JP4476309B2 - Method for adjusting current sensor device - Google Patents
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Description
この発明は、磁束に応じて抵抗値が変化するホール素子を用いた電流センサ装置の調整方法に関するものである。 The present invention relates to adjusting how the current sensor device using a Hall element whose resistance value changes according to the magnetic flux.
図10は、例えば、特許文献1に同様の技術が開示されているように、従来から一般的に使用されている電流センサ装置の回路構成を示す図である。この図において、符号10はホール素子を示し、このホール素子10は、入力端子a、d間に定電圧電源VCCが接続され、オペアンプ11とトランジスタ12を介して定電流駆動されている。ホール素子10の出力端子b、cは、ホール素子10の出力信号を増幅する増幅回路である差動増幅回路13に接続されている。抵抗14はホール素子10のゲイン温度特性を補正するための抵抗であり、可変抵抗15はホール素子10の駆動定電流を調整するための第1のトリミング抵抗である。また、可変抵抗16はオフセット電圧を調整するための第2のトリミング抵抗である。なお、ホール素子10は、定電流駆動に限らず、定電圧駆動とする回路構成としてもよい。
FIG. 10 is a diagram illustrating a circuit configuration of a current sensor device that has been generally used conventionally , as disclosed in
次に、上記のように構成された電流センサ装置のゲイン調整方法、並びにオフセット電圧調整方法について説明する。
図11において、今仮に、L1を目標値とする電流センサ装置の特性とする。ホール素子10への入力電流が0(A)の時の出力電圧、即ち、オフセット電圧がVoff(V)、入力電流を+I(A)供給したときのゲイン幅が+Vg(V)で出力電圧はVoff+Vg(V)、入力電流を−I(A)供給したときのゲイン幅が−Vg(V)であり、出力電圧はVoff−Vg(V)となるような特性である。
Next, a gain adjustment method and an offset voltage adjustment method for the current sensor device configured as described above will be described.
In FIG. 11, suppose that the current sensor device characteristic has L1 as a target value. The output voltage when the input current to the Hall element 10 is 0 (A), that is, the offset voltage is Voff (V), the gain width when the input current is supplied + I (A) is + Vg (V), and the output voltage is The characteristics are such that Voff + Vg (V), the gain width when the input current is supplied to −I (A) is −Vg (V), and the output voltage is Voff−Vg (V).
電流センサ装置を調整する前の特性が、例えばL2の特性であり、このL2の特性の電流センサ装置に対し、図10に示す第1のトリミング抵抗15をトリミングしてゲインを調整し、また第2のトリミング抵抗16をトリミングしてオフセット電圧を調整することにより、目標値の特性L1となるように調整を実施する。
The characteristic before adjusting the current sensor device is , for example , the characteristic of L2 . For the current sensor device having the characteristic of L2, the gain is adjusted by trimming the
ゲイン調整の方法を説明する。まず、電流未供給時のオフセット電圧Voff1(V)を測定する。次に、電流+I(A)を供給し、差動増幅回路13の出力をフィードバックしながら、出力電圧がVoff1+Vg(V)となるL3の特性まで、第1のトリミング抵抗15をトリミングする。これでゲイン幅の調整が終了である。
A method of gain adjustment will be described. First, the offset voltage Voff1 (V) when no current is supplied is measured. Next, the
次に、オフセット電圧の調整方法を図12にて説明する。オフセット電圧の調整は、電流未供給の状態で、差動増幅回路13の出力をフィードバックしながら、出力電圧がVoffとなるL4の特性となるところまで、第2のトリミング抵抗16をトリミングする。これで、電流センサ装置の調整が完了する。しかし、この時、電流センサ装置の出力特性は目標値とする特性L1には一致していない。
Next, a method for adjusting the offset voltage will be described with reference to FIG. The adjustment of the offset voltage is performed by trimming the
上記のように、従来の電流センサ装置の調整方法においては、ゲイン幅の調整をした後、オフセット電圧がVoff1からVoff2に変化するため、ゲイン幅が+Vgにならないという問題がある。これは、図13に示すように、ホール素子10は、駆動電流を変えることによりオフセット電圧が変わる特性を有しているためである。 As described above, the conventional adjustment method of the current sensor device has a problem that the gain width does not become + Vg because the offset voltage changes from Voff1 to Voff2 after the gain width is adjusted. This is because, as shown in FIG. 13, the Hall element 10 has a characteristic that the offset voltage changes by changing the drive current.
このため、電流センサ装置の調整を終了した後、出力特性を検査する工程において、L1の目標値との差を比較して、許容精度を越えるものについては、電流センサ装置の回路基板を廃却するか、もしくはホール素子10と第1及び第2のトリミング抵抗15,16を交換して再度、トリミングを実施するなど、調整に煩わしさが生じてコストアップの要因となっていた。
For this reason, after the adjustment of the current sensor device is completed, in the step of inspecting the output characteristics, the difference from the target value of L1 is compared, and if the accuracy exceeds the allowable accuracy, the circuit board of the current sensor device is discarded. Or, the adjustment of the Hall element 10 and the first and
ところで、電流センサ回路基板の廃却や部品を置き換えての再トリミングを回避するため、ゲイン幅を調整する前に、ホール素子のオフセット電圧が零になる調整を行い、その後ゲイン幅を調整する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。 By the way , in order to avoid the re-trimming by disposing the current sensor circuit board and replacing the parts, a method of adjusting the offset voltage of the Hall element to zero before adjusting the gain width and then adjusting the gain width Has been proposed (see, for example, Patent Document 2 ).
上記特許文献2に開示された方法によれば、目標値とする電流センサの特性を得ることはできるが、ゲイン調整前に零オフセット調整するための調整工程、その後のゲイン調整工程、最後にオフセット調整工程と、合計3つの調整工程が必要である。従って、高価な調整器を使用する時間が長くなるため、大量生産した場合、調整器の設備能力が不足しやすく、新たな調整器購入が必要となり、やはりコストアップの要因となっていた。
According to the method disclosed in
この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、基板の廃却や再トリミングがなく、かつ調整工程も少なくて済む、低コストを目的とした電流センサ装置の調整方法を提供するものである。 The present invention has been made to solve the above problems, it is not discarded or re-trimming of the substrate, and requires only a adjusting process is small and provide coordination how current sensor device for the purpose of low-cost To do.
この発明に係る電流センサ装置の調整方法は、磁束に応じて抵抗値が変化するホール素子と、上記ホール素子を駆動するための定電圧回路または定電流回路と、上記ホール素子からの出力信号を増幅する増幅回路とを備えた電流センサ装置を、上記増幅回路の出力をフィードバックしながら調整する電流センサ装置の調整方法において、上記電流センサ装置のゲインを調整するときのゲイン調整目標値を、上記ゲインの調整により生じるオフセット電圧の変化量を補正したゲイン調整目標値として調整し、その後、上記オフセット電圧を調整するものである。 An adjustment method of a current sensor device according to the present invention includes a Hall element whose resistance value changes according to magnetic flux, a constant voltage circuit or a constant current circuit for driving the Hall element, and an output signal from the Hall element. In a method of adjusting a current sensor device that adjusts a current sensor device including an amplifier circuit that amplifies while feeding back an output of the amplifier circuit, a gain adjustment target value for adjusting a gain of the current sensor device is The offset voltage change amount caused by the gain adjustment is adjusted as a corrected gain adjustment target value, and then the offset voltage is adjusted.
この発明によれば、基板の廃却や再トリミングの必要がなく、かつ調整工程も少なくて済み、低コスト効果を発揮する電流センサ装置の調整方法を得ることができる。 According to the present invention, there is no need for disposal or re-trimming of the substrate, and adjusting process requires also less, it is possible to obtain the adjustment how the current sensor device exhibits a low cost-effective.
以下に添付図面を参照して、この発明に係る電流センサ装置の調整方法について好適な実施の形態を説明する。 With reference to the accompanying drawings, illustrating a preferred embodiment with the adjustment how the current sensor apparatus according to the present invention.
実施の形態1.
図1は実施の形態1に係る電流センサ装置の回路構成図であり、ホール素子1の出力端子b、cに、ランドX,Yが設けられている。このランドX,Yは、ランド間開閉手段2により開閉されるように構成されている。また、ホール素子1の駆動定電流を調整するための第1のトリミング抵抗3が設けられており、この第1のトリミング抵抗3には、後述するように、ゲインの調整により生じるオフセット電圧の変化量を補正したゲイン調整目標値が入力される。また、オフセット電圧を調整するための第2のトリミング抵抗16が設けられている。この第1のトリミング抵抗3は電流センサ装置のゲイン調整手段として機能し、第2のトリミング抵抗16は電流センサ装置のオフセット電圧調整手段として機能する。なお、その他については図10において説明した従来の回路構成図と同様であり、同一符号を付すことにより説明を省略する。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of the current sensor device according to the first embodiment, and lands X and Y are provided at the output terminals b and c of the
実施の形態1に係る電流センサ装置は上記のように構成されており、次に、その調整方法について図1〜図6を用いて説明する。
まず、電流未供給の状態で、ホール素子1の出力端子b、cに接続されたランドX,Y間をランド間開閉手段2により外部で短絡し、零オフセット電圧Voff3を測定すると共に、ランド間開閉手段2を開放してランドX,Y間の短絡を外し、非零オフセット電圧Voff1を測定する。次に、電流+I(A)を供給して、ゲイン調整前のゲイン幅Vg1を測定する。これらの測定を実施した様子を図2及び図3に示している。
The current sensor device according to the first embodiment is configured as described above. Next, an adjustment method thereof will be described with reference to FIGS.
First, in a state in which no current is supplied, the lands X and Y connected to the output terminals b and c of the
ここで、非零オフセット電圧Voff1と零オフセット電圧Voff3の値に差があるのは、前述したとおりホール素子1にオフセット電圧があるためである。ホール素子1のオフセット電圧は、一般的に駆動電流と比例関係にある。零オフセット電圧Voff3と非零オフセット電圧Voff1の電圧差は、ゲイン調整前の駆動電流における、ホール素子1のオフセット電圧×差動増幅回路13のゲインとなっている。
Here, there is a difference between the values of the non-zero offset voltage Voff1 and the zero offset voltage Voff3 because the
ここで、電流センサ装置の第1のトリミング抵抗3を調整してゲインを変化させることによるオフセット電圧の変化量の計算について、図4を用いて説明する。 Here, calculation of the amount of change in the offset voltage by changing the gain by adjusting the first trimming resistor 3 of the current sensor device will be described with reference to FIG.
図1に示す回路構成において、ゲインを調整するとホール素子1の駆動電流が変わるため、ホール素子1のオフセット電圧が変化する。ホール素子1のオフセット電圧と駆動電流は比例関係にあり、また駆動電流と調整ゲイン幅も比例関係にあるため、結果、調整ゲイン幅とホール素子1のオフセット電圧も比例関係となる。そのため、ゲイン調整後におけるホール素子1のオフセット電圧の変化による電流センサ装置のオフセット電圧変化量は、次の(1)式で計算することができる。
ゲイン調整前後の電流センサ装置のオフセット電圧変化量=
目標ゲインVg÷調整前ゲインVg1×(零オフセット電圧Voff3−非零オフセ
ット電圧Voff1) ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
よって、ゲイン調整後のオフセット電圧Voff2は、次の(2)式で計算される。
ゲイン調整後のオフセット電圧Voff2=
目標ゲインVg ÷ 調整前ゲインVg1×(零オフセット電圧Voff3−非零オフ
セット電圧Voff1)+非零オフセット電圧Voff1 ・・・・・(2)
In the circuit configuration shown in FIG. 1, when the gain is adjusted, the drive current of the
Amount of change in offset voltage of current sensor device before and after gain adjustment =
Target gain Vg ÷ pre-adjustment gain Vg1 x (zero offset voltage Voff3-non-zero offset voltage Voff1) (1)
Therefore, the offset voltage Voff2 after gain adjustment is calculated by the following equation (2).
Offset voltage Voff2 after gain adjustment =
Target gain Vg ÷ pre-adjustment gain Vg1 × (zero offset voltage Voff3−nonzero offset voltage Voff1) + nonzero offset voltage Voff1 (2)
上記計算でゲイン調整後のオフセット電圧Voff2が分かるので、ゲイン調整は+I(A)の電流を供給し、差動増幅回路13の出力をフィードバックしながら、出力電圧が
「ゲイン調整後のオフセット電圧Voff2+目標ゲインVg」となるところまで、第1のトリミング抵抗3をトリミングすればよい。この様子を図5に示す。この方法をとれば、ゲイン幅が正確に目標ゲインVgとなる特性L3となる。これでゲイン調整完了する。
Since the offset voltage Voff2 after gain adjustment can be found from the above calculation, the gain adjustment supplies a current of + I (A) and feeds back the output of the
次に、オフセット電圧を調整する。オフセット電圧の調整は、電流未供給の状態で差動増幅回路13の出力をフィードバックしながら、出力電圧がVoffとなるところまで、第2のトリミング抵抗16をトリミングする。この様子を図6に示す。ゲインの調整、及びオフセット電圧の調整が完了した特性は、目標値とする特性L1に一致する。
Next, the offset voltage is adjusted. The offset voltage is adjusted by trimming the
なお、上記実施の形態1においては、ホール素子1の出力端子b、cに設けられたランドX,Y間をランド間開閉手段2により開閉する構成について図示説明したが、ランドX,Y間はランド間開閉手段2を用いなくても、他の手段、例えば人的操作により、開閉しても良く、設計的変更は可能である。
In the first embodiment, the configuration in which the lands X and Y provided at the output terminals b and c of the
以上のように、実施の形態1に係る電流センサ装置の調整方法によれば、調整後の特性を目標値とする特性L1に調整でき、目標特性から外れることがなくなる。従って、電流センサ基板を廃却したり、部品を載せ変えて再調整する必要がなく、また、前記特許文献1による方法と比べても、零オフセット電圧に設定するための調整工程がなく、従来と同じ2回の調整で済み設備能力を大きく取れるため、低コスト化に寄与できる効果がある。
As described above, according to the adjustment how the current sensor apparatus according to the first embodiment, to adjust the properties after the adjustment to the characteristic L1 to the target value, it is not necessary to deviate from the target characteristic. Therefore, there is no need to dispose of the current sensor board or re-adjustment by replacing parts, and there is no adjustment step for setting the zero offset voltage as compared with the method according to
実施の形態2.
次に、実施の形態2に係る電流センサ装置の調整方法について図7〜図9を用いて説明する。図7は実施の形態2に係る電流センサ装置の回路構成図であり、実施の形態1で説明した第1及び第2のトリミング抵抗を使用する代わりに、EEPROMと8ビットR−2Rラダー抵抗を用いたデジタルトリミングの構成としたものである。
Will now be described with reference to FIGS about the adjustment how the current sensor apparatus according to the second embodiment. FIG. 7 is a circuit configuration diagram of the current sensor device according to the second embodiment. Instead of using the first and second trimming resistors described in the first embodiment, an EEPROM and an 8-bit R-2R ladder resistor are used. This is a digital trimming configuration used.
符号70はEEPROMを示し、符号71はゲイントリミング部を示している。ゲイントリミング部71は第1の8ビットR−2Rラダー抵抗72とオペアンプ73より構成されている。また、符号74はオフセットトリミング部を示し、このオフセットトリミング部74は第2の8ビットR−2Rラダー抵抗75とオペアンプ76より構成されている。
実施の形態1において第1及び第2のトリミング抵抗が実装されていた個所には、抵抗値が固定されている薄膜抵抗Ri,Roを用いている。なお、抵抗14は実施の形態1と同様にホール素子1のゲイン温度特性を補正するための抵抗であり、その他の構成についても実施の形態1と同様であるので、同一符号を付すことにより説明を省略する。
The thin film resistors Ri and Ro whose resistance values are fixed are used in places where the first and second trimming resistors are mounted in the first embodiment. The
実施の形態2に係る電流センサ装置は上記のように構成されており、実装されているホール素子1は、予めホール素子単体で駆動電流とオフセット電圧の関係が図8に示すように取得されている。ホール素子単体でオフセット電圧を測定する時の駆動電流は、図7に示す回路構成におけるゲイン調整前のホール素子駆動電流としている。ゲイン調整前のホール素子駆動電流は、ゲイントリミング部71の8ビットの初期データを例えばFFhとすれば、次の(3)式の計算で求めることが出来る。
ゲイン調整前駆動電流=
Vcc×255÷256×(R2+Rr)÷(R1+R2+Rr)÷Ri ・・(3)
ここで、抵抗値R1,R2,Riは、抵抗値が固定されている薄膜抵抗を使用することにより、抵抗値精度が良いため、駆動電流を精度良く計算することが可能である。なお、レーザトリミング抵抗は初期抵抗値バラツキが大きく、駆動電流が精度良く計算できないため、デジタルトリミング構成とするのが望ましい。
The current sensor device according to the second embodiment is configured as described above, and the mounted
Drive current before gain adjustment =
Vcc × 255 ÷ 256 × (R2 + Rr) ÷ (R1 + R2 + Rr) ÷ Ri (3)
Here, since the resistance values R1, R2, and Ri have good resistance value accuracy by using thin film resistors having fixed resistance values, it is possible to calculate the driving current with high accuracy. The laser trimming resistor has a large initial resistance value variation, and the drive current cannot be calculated with high accuracy. Therefore, the digital trimming configuration is desirable.
次に、電流センサ装置の調整方法について説明する。目標とする特性は、実施の形態1と同じ図2,図3の特性L1とする。
まず、電流未供給の状態にて、オフセット電圧Voff1を測定する。次に、+I(A)の電流を供給し、ゲイン調整前のゲイン幅Vg1を測定する。
Next, a method for adjusting the current sensor device will be described. The target characteristic is the same characteristic L1 in FIGS. 2 and 3 as in the first embodiment.
First, the offset voltage Voff1 is measured in a state where no current is supplied. Next, a current of + I (A) is supplied, and the gain width Vg1 before gain adjustment is measured.
ここで、ゲイン調整後のオフセット電圧の変化量を計算する。図7の回路構成において、ゲインを調整するとホール素子駆動電流が変わるので、ホール素子1のオフセット電圧が変化する。調整ゲイン幅とホール素子1のオフセット電圧は前述のとおり比例関係にあるため、ゲイン調整後のホール素子1のオフセット電圧Vhoff2は次の(4)式にて計算できる。
ゲイン調整後のホール素子1のオフセット電圧Vhoff2=
Vhoff1×Vg÷Vg1 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・(4)
ここで、Vhoff1は、ゲイン調整前駆動電流におけるホール素子単体で測定したオフセット電圧である。
Here, the amount of change in the offset voltage after gain adjustment is calculated. In the circuit configuration of FIG. 7, when the gain is adjusted, the Hall element drive current changes, so that the offset voltage of the
The offset voltage Vhoff2 of the
Vhoff1 × Vg ÷ Vg1 (4)
Here, Vhoff1 is an offset voltage measured with the Hall element alone in the drive current before gain adjustment.
差動増幅回路14のゲインをGとすれば、ゲイン調整後のオフセット電圧Voff2は、次の(5)式により計算できる。
Voff2=Voff1−Vhoff1×G+Vhoff1×G ・・・(5)
If the gain of the
Voff2 = Voff1−Vhoff1 × G + Vhoff1 × G (5)
上記計算でゲイン調整後のオフセット電圧Voff2が分かるので、ゲイン調整は+I(A)の電流を供給し、差動増幅回路13の出力をフィードバックしながら、出力電圧がVoff2+Vgとなるところまで、EEPROM70に書き込むゲイントリミング部71のデータを、初期FFhから下げていけばよい。この様子を図9に示す。このようにすれば、ゲイン幅が正確にVgとなる特性L3となる。これでゲインの調整が完了する。
Since the offset voltage Voff2 after gain adjustment is found from the above calculation, the gain adjustment supplies the current of + I (A) and feeds back the output of the
次に、オフセット電圧を調整する。オフセット電圧の調整は、電流未供給の状態で、差動増幅回路13の出力をフィードバックしながら、出力電圧がVoffとなるところまで、EEPROM70に書き込むオフセットトリミング部74のデータを変えればよい。この様子を図6に示す。ゲイン調整及びオフセット調整が完了した特性は、目標値とする特性L1となる。
Next, the offset voltage is adjusted. The adjustment of the offset voltage may be performed by changing the data of the offset trimming
以上のように、実施の形態2に係る電流センサ装置の調整方法によれば、調整後の特性を目標値とする特性L1に出来るため、従来例のように、目標特性から外れた場合に電流センサ基板を廃却したり、部品を載せ変えて再調整する必要がなく、また、前記特許文献1による方法と比べて調整工程も2回で済むので低コスト化に寄与できる効果がある。
As described above, according to the adjustment how the current sensor apparatus according to the second embodiment, since the possible characteristic after adjustment to the characteristic L1 to the target value, as in the conventional example, when the off-target properties There is no need to dispose of the current sensor substrate or re-adjusting the parts, and the adjustment process is only twice as compared with the method according to
この発明は、低コストを目的とした電流センサ装置の調整方法に利用できる。 This invention can be utilized to adjust how the current sensor device for the purpose of low cost.
1,10 ホール素子
2 ランド間開閉手段
3,15 第1のトリミング抵抗
11 オペアンプ
12 トランジスタ
13 差動増幅回路
14 抵抗
16 第2のトリミング抵抗
VCC 定電圧電源
X,Y ランド
L1 目標とする特性
L2 ゲイン調整前の特性
L3 ゲイン調整後の特性
L4 ゲイン/オフセット調整後の特性
Voff 目標とする特性のオフセット電圧
Voff1 ゲイン調整前のオフセット電圧(非零オフセット電圧)
Voff2 ゲイン調整後のオフセット電圧
Voff3 ホール素子出力ショート時のオフセット電圧(零オフセット電圧)
Vg 目標とする特性の+I(A)供給したときのゲイン幅
Vg1 ゲイン調整前の+I(A)供給したときのゲイン幅
Vhoff1 ゲイン調整前駆動電流でのホール素子のオフセット電圧
Vhoff2 ゲイン調整後駆動電流でのホール素子のオフセット電圧
DESCRIPTION OF
Voff2 Offset voltage after gain adjustment Voff3 Offset voltage when Hall element output is short (zero offset voltage)
Vg Gain width Vg1 when + I (A) is supplied as a target characteristic Gain width Vhoff1 when + I (A) is supplied before gain adjustment Offset voltage Vhoff2 of Hall element at drive current before gain adjustment Drive current after gain adjustment Hall element offset voltage at
Claims (6)
上記電流センサ装置のゲインを調整するときのゲイン調整目標値を、上記ゲインの調整により生じるオフセット電圧の変化量を補正したゲイン調整目標値として調整し、その後、上記オフセット電圧を調整することを特徴とする電流センサ装置の調整方法。 A current sensor device comprising: a Hall element whose resistance value changes according to magnetic flux; a constant voltage circuit or a constant current circuit for driving the Hall element; and an amplifier circuit for amplifying an output signal from the Hall element. In the adjustment method of the current sensor device that adjusts while feeding back the output of the amplifier circuit,
The gain adjustment target value when adjusting the gain of the current sensor device is adjusted as a gain adjustment target value obtained by correcting the amount of change in the offset voltage caused by the gain adjustment, and then the offset voltage is adjusted. A method for adjusting the current sensor device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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---|---|---|---|---|
JP5126536B2 (en) * | 2008-11-25 | 2013-01-23 | Tdk株式会社 | Magnetic proportional current sensor gain adjustment method |
CN104040362B (en) * | 2012-01-12 | 2016-05-04 | 阿尔卑斯绿色器件株式会社 | Current sensor |
CN117519404B (en) * | 2024-01-05 | 2024-03-22 | 深圳市信瑞达电力设备有限公司 | Method and circuit topology for adjusting output gain of Hall element |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100129 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100302 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100309 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4476309 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |