JP4326974B2 - Wafer grinding apparatus and grinding method - Google Patents
Wafer grinding apparatus and grinding method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4326974B2 JP4326974B2 JP2004024678A JP2004024678A JP4326974B2 JP 4326974 B2 JP4326974 B2 JP 4326974B2 JP 2004024678 A JP2004024678 A JP 2004024678A JP 2004024678 A JP2004024678 A JP 2004024678A JP 4326974 B2 JP4326974 B2 JP 4326974B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- rotating
- amount
- ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
この発明は、半導体材料、磁性材料、セラミック等の硬脆材料のウェーハを研削するようにしたウェーハの研削装置及び研削方法に関するものである。 The present invention relates to a wafer grinding apparatus and grinding method for grinding a wafer made of a hard and brittle material such as a semiconductor material, a magnetic material, and a ceramic.
従来、この種のウェーハの研削方法としては、例えば、特許文献1〜特許文献4に開示されるような方法が知られている。
これらの研削方法では、ウェーハの表面側に形成された電気回路等の表面を弾性材料等よりなる保護シートを貼着して保護し、この状態でウェーハを保護シート側において回転テーブル上にエア吸着によりチャックしている。そして、回転テーブルを回転させるとともに、回転砥石を回転テーブルの回転軸線と平行な回転軸線の周りで回転させながら、ウェーハに対して送り移動させることにより、ウェーハの裏面側を研削するようにしている。
In these grinding methods, the surface of an electric circuit or the like formed on the surface side of the wafer is protected by sticking a protective sheet made of an elastic material or the like, and in this state, the wafer is air adsorbed on the rotary table on the protective sheet side. It is chucked by. Then, while rotating the rotary table, the back surface side of the wafer is ground by moving the rotary grindstone around the rotary axis parallel to the rotary axis of the rotary table while moving the rotary grindstone. .
ところが、これらの従来の研削方法においては、前述のようにウェーハの表面に弾性材料よりなる保護シートを貼着しているため、回転砥石によるウェーハの研削時に、回転砥石による押圧力により保護シートが主として厚さ方向に弾性変形してウェーハに部分的な撓みが発生した。このウェーハの撓み量が大きい場合には、ウェーハの研削が行われないままウェーハに割れを生じてしまうという問題があった。 However, in these conventional grinding methods, since the protective sheet made of an elastic material is attached to the surface of the wafer as described above, the protective sheet is applied by the pressing force of the rotating grindstone when grinding the wafer with the rotating grindstone. The wafer was partially deformed due to elastic deformation mainly in the thickness direction. When the amount of deflection of the wafer is large, there is a problem that the wafer is cracked without being ground.
特に、特許文献3及び特許文献4の研削方法のように、ウェーハ上の回路面にバンプ等の突起がある場合には、その突起を埋設可能な弾性及び厚さを有する保護シートを使用している。このため、ウェーハの研削時における撓み量が一層大きくなって、前記の問題が顕著に現われた。
In particular, when there are protrusions such as bumps on the circuit surface on the wafer as in the grinding methods of
この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的は、ウェーハの表面側に保護シートを貼着して、そのウェーハの裏面側を研削する際、砥石に接触している部分で保護シートの弾性変形によって生じるウェーハの撓み量を検出し、撓みによるウェーハの割れを未然に防止することができるウェーハの研削装置及び研削方法を提供することにある。 The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art. The purpose is to attach a protective sheet to the front side of the wafer, and when grinding the back side of the wafer, detect the amount of deflection of the wafer caused by elastic deformation of the protective sheet at the part in contact with the grindstone, It is an object of the present invention to provide a wafer grinding apparatus and a grinding method capable of preventing a wafer from being cracked by bending.
上記の目的を達成するために、研削装置に係る請求項1に記載の発明においては、回転テーブルと、回転テーブルの回転軸線と平行な回転軸線を中心に回転される回転砥石とを有し、ウェーハの表面側に貼着された保護シートを回転テーブル上にチャックして、回転するウェーハの裏面側を回転砥石により研削するようにしたウェーハの研削装置において、研削時におけるウェーハの撓み量を検出する撓み量検出手段と、検出された撓み量が所定値を越えた場合に回転砥石の研削送りを停止させる制御手段とを備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the invention according to
請求項2に記載の発明においては、請求項1に記載の発明において、前記撓み量検出手段が、回転砥石がウェーハの被研削面と接触した位置からの回転砥石の送り位置の位置の変化量を計測する第1計測手段と、研削前のウェーハの被研削面の位置から研削中における回転砥石と接触していない部分でのウェーハの被研削面の位置の変化量を計測する第2計測手段とを備え、両計測手段による計測結果の差に基づいてウェーハの撓み量が検出されることを特徴とした。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the amount of change in the position of the feed position of the rotating whetstone from the position where the rotating whetstone contacts the surface to be ground of the wafer is detected by the deflection amount detecting means. And a second measuring means for measuring the amount of change in the position of the surface to be ground of the wafer in a portion not in contact with the rotating grindstone during grinding from the position of the surface to be ground of the wafer before grinding. And the amount of deflection of the wafer is detected based on the difference between the measurement results obtained by the two measuring means.
請求項3に記載の発明においては、請求項2に記載の発明において、回転砥石の研削面の摩耗量を検出する摩耗量検出手段と、その摩耗量検出手段による検出結果から、回転砥石の送り指令値を修正する修正手段を設けたことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the invention, a wear amount detecting means for detecting the wear amount of the grinding surface of the rotating grindstone, and a result of detection by the wear amount detecting means, the feed of the rotating grindstone is detected. A correction means for correcting the command value is provided.
請求項4に記載の発明においては、請求項2又は3に記載の発明において、回転砥石送り用モータの電流値を検出する電流検出手段を設け、その電流値の変化に基づき、回転砥石がウェーハの被研削面と接触した位置が検出されることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the second or third aspect of the present invention, there is provided current detecting means for detecting a current value of a rotating wheel feeding motor, and the rotating whetstone is a wafer based on a change in the current value. The position in contact with the surface to be ground is detected.
請求項5に記載の発明においては、請求項4に記載の発明において、前記電流検出手段が回転砥石がウェーハの被研削面と接触した位置を検出してから回転砥石が送られているにもかかわらず、所定時間内でウェーハ研削状態の所定の電流値に到達しない場合にウェーハの撓み量が検出されることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the present invention, the rotating wheel is fed after the current detecting means detects a position where the rotating wheel contacts the surface to be ground of the wafer. Regardless, the amount of deflection of the wafer is detected when the predetermined current value in the wafer grinding state is not reached within a predetermined time.
研削方法に係る請求項6に記載の発明においては、ウェーハの表面側に貼着された保護シートを回転テーブル上にチャックして、ウェーハの裏面側を回転砥石により研削するようにしたウェーハの研削方法において、研削時におけるウェーハの撓み量を検出し、検出された撓み量が所定値を越えた場合に研削送りを停止させることを特徴とした。
In the invention according to
請求項7に記載の発明においては、請求項6に記載の発明において、研削前のウェーハの被研削面の位置から研削中における回転砥石と接触しない部分でのウェーハの被研削面の位置の変化量を計測した計測結果と、回転砥石がウェーハの被研削面と接触した位置からの回転砥石の送り位置の変化量を計測した計測結果との差に基づいてウェーハの撓み量を検出することを特徴とした。
In the invention according to
(作用)
この発明においては、ウェーハの研削中に、そのウェーハの撓み量が検出されて、検出された撓み量が所定値を越えたとき、回転砥石の研削送りが停止される。このため、ウェーハの研削中に、保護シートの弾性変形に伴って、ウェーハに大きな撓みが生じたまま研削されずに研削送りのみが進行して、ついにはウェーハが割れてしまうことを未然に防止することができる。
(Function)
In the present invention, during the grinding of the wafer, the amount of deflection of the wafer is detected, and when the detected amount of deflection exceeds a predetermined value, the grinding feed of the rotating grindstone is stopped. For this reason, during grinding of the wafer, along with the elastic deformation of the protective sheet, it is possible to prevent the wafer from cracking and finally the grinding feed only proceeds without grinding while the wafer is largely bent. can do.
また、ウェーハの研削中に、回転砥石の送り位置の変化量と、ウェーハの回転砥石と接触していない部分での被研削面の位置の変化量とが計測されて、それらの計測結果の差に基づいてウェーハの撓み量が検出される。よって、ウェーハの撓み量を正確かつリアルタイムに検出することができ、前述したウェーハの割れを有効に防止できる。 In addition, during grinding of the wafer, the amount of change in the feed position of the rotating grindstone and the amount of change in the position of the surface to be ground in the portion that is not in contact with the rotating grindstone of the wafer are measured. Based on this, the amount of deflection of the wafer is detected. Therefore, the amount of deflection of the wafer can be detected accurately and in real time, and the aforementioned cracking of the wafer can be effectively prevented.
さらに、回転砥石の送り用モータの電流(又は電力)値が、回転砥石がウェーハと接触してから所定時間内でウェーハ研削状態を示す所定の値に到達しない場合に、撓み量大によるウェーハの割れが予知できるため、このときにウェーハの撓み量を検出するようにしている。 Further, when the current (or power) value of the rotary grinding wheel feed motor does not reach a predetermined value indicating the wafer grinding state within a predetermined time after the rotary grinding wheel contacts the wafer, Since cracks can be predicted, the amount of deflection of the wafer is detected at this time.
以上のように、この発明によれば、ウェーハの表面側に保護シートを貼着して、そのウェーハの裏面側を研削する際に、ウェーハに大きな撓みが生じるのを抑制することができる。このため、ウェーハの割れを未然に防止できるという効果を発揮する。 As described above, according to the present invention, when a protective sheet is attached to the front surface side of the wafer and the back surface side of the wafer is ground, it is possible to prevent the wafer from being greatly bent. For this reason, the effect that the crack of a wafer can be prevented beforehand is exhibited.
以下に、この発明の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図1に示すように、この実施形態の研削装置においては、ベッド11上にコラム12が立設されている。ベッド11上には回転テーブル13が垂直軸線の周りで回転可能に支持され、テーブル回転用モータ14により回転されるようになっている。回転テーブル13内にはエアチャック機構15が配設され、このエアチャック機構15により、半導体材料等よりなるウェーハW(厚さ:通常800μm〜600μm程度)が回転テーブル13上に対して着脱可能に吸引チャックされる。この場合、ウェーハWの表面側に形成された電気回路等の表面には柔軟性を有する弾性材料よりなる保護シートP(厚さ:通常100μm〜250μm程度)が貼着され、その保護シートPを下にしてウェーハWが回転テーブル13に載置されて、保護シートP側においてウェーハWが回転テーブル13上にチャックされるようになっている。なお、保護シートPは、その貼着面に粘着層が設けられ、その粘着層においてウェーハWに貼着される。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, in the grinding apparatus of this embodiment, a
前記コラム12の側面には、加工ヘッド16を支持した支持台Sがレール17を介して昇降可能に支持されている。加工ヘッド16の下部には工具としての回転砥石18が前記回転テーブル13の回転軸線と平行な垂直軸線の周りで回転可能に支持され、NC制御される砥石回転用モータ19により回転されるようになっている。コラム12上には回転方向及び回転速度を変更可能な砥石送り用モータ20が配設され、この砥石送り用モータ20の回転により、送りネジ21を介して支持台Sと一体に加工ヘッド16が垂直軸線に沿って昇降されて、回転砥石18が回転テーブル13上のウェーハWに対して送り移動または退避移動されるようになっている。そして、NC指令値に基づいて回転砥石18の早送り、研削送りが制御される。
A support base S that supports the
そして、図1に示すように、ウェーハWが保護シートP側において回転テーブル13上に吸引チャックされた状態で、回転テーブル13が低速回転されるとともに、回転砥石18が高速回転される。それとともに、加工ヘッド16の早送りによる高速下降に続いて、回転砥石18が回転テーブル13上のウェーハWに近づいた所定の高さで、より遅い研削送りに切り替えられて、ウェーハWに接触し、その後、回転砥石18により、ウェーハWの保護シートPと反対側の裏面が研削されるようになっている。
As shown in FIG. 1, the rotary table 13 is rotated at a low speed and the rotating
前記砥石送り用モータ20には電流検出手段としての電流検出センサ23が配設され、この電流検出センサ23により、回転砥石18の回転時における砥石送り用モータ20に流れる電流値が検出され、その電流値の変動により、回転砥石18がウェーハWに接触したことが検出されると共に、所定値以上の電流値が検出されることによりウェーハWを研削している状態であることが検出できるようになっている。
The grinding
そして、第1計測手段は、後述のCPU32において、研削送り中に、電流検出センサ23が電流値の増加を検知したときの回転砥石18のZ位置を接触時の送り位置として、その位置とその後のZ位置との差から砥石の位置の変化量ΔZを計測する。
Then, in the
図1及び図2(a)(b)に示すように、前記ベッド11上には、テーブル面計測用センサ24及び第2計測手段を構成する被研削面計測用センサ25が、それぞれブラケット26を介して配設されている。なお、図1においては、テーブル面計測用センサ24と被研削面計測用センサ25との上下関係を明確にするために、両センサ24,25を同一位置に描いたが、実際には、図2(b)に示すように、被研削面計測用センサ25は回転砥石18と接触しない部分と対応するように回転砥石18の近傍に位置していて、回転砥石18によりウェーハWが撓んだ際にこれを明確に検出できるようになっている。また、これらのセンサ24,25としては、接触型のセンサが用いられているが、非接触型のセンサを使用してもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2 (a) and 2 (b), on the
そして、ウェーハWの研削時に、テーブル面計測用センサ24により、回転テーブル13のテーブル面13aの位置が計測されるとともに、被研削面計測用センサ25により、研削中におけるウェーハW上の被研削面Waの位置、すなわち上面高さHが計測される。また、これらのセンサ24,25による位置計測結果に基づいて、研削時におけるウェーハWの厚さが検出されるようになっている。また、第2計測手段は、被研削面計測センサ25によって、研削前におけるウェーハWの上面高さを計測しておき、研削中に計測したウェーハWの上面高さとの差からウェーハWの上面高さの変化量ΔHを計測する。これにより、CPU32は砥石の位置の変化量ΔZとウェーハWの上面高さの変化量ΔHの差を算出し、ウェーハWの撓み量Tを検出する。すなわち、図2(a)に示すような研削時におけるウェーハWの撓み量Tが検出され、この撓み量Tが所定の、たとえば限界値20μmを越したかどうかが検出されるようになっている。この撓み量Tの検出に関する詳細については後述する。
When the wafer W is ground, the position of the table surface 13a of the rotary table 13 is measured by the table
次に、研削装置の回路構成について説明する。
図3に示すように、この制御回路31は、CPU32、ROM33、RAM34、砥石摩耗量検出手段を構成する砥石摩耗量検出センサ22、砥石送り用モータ電流検出センサ23、テーブル面計測用センサ24、被研削面計測用センサ25、操作部35、テーブル回転用モータ14、砥石回転用モータ19、砥石送り用モータ20及び表示部36から構成されている。
Next, the circuit configuration of the grinding apparatus will be described.
As shown in FIG. 3, the
前記CPU32は制御回路31全体の制御を行う。この制御回路31は、制御手段、撓み量検出手段、前記第1計測手段、第2計測手段、修正手段及び摩耗量検出手段を構成する。ROM33は制御回路31の制御を行うためのプログラムを記憶している。RAM34はフラッシュメモリ等で構成され、プログラム実行にともなって発生する一時的なデータを記憶する。操作部35は入力に必要なテンキー35a、研削装置の動作を開始及び停止させるためのキー等の各種操作キーを備えている。表示部36はLCD等からなるモニタを備え、研削装置の状態を表示したり、テンキー35aによって入力されたデータを表示したりする。
The
そして、前記CPU32は、RAM34に研削送り開始のための所定位置及び回転砥石の送り指令値が記憶され、この記憶された砥石の送り指令値に基づいて回転砥石18を研削送り動作させて、ウェーハWを予め設定された所定の厚さまで研削する。また、回転砥石18の送り開始後、電流検出センサ23によって回転砥石18がウェーハWの上面に接触されたことが検知されると、その位置からの砥石送り量が演算され、すなわち回転砥石18の研削面の位置の変化量ΔZが計測される。また、摩耗量検出手段は、加工終了後または砥石ドレッシング後に、砥石摩耗量検出センサ22によって所定送り位置における砥石18の研削面の位置の変化を計測して、回転砥石18の摩耗量を検出する。その後、その摩耗量がRAM34に記憶されて、修正手段により、次の研削加工に際して、摩耗量に応じて回転砥石18の、同じくRAM34に記憶された回転砥石18の送り指令値が修正される。
The
さらに、前記CPU32は、ウェーハWの研削中に、計測された回転砥石18の送り位置の変化量ΔZの計測結果と、ウェーハWの被研削面Waの位置の変化量ΔHの計測結果とに基づいて、その差を演算し、ウェーハWの撓み量Tを検出する。つまり、ウェーハWに撓みが生じている状態では、図2(a)から明らかなように、回転砥石18が接触している部分でのウェーハWの上面位置と回転砥石18が接触していない部分でのウェーハWの上面位置との間に撓み量T分の差が生じる。そして、この検出された撓み量Tと予め設定された限界値Tmaxを越えた場合に、回転砥石18の研削送りを停止させる。
Further, the
次に、この実施形態の研削装置によりウェーハWの仕上げ研削を行う場合の研削方法について、図4のフローチャートに基づいて説明する。なお、このフローチャートは、ROM33に記憶されているプログラムに基づいて、CPU32の制御により実行される。なお、ウェーハWの撓みの問題は、粗研削を経て薄くなったウェーハWを仕上げ研削する場合において特に生じやすい。従って、以降のフローチャートは仕上げ研削の場合について示すものである。
Next, a grinding method in the case of performing finish grinding of the wafer W by the grinding apparatus of this embodiment will be described based on the flowchart of FIG. This flowchart is executed under the control of the
さて、この研削装置においては、ウェーハWの一側面に形成された電気回路等の表面に保護シートPが予め貼着され、この状態でウェーハWが保護シートP側において、回転テーブル13のテーブル面13a上に吸引チャックされる。ここで、研削装置の運転により先に粗研削が行われ、続いて砥石交換を行い、仕上げの工程に入る。このウェーハWのチャック状態で、研削装置の運転が開始されると、ステップS1において、回転砥石18の研削面18aの摩耗量に応じて回転砥石18の回転砥石18の送り指令値が修正される。
In this grinding apparatus, a protective sheet P is attached in advance to the surface of an electric circuit or the like formed on one side surface of the wafer W. In this state, the wafer W is on the protective sheet P side, and the table surface of the
その後、S2において、砥石回転用モータ19により回転砥石18が高速回転されるとともに、テーブル回転用モータ14によりウェーハWが回転テーブル13にチャックされた状態で一体的に低速回転される。また、S3において、電流検出センサ23による砥石送り用モータ20の電流値の計測、テーブル面計測用センサ24による回転テーブル13のテーブル面13aの位置の計測、及び被研削面計測用センサ25によるウェーハWの被研削面Waの位置の計測が開始される。
Thereafter, in S2, the rotating
続いて、S4において、砥石送り用モータ20により回転砥石18がウェーハWに向かって高速の早送り速度にて送り移動される。この状態で、S5において、回転砥石18がウェーハWに対する直上方の予め設定された早送り終了位置、すなわち研削送り開始点まで送り移動されたか否かが判別され、回転砥石18が所定の研削送り開始位置まで送り移動されたとき、S6に進行して、回転砥石18の移動が高速の早送りから低速の研削送りに切り替えられる。
Subsequently, in S <b> 4, the rotating
さらに、S7において、電流検出センサ23の電流計測結果に基づいて、砥石送り用モータ20を流れる電流値が増加したか否かが判別される。この判別において、回転砥石18がウェーハWの上面に接触して研削抵抗により電流値が増加すると、S8に進行して接触検知信号が出され、このときの回転砥石18の送り位置Zのデータが取り込まれる。これにより、研削の進行とともに、S9において撓み量Tの検出が行われる。
Further, in S7, based on the current measurement result of the
ここで、図2に示すようなウェーハWの撓み量Tが検出される。そして、S10においてこの撓み量Tが予め設定された限界値Tmax未満であるかが判別される。
前記S10の判別において、撓み量Tが限界値Tmaxに達していないときには、S11に進行して、回転砥石18が送り指令値の位置に移動されるまで撓み量Tを計測、監視する。そして、撓み量Tが限界値Tmaxに達しないまま送り指令値の位置まで到達すると、S12に進行して、回転砥石18が原位置に向かって退避移動されるとともに、その回転砥石18及びウェーハWの回転が停止されて、研削動作が終了する。
Here, a deflection amount T of the wafer W as shown in FIG. 2 is detected. In S10, it is determined whether the deflection amount T is less than a preset limit value Tmax.
In the determination of S10, when the deflection amount T has not reached the limit value Tmax, the process proceeds to S11, and the deflection amount T is measured and monitored until the
前記S10の判別において、撓み量Tが限界値Tmaxを越えたときには、S13に進行して、砥石送り用モータ20による回転砥石18の切削送りが停止され、研削動作が中断される。引き続き、回転砥石18があらかじめ決められた量だけ上方へ戻る。従って、保護シートPの弾性変形により、ウェーハWに大きな撓みが生じたまま研削が続行されるのを抑制することができて、ウェーハWの研削精度が低下したり、ウェーハWに割れが発生するのを未然に防止することができる。
In the determination of S10, when the deflection amount T exceeds the limit value Tmax, the process proceeds to S13, the cutting feed of the
(変更例)
なお、この実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・ 前記実施形態においては、第2計測手段を構成する第2センサを、研削中のウェーハWの厚さを検出するための一対のセンサ24,25うちの一方のセンサ25と兼用しているが、これをウェーハWの撓み量Tの検出専用として別に設けること。
(Example of change)
In addition, this embodiment can also be changed and embodied as follows.
In the above embodiment, the second sensor constituting the second measuring means is also used as one of the pair of
・ 前記実施形態では、ウェーハWの撓み量Tが所定値以上になったときに、回転砥石18を上方へ戻すようにしている。これに対し、ウェーハWの撓み量Tが所定値以上になったときに、回転砥石18の送りを停止させるが、上方へは戻すことなく、停止位置で一定時間保持して、研削を継続し、撓み量Tが一定値以下になったときに、回転砥石18研削送りを再開すること。
In the embodiment, when the deflection amount T of the wafer W becomes a predetermined value or more, the rotating
・ ウェーハWの撓み量Tの検出を電流検出センサ23からの検出信号に基づいて行うこと。すなわち、回転砥石がウェーハWに接触してからウェーハWに対する研削がほとんど行われず、回転砥石18の送りのみが進行され場合には、ウェーハWの撓み量が上昇していく。この撓み量の所定値以上の上昇を防止するため、図4のS8に引き続き、図5に示すように、同図5のS21,S22の判断において電流検出センサ23からの電流値が所定時間経過してもウェーハWを研削している状態の電流値にならないか否かを判別し、ならない場合に、図4のS9に移行してウェーハWの撓み量Tの検出を行うようにする。従って、その後は、図4のルーチンに移行する。また、図5のS22において、電流検出センサ23からの電流値が研削状態の値になったと判断された場合には、S23に進行して、回転砥石18が送り指令値の位置に移動されたか否かが判別され、移動されると、S24において、回転砥石18が原位置に向かって退避移動されるとともに、その回転砥石18及びウェーハWの回転が停止されて、研削動作が終了する。このように、ウェーハWが研削されていないことを直ちに検知し、このときに撓み量Tの検出を行うことで、より正確で効果的な検出、制御を行うことができる。
The detection of the deflection amount T of the wafer W is performed based on the detection signal from the
・支持台(サドル)Sに加工ヘッド16を水平移動方向に支持し、水平送り用モータを取り付けて、回転砥石18に水平方向の送りを与えながら研削加工を行うタイプの研削盤を用いてもよい。
A grinder of the type that supports the
13…回転テーブル、13a…テーブル面、14…テーブル回転用モータ、15…エアチャック機構、16…加工ヘッド、18…工具としての回転砥石、18a…研削面、19…砥石回転用モータ、20…砥石送り用モータ、22…第1計測手段を構成する第1センサとしての砥石送り量計測用エンコーダ、24…テーブル面計測用センサ、25…第2計測手段を構成する第2センサとしての被研削面計測用センサ、31…制御手段、摩耗量検出手段、修正手段を構成する制御回路、W…ウェーハ、Wa…被研削面、P…保護シート、T…撓み量、Z…送り位置、ΔH…変化量、ΔZ…変化量。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004024678A JP4326974B2 (en) | 2004-01-30 | 2004-01-30 | Wafer grinding apparatus and grinding method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004024678A JP4326974B2 (en) | 2004-01-30 | 2004-01-30 | Wafer grinding apparatus and grinding method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005217326A JP2005217326A (en) | 2005-08-11 |
JP4326974B2 true JP4326974B2 (en) | 2009-09-09 |
Family
ID=34907291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004024678A Expired - Fee Related JP4326974B2 (en) | 2004-01-30 | 2004-01-30 | Wafer grinding apparatus and grinding method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4326974B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007210074A (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Shuwa Kogyo Kk | Grinding device, polishing device, grinding method and polishing method |
JP4913481B2 (en) * | 2006-06-12 | 2012-04-11 | 株式会社ディスコ | Wafer grinding equipment |
JP5064102B2 (en) * | 2007-04-27 | 2012-10-31 | 株式会社ディスコ | Substrate grinding method and grinding apparatus |
US8712575B2 (en) * | 2010-03-26 | 2014-04-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Hydrostatic pad pressure modulation in a simultaneous double side wafer grinder |
JP6075995B2 (en) * | 2012-08-20 | 2017-02-08 | 株式会社ディスコ | Grinding wheel wear amount detection method |
JP5685276B2 (en) * | 2013-01-16 | 2015-03-18 | 株式会社野水機械製作所 | Saw blade back taper processing equipment |
-
2004
- 2004-01-30 JP JP2004024678A patent/JP4326974B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005217326A (en) | 2005-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5064102B2 (en) | Substrate grinding method and grinding apparatus | |
JP5311858B2 (en) | Wafer grinding method and wafer grinding apparatus | |
JP5353586B2 (en) | Machine tool and processing method | |
JP5886680B2 (en) | Grinding method and grinding apparatus | |
JP4326974B2 (en) | Wafer grinding apparatus and grinding method | |
JP4912824B2 (en) | Grinder | |
JP5821615B2 (en) | Grinding abnormality monitoring method and grinding abnormality monitoring apparatus | |
JP2009072851A (en) | Platelike article grinding method | |
TW202031424A (en) | Grinding device capable of reducing air-cut period and enhancing production efficiency for grinding | |
JP4940904B2 (en) | Bulk quantity measuring device | |
JP3777825B2 (en) | Precision grinding machine and grinding wheel radius measurement method | |
JP5330555B2 (en) | Grinder | |
JPH0241871A (en) | Numerical control grinder | |
JP5065648B2 (en) | Grinder | |
WO2006061910A1 (en) | Initial position setting method of whetstone in vertical duplex surface grinding machine | |
JP5821616B2 (en) | Grinding abnormality monitoring method and grinding abnormality monitoring apparatus | |
JP2011104675A (en) | Grinding machine and grinding method | |
JP3362663B2 (en) | Traverse grinding control device | |
JP4400226B2 (en) | Grinding method and grinding apparatus | |
JP5821617B2 (en) | Grinding state determination method and grinding state determination device | |
JP5939935B2 (en) | Grinding equipment | |
JP2003053664A (en) | Machine tool and machining method | |
JPH06328361A (en) | Correcting device for wear of grinding wheel in grinding machine | |
JP2004098250A (en) | Double head grinding device | |
JP7310273B2 (en) | Surface roughness estimation device and surface roughness estimation method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090602 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090610 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4326974 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140619 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |