JP4279811B2 - Multilayer wiring board manufacturing method and wiring board forming metal plate - Google Patents

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
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Description

本発明は、多層配線基板の製造方法及び配線基板形成用金属板に関し、特に、微細なビアを有する高集積度で高信頼度の配線基板を製造する多層配線基板の製造方法及び微細なビアを有する高集積度で高信頼度の配線基板形成用金属板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board and a metal plate for forming a wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a multilayer wiring board for manufacturing a highly integrated and highly reliable wiring board having fine vias, and a fine via. The present invention relates to a highly integrated and highly reliable metal plate for forming a wiring board.

配線基板を高集積化するには、配線基板を多層化し、且つ上下配線膜間接続を高信頼度で且つ微細に形成する必要がある。
ところで、従来において、多層の配線基板は、例えば、両面ないし多層構成に配線膜を形成した配線板をベース(以後において「コア基板」と称する場合あり)とし、そのベースとする配線板に例えばドリル等により上下配線間接続用孔を形成し、該上下配線間接続用孔の内周面にメッキ膜を形成して該メッキ膜を上下配線間接続用配線膜として用い、必要に応じて該上下配線間接続用孔を銀ペーストあるいは絶縁ペーストで埋め、そして、そのベースとした配線板の両面に、他の層間接続用バンプを有し、かつ絶縁樹脂を積層させた銅箔、或いは、樹脂コートした銅箔を積層し、レーザー光で穿孔し、メッキ法にて、ビアを形成する技術がある。これらはビルドアップ工法と呼ばれ、基板の高集積化の手法である多層配線板の製造法であった。
尚、多層配線基板のスルーホールをレーザー(例えばエキシマレーザー)加工法により形成する技術が特開2000−326081号公報、特開2000−349437号公報に記載されている。
特開2000−326081号公報、特開2000−349437号公報
In order to highly integrate the wiring board, it is necessary to make the wiring board multi-layered and to form the connection between the upper and lower wiring films with high reliability and fineness.
By the way, conventionally, a multilayer wiring board has, for example, a wiring board in which a wiring film is formed on both sides or a multilayer structure as a base (hereinafter sometimes referred to as a “core board”), and the wiring board as the base is drilled, for example. The upper and lower wiring connection holes are formed by, for example, a plating film is formed on the inner peripheral surface of the upper and lower wiring connection holes, and the plating film is used as the upper and lower wiring connection wiring film. A copper foil or resin coat in which holes for wiring connection are filled with silver paste or insulating paste, and another interlayer connection bump is provided on both sides of the wiring board used as the base, and insulating resin is laminated. There is a technique of laminating the copper foils, drilling with laser light, and forming vias by plating. These are called build-up methods, and are methods for producing multilayer wiring boards, which is a technique for highly integrating substrates.
A technique for forming a through hole of a multilayer wiring board by a laser (for example, excimer laser) processing method is described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-326081 and 2000-349437.
JP 2000-326081 A, JP 2000-349437 A

ところで、上述した従来の高密度多層配線基板の製造方法によれば、高集積化が難しいという問題があった。というのは、上記上下配線間接続用孔の径を小さくすることが難しいからである。量産性、歩留まりを考慮すると、コア基板には実際上、孔径を0.3mm以下にすることが難しく、比較的大きな孔径の上下配線間接続用孔の存在が高集積化を制約するからである。 However, according to the above-described conventional method for manufacturing a high-density multilayer wiring board, there is a problem that it is difficult to achieve high integration. This is because it is difficult to reduce the diameter of the upper and lower wiring connection holes. Considering mass productivity and yield, it is practically difficult for the core substrate to have a hole diameter of 0.3 mm or less, and the existence of a relatively large hole connecting hole between upper and lower wirings restricts high integration. .

即ち、上下配線間接続用孔は、それ自身がコア基板の一部を占有するので、孔径が大きいことは直接配線基板の集積度を制約する要因となるが、更に、上下配線間接続用孔は他の配線膜に対しては迂回を余儀なくさせる要因であり、従って、孔径が大きい程迂回を余儀なくさせる配線膜を増やし、また迂回する配線膜の迂回長さを長くする要因となり、配線基板の集積度を間接的にも制約する。また高密度配線化を可能とするために、回路をパターニングするための単族面は欠陥のない、清浄面である必要があるが、従来はパターニングされる金属面を裸のままプレス工程などで取り扱うため、傷、ゴミの付着、打痕などの欠陥が発生しやすいという問題があったが、微細配線化により、従来にもまして、微細の欠陥も許容できなくなるという問題があった。 That is, the upper and lower wiring connection holes themselves occupy a part of the core substrate, so that the large hole diameter directly restricts the degree of integration of the wiring boards. Is a factor that necessitates detouring with respect to other wiring films.Therefore, the larger the hole diameter, the larger the number of wiring films that must be detoured, and the longer the detouring length of the detouring wiring film. It also restricts the degree of integration indirectly . In order to enable high-density wiring, the single-layer surface for patterning a circuit needs to be a clean surface that is free of defects. Since it is handled, there is a problem that defects such as scratches, dust adhesion, and dents are likely to occur. However, due to the fine wiring, there has been a problem that even fine defects cannot be tolerated.

本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、微細なビアをすべての層間において実現した高集積度の多層の配線基板を得ることのできる新規な多層配線基板の製造方法及び新規な配線基板形成用金属板を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such problems, and a novel method of manufacturing a multilayer wiring board capable of obtaining a highly integrated multilayer wiring board in which fine vias are realized in all layers. And it aims at providing the metal plate for novel wiring board formation.

第1の態様の多層配線基板の製造方法は、多層金属板を用いて少なくとも一方の表面には配線膜が、他方の表面には配線膜又は配線膜形成用金属板が形成され、絶縁膜により層間絶縁が、金属からなるバンプにより層間接続が為された多層配線構造の複数種の基本的配線基板を用意し、上記複数種の基本的配線基板のうちの互いに種類の異なるものを含んだ複数の基本的配線基板を積層することを特徴とする。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a multilayer wiring board , wherein a wiring film is formed on at least one surface using a multilayer metal plate, and a wiring film or a metal plate for forming a wiring film is formed on the other surface. A plurality of types of basic wiring boards having a multi-layer wiring structure in which interlayer insulation is made by interlayer connection by bumps made of metal are prepared, and a plurality of different types of the above-mentioned plurality of types of basic wiring boards are included. The basic wiring board is laminated.

第2の態様の多層配線基板の製造方法は、第1の態様記載の多層配線基板の製造方法において、積層する複数の基本的配線基板のうち最上部のものと、最下部のものとして、一方の表面に配線膜が形成され、他方の表面に配線膜形成用金属層が形成されたものを選び、上記複数の基本的配線基板のうちの最上部のものと、最下部のものは配線膜形成用金属層形成側の面が外を向くようにして該複数の基本的配線基板を積層し、その後、上記最上部と最下部の基本的配線基板の配線膜形成用金属層を同時にパターニングすることにより最上層と最下層の配線膜を形成することを特徴とする。 A method for manufacturing a multilayer wiring board according to a second aspect is the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the first aspect, wherein the uppermost one and the lowermost one among a plurality of basic wiring boards to be laminated are A wiring film is formed on the surface of the wiring layer, and a wiring film forming metal layer is formed on the other surface. The uppermost one of the plurality of basic wiring substrates and the lowermost one are wiring films. The plurality of basic wiring boards are laminated so that the surface on which the forming metal layer is formed faces outward, and then the wiring film forming metal layers of the uppermost and lowermost basic wiring boards are simultaneously patterned. Thus, the uppermost and lowermost wiring films are formed.

第3の態様の多層配線基板の製造方法は、配線基板形成用の多層金属板の一方の面に、補強層を形成する工程と、上記多層金属板の上記補強層と反対側の面からの他の部材の積層工程と、その後、上記補強層を剥離する工程と、を少なくとも有することを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a multilayer wiring board manufacturing method comprising: a step of forming a reinforcing layer on one surface of a multilayer metal plate for forming a wiring substrate; and a step from a surface opposite to the reinforcing layer of the multilayer metal plate. It includes at least a step of laminating other members and a step of peeling the reinforcing layer thereafter.

第4の態様の多層配線基板の製造方法は、配線基板形成用の多層金属板の一方の面に、補強層を形成する工程と、上記多層金属板の上記補強層と反対側の面からのパターニング工程及び他の部材の積層工程と、その後、上記補強層を剥離する工程と、を少なくとも有することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a multilayer wiring board manufacturing method comprising: a step of forming a reinforcing layer on one surface of a multilayer metal plate for forming a wiring substrate; and a step from a surface opposite to the reinforcing layer of the multilayer metal plate. It includes at least a patterning step and a step of laminating other members, and then a step of peeling the reinforcing layer.

第5の態様の多層配線基板の製造方法は、第3の態様又は第4の態様記載の多層配線基板の製造方法において、剥離層を設けた耐熱性フィルムにより前記補強層を形成することを特徴とする。 A method for producing a multilayer wiring board according to a fifth aspect is the method for producing a multilayer wiring board according to the third aspect or the fourth aspect, wherein the reinforcing layer is formed by a heat resistant film provided with a release layer. And

第6の態様の多層配線基板の製造方法は、第5の態様記載の多層配線基板の製造方法において、前記耐熱性フィルムがポリフェニレンサルファイド樹脂フィルム、ポリエーテルイミド樹脂フィルム、ポリフェニレンオキサイド樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム、ポリイミド樹脂フィルム又はポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムからなることを特徴とする。 A method for producing a multilayer wiring board according to a sixth aspect is the method for producing a multilayer wiring board according to the fifth aspect , wherein the heat resistant film is a polyphenylene sulfide resin film, a polyetherimide resin film, a polyphenylene oxide resin film, a liquid crystal polymer. It consists of a film, a polyimide resin film, or a polyetheretherketone resin film.

第7の態様の配線基板形成用金属板は、3層構造からなり、片面に層間接続用の金属バンプを形成した配線基板形成用金属板に於て、前記片面とは反対面の、後で配線膜となる面に剥離層及び耐熱性フィルムをあらかじめ積層したことを特徴とする。 The wiring board forming metal plate of the seventh aspect has a three-layer structure, and in the wiring board forming metal plate in which metal bumps for interlayer connection are formed on one surface, the surface opposite to the one surface is later. A release layer and a heat-resistant film are laminated in advance on a surface to be a wiring film.

第1の態様の多層配線基板の製造方法によれば、多層配線構造の複数種の基本的配線基板を用意し、該複数種の基本的配線基板のうちの互いに種類の異なるものを含んだ複数の基本的配線基板を積層するので、例えば4層から10層あるいはそれ以上の多層の多層配線基板を容易に得ることができる。 According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the first aspect , a plurality of types of basic wiring boards having a multilayer wiring structure are prepared, and a plurality of types including the different types of the plurality of types of basic wiring boards are included. Therefore, it is possible to easily obtain a multilayer wiring board having, for example, 4 to 10 layers or more.

第2の態様の多層配線基板の製造方法によれば、複数個の基本的配線基板を積層した後、最上層と最下層の配線膜形成用金属層に対するパターニングにより同時に最上層と最下層の配線膜を形成することができ、配線膜形成工程を一つ減らすことができ、多層配線基板の低価格化を図ることができる。 According to the multilayer wiring board manufacturing method of the second aspect , after laminating a plurality of basic wiring boards, the uppermost layer and the lowermost wiring are simultaneously patterned by patterning the uppermost layer and the lowermost wiring film forming metal layer. A film can be formed, the number of wiring film forming steps can be reduced, and the price of the multilayer wiring board can be reduced.

第3の態様の多層配線基板の製造方法によれば、薄くて機械的強度が低い状態の多層金属板を補強層により補強して、作業性を良くし、不良率の低減を図ることができる。また、最初の工程から配線膜パターニング工程に至るまでの間、配線膜形成用金属層の表面が補強層によって継続的に保護されるため、例えばバンプエッチング工程、プレス工程、検査工程などで該表面に傷が付くなどということが無く、形成される配線膜に欠陥が生じたりしない。また、配線膜形成用金属層表面が薬液から保護され、該表面へのゴミの付着も防止される。 According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the third aspect , a thin multilayer metal plate with low mechanical strength can be reinforced with a reinforcing layer to improve workability and reduce the defect rate. . In addition, since the surface of the metal layer for forming the wiring film is continuously protected by the reinforcing layer from the initial process to the wiring film patterning process, the surface is used in, for example, a bump etching process, a pressing process, and an inspection process. There is no such thing as a scratch on the wiring film, and the formed wiring film is not defective. In addition, the surface of the metal layer for forming the wiring film is protected from the chemical solution, and dust is prevented from adhering to the surface.

第4の態様の多層配線基板の製造方法によれば、第3の態様の多層配線基板の製造方法が享受するのと同様の効果を享受することができる。 According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the fourth aspect , it is possible to receive the same effects as those enjoyed by the method for manufacturing the multilayer wiring board of the third aspect .

第5の態様の多層配線基板の製造方法によれば、第3の態様又は第4の態様の多層配線基板の製造方法が享受するのと同様の効果を享受することができる。更に、補強層がニッケル、銅などの金属から成る場合は、それらの剥離にエッチングを要するため工数が掛かるが、この第5の態様の多層配線基板の製造方法のように、剥離層と耐熱性フィルムにより補強層を構成した場合は、配線膜のパターニング工程に入るとき、この耐熱性フィルムを単に剥がすだけで足り、その分工程が簡素化される。 According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the fifth aspect , the same effects as those enjoyed by the method for manufacturing the multilayer wiring board of the third aspect or the fourth aspect can be enjoyed. Furthermore, when the reinforcing layer is made of a metal such as nickel or copper, it takes time since etching is required for the peeling. However, as in the method of manufacturing the multilayer wiring board of the fifth aspect , the peeling layer and the heat resistance When the reinforcing layer is formed of a film, when the wiring film patterning process is started, it is sufficient to simply peel off the heat-resistant film, thereby simplifying the process.

第6の態様の多層配線基板の製造方法によれば、第5の態様の多層配線基板の製造方法が享受するのと同様の効果を享受することができる。 According to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the sixth aspect , it is possible to receive the same effects as those enjoyed by the method for manufacturing a multilayer wiring board of the fifth aspect .

第7の態様の配線基板形成用金属板によれば、薄くて機械的強度が低い状態の多層金属板を補強層により補強して、作業性を良くし、不良率の低減を図ることができる。また、最初の工程から配線膜パターニング工程に至るまでの間、配線膜形成用金属層の表面が耐熱性フィルムによって継続的に保護されるため、例えばプレス工程で該表面に傷が付くなどということが無く、形成される配線膜に欠陥が生じたりしない。また、配線膜形成用金属層表面が薬液から保護され、該表面へのゴミの付着も防止される。更に、補強層がニッケル、銅などの金属から成る場合、それらの剥離にはエッチングを要するため工数が掛かるが、この第7の態様の配線基板形成用金属板のように、剥離層と耐熱性フィルムで構成した場合、配線膜のパターニング工程に入るとき、この耐熱性フィルムを単に剥がすだけで足り、その分工程が簡素化される。 According to the wiring board forming metal plate of the seventh aspect , a thin multilayer metal plate having a low mechanical strength can be reinforced with a reinforcing layer to improve workability and to reduce the defect rate. . In addition, since the surface of the metal layer for forming the wiring film is continuously protected by the heat-resistant film from the first step to the wiring film patterning step, for example, the surface is scratched in the pressing process. And there is no defect in the formed wiring film. In addition, the surface of the metal layer for forming the wiring film is protected from the chemical solution, and dust is prevented from adhering to the surface. Further, when the reinforcing layer is made of a metal such as nickel or copper, it takes time since etching is required to remove them. However, like the metal plate for wiring board formation of the seventh aspect , the peeling layer and the heat resistance In the case of the film, when the wiring film patterning process is started, it is sufficient to simply peel off the heat-resistant film, thereby simplifying the process.

本発明の多層配線基板の製造方法の一つは、多層金属板を用いて少なくとも一方の表面には配線膜が、他方の表面には配線膜又は配線膜形成用金属板が形成され、絶縁膜により層間絶縁が、金属からなるバンプにより層間接続が為された多層配線構造の複数種の基本的配線基板を用意し、上記複数種の基本的配線基板のうちの互いに種類の異なるものを含んだ複数の基本的配線基板を積層するものであるが、そのような製造方法において、積層する複数の基本的配線基板のうち最上部のものと、最下部のものとして、一方の表面に配線膜が形成され、他方の表面に配線膜形成用金属層が形成されたものを選び、上記複数の基本的配線基板のうちの最上部のものと、最下部のものは配線膜形成用金属層形成側の面が外を向くようにして該複数の基本的配線基板を積層し、その後、上記最上部と最下部の基本的配線基板の配線膜形成用金属層を同時にパターニングすることにより最上層と最下層の配線膜を形成することが好ましい。 One of the methods for producing a multilayer wiring board of the present invention is that a multilayer metal plate is used to form a wiring film on at least one surface, and a wiring film or a metal plate for wiring film formation is formed on the other surface. A plurality of types of basic wiring boards having a multi-layer wiring structure in which interlayer insulation is made by metal bumps are included, and different types of the plurality of types of basic wiring boards are included. In such a manufacturing method, a wiring film is formed on one surface as the uppermost one and the lowermost one among the plurality of basic wiring substrates to be laminated. The one having the metal layer for forming the wiring film formed on the other surface is selected, and the uppermost one of the plurality of basic wiring substrates and the lowermost one are the wiring film forming metal layer forming side. The plurality of the surfaces are facing outward. The basically wiring board is laminated, then it is preferable to form the uppermost layer and the lowermost wiring layer by simultaneously patterning the wiring film forming metal layer basic circuit board bottom and the top.

本発明の多層配線基板の製造方法の別のものは、配線基板形成用の多層金属板の一方の面に、補強層を形成する工程と、上記多層金属板の上記補強層と反対側の面からの他の部材の積層工程と、その後、上記補強層を剥離する工程と、を少なくとも有する、或いは、配線基板形成用の多層金属板の一方の面に、補強層を形成する工程と、上記多層金属板の上記補強層と反対側の面からのパターニング工程及び他の部材の積層工程と、その後、上記補強層を剥離する工程と、を少なくとも有するものであるが、このような製造方法において、剥離層を設けた耐熱性フィルムにより前記補強層を形成することが好ましく、更に、この耐熱性フィルムがポリフェニレンサルファイド樹脂フィルム、ポリエーテルイミド樹脂フィルム、ポリフェニレンオキサイド樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム、ポリイミド樹脂フィルム又はポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムであることが最良の形態である。 Another method for producing a multilayer wiring board according to the present invention includes a step of forming a reinforcing layer on one surface of a multilayer metal plate for forming a wiring substrate, and a surface of the multilayer metal plate opposite to the reinforcing layer. A step of laminating the other member from the above, and then a step of peeling the reinforcing layer, or a step of forming a reinforcing layer on one surface of the multilayer metal plate for forming a wiring board, In such a manufacturing method, it has at least a patterning step from the surface opposite to the reinforcing layer of the multilayer metal plate and a step of laminating other members, and then a step of peeling the reinforcing layer. The reinforcing layer is preferably formed of a heat-resistant film provided with a release layer, and the heat-resistant film further comprises a polyphenylene sulfide resin film, a polyetherimide resin film, a polyphenylene Kisaido resin film, a liquid crystal polymer film, it is the best form a polyimide resin film or polyether ether ketone resin film.

本発明の上記多層配線基板の製造に用いる、配線基板形成用金属板は、3層構造からなり、片面に層間接続用の金属バンプを形成した配線基板形成用金属板に於て、前記片面とは反対面の、後で配線膜となる面に剥離層及び耐熱性フィルムをあらかじめ積層した形態が最良である。 The wiring board forming metal plate used in the production of the multilayer wiring board of the present invention has a three-layer structure, and the wiring board forming metal plate having metal bumps for interlayer connection formed on one side thereof, The form in which a release layer and a heat-resistant film are laminated in advance on the opposite surface, which will later become a wiring film, is the best.

以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説明する。
図1(A)〜(D)、図2(E)〜(H)及び図3(I)〜(K)は本発明多層配線基板の製造方法の第1の実施例の工程(A)〜(K)を順に示す断面図である。
(A)先ず、図1(A)に示すように、多層金属板1a、1bを用意する。
上記多層金属板1a、1bは、共に、厚さ例えば100μmの銅箔からなるバンプ形成用金属層2の一方の主面に、厚さ例えば2μmのニッケル層からなるエッチングストップ層3を介して厚さ例えば18μmの銅箔からなる配線膜形成用金属層4を積層してなるものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail according to illustrated embodiments.
1 (A) to (D), FIGS. 2 (E) to (H) and FIGS. 3 (I) to (K) are steps (A) to (A) of the first embodiment of the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention. It is sectional drawing which shows (K) in order.
(A) First, as shown in FIG. 1A, multilayer metal plates 1a and 1b are prepared.
The multilayer metal plates 1a and 1b are both thick on one main surface of a bump forming metal layer 2 made of a copper foil having a thickness of, for example, 100 μm, with an etching stop layer 3 made of a nickel layer having a thickness of, for example, 2 μm. For example, a wiring film forming metal layer 4 made of, for example, 18 μm copper foil is laminated.

(B)次に、上記多層金属板1aについては、上記バンプ形成用金属層2及びエッチングストップ層3を選択的エッチングによりパターニングすることにより上下配線間接続用のバンプ2aを形成する。この選択的エッチングにおいて、エッチングストップ層3はバンプ形成用金属層2のエッチング時に配線膜4aがエッチングされるのを阻む。そして、バンプ形成用金属層2の選択的エッチングが済むと、バンプ形成用金属層2、配線膜形成用金属層4の形成材料である銅をマスクとするエッチングストップ層3に対するエッチングを行う。 (B) Next, for the multilayer metal plate 1a, the bump forming metal layer 2 and the etching stop layer 3 are patterned by selective etching to form bumps 2a for connecting the upper and lower wirings. In this selective etching, the etching stop layer 3 prevents the wiring film 4a from being etched when the bump forming metal layer 2 is etched. After the bump forming metal layer 2 is selectively etched, etching is performed on the etching stop layer 3 using copper, which is a material for forming the bump forming metal layer 2 and the wiring film forming metal layer 4, as a mask.

その後、上記バンプ2aの形成面に例えば樹脂からなる絶縁膜5を、該膜5表面からバンプ2aの頂部のみが露出するように接着する。
一方、上記多層金属板1bについては、その配線膜形成用金属層4をパターニングすることにより配線膜4aを形成する。このとき、エッチングストップ層3はバンプ形成用金属層2がエッチングされるのを阻む。図1(B)は配線膜4aの形成を終えた多層金属板1aと、絶縁膜5の形成を終えた多層金属板1を示す。
尚、以後の、多層金属板1の配線膜4a、バンプ2aの形成も上述した方法で行われる。
Thereafter, an insulating film 5 made of, for example, resin is bonded to the bump 2a forming surface so that only the top of the bump 2a is exposed from the surface of the film 5.
On the other hand, for the multilayer metal plate 1b, the wiring film 4a is formed by patterning the metal layer 4 for forming the wiring film. At this time, the etching stop layer 3 prevents the bump forming metal layer 2 from being etched. FIG. 1 (B) shows a multi-layer metal plate 1a completing the formation of the wiring layer 4a, a multilayer metal plate 1 b finishing the formation of the insulating film 5.
The subsequent formation of the wiring film 4a and the bump 2a of the multilayer metal plate 1 is also performed by the method described above.

(C)次に、多層金属板1aと、1bとを、多層金属板1aのバンプ2aを多層金属板1bの配線膜4aに接続して、積層する。図1(C)はその積層後の状態を示す。
(D)次に、上記多層金属板1bのバンプ形成用金属層2及びエッチングストップ層3を選択的エッチングによりパターニングすることによりバンプ2aを形成する。図1(D)は該バンプ2a形成後の状態を示す。
(C) Next, the multilayer metal plates 1a and 1b are laminated by connecting the bumps 2a of the multilayer metal plate 1a to the wiring film 4a of the multilayer metal plate 1b. FIG. 1C shows a state after the lamination.
(D) Next, a bump 2a is formed by patterning the bump forming metal layer 2 and the etching stop layer 3 of the multilayer metal plate 1b by selective etching. FIG. 1D shows a state after the bump 2a is formed.

(E)次に、上記バンプ2aの形成面に例えば樹脂からなる絶縁膜5を、該絶縁膜5表面から該バンプ2aの頂部のみが露出するように接着する。そして、新たな多層金属板として多層金属板1cを用意する。該多層金属板1cは図1(A)に示す三層構造の多層金属板1a、1bと同じ構造の多層金属板1の配線膜形成用金属層4を選択的エッチングによりパターニングすることにより配線膜4aを形成してなるものである。図2(E)は配線膜4aの形成を終えた多層金属板1cの配線膜4a形成側の面に多層金属板1aと1bの積層体のバンプ2a形成側の面を臨ませた状態を示す。 (E) Next, the insulating film 5 made of, for example, resin is bonded to the surface on which the bump 2a is formed so that only the top of the bump 2a is exposed from the surface of the insulating film 5. And the multilayer metal plate 1c is prepared as a new multilayer metal plate. The multi-layer metal plate 1c is formed by patterning the metal layer 4 for forming the multi-layer metal plate 1 of the multi-layer metal plate 1 having the same structure as the multi-layer metal plates 1a and 1b having the three-layer structure shown in FIG. 4a is formed. FIG. 2 (E) shows a state in which the bump 2a formation side surface of the multilayer metal plates 1a and 1b is exposed to the surface on the wiring film 4a formation side of the multilayer metal plate 1c after the formation of the wiring film 4a. .

(F)次に、図2(F)に示すように、多層金属板1bの配線膜4aに多層金属板1aのバンプ2aを接続させて多層金属板1bに多層金属板1cを積層する。
(G)次に、多層金属板1bのバンプ形成用金属層2及びエッチングストップ層3を選択的エッチングによりパターニングすることによりバンプ2aを形成し、その後、そのバンプ2aの形成面に例えば樹脂からなる絶縁膜5を、該膜5から該バンプ2aの頂部のみが露出するように接着する。
(F) Next, as shown in FIG. 2F, the bump 2a of the multilayer metal plate 1a is connected to the wiring film 4a of the multilayer metal plate 1b, and the multilayer metal plate 1c is laminated on the multilayer metal plate 1b.
(G) Next, a bump 2a is formed by patterning the bump forming metal layer 2 and the etching stop layer 3 of the multilayer metal plate 1b by selective etching, and then the bump 2a is formed of a resin, for example. The insulating film 5 is bonded so that only the tops of the bumps 2a are exposed from the film 5.

その後、新たな多層金属板として多層金属板1dを用意する。該多層金属板1dは図1(A)に示す三層構造の多層金属板1a、1b、1cと同じ構造の多層金属板の配線膜形成用金属層4を選択的エッチングによりパターニングすることにより配線膜4aを形成したものである。図2(G)は絶縁膜5の形成後の多層金属板1a、1b、1cの積層体のバンプ2a形成側の面をその新たな多層金属板1dの配線膜4a形成面に臨ませた状態を示す。 Thereafter, a multilayer metal plate 1d is prepared as a new multilayer metal plate. The multi-layer metal plate 1d is formed by patterning the metal layer 4 for forming a multi-layer metal plate having the same structure as the multi-layer metal plates 1a, 1b and 1c having the three-layer structure shown in FIG. The film 4a is formed. FIG. 2 (G) shows a state in which the surface on the bump 2a formation side of the multilayer metal plates 1a, 1b, 1c after formation of the insulating film 5 faces the wiring film 4a formation surface of the new multilayer metal plate 1d. Indicates.

(H)次に、図2(H)に示すように、多層金属板1cの配線膜4aに多層金属板1bのバンプ2aを接続させて多層金属板1a、1b、1cの積層体に多層金属板1dを積層する。
(I)次に、多層金属板1eのバンプ形成用金属層2及びエッチングストップ層3を選択的エッチングによりパターニングすることによりバンプ2aを形成し、その後、そのバンプ2aの形成面に例えば樹脂からなる絶縁膜5を該バンプ2aに突き破られてその先端部が突出するように接着する。
(H) Next, as shown in FIG. 2 (H), the bump 2a of the multilayer metal plate 1b is connected to the wiring film 4a of the multilayer metal plate 1c, and the multilayer metal plate 1a, 1b, 1c is laminated with the multilayer metal. The plates 1d are stacked.
(I) Next, a bump 2a is formed by patterning the bump forming metal layer 2 and the etching stop layer 3 of the multilayer metal plate 1e by selective etching, and then the bump 2a is formed of a resin, for example. The insulating film 5 is bonded so that the bump 2a is pierced and the tip portion protrudes.

その後、新たな多層金属板として多層金属板1eを用意する。該多層金属板1eは図1(A)に示す三層構造の多層金属板1a、1bと同じ構造の多層金属板の配線膜形成用金属層4を選択的エッチングによりパターニングすることにより配線膜4aを形成したものである。図3(I)は絶縁膜5の形成後の多層金属板1a〜1dの積層体のバンプ2a形成側の面をその新たな多層金属板1eの配線膜4a形成面を臨ませた状態を示す。 Thereafter, a multilayer metal plate 1e is prepared as a new multilayer metal plate. The multi-layer metal plate 1e is formed by patterning the metal layer 4 for forming a multi-layer metal plate having the same structure as the multi-layer metal plates 1a and 1b having the three-layer structure shown in FIG. Is formed. FIG. 3 (I) shows a state in which the surface on the bump 2a formation side of the multilayer metal plates 1a to 1d after formation of the insulating film 5 faces the wiring film 4a formation surface of the new multilayer metal plate 1e. .

(J)次に、上記多層金属板1eのバンプ形成用金属層2及びエッチングストップ層3を選択的エッチングによりパターニングすることによりバンプ2aを形成し、その後、そのバンプ2aの形成面に例えば樹脂からなる絶縁膜5を、該膜5表面から該バンプ2aの頂部のみが露出するように接着する。その後、銅からなる配線膜形成用金属薄板6をそのバンプ2aに接続して該バンプ2a形成面側に積層する。図3(J)はその積層後の状態を示す。
(K)次に、上記多層金属板1a(図1、2、3における最も上側の多層金属板)の配線膜形成用金属層4と、上記配線膜形成用金属薄板6を選択的エッチングによりパターニングすることにより配線膜4a、6aを形成する。そして、この配線膜4aが最上層の配線膜、配線膜6aが最下層の配線膜となる。
(J) Next, a bump 2a is formed by patterning the bump-forming metal layer 2 and the etching stop layer 3 of the multilayer metal plate 1e by selective etching. The insulating film 5 is bonded so that only the tops of the bumps 2a are exposed from the surface of the film 5. Thereafter, the wiring film forming metal thin plate 6 made of copper is connected to the bump 2a and laminated on the bump 2a forming surface side. FIG. 3J shows a state after the lamination.
(K) Next, the wiring film forming metal layer 4 of the multilayer metal plate 1a (the uppermost multilayer metal plate in FIGS. 1, 2 and 3) and the wiring film forming metal thin plate 6 are patterned by selective etching. Thus, the wiring films 4a and 6a are formed. The wiring film 4a becomes the uppermost wiring film and the wiring film 6a becomes the lowermost wiring film.

本多層配線基板の製造方法を要約すると、多層金属板1aをベースとし、そのバンプ形成用金属層2、エッチングストップ層3をパターニングすることによりバンプ2aを形成し、該バンプ2a形成面に絶縁膜5を該バンプ2aにより突き破られてその先端部が該絶縁膜5表面から突出するようにして接着した後、配線膜形成用金属層4のパターニングにより配線膜4aを形成した別の多層金属板1bの該配線膜4aを多層金属板1aのバンプ2aに接続して多層金属板1aと、1bとを積層するという積層工程を、常に一つの多層金属板1のバンプ2aの形成面に、別の多層金属板1の配線膜4a形成面を重ねるという態様で繰り返して多層化し、最後に、最上面と最下面の配線膜形成用金属層4、配線膜形成用金属薄板6をパターニングして最上面と最下面の配線膜4a、配線膜形成用金属薄板6aを形成するものであり、上述した積層工程の繰り返し回数を増すことにより、配線基板の層数を増やすことができる。 Summarizing the manufacturing method of this multilayer wiring board, the bump 2a is formed by patterning the bump forming metal layer 2 and the etching stop layer 3 on the basis of the multilayer metal plate 1a, and an insulating film is formed on the bump 2a formation surface. Another multi-layer metal plate in which the wiring film 4a is formed by patterning the wiring film forming metal layer 4 after the 5 is pierced by the bump 2a and bonded so that the tip thereof protrudes from the surface of the insulating film 5 The laminating step of connecting the wiring film 4a of 1b to the bump 2a of the multilayer metal plate 1a and laminating the multilayer metal plate 1a and 1b is always performed on the formation surface of the bump 2a of one multilayer metal plate 1. The wiring film 4a forming surface of the multilayer metal plate 1 is repeatedly stacked to form a multilayer, and finally, the uppermost and lowermost wiring film forming metal layer 4 and the wiring film forming metal thin plate 6 are patterned. Top surface and the wiring layer 4a of the bottom surface Te, is intended to form the wiring film forming metal sheet 6a, by increasing the number of repetitions of the above-mentioned lamination process, it is possible to increase the number of layers of the wiring board.

本多層配線基板の製造方法によれば、上下配線間接続を、ベースを成す絶縁基板に孔を開け、その内周面に上下配線間接続用の金属めっき膜を形成し、その後、その孔を埋めるという従来の技術を踏襲せず、多層金属板1のバンプ形成用金属層2のパターニングにより形成したバンプ2aを上下配線間接続手段として用いるので、上下配線間接続に必要な部分の領域を直径例えば0.1mm或いはそれ以下と従来より極めて狭くできる。
そして、上下配線間接続部を狭くすることができることは、それ自身が専有する面積を狭くしたことによる集積度向上に対する直接効果をもたらすのみならず、迂回を余儀なくさせるという他の配線膜に対する悪影響力が低減するという間接効果をももたらす。即ち、他の配線膜に対する悪影響力が低減するという間接効果により、迂回を余儀なくされる配線膜の数の低減することができ、また、迂回を余儀なくされる配線膜についてもその迂回長さを短くすることができるので、集積度の顕著な向上を図ることができるのである。
According to this multilayer wiring board manufacturing method, the connection between the upper and lower wirings is made in the insulating substrate forming the base, a metal plating film for connection between the upper and lower wirings is formed on the inner peripheral surface, and then the holes are formed. Since the bump 2a formed by patterning the bump forming metal layer 2 of the multilayer metal plate 1 is used as the connecting means between the upper and lower wirings without following the conventional technique of filling, the area of the portion necessary for the connection between the upper and lower wirings is changed to the diameter. For example, 0.1 mm or less can be made extremely narrower than before.
The ability to narrow the connection between the upper and lower wirings not only has a direct effect on improving the degree of integration by narrowing the area occupied by itself, but also has an adverse effect on other wiring films that necessitate detours. Indirect effect is also brought about. In other words, the indirect effect of reducing the adverse effect on other wiring films can reduce the number of wiring films that are forced to be detoured. Also, the wiring film that is forced to be detoured is shortened. Therefore, the degree of integration can be remarkably improved.

また、一つの多層金属板1のバンプ2aの形成面に、別の多層金属板1の配線膜4a形成面を重ねるという態様で繰り返す積層工程を繰り返して順次多層化をするので、その繰り返し工程の数により多層金属板の層数を任意に増やすことができ、非常に高集積度の配線基板を提供することができる。
尚、積層する配線基板1a、1b、1c、・・・それぞれを、配線膜形成用金属層4a及びバンプ2aの形成、絶縁膜5の接着をしておいてから積層をするようにしても良い。
In addition, since the lamination process is repeated in such a manner that the wiring film 4a formation surface of another multilayer metal plate 1 is superimposed on the formation surface of the bump 2a of one multilayer metal plate 1, the multilayer process is sequentially performed. The number of layers of the multilayer metal plate can be arbitrarily increased depending on the number, and a wiring board having a very high degree of integration can be provided.
The wiring substrates 1a, 1b, 1c,... To be laminated may be laminated after forming the wiring film forming metal layer 4a and the bump 2a and adhering the insulating film 5. .

尚、上記第1の実施例においては、多層金属板1a或いは1b等における配線膜4aの形成は、バンプ形成用金属層2にエッチングストップ層3を介して配線膜形成用金属層3に積層したものを母体として用意し、該配線膜形成用金属層3を選択的にエッチングしてパターニングすることにより行っているが、配線膜4aをメッキにより形成するようにすることもできる。そして、メッキにより配線膜4aを形成することとすれば、フォトエッチングにより配線膜形成用金属層3をパターニングする場合におけるようなサイドエッチングが生じないので、微細で高集積度の配線膜4aの形成が可能になる。 In the first embodiment, the wiring film 4a on the multilayer metal plate 1a or 1b is formed on the bump forming metal layer 2 via the etching stop layer 3 on the wiring film forming metal layer 3. This is prepared by preparing a base material and selectively etching and patterning the wiring film forming metal layer 3, but the wiring film 4a can also be formed by plating. Then, if the wiring film 4a is formed by plating, side etching as in the case of patterning the wiring film forming metal layer 3 by photoetching does not occur. Therefore, formation of a fine and highly integrated wiring film 4a is formed. Is possible.

具体的には、バンプ形成用金属層2にエッチングストップ層3を積層したものを母体として用意し、該エッチングストップ層3の反バンプ形成用金属層側の面に例えばフォトレジスト膜を選択的に形成し、該フォトレジスト膜をマスクとして例えば銅等の金属をメッキすることにより配線膜4aを形成するという方法が良い。また、エッチングストップ層の表面に直接メッキで配線膜を形成するようにしても良いが、エッチングストップ層表面に例えば銅等からなる薄いメッキ下地層を形成し、該メッキ下地層上に配線膜4aをフォトレジスト膜をマスクとするメッキにより形成するようにしても良い。この場合、配線膜4a形成後に該配線膜4aをマスクとしてその薄いメッキ下地層をエッチングする必要がある。 Specifically, a substrate in which an etching stop layer 3 is laminated on a bump forming metal layer 2 is prepared as a base material, and a photoresist film, for example, is selectively formed on the surface of the etching stop layer 3 on the side opposite to the bump forming metal layer. A method of forming the wiring film 4a by plating with a metal such as copper using the photoresist film as a mask is preferable. The wiring film may be formed directly on the surface of the etching stop layer by plating, but a thin plating base layer made of, for example, copper or the like is formed on the surface of the etching stop layer, and the wiring film 4a is formed on the plating base layer. May be formed by plating using a photoresist film as a mask. In this case, after forming the wiring film 4a, it is necessary to etch the thin plating base layer using the wiring film 4a as a mask.

図4〜図11は本発明多層配線基板の製造方法の第2の実施例を説明するためのものであり、本実施例は、原材料を加工して多層配線基板を構成する基本的配線基板50を複数種(例えば50α、50β、50γ、50δ)用意しておき、その複数種の基本的配線基板から任意のものを組み合わせて積層し、多層配線基板51(例えば51a、51b、51c、51d)を形成するというものであり、図4〜図7はその各別の基本的配線基板の製造方法を或いは基本的配線基板を説明するものであり、図4(A)〜(D)は基本的配線基板の第1の例50αの製造方法を工程順に示し、図5は基本的配線基板の第2の例50βを示し、図6は基本的配線基板の第3の例50γを示し、図7は基本的配線基板の第4の例50δを示すものである。 FIGS. 4 to 11 are for explaining a second embodiment of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention. In this embodiment, a basic wiring board 50 for forming a multilayer wiring board by processing raw materials is shown. A plurality of types (for example, 50α, 50β, 50γ, 50δ) are prepared and laminated by combining any of the plurality of types of basic wiring substrates to form a multilayer wiring substrate 51 (for example, 51a, 51b, 51c, 51d). FIGS. 4 to 7 illustrate a method of manufacturing each of the basic wiring boards or the basic wiring board, and FIGS. 4A to 4D are basic. FIG. 5 shows a second example 50β of the basic wiring board, FIG. 6 shows a third example 50γ of the basic wiring board, and FIG. Shows a fourth example 50δ of the basic wiring board.

先ず、図4(A)〜(D)を参照して上記第1の例50αの製造方法を説明する。
(A)先ず、図4(A)に示すように、多層金属板1aを用意する。該多層金属板1aは、例えば、図1(A)に示す多層金属板1aと同じもので良い。即ち、厚さ100μmの銅箔からなるバンプ形成用金属層2の一方の主面に、厚さ例えば2μmのニッケル層からなるエッチングストップ層3を介して厚さ例えば18μmの銅箔からなる配線膜形成用金属層4を積層してなるものを用意する。
First, the manufacturing method of the first example 50α will be described with reference to FIGS.
(A) First, as shown in FIG. 4 (A), a multilayer metal plate 1a is prepared. The multilayer metal plate 1a may be the same as the multilayer metal plate 1a shown in FIG. That is, a wiring film made of a copper foil having a thickness of, for example, 18 μm is provided on one main surface of the bump forming metal layer 2 made of a copper foil having a thickness of 100 μm via an etching stop layer 3 made of a nickel layer having a thickness of, for example, 2 μm. A laminate of the forming metal layer 4 is prepared.

(B)次に、上記多層金属板1aの上記バンプ形成用金属層2及びエッチングストップ層3を選択的エッチングによりパターニングすることにより上下配線間接続用のバンプ2aを形成する。そして、バンプ形成用金属層2の選択的エッチングが済むと、バンプ形成用金属層2、配線膜形成用金属層4の形成材料である銅をマスクとするエッチングストップ層3に対するエッチングを行う。
その後、上記バンプ2aの形成面に例えば樹脂からなる絶縁膜5を該バンプ2aにバンプ頂部のみが露出するように接着する。しかる後、図4(B)に示すように、その多層金属板1aのバンプ2aの頂部が突出する側の面に例えば銅からなる配線膜形成用金属薄板6を臨ませる。
(B) Next, the bump forming metal layer 2 and the etching stop layer 3 of the multilayer metal plate 1a are patterned by selective etching to form bumps 2a for connecting the upper and lower wirings. After the bump forming metal layer 2 is selectively etched, etching is performed on the etching stop layer 3 using copper, which is a material for forming the bump forming metal layer 2 and the wiring film forming metal layer 4, as a mask.
Thereafter, an insulating film 5 made of, for example, resin is bonded to the bump 2a forming surface so that only the bump top portion is exposed to the bump 2a. Thereafter, as shown in FIG. 4B, the metal thin plate 6 for forming a wiring film made of copper, for example, is allowed to face the surface of the multilayer metal plate 1a on which the tops of the bumps 2a protrude.

(C)次に、図4(C)に示すように、上記配線膜形成用金属薄板6を上記バンプ2aに接続して該バンプ2a形成面側に積層する。
(D)次に、上記多層金属板1aの配線膜形成用金属層4と、上記配線膜形成用金属薄板6を選択的エッチングによりパターニングすることにより配線膜4a、6aを形成する。これにより、基本的配線基板1αが出来上がり、この配線膜4aが上層の配線膜、配線膜6aが下層の配線膜となる。
(C) Next, as shown in FIG. 4C, the wiring film forming metal thin plate 6 is connected to the bump 2a and laminated on the bump 2a formation surface side.
(D) Next, the wiring films 4a and 6a are formed by patterning the wiring film forming metal layer 4 of the multilayer metal plate 1a and the wiring film forming metal thin plate 6 by selective etching. As a result, the basic wiring substrate 1α is completed, and the wiring film 4a becomes the upper wiring film and the wiring film 6a becomes the lower wiring film.

図5は基本的配線基板50βを示し、これは、図4に示す製造方法における図4(D)に示す工程で、配線膜形成用金属層4に対する選択的エッチングを行わず、即ち上層の配線膜4aの形成を行わず、配線膜形成用金属薄板6に対する選択的エッチングを行って配線膜6aのみを形成することとすることによってつくることができる。 FIG. 5 shows a basic wiring substrate 50β, which is a step shown in FIG. 4D in the manufacturing method shown in FIG. 4, and does not selectively etch the wiring film forming metal layer 4, that is, the upper wiring layer. The film 4a can be formed by forming only the wiring film 6a by performing selective etching on the wiring film forming metal thin plate 6 without forming the film 4a.

図6は基本的配線基板50γを示す。本基本的配線基板50γは、図4(A)〜(D)に示す工程と同じ工程で形成することができる。
図7は基本的配線基板50δを示す。本基本的配線基板50δは、図6に示す基本的配線基板50δのバンプ2a形成側の面に絶縁膜5を、バンプ2aの頂部のみが該絶縁膜5から露出するように形成し、更に、配線膜形成用金属層4をフォトエッチングによりパターニングすることにより配線膜4aを形成することによりつくることができる。
FIG. 6 shows a basic wiring board 50γ. The basic wiring board 50γ can be formed in the same process as the process shown in FIGS.
FIG. 7 shows a basic wiring board 50δ. The basic wiring substrate 50δ is formed with an insulating film 5 on the surface of the basic wiring substrate 50δ shown in FIG. 6 on the bump 2a formation side so that only the top of the bump 2a is exposed from the insulating film 5, The wiring film forming metal layer 4 can be formed by patterning by photoetching to form the wiring film 4a.

図8〜11は上述した上記基本的配線基板50α、50β、50γ、50δを組み合わせて積層して製造した多層配線基板の各別の例51a〜51dを説明するためのものであり、図8(A)は多層配線基板51aの構成に用いる基本的配線基板50γと、50αを示し、図8(B)は該基本的配線基板50αの上面に基本的配線基板50γを積層した状態を示す。そして、この図8(B)に示す状態の積層体の、最上層の配線膜形成用金属層4と、最下層の配線膜形成用金属薄板6を例えばフォトエッチングによりパターニングして配線膜4a、6aを形成すると、4層の多層配線基板51aができあがる。 FIGS. 8 to 11 are for explaining different examples 51a to 51d of multilayer wiring boards manufactured by combining the above basic wiring boards 50α, 50β, 50γ, and 50δ. A) shows basic wiring boards 50γ and 50α used for the construction of the multilayer wiring board 51a, and FIG. 8B shows a state in which the basic wiring board 50γ is laminated on the upper surface of the basic wiring board 50α. Then, the uppermost wiring film forming metal layer 4 and the lowermost wiring film forming metal thin plate 6 of the laminate in the state shown in FIG. 8B are patterned by, for example, photoetching to form the wiring film 4a, When 6a is formed, a four-layer multilayer wiring board 51a is completed.

図9(A)は多層配線基板51bの構成に用いる基本的配線基板50γと、50αと、50γを示し、図9(B)は該基本的配線基板50αを挟んでその上下に基本的配線基板50γ、50γを、そのバンプ2a側を基本的配線基板50α側に向けさせた向きで積層した状態を示す。そして、この図9(B)に示す状態の積層体の、最上層と最下層の配線膜形成用金属層4、4を例えばフォトエッチングによりパターニングして配線膜4a、4aを形成すると、6層の多層配線基板51bができあがる。 9A shows basic wiring boards 50γ, 50α, and 50γ used for the configuration of the multilayer wiring board 51b, and FIG. 9B shows the basic wiring boards above and below the basic wiring board 50α. A state in which 50γ and 50γ are stacked in a direction in which the bump 2a side is directed to the basic wiring substrate 50α side is shown. Then, when the wiring films 4a and 4a are formed by patterning the uppermost and lowermost wiring film forming metal layers 4 and 4 of the laminated body in the state shown in FIG. The multilayer wiring board 51b is completed.

図10(A)は多層配線基板51bの構成に用いる基本的配線基板50γと、50αと、50δと、50γを示し、図10(B)はバンプ2a側の面が上を向く向きにした基本的配線基板50γに対して、バンプ2a側の面が上を向く向きにした基本的配線基板50δを積層し、その基本的配線基板50δに対して基本的配線基板50αを積層し、更に、該基本的配線基板50αに対してバンプ2a形成側が下を向く向きにした基本的配線基板50γ を積層した状態を示す。そして、この図10(B)に示す状態の積層体の、最上層と最下層のの配線膜形成用金属層4、4を例えばフォトエッチングによりパターニングして配線膜4a、4aを形成すると、8層の多層配線基板51cができあがる。 FIG. 10A shows basic wiring boards 50γ, 50α, 50δ, and 50γ used for the configuration of the multilayer wiring board 51b, and FIG. 10B shows a basic with the bump 2a side facing upward. A basic wiring board 50δ with the bump 2a side facing upward is laminated on the basic wiring board 50γ, and a basic wiring board 50α is laminated on the basic wiring board 50δ. A state is shown in which a basic wiring board 50γ is laminated so that the bump 2a formation side faces downward with respect to the basic wiring board 50α. Then, when the wiring films 4a and 4a are formed by patterning the uppermost and lowermost wiring film forming metal layers 4 and 4 of the laminated body in the state shown in FIG. A multi-layered wiring substrate 51c is completed.

図11(A)は多層配線基板51bの構成に用いる基本的配線基板50γと、50δと、50αと、50δと、50γを示し、図11(B)はバンプ2a側の面が上を向く向きにした基本的配線基板50γに対して、バンプ2a側の面が上を向く向きにした基本的配線基板50δを積層し、その基本的配線基板50δに対して基本的配線基板50αを積層し、更に、該基本的配線基板50αに対してバンプ2a及び絶縁膜5形成側が下を向く向きにした基本的配線基板50δを積層し、更に該基本的配線基板50δにバンプ2a及び絶縁膜5形成側が下を向く向きにした基本的配線基板50γを積層した状態を示す。そして、この図11(B)に示す状態の積層体の、最上層と最下層の配線膜形成用金属層4、4を例えばフォトエッチングによりパターニングして配線膜4a、4aを形成すると、10層の多層配線基板51dができあがる。 11A shows basic wiring boards 50γ, 50δ, 50α, 50δ, and 50γ used for the configuration of the multilayer wiring board 51b, and FIG. 11B shows the direction in which the surface on the bump 2a side faces upward. A basic wiring board 50δ with the bump 2a side facing upward is laminated on the basic wiring board 50γ, and the basic wiring board 50α is laminated on the basic wiring board 50δ. Further, a basic wiring substrate 50δ with the bump 2a and insulating film 5 forming side facing downward is laminated on the basic wiring substrate 50α, and the bump 2a and insulating film 5 forming side is further stacked on the basic wiring substrate 50δ. A state in which a basic wiring board 50γ oriented downward is laminated is shown. Then, when the wiring films 4a and 4a are formed by patterning the uppermost and lowermost wiring film forming metal layers 4 and 4 of the laminated body in the state shown in FIG. The multilayer wiring board 51d is completed.

このように、原材料を加工して多層配線基板を構成する基本的配線基板50を複数種50α、50β、50γ、50δ用意しておき、その複数種の基本的配線基板から任意のものを組み合わせて積層し、多層配線基板51a、51b、51c、51dを製造するという形態もあり得る。このようにすることにより任意の層数(例えば4層〜10)の多層配線基板51を得ることができる。
このような本発明多層配線基板の製造方法の第2の実施例によっても、上記第1の実施例により得ることのできると略同様の効果を享受することができる。
As described above, a plurality of types of basic wiring boards 50 constituting a multilayer wiring board by processing raw materials are prepared, and a plurality of types of basic wiring boards are arbitrarily combined. There may be a form in which the multilayer wiring boards 51a, 51b, 51c, 51d are manufactured by stacking. By doing in this way, the multilayer wiring board 51 of arbitrary number of layers (for example, 4-10) can be obtained.
Also according to the second embodiment of the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, substantially the same effect can be obtained if it can be obtained by the first embodiment.

図12(A)〜(E)及び図13(F)〜(I)は本発明多層配線基板の製造方法の第3の実施例の工程(A)〜(I)を順に示す断面図である。
(A)銅箔からなるバンプ形成用金属層21の一方の表面にニッケルからなるエッチングストップ層22を介して銅箔からなる配線膜形成用金属層23を積層した多層金属板20aを用意し、該配線膜形成用金属層23を選択的エッチングによりパターニングすることにより配線膜23aを形成する。その際、エッチングストップ層22はバンプ形成用金属層21がエッチングされるのを阻む役割を果たす。図12(A)は配線膜23a形成後の状態を示す。
FIGS. 12A to 12E and FIGS. 13F to 13I are cross-sectional views sequentially showing steps (A) to (I) of the third embodiment of the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention. .
(A) Prepare a multilayer metal plate 20a in which a wiring film forming metal layer 23 made of copper foil is laminated on one surface of a bump forming metal layer 21 made of copper foil via an etching stop layer 22 made of nickel, The wiring film 23a is formed by patterning the wiring film forming metal layer 23 by selective etching. At this time, the etching stop layer 22 serves to prevent the bump-forming metal layer 21 from being etched. FIG. 12A shows a state after the formation of the wiring film 23a.

(B)次に、図12(B)に示すように、多層金属板20aの配線膜23a形成側の面に薄い銅膜24をメッキする。該銅膜24は後で上記エッチングストップ層22を選択的エッチングするときに、該銅膜24上に次の工程で形成されるニッケルからなるエッチングストップ層(25)がエッチングされるのを阻む役割を果たす。尚、エッチングの厚さの制御を精確に行うことにより本銅膜24の形成工程を省略することは不可能ではない。従って、本工程は必須とは言えない。 (B) Next, as shown in FIG. 12B, a thin copper film 24 is plated on the surface of the multilayer metal plate 20a on the wiring film 23a formation side. The copper film 24 prevents the etching stop layer (25) made of nickel formed on the copper film 24 in the next step from being etched when the etching stop layer 22 is selectively etched later. Fulfill. Note that it is not impossible to omit the step of forming the copper film 24 by precisely controlling the etching thickness. Therefore, this step is not essential.

(C)次に、図12(C)に示すように、上記多層金属板20aの配線膜23a形成側の表面上にニッケルからなるエッチングストップ層25をメッキにより形成する。
(D)次に、図12(D)に示すように、多層金属板20aの配線膜23a形成側の表面上に銅からなるバンプ形成用金属層26をクラッドの積層或いはメッキにより形成する。
(C) Next, as shown in FIG. 12C, an etching stop layer 25 made of nickel is formed on the surface of the multilayer metal plate 20a on the wiring film 23a formation side by plating.
(D) Next, as shown in FIG. 12D, a bump forming metal layer 26 made of copper is formed on the surface of the multilayer metal plate 20a on the wiring film 23a forming side by laminating or plating the clad.

(E)次に、上記多層金属板20aのバンプ形成用金属層21及びエッチングストップ層22に対する選択的エッチングによりパターニングすることにより、図12(E)に示すように、バンプ21aを形成する。
(F)次に、上記多層金属板20aのバンプ21a形成側の表面上に、絶縁膜27を該バンプ21aにそれに突き破られてその先端部が突出するように接着し、その後、その絶縁膜27上に配線膜形成用金属薄板28をバンプ21aと接続させて積層する。図13(F)は配線膜形成用金属薄板28接着後の状態を示す。
(E) Next, as shown in FIG. 12E, bumps 21a are formed by patterning by selective etching with respect to the bump forming metal layer 21 and the etching stop layer 22 of the multilayer metal plate 20a.
(F) Next, on the surface of the multilayer metal plate 20a on the bump 21a formation side, the insulating film 27 is bonded to the bump 21a so that the tip of the insulating film 27 protrudes, and then the insulating film The wiring film forming metal thin plate 28 is laminated on the bump 27 a so as to be connected to the bump 21 a. FIG. 13F shows a state after bonding the thin metal film 28 for forming the wiring film.

(G)次に、図13(G)に示すように、上記バンプ形成用金属層26及びエッチングストップ層25に対する選択的エッチングによるパターニングによりバンプ26aを形成する。
(H)次に、図14(H)に示すように、上記銅膜24に対するエッチングにより、各配線膜23a間を電気的に分離する。
(G) Next, as shown in FIG. 13G, bumps 26 a are formed by patterning by selective etching with respect to the bump-forming metal layer 26 and the etching stop layer 25.
(H) Next, as shown in FIG. 14H, the wiring films 23 a are electrically separated by etching the copper film 24.

(I)次に、多層金属板20aのバンプ26a形成側の表面上に、絶縁膜30を該バンプ21aにそれに突き破られてその先端部が突出するように接着し、その後、その絶縁膜30上に配線膜形成用金属薄板31をバンプ26aと接続させて積層する。図13(I)は配線膜形成用金属薄板31接着後の状態を示す。 (I) Next, on the surface of the multilayer metal plate 20a on the bump 26a formation side, the insulating film 30 is bonded to the bump 21a so that the tip of the insulating film 30 protrudes from the bump 21a. A wiring film forming metal thin plate 31 is laminated on the bump 26a. FIG. 13 (I) shows a state after the metal thin plate 31 for forming a wiring film is bonded.

その後は、図示はしないが、上記配線膜形成用金属薄板29及び31に対する選択的エッチングによるパターニングによって配線膜を形成する。すると、3層で、層間接続がバンプ21a、26aにより為された配線基板を得ることができる。ここでは3層配線板の例で説明したが、それ以上の多層配線板にも適用できる。即ち、図13(F)金属層28をパターニングしたもの(図は省略)と図13(H)のバンプ26aにそれに突き破られてその先端部が突出するように接着したもの(図は省略)を組み合わせることにより、3層以上の多層板も得ることができるのである。 Thereafter, although not shown, a wiring film is formed by patterning by selective etching with respect to the metal thin films 29 and 31 for forming the wiring film. Then, it is possible to obtain a wiring board having three layers and interlayer connection made by the bumps 21a and 26a. Although an example of a three-layer wiring board has been described here, it can be applied to a multilayer wiring board having more than that. That is, FIG. 13F is a pattern obtained by patterning the metal layer 28 (not shown), and a bump 26a shown in FIG. 13H that is bonded to the tip so that its tip protrudes (not shown). By combining these, a multilayer board having three or more layers can be obtained.

本多層配線基板の製造方法によっても、上下配線間接続に必要な部分の領域を直径例えば0.1mm或いはそれ以下と従来より極めて狭くでき、上下配線間接続部それ自身が専有する面積を狭くしたことによる集積度向上に対する直接効果をもたらすのみならず、迂回を余儀なくさせるという他の配線膜に対する悪影響力が低減するという間接効果を得ることができる。即ち、他の配線膜に対する悪影響力が低減するという間接効果により、迂回を余儀なくされる配線膜の数の低減することができ、また、迂回を余儀なくされる配線膜についてもその迂回長さを短くすることができるという効果をもたらす。 Even with this multilayer wiring board manufacturing method, the area required for the connection between the upper and lower wirings can be made extremely narrow with a diameter of, for example, 0.1 mm or less, and the area occupied by the connection part between the upper and lower wirings itself is reduced. In addition to providing a direct effect on improving the degree of integration, it is possible to obtain an indirect effect of reducing the adverse effect on other wiring films that necessitates detouring. In other words, the indirect effect of reducing the adverse effect on other wiring films can reduce the number of wiring films that are forced to be detoured. Also, the wiring film that is forced to be detoured is shortened. The effect that you can.

(変形例)
図14(A)、(B)は図12、図13に示した本発明多層配線基板の製造方法の第3の実施例を変形した変形例の一部の工程(A)、(B)を示す断面図である。本変形例は、多層金属板として、銅からなるバンプ形成用金属層21にニッケルからなるエッチングストップ層22を形成し、該エッチングストップ層22上に銅からなるメッキ下地層30を形成し、該メッキ下地層30上に選択的に形成したレジスト膜をマスクとして銅をメッキすることにより所定のパターンを有する配線膜23aを形成したもの20bを用いる。図14(A)はその多層金属板20bを示し、(B)は、その多層金属板20bにニッケルからなるエッチングストップ層25を形成した後の状態を示す。これは図12(C)に示す工程に相当する。その後は、図12、図13に示した第2の実施例における図12(D)に示す工程以降の工程を行う。
(Modification)
14 (A) and 14 (B) show partial steps (A) and (B) of the modified example obtained by modifying the third embodiment of the method for manufacturing the multilayer wiring board of the present invention shown in FIGS . 12 and 13. It is sectional drawing shown. In this modification, an etching stop layer 22 made of nickel is formed on a bump forming metal layer 21 made of copper as a multilayer metal plate, and a plating base layer 30 made of copper is formed on the etching stop layer 22. Using a resist film selectively formed on the plating base layer 30 as a mask, copper is plated 20 to form a wiring film 23a having a predetermined pattern. FIG. 14A shows the multilayer metal plate 20b, and FIG. 14B shows a state after the etching stop layer 25 made of nickel is formed on the multilayer metal plate 20b. This corresponds to the step shown in FIG. Thereafter, the steps after the step shown in FIG. 12D in the second embodiment shown in FIGS. 12 and 13 are performed.

本例によっても、図12、図13に示す第3の実施例と同様の効果を奏することができると共に、よりエッチングのパターンより、より高精度のパターンが形成できる。 Also according to this example, the same effect as that of the third embodiment shown in FIGS. 12 and 13 can be obtained, and a pattern with higher accuracy can be formed than the etching pattern.

図15(A)〜(E)は本発明多層配線基板の製造方法の第4の実施例を工程順に示す断面図である。
(A)図15(A)に示すように、多層金属板として、銅からなるバンプ形成用金属層21にニッケルからなるエッチングストップ層22を積層し、該エッチングストップ層22上に銅からなる配線膜形成用金属層23を積層し、更に、該配線膜形成用金属層23上にニッケルからなる層41を形成し、更に、該層41上に銅層42を形成した5層の多層金属板40を用意する。該多層金属板40のニッケル層41と銅層42は後で剥離される補強層43を成すもので、多層金属板40が機械的な強度不足で撓んで曲がったりして不良になり易くするのを防止する役割を果たす。また、最初の工程から配線膜パターニング工程に至るまでの間、配線膜形成用金属層の表面を継続的に保護することで、例えばバンプエッチング工程、プレス工程などで該表面に傷が付くなどということを無くし、形成される配線膜に欠陥が生ずるのを防止する役割を果たす。更に、配線膜形成用金属層表面を薬液から保護する役割や、該表面へのゴミの付着を防止する役割も果たす。
15A to 15E are sectional views showing a fourth embodiment of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention in the order of steps.
(A) As shown in FIG. 15A, as a multilayer metal plate, an etching stop layer 22 made of nickel is laminated on a bump forming metal layer 21 made of copper, and a wiring made of copper is formed on the etching stop layer 22. A multilayer metal plate having five layers in which a film forming metal layer 23 is laminated, a layer 41 made of nickel is formed on the wiring film forming metal layer 23, and a copper layer 42 is formed on the layer 41. Prepare 40. The nickel layer 41 and the copper layer 42 of the multilayer metal plate 40 form a reinforcing layer 43 that is peeled off later, and the multilayer metal plate 40 is bent due to insufficient mechanical strength and is liable to be defective. Play a role in preventing. Also, by continuously protecting the surface of the metal layer for forming the wiring film from the first process to the wiring film patterning process, the surface is scratched in the bump etching process, the pressing process, etc. This serves to prevent the occurrence of defects in the formed wiring film. Furthermore, it plays the role which protects the metal layer surface for wiring film formation from a chemical | medical solution, and the adhesion of the dust to this surface.

尚、多層金属板40は、バンプ形成用金属層21、エッチングストップ層22、配線膜形成用金属層23からなる3層の多層金属板の該配線膜形成用金属層23の表面に、ニッケル層41をメッキし、更に該ニッケル層41の表面に銅層42をメッキすることにより形成しても良いし、バンプ形成用金属層21、エッチングストップ層22、配線膜形成用金属層23、ニッケル層41及び銅層42からなる5層のクラッドを積層することにより形成しても良い。 The multilayer metal plate 40 has a nickel layer on the surface of the wiring film forming metal layer 23 of the three-layered multilayer metal plate including the bump forming metal layer 21, the etching stop layer 22, and the wiring film forming metal layer 23. 41, and further, a copper layer 42 may be plated on the surface of the nickel layer 41, or a bump forming metal layer 21, an etching stop layer 22, a wiring film forming metal layer 23, a nickel layer You may form by laminating | stacking the clad of five layers which consists of 41 and the copper layer 42. FIG.

(B)次に、図15(B)に示すように、バンプ形成用金属層21を選択的エッチングによりパターニングすることによりバンプ21aを形成する。
(C)次に、図15(C)に示すように、多層金属板40のバンプ21a形成面に絶縁膜44を該バンプ21aに突き破られてその先端部が突出するように接着する。
(D)その後、その絶縁膜44上に配線膜形成用金属薄板45をバンプ21aと接続させて積層する。図15(D)は配線膜形成用金属薄板28接着後の状態を示す。この状態では図15(B)に示す状態よりも多層金属板40の機械的強度は強く、撓んで曲がったりして不良になる可能性はほとんどない。
(B) Next, as shown in FIG. 15B, the bump forming metal layer 21 is patterned by selective etching to form bumps 21a.
(C) Next, as shown in FIG. 15C, the insulating film 44 is bonded to the surface of the multilayer metal plate 40 where the bumps 21a are formed so that the bumps 21a pierce and the tips protrude.
(D) After that, the wiring film forming metal thin plate 45 is connected to the bumps 21 a and laminated on the insulating film 44. FIG. 15D shows a state after bonding the thin metal film 28 for forming the wiring film. In this state, the mechanical strength of the multilayer metal plate 40 is stronger than in the state shown in FIG. 15B, and there is almost no possibility of bending and bending to cause a failure.

(E)その後、配線膜形成用金属層23及び配線膜形成用金属薄板45に対する選択的エッチングによるパターニングして配線膜を形成することが可能なるように、図15(E)に示すように、補強層43を選択エッチング法により、剥離する。 (E) Thereafter, as shown in FIG. 15E, the wiring film can be formed by patterning by selective etching on the wiring film forming metal layer 23 and the wiring film forming metal thin plate 45, as shown in FIG. The reinforcing layer 43 is peeled off by a selective etching method.

このような第4の実施例によれば、薄くて機械的強度が低い状態の多層金属板を補強層43により補強して、作業性を良くし、不良率の低減を図ることができる。また、最初の工程から配線膜パターニング工程に至るまでの間、配線膜形成用金属層の表面を継続的に保護することで、例えばバンプエッチング工程、プレス工程、検査工程などで該表面に傷が付くなどということを無くし、形成される配線膜に欠陥が生ずるのを防止することができる。更に、配線膜形成用金属層表面を薬液から保護することや、該表面へのゴミの付着を防止することもできる。 According to the fourth embodiment, it is possible to reinforce the multi-layered metal plate that is thin and has low mechanical strength with the reinforcing layer 43, to improve workability and to reduce the defect rate. Further, by continuously protecting the surface of the metal layer for forming the wiring film from the initial process to the wiring film patterning process, the surface is scratched in, for example, the bump etching process, the pressing process, the inspection process, etc. It is possible to prevent the occurrence of defects in the formed wiring film by eliminating the sticking. Furthermore, the surface of the metal layer for forming a wiring film can be protected from a chemical solution, and dust can be prevented from adhering to the surface.

図16(A)〜(E)は本発明多層配線基板の製造方法の第5の実施例を工程順に示す断面図である。
(A)図16(A)に示すように、多層金属板として、銅からなるバンプ形成用金属層21にニッケルからなるエッチングストップ層22を積層し、該エッチングストップ層22上に銅からなる配線膜形成用金属層23を積層した多層金属板60を用意する。この多層金属板60の配線膜形成用金属層23上に、剥離層61を有する耐熱性フィルム62を積層する。
16A to 16E are cross-sectional views showing a fifth embodiment of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention in the order of steps.
(A) As shown in FIG. 16A, as a multilayer metal plate, an etching stop layer 22 made of nickel is laminated on a bump forming metal layer 21 made of copper, and a wiring made of copper is formed on the etching stop layer 22. A multilayer metal plate 60 on which the film-forming metal layer 23 is laminated is prepared. A heat resistant film 62 having a release layer 61 is laminated on the metal layer 23 for forming a wiring film of the multilayer metal plate 60.

この剥離層61と耐熱性フィルム62は後で剥離される補強層63を成すもので、多層金属板60が機械的な強度不足で撓んで曲がったりして不良になり易くするのを防止する役割を果たす。また、最初の工程から配線膜パターニング工程に至るまでの間、配線膜形成用金属層の表面を継続的に保護することで、例えばプレス工程で該表面に傷が付くなどということを無くし、形成される配線膜に欠陥が生ずるのを防止する役割を果たす。更に、配線膜形成用金属層表面を薬液から保護する役割や、該表面へのゴミの付着を防止する役割も果たす。 The release layer 61 and the heat-resistant film 62 form a reinforcing layer 63 to be peeled later, and prevent the multilayer metal plate 60 from being bent and bent easily due to insufficient mechanical strength. Fulfill. In addition, by continuously protecting the surface of the metal layer for forming the wiring film from the initial process to the wiring film patterning process, the surface is not damaged, for example, during the pressing process. This serves to prevent defects in the wiring film formed. Furthermore, it plays the role which protects the metal layer surface for wiring film formation from a chemical | medical solution, and the adhesion of the dust to this surface.

尚、剥離層61は有機系剤を用い例えば1〜3μmの厚さに形成される。有機系剤としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸あるいは高分子化合物の中から選択される1種又は2種以上からなるものがある。
このうち、窒素含有有機化合物には置換基を有する窒素含有有機化合物が含まれ、この窒素含有有機化合物として具体的には、置換基を有するトリアゾール化合物である1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾールなどを用いるのが好ましい。また、硫黄含有有機化合物としては、メルカプトベンゾチアゾール、チオシアヌル酸などを用いるのが好ましい。また、カルボン酸は、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。また耐熱性があり、且つ剥離性もあるシリコーン系樹脂、フッ素系樹脂などでもよい。
In addition, the peeling layer 61 is formed in the thickness of 1-3 micrometers, for example using an organic type agent. Examples of the organic agent include one or more selected from a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound, a carboxylic acid, or a polymer compound.
Among these, the nitrogen-containing organic compound includes a nitrogen-containing organic compound having a substituent. Specifically, as the nitrogen-containing organic compound, 1,2,3-benzotriazole, which is a triazole compound having a substituent, carboxy It is preferable to use benzotriazole or the like. Further, as the sulfur-containing organic compound, it is preferable to use mercaptobenzothiazole, thiocyanuric acid or the like. As the carboxylic acid, it is particularly preferable to use a monocarboxylic acid, and it is particularly preferable to use oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, or the like. Further, it may be a silicone resin, a fluorine resin, or the like that has heat resistance and is peelable.

また、耐熱性フィルム62は、ポリマーを用い、例えば10〜100μmの厚さに形成される。ポリマーとしては、例えば、ポリフェニレンサルファイド樹脂フィルム、ポリエーテルイミド樹脂フィルム、ポリフェニレンオキサイド樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム、ポリイミド樹脂フィルム又はポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムなどが本目的に適している。 Moreover, the heat resistant film 62 uses a polymer and is formed to a thickness of, for example, 10 to 100 μm. As the polymer, for example, a polyphenylene sulfide resin film, a polyetherimide resin film, a polyphenylene oxide resin film, a liquid crystal polymer film, a polyimide resin film, or a polyether ether ketone resin film is suitable for this purpose.

(B)次に、図16(B)に示すように、バンプ形成用金属層21を選択的エッチングによりパターニングすることによりバンプ21aを形成する。
(C)次に、図16(C)に示すように、多層金属板40のバンプ21a形成面に絶縁膜44を該バンプ21aに突き破られてその先端部が突出するように接着する。
(D)その後、その絶縁膜44上に配線膜形成用金属薄板45をバンプ21aと接続させて積層する。図16(D)は配線膜形成用金属薄板28接着後の状態を示す。この状態では図16(B)に示す状態よりも多層金属板40の機械的強度は強く、撓んで曲がったりして不良になる可能性はほとんどない。
(B) Next, as shown in FIG. 16B, the bump forming metal layer 21 is patterned by selective etching to form bumps 21a.
(C) Next, as shown in FIG. 16C, the insulating film 44 is bonded to the bump 21a formation surface of the multilayer metal plate 40 so as to be pierced by the bump 21a and to protrude its tip.
(D) After that, the wiring film forming metal thin plate 45 is connected to the bumps 21 a and laminated on the insulating film 44. FIG. 16D shows a state after bonding the thin metal film 28 for forming the wiring film. In this state, the mechanical strength of the multilayer metal plate 40 is stronger than in the state shown in FIG. 16 (B), and there is almost no possibility of bending and bending to cause a failure.

(E)その後、配線膜形成用金属層23及び配線膜形成用金属薄板45に対する選択的エッチングによるパターニングをして配線膜を形成することが可能なるように、図16(E)に示すように、補強層63を剥離する。 (E) Thereafter, as shown in FIG. 16E, the wiring film can be formed by patterning by selective etching on the wiring film forming metal layer 23 and the wiring film forming metal thin plate 45. Then, the reinforcing layer 63 is peeled off.

このような第5の実施例によれば、第4の実施例と同様の効果を享受できるほか、特に工程が簡素化されるという効果を享受できる。即ち、第4の実施例のように、補強層43がニッケル、銅などの金属から成る場合には、それらの剥離にエッチングを要するため工数が掛かるが、この第5の実施例のように、補強層63を剥離層61と耐熱性フィルム62とで構成したときは、配線膜のパターニング工程に入るとき(図16(D)から同図(E)に移行するとき)、この耐熱性フィルムを単に剥がすだけで足り、その分工程が簡素化される。 According to the fifth embodiment, the same effect as that of the fourth embodiment can be enjoyed, and in particular, the effect that the process is simplified can be enjoyed. That is, when the reinforcing layer 43 is made of a metal such as nickel or copper as in the fourth embodiment, it takes time to remove the etching, but as in the fifth embodiment, When the reinforcing layer 63 is composed of the release layer 61 and the heat resistant film 62, when entering the wiring film patterning process (when shifting from FIG. 16D to FIG. 16E), the heat resistant film is It is only necessary to peel off, and the process is simplified accordingly.

本発明は、微細なビアを有する高集積度で高信頼度の配線基板を製造する多層配線基板の製造方法及び微細なビアを有する高集積度で高信頼度の配線基板形成用金属板に広く産業上の利用可能性がある。 The present invention is widely applied to a multilayer wiring board manufacturing method for manufacturing a highly integrated and highly reliable wiring board having fine vias, and a highly integrated and highly reliable wiring board forming metal plate having minute vias. There is industrial applicability.

(A)〜(D)は本発明多層配線基板の製造方法の第1の実施例の工程(A)〜(K)のうちの(A)〜(D)を工程順に示す断面図である。(A)-(D) are sectional drawings which show (A)-(D) in process (A)-(K) of the 1st Example of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention in order of a process. (E)〜(H)は本発明多層配線基板の製造方法の第1の実施例の工程(A)〜(K)のうちの(E)〜(H)を工程順に示す断面図である。(E)-(H) is sectional drawing which shows (E)-(H) of process (A)-(K) of the 1st Example of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention in order of a process. (I)〜(K)は本発明多層配線基板の製造方法の第1の実施例の工程(A)〜(K)のうちの(I)〜(K)を工程順に示す断面図である。(I)-(K) is sectional drawing which shows (I)-(K) of process (A)-(K) of the 1st Example of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention in order of a process. (A)〜(D)は本発明多層配線基板の製造方法の第2の実施の形態に用いる基本的配線基板の一例の製造方法を工程順に示す断面図である。(A)-(D) are sectional drawings which show the manufacturing method of an example of the basic wiring board used for 2nd Embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention in order of a process. 本発明多層配線基板の製造方法の第2の実施の形態に用いる基本的配線基板の別の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another example of the basic wiring board used for 2nd Embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention. 本発明多層配線基板の製造方法の第2の実施の形態に用いる基本的配線基板の更に別の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another example of the basic wiring board used for 2nd Embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention. 本発明多層配線基板の製造方法の第2の実施の形態に用いる基本的配線基板の更に別の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another example of the basic wiring board used for 2nd Embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention. (A)、(B)は4層の多層配線基板の一例を説明するためのもので、(A)はその多層配線基板を構成する2個の基本的配線基板を示し、図8(B)は該2個の基本的配線基板を積層した状態を示す。FIGS. 8A and 8B are diagrams for explaining an example of a four-layer multilayer wiring board. FIG. 8A shows two basic wiring boards constituting the multilayer wiring board. Indicates a state in which the two basic wiring boards are laminated. (A)、(B)は6層の多層配線基板の一例を説明するためのもので、(A)はその多層配線基板を構成する3個の基本的配線基板を示し、図8(B)は該3個の基本的配線基板を積層した状態を示す。FIGS. 8A and 8B are diagrams for explaining an example of a six-layer multilayer wiring board. FIG. 8A shows three basic wiring boards constituting the multilayer wiring board. Indicates a state in which the three basic wiring boards are laminated. (A)、(B)は8層の多層配線基板の一例を説明するためのもので、(A)はその多層配線基板を構成する4個の基本的配線基板を示し、図8(B)は該4個の基本的配線基板を積層した状態を示す。FIGS. 8A and 8B are diagrams for explaining an example of an eight-layer multilayer wiring board. FIG. 8A shows four basic wiring boards constituting the multilayer wiring board, and FIG. Indicates a state in which the four basic wiring boards are laminated. (A)、(B)は10層の多層配線基板の一例を説明するためのもので、(A)はその多層配線基板を構成する5個の基本的配線基板を示し、図8(B)は該5個の基本的配線基板を積層した状態を示す。FIGS. 8A and 8B are diagrams for explaining an example of a multilayer wiring board having 10 layers, and FIG. 8A shows five basic wiring boards constituting the multilayer wiring board, and FIG. Indicates a state in which the five basic wiring boards are laminated. (A)〜(E)は本発明多層配線基板の製造方法の第3の実施例の工程(A)〜(I)のうちの(A)〜(E)を工程順に示す断面図である。(A)-(E) is sectional drawing which shows (A)-(E) of process (A)-(I) of the 3rd Example of the manufacturing method of this invention multilayer wiring board in order of a process. (F)〜(I)は本発明多層配線基板の製造方法の第3の実施例の工程(A)〜(I)のうちの(F)〜(I)を工程順に示す断面図である。(F)-(I) is sectional drawing which shows (F)-(I) of process (A)-(I) of the 3rd Example of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention in order of a process. (A)、(B)は上記第3の実施例の変形例の工程(A)、(B)を順に示す断面図である。(A), (B) is sectional drawing which shows process (A), (B) of the modification of the said 3rd Example in order. (A)〜(E)は本発明多層配線基板の製造方法の第4の実施例の工程(A)〜(E)を順に示す断面図である。(A)-(E) is sectional drawing which shows process (A)-(E) of the 4th Example of the manufacturing method of this invention multilayer wiring board in order. (A)〜(E)は本発明多層配線基板の製造方法の第5の実施例の工程(A)〜(E)を順に示す断面図である。(A)-(E) is sectional drawing which shows process (A)-(E) of the 5th Example of the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention in order.

符号の説明Explanation of symbols

1a〜1e・・・多層金属板、2・・・バンプ形成用金属層、
2a・・・上下配線間接続用のバンプ、3・・・エッチングストップ層、
4・・・配線膜形成用金属層、4a・・・配線膜、5・・・絶縁膜、
8・・・配線膜形成用金属薄板、8a・・・配線膜、20a・・・多層金属板、
21・・・バンプ形成用金属層、21a・・・バンプ、22・・・エッチングストップ層、23a・・・配線膜、26・・・バンプ形成用金属層、26a・・・バンプ、
27・・・絶縁膜、28・・・配線膜形成用金属薄板、28a・・・配線膜、
30・・・絶縁膜、31・・・配線膜形成用金属薄板、31a・・・配線膜、
50α〜50δ・・・基本的配線基板、51a〜d・・・多層配線基板、
60・・・多層金属板、61・・・剥離層、62・・・耐熱性フィルム、
63・・・補強層。
1a to 1e ... multilayer metal plate, 2 ... metal layer for bump formation,
2a: bumps for connection between upper and lower wirings, 3 ... etching stop layer,
4 ... Metal layer for wiring film formation, 4a ... Wiring film, 5 ... Insulating film,
8 ... Metal thin plate for wiring film formation, 8a ... Wiring film, 20a ... Multi-layer metal plate,
21 ... Bump forming metal layer, 21a ... Bump, 22 ... Etching stop layer, 23a ... Wiring film, 26 ... Bump forming metal layer, 26a ... Bump,
27 ... Insulating film, 28 ... Metal thin plate for wiring film formation, 28a ... Wiring film,
30 ... Insulating film, 31 ... Metal thin plate for wiring film formation, 31a ... Wiring film,
50α to 50δ ... basic wiring board, 51a to d ... multilayer wiring board,
60 ... multi-layer metal plate, 61 ... release layer, 62 ... heat resistant film,
63: Reinforcing layer.

Claims (8)

バンプ形成用金属層とエッチングストップ層と配線膜形成用金属層とをこの順に備えた多層金属板を少なくとも2つ用意し、
(i)前記多層金属板のうちの1つの多層金属板において、前記バンプ形成用金属層およびエッチングストップ層を選択的エッチングによりパターニングすることにより、上下配線間接続用バンプを形成し、前記上下配線間接続用のバンプの形成面に、樹脂からなる絶縁膜を、上下配線間接続用バンプの頂部が露出するように積層することによって第1基本的配線基板を得る工程と、
(ii)前記多層金属板のうちの別の多層金属板の配線膜形成用金属層を、選択的エッチングによりパターニングすることにより、配線膜を形成した第2基本的配線基板を得る工程と、
(iii)第1基本的配線基板の上下配線間接続用バンプの頂部が露出した側と前記第2基本的配線基板の配線膜を形成した側とを対向させて積層する工程と、
(iv)前記第2基本的配線基板の前記バンプ形成用金属層およびエッチングストップ層を選択的エッチングによりパターニングすることにより、上下配線間接続用バンプを形成し、前記上下配線間接続用のバンプの形成面に、樹脂からなる絶縁膜を、上下配線間接続用バンプの頂部が露出するように積層して第3基本的配線基板を得る工程とを含む多層配線基板の製造方法。
Prepare at least two multilayer metal plates comprising a bump forming metal layer, an etching stop layer, and a wiring film forming metal layer in this order,
(I) In one multilayer metal plate of the multilayer metal plates, the bump forming metal layer and the etching stop layer are patterned by selective etching to form upper and lower wiring connection bumps; A step of obtaining a first basic wiring substrate by laminating an insulating film made of a resin on the formation surface of the bump for connecting between the upper and lower wirings so that the top of the bump for connecting between the upper and lower wirings is exposed;
(Ii) obtaining a second basic wiring substrate on which a wiring film is formed by patterning a metal layer for forming a wiring film of another multilayer metal plate among the multilayer metal plates by selective etching;
(Iii) a step of laminating the side of the first basic wiring board on which the tops of the upper and lower wiring connection bumps are exposed and the side of the second basic wiring board on which the wiring film is formed;
(Iv) The bump forming metal layer and the etching stop layer of the second basic wiring substrate are patterned by selective etching to form upper and lower wiring connection bumps, and the upper and lower wiring connection bumps And a step of obtaining a third basic wiring board by laminating an insulating film made of resin on the forming surface so that the tops of the bumps for connecting the upper and lower wirings are exposed.
さらに、前記第3基本的配線基板の上下配線間接続用バンプの露出した頂部に別に用意した第2基本的配線基板の配線膜を積層し、上記(iv)の工程を施す工程を1回以上繰り返す請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。 Further, the step of laminating the wiring film of the second basic wiring board prepared separately on the exposed top of the bump for connecting the upper and lower wirings of the third basic wiring board and performing the step (iv) at least once The method for producing a multilayer wiring board according to claim 1, which is repeated . さらに、上下配線間接続用バンプの露出した頂部に配線膜形成用金属薄板を積層して第1多層配線基板を得る工程と、
前記第1多層配線基板の配線膜形成用金属層および/もしくは配線膜形成用金属薄板を選択的エッチングによりパターニングすることにより配線膜を得る工程とを含む請求項2に記載の多層配線基板の製造方法。
A step of obtaining a first multilayer wiring board by laminating a metal thin film for forming a wiring film on the exposed top of the bump for connecting the upper and lower wirings;
3. The manufacturing of a multilayer wiring board according to claim 2, further comprising a step of patterning the wiring film forming metal layer and / or the wiring film forming metal thin plate of the first multilayer wiring board by selective etching. Method.
さらに、別に用意した第1基本的配線基板の上下配線間接続用バンプの露出した頂部に配線膜形成用金属薄板を積層して第4基本的配線基板を得る工程と、
前記第4基本的配線基板の配線膜形成用金属層および/もしくは配線膜形成用金属薄板を選択的エッチングによりパターニングすることにより配線膜を得る工程と、
前記第4基本的配線基板の少なくとも片面に形成した配線膜を、前記第3基本的配線基板の上下配線間接続用バンプの頂部が露出した側に対向させて積層する工程を含むことを特徴とする請求項に記載の多層配線基板の製造方法。
Further, a step of obtaining a fourth basic wiring board by laminating a thin metal sheet for forming a wiring film on the exposed top of the bump for connecting the upper and lower wirings of the first basic wiring board prepared separately;
Obtaining a wiring film by patterning the metal layer for forming a wiring film and / or the metal thin film for forming a wiring film of the fourth basic wiring board by selective etching;
Including a step of laminating a wiring film formed on at least one surface of the fourth basic wiring board so that the top of the upper and lower wiring connection bumps of the third basic wiring board is exposed. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1 .
前記第1多層配線基板または第4基本的配線基板の配線膜形成用金属層および配線膜形成用金属薄板が同時にエッチングされる請求項3または4に記載の多層配線基板の製造方法。 The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 3 or 4, wherein the wiring film forming metal layer and the wiring film forming metal thin plate of the first multilayer wiring board or the fourth basic wiring board are etched simultaneously. 前記第3基本的配線基板の配線膜形成用金属層を選択的エッチングによりパターニングすることにより第5基本的配線基板を得る工程と、
別に用意した第1基本的配線基板の上下配線間接続用バンプの露出した頂部に配線膜形成用金属薄板を積層して第4基本的配線基板を得る工程と、
前記第5基本的配線基板の上下配線間接続用バンプの頂部を前記第4基本的配線基板に形成した配線膜に対向させて積層する工程と、
別に用意した第3基本的配線基板の上下配線間接続用バンプの頂部を前記第5基本的配線基板に形成した配線膜に対向させて積層する工程とを含むことを特徴とする請求項に記載の多層配線基板の製造方法。
Obtaining a fifth basic wiring board by patterning the metal layer for forming a wiring film of the third basic wiring board by selective etching;
Laminating a metal thin film for forming a wiring film on the exposed top of the bump for connecting the upper and lower wirings of the first basic wiring board prepared separately to obtain a fourth basic wiring board;
Laminating the top of the upper and lower wiring connection bumps of the fifth basic wiring board opposite to the wiring film formed on the fourth basic wiring board ; and
To claim 1, characterized in that it comprises a step of laminating to face the third wiring layer that the apexes of the upper and lower wiring between contact bumps basic wiring board is formed in the fifth basic wiring substrate prepared separately The manufacturing method of the multilayer wiring board as described.
前記多層金属板において、前記エッチングストップ層がニッケルを含み、バンプ形成用金属層、配線膜形成用金属層および配線膜形成用金属薄板が銅を含むことを特徴とする請求項3ないし5のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。 6. The multilayer metal plate according to claim 3 , wherein the etching stop layer contains nickel, and the bump forming metal layer, the wiring film forming metal layer, and the wiring film forming metal thin plate contain copper. A method for producing a multilayer wiring board according to claim 1. 前記上下配線間接続用バンプの接続に必要な部分の領域の直径が、0.1mm以下である請求項1ないし7のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。   The method of manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 7, wherein a diameter of an area necessary for connecting the bumps for connecting the upper and lower wirings is 0.1 mm or less.
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