JP4287415B2

JP4287415B2 - Light emitting substrate, image display device, and method of manufacturing light emitting substrate

Info

Publication number: JP4287415B2
Application number: JP2005211743A
Authority: JP
Inventors: 博紀浅井; 恵子アルベサール; 直寿松田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2005-07-21
Filing date: 2005-07-21
Publication date: 2009-07-01
Anticipated expiration: 2025-07-21
Also published as: JP2007027063A

Description

本発明は、発光基板、画像表示装置及び発光基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting substrate, an image display device, and a method for manufacturing the light emitting substrate.

画像を表示する画像表示装置としては、陰極線管（ＣＲＴ）が主流であったが、表示画面の大型化及び装置の薄型化等の要求に応じて、平面型の画像表示装置（ＦＰＤ）が開発されている。この平面型の画像表示装置としては、量子トンネル効果を用いて固体から真空中に電子を放出する冷陰極型の電子放出表示装置（ＦＥＤ）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この電子放出表示装置用の電子源としては、先端曲率半径が小さいスピント型や表面伝導型等の電子放出素子が用いられる。 The cathode ray tube (CRT) was the mainstream as an image display device for displaying images, but a flat-type image display device (FPD) has been developed in response to demands for a larger display screen and a thinner device. Has been. As this flat type image display device, a cold cathode type electron emission display device (FED) that emits electrons from a solid into a vacuum using a quantum tunnel effect has been proposed (for example, refer to Patent Document 1). As an electron source for the electron emission display device, a spint type or surface conduction type electron emission element having a small tip curvature radius is used.

前記の電子放出表示装置は、複数の電子放出素子を有する背面基板（リア基板）、その背面基板の周縁部に設けられた支持枠、背面基板上に支持枠を介して設けられた前面基板（フェイス基板）等を備えている。前面基板は、ガラス基板等の基板、その基板上に各電子放出素子に対応させて設けられ電子線の照射により発光する複数の発光層（例えば蛍光層）、それらの発光層の間を埋める遮光層（例えばブラックマトリクス）、各発光層上及び遮光層上の全面に設けられた反射層（例えばメタルバック層）から構成されている。この前面基板は、発光基板として機能する。発光層は、例えば、電子放出素子から放出された電子が衝突することにより発光する蛍光体粒子を有している。また、反射層は、発光層で発生した光を発光層側に反射する層である。さらに、反射層は、電子放出素子から放出された電子の一部を電圧印加により発光層に向かって誘導するアノード電極としても機能する。 The electron emission display device includes a rear substrate (rear substrate) having a plurality of electron-emitting devices, a support frame provided on a peripheral portion of the rear substrate, and a front substrate (via a support frame on the rear substrate). Etc.). The front substrate is a substrate such as a glass substrate, a plurality of light emitting layers (for example, fluorescent layers) that are provided on the substrate corresponding to each electron-emitting device and emit light when irradiated with an electron beam, and light shielding that fills between the light emitting layers. It is composed of a layer (for example, a black matrix), a reflective layer (for example, a metal back layer) provided on the entire surface of each light emitting layer and the light shielding layer. This front substrate functions as a light emitting substrate. The light emitting layer has, for example, phosphor particles that emit light when electrons emitted from the electron-emitting device collide with each other. The reflective layer is a layer that reflects light generated in the light emitting layer toward the light emitting layer. Furthermore, the reflective layer also functions as an anode electrode that induces a part of electrons emitted from the electron-emitting device toward the light emitting layer by applying a voltage.

このような電子放出表示装置においては、ストレーエミッションや放電等を防止するため、反射層に印加するアノード電圧は一般的に１０ｋＶ程度に設定されている。ところが、アノード電圧が１０ｋＶ程度であると、発光層に対する電子の侵入深さは浅くなり、電子のエネルギーは発光層の表面近傍（侵入面近傍）だけで受容されることになる。このため、電子放出表示装置の各発光層の輝度は低くなってしまう。そこで、一般的には、発光層に対する注入電荷量を増やす、すなわち電子線のエネルギー密度を上げることによって、各発光層の輝度を向上させている。 In such an electron emission display device, the anode voltage applied to the reflective layer is generally set to about 10 kV in order to prevent stray emission and discharge. However, when the anode voltage is about 10 kV, the penetration depth of electrons into the light emitting layer becomes shallow, and the energy of electrons is accepted only near the surface of the light emitting layer (near the penetration surface). For this reason, the luminance of each light emitting layer of the electron emission display device is lowered. Therefore, in general, the luminance of each light emitting layer is improved by increasing the amount of charge injected into the light emitting layer, that is, by increasing the energy density of the electron beam.

このとき、発光層に対する電子の侵入深さが浅いままで、発光層に対する注入電荷量が増えるため、発光層の表面は変質しやすくなる。例えば、着色層が発光層の表面に形成されてしまう等の現象が生じることがある。このような発光層の表面変質層の形成は、発光層の発光能力を低下させなくても、光の取り出し効率を低下させるため、発光層の輝度は低下してしまう。また、発光層の表面変質は、注入電荷量が多いほど、すなわち電子線のエネルギー密度が高いほど早く進行してしまう。 At this time, since the amount of injected charges to the light emitting layer increases until the electron penetration depth into the light emitting layer is shallow, the surface of the light emitting layer is likely to be altered. For example, a phenomenon that a colored layer is formed on the surface of the light emitting layer may occur. The formation of such a surface-modified layer of the light emitting layer reduces the light extraction efficiency without reducing the light emitting ability of the light emitting layer, so that the luminance of the light emitting layer is lowered. Further, the surface modification of the light emitting layer progresses faster as the injected charge amount increases, that is, as the electron beam energy density increases.

一方、前記の電子放出素子から放出される電子線は、一般的に、エネルギー密度分布（電流密度分布）を有している。このため、エネルギー密度分布を有する電子線が発光層に照射された場合には、電子線の高エネルギー密度部が照射された発光層の高エネルギー被照射領域の表面は、電子線の低エネルギー密度部が照射された発光層の低エネルギー被照射領域の表面に比べて早く変質してしまう。これにより、発光層の高エネルギー被照射領域の輝度は、発光層の低エネルギー被照射領域の輝度に比べて早く低下してしまう。 On the other hand, the electron beam emitted from the electron-emitting device generally has an energy density distribution (current density distribution). For this reason, when an electron beam having an energy density distribution is irradiated to the light emitting layer, the surface of the high energy irradiated region of the light emitting layer irradiated with the high energy density portion of the electron beam has a low energy density of the electron beam. As compared with the surface of the low energy irradiated region of the light emitting layer irradiated with the part, the surface is deteriorated quickly. Thereby, the brightness | luminance of the high energy irradiated area | region of a light emitting layer will fall early compared with the brightness | luminance of the low energy irradiated area | region of a light emitting layer.

このように電子線が異なるエネルギー密度分布を有していれば、同じ発光層内でも初期輝度からの輝度低下速度は、異なるエネルギー密度分布に応じて異なってしまう。したがって、発光層の高エネルギー被照射領域の輝度低下速度は、発光層の低エネルギー被照射領域の輝度低下速度に比べて大きくなってしまう。また、発光層の高エネルギー被照射領域は、発光層の低エネルギー被照射領域に比べて注入電荷量が多くなるため、発光層の高エネルギー被照射領域の輝度は、発光層の低エネルギー被照射領域の輝度に比べて高くなる。 As described above, if the electron beams have different energy density distributions, the rate of luminance reduction from the initial luminance varies depending on the different energy density distributions even in the same light emitting layer. Therefore, the luminance reduction rate of the high energy irradiated region of the light emitting layer is larger than the luminance decreasing rate of the low energy irradiated region of the light emitting layer. In addition, since the high energy irradiated region of the light emitting layer has a larger amount of injected charge than the low energy irradiated region of the light emitting layer, the luminance of the high energy irradiated region of the light emitting layer is low. It becomes higher than the brightness of the area.

反射層（例えばメタルバック層）は、画像表示装置としての初期輝度を高くするためには、一般に少なくとも発光が生じる近傍の反射率は高い方が好ましく、ピンホールなど反射層の欠陥も少ないほうが良いと考えられている。例えば、部分的に蛍光体層を覆わない不連続部分を有する金属膜（反射層）が開示されているが（例えば、特許文献２参照）、この場合、不連続部分すなわち反射層の非形成部分は遮光層（ブラックマトリクス）上に形成されており、発光部分特に電子線の高エネルギー密度部を避けるように配置されている。また、陰極線管においてメタルバック（反射層）に意図的に小孔（反射層の非連続部分、すなわち穴）を形成するための製造方法が開示されているが（例えば、特許文献３参照）、これら小孔は画像を表示しないコーナー部に形成することが記載されており、電子線が照射される部分に積極的に小孔を形成することは開示されていない。
特開２００１−２３４１６３号公報特開２００３−２１７４５１号公報特開平６−９６６６７号公報 In order to increase the initial luminance as an image display device, the reflective layer (for example, a metal back layer) generally preferably has a high reflectance in the vicinity of at least light emission, and it is preferable that the reflective layer has few defects such as pinholes. It is believed that. For example, although a metal film (reflective layer) having a discontinuous portion that does not partially cover the phosphor layer is disclosed (see, for example, Patent Document 2), in this case, the discontinuous portion, that is, the non-formed portion of the reflective layer is disclosed. Is formed on a light shielding layer (black matrix) and is disposed so as to avoid a light emitting portion, particularly a high energy density portion of an electron beam. Further, a manufacturing method for intentionally forming small holes (non-continuous portions of the reflective layer, that is, holes) in the metal back (reflective layer) in the cathode ray tube is disclosed (for example, see Patent Document 3). It is described that these small holes are formed in a corner portion where an image is not displayed, and it is not disclosed that positive holes are positively formed in a portion irradiated with an electron beam.
JP 2001-234163 A JP 2003-217451 A Japanese Patent Laid-Open No. 6-96667

ところが、前述したように発光層の高エネルギー被照射領域の輝度は、低エネルギー被照射領域の輝度に比べて注入電荷量が大きいため、蛍光体の種類によっては、発光層の高エネルギー被照射領域の輝度が早く低下すると、それに伴って、発光層全体の輝度も早く低下するように知覚されてしまう。このようになりやすい蛍光体としては、硫化物蛍光体等が挙げられる。これは、画像表示装置にとって装置の信頼性を低下させる要因になる。 However, as described above, the luminance of the high energy irradiated region of the light emitting layer has a larger amount of injected charge than the luminance of the low energy irradiated region. Therefore, depending on the type of phosphor, the high energy irradiated region of the light emitting layer If the luminance of the light emitting layer decreases quickly, the luminance of the entire light emitting layer is perceived to decrease quickly. Examples of the phosphor that is likely to become such include a sulfide phosphor. This becomes a factor of reducing the reliability of the apparatus for the image display apparatus.

本発明は上記に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光層全体の輝度が発光層の高エネルギー被照射領域の輝度低下に伴って引きずられ早く低下するように知覚されることを防止し、画像表示装置の信頼性を向上させることである。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to perceive that the luminance of the entire light emitting layer is dragged and quickly decreases as the luminance of the high energy irradiated region of the light emitting layer decreases. This is to improve the reliability of the image display apparatus.

本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、発光基板において、基板と、基板上に設けられ、エネルギー密度分布を有する電子線の照射により発光する発光層と、発光層上に設けられ、発光層により発生した光を反射する反射層と、反射層に設けられ、電子線における平均エネルギー密度以下のエネルギー密度を有する低エネルギー密度部が照射される発光層の低エネルギー被照射領域に対向し、発光層により発生した光を反射する平坦部と、反射層に設けられ、電子線における平均エネルギー密度より大きいエネルギー密度を有する高エネルギー密度部が照射される発光層の高エネルギー被照射領域に対向し、平坦部の反射率より低い反射率を有し、発光層により発生した光を反射する低反射部とを備えることである。 A first feature according to an embodiment of the present invention is a light emitting substrate, the substrate, a light emitting layer that is provided on the substrate and emits light by irradiation with an electron beam having an energy density distribution, and is provided on the light emitting layer. a reflective layer for reflecting light generated by the light emitting layer, disposed on the reflective layer, opposite the lower energy the irradiated region of the light emitting layer low energy density portion having the energy density average energy density in the electron beam is irradiated , a flat portion that reflects light generated by the light emitting layer, disposed on the reflective layer, opposite the high-energy irradiation regions of the light-emitting layer high energy density part having a higher energy density than the average energy density in the electron beam is irradiated And a low reflection portion that has a reflectance lower than that of the flat portion and reflects light generated by the light emitting layer.

本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、画像表示装置において、第１の特徴に係る発光基板と、発光基板に対向させて設けられ、電子を放出する複数の電子放出素子を有する放出基板とを備えることである。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an image display device, comprising: a light emitting substrate according to the first characteristic; and an emission having a plurality of electron-emitting devices that are provided to face the light emitting substrate and emit electrons. And a substrate.

本発明の実施の形態に係る第３の特徴は、発光基板の製造方法において、基板上に、エネルギー密度分布を有する電子線の照射により発光する発光層を形成する工程と、形成した発光層上に、発光層により発生した光を反射する反射層を形成し、同時に、反射層に、電子線における平均エネルギー密度以下のエネルギー密度を有する低エネルギー密度部が照射される発光層の低エネルギー被照射領域に対向し発光層により発生した光を反射する平坦部と、電子線における平均エネルギー密度より大きいエネルギー密度を有する高エネルギー密度部が照射される発光層の高エネルギー被照射領域に対向し平坦部の反射率より低い反射率を有し発光層により発生した光を反射する低反射部とを形成する工程とを有することである。 A third feature of the embodiment of the present invention is that, in the method for manufacturing a light-emitting substrate, a step of forming a light-emitting layer that emits light by irradiation with an electron beam having an energy density distribution on the substrate, to form a reflection layer for reflecting light generated by the light emitting layer, at the same time, the reflective layer, low energy to be irradiated of the light-emitting layer low energy density portion having an average energy density below the energy density of the electron beam is irradiated a flat portion that reflects light generated by the opposing onset light layer in the region, the flat faces the high-energy irradiation regions of the light-emitting layer high energy density portion is irradiated with a large energy density than the average energy density of the electron beam And a step of forming a low reflection portion that has a reflectance lower than that of the portion and reflects light generated by the light emitting layer.

本発明によれば、発光層全体の輝度が発光層の高エネルギー被照射領域の輝度低下に伴って引きずられ早く低下するように知覚されることを防止し、画像表示装置の信頼性を向上させることができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the luminance of the entire light emitting layer from being perceived as being quickly dragged and lowered as the luminance of the high energy irradiated region of the light emitting layer decreases, and to improve the reliability of the image display device. be able to.

本発明を実施するための最良の一形態について図１乃至図１１を参照して説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described with reference to FIGS.

［画像表示装置の構成］
図１に示すように、本発明の実施の一形態に係る画像表示装置１は、背面基板（リア基板）２、その背面基板２の周縁部に設けられた支持枠３、及び背面基板２上に支持枠３を介して設けられた前面基板（フェイス基板）４等を備えている。 [Configuration of image display device]
As shown in FIG. 1, an image display device 1 according to an embodiment of the present invention includes a rear substrate (rear substrate) 2, a support frame 3 provided at the peripheral edge of the rear substrate 2, and the rear substrate 2. A front substrate (face substrate) 4 provided through a support frame 3 is provided.

背面基板２と前面基板４とは、支持枠３により所定間隔を設けて対向配置されている。これらの背面基板２、支持枠３及び前面基板４によって真空容器が構成されている。これにより、背面基板２と前面基板４との間の空間は真空に保持されている。なお、背面基板２と前面基板４との間には、画像表示装置１の大きさに応じて、それらの背面基板２及び前面基板４に加わる荷重を支える支持部材（図示せず）が設けられる。 The back substrate 2 and the front substrate 4 are arranged to face each other with a predetermined interval by the support frame 3. The back substrate 2, the support frame 3, and the front substrate 4 constitute a vacuum vessel. Thereby, the space between the back substrate 2 and the front substrate 4 is kept in a vacuum. A support member (not shown) that supports a load applied to the rear substrate 2 and the front substrate 4 is provided between the rear substrate 2 and the front substrate 4 according to the size of the image display device 1. .

背面基板２は、ガラス基板やセラミック基板等の基板１１と、その基板１１上にマトリクス状に設けられた複数の電子放出素子１２とから構成されている。この背面基板２は、放出基板として機能する。なお、各電子放出素子１２は、基板１１上に互いに交差させてマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数の信号線（いずれも図示せず）に接続されている。これらの各走査線や各信号線等の各種の配線は、基板１１の電子放出素子１２の設置面上に設けられている。 The back substrate 2 includes a substrate 11 such as a glass substrate or a ceramic substrate, and a plurality of electron-emitting devices 12 provided in a matrix on the substrate 11. This back substrate 2 functions as a release substrate. Each electron-emitting device 12 is connected to a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines (none of which are shown) provided in a matrix on the substrate 11 so as to cross each other. Various wirings such as these scanning lines and signal lines are provided on the surface of the substrate 11 where the electron-emitting devices 12 are installed.

電子放出素子１２は、電圧印加により電子を放出する冷陰極型電子放出素子である。この電子放出素子１２としては、表面伝導型の電子放出素子を用いている。表面伝導型の電子放出素子１２は、基板１１上に互いに対向させて設けられた一対の素子電極１２ａを備えている。一対の素子電極１２ａは、微少な隙間を設けて対向配置されている。表面伝導型の電子放出素子１２は、一対の素子電極１２ａ間にカソード電圧を印加することによりその一対の素子電極１２ａ間から電子を放出する。ここで、素子電極１２ａはカソード電極として機能する。 The electron-emitting device 12 is a cold cathode electron-emitting device that emits electrons when a voltage is applied. As the electron-emitting device 12, a surface conduction type electron-emitting device is used. The surface conduction electron-emitting device 12 includes a pair of device electrodes 12 a provided on the substrate 11 so as to face each other. The pair of element electrodes 12a are arranged to face each other with a minute gap. The surface conduction electron-emitting device 12 emits electrons from between the pair of device electrodes 12a by applying a cathode voltage between the pair of device electrodes 12a. Here, the device electrode 12a functions as a cathode electrode.

支持枠３は、背面基板２と前面基板４との間の空間を気密封止する枠体である。この支持枠３は、背面基板２及び前面基板４にガラスフリット等の接合材を介して接合されている。 The support frame 3 is a frame that hermetically seals the space between the back substrate 2 and the front substrate 4. The support frame 3 is bonded to the back substrate 2 and the front substrate 4 via a bonding material such as glass frit.

前面基板４は、図１及び図２に示すように、ガラス基板等の基板２１と、その基板２１上に設けられ電子線の照射により発光する複数の発光層２２と、それらの発光層２２の間を埋める遮光層２３と、各発光層２２上及び遮光層２３上の全面に設けられた反射層２４とから構成されている。この前面基板４は、発光基板として機能する。 As shown in FIGS. 1 and 2, the front substrate 4 includes a substrate 21 such as a glass substrate, a plurality of light emitting layers 22 that are provided on the substrate 21 and emit light when irradiated with an electron beam, and the light emitting layers 22. The light-shielding layer 23 fills the space, and the light-emitting layer 22 and the reflective layer 24 provided on the entire surface of the light-shielding layer 23. The front substrate 4 functions as a light emitting substrate.

各発光層２２は、赤、緑及び青の各色の発光層２２を有している。これらの発光層２２は、各電子放出素子１２に対応させてマトリクス状に設けられている。発光層２２は、電子放出素子１２から放出された電子が衝突することにより発光する蛍光体粒子を有している。蛍光体粒子としては、各色の発光層２２に応じて赤、緑及び青の各色の蛍光体粒子を用いる。赤色を発光する蛍光体粒子としては、例えばＹ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕを用いる。緑色を発光する蛍光体粒子としては、例えばＺｎＳ：Ｃｕ．Ａｌを用いる。青色を発光する蛍光体粒子としては、例えばＺｎＳ：Ａｇ．Ａｌを用いる。各色の蛍光体粒子の平均粒径は例えば５μｍである。 Each light emitting layer 22 has red, green, and blue light emitting layers 22. These light emitting layers 22 are provided in a matrix corresponding to each electron-emitting device 12. The light-emitting layer 22 includes phosphor particles that emit light when electrons emitted from the electron-emitting device 12 collide with each other. As phosphor particles, phosphor particles of each color of red, green and blue are used according to the light emitting layer 22 of each color. For example, Y ₂ O ₂ S: Eu is used as the phosphor particles that emit red light. Examples of phosphor particles that emit green light include ZnS: Cu. Al is used. Examples of phosphor particles that emit blue light include ZnS: Ag. Al is used. The average particle diameter of the phosphor particles of each color is 5 μm, for example.

遮光層２３は、ブラックマトリクスとしてマトリクス状に設けられている。この遮光層２３は、黒色導電材、例えばカーボン剤により形成されている。遮光層２３及び各発光層２２が存在する領域が表示画面となる。なお、遮光層２３と各発光層２２との配置構造としては、種々の構造を適用することができる。 The light shielding layer 23 is provided in a matrix form as a black matrix. The light shielding layer 23 is formed of a black conductive material, for example, a carbon agent. A region where the light shielding layer 23 and each light emitting layer 22 exist is a display screen. Various structures can be applied as the arrangement structure of the light shielding layer 23 and each light emitting layer 22.

反射層２４は、電子線による発光層２２の発光、すなわち電子励起により発光層２２により生じた光を発光層２２側へ反射する。すなわち、反射層２４は、発光層２２で発生した光のうち、背面基板２方向に進む光を発光層２２側（基板２１側）へ反射する。これにより、各発光層２２の輝度、すなわち表示画面の輝度は向上する。 The reflection layer 24 reflects light emitted from the light-emitting layer 22 by an electron beam, that is, light generated by the light-emitting layer 22 by electron excitation to the light-emitting layer 22 side. That is, the reflective layer 24 reflects light traveling in the direction of the back substrate 2 out of the light generated in the light emitting layer 22 to the light emitting layer 22 side (substrate 21 side). Thereby, the brightness | luminance of each light emitting layer 22, ie, the brightness | luminance of a display screen, improves.

さらに、反射層２４は、電圧印加により電子線を発光層２２に向かって誘導するアノード電極として機能する。すなわち、反射層２４は、電子放出素子１２の一対の素子電極１２ａに印加するカソード電圧よりも高いアノード電圧の印加により、電子放出素子１２から真空空間中へ放出された電子を発光層２２に向かって誘導する。 Further, the reflective layer 24 functions as an anode electrode that induces an electron beam toward the light emitting layer 22 by applying a voltage. That is, the reflective layer 24 directs electrons emitted from the electron emitter 12 into the vacuum space by applying an anode voltage higher than the cathode voltage applied to the pair of device electrodes 12 a of the electron emitter 12 toward the light emitting layer 22. To guide.

また、反射層２４は、前面基板４の表示画面（画像表示領域）に導電性を与えて電荷の蓄積を防ぎ、前面基板４の電位を安定化させる安定層としても機能する。加えて、反射層２４は、発光層２２を構成する蛍光体粒子をイオン等の粒子によるスパッタから保護する保護層としても機能する。このような反射層２４は、導電性反射膜、例えばアルミニウム金属膜により形成されている。 The reflective layer 24 also functions as a stable layer that imparts conductivity to the display screen (image display area) of the front substrate 4 to prevent charge accumulation and stabilize the potential of the front substrate 4. In addition, the reflective layer 24 also functions as a protective layer that protects the phosphor particles constituting the light emitting layer 22 from sputtering by particles such as ions. Such a reflective layer 24 is formed of a conductive reflective film, for example, an aluminum metal film.

ここで、発光層２２に照射される電子線は、図３に示すように、エネルギー密度分布（電流密度分布）を有するエネルギー線である。なお、図３は、発光層２２に照射される電子線のエネルギー密度分布と発光層２２の電子線被照射領域との関係を示す模式図である。図３では、電子線のエネルギー密度分布を等高線状に平面上で示している。こうした形状になることは、表面伝導型電子放出素子の特徴として、文献１にも記載されている（文献１：M. Okuda et al., Society of Information Display 98（SID98）, p.185-188, 1998.）。 Here, the electron beam irradiated to the light emitting layer 22 is an energy beam having an energy density distribution (current density distribution) as shown in FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing the relationship between the energy density distribution of the electron beam irradiated to the light emitting layer 22 and the electron beam irradiated region of the light emitting layer 22. In FIG. 3, the energy density distribution of the electron beam is shown as a contour line on a plane. Such a shape is also described in Reference 1 as a feature of the surface conduction electron-emitting device (Reference 1: M. Okuda et al., Society of Information Display 98 (SID98), p.185-188). , 1998.).

電子線は、高エネルギー密度部とそれ以外のエネルギー密度である低エネルギー密度部とを有している。高エネルギー密度部及び低エネルギー密度部は発光層２２に入射する。発光層２２は、電子線の高エネルギー密度部が照射される高エネルギー被照射領域Ｒ１とその他の被照射領域であって電子線の低エネルギー密度部が照射される低エネルギー被照射領域Ｒ２とを有している。 The electron beam has a high energy density part and a low energy density part which is other energy density. The high energy density part and the low energy density part are incident on the light emitting layer 22. The light emitting layer 22 includes a high energy irradiated region R1 irradiated with a high energy density portion of an electron beam and a low energy irradiated region R2 irradiated with a low energy density portion of another electron irradiated region. Have.

電子線の電流密度の違いは、フォトカウンティング法により計測している。すなわち、光電子増倍管への入射光をパルス計測して光量を算出している。蛍光体の発光量が、略電流密度に比例していると仮定し、電流密度差を計算している。こうしたシングルフォトンの計測では、出力パルスの波高分布に暗電流パルスや宇宙線パルス等も含まれる。これらについては、文献２に記載されているが、ノイズパルスを除いた光電子パルスの大きさとパルス数からその平均値と最大値を求めている（文献２：「光電子増倍管と関連製品」カタログ，浜松ホトニクス，カタログ番号ＴＰＭＯ0005J01 FEB.2002 IP (3000)，ｐ．１２）。 The difference in electron beam current density is measured by the photo-counting method. That is, the amount of light is calculated by pulse-measurement of incident light on the photomultiplier tube. The current density difference is calculated on the assumption that the light emission amount of the phosphor is substantially proportional to the current density. In such single photon measurement, the pulse height distribution of output pulses includes dark current pulses and cosmic ray pulses. These are described in Reference 2, but the average value and maximum value are obtained from the size and number of photoelectron pulses excluding noise pulses (Reference 2: “Photomultiplier tubes and related products” catalog). Hamamatsu Photonics, Catalog No. TPMO0005J01 FEB.2002 IP (3000), p.12).

電子線の高エネルギー密度部は、電子線の低エネルギー密度部に対して相対的にエネルギー密度が高い。上記方法によれば、高エネルギー密度部は、電子線の平均エネルギー密度の１．５倍以上のエネルギー密度を有している。なお、電子線の最大エネルギー密度は、電子線の平均エネルギー密度の３倍以上である。また、電子線のエネルギーは、例えば４ｋｅＶ乃至１５ｋｅＶである。 The high energy density part of the electron beam has a relatively high energy density relative to the low energy density part of the electron beam. According to the above method, the high energy density portion has an energy density of 1.5 times or more the average energy density of the electron beam. Note that the maximum energy density of the electron beam is at least three times the average energy density of the electron beam. The energy of the electron beam is, for example, 4 keV to 15 keV.

反射層２４には、図１及び図４に示すように、平坦な部分である平坦部２４ａが発光層２２の低エネルギー被照射領域Ｒ２（図３参照）に対向させて設けられている。この平坦部２４ａは、反射層２４の発光層２２側の表面に平坦に形成されている。平坦部２４ａと発光層２２との間には、無視できる程度の微少な空間３１が設けられている。この空間３１は、反射層２４の表面に平坦部２４ａを形成する際に形成される空間である。なお、平坦部２４ａの反射率は、例えば６０〜８０％程度である。 As shown in FIGS. 1 and 4, the reflective layer 24 is provided with a flat portion 24 a that is a flat portion so as to face the low energy irradiated region R <b> 2 (see FIG. 3) of the light emitting layer 22. The flat portion 24a is formed flat on the surface of the reflective layer 24 on the light emitting layer 22 side. A negligible space 31 is provided between the flat portion 24 a and the light emitting layer 22. This space 31 is a space formed when the flat portion 24 a is formed on the surface of the reflective layer 24. In addition, the reflectance of the flat part 24a is about 60 to 80%, for example.

さらに、反射層２４には、図１及び図４に示すように、反射層２４の反射率、すなわち平坦部２４ａより低い反射率を有し発光層２２により発生した光を反射する低反射部２４ｂが発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１（図３参照）に対向させて設けられている。この低反射部２４ｂは、反射層２４の発光層２２側の表面に凹凸状に形成されている。また、この低反射部２４ｂは、図５及び図６に示すように、反射層２４が部分的に欠損した部分であってもよく、例えば反射層２４の一部を故意に形成しない部分であったり、あるいは反射層２４の一部を除去した部分であったりしてもよい。なお、低反射部２４ｂの反射率は、反射層２４の反射率、すなわち平坦部２４ａの反射率の４／５以下になるように設定されている。 Further, as shown in FIGS. 1 and 4, the reflective layer 24 has a reflectance lower than that of the reflective layer 24, that is, a reflectance lower than that of the flat portion 24 a, and reflects the light generated by the light emitting layer 22. Is provided so as to oppose the high-energy irradiated region R1 (see FIG. 3) of the light emitting layer 22. The low reflection portion 24b is formed in an uneven shape on the surface of the reflection layer 24 on the light emitting layer 22 side. Further, as shown in FIGS. 5 and 6, the low reflection portion 24 b may be a portion in which the reflection layer 24 is partially lost, for example, a portion where a part of the reflection layer 24 is not intentionally formed. Or a part of the reflective layer 24 removed. The reflectance of the low reflection portion 24b is set to be 4/5 or less of the reflectance of the reflection layer 24, that is, the reflectance of the flat portion 24a.

このような構成の画像表示装置１では、反射層２４にアノード電圧が印加され、各電子放出素子１２の一対の素子電極１２ａ間にカソード電圧（画像信号）が選択的に印加される。この電圧印加により電界が生じ、生じた電界により量子トンネル効果に基づいて一対の素子電極１２ａ間から電子が放出される。放出された電子の一部は、前面基板４上の反射層２４が形成する電界に引っ張られ、反射層２４に向かって加速される。加速された電子は反射層２４を通過して発光層２２に到達する。このようにして、電子線が発光層２２に照射される。電子線が照射された発光層２２は、電子励起により発光する。このとき、反射層２４は、発光層２２で発生した光のうち、背面基板２方向に進む光を反射する。これにより、各発光層２２の輝度、すなわち表示画面の輝度は向上する。 In the image display device 1 having such a configuration, an anode voltage is applied to the reflective layer 24, and a cathode voltage (image signal) is selectively applied between the pair of device electrodes 12a of each electron-emitting device 12. An electric field is generated by this voltage application, and electrons are emitted from between the pair of device electrodes 12a based on the quantum tunnel effect by the generated electric field. Some of the emitted electrons are pulled by the electric field formed by the reflective layer 24 on the front substrate 4 and accelerated toward the reflective layer 24. The accelerated electrons pass through the reflective layer 24 and reach the light emitting layer 22. In this manner, the light emitting layer 22 is irradiated with the electron beam. The light emitting layer 22 irradiated with the electron beam emits light by electronic excitation. At this time, the reflection layer 24 reflects light traveling in the direction of the back substrate 2 among the light generated in the light emitting layer 22. Thereby, the brightness | luminance of each light emitting layer 22, ie, the brightness | luminance of a display screen, improves.

このように本実施の形態の画像表示装置１によれば、反射層２４に発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する低反射部２４ｂを設けることによって、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する部分の反射層２４の反射率が下げられ、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１の光量は抑えられるので、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１の輝度は低くなる。これにより、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１の輝度低下が目立たなくなり、さらに、発光層２２全体の輝度低下速度が低減するので、発光層２２全体の輝度が高エネルギー被照射領域Ｒ１の輝度低下に伴って引きずられ早く低下するように知覚されることを防止し、画像表示装置１の信頼性を向上させることができる。なお、前述の反射率の低下によって高エネルギー被照射領域の反射による光量の低下が抑止され、発光層２２の高エネルギー被照射領域の輝度の低下が抑えられるので、発光層２２全体の輝度低下速度は低減する。また、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する平坦層４３の一部分を除去する加工で蛍光体近傍の真空度を向上させることによっても、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１部分に存在する蛍光体粒子が劣化する劣化速度が遅くなるので、発光層２２全体の輝度低下速度は低減する。 As described above, according to the image display device 1 of the present embodiment, by providing the reflective layer 24 with the low reflection portion 24b facing the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22, the high energy irradiated of the light emitting layer 22 is achieved. Since the reflectance of the reflective layer 24 at the portion facing the region R1 is lowered and the amount of light in the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22 is suppressed, the luminance of the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22 is lowered. Thereby, the luminance reduction of the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22 becomes inconspicuous, and furthermore, the luminance decreasing speed of the entire light emitting layer 22 is reduced. It is possible to prevent the image display device 1 from being perceived as being dragged with a decrease and quickly decreasing, and improving the reliability of the image display device 1. In addition, since the reduction | decrease of the light quantity by reflection of a high energy irradiation area | region is suppressed by the fall of the above-mentioned reflectance, the fall of the brightness | luminance of the high energy irradiation area | region of the light emitting layer 22 is suppressed, Therefore The brightness | luminance fall speed of the light emitting layer 22 whole Is reduced. Further, the degree of vacuum near the phosphor is improved by removing a part of the flat layer 43 facing the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22, so that the high energy irradiated region R1 portion of the light emitting layer 22 is also improved. Since the deterioration rate at which the existing phosphor particles deteriorate becomes slower, the luminance reduction rate of the entire light emitting layer 22 is reduced.

ここで、例えば、画像表示装置１の反射層２４にアノード電圧として１０ｋＶを印加し、電子放出素子１２の一対の素子電極１２ａにカソード電圧として１５Ｖを印加する。このとき、電圧は、矩形パルスとして、パルス幅２０μｓ及び周波数６０Ｈｚの条件で与えられる。このような条件で画像表示装置１による画像表示を行った。本実施の形態に係る画像表示装置１の各発光層２２の輝度は、比較例の画像表示装置（反射層２４に低反射部２４ｂを設けていない画像表示装置）の各発光層２２の輝度が初期輝度の８０％まで低下したときでも、初期輝度の９０％を維持していた。これにより、発光層２２全体の輝度低下速度が半減することが確認された。この効果は、特にＺｎＳ蛍光体粒子（緑色及び青色の蛍光体粒子）を有する発光層２２に顕著である。これは、赤色の蛍光体粒子を有する発光層２２は、蛍光体自身の劣化速度が非常に遅いためであり、本発明の実施の形態による効果は、蛍光体の種類によって異なる特徴を有する。ここで、発光層２２全体の輝度低下速度を低減させる効果は、発光層２２が硫化物系蛍光体等の輝度劣化速度の速い蛍光体粒子を有している場合に特に有効である。 Here, for example, 10 kV is applied as the anode voltage to the reflective layer 24 of the image display device 1, and 15 V is applied as the cathode voltage to the pair of element electrodes 12 a of the electron-emitting device 12. At this time, the voltage is given as a rectangular pulse under the conditions of a pulse width of 20 μs and a frequency of 60 Hz. Image display by the image display device 1 was performed under such conditions. The luminance of each light emitting layer 22 of the image display device 1 according to the present embodiment is the same as that of each light emitting layer 22 of the image display device of the comparative example (an image display device in which the reflection layer 24 is not provided with the low reflection portion 24b). Even when it decreased to 80% of the initial luminance, 90% of the initial luminance was maintained. Thereby, it was confirmed that the brightness | luminance fall rate of the whole light emitting layer 22 is reduced by half. This effect is particularly remarkable in the light emitting layer 22 having ZnS phosphor particles (green and blue phosphor particles). This is because the light emitting layer 22 having red phosphor particles has a very slow deterioration rate of the phosphor itself, and the effect of the embodiment of the present invention has different characteristics depending on the type of the phosphor. Here, the effect of reducing the overall luminance reduction rate of the light emitting layer 22 is particularly effective when the light emitting layer 22 has phosphor particles having a high luminance deterioration rate such as a sulfide-based phosphor.

また、反射層２４は電圧印加により電子線を発光層２２に向かって誘導する電極であることから、反射層２４と別にアノード電極を設ける必要が無いので、製造工程数の削減、小型化及び低価格化を実現することができる。 In addition, since the reflective layer 24 is an electrode that induces an electron beam toward the light emitting layer 22 by applying a voltage, there is no need to provide an anode electrode separately from the reflective layer 24. Price can be realized.

また、低反射部２４ｂは反射層２４の表面に凹凸状に形成されているか、または反射層２４の一部を欠損させて設けた部分（例えば穴）であることから、必要な反射率を有する低反射部２４ｂを簡単な構成で形成することが可能になるので、反射層２４に容易に低反射部２４ｂを設けることができる。反射層２４の表面に凹凸状に低反射部２４ｂを形成する場合、発光層２２の形成状態によっても異なるが、非接触表面粗さ計で計測した場合、最大粗さで２μｍ以上の粗さを有している。 In addition, the low reflection portion 24b is formed in a concavo-convex shape on the surface of the reflection layer 24, or is a portion (for example, a hole) provided by missing a part of the reflection layer 24, and thus has a necessary reflectance. Since the low reflection portion 24b can be formed with a simple configuration, the low reflection portion 24b can be easily provided in the reflection layer 24. When the low reflection portion 24b is formed on the surface of the reflection layer 24 in a concavo-convex shape, the maximum roughness is 2 μm or more when measured with a non-contact surface roughness meter, although it depends on the formation state of the light emitting layer 22. Have.

また、低反射部２４ｂの反射率は、反射層２４、すなわち平坦部２４ａの反射率の４／５以下であることから、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１の光量を確実に抑制することが可能になるので、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１の輝度を抑えることができる。 Moreover, since the reflectance of the low reflective part 24b is 4/5 or less of the reflectance of the reflective layer 24, ie, the flat part 24a, the light quantity of the high energy irradiated area | region R1 of the light emitting layer 22 is suppressed reliably. Therefore, the luminance of the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22 can be suppressed.

また、電子線の高エネルギー密度部は電子線の平均エネルギー密度に比べ１．５倍以上のエネルギー密度を有していることから、発光層２２全体の輝度低下速度を低減させる効果は特に有効である。 In addition, since the high energy density portion of the electron beam has an energy density of 1.5 times or more compared to the average energy density of the electron beam, the effect of reducing the overall luminance reduction rate of the light emitting layer 22 is particularly effective. is there.

また、電子線のエネルギーは４ｋｅＶ乃至１５ｋｅＶであることから、電子線が反射層２４を通過して発光層２２に到達し、発光層２２は電子線の照射により発光することができ、さらに、発光層２２は十分な輝度を得ることができる。また、このように電子線のエネルギーが４ｋｅＶ乃至１５ｋｅＶである場合には、発光層２２全体の輝度低下速度を低減させる効果は特に有効である。 Further, since the energy of the electron beam is 4 keV to 15 keV, the electron beam passes through the reflective layer 24 and reaches the light emitting layer 22, and the light emitting layer 22 can emit light by irradiation with the electron beam, and further emit light. The layer 22 can obtain sufficient luminance. Further, when the energy of the electron beam is 4 keV to 15 keV as described above, the effect of reducing the luminance reduction rate of the entire light emitting layer 22 is particularly effective.

［画像表示装置の製造方法］
次に、画像表示装置１の製造方法、特に前面基板４の製造方法について説明する。この製造方法は、複数の製造工程を有している。 [Method for Manufacturing Image Display Device]
Next, a manufacturing method of the image display device 1, particularly a manufacturing method of the front substrate 4 will be described. This manufacturing method has a plurality of manufacturing steps.

まず、前面基板４を製造するため、ガラス基板等の基板２１を用意する。次に、図７に示すように、基板２１上の全面に感光層４１を形成する。感光層４１としては、例えばフォトレジストを用いる。次いで、図７に示すように、露光用の光源（図示せず）によりフォトマスク４２を介して基板２１上に形成された感光層４１を露光する。フォトマスク４２は、遮光層２３形成用の所定パターンを有するマスクである。 First, in order to manufacture the front substrate 4, a substrate 21 such as a glass substrate is prepared. Next, as shown in FIG. 7, a photosensitive layer 41 is formed on the entire surface of the substrate 21. As the photosensitive layer 41, for example, a photoresist is used. Next, as shown in FIG. 7, the photosensitive layer 41 formed on the substrate 21 is exposed through a photomask 42 by an exposure light source (not shown). The photomask 42 is a mask having a predetermined pattern for forming the light shielding layer 23.

その後、感光層４１を現像して選択的に除去し、図８に示すように、所定パターンの感光層４１を基板２１上に残す。次いで、所定パターンの感光層４１が形成された基板２１上の全面にカーボン剤（カーボンスラリー）を塗布する。塗布されたカーボン剤を乾燥及び焼成させ、リフトオフ法により感光層４１及びその感光層４１上のカーボン剤を除去する。これにより、図９に示すように、カーボン剤からなる遮光層２３が基板２１上に形成される。 Thereafter, the photosensitive layer 41 is developed and selectively removed to leave a predetermined pattern of the photosensitive layer 41 on the substrate 21 as shown in FIG. Next, a carbon agent (carbon slurry) is applied to the entire surface of the substrate 21 on which the photosensitive layer 41 having a predetermined pattern is formed. The applied carbon agent is dried and baked, and the photosensitive layer 41 and the carbon agent on the photosensitive layer 41 are removed by a lift-off method. Thereby, as shown in FIG. 9, a light shielding layer 23 made of a carbon agent is formed on the substrate 21.

次に、遮光層２３が形成された基板２１上に、図１０に示すように、赤、緑及び青の各発光層２２を形成する。具体的には、遮光層２３が形成された基板２１上の全面に感光性の赤色蛍光体スラリーを塗布し、赤色の発光層２２形成用のフォトマスクを介して露光し、その後、現像する。次いで、赤色の発光層２２を形成した基板２１上の全面に感光性の緑色蛍光体スラリーを塗布し、緑色の発光層２２形成用のフォトマスクを介して露光し、その後、現像する。さらに、赤色及び緑色の各色の発光層２２を形成した基板２１上の全面に感光性の青色蛍光体スラリーを塗布し、青色の発光層２２形成用のフォトマスクを介して露光し、その後、現像する。 Next, as shown in FIG. 10, the red, green and blue light emitting layers 22 are formed on the substrate 21 on which the light shielding layer 23 is formed. Specifically, a photosensitive red phosphor slurry is applied to the entire surface of the substrate 21 on which the light shielding layer 23 is formed, exposed through a photomask for forming the red light emitting layer 22, and then developed. Next, a photosensitive green phosphor slurry is applied to the entire surface of the substrate 21 on which the red light emitting layer 22 is formed, exposed through a photomask for forming the green light emitting layer 22, and then developed. Further, a photosensitive blue phosphor slurry is applied to the entire surface of the substrate 21 on which the red and green light emitting layers 22 are formed, exposed through a photomask for forming the blue light emitting layer 22, and then developed. To do.

次いで、各発光層２２上及び遮光層２３上に、図１１に示すように、表面が平坦である平坦層４３を形成する。平坦層４３としては、例えば樹脂層を形成する。樹脂層の形成方法としては、スプレー塗布法等を用いる。 Next, as shown in FIG. 11, a flat layer 43 having a flat surface is formed on each light emitting layer 22 and the light shielding layer 23. As the flat layer 43, for example, a resin layer is formed. As a method for forming the resin layer, a spray coating method or the like is used.

その後、図１２に示すように、各発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する平坦層４３の一部分を除去する。平坦層４３の一部分を除去する除去方法としては、各発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する平坦層４３の一部分にレーザ光を照射し、平坦層４３の一部分を蒸発揮散させる。これにより、各発光層２２の表面の一部分が露出する。なお、発光層２２の表面は、蛍光体粒子等により凹凸を有する表面である。 After that, as shown in FIG. 12, a part of the flat layer 43 facing the high energy irradiated region R1 of each light emitting layer 22 is removed. As a removing method for removing a part of the flat layer 43, a part of the flat layer 43 facing the high energy irradiated region R1 of each light emitting layer 22 is irradiated with laser light, and a part of the flat layer 43 is evaporated. Thereby, a part of surface of each light emitting layer 22 is exposed. The surface of the light emitting layer 22 is a surface having irregularities due to phosphor particles or the like.

最後に、各発光層２２上及び遮光層２３上に、一部分が除去された平坦層４３を介し、図１３に示すように、蒸着法又はスパッタ法により反射層２４を形成する。反射層２４としては、例えば、厚さが約１００ｎｍであるアルミニウム金属膜を形成する。この反射層２４は、平坦層４３の平滑表面に馴染むように付着して形成される。このとき、反射層２４の表面には、反射率が高い平坦部２４ａが形成され、同時に、低反射部２４ｂが凹凸状に形成される。これにより、平坦部２４ａ及び低反射部２４ｂを有する反射層２４が形成される。このように反射層２４の形成時に平坦部２４ａ及び低反射部２４ｂも形成されるので、反射層２４、平坦部２４ａ及び低反射部２４ｂを同一工程で形成することができる。このようにして、前面基板４が完成する。 Finally, as shown in FIG. 13, the reflective layer 24 is formed on each light emitting layer 22 and the light shielding layer 23 by a vapor deposition method or a sputtering method through a flat layer 43 partially removed. As the reflective layer 24, for example, an aluminum metal film having a thickness of about 100 nm is formed. The reflective layer 24 is formed by adhering to the smooth surface of the flat layer 43. At this time, the flat portion 24a having a high reflectance is formed on the surface of the reflective layer 24, and at the same time, the low reflective portion 24b is formed in an uneven shape. Thereby, the reflection layer 24 having the flat portion 24a and the low reflection portion 24b is formed. Thus, since the flat part 24a and the low reflection part 24b are also formed at the time of formation of the reflection layer 24, the reflection layer 24, the flat part 24a, and the low reflection part 24b can be formed in the same process. In this way, the front substrate 4 is completed.

なお、反射層２４の一部が欠損した低反射部２４ｂを形成する場合には（図５及び図６参照）、平坦層４３を形成した後、その平坦層４３上に蒸着法又はスパッタ法により反射層２４を形成する際に、図１４に示すように、少なくとも高エネルギー被照射領域Ｒ１に相当する位置の一部が蒸着源又はスパッタターゲットの陰になるように遮蔽物５１を設置することで、反射層２４の一部が欠損した低反射部２４ｂを形成することができる。さらに、反射層２４を形成した後、少なくとも高エネルギー被照射領域Ｒ１に相当する位置の一部に反射層２４を腐食することができる薬剤、例えば反射層２４がアルミニウム膜である場合には、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液あるいは希塩酸等の酸性水溶液を付着させることにより反射層２４の一部を除去することによっても、反射層２４の一部が欠損した低反射部２４ｂを形成することができる。 When forming the low reflection portion 24b in which a part of the reflection layer 24 is missing (see FIGS. 5 and 6), the flat layer 43 is formed and then deposited on the flat layer 43 by vapor deposition or sputtering. When forming the reflective layer 24, as shown in FIG. 14, the shielding object 51 is installed so that at least a part of the position corresponding to the high energy irradiated region R1 is behind the vapor deposition source or the sputtering target. The low reflection part 24b in which a part of the reflection layer 24 is missing can be formed. Furthermore, after the reflective layer 24 is formed, an agent capable of corroding the reflective layer 24 at least at a part corresponding to the high energy irradiated region R1, for example, when the reflective layer 24 is an aluminum film, The low reflection portion 24b in which a part of the reflection layer 24 is lost can also be formed by removing a part of the reflection layer 24 by attaching an alkaline aqueous solution such as an aqueous sodium oxide solution or an acidic aqueous solution such as dilute hydrochloric acid. .

次に、背面基板２を製造するため、ガラス基板やセラミック基板等の基板１１を用意する。基板１１の表面上にスパッタ成膜法及びフォトリソグラフィ法を用いて表面伝導型の複数の電子放出素子１２、すなわち複数の一対の素子電極１２ａを前面基板４上の各発光層２２に対応させて形成する。この一対の素子電極１２ａは、厚さが約５ｎｍであるＴｉ層と厚さが約１００ｎｍであるＮｉ層とを積層することで形成される。また、電子放出源となる素子電極１２ａ間には、パラジウム化合物が配置される。なお、一対の素子電極１２ａの間隔は約２０μｍに設定される。続いて、各電子放出素子１２が形成された基板１１上に、蒸着法によりＣｒ及びＣｕを形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、各種の配線を有する配線層を形成する。 Next, in order to manufacture the back substrate 2, a substrate 11 such as a glass substrate or a ceramic substrate is prepared. A plurality of surface-conduction type electron-emitting devices 12, that is, a plurality of pairs of device electrodes 12a, are made to correspond to the light emitting layers 22 on the front substrate 4 by using a sputtering film forming method and a photolithography method on the surface of the substrate 11. Form. The pair of element electrodes 12a is formed by laminating a Ti layer having a thickness of about 5 nm and a Ni layer having a thickness of about 100 nm. Further, a palladium compound is disposed between the device electrodes 12a serving as an electron emission source. The interval between the pair of element electrodes 12a is set to about 20 μm. Subsequently, Cr and Cu are formed by vapor deposition on the substrate 11 on which each electron-emitting device 12 is formed, and wiring layers having various wirings are formed by using a photolithography method.

次に、背面基板２と前面基板４とを支持枠３を介してガラスフリット等の接合材により接合する。このとき、背面基板２と前面基板４とは支持枠３を介して接合材により高温下で接合されるため、前面基板４の平坦層４３は蒸発して除去され、微少な空間３１（図４参照）が形成される。接合材としては、例えばガラスフリットや融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の低融点金属材料等を用いる。この低融点金属材料としては、インジウム（Ｉｎ）、インジウム−金系の低融点合金、錫（Ｓｎ）系高温はんだ、鉛（Ｐｂ）系高温はんだ、亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ、錫−鉛系標準はんだ及びろう材等が挙げられる。 Next, the back substrate 2 and the front substrate 4 are bonded to each other with a bonding material such as glass frit through the support frame 3. At this time, since the back substrate 2 and the front substrate 4 are bonded at a high temperature by the bonding material via the support frame 3, the flat layer 43 of the front substrate 4 is removed by evaporation, and the minute space 31 (FIG. 4). Reference) is formed. As the bonding material, for example, a glass frit or a low melting point metal material having a melting point of about 120 to 400 ° C. is used. As this low melting point metal material, indium (In), indium-gold based low melting point alloy, tin (Sn) based high temperature solder, lead (Pb) based high temperature solder, zinc (Zn) based high temperature solder, tin-lead based Standard solder and brazing material can be used.

背面基板２と前面基板４とを支持枠３を介して接合した後、背面基板２、支持枠３及び前面基板４により囲まれた空間を排気して真空にする。なお、背面基板２、支持枠３及び前面基板４の接合後に排気を行う場合には、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよい。また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや希ガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。 After joining the back substrate 2 and the front substrate 4 via the support frame 3, the space surrounded by the back substrate 2, the support frame 3 and the front substrate 4 is evacuated and evacuated. When exhaust is performed after the back substrate 2, the support frame 3, and the front substrate 4 are joined, the pressure of the atmosphere at the time of joining may be either normal pressure or reduced pressure. The gas constituting the atmosphere may be air or an inert gas containing nitrogen gas or a rare gas (for example, Ar gas).

このように本実施の形態の製造方法によれば、基板２１上に発光層２２を形成し、形成した発光層２２上に、発光層２２により発生した光を反射する反射層２４、及び電子線の高エネルギー密度部が照射される発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する低反射部２４ｂを形成することによって、製造工程数を抑えて、発光層２２、反射層２４及び低反射部２４ｂを有する前面基板４を製造することができ、その結果として、製造上の歩留まりの向上を実現することができる。 Thus, according to the manufacturing method of the present embodiment, the light emitting layer 22 is formed on the substrate 21, the reflective layer 24 that reflects the light generated by the light emitting layer 22, and the electron beam on the formed light emitting layer 22. By forming the low reflection portion 24b facing the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22 irradiated with the high energy density portion of the light emitting layer 22, the number of manufacturing steps can be reduced, and the light emitting layer 22, the reflective layer 24, and the low reflection portion The front substrate 4 having 24b can be manufactured, and as a result, the manufacturing yield can be improved.

特に、発光層２２上の反射層２４に低反射部２４ｂを形成することによって、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する部分の反射層２４の反射率が下げられ、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１からの取り出し光量は抑えられるので、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１の輝度は低くなる。これにより、高エネルギー被照射領域Ｒ１の輝度低下が目立たなくなり、発光層２２全体の輝度低下速度は低減するので、発光層２２全体の輝度が高エネルギー被照射領域Ｒ１の輝度低下に伴って引きずられ早く低下するように知覚されることを防止し、画像表示装置１の信頼性を向上させることができる。 In particular, by forming the low reflective portion 24b in the reflective layer 24 on the light emitting layer 22, the reflectance of the reflective layer 24 in the portion facing the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22 is lowered, and the Since the amount of light extracted from the high energy irradiated region R1 is suppressed, the luminance of the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22 is lowered. As a result, the luminance reduction of the high energy irradiated region R1 becomes inconspicuous and the luminance reduction rate of the entire light emitting layer 22 is reduced. It is possible to prevent perception that the image display device 1 quickly decreases, and to improve the reliability of the image display apparatus 1.

また、低反射部２４ｂを反射層２４の表面に凹凸状に形成することから、発光層２２の表面の凹凸を利用する処理や平坦層４３の表面を荒らす処理のような簡単な処理により低反射部２４ｂを形成することができ、その結果として、製造上の歩留まりの向上を実現することができる。 In addition, since the low reflection portion 24b is formed in a concavo-convex shape on the surface of the reflection layer 24, the low reflection portion 24b is reduced by a simple process such as a process using the ruggedness of the surface of the light emitting layer 22 or a process of roughening the surface of the flat layer 43. The portion 24b can be formed, and as a result, an improvement in manufacturing yield can be realized.

また、発光層２２上に平坦層４３を形成し、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対応する平坦層４３の一部分を除去し、その一部分を除去した平坦層４３上及び発光層２２上に反射層２４を形成することによって、反射層２４の形成時に低反射部２４ｂも形成されるので、反射層２４と低反射部２４ｂとを同一工程で形成することが可能になり、製造工程数の削減を実現することができる。 Further, the flat layer 43 is formed on the light emitting layer 22, a part of the flat layer 43 corresponding to the high energy irradiated region R <b> 1 of the light emitting layer 22 is removed, and the flat layer 43 and the light emitting layer 22 are removed. By forming the reflective layer 24, the low reflective portion 24b is also formed when the reflective layer 24 is formed. Therefore, the reflective layer 24 and the low reflective portion 24b can be formed in the same process, and the number of manufacturing steps Can be realized.

また、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する平坦層４３の一部分にレーザ光を照射することによって、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する平坦層４３の一部分を除去することから、レーザ光により希望する箇所を容易に除去することが可能になるので、簡単に発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向させて平坦層４３の一部分を除去することができ、その結果として、容易に反射層２４に低反射部２４ｂを形成することができる。 Further, by irradiating a part of the flat layer 43 facing the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22 with laser light, a part of the flat layer 43 facing the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22 is removed. Therefore, a desired portion can be easily removed by the laser beam, and a part of the flat layer 43 can be easily removed so as to face the high energy irradiated region R1 of the light emitting layer 22. As a result, the low reflection portion 24 b can be easily formed in the reflection layer 24.

また、輝度低下速度低減の効果は、低反射部２４ｂの反射率が、反射層２４、すなわち平坦部２４ａの反射率の４／５以下でも得られるが、反射率をさらに低下させることで、さらに発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１の輝度を抑えることにつながり、より輝度低下速度を低減させることができる。例えば、平坦層４３を形成した後、その平坦層４３上に蒸着法又はスパッタ法により反射層２４を形成する際に、少なくとも高エネルギー被照射領域Ｒ１に相当する位置の一部が蒸着源またはスパッタターゲットの陰になるように遮蔽物５１を設置することで、反射層が形成されない低反射部２４ｂを形成したり、いったん反射層２４を形成した後、少なくとも高エネルギー被照射領域Ｒ１に相当する位置の一部に、反射層２４を腐食することができる薬剤、例えば反射層２４がアルミニウム膜である場合には水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液あるいは希塩酸等の酸性水溶液を付着させることによりその一部を除去することもできる。この方法によって、低反射部２４ｂを形成する場合にも、発光層２２を形成する蛍光体全体の輝度劣化速度を低減させることができる。さらに、この場合には、反射層２４と基板２１で囲まれた領域に電子線照射で発生すると推定されるガスを抜くことにも寄与でき、より効果的である。 Further, the effect of reducing the luminance reduction speed can be obtained even when the reflectance of the low reflection portion 24b is 4/5 or less of the reflectance of the reflection layer 24, that is, the flat portion 24a, but by further reducing the reflectance, It leads to suppressing the brightness | luminance of the high energy irradiated area | region R1 of the light emitting layer 22, and can reduce a brightness | luminance fall rate more. For example, when the reflective layer 24 is formed on the flat layer 43 by vapor deposition or sputtering after forming the flat layer 43, at least a part of the position corresponding to the high energy irradiated region R1 is a vapor deposition source or sputter. A position corresponding to at least the high energy irradiated region R1 after forming the low reflection portion 24b where the reflection layer is not formed by forming the shielding object 51 so as to be behind the target or once forming the reflection layer 24. An agent that can corrode the reflective layer 24, for example, when the reflective layer 24 is an aluminum film, is adhered to an alkaline aqueous solution such as an aqueous sodium hydroxide solution or an acidic aqueous solution such as dilute hydrochloric acid. Can also be removed. By this method, even when the low reflection portion 24b is formed, the luminance deterioration rate of the entire phosphor forming the light emitting layer 22 can be reduced. Furthermore, in this case, it is possible to contribute to venting a gas estimated to be generated by electron beam irradiation in a region surrounded by the reflective layer 24 and the substrate 21, which is more effective.

また、蒸着法又はスパッタ法等によって反射層２４を形成する際に、蒸着源またはスパッタターゲットに対して遮蔽物５１を設置するだけで、低反射部２４ｂを形成することができる。あるいは、反射層２４を形成した後、所定位置に薬剤を付着させるだけで低反射部２４ｂを形成することができる。このように反射層２４を部分的に形成しない場合の効果も、高エネルギー被照射領域Ｒ１全域に渡るとより効果的であるが、全く反射層２４を形成しないと発光効率が極端に低下し、画像表示装置１としての必要発光量に満たない場合もある。このような場合には、図５に示すように、例えば蛍光体粒子系程度の小さな領域であって反射層２４を形成しない領域を高エネルギー被照射領域Ｒ１に対し、本発明の実施の形態を満たす反射率になる条件範囲で略均等に配置すればよい。 Further, when the reflective layer 24 is formed by a vapor deposition method or a sputtering method, the low reflection portion 24b can be formed simply by installing the shielding object 51 with respect to the vapor deposition source or the sputtering target. Alternatively, after forming the reflective layer 24, the low reflective portion 24b can be formed simply by attaching a drug to a predetermined position. Thus, the effect when the reflective layer 24 is not partially formed is more effective over the entire high-energy irradiated region R1, but if the reflective layer 24 is not formed at all, the luminous efficiency is extremely reduced, In some cases, the amount of light emission required for the image display device 1 is not sufficient. In such a case, as shown in FIG. 5, for example, a region that is as small as a phosphor particle system and that does not form the reflective layer 24 is applied to the high energy irradiated region R <b> 1. What is necessary is just to arrange | position substantially equally in the condition range used as the reflectance which satisfy | fills.

［他の実施の形態］
なお、本発明の実施の形態においては、低反射部２４ｂを反射層２４と同一材料により反射層２４の発光層２２側の表面に凹凸状に形成しているか、または反射層２４の一部を欠損させることによって低反射部２４ｂを形成しているが、これに限るものではなく、例えば、図１５及び図１６に示すように、低反射部２４ｂを反射層２４と他の材料であって反射層２４より低い反射率を有する材料により形成するようにしてもよい。この材料としては、チタン、バリウム及びクロム等を用いることができる。この場合には、用いる材料を変えることにより簡単に低反射部２４ｂの反射率を変更することが可能になるので、所望する反射率を有する低反射部２４ｂを容易に形成することができる。 [Other embodiments]
In the embodiment of the present invention, the low reflection portion 24b is formed on the surface of the reflection layer 24 on the light emitting layer 22 side with the same material as the reflection layer 24, or a part of the reflection layer 24 is formed. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIGS. 15 and 16, the low reflection portion 24b is made of a material other than the reflective layer 24 and is reflective. You may make it form with the material which has a lower reflectance than the layer 24. FIG. As this material, titanium, barium, chromium, or the like can be used. In this case, it is possible to easily change the reflectance of the low reflection portion 24b by changing the material to be used, so that the low reflection portion 24b having a desired reflectance can be easily formed.

図１５に示すような前面基板４では、低反射部２４ｂは発光層２２と反射層２４との間に設けられている。このような前面基板４を製造する製造工程では、図１２に示すような各発光層２２及び遮光層２３が形成された基板２１上に、一部分が除去された平坦層４３を介して反射層２４より低い反射率を有する金属層を形成し、その金属層をフォトリソグラフィ法等により部分的に除去し、複数の低反射部２４ｂを形成する。その後、各低反射部２４ｂ及び平坦層４３上に蒸着法又はスパッタ法により反射層２４を形成する。これにより、図１５に示すような前面基板４が完成する。 In the front substrate 4 as shown in FIG. 15, the low reflection portion 24 b is provided between the light emitting layer 22 and the reflection layer 24. In the manufacturing process for manufacturing the front substrate 4 as described above, the reflective layer 24 is formed on the substrate 21 on which the light emitting layers 22 and the light shielding layer 23 are formed as shown in FIG. A metal layer having a lower reflectance is formed, and the metal layer is partially removed by a photolithography method or the like to form a plurality of low reflection portions 24b. Thereafter, the reflection layer 24 is formed on each low reflection portion 24b and the flat layer 43 by vapor deposition or sputtering. Thereby, the front substrate 4 as shown in FIG. 15 is completed.

図１６に示すような前面基板４では、低反射部２４ｂは、反射層２４に形成された貫通孔５２内に設けられている。このような前面基板４を製造する製造工程では、図１１に示すような平坦層４３が形成された基板２１上にフォトリソグラフィ法等により、各発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向する複数の貫通孔５２を有する反射層２４を形成する。その後、反射層２４の各貫通孔５２内にフォトリソグラフィ法等により低反射部２４ｂを形成する。これにより、図１６に示すような前面基板４が完成する。 In the front substrate 4 as shown in FIG. 16, the low reflection portion 24 b is provided in a through hole 52 formed in the reflection layer 24. In the manufacturing process for manufacturing the front substrate 4 as described above, the high energy irradiated region R1 of each light emitting layer 22 is opposed to the substrate 21 on which the flat layer 43 as shown in FIG. The reflective layer 24 having a plurality of through holes 52 is formed. Thereafter, the low reflective portion 24b is formed in each through hole 52 of the reflective layer 24 by photolithography or the like. Thereby, the front substrate 4 as shown in FIG. 16 is completed.

また、本発明の実施の形態においては、電子放出素子１２として表面伝導型の電子放出素子を用いているが、これに限るものではなく、例えばスピント型やカーボンナノチューブ型の電子放出素子を用いるようにしてもよい。 In the embodiment of the present invention, a surface conduction electron-emitting device is used as the electron-emitting device 12. However, the present invention is not limited to this. For example, a Spindt-type or carbon nanotube-type electron-emitting device is used. It may be.

また、本発明の実施の形態においては、蛍光体粒子により発光層２２を形成しているが、これに限るものではなく、他の発光体により発光層２２を形成するようにしてもよい。 In the embodiment of the present invention, the light emitting layer 22 is formed of phosphor particles. However, the present invention is not limited to this, and the light emitting layer 22 may be formed of other light emitters.

また、本発明の実施の形態においては、１つの画素（発光層２２）に１つの電子放出素子１２を対応させて設けているが、これに限るものではなく、例えば１つの画素に複数の電子放出素子１２を対応させて設けるようにしてもよい。 In the embodiment of the present invention, one electron emitting element 12 is provided corresponding to one pixel (light emitting layer 22). However, the present invention is not limited to this. For example, one pixel includes a plurality of electrons. The emission elements 12 may be provided correspondingly.

また、本発明の実施の形態においては、各発光層２２をマトリクス状に設けているが、これに限るものではなく、例えばストライプ状に設けるようにしてもよい。同様に、本実施の形態においては、遮光層２３をマトリクス状に設けているが、これに限るものではなく、例えばストライプ状に設けるようにしてもよい。 Further, in the embodiment of the present invention, the light emitting layers 22 are provided in a matrix shape, but the present invention is not limited to this. For example, the light emitting layers 22 may be provided in a stripe shape. Similarly, in the present embodiment, the light shielding layers 23 are provided in a matrix shape, but the present invention is not limited to this, and for example, the light shielding layers 23 may be provided in a stripe shape.

また、本発明の実施の形態においては、平坦層４３の一部分を除去して発光層２２の凹凸表面を露出させることによって、反射層２４に低反射部２４ｂを形成しているが、これに限るものではなく、例えば、平坦層４３の一部分を荒らすことにより、図１７に示すように、反射層２４の表面に凹凸を形成して低反射部２４ｂを形成するようにしてもよく、また、発光層２２の高エネルギー被照射領域Ｒ１に対向させて平坦層４３に、所定の表面粗さを有する面を押し付けることにより、反射層２４に低反射部２４ｂを形成するようにしてもよい。 Further, in the embodiment of the present invention, the low reflection portion 24b is formed in the reflection layer 24 by removing a part of the flat layer 43 to expose the uneven surface of the light emitting layer 22, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 17, by roughening a part of the flat layer 43, the surface of the reflective layer 24 may be uneven to form the low reflective portion 24b. The low reflective portion 24b may be formed in the reflective layer 24 by pressing a surface having a predetermined surface roughness against the flat layer 43 so as to face the high energy irradiated region R1 of the layer 22.

また、本発明の実施の形態においては、感光性の蛍光体スラリーを用いてフォトリソグラフィ法により各色の発光層２２を形成しているが、これに限るものではなく、例えばスクリーン印刷法によって各発光層２２を形成するようにしてもよく、また、沈降法によって形成するようにしてもよい。この沈降法は、蛍光体粒子が分散された溶媒中に基板２１を置き、その基板２１上に蛍光体粒子を沈降体積させることによって、発光層２２を形成する方法である。 In the embodiment of the present invention, the light emitting layer 22 of each color is formed by photolithography using a photosensitive phosphor slurry. However, the present invention is not limited to this. For example, each light emission is performed by screen printing. The layer 22 may be formed, or may be formed by a sedimentation method. This sedimentation method is a method of forming the light emitting layer 22 by placing the substrate 21 in a solvent in which the phosphor particles are dispersed and causing the phosphor particles to settle on the substrate 21.

また、本発明の実施の形態においては、反射層２４をアルミニウム金属により形成しているが、これに限るものではなく、例えば、バリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケル及びクロム等の金属、あるいはこれらを含んだ金属により形成するようにしてもよい。 In the embodiment of the present invention, the reflective layer 24 is formed of aluminum metal. However, the present invention is not limited to this. For example, a metal such as barium, titanium, zirconium, hafnium, nickel and chromium, or these metals. You may make it form with the metal containing this.

また、本発明の実施の形態においては、電子線の高エネルギー密度部は、電子線の平均エネルギー密度の１．５倍以上のエネルギー密度を有しているが、これに限るものではない。さらに、電子線の最大エネルギー密度は、電子線の平均エネルギー密度の３倍以上であるが、これに限るものではない。加えて、電子線のエネルギーは４ｋｅＶ乃至１５ｋｅＶであるが、これに限るものではない。 Further, in the embodiment of the present invention, the high energy density portion of the electron beam has an energy density that is 1.5 times or more the average energy density of the electron beam, but is not limited thereto. Furthermore, although the maximum energy density of an electron beam is 3 times or more of the average energy density of an electron beam, it is not restricted to this. In addition, the energy of the electron beam is 4 keV to 15 keV, but is not limited thereto.

また、本発明の実施の形態においては、各層の形成方法及び各種の形成材料は例示であり、これに限るものではない。 In the embodiment of the present invention, the method for forming each layer and various forming materials are examples, and the present invention is not limited thereto.

最後に、本発明は、前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることは勿論である。 Finally, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made without departing from the scope of the invention.

本発明の実施の一形態に係る画像表示装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the image display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図１に示す画像表示装置が備える前面基板の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the front substrate with which the image display apparatus shown in FIG. 1 is provided. 図２に示す前面基板の発光層の電子線被照射領域と電子線のエネルギー密度分布との関係を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the relationship between the electron beam irradiation area | region of the light emitting layer of the front substrate shown in FIG. 2, and the energy density distribution of an electron beam. 図２に示す前面基板の概略構成を示すＸ−Ｘ線断面図である。It is XX sectional drawing which shows schematic structure of the front substrate shown in FIG. 図１に示す画像表示装置が備える前面基板の別の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows another schematic structure of the front substrate with which the image display apparatus shown in FIG. 1 is provided. 図５に示す前面基板の概略構成を示すＸ−Ｘ線断面図である。It is XX sectional drawing which shows schematic structure of the front substrate shown in FIG. 図２及び図４に示す前面基板の製造工程を示す第１の工程断面図である。FIG. 5 is a first process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the front substrate shown in FIGS. 2 and 4. 第２の工程断面図である。It is 2nd process sectional drawing. 第３の工程断面図である。It is 3rd process sectional drawing. 第４の工程断面図である。It is a 4th process sectional view. 第５の工程断面図である。FIG. 10 is a fifth process cross-sectional view. 第６の工程断面図である。It is 6th process sectional drawing. 第７の工程断面図である。It is 7th process sectional drawing. 図５及び図６に示す前面基板の製造工程を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing process of the front substrate shown in FIG.5 and FIG.6. 図２に示す前面基板の変形例の概略構成を示すＸ−Ｘ線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line XX showing a schematic configuration of a modified example of the front substrate shown in FIG. 2. 図２に示す前面基板の他の変形例の概略構成を示すＸ−Ｘ線断面図である。It is XX sectional drawing which shows schematic structure of the other modification of the front substrate shown in FIG. 図２に示す前面基板の他の変形例の概略構成を示すＸ−Ｘ線断面図である。It is XX sectional drawing which shows schematic structure of the other modification of the front substrate shown in FIG.

Explanation of symbols

１画像表示装置
２放出基板（背面基板）
４発光基板（前面基板）
１２電子放出素子
２１基板
２２発光層
２４反射層
２４ａ低反射部
４３平坦層
５１遮蔽物
Ｒ１高エネルギー被照射領域 1 Image display device 2 Release substrate (back substrate)
4 Light emitting substrate (front substrate)
12 Electron emitting device 21 Substrate 22 Light emitting layer 24 Reflective layer 24a Low reflective portion 43 Flat layer 51 Shield R1 High energy irradiated region

Claims

A substrate,
A light emitting layer provided on the substrate and emitting light by irradiation with an electron beam having an energy density distribution;
A reflective layer provided on the light emitting layer and reflecting light generated by the light emitting layer;
Provided on the reflective layer faces the low-energy irradiated region of the light emitting layer low energy density portion is irradiated with the following energy density average energy density in the electron beam, the reflected light generated by the light emitting layer A flat part to be
Reflected lower than the reflectivity of the flat portion facing the high energy irradiated region of the light emitting layer, which is provided on the reflective layer and irradiated with a high energy density portion having an energy density greater than the average energy density of the electron beam. And a low reflection part that reflects light generated by the light emitting layer,
A light-emitting substrate comprising:

The light emitting substrate according to claim 1, wherein the reflective layer is an electrode that guides the electron beam toward the light emitting layer by applying a voltage.

The light emitting substrate according to claim 1, wherein the low reflection portion is formed in an uneven shape on a surface of the reflection layer.

The light emitting substrate according to claim 1, wherein the low reflection portion is a portion in which the reflection layer is partially missing.

The light emitting substrate according to claim 1, wherein the reflectance of the low reflective portion is 4/5 or less of the reflectance of the reflective layer.

The light emitting substrate according to claim 1, wherein the high energy density portion of the electron beam has an energy density of 1.5 times or more compared to an average energy density of the electron beam. .

The light emitting substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the energy of the electron beam is 4 keV to 15 keV.

The light emitting substrate according to any one of claims 1 to 7,
An emission substrate provided facing the light emitting substrate and having a plurality of electron-emitting devices that emit electrons;
An image display device comprising:

Forming a light emitting layer that emits light upon irradiation with an electron beam having an energy density distribution on a substrate;
A reflective layer that reflects the light generated by the light emitting layer is formed on the formed light emitting layer, and at the same time, the low energy density portion having an energy density equal to or lower than the average energy density of the electron beam is irradiated onto the reflective layer. a flat portion that reflects light generated by the light emitting layer low energy irradiated region on the opposite front SL luminescent layer of which is a high energy density portion is irradiated with a large energy density than the average energy density in the electron beam Forming a low reflection portion facing the high energy irradiated region of the light emitting layer and having a reflectance lower than the reflectance of the flat portion and reflecting light generated by the light emitting layer;
A method for producing a light emitting substrate, comprising:

The method for manufacturing a light emitting substrate according to claim 9, wherein the reflective layer is an electrode that guides the electron beam toward the light emitting layer by applying a voltage.

The method for manufacturing a light emitting substrate according to claim 9, wherein in the step of forming the reflective layer and the low reflective portion, the low reflective portion is formed in an uneven shape on a surface of the reflective layer.

In the step of forming the reflective layer and the low reflective portion, a flat layer is formed on the light emitting layer, a part of the flat layer corresponding to the high energy irradiated region of the light emitting layer is removed, and a part thereof is removed. The method for manufacturing a light emitting substrate according to claim 9, wherein the reflective layer is formed on the flat layer and the light emitting layer.

In the step of forming the reflective layer and the low reflective portion, a portion of the flat layer corresponding to the high energy irradiated region of the light emitting layer is irradiated with a laser beam, whereby the high energy irradiated region of the light emitting layer is irradiated. The method for manufacturing a light emitting substrate according to claim 12, wherein a part of the corresponding flat layer is removed.

In the step of forming the reflective layer and the low reflective portion, a shielding object corresponding to a part of the light emitting layer in the high energy irradiated region is provided, and the reflective layer is formed on the light emitting layer by vapor deposition or sputtering. The method for producing a light emitting substrate according to claim 9, wherein the light emitting substrate is formed.

In the step of forming the reflective layer and the low reflective portion, the reflective layer is formed on the light emitting layer, and a part of the reflective layer in the high energy irradiated region of the light emitting layer is removed. The manufacturing method of the light emitting substrate of Claim 9.