JP4413265B2

JP4413265B2 - 表示装置

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Publication number: JP4413265B2
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Inventors: 賢治西田
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Description

本発明は、表示装置に関する。より詳しくは、面内スイッチング（ＩＰＳ；In Plane Switching）モード又はフリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ；Fringe Field Switching）モードの液晶表示に好適に用いられる表示装置に関するものである。

液晶表示装置等の表示装置は、モニター、プロジェクタ、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）等の電子機器に幅広く利用されている。液晶表示装置の表示態様としては、例えば、反射型、透過型、反射透過両用型がある。これらのうち、屋内等の比較的暗い環境下では、主として、バックライトの光を利用した透過型の液晶表示装置が用いられ、屋外等の比較的明るい環境下では、主として、周囲の光を利用する反射型の液晶表示装置が用いられる。反射透過両用型の液晶表示装置は、透過表示及び反射表示の両方が可能であり、屋内では透過表示を主として表示を行い、屋外では反射表示を主として表示を行うことができるので、屋内外を問わずあらゆる環境下で、高品位の表示が可能であり、携帯電話、ＰＤＡ、デジタルカメラ等のモバイル機器に多く搭載されている。反射透過両用型の液晶表示装置では、表示モードとして、例えば、垂直配向（ＶＡ；Vertical Alignment）モードが用いられる。ＶＡモードは、印加電圧オフ時に液晶分子が基板面に垂直に配向しており、印加電圧オン時に液晶分子を倒れ込ませることで表示を行う方式である。

しかしながら、反射透過両用型では、反射光は液晶層を２回透過するが、透過光は液晶層を１回しか透過しないため、反射光用にセルギャップを最適設計した場合には、透過光の透過率は最適値のおよそ１／２になってしまう。これに対する解決手段としては、例えば、反射領域と透過領域とでセルギャップを異ならせるマルチギャップ構造を形成し、反射領域での液晶層の厚さを小さくする方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、この方法では、基板上に凹凸構造を設ける必要があるため、構造が複雑となり、また製造工程において高精度が要求されるため、更に工夫の余地がある。また、反射領域と透過領域とで液晶分子の応答時間が異なる点にも改善の余地がある。

ところで液晶表示装置では、ＶＡモードの他に、ＩＰＳモードやＦＦＳモードが知られている。ＩＰＳモードやＦＦＳモードは、一方の基板に設けた液晶駆動用の電極対からの横電界により、液晶を動作させて表示を行う方式である。この方式では、液晶分子を横方向（基板平行方向）に回転させることから、視野角を大きくすることができる。ＩＰＳモードについても反射透過両用型の液晶表示装置は開示されている（例えば、特許文献２参照。）が、これもまたマルチギャップ構造を有するものであり、上述の課題を解決するものではない。
特開平１１−２４２２２６号公報特開２００５−３３８２６４号公報

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、マルチギャップ構造を設けることなく反射表示と透過表示との双方で明るい表示を行うことができ、かつ反射領域と透過領域とで応答時間に差が生じるのを低減することができる表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明者は、マルチギャップ構造を設けることなく反射表示と透過表示との双方で明るい表示を行うことができる表示装置について種々検討したところ、反射領域及び透過領域での画素電極及び共通電極の配置関係に着目した。そして、マルチギャップ構造を設けなくとも、ＩＰＳモードやＦＦＳモード等の横方向電界方式を採用し、画素電極及び共通電極にスリットを設け、画素電極のスリットを反射領域及び透過領域に設け、かつ共通電極のスリットを実質的に反射領域のみに設けることにより、画素電極と共通電極との間で生じる電界の強さを透過領域よりも反射領域において弱くすることができ、これにより、反射表示及び透過表示で光の利用効率の調整が可能であることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明は、一対の基板と、上記基板間に挟持された表示媒体とを有し、画素内に、反射表示を行う反射領域と、透過表示を行う透過領域とが形成された表示装置であって、上記表示装置は、基板の一方に画素電極及び共通電極を備え、上記画素電極及び上記共通電極により表示媒体に電圧を印加するものであり、上記画素電極及び共通電極は、スリットが設けられ、上記スリットが設けられる位置は、画素電極が反射領域及び透過領域であり、共通電極が反射領域である表示装置（以下、第一の表示装置ともいう。）である。
以下に本発明を詳述する。

本発明の第一の表示装置は、一対の基板と、上記基板間に挟持された表示媒体とを有し、画素内に、反射表示を行う反射領域と、透過表示を行う透過領域とが形成されている。本発明において、基板の種類や表示媒体の種類は特に限定されないが、例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置であれば、基板上に走査配線と信号配線とが交差するように配線され、かつこれらの交点にスイッチング素子であるＴＦＴを有するアクティブマトリクス基板と、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の着色層を画素ごとに有するカラーフィルタ基板とを一対の基板として備え、これらの基板間に挟持された液晶層を表示媒体として備える形態が挙げられる。また、液晶表示装置では通常、これらの外部に偏光板、バックライト等が設けられる。反射表示とは、周囲の光や、表示面側に設けられるフロントライトから出射される光を表示装置内で反射させて表示を行う方式をいう。透過表示とは、バックライトから出射された光を透過させて表示を行う方式をいう。反射領域及び透過領域の大きさやそれらが画素内で占める割合は、特に限定されない。本発明は反射領域及び透過領域を一つの画素内に有するので、反射透過両用型の表示装置である。

本発明の表示装置は、基板の一方に画素電極及び共通電極を備え、上記画素電極及び上記共通電極により表示媒体に電圧を印加するものである。画素電極と共通電極とから構成される電極対に電圧を印加すると、画素電極及び共通電極に近接する表示媒体に、基板に平行な横方向電界が発生し、この電界が表示媒体の制御を行う。

本発明において、上記画素電極及び共通電極は、スリットが設けられ、上記スリットが設けられる位置は、画素電極が反射領域及び透過領域であり、共通電極が反射領域である。すなわち、共通電極でスリットが設けられるのは実質的に反射領域のみであり、このとき、本発明の作用効果を奏することができる程度の範囲であれば、透過領域においても共通電極のスリットが設けられていてもよい。また、好ましくは、共通電極が透過領域でベタ形成されている形態である。本明細書において「ベタ形成」とは、すき間なく全面に形成されることをいう。このように、本発明の表示装置は、反射領域において画素電極及び共通電極がＩＰＳモードの構成となっており、透過領域において画素電極及び共通電極がＦＦＳモードの構成となっている。本明細書において「ＩＰＳモード」とは、画素電極と共通電極とで、各電極のスリットが相互に組み合わされて配置された形態をいう。一方、「ＦＦＳモード」とは、画素電極及び共通電極のいずれか一方にスリットが設けられ、他方は実質的にスリットが設けられていない形態をいう。このような画素電極と共通電極とから構成される電極対に電圧を印加すると、画素電極と共通電極との間には、横方向の電界が発生する。この電界の強さは、画素電極と共通電極との距離が大きくなるにつれ弱くなる。液晶表示装置の構成上、ＩＰＳモードの構成となっている領域の画素電極と共通電極との距離は、ＦＦＳモードの構成となっている領域の画素電極と共通電極との距離よりも容易に大きくすることができる。したがって、反射領域における画素電極及び共通電極の構成をＩＰＳモードとし、透過領域における画素電極及び共通電極の構成をＦＦＳモードとすることで、反射領域における画素電極と共通電極との間の電界の強さを、透過領域における画素電極と共通電極との間の電界の強さよりも弱くすることができる。電界の強さにより液晶の配向度合は変化するため、これを利用して液晶中を透過する光の利用効率を調節することができる。なお、画素電極及び共通電極のスリットは、一定の幅が確保されていれば、特にその形状は限定されない。また、１画素にＩＰＳモードとＦＦＳモードとが構成されているので、画素電極と共通電極とは、絶縁膜等を挟んで別の層に設けられることになる。

上記共通電極の好ましい形態としては、例えば、反射領域で櫛歯状である形態が挙げられる。櫛歯状とすることで、画素電極と共通電極との間に、横電界を高密度に形成することができ、高精度に表示媒体を制御することが可能となる。

上記共通電極に形成されるスリットの好ましい形態としては、例えば、周囲が全て共通電極で囲まれている形態、長方形である形態、長方形が少なくとも１回屈曲した形状である形態、ジグザグ形状である形態、円弧状である形態、蛇行している形態が挙げられる。このような形態によれば、画素電極と共通電極との間に横電界を高密度に形成することができ、高精度に表示媒体を制御することが可能となる。

上記画素電極の好ましい形態としては、例えば、櫛歯状である形態が挙げられる。上記同様、櫛歯状とすることで、横電界を高密度に形成することができ、高精度に表示媒体を制御することが可能となる。

上記画素電極に形成されるスリットの好ましい形態としては、例えば、周囲が全て画素電極で囲まれている形態、長方形である形態、長方形が少なくとも１回屈曲した形状である形態、ジグザグ形状である形態、円弧状である形態、蛇行している形態が挙げられる。上記同様、このような形状とすることで、横電界を高密度に形成することができ、高精度に表示媒体を制御することが可能となる。

上記画素電極に形成されるスリットの他の好ましい形態としては、共通電極のスリットと実質的に同一形状である形態が挙げられる。そうすることで、共通電極のスリットと画素電極のスリットとを相互に噛み合わせた各部位に生じる電界の強さを均一とすることができ、液晶の配向を均一に制御することができる。なお、本形態において「同一」とは、各部位に生じる電界の強さを実質的に（表示品位に影響を及ぼさない程度に）均一とすることができる程度であり、実質的に同一であることをいう。

上記画素電極に形成されるスリットの他の好ましい形態としては、幅が透過領域よりも反射領域で大きい形態が挙げられる。画素電極と共通電極との間隔を大きくすることによっても、画素電極と共通電極との間で生じる電界の強さを弱めることができるので、本発明の形態と組み合わせることで、より効果的に画素電極と共通電極との間で生じる電界の強さを透過領域よりも反射領域において弱めることができる。

上記第一の表示装置の好ましい形態としては、反射領域において、画素電極と共通電極との間にシールド電極が設けられている形態が挙げられる。本明細書において「シールド電極」とは、画素電極と共通電極との間に介在して、画素電極と共通電極との間の電位差を変化させる電極をいう。画素電極と共通電極との間にシールド電極が設けられることで、画素電極と共通電極との間に生じる電位差は、シールド電極を設けない場合と比べて小さくなるため、これを本発明の形態と組み合わせることで、より効果的に画素電極と共通電極との間で生じる電界の強さを透過領域よりも反射領域において弱めることができる。シールド電極の材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されないが、透光性を有するものが特に好ましい。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）等の金属酸化物が好適に用いられる。また、シールド電極は、画素電極と共通電極との間に設けることができるものであれば、その大きさや形状は特に限定されない。

上記シールド電極は、接地されていることが好ましい。接地により、シールド電極にかかる電圧を０Ｖで一定に保つことができる。シールド電極を接地してシールド電極の電位を０Ｖとすることで、画素電極と共通電極との間の電位差を効果的に小さくすることができる。

本発明はまた、一対の基板と、上記基板間に挟持された表示媒体とを有し、画素内に、反射表示を行う反射領域と、透過表示を行う透過領域とが形成された表示装置であって、上記表示装置は、基板の一方に画素電極及び共通電極を備え、上記画素電極及び上記共通電極により表示媒体に電圧を印加するものであり、上記画素電極及び共通電極は、スリットが設けられ、上記スリットが設けられる位置は、画素電極が反射領域であり、共通電極が反射領域及び透過領域である表示装置（以下、第二の表示装置ともいう。）でもある。このように、共通電極のスリットが反射領域と透過領域とのいずれの領域においても設けられており、かつ画素電極のスリットが実質的に反射領域においてのみ設けられている本発明の第二の表示装置によっても、画素電極のスリットが反射領域と透過領域とのいずれの領域においても設けられており、かつ共通電極のスリットが実質的に反射領域においてのみ設けられている本発明の第一の表示装置と同様の効果を奏することができる。また、本発明の第二の表示装置においても同様に、画素電極は透過領域でベタ形成されていることが好ましい。なお、画素電極及び共通電極のスリットは、一定の幅が確保されていれば、特にその形状は限定されない。また、１画素にＦＦＳモードとＩＰＳモードとが構成されているので、画素電極と共通電極とは、絶縁膜等を挟んで別の層に設けられることになる。

上記画素電極の好ましい形態としては、例えば、反射領域で櫛歯状である形態が挙げられる。また、上記画素電極に形成されるスリットの好ましい形態としては、周囲が全て画素電極で囲まれている形態、長方形である形態、長方形が少なくとも１回屈曲した形状である形態、ジグザグ形状である形態、円弧状である形態、蛇行している形態が挙げられる。更に、上記共通電極の好ましい形態としては、例えば、櫛歯状である形態が挙げられる。また、上記共通電極に形成されるスリットの好ましい形態としては、周囲が全て共通電極で囲まれている形態、長方形である形態、長方形が少なくとも１回屈曲した形状である形態、ジグザグ形状である形態、円弧状である形態、蛇行している形態が挙げられる。以上のように、本発明の第二の表示装置の好ましい形態を列挙したが、これらの形態は、本発明の第一の表示装置の好ましい形態における共通電極を画素電極に、画素電極を共通電極に置き換えたものであることから、詳細な説明は省略する。

上記共通電極に形成されるスリットの好ましい形態としては、画素電極のスリットと実質的に同一形状である形態が挙げられる。そうすることで、本発明の第一の表示装置の場合と同様、共通電極のスリットと画素電極のスリットとを相互に噛み合わせた各部位に生じる電界の強さを均一とすることができ、液晶の配向を均一に制御することができる。

上記共通電極に形成されるスリットの好ましい形態としては、幅が透過領域よりも反射領域で大きい形態が挙げられる。そうすることで、本発明の第一の表示装置の場合と同様、より効果的に画素電極と共通電極との間で生じる電界の強さを透過領域よりも反射領域において弱めることができる。

上記第二の表示装置の好ましい形態としては、反射領域において、画素電極と共通電極との間にシールド電極が設けられている形態が挙げられる。そうすることで、本発明の第一の表示装置の場合と同様、より効果的に画素電極と共通電極との間で生じる電界の強さを透過領域よりも反射領域において弱めることができる。なお、上記シールド電極は、接地されていることが好ましく、そうすることで、より電圧の調整を容易にすることができる。

本発明の表示装置によれば、マルチギャップ構造を設けることなく反射表示と透過表示との双方で明るい表示を行うことができる。また、マルチギャップ構造を設ける必要がないので、反射領域と透過領域とで液晶分子の応答時間に差が生じるのを低減することができる。

以下に実施形態を掲げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

（実施形態１）
実施形態１は、本発明の第一の表示装置の実施形態の一例であり、液晶表示装置を用いている。図１は、実施形態１の液晶表示装置を構成する１画素の平面模式図であり、図２は、図１に示す破線Ａ−Ｂの断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置は、図２に示すように、第一の基板１と、第二の基板２と、これらの基板の間に挟持された液晶層３とを有する。また、第二の基板２は、画素電極４及び共通電極５を備え、画素電極４及び共通電極５により、液晶層３に電圧を印加する。

第一の基板１は、液晶層３側にカラーフィルタ層６及び第一の配向膜７を、この順に有する。第一の基板１は、例えば、ガラス基板を用いることができる。カラーフィルタ層６は、赤、緑及び青色を呈する領域が繰り返して配列されている。なお、カラーフィルタ層６は、４色以上の領域で構成されていても構わない。カラーフィルタ層６に起因する凹凸は樹脂製の平坦化層等で平坦化されていても構わない。第一の配向膜７は、近接する液晶層３の配向方向を規定する。

第二の基板２は液晶層３側に、走査配線８、共通配線（反射板）９、第一の絶縁層１０、信号配線１１、薄膜トランジスタ１２、第二の絶縁層１３、共通電極５及び第三の絶縁層１５を有し、更に液晶層３側に画素電極４及び第二の配向膜１６を有する。第二の基板２は、第一の基板１と同様に、例えば、ガラス基板を用いることができる。走査配線８と信号配線１１とは、第一の絶縁層１０を介して異なる層に形成され、直交している。薄膜トランジスタ１２は、走査配線８と信号配線１１との交差部近傍に位置している。その構造は、逆スタガ型構造であり、ゲート電極は走査配線８に接続され、ソース電極は信号配線１１に接続され、ドレイン電極は第一のコンタクトホール１７を介して画素電極４に接続されている。薄膜トランジスタ１２のチャネル部は、アモルファスシリコン層で形成されている。共通配線９は、走査配線８と平行に設けられ、第二のコンタクトホール１８を通じて共通電極５が接続されている。

画素電極４は画素全体において櫛歯状であり、櫛歯（突出部）が直線状に形成され、走査配線８に対して平行な長方形のスリット１９を有する。一方、共通電極５は反射領域Ｒにおいては櫛歯状で形成され、透過領域Ｔにおいてはベタ形成されており、第三の絶縁層１５で隔てられて画素電極４よりも下層に位置する。画素電極４及び共通電極５は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる透明電極である。共通電極５のスリットは、画素電極４のスリットと実質的に同一形状である。このような実施形態１の液晶表示装置では、画素電極４及び共通電極５に電圧が印加されると、液晶層３に横方向の電界が形成され、液晶層３に配向変化が生じる。これにより、液晶層３を透過する光の制御が行われる。

共通配線９は、表示領域側に張り出した構造を有し、図２に示すように、反射光２０を反射する。バックライトからの透過光２１は、透過領域Ｔを透過する。実施形態１では、共通配線９等の配線を反射板として利用することにより、製造工程を低減する効果が得られる。共通配線９を高反射率のアルミニウムで形成すれば、より明るい反射表示が得られる。なお、共通配線９を反射板として用いる代わりに、アルミニウムや銀合金等の反射板を別途形成してもよい。また、実施形態１においては、図２に示すように、透過領域Ｔと反射領域Ｒの境界を短くするため、境界が画素短辺に平行になるように透過領域Ｔと反射領域Ｒとを配置している。

実施形態１では、透過領域Ｔと反射領域Ｒとで同一材料の画素電極４及び共通電極５を用いるが、反射領域ＲにおいてはＩＰＳモードの構造となっているのに対し、透過領域ＴにおいてはＦＦＳモードの構造となっている。これにより、同一材料の画素電極４及び共通電極５を用いたとしても、透過領域Ｔと反射領域Ｒとで液晶層３に印加される電圧が異なることになり、反射領域Ｒに段差形成層を別途設けて液晶層３の厚さを変更（マルチギャップ）することなく、反射表示と透過表示とを行うことができる。画素電極４の更に液晶層３側には第二の配向膜１６があり、液晶層３に近接してその配向方向を規定する。

次に、図３、図４、図５を用いて、偏光板、位相差板、及び、液晶分子の配置関係を説明する。図３は、電圧無印加時の偏光板、位相差板、及び、液晶分子の配置関係を示す。図４は、電圧印加時の反射領域での偏光板、位相差板、及び、液晶分子の配置関係を示す。図５は、電圧印加時の透過領域での偏光板、位相差板、及び、液晶分子の配置関係を示す。

実施形態１では、図２に示すように、第一の基板１の液晶層３に対して反対側、及び、第二の基板２の液晶層３に対して反対側に、第一の偏光板２２と第二の偏光板２３を各々の透過軸２６、２７が直交するよう配置する。また、第一の基板１と第一の偏光板２２との間には、第一の位相差板２４を配置し、第二の基板２と第二の偏光板２３との間には、第二の位相差板２５を配置する。

このとき、図３に示すように、第一の位相差板２４の位相差は４分の１波長とし、その遅相軸２８を液晶分子３０の配向方向に対して時計回りに４５度になるよう設定する。第一の偏光板２２の透過軸２６は、液晶分子３０の配向方向と平行になるよう設定する。第二の位相差板２５の位相差は４分の１波長とし、その遅相軸２９を第一の位相差板２４の遅相軸２８と直交するよう配置する。

反射領域Ｒにおいて、画素電極４及び共通電極５に印加する電圧が閾値未満のときには、液晶層３と第一の偏光板２２及び第一の位相差板２４との積層体は、円偏光板として機能する。第一の偏光板２２を透過した直線偏光は、第一の位相差板２４を透過すると円偏光となる。そして、反射板で反射された後に、入射時とは逆向きの円偏光となり、再び第一の偏光板２２に入射する際には、振動方向が第一の偏光板２２の透過軸２６に対して垂直な直線偏光になるため、第一の偏光板２２により吸収されて暗表示が得られる。一方、画素電極４及び共通電極５に印加する電圧が閾値を超えると、図４に示すように、液晶分子３０が時計回りに所定の角度θだけ配向変化をする。これにより、入射光が反射板１４で反射された後に、再び第一の偏光板２２に入射する際には、振動方向が第一の偏光板２２の透過軸に対して平行な直線偏光になるため、第一の偏光板２２に吸収されず明表示が得られる。

透過領域Ｔでは、第一の位相差板２４と第二の位相差板２５とは直交しているため、第一の基板１の法線方向からみた位相差はゼロとなり、この方向から見た場合の表示には影響しない。画素電極４及び共通電極５に印加する電圧が閾値未満のときには、液晶分子３０の長軸は第二の偏光板２３の透過軸２７と直交しているため、第二の偏光板２３を透過した直線偏光は、第一の偏光板２２の透過軸２６に対して垂直な直線偏光であるため、第一の偏光板２２により吸収されて暗表示が得られる。一方、画素電極４及び共通電極５に印加する電圧が閾値を超えると、図５に示すように、液晶分子３０が時計回りに所定の角度２θだけ配向変化をする。第一の偏光板２２に入射する際には、振動方向が第一の偏光板２２の透過軸２６に対して平行な直線偏光になるため、第一の偏光板２２に吸収されず明表示が得られる。

第一の位相差板２４及び第二の位相差板２５は、屈折率の波長分散性の少ない材料、例えばノルボルネン系の材料（ＪＳＲ社製、商品名：アートン）を用いることにより、色づきの少ない、より黒い暗表示が得られる。

以上のようにして作製した反射透過両用型液晶表示パネルを駆動装置に接続し、背後にバックライトを配置する等して反射透過両用型液晶表示装置が完成する。

以下、実施形態１の変形例について説明する。
本実施形態において、画素電極４及び共通電極５における櫛歯（突出部）の形状は、図１に示すような直線状に限定されず、例えば、図６〜１１に示すような形状であってもよい。図６に示す櫛歯状電極３１（画素電極４及び共通電極５のいずれか又はその両方）は、櫛歯の中央で折れ線状に１回屈曲したＶ字形状を有し、スリット形状は、長方形のスリットが１回屈曲した形状である。図７に示す櫛歯状電極３２は、櫛歯が２つの折れ線状の屈曲部を有し、全体としては略Ｖ字形状を有しており、スリット形状は、長方形のスリットが２回屈曲した形状である。図８に示す櫛歯状電極３３は、櫛歯が３つの折れ線状の屈曲部を有し、全体としては略Ｖ字形状が２つ並んだ形状を有しており、スリット形状は、長方形のスリットが３回屈曲したジグザグ形状である。図９に示す櫛歯状電極３４は、櫛歯の中央で円弧状に湾曲した形状を有し、スリットも円弧状になっている。図１０に示す櫛歯状電極３５は、櫛歯が３つの円弧状の湾曲部を有し、全体としては略Ｖ字形状が２つ並んだ形状を有しており、スリットが蛇行している。また、画素電極４は、櫛歯状でなくてもよく、図１１に示すような、周囲がすべて画素電極に囲まれた長方形のスリット３６が設けられた形状であってもよい。

図１２は、実施形態１の画素電極４及び共通電極５を示す模式図である。図１２（ａ）は、画素電極４及び共通電極５の平面模式図であり、（ｂ）、（ｃ）は、図１２（ａ）に示す破線Ｃ−Ｄの２通りの断面模式図である。図１２（ａ）に示すように、画素電極４は反射領域Ｒ及び透過領域Ｔのいずれにおいても櫛歯状に形成されており、共通電極５は反射領域Ｒにおいては櫛歯状に形成され、透過領域Ｔにおいてはベタ形成されている。画素電極４と共通電極５との断面配置関係は、図１２（ｂ）に示すような、画素電極４が共通電極５よりも液晶層３側の層に形成される形態に限定されず、図１２（ｃ）に示すように共通電極５が画素電極４よりも液晶層３側の層に形成されていてもよい。

（実施形態２）
実施形態２は、本発明の第一の表示装置の実施形態の一例であり、液晶表示装置を用いている。図１３は、実施形態２の液晶表示装置を構成する画素電極４及び共通電極５を示す平面模式図である。図１３に示すように、実施形態２においては、画素電極４のスリットの幅を、透過領域Ｔよりも反射領域Ｒで大きくしているが、それ以外は実施形態１と同様である。画素電極４と共通電極５との間隔を大きくすることによっても、画素電極４と共通電極５との間で生じる電界の強さを弱くすることができるので、１画素にＦＦＳモードの構造とＩＰＳモードの構造とを設ける方法と組み合わせて、より効果的に画素電極４と共通電極５との間で生じる電界の強さを透過領域Ｔよりも反射領域Ｒにおいて弱くすることができる。

（実施形態３）
実施形態３は、本発明の第一の表示装置の実施形態の一例であり、液晶表示装置を用いている。図１４は、実施形態３の液晶表示装置を構成する画素電極４及び共通電極５を示す模式図である。図１４（ａ）は、画素電極４及び共通電極５の平面模式図であり、（ｂ）は、図１４（ａ）に示す破線Ｅ−Ｆの断面模式図である。図１４に示すように、実施形態３においては、反射領域Ｒに位置する画素電極４と共通電極５との櫛歯の間に、シールド電極５０が設けられているが、それ以外は実施形態１と同様である。シールド電極５０は、図１４（ａ）に示すように反射領域Ｒに、かつ図１４（ｂ）に示すように、画素電極４が設けられた層と共通電極５が設けられた層との間に配置される。このように画素電極４と共通電極５との間にシールド電極５０を設けることによっても、画素電極４と共通電極５との間で生じる電界の強さを弱くすることができるので、１画素にＦＦＳモードの構造とＩＰＳモードの構造とを設ける方法と組み合わせて、より効果的に画素電極４と共通電極５との間で生じる電界の強さを透過領域Ｔよりも反射領域Ｒにおいて弱くすることができる。なお、このときシールド電極５０は、接地されていることが好ましい。

（実施形態４）
実施形態４は、本発明の第二の表示装置の実施形態の一例であり、液晶表示装置を用いている。図１５は、実施形態４の液晶表示装置を構成する画素電極４及び共通電極５を示す平面模式図である。図１５に示すように、実施形態４においては、共通電極５が画素全体において櫛歯状で形成され、画素電極４が、反射領域Ｒにおいて櫛歯状で形成され、透過領域Ｔにおいてベタ形成されている。すなわち、上述までのすべての形態に対して、画素電極４の構造と共通電極５の構造とが置き換えられたものであってもよく、このような形態であっても１画素にＦＦＳモードの構造とＩＰＳモードの構造とが形成されているので、本発明の効果を奏することができる。

なお、本願は、２００６年７月２１日に出願された日本国特許出願２００６−１９９６６７号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。

また、本願明細書における「以上」は、当該数値（境界値）を含む。

実施形態１の液晶表示装置を構成する１画素の平面模式図である。図１に示す破線Ａ−Ｂの断面模式図である。実施形態１の電圧無印加時における偏光板、位相差板、及び、液晶分子の配置関係を示す模式図である。実施形態１の電圧印加時における反射領域での偏光板、位相差板、及び、液晶分子の配置関係を示す模式図である。実施形態１の電圧印加時における透過領域での偏光板、位相差板、及び、液晶分子の配置関係を示す模式図である。実施形態１の変形例（長方形のスリットが１回屈曲した形状）の電極（画素電極及び共通電極）を示す平面模式図である。実施形態１の変形例（長方形のスリットが２回屈曲した形状）の電極（画素電極及び共通電極）を示す平面模式図である。実施形態１の変形例（長方形のスリットが３回屈曲した形状）の電極（画素電極及び共通電極）を示す平面模式図である。実施形態１の変形例（スリットが円弧状）の電極（画素電極及び共通電極）を示す平面模式図である。実施形態１の変形例（スリットが蛇行）の電極（画素電極及び共通電極）を示す平面模式図である。実施形態１の変形例（スリットの周囲が全て電極に囲まれている）の電極（画素電極及び共通電極）を示す平面模式図である。実施形態１の画素電極及び共通電極（スリットが長方形）を示す模式図である。（ａ）は、平面模式図を、（ｂ）、（ｃ）は、（ａ）に示す破線Ｃ−Ｄの断面模式図を示す。実施形態２の液晶表示装置を構成する画素電極及び共通電極を示す平面模式図である。実施形態３の液晶表示装置を構成する画素電極及び共通電極を示す模式図である。（ａ）は、平面模式図を、（ｂ）は、（ａ）に示す破線Ｅ−Ｆの断面模式図を示す。実施形態４の液晶表示装置を構成する画素電極及び共通電極を示す平面模式図である。

符号の説明

１：第一の基板
２：第二の基板
３：液晶層
４：画素電極
５：共通電極
６：カラーフィルタ層
７：第一の配向膜
８：走査配線
９：共通配線（反射板）
１０：第一の絶縁層
１１：信号配線
１２：薄膜トランジスタ
１３：第二の絶縁層
１５：第三の絶縁層
１６：第二の配向膜
１７：第一のコンタクトホール
１８：第二のコンタクトホール
１９：スリット
２０：反射光
２１：透過光
２２：第一の偏光板
２３：第二の偏光板
２４：第一の位相差板
２５：第二の位相差板
２６：第一の偏光板の透過軸
２７：第二の偏光板の透過軸
２８：第一の位相差板の遅相軸
２９：第二の位相差板の遅相軸
３０：液晶分子
３１：櫛歯状電極（長方形のスリットが１回屈曲した形状）
３２：櫛歯状電極（長方形のスリットが２回屈曲した形状）
３３：櫛歯状電極（長方形のスリットが３回屈曲した形状）
３４：櫛歯状電極（スリットが円弧状）
３５：櫛歯状電極（スリットが蛇行）
３６：電極（スリットの周囲が全て電極に囲まれている）
５０：シールド電極
Ｔ：透過領域
Ｒ：反射領域

Claims

一対の基板と、該基板間に挟持された表示媒体とを有し、画素内に、反射表示を行う反射領域と、透過表示を行う透過領域が形成された表示装置であって、
該表示装置は、基板の一方に画素電極及び共通電極を備え、該画素電極及び該共通電極により表示媒体に電圧を印加するものであり、
該画素電極及び共通電極は、スリットが設けられ、
該スリットが設けられる位置は、画素電極が反射領域であり、共通電極が反射領域及び透過領域であり、
該画素電極は、透過領域でベタ形成されている
ことを特徴とする表示装置。
前記画素電極は、反射領域で櫛歯状であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
前記画素電極のスリットは、周囲が全て画素電極で囲まれていることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
前記画素電極のスリットは、長方形であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置。
前記画素電極のスリットは、長方形が少なくとも１回屈曲した形状であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の表示装置。
前記画素電極のスリットは、ジグザグ形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の表示装置。
前記画素電極のスリットは、円弧状であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の表示装置。
前記画素電極のスリットは、蛇行していることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の表示装置。
前記共通電極は、櫛歯状であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の表示装置。
前記共通電極のスリットは、周囲が全て画素電極で囲まれていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の表示装置。
前記共通電極のスリットは、長方形であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の表示装置。
前記共通電極のスリットは、長方形が少なくとも１回屈曲した形状であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の表示装置。
前記共通電極のスリットは、ジグザグ形状であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の表示装置。
前記共通電極のスリットは、円弧状であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の表示装置。
前記共通電極のスリットは、蛇行していることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の表示装置。
前記共通電極のスリットは、画素電極のスリットと実質的に同一形状であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の表示装置。
前記共通電極のスリット幅は、透過領域よりも反射領域で大きいことを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の表示装置。
前記反射領域は、画素電極と共通電極との間にシールド電極が設けられていることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の表示装置。
前記シールド電極は、接地されていることを特徴とする請求項１８記載の表示装置。