JP4363261B2 - Electronic component having contacts and soldering terminals and surface treatment method thereof - Google Patents

Electronic component having contacts and soldering terminals and surface treatment method thereof Download PDF

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Description

本発明は、コネクタ等として使用される、接点と半田付け端子を有するコンタクト等の電子部品及びその表面処理方法に関する。   The present invention relates to an electronic component such as a contact having a contact and a soldering terminal used as a connector or the like, and a surface treatment method thereof.

従来から、回路基板の表面にコンタクト等の電子部品の端子を半田付で接続する場合に、部品の小形化につれて、半田が端子を駆け上がり易くなり、その部品の機能や性能を損なうことが発生する。電子部品の接点に半田が付着すると、接続信頼性を損なうことになる。そこで、半田の駆け上がり防止策として、電子部品の端子近傍の表面に酸化膜を設けて半田に対する濡れ性を小さくし、回路基板から駆け上ってきた半田を酸化膜で停止させ(半田バリアと称される)、接点部に至ることがないようにしたものがある。ここに、端子近傍の表面に酸化膜を形成するために、レーザ光線等を部分的に照射する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開平8−213070号公報
Conventionally, when connecting a terminal of an electronic component such as a contact to the surface of a circuit board by soldering, as the component becomes smaller, the solder tends to run up and the function and performance of the component are impaired. To do. If solder adheres to the contacts of electronic components, connection reliability will be impaired. Therefore, as a measure to prevent the solder from running up, an oxide film is provided on the surface near the terminals of the electronic component to reduce the wettability of the solder, and the solder that has run up from the circuit board is stopped by the oxide film (with the solder barrier and There is something that prevents it from reaching the contact portion. Here, in order to form an oxide film on the surface in the vicinity of the terminal, a method of partially irradiating a laser beam or the like is known (for example, see Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 8-213070

しかしながら、上記公報に示される方法においては、半田バリア性は確保されるが、酸化膜形成のために部分的に加熱するために、耐腐食性が低下する問題があった。また、レーザ光線装置を用いる場合、コスト高となっていた。   However, in the method disclosed in the above publication, the solder barrier property is ensured, but there is a problem that the corrosion resistance is lowered because of partial heating for forming the oxide film. In addition, when a laser beam device is used, the cost is high.

本発明は、上記問題を解消するものであり、電子部品を回路基板に半田付け実装する時に、接点方向への半田吸い上がりを防止すると共に、耐腐食性能の向上と低コスト化を図った、接点と半田付け端子を有する電子部品の表面処理方法を提供することを目的とする。   The present invention solves the above problem, and when soldering and mounting an electronic component on a circuit board, while preventing the solder from sucking up in the contact direction, the corrosion resistance is improved and the cost is reduced. An object of the present invention is to provide a surface treatment method for an electronic component having a contact and a soldering terminal.

上記目的を達成するため、請求項1の発明は、金属板を加工することにより形成され、一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と、下地めっき処理された金属板の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように貴金属めっき層を形成する工程と、均一に熱処理を施すことにより、めっき皮膜厚み差を利用して選択的に薄い貴金属めっき層の表層にニッケルを拡散させると共に、該拡散されたニッケルを酸化させて半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と、を備えたものである。 To achieve the above object, the invention of claim 1 is a surface treatment of an electronic component formed by processing a metal plate, and having a contact portion at one end and a terminal portion soldered and mounted on a circuit board at the other end. In the method, a noble metal plating layer is formed so that the contact portion and the terminal portion become a thick film on the surface layer of the metal plate subjected to the base plating treatment on the surface of the metal plate, and a thin film on the other portions. By uniformly heat-treating with the forming step, nickel is diffused selectively on the surface of the thin noble metal plating layer using the difference in plating film thickness , and the diffused nickel is oxidized to form a solder barrier. And a step of forming an oxide film.

この方法においては、接点部と半田付け端子部には厚い皮膜の貴金属めっき層が電着し、それ以外の部分には薄い貴金属めっき層が電着する。このような、貴金属めっき厚み差が存在するので、均一に熱処理を実施すると、表層の皮膜が薄い部分には下地ニッケル拡散による酸化膜が成膜するが、接点部と半田付け端子部は表層の皮膜が分厚いため、酸化膜が析出しない。これにより、接点部と半田付け端子部は半田濡れが良好であるが、それ以外の部位は半田バリアとなる。また、こうして熱酸化により生成した酸化膜は、腐食電流を絶縁するため、耐腐食性の抑制にも有効となる。   In this method, a thick noble metal plating layer is electrodeposited on the contact portion and the soldering terminal portion, and a thin noble metal plating layer is electrodeposited on the other portions. Since there is such a difference in the thickness of the noble metal plating, when heat treatment is carried out uniformly, an oxide film is formed by diffusion of the underlying nickel in the portion where the surface film is thin, but the contact part and the soldering terminal part are formed on the surface layer. Since the film is thick, no oxide film is deposited. As a result, the contact portion and the soldering terminal portion have good solder wetting, but other portions serve as solder barriers. In addition, the oxide film thus generated by thermal oxidation insulates the corrosion current, and is effective in suppressing corrosion resistance.

また、請求項2の発明は、前記の酸化膜成膜工程において、熱処理を施すことに代えて、化学酸化剤に接触させる処理を施すものである。この方法においても、前記と同等の作用が得られる。また、化学酸化剤により生成した酸化膜は、腐食電流を絶縁するため、耐腐食性の強化にも有効となる。 The invention of claim 2 is the oxide film forming step mentioned above, instead of applying a heat treatment, it performs a process of contacting the chemical oxidant. In this method, the same effect as described above can be obtained. In addition, since the oxide film generated by the chemical oxidant insulates the corrosion current, it is effective for enhancing the corrosion resistance.

また、請求項3の発明は、前記の下地ニッケルめっき処理工程において、ニッケルめっき粒子を小さくするニッケルめっき添加剤を含有した浴中でニッケルめっき処理するものである。この方法においても、前記と同等の作用が得られると共に、ニッケルめっきに添加する添加剤の種類を適正な種類を選択することで、その添加剤により析出するニッケルめっき粒子径のサイズが小さくなり、より表面にニッケルが拡散し易くなる。 Further, the invention of claim 3 is a nickel plating treatment in a bath containing a nickel plating additive for reducing nickel plating particles in the base nickel plating treatment step. Even in this method, the same effect as described above can be obtained, and by selecting an appropriate type of additive to be added to the nickel plating, the size of the nickel plating particle diameter precipitated by the additive is reduced. Nickel is more easily diffused on the surface.

また、請求項4の発明は、前記の酸化膜成膜工程における均一な熱処理としてプラズマ処理を用いるものである。この方法において、プラズマ処理により生成した酸化膜は、腐食電流を絶縁するため、耐腐食性の強化にも有効となる。   According to a fourth aspect of the present invention, plasma treatment is used as uniform heat treatment in the oxide film forming step. In this method, the oxide film generated by the plasma treatment insulates the corrosion current, and is effective for enhancing the corrosion resistance.

また、請求項5の発明は、前記の下地ニッケルめっき処理工程において、下地ニッケル層と、その表層に下地パラジウム−ニッケル層とを形成し、前記の酸化膜成膜工程において、下地パラジウム−ニッケル層のニッケルを前記の貴金属めっき層の表層に拡散及び酸化させることにより酸化膜を成膜するものである。この方法においては、下地にパラジウム合金層を使用していることより、より耐腐食性が強化される。 The invention of claim 5 is characterized in that in the base nickel plating treatment step, a base nickel layer and a base palladium-nickel layer are formed on the surface layer, and in the oxide film formation step, the base palladium-nickel layer is formed. An oxide film is formed by diffusing and oxidizing nickel in the surface layer of the noble metal plating layer . In this method, since the palladium alloy layer is used for the base, the corrosion resistance is further enhanced.

また、請求項6の発明は、前記の下地ニッケルめっき処理工程において、下地ニッケル−リン層を形成し、前記の酸化膜成膜工程において、下地ニッケル−リン層のニッケルを前記貴金属めっき層の表層に拡散及び酸化させることにより酸化膜を成膜するものである。この方法においては、下地ニッケル層へリンを導入し合金層としていることから、より耐腐食性が強化される。 According to a sixth aspect of the present invention, in the base nickel plating process, a base nickel-phosphorus layer is formed, and in the oxide film forming step, nickel in the base nickel-phosphorus layer is used as a surface layer of the noble metal plating layer. An oxide film is formed by diffusing and oxidizing . In this method, since phosphorus is introduced into the underlying nickel layer to form an alloy layer, the corrosion resistance is further enhanced.

また、請求項7の発明は、上記下地ニッケルめっき処理工程において、下地ニッケル−リン層の下地にニッケル層を形成しているものである。この方法においては、ニッケル−リン層は半田付け強度がニッケル層と比較すると劣るが、ニッケル−リン層下地にニッケルを配置することで、半田付け強度を確保し、また、ニッケル−リン合金層はそのめっき液の性質上、生産性を向上できないが、ニッケルめっき層を下地に厚くめっきすることで生産性を向上できる。   In a seventh aspect of the invention, a nickel layer is formed on the base of the base nickel-phosphorus layer in the base nickel plating treatment step. In this method, the nickel-phosphorus layer is inferior to the nickel layer in soldering strength, but by placing nickel on the nickel-phosphorus layer base, the soldering strength is secured, and the nickel-phosphorus alloy layer is Productivity cannot be improved due to the nature of the plating solution, but productivity can be improved by plating the nickel plating layer thickly on the base.

また、請求項8の発明は、前記の下地ニッケルめっき処理工程において、硫黄を含有しない下地ニッケル層を形成し、前記の酸化膜成膜工程において、硫黄を含有しない下地ニッケル層のニッケルを前記貴金属めっき層の表層に拡散及び酸化させることより酸化膜を成膜するものである。この方法においては、下地ニッケル層が硫黄を含有しないことより、より耐腐食性が強化される。 In the invention of claim 8, in the base nickel plating process, a base nickel layer not containing sulfur is formed, and in the oxide film forming step, nickel in the base nickel layer not containing sulfur is used as the noble metal. An oxide film is formed by diffusing and oxidizing the surface of the plating layer . In this method, since the underlying nickel layer does not contain sulfur, the corrosion resistance is further enhanced.

また、請求項9の発明は、前記の接点部が狭ピッチコネクタ用の接点であり、前記の端子部が回路基板にSMD実装可能に構成されているものである。この方法においては、SMD実装を行う狭ピッチコネクタの実装時に、半田バリア性確保と耐腐食性向上が得られる。 According to a ninth aspect of the present invention, the contact portion is a contact for a narrow pitch connector, and the terminal portion is configured to be SMD- mountable on a circuit board. In this method, it is possible to secure solder barrier properties and improve corrosion resistance when mounting a narrow pitch connector for SMD mounting.

また、請求項10の発明は、金属板を加工することにより形成され、一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と、下地めっき処理された金属板の表層に、接点部は略0.2μmの皮膜となり、それ以外の端子部を含む部分は膜厚0.05μm以下の皮膜となるように、それぞれ異なる電着条件で貴金属めっき層を形成する工程と、めっき皮膜厚み差を利用して選択的に膜厚0.05μm以下の貴金属めっき層の表層にニッケルを拡散させると共に、該ニッケルを酸化させて半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と、を備えたものである。この方法においては、例えば、接点部分は通常の貴金属めっき液にて厚膜めっきするが、端子部分は極薄貴金属めっき液にて極薄めっきを行うことで、端子部分での半田バリア作用を高めることができる。 According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a surface treatment method for an electronic component which is formed by processing a metal plate and has a contact portion at one end and a terminal portion soldered and mounted on a circuit board at the other end. And the surface layer of the metal plate subjected to the base plating treatment, the contact portion becomes a film having a thickness of about 0.2 μm, and the other portion including the terminal portion has a film thickness of 0.05 μm or less. As described above, the step of forming the noble metal plating layer under different electrodeposition conditions and the use of the difference in plating film thickness to selectively diffuse nickel into the surface layer of the noble metal plating layer having a thickness of 0.05 μm or less , and the nickel And an oxide film to be a solder barrier is formed. In this method, for example, the contact portion is thick-film plated with a normal noble metal plating solution, but the terminal portion is subjected to ultra-thin plating with an ultra-thin noble metal plating solution, thereby enhancing the solder barrier action at the terminal portion. be able to.

また、請求項11の発明は、金属板を加工することにより形成され、一端に接点部を、他端に回路基板に半田付けによりSMD実装される端子部を有する電子部品であって、金属板をニッケルめっき処理した下地めっき層と、前記下地めっき層の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように形成された貴金属めっき層と、前記薄い貴金属めっき層の表層にニッケルを拡散させると共に、該ニッケルを酸化させて成膜した半田バリアとなる酸化膜と、を備えたものである。この電子部品においては、請求項9と同様の作用が得られる。 The invention of claim 11 is an electronic component formed by processing a metal plate, and having a contact portion at one end and a terminal portion that is SMD-mounted by soldering to a circuit board at the other end, A nickel-plated base plating layer, a noble metal plating layer formed on the surface layer of the base plating layer so that the contact portion and the terminal portion are a thick film, and the other portions are thin films, and the thin noble metal An oxide film serving as a solder barrier formed by diffusing nickel into the surface layer of the plating layer and oxidizing the nickel to form a film is provided. In this electronic component, the same effect as in the ninth aspect can be obtained.

本発明によれば、均一な熱処理又は化学酸化処理を用いて、下地めっき皮膜成分を最表層に拡散させて酸化させることで、電子部品実装時の接点方向への半田吸い上がり防止、つまり半田バリア性が得られると共に、熱酸化により生成した酸化膜は腐食電流を絶縁することから、耐腐食性能の向上が確保できる。   According to the present invention, by using a uniform heat treatment or chemical oxidation treatment, the base plating film component is diffused to the outermost layer and oxidized, thereby preventing the solder from sucking up in the contact direction when mounting the electronic component, that is, the solder barrier. In addition, the oxide film generated by thermal oxidation insulates the corrosion current, so that the improvement of the corrosion resistance can be ensured.

以下、本発明の実施形態に係る接点と端子を有する電子部品及びその表面処理方法について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るコネクタ等の電子部品に用いられるコンタクトを示す。コンタクト1は、バネ性を有する例えば、銅等の帯状の金属板を所定形状に折り曲げて形成され、一端側に回路基板へ半田付けされる端子部2を有し、他端側に接点部3を有する。コンタクト1の表面には、全体的にニッケルめっきによる下地めっきが施されている。この下地めっきの上には、貴金属めっきとして、例えば金めっきが施された端子部2側の金めっき領域4、及び接点部3側の金めっき領域5と、金めっき領域4と5の間に形成した、溶融半田の拡散(半田上がり)を防止するための半田バリア部(後述する酸化膜の領域)6が形成されている。   Hereinafter, an electronic component having contacts and terminals according to an embodiment of the present invention and a surface treatment method thereof will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a contact used for an electronic component such as a connector according to the present embodiment. The contact 1 is formed by bending a band-shaped metal plate such as copper having a spring property into a predetermined shape, and has a terminal portion 2 soldered to a circuit board on one end side, and a contact portion 3 on the other end side. Have The surface of the contact 1 is entirely subjected to base plating by nickel plating. On the base plating, as noble metal plating, for example, a gold plating region 4 on the terminal portion 2 side subjected to gold plating, a gold plating region 5 on the contact portion 3 side, and between the gold plating regions 4 and 5 A solder barrier portion (an oxide film region to be described later) 6 for preventing the diffusion (solder rising) of the molten solder is formed.

図2は同コンタクト1が内装されたソケットを回路基板に実装した状態を示す。ソケット100は、絶縁性樹脂により枠体に形成されたソケットベース101と、このソケットベース101にインサートされた複数対のコンタクト1等で構成され、回路基板110に実装される。コンタクト1の端子部2は、ソケットベース101の下面よりも下側に突出されており、回路基板110上の配線パターンの表面に半田付けされる。これにより、ソケット100が回路基板110上に固定される。その際、端子部2の表面には、金めっきが施されているので、金と半田の濡れ性の高さにより、溶融された半田111が端子部2の表面と回路基板110上の配線パターンの表面との間に流れ込み、付着する。一方、端子部2の表面に付着した半田は、金めっき領域4の上を拡散するが、半田バリア部6の存在により、他の金めっき領域5までは拡散できない。その結果、接点部3に半田111が付着することはなくなる。なお、コネクタを構成する、ソケット100の相手側であるヘッダ(図示なし)についても同様の構成を有する。   FIG. 2 shows a state in which a socket in which the contact 1 is housed is mounted on a circuit board. The socket 100 includes a socket base 101 formed in a frame body with an insulating resin, a plurality of pairs of contacts 1 inserted into the socket base 101, and the like, and is mounted on the circuit board 110. The terminal portion 2 of the contact 1 protrudes below the lower surface of the socket base 101 and is soldered to the surface of the wiring pattern on the circuit board 110. Thereby, the socket 100 is fixed on the circuit board 110. At this time, since the surface of the terminal portion 2 is gold-plated, the melted solder 111 is formed on the surface of the terminal portion 2 and the wiring pattern on the circuit board 110 due to the high wettability of gold and solder. It flows in between and adheres to the surface. On the other hand, the solder adhering to the surface of the terminal portion 2 diffuses on the gold plating region 4 but cannot diffuse to the other gold plating region 5 due to the presence of the solder barrier portion 6. As a result, the solder 111 does not adhere to the contact portion 3. Note that a header (not shown) constituting the connector, which is the counterpart of the socket 100, has the same configuration.

図3(a)(b)(c)は、ソケットにインサートされる前の、多数のコンタクト1が配列された半加工品12を示す。コンタクト1は、例えば携帯機器用のコネクタに使用されるものでは、形状が極めて小さいので、帯状の金属板の側部を櫛歯状に成形し、その櫛歯状部分を所定形状に折り曲げ加工することにより、多数のコンタクト1が所定ピッチで配列される。そして、半加工品12をガイド孔20により位置決めしつつ搬送させ、ニッケル浴に浸漬させることにより、コンタクト1の表面全面にニッケルの下地めっき層が形成される。さらに半加工品12を搬送しながら、金めっき浴に浸漬させることにより、下地めっき層の上から全面に金めっき層が形成される。   FIGS. 3A, 3B and 3C show a semi-finished product 12 in which a large number of contacts 1 are arranged before being inserted into a socket. The contact 1 is, for example, used for a connector for a portable device and has a very small shape. Therefore, the side portion of the belt-shaped metal plate is formed in a comb shape and the comb portion is bent into a predetermined shape. Thus, a large number of contacts 1 are arranged at a predetermined pitch. Then, the semi-processed product 12 is conveyed while being positioned by the guide hole 20 and immersed in a nickel bath, whereby a nickel base plating layer is formed on the entire surface of the contact 1. Further, the gold plating layer is formed on the entire surface of the base plating layer by immersing it in the gold plating bath while conveying the semi-processed product 12.

このようにして、端子部2と接点部3を含むコンタクト1の表面に金めっき層が形成された後、端子部2と接点部3との間に、後述する各実施の形態による処理を施すことにより、所定の半田バリア部6(図1参照)が形成される。半田バリア部6は、配線パターンとの接合強度等を考慮すると、端子部2に近い箇所に設けることが好ましい。半田バリア部6を形成した後、半加工品12は、ソケットベース101(図2)にインサートされ、各コンタクト1が半加工品12から切り離され、ソケット100が完成される。その後、ソケット100が回路基板110の上に配置され、コンタクト1の端子部2が配線パターンに半田付けされることにより、ソケット100が回路基板110の上に実装される。   In this manner, after the gold plating layer is formed on the surface of the contact 1 including the terminal portion 2 and the contact portion 3, the processing according to each embodiment described later is performed between the terminal portion 2 and the contact portion 3. As a result, a predetermined solder barrier section 6 (see FIG. 1) is formed. The solder barrier portion 6 is preferably provided at a location close to the terminal portion 2 in consideration of the bonding strength with the wiring pattern and the like. After forming the solder barrier portion 6, the semi-processed product 12 is inserted into the socket base 101 (FIG. 2), and each contact 1 is cut off from the semi-processed product 12 to complete the socket 100. Thereafter, the socket 100 is disposed on the circuit board 110, and the terminal portion 2 of the contact 1 is soldered to the wiring pattern, whereby the socket 100 is mounted on the circuit board 110.

次に、コンタクト1の下地めっきと金めっき領域4,5、及び半田バリア部6の構成及び表面処理方法の各実施の形態について説明する。   Next, each embodiment of the configuration of the base plating and gold plating regions 4 and 5 of the contact 1 and the solder barrier section 6 and the surface treatment method will be described.

図4は、第1乃至第2実施形態の表面処理方法の工程手順を示す。本処理は、金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と(S1)、下地めっき処理された金属板の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように貴金属めっき層を形成する工程と(S2)、均一な熱処理又は化学酸化処理などを施すことにより、薄い貴金属めっき層の表層に下地ニッケル拡散による酸化膜を成膜する工程と(S3)、を備える。本処理は、めっき皮膜厚み差を利用して選択的酸化膜を成膜するものである。接点部と端子部の厚い皮膜の貴金属めっき層は金めっき領域4,5となり(貴金属として金を用いた場合)、それ以外の薄い皮膜の貴金属めっき層に成膜された酸化膜は、半田バリア部6となる。   FIG. 4 shows a process procedure of the surface treatment method according to the first or second embodiment. In this process, the step of plating the metal plate with the base nickel plating (S1), on the surface layer of the metal plate subjected to the base plating treatment, the contact portion and the terminal portion become a thick film, and the other portions become a thin film. A step of forming a noble metal plating layer (S2), and a step of forming an oxide film by diffusion of underlying nickel on the surface layer of the thin noble metal plating layer by performing uniform heat treatment or chemical oxidation treatment (S3). . In this process, a selective oxide film is formed using the difference in thickness of the plating film. The noble metal plating layer of the thick film of the contact part and the terminal part becomes the gold plating regions 4 and 5 (when gold is used as the noble metal), and the oxide film formed on the other noble metal plating layer is a solder barrier. It becomes part 6.

図5は、図4の表面処理が施された下地めっき層よりも表層側の構成を模式的に示す。aは下地ニッケルめっき、bは厚い金めっき、cは薄い金めっき、dは酸化膜である。以下の各実施形態では、上記説明した基本的な処理についての説明は省略し、特徴部分のみを挙げて説明する。   FIG. 5 schematically shows a configuration on the surface layer side of the base plating layer on which the surface treatment of FIG. 4 has been performed. a is a base nickel plating, b is a thick gold plating, c is a thin gold plating, and d is an oxide film. In the following embodiments, description of the basic processing described above will be omitted, and only the characteristic part will be described.

<第1実施形態>
この表面処理は、最表面貴金属めっき皮膜厚み差を利用して選択的酸化膜を成膜することを特徴とする。実装時の半田吸い上り防止及び貴金属経費削減効果を狙って、接点や半田付け端子部など最表層貴金属皮膜が必要な部分に主としてめっきを行う(以下、これを部分めっきという)。最表層貴金属皮膜は金めっきなどが挙げられる。部分めっきを実施する部品が微細な場合には、めっき狙い箇所からめっき液がにじむことがある。めっき液がにじんだ部分にも皮膜が電着されるため貴金属皮膜が成膜する。このため、接点及び半田付け端子部は皮膜が分厚く電着し、それ以外の部分は薄く電着する。このような、めっき厚みに濃淡差が存在する製品に対して、均一に熱処理等を実施すると、最表層皮膜が薄い部分には下地ニッケル拡散による酸化膜が成膜するが、接点及び半田付け端子部は最表層が分厚いため酸化膜が析出しない。このような酸化膜を設けることで、接点及び半田付け端子部は半田濡れが良好であるが、それ以外の部位は半田バリアとなる。そして、熱酸化により生成した酸化膜は、腐食電流を絶縁するため、耐腐食性の抑制にも有効となる。
<First Embodiment>
This surface treatment is characterized in that a selective oxide film is formed using a difference in thickness of the outermost noble metal plating film. In order to prevent the solder from sucking up during mounting and to reduce the cost of precious metals, plating is performed mainly on the parts where the outermost surface precious metal film is required, such as contacts and soldering terminals (hereinafter referred to as partial plating). Examples of the outermost noble metal film include gold plating. When a part to be subjected to partial plating is fine, the plating solution may bleed from a target portion for plating. Since the film is electrodeposited even on the portion where the plating solution is blotted, a noble metal film is formed. For this reason, the contact and soldering terminal portions are electrodeposited thickly, and the other portions are electrodeposited thinly. When heat treatment or the like is uniformly applied to a product with such a difference in thickness in the plating thickness, an oxide film is formed by diffusion of the underlying nickel in the portion where the outermost layer film is thin. Since the outermost layer is thick, the oxide film is not deposited. By providing such an oxide film, the contact point and the soldering terminal portion have good solder wettability, but other portions serve as solder barriers. And since the oxide film produced | generated by thermal oxidation insulates a corrosion current, it becomes effective also in suppression of corrosion resistance.

<第2実施形態>
この表面処理は、最表面貴金属めっき皮膜が薄い部分へ、化学酸化剤を利用し酸化膜を成膜することを特徴とする。めっき厚みに濃淡差が存在する製品に対して均一に化学酸化処理等を実施すると、最表層皮膜が薄い部分には下地ニッケル拡散による酸化膜が成膜するが、接点及び半田付け端子部は最表層が分厚いため酸化膜が析出しない。この酸化膜は、例えば、次の化学酸化剤を利用し成膜可能である。化学酸化剤の一例:硝酸、次亜塩素酸等、温度:室温以上、攪拌を行うとより効果的である。
Second Embodiment
This surface treatment is characterized in that an oxide film is formed on a thin part of the outermost noble metal plating film using a chemical oxidizing agent. If a product with a difference in density in the plating thickness is uniformly subjected to chemical oxidation treatment, etc., an oxide film is formed by diffusion of the underlying nickel in the portion where the outermost layer film is thin. Since the surface layer is thick, no oxide film is deposited. This oxide film can be formed using, for example, the following chemical oxidant. An example of a chemical oxidant: nitric acid, hypochlorous acid, etc. Temperature: above room temperature, stirring is more effective.

<第3実施形態>
この表面処理は、めっき皮膜が酸化され易いように、ニッケルめっきを改質することを特徴とする。酸化膜は、汎用的に利用するワット浴ニッケルめっきやスルファミン酸ニッケルでも得られるが、ニッケルめっきに添加する添加剤の種類を最適な種類を選択することで、酸化され易いニッケルめっきとすることができる。この添加剤により析出するニッケルめっき粒子径のサイズが小さくなり、より表面に拡散し易くなると考えられる。
<Third Embodiment>
This surface treatment is characterized by modifying the nickel plating so that the plating film is easily oxidized. Oxide films can be obtained with commonly used Watt bath nickel plating and nickel sulfamate, but by selecting the most appropriate type of additive to be added to the nickel plating, the nickel film can be easily oxidized. it can. It is considered that the size of the nickel plating particle diameter precipitated by this additive is reduced and more easily diffused to the surface.

<第4実施形態>
この表面処理は、最表面貴金属めっき皮膜が薄い部分へ、プラズマ処理を利用し酸化膜を成膜することを特徴とする。プラズマ処理により生成した酸化膜は、腐食電流を絶縁するため耐腐食性の強化にも有効となる。また、貴金属めっき皮膜を極薄皮膜とし、そこに酸化膜を成膜するものとしてもよい。貴金属経費削減効果を狙って、ニッケルめっき上の最表面貴金属めっき層を極薄にすることがある。このような、極薄貴金属めっきへ熱加工処理等を実施すると、下地ニッケル拡散による酸化膜が成膜する。その一例を挙げる。酸化源:ハロゲランプ・高周波加熱・プラズマ処理などによる熱処理等。
<Fourth embodiment>
This surface treatment is characterized in that an oxide film is formed by plasma treatment on a portion where the outermost noble metal plating film is thin. Since the oxide film generated by the plasma treatment insulates the corrosion current, it is effective for enhancing the corrosion resistance. Alternatively, the noble metal plating film may be an extremely thin film, and an oxide film may be formed thereon. The outermost noble metal plating layer on the nickel plating may be made extremely thin in order to reduce the precious metal cost. When thermal processing or the like is performed on such an extremely thin noble metal plating, an oxide film is formed by diffusion of the underlying nickel. An example is given below. Oxidation source: Heat treatment by halogen lamp, high frequency heating, plasma treatment, etc.

<第5実施形態>
この表面処理は、貴金属めっき皮膜にある下地パラジウム−ニッケル層を拡散酸化処理することにより、貴金属皮膜上に酸化膜を成膜し、半田バリア効果及び耐腐食性強化を実現することを特徴とし、狭ピッチコネクタに適用した。下地にパラジウム合金層を使用していることより、より耐腐食性が強化される。
<Fifth Embodiment>
This surface treatment is characterized in that an oxide film is formed on the noble metal film by diffusion oxidation treatment of the base palladium-nickel layer on the noble metal plating film, thereby realizing a solder barrier effect and enhanced corrosion resistance. Applied to narrow pitch connectors. Since the palladium alloy layer is used for the base, the corrosion resistance is further enhanced.

<第6実施形態>
この表面処理は、貴金属めっき皮膜にある下地ニッケル−リン層を拡散酸化処理することにより、貴金属皮膜上に酸化膜を成膜し、半田バリア効果及び耐腐食性強化を実現することを特徴とし、狭ピッチコネクタに適用した。下地ニッケル層へリンを導入し合金層としていることから、より耐腐食性が強化される。
<Sixth Embodiment>
This surface treatment is characterized by forming an oxide film on the noble metal film by diffusion oxidation treatment of the base nickel-phosphorus layer in the noble metal plating film, realizing a solder barrier effect and enhanced corrosion resistance, Applied to narrow pitch connectors. Since phosphorus is introduced into the underlying nickel layer to form an alloy layer, the corrosion resistance is further enhanced.

<第7実施形態>
この表面処理は、上記実施形態に、さらに、ニッケル−リン層の下地にニッケル層を設け、半田付け強度及び生産性向上を図ったもので、狭ピッチコネクタに適用した。ニッケル−リン層は半田付け強度がニッケル層と比較すると劣るが、ニッケル−リン層下地にニッケルを配置することで、半田付け強度を確保し、またニッケル−リン合金層はそのめっき液の性質上、生産性を向上できないが、ニッケルめっき層を下地に厚くめっきすることで生産性も向上する。
<Seventh embodiment>
This surface treatment is applied to a narrow pitch connector in the above embodiment, in which a nickel layer is further provided on the base of the nickel-phosphorus layer to improve soldering strength and productivity. The nickel-phosphorous layer is inferior to the nickel layer in soldering strength. However, the nickel-phosphorous layer has nickel on the base to ensure the soldering strength. Although productivity cannot be improved, productivity can also be improved by thickly plating the nickel plating layer on the base.

<第8実施形態>
この表面処理は、貴金属めっき皮膜にある硫黄を含有しない下地ニッケル層を拡散酸化処理することにより、貴金属皮膜上に酸化膜を成膜し、半田バリア効果及び耐腐食性強化を実現することを特徴とし、狭ピッチコネクタに適用した。下地ニッケル層が硫黄を含有しないことより、より耐腐食性が強化される。
<Eighth Embodiment>
This surface treatment is characterized by the fact that an oxide film is formed on the noble metal film by diffusion oxidation treatment of the base nickel layer that does not contain sulfur in the noble metal plating film, thereby realizing a solder barrier effect and enhanced corrosion resistance. And applied to narrow pitch connectors. Since the underlying nickel layer does not contain sulfur, the corrosion resistance is further enhanced.

<第9実施形態>
この表面処理は、貴金属めっき皮膜にある下地ニッケルを拡散酸化処理することにより、貴金属皮膜上に酸化膜を成膜し、半田バリア効果及び耐腐食性強化を実現することを特徴とし、表面実装(SMD実装)の狭ピッチコネクタに適用した。SMD実装を行う狭ピッチコネクタの実装時、半田バリア性確保と耐腐食性向上が図れる。なお、上記各実施形態においても、SMD実装を基本とするが、それに限られるものではない。
<Ninth Embodiment>
This surface treatment is characterized by the fact that the base nickel on the precious metal plating film is diffused and oxidized to form an oxide film on the precious metal film, realizing a solder barrier effect and enhanced corrosion resistance. This was applied to a narrow pitch connector of SMD mounting. When mounting a narrow pitch connector for SMD mounting, it is possible to secure solder barrier properties and improve corrosion resistance. In each of the above embodiments, SMD mounting is basically used, but is not limited thereto.

<第10実施形態>
この表面処理は、コネクタ端子及び接点を、電着条件を変えて処理することで、半田バリア部に金めっきが滲まないことを特徴とする。滲んだ金めっき厚みでも、実装時には半田が這い上がり、半田バリアとはならない。そこで、例えば、接点部分は通常の厚付け金めっき液にて処理するが、端子部分は極薄金めっき液にて極薄めっきを行う。通常の厚付け金めっき:0.2μm程度、極薄金めっき:0.05μm以下とする。これにより、半田バリア部分に金めっきが滲み付着しないため、金剥離処理や熱加工などの処理が不要となる。電着条件を変える他の方法としては、接点と端子部の電流密度を高くし、半田バリア部の電流密度を極小にする方法がある。
<Tenth Embodiment>
This surface treatment is characterized in that gold plating does not spread on the solder barrier portion by treating the connector terminals and the contacts under different electrodeposition conditions. Even with a thick gold plating thickness, the solder crawls up and does not become a solder barrier. Therefore, for example, the contact portion is treated with a normal thick gold plating solution, but the terminal portion is subjected to ultra thin plating with an ultra thin gold plating solution. Normal thick gold plating: about 0.2 μm , ultrathin gold plating: 0.05 μm or less. Thereby, since gold plating does not spread and adhere to the solder barrier portion, processing such as gold peeling processing or thermal processing becomes unnecessary. As another method of changing the electrodeposition conditions, there is a method of increasing the current density of the contact and the terminal portion and minimizing the current density of the solder barrier portion.

以下に、具体的な実施例を示す。
実施例1:貴金属系皮膜/ニッケル系/銅系素材又は最表層貴金属めっきA/貴金属めっきB/ニッケル系金属/銅系素材で構成される部品へ熱照射すると、実装時の半田吸い上り防止(=半田バリア性)および耐腐食性能が向上した。その加工条件を示す。
(熱加工条件)
熱源:近赤外線ヒーター利用(ハイベック社製:HYL−2520)、照射条件:部品までのワークデイスタンス24mm、ランプ:200V,2500W、出力:12.1A、スポット径:2mm、ワーク温度:400℃〜800℃
(サンプルワーク条件)
サンプルA:Au(0.06−0.3μm)/Ni(1.5μm)/Cu(0.1mm)、サンプルB:Au(0.06−0.3μm)/Pd−Ni(8:2,0.3μm)/Ni(1.5μm)/Cu(0.1mm)、
(実験結果)
サンプルA及びBについての結果を、下表に示す。この実験結果からは、熱加工ピーク温度が約700℃のところで最適結果が得られた。

Figure 0004363261
Specific examples are shown below.
Example 1: Prevention of solder uptake during mounting when heat is applied to a part composed of a noble metal-based film / nickel-based / copper-based material or outermost layer noble metal plating A / noble metal plating B / nickel-based metal / copper-based material ( = Solder barrier properties) and corrosion resistance improved. The processing conditions are shown.
(Thermal processing conditions)
Heat source: Near infrared heater use (Hybeck: HYL-2520), Irradiation conditions: Work distance to parts: 24 mm, Lamp: 200 V, 2500 W, Output: 12.1 A, Spot diameter: 2 mm, Work temperature: 400 ° C. 800 ° C
(Sample work conditions)
Sample A: Au (0.06-0.3 μm ) / Ni (1.5 μm ) / Cu (0.1 mm), Sample B: Au (0.06-0.3 μm ) / Pd− Ni (8: 2, 0.3 μm ) / Ni (1.5 μm ) / Cu (0.1 mm),
(Experimental result)
The results for samples A and B are shown in the table below. From this experimental result, the optimum result was obtained when the peak temperature of thermal processing was about 700 ° C.
Figure 0004363261

なお、上記実験において、ピーク温度:260度、半田:Sn−Ag2.0−Cu0.5、窒素リフロー CASS試験 塩水噴霧試験 5wt%−塩化ナトリウム溶液 亜硫酸ガス 10ppm濃度、40℃、95%RHとした。   In the above experiment, peak temperature: 260 degrees, solder: Sn-Ag2.0-Cu0.5, nitrogen reflow CASS test, salt spray test, 5 wt% -sodium chloride solution, sulfurous acid gas, 10 ppm concentration, 40 ° C., 95% RH. .

本発明の実施形態に係るコネクタ等の電子部品に用いられるコンタクトの斜視図。The perspective view of the contact used for electronic parts, such as a connector concerning the embodiment of the present invention. 同コンタクトが内装されたソケットを回路基板に実装した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which mounted the socket by which the contact was equipped internally on the circuit board. (a)(b)(c)は、ソケットにインサートされる前の多数のコンタクトが配列された半加工品を示す側面図、正面図、側面図。(A) (b) (c) is a side view, a front view, and a side view showing a semi-processed product in which a large number of contacts before being inserted into a socket are arranged. 第1乃至第2実施形態の表面処理方法の工程手順を示す図。The figure which shows the process sequence of the surface treatment method of 1st thru | or 2nd embodiment. 表面処理が施された下地めっき層よりも表層側の構成を模式的に示す図。The figure which shows typically the structure of the surface layer side rather than the base plating layer to which surface treatment was given.

符号の説明Explanation of symbols

1 コンタクト(金属板を含む)
2 端子部
3 接点部
4 金めっき領域(貴金属層)
5 金めっき領域(貴金属層)
6 半田バリア部(酸化膜)
1 Contact (including metal plate)
2 Terminal part 3 Contact part 4 Gold plating area (noble metal layer)
5 Gold plating area (precious metal layer)
6 Solder barrier (oxide film)

Claims (11)

金属板を加工することにより形成され、一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、
金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と、
下地めっき処理された金属板の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように貴金属めっき層を形成する工程と、
均一に熱処理を施すことにより、めっき皮膜厚み差を利用して選択的に薄い貴金属めっき層の表層にニッケルを拡散させると共に、該拡散されたニッケルを酸化させて半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とする電子部品の表面処理方法。
In a surface treatment method of an electronic component formed by processing a metal plate, having a contact portion at one end and a terminal portion soldered and mounted on a circuit board at the other end,
A step of nickel plating the metal plate,
A step of forming a noble metal plating layer on the surface layer of the metal plate subjected to the base plating treatment so that the contact portion and the terminal portion become a thick film and the other portions become a thin film;
By uniformly heat-treating, nickel is diffused selectively on the surface of the thin noble metal plating layer using the plating film thickness difference , and the diffused nickel is oxidized to form an oxide film serving as a solder barrier. And a process of
A surface treatment method for an electronic component, comprising:
前記酸化膜成膜工程において、熱処理を施すことに代えて、化学酸化剤に接触させる処理を施すことを特徴とする請求項1記載の電子部品の表面処理方法。 Wherein the oxide film forming step, instead of heat treatment, surface treatment method for an electronic component according to claim 1, wherein the performing processing of contacting the chemical oxidant. 前記下地ニッケルめっき処理工程において、ニッケルめっき粒子を小さくするニッケルめっき添加剤を含有した浴中でニッケルめっき処理することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子部品の表面処理方法。 3. The surface treatment method for an electronic component according to claim 1, wherein in the base nickel plating treatment step, the nickel plating treatment is performed in a bath containing a nickel plating additive that reduces nickel plating particles . 4. 前記酸化膜成膜工程における均一な熱処理としてプラズマ処理を用いることを特徴とする請求項1記載の電子部品の表面処理方法。   2. The surface treatment method for an electronic component according to claim 1, wherein a plasma treatment is used as the uniform heat treatment in the oxide film forming step. 前記下地ニッケルめっき処理工程において、下地ニッケル層と、その表層に下地パラジウム−ニッケル層とを形成し、
前記酸化膜成膜工程において、下地パラジウム−ニッケル層のニッケルを前記貴金属めっき層の表層に拡散及び酸化させることにより酸化膜を成膜することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子部品の表面処理方法。
In the base nickel plating treatment step, a base nickel layer and a base palladium-nickel layer on the surface layer are formed,
The oxide film is formed by diffusing and oxidizing nickel in a base palladium-nickel layer in a surface layer of the noble metal plating layer in the oxide film forming step. Electronic component surface treatment method.
前記下地ニッケルめっき処理工程において、下地ニッケル−リン層を形成し、
前記酸化膜成膜工程において、下地ニッケル−リン層のニッケルを前記貴金属めっき層の表層に拡散及び酸化させることにより酸化膜を成膜することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子部品の表面処理方法。
In the base nickel plating treatment step, a base nickel-phosphorus layer is formed,
The oxide film is formed by diffusing and oxidizing nickel in a base nickel-phosphorus layer in a surface layer of the noble metal plating layer in the oxide film forming step. Electronic component surface treatment method.
前記下地ニッケルめっき処理工程において、下地ニッケル−リン層の下地にニッケル層を形成していることを特徴とする請求項6記載の電子部品の表面処理方法。   7. The surface treatment method for an electronic component according to claim 6, wherein a nickel layer is formed on a base of the base nickel-phosphorus layer in the base nickel plating process. 前記下地ニッケルめっき処理工程において、硫黄を含有しない下地ニッケル層を形成し、
前記酸化膜成膜工程において、硫黄を含有しない下地ニッケル層のニッケルを前記貴金属めっき層の表層に拡散及び酸化させることにより酸化膜を成膜することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子部品の表面処理方法。
In the base nickel plating treatment step, a base nickel layer not containing sulfur is formed,
3. The oxide film is formed by diffusing and oxidizing nickel of a base nickel layer not containing sulfur in a surface layer of the noble metal plating layer in the oxide film forming step. The surface treatment method of the electronic component of description.
前記接点部が狭ピッチコネクタ用の接点であり、前記端子部が回路基板にSMD実装可能に構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子部品の表面処理方法。 Wherein a contact of the contact portions for a narrow pitch connector, a surface treatment method for an electronic component according to claim 1 or claim 2 wherein the terminal portion is characterized in that it is configured to be SMD mounted on the circuit board. 金属板を加工することにより形成され、一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、
金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と、
下地めっき処理された金属板の表層に、接点部は略0.2μmの皮膜となり、それ以外の端子部を含む部分は膜厚0.05μm以下の皮膜となるように、それぞれ異なる電着条件で貴金属めっき層を形成する工程と、
めっき皮膜厚み差を利用して選択的に膜厚0.05μm以下の貴金属めっき層の表層にニッケルを拡散させると共に、該ニッケルを酸化させて半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とする電子部品の表面処理方法。
In a surface treatment method of an electronic component formed by processing a metal plate, having a contact portion at one end and a terminal portion soldered and mounted on a circuit board at the other end,
A step of nickel plating the metal plate,
Under different electrodeposition conditions, the surface of the metal plate subjected to the base plating treatment has a film with a contact portion of approximately 0.2 μm, and the other portion including the terminal portion has a film thickness of 0.05 μm or less. Forming a noble metal plating layer;
A step of selectively diffusing nickel into a surface layer of a noble metal plating layer having a thickness of 0.05 μm or less using a difference in thickness of the plating film and oxidizing the nickel to form an oxide film serving as a solder barrier;
A surface treatment method for an electronic component, comprising:
金属板を加工することにより形成され、一端に接点部を、他端に回路基板に半田付けによりSMD実装される端子部を有する電子部品であって、
金属板をニッケルめっき処理した下地めっき層と、
前記下地めっき層の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように形成された貴金属めっき層と、
前記薄い貴金属めっき層の表層にニッケルを拡散させると共に、該ニッケルを酸化させて成膜した半田バリアとなる酸化膜と、
を備えたことを特徴とする電子部品。
An electronic component formed by processing a metal plate, having a contact portion at one end and a terminal portion that is SMD-mounted by soldering to a circuit board at the other end,
A base plating layer obtained by nickel-plating a metal plate;
On the surface layer of the base plating layer, the noble metal plating layer formed so that the contact part and the terminal part become a thick film, and the other part becomes a thin film,
An oxide film serving as a solder barrier formed by diffusing nickel into the surface layer of the thin noble metal plating layer and oxidizing the nickel; and
An electronic component characterized by comprising:
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