JP4312476B2 - Pattern forming method, electronic device, electronic device array, and image display device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機材料などのパターン形成方法、電子素子、電子素子アレイ及び画像表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
特許文献1には、有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料のパターニング方法が提案されている。このパターニング方法は、次の1〜7の工程を経て有機EL素子を作成するものである。
【0003】
1.透明基板に駆動回路を含む微細構造物を埋め込み、保護薄膜を形成した後、親液性の透明電極を形成する。
【0004】
2.次いで、透明基板の表面全体をシリコン酸化膜などの親液性の材料からなる絶縁膜で覆った後に、それをパターニングすることにより、透明電極が形成されていない領域、すなわち保護薄膜が露出している領域を絶縁膜で覆う。
【0005】
3.これを、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシランとともに密閉容器に入れて96時間室温で放置することで、透明基板の表面全体を撥液性の膜を形成する。
【0006】
4.次に透明基板の表面に、マスクを介して紫外線を選択的に照射することで、撥液性膜のうち、画素形成領域の部分の撥液性膜を分解除去する。
【0007】
5.次いで、インクジェット方式によって正孔注入材料を画素形成領域に塗布し、乾燥させることで、正孔注入層を形成する。
【0008】
6.同様にして有機EL層も形成して、発光層を形成する。
【0009】
7.最後に陰極層を形成して、有機EL素子が完成する。
【0010】
【特許文献1】
特開2002−15866公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
有機材料を用いた電子デバイスは、無機材料を用いた電子デバイスと比較して、
▲1▼.成膜など製造工程が簡単
▲2▼.材料自体に可撓性があるため、フレキシブル基板への作製が容易
といった特徴があり、絶縁膜、誘電体膜、導電膜、半導体素子、発光素子、およびそれらを用いたフレキシブルで軽量な画像表示デバイスなど、さまざま応用展開が期待されている。その一方で、その加工方法は未だ確立されておらず、加工方法の早急な開発が望まれている。
【0012】
一方、電子デバイスの製造に用いられるパターニング方法としては、無機材料の分野ではフォトリソグラフィ技術が広く用いられている。フォトリソグラフィ技術では、一般的に次の1〜5のような工程によってパターニングが行われる。すなわち、
1.まず、パターニングしたい材料(以下、材料Aとよぶ)を基板全面に形成する。
【0013】
2.次に、形成した材料Aの上にフォトレジストをコーティング、乾燥し、フォトマスクを使って形成したいパターンを露光する。
【0014】
3.そして、レジストを現像、リンスすることで、レジストパターンを形成する。
【0015】
4.その後、材料Aを溶解するエッチング剤で材料Aをエッチングする。
【0016】
5.このエッチング後、レジストを除去することで、材料Aを所望のパターンにパターニングすることができる。
【0017】
しかしながら、有機材料のパターニングについては、無機材料のパターニングの方法をそのまま使うことは,以下の理由から難しい。
▲1▼.有機材料は無機材料に比べて、物理的、化学的にダメージを受けやすい。すなわち、エッチングや、エッチング後のレジスト除去時にダメージを受けやすく、材料の劣化を抑えることが困難である。
▲2▼.無機材料のパターニングに使われるレジスト剤は有機系材料であり、パターニングしたい有機材料によっては、レジスト剤塗布時にレジスト剤の溶媒によってダメージを受けるおそれがある。
【0018】
そこで、特許文献1に開示のように、有機EL材料のパターニング方法が提案されている。
【0019】
しかし、この方法の場合、撥液性膜の形成に長時間かかり、実用的でないという不具合がある。
【0020】
また、特許文献1の技術では、パターニング時に含フッ素有機膜を分解して除去しているので、含フッ素有機膜は分解によって有害な分解ガスが発生し、安全性、環境の面で好ましくないという不具合もある。
【0021】
本発明の目的は、有機材料などのパターンを形成する際に、製造コストを低減し、製造工程における安全性、環境性を高めることである。
【0031】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、絶縁性基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記絶縁性基板の前記ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極が形成された側の表面に、電子線又は紫外線によって重合するシリコーン系材料を塗布し、電子線又は紫外線を照射することにより、有機半導体層のパターンのネガパターンである撥液性層を形成する工程と、前記絶縁性基板の前記撥液性層が形成された側の表面に有機半導体材料を含有する液体を与えることにより、前記有機半導体材料のパターンである有機半導体層を形成する工程と、を含んでなるパターン形成方法である。
【0032】
したがって、撥液性層が有機半導体材料を含有する液体をはじくことにより、有機半導体層は絶縁性基板上の撥液性層の形成されていない部分にのみ形成される。撥液性層は、絶縁性基板の表面に当該表面の部位ごとに選択的に形成され、従来のように撥液性材料を基板面に全体的に形成してから部分的に除去するものではないので、撥液性層の形成を短時間で終了して製造コストを低減でき、有害な分解ガスの発生などによる安全性、環境面の問題を生じない。
さらに、蒸着に比べて生産性が高く、さらに、未重合のシリコーン系材料を回収することで、シリコーン系材料の無駄を少なくすることができる。
【0035】
なお、前記撥液性層を形成する工程において、前記電子線又は紫外線によって重合するシリコーン系材料に光触媒を混合した材料を塗布するようにしてもよい(請求項2)。この場合に、光触媒は二酸化チタン粒子を用いれば(請求項3)、強い光触媒作用を有するので望ましい。
【0036】
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、前記有機半導体層を形成する工程において、インクジェットによって前記有機半導体材料を含有する液体を前記絶縁性基板の前記撥液性層が形成された側の表面に与えることを特徴とする。
【0037】
したがって、必要な量の有機半導体材料を選択的に付与することができ、絶縁性基板の表面には撥液性層が形成されているので、インクジェットの吹き付け位置精度が正確でなくとも、撥液性層に有機半導体材料を含有する液体を付与することが可能となる。
【0038】
請求項5に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、前記有機半導体層を形成する工程において、スピンコートによって前記有機半導体材料を含有する液体を前記絶縁性基板の前記撥液性層が形成された側の表面に与えることを特徴とする。
【0039】
したがって、有機半導体材料を含有する液体の絶縁性基板表面への付与と撥液性層上からの除去を同時に行うことができ、また、インクジェット法と比較して絶縁性基板全面に一度に有機半導体材料を含有する液体を付与できるので、効率的に有機半導体層を形成することが可能となる。
【0040】
請求項6に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、前記有機半導体層を形成する工程において、ディップコートによって前記有機半導体材料を含有する液体を前記絶縁性基板の前記撥液性層が形成された側の表面に与えることを特徴とする。
【0041】
したがって、有機半導体層の形成効率は高く、さらに、有機半導体材料を含有する液体は絶縁性基板の非撥液部にのみ付着し、余分な液体は全て回収されるため、材料の無駄が発生しない。
【0042】
請求項7に記載の発明は、絶縁性基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、撥液性層及び有機半導体層を備える電子素子であって、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて製造されていることを特徴とする。
【0043】
したがって、本電子素子は、製造コストの低減、製造工程における安全性、環境性の維持を図ることができる。
【0044】
請求項8に記載の発明は、絶縁性基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、撥液性層及び有機半導体層を備える電子素子アレイであって、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて製造されていることを特徴とする。
【0045】
したがって、本電子素子アレイは、製造コストの低減、製造工程における安全性、環境性の維持を図ることができる。
【0046】
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の電子素子アレイを備える画像表示装置である。
【0047】
したがって、低製造コストで、安全性、環境性の高い電子素子アレイにより製造された画像表示装置を提供することができる。
【0048】
【発明の実施の形態】
[発明の実施の形態1]
本発明の一実施の形態を発明の実施の形態1として説明する。
【0049】
図1、図2は、本実施の形態の有機パターン形成方法により製造途上の電子素子アレイ1の縦断面図である。以下に説明する各実施の形態では、この図1、図2を参照して説明する。
【0050】
(1)第1工程
図1に示すように、まず、絶縁性基板11の上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、ソース電極14及びドレイン電極15を、この順番で通常のフォトリソグラフィ工程によって順次形成する。
【0051】
(2)第2工程(ネガパターン形成工程)
次に、基板11の表面に当該表面の部位ごとに選択的に所定の有機材料を含有する液体をはじく撥液性材料としてフルオロアルキル基を有する化合物を用いて、その有機材料のパターンのネガパターンを、マスクを用いた蒸着により形成する。すなわち、マスクをかけた基板11と、フルオロアルキル基を含む化合物を図示しない真空チャンバ内に入れ、フルオロアルキル基を含む化合物を200℃以下で加熱して蒸着する。
【0052】
一例を挙げると、基板11の表面に図示しないメタルマスクをのせて、フッ素系コーティング剤(ダイキン工業製の「オプツールDSX」を使用)を蒸着することで、所定のネガパターンの撥液性層16を形成する。
【0053】
(2)第3工程(材料層形成工程)
そして、前述の有機材料を含有する液体を撥液性層16のネガパターンが形成された基板11の表面に与える。これにより、撥液性層16が有機材料を含有する液体をはじくことにより、基板11の表面のネガパターンが形成されていない部分に有機材料のパターンの材料層17が形成される。
【0054】
一例を挙げると、基板11の表面に、ポリ3ヘキシルチオフェンをクロロホルムに溶解した液体をインクジェット液で塗布し、その後、乾燥することで、図2に示すように材料層(有機半導体層)17を形成する。
【0055】
以上の製造方法により、撥液性層16は基板11の表面に、その表面の部位ごとに選択的に形成され、従来のように撥液性材料を基板11面に全体的に形成してから部分的に除去するものではないので、ネガパターンの形成を短時間で終了でき、有害な分解ガスの発生などによる安全性、環境面の問題を生じない。
【0056】
そして、フルオロアルキル基を含む化合物の分解温度はその分子構造によって異なるが、一般的に200℃よりも高いので、フルオロアルキル基を含む化合物を200℃以下で加熱して蒸着することでネガパターンを形成すれば、撥液性材料が分解することなく安全に撥液性パターンを基板上に形成することができる。
【0057】
さらに、有機材料を含有した液体の付与方法としてインクジェットを用いるので、必要な量の有機材料を選択的に付与することができ、基板11の表面には撥液性のネガパターンが形成されているので、インクジェットの吹き付け位置精度が正確でなくとも、ネガパターンの有機材料を含有する液体を付与することが可能となる。この場合、必要であれば、インクジェットによる液体の付与後に基板表面にエアブローなどを行うことでネガパターンに付着した不要の液体を除去することも可能である。
【0058】
[発明の実施の形態2]
本発明の別の実施の形態を発明の実施の形態2として説明する。
【0059】
(1)第1工程
実施の形態1と同様であるため省略する。
【0060】
(2)第2工程(ネガパターン形成工程)
次に、基板11の表面に当該表面の部位ごとに選択的に所定の有機材料を含有する液体をはじく撥液性材料として、フルオロアルキル基を有する化合物であって電子線又は紫外線によって重合する材料を与えて、これに電子線又は紫外線を照射することで、その有機材料のパターンのネガパターンを形成する。紫外線や電子線によって重合するには、基板11に与える材料に、アクリル基、エポキシ基、チオール基などの紫外線や電子線によって活性化する官能基を有すればよい。
【0061】
一例を挙げると、パーフルオロオクチルアクリレートを基板11の表面にコーティングし、図示しないフォトマスクを介して紫外線を照射することで重合させることで、所定のネガパターンの撥液性層16を形成する。
【0062】
(2)第3工程(材料層形成工程)
そして、前述の有機材料を含有する液体を撥液性層16のネガパターンが形成された基板11の表面に与える。これにより、撥液性層16が有機材料を含有する液体をはじくことにより、基板11の表面のネガパターンが形成されていない部分に有機材料のパターンの材料層17が形成される。
【0063】
一例を挙げると、基板11の表面に、ポリ3ヘキシルチオフェンをクロロホルムに溶解した液体をディップコートし、その後、乾燥することで、図2に示すように材料層(有機半導体層)17を形成する。
【0064】
以上の製造方法により、撥液性層16は基板11の表面に、その表面の部位ごとに選択的に形成され、従来のように撥液性材料を基板11面に全体的に形成してから部分的に除去するものではないので、ネガパターンの形成を短時間で終了でき、有害な分解ガスの発生などによる安全性、環境面の問題を生じない。
【0065】
また、撥液性材料の塗布と電子線や紫外線の照射でネガパターンを形成できるので、蒸着を用いる場合に比べて生産性が向上する。
【0066】
紫外線や電子線によって重合するにはアクリル基、エポキシ基、チオール基などの紫外線や電子線によって活性化する官能基を有すればよいが、この場合に、撥液性材料が分解しないので、安全にネガパターンを基板上に形成することができる。
【0067】
さらに、ディップコート法を用いれば、材料層の形成効率は高く、さらに、液体は基板の非撥液部にのみ付着し、余分な液体は全て回収されるため、材料の無駄が発生しない。
【0068】
[発明の実施の形態3]
本発明の別の実施の形態を発明の実施の形態3として説明する。
【0069】
(1)第1工程
実施の形態1と同様であるため省略する。
【0070】
(2)第2工程(ネガパターン形成工程)
次に、基板11の表面に当該表面の部位ごとに選択的に所定の有機材料を含有する液体をはじく撥液性材料としてシリコーン系材料を与えて、マスクを用いた蒸着により、その有機材料のパターンのネガパターンを形成する。
【0071】
一例を挙げると、紫外線重合型シリコーン(GE東芝シリコーン製のTPR6500を使用)を基板11上にコーティングし、図示しないフォトマスクを介して紫外線を照射することで重合させることで、所定のネガパターンの撥液性層16を形成する。
【0072】
(2)第3工程(材料層形成工程)
そして、前述の有機材料を含有する液体を撥液性層16のネガパターンが形成された基板11の表面に与える。これにより、撥液性層16が有機材料を含有する液体をはじくことにより、基板11の表面のネガパターンが形成されていない部分に有機材料のパターンの材料層17が形成される。
【0073】
一例を挙げると、基板11の表面に、ポリ3ヘキシルチオフェンをクロロホルムに溶解した液体をスピンコートし、その後、乾燥することで、図2に示すように材料層(有機半導体層)17を形成する。
【0074】
以上の製造方法により、撥液性層16は基板11の表面に、その表面の部位ごとに選択的に形成され、従来のように撥液性材料を基板11面に全体的に形成してから部分的に除去するものではないので、ネガパターンの形成を短時間で終了でき、有害な分解ガスの発生などによる安全性、環境面の問題を生じない。
【0075】
また、シリコーン系材料は加熱されても有害な物質は放出しないので、安全にネガパターンを基板上に形成することができる。
【0076】
さらに、スピンコート法を用いれば、基板11の表面への液体の付与とネガパターン上からの液体の除去を同時に行うことができ、また、前述のインクジェット法と比較して基板11の全面に一度に液体を付与できるので、効率的に材料層16を形成することが可能となる。
【0077】
[発明の実施の形態4]
本発明の別の実施の形態を発明の実施の形態4として説明する。
【0078】
(1)第1工程
実施の形態1と同様であるため省略する。
【0079】
(2)第2工程(ネガパターン形成工程)
次に、基板11の表面に当該表面の部位ごとに選択的に所定の有機材料を含有する液体をはじく撥液性材料としてシリコーン系材料であって電子線又は紫外線によって重合するものを与えて、電子線又は紫外線を照射することで、その有機材料のパターンのネガパターンを形成する。紫外線や電子線によって重合するには、基板11に与える材料に、アクリル基、エポキシ基、チオール基などの紫外線や電子線によって活性化する官能基を有すればよい。
【0080】
一例を挙げると、粒径30nmの二酸化チタンの粒子を光触媒として紫外線重合型シリコーン(GE東芝シリコーン製のTPR6500を使用)に混合した材料を、基板11の表面上にコーティングし、図示しないフォトマスクを介して紫外線を照射することで重合させて、有機材料のパターンのネガパターンである撥液性層16を基板11の表面に形成する。
【0081】
なお、光触媒とは、照射された電子線もしくは紫外線によって活性化状態となり、分子の重合反応もしくは分解反応を促進する材料である。特に二酸化チタンは、強い光触媒作用を持つので望ましい。この場合に、二酸化チタンは表面積が大きいほど光触媒としての効果が高いので、その粒径は小さいことが望ましい。また、成膜したときの撥液性層16の撥液性を維持するためにも、粒径は小さい方がよい。膜厚や含有量にもよるが、500nm以下、好ましくは50nm以下がよい。
【0082】
(2)第3工程(材料層形成工程)
実施の形態1と同様であるため省略する。
【0083】
以上の製造方法により、撥液性層16は基板11の表面に、その表面の部位ごとに選択的に形成され、従来のように撥液性材料を基板11面に全体的に形成してから部分的に除去するものではないので、ネガパターンの形成を短時間で終了でき、有害な分解ガスの発生などによる安全性、環境面の問題を生じない。
【0084】
また、蒸着を用いるに比べて生産性が高く、さらに、未重合の撥液性材料を回収することで、撥液性材料の無駄を少なくすることができる。
【0085】
さらに、紫外線や電子線によって重合するアクリル基、メタクリル基、エポキシ基、チオール基などの官能基を用いれば、これによって撥液性材料が分解することなく安全にネガパターンを基板上に形成することができる。この例では、重合に必要な紫外線照射時間は実施の形態4の場合と比べて約2/3となった。
【0086】
[参考例1]
本発明の参考例を参考例1として説明する。
【0087】
(1)第1工程
実施の形態1と同様であるため省略する。
【0088】
(2)第2工程(ネガパターン形成工程)
次に、所定の有機材料を含有する液体をはじく撥液性を有するシリコーン系材料であって、電子線又は紫外線によって分解するものを基板11の表面に与え、このシリコーン系材料に電子線又は紫外線を照射して、このシリコーン系材料を基板11の表面の領域ごとに選択的に分解することで、有機材料のパターンのネガパターンである撥液性層16を基板11の表面に形成する。
【0089】
一例を挙げると、シリコーンレジンコーティング剤(東レダウコーニングシリコーン製のSR2410を使用)を基板11上に塗布し、これを乾燥、硬化させて撥液性層16を形成し、これに図示しないフォトマスクを介して紫外線を照射することで、形成撥液性層16を基板11の表面の領域ごとに選択的に分解して、有機材料のパターンのネガパターンである撥液性層16を基板11の表面に形成する。
【0090】
(2)第3工程(材料層形成工程)
実施の形態1と同様であるため省略する。
【0091】
なお、上記各実施の形態において、撥液性層16は、ポリ3ヘキシルチオフェンをクロロホルムなどの有機材料を含有する液体をはじく撥液性、すなわち、この液体に対してぬれない性質を有しているが、具体的には、撥液性層16に用いる撥液性材料としては、その表面エネルギーが20mN/m以下であるものを用いるのが望ましい。
【0092】
したがって、シリコーン系材料は分解によって有害な物質を放出しないので、安全にネガパターンを形成することができ、また、蒸着による形成と比べて、真空チャンバを使用しないので生産性が高くなる。
【0093】
[発明の実施の形態6]
以上のような実施の形態1〜4及び参考例1のいずれかの製造方法を経ることにより、図2の断面構成を有する、電子素子であるトランジスタ18が複数個配列された電子素子アレイ1が作製される。そして、この電子素子アレイ1を用いれば、画像を表示する画像表示装置21(図4参照)を作成することができる。
【0094】
このようにして作成された各トランジスタ18の特性を評価したところ、同じ材料でトランジスタ単体を作製した場合と同様の特性を示し、各トランジスタ18が良好に動作することが確認できた。なお、比較例として、図3に示すように撥液性材料のネガパターンを形成せず、基板1の全面に有機半導体層17を形成した場合には、各トランジスタ18は隣のトランジスタ18からのリーク電流による相互干渉が大きかった。
【0095】
実施の形態1〜4及び参考例1により製造した電子素子アレイ1は、撥液性層16を基板1の表面の部位ごとに選択的に形成するものであるため、材料層17と基板11との間には撥液性層16がまったく形成されていない。これに対し、前述の特許文献1に開示の技術では、基板11の全面に、一度、撥液性層16を形成してから、不要な部分の撥液性層16を除去するものであるため、撥液性層16が材料層17と基板11との間に残存している場合がある。
【0096】
なお、前述の例ではトランジスタ18から構成される電子素子アレイ1及びその製造技術の例についてのみ示したが、有機材料による絶縁膜や誘電体膜、また、導電膜のパターニング、さらには、ダイオードや有機発光素子など、トランジスタ以外の半導体素子を本技術により製造することも可能である。
【0097】
[発明の実施の形態7]
図4は、電子素子アレイ1を用いた画像表示装置21の縦断面図である。
【0098】
図4に示すように、画像表示装置21は、前述の電子素子アレイ基板1と、透明導電膜22を有する第2の基板23との間に表示素子24が設けられ、画素電極を兼ねるドレイン電極15上の表示素子24がスイッチングされる。第2の基板23としては、ガラスやポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチックなどを用いることができる。表示素子24としては、液晶、電気泳動、有機EL等の方式を用いることができる。
【0099】
この場合、液晶表示素子は電界駆動であることから消費電力が小さく、また、駆動電圧が低いことからトランジスタの駆動周波数を高くすることができ、大容量表示に適している。液晶表示素子の表示方式として、TN、STN、ゲスト・ホスト型、高分子分散液晶(Polymer-dispersed Liquid Crystal(PDLC))等が挙げられるが、反射型で明るい白色表示が得られる点ではPDLCが好適である。
【0100】
電気泳動を用いた画像表示装置21は、第1の色(例えば白色)を呈する粒子を第2の色を呈する着色分散媒中に分散した分散液からなるもので、第1の色を呈する粒子は着色分散媒中で帯電することにより、電界の作用で分散媒中における存在位置を変えることができ、それによって呈する色が変化する。この表示方式によれば、明るく、視野角の広い表示ができ、また、表示メモリ性があるため、特に消費電力の観点から好適である。
【0101】
また、上記分散液を高分子膜で包んだマイクロカプセルとすることにより、表示動作が安定化するとともに、表示装置の製造が容易になる。マイクロカプセルはコアセルベーション法、In-Situ重合法、界面重合法等公知の方法で製作することができる。白色粒子としては、酸化チタンが特に好適に用いられ、必要に応じて表面処理あるいは他の材料との複合化等が施される。分散媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフテン系炭化水素等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、シクロヘキサン、ケロシン、パラフィン系炭化水素等の脂肪族炭化水素類、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、トリクロロフルオロエチレン、臭化エチル等のハロゲン化炭(化水)素類、含フッ素エーテル化合物、含フッ素エステル化合物、シリコーンオイル等の抵抗率の高い有機溶媒を使用するのが望ましい。分散媒を着色するためには所望の吸収特性を有するアントラキノン類やアゾ化合物類等の油溶性染が用いられる。分散液中には分散安定化のために界面活性剤等を添加してもよい。
【0102】
さらに、有機ELを用いた画像表示装置21は、自発光型であるため鮮やかなフルカラー表示を行うことができる。またEL層は非常に薄い有機薄膜であるので、柔軟性に富み、特にフレキシブルな基板上に形成するのに適している。
【0103】
図5は、画像表示装置21の製造方法の一例を示す縦断面図である。
【0104】
図5に示す画像表示装置21は、以下のようにして製造する。
【0105】
すなわち、酸化チタン粒子32とオイルブルーで着色したアイソパー33を内包するマイクロカプセル34をPVA水溶液に混合して、ITOからなる透明電極22を形成したポリカーボネート基板23上に塗布して、マイクロカプセル34とPVAバインダー35からなる層36を形成した。そして、この基板と、実施の形態5で製作した電子素子アレイ1とを接着する。
【0106】
そして、ゲート電極12に繋がるバスラインに走査信号用のドライバICを、ソース電極に繋がるバスラインにデータ信号用のドライバICをそれぞれ接続する。
【0107】
このようにして、製造した画像表示装置21を駆動して、0.5秒毎に画面切り替えを行ったところ、良好な静止画表示を行うことができた。
【0112】
請求項1に記載の発明は、撥液性層の形成を短時間で終了して製造コストを低減でき、有害な分解ガスの発生などによる安全性、環境面の問題を生じない。
さらに、シリコーン系材料の無駄を少なくすることができる。
【0114】
請求項4に記載の発明は、インクジェットの吹き付け位置精度が正確でなくとも、撥液性層に有機半導体材料を含有する液体を付与することが可能となる。
【0115】
請求項5に記載の発明は、有機半導体材料を含有する液体の絶縁性基板表面への付与とネガパターン上からの除去を同時に行うことができ、また、インクジェット法と比較して絶縁性基板全面に一度に有機半導体材料を含有する液体を付与できるので、効率的に有機半導体層を形成することが可能となる。
【0116】
請求項6に記載の発明は、有機半導体層の形成効率は高く、また、有機半導体材料の無駄が発生しない。
【0117】
請求項7、8に記載の発明は、製造コストの低減、製造工程における安全性、環境性の維持を図ることができる。
【0118】
請求項9に記載の発明は、安全性、環境性の高い電子素子アレイにより製造された画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である有機材料のパターン形成方法を説明する製造途上の電子素子アレイの縦断面図である。
【図2】本発明の実施の形態である有機材料のパターン形成方法を説明する電子素子アレイの縦断面図である。
【図3】比較例である電子素子アレイの縦断面図である。
【図4】電子素子アレイを用いた画像表示装置の縦断面図である。
【図5】画像表示装置の製造工程を説明する縦断面図である。
【符号の説明】
1 電子素子アレイ
11 基板
16 撥液性層
17 材料層
18 電子素子
21 画像表示装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a pattern forming method using an organic material, an electronic element, an electronic element array, and an image display device.
[0002]
[Prior art]
Patent Document 1 proposes a patterning method for an organic electroluminescence (EL) material. This patterning method creates an organic EL element through the following steps 1-7.
[0003]
1. After embedding a fine structure including a driving circuit in a transparent substrate and forming a protective thin film, a lyophilic transparent electrode is formed.
[0004]
2. Next, after covering the entire surface of the transparent substrate with an insulating film made of a lyophilic material such as a silicon oxide film, by patterning it, the region where the transparent electrode is not formed, that is, the protective thin film is exposed. Cover the area with an insulating film.
[0005]
3. This is put in a sealed container together with heptadecafluorotetrahydrodecyltriethoxysilane and allowed to stand at room temperature for 96 hours to form a liquid repellent film on the entire surface of the transparent substrate.
[0006]
4). Next, the surface of the transparent substrate is selectively irradiated with ultraviolet rays through a mask to decompose and remove the liquid repellent film in the pixel formation region portion of the liquid repellent film.
[0007]
5). Next, a hole injection material is applied to the pixel formation region by an inkjet method and dried to form a hole injection layer.
[0008]
6). Similarly, an organic EL layer is also formed to form a light emitting layer.
[0009]
7. Finally, a cathode layer is formed to complete the organic EL element.
[0010]
[Patent Document 1]
JP 2002-15866 A
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
Compared to electronic devices using inorganic materials, electronic devices using organic materials
(1). Easy manufacturing process such as film formation
(2). Easy to fabricate on flexible board because the material itself is flexible
Various applications such as an insulating film, a dielectric film, a conductive film, a semiconductor element, a light emitting element, and a flexible and lightweight image display device using them are expected. On the other hand, the processing method has not been established yet, and rapid development of the processing method is desired.
[0012]
On the other hand, as a patterning method used for manufacturing an electronic device, a photolithography technique is widely used in the field of inorganic materials. In the photolithography technique, patterning is generally performed by the following processes 1 to 5. That is,
1. First, a material to be patterned (hereinafter referred to as material A) is formed on the entire surface of the substrate.
[0013]
2. Next, a photoresist is coated on the formed material A, dried, and a pattern to be formed is exposed using a photomask.
[0014]
3. Then, a resist pattern is formed by developing and rinsing the resist.
[0015]
4). Thereafter, the material A is etched with an etching agent that dissolves the material A.
[0016]
5). After this etching, the material A can be patterned into a desired pattern by removing the resist.
[0017]
However, regarding the patterning of organic materials, it is difficult to use the patterning method of inorganic materials as they are for the following reasons.
(1). Organic materials are more susceptible to physical and chemical damage than inorganic materials. That is, it is easy to be damaged during etching or removal of the resist after etching, and it is difficult to suppress deterioration of the material.
(2). The resist agent used for patterning the inorganic material is an organic material, and depending on the organic material to be patterned, there is a risk of being damaged by the solvent of the resist agent when the resist agent is applied.
[0018]
Therefore, as disclosed in Patent Document 1, a method for patterning an organic EL material has been proposed.
[0019]
However, this method has a disadvantage that it takes a long time to form the liquid repellent film and is not practical.
[0020]
Further, in the technique of Patent Document 1, since the fluorine-containing organic film is decomposed and removed during patterning, the fluorine-containing organic film generates harmful decomposition gas due to decomposition, which is not preferable in terms of safety and environment. There are also defects.
[0021]
An object of the present invention is to reduce manufacturing costs and improve safety and environmental performance in a manufacturing process when forming a pattern of an organic material or the like.
[0031]
[Means for Solving the Problems]
Claim1The invention described in (1) includes forming a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, and a drain electrode on an insulating substrate, and forming the gate electrode, the gate insulating film, the source electrode, and the drain electrode of the insulating substrate. Forming a liquid repellent layer that is a negative pattern of the pattern of the organic semiconductor layer by applying a silicone-based material that is polymerized by an electron beam or an ultraviolet ray to the surface on the exposed side and irradiating the electron beam or the ultraviolet ray; Forming an organic semiconductor layer that is a pattern of the organic semiconductor material by applying a liquid containing the organic semiconductor material to a surface of the insulating substrate on which the liquid-repellent layer is formed. This is a pattern forming method.
[0032]
Therefore, when the liquid repellent layer repels the liquid containing the organic semiconductor material, the organic semiconductor layer is formed only on the portion where the liquid repellent layer is not formed on the insulating substrate. The liquid repellent layer is selectively formed on the surface of the insulating substrate for each portion of the surface, and the liquid repellent material is not partially removed after the liquid repellent material is formed entirely on the substrate surface as in the past. Therefore, the formation of the liquid repellent layer can be completed in a short time to reduce the manufacturing cost, and no safety or environmental problems due to the generation of harmful decomposition gas are caused.
furtherHigher productivity than vapor deposition and unpolymerizedSiliconeBy collecting the materials,SiliconeWaste of materials can be reduced.
[0035]
In the step of forming the liquid repellent layer, a material obtained by mixing a photocatalyst with the silicone-based material that is polymerized by the electron beam or ultraviolet light may be applied.2). In this case, if the photocatalyst uses titanium dioxide particles (claim)3), Which is desirable because it has a strong photocatalytic action.
[0036]
Claim4The invention described in claim 1 to claim 13In the pattern forming method according to any one of the above, in the step of forming the organic semiconductor layer, the liquid containing the organic semiconductor material is applied to the side of the insulating substrate on which the liquid repellent layer is formed in the step of forming the organic semiconductor layer. It is characterized by giving to the surface.
[0037]
Therefore, the required amount of organicsemiconductorMaterial can be applied selectively,InsulationOn the surface of the boardLiquid repellent layerIs formed, so even if the inkjet spraying position accuracy is not accurate,Liquid repellent layerOrganicsemiconductorA liquid containing the material can be applied.
[0038]
Claim5The invention described in claim 1 to claim 13In the pattern forming method according to any one of the above, in the step of forming the organic semiconductor layer, a liquid containing the organic semiconductor material is applied by spin coating to the side on which the liquid-repellent layer of the insulating substrate is formed. It is characterized by giving to the surface of.
[0039]
Therefore,Insulation properties of liquids containing organic semiconductor materialsTo substrate surfaceWithGivenLiquid repellent layerFrom aboveRemovalCan be done at the same time, compared to the inkjet methodInsulationAll over the board at onceContains organic semiconductor materialsSince liquid can be applied, it is efficientOrganic semiconductorA layer can be formed.
[0040]
Claim6The invention described in claim 1 to claim 13In the pattern forming method according to any one of the above, in the step of forming the organic semiconductor layer, the liquid containing the organic semiconductor material is applied to the side on which the liquid repellent layer of the insulating substrate is formed by dip coating. It is characterized by giving to the surface of.
[0041]
Therefore,Organic semiconductorThe layer formation efficiency is high,Contains organic semiconductor materialsLiquidInsulationSince it adheres only to the non-liquid-repellent part of the substrate and all the excess liquid is recovered, no material is wasted.
[0042]
Claim7The invention described in 1 is an electronic device including an insulating substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, a liquid repellent layer, and an organic semiconductor layer,6It is manufactured using the pattern formation method as described in any one of these.
[0043]
Therefore, this electronic device, MadeIt is possible to reduce manufacturing costs, maintain safety in the manufacturing process, and maintain environmental performance.
[0044]
Claim8The invention according to claim 1 is an electronic element array comprising an insulating substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, a liquid repellent layer, and an organic semiconductor layer.6It is manufactured using the pattern formation method as described in any one of these.
[0045]
Therefore, this electronic element array, MadeIt is possible to reduce manufacturing costs, maintain safety in the manufacturing process, and maintain environmental performance.
[0046]
Claim9The invention described in claim8It is an image display apparatus provided with the electronic element array of description.
[0047]
Therefore, it is possible to provide an image display device manufactured by an electronic element array having high safety and high environmental performance at a low manufacturing cost.
[0048]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiment 1 of the Invention
One embodiment of the present invention will be described as Embodiment 1 of the present invention.
[0049]
1 and 2 are longitudinal sectional views of an electronic element array 1 being manufactured by the organic pattern formation method of the present embodiment. Each embodiment described below will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
[0050]
(1) First step
As shown in FIG. 1, first, a
[0051]
(2) Second step (negative pattern forming step)
Next, using a compound having a fluoroalkyl group as a liquid repellent material that selectively repels a liquid containing a predetermined organic material for each surface portion on the surface of the substrate 11, a negative pattern of the pattern of the organic material Is formed by vapor deposition using a mask. In other words, the masked substrate 11 and a compound containing a fluoroalkyl group are placed in a vacuum chamber (not shown), and the compound containing a fluoroalkyl group is heated at 200 ° C. or lower for vapor deposition.
[0052]
As an example, a
[0053]
(2) Third step (material layer forming step)
And the liquid containing the above-mentioned organic material is given to the surface of the board | substrate 11 in which the negative pattern of the
[0054]
For example, a material layer (organic semiconductor layer) 17 is applied to the surface of the substrate 11 by applying a liquid obtained by dissolving poly (3-hexylthiophene) in chloroform with an inkjet liquid and then drying, as shown in FIG. Form.
[0055]
By the above manufacturing method, the
[0056]
The decomposition temperature of a compound containing a fluoroalkyl group varies depending on its molecular structure, but is generally higher than 200 ° C. Therefore, a negative pattern can be obtained by heating and vapor-depositing a compound containing a fluoroalkyl group at 200 ° C. or less. If formed, the liquid repellent pattern can be safely formed on the substrate without the liquid repellent material being decomposed.
[0057]
Furthermore, since inkjet is used as a method for applying a liquid containing an organic material, a necessary amount of the organic material can be selectively applied, and a liquid repellent negative pattern is formed on the surface of the substrate 11. Therefore, even if the accuracy of the ink jet spraying position is not accurate, a liquid containing a negative pattern organic material can be applied. In this case, if necessary, it is possible to remove unnecessary liquid adhering to the negative pattern by performing air blow or the like on the substrate surface after applying the liquid by inkjet.
[0058]
[Embodiment 2 of the Invention]
Another embodiment of the present invention will be described as a second embodiment of the present invention.
[0059]
(1) First step
Since it is the same as that of Embodiment 1, it abbreviate | omits.
[0060]
(2) Second step (negative pattern forming step)
Next, as a liquid repellent material that selectively repels a liquid containing a predetermined organic material for each surface portion on the surface of the substrate 11, a compound having a fluoroalkyl group and polymerized by electron beam or ultraviolet light And a negative pattern of the organic material pattern is formed by irradiating it with an electron beam or ultraviolet rays. In order to polymerize by ultraviolet rays or electron beams, the material applied to the substrate 11 may have a functional group activated by ultraviolet rays or electron beams such as an acrylic group, an epoxy group, or a thiol group.
[0061]
As an example, the
[0062]
(2) Third step (material layer forming step)
And the liquid containing the above-mentioned organic material is given to the surface of the board | substrate 11 in which the negative pattern of the
[0063]
As an example, a material layer (organic semiconductor layer) 17 is formed on the surface of the substrate 11 by dip-coating a liquid obtained by dissolving poly-3-hexylthiophene in chloroform and then drying, as shown in FIG. .
[0064]
By the above manufacturing method, the
[0065]
Further, since a negative pattern can be formed by applying a liquid repellent material and irradiating with an electron beam or ultraviolet rays, productivity is improved as compared with the case of using vapor deposition.
[0066]
In order to polymerize by ultraviolet rays or electron beams, it is only necessary to have functional groups activated by ultraviolet rays or electron beams, such as acrylic groups, epoxy groups, and thiol groups. In this case, the liquid repellent material does not decompose, so it is safe. A negative pattern can be formed on the substrate.
[0067]
Furthermore, if the dip coating method is used, the material layer is formed with high efficiency, and the liquid adheres only to the non-liquid-repellent portion of the substrate, and all excess liquid is collected, so that no material is wasted.
[0068]
Embodiment 3 of the Invention
Another embodiment of the present invention will be described as a third embodiment of the present invention.
[0069]
(1) First step
Since it is the same as that of Embodiment 1, it abbreviate | omits.
[0070]
(2) Second step (negative pattern forming step)
Next, a silicone-based material is applied to the surface of the substrate 11 as a liquid repellent material that selectively repels a liquid containing a predetermined organic material for each part of the surface, and the organic material is deposited by vapor deposition using a mask. A negative pattern of the pattern is formed.
[0071]
As an example, a predetermined negative pattern of a predetermined negative pattern is obtained by coating a substrate 11 with ultraviolet polymerization type silicone (using TPR6500 made by GE Toshiba Silicone) and irradiating it with ultraviolet rays through a photomask (not shown). A
[0072]
(2) Third step (material layer forming step)
And the liquid containing the above-mentioned organic material is given to the surface of the board | substrate 11 in which the negative pattern of the
[0073]
As an example, a material layer (organic semiconductor layer) 17 is formed on the surface of the substrate 11 by spin-coating a liquid obtained by dissolving poly-3-hexylthiophene in chloroform and then drying, as shown in FIG. .
[0074]
By the above manufacturing method, the
[0075]
Also, since the silicone material does not release harmful substances even when heated, a negative pattern can be safely formed on the substrate.
[0076]
Furthermore, if the spin coating method is used, the liquid can be applied to the surface of the substrate 11 and the liquid can be removed from the negative pattern at the same time, and once on the entire surface of the substrate 11 as compared with the ink jet method described above. Since the liquid can be applied to the
[0077]
[Embodiment 4 of the Invention]
Another embodiment of the present invention will be described as a fourth embodiment of the present invention.
[0078]
(1) First step
Since it is the same as that of Embodiment 1, it abbreviate | omits.
[0079]
(2) Second step (negative pattern forming step)
Next, a liquid-repellent material that selectively repels a liquid containing a predetermined organic material for each portion of the surface on the surface of the substrate 11 is a silicone-based material that is polymerized by electron beams or ultraviolet rays, By irradiating with an electron beam or ultraviolet rays, a negative pattern of the organic material pattern is formed. In order to polymerize by ultraviolet rays or electron beams, the material applied to the substrate 11 may have a functional group activated by ultraviolet rays or electron beams such as an acrylic group, an epoxy group, or a thiol group.
[0080]
For example, a material in which titanium dioxide particles having a particle size of 30 nm are mixed with UV-polymerized silicone (using TPR6500 made by GE Toshiba Silicone) as a photocatalyst is coated on the surface of the substrate 11 to form a photomask (not shown). The
[0081]
Note that a photocatalyst is a material that is activated by an irradiated electron beam or ultraviolet light and accelerates a molecular polymerization reaction or decomposition reaction. In particular, titanium dioxide is desirable because it has a strong photocatalytic action. In this case, the larger the surface area of titanium dioxide, the higher the effect as a photocatalyst. Further, in order to maintain the liquid repellency of the
[0082]
(2) Third step (material layer forming step)
Since it is the same as that of Embodiment 1, it abbreviate | omits.
[0083]
By the above manufacturing method, the
[0084]
In addition, productivity is higher than when vapor deposition is used, and waste of the liquid repellent material can be reduced by collecting the unpolymerized liquid repellent material.
[0085]
Furthermore, if functional groups such as acrylic, methacrylic, epoxy, and thiol groups that are polymerized by ultraviolet rays and electron beams are used, a negative pattern can be safely formed on the substrate without decomposing the liquid repellent material. Can do. In this example, the ultraviolet irradiation time required for the polymerization was about 2/3 as compared with the case of the fourth embodiment.
[0086]
[Reference example 1]
Of the present inventionReference exampleTheReference example 1Will be described.
[0087]
(1) First step
Since it is the same as that of Embodiment 1, it abbreviate | omits.
[0088]
(2) Second step (negative pattern forming step)
Next, a silicone-based material having liquid repellency that repels a liquid containing a predetermined organic material, which is decomposed by an electron beam or ultraviolet rays, is applied to the surface of the substrate 11. The silicon-based material is selectively decomposed for each region of the surface of the substrate 11 to form the
[0089]
As an example, a silicone resin coating agent (using SR2410 made by Toray Dow Corning Silicone) is applied onto the substrate 11, and this is dried and cured to form a
[0090]
(2) Third step (material layer forming step)
Since it is the same as that of Embodiment 1, it abbreviate | omits.
[0091]
In each of the above embodiments, the
[0092]
Accordingly, since the silicone material does not release harmful substances due to decomposition, a negative pattern can be formed safely, and productivity is increased because a vacuum chamber is not used as compared with formation by vapor deposition.
[0093]
[Sixth Embodiment of the Invention]
Embodiments 1 to 3 as described above4 and Reference Example 1Through one of the manufacturing methods, an electronic element array 1 having a cross-sectional configuration shown in FIG. 2 in which a plurality of
[0094]
When the characteristics of each
[0095]
[0096]
In the above example, only the example of the electronic element array 1 composed of the
[0097]
Embodiment 7 of the Invention
FIG. 4 is a longitudinal sectional view of an
[0098]
As shown in FIG. 4, the
[0099]
In this case, since the liquid crystal display element is driven by an electric field, the power consumption is small, and since the driving voltage is low, the driving frequency of the transistor can be increased, which is suitable for large-capacity display. Examples of liquid crystal display elements include TN, STN, guest-host type, polymer-dispersed liquid crystal (PDLC), etc. PDLC is a reflective type that provides a bright white display. Is preferred.
[0100]
The
[0101]
In addition, by using a microcapsule in which the dispersion is wrapped with a polymer film, the display operation is stabilized and the display device can be easily manufactured. Microcapsules can be produced by a known method such as a coacervation method, an in-situ polymerization method, or an interfacial polymerization method. Titanium oxide is particularly preferably used as the white particles, and surface treatment or compounding with other materials is performed as necessary. Examples of the dispersion medium include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, naphthenic hydrocarbons, aliphatic hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, kerosene, and paraffinic hydrocarbons, trichloroethylene, tetrachloroethylene, trichlorofluoroethylene, odor It is desirable to use an organic solvent having a high resistivity such as halogenated carbon (hydrocarbon) such as ethyl halide, fluorine-containing ether compound, fluorine-containing ester compound, or silicone oil. In order to color the dispersion medium, oil-soluble dyes such as anthraquinones and azo compounds having desired absorption characteristics are used. A surfactant or the like may be added to the dispersion for stabilization of dispersion.
[0102]
Furthermore, since the
[0103]
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing an example of a method for manufacturing the
[0104]
The
[0105]
That is, microcapsules 34 containing titanium oxide particles 32 and isopar 33 colored with oil blue are mixed in a PVA aqueous solution and applied onto a
[0106]
Then, the driver IC for scanning signal is connected to the bus line connected to the
[0107]
Thus, when the manufactured
[0112]
Claim1In the invention described in (1), the formation of the liquid repellent layer can be completed in a short time and the manufacturing cost can be reduced, and there are no safety and environmental problems due to generation of harmful decomposition gas.
Furthermore, waste of the silicone material can be reduced.
[0114]
Claim4In the invention described in (1), it is possible to apply a liquid containing an organic semiconductor material to the liquid repellent layer even if the accuracy of the spraying position of the ink jet is not accurate.
[0115]
Claim5The invention described in (1) can simultaneously apply a liquid containing an organic semiconductor material to the surface of the insulating substrate and remove the liquid from the negative pattern. Since a liquid containing an organic semiconductor material can be applied, an organic semiconductor layer can be efficiently formed.
[0116]
Claim6In the invention described in (1), the formation efficiency of the organic semiconductor layer is high, and waste of the organic semiconductor material does not occur.
[0117]
Claim7,8The invention described in 1 can reduce manufacturing costs, maintain safety in the manufacturing process, and maintain environmental performance.
[0118]
Claim9The invention described in 1 can provide an image display device manufactured by an electronic element array having high safety and environmental performance.
[Brief description of the drawings]
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an electronic element array in the course of manufacture, illustrating a method for forming a pattern of organic material according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of an electronic element array for explaining a method for forming a pattern of an organic material according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view of an electronic element array as a comparative example.
FIG. 4 is a longitudinal sectional view of an image display device using an electronic element array.
FIG. 5 is a longitudinal sectional view for explaining a manufacturing process for the image display device.
[Explanation of symbols]
1 Electronic element array
11 Substrate
16 Liquid repellent layer
17 Material layer
18 Electronic elements
21 Image display device
Claims (9)
前記絶縁性基板の前記ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極が形成された側の表面に、電子線又は紫外線によって重合するシリコーン系材料を塗布し、電子線又は紫外線を照射することにより、有機半導体層のパターンのネガパターンである撥液性層を形成する工程と、
前記絶縁性基板の前記撥液性層が形成された側の表面に有機半導体材料を含有する液体を与えることにより、前記有機半導体材料のパターンである有機半導体層を形成する工程と、を含んでなるパターン形成方法。Forming a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode and a drain electrode on an insulating substrate;
By applying a silicone-based material that is polymerized by an electron beam or ultraviolet rays to the surface of the insulating substrate on which the gate electrode, gate insulating film, source electrode and drain electrode are formed, and irradiating the electron beam or ultraviolet rays. Forming a liquid repellent layer that is a negative pattern of the pattern of the organic semiconductor layer;
Forming an organic semiconductor layer that is a pattern of the organic semiconductor material by applying a liquid containing the organic semiconductor material to the surface of the insulating substrate on which the liquid-repellent layer is formed. A pattern forming method.
請求項1乃至6のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて製造されていることを特徴とする電子素子。An electronic device comprising an insulating substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, a liquid repellent layer, and an organic semiconductor layer,
Electronic device characterized by being manufactured by using the pattern forming method according to any one of claims 1 to 6.
請求項1乃至6のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて製造されていることを特徴とする電子素子アレイ。An electronic element array comprising an insulating substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, a liquid repellent layer, and an organic semiconductor layer,
Electronics array, characterized in that it is produced using the pattern forming method according to any one of claims 1 to 6.
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