JP4373660B2 - Drawing position control method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、円パターン発生装置を有する描画装置の描画位置制御方式に関する。
【0002】
【従来の技術】
既存の電子ビーム描画装置は、円を描画する際の円パターン指定時にはドーズ量(荷電粒子ビーム照射量)と、円の中心位置及び半径のみを指定しており、円の描画開始位置は固定で、円の描画回数は1回(1周)に固定されている。
特許文献1には電子あるいはイオンビームを用いた円描画装置が記載され、特許文献2には円パターン描画装置が記載されている。これらは、円パターン発生装置に関するものであり、3次元形状については記載されていない。なお、既存の電子ビーム描画装置は、半導体プロセスや同露光用マスクの製作等、2次元の描画による用途で使用する目的で設計されている。
非特許文献1には、円パターンの描画については記載されていないが、電子ビーム描画によって作成される3次元形状の形状予測について記載されている。
【0003】
【特許文献1】
特開平8―273583号公報
【特許文献2】
特開平11―109906号公報
【非特許文献1】
光学 29巻 9号(2000年)p566〜572「回折光学素子作成のための電子ビーム近接効果補正法の有効性と限界」
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
現状では、3次元形状を製作するために専用に設計・製作された荷電粒子ビーム描画装置は存在せず、3次元形状の製作には既存の2次元形状製作用の荷電粒子ビーム描画装置が流用されている。
荷電粒子ビーム描画装置において円パターン発生装置を使って円を描画する方式は、多角形近似法などにより円を描画する方式に比較して高精度であるが、描画開始点が描画終了点であるため、描画開始時と描画終了時の描画位置の計算誤差、制御誤差等により描画開始点付近のドーズ量がばらつき、図3(a)に示すように円1の描画開始点と描画終了点とが僅かに離れて描画開始点と描画終了点との間に隙間2ができたり、図4(a)に示すように円1の描画開始点と描画終了点の付近が僅かに重複して重複部分3ができたりし、3次元形状を製作する場合には図3(b)及び図4(b)に示すように3次元形状4の形状誤差5が生じる。
【0005】
また、同じ中心を持つ半径の異なる複数の円を連続して描画する際には、図5に示すように各円1の描画開始位置が並んでしまうため、3次元形状4の形状誤差5が連続し、その部分の希望する形状からの誤差が大きくなってしまう。
本発明は、3次元形状の形状精度を向上させることができる描画位置制御方式を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に係る発明は、円パターン発生装置を有する描画装置の描画位置制御方式において、前記円パターン発生装置を用いて、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画開始位置を該円に近接する別の円の描画開始位置からずらすように前記円パターン発生装置を制御し、円の描画開始位置と、該円に近接する別の円の描画開始位置とのずらし量を、円周を複数個に等分割できない角度に相当するずらし量に設定するものである。
【0007】
請求項2に係る発明は、円パターン発生装置を有する描画装置の描画位置制御方式において、前記円パターン発生装置を用いて、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画開始位置を該円に近接する別の円の描画開始位置からずらすように前記円パターン発生装置を制御し、円の描画開始位置と、該円に近接する別の円の描画開始位置とのずらし量を、乱数もしくは擬似乱数を用いて設定するものである。
請求項3に係る発明は、円パターン発生装置を有する描画装置の描画位置制御方式であって、前記円パターン発生装置を用いて、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画を、1周で終らずに複数回周回して行う描画位置制御方式と、請求項1または2に記載の描画位置制御方式とを併用するものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の参考形態1を示す。この参考形態1は円パターン発生装置を有する荷電粒子ビーム描画装置の一参考形態である。荷電粒子ビームを発生する荷電粒子ビーム発生器11は、例えば電子ビームを発生する電子銃が用いられるが、イオンビームを発生するイオンビーム銃などを用いてもよい。ブランキング偏向器12は電子銃11から出射された電子ビームを任意にオン/オフさせ、ビーム整形用絞り13は電子銃11からブランキング偏向器12を経て到来した電子ビームの不要な部分を遮蔽して所望の形のビームに整形する。
【0011】
ビーム整形用絞り13により整形された電子ビームは、電子レンズ(群)14、15により収束され、偏向器16によりX方向及びY方向に偏向されて描画対象となる基板17上の任意の位置に照射される。ここに、X方向及びY方向は荷電粒子ビーム発生器11から出射された電子ビームの進行方向に垂直な面内で直交する2つの方向である。基板17は、位置決め用ステージ18上にセットされて位置決めされ、電子ビームにより円が描画される。
【0012】
制御手段としての制御用CPU19は、外部から入力された描画データに基づいて各ユニット20〜23を制御する。露光制御ユニット20はCPU19からの露光制御データまたは円パターン発生装置21からの露光制御信号(またはデータ)に基づいてブランキング偏向器12を制御する。X・Y偏向器駆動ユニット22はCPU19からのX・Y描画データ及び円パターン発生装置21からのX・Y円描画信号(またはデータ)に基づいて偏向器16に駆動信号を出力して偏向器16を駆動する。
【0013】
円パターン発生装置21は、CPU19からの円描画データに基づいて、1つの円を描くために必要な露光制御信号(またはデータ)及びX・Y円描画信号(またはデータ)を順次に露光制御ユニット20及びX・Y偏向器駆動ユニット22へ出力する。ステージ駆動ユニット23はCPU19からのステージ駆動データに基づいて位置決め用ステージ18を駆動する。
【0014】
図2は本参考形態1の荷電粒子ビーム描画装置を用いて光学製品(光学素子、例えば図10に示すようなマイクロレンズ凸)、金型などの製品を製作する場合を説明するための図である。基板17は、光学製品を製作する場合には図2(a)に示すように石英、ガラス材、サファイア、シリコンなどの光学材料の基板24上に電子線レジスト25が塗布され、金型を製作する場合には基板24の材料として金属材料が使用される。
【0015】
この基板17は、上述のように本参考形態1の荷電粒子ビーム描画装置にて、図2(b)に示すように希望の形状に合わせたドーズ量で電子ビームにより描画され、これにより出来上がりの光学素子(又は金型)の形状精度が高くなる。
次に、基板24上の電子線レジスト25は図2(c)に示すように現像されて3次元形状に形成される。次いで、この3次元形状に基づいてエッチングにより図2(d)に示すように基板26上に形状を転写して図2(e)に示すような光学素子又は図2(f)に示すような金型とし、図2(f)に示すように金型を用いて所定の製品27を製作する。この場合、本参考形態1の荷電粒子ビーム描画装置は、基板17に対してX=X0,Y=Y0を中心とした半径rの円の図形をr=1〜r0の半径の複数の円の集合体として描画する。なお、基板17に対してr=r1〜r0の半径の複数の円の集合体としてドーナツ形状を描画する場合には、初期のr=1をr=r1とする。また、光学素子として図10に示すようなマイクロレンズ凸の代りに、図11に示すようなマイクロレンズ凹、図12に示すような非球面マイクロレンズ、図13に示すような回折光学素子などを同様に製作することもできる。
【0016】
本参考形態1の荷電粒子ビーム描画装置は、図6(a)及び図7(a)に示すように描画する複数の円1の描画開始位置を角度θまたはθrnd(θランダム)ずつ順次にずらしていくことにより、円1の描画開始点と描画終了点との間の隙間2や円1の描画開始点及び描画終了点の付近の重複部分3を図形全体に分散させて描画開始位置でのドーズ量のばらつきを分散させ、複数の円1の各部分の形状誤差を小さく抑えて3次元形状4の形状誤差5を小さく抑える。
【0017】
図8は本参考形態1の描画開始点をずらす動作フローを示し、図9は本参考形態1で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す。一連の円を描画する際の初期描画開始角をθ0、1回にずらす描画開始位置のずらし角をΔθとした場合、CPU19は、まず、ステップs1でr=1(単位は荷電粒子ビーム描画装置の固有の描画単位(ドット間隔))、最初の円の描画開始角θslをθ0に設定し、ステップs2で今回の描画でのドーズ量Drを図9に示すように円の半径rに応じて算出する。ここに、ドーズ量Drは、作成する形状に合わせた各半径rの円の描画での露光制御値(電子ビーム照射量)である。
【0018】
次に、CPU19は、ステップs3で、次回描画する円の描画開始角θsrをθs(r‐1)+Δθに設定し、次回描画する円の描画終了角θerを描画開始角θsrから360°ずらせた角度に設定する。次に、CPU19は、ステップs4で、円描画データとして、円の中心位置(X0、Y0)、今回描画する円の半径1、上記算出したドーズ量D1、今回描画する円の描画開始角θs1及び描画終了角θe1を円パターン発生装置21へ出力する。
【0019】
円パターン発生装置21は、CPU19からの円描画データに基づいて1つの円を描くために必要な露光制御信号(またはデータ)及びX・Y円描画信号(またはデータ)を順次に露光制御ユニット20及びX・Y偏向器駆動ユニット22へ出力する。露光制御ユニット20は円パターン発生装置21からの露光制御信号(またはデータ)に基づいてブランキング偏向器12を制御して電子銃11から出射された電子ビームをオンさせる。
【0020】
X・Y偏向器駆動ユニット22は、円パターン発生装置21からのX・Y円描画信号(またはデータ)に基づいて偏向器16を駆動して電子ビームをX方向及びY方向に偏向させ、基板17は電子ビームによりドーズ量D1で(X0、Y0)を中心とする半径1の円が描画開始角をθs1、描画終了角をθe1として描画される。次に、CPU19は、ステップs5でrをインクリメントし、ステップs6でrがr0より大きくなったか否かを判断する。
【0021】
CPU19は、rがr0より大きくなければステップs2に戻り、次の描画でのドーズ量Drを円の半径rに応じて算出する。次に、CPU19は、ステップs3で、次に描画する円の描画開始角θsrをθs(r‐1)+Δθに設定し、次に描画する円の描画終了角θerを描画開始角θsrから360°ずらせた角度に設定する。次に、CPU19は、ステップs4で、円描画データとして、円の中心位置(X0、Y0)、次に描画する円の半径2、上記算出したドーズ量D2、次に描画する円の描画開始角θs2及び描画終了角θe2を円パターン発生装置21へ出力する。これにより、上述と同様に基板17には電子ビームによりドーズ量D2で(X0、Y0)を中心とする半径2の円が描画開始角をθs2、描画終了角をθe2として描画される。
【0022】
以下CPU19が同様に処理を繰り返して円描画データを円パターン発生装置21へ出力することにより、基板17には電子ビームにより(X0、Y0)を中心とする各半径の複数の円が順次に描画開始角及び描画終了角をずらせて描画される。CPU19は、(X0、Y0)を中心とする半径r0の円の描画が終了してrがr0より大きくなると、ステップs6からステップs2へ戻らずに処理を終了する。なお、複数の円の描画順序は半径rの変化を上述とは逆順(r0〜1)としてもよい。
【0023】
この参考形態1によれば、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画開始位置を該円に近接する別の円の描画開始位置からずらすように円パターン発生装置を制御するので、つまり、複数の円の描画開始位置を順次にずらしていくので、描画開始位置でのドーズ量のばらつきを図形全体に分散することができ、各部分の形状誤差を小さく抑えることができる。このため、光学素子や金型の3次元形状の形状精度を向上させることができ、光学素子の光学性能を高めることができる。
【0024】
図14は本発明の参考形態2の描画開始点をずらす動作フローを示し、図15は本参考形態2で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す。本参考形態2では、上記参考形態1において、CPU19が図8に示す動作フローの代りに図14に示す動作フローを行う。すなわち、CPU19は、ステップs11で、一連の円を描画する際の描画開始角θsを任意の角度θ0に固定し、描画終了角度θeを描画開始角度θ0から360°のn倍(nは2以上の整数)回転した角度とする。
【0025】
次に、CPU19は、ステップs12で、今回の描画でのドーズ量Drを図15に示すように円の半径rに応じて算出する。次に、CPU19は、ステップs13で、円描画データとして、円の中心位置(X0、Y0)、今回描画する円の半径1、上記算出したドーズ量D1、描画開始角θs及び描画終了角θeを円パターン発生装置21へ出力する。これにより、基板17には電子ビームによりドーズ量D1で(X0、Y0)を中心とする半径1の円が描画開始角をθs、描画終了角をθeとして複数回周回して描画される。
【0026】
次に、CPU19は、ステップs14でrをインクリメントし、ステップs15でrがr0より大きくなったか否かを判断する。CPU19は、rがr0より大きくなければステップs12に戻り、次の描画でのドーズ量Drを円の半径rに応じて算出する。次に、CPU19は、ステップs13で、円描画データとして、円の中心位置(X0、Y0)、今回描画する円の半径2、上記算出したドーズ量D2、描画開始角θs及び描画終了角θeを円パターン発生装置21へ出力する。これにより、基板17には電子ビームによりドーズ量D2で(X0、Y0)を中心とする半径2の円が描画開始角をθs、描画終了角をθeとして複数回周回して描画される。
【0027】
以下CPU19が同様に処理を繰り返して円描画データを円パターン発生装置21へ出力することにより、基板17には電子ビームにより(X0、Y0)を中心とする各半径の複数の円が順次に複数周回ずつ描画される。CPU19は、(X0、Y0)を中心とする半径r0の円の描画が終了してrがr0より大きくなると、ステップs15からステップs12へ戻らずに処理を終了する。なお、複数の円の描画順序は半径rの変化を上述とは逆順(r0〜1)としてもよい。
【0028】
この参考形態2によれば、例えばn=2とした場合には図18(a)に示すように円1の描画開始点と描画終了点との間に小さな隙間ができて図18(b)に示すように3次元形状26の形状誤差5が生じるが、円の描画を、1周で終らずに複数回周回して行うことにより、描画開始位置でのドーズ量のばらつきを相対的に小さくすることができ、形状誤差を小さく抑えることができる。このため、光学素子や金型の3次元形状の形状精度を向上させることができ、光学素子の光学性能を高めることができる。
【0029】
図16は本発明の参考形態3の描画開始点をずらす動作フローを示し、図17は本参考形態3で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す。一連の円を描画する際の初期描画開始角をθ0、1回にずらす描画開始位置のずらし角をΔθとした場合、CPU19は、まず、ステップs21でr=1、最初の円の描画開始角θslをθ0に設定し、ステップs22で今回の描画でのドーズ量Drを図17に示すように円の半径rに応じて算出する。
【0030】
次に、CPU19は、ステップs23で、次回描画する円の描画開始角θsrをθs(r‐1)+Δθに設定し、次回描画する円の描画終了角θerを描画開始角θsrから360°のn倍(nは2以上の整数)に設定する。次に、CPU19は、ステップs4で、円描画データとして、円の中心位置(X0、Y0)、今回描画する円の半径1、上記算出したドーズ量D1、今回描画する円の描画開始角θs1及び描画終了角θe1を円パターン発生装置21へ出力する。これにより、基板17には電子ビームによりドーズ量D1で(X0、Y0)を中心とする半径1の円が描画開始角をθs1、描画終了角をθe1として複数周回して描画される。
【0031】
次に、CPU19は、ステップs25でrをインクリメントし、ステップs26でrがr0より大きくなったか否かを判断する。CPU19は、rがr0より大きくなければステップs22に戻り、次の描画でのドーズ量Drを円の半径rに応じて算出する。次に、CPU19は、ステップs23で、次に描画する円の描画開始角θsrをθs(r‐1)+Δθに設定し、次に描画する円の描画終了角θerを描画開始角θsrから360°のn倍回転した角度に設定する。次に、CPU19は、ステップs24で、円描画データとして、円の中心位置(X0、Y0)、次に描画する円の半径2、上記算出したドーズ量D2、次に描画する円の描画開始角θs2及び描画終了角θe2を円パターン発生装置21へ出力する。これにより、上述と同様に基板17には電子ビームによりドーズ量D2で(X0、Y0)を中心とする半径2の円が描画開始角をθs2、描画終了角をθe2として複数周回して描画される。
【0032】
以下CPU19が同様に処理を繰り返して円描画データを円パターン発生装置21へ出力することにより、基板17には電子ビームにより(X0、Y0)を中心とする各半径の複数の円が順次に描画開始角及び描画終了角をずらせて複数周回ずつ描画される。CPU19は、(X0、Y0)を中心とする半径r0の円の描画が終了してrがr0より大きくなると、ステップs26からステップs22へ戻らずに処理を終了する。なお、複数の円の描画順序は半径rの変化を上述とは逆順(r0〜1)としてもよい。また、CPU19が描画終了角θeとして描画開始角θsからの相対角移動量で指定する場合には描画終了角θeは360°のn倍に固定となる。
【0033】
この参考形態3によれば、円の描画開始位置を該円に近接する別の円の描画開始位置からずらすとともに、円の描画を、1周で終らずに複数回周回して行うので、図19に示すように上記参考形態1、2よりも更に形状誤差を小さく抑えることができ、光学素子や金型の3次元形状26の形状精度を向上させることができる。
【0034】
本発明の実施形態は、上記参考形態1または3において、描画開始位置のずらし角Δθを、円周を整数個に分割できない角度(円周を分割しても整数にならない角度)に設定するようにしたものであり、互いに数個ずれた円の描画開始位置が近接することを回避することができる。
【0035】
本発明の実施形態では、上記実施形態1または3において、CPU19は描画開始位置のずらし角Δθを、乱数(または擬似乱数)を使用してランダムに設定するようにしたものであり、互いに数個ずれた円の描画開始位置が近接することを回避することができる。
なお、本発明は、荷電粒子ビームを用いて描画を行う円パターン発生装置を有する3次元加工装置や、収束したレーザビームなどの非荷電粒子ビームを用いて3次元形状を製作するための露光装置などにも同様に適用することが可能である。
【0036】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、描画開始位置でのドーズ量のばらつきを小さくすることができて形状誤差を小さく抑えることができ、3次元形状の形状精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の参考形態1を示す概略図である。
【図2】 同参考形態1の荷電粒子ビーム描画装置を用いて光学製品、金型などの製品を製作する場合を説明するための図である。
【図3】 従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図4】 従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図5】 従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図6】 従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図7】 従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図8】 上記参考形態1の描画開始点をずらす動作フローを示すフローチャートである。
【図9】 上記参考形態1で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す図である。
【図10】 マイクロレンズ凸の一例を示す平面図及び側面図である。
【図11】 マイクロレンズ凹の一例を示す平面図及び側面図である。
【図12】 非球面マイクロレンズの一例を示す平面図及び側面図である。
【図13】 フレネルレンズの一例を示す平面図及び側面図である。
【図14】 本発明の参考形態2の描画開始点をずらす動作フローを示すフローチャートである。
【図15】 同参考形態2で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す図である。
【図16】 本発明の参考形態3の描画開始点をずらす動作フローを示すフローチャートである。
【図17】 同参考形態3で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す図である。
【図18】 上記参考形態2を説明するための図である。
【図19】 上記参考形態3を説明するための図である。
【符号の説明】
11 荷電粒子ビーム発生器
12 ブランキング偏向器
13 ビーム整形用絞り
14、15 電子レンズ
16 偏向器
17 基板
18 位置決め用ステージ
19 制御用CPU
20 露光制御ユニット
21 円パターン発生装置
22 X・Y偏向器駆動ユニット
23 ステージ駆動ユニット[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is related to the drawing position control system of the drawing apparatus having a circular pattern generator.
[0002]
[Prior art]
The existing electron beam lithography system only specifies the dose (charged particle beam dose), the center position and radius of the circle when specifying a circle pattern when drawing a circle, and the circle drawing start position is fixed. The number of times the circle is drawn is fixed to once (one round).
Non-Patent
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-8-273583 [Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 11-109906 [Non-patent Document 1]
Optics 29, 9 (2000), p 566-572 “Effectiveness and limitations of electron beam proximity effect correction for diffractive optical element fabrication”
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
At present, there is no charged particle beam lithography system designed and manufactured exclusively for manufacturing three-dimensional shapes, and existing two-dimensional shape manufacturing charged particle beam lithography devices are used for three-dimensional shape manufacturing. Has been.
The method of drawing a circle using a circle pattern generator in a charged particle beam drawing device is more accurate than a method of drawing a circle by a polygon approximation method or the like, but the drawing start point is the drawing end point. For this reason, the dose amount near the drawing start point varies due to the calculation error of the drawing position at the start of drawing and at the end of drawing, the control error, etc. As shown in FIG. 3A, the drawing start point and drawing end point of the
[0005]
Further, when a plurality of circles having the same center and different radii are drawn continuously, the drawing start positions of the
The present invention aims to provide Hisage the drawing position control method capable of improving the shape accuracy of the 3-dimensional shape.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the invention according to
[0007]
According to a second aspect of the present invention, in the drawing position control system of a drawing apparatus having a circle pattern generation device, when drawing a plurality of circles having the same center and different radii using the circle pattern generation device, The circle pattern generator is controlled so as to shift the drawing start position of the other circle from the drawing start position of another circle close to the circle, and the drawing start position of the circle and the drawing start position of another circle adjacent to the circle, The shift amount is set using a random number or a pseudo-random number .
The invention according to
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Figure 1 shows a
[0011]
The electron beam shaped by the
[0012]
A
[0013]
The
[0014]
Figure 2 is an optical product using a charged particle beam drawing apparatus of the present reference embodiment 1 (optical element, for example, a micro lens convex as shown in FIG. 10), a diagram for explaining a case of fabricating a product, such as the mold is there. In the case of manufacturing an optical product, the
[0015]
The
Next, the electron beam resist 25 on the
[0016]
A charged particle beam drawing apparatus of the
[0017]
Figure 8 shows the operation flow for shifting the drawing start point of this
[0018]
Next, in step s3, the
[0019]
The
[0020]
The X / Y
[0021]
If r is not larger than r0, the
[0022]
Thereafter, the
[0023]
According to this
[0024]
FIG. 14 shows an operation flow for shifting the drawing start point of
[0025]
Next, in step s12, the
[0026]
Next, the
[0027]
Thereafter, the
[0028]
According to this
[0029]
FIG. 16 shows an operation flow for shifting the drawing start point of
[0030]
Next, in step s23, the
[0031]
Next, the
[0032]
Thereafter, the
[0033]
According to this
[0034]
Embodiments of the present invention, in the above-described
[0035]
In an embodiment of the present invention, in the
The present invention is directed to a three-dimensional processing apparatus having a circular pattern generator that performs drawing using a charged particle beam, and an exposure apparatus for producing a three-dimensional shape using a non-charged particle beam such as a converged laser beam. The same can be applied to the above.
[0036]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the variation in dose at the drawing start position can be reduced, the shape error can be suppressed, and the shape accuracy of the three-dimensional shape can be improved.
[Brief description of the drawings]
1 is a schematic diagram showing a
2 is a diagram for explaining a case of fabricating a product, such as optical products, mold using a charged particle beam drawing apparatus of the
FIG. 3 is a diagram for explaining a method of drawing a circle using a conventional circle pattern generator.
FIG. 4 is a diagram for explaining a method of drawing a circle using a conventional circle pattern generator.
FIG. 5 is a diagram for explaining a method of drawing a circle using a conventional circle pattern generator.
FIG. 6 is a diagram for explaining a method of drawing a circle using a conventional circle pattern generator.
FIG. 7 is a diagram for explaining a method of drawing a circle using a conventional circle pattern generator.
8 is a flowchart showing an operation flow for shifting the drawing start point of the
FIG. 9 is a diagram showing an example of a circle drawn in the above-described
FIGS. 10A and 10B are a plan view and a side view showing an example of convex microlenses. FIGS.
FIGS. 11A and 11B are a plan view and a side view showing an example of a concave microlens. FIGS.
FIGS. 12A and 12B are a plan view and a side view showing an example of an aspherical microlens. FIGS.
FIG. 13 is a plan view and a side view showing an example of a Fresnel lens.
14 is a flowchart showing an operation flow for shifting the drawing start point of the
FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a circle drawn in the
16 is a flow chart showing an operation flow for shifting the drawing start point of the
FIG. 17 is a diagram showing an example of a circle drawn in the
FIG. 18 is a diagram for explaining the
FIG. 19 is a diagram for explaining the
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