JP4454589B2 - Superconducting filter device and filter characteristic adjusting method - Google Patents

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Description

本発明は、移動通信基地局の極低温RFフロントエンドの送信系に適用される超伝導送信フィルタデバイスと、フィルタ特性の調整方法に関する。   The present invention relates to a superconducting transmission filter device applied to a transmission system of a cryogenic RF front end of a mobile communication base station, and a filter characteristic adjusting method.

近年、携帯電話の普及、発展に伴い、高速・大容量の伝送技術が不可欠になってきている。超伝導体は、高周波領域においても、通常の電気的良導体に比べて表面抵抗が非常に小さいので、低損失、高Q値の共振器が期待でき、移動通信の基地局用のフィルタとして有望視されている。   In recent years, with the spread and development of mobile phones, high-speed and large-capacity transmission technology has become indispensable. Superconductors have a very low surface resistance in the high-frequency region as compared with ordinary good electrical conductors, and therefore can be expected to have low-loss and high-Q resonators and are promising as filters for mobile communication base stations. Has been.

たとえば、図1(a)に示すように、アンテナ151を介して受信されたRF信号は、受信系フロントエンドを構成する帯域フィルタ(BPF)152R、低ノイズアンプ(LNA)153、ダウンコンバータ(D/C)154、復調器(DEMOD)155を経て、ベースバンド部156でベースバンド処理される。   For example, as shown in FIG. 1A, an RF signal received via an antenna 151 is converted into a band filter (BPF) 152R, a low noise amplifier (LNA) 153, and a down converter (D / C) After passing through 154 and demodulator (DEMOD) 155, baseband processing is performed in the baseband unit 156.

送信系では、ベースバンド部156で処理された信号は、変調器(MOD)157、アップコンバータ(U/C)158、ハイパワーアンプ(HPA)159、帯域フィルタ(BPF)152Tを経て、RF信号としてアンテナ151から放射される。   In the transmission system, the signal processed by the baseband unit 156 passes through a modulator (MOD) 157, an up converter (U / C) 158, a high power amplifier (HPA) 159, and a band filter (BPF) 152T, and then an RF signal. As radiated from the antenna 151.

超伝導フィルタを、受信側の帯域フィルタ152Rに適用する場合、伝送ロスが少なく、急峻な周波数遮断特性が期待される。一方、送信側の帯域フィルタ152Tに適用する場合は、ハイパワーアンプ159によって発生する歪を取り除く効果が期待できる。   When the superconducting filter is applied to the band filter 152R on the receiving side, a transmission loss is small and a steep frequency cutoff characteristic is expected. On the other hand, when applied to the band filter 152T on the transmission side, an effect of removing distortion generated by the high power amplifier 159 can be expected.

超伝導フィルタとしては、マイクロストリップ型の超伝導パターンが一般的に用いられている。そのような超伝導フィルタの周波数特性を調整する方法として、超伝導のマイクロストリップパターンの上方に仕切り板を配置し、仕切り板の大きさ、位置等を調整することによって、帯域調整する方法が知られている(たとえば特許文献1参照)。   As the superconducting filter, a microstrip type superconducting pattern is generally used. As a method for adjusting the frequency characteristics of such a superconducting filter, a method of adjusting the band by arranging a partition plate above the superconductive microstrip pattern and adjusting the size, position, etc. of the partition plate is known. (See, for example, Patent Document 1).

この従来方法では、図1(b)に示すように、誘電体基板103の片面全体に超伝導膜102が形成され、もう一方の面に、マイクロストリップラインから成る超伝導フィルタパターン104a〜104fが形成されている。フィルタパターン104a〜104fと対向するケース101の内面に、フィルタパターン104a〜104fが延びる方向と平行かつ、フィルタパターン104a〜104fに対して垂直に、金属の仕切り板105a〜105eが固定されている。仕切り板105a〜105eは、マイクロストリップ型のパターンとパターンの間で、上方に位置する。固定仕切り板の大きさや位置を異ならせることで、帯域幅を変えることができる。   In this conventional method, as shown in FIG. 1B, a superconducting film 102 is formed on the entire surface of a dielectric substrate 103, and superconducting filter patterns 104a to 104f made of microstrip lines are formed on the other surface. Is formed. Metal partition plates 105a to 105e are fixed to the inner surface of the case 101 facing the filter patterns 104a to 104f in parallel with the direction in which the filter patterns 104a to 104f extend and perpendicular to the filter patterns 104a to 104f. The partition plates 105a to 105e are located above between the microstrip type patterns. The bandwidth can be changed by changing the size and position of the fixed partition plate.

また、同じくマイクロストリップ型の超伝導フィルタをチューニングするために、各パターンとパターンの間の上方の空間にサファイアロッドトリマを挿入し、トリマのネジを回転することにより、ロッドの上下位置を調整する方法も提案されている(たとえば、非特許文献1参照)。   Similarly, in order to tune the microstrip type superconducting filter, the vertical position of the rod is adjusted by inserting a sapphire rod trimmer into the space above each pattern and rotating the trimmer screw. A method has also been proposed (see Non-Patent Document 1, for example).

同様に、ヘアピン型共振器パターンとパターンの間に、上方から垂直に金属や樹脂製のねじを挿入して、信号の結合度を調整する方法も知られている(特許文献2参照)
特開2001−102809号公報 特開2002−57506号公報 「誘電体ロッドトリミングによる超伝導フィルタの特性改善」、三上宏他、信学技報SCE2003−6、MW2003−6(2003−4)、p29〜35
Similarly, a method of adjusting a signal coupling degree by inserting a metal or resin screw vertically from above between hairpin resonator patterns (see Patent Document 2) is also known.
JP 2001-102809 A JP 2002-57506 A "Characteristic improvement of superconducting filter by dielectric rod trimming", Hiroshi Mikami et al., IEICE Technical Report SCE2003-6, MW2003-6 (2003-4), p29-35

ところで、超伝導フィルタを送信側に適用する場合は、高周波信号を送信するために大電力を要し、フィルタの小型化と良好な電力特性との両立が、目下の課題とされている。   By the way, when a superconducting filter is applied to the transmission side, a large amount of power is required to transmit a high-frequency signal, and compatibility between the downsizing of the filter and good power characteristics is a current challenge.

このような課題を解決するひとつの方法として、本件発明者等は、未公開の先出願である特願2004−303301において、円形、楕円形、多角形などの2次元回路型の超伝導共振器パターンの上方に誘電体を介して導体パターンを配置し、所望の帯域幅に対応するカップリングを生じさせる方法を提案している。導体パターンは、好ましくは円形もしくは楕円形である。   As one method for solving such a problem, the present inventors have disclosed a two-dimensional circuit type superconducting resonator such as a circle, an ellipse, or a polygon in Japanese Patent Application No. 2004-303301, which is an unpublished prior application. A method has been proposed in which a conductor pattern is disposed above a pattern via a dielectric to generate a coupling corresponding to a desired bandwidth. The conductor pattern is preferably circular or elliptical.

図2は、本発明に到る過程で提案されるカップリング用の導体パターン17を有する超伝導フィルタの構成例である。図2(a)は、超伝導フィルタの上面図、図2(b)は、金属パッケージ30へ収納後の断面図である。   FIG. 2 is a configuration example of a superconducting filter having a coupling conductor pattern 17 proposed in the course of reaching the present invention. 2A is a top view of the superconducting filter, and FIG. 2B is a cross-sectional view after being stored in the metal package 30. FIG.

ベースの誘電体基板11の両面を覆う超伝導膜のうち、一方の膜をグランド層14として用い、もう一方の膜を加工して、ディスク形状の共振器パターン12と、その近傍に延びるフィーダライン13とを含む信号層として用いる。この信号層側の上部に誘電体16を積層すると、回路の実効誘電率が高くなるため、共振周波数が低くなり小型化に寄与する。さらに、積層誘電体16の表面に円形の導体パターン17を形成することで、1つの共振器パターンで2つの共振モード(いわゆる「デュアルモード」)が発生させることができる。共振器パターン12とデュアルモード発生用の導体パターン17は、マイクロストリップと異なり、いずれも曲線のみで定義される形状を有する。直線部やコーナー部など、電流の集中を引き起こしやすい構造を排除しているので、小型化に寄与すると同時に、良好な電力特性や周波数特性が得られるという特長を持つ。   Of the superconducting films covering both surfaces of the base dielectric substrate 11, one film is used as the ground layer 14, and the other film is processed to form a disk-shaped resonator pattern 12 and a feeder line extending in the vicinity thereof. 13 is used as a signal layer. When the dielectric 16 is laminated on the upper side of the signal layer, the effective dielectric constant of the circuit is increased, so that the resonance frequency is lowered and contributes to downsizing. Further, by forming the circular conductor pattern 17 on the surface of the laminated dielectric 16, two resonance modes (so-called “dual mode”) can be generated by one resonator pattern. Unlike the microstrip, the resonator pattern 12 and the dual-mode generating conductor pattern 17 both have shapes defined only by curves. Eliminating structures that tend to cause current concentration, such as straight lines and corners, contributes to downsizing, and at the same time has good power and frequency characteristics.

しかし、積層誘電体16の材料特性や実装状態、さらにはデュアルモード発生用導体パターン17の材料特性や位置によって、設計シミュレーション結果とのずれが発生するおそれがある。デュアルモード発生用の導体パターンが積層誘電体16上に一体的に形成される場合、ずれを調整しようとすると、同時にいくつかのパラメータが動いてしまうため、特性の改善、調整が容易な構成が望まれる。   However, there is a possibility that a deviation from the design simulation result may occur depending on the material characteristics and mounting state of the laminated dielectric 16 and the material characteristics and position of the dual mode generating conductor pattern 17. When the conductor pattern for generating the dual mode is integrally formed on the laminated dielectric 16, if the deviation is adjusted, several parameters are moved at the same time. desired.

そこで、本発明は、ディスク形状等の2次元図形型の共振器パターンを有する超伝導フィルタデバイスにおいて、フィルタの伝送特性の微調整を簡便に行うことのできる構成を提供することを課題とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a configuration in which fine adjustment of transmission characteristics of a filter can be easily performed in a superconducting filter device having a two-dimensional graphic type resonator pattern such as a disk shape.

なお、本明細書および特許請求の範囲において「2次元図形形状のパターン」あるいは「2次元図形型のパターン」という場合は、ライン状またはストリップ状(1次元)のパターンとは区別され、円形、楕円形、多角形などの平面図形の形を有する共振器パターンを意味するものとする。   In the present specification and claims, the term “two-dimensional graphic pattern” or “two-dimensional graphic pattern” is distinguished from a line-shaped or strip-shaped (one-dimensional) pattern, It shall mean a resonator pattern having the shape of a plane figure such as an ellipse or a polygon.

このような新たな課題を解決するために、本発明は、デュアルモード発生用の導体パターンを積層誘電体から分離し、パッケージの外部から、デュアルモード発生用の導体の位置を上下あるいは水平方向に移動調節することのできる構造にする。   In order to solve such a new problem, the present invention separates the conductor pattern for generating the dual mode from the laminated dielectric and positions the conductor for generating the dual mode vertically or horizontally from the outside of the package. Make the structure adjustable.

また、異なる複数のサイズのデュアルモード発生用の導体パターンを用意しておき、導体パターンの交換が簡便な構成にする。   In addition, conductor patterns for generating a dual mode having a plurality of different sizes are prepared so that the conductor patterns can be easily exchanged.

具体的には、本発明の第1の側面では、超伝導フィルタデバイスは、
(a)誘電体ベース基板と、
(b)前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンと、
(c)前記共振器パターンの上方で保持されるデュアルモード発生用導体と、
(d)前記デュアルモード発生用導体の位置を移動させる機構と
を有する。
Specifically, in the first aspect of the present invention, the superconducting filter device is:
(A) a dielectric base substrate;
(B) a two-dimensional figure type resonator pattern formed of a superconducting material on the dielectric base substrate;
(C) a dual mode generating conductor held above the resonator pattern;
(D) a mechanism for moving the position of the dual mode generating conductor.

良好な構成例では、移動機構は、共振器パターンの上方で、デュアルモード発生用導体を上下方向に移動させる。この場合、超伝導フィルタ装置は、パッケージの天板に取り付けられて、デュアルモード発生用導体を上下移動可能に支持するネジ式またはトリマ式の支持棒を有する。   In a favorable configuration example, the moving mechanism moves the dual mode generating conductor in the vertical direction above the resonator pattern. In this case, the superconducting filter device has a screw-type or trimmer-type support rod that is attached to the top plate of the package and supports the dual-mode generating conductor so as to be movable up and down.

あるいは、移動機構は、共振器パターンの上方で、共振器パターンの半径方向に沿ってデュアルモード発生用導体を水平方向に移動する。この場合、パッケージの天板を、パッケージ本体に対して水平方向にスライド可能に設け、パッケージ天板にデュアルモード発生用導体を支持する支持棒を取り付ける。パッケージ天板と、指示棒とで、移動機構を構成する。   Alternatively, the moving mechanism moves the dual mode generating conductor in the horizontal direction along the radial direction of the resonator pattern above the resonator pattern. In this case, the top plate of the package is provided so as to be slidable in the horizontal direction with respect to the package body, and a support bar for supporting the dual mode generating conductor is attached to the package top plate. The package top plate and the indicator bar constitute a moving mechanism.

本発明の第2の側面では、超伝導フィルタデバイスは、
(a)誘電体ベース基板と、
(b)前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンと、
(c)前記共振器パターンの上方に保持されるデュアルモード発生用導体と、
(d)前記デュアルモード発生用導体を交換可能に支持する支持棒と
を有する。
In a second aspect of the invention, the superconducting filter device is:
(A) a dielectric base substrate;
(B) a two-dimensional figure type resonator pattern formed of a superconducting material on the dielectric base substrate;
(C) a dual-mode generating conductor held above the resonator pattern;
(D) A support rod for supporting the dual mode generating conductor in a replaceable manner.

デュアルモード発生用導体と積層誘電体を独立に制御でき、超伝導フィルタデバイスの共振周波数や帯域幅などを、簡単な方法で微調整できる。   The dual mode generating conductor and the laminated dielectric can be controlled independently, and the resonance frequency and bandwidth of the superconducting filter device can be finely adjusted by a simple method.

以下、図面を参照して、本発明の良好な実施形態を説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図3は本発明の一実施形態に係る超伝導フィルタデバイス10の構成例を示す。図3(a)は超伝導フィルタデバイスの水平断面図、図3(b)は垂直断面図である。超伝導デバイス10は、誘電体ベース基板11と、誘電体ベース基板11の表面に超伝導材料で所定の形状に形成された超伝導共振器パターン12と、超伝導フィルタパターン12の近傍に延びる信号入出力線(フィーダ)13と、誘電体ベース基板11の裏面に形成されたグランド用電極(グランド膜)14と、超伝導共振器パターン12の上方に所定の空間を介して位置する導体27と、この導体27を上下方向に移動可能に支持する支持棒18を有する。   FIG. 3 shows a configuration example of the superconducting filter device 10 according to an embodiment of the present invention. 3A is a horizontal sectional view of the superconducting filter device, and FIG. 3B is a vertical sectional view. The superconducting device 10 includes a dielectric base substrate 11, a superconducting resonator pattern 12 formed in a predetermined shape with a superconducting material on the surface of the dielectric base substrate 11, and a signal extending in the vicinity of the superconducting filter pattern 12. An input / output line (feeder) 13, a ground electrode (ground film) 14 formed on the back surface of the dielectric base substrate 11, and a conductor 27 positioned above the superconducting resonator pattern 12 via a predetermined space, The support rod 18 that supports the conductor 27 so as to be movable in the vertical direction is provided.

図3の例では、超伝導材料としてYBCO(Y−Ba−Cu−O系)材料を用い、誘電体ベース基板11として、MgO単結晶基板を用いている。誘電体ベース基板11は、MgO単結晶以外に、3〜5GHzの周波数で8〜10の誘電率を有する任意の誘電体材料を用いることができる。   In the example of FIG. 3, a YBCO (Y—Ba—Cu—O-based) material is used as the superconductive material, and an MgO single crystal substrate is used as the dielectric base substrate 11. For the dielectric base substrate 11, any dielectric material having a dielectric constant of 8 to 10 at a frequency of 3 to 5 GHz can be used in addition to the MgO single crystal.

超伝導共振器パターン12は、直線やコーナーを排除したディスク形状の2次元図形型のパターンである。これにより、電流の集中を防止し、電力特性や周波数特性を良好に維持する。信号入出力用の電極15から超伝導共振器パターン12へ向かって延びるフィーダ13の一方は、信号入力として用いられ、他方は、信号出力として用いられる。   The superconducting resonator pattern 12 is a disk-shaped two-dimensional graphic pattern excluding straight lines and corners. As a result, current concentration is prevented, and power characteristics and frequency characteristics are maintained favorably. One of the feeders 13 extending from the signal input / output electrode 15 toward the superconducting resonator pattern 12 is used as a signal input, and the other is used as a signal output.

誘電体ベース基板11の上に、LaAlOなどの誘電体基板16が積層されている。この積層誘電体基板16は、超伝導共振器パターン12上での電流の集中を緩和する効果がある。積層方法としては、LaAlO単結晶基板16を誘電体ベース基板11に搭載し、基板の四隅をバネ(不図示)で押さえ金属パッケージ30に固定する。積層誘電体基板16はLaAlO単結晶以外に、誘電率が20を超える任意の基板を用いてよいが、基板の両面ともに平滑で、低温においても、MgO誘電体ベース基板11と熱膨張係数が類似のものが望ましい。 A dielectric substrate 16 such as LaAlO 3 is stacked on the dielectric base substrate 11. The laminated dielectric substrate 16 has an effect of relaxing current concentration on the superconducting resonator pattern 12. As a stacking method, a LaAlO 3 single crystal substrate 16 is mounted on the dielectric base substrate 11, and four corners of the substrate are fixed to the metal package 30 with springs (not shown). The laminated dielectric substrate 16 may be any substrate having a dielectric constant exceeding 20 in addition to the LaAlO 3 single crystal. However, both surfaces of the substrate are smooth and have a thermal expansion coefficient similar to that of the MgO dielectric base substrate 11 even at low temperatures. Similar ones are desirable.

支持棒18の一方の端部に保持される導体27は、たとえば円形(ディスク形状)の導体パターンであり、超伝導共振器パターン12の上方に位置することで、2つの共振モード(デュアルモード)を発生させる(以下、必要に応じて「デュアルモード発生用の導体27」と称する)。そして、支持棒18を外部から調節して、デュアルモード発生用の導体27の上下位置を調整することにより、2つの縮退モード間のカップリング状態を変えることができ、帯域幅などを調整することができる。   The conductor 27 held at one end of the support bar 18 is, for example, a circular (disc-shaped) conductor pattern, and is positioned above the superconducting resonator pattern 12, thereby allowing two resonance modes (dual mode). (Hereinafter referred to as “dual-mode generating conductor 27” as necessary). Then, by adjusting the support rod 18 from the outside and adjusting the vertical position of the conductor 27 for generating the dual mode, the coupling state between the two degenerate modes can be changed, and the bandwidth and the like can be adjusted. Can do.

支持棒18の他端側は、金属パッケージ30の天板30Cを貫通して取り付けられている。支持棒18は、ネジ方式やトリマ方式で、その上下方向の位置調整が簡便にできる。支持棒18の材質はアルミナなど、ネジ方式やトリマ方式に適用でき、かつ誘電損失などフィルタ特性に影響を与えない材質を選択するのが望ましい。   The other end side of the support bar 18 is attached through the top plate 30 </ b> C of the metal package 30. The support bar 18 can be easily adjusted in the vertical direction by a screw method or a trimmer method. The material of the support rod 18 is preferably selected from materials such as alumina that can be applied to the screw method or the trimmer method and that do not affect the filter characteristics such as dielectric loss.

デュアルモード発生用の導体27を超伝導体で構成してもよい。この場合は、図3(c)に示すように、別の誘電体基板29の一方の面に、YBCO薄膜を形成し、所望のパターンに加工してデュアルモード発生用の超伝導ディスクパターン27sを形成する。超伝導ディスクパターン27sが形成されたパターン面を、共振器パターン12と対向させ、超伝導ディスクパターン27sが形成されていない面を、接着層28により支持棒18に固定する。   The conductor 27 for generating the dual mode may be made of a superconductor. In this case, as shown in FIG. 3C, a YBCO thin film is formed on one surface of another dielectric substrate 29 and processed into a desired pattern to form a superconducting disk pattern 27s for generating a dual mode. Form. The pattern surface on which the superconducting disk pattern 27 s is formed is opposed to the resonator pattern 12, and the surface on which the superconducting disk pattern 27 s is not formed is fixed to the support bar 18 by the adhesive layer 28.

ベース基板11のサイズは、たとえば、20×20×0.5mmであり、ベース基板11上に形成されるYBCO共振器パターン12は、たとえば、直径12.8mm、膜厚が0.5μmである。ベース基板11上に配置される積層誘電体基板16のサイズは、例えば18×18×0.5mmである。支持棒18に保持されるデュアルモード発生用の導体27(または導体パターン27s)の厚さは、表面抵抗を小さくするために、金属材料を用いる場合は表皮長以上の膜厚、超伝導材料を用いる場合は、磁気侵入長以上の膜厚とする。   The size of the base substrate 11 is, for example, 20 × 20 × 0.5 mm, and the YBCO resonator pattern 12 formed on the base substrate 11 has, for example, a diameter of 12.8 mm and a film thickness of 0.5 μm. The size of the laminated dielectric substrate 16 disposed on the base substrate 11 is, for example, 18 × 18 × 0.5 mm. In order to reduce the surface resistance, the thickness of the dual mode generating conductor 27 (or conductor pattern 27s) held by the support rod 18 should be greater than the skin length if a metal material is used. If used, the film thickness should be greater than the magnetic penetration length.

以下で、デュアルモード発生用の導体27の位置調整の度合いについて説明する。   Hereinafter, the degree of position adjustment of the dual mode generating conductor 27 will be described.

図4は、図3の超伝導フィルタデバイスにおいて、デュアルモード発生用の導体27の大きさを同一にして、積層誘電体16との間の距離を変えた時のシミュレーション結果を示す図である。図4(a)は、図2に示す未公開先出願の提案方式のように、積層誘電体16上に導体パターン17を直接形成したもの、図4(b)は、図3の実施形態のように、積層誘電体16の上方で、導体27を上下移動可能に支持した構成である。   FIG. 4 is a diagram showing a simulation result when the size of the conductor 27 for generating the dual mode is the same and the distance from the laminated dielectric 16 is changed in the superconducting filter device of FIG. 4A shows a structure in which the conductor pattern 17 is directly formed on the laminated dielectric 16 as in the proposed method of the unpublished earlier application shown in FIG. 2, and FIG. 4B shows the embodiment of FIG. As described above, the conductor 27 is supported above the laminated dielectric 16 so as to be movable up and down.

図5は、図4(a)および図4(b)の構成を用いたときの超伝導フィルタデバイスの伝送特性(S21)の変化を示すグラフである。図5の太線Aは、図4(a)のように、積層誘電体16上に、直径3.8mmの導体パターン17を直接形成したときの基本特性を示す。その他の曲線B、C、Dは、直径8mmのデュアルモード発生用の導体27の上下位置を変化させたときの伝送特性である。一点差線Bは、導体27と積層誘電体16との間隔(air)を0.05mmに設定し、実線Cは、1.0mm、点線Dは0.15mmに設定している。   FIG. 5 is a graph showing changes in the transmission characteristics (S21) of the superconducting filter device when the configurations of FIGS. 4 (a) and 4 (b) are used. A thick line A in FIG. 5 shows basic characteristics when the conductor pattern 17 having a diameter of 3.8 mm is directly formed on the laminated dielectric 16 as shown in FIG. The other curves B, C, and D are transmission characteristics when the vertical position of the dual mode generating conductor 27 having a diameter of 8 mm is changed. In the one-dot difference line B, the distance (air) between the conductor 27 and the laminated dielectric 16 is set to 0.05 mm, the solid line C is set to 1.0 mm, and the dotted line D is set to 0.15 mm.

図5から、導体27と積層誘電体16との間の距離(Air)を離すにつれて、帯域幅が小さくなっているのがわかる。これは、導体パターン27を離すにつれ、2つの縮退モード間をカップリングさせる影響力が小さくなることを意味する。   From FIG. 5, it can be seen that the bandwidth decreases as the distance (Air) between the conductor 27 and the laminated dielectric 16 increases. This means that as the conductor pattern 27 is separated, the influence of coupling between the two degenerate modes decreases.

これを利用すると、積層誘電体16の材料特性や実装状態のばらつき、デュアルモード発生用導体27材料特性のばらつきにより、所望の伝送特性からずれた場合でも、導体27の上下位置を外部から調整することによって、共振周波数や帯域幅を微調整することができる。   When this is used, the vertical position of the conductor 27 is adjusted from the outside even when the transmission characteristics deviate from the desired transmission characteristics due to variations in material characteristics and mounting state of the laminated dielectric 16 and variations in material characteristics of the dual mode generating conductor 27. Thus, the resonance frequency and bandwidth can be finely adjusted.

図6は、本発明の実施形態に係る超伝導フィルタデバイスにおいて、デュアルモード発生用の導体ディスクパターン27と積層誘電体16との距離を0.1mmと固定し、所望のフィルタ特性を得るために必要な導体27のサイズ調節のためのシミュレーション結果を示す図である。   FIG. 6 shows a superconducting filter device according to an embodiment of the present invention, in which a distance between the conductive disk pattern 27 for generating a dual mode and the laminated dielectric 16 is fixed to 0.1 mm, and desired filter characteristics are obtained. It is a figure which shows the simulation result for the size adjustment of the required conductor 27. FIG.

図6(a)は、図2に示す未公開先出願の提案方式のように、積層誘電体16上に、直径3.8mmの導体パターン17を直接形成したもの、図6(b)は、図3の実施形態のように、積層誘電体16の上方で異なるサイズの導体27を支持する構成である。   FIG. 6A shows a structure in which a conductor pattern 17 having a diameter of 3.8 mm is directly formed on the laminated dielectric 16 as in the proposed method of the unpublished prior application shown in FIG. 2, and FIG. As shown in the embodiment of FIG. 3, the conductors 27 having different sizes are supported above the laminated dielectric 16.

図7は、図6(a)および図6(b)の構成を用いたときの超伝導フィルタデバイスの伝送特性(S21)の変化を示すグラフである。図7の太線Aは、図6(a)の場合の基本特性を示す。その他の曲線B、C、Dは、積層誘電体16の上方0.1mmの位置で、デュアルモード発生用の導体27のサイズを変化させたときの伝送特性である。一点差線Bは、導体パターン27の直径を7.0mmに設定し、実線Cは、8.0mm、点線Dは9.0mmに設定している。   FIG. 7 is a graph showing changes in the transmission characteristics (S21) of the superconducting filter device when the configurations of FIGS. 6 (a) and 6 (b) are used. A thick line A in FIG. 7 indicates a basic characteristic in the case of FIG. The other curves B, C, and D are transmission characteristics when the size of the dual mode generating conductor 27 is changed at a position 0.1 mm above the laminated dielectric 16. In the one-point difference line B, the diameter of the conductor pattern 27 is set to 7.0 mm, the solid line C is set to 8.0 mm, and the dotted line D is set to 9.0 mm.

積層誘電体16とデュアルモード発生用の導体27との間の距離を一定にしたときは、導体27のサイズが小さくなると、2つの縮退モード間をカップリングさせる影響力が小さくなる。これを利用すると、支持棒18の先に付ける導体27を交換するだけで、共振周波数や帯域幅を微調整することができる。   When the distance between the laminated dielectric 16 and the dual mode generating conductor 27 is constant, the influence of coupling between the two degenerate modes is reduced when the size of the conductor 27 is reduced. If this is utilized, the resonant frequency and the bandwidth can be finely adjusted simply by replacing the conductor 27 attached to the tip of the support rod 18.

導体27の交換を容易にする構成としては、支持棒18がフィットする径の穴を、導体27にあらかじめ設けておく。導体27を超伝導材料で構成する場合は、接着層28に代えて、誘電体基板27に受け穴を形成しておく。   As a configuration for facilitating the replacement of the conductor 27, a hole having a diameter that fits the support rod 18 is provided in the conductor 27 in advance. When the conductor 27 is made of a superconductive material, a receiving hole is formed in the dielectric substrate 27 instead of the adhesive layer 28.

図8〜図10、本発明の実施形態に係る超伝導フィルタデバイスにおいて、デュアルモード発生用の導体27の水平方向の位置を変えたときの伝送特性のシミュレーションを説明するための図である。)
図8に示すように、直径12.8mmの超伝導共振器ディスクパターン12を覆う積層誘電体16上で、直径3.8mm導体27を水平移動させる。x軸から45度の位置、すなわち、共振器パターン12の中心を原点として、2本のフィーダ13の原点に対する対称位置の中間点を、オリジナル位置とする。
8 to 10 are diagrams for explaining a simulation of transmission characteristics when the horizontal position of the conductor 27 for generating the dual mode is changed in the superconducting filter device according to the embodiment of the present invention. )
As shown in FIG. 8, a 3.8 mm diameter conductor 27 is moved horizontally on the laminated dielectric 16 covering the superconducting resonator disk pattern 12 having a diameter of 12.8 mm. The position at 45 degrees from the x-axis, that is, the center of the resonator pattern 12 as the origin, and the midpoint of the symmetrical position with respect to the origin of the two feeders 13 is defined as the original position.

図9は、導体27をオリジナル位置から水平に、Δx=−0.1mm、Δy=0.1mm移動、およびΔx=0.1mm、Δy=−0.1mm移動(以上、接線方向への移動)し、また、導体27の水平位置を、Δx=0.1mm、Δy=0.1mm移動、およびΔx=−0.1mm、Δy=−0.1mm移動(以上、半径方向への移動)したときの超伝導フィルタデバイスの伝送特性、図10は、導体27をオリジナル位置から、ΔxとΔy方向に±0.5mm動かしたときの伝送特性のシミュレーション結果である。   FIG. 9 shows that the conductor 27 is moved from the original position horizontally by Δx = −0.1 mm, Δy = 0.1 mm, and Δx = 0.1 mm, Δy = −0.1 mm (moving in the tangential direction). When the horizontal position of the conductor 27 is moved by Δx = 0.1 mm, Δy = 0.1 mm, and Δx = −0.1 mm, Δy = −0.1 mm (moving in the radial direction). FIG. 10 is a simulation result of the transmission characteristics when the conductor 27 is moved ± 0.5 mm in the Δx and Δy directions from the original position.

図9(b)および図9(d)に示すように、導体27を共振器パターン12の接線方向、すなわちΔx=−0.1mm、Δy=0.1mm、およびΔx=0.1mm、Δy=−0.1mm移動しても、オリジナル位置での入力反射特性(S11)と、伝送特性(S21)にほとんど変化はない。同様に、図10(b)および図10(d)に示すように、接線方向に±0.5mmずれた場合であっても、曲線B、Dで示すように、伝送特性(S21)はほとんど同じである。   As shown in FIGS. 9B and 9D, the conductor 27 is tangential to the resonator pattern 12, that is, Δx = −0.1 mm, Δy = 0.1 mm, and Δx = 0.1 mm, Δy = Even when moving by -0.1 mm, there is almost no change in the input reflection characteristics (S11) and the transmission characteristics (S21) at the original position. Similarly, as shown in FIGS. 10B and 10D, even when the tangential direction is shifted by ± 0.5 mm, the transmission characteristics (S21) are almost as shown by the curves B and D. The same.

一方、図9(a)、図10(a)に示すように、導体27を共振器パターン12の半径に沿って外側にずらした場合、帯域幅とリップルが大きくなり、低周波数側にずれる。つまり、結合係数が大きくなる効果がある。   On the other hand, as shown in FIGS. 9A and 10A, when the conductor 27 is shifted to the outside along the radius of the resonator pattern 12, the bandwidth and the ripple become large and shift to the low frequency side. That is, there is an effect that the coupling coefficient is increased.

逆に、図9(c)、図10(c)に示すように、導体27を共振器パターン12の半径に沿って内側にずらした場合、帯域幅とリップルが小さくなり、高周波数側にずれる。   On the contrary, as shown in FIGS. 9C and 10C, when the conductor 27 is shifted inward along the radius of the resonator pattern 12, the bandwidth and the ripple are reduced and shifted to the high frequency side. .

このことから、デュアルモード発生用導体27の材料特性のばらつき、積層誘電体16の材料特性や実装状態のばらつきにより、超伝導フィルタデバイスの特性がずれた場合でも、導体27の水平位置を、共振器パターン12の半径方向に沿って変化させることによって、所望の特性に制御できることがわかる。   From this, even when the characteristics of the superconducting filter device are shifted due to variations in material characteristics of the dual mode generating conductor 27 and variations in material characteristics and mounting state of the multilayer dielectric 16, the horizontal position of the conductor 27 is resonated. It can be seen that the desired characteristics can be controlled by changing along the radial direction of the vessel pattern 12.

導体27の水平位置を簡便に変える構成としては、支持棒18を有する金属パッケージ30の天板30Cを、共振器パターン12の半径方向に移動可能に構成する。たとえば、筐体を構成する金属パッケージ本体の上面の対角に溝を設け、天板30Cの対応する対角にエッジ状の突起を形成して、天板30Cを溝内でスライドさせる構成とすることができる。   As a configuration for easily changing the horizontal position of the conductor 27, the top plate 30 </ b> C of the metal package 30 having the support rod 18 is configured to be movable in the radial direction of the resonator pattern 12. For example, a groove is provided on the diagonal of the upper surface of the metal package main body constituting the housing, and an edge-shaped protrusion is formed on the corresponding diagonal of the top plate 30C so that the top plate 30C is slid in the groove. be able to.

以上述べたように、デュアルモード発生用の導体27を、積層誘電体16と独立した構成とできるので、共振器パターン12に対する導体27の位置関係を容易に制御することができる。   As described above, since the dual mode generating conductor 27 can be configured independently of the laminated dielectric 16, the positional relationship of the conductor 27 with respect to the resonator pattern 12 can be easily controlled.

この結果、超伝導フィルタデバイスのフィルタ特性の調整を、外部から容易に行うことができる。   As a result, the filter characteristics of the superconducting filter device can be easily adjusted from the outside.

なお、実施形態では超伝導材料としてYBCO薄膜を用いたが、任意の酸化物超伝導材料を用いることができる。たとえば、RBCO(R−Ba−Cu−O)系薄膜、すなわち、R元素としてY(イットリウム)に代えて、Nd、Sm、Gd、Dy、Hoを用いた超伝導材料を用いてもよい。また、BSCCO(Bi−Sr−Ca−Cu−O)系、PBSCCO(Pb−Bi−Sr−Ca−Cu−O)系、CBCCO(Cu−Bap−Caq−Cur−Ox、1.5<p<2.5、2.5<q<3.5、3.5<r<4.5)を超伝導材料に用いてもよい。   In the embodiment, the YBCO thin film is used as the superconducting material, but any oxide superconducting material can be used. For example, an RBCO (R—Ba—Cu—O) -based thin film, that is, a superconducting material using Nd, Sm, Gd, Dy, and Ho instead of Y (yttrium) as the R element may be used. Also, BSCCO (Bi-Sr-Ca-Cu-O) system, PBSCCO (Pb-Bi-Sr-Ca-Cu-O) system, CBCCO (Cu-Bap-Caq-Cur-Ox, 1.5 <p <2.5, 2.5 <q <3.5, 3.5 <r <4.5) may be used for the superconducting material.

最後に、以上の説明に関して、以下の付記を開示する。
(付記1) 誘電体ベース基板と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンと、
前記共振器パターンの上方で保持されるデュアルモード発生用導体と、
前記デュアルモード発生用導体の位置を移動させる機構と
を有することを特徴とする超伝導フィルタデバイス。
(付記2) 前記移動機構は、前記共振器パターンの上方で、前記導体を上下方向に移動させることを特徴とする付記1に記載の超伝導フィルタデバイス。
(付記3) 前記移動機構は、前記共振器パターンの上方で、前記導体を水平方向に移動させることを特徴とする付記1に記載の超伝導フィルタデバイス。
(付記4) 前記共振器パターン上に位置する積層誘電体をさらに含み、前記デュアルモード発生用導体は、前記積層誘電体の上方に、空気層を介して位置することを特徴とする付記1に記載の超伝導フィルタデバイス。
(付記5) 前記共振器パターンが形成された誘電体ベース基板およびデュアルモード発生用導体を収容するパッケージをさらに有し、
前記移動機構は、前記パッケージの天板に取り付けられて、前記デュアルモード発生用導体をパッケージ内で支持するネジ式またはトリマ式の支持棒である
ことを特徴とする付記2に記載の超伝導フィルタデバイス。
(付記6) 前記共振器パターンが形成された誘電体ベース基板およびデュアルモード発生用導体を収容するパッケージをさらに有し、
当該パッケージは、パッケージ本体に対して水平方向にスライド可能に設けられるパッケージ天板を含み、
前記移動機構は、前記スライド可能なパッケージ天板と、当該パッケージ天板に取り付けられて前記デュアルモード発生用導体をパッケージ内で支持する支持棒とで構成されることを特徴とする付記3に記載の超伝導フィルタデバイス。
(付記7) 前記デュアルモード発生用導体は金属であり、表皮長以上の膜厚を有することを特徴とする付記1に記載の超伝導フィルタデバイス。
(付記8) 前記デュアルモード発生用導体は超伝導体であり、磁気侵入長以上の膜厚を有することを特徴とする付記1に記載の超伝導フィルタデバイス。
(付記9) 誘電体ベース基板と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンと、
前記共振器パターンの上方に保持されるデュアルモード発生用導体と、
前記デュアルモード発生用導体を交換可能に支持する支持棒と
を有することを特徴とする超伝導フィルタデバイス。
(付記10) 誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンのフィルタ特性を調整する方法であって、
前記共振器パターンの上方に、デュアルモード発生用導体を移動可能に保持し、
前記共振器パターンに対する前記デュアルモード発生用導体の位置を変えることによって前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とするフィルタ特性調整方法。
(付記11) 前記共振器パターンに対するデュアルモード発生用導体の上下位置を変えることによって、前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とする付記10に記載のフィルタ特性調整方法。
(付記12) 前記共振器パターンに対するデュアルモード発生用導体の水平位置を、前記共振器パターンの半径方向に沿って変えることにより、前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とする付記10に記載のフィルタ特性調整方法。
(付記13) 誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンのフィルタ特性を調整する方法であって、
異なるサイズの複数のデュアルモード発生用導体を用意し、
前記共振器パターンの上方に、デュアルモード発生用導体を交換可能に保持し、
前記前記デュアルモード発生用導体を異なるサイズのものに交換することによって、前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とするフィルタ特性調整方法。
Finally, the following notes are disclosed regarding the above description.
(Supplementary note 1) a dielectric base substrate;
A two-dimensional graphic resonator pattern formed of a superconducting material on the dielectric base substrate;
A dual mode generating conductor held above the resonator pattern;
And a mechanism for moving the position of the dual mode generating conductor.
(Supplementary note 2) The superconducting filter device according to supplementary note 1, wherein the moving mechanism moves the conductor in a vertical direction above the resonator pattern.
(Supplementary note 3) The superconducting filter device according to supplementary note 1, wherein the moving mechanism moves the conductor in a horizontal direction above the resonator pattern.
(Supplementary note 4) The supplementary note 1 further includes a multilayer dielectric positioned on the resonator pattern, and the dual mode generating conductor is positioned above the multilayer dielectric via an air layer. The superconducting filter device as described.
(Additional remark 5) It further has the package which accommodates the dielectric base substrate in which the said resonator pattern was formed, and the conductor for dual mode generation | occurrence | production,
The superconducting filter according to claim 2, wherein the moving mechanism is a screw-type or trimmer-type support rod attached to the top plate of the package and supporting the dual-mode generating conductor in the package. device.
(Additional remark 6) It further has the package which accommodates the dielectric base substrate in which the said resonator pattern was formed, and the conductor for dual mode generation | occurrence | production,
The package includes a package top plate that is slidable in a horizontal direction with respect to the package body,
The additional mechanism according to claim 3, wherein the moving mechanism includes the slidable package top plate and a support rod attached to the package top plate and supporting the dual mode generating conductor in the package. Superconducting filter device.
(Supplementary note 7) The superconducting filter device according to supplementary note 1, wherein the dual mode generating conductor is a metal and has a film thickness equal to or greater than a skin length.
(Supplementary note 8) The superconducting filter device according to supplementary note 1, wherein the dual mode generating conductor is a superconductor and has a film thickness equal to or greater than a magnetic penetration length.
(Appendix 9) a dielectric base substrate;
A two-dimensional graphic resonator pattern formed of a superconducting material on the dielectric base substrate;
A dual-mode generating conductor held above the resonator pattern;
A superconducting filter device comprising a support rod for supporting the dual mode generating conductor in a replaceable manner.
(Supplementary Note 10) A method for adjusting the filter characteristics of a two-dimensional figure type resonator pattern formed of a superconducting material on a dielectric base substrate,
A dual mode generating conductor is movably held above the resonator pattern,
A filter characteristic adjusting method, comprising: adjusting a filter characteristic of the resonator pattern by changing a position of the dual mode generating conductor with respect to the resonator pattern.
(Additional remark 11) The filter characteristic adjustment method of Additional remark 10 characterized by adjusting the filter characteristic of the said resonator pattern by changing the vertical position of the conductor for dual mode generation with respect to the said resonator pattern.
(Supplementary Note 12) The filter characteristic of the resonator pattern is adjusted by changing the horizontal position of the dual mode generating conductor with respect to the resonator pattern along the radial direction of the resonator pattern. The filter characteristic adjustment method as described in 2.
(Supplementary note 13) A method of adjusting the filter characteristics of a two-dimensional figure type resonator pattern formed of a superconducting material on a dielectric base substrate,
Prepare multiple dual-mode generating conductors of different sizes,
A dual mode generating conductor is held above the resonator pattern in an exchangeable manner,
A filter characteristic adjusting method, wherein the filter characteristics of the resonator pattern are adjusted by exchanging the dual mode generating conductors with different sizes.

図1(a)は、移動通信基地局の一般的なRFフロントエンド図であり、図1(b)は、図1(a)の基地局等で用いられる従来の超伝導フィルタの調整方法を示す概略図である。FIG. 1A is a general RF front-end diagram of a mobile communication base station, and FIG. 1B shows a conventional superconducting filter adjustment method used in the base station of FIG. 1A. FIG. 本発明の超伝導フィルタデバイスに到る過程の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the process which reaches the superconducting filter device of this invention. 本発明の実施形態に係る超伝導フィルタデバイスの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the superconducting filter device which concerns on embodiment of this invention. デュアルモード発生用導体の上下方向の位置を変えたときのフィルタ特性の変化測定の説明図である。It is explanatory drawing of the change measurement of a filter characteristic when the position of the up-down direction of the conductor for dual mode generation | occurrence | production is changed. デュアルモード発生用導体の上下方向の位置を変えたときのフィルタ特性の変化を示すグラフである。It is a graph which shows the change of the filter characteristic when changing the position of the up-and-down direction of the conductor for dual mode generation. デュアルモード発生用導体のサイズを変えたときのフィルタ特性の変化測定の説明図である。It is explanatory drawing of the change measurement of a filter characteristic when the size of the conductor for dual mode generation | occurrence | production is changed. デュアルモード発生用導体のサイズを変えたときのフィルタ特性の変化を示すグラフである。It is a graph which shows the change of the filter characteristic when the size of the conductor for dual mode generation is changed. デュアルモード発生用導体の水平方向の位置依存性を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the position dependence of the horizontal direction of the conductor for dual mode generation | occurrence | production. デュアルモード発生用導体の水平方向の位置をΔx、Δy方向に±0.1mmずらしたときのフィルタ特性の変化を示すシミュレーション結果の図である。It is a figure of the simulation result which shows the change of the filter characteristic when the position of the horizontal direction of the conductor for dual mode generation | occurrence | production is shifted +/- 0.1mm in (DELTA) x and (DELTA) y direction. デュアルモード発生用導体の水平方向の位置をΔx、Δy方向に±0.5mmずらしたときのフィルタ特性の変化を示すシミュレーション結果の図である。It is a figure of the simulation result which shows the change of the filter characteristic when the position of the horizontal direction of the conductor for dual mode generation | occurrence | production is shifted +/- 0.5mm in (DELTA) x and (DELTA) y direction.

符号の説明Explanation of symbols

10 超伝導フィルタデバイス
11 誘電体ベース基板
12 超伝導共振器パターン
13 フィーダ(信号入出力線)
14 グランド膜
16 積層誘電体
18 支持棒
27、27s デュアルモード発生用導体
30 金属パッケージ
30C 金属パッケージ天板
10 Superconducting filter device 11 Dielectric base substrate 12 Superconducting resonator pattern 13 Feeder (signal input / output line)
14 Ground film 16 Multilayer dielectric 18 Support rod 27, 27s Dual mode generating conductor 30 Metal package 30C Metal package top plate

Claims (5)

誘電体ベース基板と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンと、
前記共振器パターンの上方で保持されるデュアルモード発生用導体と、
前記デュアルモード発生用導体の位置を移動させる機構と
を有することを特徴とする超伝導フィルタデバイス。
A dielectric base substrate;
A two-dimensional graphic resonator pattern formed of a superconducting material on the dielectric base substrate;
A dual mode generating conductor held above the resonator pattern;
And a mechanism for moving the position of the dual mode generating conductor.
前記共振器パターン上に位置する積層誘電体をさらに含み、
前記デュアルモード発生用導体は、前記積層誘電体の上方に、空気層を介して位置することを特徴とする請求項1に記載の超伝導フィルタデバイス。
And further comprising a laminated dielectric positioned on the resonator pattern,
The superconducting filter device according to claim 1, wherein the dual mode generating conductor is positioned above the laminated dielectric via an air layer.
誘電体ベース基板と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンと、
前記共振器パターンの上方に保持されるデュアルモード発生用導体と、
前記デュアルモード発生用導体を交換可能に支持する支持棒と
を有することを特徴とする超伝導フィルタデバイス。
A dielectric base substrate;
A two-dimensional graphic resonator pattern formed of a superconducting material on the dielectric base substrate;
A dual-mode generating conductor held above the resonator pattern;
A superconducting filter device comprising a support rod for supporting the dual mode generating conductor in a replaceable manner.
誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンのフィルタ特性を調整する方法であって、
前記共振器パターンの上方に、デュアルモード発生用導体を移動可能に保持し、
前記共振器パターンに対する前記デュアルモード発生用導体の位置を変えることによって前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とするフィルタ特性調整方法。
A method for adjusting the filter characteristics of a two-dimensional graphic resonator pattern formed of a superconducting material on a dielectric base substrate,
A dual mode generating conductor is movably held above the resonator pattern,
A filter characteristic adjusting method, comprising: adjusting a filter characteristic of the resonator pattern by changing a position of the dual mode generating conductor with respect to the resonator pattern.
誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された2次元図形型の共振器パターンのフィルタ特性を調整する方法であって、
異なるサイズの複数のデュアルモード発生用導体を用意し、
前記共振器パターンの上方に、デュアルモード発生用導体を交換可能に保持し、
前記前記デュアルモード発生用導体を異なるサイズのものに交換することによって、前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とするフィルタ特性調整方法。
A method for adjusting the filter characteristics of a two-dimensional graphic resonator pattern formed of a superconducting material on a dielectric base substrate,
Prepare multiple dual-mode generating conductors of different sizes,
A dual mode generating conductor is held above the resonator pattern in an exchangeable manner,
A filter characteristic adjusting method, wherein the filter characteristics of the resonator pattern are adjusted by exchanging the dual mode generating conductors with different sizes.
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