JP4484169B2 - 記憶装置、記憶装置制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、記憶装置におけるヘッドの漏れ磁界を検出するための記憶装置、記憶装置制御方法に関するものである。

ＨＤＤ（Hard Disk Drive）装置を長期にわたって使用する場合、１つのトラックに繰り返しライトが行われると、そのトラックの近傍トラック（隣接あるいは２つ以上離れたトラック）のデータが消去される現象が懸念されている。この現象は、ライト素子の形状やライト電流の過印加などにより、ライトギャップ以外の部分から漏れ磁界が発生することを原因とするものである。これらの漏れ磁界は微弱であるため、数回のライトでは悪影響を及ぼさないが、数千回あるいはそれ以上の繰り返しライトにより、近傍トラックのデータに悪影響を及ぼす。上述した現象は、データ保障の観点から、出荷されたＨＤＤ装置にあってはならない。

上述した現象を検出するためのイレーズ試験について説明する。まず、ＨＤＤ装置は、対象トラックの両側（インナ側／アウタ側）の数トラック〜数十トラック（近傍トラック）にデータを書き込む。次に、ＨＤＤ装置は、対象トラックに複数回（数百〜数万回）ライトを行う。次に、ＨＤＤ装置は、近傍トラックの特性を測定し、仕様を満たしているか否かを判定する。ここで、特性とは、ヘッドの出力電圧、読み取った近傍トラックのエラーレート、読み取った近傍トラックのＶＴＭ（Viterbi Trellis Margin）等である。また、仕様とは、特性の絶対値のしきい値や特性の悪化量のしきい値等である。

図１３は、イレーズ試験の第１の例を示す平面図である。この図は、イレーズ試験における媒体上のトラックＡ，Ｂ，Ｃと、上部磁極７１、下部磁極７２、ライトギャップ７３、漏れ磁界７４の位置関係を示す。ここでは、ライトギャップ７３がトラックＢ上に位置し、漏れ磁界７４がトラックＣ上に位置する場合を示す。漏れ磁界７４は、この図のように磁極の先端などに発生する。この状態で、ライトギャップ７３がトラックＢへの繰り返しライトを行うと、漏れ磁界７４がトラックＣのデータパターンを消去するため、漏れ磁界７４の発生が検出される。

なお、本発明の関連ある従来技術として、隣接シリンダに記録されたサーボ情報に対してギャップイレーズフィールドが及ぼす影響を最小化させるディスクドライブでのサーボ情報の記録／検査方法がある（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−７９１６７号公報

上述したイレーズ試験は、近傍トラックの消去を引き起こす漏れ磁界が必ず近傍トラック上にあり、近傍トラックの特性に悪影響を及ぼすことを前提としている。しかし、ライトヘッドの形状や測定箇所のＳｋｅｗ角などによって漏れ磁界がトラックの間やトラックの端に位置した場合、測定結果に影響が出ず、試験を通過してしまう場合がある。

図１４は、イレーズ試験の第２の例を示す平面図である。この図は、イレーズ試験における媒体上のトラックＡ，Ｂ，Ｃと、ヘッド、漏れ磁界７４の位置関係を示す。ヘッドは、上部磁極７１、下部磁極７２、ライトギャップ７３を備える。ここで、トラック幅は０．２〜０．３μｍ程度、上部磁極７１の幅は０．２〜０．３μｍ程度、上部磁極７１の高さは０．０１〜４μｍ程度である。

ここでは、ライトギャップ７３がトラックＢ上に位置し、漏れ磁界７４がトラックＢとトラックＣの間に位置する場合を示す。この状態で、ライトギャップ７３がトラックＢへの繰り返しライトを行っても、漏れ磁界７４がデータパターンを消去することはないため、漏れ磁界７４の発生は検出されない。

また、この問題を解決するために、複数のＳｋｅｗ角で試験を行う方法がある。しかし、イレーズ試験は、繰り返しライトを必要とするために１つのＳｋｅｗ角であっても試験時間が長く、複数のＳｋｅｗ角で試験を行うと試験時間が更に増大してしまう。

本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、記憶装置におけるヘッドの漏れ磁界を検出するための試験の試験時間を抑えつつ、漏れ磁界の見逃しを防ぐ記憶装置、記憶装置制御方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するため、本発明は、所定の間隔で配置される複数のトラックと交差し前記複数のトラックに亘って連続するパターンである試験パターンが書き込まれた記憶媒体において、前記試験パターンと交差する所定のトラックである対象トラックへの書き込みを行う対象トラック書き込み部と、前記対象トラック書き込み部により上書きされた状態の前記試験パターンを読み取る試験パターン読み取り部とを備える。

また、本発明は、所定の間隔で配置される複数のトラックと交差し前記複数のトラックに亘って連続するパターンである試験パターンを記憶媒体に書き込む試験パターン書き込みステップと、前記記憶媒体における前記試験パターンと交差する所定のトラックである対象トラックに書き込みを行う対象トラック書き込みステップと、前記対象トラック書き込みステップにより上書きされた状態の前記試験パターンを読み取る試験パターン読み取りステップとを実行する。

本実施の形態に係るＳＴＷ装置の構成の一例を示すブロック図である。 本実施の形態に係るＳＴＷ装置の動作の一例を示すフローチャートである。 本実施の形態に係るサーボライト処理の一例を示すフローチャートである。 比較例のＳＴＷ装置により書き込まれたサーボパターンの全体の一例を示す平面図である。 比較例のＳＴＷ装置により書き込まれたサーボパターンの一部の一例を示す平面図である。 本実施の形態に係るＳＴＷ装置により書き込まれたサーボパターンとイレーズ試験パターンの一例を示す拡大図である。 本実施の形態に係るＨＤＤ装置の構成の一例を示すブロック図である。 本実施の形態に係るイレーズ試験の動作の一例を示すフローチャートである。 本実施の形態に係る出力プロファイルの第１の例を示すグラフである。 本実施の形態に係る出力プロファイルの第２の例を示すグラフである。 本実施の形態に係る出力プロファイルの第３の例を示すグラフである。 本実施の形態に係る出力プロファイルの第４の例を示すグラフである。 イレーズ試験の第１の例を示す平面図である。 イレーズ試験の第２の例を示す平面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。

本実施の形態においては、本発明に係るイレーズ試験を実現するためのＳＴＷ（Servo Track Write）装置とＨＤＤ装置について説明する。

まず、本実施の形態に係るＳＴＷ装置の構成について説明する。

図１は、本実施の形態に係るＳＴＷ装置の構成の一例を示すブロック図である。このＳＴＷ装置は、コントロールＰＣ（Personal Computer）１１、クロックパターンジェネレータ２１、クロックヘッド制御部２２、クロックヘッド２３、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）サーボボード３１、パワーアンプセンサ３２、ヘッド３４、ＶＣＭ（Voice Coil Motor）３５、スピンドルモータドライバ４１、ＳＰＭ（Spindle Motor）４２を備える。ＳＴＷ装置には、複数の媒体５１（磁気記憶媒体、磁気ディスク）が取り付けられる。複数の媒体５１のうち一番下の媒体はダミー媒体である。

コントロールＰＣ１１は、クロックパターンジェネレータ２１、ＤＳＰサーボボード３１、スピンドルモータドライバ４１の制御を行う。クロックパターンジェネレータ２１は、コントロールＰＣ１１からの指示に従ってクロックパターンを生成してクロックヘッド制御部２２へ送る。クロックヘッド制御部２２は、クロックパターンをクロックヘッド２３へ送る。クロックヘッド２３は、クロックパターンをダミー媒体へ書き込む。

ＤＳＰサーボボード３１は、コントロールＰＣ１１からの指示に従ってパワーアンプセンサ３２の制御を行う。パワーアンプセンサ３２は、ＤＳＰサーボボード３１からの指示に従ってＶＣＭ３５及びヘッド３４を制御する。ＶＣＭ３５は、パワーアンプセンサ３２からの指示に従ってヘッド３４を移動させる。ヘッド３４は、パワーアンプセンサ３２からの信号を媒体５１へ書き込む。スピンドルモータドライバ４１は、コントロールＰＣ１１からの指示に従ってＳＰＭ４２の制御を行う。ＳＰＭ４２は、スピンドルモータドライバ４１からの指示に従って、複数の媒体５１を駆動する。

次に、本実施の形態に係るＳＴＷ装置の動作について説明する。図２は、本実施の形態に係るＳＴＷ装置の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ＳＴＷ装置に媒体５１が取り付けられると、コントロールＰＣ１１からの指示により、スピンドルモータドライバ４１及びスピンドルモータ４２は、媒体５１の回転を開始させる（Ｓ１２）。次に、コントロールＰＣ１１からの指示により、クロックパターンジェネレータ２１は、クロックパターンライト処理を行う（Ｓ１３）。クロックパターンライト処理において、クロックパターンジェネレータ２１は、クロックパターンを生成し、クロックヘッド制御部２２は、クロックヘッド２３へクロックパターンを送り、クロックヘッド２３はダミー媒体へクロックパターンを書き込む。

次に、コントロールＰＣ１１からの指示により、ＤＳＰサーボボード３１及びパワーアンプセンサ３２は、ヘッド３４を目的の媒体半径方向の位置へ移動させる（Ｓ１４）。次に、コントロールＰＣ１１からの指示により、ＤＳＰサーボボード３１は、一周分のサーボライト処理を行う（Ｓ１５、試験パターン書き込みステップ）。サーボライト処理において、ＤＳＰサーボボード３１は、パワーアンプセンサ３２にサーボライトの指示を送り、パワーアンプセンサ３２は、ヘッド３４へサーボパターンまたはイレーズ試験パターンを送り、ヘッド３４は、受け取ったパターンを媒体５１へ書き込む。

次に、コントロールＰＣ１１は、媒体５１の全面に対してサーボライト処理を終了したか否かの判断を行い、終了していない場合（Ｓ１６，Ｎ）、処理Ｓ１４へ戻り、終了した場合（Ｓ１６，Ｙ）、コントロールＰＣ１１からの指示により、スピンドルモータドライバ４１は、スピンドルモータ４２の制御を行い、媒体５１の回転を停止させ（Ｓ１７）、このフローは終了する。その後、媒体５１はＳＴＷ装置から取り外され、ＨＤＤ装置へ取り付けられる。

次に、サーボライト処理について説明する。

図３は、本実施の形態に係るサーボライト処理の一例を示すフローチャートである。まず、目的の位置へのシークが完了すると、クロックヘッド２３により読み取られたクロックパターンに基づいてヘッド３４の媒体円周方向の位置を検出し、ＤＳＰサーボボード３１は、ヘッド３４の媒体円周方向の位置に基づいてサーボパターン書き込み開始のタイミング待ちを行い（Ｓ２２）、サーボパターンの書き込み開始を行い（Ｓ２３）、サーボパターンの書き込み終了を行う（Ｓ２４）。次に、ＤＳＰサーボボード３１は、イレーズ試験パターンの書き込みを行う位置であるか否かの判断を行う（Ｓ２５）。イレーズ試験パターンの書き込みを行う場合とは、ヘッド３４の媒体円周方向の位置が所定のイレーズ試験パターンの書き込み位置となった場合である。

イレーズ試験パターンの書き込みを行わない場合（Ｓ２５，Ｎ）、ＤＳＰサーボボード３１は、処理Ｓ２８へ移行する。一方、イレーズ試験パターンの書き込みを行う場合（Ｓ２５，Ｙ）、ＤＳＰサーボボード３１は、イレーズ試験パターンの書き込み開始を行い（Ｓ２６）、イレーズ試験パターンの書き込み終了を行う（Ｓ２７）。次に、ＤＳＰサーボボード３１は、一周したか否かの判断を行い（Ｓ２８）、一周していない場合（Ｓ２８，Ｎ）、処理Ｓ２２へ戻り、一周した場合（Ｓ２８，Ｙ）、このフローは終了する。

比較例のサーボライト処理と比較すると、本実施の形態に係るサーボライト処理は、サーボパターンの間に新たなイレーズ試験パターンの書き込みを行う点（Ｓ２５〜Ｓ２７）が異なる。

図４は、比較例のＳＴＷ装置により書き込まれたサーボパターンの全体の一例を示す平面図である。この図は、媒体全体におけるサーボパターンの配置を示す。図５は、比較例のＳＴＷ装置により書き込まれたサーボパターンの一部の一例を示す平面図である。この図は、図４の一部を拡大したものである。サーボパターンは、媒体円周方向に配置されるトラックＡ，Ｂ，Ｃに交差し、トラックＡ，Ｂ，Ｃを横断するように連続して書き込まれる。また、サーボパターンは、媒体円周方向に一定間隔で書き込まれ、サーボパターンの間の領域がデータ領域となる。ここで、サーボパターンの媒体円周方向の幅は４０μｍ程度、サーボパターンの媒体円周方向の間隔は７００μｍ程度である。

また、この図は、ＨＤＤ装置により書き込まれるデータパターンの位置も示す。データパターンは、通常、上述したデータ領域において媒体半径方向に所定の間隔で配置されたトラック上に書き込まれる。隣接するトラックが近すぎると、ＨＤＤ装置はデータの読み取りの際に所望のトラックからの信号と隣接するトラックからの信号を同時に読み取ってしまい、所望のトラックのデータのみを再生することが難しくなる。従って、トラック間には一定の隙間が設けられ、その隙間にデータパターンは書き込まれない。

一方、サーボパターンは、ヘッドのポジショニングのためのパターンであり、トラック間の隙間は存在しない。通常、ＳＴＷ装置は、一周分のサーボパターンを書き込むと、ライトコア幅の１／５〜１／２のステップで媒体半径方向に移動し、次の一周分のサーボパターンを書き込む。従って、サーボパターンは、インナからアウタまで隙間のない状態で連続して書き込まれる。

図６は、本実施の形態に係るＳＴＷ装置により書き込まれたサーボパターンとイレーズ試験パターンの一例を示す拡大図である。この図は、図５と同様のスケールでサーボパターンとイレーズ試験パターンの配置を示す。サーボパターンの配置は、比較例と同様である。更に、本実施の形態においては、上述したデータ領域において所定の２本のサーボパターンの中間に、サーボパターンと同様の形状をした１本のイレーズ試験パターンが配置される。本実施の形態において、イレーズ試験パターンは、サーボパターンに続いて書き込まれるため、サーボパターンと同様、媒体半径方向にライトコア幅の１／５〜１／２のステップで書き込まれる。

なお、イレーズ試験パターンは、サーボパターン以外の複数個所に書き込まれても良い。また、所定の２本のサーボパターンの間に複数のイレーズ試験パターンが配置されても良い。

ＳＴＷ装置によりサーボパターン及びイレーズ試験パターンが書き込まれた媒体がＨＤＤ装置に搭載された後、イレーズ試験パターンは、トラックに書き込まれるデータパターンで上書きされる。

次に、本実施の形態に係るＨＤＤ装置の構成について説明する。

図７は、本実施の形態に係るＨＤＤ装置の構成の一例を示すブロック図である。このＨＤＤ装置は、制御部６１、ＳＰＭ６２、ＶＣＭ６３、ヘッド制御部６４、ヘッド６６、媒体５１を備える。制御部６１は、ＳＰＭ６１、ＶＣＭ６３、ヘッド制御部６４の制御を行う。ＳＰＭ６２は、制御部６１から指示に基づいて媒体５１を駆動させる。ＶＣＭ６３は、制御部６１から指示に基づいてヘッド６６を移動させる。ヘッド６６は、ヘッド制御部６４からの信号を媒体５１へ書き込むと共に、媒体５１から読み取った信号をヘッド制御部６４へ送る。ヘッド制御部６４は、制御部６１からの信号をヘッド６６へ送ると共に、ヘッド６６からの信号を制御部６１へ送る。

次に、本実施の形態に係るＨＤＤ装置によるイレーズ試験の動作について説明する。

図８は、本実施の形態に係るイレーズ試験の動作の一例を示すフローチャートである。媒体へデータパターンが記録される前に、このイレーズ試験は実行される。まず、制御部６１は、媒体５１を回転させるようにＳＰＭ６１へ指示を送る（Ｓ３１）。次に、制御部６１は、ヘッド６６を対象トラックへ移動させるようにＶＣＭ６３へ指示を送る（Ｓ３２）。ここで、対象トラックは、予め定められた繰り返しライトを行うトラックである。

次に、制御部６１は、対象トラックに対して所定の回数（数百回〜数万回）の繰り返しライトを行う（Ｓ３３、対象トラック書き込みステップ）。ここでは、繰り返しライトとして対象トラックのイレーズを行うとする。次に、制御部６１は、対象トラックの近傍にわたってヘッド６６を移動させるようにＶＣＭ６３へ指示を送ると共にイレーズ試験パターンの読み取りによるヘッド６６からの出力電圧をヘッド制御部６４から取得し、ヘッド６６の媒体半径方向の位置に対する出力電圧を出力プロファイルとして測定し（Ｓ３４、試験パターン読み取りステップ）、このフローは終了する。ここで、制御部６１は出力プロファイルとして出力電圧を取得したが、読み取ったイレーズ試験パターンのエラーレートや読み取ったイレーズ試験パターンのＶＴＭを取得しても良い。

なお、対象トラックを複数としても良い。この場合、対象トラック毎に処理Ｓ３２〜Ｓ３４が繰り返される。また、処理Ｓ３２，Ｓ３３を行う前に、処理Ｓ３４を行うことにより、初期状態の出力プロファイルを測定し、初期状態の出力プロファイルと繰り返しライト後の出力プロファイルとを比較しても良い。

なお、対象トラック書き込み部は、実施の形態における制御部６１の処理Ｓ３３に対応する。また、試験パターン読み取り部は、実施の形態における制御部６１の処理Ｓ３４に対応する。

次に、出力プロファイルの具体例について説明する。

まず、漏れ磁界が発生していない場合の出力プロファイルの具体例を示す。図９は、本実施の形態に係る出力プロファイルの第１の例を示すグラフである。横軸は、ライトギャップの媒体半径方向の位置（半径方向位置）［μｍ］を示し、縦軸は、出力電圧［μＶｐｐ］を示す。この図において、イレーズ試験パターンは、半径方向位置２．３μｍ以下の領域に書き込まれている。また、対象トラックは、半径方向位置０．５μｍ以下の領域である。以下、対象トラックの領域（半径方向位置０．５μｍ以下）をトラック領域とし、イレーズ試験パターンが書き込まれ、且つトラック領域でない領域（半径方向位置０．５μｍ以上２．３μｍ以下）を試験領域とする。

処理Ｓ３３においてライトギャップが対象トラックに対するイレーズを行うことにより、イレーズ試験後、トラック領域において出力電圧は低い値となる。また、出力プロファイルの第１の例のように、漏れ磁界が発生していない場合、試験領域においては、イレーズ試験パターンが残ることにより、出力電圧は変動するものの、高い値となる。また、イレーズ試験パターンが書かれていない領域において、出力電圧は低い値となる。

次に、漏れ磁界が発生している場合の出力プロファイルの具体例を示す。図１０は、本実施の形態に係る出力プロファイルの第２の例を示すグラフである。図１１は、本実施の形態に係る出力プロファイルの第３の例を示すグラフである。図１２は、本実施の形態に係る出力プロファイルの第４の例を示すグラフである。出力プロファイルの第２の例〜第４の例において、横軸及び縦軸は、漏れ磁界が発生していない場合の出力プロファイルと同様である。また、出力プロファイルの第２の例〜第４の例において、点線で示された出力プロファイルは、上述した第１の例（漏れ磁界が発生していない場合）の出力プロファイルであり、実線で示された出力プロファイルは、漏れ磁界が発生している場合の出力プロファイルである。

試験領域において、出力電圧が低い部分が存在する場合、漏れ磁界が発生することによりイレーズ試験パターンがイレーズされたと判断することができる。出力プロファイルの第２の例では、試験領域内の半径方向位置１．２μｍ付近で出力電圧が低下している。同様に、出力プロファイルの第３の例では、試験領域内の半径方向位置１．４μｍ付近で出力電圧が低下している。同様に、出力プロファイルの第４の例では、試験領域内の半径方向位置１．９μｍ付近で出力電圧が低下している。

また、試験領域内において出力電圧が低下する半径方向位置は、漏れ磁界の半径方向位置に対応する。この位置は、ヘッド形状やＳｋｅｗ角によって変化する。

なお、イレーズ試験パターンが書き込まれる半径方向位置、及びイレーズ試験の対象トラックは、イレーズ試験時のＳｋｅｗ角が適切な値になるように決定される。この適切な値とは、ライトギャップによるイレーズと漏れ磁束によるイレーズとが区別できる値以上であれば良い。

なお、出力プロファイルとして出力電圧の代わりにエラーレートまたはＶＴＭを用いる場合、イレーズ試験パターンが残っている半径方向位置ではエラーレートまたはＶＴＭが小さく、イレーズ試験パターンが上書きされている半径方向位置ではエラーレートまたはＶＴＭが大きくなる。従って、試験領域において所定の値より高いエラーレートまたはＶＴＭが検出された場合、漏れ磁束が発生していると判断することができる。

本実施の形態によれば、イレーズ試験パターンが書き込まれた媒体に対して、繰り返しライトによるイレーズを行い、イレーズ試験パターンがイレーズされた状態を読み取ることにより、漏れ磁界を検出することができる。また、イレーズ試験パターンがトラックと交差しトラック間で連続していることにより、図１４のような漏れ磁界も検出することができる。

本発明によれば、記憶装置におけるヘッドの漏れ磁界を検出するための試験の試験時間を抑えつつ、漏れ磁界の見逃しを防ぐことができる。

Claims (16)

1. 所定の間隔で配置される複数のトラックと交差し前記複数のトラックに亘って連続するパターンである試験パターンが書き込まれた記憶媒体において、前記試験パターンと交差する所定のトラックである対象トラックへの書き込みを行う対象トラック書き込み部と、
   前記対象トラック書き込み部により上書きされた状態の前記試験パターンを読み取る試験パターン読み取り部と
   を備える記憶装置。
2. 請求の範囲第１項に記載の記憶装置において、
   前記対象トラック書き込み部は、前記対象トラックへ複数回の書き込みを行う記憶装置。
3. 請求の範囲第１項に記載の記憶装置において、
   前記対象トラック書き込み部による前記対象トラックへの書き込みは、前記対象トラックのイレーズである記憶装置。
4. 請求の範囲第１項に記載の記憶装置において、
   前記試験パターン読み取り部は、前記試験パターンに沿ったヘッドの位置と、該位置における前記試験パターンの読み取り結果とを出力する記憶装置。
5. 請求の範囲第４項に記載の記憶装置において、
   前記読み取り結果は、ヘッドからの出力電圧、読み取った前記試験パターンのエラーレート、読み取った前記試験パターンのＶＴＭのいずれかである記憶装置。
6. 請求の範囲第１項に記載の記憶装置において、
   前記記憶媒体には、複数のサーボパターンが書き込まれており、複数の所定のサーボパターンの間に少なくとも１つの前記試験パターンが書き込まれている記憶装置。
7. 請求の範囲第６項に記載の記憶装置において、
   前記記憶媒体は、磁気ディスクであり、
   前記サーボパターンは、前記磁気ディスクの半径方向に書き込まれ、
   前記試験パターンは、前記磁気ディスクの半径方向に書き込まれ、
   前記トラックは、前記磁気ディスクの円周方向に書き込まれる記憶装置。
8. 請求の範囲第７項に記載の記憶装置において、
   前記試験パターンは、前記対象トラックにおけるＳｋｅｗ角が所定値以上となる領域に書き込まれている記憶装置。
9. 所定の間隔で配置される複数のトラックと交差し前記複数のトラックに亘って連続するパターンである試験パターンを記憶媒体に書き込む試験パターン書き込みステップと、
   前記記憶媒体における前記試験パターンと交差する所定のトラックである対象トラックに書き込みを行う対象トラック書き込みステップと、
   前記対象トラック書き込みステップにより上書きされた状態の前記試験パターンを読み取る試験パターン読み取りステップと
   を備える記憶装置制御方法。
10. 請求の範囲第９項に記載の記憶装置制御方法において、
    前記対象トラック書き込みステップは、前記対象トラックへ複数回の書き込みを行う記憶装置制御方法。
11. 請求の範囲第９項に記載の記憶装置制御方法において、
    前記対象トラック書き込みステップによる前記対象トラックへの書き込みは、前記対象トラックのイレーズである記憶装置制御方法。
12. 請求の範囲第９項に記載の記憶装置制御方法において、
    前記試験パターン読み取りステップは、前記試験パターンに沿ったヘッドの位置と、該位置における前記試験パターンの読み取り結果とを出力する記憶装置制御方法。
13. 請求の範囲第１２項に記載の記憶装置制御方法において、
    前記読み取り結果は、ヘッドからの出力電圧、読み取った前記試験パターンのエラーレート、読み取った前記試験パターンのＶＴＭのいずれかである記憶装置制御方法。
14. 請求の範囲第９項に記載の記憶装置制御方法において、
    前記試験パターン書き込みステップは、前記記憶媒体へ複数のサーボパターンを書き込むと共に、前記サーボパターンの間に少なくとも１つの前記試験パターンを書き込む記憶装置制御方法。
15. 請求の範囲第１４項に記載の記憶装置制御方法において、
    前記記憶媒体は、磁気ディスクであり、
    前記サーボパターンは、前記磁気ディスクの半径方向に書き込まれ、
    前記試験パターンは、前記磁気ディスクの半径方向に書き込まれ、
    前記トラックは、前記磁気ディスクの円周方向に書き込まれる記憶装置制御方法。
16. 請求の範囲第１５項に記載の記憶装置制御方法において、
    前記試験パターンは、前記対象トラックにおけるＳｋｅｗ角が所定値以上となる領域に書き込まれている記憶装置制御方法。

Images