JP4449010B2 - Dielectric film for capacitors and capacitors - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低吸湿性に優れ電気特性を向上したコンデンサー用誘電体フィルム及びそのコンデンサー用誘電体フィルムを用いたコンデンサーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ポリエステルフィルムに熱可塑性樹脂層を設けたコンデンサ用誘電体フィルム及びそれを用いてなるコンデンサは公知である。例えば、特開平１０−７４６６３号公報には、プラスチックフィルムの片面、又は、両面に、ガラス転移点が０℃以上４０℃以下の熱可塑性樹脂を主とし、ガラス転移点が６０℃以上８０℃以下の熱可塑性樹脂を、１０重量％以上３０重量％以下含有している熱可塑性樹脂組成物からなり、厚みが０．２μｍ以上１．０μｍ以下である熱可塑性樹脂層を設けてなるコンデンサ用誘電体プラスチックフィルムが開示されている。これによれば、コンデンサー製造時誘電体フィルムと電極を巻回後のプレス時に、エアボイド排除を十分に行なうことができ、エアボイドの介在による静電容量の低下を生じないとされている。しかしながら、この方法によってもなおプラスチックフィルム（特にポリエチレンテレフタレートフィルム）の吸湿により、水が存在する欠点が見られ、いまだ改良の余地がある。特に、蒸着マージン（蒸着されていない部分）からの水分の入り込みが多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来技術に比べ吸湿性を低下せしめ、かつ静電容量減少を向上させたコンデンサー用誘電体フィルム及びそのコンデンサー用誘電体フィルムを用いてなるコンデンサーを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らが鋭意検討の結果、本発明の目的は下記の構成を有する本発明によって工業的に有利に達成された。
【０００５】
［１］ 基体ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、周期律表短周期表の２属、３属または４属の第３〜第６周期に属する少なくとも１種の金属の酸化物からなる金属酸化物層を有するコンデンサー用誘電体フィルムであって、該金属酸化物層の上に、下式を満足するポリマーからなる低軟化点ポリマー層を有するコンデンサー用誘電体フィルム。
式 ７０ ＜ Ｔ 1 −Ｔ 2 ＜ ２３０
Ｔ 1 ：基体フィルムポリマーの軟化点（℃）
Ｔ 2 ：低軟化点ポリマーの軟化点（℃）。
【０００６】
［２] 金属が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＢａまたはＣａの少なくとも１種であることを特徴とする上記［１］記載のコンンデンサー用誘電体フィルム。
【０００７】
［３］ 金属酸化物層の厚みが、１０〜５００ｎｍであることを特徴とする上記［１］または上記［２］記載のコンデンサー用誘電体フィルム。
【０００９】
［４］ 低軟化点ポリマーが共重合ポリエステルからなる上記［１］〜［３］のいずれかに記載のコンデンサー用誘電体フィルム。
【００１０】
［５］ 上記［１］〜［４］のいずれかに記載のコンデンサー用誘電体フィルムと、金属蒸着膜が形成されたプラスチックフィルムとを交互に積層してなるコンデンサ用誘電体フィルム。
【００１１】
［６］ 上記［１］〜［５］のいずれかに記載のコンデンサー用誘電体フィルムを用いてなるコンデンサー。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明のコンデンサー用誘電体フィルムは、基体プラスチックフィルムの少なくとも片面に、周期律表短周期表の２属、３属または４属の第３〜第６周期に属する少なくとも１種の金属の酸化物からなる金属酸化物層を設けてなるコンンデンサー用誘電体フィルムである。
【００１３】
本発明において使用する基体プラスチックフィルムとしては、コーティングおよび蒸着加工適性を有していれば、特に限定されていないが、代表的な例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレン２．６ナフタレートなどのポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィン、６ナイロンや１２ナイロンなどのポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリイミドなどの単独重合体または共重合体などからなるフィルムやシート状物が挙げられる。
【００１４】
基体プラスチックフィルムを構成する前記重合体または共重合体には、各種添加剤、例えば、帯電防止剤、滑剤、酸化防止剤などが添加されていても問題ない。これらの基体プラスチックフィルムの厚みに特に限定はないが、蒸着加工等の機械加工適正を考慮した０．５〜１００μｍ程度が望ましく、より好ましくは３〜２５μｍである。
【００１５】
本発明の金属酸化物層を構成する金属酸化物は、周期律表短周期表の２属、３属または４属の第３〜第６周期に属する少なくとも１種の金属の酸化物であるが、その中でもコンデンサー特性向上のためには、Ａｌ，Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｃａなどの酸化物が好ましく、特に酸化アルミニウムまたはケイ素酸化物が好ましく用いられる。
【００１６】
本発明では、基体プラスチックフィルムの片面または両面に金属酸化物層を設ける。基体プラスチックフィルムに対する金属酸化物層の形成は、真空蒸着法により好ましく行なうことができる。真空蒸着法としては、加熱蒸発法、スパッタリングまたはイオンプレーティング法等の公知の手法がいずれも可能である。真空蒸着法は、工業的に連続巻取式が通常採用されるが、枚葉式でも良いことは勿論である。
【００１７】
本発明において、金属酸化物層である蒸着層の厚みは、必要特性において任意に設定可能であるが、コンデンサーとして使用する場合は、１０〜５００ｎｍの範囲に設定することが低吸水性等の一般的必要特性や生産性を考慮して望ましく、より好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲である。
【００１８】
本発明では、上記金属酸化物層の上に、さらに金属層を設けることができる。金属としては、Ａｌ，Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｕなどが好ましく、特にアルミニウムまたは亜鉛が好ましく用いられる。金属層の厚みは好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲に設定することができる。
【００１９】
また、本発明では、上記金属酸化物層の上に、さらに低軟化点ポリマー層を設けることが好ましい。
【００２０】
低軟化点ポリマーとしては、通常ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリオリフィン系樹脂などが用いられる。電気的特性や工業的利用性からポリエステル系樹脂が好ましい。ポリエステル系樹脂は、例えば、テレフタル酸やイソフタル酸などの多価カルボン酸と、エチレングリコールや１，２−プロピレングリコールなどの多価ヒドロキシ化合物の常法の重合反応によって、工業的に合成することができる。
【００２１】
本発明で用いられる低軟化点ポリマーとしては、特に共重合ポリエステルが好ましく、また、共重合ポリエステルを構成するジカルボン酸酸成分としては、例えば、テレフタル、イソフタル酸、フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、ビフェニルジカルボン酸、酸等を挙げることができ、脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、直鎖、分岐および脂環式ジカルボン酸、例えばシュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタール酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカ２酸、１，３−シクロペンタンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、ジグリコール酸等を挙げることができる。
【００２２】
ジカルボン酸成分は、１種もしくは２種以上を併せて使用することができる。これらのうちでテレフタル酸、イソフタル酸等の芳香族ジカルボン酸成分を使用することが好ましい。また、グリコール成分としては、エチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール、プロピレングリコール、分子量４００〜２万を有するポリアルキレングリコール、１３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２−エチル−２−ブチル−１，３−プロパンジオール、２，２，４−トリメチル−１，６−ヘキサンジオール、１，２−シクロヘキサンジメタノール、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、２，２，４，４−テトラメチル−１，３−シクロブタンジオール、４，４’−ジヒドロシキビフェノール、４，４’−メチレンジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール、１，５−ジヒドロシキナフタレン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳおよびそれらのエチレンオキシド付加物等が挙げられる。これらのグリコール成分は、１種もしくは２種以上を併用することができる。
【００２３】
さらに本発明で用いられれる低軟化ポリマーにおいては、平均粒径が１μｍ以下の酸化ケイ素、炭酸カルシユウム及び／または酸化アルミニウム等を、低軟化ポリマーに対して好ましくは１重量％以上、２０重量％以下配合することができる。
【００２４】
また、低軟化点ポリマーとして樹脂のガラス転移点は、０〜１００℃の範囲が好ましい。また、ガラス転移点が１００℃以上の樹脂を用いてコンデンサーを作成した場合、樹脂と電極金属との層間に空気などが残留しやすくなり、このため荷電時に内部放電が発生してコンデンサー性能を著しく低下させる。更に好ましくは、ガラス転移が１５〜７０℃の範囲にあることが望ましい。
【００２５】
本発明で用いられる低軟化点ポリマーは、下式を満足する低軟化点ポリマーであることが好ましい。
【００２６】
式 ７０ ＜ Ｔ1−Ｔ2 ＜ ２３０
Ｔ1 ；基体フィルムポリマーの軟化点（℃）
Ｔ2 ；低軟化点ポリマーの軟化点（℃）
例えば、低軟化点ポリマーの軟化点の範囲は、３０〜２３０℃の範囲にあることが望ましく、より好ましくは９０〜１８０℃の範囲である。上記式を満足することにより、接着性が良好となる。 低軟化点ポリマー層は、グラビアコーター、リバースコーター等で形成することができる。また、低融点ポリマー層の厚さは、接着力及びブロッキングの点で、０．１〜３．０μｍが好ましい。また、低軟化点ポリマー層を形成する場合、１種類の樹脂の単独使用でも、２種類以上の樹脂の混合や平均粒径が１μｍ以下の酸化ケイ素、炭酸カルシユウム及び酸化アルミニウム等を低軟化ポリマーに対して１重量％以上、２０重量％以下配合することが好ましく、また多層複合であってもかまわない。
【００２７】
本発明のコンデンサー用誘電体フィルムは、特に高圧タイプののコンデンサー製造に好適である。
【００２８】
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明する。なお、実施例における各特性値の測定は次の装置を用いて行なった。
【００２９】
（１）容量変化率（％）
荷電前のコンデンサ素子について、安藤電気社製ＬＣＲメーター（タイプＡＧ−４３１１）を用いて、２５℃の雰囲気中で、電圧１Ｖ、周波数１ＫＨｚの条件で容量を測定する。その後、そのコンデンサ素子を、１１０℃の高温中で５ＫｖＤＣの電圧を２０００時間荷電し、初期コンデンサ容量測定時と同様に安藤電気製ＬＣＲメーターで、荷電後の容量を測定した。
【００３０】
[実施例１]
東レ（株）製厚さ８．４μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムＱ５１（融点２６３℃）の両面に、連続式真空蒸着装置を用いてそれぞれ５０ｎｍの酸化アルミニウム層を設け、さらにその片面に、連続式真空蒸着装置を用いてアルミニウム蒸着（厚さ５０ｎｍ）をしたフィルムと、東レ（株）製厚さ８．４μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムＱ５１（融点２６３℃）の両面に、連続式真空蒸着装置を用いて５０ｎｍの酸化アルミニウム層を設けたフィルム２枚を交互に合わせ巻きをして、コンデンサー用誘電体フィルムを製造した。
【００３１】
[実施例２]
実施例１において、金属蒸着としてＳｉＯ2を用いた他は、実施例１とと同様に実施して、コンデンサー用誘電体フィルムを製造した。
【００３２】
[実施例３〜５]
実施例１の両面に酸化アルミニウム層を設けた合わせ巻き用ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、低軟化点ポリマーとして、酸成分としてテレフタル酸５０％モル％、イソフタル酸２０モル％、ゼバシン酸３０モル％、グリコール成分としてネオベンチルグリコール成分５０モル％、エチレングリコール成分５０モル％からなる軟化点１６３℃を有する共重合体溶液をグラビアコーターを用いて、０．２ｇ／ｍ2（実施例３）、０．５ｇ／ｍ2（実施例４）、１．０ｇ／ｍ2（実施例５）の厚みになるようにコーティングし、コート面と蒸着面を重ね２枚を交互に合わせ巻きして、コンデンサー用誘電体フィルムを製造した。
【００３３】
[比較例１]
東レ（株）製厚さ８．４μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムＱ５１（融点２６３℃）の片面に、連続式真空蒸着装置を用いてアルミニウム蒸着をしたフィルムと、東レ（株）製厚さ８．４μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムＱ５１（融点２６３℃）の２枚を交互に合わせ巻きをしたものを比較例１とする。
【００３４】
[比較例２〜４]
東レ（株）製厚さ８．４μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムＱ５１（融点２６３℃）の片面に、連続式真空蒸着装置を用いてアルミニウム蒸着をしたフィルムと、東レ（株）製厚さ８．４μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムＱ５１（融点２６３℃）の片面に、酸成分としてテレフタル酸５０％モル％、イソフタル酸２０モル％、ゼバシン酸３０モル％、グリコール成分としてネオベンチルグリコール成分５０モル％、エチレングリコール成分５０モル％からなる軟化点１６３℃を有する共重合体溶液をグラビアコーターを用いて０．２ｇ／ｍ2（比較例２）、０．５ｇ／ｍ2（比較例３）、１．０ｇ／ｍ2（比較例４）の厚みになるようにコーティングし、コート面とアルミニウム蒸着面を重ね２枚を交互に合わせ巻きした。
【００３５】
各実施例および各比較例で得られた耐湿負荷測定結果を表１に示した。表１に実施例１〜５および比較例１〜４で得られた容量変化率をまとめた。表１により、各実施例においていずれの場合も、各比較例を上回った静電容量減少を示す結果が得られたことがわかる。
【００３６】
【表１】
【発明の効果】
本発明によれば、基体プラスチックフィルムに、金属酸化物を設けることにより低吸湿性の優れたものとなり、静電容量減少が安定した優れたコンデンサー用誘電体フィルムとコンデンサーを製造することができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a dielectric film for a capacitor having excellent hygroscopicity and improved electrical characteristics, and a capacitor using the dielectric film for a capacitor.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, a dielectric film for a capacitor in which a thermoplastic resin layer is provided on a polyester film and a capacitor using the dielectric film are known. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-74663 mainly discloses a thermoplastic resin having a glass transition point of 0 ° C. or more and 40 ° C. or less on one side or both sides of a plastic film, and the glass transition point is 60 ° C. or more and 80 ° C. or less. A dielectric for a capacitor comprising a thermoplastic resin composition containing 10 wt% or more and 30 wt% or less of a thermoplastic resin, and having a thickness of 0.2 μm or more and 1.0 μm or less. A plastic film is disclosed. According to this, at the time of pressing after winding the dielectric film and the electrode at the time of manufacturing the capacitor, air voids can be sufficiently eliminated, and the electrostatic capacity is not reduced due to the presence of air voids. However, even with this method, there is still a room for improvement due to the disadvantage that water is present due to moisture absorption of plastic films (particularly polyethylene terephthalate film). In particular, there is a large amount of moisture entering from the vapor deposition margin (portion where vapor deposition is not performed).
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a dielectric film for a capacitor that has reduced hygroscopicity as compared with the prior art and improved capacitance reduction, and a capacitor using the dielectric film for a capacitor.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies by the present inventors, the object of the present invention has been industrially advantageously achieved by the present invention having the following constitution.
[0005]
[1] On at least one surface of the base polyester film, a metal oxide layer made of an oxide of at least one kind of metal belonging to the 3rd to 6th periods of Group 2, Group 3 or Group 4 of the periodic table. A dielectric film for a capacitor having a low softening point polymer layer made of a polymer satisfying the following formula on the metal oxide layer.
Equation 70 <T 1 -T 2 <230
T 1 : Softening point of base film polymer (° C.)
T 2 : Softening point (° C.) of the low softening point polymer.
[0006]
[2] metal, A l, Si, Ti, Kon'ndensa dielectric film of the above-mentioned [1], wherein the at least one Ba or Ca.
[0007]
[3] The dielectric film for capacitors as described in [1] or [2] above, wherein the metal oxide layer has a thickness of 10 to 500 nm.
[0009]
[ 4] The dielectric film for a capacitor according to any one of [1] to [3], wherein the low softening point polymer is a copolymer polyester.
[0010]
[ 5 ] A capacitor dielectric film obtained by alternately laminating the capacitor dielectric film according to any one of [1] to [ 4 ] above and a plastic film on which a metal vapor-deposited film is formed.
[0011]
[ 6 ] A capacitor using the dielectric film for a capacitor according to any one of [1] to [ 5 ].
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The dielectric film for a capacitor of the present invention is an oxide of at least one metal belonging to the 3rd to 6th periods of the 2nd, 3rd, or 4th group of the periodic table on at least one side of the base plastic film. It is a dielectric film for condensers which provides the metal oxide layer which consists of these.
[0013]
The substrate plastic film used in the present invention is not particularly limited as long as it has coating and vapor deposition processability properties. Typical examples include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polybutylene 2.6 naphthalate, and the like. Film or sheet-like material comprising a polyester, a polyolefin such as polyethylene or polypropylene, a polyamide such as 6 nylon or 12 nylon, an aromatic polyamide, a homopolymer such as polyimide, or the like.
[0014]
Various additives such as antistatic agents, lubricants, antioxidants and the like may be added to the polymer or copolymer constituting the base plastic film. The thickness of these base plastic films is not particularly limited, but is preferably about 0.5 to 100 μm, more preferably 3 to 25 μm in consideration of appropriate machining such as vapor deposition.
[0015]
The metal oxide constituting the metal oxide layer of the present invention is an oxide of at least one metal belonging to the 3rd to 6th periods of the 2nd, 3rd or 4th group of the short periodic table of the periodic table. Of these, oxides such as Al, Si, Ti, Ba, and Ca are preferable for improving the capacitor characteristics, and aluminum oxide or silicon oxide is particularly preferably used.
[0016]
In the present invention, a metal oxide layer is provided on one side or both sides of the base plastic film. Formation of the metal oxide layer on the base plastic film can be preferably performed by a vacuum deposition method. As the vacuum deposition method, any known method such as a heating evaporation method, a sputtering method, or an ion plating method can be used. As the vacuum deposition method, a continuous winding type is usually employed industrially, but it is of course possible to use a single wafer type.
[0017]
In the present invention, the thickness of the vapor deposition layer, which is a metal oxide layer, can be arbitrarily set in the required characteristics, but when used as a capacitor, it is generally set to a range of 10 to 500 nm such as low water absorption. It is desirable in consideration of necessary characteristics and productivity, and more preferably in the range of 10 to 100 nm.
[0018]
In the present invention, a metal layer can be further provided on the metal oxide layer. As the metal, Al, Zn, Si, Ti, Ba, Ca, Cu and the like are preferable, and aluminum or zinc is particularly preferably used. The thickness of the metal layer can be preferably set in the range of 10 to 100 nm.
[0019]
In the present invention, it is preferable to further provide a low softening point polymer layer on the metal oxide layer.
[0020]
As the low softening point polymer, a polyester resin, a polyurethane resin, a polyolefin resin, or the like is usually used. Polyester resins are preferred because of their electrical properties and industrial applicability. Polyester resins can be industrially synthesized by a conventional polymerization reaction of a polyvalent carboxylic acid such as terephthalic acid or isophthalic acid and a polyvalent hydroxy compound such as ethylene glycol or 1,2-propylene glycol. it can.
[0021]
As the low softening point polymer used in the present invention, a copolyester is particularly preferable. Examples of the dicarboxylic acid component constituting the copolyester include terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid, and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid. Acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, biphenyldicarboxylic acid, acid and the like. Examples of the aliphatic dicarboxylic acid include linear, branched and alicyclic dicarboxylic acids such as oxalic acid, malonic acid, and succinic acid. Examples include acid, glutaric acid, adipic acid, sebacic acid, dodecadioic acid, 1,3-cyclopentanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, diglycolic acid and the like.
[0022]
The dicarboxylic acid component can be used alone or in combination of two or more. Of these, aromatic dicarboxylic acid components such as terephthalic acid and isophthalic acid are preferably used. Examples of the glycol component include ethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, pentaethylene glycol, propylene glycol, polyalkylene glycol having a molecular weight of 400 to 20,000, 13-propanediol, 1,3-butanediol, 1, 4-butanediol, 1,5-pentanediol, 2-ethyl-2-butyl-1,3-propanediol, 2,2,4-trimethyl-1,6-hexanediol, 1,2-cyclohexanedimethanol, 1,3-cyclohexanedimethanol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 2,2,4,4-tetramethyl-1,3-cyclobutanediol, 4,4′-dihydrokibiphenol, 4,4′-methylenedi Phenol, 4,4'-isopropylidenedipheno , 1,5-dihydro-shiki naphthalene, bisphenol A, bisphenol S and their ethylene oxide adducts. These glycol components can be used alone or in combination of two or more.
[0023]
Further, in the low softening polymer used in the present invention, silicon oxide, calcium carbonate and / or aluminum oxide having an average particle diameter of 1 μm or less is preferably 1% by weight or more and 20% by weight or less with respect to the low softening polymer. Can be blended.
[0024]
Moreover, the glass transition point of resin as a low softening point polymer has the preferable range of 0-100 degreeC. In addition, when a capacitor is made using a resin having a glass transition point of 100 ° C. or more, air or the like is likely to remain between the resin and the electrode metal, which causes internal discharge during charging and significantly improves the capacitor performance. Reduce. More preferably, the glass transition is in the range of 15 to 70 ° C.
[0025]
The low softening point polymer used in the present invention is preferably a low softening point polymer satisfying the following formula.
[0026]
Equation 70 <T 1 -T 2 <230
T 1 : Softening point of the base film polymer (° C.)
T 2 : Softening point of the low softening point polymer (° C.)
For example, the softening point range of the low softening point polymer is desirably in the range of 30 to 230 ° C, more preferably in the range of 90 to 180 ° C. By satisfying the above formula, the adhesiveness is improved. The low softening point polymer layer can be formed by a gravure coater, a reverse coater or the like. In addition, the thickness of the low melting point polymer layer is preferably 0.1 to 3.0 μm in terms of adhesive strength and blocking. Moreover, when forming a low softening point polymer layer, even if one kind of resin is used alone, a mixture of two or more kinds of resins and silicon oxide, calcium carbonate, aluminum oxide, etc. having an average particle size of 1 μm or less are used as the low softening polymer. On the other hand, it is preferably blended in an amount of 1% by weight or more and 20% by weight or less.
[0027]
The dielectric film for a capacitor of the present invention is particularly suitable for manufacturing a high voltage type capacitor.
[0028]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described by way of examples. In addition, the measurement of each characteristic value in an Example was performed using the following apparatus.
[0029]
(1) Capacity change rate (%)
About the capacitor | condenser element before a charge, a capacity | capacitance is measured on the conditions of a voltage of 1V and a frequency of 1 KHz in 25 degreeC atmosphere using the LCR meter (type AG4311) by Ando Electric. Thereafter, the capacitor element was charged with a voltage of 5 KvDC at a high temperature of 110 ° C. for 2000 hours, and the capacitance after charging was measured with an LCR meter manufactured by Ando Electric in the same manner as the initial capacitor capacity measurement.
[0030]
[Example 1]
A 50 nm aluminum oxide layer was provided on each side of a 8.4 μm-thick polyethylene terephthalate film Q51 (melting point 263 ° C.) made by Toray Industries, Inc. using a continuous vacuum deposition apparatus, and continuous vacuum deposition was performed on one side. On both sides of a film vapor-deposited using an apparatus (thickness: 50 nm) and a polyethylene terephthalate film Q51 (melting point: 263 ° C.) having a thickness of 8.4 μm manufactured by Toray Industries, Inc. Two films provided with an aluminum oxide layer were alternately wound together to produce a dielectric film for a capacitor.
[0031]
[Example 2]
A dielectric film for a capacitor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that SiO 2 was used for metal deposition in Example 1.
[0032]
[Examples 3 to 5]
On one side of the polyethylene terephthalate film for laminated winding provided with an aluminum oxide layer on both sides of Example 1, as a low softening point polymer, terephthalic acid 50% mol%, isophthalic acid 20mol%, zebacic acid 30mol% as an acid component, Using a gravure coater, a copolymer solution having a softening point of 163 ° C. composed of 50 mol% of a neoventyl glycol component and 50 mol% of an ethylene glycol component as a glycol component was 0 g / m 2 (Example 3), 0 .5g / m 2 (example 4) was coated so as to have a thickness of 1.0 g / m 2 (example 5), and winding the combined two-ply coat surface and the deposition surface alternately condenser A dielectric film was produced.
[0033]
[Comparative Example 1]
A film obtained by vapor-depositing aluminum using a continuous vacuum vapor deposition device on one side of a polyethylene terephthalate film Q51 (melting point 263 ° C.) having a thickness of 8.4 μm manufactured by Toray Industries, Inc. A comparative example 1 is obtained by alternately winding two polyethylene terephthalate films Q51 (melting point: 263 ° C.).
[0034]
[Comparative Examples 2 to 4]
A film obtained by vapor-depositing aluminum using a continuous vacuum vapor deposition device on one side of a polyethylene terephthalate film Q51 (melting point 263 ° C.) having a thickness of 8.4 μm manufactured by Toray Industries, Inc. On one side of a polyethylene terephthalate film Q51 (melting point: 263 ° C.), 50% by mole of terephthalic acid, 20% by mole of isophthalic acid, 30% by mole of zebacic acid as an acid component, 50% by mole of a neoventil glycol component as an glycol component, an ethylene glycol component Using a gravure coater, a copolymer solution having a softening point of 163 ° C. consisting of 50 mol% was 0.2 g / m 2 (Comparative Example 2), 0.5 g / m 2 (Comparative Example 3), 1.0 g / m. 2 Coated so as to have a thickness of (Comparative Example 4), the coating surface and the aluminum vapor deposition surface were overlapped, and the two sheets were alternately wound together.
[0035]
Table 1 shows the results of measuring the moisture resistance load obtained in each example and each comparative example. Table 1 summarizes the capacity change rates obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4. From Table 1, it can be seen that, in each case, the results showing the capacitance decrease exceeding each comparative example were obtained.
[0036]
[Table 1]
【The invention's effect】
According to the present invention, by providing a metal oxide on a base plastic film, it becomes excellent in low hygroscopicity, and an excellent dielectric film for a capacitor and a capacitor with stable reduction in capacitance can be produced.
Claims (6)
式 ７０ ＜ Ｔ 1 −Ｔ 2 ＜ ２３０
Ｔ 1 ：基体フィルムポリマーの軟化点（℃）
Ｔ 2 ：低軟化点ポリマーの軟化点（℃）。 For a capacitor having a metal oxide layer made of an oxide of at least one metal belonging to the 3rd to 6th periods of Group 2, Group 3 or Group 4 of the periodic table short period table on at least one side of the base polyester film A dielectric film for a capacitor having a low softening point polymer layer made of a polymer satisfying the following formula on the metal oxide layer.
Equation 70 <T 1 -T 2 <230
T 1 : Softening point of base film polymer (° C.)
T 2 : Softening point (° C.) of the low softening point polymer.
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