JP4342969B2 - Display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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本発明は表示装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof .

アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、液晶に印加する電界の方向を基板に対して平行な方向とする横方向電界方式が、主に超広視野角を得る手法として用いられている(特許文献1)。この方式を採用すると、視角方向を変化させた際のコントラストの変化、階調レベルの反転がほとんど無くなることが明らかにされている(非特許文献1)。図6(a)は、従来の一般的な横方向電界方式の液晶表示装置の画素部を示す平面図である。そして、図6(b)は、その一部を拡大した断面図である。図において、100はTFTアレイ基板、200はカラーフィルタ(CF)基板である。また、1は絶縁性基板上に形成された複数本の走査信号線であるゲート配線、2はゲート絶縁膜、3はソース配線、4はソース配線3上に設けられた絶縁膜、5a、5bはゲート配線と同層に設けられた共通電極である。特に、この例では、共通電極5は、共通電極5a及び共通電極5bに分離して配置されている。そのため、ソース配線に電圧が印加された状態においては、その電圧によって電界Eが発生し、TFTアレイ基板100とCF基板200の間に設けられた液晶の配向状態を変えてしまう。このため、図6に示される構成では、結局図上L1で示される幅が広く必要であり光の透過が制限されるため、開口率が低くなるという問題点もあった。   In an active matrix liquid crystal display device, a lateral electric field method in which the direction of an electric field applied to liquid crystal is a direction parallel to a substrate is mainly used as a technique for obtaining an ultra-wide viewing angle (Patent Document 1). ). It has been clarified that when this method is adopted, there is almost no change in contrast and inversion of gradation levels when the viewing angle direction is changed (Non-Patent Document 1). FIG. 6A is a plan view showing a pixel portion of a conventional general horizontal electric field type liquid crystal display device. FIG. 6B is an enlarged cross-sectional view of a part thereof. In the figure, 100 is a TFT array substrate, and 200 is a color filter (CF) substrate. Further, 1 is a gate wiring which is a plurality of scanning signal lines formed on an insulating substrate, 2 is a gate insulating film, 3 is a source wiring, 4 is an insulating film provided on the source wiring 3, 5a, 5b Is a common electrode provided in the same layer as the gate wiring. In particular, in this example, the common electrode 5 is arranged separately to the common electrode 5a and the common electrode 5b. Therefore, when a voltage is applied to the source wiring, an electric field E is generated by the voltage, and the alignment state of the liquid crystal provided between the TFT array substrate 100 and the CF substrate 200 is changed. For this reason, in the configuration shown in FIG. 6, the width shown by L1 in the drawing is required to be wide, and light transmission is restricted, so that the aperture ratio is low.

このような問題点を解決するために、図7(a)及び図7(b)に示す構造が提案されている。この構造では、共通電極5がソース配線3を覆い、両者が重なり合うように配置されている。このような構成によれば、ソース配線3から発生する電界が共通電極5によって遮られるため、液晶まで及ばず、液晶の配向状態の変化を低減することができる。このため、光の透過を制限する幅L2を狭くでき、開口率を高くすることができる。   In order to solve such a problem, a structure shown in FIGS. 7A and 7B has been proposed. In this structure, the common electrode 5 covers the source wiring 3 and is disposed so as to overlap each other. According to such a configuration, since the electric field generated from the source wiring 3 is blocked by the common electrode 5, the change in the alignment state of the liquid crystal can be reduced without reaching the liquid crystal. For this reason, the width | variety L2 which restrict | limits transmission of light can be narrowed, and an aperture ratio can be made high.

一般的に液晶表示装置では、ソース配線がある確率で断線し、歩留低下の原因となる。同じように図7に示される構造でも、ソース配線3に断線が生じる可能性がある。ここで、ある配線に断線が生じた場合、レーザによって上層の配線との間に短絡を発生させ、断線を修復する方法が開示されている(特許文献2)。しかしながら、ソース配線3と共通電極5とは、ソース信号が共通電極5上を流れることになるため、両者を短絡させることはできない。   In general, in a liquid crystal display device, a source wiring is disconnected at a certain probability, which causes a decrease in yield. Similarly, in the structure shown in FIG. 7, the source wiring 3 may be broken. Here, a method is disclosed in which when a disconnection occurs in a certain wiring, a short circuit is generated between the upper layer wiring by a laser and the disconnection is repaired (Patent Document 2). However, the source wiring 3 and the common electrode 5 cannot be short-circuited because the source signal flows on the common electrode 5.

この問題を解決するために本件の出願人から、ソース配線の断線を修復する方法が開示されている(特許文献3)。この方法では、断線が生じた画素において、ソース配線と共通電極が重なる部分にレーザビームを照射して短絡させるとともに、その画素周辺の断線修復用分離領域にレーザビームを照射してソース配線と短絡したパターンを共通電極から分離している。   In order to solve this problem, the present applicant has disclosed a method for repairing the disconnection of the source wiring (Patent Document 3). In this method, in the pixel where the disconnection occurs, the portion where the source wiring and the common electrode overlap is short-circuited by irradiating the laser beam, and the separation region for disconnection repair around the pixel is irradiated with the laser beam to short-circuit the source wiring. The pattern is separated from the common electrode.

また、横方向電界方式の液晶表示装置では、寄生容量を低減するため、図8に示すようにソース配線3と共通電極5との間に絶縁膜4に加えてさらに有機平坦化膜を設けることがある。有機平坦化膜は通常、2〜3μmの厚みであるため、レーザによるソース配線3と共通電極5との短絡が困難であった。このように従来の液晶表示装置では有機膜を超えてソース配線を修復することが困難であるという問題点があった。
特開平8−254712号公報 特開平9−113930号公報 特開2003−307748号公報 M.Oh-e, 他,Asia Display'95,pp.577-580
Further, in the horizontal electric field type liquid crystal display device, in order to reduce parasitic capacitance, an organic planarizing film is further provided between the source wiring 3 and the common electrode 5 in addition to the insulating film 4 as shown in FIG. There is. Since the organic planarizing film is usually 2 to 3 μm in thickness, it is difficult to short-circuit the source wiring 3 and the common electrode 5 with a laser. As described above, the conventional liquid crystal display device has a problem that it is difficult to repair the source wiring beyond the organic film.
JP-A-8-254712 Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-113930 JP 2003-307748 A M. Oh-e, etc., Asia Display '95, pp. 577-580

上述のように従来の横方向電界の液晶表示装置では、有機膜を超えてソース配線を修復することが困難であるという問題点があった。さらに、液晶表示装置以外の表示装置であっても、第1の導電層と第2の導電層の間に配置された有機膜を超えて断線を修復する場合、この問題が発生するおそれがある。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、容易に修復可能な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
As described above, the conventional lateral electric field liquid crystal display device has a problem that it is difficult to repair the source wiring beyond the organic film. Furthermore, even in a display device other than a liquid crystal display device, this problem may occur when the disconnection is repaired beyond the organic film disposed between the first conductive layer and the second conductive layer. .
The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a display device that can be easily repaired and a method for manufacturing the same.

本発明の第1の態様にかかる表示装置は、基板上に設けられた第1の導電層(例えば、本実施の形態におけるソース配線3)と、前記第1の導電層の上に設けられた絶縁膜(例えば、本実施の形態における絶縁膜4)と、前記絶縁膜の上に形成された絶縁性の有機膜(例えば、本実施の形態における有機平坦化膜9)と、前記有機絶縁膜の上に形成され、前記第1の導電層と一定の領域において重なり合う第2の導電層(例えば、本実施の形態における共通電極)とを備え、前記第1の導電層と前記第2の導電層が重なり合う領域において、前記有機膜が除去された断線修復領域(例えば、本実施の形態における断線修復領域51、51)が前記絶縁膜の上に形成されているものである。これにより、容易に表示装置の断線を修復することができる。   The display device according to the first aspect of the present invention is provided on the first conductive layer (for example, the source wiring 3 in the present embodiment) provided on the substrate and the first conductive layer. Insulating film (for example, insulating film 4 in the present embodiment), an insulating organic film (for example, organic planarizing film 9 in the present embodiment) formed on the insulating film, and the organic insulating film And a second conductive layer that overlaps the first conductive layer in a certain region (for example, a common electrode in this embodiment), and the first conductive layer and the second conductive layer In the region where the layers overlap, a disconnection repair region from which the organic film has been removed (for example, disconnection repair regions 51 and 51 in the present embodiment) is formed on the insulating film. Thereby, the disconnection of the display device can be easily repaired.

本発明の第2の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置であって、前記断線修復領域において、前記絶縁膜が露出するよう前記有機膜が除去されているものである。これにより、容易に表示装置の断線を修復することができる。   A display device according to a second aspect of the present invention is the display device described above, wherein the organic film is removed so that the insulating film is exposed in the disconnection repair region. Thereby, the disconnection of the display device can be easily repaired.

本発明の第3の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置であって、前記断線修復領域において、前記有機膜の一部が除去され、前記有機膜が薄膜化されているものである。これにより、容易に表示装置の断線を修復することができる。   A display device according to a third aspect of the present invention is the display device described above, wherein a part of the organic film is removed and the organic film is thinned in the disconnection repair region. Thereby, the disconnection of the display device can be easily repaired.

本発明の第4の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置であって、ほぼ全ての画素に対して1つ以上、前記断線修復領域が形成されているものである。これにより、それぞれの画素での断線を容易に修復することができる。   A display device according to a fourth aspect of the present invention is the display device described above, wherein one or more disconnection repair regions are formed for almost all pixels. Thereby, the disconnection in each pixel can be easily repaired.

本発明の第5の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置であって、前記第1の導電層と前記第2の導電層とが重なり合う重なり領域外に、修復された画素における前記第2の導電層と他の画素における第2の導電層との接続を分離することができるものである。これにより、他の画素に影響を与えることなく断線を修復することができる。   A display device according to a fifth aspect of the present invention is the above-described display device, wherein the second pixel in the repaired pixel is outside the overlapping region where the first conductive layer and the second conductive layer overlap. The connection between the first conductive layer and the second conductive layer in another pixel can be separated. Thereby, it is possible to repair the disconnection without affecting other pixels.

本発明の第6の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置であって、前記第1の導電層がソース配線であり、前記第2の導電層が画素電極と対向配置された共通電極であり、前記ソース配線を介して前記画素電極に供給された表示信号により、前記基板と平行な方向に液晶が駆動する横方向電界方式の液晶表示装置であることを特徴とするものである。   A display device according to a sixth aspect of the present invention is the above-described display device, wherein the first conductive layer is a source line, and the second conductive layer is a common electrode disposed to face the pixel electrode. And a lateral electric field type liquid crystal display device in which liquid crystal is driven in a direction parallel to the substrate by a display signal supplied to the pixel electrode through the source wiring.

本発明の第7の態様にかかる表示装置の製造方法は、基板上に第1の導電層を形成するステップと、前記第1の導電層の上に絶縁膜を形成するステップと、前記絶縁膜の上に絶縁性の有機膜を形成するステップと、前記絶縁膜の上において前記有機膜を除去して断線修復領域を設けるステップと、前記第1の導電層と一定の領域において重なり合う第2の導電層を前記有機膜の上に形成するステップと、前記断線修復領域に形成されている前記第1の導電層と前記第2の導電層とを導通させるステップとを備えるものである。これにより、断線を容易に修復することができる。   A method for manufacturing a display device according to a seventh aspect of the present invention includes a step of forming a first conductive layer on a substrate, a step of forming an insulating film on the first conductive layer, and the insulating film Forming an insulating organic film on the insulating film; removing the organic film on the insulating film to provide a disconnection repairing area; and a second overlapping with the first conductive layer in a certain area. Forming a conductive layer on the organic film; and conducting the first conductive layer and the second conductive layer formed in the disconnection repair region. Thereby, disconnection can be easily repaired.

本発明の第8の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の表示装置であって、前記第1の導電層と前記第2の導電層を導通するステップでは、レーザビームを照射することにより、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを導通させることを特徴とするものである。   A method for manufacturing a display device according to an eighth aspect of the present invention is the above-described display device, wherein in the step of connecting the first conductive layer and the second conductive layer, a laser beam is irradiated. The first conductive layer and the second conductive layer are electrically connected.

本発明の第9の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の表示装置であって、前記断線修復領域がほぼ全ての画素に対して1つ又は2つ形成されていることを特徴とするものである。これによりそれぞれの画素における断線を修復することができる。   A display device manufacturing method according to a ninth aspect of the present invention is the display device described above, wherein one or two of the disconnection repair regions are formed for almost all pixels. Is. Thereby, the disconnection in each pixel can be repaired.

本発明の第10の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の表示装置であって、複数の断線修復領域において前記第1の導電層と前記第2の導電層とを導通させることにより、前記断線修復領域の間に配置された断線箇所をバイパスすることを特徴とするものである。これにより、容易に断線箇所をバイパスすることができる。   A method for manufacturing a display device according to a tenth aspect of the present invention is the above-described display device, wherein the first conductive layer and the second conductive layer are electrically connected in a plurality of disconnection repair regions. It is characterized by bypassing a disconnection portion arranged between the disconnection repair regions. Thereby, a disconnection location can be bypassed easily.

本発明の第11の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の表示装置であって、前記第1の導電層と前記第2の導電層とが重なり合う重なり領域外に、修復された画素における前記第2の導電層と他の画素における第2の導電層との接続を分離することができる断線修復用分離領域をさらに有し、前記断線修復用分離領域の前記第2の導電層を切断するステップをさらに備えるものである。これにより、他の画素に影響を与えることなく断線が発生した画素を修復することができる。   According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device according to the above-described display device, wherein the first conductive layer and the second conductive layer are out of an overlapping region where the repaired pixel is outside the overlapping region. A disconnection repair isolation region capable of isolating the connection between the second conductive layer and the second conductive layer in another pixel, and cutting the second conductive layer in the disconnection repair isolation region; The step of performing is further provided. Thereby, it is possible to repair a pixel in which a disconnection has occurred without affecting other pixels.

本発明の第12の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の表示装置であって、前記第2の導電層を切断するステップではレーザビームを照射することにより、前記第2の導電層を切断することを特徴とするものである。   A display device manufacturing method according to a twelfth aspect of the present invention is the above-described display device, wherein in the step of cutting the second conductive layer, the second conductive layer is formed by irradiating a laser beam. It is characterized by cutting.

本発明の第13の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の表示装置であって、前記有機膜が感光性樹脂により形成されているものである。これにより、容易に断線修復領域を形成することができる。   A display device manufacturing method according to a thirteenth aspect of the present invention is the above-described display device, wherein the organic film is formed of a photosensitive resin. Thereby, a disconnection repair region can be easily formed.

本発明によれば断線を容易に修復することができる表示装置及びその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the display apparatus which can repair a disconnection easily, and its manufacturing method can be provided.

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。
発明の実施の形態1.
Hereinafter, embodiments to which the present invention can be applied will be described. The following description is to describe the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiment. For clarity of explanation, the following description is omitted and simplified as appropriate. Further, those skilled in the art will be able to easily change, add, and convert each element of the following embodiments within the scope of the present invention. In addition, what attached | subjected the same code | symbol in each figure has shown the same element, and abbreviate | omits description suitably.
Embodiment 1 of the Invention

本発明にかかる液晶表示装置は、一定の距離を隔て一対のCF基板とTFTアレイ基板とが対向配置されている。そして、これらの基板間に液晶層が挟持されている。そして、TFTアレイ基板上に、ゲート絶縁膜を介して互いに交差するゲート配線及びソース配線が形成されている。さらに、ゲート配線及びソース配線と接続された薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成されている。また、スイッチング素子には、ソース配線と平行に設けられた複数本の電極よりなる櫛状の画素電極が接続されている。さらに、画素電極の複数本の電極と平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の共通電極が形成されている。この画素電極及び共通電極間に電圧を印加することによって、基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加している。   In the liquid crystal display device according to the present invention, a pair of CF substrates and a TFT array substrate are arranged to face each other at a certain distance. A liquid crystal layer is sandwiched between these substrates. On the TFT array substrate, gate wirings and source wirings are formed so as to cross each other via a gate insulating film. Further, a switching element such as a thin film transistor connected to the gate wiring and the source wiring is formed. In addition, a comb-like pixel electrode including a plurality of electrodes provided in parallel with the source wiring is connected to the switching element. Furthermore, a comb-like common electrode is formed which includes a plurality of electrodes arranged in parallel and alternately with the plurality of electrodes of the pixel electrode. By applying a voltage between the pixel electrode and the common electrode, an electric field substantially parallel to the substrate surface is applied to the liquid crystal layer.

図1は、本発明にかかる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図である。図において、図6、図7及び図8と同じ符号を付した構成は、図6、図7及び図8で説明した構成と同じ又は同等のものであり説明を省略する。   FIG. 1 is an enlarged view of a plurality of pixel portions in a liquid crystal display device according to the present invention. In the figure, the configurations denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 6, 7, and 8 are the same as or equivalent to the configurations described in FIGS. 6, 7, and 8, and description thereof is omitted.

図1において、3はソース配線であり、一画素の端部において、後述の共通電極5と画素電極6の間に生じる電界の方向とほぼ垂直方向に延在している。このソース配線3の膜厚は、例えば、400nm〜500nmである。5は後述の画素電極6の複数本の電極と平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の共通電極であり、対向電極とも呼ばれる。この共通電極5の膜厚は、例えば100nmである。6は薄膜トランジスタに接続され、ソース配線3と平行に設けられた複数本の電極より構成された櫛状の画素電極であり、クロム(Cr)等の金属やITO(Indium Tin Oxide)等の透明性導電膜により形成されている。7はクロム(Cr)等の金属よりなる共通容量配線であり、スルーホールを介して共通電極5と接続されている。この例では、ソース配線3、共通電極5、画素電極6は、中央部において1回屈曲している。そして、この屈曲点は、共通容量配線7に設けられている。このように、屈曲した電極構成により、2方向の液晶の駆動方向を得ることができ、横電界方式の液晶パネルで特定方向におこる視角特性の悪化を改善することができる。   In FIG. 1, reference numeral 3 denotes a source wiring, which extends in a direction substantially perpendicular to the direction of an electric field generated between a common electrode 5 and a pixel electrode 6 (described later) at an end of one pixel. The film thickness of the source wiring 3 is, for example, 400 nm to 500 nm. Reference numeral 5 denotes a comb-like common electrode composed of a plurality of electrodes arranged in parallel and alternately with a plurality of electrodes of a pixel electrode 6 to be described later, and is also called a counter electrode. The film thickness of the common electrode 5 is, for example, 100 nm. Reference numeral 6 denotes a comb-like pixel electrode connected to the thin film transistor and composed of a plurality of electrodes provided in parallel with the source wiring 3, and is made of a metal such as chromium (Cr) or transparent such as ITO (Indium Tin Oxide). It is formed of a conductive film. Reference numeral 7 denotes a common capacitance wiring made of a metal such as chromium (Cr), and is connected to the common electrode 5 through a through hole. In this example, the source wiring 3, the common electrode 5, and the pixel electrode 6 are bent once at the center. The bending point is provided in the common capacitor wiring 7. In this manner, the bent electrode configuration can obtain two directions of liquid crystal driving directions, and can improve the deterioration of viewing angle characteristics that occur in a specific direction in a horizontal electric field type liquid crystal panel.

図1に示されるように、電界の生じる方向である、横方向に隣接する画素間に設けられたソース配線3と共通電極5は互いにオーバーラップしている。換言すると、ソース配線3上に絶縁膜4及び有機平坦化膜9を介して共通電極5がソース配線3を包みこむようにして重なり合って設けられている。   As shown in FIG. 1, the source line 3 and the common electrode 5 provided between pixels adjacent in the horizontal direction, which is the direction in which the electric field is generated, overlap each other. In other words, the common electrode 5 is provided on the source wiring 3 so as to overlap the source wiring 3 via the insulating film 4 and the organic planarizing film 9.

図1に示される構造において、ソース配線3上の領域31に断線が生じた場合について説明する。この領域31は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分の一領域である。この場合には、まず、共通電極5側から断線修復領域51及び断線修復領域52の共通電極5にレーザによりレーザビームを照射する。ここで、断線修復領域51、52は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分の一領域であって、領域31を挟み込む位置の領域である。断線修復領域51、52では有機平坦化膜9の少なくとも一部が除去されている。このレーザには、例えば、YAGレーザやエキシマレーザが用いられる。これにより、断線修復領域51及び断線修復領域52において共通電極5の金属を溶融させ、絶縁膜4を絶縁破壊し、ソース配線3と共通電極5とが導通状態になるよう加工する。このような断線の修正は、例えば、アレイ検査工程後又はパネル検査工程後に実行される。   In the structure shown in FIG. 1, a case where a disconnection occurs in the region 31 on the source wiring 3 will be described. This region 31 is a region where the common electrode 5 and the source wiring 3 are overlapped between pixels adjacent in the horizontal direction. In this case, first, the laser beam is irradiated to the common electrode 5 in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 from the common electrode 5 side. Here, the disconnection repair regions 51 and 52 are regions where the common electrode 5 and the source wiring 3 between pixels adjacent in the horizontal direction overlap, and are regions where the region 31 is sandwiched. In the disconnection repair regions 51 and 52, at least a part of the organic planarizing film 9 is removed. As this laser, for example, a YAG laser or an excimer laser is used. Thus, the metal of the common electrode 5 is melted in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52, the insulating film 4 is dielectrically broken, and the source wiring 3 and the common electrode 5 are processed so as to be in a conductive state. Such disconnection correction is performed, for example, after the array inspection process or the panel inspection process.

図2に断線が生じた部分の断面図を示す。前述のように、この例にかかるTFTアレイ基板では、ゲート絶縁膜2上にソース配線3、絶縁膜4、有機平坦化膜9及び共通電極5が積層されている。ここで、絶縁膜4は、例えば、窒化シリコン又は酸化シリコン等を用い、100nm〜300nm程度の膜厚である。有機平坦化膜9の膜厚は2〜3μmであり、例えば、感光性のアクリル樹脂が用いられる。   FIG. 2 shows a cross-sectional view of the portion where the disconnection has occurred. As described above, in the TFT array substrate according to this example, the source wiring 3, the insulating film 4, the organic planarizing film 9, and the common electrode 5 are stacked on the gate insulating film 2. Here, the insulating film 4 is made of, for example, silicon nitride or silicon oxide and has a thickness of about 100 nm to 300 nm. The thickness of the organic planarizing film 9 is 2 to 3 μm, and for example, a photosensitive acrylic resin is used.

この例では、図2(a)に示されるように、ソース配線3の領域31に断線が生じている。本実施の形態では領域31での断線を修復するため断線修復領域51と断線修復領域52において有機平坦化膜9が除去されている。この有機平坦化膜9が除去された部分では、絶縁膜4が露出され、開口部が形成される。その開口部の上から共通電極が形成されるため、絶縁膜4と共通電極5とが接触する。図2(a)で示される構造において、レーザを用いて断線修復領域51及び断線修復領域52の共通電極5の導電層を溶融させ、絶縁膜4を絶縁破壊し、ソース配線3と導通状態になるよう加工すると、図2(b)に示す構造に加工される。図2(b)に示す構造では、断線したソース配線3は、断線修復領域51の溶融金属、共通電極5、断線修復領域52の溶融金属というバイパス経路を介して、ソース信号が印加される。   In this example, as shown in FIG. 2A, a disconnection occurs in the region 31 of the source wiring 3. In the present embodiment, the organic planarization film 9 is removed in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 in order to repair the disconnection in the region 31. In the portion where the organic planarizing film 9 is removed, the insulating film 4 is exposed and an opening is formed. Since the common electrode is formed from above the opening, the insulating film 4 and the common electrode 5 are in contact with each other. In the structure shown in FIG. 2A, the conductive layer of the common electrode 5 in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 is melted by using a laser, the insulating film 4 is dielectrically broken, and the source wiring 3 is brought into conduction. If it processes so that it may become, it will be processed into the structure shown in FIG.2 (b). In the structure shown in FIG. 2B, a source signal is applied to the disconnected source wiring 3 via a bypass path of the molten metal in the disconnection repair region 51, the common electrode 5, and the molten metal in the disconnection repair region 52.

あるいは、図2(c)に示すように領域31を挟む断線修復領域51及び断線修復領域52において有機平坦化膜9の一部を除去して、有機平坦化膜9を薄膜化してもよい。この場合、絶縁膜4を省略してもよい。例えば、2〜3μmの膜厚の有機平坦化膜9を0.5μm程度に薄膜化することにより、断線を修復することができる。このように有機平坦化膜9の少なくとも一部を除去した断線修復領域を設けることにより、ソース配線3と共通電極5との間に有機平坦化膜9が設けられている場合であっても、容易に断線を修復することができる。このような断線修復領域はそれぞれの画素に対して1つ以上設けることが望ましい。これにより、断線が生じた位置に対応した画素とその隣の画素において修復を行うことができる。
さらに断線修復領域はそれぞれの画素に対して2つ以下であることが望ましい。1つの画素に対して3以上の断線修復領域を設けると寄生容量が増加してしまうためである。また1つの断線修復領域は10μm以上100μm以下で形成することが望ましい(数値があればお知らせ下さい)。断線修復領域が10μm以下である場合、断線を修復することが困難になり、断線修復領域が100μm以上である場合は寄生容量が増加してしまうからである。
Alternatively, as shown in FIG. 2C, the organic planarization film 9 may be thinned by removing a part of the organic planarization film 9 in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 sandwiching the region 31. In this case, the insulating film 4 may be omitted. For example, the disconnection can be repaired by reducing the thickness of the organic planarizing film 9 having a thickness of 2 to 3 μm to about 0.5 μm. Even when the organic planarization film 9 is provided between the source wiring 3 and the common electrode 5 by providing the disconnection repair region in which at least a part of the organic planarization film 9 is removed, The disconnection can be easily repaired. It is desirable to provide at least one such disconnection repair region for each pixel. Thereby, it is possible to repair the pixel corresponding to the position where the disconnection has occurred and the adjacent pixel.
Further, it is desirable that the number of disconnection repair regions be two or less for each pixel. This is because if three or more disconnection repair regions are provided for one pixel, the parasitic capacitance increases. In addition, it is desirable to form one disconnection repair region with 10 μm 2 or more and 100 μm 2 or less (please let us know if there is a numerical value). This is because it is difficult to repair the disconnection when the disconnection repair region is 10 μm 2 or less, and the parasitic capacitance increases when the disconnection repair region is 100 μm 2 or more.

次に、レーザを用いて図1に示す領域531、領域532及び領域533の共通電極5にレーザビームを照射する。そして、これらの領域531、領域532及び領域533の共通電極5を切断する。これらの領域531、領域532及び領域533は、断線修復用分離領域として機能する。ここで、領域531は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、重なり部分以外の横方向に延在する共通電極5とを切り離すことができる領域である。領域532は、さらに横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、領域531とは反対側の横方向に延在する共通電極5とを切り離すことができる領域である。領域533は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、横方向に延在し、共通容量配線7と接続された共通電極5とを切り離すことができる領域である。これによって、断線修復領域51及び断線修復領域52のレーザビームの照射によってソース配線3と導通状態に加工された部分の共通電極5を、少なくとも画素電極6との間で電界を生じさせる他の共通電極5と電気的に分離することができる。そのために、共通電極5の領域531、領域532及び領域533、即ち断線修復用分離領域の下方には、ソース配線3等の導電体が設けられていない。このような構造を有するのでレーザビームを照射しても他の導電体と導通状態になることがない。この断線修復用分離領域は、当該ソース配線より4μm以内に共通電極と異なる電位を供給する他の導電体が存在しない領域であることが好ましい。   Next, a laser beam is applied to the common electrode 5 in the region 531, the region 532, and the region 533 illustrated in FIG. 1 using a laser. Then, the common electrode 5 in these regions 531, 532, and 533 is cut. These regions 531, 532, and 533 function as disconnection repair isolation regions. Here, the region 531 is a region in which the overlapping portion of the common electrode 5 and the source wiring 3 between adjacent pixels in the horizontal direction can be separated from the common electrode 5 extending in the horizontal direction other than the overlapping portion. The region 532 is a region where the overlapping portion of the common electrode 5 and the source wiring 3 between pixels adjacent in the horizontal direction can be separated from the common electrode 5 extending in the horizontal direction opposite to the region 531. . The region 533 is a region where the overlapping portion of the common electrode 5 and the source wiring 3 between the pixels adjacent in the horizontal direction and the common electrode 5 extending in the horizontal direction and connected to the common capacitor wiring 7 can be separated. is there. As a result, the common electrode 5 of the portion processed into the conductive state with the source wiring 3 by the irradiation of the laser beam in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 is caused to generate an electric field between at least the pixel electrode 6. It can be electrically separated from the electrode 5. For this reason, no conductor such as the source wiring 3 is provided below the region 531, the region 532, and the region 533 of the common electrode 5, that is, below the disconnection repair isolation region. Since it has such a structure, it does not become conductive with other conductors even when irradiated with a laser beam. This disconnection repair isolation region is preferably a region where there is no other conductor supplying a potential different from that of the common electrode within 4 μm from the source wiring.

尚、共通電極5の領域531、領域532及び領域533に照射するレーザビームは、断線修復領域51及び断線修復領域52に照射するレーザビームと種類及び強度において同じであってもよいが、異なるものであってもよい。例えば、領域531、領域532及び領域533に照射するレーザビームは、断線修復領域51及び断線修復領域52に照射するレーザビームよりも低い強度としてもよい。このように1画素の断線修復領域間に断線が生じた場合、1画素の断線修復領域をバイパスすることにより、他の画素に影響を与えることなく断線を修復することができる。
発明の実施の形態2.
The laser beam applied to the region 531, the region 532, and the region 533 of the common electrode 5 may be the same and different in type and intensity as the laser beam applied to the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52. It may be. For example, the laser beam applied to the region 531, the region 532, and the region 533 may have lower intensity than the laser beam applied to the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52. Thus, when a disconnection occurs between the disconnection repair regions of one pixel, the disconnection can be repaired without affecting other pixels by bypassing the disconnection repair region of one pixel.
Embodiment 2 of the Invention

図3は、本発明にかかる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図である。図に示す構成は、図1に示す構成と同じであり、ソース配線3の断線部分のみが異なる。   FIG. 3 is an enlarged view of a plurality of pixel portions in the liquid crystal display device according to the present invention. The configuration shown in the figure is the same as the configuration shown in FIG. 1, and only the disconnected portion of the source wiring 3 is different.

図3に示される構造において、ソース配線3上の領域32に断線が生じた場合について説明する。領域32は、横方向に隣接する画素間のソース配線3であって、中央部において共通電極5と重なり合う領域である。この場合には、まず、共通電極5側から断線修復領域51及び断線修復領域52の共通電極5にレーザによりレーザビームを照射する。ここで、断線修復領域51、52は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分の一領域であって、領域32を挟み込む位置の領域である。   In the structure shown in FIG. 3, a case where a disconnection occurs in the region 32 on the source wiring 3 will be described. The region 32 is a source wiring 3 between pixels adjacent in the horizontal direction, and is a region overlapping with the common electrode 5 in the central portion. In this case, first, the laser beam is irradiated to the common electrode 5 in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 from the common electrode 5 side. Here, the disconnection repair regions 51 and 52 are regions where the common electrode 5 and the source wiring 3 between pixels adjacent in the horizontal direction overlap, and are regions where the region 32 is sandwiched.

この断線修復領域51及び断線修復領域52では実施の形態1と同様に有機平坦化膜9の少なくとも一部が除去されている。よって、図2(a)に示す構成と同様に断線修復領域51及び断線修復領域52において有機平坦化膜9に絶縁膜4が露出する開口部が設けられている。あるいは図2(c)に示す構成と同様に断線修復領域51及び断線修復領域52の有機平坦化膜9が薄膜化されている。これにより、断線修復領域51及び断線修復領域52の共通電極5の金属を溶融させ、絶縁膜4を絶縁破壊し、ソース配線3と共通電極5とが導通状態になるよう加工する。これにより、図2(b)に示す構成と同様の構成となり、断線領域がバイパスされ、断線が修復される。断線したソース配線3は、断線修復領域51の溶融金属、共通電極5、断線修復領域52の溶融金属というバイパス経路を介して、ソース信号が印加される。   In the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52, at least a part of the organic planarization film 9 is removed as in the first embodiment. Therefore, similarly to the configuration shown in FIG. 2A, an opening through which the insulating film 4 is exposed is provided in the organic planarization film 9 in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52. Or the organic planarization film | membrane 9 of the disconnection repair area | region 51 and the disconnection repair area | region 52 is thinned similarly to the structure shown in FIG.2 (c). Thus, the metal of the common electrode 5 in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 is melted, the insulating film 4 is dielectrically broken, and the source wiring 3 and the common electrode 5 are processed to be in a conductive state. Thereby, it becomes the structure similar to the structure shown in FIG.2 (b), a disconnection area | region is bypassed, and a disconnection is restored. A source signal is applied to the disconnected source wiring 3 through a bypass path of the molten metal in the disconnection repair region 51, the common electrode 5, and the molten metal in the disconnection repair region 52.

次に、レーザを用いて図3に示す共通電極5の領域541、領域542及び領域543と共通容量配線7の領域71、72にレーザビームを照射する。ここで、領域541は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、横方向に延在する共通電極5とを切り離すことができる領域である。領域542は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、領域531とは反対側の横方向に延在する共通電極5とを切り離すことができる領域である。領域543は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、横方向に延在し、ゲート配線1を介して縦方向に延在する共通電極5とを切り離すことができる領域である。領域71は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と共通容量配線7とを切り離すことができる領域である。そして、これらの領域541、領域542及び領域543の共通電極5と、共通容量配線7の領域71、72を切断する。これによって、断線修復領域51及び断線修復領域52のレーザビームの照射によってソース配線3と導通状態に加工された部分の共通電極5を他の共通電極5や共通容量配線7と電気的に分離することができる。そのために、共通電極5の領域541、領域542及び領域543と共通容量配線7の領域71の下方には、ソース配線3等の導電体が設けられていない。このような構造を有するのでレーザビームを照射しても他の導電体と導通状態になることがない。   Next, a laser beam is applied to the regions 541, 542, and 543 of the common electrode 5 and the regions 71 and 72 of the common capacitor wiring 7 shown in FIG. Here, the region 541 is a region where the overlapping portion of the common electrode 5 and the source wiring 3 between adjacent pixels in the horizontal direction can be separated from the common electrode 5 extending in the horizontal direction. The region 542 is a region where the overlapping portion of the common electrode 5 and the source wiring 3 between pixels adjacent in the horizontal direction can be separated from the common electrode 5 extending in the horizontal direction opposite to the region 531. The region 543 separates the overlapping portion of the common electrode 5 and the source wiring 3 between pixels adjacent in the horizontal direction and the common electrode 5 extending in the horizontal direction and extending in the vertical direction via the gate wiring 1. This is an area where The region 71 is a region in which the common electrode 5 and the overlapping portion of the source wiring 3 between the pixels adjacent in the horizontal direction and the common capacitor wiring 7 can be separated. Then, the common electrode 5 in these regions 541, 542, and 543 and the regions 71 and 72 in the common capacitor wiring 7 are cut. As a result, the common electrode 5 in a portion that is electrically connected to the source wiring 3 by irradiation of the laser beam in the disconnection repair area 51 and the disconnection repair area 52 is electrically separated from the other common electrode 5 and the common capacitor wiring 7. be able to. Therefore, a conductor such as the source wiring 3 is not provided below the region 541, the region 542, and the region 543 of the common electrode 5 and the region 71 of the common capacitor wiring 7. Since it has such a structure, it does not become conductive with other conductors even when irradiated with a laser beam.

このように1画素における断線修復領域間の外側においてソース配線3に断線が生じた場合であっても、隣接する画素の断線修復領域間で断線箇所をバイパスすることにより他の画素に影響を与えることなく断線を修復することができる。
発明の実施の形態3.
As described above, even when the source wiring 3 is disconnected outside the disconnection repair region in one pixel, other pixels are affected by bypassing the disconnection portion between the disconnection repair regions of adjacent pixels. Disconnection can be repaired without any problems.
Embodiment 3 of the Invention

図4は、本発明にかかる液晶表示装置において、複数の画素部を拡大した図である。図に示す構成は、図1に示す構成と同じであり、ソース配線3の断線部分のみが異なる。   FIG. 4 is an enlarged view of a plurality of pixel portions in the liquid crystal display device according to the present invention. The configuration shown in the figure is the same as the configuration shown in FIG. 1, and only the disconnected portion of the source wiring 3 is different.

図4に示される構造において、ソース配線3上の領域33に断線が生じた場合について説明する。ここで、領域33は、ソース配線3がスイッチング素子の半導体膜と重なる部分の近傍である。即ち、領域33はスイッチング素子の近傍である。断線修復領域51、52では上述の実施の形態と同様に、有機平坦化膜9が除去されている。すなわち、上述の実施の形態と同様に断線修復領域の有機平坦化膜9には、図2(a)に示すよう開口部が形成されているか、あるいは図2(c)に示すように薄膜化されている。この場合には、まず、共通電極5側から断線修復領域51及び断線修復領域52の共通電極5にレーザによりレーザビームを照射する。ここで、断線修復領域51、52は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分の一領域であって、領域33を挟み込む位置の領域である。これにより、断線修復領域51及び断線修復領域52において共通電極5の金属を溶融させ、絶縁膜4を絶縁破壊し、ソース配線3と導通状態になるよう加工する。断線したソース配線3は、断線修復領域51の溶融金属、共通電極5、断線修復領域52の溶融金属というバイパス経路を介して、ソース信号が印加される。   In the structure shown in FIG. 4, a case where a disconnection occurs in the region 33 on the source wiring 3 will be described. Here, the region 33 is in the vicinity of a portion where the source wiring 3 overlaps the semiconductor film of the switching element. That is, the region 33 is in the vicinity of the switching element. In the disconnection repair regions 51 and 52, the organic planarization film 9 is removed as in the above-described embodiment. That is, as in the above-described embodiment, an opening is formed in the organic planarization film 9 in the disconnection repair region as shown in FIG. 2 (a), or the thickness is reduced as shown in FIG. 2 (c). Has been. In this case, first, the laser beam is irradiated to the common electrode 5 in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 from the common electrode 5 side. Here, the disconnection repair regions 51 and 52 are regions where the common electrode 5 and the source wiring 3 are adjacent to each other in the lateral direction, and are regions where the region 33 is sandwiched. As a result, the metal of the common electrode 5 is melted in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52, and the insulating film 4 is subjected to dielectric breakdown and processed so as to be conductive with the source wiring 3. A source signal is applied to the disconnected source wiring 3 through a bypass path of the molten metal in the disconnection repair region 51, the common electrode 5, and the molten metal in the disconnection repair region 52.

次に、レーザを用いて図4に示す共通電極5の領域551、領域552、領域553、領域554及び領域555にレーザビームを照射する。ここで、領域551は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、共通容量配線7と接続された共通電極5とを切り離すことができる領域である。領域552は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、他の共通電極5を切り離すことができる領域である。領域553は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、他の共通電極5を切り離すことができる領域である。領域554は、横方向に隣接する画素間の共通電極5とソース配線3の重なり部分と、領域553側とは反対の共通電極5を切り離すことができる領域である。領域555は、断線修復領域52のある共通電極5を他の共通電極5と切り離すことができる領域である。そして、これらの領域551乃至555の共通電極5を切断する。これによって、断線修復領域51及び断線修復領域52のレーザビームの照射によってソース配線3と導通状態に加工された部分の共通電極5を他の共通電極5と電気的に分離することができる。そのために、共通電極5の領域551乃至555の下方には、ソース配線3等の導電体が設けられていない。このような構造を有するのでレーザビームを照射しても他の導電体と導通状態になることがない。   Next, a laser beam is irradiated to the region 551, the region 552, the region 553, the region 554, and the region 555 of the common electrode 5 illustrated in FIG. 4 using a laser. Here, the region 551 is a region where the overlapping portion of the common electrode 5 and the source wiring 3 between pixels adjacent in the horizontal direction can be separated from the common electrode 5 connected to the common capacitor wiring 7. The region 552 is a region in which the common electrode 5 between the pixels adjacent in the horizontal direction and the overlapping portion of the source wiring 3 can be separated from the other common electrode 5. The region 553 is a region where the common electrode 5 and the source wiring 3 between the pixels adjacent in the horizontal direction can be separated from the other common electrode 5. The region 554 is a region where the overlapping portion of the common electrode 5 and the source wiring 3 between pixels adjacent in the horizontal direction can be separated from the common electrode 5 opposite to the region 553 side. The region 555 is a region where the common electrode 5 having the disconnection repair region 52 can be separated from other common electrodes 5. Then, the common electrode 5 in these regions 551 to 555 is cut. As a result, the common electrode 5 in the portion which is processed to be conductive with the source wiring 3 by irradiation of the laser beam in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 can be electrically separated from the other common electrode 5. Therefore, no conductor such as the source wiring 3 is provided below the regions 551 to 555 of the common electrode 5. Since it has such a structure, it does not become conductive with other conductors even when irradiated with a laser beam.

このように1画素における断線修復領域間の外側においてソース配線3に断線が生じた場合であっても、隣接する画素の断線修復領域間で断線箇所をバイパスすることにより他の画素に影響を与えることなく断線を修復することができる。   As described above, even when the source wiring 3 is disconnected outside the disconnection repair region in one pixel, other pixels are affected by bypassing the disconnection portion between the disconnection repair regions of adjacent pixels. Disconnection can be repaired without any problems.

尚、本例では、縦方向(共通電極5と画素電極6との間に発生する電界とほぼ垂直方向)に隣接する画素間、即ち、ゲート配線1を境とする画素間の共通電極5間を2本の電極パターン501、502によって接続している。レーザビームによって切断する領域552及び領域553は、電極パターン501が突出する部分と電極パターン502が突出する部分の間の共通電極5に設けられている。そのため、領域552及び領域553を切断したとしても、縦方向に隣接する画素間の共通電極5は、一方の電極パターン501によって接続状態が維持される。従って、図に示す領域Aが欠陥領域となることを防げる。尚、電極パターン501、502は、2本でなくとも、3本以上の複数本であってもよい。   In this example, between the adjacent pixels in the vertical direction (substantially perpendicular to the electric field generated between the common electrode 5 and the pixel electrode 6), that is, between the common electrodes 5 between the pixels with the gate wiring 1 as a boundary. Are connected by two electrode patterns 501 and 502. The region 552 and the region 553 that are cut by the laser beam are provided in the common electrode 5 between the portion where the electrode pattern 501 protrudes and the portion where the electrode pattern 502 protrudes. Therefore, even when the region 552 and the region 553 are cut, the connection state of the common electrode 5 between the pixels adjacent in the vertical direction is maintained by the one electrode pattern 501. Therefore, the region A shown in the figure can be prevented from becoming a defective region. The electrode patterns 501 and 502 are not limited to two, but may be a plurality of three or more.

以上の実施例は、画素単位につき1回屈曲させる場合を示したが、2回以上、あるいは屈曲させない場合に用いてもよい。また、画素電極と共通電極を屈曲させ、ソース配線を屈曲させない場合にも同様に用いられる。
本発明にかかる液晶表示装置の製造方法.
Although the above embodiment shows the case where the pixel unit is bent once, it may be used two or more times or when it is not bent. Further, the pixel electrode and the common electrode are bent, and the same is used when the source wiring is not bent.
A method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention.

次に、本発明の実施の形態1乃至3にかかる液晶表示装置の製造工程について図5を用いて説明する。図5は液晶表示装置の製造工程を示す工程断面図である。   Next, the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the first to third embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the liquid crystal display device.

まず、図5(a)に示すように、絶縁性基板上にCr、Al、Ti、Ta、Mo、W、Ni、Cu、Au、Ag等やそれらを主成分とする合金、またはITO等の透光性を有する導電膜、またはそれらの多層膜等をスパッタ法や蒸着法等により成膜し、写真製版・加工によりゲート配線1、ゲート電極、共通容量配線を形成する。次に、図5(b)に示すように、窒化シリコン等よりなるゲート絶縁膜2を形成し、さらに非晶質Si、多結晶poly‐Si等よりなる半導体膜93、n型のTFTの場合はP等の不純物を高濃度にドーピングしたn+ 非晶質Si、n+ 多結晶poly‐Si等よりなるコンタクト膜を、連続的に例えばプラズマCVD、常圧CVD、減圧CVD法で成膜する。次いで、コンタクト膜および半導体膜93を島状に加工する。   First, as shown in FIG. 5A, an insulating substrate such as Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag, or an alloy containing them as a main component, or ITO is used. A light-transmitting conductive film or a multilayer film thereof is formed by sputtering, vapor deposition, or the like, and the gate wiring 1, the gate electrode, and the common capacitor wiring are formed by photolithography and processing. Next, as shown in FIG. 5B, a gate insulating film 2 made of silicon nitride or the like is formed, a semiconductor film 93 made of amorphous Si, polycrystalline poly-Si, or the like, and an n-type TFT. Is a contact film made of n + amorphous Si, n + polycrystalline poly-Si or the like doped with an impurity such as P at a high concentration, for example, by plasma CVD, atmospheric pressure CVD, or low pressure CVD. . Next, the contact film and the semiconductor film 93 are processed into an island shape.

次に、図5(c)に示すように、Cr、Al、Ti、Ta、Mo、W、Ni、Cu、Au、Ag等やそれらを主成分とする合金、またはITO等の透光性を有する導電膜、またはそれらの多層膜等をスパッタ法や蒸着法で成膜後、写真製版と微細加工技術によりソース配線3、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極等を形成する。さらに、ソース電極及びドレイン電極あるいはそれらを形成したホトレジストをマスクとしてコンタクト膜をエッチングし、チャネル領域から取り除く。   Next, as shown in FIG. 5 (c), Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag, etc., alloys based on them, or translucency of ITO, etc. After forming the conductive film, or a multilayer film thereof, by sputtering or vapor deposition, the source wiring 3, the source electrode, the drain electrode, the storage capacitor electrode, and the like are formed by photolithography and fine processing techniques. Further, the contact film is etched using the source and drain electrodes or the photoresist on which they are formed as a mask, and removed from the channel region.

次いで、窒化シリコンや酸化シリコン等の無機材料からなる絶縁膜4を成膜する。その後、写真製版とそれに続くエッチングによりコンタクトホールを形成する。コンタクトホールを設けることによりソース配線3又はゲート配線1が露出する。   Next, an insulating film 4 made of an inorganic material such as silicon nitride or silicon oxide is formed. Thereafter, contact holes are formed by photolithography and subsequent etching. By providing the contact hole, the source wiring 3 or the gate wiring 1 is exposed.

次に絶縁膜4の上から有機平坦化膜9を設ける。有機平坦化膜9は例えば、感光性のアクリル樹脂によって形成される。スピンコートによって、絶縁膜4の上に樹脂を設け、露光、現像することにより有機平坦化膜9のパターンが形成される。これにより、ソース配線3又はゲート配線1が露出させるためのコンタクトホールが形成される。さらに、断線を修復するための断線修復領域51及び断線修復領域52では、有機平坦化膜9が除去され、開口部が形成される。この場合、例えば、有機平坦化膜にネガ型の感光性樹脂を用いたとすると、断線修復領域に対応した箇所に遮光部を備えるフォトマスクが用いられる。これにより、断線修復領域の有機平坦化膜9に開口部が形成される。   Next, an organic planarizing film 9 is provided on the insulating film 4. The organic planarizing film 9 is made of, for example, a photosensitive acrylic resin. A resin is provided on the insulating film 4 by spin coating, and the pattern of the organic planarizing film 9 is formed by exposure and development. Thereby, a contact hole for exposing the source line 3 or the gate line 1 is formed. Further, in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 for repairing the disconnection, the organic planarization film 9 is removed and an opening is formed. In this case, for example, if a negative photosensitive resin is used for the organic planarizing film, a photomask having a light shielding portion at a position corresponding to the disconnection repair region is used. As a result, an opening is formed in the organic planarization film 9 in the disconnection repair region.

あるいは断線を修復するための断線修復領域51及び断線修復領域52において、有機平坦化膜9の一部が除去され薄膜化される。この場合、断線修復領域に対応した濃淡を有する半透過部が形成されたフォトマスクを用いる。これにより、断線修復領域において、遮光部と透光部との間の露光量となるよう、露光量を変化させることができる。断線修復領域において有機平坦化膜9の一部が除去され有機平坦化膜9を薄膜化することができる。このようにして、断線修復領域で有機平坦化膜9を薄膜化することができる。   Alternatively, in the disconnection repair region 51 and the disconnection repair region 52 for repairing the disconnection, a part of the organic planarizing film 9 is removed and thinned. In this case, a photomask in which a translucent portion having light and shade corresponding to the disconnection repair region is formed is used. Thereby, in the disconnection repair region, the exposure amount can be changed so that the exposure amount is between the light shielding portion and the light transmitting portion. A part of the organic flattening film 9 is removed in the disconnection repair region, and the organic flattening film 9 can be thinned. In this way, the organic planarizing film 9 can be thinned in the disconnection repair region.

有機平坦化膜9の上から図5(e)に示すように、Cr、Al、Ti、Ta、Mo、W、Ni、Cu、Au、Ag等やそれらを主成分とする合金、またはITO等の透光性を有する導電膜、またはそれらの多層膜等を成膜後、パターニングすることで画素電極、共通電極5を形成する。これにより断線修復領域における有機平坦化膜9の開口部あるいは薄膜化された箇所の上に共通電極を形成することができる。   As shown in FIG. 5E from the top of the organic flattened film 9, Cr, Al, Ti, Ta, Mo, W, Ni, Cu, Au, Ag, etc., alloys containing them as main components, ITO, etc. The pixel electrode and the common electrode 5 are formed by patterning after forming a light-transmitting conductive film or a multilayer film thereof. Thereby, a common electrode can be formed on the opening of the organic planarization film 9 or the thinned portion in the disconnection repair region.

以上の工程により、本実施の形態における横方向電界方式の液晶表示装置を構成するTFT基板を作製することができる。さらに、このTFT基板と対向基板の間に液晶を挟持し、シール材にて接合する。このときラビング、光配向等の方法により液晶分子を所定の角度で配向させる。なお、液晶を配向させる方法は、既知のどのような方法を用いてもよい。さらに、ゲート配線、ソース配線、共通容量配線にそれぞれゲート線駆動回路、ソース線駆動回路、共通容量配線用電源を接続することにより液晶表示装置を作製する。   Through the above process, a TFT substrate included in the horizontal electric field liquid crystal display device in this embodiment can be manufactured. Further, a liquid crystal is sandwiched between the TFT substrate and the counter substrate and bonded with a sealing material. At this time, liquid crystal molecules are aligned at a predetermined angle by a method such as rubbing or photo-alignment. Any known method may be used for aligning the liquid crystal. Further, a liquid crystal display device is manufactured by connecting a gate line driving circuit, a source line driving circuit, and a common capacitor wiring power source to the gate wiring, the source wiring, and the common capacitor wiring, respectively.

アレイ検査工程後又はパネル検査工程で断線が検出されたら、その断線箇所に対応する画素の断線修復領域51、52にレーザを照射して断線を修復する。さらに、重なり領域の接続を分離する断線修復用分離領域にレーザを照射して、接続を分離する。これにより、容易に断線を修復することができ、液晶表示装置の表示品質及び生産性を向上することができる。   When disconnection is detected after the array inspection process or in the panel inspection process, the disconnection repair areas 51 and 52 of the pixel corresponding to the disconnection portion are irradiated with laser to repair the disconnection. Further, the connection is separated by irradiating a laser to the disconnection repairing separation region that separates the connection in the overlapping region. Thereby, the disconnection can be easily repaired, and the display quality and productivity of the liquid crystal display device can be improved.

尚、上述の実施の形態では、ソース電極と共通電極を導通状態にする工程を、共通電極の一部を分離する工程よりも先に行ったが、これらの工程の順序は逆であってもよい。また、絶縁膜4のコンタクトホールを設けた後に有機平坦化膜9のコンタクトホールを設けたが、有機平坦化膜9のコンタクトホールと絶縁膜4のコンタクトホールを続けて形成してもよい。   In the above-described embodiment, the step of bringing the source electrode and the common electrode into a conductive state is performed prior to the step of separating a part of the common electrode, but the order of these steps may be reversed. Good. In addition, the contact hole of the organic planarizing film 9 is provided after the contact hole of the insulating film 4 is provided, but the contact hole of the organic planarizing film 9 and the contact hole of the insulating film 4 may be formed successively.

なお、上述の実施の形態では横方向電界方式の液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、本発明は有機膜を超えて断線を容易に修復する方法を提供することが可能であり、その他の方式の液晶表示装置に対しても利用することができる。さらには液晶表示装置以外の表示装置であっても、第1の導電層と第2の導電層の間に配置された有機膜を超えて断線を修復することができる。   In the above-described embodiment, the horizontal electric field type liquid crystal display device has been described. However, the present invention is not limited to this. That is, the present invention can provide a method for easily repairing the disconnection beyond the organic film, and can be used for other types of liquid crystal display devices. Furthermore, even in a display device other than a liquid crystal display device, the disconnection can be repaired beyond the organic film disposed between the first conductive layer and the second conductive layer.

本発明にかかる液晶表示装置の画素部を示す図である。It is a figure which shows the pixel part of the liquid crystal display device concerning this invention. 本発明にかかる液晶表示装置の画素部の断面図である。It is sectional drawing of the pixel part of the liquid crystal display device concerning this invention. 本発明にかかる液晶表示装置の画素部を示す図である。It is a figure which shows the pixel part of the liquid crystal display device concerning this invention. 本発明にかかる液晶表示装置の画素部を示す図である。It is a figure which shows the pixel part of the liquid crystal display device concerning this invention. 本発明にかかる液晶表示装置の製造フローを示す図である。It is a figure which shows the manufacture flow of the liquid crystal display device concerning this invention. 従来の液晶表示装置の画素部を示す図である。It is a figure which shows the pixel part of the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の画素部を示す図である。It is a figure which shows the pixel part of the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置の画素部の示す図である。It is a figure which shows the pixel part of the conventional liquid crystal display device.

符号の説明Explanation of symbols

1 ゲート配線
2 ゲート絶縁膜
3 ソース配線
4 絶縁膜
5 共通電極
6 画素電極
7 共通容量電極
8 ゲート電極
9 有機平坦化膜
51 断線修復領域
52 断線修復領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gate wiring 2 Gate insulating film 3 Source wiring 4 Insulating film 5 Common electrode 6 Pixel electrode 7 Common capacity electrode 8 Gate electrode 9 Organic planarization film 51 Disconnection repair region 52 Disconnection repair region

Claims (13)

基板上に設けられたソース配線となる第1の導電層と、
前記第1の導電層の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成された絶縁性の有機膜と、
前記有機膜の上に形成されて、画素電極と対向配置される共通電極となり、前記第1の導電層と一定の領域において重なり合う第2の導電層とを備え、
前記第1の導電層と前記第2の導電層が重なり合う領域において、前記有機膜が除去された断線修復領域が前記絶縁膜の上に形成されている表示装置。
A first conductive layer to be a source wiring provided on the substrate;
An insulating film provided on the first conductive layer;
An insulating organic film formed on the insulating film;
A common electrode formed on the organic film and disposed opposite to the pixel electrode, the second conductive layer overlapping the first conductive layer in a certain region;
A display device in which a disconnection repair region from which the organic film has been removed is formed on the insulating film in a region where the first conductive layer and the second conductive layer overlap.
前記断線修復領域において、前記絶縁膜が露出するよう前記有機膜が除去されている請求項1記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the organic film is removed so that the insulating film is exposed in the disconnection repair region. 前記断線修復領域において、前記有機膜の一部が除去され、前記有機膜が薄膜化されている請求項1記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein a part of the organic film is removed and the organic film is thinned in the disconnection repair region. ほぼ全ての画素に対して1つ以上、前記断線修復領域が形成されている請求項1乃至3いずれかに記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein at least one disconnection repair region is formed for almost all pixels. 前記第1の導電層と前記第2の導電層とが重なり合う重なり領域外に、修復された画素における前記第2の導電層と他の画素における第2の導電層との接続を分離することができる断線修復用分離領域をさらに有する請求項4記載の表示装置。   Separating the connection between the second conductive layer in the repaired pixel and the second conductive layer in another pixel outside the overlapping region where the first conductive layer and the second conductive layer overlap. The display device according to claim 4, further comprising a disconnection repair isolation region. 前記第1の導電層がソース配線であり、
前記第2の導電層が画素電極と対向配置された共通電極であり、
前記ソース配線を介して前記画素電極に供給された表示信号により、前記基板と平行な方向に液晶が駆動する横方向電界方式の液晶表示装置であることを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載の表示装置。
The first conductive layer is a source wiring;
The second conductive layer is a common electrode disposed opposite to the pixel electrode;
6. A lateral electric field type liquid crystal display device in which a liquid crystal is driven in a direction parallel to the substrate by a display signal supplied to the pixel electrode through the source wiring. The display device described in 1.
基板上にソース配線となる第1の導電層を形成するステップと、
前記第1の導電層の上に絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜の上に絶縁性の有機膜を形成するステップと、
前記絶縁膜の上において前記有機膜を除去して断線修復領域を設けるステップと、
前記有機膜の上に形成されて、画素電極と対向配置される共通電極となり、前記第1の導電層と一定の領域において重なり合う第2の導電層を形成するステップと、
前記ソース配線の断線を検出した後、断線箇所に対応する画素の前記断線修復領域に形成されている前記第1の導電層と前記第2の導電層とを導通するステップとを備える表示装置の製造方法。
Forming a first conductive layer to be a source wiring on a substrate;
Forming an insulating film on the first conductive layer;
Forming an insulating organic film on the insulating film;
Removing the organic film on the insulating film to provide a disconnection repair region;
Forming a second conductive layer formed on the organic film and serving as a common electrode opposed to the pixel electrode, and overlapping the first conductive layer in a certain region;
And a step of electrically connecting the first conductive layer and the second conductive layer formed in the disconnection repair region of the pixel corresponding to the disconnection portion after detecting the disconnection of the source wiring. Production method.
前記第1の導電層と前記第2の導電層を導通するステップでは、レーザビームを照射することにより、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを導通させることを特徴とする請求項7記載の表示装置の製造方法。   The step of conducting the first conductive layer and the second conductive layer is characterized in that the first conductive layer and the second conductive layer are conducted by irradiating a laser beam. Item 8. A method for manufacturing a display device according to Item 7. 前記断線修復領域がほぼ全ての画素に対して1つ又は2つ形成されていることを特徴とする請求項7又は8に記載の表示装置の製造方法。   9. The method of manufacturing a display device according to claim 7, wherein one or two disconnection repair regions are formed for almost all pixels. 複数の断線修復領域において前記第1の導電層と前記第2の導電層とを導通させることにより、前記断線修復領域の間に配置された断線箇所をバイパスすることを特徴とする請求項7乃至9いずれかに記載の表示装置の製造方法。   8. The disconnection portion disposed between the disconnection repair regions is bypassed by conducting the first conductive layer and the second conductive layer in a plurality of disconnection repair regions. 9. A manufacturing method of a display device according to any one of 9 above. 前記第1の導電層と前記第2の導電層とが重なり合う重なり領域外に、修復された画素における前記第2の導電層と他の画素における第2の導電層との接続を分離することができる断線修復用分離領域をさらに有し、
前記断線修復用分離領域の前記第2の導電層を切断するステップをさらに備える請求項10記載の表示装置の製造方法。
Separating the connection between the second conductive layer in the repaired pixel and the second conductive layer in another pixel outside the overlapping region where the first conductive layer and the second conductive layer overlap. It further has a separation area for disconnection repair,
The method for manufacturing a display device according to claim 10, further comprising a step of cutting the second conductive layer in the disconnection repair separation region.
前記第2の導電層を切断するステップではレーザビームを照射することにより、前記第2の導電層を切断することを特徴とする請求項11記載の表示装置の製造方法。   12. The method for manufacturing a display device according to claim 11, wherein in the step of cutting the second conductive layer, the second conductive layer is cut by irradiating a laser beam. 前記有機膜が感光性樹脂により形成されている請求項7乃至12いずれかに記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 7, wherein the organic film is formed of a photosensitive resin.
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