JP4270847B2 - Data storage device and method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はデータ記憶装置及びその方法に関し、例えば、フラッシュメモリ(Flash Memory)を有しており、当該フラッシュメモリに対してデータを記憶するようになされた携帯電話機に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話機においては、不揮発性のメモリ(以下、これを不揮発性メモリと呼ぶ)であるフラッシュメモリを有し、当該フラッシュメモリに対して例えば発信履歴データや着信履歴データ等の複数種類のデータを記憶するようになされたものがある。(例えば、特許文献1)
【0003】
【特許文献1】
特開2000-47932公報(第2頁)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、かかるフラッシュメモリには、例えば図9に示すように、その記憶領域が区分けされることによってデータを記憶するための複数のブロック(以下、これをデータ記憶ブロックと呼ぶ)BKX0、BKX1、BKX2、……が設定されており、これらデータ記憶ブロックBKX0、BKX1、BKX2、……のそれぞれに対しては、その先頭から固有のアドレスADX000、ADX001、ADX002、……が順次割り当てられている。
【0005】
そして、このようなフラッシュメモリを有する従来の携帯電話機の制御部は、例えば、フラッシュメモリに対して発信履歴データを記憶させるべきとき、発信履歴データのみを記憶するように予め定義されているデータ記憶ブロック(例えば、データ記憶ブロックBKX0)に対して発信履歴データを書き込み、また、フラッシュメモリから発信履歴データを読み出すべきときには、常にかかるデータ記憶ブロックBKX0から発信履歴データを読み出すようになされていた。
【0006】
ところが、一般的にフラッシュメモリのデータ記憶ブロックBKX0、BKX1、BKX2、……のそれぞれには、データの書き込み/読み出し回数に制限が存在することにより、上述のようにデータ記憶ブロックBKX0のみに対して発信履歴データを書き込み/読み出しし続けると、当該データ記憶ブロックBKX0のみが早期に使用不可能となってしまう問題があった。
【0007】
このような問題を回避するために、例えば発信履歴データを書き込むデータ記憶ブロックを適宜変更させ、これによりフラッシュメモリにおける複数のデータ記憶ブロックのそれぞれを均等に使用する手法が考えられている。
【0008】
しかし、このような手法によって発信履歴データや着信履歴データ等の複数種類のデータをフラッシュメモリに記憶させた場合、当該フラッシュメモリに記憶されている複数種類のデータに個別にアクセスしてこれを読み出す処理等を実行しなければならない携帯電話機の制御部は、これら複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックを把握しておく必要がある。
【0009】
従って、この手法を採用した携帯電話機においては、制御部の作業領域として機能するSRAM(Static Random Access Memory)等の揮発性のメモリ(以下、これを揮発性メモリと呼ぶ)に対して、例えば、複数種類のデータのそれぞれのデータ種別名「発信履歴」、「着信履歴」、……と、これら複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスとを対応付けて記したテーブル(以下、これをデータ種別/アドレス対応テーブルと呼ぶ)を記憶保持させ、制御部に対してこのデータ種別/アドレス対応テーブルを参照させることにより、複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックを把握させ得るようになされている。
【0010】
しかしながら、このような構成では、揮発性メモリに何らかの不具合(例えば、電力供給の停止等)が生じることにより、当該揮発性メモリによって記憶保持していたデータ種別/アドレス対応テーブルが破損又は消滅してしまうと、制御部は、複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックを把握することができず、フラッシュメモリに記憶されている複数種類のデータの何れにもアクセスし得なくなってしまう問題があった。
【0011】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスし得るようにすると共に、使い勝手を格段と向上させ得るデータ記憶装置及びその方法を提案しようとするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するために本発明は、データ記憶装置であって、不揮発性メモリと、揮発性メモリと、電話番号が記される電話帳データ、着信履歴が記される着信履歴データ又は発信履歴が記される発信履歴データに対して、当該データの種別を示す種別情報を付加する付加手段と、種別情報が付加されたデータを、種別単位で、不揮発性メモリに対して設定される複数のデータ記憶ブロックのいずれかに記憶させ、データ記憶ブロックに割り当てられるアドレスと、当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別とを対応付けた対応情報を揮発性メモリに記憶させる記憶手段と、対応情報に基づいて、読み出すべきデータが記憶されるデータ記憶ブロックのアドレスを認識し、該データ記憶ブロックに記憶される電話帳データ、着信履歴データ又は発信履歴データにアクセスするアクセス手段と、対応情報が破損又は消滅していると判別される場合、データ記憶ブロックに記憶されている種別情報及びアドレスに基づいて対応情報を再構築する再構築手段とを有する。
【0013】
また本発明は、データ記憶方法であって、電話番号が記される電話帳データ、着信履歴が記される着信履歴データ又は発信履歴が記される発信履歴データに対して、当該データの種別を示す種別情報を付加する第1のステップと、種別情報が付加されたデータを、種別単位で、不揮発性メモリに対して設定される複数のデータ記憶ブロックのいずれかに記憶させる第2のステップと、データ記憶ブロックに割り当てられるアドレスと、当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別とを対応付けた対応情報を揮発性メモリに記憶させる第3のステップと、対応情報に基づいて、読み出すべきデータが記憶されるデータ記憶ブロックのアドレスを認識し、該データ記憶ブロックに記憶される電話帳データ、着信履歴データ又は発信履歴データにアクセスする第4のステップと、対応情報が破損又は消滅していると判別される場合、データ記憶ブロックに記憶されている種別情報及びアドレスに基づいて対応情報を再構築する第5のステップとを有する。
【0014】
これにより、揮発性メモリによって記憶保持している対応情報が破損又は消滅した場合であっても、当該対応情報を再構築することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【0016】
(1)携帯電話機の回路構成
図1において、1は全体として携帯電話機1の回路構成を示し、当該携帯電話機1全体を統括的に制御する制御部2に対して、数字や文字等からなる各種情報を入力するための入力部3、液晶ディスプレイ等でなる表示部4、揮発性メモリとしてのPSRAM(Pseudo Static Random Access Memory)5、不揮発性メモリとしてのフラッシュメモリ6及び現在日時を計時するためのRTC(Real Time Clock)回路7が接続されて構成されている。
【0017】
制御部2に対しては、発呼処理や着呼処理等の基本的な処理を実行するための基本プログラムや、データ更新処理(後述する)を実行するためのデータ更新プログラム等の各種プログラムが予め格納されている。制御部2はこれら各種プログラムに従って携帯電話機1における各回路部を制御することにより、各種処理を実行するようになされている。
【0018】
一方、フラッシュメモリ6においては、例えば図2に示すように、その記憶領域が等分に区分けされることによってそれぞれ64[Kbyte]の大きさでなる複数のデータ記憶ブロックBK0、BK1、BK2、……が設定されており、これらデータ記憶ブロックBK0、BK1、BK2、……のそれぞれに対しては、その先頭から固有のアドレスAD000、AD001、AD002、……が順次割り当てられている。
【0019】
そしてこれらデータ記憶ブロックBK0、BK1、BK2、……のうち例えばデータ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5のそれぞれに対しては、電話番号登録操作(後述する)が行われることによって登録された複数の電話先の電話番号が電話番号情報として記されている電話帳データD1、携帯電話機1における着信履歴情報及び発信履歴情報が記されてなる着信履歴データD2及び発信履歴データD3が記憶されている。
【0020】
実際上、この電話帳データD1は、電話番号情報が記されている実データ部RD1に対して、当該電話帳データD1のデータ種別が「電話帳」であることを示すための種別ヘッダHD1「00000001(2進数)」が付加されて構成されている。
【0021】
同様に、着信履歴データD2及び発信履歴データD3についても、携帯電話機1における着信履歴情報及び発信履歴情報が記されている実データ部RD2及び実データ部RD3に対して、着信履歴データD2及び発信履歴データD3のデータ種別がそれぞれ「着信履歴」及び「発信履歴」であることを示すための種別ヘッダHD2「00000010(2進数)」及び種別ヘッダHD3「00000011(2進数)」が付加されて構成されている。
【0022】
(2)データ更新処理
次に、一例として、フラッシュメモリ6に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3のうち電話帳データD1を更新する際のデータ更新処理手順RT1について、図3に示すフローチャートを用いて説明する。
【0023】
ステップSP1において制御部2は、例えばユーザによって入力部3を介して新たな電話先の電話番号を登録するための電話番号登録操作が行われることにより当該新たな電話先の電話番号が電話番号情報INF1として入力されると、フラッシュメモリ6に記憶されている複数種類のデータ(この場合、電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3)のうちデータ種別が「電話帳」であるデータ(つまり、電話帳データD1)に対して当該電話番号情報INF1を追記すべきと判断し、次のステップSP2へ移る。
【0024】
ステップSP2において制御部2は、PSRAM5に予め記憶保持されているデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1(図4(A))が参照可能か否かを判断する。
【0025】
ここで、図4(A)に示すようにデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1には、電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3のそれぞれのデータ種別名「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」と、当該電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3のそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5のアドレス「AD000」、「AD003」及び「AD005」とが対応付けて記されている。
【0026】
従って、制御部2はこのデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1を参照することにより、フラッシュメモリ6に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3のそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロック(この場合、データ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5)を把握し得るようになされている。
【0027】
このステップSP2において肯定結果が得られると、このことはPSRAM5によってデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1を正常に記憶保持していることを表しており、このとき制御部2は、次のステップSP3へ移る。
【0028】
ステップSP3において制御部2は、データ種別/アドレス対応テーブルTBL1を参照することにより、データ種別名「電話帳」に対応するアドレス番号「AD000」を認識し、次のステップSP4へ移る。
【0029】
ステップSP4において制御部2は、ステップSP3において認識したアドレス「AD000」に基づくことにより、フラッシュメモリ6のデータ記憶ブロックBK0に記憶されている電話帳データD1にアクセスした後これを作業領域として機能するPSRAM5に読み出し、次のステップSP5へ移る。
【0030】
因みに、制御部2はこのようにデータ記憶ブロックBK0から電話帳データD1を読み出した後も、当該データ記憶ブロックBK0に記憶されている電話帳データD1を消去しないようになされている。
【0031】
ステップSP5において制御部2は、PSRAM5に読み出した電話帳データD1の実データ部RD1に対して電話番号情報INF1を追記する処理を行うことにより、新たな実データ部(以下、これを追記後実データ部と呼ぶ)を得て、次のステップSP6へ移る。
【0032】
ステップSP6において制御部2は、かかる追記後実データ部に対してデータ種別が「電話帳」であることを示すための種別ヘッダHD1「00000001」を付加し直すことにより、新たな電話帳データ(以下、これを追記後電話帳データと呼ぶ)を得て、次のステップSP7へ移る。
【0033】
ステップSP7において制御部2は、データ記憶ブロックBK0に未だ記憶され続けている電話帳データD1と追記後電話帳データとを比較することにより、電話帳データD1と追記後電話帳データとの差分データを生成した後、当該差分データの内容が電話番号情報INF1を示しているか否かを判断するようになされており、ここで否定結果が得られると、このことは電話帳データD1に対して電話番号情報INF1を正確に追記し得なかったことを表しており、このときステップSP1へ戻りユーザに対して電話番号登録操作を再度行わせる。
【0034】
これに対してステップSP7において肯定結果が得られると、このことは電話帳データD1に対して電話番号情報INF1を正確に追記し得たことを表しており、このとき制御部2は、次のステップSP8へ移る。
【0035】
ステップSP8において制御部2は、例えば図5に示すように、データ記憶ブロックBK0に記憶されていた電話帳データD1を消去すると共に、当該データ記憶ブロックBK0とは異なるデータ記憶ブロックBK1に対して追記後電話帳データD1Xを書き込むことにより、当該データ記憶ブロックBK1に追記後電話帳データD1Xを記憶させ、次のステップSP9に移る。
【0036】
ステップSP9において制御部2は、データ種別/アドレス対応テーブルTBL1(図4(A))において、データ種別名「電話帳」に対応して記されているアドレス「AD000」を消去した後、例えば図4(B)に示すように、当該データ種別名「電話帳」と、追記後電話帳データD1Xが記憶されているデータ記憶ブロックBK1のアドレス「AD001」とを対応付けて記し、次のステップSP10に移ってデータ更新処理を終了する。
【0037】
ところで、上述のステップSP2において否定結果が得られると、このことはPSRAM5において何らかの不具合が生じたことにより当該PSRAM5に記憶保持されていたデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1が破損又は消滅してしまったことを表しており、このとき制御部2は、破損したデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1がPSRAM5に残存している場合にはこれを消去する処理を行った後に、また、データ種別/アドレス対応テーブルTBL1が消滅してしまった場合には如何なる処理も実行せず、次のステップSP11へ移りテーブル再構築処理SRT1を実行開始する。
【0038】
すなわち、ステップSP11において制御部2は、例えば、フラッシュメモリ6のデータ記憶ブロックBK0、BK1、BK2、……(図2)をその先頭から順次スキャンすることにより、何らかのデータ(この場合、電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3)が記憶されているデータ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5を特定し、次のステップSP12へ移る。
【0039】
ステップSP12において制御部2は、上述のステップSP11において特定したデータ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5のそれぞれに記憶されているデータの種別ヘッダHD1、HD2及びHD3を判読することにより、当該種別ヘッダHD1、HD2及びHD3のそれぞれがデータ種別「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」を表していることを把握し、これによりデータ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5のそれぞれに記憶されているデータが電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3であることを認識して、次のステップSP13へ移る。
【0040】
ステップSP13において制御部2は、上述のステップSP12における認識結果に基づいて所定のテーブル生成処理を実行することにより、データ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3のデータ種別名「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」と、データ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5のアドレス「AD000」、「AD001」及び「AD002」とを対応付けて記したデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1を再構築した後、テーブル再構築処理SRT1を終了して上述のステップSP2へ戻るようになされている。
【0041】
以上の構成において、制御部2は、フラッシュメモリ6に記憶させるべきデータ、すなわち電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3に対してデータ種別を示すための種別ヘッダHD1、HD2及びHD3をそれぞれ付加するようにした。
【0042】
これにより制御部2は、PSRAM5におけるデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1が破損又は消滅してしまった場合であっても、フラッシュメモリ6のデータ記憶ブロックBK0、BK1、BK2、……の何れか又はそれぞれに記憶され続けているデータ(つまり、電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3)のデータ種別を把握することができ、かくしてデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1を再構築することができる。
【0043】
この結果、制御部2はデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1を確実に参照することができ、かくしてフラッシュメモリ6に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3に対して確実且つ的確にアクセスすることができる。
【0044】
また、本実施の形態においては、データ種別/アドレス対応テーブルTBL1を記憶保持するための揮発性メモリとしてSRAMよりも廉価なPSRAM5を適用するようにした。これにより、携帯電話機1の製造コストを格段と低減させることができる。
【0045】
以上の構成によれば、PSRAM5におけるデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1が破損又は消滅してしまった場合であっても、当該データ種別/アドレス対応テーブルTBL1を再構築し得ることにより、フラッシュメモリ6に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3に対して確実にアクセスすることができる。
【0046】
(3)セカンダリバッテリによる電力供給
実際上、携帯電話機1においては、当該携帯電話機1の筐体に対してメインバッテリ(図示せず)が着脱自在に装着されており、当該メインバッテリから携帯電話機1における各回路部に対して電力供給が行われることにより、発信処理や着信処理等の基本的な処理を実行するようになされている。
【0047】
また携帯電話機1の筐体内部には、例えば図6に示すように、携帯電話機1の筐体からメインバッテリが取り外された後に放電を開始するセカンダリバッテリ10が設けられており、当該セカンダリバッテリ10からRTC側スイッチ11及びPSRAM側スイッチ12を介してRTC回路7及びPSRAM5へ放電し得るように構成されている。
【0048】
RTC側スイッチ11及びPSRAM側スイッチ12は、RTC側スイッチ制御部13及びPSRAM側スイッチ制御部14によってそれぞれ制御される。RTC側スイッチ制御部13及びPSRAM側スイッチ制御部14は、後述する電力供給手順に従って、RTC側スイッチ11及びPSRAM側スイッチ12のON/OFFを切り換えるようになされている。
【0049】
ところで、携帯電話機1を製造する上での一般的な要件として、当該携帯電話機1の筐体からメインバッテリが取り外された場合であっても、現在日時を計時するRTC回路7を所定の規定期間(例えば、30日間)作動させなければならない旨が定められている。
【0050】
ここでは、かかる要件を踏まえた上で、セカンダリバッテリ10からRTC回路7及びPSRAM5に対して適切に電力供給するための電力供給手順RT2を、図7に示すフローチャートを用いて説明する。
【0051】
すなわち、ステップSP21において、携帯電話機1の筐体からメインバッテリが取り外されると、RTC側スイッチ制御部13及びPSRAM側スイッチ制御部14によってRTC側スイッチ11及びPSRAM側スイッチ12をONとすることにより、セカンダリバッテリ10からRTC回路7及びPSRAM5への放電を開始し、次のステップSP22へ移る。
【0052】
かくするにつき、RTC回路7及びPSRAM5に対して電力供給が行われ、これによりRTC回路7を作動させながら、PSRAM5にデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1を記憶保持し続けさせ得るようになされている。
【0053】
因みに、RTC側スイッチ制御部13及びPSRAM側スイッチ制御部14は、セカンダリバッテリ10からRTC回路7及びPSRAM5への放電が開始された瞬間から、セカンダリバッテリ10の放電電圧を検出し始めるようになされており、当該検出結果を検出電圧値として認識するようになされている。
【0054】
ステップSP22においてPSRAM側スイッチ制御部14は、セカンダリバッテリ10の放電電圧が降下することによって検出電圧値が所定の閾値(本実施の形態の場合、2.5[V])に至るのを待ち受けており、ここで検出電圧値がかかる所定の閾値に至ると、このことは、RTC回路7に課せられた要件(RTC回路7を規定期間作動させること)を満たすために最低限必要なバッテリ残量のみがセカンダリバッテリ10に確保されている状態であって、当該セカンダリバッテリ10のバッテリ残量に余裕がないことを表しており、次のステップSP23へ移る。
【0055】
ここで一例として、本実施の形態におけるセカンダリバッテリ10の放電特性を図8に示す。このセカンダリバッテリ10において、過放電電圧値は例えば2.0[V]であり、これにより当該過放電電圧値に至るまでの放電容量C1は2.9[mAh]である。そして、RTC回路7を規定期間作動させるために必須となるセカンダリバッテリ10の放電容量C2は例えば1.5[mAh]である。これにより、セカンダリバッテリ10の放電電圧値が2.5[V](上述した所定の閾値に相当する)まで降下したとき、RTC回路7に課せられた要件を満たすために最低限必要なバッテリ残量のみがセカンダリバッテリ10に確保されている状態であると考えることができる。
【0056】
ステップSP23においてPSRAM側スイッチ制御部14は、PSRAM側スイッチ12をOFFとすることにより、セカンダリバッテリ10からPSRAM5への放電を停止させ、次のステップSP24へ移る。
【0057】
このようにして携帯電話機1においては、当該携帯電話機1の筐体からメインバッテリが取り外された後PSRAM側スイッチ制御部14による検出電圧値が上述の閾値に至るまでの期間、すなわちセカンダリバッテリ10のバッテリ残量に余裕がある期間(例えば、半日程度を想定)、当該セカンダリバッテリ10からPSRAM5への放電を継続して行わせることにより、当該PSRAM5におけるデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1が消滅してしまうことを防止し得るようになされている。
【0058】
ステップSP24においてRTC側スイッチ制御部13は、セカンダリバッテリ10の放電電圧が更に降下することによって検出電圧値が過放電電圧値(本実施の形態においては、2.0[V])に至るのを待ち受けており、ここで当該検出電圧値が過放電電圧値に至ると、このことは、セカンダリバッテリ10が過放電状態となる可能性が高いことを表しており、次のステップSP25へ移る。
【0059】
ステップSP25においてRTC側スイッチ制御部13は、RTC側スイッチ11をOFFとすることにより、セカンダリバッテリ10からRTC回路7への放電を停止させ、次のステップSP26へ移ってセカンダリバッテリ10による電力供給手順RT2を終了する。
【0060】
以上の構成において、携帯電話機1の筐体からメインバッテリが取り外された後、セカンダリバッテリ10のバッテリ残量に余裕がある期間(以下、これをバッテリ残量余裕期間と呼ぶ)においては、当該セカンダリバッテリ10からPSRAM5への放電を継続して行わせる。これにより、バッテリ残量余裕期間中にデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1が消滅してしまうことを防止することができる。
【0061】
そしてバッテリ残量余裕期間の経過後には、セカンダリバッテリ10からRTC回路7への放電を継続させつつ、セカンダリバッテリ10からPSRAM5への放電を停止するようにした。これにより、RTC回路7に課せられた要件を満たすことができる。
【0062】
かくして、携帯電話機1の筐体からメインバッテリが取り外されていた場合であっても、かかるバッテリ残量余裕期間中にメインバッテリが再度装着されれば、制御部2は、上述のテーブル再構築処理SRT1を実行することなく、データ種別/アドレス対応テーブルTBL1を即時に参照することができる。この結果、メインバッテリが再度装着されたとき、速やか且つ確実にフラッシュメモリ6に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3に対してアクセスすることができる。
【0063】
以上の構成によれば、メインバッテリが取り外された場合であっても、RTC回路7を要件どおりに作動させることができると共に、セカンダリバッテリ10のバッテリ残量余裕期間中にデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1が消滅してしまうことを防止することができる。かくして、バッテリ残量余裕期間の範囲内でメインバッテリが取り外される場合には、当該メインバッテリが再度装着されたとき、速やか且つ確実にフラッシュメモリ6に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3に対してアクセスすることができる。
【0064】
これにより携帯電話機1においては、バッテリ残量余裕期間の範囲内で終了するメインバッテリの取り外し作業(例えば、メインバッテリを交換する作業等)が行われたとしても、当該筐体に対してメインバッテリが再度装着されたとき、電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3を対象とした携帯電話機1の機能(例えば、着信履歴の参照機能等)をユーザに対して速やかに利用させることができ、この結果、携帯電話機1の使い勝手を格段と向上させることができる。
【0065】
また、メインバッテリが取り外されたまま放置される等の通常発生し難い事象が起こって携帯電話機1の筐体からメインバッテリが長期間(すなわち、バッテリ残量余裕期間を経過した場合)取り外されることにより、PSRAM5におけるデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1が消滅してしまった場合であっても、制御部2は、テーブル再構築処理SRT1を実行することによってデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1を再構築することができ、かくしてフラッシュメモリ6に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3に対して確実にアクセスすることができる。この結果、フラッシュメモリ6に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3に対して確実にアクセスし得ると共に、使い勝手を格段と向上させ得る携帯電話機1を実現することができる。
【0066】
(4)他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3を記憶するデータ記憶装置として携帯電話機1を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、パーソナルコンピュータやPDA(Personal Digital Assistance)等をデータ記憶装置として適用するようにしても良い。
【0067】
また上述の実施の形態においては、固有のアドレス(すなわち、AD000、AD001、AD002、……)を割り当てたデータ記憶ブロック(すなわち、BK0、BK1、BK2、……)が複数設定されている不揮発性メモリとして、フラッシュメモリ6を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、不揮発性のメモリであれば、ROM(Read Only Memory)等を適用するようにしても良い。
【0068】
さらに上述の実施の形態においては、データ記憶ブロックBK0、BK1、BK2、……に対してデータ種別を示すための種別情報としての種別ヘッダHD1、HD2及びHD3を付加した電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3を記憶させる記憶手段として、制御部2を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マイクロコンピュータ等を適用するようにしても良い。
【0069】
さらに上述の実施の形態においては、データ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5のアドレス「AD000」、「AD003」及び「AD005」と当該データ記憶ブロックBK0、BK3及びBK5に記憶されている電話帳データD1、着信履歴データD2及び発信履歴データD3のデータ種別とを対応付けたデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1を記憶保持する揮発性メモリとして、PSRAM5を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、揮発性のメモリであれば、例えば、SRAM等を適用するようにしても良い。
【0070】
さらに上述の実施の形態においては、対応情報としてのデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1においてデータ種別名「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」とアドレス「AD000」、「AD003」及び「AD005」とを対応付けて記した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電話帳データD1(又は電話帳データD1X)、着信履歴データD2及び発信履歴データD3の記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスを把握することが可能であれば、例えば、データ種別/アドレス対応テーブルTBL1において、種別ヘッダの内容(つまり、2進数で表された数字)とアドレスとを対応付けて記しても良い。
【0071】
さらに上述の実施の形態においては、データ種別/アドレス対応テーブルTBL1に基づいて、例えば、所望のデータ種別「電話帳」のデータ(つまり、電話帳データD1)が記憶されているデータ記憶ブロックBK0のアドレス「AD000」を認識することにより、当該データにアクセスするアクセス手段として、制御部2を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マイクロコンピュータ等を適用するようにしても良い。
【0072】
さらに上述の実施の形態においては、データ記憶ブロックのアドレス「AD000」、「AD003」及び「AD005」と当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別情報としての種別ヘッダHD1、HD2及びHD3とに基づいて、データ種別/アドレス対応テーブルTBL1を再構築する再構築手段として、制御部2を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、テーブル再構築処理SRT1を実行することができれば、マイクロコンピュータ等を適用するようにしても良い。
【0073】
さらに上述の実施の形態においては、所定の要件どおりに作動すべき作動部として、携帯電話機1の筐体からメインバッテリが取り外された後、所定の規定期間(例えば、30日間)作動しなければならないという要件が課せられたRTC回路7を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば、携帯電話機1の筐体からメインバッテリが取り外された後も、他の無線通信機器からの送信信号を待ち受けるために作動し続けなければならないという要件が課せられた無線通信部等を適用するようにしても良い。
【0074】
さらに上述の実施の形態においては、携帯電話機1における主電源としてのメインバッテリからの放電停止後に放電を開始する予備バッテリとして、セカンダリバッテリ10を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば、リチウム蓄電池やリチウムイオン蓄電池等を適用するようにしても良い。
【0075】
さらに上述の実施の形態においては、セカンダリバッテリ10が放電を開始したとき以降、当該セカンダリバッテリ10のバッテリ残量がRTC回路7の要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、セカンダリバッテリ10の放電をRTC回路7及びPSRAM5へ導くことにより、RTC回路7を作動させつつPSRAM5にデータ種別/アドレス対応テーブルTBL1を記憶保持し続けさせ、バッテリ残量余裕期間の経過後には、セカンダリバッテリ10の放電をRTC回路7のみへ導くことにより、RTC回路7を要件どおりに作動させる放電制御手段として、RTC側スイッチ11、PSRAM側スイッチ12、RTC側スイッチ制御部13及びPSRAM側スイッチ制御部14を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種々のスイッチ及び当該スイッチを制御するための装置等を適用するようにしても良い。
【0076】
【発明の効果】
上述のように本発明によれば、揮発性メモリによって記憶保持している対応情報が破損又は消滅した場合であっても、当該対応情報を再構築することができ、かくして不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスすることができる。この結果、不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスし得るようにすると共に、使い勝手を格段と向上させ得るデータ記憶装置及びその方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態における携帯電話機の回路構成を示す略線図である。
【図2】フラッシュメモリの様子(1)を示す略線図である。
【図3】データ更新処理手順を示すフローチャートである。
【図4】データ種別/アドレス対応テーブルの様子を示す略線図である。
【図5】フラッシュメモリの様子(2)を示す略線図である。
【図6】セカンダリバッテリによる電力供給の様子を示す略線図である。
【図7】セカンダリバッテリによる電力供給手順を示すフローチャートである。
【図8】セカンダリバッテリの放電特性を示す略線図である。
【図9】セカンダリバッテリの構成を示す略線図である。
【符号の説明】
1……携帯電話機、2……制御部、5……PSRAM、6……フラッシュメモリ、7……RTC回路、SRT1……テーブル再構築処理手順。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a data storage device and a method thereof, and is suitable for application to a mobile phone having, for example, a flash memory and storing data in the flash memory. .
[0002]
[Prior art]
In recent years, mobile phones have a flash memory which is a non-volatile memory (hereinafter referred to as a non-volatile memory), and a plurality of types of data such as outgoing call history data and incoming call history data are stored in the flash memory. There is something that was made to remember. (For example, Patent Document 1)
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2000-47932 A (second page)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in such a flash memory, for example, as shown in FIG. 9, a plurality of blocks (hereinafter referred to as data storage blocks) BKX0, BKX1, and BKX2 for storing data by dividing the storage area. ,... Are set, and to these data storage blocks BKX0, BKX1, BKX2,..., Unique addresses ADX000, ADX001, ADX002,.
[0005]
Then, the control unit of the conventional mobile phone having such a flash memory, for example, when storing outgoing call history data in the flash memory, a data storage predefined to store only outgoing call history data When the outgoing history data is written into the block (for example, the data storage block BKX0) and the outgoing history data is to be read from the flash memory, the outgoing history data is always read from the data storage block BKX0.
[0006]
However, in general, each of the data storage blocks BKX0, BKX1, BKX2,... Of the flash memory has a limit on the number of data writing / reading, so that only the data storage block BKX0 as described above can be used. If the transmission history data is continuously written / read, only the data storage block BKX0 becomes unusable at an early stage.
[0007]
In order to avoid such a problem, for example, a method is considered in which the data storage block into which the outgoing history data is written is changed as appropriate so that each of the plurality of data storage blocks in the flash memory is used equally.
[0008]
However, when a plurality of types of data such as outgoing call history data and incoming call history data are stored in the flash memory by such a method, the plurality of types of data stored in the flash memory are individually accessed and read out. The control unit of the mobile phone that has to execute processing or the like needs to grasp a data storage block in which each of these plural types of data is stored.
[0009]
Therefore, in a mobile phone employing this method, for example, a volatile memory such as SRAM (Static Random Access Memory) that functions as a work area of the control unit (hereinafter referred to as a volatile memory), for example, A table (corresponding to the data type names “outgoing history”, “incoming history”,... Of a plurality of types of data and the address of the data storage block storing each of these types of data) A data storage block in which each of a plurality of types of data is stored by storing and holding a data type / address correspondence table) and making the control unit refer to the data type / address correspondence table. It is made to be able to grasp.
[0010]
However, in such a configuration, when a malfunction (for example, stop of power supply) occurs in the volatile memory, the data type / address correspondence table stored and held by the volatile memory is damaged or disappeared. As a result, the control unit cannot grasp the data storage block storing each of the plurality of types of data and cannot access any of the plurality of types of data stored in the flash memory. There was a problem.
[0011]
The present invention has been made in consideration of the above points, and makes it possible to reliably access data stored in a non-volatile memory, and a data storage device and method for improving usability. Is to try to propose.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve this problem,MingData storage deviceBecause,BadVolatile memory,VolcanoWith evoked memory,For phonebook data with a phone number, incoming history data with incoming history, or outgoing history data with outgoing historydataofAdded type information indicating the typeAppending means and type information addedDataMultiple types set for non-volatile memory by typeData storage blockOne ofThe data storage blockAssigned toAddress and,Correspondence information that associates the type of data stored in the data storage blockStore in volatile memoryBased on the storage means and correspondence information,Should readData storedBeData storage blockNoRecognize dressPhone book data, incoming call history data or outgoing call history stored in the data storage blockAccess means to access data and corresponding information is damaged or lostIs determined,Based on type information and address stored in data storage blockTheReconstruction means to reconstruct correspondence informationHave.
[0013]
Also this departureMingData storage methodBecause,For phonebook data with a phone number, incoming history data with incoming history, or outgoing history data with outgoing historydataofAdded type information indicating the typeThe first toSteps,Type information addedDataMultiple types set for non-volatile memory by typeData storage blockOne ofRememberSecondSteps and data storage blocksAssigned toAddress and,Correspondence information that associates the type of data stored in the data storage block is recorded in the volatile memory.RememberMakeThirdBased on the steps and correspondence information,Should readData storedBeData storage blockNoRecognize dressPhone book data, incoming call history data or outgoing call history stored in the data storage blockAccess data4thStep and correspondence information is damaged or disappearedIs determined,Based on type information and address stored in data storage blockTheRebuild correspondence information5thStep andHave.
[0014]
Thereby, even if the correspondence information stored and held by the volatile memory is damaged or disappears, the correspondence information can be reconstructed.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0016]
(1) Circuit configuration of mobile phone
In FIG. 1,
[0017]
For the
[0018]
On the other hand, in the
[0019]
Among these data storage blocks BK0, BK1, BK2,..., For example, for each of the data storage blocks BK0, BK3, and BK5, a plurality of telephones registered by performing a telephone number registration operation (described later). Phonebook data D1 in which the previous telephone number is recorded as telephone number information, incoming history data D2 in which incoming history information and outgoing history information in the
[0020]
Actually, the phone book data D1 is a type header HD1 “indicating that the data type of the phone book data D1 is“ phone book ”with respect to the actual data part RD1 in which the phone number information is written. “00000001 (binary number)” is added.
[0021]
Similarly, for incoming call history data D2 and outgoing call history data D3, incoming call history data D2 and outgoing call data are compared with actual data part RD2 and real data part RD3 in which incoming call history information and outgoing call history information in
[0022]
(2) Data update processing
Next, as an example, FIG. 3 shows a data update processing procedure RT1 for updating the phone book data D1 among the phone book data D1, the incoming call history data D2, and the outgoing call history data D3 stored in the
[0023]
In step SP1, for example, the
[0024]
In step SP2, the
[0025]
Here, as shown in FIG. 4A, the data type / address correspondence table TBL1 includes the data type names “phone book” and “incoming history” of the phone book data D1, incoming call history data D2, and outgoing call history data D3. ”And“ outgoing history ”and addresses“ AD000 ”,“ AD003 ”, and“ AD005 ”of the data storage blocks BK0, BK3, and BK5 in which the phonebook data D1, incoming call history data D2, and outgoing history data D3 are stored, respectively. "Is associated and described.
[0026]
Accordingly, the
[0027]
If an affirmative result is obtained in step SP2, this means that the data type / address correspondence table TBL1 is normally stored and held by the PSRAM 5, and at this time, the
[0028]
In step SP3, the
[0029]
In step SP4, the
[0030]
Incidentally, the
[0031]
In step SP5, the
[0032]
In step SP6, the
[0033]
In step SP7, the
[0034]
On the other hand, if an affirmative result is obtained in step SP7, this indicates that the telephone number information INF1 can be accurately added to the telephone directory data D1, and the
[0035]
In step SP8, for example, as shown in FIG. 5, the
[0036]
In step SP9, the
[0037]
By the way, if a negative result is obtained in step SP2, the data type / address correspondence table TBL1 stored and held in the PSRAM 5 is damaged or disappeared due to some trouble in the PSRAM 5. At this time, the
[0038]
That is, in step SP11, for example, the
[0039]
In step SP12, the
[0040]
In step SP13, the
[0041]
In the above configuration, the
[0042]
As a result, even if the data type / address correspondence table TBL1 in the PSRAM 5 is damaged or disappeared, the
[0043]
As a result, the
[0044]
In this embodiment, PSRAM 5 which is less expensive than SRAM is applied as a volatile memory for storing and holding the data type / address correspondence table TBL1. Thereby, the manufacturing cost of the
[0045]
According to the above configuration, even if the data type / address correspondence table TBL1 in the PSRAM 5 is damaged or lost, the data type / address correspondence table TBL1 can be reconstructed, so that the
[0046]
(3) Power supply by secondary battery
Actually, in the
[0047]
Further, for example, as shown in FIG. 6, a
[0048]
The RTC side switch 11 and the PSRAM side switch 12 are respectively controlled by the RTC side
[0049]
By the way, as a general requirement in manufacturing the
[0050]
Here, based on such requirements, a power supply procedure RT2 for appropriately supplying power from the
[0051]
That is, in step SP21, when the main battery is removed from the casing of the
[0052]
As a result, power is supplied to the
[0053]
Incidentally, the RTC side
[0054]
In step SP22, the PSRAM side
[0055]
As an example, the discharge characteristics of the
[0056]
In step SP23, the PSRAM side
[0057]
Thus, in the
[0058]
In step SP24, the RTC side
[0059]
In step SP25, the RTC-side
[0060]
In the above configuration, after the main battery is removed from the casing of the
[0061]
Then, after the battery remaining time has elapsed, the discharge from the
[0062]
Thus, even if the main battery has been removed from the casing of the
[0063]
According to the above configuration, even when the main battery is removed, the
[0064]
As a result, in the
[0065]
In addition, an event that is normally difficult to occur, such as being left with the main battery removed, occurs, and the main battery is removed from the casing of the
[0066]
(4) Other embodiments
In the above-described embodiment, the case where the
[0067]
In the above-described embodiment, a plurality of data storage blocks (that is, BK0, BK1, BK2,...) Assigned with unique addresses (that is, AD000, AD001, AD002,...) Are set in a nonvolatile manner. Although the case where the
[0068]
Furthermore, in the above-described embodiment, the telephone directory data D1 with the type headers HD1, HD2, and HD3 added as type information for indicating the data type for the data storage blocks BK0, BK1, BK2,. Although the case where the
[0069]
Further, in the above-described embodiment, the addresses “AD000”, “AD003”, and “AD005” of the data storage blocks BK0, BK3, and BK5 and the phone book data D1, stored in the data storage blocks BK0, BK3, and BK5, Although the case where the PSRAM 5 is applied as the volatile memory that stores and holds the data type / address correspondence table TBL1 in which the data types of the incoming history data D2 and the outgoing history data D3 are associated has been described, the present invention is not limited to this. As long as it is a volatile memory, for example, an SRAM or the like may be applied.
[0070]
Further, in the above-described embodiment, in the data type / address correspondence table TBL1 as correspondence information, the data type names “phone book”, “incoming history” and “outgoing history” and addresses “AD000”, “AD003” and “AD005” However, the present invention is not limited to this, and the data storage in which the phone book data D1 (or the phone book data D1X), the incoming call history data D2, and the outgoing call history data D3 are stored. If it is possible to grasp the address of the block, for example, in the data type / address correspondence table TBL1, the content of the type header (that is, a number expressed in binary) and the address may be described in association with each other. .
[0071]
Further, in the above-described embodiment, based on the data type / address correspondence table TBL1, for example, data of the desired data type “phone book” (that is, phone book data D1) is stored in the data storage block BK0. Although the case where the
[0072]
Further, in the above-described embodiment, the addresses “AD000”, “AD003”, and “AD005” of the data storage block and the type headers HD1, HD2, and HD3 as the type information of the data stored in the data storage block are included. Based on the above, the case where the
[0073]
Furthermore, in the above-described embodiment, as an operating portion that should operate according to predetermined requirements, after the main battery is removed from the casing of the
[0074]
Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the
[0075]
Furthermore, in the above-described embodiment, after the
[0076]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, even when the correspondence information stored and held by the volatile memory is damaged or disappeared, the correspondence information can be reconstructed and thus stored in the nonvolatile memory. Data can be reliably accessed. As a result, the data stored in the nonvolatile memory can be reliably accessed.And improve usabilityData storage device and method thereof can be realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a circuit configuration of a mobile phone according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic diagram showing a state (1) of a flash memory.
FIG. 3 is a flowchart showing a data update processing procedure.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a state of a data type / address correspondence table;
FIG. 5 is a schematic diagram showing a state (2) of the flash memory.
FIG. 6 is a schematic diagram showing a state of power supply by a secondary battery.
FIG. 7 is a flowchart showing a power supply procedure by a secondary battery.
FIG. 8 is a schematic diagram illustrating discharge characteristics of a secondary battery.
FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a configuration of a secondary battery.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (6)
揮発性メモリと、
電話番号が記される電話帳データ、着信履歴が記される着信履歴データ又は発信履歴が記される発信履歴データに対して、当該データの種別を示す種別情報を付加する付加手段と、
上記種別情報が付加されたデータを、種別単位で、上記不揮発性メモリに対して設定される複数のデータ記憶ブロックのいずれかに記憶させ、上記データ記憶ブロックに割り当てられるアドレスと、当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別とを対応付けた対応情報を上記揮発性メモリに記憶させる記憶手段と、
上記対応情報に基づいて、読み出すべきデータが記憶されるデータ記憶ブロックのアドレスを認識し、該データ記憶ブロックに記憶される上記電話帳データ、上記着信履歴データ又は上記発信履歴データにアクセスするアクセス手段と、
上記対応情報が破損又は消滅していると判別される場合、上記データ記憶ブロックに記憶されている種別情報及び上記アドレスに基づいて上記対応情報を再構築する再構築手段と
を有するデータ記憶装置。And the non-volatile memory,
And the volatile memory,
Phone book data telephone number is written, with respect to the outgoing call history data call history to be written is incoming history data or outgoing call history noted, and adding means for adding a type information indicating a type of the data,
The type information is additional data, in type units, is stored in any of a plurality of data storage blocks set to said non-volatile memory, and an address allocated to said data storage blocks, the data storage Storage means for storing correspondence information in association with the type of data stored in the block in the volatile memory ;
Based on the correspondence information, data to be read to recognize the address of the data storage blocks to be stored, the telephone directory data stored in the data storage block, access to access the incoming call history data or the outgoing call history data Means,
If the upper SL corresponding information is determined to be damaged or disappears, a data storage and a reconstruction means for reconstructing the upper Symbol correspondence information based on the type information and the address stored in the data storage block apparatus.
上記アクセス手段がアクセスしたデータの内容が更新された場合、空きのデータ記憶ブロックのうち、該データが記憶されているデータ記憶ブロックとは異なるデータ記憶ブロックに記憶させ、当該記憶に応じた内容に上記対応情報を書き換える、請求項1に記載のデータ記憶装置。 The storage means is
When the content of the data accessed by the access means is updated, it is stored in a data storage block that is different from the data storage block in which the data is stored, among the empty data storage blocks, and the content according to the storage The data storage device according to claim 1 , wherein the correspondence information is rewritten .
上記種別情報が付加されたデータを、種別単位で、不揮発性メモリに対して設定される複数のデータ記憶ブロックのいずれかに記憶させる第2のステップと、
上記データ記憶ブロックに割り当てられるアドレスと、当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別とを対応付けた対応情報を揮発性メモリに記憶させる第3のステップと、
上記対応情報に基づいて、読み出すべきデータが記憶されるデータ記憶ブロックのアドレスを認識し、該データ記憶ブロックに記憶される上記電話帳データ、上記着信履歴データ又は上記発信履歴データにアクセスする第4のステップと、
上記対応情報が破損又は消滅していると判別される場合、上記データ記憶ブロックに記憶されている種別情報及び上記アドレスに基づいて上記対応情報を再構築する第5のステップと
を有するデータ記憶方法。 A first step of adding type information indicating a type of the data to phonebook data in which a telephone number is written, incoming history data in which an incoming history is written, or outgoing history data in which an outgoing history is written ;
A second step of storing the data to which the type information is added in any of a plurality of data storage blocks set for the nonvolatile memory in units of types ;
The address assigned to the data storage block, and a third step of corresponding information the serial volatile memory 憶 associating the type of data stored in the data storage block,
Based on the correspondence information, and recognizes the address of the data memory block in which data is stored to be read, the data storage block stored in the said telephone directory data, the access to the incoming call history data or the outgoing call history data 4 steps,
If the upper SL corresponding information is determined to be damaged or disappears, the data and a fifth step of reconstructing the upper Symbol correspondence information based on the type information and the address stored in the data storage block Memory method.
上記第3のステップでアクセスされるデータの内容が更新された場合、空きのデータ記憶ブロックのうち、該データが記憶されているデータ記憶ブロックとは異なるデータ記憶ブロックに記憶させ、当該記憶に応じた内容に上記対応情報を書き換える、請求項5に記載のデータ記憶方法。When the content of the data accessed in the third step is updated, it is stored in a data storage block that is different from the data storage block in which the data is stored, among the empty data storage blocks, and in accordance with the storage The data storage method according to claim 5, wherein the correspondence information is rewritten to the contents.
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