JP4384899B2 - Device chip position measurement method - Google Patents

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Description

この発明は、WLCSP(Wafer-level Chip Scale Package)プロセス等において、複数の半導体デバイスが形成されたウェーハあるいはストリップ等から、ダイサによって個片化されてダイシングテープ上に並べられた複数の半導体デバイス(以後「デバイスチップ」ということもある。)のそれぞれの位置を測定する方法に関する。   The present invention relates to a plurality of semiconductor devices (in a WLCSP (Wafer-level Chip Scale Package) process, etc.) that are separated into pieces by a dicer and arranged on a dicing tape from a wafer or strip on which a plurality of semiconductor devices are formed. Hereinafter, it is also referred to as a “device chip”).

携帯電話やデジタルカメラで代表されるハンドヘルド商品は、より小形に、より薄く、より軽くという要請を満たすように改良が続けられている。これらの課題を解決していくために、LSI(large-scale integration)そのものの実装体積と質量を小さく(すなわち面積を小さく厚さを薄く)することが課題となってきている。   Handheld products such as mobile phones and digital cameras continue to be improved to meet the demand for smaller, thinner and lighter products. In order to solve these problems, it has become a problem to reduce the mounting volume and mass of LSI (large-scale integration) itself (that is, to reduce the area and thickness).

LSIそのものの実装体積と質量を小さくする手法としてCSP(Chip Scale Package)が多く使用されている。CSPとは半導体チップの面積とLSI部品としての完成品とがほぼ同じ面積(半導体チップの面積に対し115%程度以下の面積)を持つようにパッケージされた半導体デバイスを指す用語である。半導体チップ周辺に端子を配置するとパッケージサイズが大きくなってしまうため、CSPでは半導体チップ裏面に端子を行列配置する方法がとられる。   CSP (Chip Scale Package) is often used as a method to reduce the mounting volume and mass of LSI itself. CSP is a term that refers to a semiconductor device that is packaged such that the area of the semiconductor chip and the finished product as an LSI component have substantially the same area (area of about 115% or less with respect to the area of the semiconductor chip). If the terminals are arranged around the semiconductor chip, the package size becomes large. Therefore, the CSP employs a method of arranging the terminals in a matrix on the back surface of the semiconductor chip.

CSPは大きく2通りの組み立て方法によって製造される。第1番目の方法は、ウェーハからダイサでダイシングされて個片化された後、ピッキングされた半導体チップを矩形のリードフレーム上に行列状に配置し、その上でモールディング、配線、端子形成を行うもので、このようにして形成されたものをストリップ(Strip)と呼ぶ。ストリップに形成された半導体デバイスはダイサにより個片化され、個別の半導体デバイスとなる。   CSP is manufactured by two main assembly methods. In the first method, after dicing from a wafer with a dicer and separated into individual pieces, the picked semiconductor chips are arranged in a matrix on a rectangular lead frame, and molding, wiring, and terminal formation are performed thereon. A thing formed in this way is called a strip. The semiconductor devices formed in the strip are separated into individual semiconductor devices by a dicer.

第2番目の方法は、ウェーハのまま各半導体チップが形成されている面上にモールディング、配線、端子形成を行う方法であり、このようにして形成されたものをWLCSPと呼ぶ。WLCSPプロセスにおいて、半導体デバイスはダイサにより個片化され、個別の半導体デバイスとなる。   The second method is a method in which molding, wiring, and terminals are formed on the surface on which each semiconductor chip is formed as it is on the wafer, and the thus formed method is called WLCSP. In the WLCSP process, semiconductor devices are separated into individual semiconductor devices by a dicer.

ストリップの外形は矩形、WLCSPの外形はウェーハ形状(円形に近い形状)をしているが、どちらにしてもモールディング等のパッケージングプロセスを完了した後であって、ダイサで個片化され製品として出荷されるより前に、ファイナルテストとよばれる半導体デバイスの特性検査を行い、半導体デバイスを選別する必要がある。   The outer shape of the strip is rectangular, and the outer shape of the WLCSP is a wafer shape (nearly circular), but in any case, after the packaging process such as molding is completed, it is separated into pieces by a dicer. Before shipping, it is necessary to perform a semiconductor device characteristic inspection called a final test to select the semiconductor device.

半導体デバイスの特性検査は、2つの装置を用いて行われる。1つは、特性検査ための電気信号を作り出す装置で、デバイスチップテスタということもある。もう1つは、検査する半導体デバイスを特定し、制御する装置で、プローバ(CSPプローバ、またはCSPハンドラ)ということもある。プローバでは、半導体デバイス1つ1つをウェーハ上で特定するため精密な位置決め機構が必要である。2つの装置は、プローバに設置された測定電極へデバイスチップテスタから測定用ケーブルで接続される。以下の説明において、半導体デバイスの特性検査を、テストあるいはテスティングということもある。   The characteristic inspection of the semiconductor device is performed using two apparatuses. One is a device that generates an electrical signal for characteristic inspection, and is sometimes called a device chip tester. The other is an apparatus that identifies and controls a semiconductor device to be inspected, and is sometimes called a prober (CSP prober or CSP handler). In a prober, a precise positioning mechanism is required to identify each semiconductor device on the wafer. The two devices are connected from a device chip tester to a measurement electrode installed in a prober by a measurement cable. In the following description, the characteristic inspection of a semiconductor device is sometimes referred to as a test or a testing.

ファイナルテストを半導体デバイスの製造プロセスのどの段階で行うかについては以下に述べる3通りの方法があり、それぞれ得失がある。   There are three methods for determining the final stage of the semiconductor device manufacturing process, each of which has advantages and disadvantages.

ファイナルテストの第1番目の方法は、ダイサで半導体デバイスを個片化する前に、半導体デバイスの電気的特性の測定を行う方法である。この場合は個片化を行なう前なので、半導体デバイスの電気的特性測定を行なう時点では、各半導体デバイス相互の位置関係は設計値どおりに厳密に保たれており、測定装置側の電極位置と半導体デバイス側端子の位置とを完全に一致させることができるので好都合である。その反面、測定後にダイサによる個片化という加工がなされるため、その影響を予測できない。つまり測定時に良品であっても、個片化プロセスにより機械的に損傷を受け、その結果電気特性の劣化が発生して不良品となる危険性があるが、このような不良品はこの検査によっては選別できない。   The first method of the final test is a method of measuring electrical characteristics of a semiconductor device before the semiconductor device is separated into pieces by a dicer. In this case, since it is before singulation, at the time of measuring the electrical characteristics of the semiconductor device, the positional relationship between the semiconductor devices is strictly maintained as designed, and the electrode position on the measuring device side and the semiconductor This is advantageous because the position of the device side terminal can be perfectly matched. On the other hand, since the process of singulation with a dicer is performed after measurement, the influence cannot be predicted. In other words, even if it is a good product at the time of measurement, there is a risk that it will be mechanically damaged by the singulation process, resulting in the deterioration of electrical characteristics and becoming a defective product. Cannot be selected.

第2番目の方法は、個片化後に電気的特性測定を行うものであり、ピッカー等によりダイシングテープから取り外され、完全に個片として分離された半導体デバイスを、通常の個片半導体測定用のハンドラで搬送し、測定する方法である。この方法では、仮に個片化時に半導体デバイスが機械的な損傷を受けこの結果電気特性に劣化が発生したとしても、この検査によりその半導体デバイスを選別することができる。しかし先に記述したようにCSPデバイスは小型でかつ薄いことが最大の特徴である。このためにこの搬送によりジャムと呼ばれる搬送エラーが多発する可能性があり、測定のスループットが大きく下がる危険性がある。   The second method is to measure electrical characteristics after singulation. A semiconductor device that is completely separated as a single piece by removing it from the dicing tape with a picker or the like is used for normal semiconductor measurement. It is a method of carrying and measuring with a handler. According to this method, even if a semiconductor device is mechanically damaged during singulation, resulting in deterioration in electrical characteristics, the semiconductor device can be selected by this inspection. However, as described above, CSP devices are characterized by being small and thin. For this reason, there is a possibility that a conveyance error called a jam frequently occurs due to this conveyance, and there is a risk that the measurement throughput is greatly reduced.

第3番目の方法は、個片化後に半導体デバイスの電気的特性測定を行う方法であるが、ピッカーによって完全に個片として分離する前に、ダイシングテープ上に半導体デバイスが貼り付いている状態でこの測定を行う(例えば、非特許文献1参照)。この方法では、上述した第2番目の方法と同様に、機械的な損傷による電気特性の劣化があっても、その電気特性の劣化した半導体デバイスを選別することができる。また、半導体デバイスのサイズ等に関する条件にもよるが、同時に複数の半導体デバイスの電気的特性を測定することで、テスティングのスループットを高めることもできる。しかし個片化により半導体デバイス相互の位置関係が設計値と比べてずれるため、電気的特性の測定精度を維持するためには、半導体デバイス個々の位置を精度よく測定し、測定装置側の電極位置とデバイスチップ側の端子の位置に関して、必要な位置調整をした上で、個々の半導体デバイスの電気的特性が測定できなければならない。   The third method is to measure the electrical characteristics of a semiconductor device after singulation, but before the semiconductor device is completely separated into individual pieces by the picker, the semiconductor device is stuck on the dicing tape. This measurement is performed (for example, refer nonpatent literature 1). In this method, similarly to the second method described above, even if there is a deterioration in electrical characteristics due to mechanical damage, it is possible to select semiconductor devices having degraded electrical characteristics. Further, although depending on conditions relating to the size of the semiconductor device, it is possible to increase the testing throughput by simultaneously measuring the electrical characteristics of a plurality of semiconductor devices. However, since the positional relationship between semiconductor devices shifts from the design value due to singulation, in order to maintain the measurement accuracy of electrical characteristics, the position of each semiconductor device must be measured accurately, and the electrode position on the measuring device side With respect to the positions of the terminals on the device chip side, the electrical characteristics of the individual semiconductor devices must be able to be measured after making necessary positional adjustments.

現在では、WLCSP状の半導体デバイス等の電気的特性を検査するには、上述した第3番目の方法がとられるのが一般的である。すなわち、ウェーハをダイシングした後に、ダイシングテープ上に半導体デバイスが貼り付いている状態で検査をおこなう。   At present, in order to inspect the electrical characteristics of a WLCSP-like semiconductor device or the like, the third method described above is generally used. That is, after the wafer is diced, the inspection is performed in a state where the semiconductor device is stuck on the dicing tape.

この発明は、第3番目の方法において、個片化により半導体デバイス相互の位置関係が相対的に変位しても、半導体デバイス個々の位置を精度よく検出し、半導体デバイスの電気的特性検査を実施するための、デバイスチップの位置測定方法に関するものである。
佐藤 譲 「最新パッケージ用検査装置の技術動向」 雑誌“エレクトロニクス実装技術”2002年12月号(Vol.18, No.12)
In this third method, even if the positional relationship between semiconductor devices is relatively displaced due to singulation, the position of each semiconductor device is accurately detected and the electrical characteristics of the semiconductor device are inspected. Therefore, the present invention relates to a device chip position measurement method.
Joe Sato “Technology Trends of Latest Package Inspection Equipment” Magazine “Electronics Packaging Technology” December 2002 (Vol.18, No.12)

上述した第3番目の方法によって、半導体デバイスの電気的特性検査を実施できるようにした非特許文献1に記載されている方法においては、後述する問題点が存在する。これらの課題を、
A.個片化により発生する半導体デバイス間隔のばらつきに関する課題
A-1.ダイシングテープの伸張(最大伸張量についての簡単な考察)
A-2.マルチサイトテスティングにおける制約
B.再テスティング時に歯抜けとなった半導体デバイスのアライメントに関する課題
の順に説明する。
In the method described in Non-Patent Document 1 in which the electrical characteristic inspection of the semiconductor device can be performed by the third method described above, there are problems described later. These challenges
A. Issues related to variations in semiconductor device spacing caused by singulation
A-1. Dicing tape stretch (Simple consideration on maximum stretch)
A-2. Restrictions on multi-site testing Description will be made in the order of the problems related to the alignment of the semiconductor device that has lost teeth during retesting.

A.個片化により発生する半導体デバイスチップ間隔のばらつきに関する課題
図1(A)及び(B)を参照して、WLCSPを個別の半導体デバイスチップに切り出しをするプロセスを説明する。図1(A)には、個片化する前の状態を、図1(B)には、個片化した後の状態のそれぞれを概略的に示す断面図を示す。WLCSP 10は、ダイシングフレーム12と接合された、ダイシングテープ14上に貼られている。WLCSP 10には、デバイスチップ10aとデバイスチップ10aの間に個片化する部分(ダイシングライン)16が設けられている。図1(A)では部分16を白く表示した。ダイサ等個片化する装置で、ダイシングテープに達するか、又はダイシングテープにわずかに入り込む深さに達する位置まで切り込みをいれ、この部分16を切り離す(以後「個片化する」ということもある。)。
A. Issues related to variations in semiconductor device chip spacing caused by singulation Referring to FIGS. 1A and 1B, a process for cutting out WLCSP into individual semiconductor device chips will be described. FIG. 1A is a cross-sectional view schematically showing a state before singulation, and FIG. 1B is a cross-sectional view schematically showing the state after singulation. The WLCSP 10 is affixed on a dicing tape 14 joined to a dicing frame 12. The WLCSP 10 is provided with a portion (dicing line) 16 that is separated into pieces between the device chip 10a and the device chip 10a. In FIG. 1 (A), the portion 16 is displayed in white. A device that divides into individual pieces, such as a dicer, cuts up to a position that reaches the dicing tape or reaches a depth that slightly enters the dicing tape, and separates this portion 16 (hereinafter, sometimes referred to as “single piece”). ).

WLCSPが個片化されると、デバイスチップ10aを接続していた部分16が無くなり、すなわち切り欠き部18となり、デバイスチップ10aが分離される。また、切り込みを入れられた部分16aのダイシングテープ自身の張力が弱くなることから、図1(B)に示すように切り込みをいれられた部分16aのダイシングテープが伸張する。もちろん、ダイシングテープが伸張する原因には他の理由もある。例えば、ダイシングブレードから伸張するように力が加わる等でダイシングテープは伸張する。ダイシングテープが伸張すると、デバイスチップ12aとダイシングテープ14の重量により弛み20が発生する。   When the WLCSP is divided into pieces, the portion 16 to which the device chip 10a is connected disappears, that is, the cutout portion 18 is formed, and the device chip 10a is separated. Further, since the tension of the dicing tape itself in the cut portion 16a is weakened, the dicing tape in the cut portion 16a expands as shown in FIG. Of course, there are other reasons why the dicing tape stretches. For example, the dicing tape expands when a force is applied to extend from the dicing blade. When the dicing tape is extended, the slack 20 is generated due to the weight of the device chip 12a and the dicing tape.

上述したように、デバイスチップが個片化されるとダイシングテープは伸張するが、それはデバイスチップが、個片化前において規則的に配列されていた位置から、個片化することによって変位することを意味する。ダイサで、ダイシングテープが存在する位置に達するまで切り込む、いわゆるフルカットを行った場合、個片化されたデバイスチップは、互いに無関係に変位するのではなく、周りのデバイスチップとゆるい結合的関係を保ちながら集団的に変位する。   As described above, when the device chip is singulated, the dicing tape is stretched, which means that the device chip is displaced by singulating from the position where the device chip is regularly arranged before singulation. Means. When a dicer is used to cut a dicing tape until it reaches the position where the dicing tape is present, the separated device chips do not displace independently of each other, but have a loosely connected relationship with the surrounding device chips. Displace collectively while keeping.

図2(A)及び(B)を参照して、上述したデバイスチップを個片化する時に発生するデバイスチップの変位の様子を説明する。この図は、WLCSPの表面に対して垂直の方向から見て描いた、部分的な概略図である。図2(A)及び(B)において、個々のデバイスチップ10aは長方形の太枠で示されている。切削されるストリート部分22a及び22bは、個片化する前は図2(A)において22aで示すように直線的であるが、個片化後は図2(B)において22bで示すように直線ではなく、曲線となることが一般的に見られる傾向である。   With reference to FIGS. 2 (A) and 2 (B), the state of displacement of the device chip that occurs when the above-described device chip is separated will be described. This figure is a partial schematic drawing seen from a direction perpendicular to the surface of the WLCSP. 2A and 2B, each device chip 10a is indicated by a rectangular thick frame. The street portions 22a and 22b to be cut are linear as shown by 22a in FIG.2 (A) before being singulated, but are straight as shown by 22b in FIG.2 (B) after being singulated. Instead, it tends to be a curve.

図2(A)及び(B)示したデバイスチップ10aの並びの形状から推定できるように、隣り合う2つのデバイスチップ間でストリートに対するその傾き角度が大きく異なることはなく、隣り合う2つのデバイスチップ間隔も、個片化する前と比べて大きく変化することはない。しかしながら、細かく見ると、デバイスチップ間隔は一定ではなく、デバイスチップの回転角度にも個々のデバイスチップ間で差異が発生する。   As can be inferred from the arrangement shape of the device chips 10a shown in FIGS. 2A and 2B, the two adjacent device chips are not greatly different in inclination angle with respect to the street between the two adjacent device chips. The interval does not change much compared to before the separation. However, when viewed in detail, the device chip interval is not constant, and the rotation angle of the device chip also varies between individual device chips.

A-1.ダイシングテープの伸張(最大伸張量についての簡単な考察)
上述したように、WLCSPがダイサによってデバイスチップを個片化するために切込みを入れる(以後「ダイシングする」ということもある。)作業を行なうと、切り込みをいれられた部分16aのダイシングテープが伸張する。このようにダイシングテープが伸張することによって発生するダイシングテープの弛み量の大きさと、ダイシングテープの最大伸張量の大きさとの関係をここで考察する。
A-1. Dicing tape stretch (Simple consideration on maximum stretch)
As described above, when the WLCSP makes a cut to separate the device chip by the dicer (hereinafter, sometimes referred to as “dicing”), the dicing tape of the cut portion 16a expands. To do. The relationship between the amount of slackness of the dicing tape generated by the expansion of the dicing tape and the size of the maximum amount of extension of the dicing tape will now be considered.

8インチの大きさのWLCSPを固定するためのダイシングフレームの内径は300 mmである。そこで、図3を参照して、ダイシングテープに貼り付けられて、そのダイシングテープが、内径300 mmのダイシングフレームに固定されている場合を例に取り上げて考察する。図3は、ダイシングテープに貼り付けられているWLCSPの表面に垂直な方向で切断した断面図であり、ダイシングフレーム24にマウントされたダイシングテープ26の伸張量と弛み量28との関係を抽象して描いている。弛み量は、弛まない状態にあるダイシングテープの非弛みテープ面と、弛んだときの弛みテープ面との、非弛みテープ面に垂直な方向の間隔である。   The inner diameter of a dicing frame for fixing an 8-inch WLCSP is 300 mm. Therefore, with reference to FIG. 3, the case where it is attached to a dicing tape and fixed to a dicing frame having an inner diameter of 300 mm will be taken up as an example. FIG. 3 is a cross-sectional view cut in a direction perpendicular to the surface of the WLCSP affixed to the dicing tape, and abstracts the relationship between the extension amount and the slack amount 28 of the dicing tape 26 mounted on the dicing frame 24. I draw. The amount of looseness is the distance in the direction perpendicular to the non-slack tape surface between the non-slack tape surface of the dicing tape that is not slack and the slack tape surface when it is slack.

簡単化のため、ダイシングテープの弛んだ部分が円の一部で近似できる形状をしているものと仮定する。現在流通しているダイサではデバイスチップを搬送する上で許容される弛み量が5〜6mmであることから、ここでは余裕を見て弛み量28が10 mm程度になるように円の半径Rと中心角度を仮定する。中心角度を15°と仮定すれば、図3中に示す角度Θは、7.5°となるので、次式が成立する。
R×sin(7.5°) = 150.0 mm
よって、R = 1149.0 mmとなり、
伸張量 = ( R×(7.5°)− R×sin(7.5°) )×2 = 0.858 mm
弛み量 = R − R×cos(7.5°) = 9.829 mm
となる。
For simplicity, it is assumed that the slack portion of the dicing tape has a shape that can be approximated by a part of a circle. In the dicers currently in circulation, the amount of slack allowed for transporting device chips is 5 to 6 mm. Therefore, here, the radius R of the circle is set so that the slack amount 28 is about 10 mm with a margin. Assume a center angle. Assuming that the center angle is 15 °, the angle Θ shown in FIG. 3 is 7.5 °, and the following equation is established.
R × sin (7.5 °) = 150.0 mm
Therefore, R = 1149.0 mm
Extension amount = (R × (7.5 °) −R × sin (7.5 °)) × 2 = 0.858mm
Looseness = R − R × cos (7.5 °) = 9.829 mm
It becomes.

上述した評価から、弛み量はテープ伸張量に対して10倍程度違っており、個片化されたデバイスチップが貼り付けられたダイシングテープの伸張量は、最大でも1 mm程度であると結論できる。   From the above evaluation, it can be concluded that the amount of slack is about 10 times the amount of tape expansion, and the maximum amount of dicing tape with individual device chips attached is about 1 mm at maximum. .

図4は、ダイシングテープに貼り付けられているWLCSPの表面に垂直な方向からみた、個片化後にダイシングテープが伸張した状態のデバイスチップの並びの様子を部分的に示す概略図であり、デバイスチップは、太線で囲った四辺形で示されている。図4を参照して、このようにダイシングテープ上での最大伸張量を1mmとみなした場合における、WLCSPの中央部分と左右両端付近での状況を説明する。   FIG. 4 is a schematic view partially showing the arrangement of device chips in a state where the dicing tape is stretched after singulation, as viewed from the direction perpendicular to the surface of the WLCSP attached to the dicing tape. The chip is shown as a quadrilateral surrounded by a thick line. With reference to FIG. 4, the situation in the vicinity of the center portion of the WLCSP and both left and right ends when the maximum extension amount on the dicing tape is assumed to be 1 mm will be described.

デバイスチップ30とデバイスチップ32とは隣接した異なる行にそれぞれ並ぶデバイスチップである。図4中において、一点鎖線34は個片化される前の行方向デバイスチップの中心線を結んだものである。図4中で間隔36と示してある部分が、個片化後のデバイスチップの、個片化される前の行方向デバイスチップの中心線に対する、左端デバイスチップの中心位置の偏差を示す。   The device chip 30 and the device chip 32 are device chips arranged in different rows adjacent to each other. In FIG. 4, an alternate long and short dash line 34 connects the center lines of the row direction device chips before being singulated. 4 indicates the deviation of the center position of the left end device chip from the center line of the row direction device chip before the singulation of the device chip after singulation.

同一行のデバイスチップを他の行に存在するデバイスチップと間違って認識されるという状況が起きると、デバイスチップのテストプロセス上問題となる。しかし、デバイスチップの大きさが2mm×2mm以上であれば、図4に示すような、中央付近のデバイスチップのX方向(紙面上の左右方向)の中心線がWLCSPの端の方で一つ下の行デバイスチップの位置に存在すると認識されてしまうということは、偏差maxが1mm以下であるという先の考察から起こらないといえる。   If a situation occurs in which device chips in the same row are mistakenly recognized as device chips in other rows, a problem occurs in the device chip test process. However, if the size of the device chip is 2mm x 2mm or more, as shown in Fig. 4, the center line of the device chip near the center in the X direction (left and right direction on the paper) is one at the end of the WLCSP. The fact that it is recognized that it exists at the position of the lower row device chip does not occur from the previous consideration that the deviation max is 1 mm or less.

以上説明したようにデバイスチップの大きさが2mm×2mm以上であれば、WLCSP上のデバイスチップは、デバイスチップを指定する行位置について1つ下の行位置又は1つ上の行位置と重なる程にはずれることはない。もちろん列方向についても行方向と同様のことがいえる。   As described above, when the size of the device chip is 2 mm × 2 mm or more, the device chip on the WLCSP is overlapped with the row position that is one lower or higher than the row position that designates the device chip. There is nothing wrong with it. Of course, the same can be said about the column direction as well as the row direction.

A-2.マルチサイトテスティングにおける制約
WLCSPの電気的特性試験を行なうCSPプロ−バ(「CSPハンドラ」と呼ばれることもある。)を用いたテストプロセスでは、マルチサイトテスティングを行なうことが一般的である。マルチサイトテスティングとは、テスタの測定電極を、デバイスチップ単位でテストする数だけ行列状に並べ、多数のデバイスチップに対するデバイステストを同時に実行することを言う。CSPプロ−バの特徴の1つは、同時に多数のデバイスチップをダイシングテープに貼ったままでテスト出来ることにある。このようにすることで、デバイスチップの製造プロセスを短縮することができる。
A-2. Restrictions on multi-site testing
In a test process using a CSP probe (sometimes referred to as a “CSP handler”) that performs electrical characteristic tests of WLCSP, it is common to perform multi-site testing. Multi-site testing means that the test electrodes of the tester are arranged in a matrix by the number to be tested for each device chip, and device tests for a large number of device chips are executed simultaneously. One of the features of the CSP probe is that it can be tested while a large number of device chips are still attached to the dicing tape. By doing in this way, the manufacturing process of a device chip can be shortened.

図5(A)にテスタの測定電極38(「ポゴピン」と呼ばれることもある。)を示し、図5(B)にデバイスチップ40の端子、すなわちデバイス電極42(「バンプ」と呼ばれることもある。)の一例を示す。この例では、直交する縦横方向にそれぞれ2個ずつのテスタが配置され、同じく直交する縦横方向にそれぞれ2個ずつのデバイスチップが配置された、いわゆる2行2列のマルチサイトテスティングが行なわれる場合を示している。2行2列のマルチサイトテスティングでテストできるデバイスチップの数は2×2=4であることから、2行2列であることを2×2と表記し、2行2列のマルチサイトテスティングを、4(2×2)マルチサイトテスティングと記載することとする。   FIG. 5A shows a measurement electrode 38 (sometimes called “pogo pin”) of the tester, and FIG. 5B shows a terminal of the device chip 40, that is, device electrode 42 (sometimes called “bump”). .) Is an example. In this example, so-called 2-by-2 multi-site testing is performed in which two testers are arranged in the vertical and horizontal directions orthogonal to each other, and two device chips are arranged in the vertical and horizontal directions orthogonal to each other. Shows the case. Since the number of device chips that can be tested by multi-site testing of 2 rows and 2 columns is 2 x 2 = 4, 2 x 2 is represented as 2 x 2 and multi-site testing of 2 rows and 2 columns. Sting is described as 4 (2 × 2) multi-site testing.

デバイスチップが個片化されると、デバイスチップ間隔は、一般的には個片化される前の間隔、すなわち設計値に比べて、個片化されることによって伸張する。図6を参照して、デバイスチップ間隔が伸張して、デバイスチップ間隔に設計値と差異がある場合の例を説明する。図6において、四つの正方形はデバイスチップ40の外周辺を示し、また、白丸でテスタの測定電極38を、黒い正方形でデバイスチップ40のデバイス電極42をそれぞれ概略的に示している。   When device chips are singulated, the device chip interval is generally expanded by being singulated as compared to the interval before the singulation, that is, the design value. With reference to FIG. 6, an example in which the device chip interval is extended and the device chip interval is different from the design value will be described. In FIG. 6, four squares indicate the outer periphery of the device chip 40, and the white circles schematically indicate the measurement electrodes 38 of the tester, and the black squares schematically indicate the device electrodes 42 of the device chip 40.

図6に示されているように、デバイスチップ間隔が個片化によって広がると、マルチサイトテスティングでは、テスタの測定電極38とデバイス電極42との間で、ずれが発生する。このようなテスタの測定電極とデバイス電極との間でずれが生じている状態でテストを実行すれば、そのテストの対象であるデバイスチップそのものがフェイルであるのか、測定電極とデバイス電極との接触不良が原因でフェイルと判断されたのかが区別できない。また、測定電極とデバイス電極とがずれて接触することでデバイスチップに損傷を与えることもある。すなわちデバイスチップ間隔が、テスティングにおいて許容される値以上に開いている場合には、このデバイスチップはテストされないように除外しておかなければならない。   As shown in FIG. 6, when the device chip interval is widened by singulation, a shift occurs between the measurement electrode 38 of the tester and the device electrode 42 in multi-site testing. If the test is executed in a state where there is a deviation between the measurement electrode and the device electrode of such a tester, whether the device chip itself as a target of the test is a failure or the contact between the measurement electrode and the device electrode. It is not possible to distinguish whether the failure was determined to be a failure. Further, the device electrode may be damaged by the contact between the measurement electrode and the device electrode that are shifted. That is, if the device chip interval is larger than the allowable value for testing, this device chip must be excluded from being tested.

図7(A)及び(B)を参照して、傾いた状態のデバイスチップをテストする場合の対処方法を説明する。図7(A)に示すようにデバイスチップがテスタの測定電極の並び方向から傾いている場合には、ダイシングテープに貼り付けられているデバイスチップが乗った、測定テーブルを回転させて、図7(B)に示すように、デバイスチップの角度をテスタの測定電極の並び方向に補正すれば、マルチサイトテスティングを行なう場合でも問題なくテストが行える。   With reference to FIGS. 7A and 7B, a coping method when testing a tilted device chip will be described. As shown in FIG. 7A, when the device chip is tilted from the direction in which the measurement electrodes of the tester are arranged, the measurement table on which the device chip attached to the dicing tape is mounted is rotated. As shown in (B), if the angle of the device chip is corrected in the direction in which the measurement electrodes of the tester are arranged, the test can be performed without any problem even when performing multi-site testing.

図7(A)及び(B)を参照して説明したテスティングは4(2×2)マルチサイトテスティングであると仮定したので、デバイスチップの傾き角度は、隣り合う2つのデバイスチップの中心位置を結ぶ直線の、座標軸とのなす角であるとみなして測定して求める。マルチサイトテスティングを4(2×2)より大きな規模にわたる範囲で行なう場合には、測定対象となるデバイスチップの数に対応する多数のデバイスチップの中心位置とデバイスチップの数に対応する測定電極のデバイス単位の中心位置とから最小二乗法を用いて角度と平行移動量を算出し、この値を用いてテスティングを実行する。すなわち、図7(A)及び(B)で示した方法は、デバイスチップの位置を求め、続いてこのデバイスチップの傾き角度を補正するプロセスを実施した後で、テスティングを実行する方法である。   Since the testing described with reference to FIGS. 7A and 7B is assumed to be 4 (2 × 2) multi-site testing, the tilt angle of the device chip is the center of two adjacent device chips. The straight line connecting the positions is considered to be the angle formed with the coordinate axis, and is obtained by measurement. When multi-site testing is performed over a range larger than 4 (2 × 2), the center positions of many device chips corresponding to the number of device chips to be measured and the measurement electrodes corresponding to the number of device chips The angle and the parallel movement amount are calculated from the center position of the device unit by using the least square method, and the testing is executed using this value. That is, the method shown in FIGS. 7A and 7B is a method of performing testing after obtaining the position of the device chip and subsequently performing the process of correcting the tilt angle of the device chip. .

個々のデバイスチップの傾き角度を正確に測定するとすれば、個々のデバイスチップに対して2箇所以上の位置を測定しなければならない。個々のデバイスチップの角度を求めることは、アライメントに大変長い時間がかかるので、デバイスチップ量産時のアライメントプロセスには、個々のデバイスチップごとの角度を測定するという手法を取り入れないことが現実的である。   If the inclination angle of each device chip is to be accurately measured, two or more positions must be measured with respect to each device chip. Obtaining the angle of each device chip takes a very long time for alignment, so it is realistic not to incorporate the method of measuring the angle of each device chip into the alignment process during device chip mass production. is there.

以後、アライメントという用語を、デバイスチップの電気的特性評価する場合に、テスタの測定電極とデバイス電極との位置を合わせるためにデバイスチップのデバイス電極位置を確定すること、又はこの位置合わせのためにデバイスチップの位置を調整するという意味に用いるものとする。また、アライメントという用語を、デバイスチップのデバイス電極位置を確定しデバイスチップの位置を調整するという意味にも用いるものとする。   Hereinafter, the term “alignment” is used to determine the position of the device electrode of the device chip in order to align the measurement electrode of the tester and the device electrode when the electrical characteristics of the device chip are evaluated. It is used to mean that the position of the device chip is adjusted. The term alignment is also used to mean that the device electrode position of the device chip is determined and the position of the device chip is adjusted.

B.再テスティング時に歯抜けとなった半導体デバイスチップのアライメントに関する課題
再テスティングの実施タイミングとして、ピッカープロセスより前に行なうか、ピッカープロセスの後においてピッカーによりデバイスチップの一部が取り除かれた後に行なうかの、二通りの実施タイミングが考えられる。いずれにしても、CSPプローバやCSPハンドラでの搬送等により、測定の前後でダイシングテープの張力が変化する。このことは、ダイシングフレームを測定装置(CSPプローバまたはCSPハンドラ)にロードする前後でデバイスチップ間隔に変化が生じ得ることを意味する。
B. Issues related to alignment of semiconductor device chips that are missing during retesting Retesting is performed before the picker process or after part of the device chip is removed by the picker after the picker process There are two possible timings. In any case, the tension of the dicing tape changes before and after the measurement due to conveyance by a CSP prober or CSP handler. This means that the device chip interval can change before and after loading the dicing frame into the measuring device (CSP prober or CSP handler).

さらに、ピッカープロセスより後に実施される再テスティングおいては、デバイスチップ間隔の変化に加えて、デバイスチップの抜き取りにより、デバイスチップの並びの形状(2次元配列)が測定ごとにおいて同じになるとは限らない。いわゆる「歯抜け」状態が出現する。   Furthermore, in re-testing performed after the picker process, in addition to the change in the device chip interval, the shape of the device chips (two-dimensional array) is the same for each measurement due to the removal of the device chips. Not exclusively. A so-called “tooth loss” condition appears.

上述したように歯抜けの状態にあるため、初回のテスティングで設定された基準測定点の位置に存在するデバイスチップが抜き取られていることがあり得る。このような事情から、アライメントのための基準測定点を再設定することが必要となる。テスティングプロセスにおいて必要とされる十分に良い精度で求めるには、どのような方法で基準測定点を再設定すればよいか、検討する必要がある。   As described above, since the tooth is missing, the device chip existing at the position of the reference measurement point set in the initial testing may be extracted. Under such circumstances, it is necessary to reset the reference measurement points for alignment. In order to obtain the sufficiently high accuracy required in the testing process, it is necessary to consider how the reference measurement point should be reset.

WLCSP テスティングプロセスにおいては、まず、デバイスチップの個々の位置を精度よく測定し、その結果に基づいてデバイスチップの位置とテスタの測定電極の位置との関係を調整した上で、デバイスチップの電気的特性測定ができなければならない。しかしながら、上述したように従来の方法においては、ダイサで個片化された後、個々のデバイスチップの中心座標を精度よく測定するには解決すべき課題があった。   In the WLCSP testing process, first, each position of the device chip is accurately measured, and the relationship between the position of the device chip and the position of the measurement electrode of the tester is adjusted based on the result, and then the electrical power of the device chip is adjusted. It must be possible to measure mechanical characteristics. However, as described above, in the conventional method, there is a problem to be solved in order to accurately measure the center coordinates of each device chip after being separated into pieces by a dicer.

そこで、この発明は、上述した課題を解決し、ダイシングテープ上で、個片化されたデバイスチップの個々の中心位置座標を測定できる(算出できる)、デバイスチップ位置測定方法を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention provides a device chip position measuring method that solves the above-described problems and that can measure (calculate) the individual center position coordinates of the separated device chips on a dicing tape. .

そこで、この発明のデバイスチップ位置測定方法は、下記のようなステップを有する。   Therefore, the device chip position measuring method of the present invention includes the following steps.

第1の発明は、初期測定領域分割ステップと、画像処理ステップとを具えたデバイスチップ位置測定方法である。   The first invention is a device chip position measuring method comprising an initial measurement area dividing step and an image processing step.

初期測定領域分割ステップは、同一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上を初期基準測定点として設定してデバイスチップ並びの2次元配列を該4点以上の初期基準測定点で囲まれる初期測定領域に分割するステップである。画像処理ステップは、初期測定領域分割ステップで設定されたすべての初期基準測定点に位置するデバイスチップ中心座標を測定し、このデバイスチップの中心座標と、このデバイスチップが行列上に2次元配列されている状況においてこのデバイスチップが行及び列のそれぞれ何番目に位置しているかを示す2つの整数の組み合わせとして指定するインデックスと、を対応させる射影変換を定め、4点以上の初期基準測定点で形成される初期測定領域に含まれるすべてのデバイスチップの中心座標を、射影変換を用いて算出するステップである。 In the initial measurement area division step, four or more points that do not have three or more points on the same line are set as initial reference measurement points, and a two-dimensional array of device chips is surrounded by the four or more initial reference measurement points. Dividing the initial measurement area. The image processing step measures the center coordinates of the device chip located at all the initial reference measurement points set in the initial measurement area dividing step, and the device chip center coordinates and the device chip are arranged in a two-dimensional array on the matrix. In this situation, a projective transformation is defined to correspond to an index specified as a combination of two integers indicating the number of rows and columns in which this device chip is located. The center coordinates of all the device chips included in the initial measurement region formed in (1) are calculated using projective transformation .

初期測定領域分割ステップで、“点“と表現していることは、2次元のデバイスチップ並びの配列(インデックスマップということもある)上の1点として指定される位置の(2次元デバイスチップ配列上で2つの整数の組み合わせとして指定される位置の)デバイスチップを意味する。基準測定点とは、インデックスマップ上で点として指定されたデバイスチップを指し、該デバイスチップの中心位置の座標を測定するデバイスチップを示す。測定領域(領域ということもある)とは、インデックスマップ上で設定された基準測定点を領域境界点として、順に繋げて形成される多角形を指す。WLCSP上の全デバイスチップは、基準測定点で形成される測定領域のいずれかに属することとなる。点、基準測定点、および測定領域については、以下の発明においても共通の定義である。   In the initial measurement area dividing step, “point” is expressed as a (two-dimensional device chip array) at a position designated as one point on a two-dimensional device chip array (also referred to as an index map). Device chip (in the position specified above as a combination of two integers). The reference measurement point refers to a device chip designated as a point on the index map, and indicates a device chip that measures the coordinates of the center position of the device chip. A measurement region (sometimes referred to as a region) refers to a polygon formed by sequentially connecting reference measurement points set on an index map as region boundary points. All device chips on the WLCSP belong to one of the measurement areas formed at the reference measurement point. The point, the reference measurement point, and the measurement region are common definitions in the following inventions.

第2の発明は、初期測定領域分割ステップと、画像処理ステップと、検定ステップと、再分割ステップとを具えたデバイスチップ位置測定方法である。   The second invention is a device chip position measuring method comprising an initial measurement region dividing step, an image processing step, a verification step, and a subdivision step.

初期測定領域分割ステップは、同一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上を初期基準測定点として設定してデバイスチップ並びの2次元配列を該4点以上の初期基準測定点で囲まれる初期測定領域に分割するステップである。
画像処理ステップは、初期基準測定点として設定された4点以上のデバイスチップ中心座標を測定し、該4点以上の初期基準測定点で囲まれる初期測定領域に含まれるデバイスチップ中心の位置座標を算出するステップである。
In the initial measurement area division step, four or more points that do not have three or more points on the same line are set as initial reference measurement points, and a two-dimensional array of device chips is surrounded by the four or more initial reference measurement points. Dividing the initial measurement area.
In the image processing step, four or more device chip center coordinates set as initial reference measurement points are measured, and the position coordinates of the device chip center included in the initial measurement region surrounded by the four or more initial reference measurement points are determined. This is a calculating step.

検定ステップは、上述した画像処理ステップで算出されたデバイスチップの中心座標を、実測されたデバイスチップの中心座標と比較し、両者の位置の合致度合が、前記デバイスチップの電気特性の測定に要する必要合致度合に収まっているか否かを判定するステップである。   The verification step compares the center coordinates of the device chip calculated in the above-described image processing step with the measured center coordinates of the device chip, and the degree of coincidence of both positions is necessary for measuring the electrical characteristics of the device chip. In this step, it is determined whether or not the required matching degree is satisfied.

再分割ステップは、上述した検定ステップにおける検定結果に基づいて、必要合致度合の範囲内に収まっていないデバイスチップを含む測定領域に対して、位置の合致度合が、必要合致度合以内に収まるまで、新たに一直線上に3点以上が並ぶことがないように新たに選び出した点を新基準測定点として設定して、初期測定領域を、4点以上の基準測定点で囲まれる分割領域に階層的に分割を進めるステップである。   The subdivision step is based on the test result in the above-described test step, until the position match level is within the required match level for the measurement region including the device chip that is not within the required match level range. Set the newly selected point as a new reference measurement point so that three or more points do not line up on a straight line, and hierarchically divide the initial measurement area into divided areas surrounded by four or more reference measurement points This is a step to advance the division.

第3の発明は、領域データロードステップと、画像処理ステップとを具えたデバイスチップ位置測定方法である。   A third invention is a device chip position measuring method comprising a region data loading step and an image processing step.

領域データロードステップは、同一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上を基準測定点として、デバイスチップ並びの2次元配列を該4点以上の基準測定点で囲まれる測定領域に分割して、得られる全基準測定点に関する情報(基準点一覧データ)、及び分割された測定領域とデバイスチップ並びの2次元配列との関係を管理する情報(領域化データ)を、保存されている不揮発性記憶装置からロードするステップである。   The area data loading step divides the two-dimensional array of device chips into measurement areas surrounded by the four or more reference measurement points, using four or more points that do not have three or more points on the same line as reference measurement points. Thus, information (reference point list data) regarding all the reference measurement points obtained and information (regional data) for managing the relationship between the divided measurement regions and the two-dimensional array of device chips are stored. Loading from a non-volatile storage device.

画像処理ステップは、基準測定点としてロードされた4点以上のデバイスチップ中心座標を測定し、該領域化データを使用して、該4点以上の基準測定点で囲まれる測定領域に含まれるデバイスチップ中心の位置座標を算出するステップである。   The image processing step measures four or more device chip center coordinates loaded as reference measurement points, and uses the regionized data to include devices included in a measurement region surrounded by the four or more reference measurement points This is a step of calculating the position coordinates of the chip center.

第4の発明は、初期測定領域分割ステップと、画像処理ステップと、基準測定点の座標管理ステップと、別基準測定点選定ステップとを具えたデバイスチップ位置測定方法である。   A fourth invention is a device chip position measurement method comprising an initial measurement region dividing step, an image processing step, a reference measurement point coordinate management step, and another reference measurement point selection step.

初期測定領域分割ステップは、同一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上を初期基準測定点として設定してデバイスチップ並びの2次元配列を該4点以上の初期基準測定点で囲まれる初期測定領域に分割するステップである。   In the initial measurement area division step, four or more points that do not have three or more points on the same line are set as initial reference measurement points, and a two-dimensional array of device chips is surrounded by the four or more initial reference measurement points. Dividing the initial measurement area.

画像処理ステップは、初期測定領域分割ステップで設定されたすべての初期基準測定点に位置するデバイスチップ中心座標を測定し、このデバイスチップの中心座標と、このデバイスチップが行列上に2次元配列されている状況においてこのデバイスチップが行及び列のそれぞれ何番目に位置しているかを示す2つの整数の組み合わせとして指定するインデックスと、を対応させる射影変換を定め、4点以上の初期基準測定点で形成される初期測定領域に含まれるすべてのデバイスチップ心座標を、射影変換を用いて算出するステップである。 The image processing step measures the center coordinates of the device chip located at all the initial reference measurement points set in the initial measurement area dividing step, and the device chip center coordinates and the device chip are arranged in a two-dimensional array on the matrix. In this situation, a projective transformation is defined to correspond to an index specified as a combination of two integers indicating the number of rows and columns in which this device chip is located. in the heart coordinates of all the device chips included in the initial measurement region formed is a step of calculating using projective transformation.

基準測定点の座標管理ステップは、デバイスチップを乗せているダイシングテープを固定しているダイシングフレームに任意に設定した位置を基準位置として、この基準位置に基づいてダイシングテープ上のデバイスチップの中から特定のデバイスチップ中心の位置を指定するための基準測定点座標を管理するステップである。   The coordinate management step for the reference measurement point is based on this reference position from among the device chips on the dicing tape, with the position arbitrarily set on the dicing frame fixing the dicing tape on which the device chip is placed as a reference position. This is a step of managing reference measurement point coordinates for designating the position of a specific device chip center.

別基準測定点選定ステップは、基準測定点座標に対応する位置にデバイスチップが存在しない場合に、及び該別基準測定点も含めて基準測定点を繋げて形成される多角形で領域内のすべてのデバイスチップを覆えない場合には、別の基準測定点として別基準測定点を選定し、付加するステップである。   The different reference measurement point selection step is a polygon formed by connecting the reference measurement points including the other reference measurement point when no device chip exists at the position corresponding to the reference measurement point coordinates, When the device chip cannot be covered, another reference measurement point is selected and added as another reference measurement point.

第1の発明によれば、ダイシングテープ上で個片化されたすべてのデバイスチップの中心座標を算出することができる。初期測定領域分割ステップによって、選び出された初期基準測定点で囲まれる領域にあるデバイスチップの中心位置は、直接測定しなくとも計算で求められる。したがって、デバイスチップの全数を測定してその位置を確定する方法と比べて、測定工数を節約できる。   According to the first invention, the center coordinates of all device chips singulated on the dicing tape can be calculated. The center position of the device chip in the region surrounded by the initial reference measurement points selected by the initial measurement region dividing step can be obtained by calculation without direct measurement. Therefore, the measurement man-hours can be saved as compared with the method of measuring the total number of device chips and determining their positions.

第2の発明によれば、上述した第1の発明で算出されたデバイスチップの中心座標と、実測されたデバイスチップの中心座標とを比較し、検定ステップによって、両者の位置の合致度合が、デバイスチップの電気特性の測定に要する必要合致度合に収まっているか否かを判定される。したがって、位置の合致度合が必要合致度合の範囲内に収まっていれば、電気的特性の測定プロセスに進める。なお、合致度合を単に合致度とも称する。一方、位置の合致度合が必要合致度合の範囲内に収まっていなければ、次のステップである再分割ステップが実行される。   According to the second invention, the center coordinates of the device chip calculated in the first invention described above are compared with the measured center coordinates of the device chip. It is determined whether or not the degree of conformity necessary for measuring the electrical characteristics of the device chip is satisfied. Therefore, if the degree of match of the position is within the range of the required degree of match, the process proceeds to the electrical characteristic measurement process. The degree of coincidence is also simply referred to as the degree of coincidence. On the other hand, if the matching degree of the position does not fall within the range of the required matching degree, a subdivision step that is the next step is executed.

再分割ステップでは、検定ステップにおける検定結果に基づいて、必要合致度合の範囲内に収まっていないデバイスチップを含む測定領域に対して、位置の合致度合が、デバイスチップの電気特性の測定に要する必要合致度合以内に収まるまで、新たに選び出した4点で囲まれる分割領域に、階層的に初期測定領域の分割が進められる。この結果、算出されたデバイスチップの中心座標と実測されたデバイスチップの中心座標との位置の合致度合が、要求される必要合致度合の範囲内に収められ、最終的にデバイスチップの電気的特性の測定プロセスに進むことができる。   In the subdivision step, based on the test result in the test step, the position match level is required for measuring the electrical characteristics of the device chip for the measurement area that includes the device chip that is not within the required match level range. The initial measurement area is hierarchically divided into the newly selected divided areas surrounded by the four points until the degree of match is within the range. As a result, the degree of coincidence between the calculated center coordinates of the device chip and the measured center coordinates of the device chip falls within the required degree of coincidence, and finally the electrical characteristics of the device chip. You can proceed to the measurement process.

第3の発明によれば、既に保存されている全基準測定点に関する情報(基準点一覧データ)と分割された測定領域とデバイスチップ2次元配列との関係を管理する情報(領域化データ)とを不揮発性記憶装置からロードすることにより、上述した第1の発明同様の効果が得られる。   According to the third invention, information (reference point list data) related to all reference measurement points that are already stored, information (regionalized data) that manages the relationship between the divided measurement regions and the device chip two-dimensional array, Is loaded from the non-volatile storage device, the same effect as the first invention described above can be obtained.

第4の発明によれば、基準測定点の座標管理ステップと、別基準測定点選定ステップを実施することで、ピッカープロセス後に発生する歯抜け状態のデバイスチップ配列をアライメントすることが出来る。   According to the fourth aspect of the invention, by performing the coordinate management step of the reference measurement point and the separate reference measurement point selection step, it is possible to align the device chip array in the missing state that occurs after the picker process.

基準測定点の座標管理ステップにおいて、デバイスチップを乗せているダイシングテープを固定しているダイシングフレームに任意に基準点と基準方向とを設定して、初回テスティング時と再テスティング時で、この基準点と基準方向が同一になるように調整することで、基準測定点に在るデバイスチップの中心座標が管理される。また、別基準測定点選定ステップにおいて、上述した基準測定点に対応する位置にデバイスチップが存在しない場合に、別の基準測定点として新たな基準測定点が選定され、付加される。さらに基準測定点を繋げて形成される多角形で領域内のすべてのデバイスチップを覆えない場合にも、別の基準測定点として別基準測定点を選定し、付加する。   In the coordinate management step of the reference measurement point, set the reference point and reference direction arbitrarily on the dicing frame that holds the dicing tape on which the device chip is placed, and at the time of initial testing and retesting, By adjusting so that the reference point and the reference direction are the same, the center coordinates of the device chip at the reference measurement point are managed. Further, in the separate reference measurement point selection step, when no device chip exists at the position corresponding to the above-described reference measurement point, a new reference measurement point is selected and added as another reference measurement point. Furthermore, even when all the device chips in the region cannot be covered with a polygon formed by connecting the reference measurement points, another reference measurement point is selected and added as another reference measurement point.

基準測定点の座標管理ステップと別基準測定点選定ステップとを導入することは、ピッカープロセスより後に実施される再テスティングにおいてアライメントを容易に実施するためである。ただしこのためには以下の2つの項目が前提条件となる。1).ピッカープロセスにより取り除かれるデバイスチップは、インデックスマップにより管理されること、2).個片化されたデバイスチップのデバイスチップ間隔に変化が生じることは、主に個片化に際して発生し、ダイシングフレームを測定装置(CSPプローバまたはCSPハンドラ)にロードする時に発生する変化は、個片化に際して発生する大きさと比べると小さいこと。1の条件が満たされないと、別基準測定点選定ステップで新たな基準測定点を選定できない。また2の条件が満たされないと、ダイシングフレームが測定装置(CSPプローバまたはCSPハンドラ)にロードされた時、初回テスティング時に測定された基準測定点の座標値は、基準測定点の座標管理ステップで管理されていても使うことは出来ない。第4の発明は、ピッカープロセスより後に実施される再テスティングにおいてアライメントを容易に実施するためのもので、上記2つの条件を前提にしたものである。   The introduction of the coordinate management step for the reference measurement point and the step for selecting another reference measurement point is to facilitate the alignment in the retesting performed after the picker process. However, for this purpose, the following two items are preconditions. 1). The device chip removed by the picker process is managed by the index map, 2). The change in the device chip interval of the separated device chips mainly occurs during the separation, and the change that occurs when the dicing frame is loaded into the measuring device (CSP prober or CSP handler) It is small compared to the size that is generated during conversion. If the condition 1 is not satisfied, a new reference measurement point cannot be selected in another reference measurement point selection step. If condition 2 is not satisfied, when the dicing frame is loaded into the measuring device (CSP prober or CSP handler), the coordinate value of the reference measurement point measured at the first test is the coordinate measurement step of the reference measurement point. It cannot be used even if it is managed. The fourth invention is for easily performing alignment in retesting performed after the picker process, and is based on the above two conditions.

ピッカープロセスより後に実施される再テスティングにおいて、デバイスチップ間隔の変化に加えて、デバイスチップの抜き取りにより、デバイスチップ並びの形状(2次元配列)が測定ごとにおいて同じになるとは限らない、いわゆる「歯抜け」状態が出現しても、基準測定点の座標管理ステップと別基準測定点選定ステップとを実施することで、デバイスチップの位置測定が可能となる。すなわち、「歯抜け」状態が出現しても、テスティングプロセスにおいて必要とされる十分に良い精度で求めることができる。   In the retesting performed after the picker process, in addition to the change of the device chip interval, the shape of the device chip arrangement (two-dimensional arrangement) is not always the same for each measurement due to the extraction of the device chip, so-called “ Even when the “tooth missing” state appears, the position measurement of the device chip can be performed by performing the coordinate management step of the reference measurement point and the separate reference measurement point selection step. That is, even if a “tooth missing” state appears, it can be obtained with sufficiently good accuracy required in the testing process.

図を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、各図は、この発明に係る一構成例を図示するものであり、この発明が理解できる程度に各構成要素の配置関係等を概略的に示しているに過ぎず、この発明を図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、特定の機器及び条件等を用いることがあるが、これら機器及び条件は好適例の一つに過ぎず、したがって、何らこれらに限定されない。また、各図において同様の構成要素については、同一の番号を付して示し、その重複する説明を省略することもある。以下、この発明の実施の形態を、
1.個片化されたデバイスチップのアライメント
1-1.領域アライメント
1-2.測定領域の分割方法(基準測定点の設定方法)
1-3.個片化されたWLCSPのアライメントの手順
2.ピッカープロセス後の歯抜け状態のデバイスチップ配列となった半導体デバイスチップのアライメント
2-1.基準測定点の座標管理
2-2.再テスティングを実施するためのアライメントデータ
2-3.再テスティングのためのアライメント
3.個片化されたデバイスチップをテスティングする時の偏差調整方法
4.デバイスチップが大きい場合の偏差調整方法とアライメント手順
5.デバイスチップが小さい場合のアライメント手順
6.デバイスチップ位置測定システムの概略的構成例
に沿って順に説明する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Each figure shows one configuration example according to the present invention, and only schematically shows the arrangement relationship of each component to the extent that the present invention can be understood. It is not limited to. In the following description, specific devices and conditions may be used. However, these devices and conditions are only one preferred example, and are not limited to these. Moreover, in each figure, the same component is shown with the same number, and the overlapping description may be omitted. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
1. Alignment of separated device chips
1-1. Region alignment
1-2. Measurement area division method (reference measurement point setting method)
1-3. 1. Alignment procedure of separated WLCSP Alignment of semiconductor device chips in a device chip array in a missing tooth state after the picker process
2-1. Coordinate management of reference measurement points
2-2. Alignment data for retesting
2-3. 2. Alignment for retesting 3. Deviation adjustment method when testing individual device chips 4. Deviation adjustment method and alignment procedure when device chip is large 5. Alignment procedure when device chip is small Description will be made in order along a schematic configuration example of the device chip position measurement system.

1.個片化されたデバイスチップのアライメント
アライメントプロセスの目的は、テスタの測定電極とデバイスチップのデバイス電極(「デバイスチップ側端子」ということもある。)との位置合わせができるように、測定テーブル上にあるデバイスチップ位置を測定することである。このときに相互の位置関係の誤差が、許容されるずれ量(以後ずれ量を「偏差」ということもある。)以下となることが重要である(テスタの測定電極の座標とデバイスチップのデバイス電極の座標とを比較した場合には「差異」ということもある)。すなわち、テストのための電気的特性測定が成立し、かつ両電極の相互の位置ずれにより、テスタ側電極及びデバイスチップ側端子ともに機械的損傷が発生しないことが重要である。上記許容量は、デバイスチップ側端子の形状やサイズと、テスタ側電極の形状及びサイズ、測定信号の周波数、そしてマルチサイトテスティングの配列数に依存する。
1. Alignment of separated device chips The purpose of the alignment process is to align the measurement electrodes of the tester with the device electrodes of the device chip (sometimes referred to as “device chip side terminals”). Is to measure the position of the device chip. At this time, it is important that the error of the mutual positional relationship is equal to or less than an allowable deviation amount (hereinafter, the deviation amount is sometimes referred to as “deviation”) (the measurement electrode coordinates of the tester and the device chip device). It may be called “difference” when compared with the coordinates of the electrodes). That is, it is important that the electrical characteristic measurement for the test is established, and that the mechanical damage does not occur in both the tester side electrode and the device chip side terminal due to the mutual displacement of both electrodes. The allowable amount depends on the shape and size of the device chip side terminal, the shape and size of the tester side electrode, the frequency of the measurement signal, and the number of multi-site testing arrangements.

個片化が行なわれる前のウェーハに対するアライメントでは、アライメント対象物を1つの剛体と考えることができ、ウェーハ全体の重心点の平行移動成分と回転成分が決まれば、アライメントが完了する。しかし個片化されたデバイスチップではデバイスチップ間隔は一定ではないので、前記2つの構成要素である平行移動成分と回転成分とが得られればよい、ということにはならない。個々のデバイスチップで、平行移動成分と回転成分は変化する。   In the alignment with respect to the wafer before singulation, the alignment target can be considered as one rigid body, and the alignment is completed when the translational component and the rotational component of the center of gravity of the entire wafer are determined. However, since the device chip interval is not constant in the singulated device chip, it does not mean that the translation component and the rotation component which are the two components are obtained. In each device chip, the translational component and the rotational component change.

個片化したストリップ及びWLCSPに対するテスティングでは、既に図6を参照して説明したように、測定電極とデバイスチップ側端子とが最大限重なるように調整して、測定された(又は算出された)デバイスチップ中心位置に応じて平行移動する距離をコントロールして、実施することとなる。また図2又は図4を参照して説明したように、少し角度を持つ場合には、図7を参照して説明したように測定テーブルを回転させるコントロールも必要となる。   In the testing for the separated strip and WLCSP, as described above with reference to FIG. 6, the measurement electrode and the device chip side terminal were adjusted so as to overlap as much as possible (measured or calculated). ) The distance for parallel movement is controlled according to the center position of the device chip. Further, as described with reference to FIG. 2 or FIG. 4, when there is a slight angle, the control for rotating the measurement table is also required as described with reference to FIG.

このようなテスティングを実行させるためには、1)全部のデバイスチップ中心位置座標を測定するという方法をとるか、又は2)基準とするデバイスチップを複数個設定し、そのデバイスチップ中心位置座標を測定し、残りのデバイスチップの中心位置座標は基準としたデバイスチップの中心位置座標から計算するという方法をとるか(すなわちサンプリングする方法)、のいずれかの方法を採用しなければならない。2)の方法を採用すると、デバイスチップ間隔がほとんど変わらない時には、ウェーハと同程度の検索回数でアライメントが終了することが出来る。1)の方法は処理時間が長いという点からは望ましくない。そこで、2)の方法を具体的に考案し、個片化されたデバイスチップのアライメント手法として有効であることを示す。   In order to execute such testing, 1) a method of measuring all the device chip center position coordinates is taken, or 2) a plurality of reference device chips are set and the device chip center position coordinates are set. And the center position coordinates of the remaining device chips should be calculated from the center position coordinates of the device chip as a reference (that is, a sampling method). When the method 2) is employed, when the device chip interval hardly changes, the alignment can be completed with the same number of searches as the wafer. The method 1) is not desirable from the viewpoint that the processing time is long. Therefore, the method 2) is specifically devised to show that it is effective as an alignment method for individual device chips.

1-1.領域アライメント
WLCSPを個片化しても、個々のデバイスチップが独立に勝手に変位することは無く、図2及び図4を参照して説明したように、隣接して存在するデバイスチップは互いに関連して集団的に変位する。あるデバイスチップ中心の位置座標は、周りのデバイスチップ中心座標から十分によい近似値を算出することが出来る。
1-1. Region alignment
Even if the WLCSP is divided into individual pieces, the individual device chips are not displaced independently. As described with reference to FIGS. 2 and 4, adjacent device chips are grouped in relation to each other. Is displaced. As for the position coordinates of a certain device chip center, a sufficiently good approximate value can be calculated from the surrounding device chip center coordinates.

ここで、16個のデバイスチップが4行4列に配列しており、四隅位置に存在するデバイスチップの中心位置を測定することで、四隅以外の残りすべてのデバイスチップの中心座標を算出する例をとり上げる。以下、この発明のデバイスチップ位置測定方法における、画像処理ステップにつき説明する。   Here, 16 device chips are arranged in 4 rows and 4 columns, and the center coordinates of all remaining device chips other than the four corners are calculated by measuring the center positions of the device chips existing at the four corner positions. Take up. Hereinafter, the image processing step in the device chip position measuring method of the present invention will be described.

なお、以下の説明において、座標は、測定テーブル中央を原点とする直交座標系における位置である。   In the following description, the coordinates are positions in an orthogonal coordinate system with the center of the measurement table as the origin.

<画像処理ステップ>
図8は、行列配列された、個片化されたデバイスチップの位置測定と補間方法の説明に供する図である。図8中で太い実線及び破線で示す四角形はデバイスチップの外形を示し、細い実線は、これらデバイスチップの中心位置を結んだ直線である。太い実線で示すデバイスチップは、デバイスチップ中心位置の座標を測定し、その配列上で位置を指定する(デバイスチップの並びを2次元配列とし、その配列でデバイスの並びを表現する)。一方破線で示したデバイスチップは補間方法を用いることで、その配列上で位置を指定すると、デバイスチップ中心位置の座標が算出される。
<Image processing step>
FIG. 8 is a diagram for explaining the position measurement and interpolation method of the device chips separated in a matrix. In FIG. 8, a thick solid line and a quadrangle indicated by a broken line indicate the outer shape of the device chip, and a thin solid line is a straight line connecting the center positions of these device chips. The device chip indicated by a thick solid line measures the coordinates of the center position of the device chip and designates the position on the array (the array of device chips is a two-dimensional array, and the array of devices is expressed by the array). On the other hand, the device chip indicated by the broken line uses an interpolation method. When a position is designated on the array, the coordinates of the center position of the device chip are calculated.

破線で示されたデバイスチップの中心座標を補間方法によって算出するには、第一近似法としては、好ましくは、直線的な近似法によって行う方法である。直線的な近似法においては、4行4列に配列された四隅に位置するデバイスチップの中心座標をA、B、C、Dと印すと、まず直線AB、直線AC、直線BD、直線CDを3等分する点を求める。次にこれらの点を結ぶ直線の交点を求める。求められた交点を破線デバイスチップの中心座標として算出する。破線で示されたデバイスチップの中心座標をデバイスチップの配列上の位置から算出するのに用いる数式は、以下に示す式(1)及び式(2)で表される。   In order to calculate the center coordinates of the device chip indicated by the broken line by the interpolation method, the first approximation method is preferably a method using a linear approximation method. In the linear approximation method, when the center coordinates of the device chips located at the four corners arranged in 4 rows and 4 columns are marked as A, B, C, and D, first, the straight line AB, the straight line AC, the straight line BD, and the straight line CD. Find the point that divides. Next, the intersection of the straight lines connecting these points is obtained. The obtained intersection is calculated as the center coordinates of the broken line device chip. Formulas used to calculate the center coordinates of the device chip indicated by the broken line from the positions on the device chip array are expressed by the following formulas (1) and (2).

X = ( b1×x + b2×y + b3) / ( b7×x + b8×y + 1) (1)
Y = ( b4×x + b5×y + b6) / ( b7×x + b8×y + 1) (2)
X、Yはデバイスチップ中心の座標、x、yはデバイスチップのインデックス位置である。式(1)及び式(2)の係数b1〜b8は、デバイスチップ中心の座標X、Yと、デバイスチップのインデックス位置を与えるインデックスx、yとの関係を与える定数である。X、Yは、デバイスチップ中心の座標であるから、実数値をとる。一方、x、yは、インデックス位置、すなわち、デバイスチップが行列上に配列されている状況において、デバイスチップを行及び列のそれぞれ何番目に位置しているかを示すものであるので、正の整数値をとる。
X = (b 1 × x + b 2 × y + b 3 ) / (b 7 × x + b 8 × y + 1) (1)
Y = (b 4 × x + b 5 × y + b 6 ) / (b 7 × x + b 8 × y + 1) (2)
X and Y are coordinates of the center of the device chip, and x and y are index positions of the device chip. The coefficients b 1 to b 8 in the equations (1) and (2) are constants that give the relationship between the coordinates X and Y of the device chip center and the indexes x and y that give the index position of the device chip. Since X and Y are the coordinates of the center of the device chip, they take real values. On the other hand, since x and y indicate the index position, that is, in the situation where the device chips are arranged in a matrix, indicate the position of the device chip in each row and column. Take a number.

測定された四隅位置の4点(太い実線の交点で示すデバイスチップの中心)の測定座標値X、Yとそれに対応するデバイスチップのインデックス位置を示す正の整数値の組x、yを式(1)及び式(2)代入して係数b1〜b8を求める。係数b1〜b8が求められると、四隅位置以外のデバイスチップのインデックス位置を指定すると、そのインデックス位置で指定されたデバイスチップの中心座標が得られる。 A set of positive coordinate values x and y indicating the measured coordinate values X and Y of the four points at the four corner positions (center of the device chip indicated by the intersection of the thick solid lines) and the corresponding device chip are expressed by the formula ( Substituting into 1) and equation (2) , the coefficients b 1 to b 8 are obtained. When the coefficients b 1 to b 8 are obtained, if the index position of the device chip other than the four corner positions is designated, the center coordinates of the device chip designated by the index position are obtained.

次に、ウェーハ周辺部上でのチップ配列のように、デバイスチップが不完全に行列配列している場合の位置測定と補間方法につき説明する。その一例を、図9を参照して説明する。図9においても、図8と同様に、太い実線及び破線で示す四角形はデバイスチップの外形を示し、細い実線は、これらデバイスチップの中心位置を結んだ直線である。太い実線で示すデバイスチップは、中心位置座標が測定され、インデックス位置も指定する。一方破線で示したデバイスチップでは、式(1)及び式(2)の係数b1〜b8が既知であれば、式(1)及び式(2)を使用してデバイスチップ中心位置の座標がインデックス位置から算出できる。図9においては、デバイスチップの中心座標A, B, C, Dで囲まれる四角形は、長方形とは異なる図形となっている。図9に示すような場合でも、式(1)及び式(2)を使用して、破線デバイスチップの位置を求めることが出来る。 Next, a description will be given of a position measurement and an interpolation method when device chips are arranged in an incomplete matrix as in the chip arrangement on the periphery of the wafer. One example thereof will be described with reference to FIG. Also in FIG. 9, as in FIG. 8, the thick solid line and the quadrangle indicated by the broken line indicate the outer shape of the device chip, and the thin solid line is a straight line connecting the center positions of these device chips. The device chip indicated by the thick solid line is measured for the center position coordinates and also specifies the index position. On the other hand, in the device chip indicated by the broken line, if the coefficients b 1 to b 8 of the expressions (1) and (2) are known, the coordinates of the center position of the device chip using the expressions (1) and (2) are used. Can be calculated from the index position. In FIG. 9, the rectangle surrounded by the center coordinates A, B, C, and D of the device chip is a figure different from the rectangle. Even in the case shown in FIG. 9, the position of the broken-line device chip can be obtained using the expressions (1) and (2).

式(1)及び式(2)は、数学的には射影変換式として知られた公式である。係数b1〜b8は、一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上を抽出して、それらの点の座標測定値X、Yと、デバイスチップのインデックス位置x、yとを対応させることにより求めることができる。 Equations (1) and (2) are mathematically known as projective transformation equations. Coefficients b 1 to b 8 correspond to the coordinate measurement values X and Y of the points and the index positions x and y of the device chip by extracting four or more points where three or more points do not line up on a straight line Can be obtained.

デバイスチップの並びを表す2次元配列に対して、そのインデックス位置でデバイスチップを指定する。複数のデバイスチップを測定すると、その指定したデバイスチップによってデバイスチップの2次元配列上のある領域を囲むことが出来る。このように画された領域で、ウェーハ上に配列されている多くのデバイスチップを、領域に分割することができる。すなわち領域境界のデバイスチップのインデックス位置を指定することで、デバイスチップ配列を領域に分割して、かつ領域境界点のデバイスチップ中心座標を測定すると、領域内部の個々のデバイスチップ中心座標を算出することが出来る。式(1)及び式(2)を使用して補間する方法は、この目的を達成するのに有効な方法である。言い換えると、ここで説明する近似法は、全部のデバイスチップ中心位置を測定する代わりに、複数の基準とするデバイスチップをそのインデックス位置で指定し、そのデバイスチップ中心位置座標を測定する。そして残りのデバイスチップの中心座標を測定された基準とするデバイスチップの中心座標から計算する方法である(測定するデバイスチップ位置は領域の境界点で、算出されるデバイスチップは領域の内部の点となるようにするという手法の内挿法である)。   A device chip is designated at the index position for a two-dimensional array representing the arrangement of device chips. When a plurality of device chips are measured, an area on the two-dimensional array of device chips can be surrounded by the designated device chip. In the region defined in this way, many device chips arranged on the wafer can be divided into regions. In other words, by designating the index position of the device chip at the region boundary, the device chip array is divided into regions, and the device chip center coordinates at the region boundary point are measured to calculate the individual device chip center coordinates inside the region. I can do it. Interpolation using equation (1) and equation (2) is an effective way to achieve this goal. In other words, in the approximation method described here, instead of measuring all the device chip center positions, a plurality of reference device chips are designated by their index positions, and the device chip center position coordinates are measured. Then, the center coordinates of the remaining device chips are calculated from the center coordinates of the device chip as a reference (the device chip position to be measured is the boundary point of the region, and the calculated device chip is a point inside the region. It is an interpolation method of the method of making it become.)

図10を参照して更にこの方法につき詳しく説明する。ここで、基準とするデバイスチップとして選んだデバイスチップのインデックス位置を基準測定点ということにする(ここでは「初期」をつけて「初期基準測定点」とする)。図10は、ウェーハ上の初期基準測定点を与えるデバイスチップのインデックス位置を示しており、円形の内部に描かれた太い実線、細い実線及び太い破線で示す四角形はデバイスチップを示している。太い実線で示すデバイスチップが初期基準測定点を与える。太い実線で示すデバイスチップ(初期基準測定点)によって囲まれる領域が初期測定領域である。   This method will be further described in detail with reference to FIG. Here, the index position of the device chip selected as the reference device chip is referred to as a reference measurement point (here, “initial” is added to be referred to as “initial reference measurement point”). FIG. 10 shows the index position of the device chip that gives the initial reference measurement point on the wafer. The thick solid line, the thin solid line, and the square indicated by the thick broken line drawn inside the circle indicate the device chip. A device chip indicated by a thick solid line provides an initial reference measurement point. An area surrounded by a device chip (initial reference measurement point) indicated by a thick solid line is an initial measurement area.

個片化したことに伴う各デバイスチップの変位が非常に小さく、デバイスチップ間隔が設計値にほぼ一致する場合(例1とする。)には、図10の破線で示すデバイスチップを基準測定点とすることで、すなわち、初期基準点を与えるデバイスチップとしては、中央デバイスチップ0と上下左右端の4点1、2、3及び4を抽出することでアライメントには十分である。テスティングプロセスにおいては、設計値のデバイスチップ間隔に基づいて、デバイスチップあるいは測定電極を移動させ、マルチサイトテスティングを実行できる。この場合には、測定領域を分割する必要はない。ウェーハに対するアライメント方法がそのまま適用できる。   When the displacement of each device chip due to the separation into individual pieces is very small and the device chip interval substantially matches the design value (example 1), the device chip indicated by the broken line in FIG. In other words, as a device chip that provides an initial reference point, it is sufficient for alignment to extract the central device chip 0 and the four points 1, 2, 3, and 4 on the upper, lower, left, and right ends. In the testing process, the multi-site testing can be performed by moving the device chip or the measurement electrode based on the device chip interval of the design value. In this case, it is not necessary to divide the measurement area. The alignment method for the wafer can be applied as it is.

各デバイスチップの変位が小さく、デバイスチップ間隔が設計値に比較して少し差異がある場合(例2とする。)には、図10で示すように、太い実線の四角形で示したデバイスチップ配列によって、全体をある大きさの領域に分割する。そして太い線の四角形で示したデバイスチップによって与えられる領域分割点を初期基準測定点として、個々のデバイスチップ中心座標は、基準測定点のデバイスチップの中心座標から計算することによって求める。   When the displacement of each device chip is small and the device chip interval is slightly different from the design value (example 2), as shown in FIG. 10, the device chip array shown by a thick solid square To divide the whole into areas of a certain size. Then, using the area division point given by the device chip indicated by the thick square as the initial reference measurement point, the individual device chip center coordinates are obtained by calculating from the center coordinates of the device chip at the reference measurement point.

図10では、1a〜4a、1b〜4b、1c〜4c及び1d〜4dのそれぞれ4個ずつ合計16個の基準測定点で、WLCSP全デバイスチップが9つの測定領域に分割されている。図10から判るように、基準測定点は領域を分割するための点(領域分割点)でもある。これらそれぞれの領域において、個々のデバイスチップ中心座標を、基準測定点のデバイスチップ中心位置の座標測定データから計算することによって求める。この際に使用される計算式は、既に説明した式(1)及び式(2)である。   In FIG. 10, the WLCSP all device chips are divided into nine measurement regions at a total of 16 reference measurement points, 4 each of 1a to 4a, 1b to 4b, 1c to 4c, and 1d to 4d. As can be seen from FIG. 10, the reference measurement point is also a point for dividing the region (region dividing point). In each of these areas, the individual device chip center coordinates are obtained by calculating from the coordinate measurement data of the device chip center position of the reference measurement point. The calculation formulas used at this time are the formulas (1) and (2) already described.

マルチサイトテスティングの対象となる被測定デバイスチップの個数は多数ある。テスティングにおいては、チップ数に対応した、個々のデバイスチップ中心座標を初期基準測定点のデバイスチップ中心座標から算出して、図6及び図7を参照して説明したように、デバイスチップあるいは測定電極の平行移動距離と角度をコントロールする。   There are many device chips to be measured that are subject to multi-site testing. In testing, each device chip center coordinate corresponding to the number of chips is calculated from the device chip center coordinates of the initial reference measurement point, and the device chip or measurement is performed as described with reference to FIGS. Control electrode translation distance and angle.

式(1)及び式(2)を使用すると、分割された領域内でデバイスチップ間隔が一定の割合で変化する状況、すなわち一定の割合で増加する又は一定の割合で減少するという状況に対しては対応できる。   Using Equation (1) and Equation (2) for situations where device chip spacing changes at a constant rate within a divided region, i.e., increases at a constant rate or decreases at a constant rate. Can respond.

しかし、領域内でデバイスチップ間隔が一定の割合ではなく増加したり、減少したりするということには対応できない。このような場合には、デバイスチップ間隔の増加する部分と減少する部分とは別の領域となるように、既にある領域を再分割する。このように新たに領域を増やし、個々のデバイスチップ位置を直線的な近似の範囲で小さく分割することで、デバイスチップ間隔の変化が複雑になった場合にも対応することが出来るようになる。このステップが、この発明のデバイスチップの測定方法における再分割ステップである。   However, it cannot cope with the increase or decrease of the device chip interval in the region instead of a fixed rate. In such a case, the existing area is subdivided so that the area where the device chip interval increases and the area where the device chip interval decreases are different. Thus, by newly increasing the area and dividing each device chip position into smaller parts within a linear approximation range, it becomes possible to cope with the case where the change in the device chip interval becomes complicated. This step is a subdivision step in the device chip measurement method of the present invention.

射影変換の式(1)及び式(2)を使用するならば、既に説明したように、領域化された領域は図8に示すような長方形である必要はない。式(1)及び式(2)を使用するには、一直線上に3点以上が並ぶことがないように選ばれた4点以上で囲まれる領域をもって領域を形成すればよい。   If the projection transformation formulas (1) and (2) are used, as described above, the regionized region does not have to be a rectangle as shown in FIG. In order to use the expressions (1) and (2), it is only necessary to form a region having a region surrounded by four or more points selected so that three or more points do not line up on a straight line.

図9で示したようなウェーハ上の四隅に当る領域では、分割された領域を長方形とすることは難しいが、式(1)及び式(2)を使用すれば、このような領域でも一つの領域として処理できる。領域を確定するために基準測定点5個以上を使用する場合には、最小二乗法を用いて係数b1〜b8を求める手順をとればよい。 In the area corresponding to the four corners on the wafer as shown in FIG. 9, it is difficult to make the divided area rectangular, but if using the equations (1) and (2), one such area can be Can be processed as an area. When five or more reference measurement points are used to determine the region, a procedure for obtaining the coefficients b 1 to b 8 using the least square method may be taken.

これまで図8および図9では、領域の境界点(基準測定点)を先に決まっているように導入した。図10においても基準測定点の設定方法を記述することなく、領域が分割されると記述した。画像処理ステップを開始する前の初期測定領域分割ステップで測定領域が分割されていなければならない。本発明の基本的な部分となる式(1)及び式(2)を使用したデバイスチップの中心座標の算出方法を先に記述したが、次の節で、「測定領域の分割方法」を採り上げる。   Until now, in FIG. 8 and FIG. 9, the boundary point (reference measurement point) of the region has been introduced as previously determined. In FIG. 10, it is described that the region is divided without describing the method of setting the reference measurement point. The measurement area must be divided in the initial measurement area division step before starting the image processing step. The method for calculating the center coordinates of the device chip using the equations (1) and (2), which are the basic part of the present invention, has been described earlier. In the next section, the “measurement area dividing method” will be taken up. .

以上において説明したことを整理すると、画像処理ステップは次の通りである。   To summarize what has been described above, the image processing steps are as follows.

初期測定領域分割ステップで設定された3点が一直線上に並ぶことがない位置関係にある4点の基準測定点に対して、基準測定点として指定されたデバイスチップ位置に移動して、パターンマッチングを応用した画像処理方法で、デバイスチップの中心位置の座標を測定する。同時に基準測定点のインデックス位置を指定すると、これら4点で囲まれる測定領域に含まれる個々のデバイスチップ中心位置の座標を算出することができる。   Pattern matching is performed by moving to the device chip position specified as the reference measurement point for the four reference measurement points in the positional relationship where the three points set in the initial measurement area division step are not aligned on a straight line. Is used to measure the coordinates of the center position of the device chip. When the index position of the reference measurement point is designated at the same time, the coordinates of the center position of each device chip included in the measurement area surrounded by these four points can be calculated.

この画像処理ステップは、以下の手順をとる。すなわち、上記の4点(基準測定点)のデバイスチップ中心位置の座標値X、Yを測定し、同時に対応するデバイスチップのインデックス位置を示す正の整数値の組x、yを指定して、式(1)及び式(2)に代入して係数b1〜b8を求める。式(1)及び式(2)の係数b1〜b8が求められると、式(1)及び式(2)を用いることで、基準測定点によって囲まれる領域内に存在する全てのデバイスチップの中心座標X、Yを計算することができる。すなわち式(1)及び式(2)を用いた補間方法によれば、領域内に存在する基準測定点としてデバイスチップの中心位置を測定したデバイスチップ以外全てのデバイスチップの中心座標X、Yを、それに対応するデバイスチップのインデックス位置を指定することで、画像処理ステップにおいて算出することができる。 This image processing step takes the following procedure. That is, the coordinate values X and Y of the device chip center position of the above four points (reference measurement points) are measured, and a set of positive integer values x and y indicating the index position of the corresponding device chip are designated at the same time, Substituting into equations (1) and (2), the coefficients b 1 to b 8 are obtained. When the coefficients b 1 to b 8 of the equations (1) and (2) are obtained, all the device chips existing in the region surrounded by the reference measurement point are obtained by using the equations (1) and (2). The center coordinates X, Y of can be calculated. That is, according to the interpolation method using the equations (1) and (2), the center coordinates X and Y of all device chips other than the device chip that measures the center position of the device chip as the reference measurement points existing in the region are obtained. By designating the index position of the corresponding device chip, it can be calculated in the image processing step.

以上説明した方法は、WLCSP上の全デバイスチップの中心位置を測定しないで、基準測定点のデバイスチップの測定された中心座標から全デバイスチップの中心座標を算出する方法としては大変有効な方法であり、全デバイスチップを直接に測定することと比べ、著しい測定効率改善を見込むことができる。   The method described above is a very effective method for calculating the center coordinates of all device chips from the measured center coordinates of the device chip at the reference measurement point without measuring the center positions of all device chips on the WLCSP. Yes, significant measurement efficiency improvement can be expected as compared with direct measurement of all device chips.

1-2.測定領域の分割方法(基準測定点の設定方法)
ウェーハ上に並ぶデバイスチップは、その並びを2次元配列で表すことが出来る。WLCSPが貼り付けられたダイシングテープ上の個々のデバイスチップ位置を簡単に指定できると便利である。そのためにはインデックスマップを使用する。WLCSPが貼り付けられたダイシングテープ上で、デバイスチップは2次元的に配列している。個々のデバイスチップを2次元配列(2次元インデックス)で対応付けた図がインデックスマップである。図11にWLCSPインデックスマップの一例を示す。右向きを正の方向とするX軸方向及び上向きを正の方向とするY軸方向にそれぞれ座標軸が設けられて、デバイスチップの一つ一つに対して整数の一つ一つが対応付けられる。図11では、X軸及びY軸方向の整数の組全てについてこれに対応する位置に正方形を描いてある。このうち実線で示した正方形が実際にデバイスチップが存在する位置を示し、破線で示した正方形は、実際にはデバイスチップが存在しない位置を示している。左下の破線で示した四辺形の位置を基準位置として(1、1)で指定すると、図11上の各々のデバイスチップを2つの整数値の組み合わせで指定することが出来る。この2つの整数値の組み合わせはコーディネータ座標と呼ばれ、このような座標系はコーディネータ座標系と呼ばれる。
1-2. Measurement area division method (reference measurement point setting method)
The device chips arranged on the wafer can be represented in a two-dimensional array. It is convenient if the position of each device chip on the dicing tape with the WLCSP attached can be specified easily. For this purpose, an index map is used. Device chips are two-dimensionally arranged on a dicing tape to which WLCSP is attached. A diagram in which individual device chips are associated in a two-dimensional array (two-dimensional index) is an index map. FIG. 11 shows an example of the WLCSP index map. A coordinate axis is provided in each of the X-axis direction in which the right direction is a positive direction and the Y-axis direction in which the upward direction is a positive direction, and an integer is associated with each device chip. In FIG. 11, squares are drawn at positions corresponding to all sets of integers in the X-axis and Y-axis directions. Among these, the square indicated by the solid line indicates the position where the device chip actually exists, and the square indicated by the broken line indicates the position where the device chip does not actually exist. When the position of the quadrilateral shown by the broken line in the lower left is designated as the reference position by (1, 1), each device chip in FIG. 11 can be designated by a combination of two integer values. The combination of these two integer values is called a coordinator coordinate, and such a coordinate system is called a coordinator coordinate system.

ウェーハは円形、デバイスチップは矩形であるので、WLCSPインデックスマップの左上、左下、右上、右下の四隅にはデバイスチップは存在しない。左上、左下、右上、右下の四隅周辺のデバイスが存在しない領域は、デバイスの横方向と縦方向の大きさ(デバイスサイズ)によって変化する。横方向と縦方向にある長さ(あるデバイス数)でWLCSPインデックスマップを領域に分割する。領域に分割されると、画像処理ステップで示したように、領域分割点に存在するデバイスチップの中心位置を画像計測すると、領域内の残りのデバイスチップ中心座標は計算することで得られる。領域に分割する点(領域分割点)は、このような意味から基準測定点と呼ぶことにする。ここで基準測定点(領域分割点)はインデックスマップ上の点(デバイス配列を示す点)であることを再度、述べておく。   Since the wafer is circular and the device chip is rectangular, there are no device chips at the upper left, lower left, upper right, and lower right corners of the WLCSP index map. The area where the devices around the four corners at the upper left, lower left, upper right, and lower right do not exist varies depending on the size of the device in the horizontal and vertical directions (device size). The WLCSP index map is divided into regions by the length (number of devices) in the horizontal and vertical directions. When the image is divided into regions, as shown in the image processing step, when the center position of the device chip existing at the region dividing point is image-measured, the remaining device chip center coordinates in the region are obtained by calculation. A point to be divided into regions (region dividing points) is referred to as a reference measurement point in this sense. Here again, it is described that the reference measurement point (area division point) is a point on the index map (a point indicating a device array).

図12を参照して、デバイスチップの変位の全体的傾向を考察する。個片化される前のWLCSPは図10に示される(図10ではデバイスチップ1つを正方形で表し、デバイスチップは全く変位していない)。個片化されると、デバイスチップは位置が変位する。その状況を図12に示す(図10と図12とでデバイスの配置は等しくないが)。図12では、デバイスチップの並び(デバイスチップがどのように変位したか)を示す。正確には、デバイスチップ1つ1つの大きさは変わることはなく、デバイスチップ間の間隔が変わることで図12のような状況となる。図12に示されるデバイスチップ全体の配列を、適当な領域に分割し、各領域の境界点となるデバイスチップの中心位置を測定すると、領域内部のすべてのデバイスチップ中心座標が計算で求められることを、既に画像処理ステップで記述した。   Referring to FIG. 12, consider the overall trend of device chip displacement. The WLCSP before being singulated is shown in FIG. 10 (in FIG. 10, one device chip is represented by a square, and the device chip is not displaced at all). When separated into pieces, the position of the device chip is displaced. The situation is shown in FIG. 12 (although device arrangement is not the same in FIG. 10 and FIG. 12). FIG. 12 shows the arrangement of device chips (how the device chips are displaced). Precisely, the size of each device chip does not change, and the situation shown in FIG. Dividing the entire device chip array shown in Fig. 12 into appropriate areas and measuring the center position of the device chip that is the boundary point of each area, all the device chip center coordinates within the area are calculated. Has already been described in the image processing step.

図12に領域分割の例として、+マークを付した位置のデバイスチップを領域分割点(初期基準測定点)として分割した。図12において、十字のマーク(+マーク)は、初期基準測定点を確定するデバイスチップの中心位置を示す。破線で囲って示した複数の領域は、分割されて形成された領域、すなわち測定領域を示している。例えば、図12中において斜線で示す領域Bが分割されて得られた測定領域のうちの一例である。図12では、WLCSPは全体として左上・左下・右上・右下の四隅を引っ張る形に変形している(中央のくびれた糸巻形に変形)。このように変形したWLCSPを+マークの位置で領域に分割した。図12の各領域では、デバイスチップの変位の方向・大きさは、ほぼ一次近似で調整可能であるといえる。   As an example of area division in FIG. 12, the device chip at the position marked with + is divided as an area division point (initial reference measurement point). In FIG. 12, a cross mark (+ mark) indicates the center position of the device chip that determines the initial reference measurement point. A plurality of regions surrounded by broken lines indicate regions formed by division, that is, measurement regions. For example, FIG. 12 shows an example of the measurement area obtained by dividing the area B indicated by diagonal lines. In FIG. 12, the WLCSP is deformed so as to pull the four corners at the upper left, lower left, upper right, and lower right as a whole (deformed into a constricted pincushion at the center). The WLCSP thus deformed was divided into regions at the position of the + mark. In each region of FIG. 12, it can be said that the direction and magnitude of the displacement of the device chip can be adjusted by a first-order approximation.

WLCSP上のデバイスチップの変位は個片化のプロセスに依存する。個片化のプロセスが同一であれば、WLCSP上に在るデバイスチップの変位の全体的傾向は、ほぼ同一となると推定出来る。なぜならば、個片化する時、ダイサのブレードはデバイスチップをずらすように作用し、デバイスチップはテープとの粘着力でずらし作用に対抗し、及び粘着力はデバイスチップとテープとの接触面積に比例するという関係にある。このためデバイスチップが変位する大きさはデバイスチップの大きさに依存するほか、切削される順序にも依存する。   The displacement of the device chip on the WLCSP depends on the singulation process. If the singulation process is the same, the overall tendency of the displacement of the device chip on the WLCSP can be estimated to be almost the same. This is because when dicing, the dicer blade acts to shift the device chip, the device chip counteracts the shifting action due to the adhesive force with the tape, and the adhesive force depends on the contact area between the device chip and the tape. It is proportional. Therefore, the magnitude of displacement of the device chip depends on the size of the device chip and also on the cutting order.

図12にデバイスチップの変位の全体的傾向を一例として示した。そしてデバイスチップの変位の原因となる条件が同一であれば、その変位の全体的傾向もほぼ同一となると推定した。すなわちデバイスチップの変位の原因となる条件としては、デバイス品種と個片化のプロセスである。   FIG. 12 shows an example of the overall tendency of the device chip displacement. If the conditions that cause the displacement of the device chip are the same, it is estimated that the overall tendency of the displacement is almost the same. That is, the conditions that cause the displacement of the device chip are the device type and the individualization process.

同一のデバイス品種に対しては、同一の個片化のプロセスとなるので、「デバイス品種を決めると、デバイスチップの変位の全体的傾向は同じようになる」という前提条件を設ける。WLCSPを領域分割してデバイスチップの中心座標を求める方法で、WLCSPの領域分割点は、デバイスチップの変位の全体的傾向を反映している。このような条件を設けると、以後の同種のテスティングにおいて、WLCSP領域分割点(基準測定点)を参照・利用することが可能である。「デバイス品種を決めると、デバイスチップの変位の全体的傾向は同じようになる」という条件を設けるが、多くの枚数のWLCSPをテスティングすると、設定されたWLCSP領域分割点では十分でない場合も発生しうる(デバイスチップの変位の傾向がばらつく)。このような状況に対応するため、検定ステップ・再分割ステップがある。検定ステップの結果に基づいて測定領域を再分割すると、より適合した領域に分割される。   Since the same device type is the same individualization process, a precondition is set that “the overall tendency of the displacement of the device chip is the same when the device type is determined”. In this method, the center coordinates of the device chip are obtained by dividing the WLCSP into regions, and the region dividing points of the WLCSP reflect the overall tendency of the device chip displacement. If such conditions are provided, it is possible to refer to and use WLCSP area division points (standard measurement points) in the same type of testing thereafter. The condition that the overall trend of device chip displacement will be the same when the device type is determined is set. However, when a large number of WLCSPs are tested, the set WLCSP area division points may not be sufficient. Yes (the tendency of the displacement of the device chip varies). To cope with such a situation, there are a verification step and a subdivision step. When the measurement area is subdivided based on the result of the verification step, it is divided into more suitable areas.

図12の領域分割点は、図上で適当に配置させ、領域分割したが、領域化を論理的に実施するための基準測定点の決定手順を、初期測定領域分割ステップとして説明する。基準測定点の中心座標から算出された個々のデバイスチップ中心位置がどれほどずれているかは、実測された中心座標と算出した中心座標を比較し、チェックしなければ判明しない。算出された個々のデバイスチップ中心座標と実測したデバイスチップの中心座標をチェックし、差異が許容値以下であることを確認する手順が検定ステップである。検定ステップの比較チェックにおいて、個々のデバイスチップ中心位置の座標が、測定値と射影変換式(1)及び(2)を用いて算出された値との差異が許容値以上であると判定された場合には、測定領域をさらに小さく分割する必要がある(領域を再分割する)。   The region division points in FIG. 12 are appropriately arranged and divided into regions in the figure, but the procedure for determining the reference measurement points for logically implementing the region will be described as the initial measurement region division step. How much the center position of each device chip calculated from the center coordinates of the reference measurement point is shifted cannot be determined unless the measured center coordinates are compared with the calculated center coordinates and checked. The verification step is a procedure for checking the calculated center coordinates of each device chip and the measured center coordinates of the device chip and confirming that the difference is not more than an allowable value. In the comparison check of the verification step, it was determined that the difference between the measured values and the values calculated using the projective transformation formulas (1) and (2) was greater than the allowable value for the coordinates of the individual device chip center positions. In some cases, it is necessary to divide the measurement region further smaller (subdivide the region).

領域の再分割は、上述の差異が許容値以上であると判定された領域についてのみ実施する。領域の再分割の手順が、再分割ステップである。再分割ステップでは、新たな基準測定点が選定され、加えられる。以下の説明において、初期基準測定点で、初期という限定を付したが、再度領域分割をして、新たな基準測定点が選択された後は、初期基準測定点とあるところを、基準測定点と読みかえれば良い。したがって、これからの説明においては、特に初期という限定を付さないで表現する。   The subdivision of the area is performed only for the area where the above-described difference is determined to be greater than or equal to the allowable value. The procedure for subdivision of the region is a subdivision step. In the subdivision step, new reference measurement points are selected and added. In the following description, the initial reference measurement point is limited to the initial value, but after dividing the area again and selecting a new reference measurement point, the initial measurement point is referred to as the reference measurement point. It may be read as: Therefore, in the following explanation, it expresses without attaching the limitation of the initial stage.

測定領域の分割方法(基準測定点の設定方法)は、初期測定領域分割ステップでまず初期の領域分割(初期基準測定点と初期測定領域)が得られ、検定ステップにより各デバイスチップ中心位置について算出された結果を実測値と比較し、初期の領域分割がよいか否かを調べる。否と判定された領域に対しては、領域を再分割する再分割ステップを実施する。   In the measurement area division method (reference measurement point setting method), the initial area division (initial reference measurement point and initial measurement area) is first obtained in the initial measurement area division step, and the center position of each device chip is calculated in the verification step. The obtained result is compared with the actual measurement value to check whether the initial region division is good. A re-dividing step for re-dividing the area is performed on the area determined to be NO.

<初期測定領域分割ステップ>
手順1として、領域化するために用いるデバイスチップの最小間隔を与える領域化インデックス数の初期値を設定する。領域化インデックス数が1とは、デバイスチップ1つ分の間隔を領域の間隔とすることを意味する。領域化インデックス数が5とは、デバイスチップ5つ分の間隔を領域の間隔とすることを意味する。手順1においては、領域化するために用いるデバイスチップサイズ、全体サイズなどから、領域化のために利用するデバイスチップのインデックス数の初期値をX,Y方向についてそれぞれ決定する。
<Initial measurement area division step>
As a procedure 1, an initial value of the number of area indexes that gives a minimum interval between device chips used for area formation is set. A region index number of 1 means that the space for one device chip is the space between regions. An area index number of 5 means that an interval corresponding to five device chips is used as an area interval. In the procedure 1, the initial value of the index number of the device chip used for the region is determined for each of the X and Y directions from the device chip size and the overall size used for the region.

図13を参照して、領域に分割するプロセスを説明する。図13において、X軸の正の方向(行方向)を右向きに、Y軸の正の向き(列方向)を下向きにとってある。また、図13ではX及びY方向ともに領域化インデックス数を5としている。すなわち、X及びY方向ともにデバイスチップ5つ分の間隔を領域の間隔としている。仮にこのインデックスが1であれば、この場合は1領域が1個のデバイスチップからなっていることを意味するので、全デバイスチップが測定対象となることを意味する。   The process of dividing into regions will be described with reference to FIG. In FIG. 13, the positive direction (row direction) of the X axis is rightward, and the positive direction (column direction) of the Y axis is downward. In FIG. 13, the number of regional indexes is 5 in both the X and Y directions. That is, the interval between five device chips in both the X and Y directions is set as the region interval. If this index is 1, it means that one area is composed of one device chip in this case, which means that all device chips are to be measured.

また、領域化インデックス数の最大値は一列に並んだデバイスチップの数の最大値を2で割って得られる整数部である。すなわち、一列に並んだデバイスチップの数の最大値は、デバイスチップの行及び、または列配列の最大個数のことである。例えば、図13中の矢印で示された横方向ライン上にあるデバイスチップ数が最大個数であるので、この図13に示した例においては、デバイスチップの数の最大値は31である。したがって、領域化インデックス数の最大値は、15であることになる。   The maximum number of regional indexes is an integer part obtained by dividing the maximum value of the number of device chips arranged in a row by 2. That is, the maximum value of the number of device chips arranged in a line is the maximum number of device chip rows and / or column arrangements. For example, since the maximum number of device chips on the horizontal line indicated by the arrow in FIG. 13 is the maximum number, in the example shown in FIG. 13, the maximum value of the number of device chips is 31. Therefore, the maximum number of regional indexes is 15.

手順2として、中央デバイスチップを決める。デバイスチップ配列から中央デバイスチップのインデックス位置を決める。インデックス配列が偶数である場合には、中央に位置する2つのデバイスチップのどちらのデバイスチップを中央デバイスチップとするか、をあらかじめ取り決めておき、それに従って中央デバイスチップを決める。   As step 2, determine the central device chip. The index position of the central device chip is determined from the device chip array. If the index array is an even number, which of the two device chips located at the center is to be determined as the central device chip is determined in advance, and the central device chip is determined accordingly.

手順3として、中央デバイスチップ及び領域化インデックス数もしくは領域化インデックス数の整数倍のインデックス数で確定される位置に存在するデバイスチップを指定する。中央デバイスチップを基準に、中央デバイスチップそれ自身を含み、手順1で与えられたX及びY方向の領域化インデックス数ごとに位置するデバイスチップを基準デバイスチップとして選ぶ。(デバイスチップの数)/(領域化インデックス)数が奇数である場合には、中央デバイスチップが領域の中央となるようにする。図13においては、この基準デバイスチップを太い四辺形で示している。この太い四辺形のうちの一つに対して代表して符号cを付してある。この符号cが付されたデバイスチップと同様に太い四角形で示すデバイスチップ全てが、基準デバイスチップとして選ばれたデバイスチップである。ここで基準デバイスチップと定義したものは、基準測定点と記述したものと同義である。   In step 3, a device chip existing at a position determined by the central device chip and the number of regionalized indexes or an integer multiple of the number of regionalized indexes is designated. Based on the central device chip, a device chip that includes the central device chip itself and is positioned for each of the number of area indexes in the X and Y directions given in step 1 is selected as the reference device chip. When the (number of device chips) / (regional index) number is an odd number, the central device chip is set to the center of the region. In FIG. 13, this reference device chip is indicated by a thick quadrilateral. One of these thick quadrilaterals is represented by the symbol c. Similar to the device chip to which the symbol c is attached, all device chips indicated by thick squares are device chips selected as reference device chips. What is defined as a reference device chip here is synonymous with what is described as a reference measurement point.

手順4として、デバイスチップ配列の外縁に存在するデバイスチップを基準デバイスチップとして指定する。中央デバイスチップを基準にして、領域化インデックス数もしくは領域化インデックス数の整数倍のインデックス数で確定される位置に、基準デバイスチップが存在しないときがある(WLCSPの外側となるインデックス位置)。この場合には、デバイスチップ配列の外縁デバイスチップを基準デバイスチップとして指定する。図13では、このような基準デバイスチップとして、2番目に太い線分で囲った四辺形で表してある。2番目に太い線分で囲った四辺形のうちの一つに対して代表して符号dを付してある。この符号dが付されたデバイスチップと同様に2番目に太い線分で囲った四辺形で示すデバイスチップ全てが、基準デバイスチップとして指定された、デバイスチップ配列の外縁デバイスチップである。   In step 4, a device chip existing on the outer edge of the device chip array is designated as a reference device chip. There is a case where the reference device chip does not exist at a position determined by the number of regionalized indexes or an integer multiple of the number of regionalized indexes with respect to the central device chip (index position outside WLCSP). In this case, the outer edge device chip of the device chip array is designated as the reference device chip. In FIG. 13, such a reference device chip is represented by a quadrilateral surrounded by the second thickest line segment. A symbol d is representatively shown for one of the quadrilaterals surrounded by the second thickest line segment. Similar to the device chip to which the symbol d is attached, all the device chips indicated by the quadrilateral surrounded by the second thickest line segment are the outer edge device chips of the device chip array designated as the reference device chip.

手順5として、基本領域化作業を完了する。手順4までで決定される領域を基本領域と呼ぶ。図13に示した例では縦横の両方向で6領域が存在することとなった。これらの領域番号を(xB, yB)で表す。ここで、xB及びyBは1から6までの正の整数である。例えば、図13において、斜線を付して示した基準領域は、X軸方向に領域化インデックス数の2倍、Y軸方向に領域化インデックス数の3倍の位置にあるので、この基本領域の領域番号は、(2, 3)である。 As step 5, complete the basic area work. The area determined up to step 4 is called a basic area. In the example shown in FIG. 13, there are six regions in both the vertical and horizontal directions. These area numbers are represented by (x B , y B ). Here, x B and y B are positive integers from 1 to 6. For example, in FIG. 13, the reference area indicated by hatching is at a position twice as many as the number of regionalized indexes in the X-axis direction and three times as many as the number of regionalized indexes in the Y-axis direction. The area number is (2, 3).

手順6として、これまでに選定された基準デバイスチップ(領域境界点、及び基準測定点と同義)に対して以下の項目について検査する。基本領域の各領域番号(xB, yB)に対して、基準デバイスチップ以外の各デバイスチップ位置が領域境界点を繋げて形成される多角形内部となるか外部となるかを判定する。具体的には領域境界点を右回り又は左回りに並べ変え、続いて領域内の各デバイスチップ位置(領域境界点以外の位置)に対して領域境界点を1周させ、各デバイスチップ位置が領域内部となるかを判定する。 As step 6, the following items are inspected for the reference device chip selected so far (synonymous with the region boundary point and the reference measurement point). For each area number (x B , y B ) of the basic area, it is determined whether each device chip position other than the reference device chip is inside or outside the polygon formed by connecting the area boundary points. Specifically, the region boundary points are rearranged clockwise or counterclockwise, and then the region boundary points are rotated once for each device chip position in the region (a position other than the region boundary point). Determine if it is inside the area.

図14を参照して、領域の内部と外部とを判定する方法を説明する。図14では図13のいくつかの領域に対する例として、左から右に順に、領域番号(1、2)、領域番号(1、3)、領域番号(2、1)、領域番号(2、2)、領域番号(2、3)で与えられる基本領域を示す。領域境界点を1周させる軌跡を細い破線で示し、領域内部と判定されない位置に存在するデバイスチップeには斜線を付して示す。点Pが四辺形の内部にあるか外部となるかの判定方法を図15(A)及び(B)を参照して説明する。   A method for determining the inside and the outside of the area will be described with reference to FIG. In FIG. 14, as an example for some of the regions in FIG. 13, from left to right, region number (1, 2), region number (1, 3), region number (2, 1), region number (2, 2 ), The basic area given by the area number (2, 3). A trajectory that makes one round of the region boundary point is indicated by a thin broken line, and a device chip e existing at a position that is not determined to be inside the region is indicated by hatching. A method for determining whether the point P is inside or outside the quadrilateral will be described with reference to FIGS. 15 (A) and 15 (B).

図15(A)は、十字で示す位置にある点Pが四辺形1234の内部に存在する場合、図15(B)は、十字で示す位置にある点Pが四辺形1234の外部に存在する場合をそれぞれ示している。点Pに対する辺12の角度をA1、点Pに対する辺24の角度をA2、点Pに対する辺43の角度をA3、点Pに対する辺31の角度をA4として、これらの角度に対して符号を加味して加え合わせる。図15(A)に示すように、点Pが内部にある場合には、上述の和A1+A2+A3+A4は2πになり、外部にある場合にはこの和が0となる。特別な場合として点Pが境界線上にある場合は、この和がπとなる。このようにして図14で斜線を付して示したデバイスチップeの位置は、領域外部であると判定される。 15A, when the point P at the position indicated by the cross exists inside the quadrilateral 1234, FIG. 15B shows the point P at the position indicated by the cross exists outside the quadrilateral 1234. Each case is shown. The angle of the side 12 with respect to the point P is A 1 , the angle of the side 24 with respect to the point P is A 2 , the angle of the side 43 with respect to the point P is A 3 , and the angle of the side 31 with respect to the point P is A 4. Add together with the sign. As shown in FIG. 15A, when the point P is inside, the above sum A 1 + A 2 + A 3 + A 4 is 2π, and when it is outside, the sum is 0. Become. As a special case, when the point P is on the boundary line, this sum is π. In this way, the position of the device chip e indicated by hatching in FIG. 14 is determined to be outside the region.

すべてのデバイスチップ位置が領域内部の場合、手順7を実行し、一方、領域外にもデバイスチップが存在する場合は手順8を実行する。境界線上にある場合を内部とするか、外部とするかは全体的な判断によるが、図17のフローでは内部とする。   If all the device chip positions are inside the area, step 7 is executed. On the other hand, if there is a device chip outside the area, step 8 is executed. Whether the case on the boundary line is internal or external depends on the overall judgment, but is internal in the flow of FIG.

手順7として、領域境界点で形成される領域の形(領域境界点で形成される多角形)を調べる。領域境界点で形成される多角形が四辺形以上である場合には、この領域の領域境界点は、3点が同一直線上にない4点を必ず含んでいる。また、領域境界点が5点以上あるときは、最小二乗法で射影変換のパラメータを求めることとする。領域境界点で形成される外形が三角形、線分、点であるという特別の場合については以下のように対応を変更する。図13で示す領域番号(1、6)で与えられる領域のように、領域の外形が三角形である場合には、領域内部に存在するデバイスチップの位置は、三角形の頂点位置に存在するデバイスチップ座標を用いて、加重平均計算を行うことで求めることとする。   As step 7, the shape of the region formed by the region boundary points (polygon formed by the region boundary points) is examined. When the polygon formed by the region boundary points is a quadrilateral or more, the region boundary points of this region always include four points that are not on the same straight line. Further, when there are five or more area boundary points, projective transformation parameters are obtained by the least square method. In the special case where the outer shape formed by the region boundary points is a triangle, a line segment, or a point, the correspondence is changed as follows. When the outer shape of the area is a triangle like the area given by the area number (1, 6) shown in FIG. 13, the position of the device chip existing inside the area is the device chip existing at the apex position of the triangle. It is determined by performing weighted average calculation using coordinates.

また領域境界点で形成される外形が線分の場合には、領域内部に存在するデバイスチップの位置は、線分の両端位置に存在するデバイスチップ座標を用いて、加重平均計算を行うことで求めることとする。領域が点であるという場合には、その点位置のデバイスチップは測定される。領域境界点で形成される外形が三角形、線分、点であるという場合について、特別の処置をすることは、(1)及び(2)式を使用する射影変換は、8つのパラメータで規定され、これらのパラメータを求めるための条件として、4点のうち3点が同一直線上にないという条件が必要なためである。   Also, when the outline formed by the area boundary points is a line segment, the position of the device chip existing inside the area is calculated by performing a weighted average calculation using the device chip coordinates existing at both end positions of the line segment. We will ask for it. If the region is a point, the device chip at that point is measured. For cases where the outline formed by the region boundary points is a triangle, line segment, or point, the special treatment is that the projective transformation using equations (1) and (2) is defined by 8 parameters. This is because, as a condition for obtaining these parameters, a condition that three of the four points are not on the same straight line is necessary.

手順8として、領域境界点で形成される多角形の外側に存在するデバイスチップから領域境界点を選定し、付加する。領域境界点で形成される多角形の外側にデバイスチップがある場合には、領域境界点を付加する。外側にある点が複数ある場合には、領域境界点(基準測定点)は、まず1点を付加してそれでこの領域に属するすべてのデバイスチップ位置が内部存在することとなるか否かを、図15を参照して説明した方法で再度チェックする。   As step 8, region boundary points are selected from device chips existing outside the polygon formed by the region boundary points and added. When the device chip is outside the polygon formed by the region boundary points, the region boundary points are added. When there are a plurality of points on the outside, the region boundary point (reference measurement point) is first added with one point, and whether or not all device chip positions belonging to this region are present internally, Check again with the method described with reference to FIG.

なお、付加する1つの点の選び出しは、次の方法で行う。図16を参照して、新たな領域境界点を付加する方法を説明する。図16において、個々のデバイスチップを正方形で示している。まず領域境界点を時計周りに並べる。外側にあると判定されたデバイスチップの点と並べ変えた2つの領域境界点を結ぶ線分との距離を求める。線分を順番に変えて、最小となる距離をそのデバイスチップの判別距離とする。終わりの領域境界点を初めの領域境界点と結ぶ線分もこの中に含める。外側にあると判定されたデバイスチップ1つ1つでこの判別距離をもとめ、この判別距離が最大となるデバイスチップを、新たに付加する領域境界点として選ぶ。図16では、水平方向の細かな線分で埋め尽くして、この新たに選ばれた付加する領域境界点を与えるデバイスチップfを示している。図16において実線で示す線分は、判別距離を求める時の線分である。   The selection of one point to be added is performed by the following method. A method for adding a new region boundary point will be described with reference to FIG. In FIG. 16, each device chip is indicated by a square. First, the region boundary points are arranged clockwise. The distance between the point of the device chip determined to be outside and the line segment connecting the two region boundary points rearranged is obtained. The line segments are changed in order, and the minimum distance is set as the discrimination distance of the device chip. A line segment connecting the end region boundary point to the first region boundary point is also included in this. For each device chip determined to be outside, this discrimination distance is obtained, and the device chip having the maximum discrimination distance is selected as a region boundary point to be newly added. FIG. 16 shows a device chip f which is filled with fine horizontal line segments to give this newly selected region boundary point to be added. A line segment indicated by a solid line in FIG. 16 is a line segment for obtaining the discrimination distance.

以上において、説明した手順をフローチャートとして、図17に示す。ステップS1で、領域化するためのインデックス数の初期値を設定する手順1を実行する。ステップS2で、中央デバイスチップを決める手順2を実行する。ステップS3で、中央デバイスチップ及び領域化インデックス数位置のデバイスチップを指定する手順3を実行する。ステップS4で、上記ステップS3を実行した結果、指定すべき位置にデバイスチップが存在しない場合に、X方向及びY方向の領域化インデックス数位置を補足するデバイスチップを指定する手順4を実行する。ステップS5で、基本領域化作業を完了して、基本領域化作業で領域化された領域に領域番号(xB, yB)を付与するという手順5を実行する。ステップS6で、領域境界点以外のすべてのデバイスチップ位置が、領域境界点で形成される多角形の内部となるか否かを判定する手順6を実行する。 The procedure described above is shown as a flowchart in FIG. In step S1, a procedure 1 for setting an initial value of the number of indexes for area conversion is executed. In step S2, procedure 2 for determining the central device chip is executed. In step S3, a procedure 3 for designating the central device chip and the device chip at the position of the number of regionized indexes is executed. In step S4, if there is no device chip at the position to be specified as a result of executing step S3, step 4 is executed to specify a device chip that supplements the region index number positions in the X and Y directions. In step S5, the step 5 of completing the basic region forming operation and assigning the region number (x B , y B ) to the region formed by the basic region forming operation is executed. In step S6, step 6 is executed to determine whether or not all device chip positions other than the region boundary points are inside the polygon formed by the region boundary points.

この判定をステップS7で実行し、領域境界点以外のすべてのデバイスチップ位置が内部になっていればステップS8に、外部のものがあればステップS9に進む。ステップS8では、上述した手順7を実行する。領域境界点で形成される領域外形が三角形、線分、点である場合については、領域内部に存在するデバイスチップの中心座標を求める時に、特別の処置をする。例えば、領域の外形が三角形である場合には、領域内部に存在するデバイスチップの中心座標は、三角形の頂点位置に存在するデバイスチップ中心座標を用いて、加重平均計算を行うことで求める。この場合には、補間計算(1)及び(2)式を使用しない。ステップS9では、上述した手順8を実行する。すなわち、領域境界点で形成される多角形の外側に存在するデバイスチップから領域境界点を選定し、付加する。   This determination is executed in step S7, and if all device chip positions other than the region boundary point are inside, the process proceeds to step S8, and if there is an external one, the process proceeds to step S9. In step S8, the above-described procedure 7 is executed. When the region outline formed by the region boundary points is a triangle, a line segment, or a point, special measures are taken when obtaining the center coordinates of the device chip existing inside the region. For example, when the outer shape of the region is a triangle, the center coordinates of the device chip existing inside the region are obtained by performing a weighted average calculation using the device chip center coordinates existing at the vertex position of the triangle. In this case, the interpolation calculations (1) and (2) are not used. In step S9, the above-described procedure 8 is executed. That is, the region boundary point is selected from the device chips existing outside the polygon formed by the region boundary point and added.

以上説明した手順8までのステップを全ての基本領域に対して完了するまで、ステップS6以降のステップを実行し、完了した時点でこのフローチャートで示すプロセスを終了する。   Steps S6 and subsequent steps are executed until the steps up to the procedure 8 described above are completed for all the basic regions, and the process shown in this flowchart is terminated when the steps are completed.

上述した領域化の手順1から手順8までを実行することによって、図18に示すように、領域化と領域境界点を決めることが出来る。すなわち、分割された領域を確定するための領域境界点(基準測定点)を決めることができる。   By performing steps 1 to 8 of the above-mentioned regionization, the regionization and region boundary points can be determined as shown in FIG. That is, a region boundary point (reference measurement point) for determining the divided region can be determined.

図18は、図13を参照して説明した、領域化が完了した直後の状態を示す図である。図18に破線で示したウェーハの周辺部分デバイスチップ(代表して1つの該当するデバイスチップに符号gを付してある。)は、手順8を実行することによって付加した領域境界点(基準測定点)を与えるデバイスチップを示している。領域化が完了したら、領域化データを後述する不揮発性記憶装置に保存する。この段階の領域化データは、書き換えられる可能性もある(検定が終了していない)ので、「候補の保存」として保存する。基準測定点は領域境界点でもある。そのため1つの基準測定点が複数の領域に属することもある。領域化データは領域ごとに整理されると便利である。一方基準測定点については、1つの基準測定点が複数の領域のデータとなることがあるが、重複しないように登録されると便利である。そのため領域化データと基準測定点一覧データとを品種パラメータのパラメータセットの一部として保存する。   FIG. 18 is a diagram showing a state immediately after the area formation described with reference to FIG. 13 is completed. The peripheral part device chip of the wafer indicated by a broken line in FIG. 18 (typically, a corresponding device chip is given a symbol g) is a region boundary point (reference measurement) added by executing step 8. A device chip giving a dot) is shown. When the regionalization is completed, the regionalized data is stored in a nonvolatile storage device to be described later. Since the regionalized data at this stage may be rewritten (the test has not been completed), it is stored as “save candidate”. The reference measurement point is also a region boundary point. Therefore, one reference measurement point may belong to a plurality of areas. It is convenient if the regionized data is organized by region. On the other hand, with respect to the reference measurement point, one reference measurement point may become data of a plurality of areas, but it is convenient to register so as not to overlap. Therefore, the area data and the reference measurement point list data are stored as part of the parameter set of the product parameters.

領域化データとしては、
領域化データヘッダー部
検定データ(すなわち許容偏差量)X,Y
全領域数 N
領域化データのデータ部 0 〜 N-1
領域化データ番号 n(通し番号)
領域化データ有効無効を示す属性 id
領域番号(X方向、Y方向) xB, yB
開始インデックス数(X方向、Y方向) ix、iy
領域化インデックス数(X方向、Y方向) jx、jy
領域内基準測定点数 M
領域内基準測定点番号 n0 ... nM-1(基準測定点番号で指定:M個)
の形で、管理する。基準測定点一覧データとしては、
基準測定点一覧データヘッダー部
全基準測定点 K
基準測定点一覧データのデータ部 0 〜 K-1
基準測定点番号 k(通し番号)
基準測定点有効無効を示す属性 kd
インデックス位置(X方向、Y方向) kx、ky
隣接デバイスチップ有無データ kc
参照領域数 J
参照領域化データ番号 k0 ... kJ-1(領域化データ番号で指定:J個)
の形で、管理する。隣接デバイスチップ有無データは、インデックスマップと各デバイスチップとの対応をとるプロセス(アライメント手順の中の)及び小さいデバイスチップの場合に使用される。詳細については後述する。
As regional data,
Regiond data header test data (ie, allowable deviation) X, Y
Total number of areas N
Data part of regionized data 0 to N-1
Regionalized data number n (serial number)
Attribute id indicating the validity of invalidation data
Area number (X direction, Y direction) x B , y B
Start index number (X direction, Y direction) ix, iy
Number of indexed regions (X direction, Y direction) jx, jy
Number of reference measurement points in the area M
Reference measurement point number in the region n 0 ... n M-1 (Specify with reference measurement point number: M)
Manage in the form of As reference measurement point list data,
List of reference measurement points Data header part All reference measurement points K
Data part of reference measurement point list data 0 to K-1
Reference measurement point number k (serial number)
Attribute indicating reference measurement point valid / invalid kd
Index position (X direction, Y direction) kx, ky
Neighboring device chip presence / absence data kc
Number of reference areas J
Reference area data number k 0 ... k J-1 (Specified by area data number: J)
Manage in the form of The adjacent device chip presence / absence data is used in the process of taking correspondence between the index map and each device chip (in the alignment procedure) and in the case of a small device chip. Details will be described later.

一般的にデバイスチップのサイズが大きいと、個片化に起因するデバイスチップの変位は小さいが、デバイスチップサイズが小さくなると、個片化に起因するデバイスチップの変位は大きくなる。したがって、デバイスチップのサイズが大きなWLCSPに対しては、上述の手順によって求められる領域化データに基づいて、デバイスチップのアライメントを開始しても、多くの場合に問題は起こらない。しかしながら、基準測定点のデバイスチップ中心座標から算出された個々のデバイスチップ中心位置がどれほどずれているかは、実測しなければ判明しない。算出された個々のデバイスチップ中心座標と実測したデバイスチップの中心座標をチェックし、差異が許容値以下であることを確認するのが検定ステップである。   In general, when the device chip size is large, the displacement of the device chip due to singulation is small, but when the device chip size is small, the displacement of the device chip due to singulation is large. Therefore, for WLCSP with a large device chip size, there is no problem in many cases even if the alignment of the device chip is started based on the area data obtained by the above procedure. However, how much the individual device chip center positions calculated from the device chip center coordinates of the reference measurement point are not determinable unless actually measured. The verification step is to check the calculated center coordinates of the individual device chips and the center coordinates of the actually measured device chips to confirm that the difference is not more than an allowable value.

<検定ステップ>
基準測定点としてピックアップされたインデックス位置に移動し、画像処理を応用したパターンマッチングによりデバイスチップ中心位置の座標を測定する。そしてすべての基準測定点のデバイスチップ中心座標を順次測定する。すべての基準測定点のデバイスチップ中心座標が測定されると、測定領域単位で領域内のすべてのデバイスチップ中心座標が算出される(最終的には全デバイスチップ中心座標が算出される)。ここまでのプロセスは既に記述した画像処理ステップである。手順9では、WLCSP上すべてのデバイスチップ中心位置に移動して(算出されたデバイスチップ中心座標をガイド位置として移動させる)、そのデバイスチップ中心座標を測定する。手順10で、算出された個々のデバイスチップ中心座標と実測したデバイスチップの中心座標をチェックし、差異が許容値以下であるかどうかを確認する。手順10が、この発明のデバイスチップ位置測定方法における検定ステップである。
<Examination step>
It moves to the index position picked up as a reference measurement point, and the coordinates of the device chip center position are measured by pattern matching using image processing. Then, the device chip center coordinates of all the reference measurement points are sequentially measured. When the device chip center coordinates of all reference measurement points are measured, all device chip center coordinates in the region are calculated in units of measurement regions (finally, all device chip center coordinates are calculated). The process so far is the image processing step already described. In step 9, the device is moved to all device chip center positions on the WLCSP (the calculated device chip center coordinates are moved as guide positions), and the device chip center coordinates are measured. In step 10, the calculated center coordinates of each device chip and the measured center coordinates of the device chip are checked, and it is confirmed whether or not the difference is equal to or less than an allowable value. Procedure 10 is a verification step in the device chip position measurement method of the present invention.

検定ステップにおいて、個々のデバイスチップ中心位置の座標に対して、実測された座標値と射影変換式(1)及び(2)を用いて算出された座標値との差異が許容値以上であると判定された場合には、差異が許容値以上であると判定されたデバイスチップを含む測定領域をさらに小さく分割する(領域を再分割する)。測定領域が再分割されると、再分割された各々の領域について再度検定ステップを実施する必要がある。しかしこの状態では、既に手順9で、すべてのデバイスチップの中心座標は測定されている。そのため再分割された領域に対する検定ステップでは、手順9(全デバイスチップの中心座標の測定)は省略される。手順11で領域を再分割する。再分割ステップについては後述する。   In the verification step, the difference between the measured coordinate value and the coordinate value calculated using the projective transformation equations (1) and (2) is greater than or equal to the allowable value for the coordinates of the center position of each device chip. If it is determined, the measurement region including the device chip for which the difference is determined to be greater than or equal to the allowable value is further divided (redividing the region). When the measurement region is subdivided, it is necessary to perform the verification step again for each subdivided region. However, in this state, the center coordinates of all device chips have already been measured in step 9. Therefore, the procedure 9 (measurement of center coordinates of all device chips) is omitted in the verification step for the subdivided area. Subdivide the area in step 11. The subdivision step will be described later.

領域を再分割する時、新たな基準測定点が加えられる。新たな基準測定点のデバイスチップ中心座標は、既に手順9で、すべてのデバイスチップの中心座標は測定されているのでコピーすることが出来る(手順12)。再分割された領域の基準測定点のデバイスチップ中心座標から、その領域に属するすべてのデバイスチップの中心座標を算出する(手順13)。再分割されると、再分割される前の領域は複数となる。再分割される前の領域について、それに属するすべてのデバイスチップに対してその中心座標を検定するため、領域が分割された数繰り返す(手順14)。画像処理ステップと上述した手順9〜手順14を繰り返すことで、確定版となる領域化データと基準測定点一覧データを求める。確定版の意味は、実測値と算出値が許容値以内となることが確認されたことを示す。   When the area is subdivided, new reference measurement points are added. The device chip center coordinates of the new reference measurement point can be copied because the center coordinates of all device chips have already been measured in step 9 (step 12). From the device chip center coordinates of the reference measurement point of the subdivided area, the center coordinates of all device chips belonging to the area are calculated (procedure 13). When the image is subdivided, there will be a plurality of regions before the subdivision. In order to verify the center coordinates of all the device chips belonging to the region before being subdivided, the number of times the region is divided is repeated (procedure 14). By repeating the image processing step and the above-described procedure 9 to procedure 14, the regionized data and the reference measurement point list data to be a definite version are obtained. The meaning of the final version indicates that the measured value and the calculated value are confirmed to be within the allowable value.

図19に、検定プロセスの手順を説明するフローチャートを示す。図19に示したフローチャートを参照して、手順9、手順10、手順11(領域の再分割プロセス)、および再分割された領域の検定プロセスを説明する。ステップS90において、上述した初期測定領域分割ステップの手順1から8を適用実行して、基準測定点を算出する。このステップS90は既に上述した図17に示すフローチャートを参照して説明したプロセス(S1〜S10)で、初期測定領域分割ステップである。   FIG. 19 shows a flowchart for explaining the procedure of the verification process. With reference to the flowchart shown in FIG. 19, step 9, step 10, step 11 (region subdivision process), and the subdivision region verification process will be described. In step S90, steps 1 to 8 of the initial measurement area dividing step described above are applied and executed to calculate a reference measurement point. This step S90 is an initial measurement region dividing step in the process (S1 to S10) already described with reference to the flowchart shown in FIG.

ステップS91で基準測定点のデバイスチップに移動し、画像処理を応用したパターンマッチングにより、デバイスチップ中心座標を測定する。すべての基準測定点のデバイスチップ中心座標が測定されると、初期測定領域毎に基準測定点のデバイスチップ中心座標から、領域に属するすべてデバイスチップ中心座標を算出する(ステップS92)。ステップ91とステップ92の2つのステップで、画像処理ステップとなる。ステップS93で、WLCSP上すべてのデバイスチップ中心位置に移動して、画像処理を応用したパターンマッチングにより、デバイスチップ中心座標を測定する(測定方法は基準測定点と同一)。   In step S91, the device chip is moved to the reference measurement point device chip, and the device chip center coordinates are measured by pattern matching using image processing. When the device chip center coordinates of all the reference measurement points are measured, all device chip center coordinates belonging to the area are calculated from the device chip center coordinates of the reference measurement point for each initial measurement area (step S92). Two steps, step 91 and step 92, are image processing steps. In step S93, the device moves to all device chip center positions on the WLCSP, and the device chip center coordinates are measured by pattern matching using image processing (the measurement method is the same as the reference measurement point).

すべてのデバイスチップ中心座標を測定するには、長時間かかることがある。このような場合には、サンプリングする。ステップS94で、すべてのデバイスチップに対して、デバイスチップの中心座標の測定値と、射影変換を与える式(1)及び式(2)から算出された値をチェックする。測定領域が再分割されることがあるので、初期測定領域を単位として、その領域に含まれるすべてのデバイスチップに対して調べる。このステップS94におけるデバイスチップ中心位置に対する測定値と算出値の差異(偏差)が許容値内にあるか否かを判定する(ステップS95)。   It may take a long time to measure all device chip center coordinates. In such a case, sampling is performed. In step S94, the measured values of the center coordinates of the device chips and the values calculated from the equations (1) and (2) that give the projective transformation are checked for all device chips. Since the measurement area may be subdivided, the initial measurement area is used as a unit, and all device chips included in the area are examined. It is determined whether or not the difference (deviation) between the measured value and the calculated value with respect to the center position of the device chip in step S94 is within an allowable value (step S95).

この判定の結果、許容値内であれば、この作業が全ての初期測定領域において終了していることを確かめて、全作業を終了する(S99)。一方、この差異(偏差)が許容範囲外であると判定されれば、領域を更に細かに再分割する(S100)。再分割に際して新たに設定された基準測定点のデバイスチップ中心座標をコピーし(ステップS98)、そして領域毎に基準測定点のデバイスチップ中心座標から、その領域の属するすべてのデバイスチップの中心座標を算出する(ステップS97)。領域を分割するプロセスが含まれているので、初期測定領域を単位として、その領域が分割された場合には、分割された数繰り返す(ステップS96)。実測値と算出値の差異(偏差)が許容範囲内になるまで、S100、S98、S97、およびS96のプロセスを繰り返す。   As a result of this determination, if it is within the allowable value, it is confirmed that this work is finished in all the initial measurement areas, and all the work is finished (S99). On the other hand, if it is determined that this difference (deviation) is outside the allowable range, the region is further subdivided (S100). The device chip center coordinates of the reference measurement point newly set at the time of subdivision are copied (step S98), and the center coordinates of all the device chips to which the area belongs are obtained from the device chip center coordinates of the reference measurement point for each area. Calculate (step S97). Since the process of dividing the area is included, when the area is divided in units of the initial measurement area, the divided number is repeated (step S96). The processes of S100, S98, S97, and S96 are repeated until the difference (deviation) between the measured value and the calculated value is within the allowable range.

図19のフローチャートに示されたプロセスを終了した基準測定点は確定版のデータとなる。領域化データと基準測定点一覧データとを、後述する不揮発性記憶装置に保存する。   The reference measurement point that has completed the process shown in the flowchart of FIG. The area data and the reference measurement point list data are stored in a nonvolatile storage device to be described later.

上述した手順を実行するための実用的なプログラムにおいては、1領域が1つのデバイスチップで構成されるというところまで細分化されて処理できることが保障されていることが理想である。しかしこのような理想的なプログラムで現実の作業を行なう場合でも、領域化する最小のインデックス数を2又は3程度と定義して、上述の手順を実行するのがよい。   In a practical program for executing the above-described procedure, it is ideal that it is guaranteed that one area can be divided and processed so that one area is constituted by one device chip. However, even when performing an actual work with such an ideal program, it is preferable to define the minimum number of indexes to be defined as about 2 or 3 and execute the above-described procedure.

細かい水準まで領域化するため分割を進める必要があるということは、図6に示したようなデバイスチップ位置のばらつきが大きく発生しているということを意味する。デバイスチップを1つおき又は2つおきに測定して、その間のデバイスチップ位置が近似できないならば、マルチテスティングの実施は、基本的に困難であるとみなすべきである。実際の運用では、領域化する最小のインデックス数を与えることで、マルチテスティングをどの程度の規模まで実行するかを決定することができる。   The fact that it is necessary to proceed with the division in order to make the region into a fine level means that the device chip position variation as shown in FIG. If every other or two device chips are measured and the device chip position between them cannot be approximated, multi-testing should be considered fundamentally difficult. In actual operation, it is possible to determine to what extent multi-testing is performed by giving the minimum number of indexes to be regionized.

ところで検定プロセスでは、全デバイスチップの位置を測定することを基本とするが、デバイスチップサイズが小さい時には1つのWLCSPウェーハ上にかなりの数のデバイスチップ数が存在する。デバイスチップサイズが小さい場合に、検定プロセスにおいて、プロセスの処理に要する時間を短縮するためには、全デバイスチップの位置を測定しない方策が重要である。デバイスチップの測定を1つおき、又は2つおきにすると測定回数は大きく減少する。   By the way, the calibration process is based on measuring the positions of all device chips. When the device chip size is small, there are a considerable number of device chips on one WLCSP wafer. When the device chip size is small, in order to shorten the time required for the process in the verification process, it is important to measure not to measure the positions of all device chips. When every other or two device chips are measured, the number of measurements is greatly reduced.

WLCSP外周から近い位置では、個片化によるデバイスチップの変位が大きくなる可能性が高いので、外周から近いデバイスチップ(外周からの数を指定する)位置はすべて測定に加えるオプションを選択できるようにする。このようなサンプリングは簡単であるので詳細は省略する。   At the position close to the outer periphery of the WLCSP, there is a high possibility that the displacement of the device chip due to singulation is high, so that the option to add to the measurement can be selected for all positions of the device chip close to the outer periphery (specify the number from the outer periphery) To do. Since such sampling is simple, details are omitted.

すべてのデバイスチップの中心座標を画像処理で測定するため、検定プロセスを実行するには長時間を必要とするが、最長の時間としては、全デバイスチップ位置測定に要する時間と同程度である。検定は毎回実行する必要は無い。新規のデバイスチップ品種をテスティングする場合には、何回かは検定を実行する必要することが望ましい。またテスティングで連続してフェイルとなる場合(不良品と判定される場合)には、デバイスチップの端子位置とテスタ測定電極位置との間にずれが発生していることが考えられるので、この場合には、検定が実行できるように、手当てしておくのが望ましい。   Since the center coordinates of all device chips are measured by image processing, it takes a long time to execute the verification process, but the longest time is about the same as the time required to measure all device chip positions. The test need not be performed every time. When testing a new device chip type, it is desirable to perform several tests. If the test fails continuously (determined as a defective product), there may be a gap between the device chip terminal position and the tester measurement electrode position. In some cases, it is desirable to take care so that the test can be performed.

<再分割ステップ>
デバイスチップ中心座標の測定値と、射影変換式(1)及び(2)を用いて算出されたデバイスチップ中心座標値との差異が、許容値以上であれば、測定領域を再分割する。上述の差異が許容値以上であると判定された領域についてのみ実施する。領域の再分割は、図20のフローチャートに従って実施される。図20のフローチャートは図17に示すフローチャートと同様な手順となる。「候補の保存」として保存されている領域化データと基準測定点一覧データを呼び出す(ステップS80)。再分割する領域の領域化インデックス数を1/2として、再分割する領域に設定されている基準測定点の中間地点に新たな基準測定点を付加する(ステップS81)。再分割する領域が、デバイスチップ配列の外縁デバイスチップを含む場合には、ステップS81で付加された基準測定点と同一の行または列に位置するデバイスチップ配列の外縁デバイスチップを基準測定点として加える(ステップS82)。その後で、再分割する領域を4つの領域に分割する(ステップS83)。4つの領域に分割されたあとのプロセスは、初期測定領域分割ステップの手順6以降の手順と同一である。
<Subdivision step>
If the difference between the measured value of the device chip center coordinates and the device chip center coordinates calculated using the projective transformation equations (1) and (2) is greater than or equal to the allowable value, the measurement area is subdivided. Only the region where the above-described difference is determined to be greater than or equal to the allowable value is performed. The subdivision of the area is performed according to the flowchart of FIG. The flowchart of FIG. 20 is similar to the flowchart shown in FIG. The regionized data and reference measurement point list data stored as “candidate storage” are called (step S80). A new reference measurement point is added to an intermediate point of the reference measurement points set in the area to be subdivided, with the number of area indexes in the area to be subdivided being halved (step S81). When the region to be re-divided includes the outer edge device chip of the device chip array, the outer edge device chip of the device chip array located in the same row or column as the reference measurement point added in step S81 is added as the reference measurement point. (Step S82). Thereafter, the area to be subdivided is divided into four areas (step S83). The process after the division into four areas is the same as the procedure after the procedure 6 of the initial measurement area division step.

図21を参照して新たに付加された基準測定点と1つの領域を4つに分割される状況を説明する。図21において、正方形でデバイスチップを示し、その正方形の中で太線の正方形で示すデバイスチップが、基準測定点(領域境界点)を与えるデバイスチップである。   With reference to FIG. 21, a situation where a newly added reference measurement point and one area are divided into four will be described. In FIG. 21, a device chip is indicated by a square, and a device chip indicated by a thick square among the squares is a device chip that provides a reference measurement point (region boundary point).

ここで図21を参照して説明する例は、中央の領域(基準測定点P、Q、R及びSで示す領域)がさらに分割されたとした場合についてである。領域の管理は領域化データを用いて行う。新たに細分化された領域については、新たに領域化データを追加する。分割される領域の領域化データは無効とする属性をつける。領域化データを構成する領域番号は、基本領域化で決まる領域番号を基本とし(図17の手順5)、領域が分割される時は、枝番を付加して管理する。このように管理すると、座標を求めようとするデバイスチップ位置に対して、対応する領域化データを容易に参照できる。図21に示すように領域境界線上で付加される基準測定点(領域境界点)は、複数の領域に属することとなる。図21においてこの付加された基準測定点が、T、U、V、W及びXで示してある。   Here, the example described with reference to FIG. 21 is a case where the central region (regions indicated by reference measurement points P, Q, R, and S) is further divided. The management of the area is performed using the area data. For the newly subdivided area, new area data is added. An attribute for invalidating the regionized data of the region to be divided is attached. The region numbers constituting the regionized data are based on the region numbers determined by the basic regionization (procedure 5 in FIG. 17), and are managed by adding branch numbers when the regions are divided. If managed in this way, the corresponding regionized data can be easily referred to for the device chip position for which the coordinates are to be obtained. As shown in FIG. 21, the reference measurement points (region boundary points) added on the region boundary line belong to a plurality of regions. In FIG. 21, the added reference measurement points are indicated by T, U, V, W and X.

付加された基準測定点T、U、V及びWは、再分割で生成された4つの領域のそれぞれに属するが、再分割された領域の上側、下側、左側及び右側の領域にもそれぞれが属している。領域化データには、開始インデックス数と領域化インデックス数が含まれているので、領域の位置と範囲は容易に判る。付加された基準測定点が、点検しようとする領域の領域境界点となるかは容易に判定される。その領域に含まれる場合には、基準測定点一覧データの参照領域化データ番号も修正する。領域化データと基準測定点一覧データの整合性は確保される。   The added reference measurement points T, U, V, and W belong to each of the four areas generated by the subdivision, but each of the upper, lower, left, and right areas of the subdivision area also has. belong to. Since the area data includes the start index number and the area index number, the position and range of the area can be easily understood. It is easily determined whether the added reference measurement point is a region boundary point of the region to be inspected. If it is included in the area, the reference area data number of the standard measurement point list data is also corrected. Consistency between the regionized data and the reference measurement point list data is ensured.

1-3.個片化されたWLCSPのアライメントの手順
領域化されたWLCSPのアライメント手順について説明する。WLCSPは個片化されると、個々のデバイスチップの間隔は一定ではなくなる。さらに個々のデバイスチップは、図2又は図4に示されるように少し角度を持つこととなる。しかし、マルチサイトテスティングを実施するためには、個片化されたデバイスチップでも、ある程度整列された状態でなければCSPプロ−バ(CSPハンドラー)でマルチサイトテスティングすることは出来ない。
1-3. Alignment Procedure for Individualized WLCSP The alignment procedure for the segmented WLCSP will be described. When WLCSP is singulated, the intervals between individual device chips are not constant. Furthermore, each device chip has a slight angle as shown in FIG. 2 or FIG. However, in order to perform multi-site testing, even a singulated device chip cannot be multi-site tested by a CSP probe (CSP handler) unless it is aligned to some extent.

アライメントを実施する上で考慮すべき点をまとめると、以下の1)から3)に掲げる通りとなる。   The points to be considered when performing alignment are summarized as shown in the following 1) to 3).

1)デバイスチップ間隔は一定ではない。デバイスチップ間隔にある程度以上ばらつきがある場合には、マルチサイトテスティングは実施できない。そこで、デバイスチップ間隔が、設計値から指定された許容値以上変わる場合には、エラーとするという条件をアライメントに取り入れる。   1) The device chip interval is not constant. Multi-site testing cannot be performed if there is some variation in device chip spacing. Therefore, when the device chip interval changes by more than a specified allowable value from the design value, an error condition is taken into alignment.

2)デバイスチップ間隔が、個片化することによって設計値から指定された許容値以上変わる場合には、エラーとするという条件を取り入れるとすれば、WLCSP上のすべてのデバイスチップ間隔を測定しなければならないことになるが、これは現実的ではない。そこで、図10に示すようにWLCSPを領域に分割して、領域分割点(基準測定点とする)を測定することとする。デバイスチップ間隔をアライメントプロセスでチェックすることとする。   2) If the device chip interval changes by more than the specified tolerance from the design value due to the separation, if an error condition is introduced, all device chip intervals on the WLCSP must be measured. This must be done, but this is not realistic. Therefore, as shown in FIG. 10, the WLCSP is divided into regions, and the region dividing points (reference measurement points) are measured. The device chip interval is checked in the alignment process.

3)図2及び図4に示したようにデバイスチップはある程度傾いているが、個々のデバイスチップの傾き角度を測定することも現実的でない(個々のデバイスチップの傾き角度を測定するには、1つのデバイスチップに対して2箇所以上を画像計測しなければならない、そしてすべてのデバイスチップを測定しなければならない)。そこで、デバイスチップの傾きの角度は、マルチサイトテスティングのマルチ数に対応する多数のデバイスチップの中心位置から算出する。実際のデバイスチップの傾き角度補正は、図6及び図7で示すように、テスティングプロセスにおいて、測定テーブルをコントロールすることで実行する。   3) Although the device chip is tilted to some extent as shown in FIGS. 2 and 4, it is not practical to measure the tilt angle of each device chip (in order to measure the tilt angle of each device chip, Two or more locations must be measured for one device chip, and all device chips must be measured). Therefore, the inclination angle of the device chip is calculated from the center positions of a large number of device chips corresponding to the number of multi-site testing. As shown in FIGS. 6 and 7, the actual device chip tilt angle correction is executed by controlling the measurement table in the testing process.

さらにダイシングテープの最大伸張量は既に考察したように、1mm以下であると考えてよい。ダイシングテープの最大伸張量が1mm以下であると、デバイスチップの大きさが2mm×2mm以上であれば、図4に示すような中央部分とWLCSPの両端部分とで1デバイスチップずれることはない。   Furthermore, as already discussed, the maximum extension of the dicing tape may be considered to be 1 mm or less. When the maximum extension amount of the dicing tape is 1 mm or less, if the size of the device chip is 2 mm × 2 mm or more, the center portion and the both end portions of the WLCSP as shown in FIG.

個片化されたWLCSPは、個々のデバイスチップの角度はそれぞれ同一ではなく、それぞれのデバイスチップ間隔も同一ではない。WLCSPのアライメントが終了した後、それに続くテスティングでは個々のデバイスチップの測定された位置に対応して図6及び図7を参照して説明したような補正のための操作(デバイスチップを測定テーブル上で移動させること)が必要となる。補正のための操作を考慮して、アライメントプロセスでは、平均的なデバイスチップ角度を測定して、この角度を調整して、その後でこの角度を基準としてデバイスチップの中心座標を測定するという手順とする。すべてのデバイスチップの中心位置は、既に記述したように、基準測定点(領域分割点)のデバイスチップの中心座標を測定することで求める。   In the separated WLCSP, the angles of the individual device chips are not the same, and the intervals between the device chips are not the same. After the alignment of the WLCSP is completed, the subsequent testing corresponds to the measured position of each device chip, and the correction operation as described with reference to FIGS. 6 and 7 (device chip measurement table). Move it up). Considering the operation for correction, the alignment process measures the average device chip angle, adjusts this angle, and then measures the center coordinates of the device chip with reference to this angle, and To do. As described above, the center positions of all device chips are obtained by measuring the center coordinates of the device chip at the reference measurement point (area division point).

個片化されたWLCSPのアライメントを実施するためのプロセスを図22に示すフローチャートを参照して説明する。品種パラメータのパラメータセットの一部として保存されている領域化データと基準測定点一覧データとをロードする。同一品種で全く初めてのテスティングの場合には、初期測定領域分割ステップを実行して領域化データと基準測定点一覧データとを作成する。ロードされたデータは、ワークデータとしてテスティングするWLCSP一枚のみに使用するデータとする。このプロセスが、図22に示すフローチャートではステップS30である。   A process for performing alignment of the separated WLCSP will be described with reference to a flowchart shown in FIG. Load the regionalization data and reference measurement point list data stored as part of the parameter set of product parameters. In the case of testing for the first time with the same product type, the initial measurement area dividing step is executed to create aread data and reference measurement point list data. The loaded data is data used for only one WLCSP to be tested as work data. This process is step S30 in the flowchart shown in FIG.

ダイシングテープに貼り付けられたWLCSPが測定テーブルにロードされる時、WLCSPは全体としてある角度傾いている。WLCSP全体がある角度傾く理由は、一つには、WLCSPがダイシングテープに貼り付けられる時に角度ずれが発生すること、もう一つには、ダイシングフレームが測定テーブルにロードされる時に角度ずれが発生すること、の2つある。図22に示すフローチャートにおいて、「測定テーブルに載せられたWLCSPの角度調整」と表示したステップS31は、この角度を測定して、補正するステップに相当する。   When the WLCSP attached to the dicing tape is loaded onto the measurement table, the WLCSP is inclined at an angle as a whole. The reason why the whole WLCSP is tilted at one angle is that the angle deviation occurs when the WLCSP is affixed to the dicing tape, and the angle deviation occurs when the dicing frame is loaded on the measurement table. There are two things to do. In the flowchart shown in FIG. 22, step S31 displayed as “Adjusting the angle of WLCSP placed on the measurement table” corresponds to a step of measuring and correcting this angle.

図22に示すフローチャートで示したプロセスについて図23を参照して説明する。図23は、WLCSPの角度調整のためのプロセスの説明をするための図であり、オリエンテーションフラットを含む円形でウェーハの外周を示し、細かな正方形によってデバイスチップを示している。   The process shown in the flowchart shown in FIG. 22 will be described with reference to FIG. FIG. 23 is a diagram for explaining the process for adjusting the angle of the WLCSP. The outer periphery of the wafer is shown as a circle including the orientation flat, and the device chip is shown as a fine square.

角度を補正するプロセスでは、1点目としてWLCSP中央付近に存在するデバイスチップ(図23で1と示されるデバイスチップ)の中心位置又はデバイスチップの中心から指定された距離離れた位置を、パターンマッチング等の画像処理を応用した方法で測定する(デバイスチップの中心座標を測定することと同義)。続いて1点目から数デバイスチップ離れた2点目(図23で2と示されるデバイスチップ)を同じ方法で測定して、1点目と2点目を連ねる方向から角度を算出する。特別の場合として、算出された角度をこの段階で補正してもよい。以降毎回角度を求めた直後に補正してもよい。   In the process of correcting the angle, the first point is the pattern matching of the center position of the device chip (device chip shown as 1 in FIG. 23) existing near the center of the WLCSP or the position away from the center of the device chip. Measurement is performed by a method applying image processing such as (synonymous with measuring the center coordinates of the device chip). Subsequently, a second point (a device chip indicated as 2 in FIG. 23) that is several device chips away from the first point is measured by the same method, and an angle is calculated from the direction in which the first point and the second point are connected. As a special case, the calculated angle may be corrected at this stage. You may correct | amend immediately after calculating | requiring an angle each time after that.

1点目と2点目を連ねる方向の延長線上のWLCSP右端付近(図23で3と示されるデバイスチップ)において同じ方法を使用して3点目を測定する。1点目、2点目、3点目を連ねる直線を最小二乗法で確定する。この直線の延長線上WLCSP左端付近(図23で4と示されるデバイスチップ)において同じ方法を使用して4点目を測定する。1点目、2点目、3点目、4点目を連ねる直線を最小二乗法で確定する。このようにして確定された線の傾きから角度を求めて、この角度をWLCSPの傾きとして補正する。   The third method is measured using the same method in the vicinity of the right edge of the WLCSP (device chip indicated by 3 in FIG. 23) on the extended line in the direction connecting the first and second points. Determine the straight line connecting the 1st, 2nd, and 3rd points using the method of least squares. A fourth point is measured using the same method in the vicinity of the left end of WLCSP (device chip indicated as 4 in FIG. 23) on the extension of this straight line. Determine the straight line connecting the 1st, 2nd, 3rd and 4th points using the least squares method. An angle is obtained from the slope of the line thus determined, and this angle is corrected as the slope of WLCSP.

WLCSPは上述のように角度が補正されても、依然として、以下の二つの要因で、測定テーブルに対して平行移動した状態にずれている。このずれは、WLCSPがダイシングテープに貼り付けられる時、あるいは、ダイシングフレームが測定テーブルにロードされる時に発生する。上述した要因によるずれの大きさは、前プロセスに使われた装置等にも依存しいる。このため、インデックスマップと各デバイスチップとの対応をとるプロセス(ステップS32)が必要となる。   Even if the angle of the WLCSP is corrected as described above, the WLCSP is still shifted to the state of being translated with respect to the measurement table due to the following two factors. This deviation occurs when the WLCSP is affixed to the dicing tape or when the dicing frame is loaded onto the measurement table. The magnitude of the deviation due to the above factors also depends on the device used in the previous process. For this reason, a process for taking correspondence between the index map and each device chip (step S32) is required.

図24を参照してこの対応をとるためのプロセス、すなわちステップS32を説明する。図24は、インデックスマップと各デバイスチップとの対応をとるプロセスの説明をするための図であり、オリエンテーションフラットを含む円形でウェーハの外周を示し、細かな正方形によってデバイスチップを示している。   Referring to FIG. 24, the process for taking this correspondence, that is, step S32 will be described. FIG. 24 is a diagram for explaining the process of taking the correspondence between the index map and each device chip. The outer periphery of the wafer is indicated by a circle including an orientation flat, and the device chip is indicated by a fine square.

まず、デバイスチップ配置上の特定位置を設定しておき、これに対応するデバイスチップを検索してその存在を確認する。図24において、この特定位置のデバイスチップ(太い線の正方形で示す)を、A〜Dで示した。特定位置のデバイスチップは、基準測定点の中から選定する。選定の方法は、斜め45度傾斜した4本の線を、WLCSPの外側から近づけた時に、始めに接する点として選び出す(複数ある場合には、一番上を選ぶ)。図24のA〜D点は、周りに存在するデバイスチップの配置も重要である。周りに存在するデバイスチップの配置は、図25に示す方法で、コード化されて、基準測定点一覧データで隣接デバイスチップ有無データとなる。   First, a specific position on the device chip arrangement is set, and a device chip corresponding to this is searched to confirm its existence. In FIG. 24, the device chip at this specific position (indicated by a thick square) is indicated by A to D. The device chip at the specific position is selected from the reference measurement points. The selection method is to select four lines inclined at an angle of 45 degrees as the first contact point when approaching from the outside of the WLCSP (if there are multiple lines, select the top). The arrangement of device chips existing around the points A to D in FIG. 24 is also important. The arrangement of the device chips existing around is encoded by the method shown in FIG. 25 and becomes the adjacent device chip presence / absence data in the reference measurement point list data.

図25は、隣接デバイスチップ有無をコード化する方法を示す図である。デバイスチップが存在する場合を1、存在しない場合を0とし、左上位置から順に2進数として表現し、その結果を数値とする。図24のAでは、00111000で56となる。A、B,C及びD以外の基準測定点の「隣接デバイスチップ有無データ」は、−1としておく。この設定は、初期測定領域分割ステップが終了して、基準測定点の候補が得られた段階で実施する。   FIG. 25 is a diagram illustrating a method of coding the presence / absence of adjacent device chips. When the device chip is present, 1 is indicated, and when the device chip is not present, 0 is expressed as a binary number in order from the upper left position, and the result is a numerical value. In A of FIG. 24, 00111000 becomes 56. The “adjacent device chip presence / absence data” of reference measurement points other than A, B, C, and D is set to −1. This setting is performed at the stage when the initial measurement area dividing step is completed and the reference measurement point candidates are obtained.

設定されたA〜Dでは、周りのデバイスチップが隣接デバイスチップ有無データと一致するか、デバイスチップの有無を確認する。デバイスチップ有無の確認は、デバイスチップの中心座標を測定するのと同じ、パターンマッチング手法で実施する。A〜Dのうち3箇所が一致したら、インデックスマップと各デバイスチップとの対応はとれたとする。すなわち、ステップS32を終了する。   In the set A to D, the presence / absence of a device chip is checked to determine whether the surrounding device chip matches the adjacent device chip presence / absence data. The presence / absence of the device chip is confirmed by the same pattern matching method as that for measuring the center coordinates of the device chip. Assume that the correspondence between the index map and each device chip is obtained when three locations A to D match. That is, step S32 is ended.

インデックスマップとの対応がとれたら、基準測定点一覧データのすべての基準測定点のデバイスチップ中心座標をパターンマッチングによる画像処理で測定する。1点ずつ順番に基準測定点のデバイスチップ中心位置に移動して測定する(ステップS33)。ステップS34で基準測定点のデバイスチップの中心座標が測定されたか否かを調べる。すべての基準測定点のデバイスチップ中心座標が測定されたら、領域化データを使用して、領域に含まれるすべてのデバイスチップの中心座標を式(1)及び式(2)により算出する(ステップS35)。ある基準測定点のデバイスチップの中心座標が測定されないと、その基準測定点の代替基準測定点を設定して、基準測定点一覧データに加える(ステップS36)。そして次の順番の基準測定点を測定する。ステップS33、ステップS34及びステップS35で、画像処理ステップとなる。   When correspondence with the index map is obtained, the device chip center coordinates of all the reference measurement points in the reference measurement point list data are measured by image processing by pattern matching. Measurement is performed by moving one point at a time to the center position of the device chip at the reference measurement point (step S33). In step S34, it is checked whether the center coordinates of the device chip at the reference measurement point have been measured. When the device chip center coordinates of all the reference measurement points are measured, the center coordinates of all the device chips included in the region are calculated by using the area data, using Equation (1) and Equation (2) (Step S35). ). If the center coordinate of the device chip at a certain reference measurement point is not measured, an alternative reference measurement point for that reference measurement point is set and added to the reference measurement point list data (step S36). Then, the reference measurement point in the next order is measured. Steps S33, S34, and S35 are image processing steps.

検定ステップなしの場合には、これでアライメント終了となる。すなわちステップS35ですべてのデバイスチップの中心座標が得られているので、その座標を使用してテスティングプロセスを開始する。得られたデバイスチップの中心座標は、インデックスマップと同じ2次元配列データとなる。デバイスチップの中心座標のデータは、測定アライメントデータと名前を付け、インデックス位置を ( i, j)として、
測定アライメントデータヘッダー部
配列数(X方向、Y方向) Kx、Ky
測定アライメントデータのデータ部
デバイスチップの有効無効を示す属性 id[i][j]
デバイスチップの中心座標 ( px[i][j],py[i][j])
の形で管理し、必要な場合には不揮発性記憶装置に保存する。デバイスチップの有効無効を示す属性は、デバイスチップなし(‐1)、画像処理で測定できなかった(‐2)、デバイスチップを抜き取った(‐3)等マイナスで、デバイスチップの中心座標を参照しないようにする。0またはプラスで基準測定点と算出された座標値等を区別するように使う。
When there is no verification step, this is the end of alignment. That is, since the center coordinates of all the device chips are obtained in step S35, the testing process is started using the coordinates. The center coordinates of the obtained device chip are the same two-dimensional array data as the index map. The center coordinate data of the device chip is named the measurement alignment data, the index position is (i, j),
Measurement alignment data header part Number of arrays (X direction, Y direction) Kx, Ky
Data part of measurement alignment data Attribute id [i] [j] indicating device chip valid / invalid
Center coordinates of device chip (px [i] [j], py [i] [j])
Are stored in a nonvolatile storage device if necessary. The device chip valid / invalid attribute is minus, such as no device chip (-1), could not be measured by image processing (-2), extracted the device chip (-3), etc. Refer to the center coordinates of the device chip Do not. 0 or plus is used to distinguish the reference measurement point from the calculated coordinate value.

基準測定点が測定されないと、式(1)及び式(2)の係数b1〜b8を求めることは出来ない。そのため代替の基準測定点を設定して、その点を基準測定点一覧データに追加する。基準測定点一覧データは、既にワークデータとしてコピーしたもである。このステップがステップS36である。代替の基準測定点の設定方法について、図26を参照して説明する。図26では、正方形はデバイスチップを示し、太い線の正方形は基準測定点を示す。図中のデバイスチップは、4つの領域で形成され、それぞれの領域は、領域番号(1、1)、領域番号(1、2)、領域番号(2、1)及び領域番号(2、2)であるとする。 If the reference measurement point is not measured, the coefficients b 1 to b 8 in the equations (1) and (2) cannot be obtained. Therefore, an alternative reference measurement point is set, and that point is added to the reference measurement point list data. The reference measurement point list data has already been copied as work data. This step is step S36. An alternative reference measurement point setting method will be described with reference to FIG. In FIG. 26, a square indicates a device chip, and a thick square indicates a reference measurement point. The device chip in the figure is made up of four regions, each of which has region number (1, 1), region number (1, 2), region number (2, 1) and region number (2, 2). Suppose that

中央の基準測定点が測定されないとすると、代替の基準測定点として、その基準測定点の周りの4点(破線の正方形)が設定される。測定出来ない基準測定点は、基準測定点一覧データを参照して、どの領域化データと関係するか調べられる。すなわち、領域番号(1、1)、領域番号(1、2)、領域番号(2、1)及び領域番号(2、2)であることが判る。測定出来ない基準測定点のデバイスチップは存在しないとして、それぞれの領域で、初期測定領域分割ステップ(図17)の手順6、手順7及び手順8を実行すると、図26で破線の正方形が基準測定点として選定され、付加される。さらに太い破線の基準測定点が再び測定出来ないとすると、二重線で示した正方形が、新たな基準測定点として選定され、付加される。   If the central reference measurement point is not measured, four points (dashed square) around the reference measurement point are set as alternative reference measurement points. The reference measurement points that cannot be measured are referred to the reference measurement point list data to determine which regionized data is related to. That is, it can be seen that the region number (1, 1), the region number (1, 2), the region number (2, 1), and the region number (2, 2). Assuming that there is no device chip at the reference measurement point that cannot be measured, when steps 6, 7, and 8 of the initial measurement region dividing step (FIG. 17) are executed in each region, the broken-line square in FIG. Selected as points and added. If a thicker broken reference measurement point cannot be measured again, a square indicated by a double line is selected and added as a new reference measurement point.

検定ステップ有りの場合は、ステップS38として、検定ステップを実行し、ステップS39として、再分割ステップを実行する。検定ステップと再分割ステップとで、検定プロセスとなり、図19に示されるフローチャートとなる。検定ステップ有りのアライメントは、確定版の領域化データと基準測定点一覧データを得ることが目的で、新たな品種を処理する場合の初めのWLCSP何枚かについて調べる時に使用する。または連続フェイルの直後ですべてのデバイスチップの中心座標を確認したい場合にも使用される。   If there is a verification step, the verification step is executed as step S38, and the subdivision step is executed as step S39. The verification step and the subdivision step constitute a verification process, which is a flowchart shown in FIG. The alignment with the verification step is used to obtain the final version of the regionalized data and the reference measurement point list data, and is used to check the number of the first WLCSP when processing a new variety. It is also used when it is desired to confirm the center coordinates of all device chips immediately after a continuous failure.

個片化されたWLCSPのアライメントプロセスで、検定ステップ及び再分割ステップを実施した後で、これらの手順で得られた「確定版」の領域化データと基準測定点一覧データを不揮発性記憶装置に保存する(確定版の保存)。「確定版」は検定されているという意味である。領域化データと基準測定点一覧データは、WLCSP何枚か又は何ロットかにわたって、算出されたデバイスチップの中心座標と実測されたデバイスチップ中心座標との差異を、統計的に調べて、統計的バラツキの範囲でも、誤差が許容値以内と判定できることが望ましい。   After performing the verification step and the subdivision step in the alignment process of the separated WLCSP, the “finalized version” regionized data and reference measurement point list data obtained by these procedures are stored in the nonvolatile storage device. Save (save final version). “Final version” means that it has been tested. The area data and the reference measurement point list data are statistically determined by statistically examining the difference between the calculated center coordinates of the device chip and the measured center coordinates of several WLCSPs or lots. It is desirable that the error can be determined to be within the allowable value even within the range of variation.

基準測定点を測定する方法は、アライメント時間を短縮する1つの方法であり、WLCSP上の全デバイスチップ位置を測定する代わりに、基準測定点の位置に在るデバイスチップの中心座標のみを測定し、測定された基準測定点のデバイスチップの中心座標から個々のデバイスチップ中心座標を算出するものである。そのため多くの枚数のWLCSPを処理すると、「確定版として保存されている」基準測定点のデバイスチップ中心位置からでは、算出されたデバイスチップの中心座標が、実際のデバイスチップ中心座標を精度よく近似しない場合も出現する。   The method of measuring the reference measurement point is one method for shortening the alignment time. Instead of measuring all the device chip positions on the WLCSP, only the center coordinates of the device chip at the position of the reference measurement point are measured. The center coordinates of each device chip are calculated from the center coordinates of the device chip at the measured reference measurement point. Therefore, when a large number of WLCSPs are processed, the calculated device chip center coordinates accurately approximate the actual device chip center coordinates from the device chip center position of the reference measurement point "stored as a definitive version". Appears when not.

上述のような状況は、テスティングプロセスにおいて連続してフェイルになるか、又は何枚かのWLCSPでほぼ同じインデックス位置がフェイルとなるといった状態が発生する。もっとも、統計的な現象であるので他の状況として現れる可能性もある。このような場合には、まずフェイルとなったデバイスチップの中心位置を確認することが重要である(算出されたデバイスチップの中心座標がフェイルとなったデバイスチップの中心に合致するか確認する)。テスティングプロセスにおいてこのような状況が発生した場合に、1つのオプションとして、図22に示したフローチャートに従った検定ステップ有りの処理を起動できるようにしておくとよい。   In the situation as described above, a failure occurs continuously in the testing process or almost the same index position fails in some WLCSPs. However, since it is a statistical phenomenon, it may appear as another situation. In such a case, it is important to first confirm the center position of the failed device chip (confirm whether the calculated center coordinates of the device chip match the center of the failed device chip). . When such a situation occurs in the testing process, as an option, it may be possible to activate processing with a verification step according to the flowchart shown in FIG.

2.ピッカープロセス後の歯抜け状態のデバイスチップ配列となった半導体デバイスチップのアライメント
既に述べたように、再テスティングを行なう時期は、ピッキングされる前とピッキングされた後との2通りがある。ピッキングされた後では、デバイスチップの配列が、いわゆる歯抜け状態となっている。ピッキングされるデバイスチップは、図11で示すインデックスマップで管理される。すなわちピッキングされるデバイスチップは、インデックスマップにおいて当該配列位置のデバイスチップが抜き取られて、存在しないように管理されていることが必要である(測定アライメントデータのデバイスチップの有効無効を示す属性を−3とする等で管理する)。ピッキングされた後の歯抜け状態となったデバイスチップの配列をアライメントするには多くの問題がある。
2. Alignment of Semiconductor Device Chips with Device Chip Arrangement After Picker Process As already described, there are two timings for retesting, before picking and after picking. After picking, the device chip array is in a so-called tooth-missing state. The device chip to be picked is managed by the index map shown in FIG. That is, the device chip to be picked must be managed so that the device chip at the arrangement position is extracted in the index map and does not exist (the attribute indicating the validity / invalidity of the device chip in the measurement alignment data − 3). There are many problems in aligning the arrangement of device chips that are in a missing tooth state after being picked.

問題点の一例として、どのようにしてインデックスマップ上のデバイスチップ配列を確認するかという問題がある。図24において、デバイスチップ配置上の特定の位置を指定してこれに対応するデバイスチップを検索してその存在を確認すると説明した。しかし、歯抜け状態のデバイスチップの配列が、複雑な状態である場合、これを調べる方法は簡単ではない。このような状況となるピッキング後の歯抜け状態のデバイスチップ配列を容易にアライメントするために、新たな座標基準点と基準方向を導入する。新たな座標基準点と基準方向はダイシングフレームを基準とするものある。ダイシングフレームを基準とする理由は、初回テスティング時のアライメントデータを参照するためである。   As an example of the problem, there is a problem of how to confirm the device chip arrangement on the index map. In FIG. 24, it has been described that a specific position on the device chip arrangement is designated and a corresponding device chip is searched to confirm its existence. However, when the arrangement of the missing device chips is in a complicated state, it is not easy to examine this. A new coordinate reference point and reference direction are introduced to easily align the device chip array in the tooth-missing state after picking in such a situation. The new coordinate reference point and reference direction are based on the dicing frame. The reason for using the dicing frame as a reference is to refer to the alignment data at the first testing.

ダイシングフレームに貼り付けられたWLCSPは、一回だけでなく何回かテスティングされる。ダイシングフレームに貼り付けられたWLCSPが、CSPプロ−バ(または「CSPハンドラ」)にロードされると,個片化されたデバイスチップのデバイスチップ間隔に変化が生じる可能性があるし、またWLCSPを貼り付けたダイシングテープが伸縮する可能性がある。しかし本発明では、CSPプロ−バにロードされた時に発生するデバイスチップ間隔の変化は、個片化される時に発生するデバイスチップ間隔の変化に比べて小さいという条件と、CSPプロ−バにロードされた時に発生するダイシングテープの伸縮は小さいという条件の2つを前提条件として取り入れる。ここでダイシングテープの伸縮は小さいということは、WLCSP上にデバイスチップはどこでも、ダイシングフレームの基準座標系から1/2デバイスサイズ(X方向とY方向それぞれで)以上ずれないという意味である。ダイシングテープの伸縮による影響は、何回か同一のWLCSPをCSPプロ−バにロードして、インデックスマップ上の同一デバイスチップの位置がX方向、Y方向でそれぞれ1/2デバイスサイズ以内になることである。   WLCSP affixed to the dicing frame is tested several times instead of just once. When WLCSP affixed to a dicing frame is loaded into a CSP probe (or “CSP handler”), there is a possibility that the device chip interval of the separated device chips may change, and WLCSP There is a possibility that the dicing tape attached with will expand and contract. However, according to the present invention, the change in the device chip interval that occurs when loaded into the CSP probe is smaller than the change in the device chip interval that occurs when singulated, and the load is loaded into the CSP probe. Two preconditions are taken: dicing tape expansion and contraction that occurs when it is applied. Here, the expansion and contraction of the dicing tape is small, which means that the device chip on the WLCSP does not deviate more than 1/2 device size (in the X direction and Y direction) from the reference coordinate system of the dicing frame. The effect of dicing tape expansion and contraction is that the same WLCSP is loaded into the CSP probe several times, and the position of the same device chip on the index map is within 1/2 device size in the X and Y directions respectively. It is.

ピッキング後の歯抜け状態のアライメントを実施するためには、ダイシングフレームを基準とすること及び初回テスティング時のアライメントデータを参照すること、に加えて、基準測定点を新たに設定し直すことが必要となる。歯抜け状態となっているため、ある領域の基準測定点は既に取り去られている可能性がある。測定領域単位で測定領域の形と基準測定点を点検し、足りない場合には補う。これを別基準測定点選定ステップで行う。   In addition to using the dicing frame as a reference and referring to the alignment data at the first test, in order to perform alignment in the missing tooth state after picking, it is necessary to newly set a reference measurement point Necessary. Since the tooth is missing, there is a possibility that a reference measurement point in a certain area has already been removed. Check the shape of the measurement area and the reference measurement point for each measurement area. This is performed in another reference measurement point selection step.

2-1.基準測定点の座標管理
<基準測定点の座標管理ステップ>
デバイスチップを乗せているダイシングテープを固定しているダイシングフレームに任意に設定した位置を基準位置として、この基準位置に基づいて基準測定点として測定したデバイスチップ中心座標を管理するための基準測定点の座標管理ステップについて説明する。
2-1. Coordinate management of reference measurement point <Coordinate management step of reference measurement point>
A reference measurement point for managing the center coordinates of the device chip measured as a reference measurement point based on the position arbitrarily set on the dicing frame that holds the dicing tape on which the device chip is placed as a reference position The coordinate management step will be described.

ピッキング後の歯抜け状態のWLCSPをアライメントする場合、デバイスチップがどの程度抜き取られているかによってアルゴリズムを変更することは望ましくない。そこで初回テスティング時のアライメントデータを参照してピッキング後の歯抜け状態のWLCSPをアライメントする方法を考案する。このために新たな座標基準点と基準方向を導入する。ダイシングフレームの形状特徴点(基準点)とダイシングフレームの方向(基準の方向)を基準測定点の座標を管理するために導入する。   When aligning a missing WLCSP after picking, it is not desirable to change the algorithm depending on how much the device chip has been removed. Therefore, a method for aligning the missing WLCSP after picking with reference to the alignment data at the first testing is devised. For this purpose, a new coordinate reference point and reference direction are introduced. The shape feature point (reference point) of the dicing frame and the direction of the dicing frame (reference direction) are introduced to manage the coordinates of the reference measurement point.

図27を参照して、上述したことを説明する。ダイシングフレーム50の特徴ある部位56をダイシングフレームの形状特徴点(基準点)に選ぶ。この部位56は、ダイシングフレームをダイサに固定する際のその位置を確定するためのくびれが形成されており、他の部位とは容易に区別が付けられる部位である。   The above will be described with reference to FIG. A characteristic portion 56 of the dicing frame 50 is selected as a shape characteristic point (reference point) of the dicing frame. This part 56 is formed with a constriction for determining the position when the dicing frame is fixed to the dicer, and can be easily distinguished from other parts.

図27において、WLCSPが形成されているウェーハ54はダイシングテープ52に貼り付けられ、ダイシングフレーム50に固定されている。正方形で示す図形はデバイスチップを示し、その中で太線の正方形で示したデバイスチップが領域化のための基準測定点を与えるデバイスチップであることを示す。(X, Y)と示した座標が領域化のための基準測定点を与えるデバイスチップの中心座標の一例である。すなわち、基準測定点のデバイスチップの中心座標である。ダイシングフレームの方向(基準の方向)は、図27において、ダイシングフレームの形状特徴点(基準点)56及びもう一つの形状特徴点57を通り、右向きを正の方向にとった矢印がつけられた直線で示した。   In FIG. 27, a wafer 54 on which WLCSP is formed is affixed to a dicing tape 52 and fixed to a dicing frame 50. A figure indicated by a square indicates a device chip, and a device chip indicated by a bold square in the figure indicates a device chip that provides a reference measurement point for area formation. The coordinates indicated as (X, Y) are an example of the center coordinates of the device chip that gives the reference measurement point for the region. That is, the center coordinates of the device chip at the reference measurement point. In FIG. 27, the dicing frame direction (reference direction) passes through the shape feature point (reference point) 56 of the dicing frame and another shape feature point 57, and an arrow with a rightward direction in the positive direction is attached. Shown as a straight line.

ダイシングフレームの基準点と基準方向を毎回同じになるように調整すると、WLCSPがCSPプロ−バ(または「CSPハンドラ」)の測定テーブルにロードされる時に発生するズレ及びWLCSPをダイシングフレームに貼り付ける時のズレ等の影響はなくなる。WLCSPが、一回だけでなく何回かテスティングされるとすると、CSPプロ−バにロード・アンロードされた時,個片化されたデバイスチップのデバイスチップ間隔に変化が生じる可能性があるし、またWLCSPを貼り付けたダイシングテープが伸縮する可能性がある。しかしここでは、WLCSPをCSPプロ−バにロード・アンロードする時に,このような影響は少ないという条件を設ける。そして初回テスティング時のアライメントデータを参照して、ピッキング後の歯抜け状態のWLCSPをアライメントする。   If the reference point and reference direction of the dicing frame are adjusted to be the same each time, the deviation and WLCSP that occur when the WLCSP is loaded into the measurement table of the CSP probe (or "CSP handler") are pasted to the dicing frame. The effect of time shift is eliminated. If WLCSP is tested several times instead of just once, the device chip spacing of the separated device chips may change when loaded and unloaded to the CSP probe. In addition, there is a possibility that the dicing tape with WLCSP attached will expand and contract. However, here, the condition that such an influence is small when the WLCSP is loaded / unloaded to / from the CSP provider is set. Then, with reference to the alignment data at the time of the first test, the WLCSP in the missing tooth state after picking is aligned.

基準測定点の座標管理ステップは、初回テスティング時に実施する手順と再テスティング時に実施する手順の2つある。初回テスティングの個片化されたWLCSPのアライメントにおいて、最後のプロセスとしてダイシングフレームの形状特徴点2箇所を測定し、アライメント結果とあわせて、不揮発性記憶装置に当該WLCSPの測定データとして保存する。保存するデータについては後述する。再テスティング時のアライメントにおいては、不揮発性記憶装置に保存されている当該WLCSPの測定データをロードする。そしてダイシングフレームの形状特徴点2箇所を測定し、初回アライメント時との角度とオフセットの差異を求め、角度は測定テーブルを回転させて補正する。オフセットはデバイスチップの位置を算定する時に使用する。   There are two reference management point coordinate management steps: a procedure performed at the time of the first test and a procedure performed at the time of the retesting. In the alignment of the separated WLCSP of the first testing, two shape feature points of the dicing frame are measured as the last process, and are stored as measurement data of the WLCSP in the nonvolatile storage device together with the alignment result. The data to be saved will be described later. In alignment at the time of retesting, the measurement data of the WLCSP stored in the nonvolatile storage device is loaded. Then, two shape feature points of the dicing frame are measured, the difference between the angle and the offset from the initial alignment is obtained, and the angle is corrected by rotating the measurement table. The offset is used when calculating the position of the device chip.

2-2.再テスティングを実施するためのアライメントデータ
再テスティングを簡単に実施するためには、初回のテスティング時に、ダイシングフレームの特徴点位置(基準点)とダイシングフレームの方向(基準の方向)とを、アライメント中に測定する必要がある。測定されたダイシングフレームの特徴点位置(基準点)とダイシングフレームの方向(基準の方向)とは、アライメント結果のデータ(測定アライメントデータ)と合わせて、フレーム基準アライメントデータと名前を付けて、
フレーム基準アライメントデータヘッダー部
配列数(X方向、Y方向) Kx、Ky
ダイシングフレームの基準点 Xf、Yf
ダイシングフレームの方向(基準の方向)Tf
フレーム基準アライメントデータのデータ部
デバイスチップの有効無効を示す属性 id[i][j]
デバイスチップの中心座標 ( px[i][j],py[i][j])
の形で管理し、不揮発性記憶装置(ハードディスクなど)にWLCSPの測定データとして保存する。WLCSPの測定データは、ワーク用の測定データで、1つのWLCSPで1つの測定データとなる。再テスティングをしない場合には必要がない。
2-2. Alignment data for performing retesting In order to perform retesting easily, the characteristic point position (reference point) of the dicing frame and the direction of the dicing frame (reference direction) are determined at the first test. Need to be measured during alignment. The feature point position (reference point) and dicing frame direction (reference direction) of the measured dicing frame, together with the alignment result data (measurement alignment data), name the frame reference alignment data,
Frame reference alignment data header part Number of arrays (X direction, Y direction) Kx, Ky
Reference point X f , Y f of dicing frame
Dicing frame direction (reference direction) T f
Data part of frame reference alignment data Attribute id [i] [j] indicating device chip valid / invalid
Center coordinates of device chip (px [i] [j], py [i] [j])
Are stored as WLCSP measurement data in a non-volatile storage device (such as a hard disk). The WLCSP measurement data is workpiece measurement data, and one WLCSP is one measurement data. This is not necessary if you are not retesting.

個片化されたWLCSPでのアライメントの実施手順で説明した手順(図22)の最後のプロセス(ステップS35の後に置かれるプロセス)として、ダイシングフレームの特徴点位置(基準点)とダイシングフレームの方向(基準の方向)の測定を実施する。ダイシングフレームの特徴点位置(基準点)の測定は、ダイシングフレームに2ヶ所ある切れ込みの位置を画像処理により測定することで行なう。これには通常のパターンマッチングの手法が利用できる。   As the last process (process to be placed after step S35) described in the procedure for performing alignment with the separated WLCSP (process placed after step S35), the feature point position (reference point) of the dicing frame and the direction of the dicing frame Measure (reference direction). The characteristic point position (reference point) of the dicing frame is measured by measuring the positions of two notches in the dicing frame by image processing. For this, a normal pattern matching method can be used.

2-3.再テスティングのためのアライメント
ピッキングされた後では、デバイスチップの配列は歯抜け状態となっている。領域境界点(別基準測定点)を配して、WLCSP上のデバイスチップの配列(インデックスマップ)を測定領域に分割したが、歯抜け状態となってしまった状態では、歯抜けがない状態の領域化データを使うことは出来ない。ある測定領域では、基準測定点は既に取り去られていることもある。測定領域単位で測定領域の形と基準測定点を点検し、足りない場合には補う必要がある。これを別基準測定点選定ステップで行う。
2-3. Alignment for retesting After picking, the arrangement of device chips is missing. The area boundary points (separate reference measurement points) are arranged, and the device chip array (index map) on the WLCSP is divided into measurement areas. You cannot use regionalized data. In some measurement areas, the reference measurement point may have already been removed. It is necessary to check the shape of the measurement area and the reference measurement points for each measurement area, and to make up for any shortages. This is performed in another reference measurement point selection step.

<別基準測定点選定ステップ>
再テスティングのために基準測定点は、再設定を行う必要がある。既に説明した品種パラメータのパラメータセットの一部として記憶装置に保存している領域化データと基準測定点一覧データを書き直すことはせず、一時的に再テスティングのためにのみ使用するデータとして再設定する。この再設定するステップが別基準測定点選定ステップの内容である。
<Another reference measurement point selection step>
The reference measurement point needs to be reset for retesting. Do not rewrite the regionalization data and reference measurement point list data stored in the storage device as part of the parameter set of the product parameters already described, but re-write them as data used only for retesting temporarily. Set. This resetting step is the content of another reference measurement point selection step.

図28を参照して、上述した別基準測定点選定ステップの内容を説明する。デバイスチップがピッキングされた部分を破線による小さな正方形で示してある。ここでは、図27と共通する部分の説明は省略する。基準測定点を再設定する領域58を示す領域を破線の四角形で示してある。図28に(X', Y')で示した位置に破線による小さな正方形で示すように、初回のテスティングを実施した後、ピッキングにより抜き取られた基準測定点がある。   With reference to FIG. 28, the contents of the above-described another reference measurement point selection step will be described. The portion where the device chip is picked is shown by a small square with a broken line. Here, description of portions common to FIG. 27 is omitted. A region indicating a region 58 for resetting the reference measurement point is indicated by a broken-line rectangle. As shown by a small square with a broken line at the position indicated by (X ′, Y ′) in FIG. 28, there is a reference measurement point extracted by picking after the first test.

別基準測定点選定ステップは、以下の3つのプロセスからなる。1).各領域の基準測定点がピッキングされているかどうかを調べる。2).各領域で3点以上の基準測定点を選定する。3).各領域で1-2節「領域の分割方法」において説明した方法の手順6、手順7、及び手順8を実施する。   The different reference measurement point selection step includes the following three processes. 1). Check whether the reference measurement point of each area is picked. 2). Select at least 3 reference measurement points in each area. 3). For each region, step 6, step 7, and step 8 of the method described in section 1-2 “Division method of region” are performed.

領域は保存されている領域化データと同一とする。新たに領域を設定し直すことは行わない。各領域に対して領域内基準測定点番号に該当する基準測定点のインデックス位置を、基準測定点一覧データから求める。そのインデックス位置のデバイスチップがピッキングされている場合には、基準測定点を使用することは出来ない。このようにして基準測定点のうち何点が使用可能かを調べる。3点以上の基準測定点が確保できない領域では、次の方法で基準測定点を追加する。まず領域に属するデバイスチップの数を調べる(ピッキングによりデバイスチップが抜き取られるため)。   The area is the same as the stored area data. The area is not newly set again. The index position of the reference measurement point corresponding to the in-area reference measurement point number is obtained from the reference measurement point list data for each region. When the device chip at the index position is picked, the reference measurement point cannot be used. In this way, it is examined how many of the reference measurement points can be used. In an area where three or more reference measurement points cannot be secured, a reference measurement point is added by the following method. First, the number of device chips belonging to the area is checked (because device chips are extracted by picking).

デバイスチップの数が3以下の場合には、すべてのデバイスチップ位置(インデックス位置)を基準測定点として当該領域の点検を終了する。デバイスチップの数が4以上の場合には、当該領域に属するデバイスチップの中から一番左上、左下、右上、または右下の点に位置するデバイスチップで基準測定点でない点を順に3点となるまで選び出す(左上、左下、右上、右下の順で選び出す)。一番左上、左下、右上、または右下の点を選び出す方法は、抜き取られていないすべてのデバイスチップ位置(インデックス位置をiX、iYとする)に対して、(iX+iY)と(iY−iX)を計算し、(iX+iY)及び(iY−iX)が最大及び最小となるインデックス位置として求めることが出来る(この方法は、図24において説明したのと同一の方法である)。 When the number of device chips is 3 or less, the inspection of the area is completed using all device chip positions (index positions) as reference measurement points. If the number of device chips is 4 or more, the device chips located at the upper left, lower left, upper right, or lower right points among the device chips belonging to the area are the three points that are not reference measurement points in order. Select until (upper left, lower left, upper right, lower right). The method of selecting the upper left, lower left, upper right, or lower right point is (i X + i Y ) for all device chip positions (index positions are i X , i Y ) that are not extracted. (i Y −i X ) can be calculated and (i X + i Y ) and (i Y −i X ) can be obtained as index positions where the maximum and minimum values are obtained (this method is the same as described in FIG. 24). The same way).

点検しようとする領域の位置と範囲は、開始インデックス数と領域化インデックス数から容易に解かるので、領域に属するすべてのデバイスチップを調べることは難しくない。3点以上の基準測定点を確定した後、1-2節「領域の分割方法」において説明した手順6、手順7、及び手順8を実施すると、その領域の基準測定点が得られる。すべての領域に対して完了すると、別基準測定点選定ステップは終了する。   Since the position and range of the region to be checked can be easily determined from the start index number and the region index number, it is not difficult to check all device chips belonging to the region. After the determination of three or more reference measurement points, the procedure 6, procedure 7 and procedure 8 described in section 1-2 “Division method of region” are performed, and the reference measurement point of that region is obtained. When the process is completed for all the areas, the separate reference measurement point selection step ends.

別基準測定点選定ステップが終了すると、ピッキング後の歯抜け状態のデバイスチップ配列に対するアライメント(再テスティングのアライメント)の準備が整う。再テスティングのアライメントのために必要となるデータを整理すると、
1).別基準測定点選定ステップで再設定された領域化データ
2).別基準測定点選定ステップで再設定された基準測定点一覧データ
3).初回テスティング時のフレーム基準アライメントデータ
の3つのデータとなる。1)の領域化データと2)の基準測定点一覧データは、品種データとして保存されているものではなく、再テスティングする歯抜け状態のデバイスチップ配列に対するものである。
When the different reference measurement point selection step is completed, preparation for alignment (retesting alignment) with respect to the device chip array in the missing tooth state after picking is completed. Organizing the data needed for retesting alignment,
1). Regionalized data re-set in another reference measurement point selection step 2). Reference measurement point list data re-set in the separate reference measurement point selection step 3). It becomes three pieces of frame reference alignment data at the time of the first testing. The area data of 1) and the reference measurement point list data of 2) are not stored as product type data, but are for a device chip array in a missing tooth state to be retested.

再テスティングでのアライメント手順を示すフローチャートを図29に示す。再テスティングするWLCSPのアライメントで必要となるデータを不揮発性記憶装置からロードする(ステップS45)。ロードするデータは、品種データとしての領域化データと基準測定点一覧データ及び初回テスティング時のフレーム基準アライメントデータの3つである。データがロードされたら、ダイシングフレームの特徴点位置(基準点)とダイシングフレームの方向(基準の方向)をまず測定する(ステップS46:ダイシングフレームの測定(角度調整))。ダイシングフレーム方向として測定された角度を、フレーム基準アライメントデータの角度と、同一になるように角度調整を行う。このように角度を調整すると、初回テスティング時と同等の角度に調整される(基準測定点の座標管理ステップ)。   FIG. 29 is a flowchart showing an alignment procedure in retesting. Data necessary for alignment of the WLCSP to be retested is loaded from the nonvolatile storage device (step S45). There are three types of data to be loaded: area data as model data, reference measurement point list data, and frame reference alignment data at the first test. When the data is loaded, the characteristic point position (reference point) of the dicing frame and the direction of the dicing frame (reference direction) are first measured (step S46: Dicing frame measurement (angle adjustment)). The angle adjustment is performed so that the angle measured as the dicing frame direction is the same as the angle of the frame reference alignment data. When the angle is adjusted in this way, the angle is adjusted to the same angle as that in the initial testing (coordinate management step of the reference measurement point).

次に別基準測定点選定ステップを実行する(ステップS47)。別基準測定点選定ステップでは、領域化データと基準測定点一覧データが再設定される。ピッキングされない場合には、領域化データと基準測定点一覧データはロードされたものと同一である(インデックスマップの変更がないため)。再設定された領域化データ、再設定された基準測定点一覧データ及び初回テスティング時のフレーム基準アライメントデータの3つのデータを参照して、WLCSPのアライメントを実行する。WLCSPのアライメントは、再設定されたすべての基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標を順に、パターンマッチングを用いた画像処理で測定することで実施される(ステップS48)。基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標が測定されたかを調べる(ステップS49)。デバイスチップの中心座標が測定されない基準測定点は、代替基準測定点が設定され、再設定された領域化データ、再設定された基準測定点一覧データに付加される(ステップS51)ある領域に属するすべての基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標が測定されると、残りの測定されないインデックス位置のデバイスチップ中心座標は計算することで求められる。このようにして、すべての領域の基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標を測定すると、WLCSP上のすべてのデバイスチップ中心座標が得られる(ステップS50)。アライメントは終了となる。   Next, another reference measurement point selection step is executed (step S47). In the separate reference measurement point selection step, the area data and the reference measurement point list data are reset. If picking is not performed, the area data and the reference measurement point list data are the same as those loaded (since there is no change in the index map). The WLCSP alignment is executed with reference to the three data of the reset regionized data, the reset reference measurement point list data, and the frame reference alignment data at the first test. WLCSP alignment is performed by sequentially measuring the center coordinates of the device chip located at all the reset reference measurement points by image processing using pattern matching (step S48). It is checked whether or not the center coordinates of the device chip located at the reference measurement point have been measured (step S49). A reference measurement point for which the center coordinate of the device chip is not measured belongs to a certain region in which an alternative reference measurement point is set and is added to the reconfigured regionized data and the reconfigured reference measurement point list data (step S51). When the center coordinates of the device chips located at all the reference measurement points are measured, the device chip center coordinates of the remaining unmeasured index positions can be obtained by calculation. In this way, when the center coordinates of the device chip located at the reference measurement points in all the areas are measured, all the device chip center coordinates on the WLCSP are obtained (step S50). The alignment ends.

再テスティングのアライメントでは、ダイシングフレームの位置が初回テスティング時と同じになるように調整される。初回テスティング時と再テスティング時とで、WLCSP上の1つ1つのデバイスチップ位置が変位していなければ、初回テスティング時のフレーム基準アライメントデータをそのまま再テスティングでも使える。しかし再テスティングまでには、何回かのCSPプロ−バ(または「CSPハンドラ」)へのロード・アンロードの影響があるし、ピッキングによる影響もある。これらの影響は、ダイシングテープの伸縮とデバイスチップ間隔の変化となる。本発明では、これらの影響は小さいとすることを前提条件としてアライメント方法を考案した。   In the retesting alignment, the position of the dicing frame is adjusted to be the same as that in the initial testing. If the position of each device chip on the WLCSP is not displaced between the initial testing and the retesting, the frame reference alignment data at the initial testing can be used as it is for the retesting. However, by the time of retesting, there are several loading / unloading effects on the CSP provider (or “CSP handler”), and there is also the effect of picking. These influences are expansion and contraction of the dicing tape and changes in the device chip interval. In the present invention, an alignment method was devised on the premise that these effects are small.

再設定された基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標を画像処理で測定する時、測定される座標は、初回テスティング時のフレーム基準アライメントデータの座標とは少しの差異がある。この差異は、何回かのCSPプロ−バへのロード・アンロードと、ピッキングによるものである。この差異を補正することが、再テスティングのアライメントの目的である。この差異を小さいとする前提条件を設けているので、再設定された基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標を画像処理で測定する時に、指定された位置は大きく変わることはない。すなわち画像処理では、指定された位置に一番近い位置を測定値とすればよい。   When the center coordinates of the device chip located at the reset reference measurement point are measured by image processing, the measured coordinates are slightly different from the coordinates of the frame reference alignment data at the first testing. This difference is due to several loads and unloads to the CSP provider and picking. Correcting this difference is the purpose of retesting alignment. Since the precondition that this difference is small is provided, when the center coordinates of the device chip located at the reset reference measurement point are measured by image processing, the designated position does not change greatly. That is, in image processing, a position closest to a designated position may be used as a measurement value.

再テスティングのアライメントのオプションとして、検定ステップを追加したプロセスがある。検定ステップでは、WLCSP上のすべてのデバイスチップの中心座標を測定し、基準測定点から算出された座標と実測座標を比較し、座標の差異が大きい場合には、測定領域を分割する(再分割ステップ)としてきた。しかし、再テスティングのアライメントは、基本的に一回しか実施しない。ピッキング後の歯抜け状態のデバイスチップ配列は、毎回異なる歯抜け状態となる。そのため別基準測定点選定ステップで再設定される領域化データと基準測定点一覧データは、一時的に再テスティングのためにのみ使用するとした。一回しか使用しないデータの検定結果は意味がないので、検定ステップを実施することは、すべてのデバイスチップの中心座標を実測することと同義になる。   An option for retesting alignment is the process of adding a test step. In the verification step, the center coordinates of all device chips on the WLCSP are measured, the coordinates calculated from the reference measurement points are compared with the measured coordinates, and if the difference in coordinates is large, the measurement area is divided (subdivision) Step). However, the retesting alignment is basically performed only once. The device chip arrangement in the missing state after picking becomes a different missing state each time. For this reason, the regionized data and reference measurement point list data that are reset in the separate reference measurement point selection step are temporarily used only for retesting. Since the test result of data that is used only once is meaningless, performing the test step is synonymous with actually measuring the center coordinates of all device chips.

ピッキング前に再テスティングを実施する場合には、個片化されたWLCSPのアライメントの手順(歯抜け状態でないアライメントの手順)として実施すればよい。この場合には、アライメントのプロセスとしては、初回テスティングと再テスティングの区別は必要ない。   When retesting is performed before picking, it may be performed as an alignment procedure of WLCSP separated into pieces (alignment procedure that is not in a missing state). In this case, the alignment process does not require distinction between initial testing and retesting.

3.個片化されたデバイスチップをテスティングする時の偏差調整方法
デバイスチップの電気的特性評価のためにデバイスチップテスタと接続された測定電極(プローバに設置される)とデバイスチップのデバイス電極との位置を合わせるために、デバイスチップの電極位置を確定する作業を行った場合の、テスティングにおいて許される両者の位置偏差(差異ともいう)について考察を行う(以後デバイスチップテスタと接続された測定電極を「デバイスチップテスタの測定電極」ということもある。)。デバイスチップの電気的特性評価のために要するデバイスチップテスタの測定電極とデバイスチップのデバイス電極との偏差、すなわち許容される偏差がいわゆる必要合致度合いである。
3. Deviation adjustment method when testing individualized device chips A measurement electrode (installed in a prober) connected to a device chip tester for evaluating the electrical characteristics of the device chip and a device electrode of the device chip Consider the positional deviation (also referred to as the difference) allowed in testing when the work to determine the electrode position of the device chip is performed to align the positions (hereinafter referred to as the measurement electrodes connected to the device chip tester) Is sometimes referred to as the “device chip tester measurement electrode”). The deviation between the measurement electrode of the device chip tester and the device electrode of the device chip required for evaluating the electrical characteristics of the device chip, that is, the allowable deviation is the so-called necessary degree of matching.

図30を参照して、マルチサイトテスティングでのテスティングプロセスの状況を説明する。図30において、横軸にX軸を、縦軸にY軸をそれぞれとり、実線で示した正方形によって、デバイスチップの存在を示した。また、細い破線の正方形によって、この図面内において、インデックス位置は指定できるが、実際にはデバイスチップが存在していない位置を示す。   With reference to FIG. 30, the status of the testing process in multi-site testing will be described. In FIG. 30, the horizontal axis represents the X axis and the vertical axis represents the Y axis, and the presence of the device chip is indicated by a square indicated by a solid line. In addition, a thin broken-line square indicates an index position in this drawing, but indicates a position where no device chip actually exists.

一般に、テスティングにおいては、図30に示したように、ステップ1、ステップ2と、デバイスチップテスタの測定電極が必要な箇所に移動していくように、測定用テーブル上のデバイスチップが相対的にその位置を移動して、測定が行なわれる。以後、簡単のために、デバイスチップテスタを単にテスタということもある。   In general, in testing, as shown in FIG. 30, the device chip on the measurement table is relatively moved so that the measurement electrodes of the device chip tester move to the required positions as shown in FIG. The position is moved to and the measurement is performed. Hereinafter, for simplicity, the device chip tester is sometimes simply referred to as a tester.

テスタの測定電極の中心位置は、デバイスチップ単位で固定されている。一方デバイスチップ側端子の中心位置は、デバイスチップが個片化されているため、デバイスチップ間隔の設計値に対して少しずれている。このため、実際のテスティングの実施に際しては、一回テストを行なう毎に、図6及び図7を参照して説明した補正を行う必要がある。   The center position of the measurement electrode of the tester is fixed for each device chip. On the other hand, the center position of the device chip side terminal is slightly deviated from the design value of the device chip interval because the device chip is separated. For this reason, in actual testing, it is necessary to perform the correction described with reference to FIGS. 6 and 7 every time a test is performed.

図31(A)及び(B)を参照して、測定において上述したずれをどのように補正するかについて、説明する。図31(A)にテスタの測定電極を、図31(B)にデバイスチップ側端子をそれぞれ、横軸にX軸を縦軸にY軸をとって図示した。それぞれの図において、大きく描かれた4つの四角形がデバイスチップに対応し、小さな円形で描いた部分がテスタの測定電極(ポゴピン92)を、小さな四角形で描いた部分がデバイスチップ側の端子(パンプ端子94)を示す。また、図31(A)及び(B)では、テスタの測定電極のデバイスチップ単位での中心位置とデバイスチップ側端子のデバイスチップ単位での中心位置をそれぞれ+印で示した。   With reference to FIGS. 31A and 31B, how to correct the above-described deviation in measurement will be described. FIG. 31 (A) shows the measurement electrodes of the tester, and FIG. 31 (B) shows the device chip side terminals, respectively, with the X axis on the horizontal axis and the Y axis on the vertical axis. In each figure, the four large rectangles correspond to the device chip, the small circles represent the tester measurement electrodes (pogo pins 92), and the small rectangles represent the device chip terminals (pumps). Terminal 94) is shown. 31A and 31B, the center position of the measurement electrode of the tester in the device chip unit and the center position of the device chip side terminal in the device chip unit are indicated by + marks.

テスタの測定電極の中心位置は固定されており、その座標値は確定された値をもつ。これに対しデバイスチップ側の個々のデバイスチップ中心座標は、測定された基準測定点のデバイスチップ中心座標から算出される。   The center position of the measurement electrode of the tester is fixed, and its coordinate value has a fixed value. On the other hand, the individual device chip center coordinates on the device chip side are calculated from the device chip center coordinates of the measured reference measurement points.

テスティングは、図30に示したように、ステップ1、ステップ2という順序で、インデックスマップを順に移動しながら行なうように見える。この図30においては4(2×2)マルチテスティングを例にして説明しているので、デバイスチップが縦横の方向に2個ずつ並んだ1領域(破線又は実線の四角で囲んだ範囲)を単位としてテスティングが行なわれていく。   As shown in FIG. 30, the testing seems to be performed while moving the index map in order of step 1 and step 2. In FIG. 30, since 4 (2 × 2) multi-testing is described as an example, one region (range enclosed by a broken line or a solid square) in which two device chips are arranged vertically and horizontally is described. Testing is performed as a unit.

図32(A)及び(B)を参照して、テスタの測定電極の中心位置(図32(A)の実線の+印で示された位置)とデバイス側端子の中心位置(図32(B)破線の+印で示された位置)の関係を説明する。基準測定点のデバイスチップ中心座標から個々のデバイスチップ中心座標を算出すると、図32(B)に破線の+印で示すように、デバイスチップ中心位置が得られる。図32(A)のテスタの測定電極の中心位置と、図32(B)のデバイスチップ側端子の中心位置とを、デバイスチップに対して平行移動と回転移動とを行なうことによって合わせる。この移動を表す座標変換は次式で与えられる。   Referring to FIGS. 32 (A) and (B), the center position of the measurement electrode of the tester (the position indicated by the solid + mark in FIG. 32 (A)) and the center position of the device side terminal (FIG. 32 (B The relationship between the positions indicated by a broken line +) will be described. When the individual device chip center coordinates are calculated from the device chip center coordinates of the reference measurement point, the device chip center position is obtained as indicated by the broken + mark in FIG. 32 (B). The center position of the measurement electrode of the tester in FIG. 32 (A) and the center position of the device chip side terminal in FIG. 32 (B) are matched by performing parallel movement and rotational movement with respect to the device chip. A coordinate transformation representing this movement is given by the following equation.

X = x×cosθ + y×sinθ + dx0 (3)
Y = − x×sinθ + y×cosθ + dy0 (4)
ここで、θは回転角度であり、dx0及びdy0は、それぞれX軸及びY軸方向の平行移動量である。また、(x、y)は、デバイスチップの中心座標、(X、Y)は測定電極の中心座標である。
X = x × cosθ + y × sinθ + dx 0 (3)
Y = −x × sinθ + y × cosθ + dy 0 (4)
Here, θ is a rotation angle, and dx 0 and dy 0 are parallel movement amounts in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively. Further, (x, y) is the center coordinate of the device chip, and (X, Y) is the center coordinate of the measurement electrode.

マルチサイトテスティングでは、同時に測定するデバイスチップの数は2以上であり、一方、(3)式及び(4)式にはパラメータとして、θ、dx0及びdy0の3つが含まれている。このため、これらパラメータを求めるには最小二乗法を用いる。 In multi-site testing, the number of device chips to be measured simultaneously is two or more, while the equations (3) and (4) include three parameters, θ, dx 0, and dy 0 as parameters. Therefore, the least square method is used to obtain these parameters.

図32(A)及び(B)に示した、テスタの測定電極の中心位置とデバイスチップ側端子の中心位置との関係から、(3)式及び(4)式のパラメータ、θ、dx0及びdy0を求めて、テスタの測定電極の中心位置とデバイスチップ側端子の中心位置との計算結果を用いて重ね合わせると、その重なり具合は、図33に示すようになる。図33は、マルチテスティングを行なうグループ全体のデバイスチップを一塊として、平行移動及び回転移動を行なうことで、測定電極の中心位置とデバイスチップの中心位置とが、最もよく重なった状態を示している図である。 From the relationship between the center position of the measurement electrode of the tester and the center position of the device chip side terminal shown in FIGS. 32 (A) and (B), the parameters of Equations (3) and (4), θ, dx 0 and When dy 0 is obtained and superimposed using the calculation result of the center position of the measurement electrode of the tester and the center position of the device chip side terminal, the overlapping state is as shown in FIG. FIG. 33 shows a state where the center position of the measurement electrode and the center position of the device chip are best overlapped by performing a parallel movement and a rotational movement with the device chips of the entire group to be multitested as one lump. It is a figure.

得られたパラメータ、θ、dx0、dy0及びデバイスチップの中心座標を(3)式及び(4)式に代入すると、移動(平行移動と回転移動)後のデバイスチップの中心座標となるので、テスタの測定電極の中心座標とデバイスチップ中心座標の差異(偏差)が求められる。この偏差はデバイスチップ側電極に損傷を与えずかつ測定に影響が出ない許容値以下でなければならない。すなわち、必要合致度合に収まっていなければならない。 Substituting the obtained parameters, θ, dx 0 , dy 0 and the center coordinates of the device chip into the equations (3) and (4), the center coordinates of the device chip after movement (translation and rotation) are obtained. The difference (deviation) between the center coordinates of the measurement electrode of the tester and the center coordinates of the device chip is obtained. This deviation must be less than an allowable value that does not damage the device chip side electrode and does not affect the measurement. That is, it must be within the required degree of match.

図33に示した例では、2と表記されている位置における、テスタの測定電極とデバイスチップ側端子の中心位置の差異が大きい。差異が許容値を超えるデバイスチップ位置はテスティング出来ないとして扱うこととする。そのデバイスチップ位置をテスティングしないため、削除して(テスティング出来ないデバイスチップとして)再度座標変換による上述したプロセスを実行する(残りのデバイスチップをよりよい位置で重なるようにするため)。許容値を超える差異のあるデバイスチップ位置は、基本的にマルチサイトテスティングでは、テスタの測定電極に合わせることは出来ない。このような状況の時、CSPプローバ(または「CSPハンドラ」)ではエラー発生とすることもある。   In the example shown in FIG. 33, the difference between the center positions of the measurement electrode of the tester and the device chip side terminal at the position denoted by 2 is large. A device chip position where the difference exceeds an allowable value is treated as being untestable. Since the device chip position is not tested, the device chip position is deleted (as a device chip that cannot be tested), and the above-described process by coordinate transformation is performed again (to make the remaining device chips overlap at better positions). Device chip positions that differ by more than the allowable value cannot basically be aligned with the measurement electrodes of the tester in multi-site testing. In such a situation, an error may occur in the CSP prober (or “CSP handler”).

図33に示した例は、4(2×2)マルチテスティングの例であって、マルチ数が多い場合には、テスタの測定電極の中心位置とデバイスチップ中心位置の差異については、さらにいろいろな状況が発生する。2点以上(例えば、図33において2と表記された位置と4と表記された位置等)で差異が許容値を超える場合、すなわち必要合致度合に収まっていない場合には、最大差異が生じている位置に対するデータを処理から削除して処理を繰り返す。差異が最大の点を順次削除していき、残りの点が許容値以内となるようにする。   The example shown in FIG. 33 is an example of 4 (2 × 2) multi-testing. When the number of multis is large, the difference between the center position of the measurement electrode of the tester and the center position of the device chip can be further varied. Situation arises. If the difference exceeds the allowable value at 2 points or more (for example, the position indicated as 2 and the position indicated as 4 in FIG. 33), that is, if the difference is not within the required degree of matching, the maximum difference will occur. The data for the current position is deleted from the process and the process is repeated. The points with the largest difference are deleted sequentially so that the remaining points are within the allowable value.

テスティングで、回転補正を行うことは、一般的にはスループットが悪くなる。そこで、(3)式及び(4)式に対して回転補正を行わないオプションを用意する。回転補正を行わないオプションは2つある。   Performing rotation correction by testing generally results in poor throughput. Therefore, an option not to perform rotation correction is prepared for Equations (3) and (4). There are two options for not performing rotation correction.

1つは全く回転補正を行わないものである。これは、(3)式及び(4)式において、θ=0としたものに等しい。(3)式及び(4)式において、θ=0とすると次式が得られる。   One is that no rotation correction is performed. This is equivalent to the equation (3) and (4) where θ = 0. In the equations (3) and (4), if θ = 0, the following equation is obtained.

X = x + dx1 (5)
Y = y + dy1 (6)
全く回転補正を行わないオプションは、(3)式及び(4)式の代わりに(5)式及び(6)式を使用して、同様のやり方を実行すればよい。
X = x + dx 1 (5)
Y = y + dy 1 (6)
For the option of not performing any rotation correction, the same method may be executed by using equations (5) and (6) instead of equations (3) and (4).

もう1つのオプションでは、回転補正を行わなくても良いほどに小さい補正角度である場合は、この回転補正を実施しないものとする。これには、直前のテスティング角度(θ0)のままに固定して、平行移動成分のみを求める。すなわち下記式(7)式及び(8)式でθ0は既知の値として、パラメータdx2及びdy2のみを最小二乗法で求める。したがって、この場合の変換式は
X = x×cosθ0 + y×sinθ0 + dx2 (7)
Y = − x×sinθ0 + y×cosθ0 + dy2 (8)
のようになる。
In another option, when the correction angle is small enough not to perform the rotation correction, the rotation correction is not performed. For this purpose, the previous testing angle (θ 0 ) is fixed and only the translation component is obtained. That is, in the following formulas (7) and (8), θ 0 is a known value and only the parameters dx 2 and dy 2 are obtained by the least square method. Therefore, the conversion formula in this case is X = x × cos θ 0 + y × sin θ 0 + dx 2 (7)
Y =-x x sin θ 0 + y x cos θ 0 + dy 2 (8)
become that way.

図34(A)及び(B)を参照して、回転補正をしない場合と回転補正をする場合とにおけるテスタの測定電極の中心位置とデバイスチップ側端子の中心位置の関係を説明する。テスタの測定電極の中心位置を実線の+印で、一方、デバイス側端子の中心位置を破線の+印で示してある。図34(B)に示した回転補正する場合の方が当然差異は小さくなるが、図34(A)に示した回転補正しない場合でも差異が許容値以下であれば、テスティングすることが出来る。   With reference to FIGS. 34A and 34B, the relationship between the center position of the measurement electrode of the tester and the center position of the device chip side terminal when the rotation correction is not performed and when the rotation correction is performed will be described. The center position of the measurement electrode of the tester is indicated by a solid + mark, while the center position of the device side terminal is indicated by a broken + mark. Of course, the difference is smaller when the rotation correction shown in FIG. 34 (B) is performed, but even if the rotation correction shown in FIG. 34 (A) is not performed, if the difference is less than the allowable value, testing can be performed. .

テスティングにおける回転補正は、測定テーブルの回転中心位置に対してなされる。そのため、測定テーブルの回転中心位置(既知)を(xc、yc)として、(3)式及び(4)式を以下の(9)式及び(10)式のように変更する。 The rotation correction in the testing is performed with respect to the rotation center position of the measurement table. Therefore, assuming that the rotation center position (known) of the measurement table is (x c , y c ), the equations (3) and (4) are changed to the following equations (9) and (10).

X = ( x − xc)×cosθ + ( y − yc)×sinθ + dx3 (9)
Y = −( x − xc)×sinθ + ( y − yc)×cosθ + dy3 (10)
(9)式及び(10)式から得られるパラメータdx3及びdy3は、(3)式及び(4)式から得られるパラメータdx0及びdy0から求められる。測定テーブルの回転中心位置に対する平行移動をあらわすパラメータは、dx3及びdy3である。またアライメントで測定される個々のデバイスチップの座標は、図22に示したWLCSPアライメントフローのはじめのプロセスで調整される角度を基にして求められる。
X = (x − x c ) × cosθ + (y − y c ) × sinθ + dx 3 (9)
Y = - (x - x c ) × sinθ + (y - y c) × cosθ + dy 3 (10)
The parameters dx 3 and dy 3 obtained from the equations (9) and (10) are obtained from the parameters dx 0 and dy 0 obtained from the equations (3) and (4). The parameters representing the parallel movement with respect to the rotation center position of the measurement table are dx 3 and dy 3 . The coordinates of individual device chips measured by alignment are obtained based on the angle adjusted in the first process of the WLCSP alignment flow shown in FIG.

4.デバイスチップが大きい場合の偏差調整方法とアライメント手順
デバイスチップサイズが大きいと、個片化時の変位は小さいが、デバイスチップの傾きに対しては、デバイスチップサイズが小さい場合とは別の問題が発生する。この問題を検討するために、図35(A)及び(B)を参照して、デバイスチップの傾き対するテスタの測定電極とデバイスチップ側端子の重なり具合を説明する。図35(A)にデバイスチップサイズが小さい場合を、図35(B)にデバイスチップサイズが大きい場合に対する、テスタの測定電極とデバイスチップ側端子の重なり具合を示す。図35(A)及び(B)において、大きな四角形(104a及び104b)はデバイスチップの外周を、破線で示す白い丸印(106a及び106b)はテスタの測定電極(ポゴピン)を示し、この丸印と重なって一部が黒く見える小さい四角形(108a及び108b)は、デバイスチップ側端子(バンプ)を示す。
4). Deviation adjustment method and alignment procedure when the device chip is large If the device chip size is large, the displacement at the time of singulation is small, but the tilt of the device chip is different from the case when the device chip size is small. appear. In order to examine this problem, the overlapping state of the measurement electrode of the tester and the device chip side terminal with respect to the inclination of the device chip will be described with reference to FIGS. 35 (A) and (B). FIG. 35 (A) shows the case where the device chip size is small, and FIG. 35 (B) shows the degree of overlap between the measurement electrode of the tester and the device chip side terminal when the device chip size is large. In FIGS. 35A and 35B, large squares (104a and 104b) indicate the outer periphery of the device chip, and white circles (106a and 106b) indicated by broken lines indicate tester measurement electrodes (pogo pins). The small squares (108a and 108b) that overlap with each other and look black are device chip side terminals (bumps).

テスタの測定電極は、マルチテスティングが行なえるように、既に図5を参照して説明したように、複数個のデバイスチップが同時に測定できるように固定されるので、デバイスチップ単位に独立して角度調整することは出来ない。一方デバイスチップは個片化されたことによって、一つ一つのデバイスチップは、独立に傾き角度が変わることがある。   As described above with reference to FIG. 5, the measurement electrode of the tester is fixed so that a plurality of device chips can be measured simultaneously, as described above with reference to FIG. The angle cannot be adjusted. On the other hand, since the device chips are separated into individual pieces, the inclination angle of each device chip may change independently.

図35(B)に示すように、デバイスチップサイズが大きくなると、測定電極とデバイスチップ側端子との間で大きくずれている電極がある。デバイスチップの傾きに対しては、小さいサイズのデバイスチップにおいては問題とならない角度でも、大きいサイズのデバイスチップでは問題となる。   As shown in FIG. 35 (B), when the device chip size is increased, there is an electrode that is largely displaced between the measurement electrode and the device chip side terminal. With respect to the tilt of the device chip, even an angle that does not cause a problem in a small-sized device chip is a problem in a large-sized device chip.

これまで、アライメントにおいては、デバイスチップの傾き角度は測定しないとしてきた。しかし上述したような状況に対応するには、WLCSP上の全デバイスチップに対して、デバイスチップ中心位置とデバイスチップの傾き角度を測定する必要がある。   Until now, the alignment angle of the device chip has not been measured in the alignment. However, in order to cope with the situation as described above, it is necessary to measure the device chip center position and the tilt angle of the device chip with respect to all device chips on the WLCSP.

パターンマッチング等の画像処理技術を利用して、全デバイスチップの中心位置と傾き角度とを測定するには、モデル画像パターンを1つではなく2つ用いる必要がある。そしてアライメント結果としては、位置データ(例えば、デバイスチップ中心座標)と角度との両方を保持しなければならない。デバイスチップサイズが大きい場合には、デバイスチップ数は少なくなるが、アライメントで全デバイスチップの中心座標と傾き角度を測定することが必要な場合もある。また、デバイスチップの傾きが問題となる状況下では、マルチサイトテスティングを行なうことは困難である場合もある。デバイスチップサイズの大きいチップで、複数のデバイスチップ間の角度が大きくなると、同時に複数のデバイスチップの端子をテスタ側の測定電極と重ねることが難しい状況が発生する。この場合には、シングルサイトテスティングを実施しなければならない。   In order to measure the center position and inclination angle of all device chips using image processing techniques such as pattern matching, it is necessary to use two model image patterns instead of one. As an alignment result, both position data (for example, device chip center coordinates) and an angle must be held. When the device chip size is large, the number of device chips is reduced, but it may be necessary to measure the center coordinates and inclination angles of all device chips by alignment. In addition, it may be difficult to perform multi-site testing under the situation where the tilt of the device chip is a problem. When the angle between a plurality of device chips increases with a chip having a large device chip size, it becomes difficult to simultaneously overlap the terminals of the plurality of device chips with the measurement electrodes on the tester side. In this case, single site testing must be performed.

図36に、2マルチテスティングにおけるテスタ測定電極の個々の位置と中心位置に対する関係を図示した。測定電極一つ一つの位置はテスタ測定電極の中心位置に対して既知であるとし、j番電極の相対座標を(Xpj, Ypj)とする。すなわち、テスタ測定電極の個々の位置は、設計値として入手することで、テスタ測定電極の中心位置に対して既知であるとして扱う。 FIG. 36 shows the relationship between the individual positions and the center positions of the tester measurement electrodes in the two multi-testing. Assume that the position of each measurement electrode is known with respect to the center position of the tester measurement electrode, and the relative coordinates of the jth electrode are (X pj , Y pj ). That is, each position of the tester measurement electrode is obtained as a design value, and is handled as known with respect to the center position of the tester measurement electrode.

テスタ測定電極の中心位置と傾きは、別途測定しておく必要がある。テスタ測定電極の中心座標を(Xn, Yn)とし、テスタ測定電極の傾きをθ0nとすると、次式によって、測定電極各々の位置(Xnj, Ynj)は、計算される。 The center position and inclination of the tester measurement electrode must be measured separately. If the center coordinates of the tester measurement electrode are (X n , Y n ) and the inclination of the tester measurement electrode is θ 0n , the position (X nj , Y nj ) of each measurement electrode is calculated according to the following equation.

nj = Xn + Xpj×cosθ0n + Ypj×sinθ0n (11)
nj = Yn − Xpj×sinθ0n + Ypj×cosθ0n (12)
添え字nは測定電極をデバイスチップ単位に識別するための番号である。ここで(Xn, Yn)及びθ0nは測定値で、(Xpj, Ypj)は設計値であり、ともに既知である。すなわち(Xn, Yn)及びθ0nが測定されると、測定電極各々の座標は既知となる。また、測定電極各々の座標が直接測定できる場合には、(11)式及び(12)式を使用しないで、直接測定によって得られる測定座標(Xnj, Ynj)を用いる。
X nj = X n + X pj × cosθ 0n + Y pj × sinθ 0n (11)
Y nj = Y n − X pj × sinθ 0n + Y pj × cosθ 0n (12)
The subscript n is a number for identifying the measurement electrode for each device chip. Here, (X n , Y n ) and θ 0n are measured values, and (X pj , Y pj ) are design values, both of which are known. That is, when (X n , Y n ) and θ 0n are measured, the coordinates of each measurement electrode are known. Further, when the coordinates of each measurement electrode can be directly measured, the measurement coordinates (X nj , Y nj ) obtained by direct measurement are used without using the equations (11) and (12).

次に、デバイス側の端子の位置についても、同様に検討する。図37に、2マルチテスティングにおけるデバイスチップの中心位置と個々のデバイスチップ端子との関係を図示した。デバイスチップの個々の端子に対して、デバイスチップの中心位置からの相対座標を(xqj, yqj)とする。デバイスチップ位置としては、中心座標及び傾き角度が測定される。測定されたデバイスチップの中心座標を(xn, yn)とし、x軸に対する傾き角度をθ1nとすると、各々のデバイスチップ端子座標(xnj, ynj)は、次式(13)式及び(14)式で与えられる。 Next, the position of the terminal on the device side will be examined in the same manner. FIG. 37 illustrates the relationship between the center position of a device chip and individual device chip terminals in two multi-testing. Let (x qj , y qj ) be the relative coordinates from the center position of the device chip for each terminal of the device chip. As the device chip position, center coordinates and an inclination angle are measured. Assuming that the measured device chip center coordinates are (x n , y n ) and the inclination angle with respect to the x axis is θ 1n , each device chip terminal coordinate (x nj , y nj ) is expressed by the following equation (13): And (14).

xnj = xn + xqj×cosθ1n + yqj×sinθ1n (13)
ynj = yn − xqj×sinθ1n + yqj×cosθ1n (14)
添え字nはデバイスチップ単位で識別するための番号であり、上述した測定電極の場合と同じである。j番電極の中心に対する相対座標を(Xpj, Ypj)、j番端子の中心に対する相対座標を( xqj, yqj)としたが、基本的にXpj = xqj、Ypj = yqj の関係がある。
x nj = x n + x qj × cosθ 1n + y qj × sinθ 1n (13)
y nj = y n − x qj × sinθ 1n + y qj × cosθ 1n (14)
The subscript n is a number for identifying each device chip, and is the same as the case of the measurement electrode described above. The relative coordinates for the center of the j-th electrode are (X pj , Y pj ) and the relative coordinates for the center of the j-th terminal are (x qj , y qj ), but basically X pj = x qj , Y pj = y There is a qj relationship.

このようにテスタ測定電極各々の座標とデバイスチップ端子各々の座標を表し、(3)式及び(4)式を下記の(15)式及び(16)式 のように変更する。nはデバイスチップ単位毎に識別するための番号であり、jは電極又は端子の順を示すための番号である。   Thus, the coordinates of each of the tester measurement electrodes and the coordinates of each of the device chip terminals are represented, and the expressions (3) and (4) are changed to the following expressions (15) and (16). n is a number for identifying each device chip unit, and j is a number for indicating the order of electrodes or terminals.

nj = xnj×cosθ + ynj×sinθ + dx (15)
nj = −xnj×sinθ + ynj×cosθ + dy (16)
テスタ測定電極の中心座標(Xn, Yn)とテスタ測定電極の傾きθ0n、及びデバイスチップの中心座標(xn, yn)とデバイスチップの傾き角度をθ1n を(15)式及び(16)式に代入して、最小二乗法を適用してパラメータθ、dx及びdyを求める。求められたパラメータθ、dx及びdyは、対応するテスタ測定電極とデバイスチップ端子が最もよく重なる位置となる平行移動量と回転角度を与える。また得られた平行移動量と回転角度を使用して、(15)式及び(16)式の差異をとると、各々の測定電極とデバイスチップ端子との偏差(差異)を表す式(17)と式(18)になる。
X nj = x nj × cosθ + y nj × sinθ + dx (15)
Y nj = −x nj × sinθ + y nj × cosθ + dy (16)
The center coordinates (X n , Y n ) of the tester measurement electrode and the inclination θ 0n of the tester measurement electrode, and the center coordinates (x n , y n ) of the device chip and the inclination angle of the device chip are set to θ 1n Substituting into the equation (16), the parameters θ, dx and dy are obtained by applying the least square method. The obtained parameters θ, dx, and dy give the amount of translation and the rotation angle at which the corresponding tester measurement electrode and device chip terminal most closely overlap. Further, using the obtained parallel movement amount and rotation angle, when the difference between Equation (15) and Equation (16) is taken, Equation (17) representing the deviation (difference) between each measurement electrode and the device chip terminal And (18).

δxnj = Xnj − ( xnj×cosθ + ynj×sinθ+ dx ) (17)
δynj = Ynj − (−xnj×sinθ + ynj×cosθ+ dy ) (18)
各々の測定電極とデバイスチップ端子との偏差は、許容値以下でなければならない。すなわち、必要合致度合に収まっていなければならない。
δx nj = X nj − (x nj × cosθ + y nj × sinθ + dx) (17)
δy nj = Y nj − (−x nj × sinθ + y nj × cosθ + dy) (18)
The deviation between each measurement electrode and the device chip terminal must be less than the allowable value. That is, it must be within the required degree of match.

デバイスチップサイズが大きい場合には、テスティングにおいて、テスタ測定電極とデバイスチップ端子1つ1つの偏差が小さくなるように調整する方法を記述したが、このような場合には、全デバイスチップの中心座標と傾き角度を測定する必要がある。シングルサイトテスティングでは、全デバイスチップの中心座標と傾き角度を測定するとよい。全デバイスチップの中心座標と傾き角度を測定するアライメントのプロセスは、図22で示す「個片化されたWLCSPのアライメントのフローチャート」で、インデックスマップと各デバイスチップとの対応がとられた後、全デバイスチップの中心座標と傾き角度を測定する。中心座標と傾き角度を測定するため、1つのデバイスチップで、2個所以上の異なる位置をパターンマッチング手法で測定する必要がある。   In the case where the device chip size is large, the method of adjusting the tester measurement electrode and the device chip terminal so that the deviation between the device chip terminals becomes small has been described. In such a case, the center of all device chips is described. It is necessary to measure coordinates and tilt angles. In single-site testing, the center coordinates and tilt angles of all device chips should be measured. The alignment process for measuring the center coordinates and tilt angles of all device chips is shown in the flowchart of alignment of individual WLCSPs shown in FIG. 22, and after the correspondence between the index map and each device chip is taken, Measure the center coordinates and tilt angles of all device chips. In order to measure the center coordinates and tilt angle, it is necessary to measure two or more different positions with a single device chip using the pattern matching method.

5.デバイスチップが小さい場合のアライメント手順
前節4までにおけるアライメントに対する記述では、テスティングの対象であるデバイスチップのサイズを2mm×2mm以上と想定してきた。デバイスチップサイズがこれよりも小さい場合に発生する問題については、これまで一切記述していない。
5. Alignment procedure when device chip is small The description of alignment up to the previous section 4 has assumed that the size of the device chip to be tested is 2 mm x 2 mm or more. No problems have been described so far when the device chip size is smaller than this.

また、現在流通しているダイサ等において、デバイスチップを搬送することができるという観点から、ダイシングテープの弛み量として許される値は5mm〜6mm程度が最大であるとして、ダイシングテープの最大伸張量を1mm以下と想定して説明した。   In addition, from the viewpoint that device chips can be transported by dicers currently in circulation, the maximum allowable amount of dicing tape is about 5 mm to 6 mm. The explanation is made assuming that the distance is 1 mm or less.

デバイスチップの大きさが2mm×2mm以上であれば、図4に示すような状況、すなわち、ウェーハの中央付近に位置するデバイスチップのY方向中心線が、WLCSPの端の方で一つ下の行デバイスチップの位置になってしまうという状況は、発生しないものとしてきた。ダイシングテープの最大伸張量は、実際には0.5mm以下と推定されるが、これを多少大きく見積もって1mmとみなすこととして、この発明の実施が余裕を見込んで行なえることを保障してきた。   If the size of the device chip is 2 mm × 2 mm or more, the situation as shown in FIG. 4, that is, the Y-direction center line of the device chip located near the center of the wafer is one lower toward the end of the WLCSP. The situation where the position of the row device chip is reached has not occurred. Although the maximum extension of the dicing tape is estimated to be 0.5 mm or less in practice, it has been ensured that the implementation of the present invention can be performed with an allowance by assuming this to be a little larger than 1 mm.

ダイシングテープの最大伸張量は、テープの種類、個片化の条件、デバイスチップサイズ等いろいろの要因に依存する。デバイスチップサイズが小さくなると、ダイシングテープの切り込み個所が増加するため、ダイシングテープの伸張量は大きくなる。また個々のデバイスチップがダイシングブレードに対抗する力も、デバイスチップサイズが小さくなると弱くなる。   The maximum extension amount of the dicing tape depends on various factors such as the type of tape, the condition of singulation, and the device chip size. As the device chip size decreases, the number of cuts in the dicing tape increases, and the amount of expansion of the dicing tape increases. Also, the force with which each device chip opposes the dicing blade is weakened as the device chip size is reduced.

このためデバイスチップサイズが小さくなるほど、デバイスチップ位置は大きく変位する。デバイスチップサイズが小さい場合には、このような影響を考慮してアライメントを実施しなければならない。これまで行ってきた記述においては、このような状況を考慮すべき目安として、小さいとされる大きさのデバイスチップサイズを2mm×2mm以下と想定してきた。   For this reason, as the device chip size becomes smaller, the device chip position is greatly displaced. When the device chip size is small, it is necessary to perform alignment in consideration of such influence. In the descriptions that have been made so far, as a guideline to consider such a situation, it has been assumed that a device chip size of a small size is 2 mm × 2 mm or less.

図38を参照して、デバイスチップサイズの小さいWLCSPの例にとって、上述したことを具体的に説明する。デバイスチップサイズが小さいと、既に図4を参照して説明したように、ダイシングテープの中央付近に存在するデバイスチップのY方向中心線が、ダイシングテープの端の方で一つ下の行デバイスチップの位置(又は一つ上の行デバイスチップの位置)に重なってしまう。そして列方向についても行方向と同様のことが起こる。   With reference to FIG. 38, the above will be specifically described for an example of a WLCSP having a small device chip size. When the device chip size is small, as already described with reference to FIG. 4, the Y-direction center line of the device chip existing near the center of the dicing tape is one row device chip below the end of the dicing tape. (Or the position of the row device chip one level above). The same thing happens in the column direction as in the row direction.

マルチサイトテスティングを実施するためには、小さいデバイスチップでもある程度は整った2次元配列状にデバイスチップが並んでいなければならない。一つ下(又は上)の行デバイスチップの位置と区別がつけられなくなる可能性を避けるため、図22に示した個片化されたWLCSPアライメントのフローで与えた、
1)測定テーブルに載せられたWLCSPの角度を調整するプロセス
2)基準測定点を設定するプロセス
3)インデックスマップと各デバイスチップの対応をとるプロセス
の3つのプロセスに、以下に説明する追加手段を加える。
In order to perform multi-site testing, device chips must be arranged in a two-dimensional array arranged to some extent even with small device chips. In order to avoid the possibility of being indistinguishable from the position of the lower (or upper) row device chip, given the flow of the separated WLCSP alignment shown in FIG.
1) A process for adjusting the angle of the WLCSP placed on the measurement table 2) A process for setting a reference measurement point 3) An additional means described below is added to the three processes of taking the correspondence between the index map and each device chip Add.

測定テーブルに載せられたWLCSPの角度を調整するプロセスに対しては、図23を参照して説明したプロセスでは、中央付近(第1点目)、数デバイスチップ左側(第2点目)、左端(第3点目)、右端(第4点目)の合計5点を画像処理により検索した。小さいデバイスチップでは、図23で示すプロセスを図39で示すプロセスに修正する。第2点目から第3点目を検索する時(第3点目以降次の点を検索する時すべてで)、図39では、図に示すようにデバイスチップ数が5となるように検索するデバイスチップ位置を決めている。小さいデバイスチップは個片化されると、デバイスチップ間隔が伸縮(一般的には伸張)するので、ある個数以上のデバイスチップが離れると隣のデバイスチップと区別することが出来なくなる。角度調整プロセスでは、角度調整最大デバイスチップ数を決めて、その個数以下の位置で検索しなければならない(同一の行であると見なすことは出来ない)。角度調整最大デバイスチップ数については後述する。   For the process of adjusting the angle of the WLCSP placed on the measurement table, in the process described with reference to FIG. 23, the vicinity of the center (first point), the left of several device chips (second point), the left end A total of five points (the third point) and the right end (the fourth point) were searched by image processing. For a small device chip, the process shown in FIG. 23 is modified to the process shown in FIG. When searching from the second point to the third point (all when searching for the next point after the third point), in FIG. 39, the search is performed so that the number of device chips is five as shown in the figure. The device chip position is determined. When a small device chip is singulated, the device chip interval expands and contracts (generally expands). Therefore, when a certain number of device chips are separated, they cannot be distinguished from the adjacent device chips. In the angle adjustment process, it is necessary to determine the maximum number of device chips for angle adjustment and search at positions equal to or less than that number (cannot be regarded as the same row). The maximum number of device chips for angle adjustment will be described later.

図39は、測定テーブルに載せられたWLCSPの角度を調整するための測定位置について説明するための図である。この図39は、一行に並べられたデバイスチップの列を示しており、小さく正方形で示した部分がデバイスチップを示している。図39を参照して説明するケースでは、角度調整最大デバイスチップ数を5とした。また図23を参照して説明したケースでは、4点目検索位置を決める時、第1点目、第2点目、第3点目を連ねる線を最小二乗法によって確定し、その直線の延長線上がWLCSP左端付近になるよう設定した。図39を参照して説明するケースでは、既に検索された位置から次の検索位置を設定するという操作が増えるが、このような場合はその前の得られた2点の延長線上に検索位置を設定することとする。一方、例えば図39に示した第6点目検索位置を設定する時には、その位置は、1点目と3点目の延長線上に存在するものとする。図39を参照して説明するケースででは、このようにして測定された8点を連ねる線を最小二乗法で算出し、算出された線の傾きから角度を求めて、この角度をWLCSPの傾きとして補正する。デバイスチップサイズがさらに小さい場合には、さらに多くの点を検索して、測定テーブルに載せられたWLCSPの角度を調整することもある。   FIG. 39 is a diagram for explaining a measurement position for adjusting the angle of the WLCSP placed on the measurement table. FIG. 39 shows a row of device chips arranged in a line, and a small square portion indicates a device chip. In the case described with reference to FIG. 39, the angle adjustment maximum device chip number is set to five. In the case described with reference to FIG. 23, when determining the fourth point search position, the line connecting the first point, the second point, and the third point is determined by the least square method, and the straight line is extended. The line was set to be near the left edge of WLCSP. In the case described with reference to FIG. 39, the number of operations for setting the next search position from the already searched position increases. In such a case, the search position is set on the extension line of the two obtained points. It will be set. On the other hand, for example, when the sixth point search position shown in FIG. 39 is set, it is assumed that the position exists on the extension lines of the first point and the third point. In the case described with reference to FIG. 39, a line connecting the eight points measured in this way is calculated by the least square method, an angle is obtained from the calculated slope of the line, and this angle is calculated as the slope of WLCSP. As a correction. If the device chip size is smaller, more points may be searched and the angle of the WLCSP placed on the measurement table may be adjusted.

検索最大デバイスチップ数と角度調整最大デバイスチップ数について説明する。検索最大デバイスチップ数は、デバイスチップの並び方向にデバイスチップを検索する時に、1デバイスチップ間隔に相当する位置を違えない最大の数である。デバイスチップは個片化されると、デバイスチップ間隔が伸縮(一般的には伸張)する。   The maximum search device chip number and the maximum angle adjustment device chip number will be described. The maximum search device chip number is the maximum number that does not change the position corresponding to one device chip interval when searching for device chips in the arrangement direction of the device chips. When the device chips are separated, the device chip interval expands and contracts (generally expands).

デバイスチップ間隔の伸び率 = (最大デバイスチップ間隔/デバイスチップ間隔の設計値)−1.0
と定義する。デバイスチップ間隔の設計値を1.0、デバイスチップ間隔の伸び率10%として1つの例を取り上げる。1.0/デバイスチップ間隔の伸び率=10個以上離れると、その間のデバイスチップ個数が一意的でなくなる。あるデバイスチップから12.05離れた位置にデバイスチップが在るとすると、その間に1.004の間隔で11個あるか、1.095の間隔で10個あるか判らない。検索最大デバイスチップ数をデバイスチップ間隔の伸び率から下記のように決める(−1は余裕度)。
Elongation rate of device chip interval = (maximum device chip interval / design value of device chip interval)-1.0
It is defined as One example is taken with the device chip spacing design value of 1.0 and the device chip spacing elongation of 10%. 1.0 / Elongation rate of device chip interval = 10 or more away, the number of device chips in between becomes not unique. If there is a device chip at a position 12.05 away from a certain device chip, it is not known whether there are 11 chips at intervals of 1.004 or 10 chips at intervals of 1.095. The maximum number of search device chips is determined from the growth rate of the device chip interval as follows (-1 is a margin).

検索最大デバイスチップ数 = 1.0/デバイスチップ間隔の伸び率−1
デバイスチップサイズはX方向とY方向で異なることがあり、個片化する時の影響もX方向とY方向で異なることがあるので、検索最大デバイスチップ数は、X方向とY方向を別に設定出来るようにしておく。
Maximum number of device chips searched = 1.0 / Device chip interval growth rate-1
The device chip size may be different in the X and Y directions, and the influence when singulating may be different in the X and Y directions, so the maximum search device chip number is set separately for the X and Y directions. I will be able to do it.

角度調整最大デバイスチップ数は、角度調整プロセスで、上または下の行のデバイスチップと間違えない最大数である。X方向角度調整最大デバイスチップ数は、Y方向デバイスチップ間隔の伸び率と関連する。角度調整のためには、デバイスチップが50%ずれると判別できなくなるので、下記のように決める。   The angle adjustment maximum device chip number is a maximum number that is not mistaken for the device chip in the upper or lower row in the angle adjustment process. The maximum device chip number in the X direction angle adjustment is related to the elongation rate of the Y direction device chip interval. To adjust the angle, the device chip cannot be discriminated when it is displaced by 50%.

X方向角度調整最大デバイスチップ数= 0.5/Y方向デバイスチップ間隔の伸び率 −1
Y方向角度調整最大デバイスチップ数も同様に決める。図39で示した角度調整プロセスでは、角度調整最大デバイスチップ数以下のデバイスチップ間隔とする。
X direction angle adjustment maximum number of device chips = 0.5 / Elongation rate of Y direction device chip interval -1
The maximum Y-direction angle adjustment device chip number is determined in the same manner. In the angle adjustment process shown in FIG. 39, the device chip interval is equal to or less than the maximum number of device chips for angle adjustment.

基準測定点を設定するプロセスは、初期測定領域分割ステップで実施される。初期測定領域分割ステップでは、領域化インデックス数の初期値を設定する必要があった。領域化インデックス数の初期値が設定されると、初期測定領域分割ステップでは、図18に示すようにWLCSP上のデバイス配列は測定領域に分割され、同時に基準測定点も設定される。デバイスチップサイズが小さい場合の、領域化インデックス数の初期値は、最も大きい値を設定する時、上述の検索最大デバイスチップ数とする。通常では、検索最大デバイスチップ数の1/2程度を領域化インデックス数の初期値とすることがよい。検索最大デバイスチップ数は1デバイス間違えない最大の数であるが、領域化インデックス数はその範囲でデバイスチップ間隔が大きく変わらないデバイスチップ数である。当然ながら
検索最大デバイスチップ数 > 領域化インデックス数
である。領域化インデックス数の初期値が大きすぎると,初期測定領域分割ステップの後、検定ステップ及び再分割ステップを多くの枚数のWLCSPに対して実施して調べる必要がある。デバイスチップサイズが小さい場合には、この点を考慮して、初期測定領域分割ステップを実施する必要がある。デバイスチップサイズが小さい場合には、初期測定領域分割ステップでは、もう一つ追加手段を実施するが、これについては後述する(インデックスマップと各デバイスチップとの対応をとるプロセスで記述した内容と同一)。
The process of setting the reference measurement point is performed in the initial measurement area dividing step. In the initial measurement area dividing step, it is necessary to set an initial value of the number of area indexes. When the initial value of the area index is set, in the initial measurement area dividing step, the device array on the WLCSP is divided into measurement areas as shown in FIG. 18, and the reference measurement points are also set at the same time. When the device chip size is small, the initial value of the number of area indexes is set to the above-described maximum number of search device chips when the largest value is set. Normally, about 1/2 of the maximum number of search device chips is preferably set as the initial value of the number of area indexes. The search maximum device chip number is the maximum number that does not make a mistake in one device, but the region index number is a device chip number that does not greatly change the device chip interval within that range. Naturally, the maximum number of search device chips> the number of regional indexes. If the initial value of the number of regionalized indexes is too large, it is necessary to perform an examination step and a re-division step on a large number of WLCSPs after the initial measurement region division step. When the device chip size is small, it is necessary to perform the initial measurement region dividing step in consideration of this point. When the device chip size is small, one additional means is implemented in the initial measurement area dividing step, which will be described later (the same as the contents described in the process of taking the correspondence between the index map and each device chip). ).

2mm×2mm以上の大きいデバイスチップに対して、インデックスマップと各デバイスチップとの対応をとるプロセスは、図24を参照して説明したように簡単に実行できるものであった。これは、一つ下(又は上)の行デバイスチップの位置と区別がつけられなくなるという状況が発生しないためである。しかし小さいデバイスチップでは、インデックスマップと各デバイスチップの対応をとるためには、同時に多くのデバイスチップ位置を使用する必要がある。   The process of taking the correspondence between the index map and each device chip for a large device chip of 2 mm × 2 mm or more can be easily executed as described with reference to FIG. This is because a situation in which the position cannot be distinguished from the position of the lower (or upper) row device chip does not occur. However, in the case of a small device chip, it is necessary to use many device chip positions at the same time in order to make the correspondence between the index map and each device chip.

インデックスマップと各デバイスチップとの対応をとる方法について、図40を参照して説明する。図40で、細い線の正方形はデバイスチップを示し、太い線の正方形は基準測定点のデバイスチップを示す。小さいデバイスチップサイズでは、1つのデバイスチップの位置を検索した後、次のデバイスチップ位置を検索する場合、検索最大デバイスチップ数を超えてはならないということが原則である。そのため図40に示される基準測定点のデバイスチップ中心座標を測定する時、この原則が守られるように測定する順番を決める。右上がり斜め45度の傾斜した線を描き、次にこの直線をY方向で上から下に移動させ、直線上に位置する基準測定点を順次ピックアップすることで、基準測定点の測定する順番を決めることとする。同一直線上に複数の基準測定点がある場合には、上方からという規則を設ける。図40では、このようにして、1〜8までの測定順を基準測定点に付加した。測定する順番の決め方は、斜め45度傾いた線、X方向の線およびY方向の線を使うと8通りに順番の付け方が可能である(別の順番の決め方を図40でLine 1'等で示す)。またX方向の線を使う場合でも、WLCSPの中央を通る線を基準として、その線に近い順(距離により)に番号を付けるということも出来る。   A method of taking correspondence between the index map and each device chip will be described with reference to FIG. In FIG. 40, a thin line square indicates a device chip, and a thick line square indicates a device chip of a reference measurement point. With a small device chip size, when searching for the position of one device chip and then searching for the next device chip position, the principle is that the maximum number of device chips to be searched must not be exceeded. Therefore, when measuring the device chip center coordinates of the reference measurement point shown in FIG. 40, the measurement order is determined so that this principle is observed. Draw a 45-degree slant line to the right, and then move this straight line from top to bottom in the Y direction to pick up the reference measurement points located on the straight line in order, thereby changing the measurement order of the reference measurement points. I will decide. When there are a plurality of reference measurement points on the same straight line, a rule from above is provided. In FIG. 40, the measurement order from 1 to 8 is added to the reference measurement point in this way. The order of measurement can be determined in eight ways by using a 45-degree oblique line, X-direction line, and Y-direction line (another order determination method such as Line 1 'in FIG. 40). ). Even in the case of using a line in the X direction, numbers can be assigned in order (by distance) close to the line passing through the center of the WLCSP.

測定する順番通りに、基準測定点のデバイスチップ中心座標を測定して、すべての基準測定点のデバイスチップ中心座標が測定されると、インデックスマップと各デバイスチップの対応がとれることと同時にアライメントも完了となる。このように小さいデバイスチップでは、インデックスマップと各デバイスチップの対応をとることと、基準測定点の測定は、同時に進める必要がある。そのために基準測定点の測定順を決めることとした。すべての基準測定点が測定されないと、インデックスマップと各デバイスチップの対応がとれないということを改善するため、下記のような対応をとる。図40で1〜8までの基準測定点は、WLCSPの左上側に存在し、隣接のデバイスチップでは存在しない位置がある。図40の1〜8までの基準測定点では、デバイスチップの中心座標を測定し、さらに隣接デバイスチップがあるかないかを調べる。隣接デバイスチップ有無をコード化する方法は、既にインデックスマップと各デバイスチップとの対応をとるプロセスで、図25を参照して説明した。ここでも同じ方法を使用する。そのため、小さいデバイスチップでは、基準測定点を設定するプロセス(初期測定領域分割ステップと再分割ステップ)で、基準測定点の隣接デバイスチップの有無を調べておく必要がある(基準測定点一覧データの隣接デバイスチップ有無データとする)。   When the device chip center coordinates of the reference measurement points are measured in the order of measurement and the device chip center coordinates of all the reference measurement points are measured, the index map can be matched with each device chip and alignment can be performed at the same time. It will be completed. In such a small device chip, the correspondence between the index map and each device chip and the measurement of the reference measurement point need to proceed simultaneously. Therefore, the measurement order of the reference measurement points was decided. In order to improve that the correspondence between the index map and each device chip cannot be taken unless all the reference measurement points are measured, the following correspondence is taken. In FIG. 40, reference measurement points 1 to 8 exist on the upper left side of the WLCSP, and there are positions that do not exist in the adjacent device chip. At reference measurement points 1 to 8 in FIG. 40, the center coordinates of the device chip are measured, and it is further checked whether there is an adjacent device chip. The method of coding the presence / absence of the adjacent device chip is a process of already taking the correspondence between the index map and each device chip, and has been described with reference to FIG. The same method is used here. Therefore, in the case of small device chips, it is necessary to check whether or not there is a device chip adjacent to the reference measurement point in the process of setting the reference measurement point (initial measurement area division step and subdivision step) (reference measurement point list data Adjacent device chip presence / absence data).

図40で1〜8までの基準測定点のデバイスチップ中心座標を測定する時に、同時にその隣接デバイスチップの有無が合致するかを調べる。図40の1〜8までの基準測定点で、隣接デバイスチップの有無が合致すれば、インデックスマップと各デバイスチップの対応がとれるので(とれたと判定するので)、以降の基準測定点では、デバイスチップの中心座標のみを測定する。基準測定点は順番通りに測定しなければならない。画像処理では、同一パターンがあってもパターンマッチングできないという場合もありうるので、図40の1〜8までの基準測定点で、完全に隣接デバイスチップの有無が合致しなくてもよいという判定が必要である(判定条件は少し緩いものでもよいとする)。図40の1〜8までの基準測定点を測定して、インデックスマップと各デバイスチップの対応が取れないと判定した場合には、基準測定点の測定順を変更する。基準測定点の測定順を決める方法については既に記述した。小さいデバイスチップに対して、以上記述した追加手段を加えると、図22に示した個片化されたWLCSPアライメントのフローで、アライメントを実施できる。   In FIG. 40, when the device chip center coordinates of the reference measurement points 1 to 8 are measured, it is checked whether or not the adjacent device chips are coincident. If the presence or absence of the adjacent device chip matches at the reference measurement points 1 to 8 in FIG. 40, the correspondence between the index map and each device chip can be taken (since it is determined to have been taken), and at the subsequent reference measurement points, the device Measure only the center coordinates of the chip. Reference measurement points must be measured in order. In image processing, even if there is the same pattern, pattern matching may not be possible, so at the reference measurement points from 1 to 8 in FIG. Necessary (judgment conditions may be slightly loose). When the reference measurement points 1 to 8 in FIG. 40 are measured and it is determined that the correspondence between the index map and each device chip cannot be obtained, the measurement order of the reference measurement points is changed. The method for determining the measurement order of the reference measurement points has already been described. When the additional means described above is added to a small device chip, the alignment can be performed by the individualized WLCSP alignment flow shown in FIG.

6.デバイスチップ位置測定システムの概略的構成例
図41及び図42を参照して、この発明のデバイスチップ位置測定方法を実現するデバイスチップ位置測定システムを内装した、CSPプローバの概略的構成例を説明する。なお、図41及び図42において説明するCSPプローバは、この発明を好適に利用できる一例に過ぎず、この発明を利用できるCSPプローバの構成は、この図に示す構成に限定されるものではない。また、各構成要素は、この発明の方法を実施するためのシステムの概略的構成が理解できる程度に示してあるに過ぎない。また、以下に述べる条件等は、単なる好適例に過ぎない。
6). Schematic Configuration Example of Device Chip Position Measurement System With reference to FIGS. 41 and 42, a schematic configuration example of a CSP prober equipped with a device chip position measurement system that implements the device chip position measurement method of the present invention will be described. . Note that the CSP prober described with reference to FIGS. 41 and 42 is merely an example in which the present invention can be suitably used, and the configuration of the CSP prober that can use the present invention is not limited to the configuration shown in this figure. Moreover, each component is only shown to such an extent that the schematic structure of the system for implementing the method of this invention can be understood. The conditions described below are merely preferred examples.

まず、図41を参照して、CSPプローバの概略的構成を説明する。CSPプローバは、CSPプローバ制御装置110とデバイスチップ位置制御装置150とを具えて構成される。CSPプローバ制御装置110は、測定部120及びCSPプローバ制御部130を具えて構成される。測定部120は、測定電極122及び測定テーブル124を具えて構成され、マルチサイトテスティングを行なうことができる構造を有している。測定電極122は、CSPプローバに設置されて測定ケーブルでデバイスチップテスタ200と直接接続される(「デバイスチップテスタの測定電極」ということもある)。測定電極122と測定テーブル124との位置関係は、電気的特性検査を実施する前にキャリブレーションされる。また予備テストしてデバイスチップ端子電極に残る測定電極の針跡を調べることで、直接的にも確認する。   First, a schematic configuration of a CSP prober will be described with reference to FIG. The CSP prober includes a CSP prober control device 110 and a device chip position control device 150. The CSP prober controller 110 includes a measuring unit 120 and a CSP prober controller 130. The measurement unit 120 includes a measurement electrode 122 and a measurement table 124, and has a structure capable of performing multi-site testing. The measurement electrode 122 is installed in a CSP prober and is directly connected to the device chip tester 200 by a measurement cable (sometimes referred to as “measurement electrode of a device chip tester”). The positional relationship between the measurement electrode 122 and the measurement table 124 is calibrated before the electrical characteristic inspection is performed. In addition, it is confirmed directly by conducting a preliminary test and examining the trace of the measurement electrode remaining on the device chip terminal electrode.

CSPプローバ制御装置110は、例えば、非特許文献1に開示されている、株式会社プライムファイブ社製PCP-100SLを利用して構成することができる。もちろん、このPCP-100SLに限らず、同時に多数のデバイスチップをダイシングテープに貼ったままでテストできる機能を有する、通常のプローバを利用して構成することができる。   The CSP prober control device 110 can be configured using, for example, PCP-100SL manufactured by Prime Five Co., Ltd. disclosed in Non-Patent Document 1. Of course, the present invention is not limited to this PCP-100SL, and it can be configured by using a normal prober having a function capable of testing while simultaneously attaching a large number of device chips to a dicing tape.

CSPプローバ制御部130は、測定部120を構成する測定テーブル124に対して、デバイスチップのデバイス電極への接触あるいはデバイス電極からの離脱の指示を与え、測定位置の移動等についての指示を与え、デバイスチップ電気的特性測定を行なったりするための指示を出す。   The CSP prober control unit 130 gives an instruction for contact with the device electrode of the device chip or detachment from the device electrode to the measurement table 124 that constitutes the measurement unit 120, gives an instruction about movement of the measurement position, etc. Give instructions for measuring device chip electrical characteristics.

また、CSPプローバ制御部130は、測定テーブル124に対する、デバイスチップのデバイス電極への接触、デバイス電極からの離脱、あるいは測定位置の移動等についての指示を与えるための情報を、デバイスチップ位置制御装置150から取得する機能を有している。   Further, the CSP prober control unit 130 provides information for giving instructions to the measurement table 124 about contact of the device chip to the device electrode, separation from the device electrode, or movement of the measurement position, etc. Has a function to acquire from 150.

デバイスチップ位置制御装置150は、個片化された状態でダイシングテープに貼られて行列配列されているデバイスチップの位置等の情報をカメラ148から取得して、初期測定領域分割ステップ、領域データロードステップ、画像処理ステップ、検定ステップ、再分割ステップ、基準測定点の座標管理ステップ及び別基準測定点選定ステップを含む処理を実行する機能を具えている。すなわち、デバイスチップ位置測定システムは、デバイスチップ位置制御装置150に内装されている。   The device chip position control device 150 acquires information such as the positions of device chips that are affixed to the dicing tape in a singulated state from the camera 148, and performs initial measurement area division step, area data load A function for executing processing including a step, an image processing step, a verification step, a subdivision step, a coordinate management step for a reference measurement point, and another reference measurement point selection step. That is, the device chip position measurement system is built in the device chip position control device 150.

デバイスチップ位置制御装置150は、上述のデバイスチップ位置測定システムの処理機能を実現するために、画像処理装置115、第1演算装置160、第1データ出力部162、第1データ入力部164、表示装置166を含んで構成される。また、画像処理装置115は、画像取込部152、画像変換処理部154及び第1フレームメモリ156を具えて構成される。   The device chip position control device 150 includes an image processing device 115, a first arithmetic device 160, a first data output unit 162, a first data input unit 164, a display, in order to realize the processing function of the device chip position measurement system described above. A device 166 is included. The image processing apparatus 115 includes an image capturing unit 152, an image conversion processing unit 154, and a first frame memory 156.

画像取込部152は、カメラ146で撮像され送られてくる、個片化された状態でダイシングテープに貼られて行列配列されているデバイスチップの映像情報を取り込み、その映像情報を画像変換処理部154に引き渡す。   The image capturing unit 152 captures video information of the device chips that are captured and sent by the camera 146 and that is separated into pieces and pasted on a dicing tape and arranged in a matrix, and converts the video information into an image conversion process. Delivered to part 154.

画像変換処理部154において実行されるこれらの画像変換処理は、数ある既存の画像変換方法の中から選択して利用することができる。これらの画像変換処理は周知事項であるので、説明を省略する(例えば、特開2001−264037参照)。   These image conversion processes executed in the image conversion processing unit 154 can be selected and used from among a number of existing image conversion methods. Since these image conversion processes are well-known matters, description thereof will be omitted (see, for example, JP-A-2001-264037).

画像変換処理部154において、必要な画像変換処理を施されたデバイスチップの画像情報は、第1フレームメモリ156に一時的に記憶され、一時的に記憶された画像情報は、第1フレームメモリ156から第1演算装置160に入力される。   In the image conversion processing unit 154, the image information of the device chip that has undergone the necessary image conversion processing is temporarily stored in the first frame memory 156, and the temporarily stored image information is stored in the first frame memory 156. To the first arithmetic unit 160.

図42を参照して、第1演算装置160の概略的構成例について説明する。第1演算装置160は、制御部170、中央演算処理部180及び不揮発性記憶装置172を具えて構成される。制御部170は、デバイスチップ位置測定システムを構成する中央演算処理部180及び不揮発性記憶装置172を制御する。中央演算処理部180は、初期測定領域分割部182、デバイスチップ位置補間部184aを具える画像処理部184、基準測定点及び測定領域管理部186、測定領域適合化部188及びフレーム基準点管理部190を具えて構成される。   A schematic configuration example of the first arithmetic unit 160 will be described with reference to FIG. The first arithmetic unit 160 includes a control unit 170, a central arithmetic processing unit 180, and a nonvolatile storage device 172. The control unit 170 controls the central processing unit 180 and the nonvolatile storage device 172 that constitute the device chip position measurement system. The central processing unit 180 includes an initial measurement region dividing unit 182, an image processing unit 184 including a device chip position interpolation unit 184a, a reference measurement point and measurement region management unit 186, a measurement region adaptation unit 188, and a frame reference point management unit. Comprised of 190.

不揮発性記憶装置172は、個々のデバイスチップを2次元配列(2次元インデックス)で対応付けて指定したインデックスマップを記憶する部分172aと、領域化データ及び基準測定点一覧データ等がセットになったパラメータセットを記憶する部分172bと、再テスティングで使うためのアライメント測定データであるフレーム基準アライメント測定データを記憶する部分172cとを含んでいる。また不揮発性記憶装置172は、分割ステップにおける「候補の保存」あるいは「確定版の保存」にも利用される。不揮発性記憶装置172は、既存のハードディスク等を利用して構成することができる。   The nonvolatile storage device 172 includes a part 172a for storing an index map in which each device chip is specified in association with a two-dimensional array (two-dimensional index), a regionized data, a reference measurement point list data, and the like as a set. A part 172b for storing the parameter set and a part 172c for storing frame reference alignment measurement data which is alignment measurement data for use in retesting are included. The nonvolatile storage device 172 is also used for “save candidate” or “save finalized version” in the division step. The nonvolatile storage device 172 can be configured using an existing hard disk or the like.

初期測定領域分割部182によって、予め不揮発性記憶装置172に入力されているインデックスマップの情報と表示装置166から与えられる指示情報を基にして、初期測定領域と、初期基準測定点とが設定されて、不揮発性記憶装置172に品種パラメータのパラメータセットとして書き込まれる。   The initial measurement area and the initial reference measurement point are set by the initial measurement area dividing unit 182 based on the index map information input in advance to the nonvolatile storage device 172 and the instruction information given from the display device 166. Thus, it is written in the nonvolatile storage device 172 as a parameter set of product parameters.

第1演算装置160で実行される画像処理ステップは、既に説明したデバイスチップ位置の補間計算処理を実行できるようにプログラミングされて、不揮発性記憶装置172に格納されている。制御部170が、画像処理部184に画像処理ステップの実行指示を与えると、不揮発性記憶装置172からパラメータセットとして保存されている測定領域データと基準測定点データを読み出し、これらデータを基準測定点及び測定領域管理部186で管理する。画像処理部184によって、基準測定点及び測定領域管理部186で管理されている基準測定点のデバイスチップ位置へ測定テーブル124を移動させる指示が、CSPプローバ制御部130を介して、出される。移動が終了した後、第1フレームメモリ156から入力されたデバイスチップの画像情報を基にして、デバイスチップ中心座標が測定される。基準測定点及び測定領域管理部186で管理されている基準測定点を1点づつ処理し、すべての基準測定点のデバイスチップ中心座標が測定されると、デバイスチップ位置補間部184aによって、基準測定点及び測定領域管理部186で管理されている測定領域データを参照して、WLCSP上のすべてのデバイスチップ中心座標が算出される。   The image processing steps executed by the first arithmetic unit 160 are programmed so as to be able to execute the above-described device chip position interpolation calculation process, and are stored in the nonvolatile storage device 172. When the control unit 170 gives the image processing step execution instruction to the image processing unit 184, the measurement area data and the reference measurement point data stored as the parameter set are read from the nonvolatile storage device 172, and these data are read as the reference measurement points. And the measurement area management unit 186. An instruction for moving the measurement table 124 to the device chip position of the reference measurement point managed by the reference measurement point and measurement area management unit 186 is issued by the image processing unit 184 via the CSP prober control unit 130. After the movement is completed, the device chip center coordinates are measured based on the device chip image information input from the first frame memory 156. When the reference measurement points managed by the reference measurement point and measurement area management unit 186 are processed one by one and the device chip center coordinates of all the reference measurement points are measured, the device chip position interpolation unit 184a performs the reference measurement. With reference to the measurement area data managed by the point and measurement area management unit 186, all device chip center coordinates on the WLCSP are calculated.

測定領域適合化部188は、算出されたデバイスチップの中心座標と実測された中心座標の位置合致度合がデバイスチップの電気特性の測定に要する合致度合である必要合致度合に収まっているか否かを判定する合致度合検定部188aと、必要合致度合に収まらない基準測定点を含む測定領域をさらに分割する測定領域再分割部188bとを具えている。   The measurement region adaptation unit 188 determines whether or not the position matching degree between the calculated center coordinates of the device chip and the actually measured center coordinates falls within a required matching degree that is a matching degree required for measuring the electrical characteristics of the device chip. A determination unit 188a for determining the degree of coincidence and a measurement region subdivision unit 188b that further divides a measurement region including a reference measurement point that does not fall within the required degree of match are provided.

合致度合検定部188aによって、画像処理ステップで算出されたデバイスチップの中心座標と実際に測定したデバイスチップの中心座標との位置の合致度合を求め、デバイスチップの電気特性の測定に要する合致度合である必要合致度合に収まっているか否かを判定する検定ステップが実行される。必要合致度合をどの程度に設定するかは、デバイスチップの大きさ等に依存するので、測定対象のデバイス品種に設定する必要がある。必要合致度合の設定値は、やはり不揮発性記憶装置172に格納しておき、検定ステップを実行する段階で、制御部170がこの不揮発性記憶装置172を参照してこのプログラムを実行できる構成とされる。   The degree of coincidence of the device chip calculated in the image processing step and the center coordinates of the actually measured device chip are obtained by the degree of coincidence verification unit 188a, and the degree of coincidence required for measuring the electrical characteristics of the device chip is obtained. A verification step for determining whether or not a certain required degree of matching is satisfied is executed. The degree to which the required degree of matching is set depends on the size of the device chip and the like, so it is necessary to set it to the device type to be measured. The setting value of the required matching degree is also stored in the nonvolatile storage device 172, and the controller 170 can execute this program with reference to the nonvolatile storage device 172 when the verification step is executed. The

また、測定領域再分割部188bによって、検定ステップにおける検定結果に基づいて、位置の合致度合が必要合致度合の範囲内に収まっていないデバイスチップを含む測定領域に対して、位置の合致度合が、デバイスチップの電気特性の測定に要する合致度合以内に収まるまで、一直線上に3点以上が並ぶことがない新たな4点を基準測定点として設定して、初期測定領域を、4つの基準測定点で囲まれる分割領域に階層的に分割を進める再分割ステップが実行される。検定ステップと再分割ステップとが終了した後、不揮発性記憶装置172に品種パラメータのパラメータセットとして書き込まれる。   Further, based on the test result in the test step, the measurement area subdivision unit 188b has a position match degree for a measurement area including a device chip whose position match degree is not within the required match degree range. Set four new reference points as reference measurement points and set the initial measurement area as four reference measurement points until three or more points do not line up in a straight line until the degree of match required to measure the electrical characteristics of the device chip A re-dividing step is performed in which the division is hierarchically divided into the divided areas surrounded by. After the verification step and the subdivision step are completed, they are written in the nonvolatile storage device 172 as a parameter set of product parameters.

フレーム基準点管理部190は、ダイシングフレームに設定した位置を基準位置として、この基準位置に基づいて基準測定点として測定したデバイスチップ中心座標を管理するための基準測定点の座標管理部190a、ピッキングにより基準測定点に対応する位置にデバイスチップが存在しない場合に、別の基準測定点として別基準測定点を選定し、管理する別基準測定点選定部190bとを具えている。   The frame reference point management unit 190 uses the position set in the dicing frame as a reference position, the reference measurement point coordinate management unit 190a for managing the device chip center coordinates measured as the reference measurement point based on the reference position, picking Thus, when a device chip does not exist at a position corresponding to the reference measurement point, another reference measurement point is selected as another reference measurement point and is managed.

基準測定点の座標管理部190aによって、デバイスチップを乗せているダイシングテープを固定しているダイシングフレームに任意に設定した位置を基準位置として、この基準位置に基づいて基準測定点として測定したデバイスチップ中心座標を管理する基準測定点の座標管理ステップが実行される。また更に、別基準測定点選定部190bによって、基準測定点に対応する位置のデバイスチップが存在しない場合に、別の基準測定点として別基準測定点を選定し、基準測定点に付加する別基準測定点選定ステップが実行される。座標管理ステップと別基準測定点選定ステップとが終了した後、新たに設定された測定領域データと基準測定点データを基準測定点及び測定領域管理部186で管理する。   A device chip measured as a reference measurement point based on the reference position, with a position arbitrarily set on the dicing frame that fixes the dicing tape on which the device chip is placed fixed by the coordinate management unit 190a of the reference measurement point A coordinate management step for the reference measurement point for managing the center coordinates is executed. Further, another reference measurement point selecting unit 190b selects another reference measurement point as another reference measurement point when there is no device chip at the position corresponding to the reference measurement point, and adds another reference measurement point to the reference measurement point. A measurement point selection step is executed. After the coordinate management step and the separate reference measurement point selection step are completed, the newly set measurement area data and reference measurement point data are managed by the reference measurement point and measurement area management unit 186.

中央演算処理部180において実行される上述した処理内容の詳細は、既に、1.個片化されたデバイスチップのアライメント及び2. ピッカープロセス後の歯抜け状態のデバイスチップ配列となった半導体デバイスチップのアライメントにおいて詳説したので、繰り返さない。また、中央演算処理部180において実行される上述した処理は、通常のパーソナルコンピュータによって実行可能である。   The details of the above-described processing contents executed in the central processing unit 180 are as follows: 1. Alignment of singulated device chips and 2. Device chip array in a device chipped state after picker process Since it was explained in detail in the alignment, it will not be repeated. Further, the above-described processing executed in the central processing unit 180 can be executed by a normal personal computer.

第1演算装置160からは上述のアライメントの結果を反映したデバイスチップ位置座標情報が、表示装置166及び第1データ出力部162に供給される。また、第1演算装置160へは、画像処理装置115からパターンマッチング処理結果のデータが、第1データ入力部164からはデバイスチップテスタによるデバイスチップのテスティング結果のデータが供給される。また、表示装置166からは、上述した処理を実行するために必要となる指示が与えられる。   From the first arithmetic unit 160, device chip position coordinate information reflecting the above-described alignment result is supplied to the display unit 166 and the first data output unit 162. In addition, pattern matching processing result data is supplied from the image processing device 115 to the first arithmetic unit 160, and device chip testing result data from the device chip tester is supplied from the first data input unit 164. Further, the display device 166 gives an instruction necessary for executing the above-described processing.

再び図41を参照して、CSPプローバ制御部130の構成を説明する。CSPプローバ制御部130は、測定テーブル124の位置座標を取り込む位置情報取込部132、第2演算装置136、第2データ出力部138、第2データ入力部140、第3データ出力部144、第3データ入力部146及び測定テーブル124を制御する測定制御部142を具えて構成される。位置情報取込部132は、測定テーブル124から送られてくる位置情報を取り込み、その位置情報が第2演算装置136に送られる。   Referring to FIG. 41 again, the configuration of CSP prober control unit 130 will be described. The CSP prober control unit 130 includes a position information capturing unit 132 that captures the position coordinates of the measurement table 124, a second arithmetic unit 136, a second data output unit 138, a second data input unit 140, a third data output unit 144, 3 A data input unit 146 and a measurement control unit 142 for controlling the measurement table 124 are provided. The position information capturing unit 132 captures the position information sent from the measurement table 124, and the position information is sent to the second arithmetic unit 136.

第2演算装置136には、測定テーブル124の位置情報以外にも、第2データ入力部140を介して、デバイスチップ位置制御装置150に具えられた第1データ出力部162からデバイスチップの位置座標に関するデータも送られる。第2演算装置136は、測定テーブル124の位置情報、デバイスチップの位置座標及びにデバイスチップの2次元配列位置(インデックスマップ上の位置)関するデータを基にして、表示装置166から入力されるデバイスチップの電気的特性測定指示に従って、測定対象となるデバイスチップの位置座標を測定電極122の位置に対して調整して、測定テーブル124の移動先位置を決めて、移動の実行指示を測定制御部142に送る。デバイスチップの電気的特性測定指示は、同時に別ルートとして、第3データ出力部144から、電気的特性を測定するデバイスチップのインデックスマップ上の位置と測定の実行指示をデバイスチップテスタ200に送る。表示装置166から入力されるデバイスチップの電気的特性測定指示は、一方では、第1演算装置160、第1データ出力部162、第2データ入力部140及び第2演算装置136を介して測定制御部142に伝えられる。もう一方では、第2演算装置136から、第3データ出力部144を介して、デバイスチップテスタ200に伝えられる。   In addition to the position information of the measurement table 124, the second arithmetic unit 136 includes the position coordinates of the device chip from the first data output unit 162 provided in the device chip position controller 150 via the second data input unit 140. Data about is also sent. The second arithmetic unit 136 is a device that is input from the display unit 166 based on the position information of the measurement table 124, the position coordinates of the device chip, and the data related to the two-dimensional array position (position on the index map) of the device chip. According to the electrical characteristic measurement instruction of the chip, the position coordinate of the device chip to be measured is adjusted with respect to the position of the measurement electrode 122, the movement destination position of the measurement table 124 is determined, and the movement execution instruction is sent to the measurement control unit Send to 142. The device chip electrical characteristic measurement instruction is simultaneously sent as a separate route from the third data output unit 144 to the device chip tester 200 with the position on the index map of the device chip for measuring the electrical characteristics and the measurement execution instruction. The device chip electrical characteristic measurement instruction input from the display device 166, on the other hand, is controlled through the first arithmetic device 160, the first data output unit 162, the second data input unit 140, and the second arithmetic device 136. Part 142. On the other hand, the information is transmitted from the second arithmetic unit 136 to the device chip tester 200 via the third data output unit 144.

測定対象となるデバイスチップの位置座標と測定電極122の位置を調整するため、図32、図33及び図34を用いて説明したように、第2演算装置136において、マルチサイトテスティングを行なうデバイスチップ数に応じて平行移動と回転移動を最小二乗法で算出して、測定テーブル124の移動先座標を決めて、測定制御部142から測定テーブル124に指示を出す。   In order to adjust the position coordinates of the device chip to be measured and the position of the measurement electrode 122, as described with reference to FIG. 32, FIG. 33 and FIG. The parallel movement and the rotational movement are calculated according to the number of chips by the least square method, the movement destination coordinates of the measurement table 124 are determined, and an instruction is issued from the measurement control unit 142 to the measurement table 124.

電気的特性測定の結果は、デバイスチップテスタ200、第3データ入力部146、第2演算装置136、第2データ出力部138、第1データ入力部164を介して第1演算装置160に送られる。その結果は、表示装置166を操作するCSPプローバの操作者に理解できる形に、第1演算装置160で変換されて表示装置166に送られ表示される。   The result of the electrical characteristic measurement is sent to the first arithmetic unit 160 via the device chip tester 200, the third data input unit 146, the second arithmetic unit 136, the second data output unit 138, and the first data input unit 164. . The result is converted by the first arithmetic unit 160 into a form that can be understood by the operator of the CSP prober who operates the display device 166, sent to the display device 166, and displayed.

デバイスチップの電気的特性測定は、図30に示したように、ステップ1、ステップ2という順序で、インデックスマップを順に移動しながら行なうこととなる。例えば、この図30においては4(2×2)マルチテスティングを行なうので、デバイスチップが縦横の方向に2個ずつ並んだ1領域(破線又は実線の四角で囲んだ範囲)を単位としてテスティングが行なわれていく。すなわち、測定単位ごとに、測定電極に対してデバイスチップを移動させる必要がある。このためには、測定電極を固定しておいて、デバイスチップを載せているダイシングフレームを、測定テーブルを移動させることで、移動させることとなる。   As shown in FIG. 30, the electrical characteristics of the device chip are measured while moving the index map in the order of step 1 and step 2. For example, in Fig. 30, 4 (2 x 2) multi-testing is performed, so testing is performed in units of one region (range enclosed by a broken line or solid square) in which two device chips are arranged in the vertical and horizontal directions. Will be carried out. That is, it is necessary to move the device chip with respect to the measurement electrode for each measurement unit. To this end, the measurement electrode is fixed, and the dicing frame on which the device chip is placed is moved by moving the measurement table.

デバイスチップのアライメント時において、測定部120に対してデバイスチップ位置制御装置150から、測定するデバイスチップがカメラ148で撮像できる位置へ、測定テーブル124を移動させる指示を、CSPプローバ制御部130を介して出す構成となっている。デバイスチップ位置制御装置150から出される測定テーブル124移動の指示の内容は、画像処理ステップ、検定ステップ、再分割ステップ、基準測定点の座標管理ステップ、別基準測定点選定ステップ等を通じて、その都度判断される。   During device chip alignment, an instruction to move the measurement table 124 from the device chip position control device 150 to a position where the device chip to be measured can be captured by the camera 148 is sent to the measurement unit 120 via the CSP prober control unit 130. It is the composition to put out. The content of the instruction to move the measurement table 124 issued from the device chip position controller 150 is determined each time through an image processing step, a verification step, a subdivision step, a coordinate management step for a reference measurement point, a separate reference measurement point selection step, etc. Is done.

一方、デバイスチップの電気的特性測定時において、CSPプローバ制御部130が、測定電極122に対する、デバイスチップのデバイス電極への接触、デバイス電極からの離脱、あるいは測定位置の移動等についての指示を与えるための情報を、デバイスチップ位置制御装置150から取得するためには、以下のルートを介してなされる。   On the other hand, at the time of measuring the electrical characteristics of the device chip, the CSP prober control unit 130 gives an instruction for the measurement electrode 122 to contact the device chip with the device electrode, to leave the device electrode, or to move the measurement position. In order to acquire the information for this from the device chip position control device 150, the following route is used.

第1演算装置160において判断された、測定位置の移動等についての指示内容は、第1データ出力部162と第2データ入力部140とを介して第2演算装置136に伝送される。第2演算装置136において、現時点における測定テーブル124の位置座標等を参酌して測定テーブル124の移動先位置を算出して、第2データ入力部140を介して伝送された測定位置の移動指示内容は翻案されて、測定制御部142に伝送される。測定制御部142はこの移動情報を基にして測定部120に対して、測定テーブル124の移動先位置と移動指示信号を送る。   The instruction content about the movement of the measurement position determined in the first arithmetic device 160 is transmitted to the second arithmetic device 136 via the first data output unit 162 and the second data input unit 140. The second calculation device 136 calculates the movement destination position of the measurement table 124 in consideration of the position coordinates of the measurement table 124 at the present time, and the measurement position movement instruction content transmitted via the second data input unit 140 Is adapted and transmitted to the measurement control unit 142. Based on this movement information, the measurement control unit 142 sends a movement destination position of the measurement table 124 and a movement instruction signal to the measurement unit 120.

また、デバイスチップの電気的特性測定時において、CSPプローバ制御部130が、デバイスチップテスタ200に対する、電気的特性の測定についての指示を与えるための情報は、第1演算装置160から、第1データ出力部162、第2データ入力部140と、を介して第2演算装置136に伝送されて、第2演算装置136において、測定するデバイスチップのインデックス上の配列位置を確認して、第2データ入力部140を介して伝送された電気的特性の測定についての指示は、第3データ出力部144を介してデバイスチップテスタ200に伝送される。   In addition, when measuring the electrical characteristics of the device chip, information for the CSP prober control unit 130 to give an instruction for measuring the electrical characteristics to the device chip tester 200 is sent from the first arithmetic unit 160 to the first data Transmitted to the second arithmetic unit 136 via the output unit 162 and the second data input unit 140, and the second arithmetic unit 136 confirms the array position on the index of the device chip to be measured, and the second data The instruction about the measurement of the electrical characteristics transmitted through the input unit 140 is transmitted to the device chip tester 200 through the third data output unit 144.

以上説明したように、CSPプローバ制御部130によって、測定部120に対して、デバイスチップのデバイス電極への接触あるいはデバイス電極からの離脱の指示及び測定位置の移動等についての指示が与えられる。またCSPプローバ制御部130は、これらの指示内容に関する情報を、デバイスチップ位置制御装置150から取得する機能を有している。そして、デバイスチップ位置制御装置150は、デバイスチップの位置等の情報をカメラ148から取得して、この発明のデバイスチップ位置測定方法を実行する機能を具えている。   As described above, the CSP prober control unit 130 gives the measurement unit 120 an instruction to contact the device chip with the device electrode or to leave the device chip and to move the measurement position. In addition, the CSP prober control unit 130 has a function of acquiring information regarding these instruction contents from the device chip position control device 150. The device chip position control device 150 has a function of acquiring information such as the position of the device chip from the camera 148 and executing the device chip position measurement method of the present invention.

したがって、この発明のデバイスチップ位置測定方法は、デバイスチップ位置制御装置150に内装されたデバイスチップ位置測定システムによって、CSPプローバ制御部130の支援の下に、実現される。すなわち、図41及び図42を参照して説明したCSPプローバによれば、ダイシングテープ上で、個片化されることで、その位置が微妙に変位しているデバイスチップの個々の中心位置座標とその傾きを精度よく確定し、その結果に基づいてデバイスチップの位置とテスタの測定電極の位置との関係を調整した上で、デバイスチップの電気的特性測定を行うことができる。   Therefore, the device chip position measurement method of the present invention is realized by the device chip position measurement system built in the device chip position control device 150 with the assistance of the CSP prober control unit 130. That is, according to the CSP prober described with reference to FIG. 41 and FIG. 42, the individual center position coordinates of the device chip whose position is slightly displaced by being separated into pieces on the dicing tape and The inclination of the device chip can be accurately determined, and the electrical characteristics of the device chip can be measured after adjusting the relationship between the position of the device chip and the position of the measurement electrode of the tester based on the result.

以上説明したように、この発明のデバイスチップの位置測定方法によれば、基準測定点として設定されたデバイスチップの中心座標を測定することで、すべての測定しないデバイスチップの中心座標を算出することができる。画像処理ステップによって、選び出された基準測定点に囲まれる領域内に在るデバイスチップの中心座標は、直接測定しなくても計算で求められる。したがって、デバイスチップの全数を測定してその位置を確定する方法と比べて、測定工数を大幅に節約できる。   As described above, according to the device chip position measurement method of the present invention, the center coordinates of all the device chips that are not measured are calculated by measuring the center coordinates of the device chips set as the reference measurement points. Can do. The center coordinates of the device chip in the region surrounded by the selected reference measurement point by the image processing step can be obtained by calculation without directly measuring. Therefore, the measurement man-hours can be greatly reduced as compared with the method of measuring the total number of device chips and determining their positions.

検定ステップによって、算出されたデバイスチップの中心座標は、実測されたデバイスチップの中心座標と比較され、位置の合致度合が、デバイスチップの電気特性の測定に要する合致度合に収まっているか否かを判定される。したがって、合致度が要求される範囲内に収まっていれば、電気的特性の測定プロセスに進むことができる。すなわち、測定結果がフェイルであれば、テスタの測定電極(CSPプローバに設置された)とデバイスチップのデバイス電極との位置ずれに起因するものではなく、デバイスチップのフェイルであると断定できる。   In the verification step, the calculated center coordinates of the device chip are compared with the measured center coordinates of the device chip, and it is determined whether or not the position match is within the match required for measuring the electrical characteristics of the device chip. Determined. Therefore, if the degree of match is within the required range, the process of measuring the electrical characteristics can proceed. That is, if the measurement result is a failure, it can be determined that it is a failure of the device chip, not due to a positional shift between the measurement electrode of the tester (installed in the CSP prober) and the device electrode of the device chip.

一方、合致度合が要求される範囲内に収まっていなければ、次のステップである分割ステップが実行される。分割ステップでは、必要合致度合の範囲内に収まっていないデバイスチップを含む測定領域に対して、算出された中心座標と実測された中心座標との位置の合致度合が、デバイスチップの電気特性の測定に要する合致度合以内に収まるまで、新たに選び出した4点で囲まれる領域に階層的に測定領域の分割が進められる。この結果、デバイスチップテスタの測定電極(CSPプローバに設置された)とデバイスチップのデバイス電極との位置の合致度合が、要求される範囲内に収められ、最終的にデバイスチップの電気的特性の測定プロセスに進むことができる。   On the other hand, if the degree of match is not within the required range, the next division step is executed. In the division step, the degree of coincidence between the calculated center coordinates and the measured center coordinates for the measurement region including the device chip that is not within the required degree of matching is measured for the electrical characteristics of the device chip. The measurement area is divided hierarchically into the area surrounded by the newly selected four points until it falls within the matching degree required for. As a result, the degree of matching between the measurement electrode of the device chip tester (installed in the CSP prober) and the device electrode of the device chip is within the required range, and finally the electrical characteristics of the device chip You can proceed to the measurement process.

この発明のデバイスチップ位置測定方法は、WLCSPプロセス等において、同時に多数のデバイスチップをダイシングテープに貼ったままでテスト出来る機能を有する、通常のCSPプローバを利用して好適である。   The device chip position measuring method of the present invention is suitable by using a normal CSP prober having a function capable of testing while a large number of device chips are simultaneously stuck on a dicing tape in a WLCSP process or the like.

デバイスチップの個片化の説明に供するプロセス図である。It is a process figure with which it uses for description of singulation of a device chip. デバイスチップを個片化する時に発生するデバイスチップの変位の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the displacement of the device chip which generate | occur | produces when dividing a device chip into pieces. ダイシングテープの伸張量と弛み量の関係の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the relationship between the expansion | extension amount of a dicing tape, and the amount of slack. 個片化後ダイシングテープが伸張した場合のデバイスチップの並びの説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the arrangement | sequence of a device chip | tip when the dicing tape is expanded after separation. テスタの測定電極(ポゴピン)とデバイス電極(パンプ端子)の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the measurement electrode (pogo pin) of a tester, and a device electrode (pump terminal). テスタの測定電極(ポゴピン)をデバイス電極(パンプ端子)に重ねて接触させた状態の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the state which piled up and contacted the measurement electrode (pogo pin) of the tester on the device electrode (pump terminal). 傾いたデバイスチップをテストする場合の対応方法の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the corresponding method in the case of testing the inclined device chip. 個片化されたデバイスチップの位置測定と補間方法の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the position measurement of the device chip separated, and the interpolation method. 個片化されたデバイスチップの位置測定と補間方法の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the position measurement of the device chip separated, and the interpolation method. WLCSP上の基準測定位置についての説明に供する図である。It is a figure where it uses for description about the reference measurement position on WLCSP. WLCSPインデックスマップの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a WLCSP index map. WLCSP上のデバイスチップの個片化による全体的変位及び測定領域に分割する方法の有効性の説明に供する図である。It is a figure which uses for description of the effectiveness of the method of dividing | segmenting into the whole displacement and measurement area | region by individualization of the device chip on WLCSP. 測定領域に分割するプロセスの説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the process divided | segmented into a measurement area | region. 領域の内部と外部とを判定する方法の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the method of determining the inside and the exterior of an area | region. 点と四辺形の関係の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the relationship between a point and a quadrilateral. 新たな領域境界点を付加する方法の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the method of adding a new area | region boundary point. 初期測定領域分割ステップの手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of an initial measurement area | region division | segmentation step. 領域化完了と領域境界点の確定方法の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the completion method of area | region formation and the determination method of an area | region boundary point. 検定プロセスの手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of a test | inspection process. 再分割ステップの手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of a subdivision step. 細分化される領域と周りの領域との関係の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the relationship between the area | region subdivided and the surrounding area | region. 個片化されたWLCSPのアライメントのフローチャートである。It is a flowchart of alignment of the separated WLCSP. WLCSPの角度調整のためのプロセスの説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the process for the angle adjustment of WLCSP. インデックスマップと対応をとるデバイスチップの位置の抽出方法の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the extraction method of the position of the device chip which respond | corresponds with an index map. 隣接デバイスチップ有無のコード化法の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the encoding method of the presence or absence of an adjacent device chip. 代替基準測定点の設定方法の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the setting method of an alternative reference | standard measurement point. ダイシングフレーム上の特徴点を基準とした座標管理方法の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the coordinate management method on the basis of the feature point on a dicing frame. 別基準測定点選定ステップのにより新たに設定される基準測定点の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the reference measurement point newly set by another reference measurement point selection step. ピッキング後の歯抜け状態WLCSPのアライメントのフローチャートである。It is a flowchart of the alignment of the tooth missing state WLCSP after picking. テスティングのプロセスの説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the process of testing. デバイスチップ単位のテスタの測定電極の中心位置とデバイスチップ側端子の中心位置の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the center position of the measurement electrode of the tester of a device chip unit, and the center position of a device chip side terminal. テスタの測定電極の中心位置とデバイスチップ側端子の中心位置との関係の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the relationship between the center position of the measurement electrode of a tester, and the center position of a device chip side terminal. 平行移動と回転移動とを行なうことで測定電極中心位置とデバイスチップ中心位置とが最もよく重なった状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the measurement electrode center position and the device chip center position overlapped best by performing parallel movement and rotational movement. 回転補正をした場合としない場合とにおける測定電極中心位置とデバイスチップ中心位置との重なり具合の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the overlap state of the measurement electrode center position and device chip center position in the case where rotation correction is performed and not. テスタの測定電極に対するデバイスチップ側端子の傾きの影響の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the influence of the inclination of the device chip side terminal with respect to the measurement electrode of a tester. 2マルチテスティングにおける測定電極の位置の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the position of the measurement electrode in 2 multi-testing. 2マルチテスティングにおけるデバイスチップ側端子の位置の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the position of the device chip side terminal in 2 multi-testing. デバイスチップサイズの小さいWLCSPの例を示す図である。It is a figure which shows the example of WLCSP with a small device chip size. 小さいデバイスチップの場合における測定テーブル上のWLCSPの角度を調整するための測定位置の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the measurement position for adjusting the angle of WLCSP on the measurement table in the case of a small device chip. 小さいデバイスチップの場合における基準測定点と測定順序の説明に供する図である。It is a figure with which it uses for description of the reference | standard measurement point and measurement order in the case of a small device chip. CSPプローバの概略的構成の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the schematic structure of a CSP prober. 第1演算装置の概略的構成の説明に供する図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a schematic configuration of a first arithmetic unit.

符号の説明Explanation of symbols

10:WLCSP
30、32、40、104:デバイスチップ
12、24、50:ダイシングフレーム
14、26、52:ダイシングテープ
20:アライメント用カメラ
38、92、106a、106b:テスタの測定電極(ポゴピン)
42、94、108a、108b:デバイス電極(パンプ)
54:ウェーハ
110:CSPプローバ制御装置
115:画像処理装置
120:CSPプローバ測定部
122:測定電極
124:測定テーブル
130:CSPプローバ制御部
132:位置情報取込部
136:第2演算装置
138:第2データ出力部
140:第2データ入力部
142:測定制御部
144:第3データ出力部
146:第3データ入力部
148:カメラ
150:デバイスチップ位置制御装置
152:画像取込部
154:画像変換処理部
156:第1フレームメモリ
160:第1演算装置
162:第1データ出力部
164:第1データ入力部
166:表示部
170:制御部
172:不揮発性記憶装置
180:中央演算処理部
182:初期測定領域分割部
184:画像処理部
186:基準測定点および測定領域管理部
188:測定領域適合化部
190:フレーム基準点管理部
200:デバイスチップテスタ
10: WLCSP
30, 32, 40, 104: Device chip
12, 24, 50: Dicing frame
14, 26, 52: Dicing tape
20: Camera for alignment
38, 92, 106a, 106b: Tester measurement electrodes (pogo pins)
42, 94, 108a, 108b: Device electrode (pump)
54: Wafer
110: CSP prober controller
115: Image processing device
120: CSP prober measurement unit
122: Measuring electrode
124: Measurement table
130: CSP prober controller
132: Location information capture unit
136: Second arithmetic unit
138: Second data output section
140: Second data input section
142: Measurement control unit
144: Third data output section
146: Third data input section
148: Camera
150: Device chip position controller
152: Image capture unit
154: Image conversion processor
156: First frame memory
160: First arithmetic unit
162: First data output section
164: First data input section
166: Display section
170: Control unit
172: Nonvolatile storage device
180: Central processing unit
182: Initial measurement area division
184: Image processing unit
186: Reference measurement point and measurement area manager
188: Measurement area adaptation section
190: Frame reference point management department
200: Device chip tester

Claims (4)

デバイスチップ並びの2次元配列上で、点として任意のデバイスチップの配列上の位置を指し示すとして、全デバイスチップを該点で構成される全測定領域として、同一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上を初期基準測定点として設定して、該4点以上の初期基準測定点を繋げて形成される多角形を初期測定領域とし、隣り合う初期測定領域が互いに接する初期測定領域に前記全測定領域を分割する初期測定領域分割ステップと、
該初期測定領域分割ステップで設定されたすべての初期基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標を測定し、該デバイスチップの中心座標と、該デバイスチップが行列上に2次元配列されている状況において該デバイスチップが行及び列のそれぞれ何番目に位置しているかを示す2つの整数の組み合わせとして指定するインデックスと、を対応させる射影変換を定め、前記4点以上の初期基準測定点で形成される該初期測定領域に含まれるすべてのデバイスチップの中心座標を、前記射影変換を用いて算出する画像処理ステップと、
を具えたことを特徴とするデバイスチップ位置測定方法。
In the two-dimensional array of device chips, as a point, the position on the array of any device chip is pointed out, and all the device chips are all measurement areas composed of the points, and three or more points are arranged on the same straight line. Set four or more points with no initial reference measurement points as polygons formed by connecting the four or more initial reference measurement points as the initial measurement region, and the initial measurement region where adjacent initial measurement regions touch each other An initial measurement area dividing step for dividing the entire measurement area;
The center coordinates of the device chip located at all the initial reference measurement points set in the initial measurement area dividing step are measured, and the center coordinates of the device chip and the device chips are two-dimensionally arranged on the matrix In this case, a projective transformation is defined to correspond to an index that is designated as a combination of two integers indicating the number of each row and column in which the device chip is located, and is formed with the four or more initial reference measurement points. An image processing step of calculating center coordinates of all device chips included in the initial measurement region using the projective transformation ;
A device chip position measuring method comprising:
デバイスチップ並びの2次元配列上で、点として任意のデバイスチップの配列上の位置を指し示すとして、全デバイスチップを該点で構成される全測定領域として、同一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上を初期基準測定点として設定して、該4点以上の初期基準測定点を繋げて形成される多角形を初期測定領域とし、隣り合う初期測定領域が互いに接する初期測定領域に前記全測定領域を分割する初期測定領域分割ステップと、
該初期測定領域分割ステップで設定されたすべての初期基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標を測定し、該4点以上の初期基準測定点で形成される該初期測定領域に含まれるすべてのデバイスチップの中心座標を算出する画像処理ステップと、
該画像処理ステップで算出されたデバイスチップの中心座標を、実測されたデバイスチップの中心座標と比較し、両者の位置の合致度合が、前記デバイスチップの電気特性の測定に要する合致度合(「必要合致度合」という。)に収まっているか否かを判定する検定ステップと、
該検定ステップにおける検定結果に基づいて、必要合致度合の範囲内に収まっていないデバイスチップを含む初期測定領域に対して、新たな基準測定点を付加して、一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上の基準測定点で形成される複数の測定領域に分割することで、初期測定領域を、前記位置の合致度合が、前記必要合致度合以内に収まるまで、該4点以上の付加された基準測定点を含めた基準測定点で囲まれる分割領域に階層的に分割を進める再分割ステップと
を具えたことを特徴とするデバイスチップ位置測定方法。
In a two-dimensional array of device chips, a point on the array of any device chip is indicated as a point, and all the device chips are all measurement areas composed of the points, and three or more points are aligned on the same line. Set four or more points with no initial reference measurement points as polygons formed by connecting the four or more initial reference measurement points as the initial measurement region, and the initial measurement region where adjacent initial measurement regions touch each other An initial measurement area dividing step for dividing the entire measurement area;
Measure the center coordinates of the device chip located at all the initial reference measurement points set in the initial measurement area dividing step, and include all the initial measurement areas included in the initial measurement area formed by the four or more initial reference measurement points. An image processing step for calculating the center coordinates of the device chip;
The center coordinates of the device chip calculated in the image processing step are compared with the measured center coordinates of the device chip, and the degree of coincidence of both positions is the degree of coincidence required for measuring the electrical characteristics of the device chip (“required” A test step for determining whether the degree of match is within a range of
Based on the test result in the test step, a new reference measurement point is added to the initial measurement area including the device chip that does not fall within the required degree of matching, and three or more points are aligned on a straight line. By dividing the initial measurement area into a plurality of measurement areas formed by four or more reference measurement points that do not have any of the four points or more until the matching degree of the position falls within the required matching degree. A device chip position measuring method comprising: a subdivision step for hierarchically dividing a divided area surrounded by reference measurement points including a reference measurement point.
デバイスチップ並びの2次元配列上で、点として任意のデバイスチップの配列上の位置を指し示すとして、全デバイスチップを該点で構成される全測定領域として、同一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上を初期基準測定点として設定して、該4点以上の初期基準測定点を繋げて形成される多角形を初期測定領域とし、隣り合う初期測定領域が互いに接する初期測定領域に該全測定領域を分割する初期測定領域分割ステップと、
該初期測定領域分割ステップで設定されたすべての初期基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標を測定し、該4点以上の初期基準測定点で形成される該初期測定領域に含まれるすべてのデバイスチップの中心座標を算出する画像処理ステップと、
該画像処理ステップで算出されたデバイスチップの中心座標を、実測されたデバイスチップの中心座標と比較し、両者の位置の合致度合が、前記デバイスチップの電気特性の測定に要する合致度合(「必要合致度合」という。)に収まっているか否かを判定する検定ステップと、
該検定ステップにおける検定結果に基づいて、必要合致度合の範囲内に収まっていないデバイスチップを含む初期測定領域に対して、新たな基準測定点を付加して、一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上の基準測定点で形成される複数の測定領域に分割することで、初期測定領域を、前記位置の合致度合が、前記必要合致度合以内に収まるまで、該4点以上の付加された基準測定点を含めた基準測定点で囲まれる分割領域に階層的に分割を進める再分割ステップと、
前記4つのステップで得られる基準測定点に関するデータと測定領域に関するデータを不揮発性記憶装置に保存する機能を有し、前記初期測定領域分割ステップの代わりに、不揮発性記憶装置に保存されている前記基準測定点と前記測定領域とに関連するデータをロードするステップと、
を具えたことを特徴とするデバイスチップ位置測定方法。
In a two-dimensional array of device chips, a point on the array of any device chip is indicated as a point, and all the device chips are all measurement areas composed of the points, and three or more points are aligned on the same line. Set four or more points with no initial reference measurement points as polygons formed by connecting the four or more initial reference measurement points as the initial measurement region, and the initial measurement region where adjacent initial measurement regions touch each other An initial measurement area dividing step for dividing the entire measurement area;
Measure the center coordinates of the device chip located at all the initial reference measurement points set in the initial measurement area dividing step, and include all the initial measurement areas included in the initial measurement area formed by the four or more initial reference measurement points. An image processing step for calculating the center coordinates of the device chip;
The center coordinates of the device chip calculated in the image processing step are compared with the measured center coordinates of the device chip, and the degree of coincidence of both positions is the degree of coincidence required for measuring the electrical characteristics of the device chip (“required” A test step for determining whether the degree of match is within a range of
Based on the test result in the test step, a new reference measurement point is added to the initial measurement area including the device chip that does not fall within the required degree of matching, and three or more points are aligned on a straight line. By dividing the initial measurement area into a plurality of measurement areas formed by four or more reference measurement points that do not have any of the four points or more until the matching degree of the position falls within the required matching degree. A subdivision step for hierarchically dividing the divided area surrounded by the reference measurement points including the reference measurement points that have been performed,
It has a function of storing data relating to the reference measurement point obtained in the four steps and data relating to the measurement region in a nonvolatile storage device, and is stored in the nonvolatile storage device instead of the initial measurement region dividing step. Loading data relating to a reference measurement point and said measurement area;
A device chip position measuring method comprising:
デバイスチップ並びの2次元配列上で、点として任意のデバイスチップの配列上の位置を指し示すとして、全デバイスチップを該点で構成される全測定領域として、同一直線上に3点以上が並ぶことがない4点以上を初期基準測定点として設定して、該4点以上の初期基準測定点を繋げて形成される多角形を初期測定領域とし、隣り合う初期測定領域が互いに接する初期測定領域に該全測定領域を分割する初期測定領域分割ステップと、
該初期測定領域分割ステップで設定されたすべての初期基準測定点に位置するデバイスチップの中心座標を測定し、該デバイスチップの中心座標と、該デバイスチップが行列上に2次元配列されている状況において該デバイスチップが行及び列のそれぞれ何番目に位置しているかを示す2つの整数の組み合わせとして指定するインデックスと、を対応させる射影変換を定め、前記4点以上の初期基準測定点で形成される該初期測定領域に含まれるすべてのデバイスチップの中心座標を、前記射影変換を用いて算出する画像処理ステップと、
該デバイスチップを乗せているダイシングテープを固定しているダイシングフレームに任意に設定した位置を基準位置として、該基準位置に基づいて該ダイシングテープ上の該デバイスチップの中から特定のデバイスチップ中心の位置を指定するための基準測定点座標を管理する基準測定点の座標管理ステップと、
該基準測定点に対応する位置にデバイスチップが存在しない場合に、及び基準測定点を繋げて形成される多角形で領域内のすべてのデバイスチップを覆えない場合には、別の基準測定点として別基準測定点を選定し、付加する別基準測定点選定ステップと、
を具えたことを特徴とするデバイスチップ位置測定方法。
In the two-dimensional array of device chips, as a point, the position on the array of any device chip is pointed out, and all the device chips are all measurement areas composed of the points, and three or more points are arranged on the same straight line. Set four or more points with no initial reference measurement points as polygons formed by connecting the four or more initial reference measurement points as the initial measurement region, and the initial measurement region where adjacent initial measurement regions touch each other An initial measurement area dividing step for dividing the entire measurement area;
The center coordinates of the device chip located at all the initial reference measurement points set in the initial measurement area dividing step are measured, and the center coordinates of the device chip and the device chips are two-dimensionally arranged on the matrix In this case, a projective transformation is defined to correspond to an index that is designated as a combination of two integers indicating the number of each row and column in which the device chip is located, and is formed with the four or more initial reference measurement points. An image processing step of calculating center coordinates of all device chips included in the initial measurement region using the projective transformation ;
A position arbitrarily set on a dicing frame to which the dicing tape on which the device chip is placed is fixed is set as a reference position, and a center of a specific device chip is selected from the device chips on the dicing tape based on the reference position. A reference measurement point coordinate management step for managing reference measurement point coordinates for specifying a position;
When there is no device chip at a position corresponding to the reference measurement point, and when all the device chips in the region cannot be covered with a polygon formed by connecting the reference measurement points, as another reference measurement point Selecting another reference measurement point and adding another reference measurement point
A device chip position measuring method comprising:
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