JP4362949B2 - Semiconductor pressure sensor device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力を検出するための半導体圧力センサチップを樹脂パッケージにマウントして構成される半導体圧力センサ装置に関するものである。なお、本発明の半導体圧力センサ装置は、例えば、自動車用エンジンの吸気負圧を測定するためのセンサ装置、或いは自動車の煤煙用フィルタの詰まり具合を検出すべく該フィルタ前後の圧力差を検出するためのセンサ装置として用いられる。
【0002】
【従来の技術】
この種の従来技術として、特開平11−304619号公報の半導体圧力センサ装置が知られている。同公報の装置では、樹脂パッケージに凹部が形成され、その凹部内に半導体圧力センサチップがマウントされる。また、樹脂パッケージには導体部がインサート成形され、その導体部がボンディングワイヤを介して半導体圧力センサチップに電気的に接続される。そしてその状態で、導体部及びその周辺部は、電気的な絶縁性を有し且つヤング率が比較的高いもの(樹脂材料或いはゴム材料)として構成された第1の保護部材によって覆われる。また、第1の保護部材は、半導体圧力センサチップのセンシング部を露出させた状態で設けられ、これらセンシング部及び第1の保護部材は、電気的な絶縁性を有し且つヤング率が比較的低いもの(ゲル状物質)として構成された第2の保護部材によって覆われる。
【0003】
かかる場合、第1及び第2の保護部材から成る2層構造により、樹脂パッケージと導体部との間に生ずる空隙や導体部周囲の界面部分などに空気が閉じ込められた状態となる場合にも、その部分を覆う第1の保護部材が高ヤング率の材料から構成されるために、圧力検出時において上記空隙や界面部分などから気泡が発生する事態が抑制できる。これにより、半導体圧力センサ装置の動作信頼性を向上させるようにしていた。
【0004】
また、上記センサ装置では、低ヤング率のゲル状物質により半導体圧力センサのセンシング部分を覆うことで、外部からの水、オイル、煤等に対し半導体圧力センサが影響を受けにくい構造となっていた。
【0005】
しかしながら、上記の半導体圧力センサ装置を自動車に搭載することを考えると、その使用環境が過酷になるため、以下のような問題が生ずる。例えば、上記のセンサ装置を吸気負圧測定用の圧力センサとして用いる場合、EGR等により多量な水や煤等が吸気管に導入されるため、その水や煤等がセンシング部分のゲル状物質に完全に覆い被さると、正常な圧力を検出することができなくなる。
【0006】
また一方で、経済性の観点から保護部材の必要量を考えると、凹部の容積は小さい方が望ましく、上記の従来構成では、導体部やボンディングワイヤなどでの気泡発生を抑制するのに十分なだけの領域で凹部の開口面積を決めていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題に着目してなされたものであって、その目的とするところは、経済性を考慮しつつ、汚れに対する耐量を向上させてひいては圧力を正しく検出することができる半導体圧力センサ装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の半導体圧力センサ装置では、樹脂パッケージの第1の凹部には半導体圧力センサチップが配設され、該センサチップは、圧力を検出してその検出値に応じたレベルの電気信号を発生する。また、樹脂パッケージの第1の凹部には、第1の凹部が設けられた面とは反対側の面に設けられた第2の凹部と同第1の凹部とを連通する貫通孔を塞ぐように半導体圧力センサチップをマウントした状態で、当該第1及び第2の凹部内に電気的な絶縁性を有する保護部材が設けられ、それにより半導体圧力センサチップが保護される。
【0009】
特に本発明では、第1の凹部の底部の貫通孔の周囲にある開口面積が比較的小さい狭開口部には、半導体チップのセンシング部を露出させた状態で、電気的な絶縁性を有し且つヤング率の高い第1の保護部材が設けられると共に、その狭開口部よりも入り口側に設けられた開口面積が比較的大きい広開口部には、半導体圧力センサチップのセンシング部及び第1の保護部材を覆うようにして、電気的な絶縁性を有し且つヤング率の低い第2の保護部材が設けられており、狭開口部を設けたことにより第1の保護部材の充填量を必要最小限とする経済的な効果が得られ、広開口部を設けたことにより本センサ装置の汚れ耐量が向上するといった機能的な効果が得られる。すなわち、第1の凹部の入り口付近を拡げたことにより、第2の保護部材の表面に多量な水、煤等が付着したとしてもその水や煤等が保護部材表面で分散され、センシング部近辺の保護部材を完全に覆い塞ぐことが防止される。故に、圧力検出値への悪影響が解消される。その結果、本発明の半導体圧力センサ装置では、経済性を考慮しつつ、汚れに対する耐量を向上させてひいては圧力を正しく検出することができるようになる。
また、第1及び第2の保護部材から成る2層構造により、樹脂パッケージと当該半導体圧力センサ装置を構成する部材との間に生ずる空隙や界面部分などに空気が閉じ込められた状態となる場合にも、圧力検出時に上記空隙や界面部分などから気泡が発生する事態が抑制できる。これにより、半導体圧力センサ装置の動作信頼性が向上する。
しかも、上記構成では、第2の凹部の底部には低ヤング率のゲル状物質にて構成された保護部材が、且つ、第2の凹部の開口側には高ヤング率の樹脂材料或いはゴム材料にて構成された保護部材がそれぞれ設けられており、貫通孔には上記低ヤング率のゲル状物質にて構成された保護部材が充填されている。すなわち、貫通孔とその出口付近に配設される保護部材は低ヤング率のゲル状物質にて構成されており、高ヤング率の物質を用いる場合に比べて温度変化による貫通孔内での体積膨張収縮の影響が軽減される。よって、体積膨張収縮により半導体圧力センサチップが変位して正常な圧力検出値が得られなくなるといった不都合が解消されるようになる。
【0010】
第1の凹部の構造としては、次の請求項2又は3の如く構成すると良い。つまり、請求項2に記載の発明では、第1の凹部の狭開口部及び広開口部が階段状に設けられ、請求項3に記載の発明では、第1の凹部の狭開口部及び広開口部がテーパ状に連続的に設けられる。
【0011】
経済性の観点から保護部材の必要量を規定するには、請求項4に記載したように、導体部上のボンディングパッド部を最小限含む領域で前記第1の凹部の狭開口部を設けるようにすると良い。またこの場合、その狭開口部を拡げて広開口部を設けると良い。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、半導体圧力センサ装置を、自動車におけるエンジン吸気負圧測定用の圧力センサ装置に適用した比較例について図面を参照しながら説明する。図1には、半導体圧力センサ装置を要部で切断した状態の縦断面図を示し、図2には、同センサ装置の概略的な平面図を示す。
【0014】
これら図1及び図2において、樹脂パッケージ1は、例えばフィラーが充填されたエポキシ樹脂より成るものであり、その上面には受圧面側(図の上側)に開口する凹部3が形成されている。そして、この凹部3に、後述する半導体圧力センサチップ2がマウントされている。樹脂パッケージ1には、銅などの導電材料より成る複数本のインサートピン4(本発明でいう導体部に相当)がインサート成形により一体的に設けられており、それらインサートピン4のうち所定の4本は、凹部3の底面における四隅部に露出した状態で配置されている。この場合、インサートピン4の各露出部分に金メッキが施されることにより、ボンディングパッド4a(図2参照)として機能するように構成されている。
【0015】
半導体圧力センサチップ(以下、センサチップと略称する)2は、ピエゾ抵抗効果を利用した周知構成のものであり、負圧を検出してその検出値に応じたレベルの電気信号を発生する。また、該センサチップ2は、その上面にセンシング部としてのダイヤフラム2a及び図示しない拡散抵抗などを備えた構成となっており、凹部3の底面に例えばフロロシリコーン系の接着剤5を介してダイボンディングされると共に、インサートピン4のボンディングパッド4aに対しボンディングワイヤ6を介して電気的に接続されている。
【0016】
凹部3には、その底部付近において開口面積が比較的小さい狭開口部7が設けられると共に、その狭開口部7よりも入り口側において開口面積が比較的大きい広開口部8が設けられ、その凹部3内には、センサチップ2及びボンディングワイヤ6等の保護、電気的な絶縁性の確保、並びに防食などを図るための絶縁材料製の第1の保護部材9及び第2の保護部材10が二層に充填されている。なおここで、狭開口部7は、インサートピン4上のボンディングパッド4aを最小限含む領域で設けられ、その狭開口部7を拡げるようにして広開口部8が設けられる。
【0017】
より具体的には、狭開口部7と広開口部8とは階段状に2段に設けられ、狭開口部7内に第1の保護部材9が配設され、広開口部8内に第2の保護部材10が配設されている。
【0018】
第1及び第2の保護部材9,10のうち、下層側に配置された第1の保護部材9は、比較的高いヤング率(例えば0.1MPa以上、望ましくは0.3MPa以上、この場合は比較的硬いため針入度測定は困難)のフッ素系或いはフロロシリコーン系の樹脂材料若しくはゴム材料により構成されたものであり、センサチップ2のダイヤフラム2aを露出させた状態で、インサートピン4の凹部3内での露出部分(ボンディングパッド4a部分)及びその周辺部、並びにセンサチップ2の下半部(樹脂パッケージ1に対するマウント部分である接着剤5も含む)を共に覆うように設けられている。
【0019】
また、上層側に配置された第2の保護部材10は、比較的低いヤング率(例えば針入度10以上、望ましくは針入度40以上、この場合は柔らかいため正確なヤング率の測定は困難)のフッ素系或いはフロロシリコーン系のゲル状物質により構成されたものであり、第1の保護部材9並びにセンサチップ2の上半部(ダイヤフラム2aを含む)をボンディングワイヤ6のセンサチップ接続部分と共に覆うように設けられている。なおこの場合、センシング部であるダイヤフラム2aはゲル状物質より成る第2の保護部材10により覆われた状態となっているため、センサチップ2によるセンシング機能が損なわれることはない。
【0020】
因みに、上記半導体圧力センサ装置ではその製造工程において、樹脂パッケージ1の凹部3にセンサチップ2が接着固定された状態で、ボンディングワイヤ6がセンサチップ2及びボンディングパッド4aに接合され、その後、真空雰囲気で凹部3(狭開口部7と広開口部8)内に第1及び第2の保護部材9,10が充填されるようになっている。
【0021】
上記構成の半導体圧力センサ装置は、図示しないハウジングにより収納された状態で、その凹部3が自動車におけるエンジン吸気路と連通するように配置され、これによりセンサチップ2にて負圧が検出される。樹脂パッケージ1内には、センサチップ2の出力信号を増幅するための増幅回路11及びその増幅率などの回路定数を調節するためのトリミング回路12が設けられており、センサチップ2及び増幅回路11間は図示しないリードフレームなどによって互いに接続されている。
【0022】
以上詳述した比較例によれば、以下に示す効果が得られる。
樹脂パッケージ1の凹部3において、狭開口部7を設けたことにより第1の保護部材9の体積(充填量)を必要最小限とする経済的な効果が得られ、広開口部8を設けたことにより本センサ装置の汚れ耐量が向上するといった機能的な効果が得られる。すなわち、凹部3の入り口付近を拡げたことにより、第2の保護部材10の表面に多量な水、煤等が付着したとしてもその水や煤等が保護部材10表面で分散され、センシング部近辺の第2の保護部材10を完全に覆い塞ぐことが防止される。故に、圧力検出値への悪影響が解消される。その結果、経済性を考慮しつつ、汚れに対する耐量を向上させてひいては負圧を正しく検出することができる半導体圧力センサ装置が実現できる。
【0023】
因みに、広開口部8の開口面積と本センサ装置の汚れ耐量とはほぼ比例関係にあり、広開口部8の開口面積を大きくするほどセンサ装置の汚れ耐量が向上する。この場合、設計上実現したい汚れ耐量に基づいて、広開口部8の開口面積を決定するようにしても良い。
【0024】
各々ヤング率が異なる第1及び第2の保護部材9,10にて2層構造としたことにより、樹脂パッケージ1とインサートピン4との間に生ずる空隙(一般的にインサート成型後の樹脂収縮に起因して発生する)や、ボンディングパッド4a周囲の界面部分などに空気が閉じ込められた状態となる場合にも、センサチップ2による負圧検出時において上記空隙や界面部分などから気泡が発生する事態が抑制できる。また、接着剤5から気泡が発生する事態も未然に防止できる。これにより、気泡の発生に起因して第1及び第2の保護部材9,10による絶縁保護性能が低下したり、気泡によりボンディングワイヤ6が断線したりするおそれがなくなり、以て半導体圧力センサ装置の動作信頼性が向上する。
【0025】
更に、第1及び第2の保護部材9,10が共に、ガソリンや軽油などに対し耐性がある材料のフッ素系或いはフロロシリコーン系の材料により構成されるので、本実施の形態のエンジン吸気負圧測定用の圧力センサ装置のように、ガソリン或いは軽油雰囲気などに晒される状況下にある場合であっても問題なく使用できるようになる。
【0026】
(実施の形態)
本発明は、車載煤煙用フィルタに付加される差圧センサへの応用が有用であり、本実施の形態ではその概要を説明する。ここで、煤煙用フィルタとは、煤煙排出量の多いディーゼル自動車の排気系に設けられ、排ガス中に含まれるパティキュレート(黒煙微粒子)等を除去するものである。また、差圧センサは、煤煙用フィルタの前後の差圧を検出し、それにより当該フィルタの詰まり具合(捕集具合)をモニタするものである。
【0027】
図3には、差圧センサの構成の概要を示す。図3において、樹脂パッケージ21には、図中上下一対のカバー22,23が組み付けられ、それにより、上下一対の排ガス室24,25が形成されている。一方(図の上側)の排ガス室24には連通路26を介して煤煙用フィルタ通過後の排ガスが導入され、他方(図の下側)の排ガス室25には連通路27を介して煤煙用フィルタ通過前の排ガスが導入されるようになっている。
【0028】
また、樹脂パッケージ21には、図の上側の排ガス室24側に開口する凹部(便宜上、これを上側凹部という)28と、図の下側の排ガス室25側に開口する凹部(便宜上、これを下側凹部という)29とが形成されており、これら凹部28,29は貫通孔30を介して連通されている。上側凹部28には、貫通孔30を塞ぐような状態で半導体圧力センサチップ(センサチップ)31がマウントされ、接着剤等により固定されている。また、センサチップ31は、ボンディングワイヤ32を介してインサートピン33に電気的に接続されている。
【0029】
上側凹部28には、その底部付近において開口面積が比較的小さい狭開口部34が設けられると共に、入り口付近において開口面積が比較的大きい広開口部35が設けられている。そして、狭開口部34内には、高ヤング率の樹脂又はゴム材料から成る第1の保護部材36が配設され、広開口部35内には、低ヤング率のゲル状物質から成る第2の保護部材37が配設されている。ここで、第1の保護部材36は、センサチップ31のダイヤフラム31a(センシング部)を露出させた状態でインサートピン33上のボンディングパッド部を覆うようにして設けられ、第2の保護部材37は、センサチップ31のダイヤフラム31a及び第1の保護部材36を覆うようにして設けられる。
【0030】
また、下側凹部29には、保護部材38及び39が2層に分けて設けられている。ここで、貫通孔30とその出口付近に配設される保護部材38は低ヤング率のゲル状物質にて構成されており、高ヤング率の物質を用いる場合に比べて温度変化による貫通孔30内での体積膨張収縮の影響が軽減される。故に、体積膨張収縮によりダイヤフラム31aが変位して正常な差圧圧力が得られなくなるといった不都合が解消されるようになっている。
【0031】
一方、図の下側の保護部材39は、高ヤング率の樹脂材料或いはゴム材料にて構成されており、上側の保護部材38の下面を完全に覆うように配設される。この場合、上側の保護部材38(ゲル状物質)が振動してもそれが下側の保護部材39(樹脂材料或いはゴム材料)で緩和され、圧力検出値への影響が抑制される。なお、貫通孔30の入り口部分にはテーパ部40が設けられており、保護部材38,39が充填し易くなるように構成されている。
【0032】
上記構成の差圧センサでは、センサチップ31上下の排ガス室24,25の圧力差により煤煙用フィルタ前後の差圧が測定される。そして、該センサの検出結果に応じて、煤煙用フィルタに捕集したパティキュレート等が燃焼除去されて該フィルタが再生される。
【0033】
以上詳述した本実施の形態によれば、樹脂パッケージ21の上側凹部28において、狭開口部34と広開口部35とを2段に設けたことにより、保護部材の体積(充填量)を必要最小限とする経済的な効果と、水や煤等の汚れに対する耐量が向上するといった機能的な効果が共に得られる。それ故、圧力検出値への悪影響が解消され、長期に渡って差圧センサを正しく機能させることが可能となる。また、下側凹部29についてもその開口面積を拡げたことにより、上側凹部28と同様に、水や煤等の汚れに対する耐量が向上する。
【0034】
なお本発明は、上記以外に次の形態にて具体化できる。
上記実施の形態では、樹脂パッケージの第1の凹部の構造として、狭開口部及び広開口部を階段状に2段に設けたが、これを変更する。例えば、第1の凹部の狭開口部及び広開口部をテーパ状に連続的に設けるようにしても良い。
【0035】
また、上記実施の形態では、第1の凹部の狭開口部には高ヤング率の第1の保護部材を設け、同第1の凹部の広開口部には低ヤング率の第2の保護部材を設けるといった2層構造としたが、これを変更し、第1の凹部の狭開口部及び広開口部内を全て低ヤング率の保護部材としても良い。或いは、第1の保護部材と第2の保護部材との間に、それら保護部材の中間レベルの硬さ(ヤング率)の第3の層が存在する構成としても良い。
【0036】
過給圧を検出する過給圧用圧力センサに本発明を具体化することも可能である。半導体圧力センサチップとしては、ピエゾ抵抗効果を利用したダイヤフラム形式のものに限らず、静電容量形式の半導体センサチップなど、他の形式のものを利用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】比較例における半導体圧力センサ装置の縦断面図。
【図2】半導体圧力センサ装置の概略的な平面図。
【図3】車載煤煙用フィルタに付加される差圧センサへの応用例を示す断面図。
【符号の説明】
1…樹脂パッケージ、2…センサチップ、3…凹部、4…インサートピン、4a…ボンディングパッド、6…ボンディングワイヤ、7…狭開口部、8…広開口部、9…第1の保護部材、10…第2の保護部材、21…樹脂パッケージ、28…上側凹部、31…センサチップ、32…ボンディングワイヤ、33…インサートピン、34…狭開口部、35…広開口部、36…第1の保護部材、37…第2の保護部材。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor pressure sensor device configured by mounting a semiconductor pressure sensor chip for detecting pressure on a resin package. The semiconductor pressure sensor device of the present invention detects a pressure difference before and after the sensor device for measuring the intake negative pressure of an automobile engine or a filter for a smoke filter of an automobile, for example. Used as a sensor device.
[0002]
[Prior art]
As this type of prior art, a semiconductor pressure sensor device disclosed in JP-A-11-304619 is known. In the apparatus of the publication, a recess is formed in a resin package, and a semiconductor pressure sensor chip is mounted in the recess. In addition, a conductor portion is insert-molded in the resin package, and the conductor portion is electrically connected to the semiconductor pressure sensor chip via a bonding wire. In this state, the conductor portion and its peripheral portion are covered with a first protective member configured as a material (resin material or rubber material) having electrical insulation and a relatively high Young's modulus. The first protective member is provided in a state in which the sensing portion of the semiconductor pressure sensor chip is exposed, and the sensing portion and the first protective member have electrical insulation and a relatively low Young's modulus. Covered by a second protective member configured as a low (gel-like substance).
[0003]
In such a case, even when air is trapped in a gap formed between the resin package and the conductor part, an interface part around the conductor part, or the like due to the two-layer structure including the first and second protective members, Since the first protective member that covers the portion is made of a material having a high Young's modulus, it is possible to suppress the occurrence of bubbles from the voids or the interface portion during pressure detection. Thereby, the operation reliability of the semiconductor pressure sensor device is improved.
[0004]
In the above sensor device, the semiconductor pressure sensor is not easily affected by water, oil, soot and the like from the outside by covering the sensing portion of the semiconductor pressure sensor with a gel material having a low Young's modulus. .
[0005]
However, considering the mounting of the semiconductor pressure sensor device in an automobile, the use environment becomes severe, and the following problems arise. For example, when the above sensor device is used as a pressure sensor for measuring intake negative pressure, a large amount of water or soot is introduced into the intake pipe by EGR or the like. If it is completely covered, normal pressure cannot be detected.
[0006]
On the other hand, considering the necessary amount of the protective member from the viewpoint of economy, it is desirable that the volume of the concave portion is small, and the above-described conventional configuration is sufficient to suppress the generation of bubbles in the conductor portion and the bonding wire. The opening area of the recess was determined only by the area.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made by paying attention to the above-mentioned problems, and the object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor capable of detecting pressure correctly by improving resistance to dirt while considering economy. Is to provide a device.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In the semiconductor pressure sensor device according to
[0009]
In particular, in the present invention, the narrow opening having a relatively small opening area around the through hole at the bottom of the first recess has electrical insulation with the sensing portion of the semiconductor chip exposed. The first protective member having a high Young's modulus is provided, and the wide opening having a relatively large opening area provided on the entrance side of the narrow opening has a sensing portion of the semiconductor pressure sensor chip and the first opening. A second protective member having electrical insulation and a low Young's modulus is provided so as to cover the protective member, and a filling amount of the first protective member is required by providing a narrow opening. An economical effect of minimizing can be obtained, and a functional effect of improving the dirt resistance of the sensor device by providing the wide opening can be obtained. That is, by expanding the vicinity of the entrance of the first recess, even if a large amount of water, soot, or the like adheres to the surface of the second protective member, the water or soot is dispersed on the surface of the protective member, It is prevented that the protective member is completely covered and closed. Therefore, the adverse effect on the pressure detection value is eliminated. As a result, in the semiconductor pressure sensor device of the present invention, it is possible to detect the pressure correctly by improving the resistance to dirt while considering economy.
In addition, when the two-layer structure including the first and second protective members causes air to be trapped in a gap or an interface portion generated between the resin package and the member constituting the semiconductor pressure sensor device. However, it is possible to suppress the occurrence of bubbles from the voids or the interface portion during pressure detection. This improves the operational reliability of the semiconductor pressure sensor device.
Moreover, in the above configuration, a protective member made of a low Young's modulus gel-like substance is provided at the bottom of the second recess, and a high Young's modulus resin material or rubber material is provided on the opening side of the second recess. And the through holes are filled with the protective member made of the low Young's modulus gel material . That is, the protection member that will be disposed near the outlet and the through hole of the low Young's modulus gel is constituted by material in the through hole due to the temperature change as compared with the case of using a material of high Young's modulus The effect of volume expansion and contraction is reduced. Therefore, the inconvenience that the semiconductor pressure sensor chip is displaced by volume expansion and contraction and a normal pressure detection value cannot be obtained can be solved .
[0010]
The structure of the first recess may be configured as in the following second or third aspect. That is, in the invention described in
[0011]
In order to define the required amount of the protection member from the viewpoint of economy, the narrow opening of the first recess is provided in the region including the bonding pad portion at the minimum on the conductor portion. It is good to make it. In this case, it is preferable to provide a wide opening by expanding the narrow opening.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a semi-conductor pressure sensor device will be described with reference to the drawings comparative example applied to a pressure sensor device of the engine intake negative pressure measurement in a motor vehicle. FIG. 1 shows a longitudinal cross-sectional view of the semiconductor pressure sensor device cut at a main portion, and FIG. 2 shows a schematic plan view of the sensor device.
[0014]
1 and 2, the
[0015]
A semiconductor pressure sensor chip (hereinafter abbreviated as a sensor chip) 2 has a well-known configuration utilizing the piezoresistive effect, detects a negative pressure, and generates an electric signal at a level corresponding to the detected value. The
[0016]
The
[0017]
More specifically, the
[0018]
Of the first and second
[0019]
Further, the second
[0020]
Incidentally, in the manufacturing process of the semiconductor pressure sensor device, the
[0021]
The semiconductor pressure sensor device having the above-described configuration is disposed so that the
[0022]
According to the comparative example described in detail above, the following effects can be obtained.
By providing the
[0023]
Incidentally, the opening area of the
[0024]
By forming a two-layer structure with the first and second
[0025]
Furthermore, since the first and second
[0026]
(In the form of implementation)
The present invention is useful for application to a differential pressure sensor added to an in-vehicle smoke filter, and an outline thereof will be described in the present embodiment. Here, the soot filter is provided in an exhaust system of a diesel vehicle that emits a large amount of soot, and removes particulates (black smoke particulates) contained in the exhaust gas. The differential pressure sensor detects the differential pressure before and after the smoke filter, thereby monitoring the degree of clogging (collection) of the filter.
[0027]
FIG. 3 shows an outline of the configuration of the differential pressure sensor. In FIG. 3, a pair of upper and
[0028]
Further, the
[0029]
The
[0030]
In the
[0031]
On the other hand, the lower
[0032]
In the differential pressure sensor having the above configuration, the differential pressure before and after the smoke filter is measured by the pressure difference between the
[0033]
According to the embodiment described in detail above, the volume (filling amount) of the protective member is required by providing the
[0034]
In addition to the above, the present invention can be embodied in the following forms.
In the above embodiment, as the structure of the first recess of the resin package, the narrow opening and the wide opening are provided in two steps in a stepped manner, but this is changed. For example, the narrow opening and the wide opening of the first recess may be continuously provided in a tapered shape.
[0035]
In the above-described embodiment, the first protective member having a high Young's modulus is provided in the narrow opening of the first recess, and the second protective member having a low Young's modulus is provided in the wide opening of the first recess. However, this may be changed so that the narrow opening and the wide opening of the first recess are all used as protective members having a low Young's modulus. Or it is good also as a structure where the 3rd layer of the intermediate | middle level hardness (Young's modulus) of these protective members exists between the 1st protective member and the 2nd protective member.
[0036]
The present invention can be embodied in a pressure sensor for supercharging pressure that detects the supercharging pressure. The semiconductor pressure sensor chip is not limited to the diaphragm type using the piezoresistive effect, and other types such as a capacitance type semiconductor sensor chip may be used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a semiconductor pressure sensor device in a comparative example .
FIG. 2 is a schematic plan view of a semiconductor pressure sensor device.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an application example to a differential pressure sensor added to a vehicle-mounted smoke filter.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記第1の凹部の底部の前記貫通孔の周囲にある開口面積が小さい狭開口部には、前記半導体圧力センサチップのセンシング部を露出させた状態で、電気的な絶縁性を有し且つヤング率の高い第1の保護部材が設けられ、その狭開口部よりも入り口側に設けられた開口面積が大きい広開口部には、前記半導体圧力センサチップのセンシング部及び第1の保護部材を覆うようにして、電気的な絶縁性を有し且つヤング率の低い第2の保護部材が設けられるとともに、前記第2の凹部の底部には低ヤング率のゲル状物質にて構成された保護部材が、且つ、同第2の凹部の開口側には高ヤング率の樹脂材料或いはゴム材料にて構成された保護部材がそれぞれ設けられ、前記貫通孔には前記低ヤング率のゲル状物質にて構成された保護部材が充填されていることを特徴とする半導体圧力センサ装置。A semiconductor pressure sensor chip that detects a pressure and generates an electric signal of a level corresponding to the detected value, a first recess opening on the pressure receiving surface side, and a surface opposite to the surface provided with the first recess. A resin package having a second recess formed in the surface and having a through hole communicating the first recess and the second recess, and the first recess of the resin package includes the through hole. In a semiconductor pressure sensor device in which a semiconductor pressure sensor chip is mounted so as to close the hole and a protective member having electrical insulation is provided in the first and second recesses.
A narrow opening having a small opening area around the through hole at the bottom of the first recess has an electrical insulating property and a Young with the sensing part of the semiconductor pressure sensor chip exposed. A first protective member having a high rate is provided, and the wide opening having a larger opening area provided on the entrance side than the narrow opening covers the sensing portion and the first protective member of the semiconductor pressure sensor chip. In this way, the second protective member having electrical insulation and a low Young's modulus is provided, and the protective member is made of a gel material having a low Young's modulus at the bottom of the second recess. However, a protective member made of a high Young's modulus resin material or rubber material is provided on the opening side of the second recess, and the through hole is made of the low Young's modulus gel substance. configured protective member is filled The semiconductor pressure sensor device, characterized in that there.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000167361A JP4362949B2 (en) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Semiconductor pressure sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000167361A JP4362949B2 (en) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Semiconductor pressure sensor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001343298A JP2001343298A (en) | 2001-12-14 |
JP4362949B2 true JP4362949B2 (en) | 2009-11-11 |
Family
ID=18670527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000167361A Expired - Fee Related JP4362949B2 (en) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Semiconductor pressure sensor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4362949B2 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3863171B2 (en) * | 2003-01-30 | 2006-12-27 | 株式会社フジクラ | Semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof |
JP4564775B2 (en) * | 2004-04-26 | 2010-10-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Pressure detector for liquid and gas |
DE102005024215A1 (en) | 2004-06-03 | 2005-12-22 | Denso Corp., Kariya | pressure sensor |
JP2006030068A (en) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Denso Corp | Pressure sensor |
JP5142742B2 (en) * | 2007-02-16 | 2013-02-13 | 株式会社デンソー | Pressure sensor and manufacturing method thereof |
JP5126014B2 (en) * | 2008-11-19 | 2013-01-23 | 株式会社デンソー | Pressure sensor |
WO2011010381A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | イビデン株式会社 | Semiconductor pressure sensor and method for manufacturing same |
CN111564417B (en) * | 2020-05-22 | 2021-12-21 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | IC packaging structure and IC packaging method |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167361A patent/JP4362949B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001343298A (en) | 2001-12-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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