CN1832899B - 光学微机电结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种光学微机电结构(MEMS)，其包括：(至少一个)光学透射层(UTL)；(至少一个)中间层结构(IL)；(至少一个)器件层(DL)，所述中间层结构(IL)限定了在所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)，所述中间结构层(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)。

Description

光学微机电结构
技术领域
本发明涉及一种用于光调制的光学微机电结构MEMS以及一种制造用于光调制的光学微机电结构MEMS的方法。
背景技术
在本领域中已知几种不同类型的光学MEMS器件。
与现有技术的光学MEMS器件，例如基于透射型微光闸的空间光调制器(SLM)有关的问题在于必须将单个微光闸的各种光学组件安置在相互之间非常明确的位置上，以便获得希望的光学特性，诸如通过该微光闸配置的光路的光学特性。即使光学组件之间相互定位的微小失准或者变化，也可能导致透射率降低。
光学透射型微光闸MEMS器件的另一个问题在于通常必须密封该器件的运动部件，以便降低诸如灰尘和湿度的影响。通常，通过密封输入与输出光学元件(例如微透镜)之间的整个机械系统来获得这种密封。一种密封方式是通过涂敷所谓的隔离胶从而获得微透镜与其它结构部件之间的必要距离，随后施加周围密封而达到的。然而，与这种密封有关的问题在于现有技术的密封方法昂贵，并且不是总能够足以获得可靠的成品。
本发明的目的是提供光学MEMS器件的光学组件的明确定位。
本发明的另一目的是提供一种光学MEMS器件，尤其是一种在密封方面的特性得到改进的光学透射型MEMS器件。
发明内容
本发明涉及一种光学微机电结构(MEMS)，其包括：
-至少一个光学透射层(UTL)；
-至少一个中间层结构(IL)；
-至少一个器件层(DL)；
所述中间层结构(IL)有助于光在所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的透射，
所述中间层结构(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)。
本发明涉及一种光学微机电结构(MEMS)，其包括：
-至少一个光学透射层(UTL)；
-至少一个中间层结构(IL)；
-至少一个器件层(DL)；
所述中间层结构(IL)有助于(facilitate)所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)，
所述中间层结构(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)。
在本发明的一个实施例中，该中间层结构(IL)包括至少一个电绝缘层。
在本发明的一个实施例中，该中间层结构(IL)包括至少一个子层。
在本发明的一个实施例中，所述子层中的至少一个子层包括电绝缘层。
在本发明的一个实施例中，所述中间层结构(IL)包括一个整体式层结构。
在本发明的一个实施例中，所述整体式层结构包括板结构，其具有构成所述至少一个光路(OP)的一部分的至少一个开口装置。该开口装置是通过空间构建中间层而建立的，由此获得中间层结构。
在本发明的一个实施例中，所述至少一个开口装置包括至少一个光路(OP)。
在本发明的一个实施例中，所述至少一个开口装置包括至少一个孔(AP)。
在本发明的一个实施例中，所述至少一个开口装置包括多个孔(AP)，每个孔构成了一个单个光路(OP)的一部分。
在本发明的一个实施例中，所述中间层结构(IL)包括至少一个层结构。
在本发明的一个实施例中，所述多个层结构包括支柱。
在本发明的一个实施例中，所述器件层(DL)附着于基本层(BL)。
在本发明的一个实施例中，光学透射层(UTL)与器件层之间的最短单个光路(OP)的长度基本上等于所述中间层结构的厚度。
在本发明的一个实施例中，光学透射层(UTL)与基本层(BL)之间的最短单个光路(OP)的长度基本上等于中间层结构和所述基本层的厚度。
在本发明的一个实施例中，所述基本层(BL)是光学透射的。
在本发明的一个实施例中，所述基本层(BL)是光学非透射的并且设有通孔。
在本发明的一个实施例中，所述基本层(BL)包括对应于所述孔(AP)并且提供相应数量的光路(OP)的其它孔。
在本发明的一个实施例中，所述器件层(DL)包括致动器的可移动部分。
在本发明的一个实施例中，所述中间层结构(IL)包括至少两个分开的相互连接层，所述相互连接层中的至少一层包括电绝缘层(22)，并且所述相互连接层中的至少一层包括另一层(21)。
在本发明的一个实施例中，所述中间层结构(IL)包括处理层(21)和SOI晶片的绝缘层(22)。
在本发明的一个实施例中，所述光学微机电结构(MEMS)包括密封封装。
在本发明的一个实施例中，该密封被所述光学透射层部分包含。
在本发明的一个实施例中，所述实质透射层包括微透镜。
在本发明的一个实施例中，所述基本层(BL)包括微透镜。
在本发明的一个实施例中，所述各层是相互连接的。
各层可以根据所包含的材料例如利用适当的粘结法相互连接。
在本发明的一个实施例中，该微机电光学结构(MEMS)的各层是平面层。
在本发明的一个实施例中，所述中间层结构包括二氧化硅、硅石、石英、玻璃、铝、蓝宝石、硅、镍或者其它金属，PMMA或其它聚合物和/或它们的组合。
在本发明的一个实施例中，光学透射层中的至少一层优选包括耐热玻璃、石英、硅石、铝、蓝宝石、硅、PMMA或者其它聚合物和/或它们的组合。
在本发明的一个实施例中，所述器件层(DL)包括任意掺杂的硅，镍或其它金属，或者优选为高掺杂级的硅。
在本发明的一个实施例中，所述绝缘层包括硅石、石英、玻璃、铝、蓝宝石、氮化硅、PMMA或者其它聚合物，优选为二氧化硅，和/或它们的组合。
在本发明的一个实施例中，该光学MEMS器件包括至少一个光调制器配置，其优选形成在所述器件层(DL)中，所述至少一个光调制器配置包括至少一个可移动微光闸，其具有至少一个打开和至少一个关闭位置，其中所述至少一个光路引导光经由所述至少一个光调制器配置通过该光学MEMS器件，并且其中该MEMS器件还包括电连接，其适于将电控信号传送到所述至少一个光调制器配置，并且可选地从所述至少一个光调制器配置传送电控信号。
在本发明的一个实施例中，在至少一个光路(OP)中传播的光聚焦在所述至少一个光调制器的光闸平面中或者该平面附近。
而且，本发明涉及一种制造光学微机电结构(MEMS)的方法，所述光学微机电结构至少基于：
-至少一个光学透射层(UTL)；
-至少一个中间层结构(IL)；
-至少一个器件层(DL)；
其中通过去除至少一部分中间层结构(IL)而有助于所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的光透射，并且其中所述透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离由所述中间层结构的厚度确定。
在本发明的一个实施例中，通过刻蚀所述器件层(DL)形成该光学MEMS器件的结构部分。
在本发明的一个实施例中，所述中间层结构(IL)包括至少一个电绝缘层，其中通过刻蚀所述器件层(DL)来形成该MEMS器件的结构部分，并且其中通过去除至少一部分所述中间层结构(IL)而有助于所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的光透射。
在本发明的一个实施例中，所述中间层结构(IL)包括至少一个电绝缘层，由此通过刻蚀所述器件层(DL)来形成该光学MEMS器件的结构部分，并且其中通过部分去除所述中间层结构(IL)而在所述光学透射层(UTL)和所述器件层(DL)中提供至少一个光路。
在本发明的一个实施例中，通过刻蚀中间层结构(IL)来实施所述去除。
在本发明的一个实施例中，其中所述光学MEMS层是相互连接的。
在本发明的一个实施例中，所述光学MEMS器件是一种按照上述实施例中任一实施例所述的器件。
本发明提供了一种用于光调制的基于透射微光闸的光学微机电结构(MEMS)，包括：
-至少一个光学透射层(UTL)，
-至少一个附着于光学透射基本层(BL)的器件层(DL)，
-在所述光学透射层(UTL)和所述器件层(DL)之间的至少一个中间层结构(IL)，
所述中间层结构(IL)有助于在所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)，
所述中间层结构(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)，所述距离(d)的范围为10微米-1000微米，
其中所述微机电结构(MEMS)包括密封的封装，其中该密封被所述光学透射层部分地包含。
本发明还提供一种制造用于光调制的基于透射微光闸的光学微机电结构(MEMS)的方法，所述光学微机电结构至少基于：
-(至少一个)光学透射层(UTL)；
-附着于光学透射基本层(BL)的(至少一个)器件层(DL)；
-处在所述光学透射层(UTL)和所述器件层(DL)之间的(至少一个)中间层结构(IL)；
其中通过去除至少一部分中间层结构(IL)而有助于所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的光透射，
其中所述透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离由所述中间层结构的厚度限定，所述距离的范围为10微米-1000微米，
其中所述微机电结构(MEMS)包括密封的封装，该密封被所述光学透射层部分地包含。
附图说明
以下将参照附图描述本发明，其中
图1A和1B表示了本发明实施例的基本结构，
图1C和1D表示了本发明另一实施例的基本结构，
图1E和1F表示了本发明又一实施例的基本结构，
图2A-E表示了根据本发明实施例的制造光学MEMS器件的方法，
图3-6表示了本发明的各个实施例，并且其中
图7表示了根据本发明的微光闸的特定实例。
具体实施方式
图1A和1B表示了本发明实施例的基本组成(principlecomponent)。
图1A表示了如从图1B的上方所示的简化光学微机电结构(MEMS)的横截面CS。
所示的基本结构是一种形成在多个层中的所谓光学微机电结构(MEMS)；利用中间层结构IL和器件层DL使光学透射层UTL与光学透射基本层BL分开。
该中间层结构IL基本上与DL的导电部分电绝缘。例如，可以由完整的结构，或者部分通过例如在中间层结构的导电部分与器件层DL之间施加分立的绝缘层来获得绝缘性能。
该中间层结构IL限定了透射层UTL与器件层DL之间的距离d，并且该中间层结构IL包括在诸如所示箭头方向形成光路OP的多个孔AP。
注意，在本实施例中一个一个单独地密封形成在器件层DL中的易碎机械运动部件，例如光闸10，从而构成有利的密封。此外，基本层BL与上透射层UPL之间的光路OP用所施加的各层的厚度而明确确定。此外，由于利用了具有相对固体结构的中间层结构，从而获得了在机械方面更为稳定的结构。
图1C和图1D表示了本发明实施例的基本组成。
图1C表示了如从图1D的上方所示的简化光学微机电结构(MEMS)的横截面CS。
所示实施例对应于图1A和1B的实施例，但不同之处在于孔的构造。在所示实施例中，该MEMS器件仅包括两个腔AP，每个腔包括6个光调制配置，仅表示了该腔的可移动光闸叶片。同样，注意获得了包括器件层的各层之间的明确确定的距离。
以上所示的中间层结构就是所谓的整体式层结构。
在本发明的范围内还可以应用许多其它的腔结构。图1E和图1F
以俯视的视角表示了这种结构的实例。为了简化说明，所述的横截面与图1A所示的基本相同。
在图1E中，将上光学透射层与基本层BL相连的基本机械结构包括6个柱状结构11。所示的柱基本上形成了中间层结构，从而提供了基本层和/或器件层与上透射层之间的明确距离。在所示实施例中，必须特别施加另一周围密封，并且该密封的定位相对于先前描述的实施例典型是更加复杂的过程，其中透射层UTL与器件层DL之间所提供的光路基本上被中间层结构IL、透射层UTL连同基本层BL密封。这是由于当处理由开放空间结构简化的光路时密封过程更为困难。
在图1F中，表示了另一实施例，其中该中间层结构包括两个梁状结构11。
上述中间层结构全部优选通过刻蚀包括一个或其它子层的初始中间层结构或者其它材料减少技术来提供。
图2A-2E表示了根据本发明实施例的提供光学MEMS器件的方法。
在图2A中，已经提供了所谓的硅绝缘体(SOI)晶片20。所示SOI包括处理层21。在本发明的范围内可以利用其它SOI结构。
该处理层21优选可以是任意掺杂的硅。可选材料可以是例如二氧化硅、硅石、石英、玻璃、铝、蓝宝石PMMA或者其它聚合物和/或其组合。典型的是，处理层的功能是在加工过程中提供处理。
厚度典型地明确确定在10-1000微米范围内，优选50-300微米。
此外，初始SOI晶片20包括器件层23。该器件层优选包括高掺杂级的硅。可选材料例如可以包括任意掺杂的硅、镍或其它金属。该器件层的功能是形成导电层和/或移动元件的机械材料。
优选的器件衬底由SOI晶片的器件层形成，该层的厚度明确控制在2-200微米范围内，优选5-30微米。
利用绝缘层22将器件层23与处理层21分开。该绝缘层22优选由二氧化硅制成。可选材料例如可以是硅石、石英、玻璃、铝、蓝宝石、PMMA或者其它聚合物、氮化硅和/或其组合。
出于许多原因必须明确确定厚度，例如控制在0.1-3微米范围内。
在本文中应当注意，例如如果实际上电绝缘是利用处理层自身的性质获得的，则根据本发明实施例，处理层21和绝缘层22的功能可以由单一层提供。
利用例如硅蓝宝石(SOS)晶片也可以获得这种实施例。
在本申请中，处理层21和绝缘层22还可以称作如参照图1A-1F所述的中间层结构。
此外，提供了由光学透射衬底形成的透射层24。该层优选包括耐热玻璃。可选材料例如可以包括类似的玻璃类型，例如耐热玻璃、石英、硅石、铝、蓝宝石、硅PMMA或者其它聚合物或其它适当材料。优选的材料适于阳极结合，在本实施例中，当将透射层24附着于晶片层21、22和23时通常采用阳极结合。也可以采用其它结合技术，例如共晶结合、玻璃粉粘结、低温焊接或者聚合物粘结。
在本实施例中，透射层24和220的特征在于其对于用于本系统中的从深UV到远IR范围的波长必须是光学透射的，所述波长范围例如250纳米到2000纳米，并且具有明确控制的厚度，典型的为50-2000微米，优选为300-500微米。
根据本发明的变型，该层24也可以是非透射的，但是具有适于该光学MEMS器件的每个光道的通孔。
在图2B中，已经利用众所周知的刻蚀方法刻蚀了图2A的初始SOI晶片20的器件层23，并且已经在该器件层中形成了机械结构的轮廓25、26、29。尽管如此，还应注意，通过在适当数量的刻蚀步骤中施加刻蚀掩模而简单地实施刻蚀，并且该机械结构25、26、29仍然是器件层23的固有部分。尽管预期的该机械部分的用途和目的不同，但是该机械机构在本实施例中是作为电导体和用于最终结构的机械部分所需的结构。可移动结构可以包括例如致动器，如光闸器件。这将在随后进行描述。
此外，已经使该透射层24具有了按照某种希望的布局而配置的电导体27。衬底24上的导电层或多层可以例如优选包括铝(Al)，或者可选择的是例如金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、Cr/Au、Cr/Au/Al、Al/Au多层。厚度可以是例如50纳米到3000纳米。优选将大约500纳米的厚度用于电连接。为了限定层24上光学非透射图案的某些光学图案，还可以将导电层27作为非透射层进行涂敷。该图案可以具体限定透射层24上的光学透射开口28。
在图2C中，通过例如结合，将两个部分，主要是形成在原始SOI晶片20中的结构和基于透射层24的结构相互连接。优选的结合方法是阳极结合。如果使用了其它层衬底，则可以在本发明的范围内应用几种可选的结合方法。可以采用其它结合技术，例如共晶结合、玻璃粉粘结、低温焊接或者聚合物粘结。
有效的是，该结合造成图2C的组合结构包括由密封在所涂敷的衬底层中的器件部分25、26和29构成的固有器件结构。可以在任意的器件层结构25、26和29与基本层的电导体27之间建立电收缩。
而且，可以向该结构提供临时掩模201。该掩模201是为了在进一步下述刻蚀处理层21的过程中遮蔽不需要刻蚀的区域而施加的。该临时层201优选为具有足够厚度(例如15微米)的光致抗蚀剂材料。当该处理层21为硅时，可选的材料是例如二氧化硅。
在图2D中，刻蚀处理或者其它的材料减少技术已经形成了具有由掩模层201限定的横截面的孔202，该材料减少技术例如离子铣削或者激光钻孔。该孔202延伸到机械结构25、26的顶部。这样，所示的结构，例如光闸25和电极26目前形成为可部分移动的结构。此外，非常显著的是，孔211的侧壁在这种情况下形成“孔板”，该孔板目前确定了与“基板”之间非常精确并且明确的距离，此处该基板为透射层24。
在图2E中，该结构具有光学透射顶层220，并且可以实现：两个透射层220和24之间的距离由初始层21、22和23的厚度明确确定。换句话说，公差是由层21、22和23的质量确定的。
孔202在包括一个或几个所示微结构(例如微光闸)的整个光闸结构上的明确延伸在处理光透射系统时是非常重要的，在该光透射系统中，光透射通过该结构，例如从上或下通过开口28，并且利用电控光闸结构调制光。可以将抗反射涂层沉积在开口28上。
中间层结构中的孔202必须足够大以完全露出器件层23的可移动部分，并且其必须足够大以不会遮挡在一个或多个相关光闸打开位置上的透射光。换句话说，可以在本发明的范围内采用几种孔的几何形状。优选的是，侧壁轮廓是垂直+/-10度。在本发明的范围内，如果需要的话其它轮廓也是可能的。本发明的有利特征在于侧壁轮廓不是关键的，这意味着可以为了刻蚀速度优化孔的刻蚀，从而使制造成本最小化。
典型的是，透射层220、24应当包括施加到一侧或两侧上的微透镜结构，以用于优化光通过开口28的透射。
此外，通过在透射层24、200之间应用这种整体式层结构，与常规结构相比已经获得了一种机械上稳定的结构，在常规结构中，利用周围不同的间隔器(例如所谓间隔胶的形式)通过常规的几点悬吊来分离各层。
此外，已经获得了有助于较容易密封光闸封装的结构。换句话说，最理想的是在某种情况下通过密封在透射层220与24之间的结构的各层之间的边界结合来最终获得密封。
图3表示了光学MEMS器件，其包括多个例如图2E所示的微光闸，在这种情况下在透射层321、324的一侧或两侧上具有微透镜结构。
所示器件还包括适于致动器电子控制的所谓I/O垫线系统330。
图4表示了根据本发明的微光闸基本结构的横截面。利用例如SOI器件，优选利用图2A到2E所示的方法的变型来制造所示的光学MEMS器件。
初始SOI晶片包括处理晶片321、绝缘层322和器件层323。
典型地将所示最终结构与其它结构组合，例如上、下光学透射层。
注意，所示结构的基本层321、322、323的特征在于非常明确的厚度和对于其它MEMS层非常紧密的支撑，例如设置在该结构顶部和底部的光学透射层。
图5表示了本发明的另一实施例。所示结构的制造过程非常复杂，其包括两个器件层624A和624B，这两个器件层通过绝缘层622B相互分离并且通过绝缘层622A与处理晶片分离。
所示结构的特征在于相对于其它MEMS层，例如上、下透镜层有明确的结构厚度。
图6表示了本发明的另一种变型，其基本上对应于图2E的MEMS器件，但是目前具有其他的腔631、633。
该腔可以例如用于保持和引导导线、电极或者其它器件结构。
在所示实施例中，电极632目前已经降低到腔631中，因此例如有助于增大电极厚度。
图7表示了一种或几种可应用的微光闸方案，其可以用作本发明前述实施例的任意一个中的致动器。
所示光闸包括多个固定于半透明光闸平台上的光闸组件，该平台例如基本层。
沉积在半透明基本层上的掩模中的孔714部分地确定了用于将光引导通过基本层的光学透射路径。该光还可以包括不可见光，例如热波束或者UV光。
所示主要组件包括均固定于基本层上的电极712、713。
光闸梁711的一端在固定点715处固定于平台上，另一端具有光闸叶片716。通过激励可单独控制的电极712、713，该光闸叶片可以相对于由孔掩模714确定的光透射路径移动。
所示光闸叶片716通过固定点715电连接于馈线，并且可以沿着由固定点和移动部件的结构确定的路径MP移动。
通过将屏蔽717、718连接到移动部件的电势，而使光闸的移动部件，例如叶片从馈线到电极电磁屏蔽。
所述光闸部件，例如移动部件和电极可以刻蚀在附着于例如参照图2A到2E所述的基本层上的器件层中。
一般而言，注意平面层的厚度，例如IL、DL的厚度是非常明确的，从而在透射衬底的平面层的连接中获得元件相互之间明确的距离。仔细调整这些距离，从而在光闸打开时确保最佳的透射质量。

Claims (34)

1.一种用于光调制的光学微机电结构MEMS，包括：
-至少一个光学透射层(UTL)，
-至少一个附着于光学透射基本层(BL)的器件层(DL)，
-在所述光学透射层(UTL)和所述器件层(DL)之间的至少一个中间层结构(IL)，
所述中间层结构(IL)有助于所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)的形成，
所述中间层结构(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)，所述距离(d)的范围为10微米-1000微米，
其中所述光学微机电结构MEMS包括密封的封装，其中该密封被所述光学透射层部分地包含，
其中所述中间层结构(IL)包括一个整体式层结构，所述整体式层结构包括板结构，其具有构成一个或多个光路(OP)的一部分的至少一个开口装置。
2.根据权利要求1所述的光学微机电结构MEMS，其中所述中间层结构(IL)包括至少一个电绝缘层。
3.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述中间层结构(IL)包括多个子层。
4.根据权利要求3所述的光学微机电结构MEMS，其中所述多个子层中的至少一个子层包括电绝缘层。
5.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述至少一个开口装置包括构成所述光路(OP)的一部分的一个开口。
6.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述至少一个开口装置包括多个孔(AP)。
7.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述至少一个开口装置包括多个孔(AP)，每个孔构成了一个单个光路(OP)的一部分。
8.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述中间层结构(IL)包括多个层结构。
9.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述光学透射层(UTL)与所述器件层之间的所述一个或多个光路(OP)的最短光路的长度基本上等于所述中间层结构的厚度。
10.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述光学透射层(UTL)与所述基本层(BL)之间的所述一个或多个光路(OP)的最短光路的长度基本上等于中间层结构和所述器件层二者的厚度。
11.根据权利要求6所述的光学微机电结构MEMS，其中所述基本层(BL)包括对应于所述多个孔(AP)并且提供相应数量的光路(OP)的其它孔。
12.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述器件层(DL)包括可移动结构。
13.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述中间层结构(IL)包括至少两个分开的相互连接层，所述相互连接层中的至少一层包括电绝缘层(22)，并且所述相互连接层中的至少一层包括另一层(21)。
14.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述中间层结构(IL)包括处理层(21)和SOI晶片的绝缘层(22)。
15.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述透射层(UTL)包括微透镜。
16.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述基本层(BL)包括微透镜。
17.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述各层是相互连接的。
18.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中该光学微机电结构MEMS的各层是平面层。
19.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述中间层结构包括二氧化硅、硅石、石英、玻璃、铝、蓝宝石、硅、镍，PMMA或它们的组合。
20.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中光学透射层中的至少一层包括耐热玻璃、石英、硅石、铝、蓝宝石、硅、PMMA或它们的组合。
21.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述器件层(DL)包括任意掺杂的硅，镍。
22.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述器件层(DL)包括高掺杂级的硅。
23.根据权利要求2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述至少一个电绝缘层包括硅石、石英、玻璃、铝、蓝宝石、氮化硅、PMMA或它们的组合。
24.根据权利要求2所述的光学微机电结构MEMS，其中所述至少一个电绝缘层包括二氧化硅。
25.根据权利要求1或2所述的光学微机电结构MEMS，其中光学微机电结构MEMS包括至少一个光调制器配置，所述至少一个光调制器配置包括至少一个可移动微光闸，其具有至少一个打开和至少一个关闭位置，其中所述一个或多个光路引导光经由所述至少一个光调制器配置通过该光学微机电结构MEMS，并且其中该光学微机电结构MEMS还包括电连接，其适于将电控信号传送到所述至少一个光调制器配置和从所述至少一个光调制器配置传送电控信号。
26.根据权利要求25所述的光学微机电结构MEMS，其中所述至少一个光调制器配置形成在所述器件层(DL)中。
27.根据权利要求25所述的光学微机电结构MEMS，其中在至少一个光路(OP)中传播的光聚焦在所述至少一个光调制器配置的光闸平面中或者该平面附近。
28.一种制造用于光调制的光学微机电结构MEMS的方法，所述光学微机电结构至少基于：
-至少一个光学透射层(UTL)；
-附着于光学透射基本层(BL)的至少一个器件层(DL)；
-处在所述光学透射层(UTL)和所述器件层(DL)之间的至少一个中间层结构(IL)；
其中通过去除至少一部分中间层结构(IL)而有助于所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的光透射，
其中所述透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离由所述中间层结构的厚度限定，所述厚度的范围为10微米-1000微米，
其中所述光学微机电结构MEMS包括密封的封装，该密封被所述光学透射层部分地包含，
其中所述中间层结构(IL)包括一个整体式层结构，所述整体式层结构包括板结构，其具有构成一个或多个光路(OP)的一部分的至少一个开口装置。
29.根据权利要求28所述的制造光学微机电结构MEMS的方法，其中通过刻蚀所述器件层(DL)形成该光学微机电结构MEMS的结构部分。
30.根据权利要求28或29所述的制造光学微机电结构MEMS的方法，其中所述中间层结构(IL)包括至少一个电绝缘层，
其中通过刻蚀所述器件层(DL)来形成该光学微机电结构MEMS的结构部分，并且其中通过去除至少一部分所述中间层结构(IL)而有助于所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的无损耗光透射。
31.根据权利要求28或29所述的制造光学微机电结构MEMS的方法，其中所述中间层结构(IL)包括至少一个电绝缘层，
其中通过刻蚀所述器件层(DL)来形成该光学微机电结构MEMS的结构部分，并且其中通过部分去除所述中间层结构(IL)而在所述光学透射层(UTL)和所述器件层(DL)中提供至少一个光路。
32.根据权利要求28或者29所述的制造光学微机电结构MEMS的方法，其中通过刻蚀中间层结构(IL)来实施所述去除。
33.根据权利要求28或29所述的制造光学微机电结构MEMS的方法，其中所述各层是相互连接的。
34.根据权利要求28或29所述的制造光学微机电结构MEMS的方法，其中所述光学微机电结构MEMS是一种根据权利要求1-27中任一项所述的器件。
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