JP4281935B2 - 二重アクチュエータ制御システムのキャリブレーション方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、コンピューター用外部記憶装置の一種である磁気ディスク装置の小型化、薄型化が進んでおり、更に低消費電力化が求められている。また、磁気ディスク装置の高密度記録化が要求されている。
【0003】
磁気ディスク装置の高密度記録化のためには、磁気ディスクの単位長さあたりのトラックの数を大きくすること、即ちトラックの幅を狭くすることが不可欠である。狭いトラックに磁気ヘッドを位置決めしなければならないため、ヘッドの位置決め制度を向上する必要がある。
【0004】
一般的な磁気ディスク装置では、アクチュエータアームが回転可能にベースに取りつけられており、アクチュエータアームの一端にはサスペンションの基端部が固定されている。サスペンションの先端部には磁気ヘッドを担持したスライダが取り付けられている。
【0005】
アクチュエータアームの他端部にはコイルが取りつけられており、磁気ディスク装置のベースに固定された磁気回路とコイルとの組み合わせによりボイスコイルモータを構成する。コイルに通電することによりコイルが力を受け、アクチュエータアームが回転する。
【0006】
このような一般的なシングルアクチュエータでの問題点としては、以下の事があげられる。
【0007】
(a)一般的な2.5インチ或いは3.5インチ磁気ディスク装置に使用されるアクチュエータでは、10kHz以下にアクチュエータアームの剛性に起因する共振が表れる。ヨー角の条件や消費電力などを含んだ様々な制約から、大幅にこの共振周波数を高くすることは困難である。
【0008】
(b)軸受剛性に起因するアクチュエータ併進モードの共振周波数も10kHz以下、例えば4kHz〜5kHzに表れる。軸受与圧を変化させても剛性はさほど大きくならず、共振周波数を高めることは困難である。
【0009】
従来の一般的な磁気ディスク装置では上記した(a),(b)の共振があるため、サーボ帯域をせいぜい1kHz程度にしか高くすることはできない。このため、追従誤差を十分に圧縮できないので、トラックピッチを向上させることは極めて困難であった。
【0010】
そこで、メインアクチュエータとして従来と同様にボイスコイルモータ(VCM)を駆動手段として使用し、メインアクチュエータ上に搭載されたサブアクチュエータの駆動手段に圧電素子を利用して、ヘッドの正確な位置決めを達成しようとする所謂二重アクチュエータが提案されている。
【0011】
例えば、2つの圧電素子をアクチュエータアームの両側に配置し、一方の側の圧電素子が伸びる方向に、他方の側の圧電素子が縮む方向に電圧を印加する。すると、縮む方向に電圧を印加した圧電素子方向にヘッドが回転する。
【0012】
サブアクチュエータとして、静電アクチュエータ又は電磁アクチュエータを採用した二重アクチュエータも提案されている。圧電素子アクチュエータ及び静電アクチュエータは変位型アクチュエータの一種であり、入力が一定であればサブアクチュエータの状態も安定である。一方、電磁アクチュエータは加速度型アクチュエータであり、その状態は不安定である。
【0013】
磁気ディスク装置のアクチュエータは、一般的にフィードバック制御される。磁気ディスク装置の工場出荷時に、フィードバック制御システムのキャリブレーションを行って、制御システムのパラメータの決定を行っている。
【0014】
更に、磁気ディスク装置使用中に環境が変化するため、ある所定時間毎又は磁気ディスク装置立ち上げ時等にフィードバック制御システムのキャリブレーションを行って、フィードバック制御システムのパラメータを最適な値に修正している。
【0015】
従来のフィードバック制御システムのキャリブレーション方法を図1を参照して説明する。従来の磁気ディスク装置のアクチュエータはVCMを駆動手段とするシングルアクチュエータであり、そのフィードバック制御システムのブロック図が図1に示されている。
【0016】
アクチュエータ2の制御システムは、入力u(k)、出力y(k)の1入力1出力のシステムであり、キャリブレートするパラメータは等価ゲイン(KV)のみである。
【0017】
その入力対変位特性はKV/s2で近似される。換言するとアクチュエータ2の動特性は入力の二重積分×KVで得られる。ここで、sはラプラス演算子である。
【0018】
コントローラ4はノミナルコントローラ6と補償ゲインKCVを有するゲイン補償器8で構成される。従来のキャリブレーション方法では、KCV×KVはノミナル等価ゲインKVNと一致するように調整する。
【0019】
即ち、アクチュエータ2への制御入力u(k)に外乱発生器10で発生した正弦波外乱d(k)を挿入し、それに対する応答(オープンループゲイン)を測定するか、或いは、一定時間無制御で規定の加速度を入力して発生する速度又は到達距離を測定することでキャリブレーションを行っていた。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
アクチュエータ制御システムが1入力1出力でキャリブレートすべきパラメータが1つであれば上述した従来の方法で可能であるが、アクチュエータ制御システムが2入力1出力でキャリブレートすべきパラメータが二つ以上ある二重(2ステージ)アクチュエータには従来のキャリブレーション方法は適用できない。
【0021】
よって、本発明の目的は、二重アクチュエータのフィードバック制御システムの有効なキャリブレーション方法を提供することである。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、ボイスコイルモータを駆動手段とするメインアクチュエータと、該メインアクチュエータ上に搭載されたサブアクチュエータを有する2入力1出力の二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法であって、メインアクチュエータへの制御入力uV(k)に第1正弦波外乱dV(k)を挿入し;前記第1正弦波外乱d V (k)と前記二重アクチュエータの出力y(k)とを比較して第1の外乱入力対位置誤差のゲインを求め;第1設計ノミナル値を前記第1の外乱入力対位置誤差のゲインで割って第1補償ゲインを求め;該第1補償ゲインをメインアクチュエータのゲイン補償器にセットし;サブアクチュエータへの制御入力u P (k)に前記第1正弦波外乱d V (k)と外乱周波数の異なる第2正弦波外乱dP(k)を挿入し;前記第2正弦波外乱dP(k)と前記二重アクチュエータの出力y(k)とを比較して第2の外乱入力対位置誤差のゲインを求め;第2設計ノミナル値を前記第2の外乱入力対位置誤差のゲインで割って第2補償ゲインを求め;該第2補償ゲインをサブアクチュエータのゲイン補償器にセットする;ことを特徴とする二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法が提供される。
【0024】
好ましくは、メインアクチュエータへの制御入力に第1正弦波外乱を挿入するステップの前に制御システム全体の制御帯域を所定帯域落とすステップを挿入する。
【0025】
これにより、エラー伝達関数の周波数特性が広い範囲で0dBフラットになる。エラー伝達関数のゲインが広い周波数帯域で1(0dB)となるため、第1及び第2補償ゲインを容易に求めることができる。
【0026】
また、メインアクチュエータ用の第1補償ゲインを求めるステップと、サブアクチュエータ用の第2補償ゲインを求めるステップを違う周波数の正弦波外乱を使って同時に行い、キャリブレーション時間の短縮を図ることができる。
【0027】
この場合、サブアクチュエータ側の周波数、即ち第2正弦波外乱の周波数を高く取る。第2正弦波外乱の周波数は第1正弦波外乱の周波数の4/3倍以上にとることが望ましい。
【0028】
本発明の更に他の側面によると、ボイスコイルモータを駆動手段とするメインアクチュエータと、前記メインアクチュエータ上に搭載された複数の変位型サブアクチュエータと、それぞれ前記各変位型サブアクチュエータ上に搭載された複数のヘッドと、第1及び第2ヘッドICと、第1及び第2復調器を有する二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法であって、各サブアクチュエータの制御ループを切断して、サブアクチュエータへの制御入力uP(k)を0に固定し;メインアクチュエータへの制御入力uV(k)に正弦波外乱dV(k)を挿入し;uV(k)とuV(k)+dV(k)を比較してオープンループゲインを求め;前記オープンループゲインの逆数をメインアクチュエータのゲイン補償器にセットし;前記メインアクチュエータと前記サブアクチュエータの1つをフィードバック制御して前記ヘッドの1つをオントラックさせ;前記サブアクチュエータの他の1つへの入力を変化させ;前記他の1つのサブアクチュエータに搭載されているヘッドの位置を復調して、入力対変位ゲインを求め;設計ノミナル値を前記入力対変位ゲインで割って補償ゲインを求め;該補償ゲインを前記他の一つのサブアクチュエータのゲイン補償器にセットする;ことを特徴とする二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法が提供される。
【0029】
電磁アクチュエータ等の加速度型サブアクチュエータの場合には、サブアクチュエータの他の1つへ正弦波入力を与えるようにする。他のステップは、変位型サブアクチュエータの場合と同様である。
【0030】
【発明の実施の形態】
図2を参照すると、本発明のキャリブレーション方法が適用可能な二重アクチュエータを具備した磁気ディスク装置の平面図が示されている。磁気ディスク装置のベース12にはシャフト14が固定されており、シャフト14の廻りにはインナーハブモータによって回転される図示しないスビンドルハブが設けられている。
【0031】
スビンドルハブには磁気ディスク16と図示しないスペーサーが交互に挿入され、ディスククランプ18をスピンドルハブに対してネジ締結することにより、複数枚の磁気ディスク16が所定間隔離間してスピンドルハブに取り付けられる。
【0032】
符号20はメインアクチュエータ22と、メインアクチュエータ22上に搭載されたサブアクチュエータ34とから構成されるロータリー二重アクチュエータを示している。
【0033】
メインアクチュエータ22は、ベース12に固定したシャフト26回りにベアリングを介して回転可能に取り付けられたアクチュエータブロック27を含んでいる。
【0034】
アクチュエータブロック27には複数のアクチュエータアーム28が一体的に形成されている。回転中心であるシャフト26に対してアクチュエータアーム28と反対側にはコイル支持部材29がアクチュエータブロック27と一体的に形成されている。
【0035】
フラットコイル30がコイル支持部材29により支持されている。ベース12上には磁気回路32が取りつけられており、フラットコイル30と磁気回路32とでボイスコイルモータ(VCM)24を構成する。
【0036】
サブアクチュエータ34はアクチュエータアーム28の先端部に搭載されている。サブアクチュエータ34はサスペンション36と、サスペンション36の基端部にスポット溶接されたヘッド取りつけプレート38を含んでおり、このヘッド取りつけプレート38がアクチュエータアーム28の先端部に回動可能に取り付けられている。
【0037】
サスペンション36の先端部にはフレクシャ37が形成されており、このフレクシャ37の裏側に磁気ヘッドが搭載されている。
【0038】
図3を参照すると、本発明のキャリブレーション方法が適用される二重アクチュエータのフィードバック制御システムのブロック図が示されている。メインアクチュエータ42はボイスコイルモータ(VCM)であり、その入力対変位特性(伝達関数)はKV/s2で近似される。ここで、KVは等価ゲイン、sはラプラス演算子である。
【0039】
換言すると、メインアクチュエータ42の動特性は、入力の二重積分×KVで近似される。サブアクチュエータ44はピエゾアクチュエータであり、入力対変位特性(伝達関数)はKPで近似される。
【0040】
コントローラ46はノミナルコントローラ48と、補償ゲインKCVを有する第1ゲイン補償器50と、補償ゲインKCPを有する第2ゲイン補償器52を含んでいる。
【0041】
ノミナルコントローラ48は内部にメインアクチュエータ42及びサブアクチュエータ44のノミナルモデルを持ち、予想されるモデル誤差に対してロバスト安定となるように設計する。
【0042】
図4は第1実施形態のキャリブレーション方法のフローチャートを示している。初期状態では各補償ゲインKCV及びKCPは1である。まずステップS1で、サブアクチュエータ44の制御ループを切断し、制御入力uP(k)を0に固定する。
【0043】
ステップS2で、メインアクチュエータ42への制御入力uV(k)に第1外乱発生器54で発生させた正弦波外乱dV(k)を加える。正弦波外乱の周波数はメインアクチュエータ42のみを制御した場合のオープンループ特性のクロスオーバー周波数の設計ノミナル値、例えば600〜700Hzを用いる。
【0044】
次いでステップS3で、uV(k)とuV(k)+dV(k)を比較して、離散フーリエ変換(DFT)を用いてオープンループゲインを求める。オープンループゲインの逆数がKCVであるから、これを第1ゲイン補償器50にセットする(ステップS4)。これによって、設計クロスオーバー周波数でのオープンループゲインが1(0dB)となる。
【0045】
次いでステップS5に進み、サブアクチュエータ44の制御ループは切ったままで、第2外乱発生器56で発生させた正弦波外乱dP(k)をサブアクチュエータ44の入力に与える。この正弦波外乱の周波数は、エラー伝達関数のゲインが0dBをクロスする周波数に取る。
【0046】
正弦波外乱dP(k)と二重アクチュエータの出力y(k)を比較して、離散フーリエ変換によって、外乱入力対位置誤差のゲインを求める(ステップS6)。エラー伝達関数のゲインが1(0dB)であるため、外乱入力対位置誤差のゲインはそのまま外乱入力対変位ゲイン、即ちKPとなる。
【0047】
次いでステップS7で、設計ノミナル値を外乱入力対変位ゲインで割って補償ゲインKCPを得、これを第2ゲイン補償器52にセットする。
【0048】
ステップS3のオープンループゲインの計算ステップにおいて、離散フーリエ変換を用いる代わりに、単純にuV(k)の振幅とuV(k)+dV(k)の振幅の比を取って計算を簡単にすることもできる。
【0049】
図5のフローチャートを参照して、本発明第2実施形態のキャリブレーション方法について説明する。まずステップS11で、メインアクチュエータ42への制御入力uV(k)に第1外乱発生器54で発生させた正弦波外乱dV(k)を加える。正弦波外乱の周波数はエラー伝達関数のゲインが0dBとなる範囲で選択する。
【0050】
ステップS12で、正弦波外乱dV(k)と二重アクチュエータの出力y(k)とを比較して、離散フーリエ変換を用いて外乱入力対位置誤差のゲインを求める。
【0051】
設計ノミナル値を外乱入力対位置誤差のゲインで割って補償ゲインKCVを求め、これを第1ゲイン補償器50にセットする(ステップS13)。
【0052】
次いでステップS14に進み、サブアクチュエータ44への制御入力uP(k)に第2外乱発生器56で発生させた正弦波外乱dP(k)を加える。正弦波外乱の周波数はエラー伝達関数のゲインが0dBとなる範囲で選択する。
【0053】
ステップS15において、正弦波外乱dP(k)と二重アクチュエータの出力y(k)とを比較して、離散フーリエ変換を用いて外乱入力対位置誤差のゲインを求める。
【0054】
次いでステップS16に進み、設計ノミナル値をステップS15で求めた外乱入力対位置誤差のゲインで割って、補償ゲインKCPを求め、これを第2ゲイン補償器52にセットする。
【0055】
第2実施形態の変形例として、ステップS11〜ステップS13において、5種類の周波数の正弦波外乱で測定した値の最大値及び最小値を除き、残りの平均値を求めて補償ゲインKCVとすることもできる。
【0056】
第2実施形態の他の変形例として、ステップS11〜ステップS13において、5種類の周波数の正弦波外乱で測定した値の仮平均を取り、仮平均との差が仮平均の10%を超えるものが有ればその値を除去した残りの平均値を求めて補償ゲインKCVとすることもできる。
【0057】
第2実施形態の変形例として、以下に説明する第3実施形態が考えられる。即ち、第3実施形態においては、第2実施形態のステップS11の前に以下のステップS10を挿入する。
【0058】
ステップS10においては、一時的にコントローラ46の制御帯域を所定帯域落とし、エラー伝達関数の周波数特性が広い範囲で0dBでフラットになるようにする。
【0059】
例えば、図6に示すように、通常の制御帯域1kHzに対してキャリブレーション時のみ全体のオープンループゲインを1/10にし、制御帯域を約200Hzにする。
【0060】
これにより300〜400Hz以上の周波数領域でエラー伝達関数のゲインが0dBでフラットとなる。3kHz程度に機械的な共振点がある場合、もとの制御帯域のままではエラー伝達関数のゲインが0dBでフラットな部分は殆ど存在しない。
【0061】
しかし、制御帯域を約200Hzに落とすことで、400Hz〜10kHzの周波数領域でエラー伝達関数のゲインが0dBでフラットになる。これにより、第1外乱発生器54及び第2外乱発生器56で発生させる正弦波外乱の周波数領域が広がることになる。
【0062】
第2実施形態の変形例として、以下に説明する第4実施形態が考えられる。即ち、第2実施形態のステップS11〜ステップS13とステップS14〜ステップS16を異なる周波数を使って同時に実行し、キャリブレーション時間の短縮化を図る。
【0063】
即ち、第2外乱発生器56で発生させる第2正弦波外乱の周波数を第1外乱発生器54で発生させる第1正弦波外乱の周波数の4/3倍以上で、且つそれぞれの一周期のサーボサンプル数が共通の素因数を持たないようにする。
【0064】
更に、全体のサンプル数がメインアクチュエータ側のサーボサンプル数とサブアクチュエータ側のサーボサンプル数の積になるだけの時間で測定する。
【0065】
第2実施形態の変形例として、以下に説明する第5実施形態が考えられる。即ち、第2実施形態において、メインアクチュエータ42のキャリブレーション時には、1外乱の振幅が5トラック以上となるように第1外乱発生器54で発生させる正弦波外乱の振幅を取る。これにより、トラック幅の10%以下と見込まれる定常外乱の影響を2%以下に抑えることができる。
【0066】
振幅の制限されるサブアクチュエータ44のキャリブレーション時には、第2外乱発生器56で5種類の周波数の正弦波外乱を発生させて、外乱入力対位置誤差のゲインを計算する。得られた値から最大値と最小値を除いて残りを平均化することにより、特定周波数の定常外乱の影響を除去することができる。
【0067】
上述した第5実施形態の変形例として、サブアクチュエータ44の制御入力uP(k)に第2外乱発生器56で発生させた複数の周波数の正弦波外乱を同時に挿入する。そして、それぞれの周波数で離散フーリエ変換によって外乱入力対位置誤差のゲインを計算することにより、キャリブレーション実行時間を短縮化することができる。
【0068】
図7を参照すると、他の二重アクチュエータのフィードバック制御システムが示されている。メインアクチュエータ42はボイスコイルモータ(VCM)であり、N個のヘッド用にN個の変位型サブアクチュエータ44a〜44nがメインアクチュエータ42上に搭載されている。変位型サブアクチュエータとしては、ピエゾアクチュエータ又は静電アクチュエータが採用可能である。
【0069】
磁気ディスク装置は図示しない2個のヘッドICと同じく図示しない2個の復調器を有している。各ヘッドICにマルチプレクサ60a,60bが接続されており、各復調器にデマルチプレクサ62a,62bが接続されている。デマルチプレクサ62a,62bによって任意の2つのヘッドの位置を復調できる。
【0070】
コントローラ64はアクチュエータ制御用に2チャンネルの入力と3チャンネルの出力を有するデジタルコントローラである。図7に示した制御システムのキャリブレーションは以下のように行う。
【0071】
即ち、メインアクチュエータ42のキャリブレーションは図4に示した第1実施形態のステップS1〜ステップS4と同様に行う。
【0072】
サブアクチュエータ44a〜44nのキャリブレーションは、メインアクチュエータ42とサブアクチュエータの1つ、例えば44aをフィードバック制御して、ヘッドの1つをオントラックさせる。
【0073】
この状態で別のサブアクチュエータ、例えば44bへの入力を変化させ、そのサブアクチュエータ44bに搭載されているヘッドの位置を復調して、入力対変位ゲインを求める。
【0074】
設計ノミナル値をこの入力対変位ゲインで割って補償ゲインKCP2を求め、この補償ゲインKCP2をゲイン補償器52bにセットする。他のサブアクチュエータ44c〜44nについても同様に補償ゲインKCP3〜KCPNを求め、これをゲイン補償器52c〜52nにセットする。
【0075】
この実施形態では、サブアクチュエータ44a〜44nの非線形特性も測定することができ、より高精度な制御を実現できる。
【0076】
上述した実施形態の変形例として、サブアクチュエータ44a〜44nが加速度型である場合には、以下のようにしてキャリブレーションを実行する。加速度型サブアクチュエータとして、例えば電磁アクチュエータを採用することができる。
【0077】
メインアクチュエータ42のキャリブレーションは、第1実施形態のステップS1〜ステップS4と同様に行う。
【0078】
サブアクチュエータ44a〜44nのキャリブレーションは、メインアクチュエータ42とある任意のサブアクチュエータ、例えば44aをフィードバック制御して、このサブアクチュエータ44aに搭載されているヘッドをオントラックさせる。
【0079】
この状態で、別のサブアクチュエータ、例えば44bに正弦波入力を与え、該サブアクチュエータ44bに搭載されているヘッドの位置を復調して、離散フーリエ変換により入力対変位ゲインを求める。
【0080】
設計ノミナル値をこの入力対変位ゲインで割って補償ゲインKCP2を求め、この補償ゲインKCP2をゲイン補償器52bにセットする。
【0081】
【発明の効果】
本発明によると、従来のキャリブレーション方法では不可能であった二重アクチュエータのキャリブレーションが可能となる。同時に複数の周波数でメインアクチュエータ及びサブアクチュエータの応答を図る実施形態では、それぞれ別々に測定する場合に比較してキャリブレーション実行時間は1/2以下になる。
【0082】
コントローラの制御帯域を一時的に落とすことにより、エラー伝達関数の周波数特性が広い範囲で0dBでフラットになるため、外乱周波数の選定が容易になる。また、外乱周波数を低周波領域にシフトすることで、外乱発生器及び応答計算双方の離散化誤差を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のシングルアクチュエータの制御システムを示すブロック図である。
【図2】本発明のキャリブレーション方法が適用可能な磁気ディスク装置の平面図である。
【図3】本発明のキャリブレーション方法が適用可能な二重アクチュエータの制御システムを示すブロック図である。
【図4】本発明第1実施形態のキャリブレーション方法のフローチャートである。
【図5】本発明第2実施形態のキャリブレーション方法のフローチャートである。
【図6】エラー伝達関数の周波数特性を示す図である。
【図7】本発明のキャリブレーション方法が適用可能な他の二重アクチュエータの制御システムを示すブロック図である。
【符号の説明】
42 メインアクチュエータ
44 サブアクチュエータ
46 コントローラ
48 ノミナルコントローラ
50 第1ゲイン補償器
52 第2ゲイン補償器
54 第1外乱発生器
56 第2外乱発生器
Claims (3)
- ボイスコイルモータを駆動手段とするメインアクチュエータと、該メインアクチュエータ上に搭載されたサブアクチュエータを有する2入力1出力の二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法であって、
メインアクチュエータへの制御入力uV(k)に第1正弦波外乱dV(k)を挿入し;
前記第1正弦波外乱dV(k)と前記二重アクチュエータの出力y(k)とを比較して第1の外乱入力対位置誤差のゲインを求め;
第1設計ノミナル値を前記第1の外乱入力対位置誤差のゲインで割って第1補償ゲインを求め;
該第1補償ゲインをメインアクチュエータのゲイン補償器にセットし;
サブアクチュエータへの制御入力uP(k)に前記第1正弦波外乱d V (k)と外乱周波数の異なる第2正弦波外乱dP(k)を挿入し;
前記第2正弦波外乱dP(k)と前記二重アクチュエータの出力y(k)とを比較して第2の外乱入力対位置誤差のゲインを求め;
第2設計ノミナル値を前記第2の外乱入力対位置誤差のゲインで割って第2補償ゲインを求め;
該第2補償ゲインをサブアクチュエータのゲイン補償器にセットする;
ことを特徴とする二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法。 - ボイスコイルモータを駆動手段とするメインアクチュエータと、前記メインアクチュエータ上に搭載された複数の変位型サブアクチュエータと、それぞれ前記各変位型サブアクチュエータ上に搭載された複数のヘッドと、第1及び第2ヘッドICと、第1及び第2復調器を有する二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法であって、
各サブアクチュエータの制御ループを切断して、サブアクチュエータへの制御入力uP(k)を0に固定し;
メインアクチュエータへの制御入力uV(k)に正弦波外乱dV(k)を挿入し;
uV(k)とuV(k)+dV(k)を比較してオープンループゲインを求め;
前記オープンループゲインの逆数をメインアクチュエータのゲイン補償器にセットし;
前記メインアクチュエータと前記サブアクチュエータの1つをフィードバック制御して前記ヘッドの1つをオントラックさせ;
前記サブアクチュエータの他の1つへの入力を変化させ;
前記他の1つのサブアクチュエータに搭載されているヘッドの位置を復調して、入力対変位ゲインを求め;
設計ノミナル値を前記入力対変位ゲインで割って補償ゲインを求め;
該補償ゲインを前記他の1つのサブアクチュエータのゲイン補償器にセットする;
ことを特徴とする二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法。 - ボイスコイルモータを駆動手段とするメインアクチュエータと、前記メインアクチュエータ上に搭載された複数の加速度型サブアクチュエータと、それぞれ前記各加速度型サブアクチュエータ上に搭載された複数のヘッドと、第1及び第2ヘッドICと、第1及び第2復調器を有する二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法であって、
各サブアクチュエータの制御ループを切断して、サブアクチュエータへの制御入力uP(k)を0に固定し;
メインアクチュエータへの制御入力uV(k)に正弦波外乱dV(k)を挿入し;
uV(k)とuV(k)+dV(k)を比較してオープンループゲインを求め;
前記オープンループゲインの逆数をメインアクチュエータのゲイン補償器にセットし;
前記メインアクチュエータと前記サブアクチュエータの1つをフィードバック制御して前記ヘッドの1つをオントラックさせ;
前記サブアクチュエータの他の1つへ正弦波入力を与え;
前記他の1つのサブアクチュエータに搭載されているヘッドの位置を復調して、入力対変位ゲインを求め;
設計ノミナル値を前記入力対変位ゲインで割って補償ゲインを求め;
該補償ゲインを前記他の1つのサブアクチュエータのゲイン補償器にセットする;
ことを特徴とする二重アクチュエータのフィードバック制御システムのキャリブレーション方法。
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