JP4455293B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板に対し純水等の処理液で洗浄等の所定の処理を行う基板処理装置、特に、基板への処理液のシャワー状吐出と処理液中への基板の浸漬との処理を1つの処理槽内において行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined processing such as cleaning with a processing liquid such as pure water on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, or an electronic component, and in particular, a shower type of processing liquid on the substrate The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing of discharging and immersing a substrate in a processing solution in one processing tank.
例えば半導体装置の製造プロセスにおいて、シリコンウエハ等の基板の表面に付着したパーティクル、有機物、金属イオンなどの汚染物質を基板表面から除去する場合には、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液、塩酸と過酸化水素水との混合溶液、硫酸と過酸化水素水との混合溶液などの各種薬液を使用して基板を洗浄処理し、その後に、基板の表面上に残存している薬液や分解生成物、反応生成物等の不要物を純水で洗浄して除去するようにしている。水洗処理の方法としては、処理槽内へ純水を連続供給して処理槽上部より水洗水(水洗済み水)をオーバーフローさせながら、処理槽内の純水中に基板を浸漬させる方法や、同様に水洗水をオーバーフローさせながら処理槽内の純水中に基板を浸漬させる工程と処理槽内から水洗水を急速に排水する工程とを数回繰り返す方法などが一般的に行われている。また、空の状態の処理槽内へ基板を収容し、処理槽の上方に配設されたシャワーノズルから処理槽内の基板の表面に向けて純水をシャワー状に吐出させ、基板の表面に付着した薬液や不要物を純水によって基板の表面から洗い流し、続いて、処理槽内から水洗水を完全に排出した後に、処理槽内の下部に設けられたノズルから純水を噴出させて処理槽内へ純水を供給し処理槽上部より水洗水をオーバーフローさせながら、処理槽内の純水中に基板を浸漬させ、シャワー水洗によって洗い流すことができなかった不要物を除去する方法もある(例えば、特許文献1参照。)。
薬液処理後の基板をシャワー水洗した後に純水中に基板を浸漬させて水洗する処理では、シャワー水洗後の浸漬処理において、処理槽内下部のノズルから処理槽内の基板に向けて純水を噴出させ処理槽内へ純水を供給したときに、処理槽内における純水の流れが乱流状態となる。このため、処理槽上部のオーバーフロー面を通して空気中の炭酸ガスが処理槽内の水洗水中に溶け込み易くなる。ここで、浸漬処理の過程では、基板に付着していた薬液が処理槽内の純水中に溶解して処理槽上部から水洗水と一緒に処理槽外へ流し出されることにより、処理が進むと共に処理槽内の水洗水の比抵抗値が上昇することになるので、処理槽内の水洗水の比抵抗値を計測して浸漬処理の終了時点を管理することが行われる。ところが、空気中の炭酸ガスが処理槽内の水洗水中に溶け込む結果、浸漬処理を継続して行っても、処理槽内の水洗水の比抵抗値は約10MΩ程度までしか上がらない。このため、水洗水の比抵抗値によって水洗工程の管理を行う場合には、当該処理槽とは別に、槽内の純水の流れが層流状態に調整された最終リンス槽を設置し、当該処理槽から最終リンス槽へ基板を移し替えて、最終リンス槽内の水洗水の比抵抗値をモニタする必要がある。このように、基板の水洗状態を水洗水の比抵抗値で管理するために処理槽とは別に最終リンス槽を設けると、その分だけ設置スペースを多く必要とし、設備コストが高くなり、一連の作業工程も複雑となり、一連の作業に要する時間も長くなる。 In the process of immersing the substrate in pure water after the chemical-treated substrate is washed with shower water, in the immersion treatment after shower water washing, pure water is supplied from the nozzle at the bottom of the treatment tank toward the substrate in the treatment tank. When pure water is supplied into the treatment tank by jetting, the flow of pure water in the treatment tank becomes a turbulent state. For this reason, carbon dioxide gas in the air easily dissolves in the rinsing water in the treatment tank through the overflow surface at the upper part of the treatment tank. Here, in the course of the immersion treatment, the chemical solution adhering to the substrate is dissolved in the pure water in the treatment tank and is discharged from the upper part of the treatment tank together with the washing water to the outside of the treatment tank. At the same time, the specific resistance value of the rinsing water in the treatment tank increases, and therefore, the specific resistance value of the rinsing water in the treatment tank is measured to manage the end point of the immersion treatment. However, as a result of the carbon dioxide gas in the air being dissolved in the rinsing water in the treatment tank, the specific resistance value of the rinsing water in the treatment tank only rises to about 10 MΩ even if the immersion treatment is continued. For this reason, when managing the washing process according to the specific resistance value of the washing water, a final rinse tank in which the flow of pure water in the tank is adjusted to a laminar flow state is installed separately from the treatment tank, and the It is necessary to transfer the substrate from the treatment tank to the final rinse tank and monitor the specific resistance value of the washing water in the final rinse tank. In this way, if a final rinse tank is provided separately from the treatment tank in order to manage the washing state of the substrate with the specific resistance value of the washing water, it requires a lot of installation space, and the equipment cost increases, and a series of The work process is also complicated, and the time required for a series of work is also increased.
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板へ処理液をシャワー状に供給して処理した後に処理液中に基板を浸漬させて処理する装置において、基板の処理状態を、基板が浸漬される処理液の状態で管理する場合に、基板が浸漬される処理液の状態を検出するために別の処理槽を設ける必要が無い基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the circumstances as described above. In the apparatus for processing the substrate by immersing the substrate in the processing liquid after supplying the processing liquid to the substrate in a shower shape and processing the substrate, the processing state of the substrate When the substrate is managed in the state of the processing liquid in which the substrate is immersed, the object is to provide a substrate processing apparatus that does not require a separate processing tank to detect the state of the processing liquid in which the substrate is immersed. To do.
請求項1に係る発明は、純水により基板に対し処理を行う基板処理装置において、上部に開口を有し、純水を貯留する処理槽と、前記処理槽内で基板を保持する基板保持手段と、前記処理槽の上方に吐出口が設けられ、前記吐出口から前記処理槽内の基板の表面に向けて純水をシャワー状に吐出する純水吐出手段と、前記処理槽内の下部に供給口が設けられ、前記供給口から前記処理槽内へ純水を供給して、前記処理槽内に純水を貯留する純水供給手段と、前記処理槽の底部に排出口が設けられ、前記排出口を通って前記処理槽内の水洗水を排出する排水手段と、前記処理槽の上部開口を開閉自在に覆蓋する蓋部材と、前記処理槽内の水洗水の液面へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記純水吐出手段による前記処理槽内の基板表面への純水の吐出、前記排水手段による前記処理槽内からの水洗水の排出、前記純水供給手段による前記処理槽内への純水の供給、前記蓋部材による、前記純水供給手段によって純水が供給される前記処理槽の上部開口の覆蓋、および、前記不活性ガス供給手段による、前記蓋部材によって上部開口が覆蓋された前記処理槽内の水洗水液面への不活性ガスの供給をそれぞれ制御する制御手段と、前記処理槽内の水洗水の比抵抗値を計測する比抵抗計と、を備え、前記比抵抗計によって計測された比抵抗値に基づいて前記制御手段により、前記純水供給手段による前記処理槽内への純水の供給および前記不活性ガス供給手段による前記処理槽内の水洗水液面への不活性ガスの供給をそれぞれ停止し、前記蓋部材を開放して、純水による基板の洗浄処理を終了するように制御するとともに、前記純水吐出手段による前記処理槽内の基板表面への純水の吐出と前記排水手段による前記処理槽内からの水洗水の排出とを交互に複数回繰り返し、前記排水手段による前記処理槽内からの最後の水洗水の排出が終わった後に、前記純水供給手段による前記処理槽内への純水の供給、前記蓋部材による前記処理槽の上部開口の覆蓋および前記不活性ガス供給手段による前記処理槽内の水洗水液面への不活性ガスの供給をそれぞれ開始するように、前記制御手段により制御することを特徴とする。
Invention provides a substrate processing apparatus for performing processing on the substrate with pure water, has an opening at the top, a process tank for storing pure water, the substrate holding means for holding the substrate in the processing bath according to
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記不活性ガス供給手段のガス供給口を前記蓋部材に設けたことを特徴とする。
The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to
請求項1に係る発明の基板処理装置においては、純水吐出手段により、基板保持手段によって処理槽内に保持された基板の表面に向けて純水がシャワー状に吐出されて、基板の水洗処理が行われ、排水手段によって処理槽内の純水が排出され、純水供給手段によって処理槽内へ純水が供給され、処理槽内の基板が純水中に浸漬されて、基板の水洗処理が行われる。そして、純水供給手段によって純水が供給される処理槽の上部開口は、蓋部材によって覆蓋されるとともに、蓋部材によって上部開口が覆蓋された処理槽内の水洗水の液面へ不活性ガス供給手段によって不活性ガスが供給されるので、処理槽内の水洗水中への空気中の炭酸ガスの溶け込みが抑制される。
したがって、請求項1に係る発明の基板処理装置を使用すると、基板の処理状態を、基板が浸漬される水洗水の状態で管理する場合に、基板が浸漬される水洗水の状態を検出するために別の処理槽を設ける必要が無くなり、それ分だけ設置スペースを少なくし、設備コストを低く抑えることができ、一連の作業工程も簡単となり、一連の作業に要する時間も短くすることができる。
In the substrate processing apparatus of the invention according to
Thus, using the substrate processing apparatus of the invention according to
また、この基板処理装置では、比抵抗計によって計測された処理槽内の水洗水の比抵抗値により基板の処理状態を管理することができる。そして、比抵抗計によって計測された比抵抗値により、純水供給手段による処理槽内への純水の供給および不活性ガス供給手段による処理槽内の水洗水液面への不活性ガスの供給がそれぞれ停止され、蓋部材が開放されて、純水による基板の洗浄処理が終了させられるように管理される。 Further, in this substrate processing apparatus, the processing state of the substrate can be managed by the specific resistance value of the washing water in the processing tank measured by the specific resistance meter. Then, based on the resistivity value measured by the resistivity meter, the pure water is supplied into the treatment tank by the pure water supply means and the inert gas is supplied to the washing water level in the treatment tank by the inert gas supply means. Are stopped, the lid member is opened, and the cleaning process of the substrate with pure water is terminated.
また、この基板処理装置では、純水吐出手段による処理槽内の基板表面への純水の吐出と排水手段による処理槽内からの水洗水の排出とが交互に複数回繰り返され、排水手段による処理槽内からの最後の水洗水の排出が終わった後に、純水供給手段による処理槽内への純水の供給、蓋部材による処理槽の上部開口の覆蓋および不活性ガス供給手段による処理槽内の水洗水液面への不活性ガスの供給がそれぞれ開始して、基板の処理が好適に行われる。 Further, in the substrate processing apparatus, the discharge of the washing water from the treatment tank by the discharge and drainage means pure water to the substrate surface in the processing bath by pure water discharging means is repeated a plurality of times alternately, by drainage means After the final flushing water discharge from the treatment tank is finished, supply of pure water into the treatment tank by the pure water supply means, a cover for the upper opening of the treatment tank by the lid member, and a treatment tank by the inert gas supply means The supply of the inert gas to each of the rinsing water liquid surfaces starts, and the substrate is suitably processed.
請求項2に係る発明の基板処理装置では、蓋部材に不活性ガス供給手段のガス供給口が設けられているので、蓋部材の開閉動作と干渉しないように不活性ガス供給手段のガス供給口を設ける場合に比べて、構造が簡単となり、装置の大きさも小さくなる。 In the substrate processing apparatus of the invention according to claim 2 , since the gas supply port of the inert gas supply means is provided in the lid member, the gas supply port of the inert gas supply means so as not to interfere with the opening / closing operation of the lid member. Compared with the case of providing the device, the structure becomes simple and the size of the device is also reduced.
以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、この発明の実施形態の1例を示し、基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
この基板処理装置は、上部が開口し純水が貯留される処理槽10、および、処理槽10内で複数枚の基板Wを保持するリフタ12を備えている。リフタ12は、処理槽10の内部位置と処理槽10の外部上方位置との間を昇降自在に支持され、リフタ駆動装置14(具体的機構の図示を省略)によって昇降駆動される。また、図示していないが、処理槽10の上方には基板搬送ロボットが配設されており、薬液処理後の基板Wが基板搬送ロボットからリフタ12へ受け渡されて装置へ搬入され、処理槽10での水洗処理が終わった基板Wがリフタ12から基板搬送ロボットへ受け渡されて装置から払い出される。
The substrate processing apparatus includes a
処理槽10の上部外周には、処理槽10の上部から溢れ出た水洗水が流れ込む溢流水槽16が一体的に設けられており、溢流水槽16内に流入した水洗水は、図示しない排水管を通って槽外へ排出される。処理槽10内の下部にはノズル18が設けられており、ノズル18には純水供給管20が連通接続されている。純水供給管20は、純水供給源に流路接続され、純水供給管20の途中に開閉制御弁22が介挿して設けられている。そして、純水供給管20を通ってノズル18へ供給された純水は、ノズル18から処理槽10内の基板Wの方向へ噴出し、処理槽10内に供給されて貯留される。また、処理槽10の底部には排水口24が形設されており、排水口24に排水管26が連通接続されている。排水口24の径および排水管26の内径は、処理槽10内から水洗水を急速に排出することができる程度に大きくされている。排水管26には、開閉制御弁(急速排水弁)28が介挿して設けられている。
An
処理槽10の上方にはシャワーノズル30が配設されており、シャワーノズル30には純水供給管32が連通接続されている。純水供給管32は、純水供給源に流路接続され、純水供給管32の途中に開閉制御弁34が介挿して設けられている。そして、純水供給管32を通ってシャワーノズル30へ供給された純水は、シャワーノズル30から処理槽10内の基板Wの表面に向けてシャワー状に吐出される。シャワーノズル30の上方には、処理槽10の上部開口を覆蓋する一対の蓋部材36が配設されている。蓋部材36は、実線で示す閉塞位置と二点鎖線で示す開放位置との間で回動自在に支持されており、蓋部材駆動装置38(具体的機構の図示を省略)によって開閉駆動される。
A
蓋部材36の内部には、図2に破断断面図を示すようにガス通路40が形成されており、ガス通路40に連通するようにガス導入口42が設けられている。また、蓋部材30には、その閉塞時において処理槽10の上部開口と対向する内側面に、それぞれガス通路40に連通する複数のガス吹出し口44が形設されている。蓋部材36のガス導入口42には、不活性ガス、例えば窒素ガスの供給管46が連通接続されている。窒素ガス供給管46は、窒素ガス供給源に流路接続され、窒素ガス供給管46の途中に開閉制御弁48が介挿して設けられている。そして、蓋部材36が閉塞した状態で、窒素ガス供給管46を通って蓋部材36のガス通路40へ窒素ガスが供給されることにより、蓋部材36の複数のガス吹出し口44から処理槽10内の水洗水の液面に向けて窒素ガスが吹き出す。
Inside the
さらに、この装置には比抵抗計50が設けられており、比抵抗計50の検出部52が処理槽10内に配置されている。比抵抗計50は、制御装置54に接続されており、比抵抗計50によって計測された比抵抗値の信号が制御装置54に送られる。また、制御装置54は、各開閉制御弁22、28、34、48ならびにリフタ駆動装置14および蓋部材駆動装置38にそれぞれ接続されていて、制御装置54からそれらに制御信号が送られる。
Further, this apparatus is provided with a
なお、蓋部材30にガス吹出し口44を形設する代わりに、図3に示すように、蓋部材56が閉塞した状態において蓋部材56と処理槽10の上部開口との間に位置するように、処理槽10の上方にガス吹出しノズル58を設け、図示していないが、ガス吹出しノズル58に、窒素ガス供給源に流路接続された窒素ガス供給管を連通接続するような構成としてもよい。
Instead of forming the
次に、図1に示した構成を備えた基板処理装置を用いて行われる基板の水洗処理操作の1例について、図4に示すタイムチャートを参照しながら説明する。
薬液処理を終えた複数枚の基板Wが基板搬送ロボットからリフタ12へ受け渡されると、リフタ12が下降して、基板Wが処理槽10内へ挿入され、図1に示したように処理槽10内に基板Wが保持される。この際、蓋部材36は、二点鎖線で示すように開放されており、全ての開閉制御弁22、28、34、48は閉じられている。基板Wが処理槽10内に保持されると、純水供給管32に介設された開閉制御弁34が一定時間開かれて、シャワーノズル30から処理槽10内の基板Wの表面に向けて純水がシャワー状に吐出され、その後に開閉制御弁34が閉じられる。これにより、基板Wの表面が純水で洗浄され、洗浄後の水洗水は、処理槽10内へ流下して処理槽10内に溜まる。開閉制御弁34が閉じられるのと同時(あるいはその前後)に、排水管26に介設された開閉制御弁(急速排水弁)28が一定時間開かれて、処理槽10内に溜まった水洗水が排水口24から排水管26を通って急速に排出され、その後に開閉制御弁28が閉じられる。開閉制御弁28が閉じられるのと同時(あるいはその前後)に再び開閉制御弁34が一定時間開かれて、シャワーノズル30から処理槽10内の基板Wの表面に向けて純水がシャワー状に吐出され、その後に開閉制御弁34が閉じられる。そして、開閉制御弁34が閉じられるのと同時(あるいはその前後)に再び開閉制御弁28が一定時間開かれて、処理槽10内に溜まった水洗水が排水口24から排水管26を通って急速に排出され、その後に開閉制御弁28が閉じられる。
Next, an example of a substrate washing operation performed using the substrate processing apparatus having the configuration shown in FIG. 1 will be described with reference to the time chart shown in FIG.
When the plurality of substrates W that have been subjected to the chemical solution processing are transferred from the substrate transfer robot to the
上記したシャワー水洗と急速排水とが複数回繰り返され、最後の急速排水が終わって、開閉制御弁28が閉じられると、それと同時(あるいはその前後)に、蓋部材36が実線で示すように閉塞されて、処理槽10の上部開口が蓋部材36によって覆蓋され、窒素ガス供給管46に介設された開閉制御弁48が開かれて、蓋部材36のガス吹出し口44から処理槽10内の水洗水の液面に向けて窒素ガスが吹き出し、純水供給管22に介設された開閉制御弁22が開かれて、ノズル18から処理槽10内の基板Wの方向へ純水が噴出する。そして、処理槽10内に純水が次第に溜まっていき、処理槽10内が純水で満たされ、処理槽10の上部から純水が溢れ出て、処理槽10内に純水の上昇水流が形成され、その純水中に基板Wが浸漬された状態となる。これにより、シャワー水洗によって基板Wの表面から洗い流すことができなかった薬液が純水中に溶解し不要物が除去される。
When the shower water washing and the rapid drainage are repeated a plurality of times and the final rapid drainage is finished and the opening /
上記した浸漬処理を一定時間行った後、あるいは、比抵抗計50によって計測された水洗水の比抵抗値が所望値、例えば15MΩまで上昇して、その信号が制御装置54に入力されると、開閉制御弁22が閉じられて、ノズル18から処理槽10内への純水の供給が停止し、開閉制御弁48が閉じられて、蓋部材36のガス吹出し口44から処理槽10内の水洗水液面への窒素ガスの吹出しが停止し、蓋部材36が二点鎖線で示すように開放される。そして、リフト12が上昇して、処理槽10内から基板Wが取り出され、リフト12から基板搬送ロボットへ基板Wが受け渡されて、基板搬送ロボットにより基板Wが装置外へ払い出される。以上の一連の処理操作は、制御装置54によりリフタ駆動装置14、蓋部材駆動装置38および各開閉制御弁22、28、34、48がそれぞれ制御されて実行される。
After performing the above-mentioned immersion treatment for a certain time, or when the specific resistance value of the washing water measured by the
図5は、上記した一連の処理において処理槽10内の水洗水の比抵抗値が変化する様子を示す図である。図において、実線が、本発明に係る上記装置を使用したときの比抵抗値の変化を示し、破線が、従来の装置、すなわち蓋部材36および窒素ガスの供給手段を備えていない装置を使用したときの比抵抗値の変化を示す。また、時間t1がシャワー水洗の終了時点であり、時間t2が浸漬処理の終了時点である。図5に示した結果からも分かるように、この発明に係る上記装置を使用したときは、ノズル18から処理槽10内へ純水を連続して供給し純水中に基板Wを浸漬させて処理している間、処理槽10の上部開口が蓋部材36によって覆蓋されるとともに、蓋部材36のガス吹出し口44から処理槽10内の水洗水の液面に向けて窒素ガスが吹き出すようにされるので、空気中の炭酸ガスが処理槽10内の水洗水中へ溶け込むことが抑制される。この結果、水洗水の比抵抗値が15MΩ以上に上昇することとなる。このため、処理槽10と別に、槽内の純水の流れが層流状態に調整された最終リンス槽を設置しなくても、水洗水の比抵抗値により水洗工程の管理を行うことが可能となる。
FIG. 5 is a diagram showing how the specific resistance value of the washing water in the
なお、上記した基板の水洗処理操作は1例であり、この発明に係る基板処理装置を使用した基板処理は、種々の形態で実施し得る。 In addition, the above-described washing treatment operation of the substrate is an example, and the substrate processing using the substrate processing apparatus according to the present invention can be implemented in various forms.
10 処理槽
12 リフタ
14 リフタ駆動装置
16 溢流水槽
18 ノズル
20、32 純水供給管
22、28、34、48 開閉制御弁
24 排水口
26 排水管
30 シャワーノズル
36、56 蓋部材
38 蓋部材駆動装置
40 ガス通路
42 ガス導入口
44 ガス吹出し口
46 窒素ガス供給管
50 比抵抗計
54 制御装置
58 ガス吹出しノズル
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (2)
上部に開口を有し、純水を貯留する処理槽と、
前記処理槽内で基板を保持する基板保持手段と、
前記処理槽の上方に吐出口が設けられ、前記吐出口から前記処理槽内の基板の表面に向けて純水をシャワー状に吐出する純水吐出手段と、
前記処理槽内の下部に供給口が設けられ、前記供給口から前記処理槽内へ純水を供給して、前記処理槽内に純水を貯留する純水供給手段と、
前記処理槽の底部に排出口が設けられ、前記排出口を通って前記処理槽内の水洗水を排出する排水手段と、
前記処理槽の上部開口を開閉自在に覆蓋する蓋部材と、
前記処理槽内の水洗水の液面へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記純水吐出手段による前記処理槽内の基板表面への純水の吐出、前記排水手段による前記処理槽内からの水洗水の排出、前記純水供給手段による前記処理槽内への純水の供給、前記蓋部材による、前記純水供給手段によって純水が供給される前記処理槽の上部開口の覆蓋、および、前記不活性ガス供給手段による、前記蓋部材によって上部開口が覆蓋された前記処理槽内の水洗水液面への不活性ガスの供給をそれぞれ制御する制御手段と、
前記処理槽内の水洗水の比抵抗値を計測する比抵抗計と、
を備え、
前記比抵抗計によって計測された比抵抗値に基づいて前記制御手段により、前記純水供給手段による前記処理槽内への純水の供給および前記不活性ガス供給手段による前記処理槽内の水洗水液面への不活性ガスの供給をそれぞれ停止し、前記蓋部材を開放して、純水による基板の洗浄処理を終了するように制御するとともに、
前記純水吐出手段による前記処理槽内の基板表面への純水の吐出と前記排水手段による前記処理槽内からの水洗水の排出とを交互に複数回繰り返し、前記排水手段による前記処理槽内からの最後の水洗水の排出が終わった後に、前記純水供給手段による前記処理槽内への純水の供給、前記蓋部材による前記処理槽の上部開口の覆蓋および前記不活性ガス供給手段による前記処理槽内の水洗水液面への不活性ガスの供給をそれぞれ開始するように、前記制御手段により制御することを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate with pure water ,
A treatment tank having an opening at the top and storing pure water ;
Substrate holding means for holding the substrate in the processing tank;
Discharge port provided above the processing bath, and pure water discharging means for discharging the pure water like a shower from the discharge port toward the surface of the substrate in the processing bath,
A supply port is provided at a lower portion in the treatment tank, and pure water supply means for supplying pure water from the supply port to the treatment tank and storing the pure water in the treatment tank;
A discharge port is provided at the bottom of the treatment tank, and drainage means for discharging flush water in the treatment tank through the discharge port;
A lid member that covers the upper opening of the treatment tank so as to be freely opened and closed;
An inert gas supply means for supplying an inert gas to the surface of the rinsing water in the treatment tank;
Discharge of pure water on the substrate surface in the processing bath by the pure water discharge means, discharge of washing water from the drainage means according to the processing bath, the pure water into the processing bath by the pure water supply means Supply, the cover with the lid member covering the upper opening of the treatment tank to which pure water is supplied by the pure water supply means, and the process with the upper opening covered by the lid member with the inert gas supply means Control means for controlling the supply of inert gas to the flush water level in the tank,
A specific resistance meter for measuring the specific resistance value of the washing water in the treatment tank;
Equipped with a,
Based on the specific resistance value measured by the specific resistance meter, the control means supplies pure water into the treatment tank by the pure water supply means and flush water in the treatment tank by the inert gas supply means. Each of the supply of the inert gas to the liquid surface is stopped, the lid member is opened, and control is performed so as to finish the substrate cleaning process with pure water,
Discharge of pure water onto the substrate surface in the treatment tank by the pure water discharge means and discharge of flush water from the treatment tank by the drain means are alternately repeated a plurality of times, and the inside of the treatment tank by the drain means After the final flush water discharge from the end, supply of pure water into the treatment tank by the pure water supply means, a cover for the upper opening of the treatment tank by the lid member, and the inert gas supply means The substrate processing apparatus controlled by the control means so as to start the supply of the inert gas to the washing water level in the processing tank .
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