例を示す図である。図6(a)に示すようにポリマー前駆体層12表面に赤外線吸収材料層24をポジパターンで形成する。赤外線吸収材料層24の形成は既存のパターニング方法、例えばエッチングやスクリーン印刷、インクジェット法などを用いることができるが、簡便さの点からスクリーン印刷やインクジェット法などの印刷法が好ましい。次に赤外線を照射することで赤外線吸収層が発熱し、図6(b)のようにポリマー前駆体層12が選択的に重合され、重合部13と未重合部14を形成し、最後に赤外線吸収材料層24および未重合部14を除去することで図6(c)のようにパターニングされたポリマー絶縁膜を得る。
A seventh feature of the present invention is that the infrared absorbing material layer is patterned. Since the infrared absorbing material layer is patterned, infrared irradiation may be performed on the entire surface, and the pattern formation of the polymer insulating film can be performed more easily.
FIG. 6 is a diagram showing an example of patterning the infrared absorbing material layer. As shown in FIG. 6A, an infrared
本発明の第8の特徴は、ポリマー絶縁膜材料が赤外線吸収材料を含有することである。
ポリマー絶縁膜材料が赤外線吸収材料を含有するので、照射された赤外線を効率よく熱に変換するため、少ないエネルギーでポリマー絶縁膜のパターン形成を行なうことができる。赤外線によってポリマー前駆体層12を直接加熱する場合、ポリマー前駆体層12の赤外線吸収率によっては熱の発生が少なく、重合に時間がかかったり、重合が不充分になったりする恐れがある。本発明のこの第8の特徴によって、ポリマー絶縁膜材料によらずに安定してパターンを形成できる。赤外線吸収材料としては上述したような染料や顔料を用いることができるが、ポリマー絶縁膜中に残存するので、絶縁特性を損ねない材料が好ましい。なお、ポリマー前駆体層12中、赤外線吸収材料の割合は、5〜50重量%が好ましい。
The eighth feature of the present invention is that the polymer insulating film material contains an infrared absorbing material.
Since the polymer insulating film material contains an infrared absorbing material, the irradiated infrared rays are efficiently converted into heat, so that the pattern of the polymer insulating film can be formed with less energy. When the
本発明の第9の特徴は、前記赤外線吸収材料がポリマー前駆体層中で膜厚方向に分布を持って存在することである。赤外線吸収材料を含有するポリマー前駆体層を成膜し、成膜時に赤外線吸収材料が膜厚方向に分布を持って存在することで、一度の成膜で赤外線吸収材料層とポリマー絶縁膜材料の層とが、界面を有しまたは有さずに形成することが可能となり、プロセスを簡易にすることができる。また、ポリマー絶縁材料と赤外線吸収材料との分布が膜厚方向で異なることでポリマー絶縁膜材料が多い層は絶縁特性のより良好な層となるため、赤外線吸収材料が均一に分布している場合と比較して絶縁特性の向上が望める。前記分布は、赤外線吸収材料とポリマー絶縁膜材料の極性や分子量を異ならせることで、例えば乾燥時に溶媒が蒸発するまでの間に形成することができる。 A ninth feature of the present invention is that the infrared absorbing material exists in the polymer precursor layer with a distribution in the film thickness direction. A polymer precursor layer containing an infrared absorbing material is formed, and the infrared absorbing material is distributed in the film thickness direction at the time of film formation, so that the infrared absorbing material layer and the polymer insulating film material can be formed in a single film formation. The layer can be formed with or without an interface, and the process can be simplified. In addition, when the distribution of the polymer insulating material and the infrared absorbing material is different in the film thickness direction, the layer with more polymer insulating film material has a better insulating property, so the infrared absorbing material is evenly distributed Insulation characteristics can be improved compared to The distribution can be formed before the solvent evaporates during drying, for example, by differentiating the polarities and molecular weights of the infrared absorbing material and the polymer insulating film material.
本発明の第10の特徴は、加熱手段がサーマルヘッドであることである。サーマルヘッドの解像度は、形成するポリマー絶縁膜パターンの解像度以上であれば良い。サーマルヘッドを使う方式の場合、上述の赤外線を使う方式と比較すると精細度が低くなるが、形成するパターンがそれほど高精細ではない場合には、赤外線を使う方式よりも簡易な構成でポリマー絶縁膜のパターニングを行なうことができる。 The tenth feature of the present invention is that the heating means is a thermal head. The resolution of the thermal head may be higher than the resolution of the polymer insulating film pattern to be formed. In the case of the method using the thermal head, the definition is lower than the method using the infrared rays described above. However, if the pattern to be formed is not so high definition, the polymer insulating film has a simpler structure than the method using the infrared rays. Can be patterned.
本発明の第11の特徴は、ポリマー前駆体材料がポリアミック酸であることである。ポリマー前駆体材料としては上述のようにさまざまな材料を用いることが可能であるが、ポリマー前駆体として下記式に示すようなポリアミック酸を用いると、特に良好な絶縁特性が得られる。ここでA、Bは芳香族化合物、脂肪族化合物または環式化合物である。ポリアミック酸を重合(閉環)することでポリイミドとなるが、ポリイミドは絶縁特性が良好であり、層間絶縁膜に用いるには適当である。式中、nは整数であり、繰り返し単位数である。
An eleventh feature of the present invention is that the polymer precursor material is a polyamic acid. As the polymer precursor material, various materials can be used as described above. However, when a polyamic acid represented by the following formula is used as the polymer precursor, particularly good insulating properties can be obtained. Here, A and B are aromatic compounds, aliphatic compounds or cyclic compounds. Polyimide is obtained by polymerizing (ring-closing) polyamic acid. Polyimide has good insulating properties and is suitable for use as an interlayer insulating film. In the formula, n is an integer and the number of repeating units.
本発明の第12の特徴は、前記ポリマー絶縁膜材料の塗布が、ポリマー前駆体を含む溶媒を用いて行われるものであり、かつ前記溶媒が水に対して任意の割合で相溶する溶媒であることである。
この特徴によって、ポリマー絶縁膜を形成する面に有機溶媒に溶解しやすい材料が設けられている場合でも、損傷を与えることなくポリマー絶縁膜を形成することが可能となる。本発明における溶媒として、エタノール、メタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール等のグリコール系溶媒、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、2-ブトキシエタノール等のセロソルブ系溶媒等が挙げられる。本発明における、水に対して任意の割合で相溶する溶媒は、ポリマー前駆体層に使用される溶媒全体に対し、30vol%以上であることが望ましい。さらに望ましくは90vol%以上が望ましい。
A twelfth feature of the present invention is that the polymer insulating film material is applied using a solvent containing a polymer precursor, and the solvent is compatible with water at an arbitrary ratio. That is.
This feature makes it possible to form a polymer insulating film without damage even when a material that is easily dissolved in an organic solvent is provided on the surface on which the polymer insulating film is formed. Examples of the solvent in the present invention include alcohol solvents such as ethanol, methanol, and propanol, glycol solvents such as ethylene glycol, propylene glycol, and diethylene glycol, cellosolv solvents such as 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, and 2-butoxyethanol. Is mentioned. In the present invention, the solvent compatible with water at an arbitrary ratio is desirably 30 vol% or more with respect to the total solvent used in the polymer precursor layer. More desirably, 90 vol% or more is desirable.
本発明の第13の特徴は、前記のポリマー絶縁膜のパターン形成方法により、配線部の溝を形成する配線パターンの形成方法である。配線パターンの形成方法としては、図7に示す方法が知られている。まず図7(a)に示すように基板11上に、配線パターンを形成する絶縁膜25に配線パターンに従った溝26を形成する。次に図7(b)に示すように、溝26も含めて絶縁膜25全面に導電性材料27を形成する。最後に表面を研磨することで図7(c)のように溝に埋まった導電性パターン28を得る。この方法は一般にダマシン法と呼ばれており、溝の形成は感光性絶縁膜材料を使うことが一般的である。本発明の前記方法によって図7(a)に相当する溝を形成することでより簡易に溝を形成することができる。図8は、本発明における溝の形成方法を説明するための図である。まず基板11全面にポリマー絶縁膜材料を成膜し、加熱して図8(a)に示すようにポリマー絶縁膜29を形成する。次に図8(b)に示すように、ポリマー前駆体層12を成膜し、上述した方法で選択的に重合し、重合部13と未重合部14を形成する(図8(c))。最後に未重合部14を除去することで図8(d)に示す溝パターンを得る。
A thirteenth feature of the present invention is a wiring pattern forming method for forming a groove in a wiring portion by the polymer insulating film pattern forming method. As a wiring pattern forming method, a method shown in FIG. 7 is known. First, as shown in FIG. 7A, a
本発明の第14の特徴は、前記のポリマー絶縁膜のパターン形成方法により、ポリマー絶縁膜にコンタクトホールを形成した電子素子である。上述したポリマー絶縁膜のパターン形成方法によりポリマー絶縁膜に孔を設け、導電性材料を充填することでポリマー絶縁膜の上下間の導通を取ることができ、多層の積層配線が可能となる。 A fourteenth feature of the present invention is an electronic device in which a contact hole is formed in a polymer insulating film by the polymer insulating film pattern forming method. By providing holes in the polymer insulating film by the above-described pattern forming method of the polymer insulating film and filling the conductive material, conduction between the upper and lower sides of the polymer insulating film can be established, and multilayer laminated wiring becomes possible.
本発明の第15の特徴は、電子素子の構成要素が有機半導体材料を含むことでである。構成要素として有機半導体材料を含む電子素子としては、有機ダイオードや有機トランジスタ、有機EL、有機太陽電池、有機光センサーなどをあげることができる。これらの有機電子素子を形成する際、集積度を上げるために多層配線が一般的となるが、本発明を用いることで有機半導体材料を用いた電子素子の多層配線化を容易に行なうことができる。また、前記の本発明の第12の特徴、すなわちポリマー絶縁膜材料の塗布に用いられた溶媒が水に対して任意の割合で相溶するものであれば、有機半導体材料のダメージを最小限に抑えることができる。 A fifteenth feature of the present invention is that the constituent elements of the electronic element include an organic semiconductor material. Examples of the electronic element including an organic semiconductor material as a constituent element include an organic diode, an organic transistor, an organic EL, an organic solar battery, and an organic photosensor. When these organic electronic devices are formed, multilayer wiring is generally used to increase the degree of integration. However, by using the present invention, electronic devices using organic semiconductor materials can be easily formed into multilayer wiring. . In addition, if the solvent used for applying the polymer insulating film material is compatible with water at an arbitrary ratio, damage to the organic semiconductor material is minimized. Can be suppressed.
本発明の第16の特徴は、前記の電子素子を用いて構成された表示装置にある。これにより、従来よりも簡便で安価に表示装置を提供することができる。
図9は、本発明の表示装置の一例を説明するための図である。表示装置としては液晶、電気泳動、有機EL等の方式を用いることができる。図9の表示装置は、表示装置30は、基板31と透明導電膜32を有する第2の基板33との間に表示素子34が設けられている。非表示側には、TFT(電子素子)35が配置され、画素電極36が層間絶縁膜37上に形成され、この画素電極36と透明導電膜32との間に電圧が印加されることにより表示素子34が画像の表示を行う。なお、符号204,205,206,207,208は、図13と同様に、ゲート電極204、ゲート絶縁膜205、ソース電極206、ドレイン電極207、半導体208である。
液晶表示素子は電界駆動であることから消費電力が小さく、また駆動電圧が低いことからTFTの駆動周波数を高くすることができ、大容量表示に適している。液晶表示素子の表示方式として、TN、STN、ゲスト・ホスト型、高分子分散液晶(Polymer-dispersed Liquid Crystal=PDLC)等が挙げられるが、反射型で明るい白色表示が得られる点ではPDLCが好ましい。
また、表示装置としては、電気泳動表示装置を採用することもできる。電気泳動表示素子は第一の色(例えば白色)を呈する粒子を第二の色を呈する着色分散媒中に分散した分散液からなるもので、第一の色を呈する粒子は着色分散媒中で帯電することにより、電界の作用で分散媒中における存在位置を変えることができ、それによって呈する色が変化する。この表示方式によれば明るく、視野角の広い表示ができ、また表示メモリー性があるため特に消費電力の観点から好ましく使用される。
上記分散液を高分子膜で包んだマイクロカプセルとすることにより、表示動作が安定化するとともに、表示装置の製造が容易になる。マイクロカプセルはコアセルベーション法、In-Situ重合法、界面重合法等公知の方法で作製することができる。白色粒子としては、酸化チタンが特に好適に用いられ、必要に応じて表面処理あるいは他の材料との複合化等が施される。分散媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフテン系炭化水素等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、シクロヘキサン、ケロシン、パラフィン系炭化水素等の脂肪族炭化水素類、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、トリクロロフルオロエチレン、臭化エチル等のハロゲン化炭(化水)素類、含フッ素エーテル化合物、含フッ素エステル化合物、シリコーンオイル等の抵抗率の高い有機溶媒を使用するのが好ましい。分散媒を着色するためには所望の吸収特性を有するアントラキノン類やアゾ化合物類等の油溶性染料が用いられる。分散液中には分散安定化のために界面活性剤等を添加してもよい。
また有機EL素子は自発光型であるため鮮やかなフルカラー表示を行うことができる。またEL層は非常に薄い有機薄膜であるので、柔軟性に富み、特にフレキシブルな基板上に形成するのに適している。
A sixteenth feature of the present invention resides in a display device configured using the electronic element. Thereby, it is possible to provide a display device that is simpler and less expensive than conventional ones.
FIG. 9 is a diagram for explaining an example of the display device of the present invention. As the display device, methods such as liquid crystal, electrophoresis, and organic EL can be used. In the display device of FIG. 9, the
Since the liquid crystal display element is driven by an electric field, the power consumption is small, and since the driving voltage is low, the driving frequency of the TFT can be increased, which is suitable for large-capacity display. Examples of liquid crystal display elements include TN, STN, guest-host type, polymer-dispersed liquid crystal (PDLC), etc. PDLC is preferable in that a bright white display can be obtained with a reflection type. .
Further, an electrophoretic display device can also be employed as the display device. The electrophoretic display element is composed of a dispersion liquid in which particles exhibiting a first color (for example, white) are dispersed in a coloring dispersion medium exhibiting a second color. The particles exhibiting the first color are contained in the coloring dispersion medium. By being charged, the position in the dispersion medium can be changed by the action of an electric field, and the color to be exhibited thereby changes. According to this display method, it is possible to display brightly and with a wide viewing angle, and since it has a display memory property, it is preferably used particularly from the viewpoint of power consumption.
By using microcapsules in which the dispersion is wrapped with a polymer film, the display operation is stabilized and the display device can be easily manufactured. Microcapsules can be produced by a known method such as a coacervation method, an in-situ polymerization method, or an interfacial polymerization method. Titanium oxide is particularly preferably used as the white particles, and surface treatment or compounding with other materials is performed as necessary. Dispersion media include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, naphthenic hydrocarbons, aliphatic hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, kerosene, paraffinic hydrocarbons, trichloroethylene, tetrachloroethylene, trichlorofluoroethylene, odor It is preferable to use an organic solvent having a high resistivity such as halogenated carbon (hydrocarbon) such as ethyl halide, fluorine-containing ether compound, fluorine-containing ester compound, or silicone oil. In order to color the dispersion medium, oil-soluble dyes such as anthraquinones and azo compounds having desired absorption characteristics are used. A surfactant or the like may be added to the dispersion for stabilization of dispersion.
In addition, since the organic EL element is a self-luminous type, vivid full color display can be performed. In addition, since the EL layer is a very thin organic thin film, it has high flexibility and is particularly suitable for being formed on a flexible substrate.
以下、本発明を実施例により更に説明する。ただし、以下に示す実施例1および実施例3は、本発明の範囲には属しない参考例に相当する試験例である。
実施例1
以下の手順で図10のトランジスタアレイ100を作製した。
まず基板31上にゲート電極204を蒸着により形成した。次にゲート絶縁膜205としてポリイミドをスピンコートし、焼成して成膜した。金を蒸着し、フォトリソグラフィ法でパターニングすることによりソース電極206、ドレイン電極207および配線を形成した。さらに有機半導体208であるペンタセンをマスク蒸着した。さらにその表面にポリマー絶縁膜材料としてポリアミック酸を塗布、乾燥した。使用したポリアミック酸は、下記式に示す構造を有する。次に、ガラス基板にカーボンブラックを含有したインクによってポジパターンを形成して、図2に示すポジフォトマスクを作製した。このポジフォトマスクをポリアミック酸を成膜した基板に赤外線吸収材料がポリマー絶縁膜材料に接するように重ねて、赤外線ランプにより赤外線を照射した。次にブチルセロソルブによって未重合(未閉環)のポリアミック酸を除去することで、コンタクトホールを形成し層間絶縁膜37とした。最後に画素電極36として金をマスク蒸着し、画素電極を設けたトランジスタアレイを作製した。以上の工程により、感光性材料を使った層間絶縁膜のコンタクトホールの形成方法に比べて、扱いやすく簡易にコンタクトホールを形成することができた。
The present invention will be further described below with reference to examples. However, Example 1 and Example 3 shown below are test examples corresponding to reference examples not belonging to the scope of the present invention.
Example 1
The
First, the
実施例2
ポリマー絶縁材料の塗布、乾燥の工程終了までは実施例1と同様に行なった。次にポリマー絶縁膜材料層上に赤外線吸収材料層としてカーボンブラックを薄層で形成した。次にガラス基板上にクロムでネガパターンを形成したネガフォトマスクをかけて赤外線を照射した。ブチルセロソルブで未重合のポリアミック酸を除去してコンタクトホールを有する層間絶縁膜37を形成した。最後に金を蒸着して表示電極を形成した。以上の工程によりTFTアレイを簡易に形成できた。感光性材料を使った層間絶縁膜のコンタクトホールの形成方法に比べて、扱いやすく簡易にコンタクトホールを形成することができた。
Example 2
The same procedure as in Example 1 was performed until the coating and drying steps of the polymer insulating material were completed. Next, a thin layer of carbon black was formed as an infrared absorbing material layer on the polymer insulating film material layer. Next, the negative photomask which formed the negative pattern with the chromium on the glass substrate was applied, and infrared rays were irradiated. The unpolymerized polyamic acid was removed with butyl cellosolve to form an
図11に示す表示装置を次のように作製した。
酸化チタン粒子38とオイルブルーで着色したアイソパー39を内包するマイクロカプセル40をPVA水溶液に混合して、ITOからなる透明電極を形成した第二の基板であるポリカーボネート基板41上に塗布して、マイクロカプセル40とPVAバインダー42からなる層を形成した。この基板と、実施例2で作製したTFTアレイ基板とを接着した。
ゲート電極に繋がるバスラインに走査信号用のドライバーICを、ソース電極に繋がるバスラインにデータ信号用のドライバーICをそれぞれ接続した。0.5秒毎に画面切り替えを行ったところ、良好な静止画表示を行うことができた。
以上により、良好な特性の表示装置を簡易な方法で作製することができた。
The display device shown in FIG. 11 was produced as follows.
Microcapsules 40 containing
A scanning signal driver IC was connected to the bus line connected to the gate electrode, and a data signal driver IC was connected to the bus line connected to the source electrode. When the screen was switched every 0.5 seconds, a good still image could be displayed.
As described above, a display device having favorable characteristics can be manufactured by a simple method.
比較例1
実施例3の表示装置を、感光性ポリイミドを使って層間絶縁膜およびコンタクトホールを形成した。その他は実施例3と同じである。感光性ポリイミドを使用して層間絶縁膜およびコンタクトホールを形成したため、イエロールームを用意し、成膜中に無用の露光が生じないように注意しながら成膜、フォトマスクを使っての露光、現像を行なう必要があった。
Comparative Example 1
In the display device of Example 3, an interlayer insulating film and a contact hole were formed using photosensitive polyimide. Others are the same as in the third embodiment. Since the interlayer insulation film and contact holes are formed using photosensitive polyimide, a yellow room is prepared, and film formation, exposure using a photomask, and development are performed with care to avoid unnecessary exposure during film formation. It was necessary to do.
実施例4
以下の手順で図10のトランジスタアレイを作製した。
まず基板上にゲート電極を蒸着により形成した。次に実施例1と同じポリアミック酸を全面に塗布・加熱してポリイミド膜を形成した。次にポリイミド膜表面にポリアミック酸を塗布した。次にソース電極、ドレイン電極および配線のネガパターンをカーボンブラックで形成したフォトマスクをかけて赤外線を照射し、ブチルセロソルブで洗浄することで、凹パターンを形成した。次に金を全面に蒸着した後、研磨することでソース電極、ドレイン電極および配線を形成した。さらにその表面にポリマー絶縁膜材料層としてポリアミック酸を塗布、乾燥した。次に、ガラス基板にカーボンブラックを含有したインクによってポジパターンを形成して、図2のポジフォトマスクを作製した。このポジフォトマスクをポリアミック酸を成膜した基板に重ねて、赤外線ランプにより赤外線を照射した。次にブチルセロソルブによって未重合のポリアミック酸を除去することで、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成した。最後に画素電極として金をマスク蒸着して画素電極を設けたトランジスタアレイを作製した。以上の工程により、簡単にTFTアレイを形成できた。
Example 4
The transistor array shown in FIG. 10 was fabricated according to the following procedure.
First, a gate electrode was formed on the substrate by vapor deposition. Next, the same polyamic acid as in Example 1 was applied to the entire surface and heated to form a polyimide film. Next, polyamic acid was applied to the polyimide film surface. Next, a concave pattern was formed by irradiating infrared rays with a photomask in which a negative pattern of the source electrode, drain electrode and wiring was formed with carbon black and washing with butyl cellosolve. Next, after depositing gold on the entire surface, the source electrode, the drain electrode, and the wiring were formed by polishing. Further, polyamic acid was applied to the surface as a polymer insulating film material layer and dried. Next, a positive pattern was formed on the glass substrate with ink containing carbon black, and the positive photomask of FIG. 2 was produced. This positive photomask was placed on a substrate on which a polyamic acid film was formed, and infrared rays were irradiated with an infrared lamp. Next, unpolymerized polyamic acid was removed by butyl cellosolve to form contact holes in the interlayer insulating film. Finally, a transistor array provided with pixel electrodes was produced by mask vapor deposition of gold as pixel electrodes. The TFT array could be easily formed by the above process.
本発明によれば、絶縁膜を簡易にパターニングすることができ、素子の構成要素に対するダメージの少ない絶縁膜のパターン形成方法および電子素子が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, an insulating film can be patterned easily and the pattern formation method and electronic device of an insulating film with little damage with respect to the component of an element are provided.
11 基板
12 ポリマー前駆体層
13 重合部
14 未重合部
15 光透過性基板
16 赤外線吸収材料
17,19 フォトマスク
24 赤外線吸収材料層
30 表示装置
31 基板
32 透明導電膜
33 第2の基板
34 表示素子
35 TFT(電子素子)
36 画素電極
37 層間絶縁膜
40 マイクロカプセル
100 電子素子アレイ
204 ゲート電極
205 ゲート絶縁膜
206 ソース電極
207 ドレイン電極
208 半導体
DESCRIPTION OF
36
Claims (10)
前記加熱手段が、赤外線を用いる手段であり、
赤外線透過性材料上に赤外線遮光性材料のネガパターンを形成してマスクを作製し、該マスクを介して前記ポリマー前駆体層上に赤外線を照射することを特徴とするポリマー絶縁膜のパターン形成方法。 A step of forming a polymer precursor layer by applying a polymer insulating film material containing a thermopolymerizable polymer precursor material on a base, a step of selectively polymerizing the polymer precursor layer by heating means, and a polymerization possess and removing the polymeric precursor material unpolymerized using a solvent which dissolves the and the polymer precursor layer does not dissolve the polymer after,
The heating means is means using infrared rays;
A method for forming a pattern of a polymer insulating film, comprising: forming a negative pattern of an infrared ray shielding material on an infrared ray transmissive material; producing a mask; and irradiating infrared rays on the polymer precursor layer through the mask .
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