JP4369421B2 - 光マイクロ電子機械構造体 - Google Patents
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Description
少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
少なくとも1つのデバイス層(DL)と、を備え、
上記中間層構造体(IL)は、前記実質的に光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における光の透過を促進し、
上記中間層構造体(IL)は、上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間の距離(d)を画成する、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)に関するものである。
少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
少なくとも1つのデバイス層(DL)と、を備え、
上記中間層構造体(IL)は、上記実質的に光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における1つ又はより多数の光路(OP)を促進し、
上記中間層構造体(IL)は、上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における距離(d)を画成する、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)に関するものである。
少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
少なくとも1つのデバイス層(DL)と、に少なくとも基づいて、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法であって、
これにより、中間層構造体(IL)の少なくとも一部を除去することにより、上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における光の透過が促進され、これにより、上記光透過層(UTL)と上記デバイス層(DL)との間における距離は上記中間層構造体の厚さにより画成されるようにした、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法に関する。
Claims (26)
- 光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、
少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
少なくとも1つのデバイス層(DL)と、を備え、
前記中間層構造体(IL)は、前記実質的に光透過層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間における1つ又はより多数の光路(OP)を促進し、
前記中間層構造体(IL)の厚さは、前記光透過層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間における距離(d)を画成し、前記マイクロ電子機械構造体(MEMS)は、密封したパッケージ体を備え、該密封したパッケージ体は、一部分、前記光透過性層により構成され、
前記中間層構造体(IL)は少なくとも1つの層からなる板構造体を備え、前記板構造体は、各々が1つの個々の光路(OP)の一部を形成する複数の開口(AP)を有する、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。 - 請求項1に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、少なくとも1つの電気絶縁層を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、複数の下位の層を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項3に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記下位の層の少なくとも1つは電気絶縁層を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項2又は3に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、複数の層構造体を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし5の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記デバイス層(DL)は基部層(BL)に取り付けられる、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項6に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、光透過層(UTL)と基部層(BL)との間における前記最短の個々の光路(OP)の距離は、組み合わせた中間層構造体と前記デバイス層との組み合わせた厚さに等しい、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項6又は7に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記基部層(BL)は光透過性である、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項6又は7に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記基部層(BL)は光不透過性であり、また、貫通穴が設けられる、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項6ないし9の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記基部層(BL)は、前記開口(AP)に相応し且つ、相応する数の光路(OP)を提供する更なる開口を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし10の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記デバイス層(DL)はアクチュエータの可動部分を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし11の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、相互に接続された少なくとも2つの別個の層を備え、前記相互に接続した層の少なくとも1つは、電気絶縁層(22)を備え、前記相互に接続した層の少なくとも1つは、更なる層(21)を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし12の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体(IL)は、SOIウェハのハンドル層(21)と、絶縁層(22)とを備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし13の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記光透過層(UTL)はマイクロレンズを備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項6ないし10の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記基部層(BL)はマイクロレンズを備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし15の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記光透過層、中間層構造体及びデバイス層は相互に接続される、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし16の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、マイクロ電気機械構造体(MEMS)の前記光透過層、中間層構造体及びデバイス層は平面層である、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし17の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記中間層構造体は、ケイ素酸化物、シリカ、石英、ガラス、アルミニウム、サファイア、ケイ素、ニッケル又はその他の金属、PMMA又はその他のポリマー及び(又は)それらの組み合わせ体を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし18の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、光透過層の少なくとも1つは、パイレックス(登録商標、Pyrex)ガラス、石英、シリカ、アルミニウム、サファイア、ケイ素、PMMA又はその他のポリマー及び(又は)それらの組み合わせ体を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし19の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記デバイス層(DL)は、任意のドーピングのケイ素、ニッケル又はその他の金属又は高ドーピング濃度のケイ素を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項2,4、12及び13の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記絶縁層は、シリカ、石英、ガラス、アルミニウム、サファイア、窒化ケイ素、PMMA又はその他のポリマー、ケイ素酸化物及び(又は)それらの組み合わせ体を備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項1ないし21の何れか1つの項に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、前記デバイス層(DL)内に形成された少なくとも1つの光モジュレータ装置を備え、該少なくとも1つの光モジュレータ装置は、少なくとも1つの開放位置と、少なくとも1つの閉位置とを有する、少なくとも1つの可動のマイクロシャッタを備え、前記少なくとも1つの光路は、光を前記少なくとも1つの光モジュレータ装置を介して光マイクロ電子機械構造体を通じて案内し、前記光マイクロ電子機械構造体は、前記少なくとも1つの光モジュレータ装置へ且つ選択的に、該少なくとも1つの光モジュレータ装置から電気制御信号を伝送し得るようにされた電気的接続部を更に備える、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 請求項22に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)において、少なくとも1つの光路(OP)内にて伝送された光は、前記少なくとも1つの光モジュレータ装置のシャッタ平面内に又は該シャッタ平面付近に集束される、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)。
- 少なくとも1つの光透過層(UTL)と、
少なくとも1つの中間層構造体(IL)と、
少なくとも1つのデバイス層(DL)とに基づいて光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法において、
中間層構造体(IL)の少なくとも一部を除去することにより、前記光透過層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間の光の透過が促進され、前記光透過層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間の距離は前記中間層構造体の厚さにより画成されるようにし、前記マイクロ電子機械構造体(MEMS)は、密封したパッケージ体を備え、該密封したパッケージ体は、一部分、前記光透過性層により構成され、
前記中間層構造体(IL)は少なくとも1つの電気絶縁層を備え、MEMSデバイスの構造的部分は、前記デバイス層(DL)をエッチングすることにより形成され、前記中間層構造体(IL)の少なくとも一部を除去する工程により、前記光透過性層(UTL)と前記デバイス層(DL)との間の光の損失無しの伝送が促進される、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法。 - 請求項24に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法において、前記除去は、中間層構造体(IL)をエッチングすることにより行われる、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法。
- 請求項24又は25に記載の光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法において、前記光透過層、中間層構造体及びデバイス層は相互に接続される、光マイクロ電子機械構造体(MEMS)を製造する方法。
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