JP4369421B2 - 光マイクロ電子機械構造体 - Google Patents

光マイクロ電子機械構造体 Download PDF

Info

Publication number
JP4369421B2
JP4369421B2 JP2005500478A JP2005500478A JP4369421B2 JP 4369421 B2 JP4369421 B2 JP 4369421B2 JP 2005500478 A JP2005500478 A JP 2005500478A JP 2005500478 A JP2005500478 A JP 2005500478A JP 4369421 B2 JP4369421 B2 JP 4369421B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
mems
optical
microelectromechanical structure
optical microelectromechanical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005500478A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006526792A (ja
Inventor
ラヴンキルデ,ヤン・ツェ
ヘニングセン,ヘニング
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huntsman Advanced Materials Switzerland GmbH
Original Assignee
Huntsman Advanced Materials Switzerland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huntsman Advanced Materials Switzerland GmbH filed Critical Huntsman Advanced Materials Switzerland GmbH
Publication of JP2006526792A publication Critical patent/JP2006526792A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4369421B2 publication Critical patent/JP4369421B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B81C3/008Aspects related to assembling from individually processed components, not covered by groups B81C3/001 - B81C3/002
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04Optical MEMS
    • B81B2201/045Optical switches
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/01Packaging MEMS
    • B81C2203/0109Bonding an individual cap on the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Description

本発明は、請求項1に記載の光マイクロ電子機械構造体(オプティカル マイクロメカニカル ストラクチャ(MEMS))、及び請求項33に記載のマイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法に関する。
幾つかの異なる型式の光MEMSは、当該技術にて既知である。
透過性マイクロシャッタ利用の空間的光モジュレータ(SLM)のような、先行技術の光MEMSデバイスに関連した問題点は、例えば、マイクロシャッタ装置を通る光路の所望の光学的特徴が得られるように個々のマイクロシャッタの各種の光学構成要素を相互に極めて良好に画成された位置に配置しなければならないことである。光学構成要素の間に相互に位置決めするとき僅かな整合誤差又は変化があっても、透過量が減少する可能性がある。
光透過性マイクロシャッタMEMSデバイスの更なる問題点は、例えば、塵及び水分からの影響を減少させるため、デバイスの移動する部分は封入しなければらないことである。この封入は、例えば、マイクロレンズのような入力光学素子と出力光学素子との間に完全な機械的システムを封入することによりしばしば実現される。1つの封入方法は、いわゆる分離膠を施し、マイクロレンズと他の構造的部分との間に必要な距離を得て、その後、取り囲むシーリング剤を施すことにより実現される。しかし、この封入に関連した問題点は、先行技術の封入過程は、費用がかかり且つ、信頼性の高い最終製品が常に得られるとは限らないことである。
本発明の1つの目的は、光MEMSデバイスの光学構成要素の良好に画成された位置決めを可能にすることである。
本発明の更なる目的は、光MEMSデバイス、特に、シーリング効果に関して改良された性質を有する光透過性MEMSデバイスを提供することである。
本発明は、
少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
少なくとも1つのデバイス層(DL)と、を備え、
上記中間層構造体(IL)は、前記実質的に光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における光の透過を促進し、
上記中間層構造体(IL)は、上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間の距離(d)を画成する、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)に関するものである。
本発明は、
少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
少なくとも1つのデバイス層(DL)と、を備え、
上記中間層構造体(IL)は、上記実質的に光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における1つ又はより多数の光路(OP)を促進し、
上記中間層構造体(IL)は、上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における距離(d)を画成する、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)に関するものである。
本発明の1つの実施の形態において、中間層構造体(IL)は、少なくとも1つの電気絶縁層を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、中間層構造体(IL)は、少なくとも1つの下位の層(すなわち副次的な層)を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記下位の層の少なくとも1つは電気絶縁層を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記中間層構造体(IL)は、1つの一体的層構造体を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記単一層構造体は、上記少なくとも1つの光路(OP)の一部を形成する少なくとも1つの開口部手段を有する板構造体を備えている。開口部手段は、中間層の空間的構造により確立され、これにより中間層構造体が得られる。
本発明の1つの実施の形態において、上記少なくとも1つの開口部手段は、少なくとも1つの光路(OP)を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記少なくとも1つの開口部手段は少なくとも1つの開口(AP)を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記少なくとも1つの開口部手段は、各々が1つの個々の光路(OP)の一部を形成する複数の開口(AP)を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記中間層構造体(IL)は、少なくとも1つの層構造体を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記複数の層構造体はコラムを備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記デバイス層(DL)は基部層(BL)に取り付けられる。
本発明の1つの実施の形態において、光透過層(UTL)とデバイス層との間における最短の個々の光路(OP)の距離は上記中間層の厚さに実質的に等しい。
本発明の1つの実施の形態において、光透過層(UTL)と基部層(BL)との間における最短の個々の光路(OP)の距離は、組み合わさった中間層構造体と上記基部層との厚さの合計に実質的に等しい。
本発明の1つの実施の形態において、上記基部層(BL)は光透過性である。
本発明の1つの実施の形態において、上記基部層(BL)は光不透過性であり且つ、貫通穴が設けられている。
本発明の1つの実施の形態において、上記基部層(BL)は、上記開口(AP)に相応する更なる開口を備えており、相応する数の光路(OP)を提供する。
本発明の1つの実施の形態において、上記デバイス層(DL)はアクチュエータの可動部分を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記中間層構造体(IL)は、別個であるが、相互に接続された少なくとも2つの層を備えており、上記相互に接続された層の少なくとも1つは、電気絶縁層(22)を備え、上記相互に接続された層の少なくとも1つは更なる層(21)を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記中間層構造体(IL)は、SOIウェハのハンドル層(21)と、絶縁層(22)とを備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記光マイクロ電子機械構造体(MEMS)は密封したパッケージ体を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、シーリング部分は、部分的に、上記光透過層から成っている。
本発明の1つの実施の形態において、上記実質的に透過層はマイクロレンズを備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記基部層(BL)はマイクロレンズを備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記層は相互に接続されている。
層は、例えば、関係する材料に依存して、適宜な接合過程により相互に接続することができる。
本発明の1つの実施の形態において、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)の層は平面層である。
本発明の1つの実施の形態において、上記中間層構造体は、ケイ素酸化物、シリカ、石英、ガラス、アルミニウム、サファイア、ケイ素、ニッケル又はその他の金属、PMMA又はその他のポリマー及び(又は)それらの組み合わせ体とすることができる。
本発明の1つの実施の形態において、光透過層の少なくとも1つは、パイレックス(Pyrex)ガラス、石英、シリカ、アルミニウム、サファイア、ケイ素、PMMA又はその他のポリマー及び(又は)それらの組み合わせ体を備えることが好ましい。
本発明の1つの実施の形態において、上記デバイス層(DL)は、任意のドーピングのケイ素、ニッケル又はその他の金属又は好ましくは高ドーピング濃度のケイ素を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、上記絶縁層は、シリカ、石英、ガラス、アルミニウム、サファイア、窒化ケイ素、PMMA又はその他のポリマー、好ましくはケイ素酸化物及び(又は)それらの組み合わせ体を備えている。
本発明の1つの実施の形態において、光MEMSデバイスは、上記デバイス層(DL)に形成されることが好ましい、少なくとも1つの光モジュレータ装置を備え、該少なくとも1つの光モジュレータ装置は、少なくとも1つの開放位置と少なくとも1つの閉位置とを有する少なくとも1つの可動のマイクロシャッタを備え、上記少なくとも1つの光路は、光を上記少なくとも1つの光モジュレータ装置を介して光MEMS装置を通じて案内し、MEMSデバイスは、電気制御信号を上記少なくとも1つの光モジュレータ装置に及び選択的に、該少なくとも1つの光モジュレータ装置から伝送し得るようにされた電気的接続部を更に備えている。
本発明の1つの実施の形態において、少なくとも1つの光路(OP)内にて伝送された光は、上記少なくとも1つの光モジュレータ装置のシャッタ平面付近にて集束される。
更に、本発明は、
少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
少なくとも1つのデバイス層(DL)と、に少なくとも基づいて、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法であって、
これにより、中間層構造体(IL)の少なくとも一部を除去することにより、上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における光の透過が促進され、これにより、上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における距離は上記中間層構造体の厚さにより画成されるようにした、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法に関する。
本発明の1つの実施の形態において、光MEMSのデバイスの構造部分は、上記デバイス層(DL)をエッチングすることにより形成される。
本発明の1つの実施の形態において、少なくとも1つの電気絶縁層を備え、これによりMEMSデバイスの構造部分が上記デバイス層(DL)をエッチングすることにより形成され、これにより上記中間層構造体(IL)の少なくとも一部分を除去することにより、上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における光の透過が促進される。
本発明の1つの実施の形態において、上記中間層構造体(IL)は、少なくとも1つの電気絶縁層を備え、これにより上記デバイス層(DL)をエッチングすることにより光MEMSデバイスの構造部分が形成され、これにより少なくとも前記中間層構造体(IL)を部分的に除去することにより、1つの光路が上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)内に提供される。
本発明の1つの実施の形態において、上記除去は、中間層構造体(IL)をエッチングすることにより行われる。
本発明の1つの実施の形態において、上記光MEMS層は相互に接続される。
本発明の1つの実施の形態において、上記光MEMSデバイスは、請求項1ないし32の何れかの項に記載の装置である。
本発明について、図面に関して以下に説明する。
図1A及び図1Bには、本発明の1つの実施の形態の基本的構成要素が示されている。
図1Aには、図1Bを上方から見たときの簡略化した光マイクロ電子機械構造体(MEMS)の断面図CSが示されている。
図示した基本的構造体は、多数の層、すなわち中間層構造体ILにより光透過性の基部層BLから分離された光透過層UTLと、デバイス層DLとから形成されたいわゆる光マイクロ電子機械構造体(MEMS)である。
中間層構造体ILは、DLの導電性部分に対して基本的に電気的に絶縁されている。絶縁性能は、例えば、完全な構造体により実現することができ、又は一部分、例えば、導電性である中間層構造体の一部とデバイス層DLとの間に別個の絶縁層を施すことにより実現することができる。
中間層構造体ILは、透過層UTLとデバイス層DLとの間における距離dを画成し、中間層構造体ILは、例えば、図示した矢印の方向に向けて光路OPを形成する多数の開口APを備えている。
例えば、シャッタ10のようなデバイス層DLに形成された脆弱な機械的可動部品はこの実施の形態にて個別に封入され、これにより有益なシーリング効果を提供することが分かる。更に、基部層BLと上透過層UPLとの間における光路OPは、施された層の厚さにて良好に画成される。更に、相対的に中実な構造を有する中間層構造体を利用するから、機械的により安定的な構造体が得られる。
図1C及び図1Dには、本発明の1つの実施の形態の基本的構成要素が示されている。
図1Cには、図1Dを上方から見たときの簡略化した光マイクロ電子機械構造体(MEMS)の断面図CSが示されている。
図示した実施の形態は、図1A及び図1Bの実施の形態に相応するが、開口の構造の点にて相違する。この図示した実施の形態において、MEMSデバイスは、2つのキャビティAPのみを備え、該キャビティの各々は、その可動のシャッタのみを示した6つの光変調装置を備えている。更に、デバイス層を含む層の間に良好に画成された距離が得られることが分かる。
上記に示した中間層構造体は、いわゆる単一層構造体である。
多くの他のキャビティ構造体が本発明の範囲にて適用可能である。かかる構造体の例は、上方から見たときの図1E及び図1Fに示されている。説明を簡単にする目的のため、基本的に、図1Aに示した断面図について、説明する。
図1Eにおいて、上側の光透過層UTLを基部層BLに接続する基本的な機械構造体は、6つの柱状構造体11を備えている。図示した柱は、基本的に、基部層及び(又は)デバイス層と上透過層との間に良好に画成された距離を実現する中間層構造体を提供する。図示した実施の形態において、更なる周縁シーリングを施さなければならず、また、このシーリングの位置決めは、典型的に、透過層UTLとデバイス層DLとの間にて提供された光路が基本的に組み合わせた中間構造体IL、透過層UTL及び基部層BLにより封入される、先に説明した実施の形態と比較してかなり複雑な過程である。その理由は、開放空間構造体により促進された光路を取り扱うとき、密封過程は、多少、より困難となるためである。
図1Fには、中間層構造体は2つのビーム状構造体11を備える、更なる実施の形態が開示されている。
上述した中間層構造体は、全て、1つ又は更なる下位の層すなわち副次的な層を備える最初の中間層のエッチング又はその他の材料削減技術により提供されることが好ましい。
図2Aないし図2Eには、本発明の1つの実施の形態に従って光MEMSデバイスを提供する方法が示されている。
図2Aにおいて、いわゆるシリコンオンインシュレータ(SOI)ウェハ20が提供されている。図示したSOIは、ハンドル層21を備えている。本発明の範囲にて、その他のSOI構造体を付与することができる。
ハンドル層21は、任意のドーピングのケイ素であることが好ましい。代替的な材料は、例えば、ケイ素酸化物、シリカ、石英、ガラス、アルミニウム、サファイアPMMA又はその他のポリマー及び(又は)それらの組み合わせ体とすることができる。典型的に、ハンドリング層の機能は、加工する間、取り扱うことを可能にすることである。
厚さは、典型的に、10ないし1000μmの範囲、好ましくは、50ないし300μmの範囲内にて良好に画成される。
更に、最初のSOIウェハ20は、デバイス層23を備えている。該デバイス層は、高ドーピング濃度のケイ素を備えることが好ましい。代替的な材料は、例えば、任意のドーピングのケイ素、ニッケル又はその他の金属を備えるものとすることができる。デバイス層の機能は、可動要素に対する電導層及び(又は)機械的材料を形成することである。
好ましいデバイス基板は、2ないし200μmの範囲、好ましくは、5ないし30μmの範囲内にて良好に画成された厚さを有するSOIウェハのデバイス層により形成される。
デバイス層23は、絶縁層22によりハンドル層21から分離されている。絶縁層22は、ケイ素酸化物により出来ていることが好ましい。代替的な材料は、例えば、シリカ、石英、ガラス、アルミニウム、サファイア、PMMA又はその他のポリマー、窒化ケイ素及び(又は)それらの組み合わせ体とすることができる。
厚さは、多くの理由のため、例えば、0.1ないし3μmの範囲内にて極めて良好に画成しなければならない。
本発明の1つの実施の形態に従った、ハンドル層21及び絶縁層22の機能は、例えば、ハンドル層自体の性質によって電気絶縁体が実際に提供されるならば、単一層により提供することができるということは注目すべきである。
かかる実施の形態は、例えば、シリコン−オン−サファイア(SOS)ウェハを使用することにより実現することもできる。
ハンドル層21及び絶縁層22は、この適用例において、図1Aないし図1Fに関して説明したように、中間層構造体と称することもできる。
更に、光透過性基板により形成された透過層24が提供される。該層は、パイレックスガラスを備えることが好ましい。代替的な材料は、例えば、パイレックスのような同様のガラス型式、石英、シリカ、アルミニウム、サファイア、ケイ素PMMA又はその他のポリマー又はその他の適宜な材料のようなものを備えている。好ましい材料は、当該実施の形態において、透過層24をウェハ層21、22、23に取り付けるときに典型的に施されるアノード性接合(anodic bonding)に適している。共融接合、ガラスフリット接合、はんだ接合又はポリマー接合のようなその他の接着技術を施すことができる。
この実施の形態における透過層24、220の特徴は、該透過層は例えば、250ナノメートルないし2000ナノメートルのような深UVないし遠IRの範囲にてシステムで使用される波長に対し光透過性でなければならず、また、典型的に、50ないし2000μm、好ましくは、300ないし500μmの範囲にて良好に画成された厚さを有しなければならないことである。
本発明の1つの変形例に従い、層24は、不透過性であるが、その目的のため、光MEMSデバイスの各光通路に対して適宜な貫通穴を設けることができる。
図2Bにおいて、図2Aの最初のSOIウェハ20のデバイス層23は、周知のエッチング過程によりエッチングされ、また、機械構造体25、26、29の輪郭は、デバイス層にて形成されている。更に、エッチングは、エッチングマスクを適宜な数のエッチングステップにて施すだけで行われており、機械構造体25、26、29は、依然として、デバイス層23の固有の部分であることが分かる。機械構造体は、この実施の形態において、導電体として、また、最終的な構造体の機械部分に対して必要とされる構造体であるが、機械的部分の所期の用途及び目的は異なる。可動の構造体は、例えば、シャッタ装置のようなアクチュエータを備えることができる。これについては以下に説明する。
更に、透過層24には、特定の所望の形態による導電体27が設けられている。基板24における導電層又は多層は、例えば、アルミニウム(Al)を備えることが好ましく、又はこれと代替的に、例えば、金(Au)、銀(Ag)、クロム(Cr)、Cr/Au、Cr/Au/Al、Al/Au多層を備えるようにしてもよい。厚さは、例えば、50ナノメートルないし3000ナノメートルの範囲とすることができる。好ましくは、電気的接続部に対して約500ナノメートルの厚さが使用されるものとする。導電層27は、また、層24上に光不透過性のパターンによる特定のパターンを画成する目的のため、不透過層として施すこともできる。このパターンは、透過層24に光透過性開口部28を特に画成することができる。
図2Cにおいて、基本的に、最初のSOIウェハ20に形成された構造体と、透過層24利用の構造体という2つの部分が例えば、接合により相互に接続されている。1つの好ましい接合方法は、アノード接合である。その他の層基板が使用されたならば、本発明の範囲内にて幾つかの代替的な接合方法を適用することができる。共融接合、ガラスフリット接合、はんだ接合又はポリマー接合のようなその他の接合技術を適用することができる。
効果的には、接合の結果、図2Cの組み合わせた構造体は、施された基板層内に封入されたデバイス部分25、26、29により形成された本来的なデバイス構造体を備えている。更に、任意のデバイス構造体25、26、29と基部層の導電体27との間の電気的接点を確立することができる。
更に、構造体には、一時的なマスク201が設けられている。該マスク201は、以下に説明したハンドル層21の更なるエッチングの間、エッチングすべきでない領域を遮蔽する目的のため取り付けられる。一時的層201は、例えば、15μmのような十分な厚さの光抵抗性材料であることが好ましい。1つの代替的な材料は、例えば、ハンドル層21がケイ素である場合、ケイ素酸化物である。
図2Dにおいて、エッチング過程又はイオンミリング又はレーザ穿孔のようなその他の材料除去技術の結果、マスク層201により画成された断面を有する穴202が形成される。該穴202は、機械構造体25、26の頂部まで延びている。このようにして、例えば、シャッタ25及び電極26のような図示した構造体は、部分的に可動の構造体として形成される。更に、また、極めて重要なことは、この場合、「穴の板」を形成する穴211の側壁は、「基部板」、すなわちこの場合、透過層24の間に極めて精密で且つ良好に画成された距離を画成することである。
図2Eにおいて、構造体には、光透過性の頂部層220が設けられており、該構造体は、2つの透過層220、24の間における距離が最初の層21、22、23の厚さにより良好に画成されるよう実現することができる。換言すれば、許容公差は、層21、22、23の質により規定される。
例えば、マイクロシャッタのような、図示したマイクロ構造体の1つ又は幾つかを備える完全なシャッタ構造体上における穴202の良好に画成された伸長体は、光が開口部28を通って例えば、上方から又は下方にて構造体を透過し且つ、電気的に制御されたシャッタ構造体によって変調される光伝送システムを取り扱うとき、極めて重要である。反射防止被覆を開口部28に堆積させてもよい。
中間層構造体における穴202は、デバイス層23の可動部分を完全に露出させるのに十分大きくなければならず、また、関係したシャッタの開放位置の1つ又はより多くにて透過した光を妨害しないよう十分に大きくなければならない。換言すれば、本発明の範囲内にて幾つかの穴の幾何学的形態を採用することができる。好ましくは、側壁の輪郭外形は、垂直方向に+/−10°である。必要であるならば、本発明の範囲内にてその他の輪郭外形とすることも可能である。本発明の有益な特徴は、側壁の輪郭外形は重要ではない点であり、このことは、穴のエッチングをエッチング速度に対して最適化し、これにより製造コストを最小限にできることを意味する。
典型的に、透過層220、24は、開口部28を通る光の透過を最適化するため、一側部又は両側部に取り付けられたマイクロレンズ構造体を備える必要がある。
更に、この単一の層構造体を透過層24、200の間に取り付けることにより、例えば、いわゆる分離膠の形態をした、別個の取り囲み分離材による従来の少数点支持により層が分離された、従来の構造体と比較して、機械的に安定した構造体が実現された。
更に、シャッタパッケージ体の相対的に容易な密封を促進する構造体が実現された。換言すれば、最適なことに、透過層220、24の間に封入された構造体の層間の接合のみによって、密封は特定の状況にて最終的に実現することができる。
図3には、例えば、図2Eに示したマイクロシャッタのような、複数のマイクロシャッタを備え、透過層321、324の一側部又は両側部にマイクロレンズ構造体を有する光MEMSデバイスが示されている。
図示した装置は、アクチュエータを電子的に制御し得るようにされた、いわゆるI/Oパッドワイヤーシステム330を更に備えている。
図4には、本発明に従ったマイクロシャッタの基本的構造体の断面図が示されている。図示した光MEMSデバイスは、例えば、SOIデバイスにより、好ましくは、図2Aないし図2Eに関して説明した過程の変形例により製造される。
最初のSOIウェハは、ハンドル層321と、絶縁層322と、デバイス層323とを備えている。
図示した最終構造体は、典型的に、例えば、上及び下光透過層のような、更なる構造体と組み合される。
図示した構造体の基本層321、322、323は、良好に画成された厚さと、例えば、構造体の頂部及び下方に配置された光透過層のような、更なるMEMS層に対する極めて接近した支持体とを特徴とすることが分かる。
図5には、本発明の更なる実施の形態が示されている。図示した構造体は、製造が極めて複雑であるが、絶縁層622Bにより相互に分離され且つ、絶縁層622Aによりハンドルウェハから分離された2つのデバイス層624A、624Bを備えている。
図示した構造体は、例えば、頂部及び底部レンズ層のような、更なるMEMS層に対して良好に画成された構造体の厚さを特徴としている。
図6には、図2EのMEMSデバイスに基本的に相応するが、更なるキャビティ631、633が設けられる、本発明の更なる変形例が示されている。
キャビティは、例えば、リード、電極又はその他のデバイス構造体を保持し且つ、案内するため形成することができる。
図示した実施の形態において、このとき、電極632は、キャビティ631内に下降しており、これにより、例えば、電極の厚さ増すことを容易にする。
図7には、例えば、多くの応用できるマイクロ構造体の設計の1つの例が示されており、この設計は、本発明の以前に説明した実施の形態の任意のものにてアクチュエータとして取り付けることができる。
図示したシャッタは、例えば、基部層のような、半透明のシャッタプラットフォームに定着された多数のシャッタ構成要素を備えている。
光を基部層を通じて案内するための光伝送路は、一部分、半透明な基部層に堆積されたマスキングの穴714により画成される。光は、例えば、熱波ビーム又は紫外線光のような非可視光を有するものとしてもよい。
図示した主構成要素は、共に、基部層に締結された電極712、713を備えている。
シャッタビーム711は、一端にて締結箇所715におけるプラットフォームに定着され且つ、他端にてシャッタブレード716が装着されている。シャッタブレードは、個々に制御可能な電極712、713を作動させることにより、穴マスキング714により画成された光伝送路まで相対的に動かすことができる。
図示したシャッタブレード716は、定着箇所715を介してフィード線に電気的に接続され且つ、この定着及び可動部分の構造体により画成された経路MPに沿って動くことができる。
例えば、ブレードのような、シャッタの可動部分は、遮蔽部717、718を可動部分の電位に接続することにより、電極へのフィード線から電磁的に遮蔽されている。
例えば、可動部分及び電極のような上述したシャッタ部分は、例えば、図2Aないし図2Eに関して説明したように、基部層に取り付けられたデバイス層にてエッチングすることができる。
全体として、例えば、IL、DLのような平面層の厚さは、極めて良好に画成され、これにより、透過性基板の平面層の接続部にて要素の良好に画成された相互の距離が実現されることが分かる。これらの距離は、シャッタが開放したとき、最適な伝送特性を保証し得るよう慎重に調節される。
本発明の1つの実施の形態における基本構造体の図である。 本発明の1つの実施の形態における基本構造体の別の図である。 本発明の更なる実施の形態における基本構造体の図である。 本発明の更なる実施の形態における基本構造体の別の図である。 本発明の更なる実施の形態における基本構造体の図である。 本発明の更なる実施の形態における基本構造体の別の図である。 本発明の1つの実施の形態に従った光MEMSデバイスを製造する方法の図である。 本発明の1つの実施の形態に従った光MEMSデバイスを製造する方法の別の図である。 本発明の1つの実施の形態に従った光MEMSデバイスを製造する方法の別の図である。 本発明の1つの実施の形態に従った光MEMSデバイスを製造する方法の別の図である。 本発明の1つの実施の形態に従った光MEMSデバイスを製造する方法の更に別の図である。 本発明の1つの実施の形態を示す図である。 本発明の別の実施の形態を示す図である。 本発明の別の実施の形態を示す図である。 本発明の更に別の実施の形態を示す図である。 本発明に従ったマイクロシャッタの特定の実施例を示す図である。

Claims (26)

  1. 光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、
    少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
    少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
    少なくとも1つのデバイス層(DL)と、を備え、
    前記中間層構造体(IL)は、前記実質的に光透過層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間における1つ又はより多数の光路(OP)を促進し、
    前記中間層構造体(IL)の厚さは、前記光透過層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間における距離(d)を画成し、前記マイクロ電子機械構造体(MEMS)は、密封したパッケージ体を備え、該密封したパッケージ体は、一部分、前記光透過性層により構成され、
    前記中間層構造体(IL)は少なくとも1つの層からなる板構造体を備え、前記板構造体は、各々が1つの個々の光路(OP)の一部を形成する複数の開口(AP)を有する、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  2. 請求項1に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、少なくとも1つの電気絶縁層を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  3. 請求項1に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、複数の下位の層を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  4. 請求項3に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記下位の層の少なくとも1つは電気絶縁層を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  5. 請求項2又は3に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、複数の層構造体を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  6. 請求項1ないしの何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記デバイス層(DL)は基部層(BL)に取り付けられる、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  7. 請求項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、光透過層(UTL)と基部層(BL)との間における前記最短の個々の光路(OP)の距離は、組み合わせた中間層構造体と前記デバイス層との組み合わせた厚さに等しい、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  8. 請求項6又は7に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記基部層(BL)は光透過性である、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  9. 請求項6又は7に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記基部層(BL)は光不透過性であり、また、貫通穴が設けられる、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  10. 請求項6ないし9の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記基部層(BL)は、前記開口(AP)に相応し且つ、相応する数の光路(OP)を提供する更なる開口を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  11. 請求項1ないし10の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記デバイス層(DL)はアクチュエータの可動部分を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  12. 請求項1ないし11の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、相互に接続された少なくとも2つの別個の層を備え、前記相互に接続した層の少なくとも1つは、電気絶縁層(22)を備え、前記相互に接続した層の少なくとも1つは、更なる層(21)を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  13. 請求項1ないし12の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、SOIウェハのハンドル層(21)と、絶縁層(22)とを備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  14. 請求項1ないし13の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記透過層(UTL)はマイクロレンズを備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  15. 請求項ないし10の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記基部層(BL)はマイクロレンズを備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  16. 請求項1ないし15の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記光透過層、中間層構造体及びデバイス層は相互に接続される、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  17. 請求項1ないし16の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、マイクロ電気機械構造体(MEMS)の前記光透過層、中間層構造体及びデバイス層は平面層である、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  18. 請求項1ないし17の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体は、ケイ素酸化物、シリカ、石英、ガラス、アルミニウム、サファイア、ケイ素、ニッケル又はその他の金属、PMMA又はその他のポリマー及び(又は)それらの組み合わせ体を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  19. 請求項1ないし18の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、光透過層の少なくとも1つは、パイレックス(登録商標、Pyrex)ガラス、石英、シリカ、アルミニウム、サファイア、ケイ素、PMMA又はその他のポリマー及び(又は)それらの組み合わせ体を備える光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  20. 請求項1ないし19の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記デバイス層(DL)は、任意のドーピングのケイ素、ニッケル又はその他の金属又は高ドーピング濃度のケイ素を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  21. 請求項2,4、12及び13の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記絶縁層は、シリカ、石英、ガラス、アルミニウム、サファイア、窒化ケイ素、PMMA又はその他のポリマー、ケイ素酸化物及び(又は)それらの組み合わせ体を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  22. 請求項1ないし21の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において前記デバイス層(DL)内に形成された少なくとも1つの光モジュレータ装置を備え、該少なくとも1つの光モジュレータ装置は、少なくとも1つの開放位置と、少なくとも1つの閉位置とを有する、少なくとも1つの可動のマイクロシャッタを備え、前記少なくとも1つの光路は、光を前記少なくとも1つの光モジュレータ装置を介して光マイクロ電子機械構造体を通じて案内し、前記光マイクロ電子機械構造体は、前記少なくとも1つの光モジュレータ装置へ且つ選択的に、該少なくとも1つの光モジュレータ装置から電気制御信号を伝送し得るようにされた電気的接続部を更に備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  23. 請求項22に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、少なくとも1つの光路(OP)内にて伝送された光は、前記少なくとも1つの光モジュレータ装置のシャッタ平面内に又は該シャッタ平面付近に集束される、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
  24. 少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
    少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
    少なくとも1つのデバイス層(DL)とに基づいて光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法において、
    中間層構造体(IL)の少なくとも一部を除去することにより、前記光透過層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間の光の透過が促進され、前記光透過層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間の距離は前記中間層構造体の厚さにより画成されるようにし、前記マイクロ電子機械構造体(MEMS)は、密封したパッケージ体を備え、該密封したパッケージ体は、一部分、前記光透過性層により構成され、
    前記中間層構造体(IL)は少なくとも1つの電気絶縁層を備え、MEMSデバイスの構造的部分は、前記デバイス層(DL)をエッチングすることにより形成され、前記中間層構造体(IL)の少なくとも一部を除去する工程により、前記光透過性層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間の光の損失無しの伝送が促進される、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法。
  25. 請求項24に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法において、前記除去は、中間層構造体(IL)をエッチングすることにより行われる、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法。
  26. 請求項24又は25に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法において、前記光透過層、中間層構造体及びデバイス層は相互に接続される、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法。
JP2005500478A 2003-06-06 2003-06-06 光マイクロ電子機械構造体 Expired - Fee Related JP4369421B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/DK2003/000372 WO2004108588A1 (en) 2003-06-06 2003-06-06 Optical microelectromechanical structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006526792A JP2006526792A (ja) 2006-11-24
JP4369421B2 true JP4369421B2 (ja) 2009-11-18

Family

ID=33495500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005500478A Expired - Fee Related JP4369421B2 (ja) 2003-06-06 2003-06-06 光マイクロ電子機械構造体

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7489837B2 (ja)
EP (1) EP1636131A1 (ja)
JP (1) JP4369421B2 (ja)
KR (1) KR101011592B1 (ja)
CN (1) CN1832899B (ja)
AU (1) AU2003233791A1 (ja)
CA (1) CA2529935A1 (ja)
WO (1) WO2004108588A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8777602B2 (en) 2008-12-22 2014-07-15 Nederlandse Organisatie Voor Tobgepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method and apparatus for layerwise production of a 3D object
JP5873720B2 (ja) 2008-12-22 2016-03-01 ネーデルランデ オルガニサチエ ヴォール トエゲパスト−ナツールウェテンスハペリエク オンデルゾエク ティーエヌオーNederlandse Organisatie Voor Toegepast−Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno 3d有体物の積層製造の方法とそのシステム
US8678805B2 (en) 2008-12-22 2014-03-25 Dsm Ip Assets Bv System and method for layerwise production of a tangible object
JP2012532470A (ja) * 2009-07-06 2012-12-13 アイメック Mems可変キャパシタの製造方法
US8767170B2 (en) 2011-06-03 2014-07-01 Silicon Light Machines Corporation Flow through MEMS package
KR101688724B1 (ko) * 2015-04-08 2016-12-21 주식회사 스탠딩에그 Mems 장치 제조 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6214633B1 (en) * 1997-08-28 2001-04-10 Mems Optical Inc. System for controlling light including a micromachined foucault shutter array and a method of manufacturing the same
US6400009B1 (en) * 1999-10-15 2002-06-04 Lucent Technologies Inc. Hermatic firewall for MEMS packaging in flip-chip bonded geometry
US6374007B1 (en) * 2000-04-14 2002-04-16 C Speed Corporation Double hermetic package for fiber optic cross connect
US7008812B1 (en) * 2000-05-30 2006-03-07 Ic Mechanics, Inc. Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation
US6415068B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-02 Xerox Corporation Microlens switching assembly and method
AU2001297774A1 (en) 2000-12-19 2002-10-28 Coventor, Incorporated Light transmissive substrate for an optical mems device
US6582985B2 (en) * 2000-12-27 2003-06-24 Honeywell International Inc. SOI/glass process for forming thin silicon micromachined structures
EP1423713A1 (en) * 2001-08-24 2004-06-02 Honeywell International Inc. Hermetically sealed silicon micro-machined electromechanical system (mems) device having diffused conductors
US6808955B2 (en) * 2001-11-02 2004-10-26 Intel Corporation Method of fabricating an integrated circuit that seals a MEMS device within a cavity
GB0203343D0 (en) * 2002-02-13 2002-03-27 Alcatel Optronics Uk Ltd Micro opto electro mechanical device

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003233791A1 (en) 2005-01-04
CN1832899B (zh) 2011-08-10
US20060228066A1 (en) 2006-10-12
CN1832899A (zh) 2006-09-13
WO2004108588A1 (en) 2004-12-16
CA2529935A1 (en) 2004-12-16
EP1636131A1 (en) 2006-03-22
KR101011592B1 (ko) 2011-01-27
JP2006526792A (ja) 2006-11-24
US7489837B2 (en) 2009-02-10
KR20060066671A (ko) 2006-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5329914B2 (ja) マイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法
CA2663918C (en) Micromechanical component and method for fabricating a micromechanical component
US6587626B2 (en) Liquid overclad-encapsulated optical device
US6519075B2 (en) Packaged MEMS device and method for making the same
AU774240B2 (en) Microelectromechanical optical switch and method of manufacture thereof
US7067355B2 (en) Package having bond-sealed underbump
US20090154872A1 (en) Electronic device package and method of formation
US7176106B2 (en) Wafer bonding using reactive foils for massively parallel micro-electromechanical systems packaging
WO2003019617A2 (de) Verfahren zur herstellung von elektronischen bauelementen
WO2002024570A1 (en) Micro electro-mechanical systems
KR20100021480A (ko) 구성요소 제조 방법 및 구성요소
US20100297797A1 (en) Manufacturing method of an electronic device including overmolded mems devices
KR20140033211A (ko) 환경에 노출된 부분을 갖는 밀봉 mems 디바이스를 위한 공정
US20080284028A1 (en) Integrated device fabricated using one or more embedded masks
KR20180054572A (ko) 튜너블 멤스 에탈론
EP2608255A1 (en) Method of bonding two substrates and device manufactured thereby
JP4369421B2 (ja) 光マイクロ電子機械構造体
US9156679B1 (en) Method and device using silicon substrate to glass substrate anodic bonding
EP1620353A1 (en) Anti-reflective sub-wavelengh structures for silicon wafers
US20070284681A1 (en) Apparatus and method for protective covering of microelectromechanical system (mems) devices
US20230023348A1 (en) Fabrication of a micro-mirror with reduced moment of inertia and mems devices
Agarwal et al. Fabrication of integrated vertical mirror surfaces and transparent window for packaging MEMS devices
KR100420741B1 (ko) 마이크로머신 및 그 제조방법
EP3467872B1 (en) Semiconductor apparatus and method for manufacturing same
CN111465884A (zh) 晶圆

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081218

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090318

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090421

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090807

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090827

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees