JP4386661B2 - 高密度データ記憶モジュール - Google Patents
高密度データ記憶モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP4386661B2 JP4386661B2 JP2003085311A JP2003085311A JP4386661B2 JP 4386661 B2 JP4386661 B2 JP 4386661B2 JP 2003085311 A JP2003085311 A JP 2003085311A JP 2003085311 A JP2003085311 A JP 2003085311A JP 4386661 B2 JP4386661 B2 JP 4386661B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rotor
- flexible members
- edge
- storage
- flexible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/002—Electrostatic motors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、概してデータ記憶装置に関し、より詳細には、超高密度データ記憶装置で用いるための記憶モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
データ記憶の分野において、情報記憶装置の記憶密度を高め、記憶のコストを削減することが望ましいことは十分に認識されている。これは、磁気ハードドライブ、光ドライブ、RAMデバイスおよび他の情報記憶装置のような全てのタイプの情報記憶装置に一般に当てはまる。しかしながら、さらに多くの情報を記憶装置に詰め込むことは益々難しくなっている。さらに、それらの記憶装置を作成するための従来の技術は、記憶密度に関する根本的な限界に近づきつつある。
【0003】
記憶装置の記憶密度を高めるために、数多くの代替案が提案されている。いくつかの例には、走査型プローブ顕微鏡(SPM)、原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡(STM)、近接場走査顕微鏡、走査力顕微鏡がある。これらの提案された代替案のそれぞれは、その利点と不利益とを有する。あるものは構築するのに莫大なコストがかかり、あるものは実現するのが困難であり、別のものは解像度および帯域幅が制限されるか、または不足しており、さらに別のものは信号対雑音比が不十分である。
【0004】
記憶密度を高めることに成功したとしても、依然として別の大きな障害を乗り越えなければならない。具体的には、格納された情報にアクセスするのに必要な時間は、短くなければならない。簡単に言うと、いくら記憶密度が高くても、格納された情報を検索するのにあまりにも時間がかかる場合には、記憶装置の有用性が制限される。言い換えると、記憶密度が高いことに加えて、情報に迅速にアクセスするための方法を見いださなければならない。
【0005】
Gibson等に付与された特許文献1には、速いアクセス時間と速いデータ速度とを有しながら、記憶密度を高めることができる超高密度記憶装置が記載され、請求されている。Gibson等の超高密度記憶装置は、標準的な半導体製造技術によって形成され、非常に鋭利な先端から電子のビームを放出する電界放出器を利用することに基づく。Gibson等の一実施形態では、記憶装置は、多数の電界放出器と、1つの記憶媒体と、1つのマイクロムーバとを含む。記憶媒体は多数の記憶領域を有し、電界放出器は、1つの放出器が記憶媒体上の多数の記憶領域に対して役割を果たすように間隔をおいて配置される。一実施形態では、各記憶領域は、記憶装置上に1ビットのデータを格納するための役割を果たす。媒体は、電界放出器に非常に接近して、たとえば数百マイクロメートルないし数マイクロメートル離れている。
【0006】
各電界放出器は電子ビーム流を生成する。各記憶領域は、いくつかの異なる状態のうちの1つになることができる。一実施形態では、バイナリ情報がそれらの領域に格納され、その場合、1つの状態がハイビットを表し、別の状態がロービットを表す。電子ビーム流が記憶領域をボンバードするとき、信号電流が生成される。信号電流の大きさは、その記憶領域の状態に依存する。したがって、その領域に格納された情報は、信号電流の大きさを測定することにより読み出され得る。電子ビームを用いて、記憶領域上に情報を書き込むこともできる。各電子ビームの大きさを予め選択されたレベルまで増加して、その電子ビームが衝突する記憶領域の状態を変更することができる。記憶領域の状態を変更することにより、その領域上に情報が書き込まれる。
【0007】
電界放出器と同様に、マイクロムーバは、半導体微細加工技術によって作成される。マイクロムーバは電界放出器に対して記憶媒体を走査するか、または記憶媒体に対して電界放出器を走査する。こうして、各放出器は、記憶媒体上の多数の記憶領域からの情報にアクセスすることができる。数百または数千の電界放出器が同時に情報を読み出し、および/または書き込む場合、その記憶装置は、非常に速いアクセス時間とデータ速度とを有する。
【0008】
記憶媒体がマイクロムーバによって移動する際に、正確に書込みおよび読出しを行うことを保証するために、記憶媒体は、記憶媒体の平面内で全く容易に動くことができ、記憶媒体の平面に垂直な方向には全く動かないことが望ましい。このようにして、電界放出器と記憶媒体との間の距離は、一定に保持される。
【0009】
記憶媒体は1つの平面内でのみ動くことが望ましいが、この結果を達成するのは難しい。たとえば、マイクロムーバは、単に記憶媒体の平面(すなわち、X−Y面)において記憶媒体を動かすように意図されている。しかしながら、マイクロムーバのタイプによっては、マイクロムーバが平面から外れて記憶媒体を動かす(すなわち、記憶媒体をZ方向に動かす)傾向を有する場合もある。また、振動のような環境的な要因が、平面から外れた動きを引き起こすか、またはその一因になる場合もある。平面外コンプライアンスを低減することにより記憶媒体の平面外への動きを制限する結果として、多くの場合に平面内コンプライアンスも同様に低減される。したがって、平面内コンプライアンスと平面外コンプライアンスとの比(「コンプライアンス比」)ができる限り高くなるように記憶媒体を浮いた状態で支持することが1つのバランスになる。同時に、記憶媒体の空間的な制約が考慮されなければならない。すなわち、記憶媒体サスペンションシステムは、できる限り小さな空間を占め、それによりデータ記憶のために利用することができる記憶媒体を増加しなければならない。
【0010】
【特許文献1】
米国特許第5,557,596号明細書
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、モジュールのコンプライアンス比とそのパッキング密度との間の適切なバランスを提供する高密度記憶モジュールが必要とされている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高密度データ記憶装置のためのデータ記憶モジュールである。この記憶モジュールは、上側エッジ、下側エッジ、左側エッジ、右側エッジを有するロータを含む。ロータは、ロータの上側エッジ、下側エッジ、左側エッジ、右側エッジを包囲するフレーム内に懸架される。ロータは複数の可撓性部材によってフレーム内に懸架され、上側エッジに隣接する可撓性部材は上側エッジと揃えられ、下側エッジに隣接する可撓性部材は下側エッジと揃えられ、左側エッジに隣接する可撓性部材は左側エッジと揃えられ、右側エッジに隣接する可撓性部材は右側エッジに揃えられる。
【0013】
【発明の実施の形態】
好適な実施形態の以下の詳細な説明では、その一部を形成し、一例として本発明が実施され得る特定の実施形態が示される添付の図面を参照する。本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態を利用でき、構造的または論理的変更を行うことができることは理解されたい。したがって、以下の詳細な説明は限定する意味にとられるべきではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲によって規定される。
【0014】
高密度記憶モジュール10の一実施形態が、図1aおよび図1bに示される。記憶モジュール10は、ロータ12と、ロータ12を支持するためのフレーム14とを含む。ロータ12は、その上側エッジ16と、下側エッジ18と、左側エッジ20と、右側エッジ22とによって画定される。ロータ12の前面24はX−Y面を画定し、上側エッジ16および下側エッジ18はX軸に合わせられ、左側エッジ20および右側エッジ22はY軸に合わせられる。ロータ12の前面24は、データ記憶のための複数の記憶領域26を有する記憶媒体から形成される。記憶領域26(全体として図1bに示される)は、その領域に格納されるデータを表すために複数の状態のうちの1つになる。ロータフレーム14は、ロータエッジ16、18、20、22から間隔をおいて配置される。一実施形態では、ロータフレーム14はX−Y面においてロータ12を包囲する。ロータ12はマイクロムーバまたはアクチュエータ28によって動かされ、本発明の一実施形態では、マイクロムーバまたはアクチュエータ28は、前面24と反対側にある、ロータ12の背面に配置される。マイクロムーバ28は全体として図1aに示される(本明細書で用いられるような、上側、下側、左側、右側、前面、背面などの方向に関する用語は相対的な用語であり、記憶モジュール10の向き全体に関する制限として解釈されるべきではない)。
【0015】
ロータ12とロータフレーム14とを相互に接続する複数の支持構造体によって、ロータ12はロータフレーム14によって支持される。多くのMEMS装置は、質量体およびそれらのシステムを支持するために、梁または可撓性部材を用いる。梁は、システムの質量の支持と、システムの質量の動きに対するコンプライアンスとの両方を提供する。多くの場合に、最も大きな平面内対平面外コンプライアンス比(ここではコンプライアンス比と呼ばれる)を可能にすることが望ましい。しかしながら、この比は、選択される機械的な構成によって制限される可能性がある。高いコンプライアンス比が望ましい理由は、MEMS装置において用いられるアクチュエータ装置によって提供されるマイクロムーバまたはアクチュエータの力があまり強くないことである。したがって、コンプライアンス比を維持または改善しながら、平面内コンプライアンスを改善することが望ましい。平面内コンプライアンスを高めることは、梁または可撓性部材を軸方向に短縮できるようにすることにより達成され得る。すなわち、梁が曲げられるとき、それらは軸方向において短くなる傾向があり、それにより平面内コンプライアンスが減少することにつながる。この軸方向の短縮を補償することにより、平面内コンプライアンスが高くなるであろう。平面外コンプライアンスを低く保ち、かつ依然としてコンプライアンス比を改善しながら、平面内コンプライアンスを改善するためのさらなる方法は、梁または可撓性部材の端部が角度をなして動けるようにすることである。梁の一端または両端において小さな角度であっても、平面内コンプライアンスを著しく高めることができる。多くの事例において、同じ構造によって軸方向の短縮を補償し、梁が角度をなして動くことも可能にする。
【0016】
図1aおよび図1bに示されるように、軸方向の短縮を補償し、かつ支持用梁が角度をなして動くことができるようにするために、第1の一対の結合用梁30a、30bが、ロータ12の上側エッジ16から延在し、一方、第2の一対の結合用梁32a、32bが、ロータ12の下側エッジ18から延在する。図1aおよび図1bに示される実施形態では、ロータ12は長方形であり、結合用梁30a、30b、32a、32bはロータ12の角部から延在する。例示される実施形態では、結合用梁30a、30b、32a、32bはロータ12の左側エッジ20および右側エッジ22と概ね揃えられる。しかしながら、結合用梁30a、30b、32a、32bは、図1aおよび図1bに示されるものとは異なる起点および向きを有しても良い。たとえば、図2aおよび図2bに示される代替の実施形態は、結合用梁30aにさらなる回転の自由度を与え、それによりロータ12に付加的な平面内コンプライアンスを与える。
【0017】
第1の一対の結合用梁30a、30bは、第1の一対の結合用梁30a、30bと第1の結合質量体34aとの間に延在する第1の組の可撓性部材36aによって、第1の結合質量体34a(ロータ12の上側エッジ16に隣接して配置される)に接続される。第2の一対の結合用梁32a、32bは、第2の一対の結合用梁32a、32bと第2の結合質量体34bとの間に延在する第2の組の可撓性部材36bによって、第2の結合質量体34b(ロータ12の下側エッジ18に隣接して配置される)に接続される。第1および第2の組の可撓性部材36a、36bの軸方向は、ロータ12の上側および下側エッジ16および18と概ね合わせられる。
【0018】
ロータフレーム14は第1および第2の可撓性マウント40a、40bを含み、それらはロータ12の両側に(図1aに示されるような左側エッジ20および右側エッジ22に隣接して)配置される。第1および第2の結合質量体34a、34bは、可撓性部材42aによって第1の可撓性マウント40aに接続される。第1および第2の結合質量体34a、34bは、可撓性部材42bによって第2の可撓性マウント40bに接続される。可撓性部材42a、42bの軸方向は、ロータ12の左側および右側エッジ20および22と概ね合わせられる。結合質量体34a、34bは単に、可撓性部材42a、42bと可撓性部材36a、36bとの間の動きを平行移動させるための剛体としての役割を果たす。
【0019】
図1aおよび図1bに示される実施形態では、組をなす可撓性部材36a、36b、42a、42bのそれぞれは全部で4個の個別の可撓性部材からなることに留意されたい。しかしながら、可撓性部材の組において異なる数の個別の可撓性部材(たとえば、各組において全部で2個または6個の可撓性部材)を用いても良い。
【0020】
一実施形態では、結合用梁30a、30b、32a、32bおよび可撓性部材36a、36b、42a、42bは、肉厚の薄い微細加工された梁である。可撓性部材36a、36bの面は、X−Z面内にある。この可撓性部材の組はY方向に撓むことができ、ロータ12がフレーム14に対してY方向に動くことを可能にする。可撓性部材42a、42bの面は、Y−Z方向内にある。この可撓性部材の組はX方向に撓むことができ、ロータ12がフレーム14に対してX方向に動くことを可能にする。
【0021】
梁可撓性部材のうちの1つの断面図が、図3に示される。梁が平面内および平面外に撓むとき、その梁において捻れが生じる。この捻れは、梁がその軸平面に対して捻れない場合であっても生じる。図3は、無負荷時(位置A)、平面内および平面外負荷時(位置B)、ならびに平面内、平面外および捻れ負荷時(位置C)の梁の断面を示す。ロータ12の動きが、変位から生じるモーメントアームに起因して梁を捻れた状態にするので、その梁の傾向は、図3に示される位置Cから図3に示される位置Bに向かって戻るように曲がることである。上述のように、多くの場合に、最も大きな平面内対平面外コンプライアンス比を可能にすることが望ましい。しかしながら、このコンプライアンス比は多くの場合に、上述の梁の捻れによって低減される。より高いコンプライアンス比を維持するために、その平面内コンプライアンス比を最大にしながら、梁の捻れおよび平面外コンプライアンスを低減することが望ましい。
【0022】
本明細書で説明される本発明においては、梁の捻れおよび平面外コンプライアンスは、ロータ12がZ軸に沿って移動する際に(すなわち、ロータ12がマイクロムーバによって上下に動かされる際に)、可撓性部材内に生成される捻れの影響を効率的に打ち消すように可撓性部材を位置合わせすることにより低減される。最大の相殺作用は、可撓性部材36a、36bが可撓性部材42a、42bの軸方向の中間点に向けられる際に達成される。しかしながら、捻れの相殺は、その相殺が可撓性部材42a、42bの中間点で行われない場合であっても、ある程度は達成される。したがって、第1および第2の組の可撓性部材36a、36bの位置は、第1および第2の組の可撓性部材36a、36bの軸が可撓性部材42a、42bの長さに沿ったいずれかの場所で可撓性部材42a、42bと交差するような位置である。
【0023】
記憶モジュール10が、フレーム14によって支持される単一のロータ12に関して上述してきたが、実際には、複数のロータ12がフレーム14によって支持されても良い。ロータ12のアレイを有する記憶モジュール110が、図4に示される。可撓性部材36a、36b、42a、42bの向きは、記憶モジュール110において複数のロータ12が用いられるときに、大きな利点を提供することに留意されたい。具体的には、可撓性部材36a、36b、42a、42bは、それらがロータ12のそれぞれ隣接するエッジに対して概ね平行に配置されるように、ロータ12の周囲に配列される。したがって、各ロータ12およびその関連するサスペンションシステムに必要な全面積は低減され、記憶モジュール110内のロータ12のパッキング密度は、それに応じて増加する。
【0024】
記憶モジュール110におけるロータ12のパッキング密度は、図4に示されるように、隣接するロータ12間のフレーム114の大部分をなくすことによりさらに増加できる。具体的には、フレーム114が、隣接するロータ12の可撓性マウント40a、40bのみを残すように削減されることが図4から明らかである。すなわち、隣接するロータ間のフレーム114の部分のみが、可撓性マウント40a、40bである。可撓性マウントはモーショングランドに機械的に固定され、その結果、ロータ12のアレイの各ロータ12が別個に動くことができる。当然、望まれる場合には、フレーム114は、それが各ロータを完全に包囲するように延在させることもできる。
【0025】
好適な実施形態を説明するために、本明細書において特定の実施形態が図示および説明されてきたが、同じ目的を果たすように意図された種々の代替および/または等価な実施形態が、本発明の範囲から逸脱することなく、図示および説明された特定の実施形態の代わりに用いられ得ることは当業者には理解されよう。化学、機械、電気機械、電気およびコンピュータの分野の熟練者であれば、本発明が多種多様な実施形態において実施され得ることは容易に理解されよう。本特許出願は、本明細書で説明された好適な実施形態の任意の適応形態または変形形態を網羅することが意図されている。したがって、本発明は、特許請求の範囲およびその等価物によってのみ制限されることが明らかに意図されている。
【0026】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施形態を示す。
1.データ記憶装置のための記憶モジュールであって、その記憶モジュールが、
上側エッジ(16)、下側エッジ(18)、左側エッジ(20)、右側エッジ(22)によって画定されたロータ(12)と、
前記ロータ(12)を支持するためのフレーム(14)と、
前記ロータ(12)の前記上側エッジ(16)から延在する第1の一対の結合用梁(30a、30b)と、
前記ロータ(12)の前記下側エッジ(18)から延在する第2の一対の結合用梁(32a、32b)と、
前記ロータ(12)の前記上側エッジ(16)に隣接して配置された第1の結合質量体(34a)と、
前記ロータ(12)の前記下側エッジ(18)に隣接して配置された第2の結合質量体(34b)と、
前記第1の一対の結合用梁(30a、30b)と前記第1の結合質量体(34a)との間に延在する第1の組の可撓性部材(36a)と、
前記第2の一対の結合用梁(32a、32b)と前記第2の結合質量体(34b)との間に延在する第2の組の可撓性部材(36b)と、
前記フレーム(14)から延在し、前記ロータ(12)の前記左側エッジ(20)に隣接して配置される第1の可撓性マウント(40a)と、
前記フレーム(14)から延在し、前記ロータ(12)の前記右側エッジ(22)に隣接して配置される第2の可撓性マウント(40b)と、
前記第1の可撓性マウント(40a)と前記第1および第2の結合質量体(34a、34b)との間に延在する第3の組の可撓性部材(42a)と、および
前記第2の可撓性マウント(40b)と前記第1および第2の結合質量体(34a、34b)との間に延在する第4の組の可撓性部材(42b)とからなる、記憶モジュール。
2.前記第1および第2の組の可撓性部材(36a、36b)の軸方向が、前記ロータ(12)の前記上側エッジ(16)および前記下側エッジ(18)と概ね揃えられ、前記第3および前記第4の組の可撓性部材(42a、42b)の軸方向が、前記ロータ(12)の前記左側エッジ(20)および前記右側エッジ(22)と概ね揃えられる、上記1に記載の記憶モジュール。
3.前記第1、第2、第3および第4の組の可撓性部材(36a、36b、42a、42b)が、それぞれ少なくとも2つの個別の可撓性部材からなる、上記1に記載の記憶モジュール。
4.前記第1および第2の組の可撓性部材(36a、36b)の前記軸方向が、前記第3および第4の組の可撓性部材の長さに沿って、前記第3および第4の可撓性部材(42a、42b)と交差する、上記1に記載の記憶モジュール。
5.前記ロータを動かすために前記ロータ(12)と相互作用するマイクロムーバ(28)をさらに含み、そのマイクロムーバ(28)が、前記ロータの前面(24)と反対側にある、前記ロータの背面に隣接して配置される、上記1に記載の記憶モジュール。
6.前記ロータ(12)が、記憶媒体を含む、上記1に記載の記憶モジュール。
7.前記記憶媒体が、データを記憶するための複数の記憶領域(26)を含み、前記記憶領域(26)のそれぞれが、その領域に格納されるデータを表すために複数の状態のうちの1つになる、上記1に記載の記憶モジュール。
8.記憶装置のフレーム内の複数の記憶モジュールロータのパッキング密度を高めるための方法であって、
ロータ(12)のエッジとフレーム(114)との間に延在する可撓性部材(36a、36b、42a、42b)を用いて、前記フレーム(114)内に複数の前記ロータ(12)をそれぞれ支持することを含み、前記可撓性部材が前記ロータの周囲に配置され、前記ロータ(12)の各エッジ(16、18、20、22)に隣接する可撓性部材が前記隣接するエッジに揃えられる、方法。
9.前記可撓性部材(36a、36b、42a、42b)が、肉厚の薄い微細加工された梁である、上記8に記載の方法。
10.前記第1の組の可撓性部材(36a、36b)の軸が、前記第1の組の可撓性部材(36a、36b)に直角に配置された第2の組の可撓性部材(42a、42b)と交差するように、前記複数のロータ(12)のうちの1つの両側に第1の組の可撓性部材(36a、36b)を位置合わせすることをさらに含む、上記8に記載の方法。
【0027】
【発明の効果】
本発明によれば、モジュールのコンプライアンス比とそのパッキング密度との間の適切なバランスを提供する高密度記憶モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1a】単一のロータを有する本発明の一実施形態の平面図である。
【図1b】単一のロータを有する本発明の一実施形態の斜視図である。
【図2a】本発明の代替の実施形態である。
【図2b】本発明の代替の実施形態である。
【図3】本発明の一実施形態における梁の動きと捻れとを示す図である。
【図4】複数のロータを有する本発明の別の実施形態の平面図である。
【符号の説明】
10、110 記憶モジュール
12 ロータ
14、114 フレーム
16、18、20、22 エッジ
26 記憶領域
28 マイクロムーバ
30a、30b、32a、32b 結合用梁
34a、34b 結合質量体
36a、36b、42a、42b 可撓性部材
40a、40b 可撓性マウント
Claims (10)
- データ記憶装置のための記憶モジュールであって、その記憶モジュールが、
上側エッジ(16)、下側エッジ(18)、左側エッジ(20)、右側エッジ(22)によって画定されたロータ(12)と、
前記ロータ(12)を支持するためのフレーム(14)と、
前記ロータ(12)の前記上側エッジ(16)から延在する第1の一対の結合用梁(30a、30b)と、
前記ロータ(12)の前記下側エッジ(18)から延在する第2の一対の結合用梁(32a、32b)と、
前記ロータ(12)の前記上側エッジ(16)に隣接して配置された第1の結合質量体(34a)と、
前記ロータ(12)の前記下側エッジ(18)に隣接して配置された第2の結合質量体(34b)と、
前記第1の一対の結合用梁(30a、30b)と前記第1の結合質量体(34a)との間に延在する第1の組の可撓性部材(36a)と、
前記第2の一対の結合用梁(32a、32b)と前記第2の結合質量体(34b)との間に延在する第2の組の可撓性部材(36b)と、
前記フレーム(14)から延在し、前記ロータ(12)の前記左側エッジ(20)に隣接して配置される第1の可撓性マウント(40a)と、
前記フレーム(14)から延在し、前記ロータ(12)の前記右側エッジ(22)に隣接して配置される第2の可撓性マウント(40b)と、
前記第1の可撓性マウント(40a)と前記第1および第2の結合質量体(34a、34b)との間に延在する第3の組の可撓性部材(42a)と、および
前記第2の可撓性マウント(40b)と前記第1および第2の結合質量体(34a、34b)との間に延在する第4の組の可撓性部材(42b)とからなる、記憶モジュール。 - 前記第1および第2の組の可撓性部材(36a、36b)の軸方向が、前記ロータ(12)の前記上側エッジ(16)および前記下側エッジ(18)と揃えられ、前記第3および前記第4の組の可撓性部材(42a、42b)の軸方向が、前記ロータ(12)の前記左側エッジ(20)および前記右側エッジ(22)と揃えられる、請求項1に記載の記憶モジュール。
- 前記第1、第2、第3および第4の組の可撓性部材(36a、36b、42a、42b)が、それぞれ少なくとも2つの個別の可撓性部材からなる、請求項1に記載の記憶モジュール。
- 前記第1および第2の組の可撓性部材(36a、36b)の前記軸方向が、前記第3および第4の組の可撓性部材の長さに沿って、前記第3および第4の可撓性部材(42a、42b)と交差する、請求項2に記載の記憶モジュール。
- 前記ロータを動かすために前記ロータ(12)と相互作用するマイクロムーバ(28)をさらに含み、そのマイクロムーバ(28)が、前記ロータの前面(24)と反対側にある、前記ロータの背面に隣接して配置される、請求項1に記載の記憶モジュール。
- 前記ロータ(12)が、記憶媒体を含む、請求項1に記載の記憶モジュール。
- 前記記憶媒体が、データを記憶するための複数の記憶領域(26)を含み、前記記憶領域(26)のそれぞれが、その領域に格納されるデータを表すために複数の状態のうちの1つになる、請求項6に記載の記憶モジュール。
- 請求項1に記載された記憶モジュールを含む記憶装置のフレーム内で複数の記憶モジュールロータのパッキング密度を高めるための方法であって、
ロータ(12)のエッジと前記記憶装置のフレーム(114)との間に延在する前記第1、第2、第3および第4の組の可撓性部材(36a、36b、42a、42b)を用いて、前記記憶装置のフレーム(114)内に複数の前記ロータ(12)をそれぞれ支持することを含み、前記第1、第2、第3および第4の組の可撓性部材が前記ロータの周囲に配置され、前記ロータ(12)の各エッジ(16、18、20、22)に隣接する可撓性部材が前記隣接するエッジに揃えられる、方法。 - 前記第1、第2、第3および第4の組の可撓性部材(36a、36b、42a、42b)が、肉厚の薄い微細加工された梁である、請求項8に記載の方法。
- 前記第1の組の可撓性部材(36a、36b)の軸が、前記第1の組の可撓性部材(36a、36b)に直角に配置された第2の組の可撓性部材(42a、42b)と交差するように、前記複数のロータ(12)のうちの1つの両側に第1の組の可撓性部材(36a、36b)を位置合わせすることをさらに含む、請求項8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/109228 | 2002-03-28 | ||
US10/109,228 US6925047B2 (en) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | High density data storage module |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003338095A JP2003338095A (ja) | 2003-11-28 |
JP2003338095A5 JP2003338095A5 (ja) | 2006-05-18 |
JP4386661B2 true JP4386661B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=28453049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003085311A Expired - Fee Related JP4386661B2 (ja) | 2002-03-28 | 2003-03-26 | 高密度データ記憶モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6925047B2 (ja) |
JP (1) | JP4386661B2 (ja) |
DE (1) | DE10307986A1 (ja) |
IT (1) | ITRM20030135A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6996051B2 (en) * | 2002-04-29 | 2006-02-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage module suspension system having primary and secondary flexures |
US6982898B2 (en) | 2002-10-15 | 2006-01-03 | Nanochip, Inc. | Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers |
US7133322B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-11-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Probe storage device |
US20060082543A1 (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Van Lydegraf Curt N | Sensing dynamics associated with a device |
US7448273B2 (en) * | 2004-11-16 | 2008-11-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Effecting dynamic measurement of low mass devices |
US20060212978A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Sarah Brandenberger | Apparatus and method for reading bit values using microprobe on a cantilever |
US20070153760A1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Nir Shapira | Method, apparatus and system of spatial division multiple access communication in a wireless local area network |
US7983138B2 (en) * | 2006-10-11 | 2011-07-19 | Seagate Technology Llc | Surface spacing using rigid spacers |
US7903532B2 (en) * | 2006-10-11 | 2011-03-08 | Seagate Technology Llc | Elevated electrodes for probe position sensing |
US7924692B2 (en) * | 2007-01-18 | 2011-04-12 | Seagate Technology Llc | Actuator assembly providing two-dimensional movement of a moveable element in a data storage device |
US7948337B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-05-24 | Seagate Technology Llc | Simultaneous rotational control using offset linear actuators |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5615143A (en) * | 1994-09-19 | 1997-03-25 | Cornell Research Foundation, Inc. | Optomechanical terabit data storage system |
US5557596A (en) * | 1995-03-20 | 1996-09-17 | Gibson; Gary | Ultra-high density storage device |
US6587408B1 (en) * | 1998-10-01 | 2003-07-01 | Massachusetts Institute Of Technology | High-density mechanical memory and turing machine |
-
2002
- 2002-03-28 US US10/109,228 patent/US6925047B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-25 DE DE10307986A patent/DE10307986A1/de not_active Ceased
- 2003-03-26 IT IT000135A patent/ITRM20030135A1/it unknown
- 2003-03-26 JP JP2003085311A patent/JP4386661B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ITRM20030135A1 (it) | 2003-09-29 |
DE10307986A1 (de) | 2003-10-23 |
US6925047B2 (en) | 2005-08-02 |
JP2003338095A (ja) | 2003-11-28 |
ITRM20030135A0 (it) | 2003-03-26 |
US20030185139A1 (en) | 2003-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4386661B2 (ja) | 高密度データ記憶モジュール | |
KR100493151B1 (ko) | 멀티폴디스 스프링을 이용한 다축 구동을 위한싱글스테이지 마이크로 구동기 | |
EP1669984B1 (en) | Support member ('Shipping comb') for protection of the actuator/head assembly of a hard disk drive against damage during transportation. | |
US6515834B1 (en) | Side-arm microactuator with piezoelectric adjuster | |
US7148549B2 (en) | Data storage module suspension system | |
JP4275066B2 (ja) | 可動微小電気機械デバイス | |
CN1187736C (zh) | 盘片驱动器的读写头悬置组件 | |
JP4789162B2 (ja) | 櫛歯を用いたアクチュエータ | |
KR100474835B1 (ko) | 다축 구동을 위한 싱글스테이지 마이크로구동기 | |
US7924692B2 (en) | Actuator assembly providing two-dimensional movement of a moveable element in a data storage device | |
US6765743B2 (en) | Micro-actuator transducer stack inertia cancellation control | |
US20050040730A1 (en) | Two-axis actuator with large area stage | |
US6822933B2 (en) | High density data storage module | |
US7393175B2 (en) | Actuator system for nanoscale movement | |
JP2004001198A (ja) | 超小型電子マシンデバイス用のフレクシュアおよび超小型電子マシンデバイス | |
JPH08279264A (ja) | デイスク装置におけるロードビーム | |
US6356418B1 (en) | Silicon structural support of linear microactuator | |
US6052259A (en) | Head support arm having conductive wires of a disk drive device | |
US7876663B2 (en) | Scanning system for a probe storage device | |
US7532376B1 (en) | Forming an actuating mechanism for a micro-scanning device | |
KR100662463B1 (ko) | 고속 정보 저장장치의 스캐너 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060324 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090224 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090525 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090915 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4386661 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |