JP4253023B2 - Charged particle beam apparatus and scanning electron microscope control apparatus - Google Patents

Charged particle beam apparatus and scanning electron microscope control apparatus Download PDF

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Description

本発明は、被測定(観察等も含む)試料を搭載する試料ステージ駆動装置を備えた荷電粒子線装置に係り、特に走査型電子顕微鏡・光学式顕微鏡等で、形あるいは内部構造及びその配置が予め分かっている試料を自動観察するのに好適な走査型電子顕微鏡等の荷電粒子線装置に関する。   The present invention relates to a charged particle beam apparatus equipped with a sample stage driving device on which a sample to be measured (including observation) is mounted, and particularly in a scanning electron microscope, an optical microscope, etc. The present invention relates to a charged particle beam apparatus such as a scanning electron microscope suitable for automatically observing a sample that is known in advance.

形あるいは内部構造・配置が予め分かっている試料を走査型電子顕微鏡で観察する場合、これを示す図面・写真・試料内での観察部分位置指示用座標を用いて、これと試料ステージの移動とを何らかの方法で関連付けすることにより、試料上の観察したい部分を視野内に迅速かつ簡単に自動的に移動させる手法が以前より知られている。これらの手法で有効と思われる技術に特公昭63−94548号公報等に記載されたものがある。これは手動による観察したい部分の位置の指定することで観察作業量の軽減を図るものであるが、現在の走査型電子顕微鏡ではさらにこの方法を進めてコンピュータにより自動化が行われている。現在、この方法では、ウェーハという同一支持体上に同じ設計パターンを持ちかつある程度正確な幾何学的配置関係を持って複数個作成されている各チップを各々試料と見なしたときに、チップ内に存在する観察したいパターンの微小でチップ設計図上では識別・確認できないものを観察することを目的としている。   When observing a sample whose shape or internal structure / arrangement is known in advance with a scanning electron microscope, using this drawing, photo, and coordinates for indicating the position of the observation part in the sample, this and the movement of the sample stage There has been known a method for automatically and quickly moving a portion to be observed on a sample within a field of view by associating them with a certain method. There is a technique described in Japanese Patent Publication No. 63-94548 or the like as a technique considered to be effective in these methods. This is intended to reduce the amount of observation work by manually specifying the position of the part to be observed, but in the current scanning electron microscope, this method is further advanced and automation is performed by a computer. Currently, in this method, when a plurality of chips having the same design pattern on the same support called a wafer and having a somewhat accurate geometrical arrangement relationship are regarded as samples, The purpose is to observe the minute patterns that are desired to be observed and cannot be identified and confirmed on the chip design drawing.

いったん実際にウェーハを試料ステージに搭載して、このときのウェーハの試料ステージに一時的に固定された位置をもってウェーハ上観察位置指示座標の基準位置とする。走査型電子顕微鏡制御装置側では、このときの座標に従ってウェーハ上にチップ設計データに基付いた位置関係でチップ大きさ・配置・ウェーハ面内での回転方向等を四角形であるチップ外形を枠に、その複数個の並びを格子状として仮想的に登録する。この格子を基準として以降でのチップ内での観察パターン部分の座標値を決定する。   Once the wafer is actually mounted on the sample stage, the position temporarily fixed to the sample stage of the wafer at this time is set as the reference position of the observation position indicating coordinates on the wafer. On the scanning electron microscope control device side, the chip size, placement, rotation direction within the wafer surface, etc. are square on the wafer based on the positional relationship based on the chip design data according to the coordinates at this time. The plurality of rows are virtually registered as a grid. Based on this lattice, the coordinate value of the observation pattern portion in the chip thereafter is determined.

ここで実際に試料を試料ステージに搭載したまま走査型電子顕微鏡で観察しながら手動により移動し、予め観察したい部分の位置を実際の試料上にて手動で指定する。これを走査型電子顕微鏡制御装置側でその時点での試料ステージ座標値とチップ配列から観察したい部分の位置をチップ内座標値に変換して求めて、観察部分走査型電子顕微鏡像とともに関連付けして記憶する。これにより、以後の観察では走査型電子顕微鏡制御装置側で観察部分位置のチップ内座標値と予め登録されているチップ配列位置から自動的に試料ステージを移動させるべき位置の座標値を求め、さらにこの部分に関連付け記憶されている観察部分像との画像照合によって観察部分の自動特定を行っている。   Here, the sample is moved manually while observing with a scanning electron microscope while actually mounted on the sample stage, and the position of the portion to be observed is manually designated on the actual sample in advance. The scanning electron microscope controller converts the sample stage coordinate value at that time and the position of the part to be observed from the chip array into the in-chip coordinate value, and associates it with the observed partial scanning electron microscope image. Remember. Thus, in the subsequent observation, the scanning electron microscope control device side obtains the coordinate value of the position where the sample stage should be automatically moved from the in-chip coordinate value of the observation portion position and the chip arrangement position registered in advance, The observation part is automatically specified by image collation with the observation partial image stored in association with this part.

先の公知例においては、観察を行う前に実際の試料上で任意の特徴的な試料構造を示す部分のうち2箇所について設計データに基づいた図面上での位置と実際の試料上での位置の関連付けを行うことで、試料ステージ座標と試料図面での座標すなわち座標指示手段で用いる座標との座標較正を行っている。それ以降、座標指示手段により観察部の位置を指示すると観察位置をある程度正確に視野内に入れることが可能となる。特に、同じ設計図面で観察場所を指示することのできる試料の同一支持体上に搭載された(例えば試料ステージ上にパターン比較のために並べられたICパターン)場合、試料選択スイッチによる切り替え機能を付与することで、同じ図面によって複数試料の観察位置の指示を可能としている。   In the prior known example, the position on the drawing based on the design data and the position on the actual sample of two portions showing an arbitrary characteristic sample structure on the actual sample before observation. As a result of the association, coordinate calibration between the sample stage coordinates and the coordinates in the sample drawing, that is, the coordinates used by the coordinate indicating means is performed. Thereafter, when the position of the observation unit is designated by the coordinate designating means, the observation position can be accurately entered into the field of view. In particular, when mounted on the same sample support that can indicate the observation location on the same design drawing (for example, IC patterns arranged for pattern comparison on the sample stage), a switching function by a sample selection switch is provided. By giving, it is possible to indicate the observation position of a plurality of samples by the same drawing.

近年の半導体製造工程で使われている走査型電子顕微鏡では、前記公知例での同一支持体上(試料ステージ)に並べられた試料(ICパターン)を対象としていたのが、ウェーハ上に並べられたICパターンを対象とした組み合わせに置き換わる。ここでは、2点の特徴点は同一試料(同一チップ)上のものに限らず、複数試料(複数チップ)に渡って指定することができる。これによって配置された試料全てを収めることのできる座標指示手段上の座標を設定し、これとステージ座標との間で座標較正を行う。このような場合、複数試料(複数チップ)は同一支持体(ウェーハ)上にある程度正確に幾何学的に配置されているので、観察位置(x, y)はチップ配列ピッチ(px, py)と配置(nx, ny)、さらにチップ内位置(xd, yd)より、次の〔数1〕によって求めることができる。   In a scanning electron microscope used in a recent semiconductor manufacturing process, a sample (IC pattern) arranged on the same support (sample stage) in the above-described known example is arranged on a wafer. It is replaced with a combination for the IC pattern. Here, the two feature points are not limited to those on the same sample (same chip), but can be specified over a plurality of samples (multiple chips). As a result, coordinates on the coordinate indicating means that can accommodate all the arranged samples are set, and coordinate calibration is performed between the coordinates and the stage coordinates. In such a case, since multiple samples (multiple chips) are geometrically arranged to some extent on the same support (wafer), the observation position (x, y) is the chip arrangement pitch (px, py). From the arrangement (nx, ny) and the in-chip position (xd, yd), it can be obtained by the following [Equation 1].

〔数1〕
x=px×nx+xd
y=py×ny+yd
[Equation 1]
x = px × nx + xd
y = py × ny + yd

この方法では、観察前の準備として特徴的な構造を持つ2箇所の登録を行う。この時点でのウェーハの試料ステージへの搭載位置を基準として搭載ウェーハ上の特徴的な2箇所によって定義される二次元座標を座標指示手段上の指示座標として作成する。この座標上に設計データに従って定義されたチップ大きさ・配置等を表す格子の並びから座標指示手段で使用される図面が作成される。以降の観察では、全く同じ試料(チップ)を配置した別のウェーハを試料ステージに搭載して観察する時に上記指示座標に基づいて観察部分の位置を試料ステージに指示する。しかし、試料ステージへのウェーハの搭載位置はステージとウェーハの機械的接触によって決まることになり、これは先の2点の特徴点登録時と微小量のずれを生じ、この量は毎回異なることとなる。これを補正するために、先に登録した2点と同じ位置にある同じ特徴点を初回登録時の位置と比較することで、座標較正を行っている。これによって座標指示手段の座標となる登録時の座標と観察時のステージ座標の座標較正を行う。さらに、先の公知例で試料内の2点の対応付けによって行っている座標較正を、複数の試料(チップ)の同一支持体(ウェーハ)上に幾何的に配置された状況を示す座標と試料(チップ)内での観察部分の位置を示す座標にもそのまま適用していた。
特公昭63−94548号公報
In this method, two places having a characteristic structure are registered as preparation before observation. Based on the mounting position of the wafer on the sample stage at this time, two-dimensional coordinates defined by two characteristic points on the mounting wafer are created as the indicating coordinates on the coordinate indicating means. On this coordinate, a drawing used by the coordinate designating means is created from an array of grids representing the chip size and arrangement defined according to the design data. In the subsequent observation, when another wafer on which the same sample (chip) is placed is mounted on the sample stage for observation, the position of the observation portion is instructed to the sample stage based on the indicated coordinates. However, the mounting position of the wafer on the sample stage is determined by the mechanical contact between the stage and the wafer, which causes a slight deviation from the previous two feature point registration, and this amount is different each time. Become. In order to correct this, coordinate calibration is performed by comparing the same feature point at the same position as the previously registered two points with the position at the time of initial registration. As a result, the coordinates at the time of registration and the stage coordinates at the time of observation, which are the coordinates of the coordinate indicating means, are calibrated. Furthermore, the coordinate and the sample indicating the situation in which the coordinate calibration performed by matching the two points in the sample in the previous known example is geometrically arranged on the same support (wafer) of a plurality of samples (chips) The same applies to the coordinates indicating the position of the observation portion in the (chip).
Japanese Patent Publication No. 63-94548

しかし、実際には特に半導体製造工程でのウェーハ(支持体)上にチップ(個別試料)を焼き付ける過程において、焼き付け装置(以下ステッパ)ではウェーハ上でのチップ配列の位置精度を決定する要因はステッパでのステージ位置精度に依存し、またチップ内での観察部分の位置精度を決定する要因はステッパレンズの歪みに依存する。また、チップ配列を各チップ内での1点のみで指示する場合には、各チップ全体の試料ステージ座標との平面座標面内回転方向のずれによってもチップ内での観察部分の位置のずれたのと同じ効果を生じる。特に座標較正に使用した部分とは異なる部分を観察しようとしたときに、チップ全体の回転によって座標較正位置からの距離の大きい程にずれは大きくなる。これは、両者の精度を決定する要因が異なるために、1組の座標指示手段のための座標に対する座標較正のみでは、十分に高い位置精度での座標指示による観察位置の視野出しを行うことはできないことを示している。しかし、こうした視野出し時の位置ずれは、ステージ移動による視野出しを複数回に渡って同一位置で行うと、ずれの方向・量にある傾向のあることが多い。つまり、目標とする位置に対して一定の方向のある程度離れた位置の周りに集中して実際の視野停止位置となることが多い。これは「位置精度は低いが位置再現性は良い」状態であることを示している。   However, in actuality, particularly in the process of baking chips (individual samples) on the wafer (support) in the semiconductor manufacturing process, the factor that determines the positional accuracy of the chip arrangement on the wafer is the stepper. The factor that determines the position accuracy of the observation portion in the chip depends on the distortion of the stepper lens. In addition, when the chip arrangement is indicated by only one point in each chip, the position of the observation portion in the chip is also shifted due to the shift in the rotation direction in the plane coordinate plane from the sample stage coordinates of the entire chip. Produces the same effect. In particular, when an attempt is made to observe a portion different from the portion used for coordinate calibration, the deviation increases as the distance from the coordinate calibration position increases due to the rotation of the entire chip. This is because the factors that determine the accuracy of the two are different, so that only the coordinate calibration for the coordinates for a set of coordinate instruction means can perform the field-of-view of the observation position by the coordinate instruction with sufficiently high position accuracy. Indicates that it is not possible. However, such misalignment at the time of visual field tends to tend to be in the direction and amount of misalignment when the visual field by moving the stage is performed multiple times at the same position. That is, the actual visual field stop position is often concentrated around a certain position away from the target position in a certain direction. This indicates that the position accuracy is low but the position reproducibility is good.

また、一方で観察装置の試料ステージの移動の際にも装置個別に固有の位置ずれを生じる場合が多い。例えば、図17に装置Aの、図18に装置Bにおける試料ステージ位置精度の各々一例を示している。これは二次元平面上を直線に沿ってステージを移動させたときに実際にステージの動いた軌跡を格子上の各交点において測定したものである。両装置を比較すると、各交点での目標位置との位置ずれは方向・量ともに同じとはならない。また、同じ装置内でも目標位置によって異なることが分かる。   On the other hand, when the sample stage of the observation apparatus is moved, there are many cases where an inherent position shift occurs in each apparatus. For example, FIG. 17 shows an example of the sample stage position accuracy of the apparatus A, and FIG. This is a measurement of the trajectory actually moved by the stage at each intersection on the grid when the stage is moved along a straight line on a two-dimensional plane. When both devices are compared, the positional deviation from the target position at each intersection does not become the same in both direction and amount. In addition, it can be seen that it varies depending on the target position even in the same apparatus.

これらはステージを構成する直動ガイド等の直動性能に依存するが、完全な直動を行うガイドを製作することは難しい。従って、こうしたステージの移動によって顕微鏡視野の移動を行うときには、試料上の目標位置を視野中心に位置させようとしても、そこから位置ずれを生じることとなる。   Although these depend on the linear motion performance of the linear motion guide etc. which comprise a stage, it is difficult to produce the guide which performs perfect linear motion. Therefore, when the microscope visual field is moved by such a movement of the stage, even if an attempt is made to position the target position on the sample at the center of the visual field, a positional deviation will occur therefrom.

しかし、こうした視野出し時の位置ずれは、ステージ移動による視野出しを複数回に渡って同一位置で行うと、ずれの方向・量はある傾向のあることが多い。つまり、目標とする位置に対して一定の方向のある程度離れた位置の周りに集中して実際の視野停止位置となることが多い。これは「位置精度は低いが位置再現性は良い」状態であることを示している。   However, such misalignment at the time of visual field tends to have a direction and amount of misalignment when the visual field by moving the stage is performed at the same position several times. That is, the actual visual field stop position is often concentrated around a certain position away from the target position in a certain direction. This indicates that the position accuracy is low but the position reproducibility is good.

以上のように試料側起因の場合、顕微鏡の試料ステージ起因の場合の2つの要因のうちの1つ又は2つが同時に生じることで、視野出し時に位置ずれを生じることがある。ただし、どちらの要因に起因していてもともに「位置精度は低いが位置再現性は良い」状態となることが分かる。
これまでに、こうした位置ずれを補正するために、観察位置の指示座標と実際に移動時に基準となるステージ座標の間における座標較正方法がいくつか提案されてきた。
As described above, in the case of being caused by the sample side, one or two of the two factors in the case of being caused by the sample stage of the microscope are generated at the same time. However, it can be seen that, regardless of the cause, the state is “position accuracy is low but position reproducibility is good”.
In the past, in order to correct such positional deviation, several coordinate calibration methods have been proposed between the indicated coordinates of the observation position and the stage coordinates that are actually the reference when moving.

その1つは、例えば図17又は図18に破線で示されている基準でステージを移動させる時に実際のステージへの移動指示を実線で示された基準で移動距離を求めて指示値を与えることである。実線は、実際にステージの動く様子を示しているので、各格子の交点近傍への移動ではある程度の成果をあげている。しかし、この交点から離れた位置、例えば各格子の重心位置付近の任意の点ではどの較正点よりも離れており、必ずしも実際に正確な較正は行われていない。ここで、この格子を限りなく小さくして行けば、較正点の数は多くなり、またその間隔は狭くなる。そうすることで、どの点からも較正点との距離は小さくなるので、上記のような問題はある程度解決される。しかし、格子点つまり較正点を多くすると、その数だけ較正点の登録を行う必要があり、操作者の行う較正作業の都合により、その格子点の数を増やすにも限界がある。   For example, when the stage is moved based on a reference indicated by a broken line in FIG. 17 or FIG. 18, for example, an instruction to move to the actual stage is obtained based on the reference indicated by a solid line and an instruction value is given. It is. Since the solid line shows how the stage actually moves, the movement of each grid to the vicinity of the intersection point has achieved some results. However, a position away from this intersection, for example, an arbitrary point in the vicinity of the center of gravity of each grid is farther than any calibration point, and actual accurate calibration is not necessarily performed. Here, if this grid is made as small as possible, the number of calibration points increases and the interval between them becomes narrow. By doing so, the distance from any point to the calibration point is reduced, and the above problems are solved to some extent. However, if the number of grid points, that is, calibration points is increased, it is necessary to register the number of calibration points, and there is a limit to increase the number of grid points due to the convenience of the calibration work performed by the operator.

実際に、従来例の方法による視野出しを走査型電子顕微鏡で行うと、座標較正に用いた2特徴点から位置が離れる程に視野ずれ量が大きくなる現象を確認している。
現在、こうしたずれ量の大きい場合には前記の観察部分走査型電子顕微鏡像による画像照合を用いた位置探索時に走査型電子顕微鏡像の像倍率を低くして探索領域を広く確保することで対応していた。しかし、これでは広い領域に映し出されている多くの対象全てについて画像照合を行う必要があるために探索時間を要する。また、走査型電子顕微鏡の特徴として、低倍率での像観察時には、一次電子を照射していることにより発生するチャージアップ等による像障害の影響を受け易く、不安定な走査型電子顕微鏡像となりやすいので、誤認識による探索の誤りが多いという問題があった。
In fact, when the field-of-view with the conventional method is performed with a scanning electron microscope, it has been confirmed that the amount of visual field deviation increases as the position moves away from the two feature points used for coordinate calibration.
Currently, this large amount of deviation can be dealt with by ensuring a wide search area by reducing the image magnification of the scanning electron microscope image during the position search using the image collation based on the observed partial scanning electron microscope image. It was. However, this requires a search time because it is necessary to perform image matching for all of the many objects displayed in a wide area. In addition, as a feature of the scanning electron microscope, when observing an image at a low magnification, it is easily affected by image disturbance due to charge-up caused by irradiating primary electrons, resulting in an unstable scanning electron microscope image. There was a problem that there were many search errors due to misrecognition.

近年の半導体製造工程での観察用に用いられている走査型電子顕微鏡は観察倍率が高いので観察対象を視野に入れるために高い位置指示精度での試料ステージの移動が必要とされている。また一方で高い装置稼働率と自動観察による工程管理も求められている。   Since a scanning electron microscope used for observation in recent semiconductor manufacturing processes has a high observation magnification, it is necessary to move the sample stage with high position indication accuracy in order to bring the observation object into the field of view. On the other hand, high equipment availability and process management by automatic observation are also required.

本発明は、上記の従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、特に半導体製造工程でのチップパターン不良観察用に用いられる走査型電子顕微鏡等の荷電粒子線装置において迅速で正確な観察視野内への観察位置の移動を可能とすることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and in particular, in a charged particle beam apparatus such as a scanning electron microscope used for observing chip pattern defects in a semiconductor manufacturing process, a quick and accurate observation field of view. The purpose is to allow the observation position to move inward.

本発明においては、試料ステージ移動後に顕微鏡観察視野内でのチップパターン上での目標位置と視野内所定位置との位置差を検出する手段と、その結果を記憶する手段と、その後の観察で当該位置への移動に際して、先に記憶された位置差とその時に採用されていた移動目標位置とを考慮して新たな移動目標位置を決定する手段を備えている。   In the present invention, a means for detecting a positional difference between a target position on the chip pattern in the microscope observation field after moving the sample stage and a predetermined position in the field, means for storing the result, and subsequent observation When moving to a position, there is provided means for determining a new movement target position in consideration of the previously stored position difference and the movement target position employed at that time.

その一方で、本発明においては、試料ステージ移動後に顕微鏡観察視野内でのチップパターン上での目標位置と視野内所定位置との位置差を検出する手段と、その結果を用いてその際に採用されていた移動目標位置に補正を行い新たな移動目標位置を求める手段と、その新たな移動目標位置をその都度記憶する手段と、次回の観察から当該位置への移動に際して、前回までに記憶されている補正後移動目標位置とを考慮して新たな移動目標位置を決定する手段を備えることによっても同様の効果を得ることができる。   On the other hand, in the present invention, a means for detecting a position difference between the target position on the chip pattern in the microscope observation field and a predetermined position in the field after the sample stage is moved, and the result is adopted at that time. The means for correcting the movement target position that has been corrected to obtain a new movement target position, the means for storing the new movement target position each time, and the previous movement when moving to the position from the next observation. The same effect can be obtained by providing means for determining a new movement target position in consideration of the corrected movement target position.

先と同じパターンを同じ配列で焼き付けされた別のウェーハ又は先と同じウェーハ上のパターンの観察を行うときに、対応する観察位置に登録された前回までの観察視野位置ずれ量を考慮してやはり前回までの試料ステージへの移動目標指示位置に変更を加え、その指示位置に従い試料ステージを移動させる。   When observing another wafer printed with the same pattern as the previous pattern or a pattern on the same wafer as the previous pattern, the previous observation field position shift amount registered in the corresponding observation position is taken into account. The movement target instruction position to the sample stage up to the previous time is changed, and the sample stage is moved according to the instruction position.

試料(チップ)内位置を指示するための座標指示手段上の座標(以下では試料内位置指示座標)とチップ配列を指示するための座標指示手段上の座標(以下では配置位置指示座標)とを別々に設ける。これらの試料ステージ座標は、観察の前に行う特徴的な構造を使った座標較正のために使用する2箇所の特徴的な構造の登録を行った時点での試料(チップ)とそれを複数個搭載した支持体(ウェーハ)の試料ステージに対する固定位置を基準にしてウェーハ上の任意の位置を原点と置いた座標となっている。これに対して、2箇所の登録以降に観察のために再度ウェーハを試料ステージへ搭載し直したときに、ウェーハと試料ステージの機械的な原点合わせ精度に限界があることからこの位置からのずれを生じる。このときに、観察部分の所望の位置の試料ステージ移動終了後での当該位置からのずれ量を検出し、この結果又はそれを用いて補正を行った移動目標位置を順次記憶させておき、これら過去のずれ量又は補正後移動目標位置の統計学的な処理結果を新たに決定する移動指示位置に反映させたり、又はそれらに基づいた移動指示位置の再決定を行う。   The coordinates on the coordinate indicating means for indicating the position in the sample (chip) (hereinafter referred to as the position indicating coordinates in the sample) and the coordinates on the coordinate indicating means for indicating the chip arrangement (hereinafter referred to as arrangement position indicating coordinates) Provided separately. These sample stage coordinates are the sample (chip) at the time when two characteristic structures used for coordinate calibration using the characteristic structure performed before observation and a plurality of sample structures (chips) are registered. The coordinates are obtained by setting an arbitrary position on the wafer as the origin with reference to the fixed position of the mounted support (wafer) with respect to the sample stage. On the other hand, when the wafer is mounted again on the sample stage for observation after registration at two locations, the mechanical origin alignment accuracy between the wafer and the sample stage is limited. Produce. At this time, the amount of deviation from the desired position of the observation portion after the movement of the sample stage is detected, and this result or the movement target position corrected using the result is sequentially stored and stored. The past shift amount or the statistical processing result of the corrected movement target position is reflected in the movement instruction position to be newly determined, or the movement instruction position is re-determined based on the movement instruction position.

一方で、観察を自動的に行う場合には、これらの位置ずれ量を予め観察手順(観察位置とその位置を含む)を記録した手順ファイルに、その観察位置と関連付けて記録する。その手順ファイルに従って観察を実行する際に位置ずれ量を移動指示位置に反映させる。その方法は上記と同様である。その一方で、これらの手順ファイルに記録された位置ずれの生じた顕微鏡装置を他の装置と区別する。例えば装置の製造番号を位置ずれ検出量と同時に記録しておく。   On the other hand, when the observation is automatically performed, these positional deviation amounts are recorded in association with the observation position in a procedure file in which the observation procedure (including the observation position and the position) is recorded in advance. When the observation is executed according to the procedure file, the positional deviation amount is reflected on the movement instruction position. The method is the same as above. On the other hand, the microscope apparatus in which the positional deviation recorded in these procedure files has occurred is distinguished from other apparatuses. For example, the serial number of the apparatus is recorded at the same time as the misalignment detection amount.

手順ファイル作成後は、それらのファイルを別の装置にて使用する時に、自動にて製造番号を読み取って、やはり自動的に位置ずれ検出結果の生じた装置の自他を認識する。自装置のものであることの確認された位置ずれ量又はその結果を用いてその都度補正されている移動位置目標位置の記録のみを考慮して移動指示位置の決定を行う。これによって、別の装置で検出された位置ずれ量を使った補正を行うことを防ぐことができる。以上の手段によって、異なる装置の間で観察手順ファイルを交換して使うような環境においても、高い位置指示精度を持つ試料ステージを提供することが可能となる。   After creating the procedure file, when these files are used in another device, the serial number is automatically read, and the device or the device in which the misregistration detection result is generated is automatically recognized. The movement instructing position is determined in consideration of only the recording of the movement position target position that is corrected each time using the positional deviation amount that has been confirmed to be that of the own apparatus or the result thereof. As a result, it is possible to prevent the correction using the positional deviation amount detected by another apparatus. By the above means, it is possible to provide a sample stage having high position indication accuracy even in an environment in which observation procedure files are exchanged between different apparatuses.

すなわち、本発明による荷電粒子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線源と、試料を保持して移動する試料ステージと、荷電粒子線源から放出された荷電粒子線を試料に収束するレンズと、荷電粒子線を偏向する偏向器と、試料の画像を検出する画像検出手段と、検出された画像を表示する画像表示手段と、試料上の位置を指示する座標指示手段と、座標指示手段上の座標値と試料ステージ上の座標値とを較正可能に対応付け座標指示手段上で指示した座標値と対応する試料ステージの位置へ試料ステージを移動させる手段とを備える荷電粒子線装置において、試料上での任意の観察位置を観察しようとする時に、座標指示手段で指示した移動目標位置と観察位置を一致させるように試料ステージを移動させ、移動終了後に画像検出手段によって検出される試料の所定の位置と画像検出手段の所定位置との位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出手段と、算出された位置ずれ量を記憶する記憶手段を有し、位置ずれ量算出手段により求められた位置ずれ量に基づいて、次回以降に前記観察位置に相当する観察位置又は同じ観察位置への移動時に採用する移動目標位置座標値を制御し、試料ステージ停止時の前記試料の所定位置と画像表示手段の所定位置とが一致するように動作する位置ずれ補正手段を有することを特徴とする。
本発明の荷電粒子線装置においては、観察時点以前でのその位置への移動に際して生じた視野ずれ量を予め考慮して試料ステージ移動目標位置を決定することによって試料ステージの停止精度を向上することが可能となる。
That is, a charged particle beam apparatus according to the present invention converges a charged particle beam source that generates a charged particle beam, a sample stage that holds and moves the sample, and the charged particle beam emitted from the charged particle beam source onto the sample. A lens, a deflector that deflects a charged particle beam, an image detection unit that detects an image of the sample, an image display unit that displays the detected image, a coordinate instruction unit that indicates a position on the sample, and a coordinate instruction A charged particle beam apparatus comprising: means for moving the sample stage to the position of the sample stage corresponding to the coordinate value designated on the coordinate instruction means and the coordinate value designated on the coordinate instruction means so that the coordinate value on the means and the coordinate value on the sample stage can be calibrated When an arbitrary observation position on the sample is to be observed, the sample stage is moved so that the observation target position matches the movement target position indicated by the coordinate instruction means, and the image detection hand is moved after the movement is completed. A positional deviation amount calculating means for calculating a positional deviation amount between a predetermined position of the sample detected by the image detecting means and a predetermined position of the image detecting means, and a storage means for storing the calculated positional deviation amount, and calculating the positional deviation amount. Based on the amount of displacement obtained by the means, the movement target position coordinate value adopted when moving to the observation position corresponding to the observation position or the same observation position from the next time onward is controlled, and the sample position when the sample stage is stopped is controlled. There is provided a positional deviation correcting means which operates so that the predetermined position and the predetermined position of the image display means coincide with each other.
In the charged particle beam apparatus of the present invention, the stopping accuracy of the sample stage is improved by determining the sample stage moving target position in consideration of the amount of visual field shift that occurs when moving to that position before the observation time. Is possible.

本発明による荷電粒子線装置は、また、荷電粒子線を発生する荷電粒子線源と、試料を保持して移動する試料ステージと、荷電粒子線源から放出された荷電粒子線を試料に収束するレンズと、荷電粒子線を偏向する偏向器と、試料の画像を検出する画像検出手段と、検出された画像を表示する画像表示手段と、試料上の位置を指示する座標指示手段と、座標指示手段上の座標値と試料ステージ上の座標値とを較正可能に対応付け座標指示手段上で指示した座標値と対応する試料ステージの位置へ試料ステージを移動させる手段とを備える荷電粒子線装置において、試料上での任意の観察位置を観察しようとする時に、座標指示手段で指示した移動目標位置と観察位置を一致させるように試料ステージを移動させ、移動終了後に画像検出手段によって検出される試料の所定の位置と画像表示手段の所定位置との位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出手段と、算出された位置ずれ量を用いてその時点で採用されていた移動目標位置座標値を補正して補正後移動目標位置座標値を求める手段と、求めた補正後移動目標位置座標値を記憶する記憶手段を有し、記憶手段に記憶されている補正後移動目標位置座標値に基づいて、次回以降に前記観察位置に相当する観察位置又は同じ観察位置への移動時に採用する移動目標位置座標値を制御し、試料ステージ停止時の前記試料の所定位置と画像表示手段の所定位置とが一致するように動作する位置ずれ補正手段を有することを特徴とする。   The charged particle beam apparatus according to the present invention also converges a charged particle beam source that generates a charged particle beam, a sample stage that holds and moves the sample, and the charged particle beam emitted from the charged particle beam source to the sample. A lens, a deflector that deflects a charged particle beam, an image detection unit that detects an image of the sample, an image display unit that displays the detected image, a coordinate instruction unit that indicates a position on the sample, and a coordinate instruction A charged particle beam apparatus comprising: means for moving the sample stage to the position of the sample stage corresponding to the coordinate value designated on the coordinate instruction means and the coordinate value designated on the coordinate instruction means so that the coordinate value on the means and the coordinate value on the sample stage can be calibrated When observing an arbitrary observation position on the sample, the sample stage is moved so that the observation target position and the movement target position designated by the coordinate instruction means coincide with each other. A positional deviation amount calculating means for calculating a positional deviation amount between the predetermined position of the sample detected and the predetermined position of the image display means, and the movement target employed at that time using the calculated positional deviation amount. A corrected moving target position coordinate value stored in the storage means having means for correcting the position coordinate value to obtain a corrected moving target position coordinate value and a storing means for storing the calculated corrected moving target position coordinate value Based on the value, the movement target position coordinate value to be adopted when moving to the observation position corresponding to the observation position or the same observation position from the next time onward is controlled, and the predetermined position of the sample when the sample stage is stopped and the image display means It is characterized by having a misalignment correcting means that operates so as to coincide with a predetermined position.

本発明の荷電粒子線装置は、さらに観察予定位置と観察部分画像とその観察順序等を記憶した観察手順記憶装置を備え、観察手順記憶装置内の観察予定位置座標値と関連付けして位置ずれ量又は補正後移動目標位置座標値を記憶するようにしてもよい。   The charged particle beam apparatus according to the present invention further includes an observation procedure storage device that stores an observation planned position, an observation partial image, and an observation order thereof, and is associated with the observation planned position coordinate value in the observation procedure storage device. Alternatively, the corrected movement target position coordinate value may be stored.

このように視野ずれ量又はそのずれ量によって補正を行った移動目標位置の記録を観察手順記録と同時に記録・登録することによって、同じウェーハ上のパターンを繰り返し観察する時に、また同種のウェーハ上のパターンをやはり繰り返し観察する時に簡便で適切な方法を提供することが可能となる。   By recording and registering the record of the movement target position corrected in accordance with the visual field deviation amount or the deviation amount in this way at the same time as the observation procedure recording, when observing the pattern on the same wafer repeatedly, and on the same kind of wafer. It is possible to provide a simple and appropriate method when the pattern is observed repeatedly.

また、任意の観察位置への移動を行う際の移動目標位置座標を制御するときに、それ以前に収得された複数回分の位置ずれ量又は補正後移動目標位置座標値の統計処理結果を用いることができる。統計処理は平均処理とすることができる。統計処理は、また、現在に近い時刻に得られた位置ずれ検出結果に重い重み付けをした荷重平均処理とすることもできる。このように過去の視野ずれ量へ施す統計処理方法に平均化または時間の現在に近い方に重い重み付けをした荷重平均化を用いることで、試料ステージの停止精度を高い精度で安定させることが可能となる。   In addition, when controlling the movement target position coordinates when moving to an arbitrary observation position, use the statistical processing result of the positional deviation amount or the corrected movement target position coordinate value obtained before that multiple times. Can do. The statistical process can be an average process. The statistical processing can also be a weighted average processing in which weighting is heavily applied to the positional deviation detection result obtained at a time close to the present time. In this way, it is possible to stabilize the stopping accuracy of the sample stage with high accuracy by using the averaging method or the weighted averaging method that heavily weights the closer to the present time in the statistical processing method applied to the past visual field deviation amount. It becomes.

位置ずれ量算出手段で過去に遡って有効とされる位置ずれ量算出点数を予め指定する手段を設けてもよい。さらに、位置ずれ量算出手段で過去に遡って有効とされる位置ずれ量算出点数を予め観察手順記憶手段と関連付けして記憶する手段を有し、自動観察時に設定された算出点数分のみの前記位置ずれ量算出結果を有効とするようにすることもできる。
このように視野ずれ量又はそのずれ量によって補正を行った移動目標位置として採用するのを所定数に限ることで、必要とされる記憶容量を適切に抑えることが可能となる。
There may be provided means for designating in advance the number of misregistration amount calculation points that is effective retroactively by the misregistration amount calculation means. Furthermore, it has means for storing in advance the positional deviation amount calculation points that are effective retroactively by the positional deviation amount calculation means in association with the observation procedure storage means, and only for the calculation points set at the time of automatic observation It is also possible to validate the positional deviation amount calculation result.
In this way, by adopting a predetermined number of movement target positions that are corrected based on the visual field shift amount or the shift amount, the required storage capacity can be appropriately suppressed.

また、位置ずれ量又は補正後移動目標位置座標値の得られた荷電粒子線装置を識別する装置識別手段を有し、位置ずれ量記憶手段又は補正後移動目標位置座標値記憶手段は前記装置識別手段によって識別された荷電粒子線装置毎に位置ずれ量又は補正後移動目標位置座標値を前記観察予定位置と関連付けて記憶し、位置ずれ補正手段によって試料ステージの移動目標位置を決定するときに自らが検出した位置ずれ量又はその結果の反映された補正後移動目標位置座標値を統計処理した結果に基づいて試料ステージの移動目標位置を決定するように構成することもできる。   Further, the apparatus includes a device identification unit that identifies the charged particle beam device from which the displacement amount or the corrected movement target position coordinate value is obtained, and the displacement amount storage unit or the corrected movement target position coordinate value storage unit is the device identification. For each charged particle beam device identified by the means, a positional deviation amount or a corrected movement target position coordinate value is stored in association with the scheduled observation position, and when the movement target position of the sample stage is determined by the positional deviation correction means, The movement target position of the sample stage can also be determined based on the result of statistical processing of the corrected movement target position coordinate value in which the detected amount of displacement is reflected.

このように走査型電子顕微鏡装置を識別するための装置識別記号を設けることで、異なる装置間で観察手順を共有することが可能となる。
位置ずれ補正手段を有効又は無効に切り替える手段を設けてもよい。さらに、位置ずれ補正手段の有効又は無効の指定を予め観察手順記憶手段と関連付けして記憶する手段を有し、自動観察時に位置ずれ補正手段の有効又は無効を制御するようにしてもよい。
Thus, by providing the device identification symbol for identifying the scanning electron microscope device, it becomes possible to share the observation procedure between different devices.
Means for switching the misalignment correction means between valid and invalid may be provided. Furthermore, it is possible to have a means for storing the validity or invalidity designation of the positional deviation correction means in advance in association with the observation procedure storage means, and to control the validity or invalidity of the positional deviation correction means during automatic observation.

位置ずれ量算出手段を有効又は無効に切り替える手段を設けてもよい。さらに、位置ずれ量算出手段の有効又は無効の指定を予め前記観察手順記憶手段と関連付けして記憶する手段を有し、自動観察時に前記位置ずれ量算出手段の有効又は無効を制御するようにしてもよい。   Means for switching the positional deviation amount calculation means between valid and invalid may be provided. Furthermore, it has means for storing the validity or invalidity designation of the positional deviation amount calculation means in advance in association with the observation procedure storage means, and controls the validity or invalidity of the positional deviation amount calculation means during automatic observation. Also good.

また、本発明による荷電粒子線装置は、二次元方向に移動可能な試料ステージと、座標値指示手段とを有し、座標値指示手段上の座標値と試料ステージ上の座標値とを較正可能に対応付け、座標値指示手段上で指示した座標値と対応する試料ステージの位置へ試料ステージを移動させるように構成された荷電粒子線装置において、座標値指示手段で指定された目標位置と試料ステージの移動後の位置との間の位置ずれ量を顕微鏡視野において検出する目標位置ずれ検出手段と、目標位置ずれ検出手段による位置ずれ検出結果を目標位置と関連付けて記憶しておく位置ずれ量記憶手段と、座標値指示手段によって目標位置が指定されて試料ステージを目標位置に移動する際にそれ以前に位置ずれ量記憶手段に記憶されている当該目標位置に関する位置ずれ検出結果を統計処理した結果に基づいて試料ステージの移動目標位置を決定する位置ずれ補正手段とを有することを特徴とする。   The charged particle beam apparatus according to the present invention has a sample stage movable in a two-dimensional direction and a coordinate value indicating means, and can calibrate the coordinate values on the coordinate value indicating means and the coordinate values on the sample stage. In the charged particle beam apparatus configured to move the sample stage to the position of the sample stage corresponding to the coordinate value specified on the coordinate value indicating means, the target position and the sample specified by the coordinate value indicating means Target position deviation detecting means for detecting in the microscope visual field the amount of positional deviation between the stage after movement and the position deviation amount storage for storing the position deviation detection result by the target position deviation detecting means in association with the target position. And the target position stored in the positional deviation amount storage means when the target position is designated by the coordinate value indicating means and the sample stage is moved to the target position. Based on the positional deviation detection result statistically processed result; and a positional deviation correcting means for determining a movement target position of the sample stage.

この荷電粒子線装置は、観察時点以前でのその位置への移動に際して生じた視野ずれ量を予め考慮して試料ステージ移動目標位置を決定することによって試料ステージの停止精度を向上することが可能となる。目標位置ずれ検出手段は、観察時に得られる荷電粒子線装置像上の2点間の距離を測定する測長機能によって実現することができる。
本発明の荷電粒子線装置は、試料ステージの移動を繰り返すに従い、座標値指示手段で指定された目標位置と試料ステージの移動後の位置との間の位置ずれ量が次第に小さくなるという特徴を有する。
This charged particle beam apparatus can improve the stopping accuracy of the sample stage by determining the sample stage moving target position in consideration of the amount of visual field shift that occurs when moving to that position before the observation time. Become. The target position deviation detection means can be realized by a length measurement function that measures the distance between two points on the charged particle beam device image obtained at the time of observation.
The charged particle beam apparatus according to the present invention is characterized in that the amount of positional deviation between the target position specified by the coordinate value indicating means and the position after the movement of the sample stage gradually decreases as the movement of the sample stage is repeated. .

本発明により、近年の半導体製造工程での観察用に用いられている観察倍率の高い走査型電子顕微鏡等の荷電粒子線装置で必要とされている高い位置指示精度を持つ試料ステージを提供することが可能となる。また一方で高い装置稼働率と自動観察による工程管理も可能となる。   According to the present invention, there is provided a sample stage having a high position indicating accuracy required for a charged particle beam apparatus such as a scanning electron microscope having a high observation magnification used for observation in a recent semiconductor manufacturing process. Is possible. On the other hand, it is possible to manage the process by high equipment availability and automatic observation.

以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。ここでは、荷電粒子線装置として走査型電子顕微鏡を例にとって説明する。
図1に、本発明による荷電粒子線装置の一例である走査型電子顕微鏡の概要を示す。電子源18から一次電子線を発生させて、電子レンズ19によって収束させ、偏向器20によって試料21表面上を走査する。このときに発生した二次電子は検出器22によって検出される。この信号は試料表面の特に形状・成分等を反映しており、画像生成器23へ入力される。図中には無い偏向アンプの動作と同期されて二次元像を作成する画像生成器23にて、検出器の信号は走査型電子顕微鏡(以下、SEM)像として観察される。これらの仕組みは他の走査型電子顕微鏡と同様である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Here, a scanning electron microscope will be described as an example of the charged particle beam apparatus.
FIG. 1 shows an outline of a scanning electron microscope which is an example of a charged particle beam apparatus according to the present invention. A primary electron beam is generated from the electron source 18, converged by the electron lens 19, and scanned on the surface of the sample 21 by the deflector 20. The secondary electrons generated at this time are detected by the detector 22. This signal reflects, in particular, the shape and components of the sample surface, and is input to the image generator 23. The detector signal is observed as a scanning electron microscope (hereinafter, SEM) image by an image generator 23 that creates a two-dimensional image in synchronization with the operation of a deflection amplifier not shown in the figure. These mechanisms are the same as other scanning electron microscopes.

試料ステージ1はモータ2及び3により直交XY方向に駆動される。試料ステージ1には、その可動範囲に同一支持体(ウェーハ)上に焼き付けて作成してある複数の試料(チップ)4a,4b…をnx×ny個(図1では3×3=9)を搭載してある。試料ステージ制御装置5は、試料ステージ1の機械原点S1(0,0)を基準として、所要の距離だけモータ2及び3を駆動することにより、任意の位置に試料ステージ1を移動することができる。本実施例では、半導体製造工程でウェーハ(支持体)21上に焼き付けされたチップパターン(試料)4が3×3のみ配置されている。   The sample stage 1 is driven in the orthogonal XY directions by motors 2 and 3. In the sample stage 1, nx × ny pieces (3 × 3 = 9 in FIG. 1) of a plurality of samples (chips) 4a, 4b... Created by baking on the same support (wafer) in the movable range. It is installed. The sample stage control device 5 can move the sample stage 1 to an arbitrary position by driving the motors 2 and 3 by a required distance on the basis of the mechanical origin S1 (0,0) of the sample stage 1. . In this embodiment, only 3 × 3 chip patterns (samples) 4 baked on the wafer (support) 21 in the semiconductor manufacturing process are arranged.

ここで図2に示す制御盤(A)7には、座標指示をチップ配列とチップ内座標で指示できるようになっている。すでに観察位置が座標値として判明しているときには、座標値入力窓8に座標値を入力する。座標値が不明であったり観察・測定するパターンの位置を正確に決めていないときには、SEM画像の上でポインティングペン27によって指示する。その際には現ステージ位置にあるチップが自動的に指定されたチップ配列となる。したがって、位置の指示をする前に必ず所望のチップ位置へチップ配列座標10上で指示してステージを移動させておく必要がある。チップ配列指示座標10には設計データに基づいたチップ配列レイアウト図が描かれている。またチップ内位置指示座標11にはやはり設計データに基づいたチップレイアウトが描かれている。なお、チップ内位置指示は、表示のみチップ配列指示座標10上で行い、実際の指示をSEM画像9に見えている視野内で行っても良い。   Here, the control panel (A) 7 shown in FIG. 2 can be instructed to specify the coordinates by a chip arrangement and in-chip coordinates. When the observation position is already known as the coordinate value, the coordinate value is input to the coordinate value input window 8. When the coordinate value is unknown or the position of the pattern to be observed / measured is not accurately determined, the pointing pen 27 gives an instruction on the SEM image. At that time, the chip at the current stage position automatically becomes the chip arrangement designated. Therefore, it is necessary to move the stage by instructing to the desired chip position on the chip arrangement coordinates 10 before instructing the position. A chip array layout diagram based on the design data is drawn at the chip array designating coordinates 10. A chip layout based on the design data is also drawn on the in-chip position indicating coordinates 11. The in-chip position instruction may be performed only on the chip arrangement instruction coordinates 10 and the actual instruction may be performed within the field of view visible in the SEM image 9.

一方、本発明の特徴である位置ずれ補正機能は、観察試料として生産枚数の多いDRAM等のように全く同じ種類のチップ焼付けを多数枚のウェーハ上に行うものに特に有効である。すなわち、多数枚のウェーハから一定量の抜き取り検査を行う際に、検査枚数は多数に上る。同じ半導体工程によって製造されたチップでは、ウェーハ上でのチップ位置精度までほぼ同じ条件で焼付けを行われたと考えられる。同じ工程により焼き付けされたウェーハのうちの多数枚に渡って観察する必要がある際には、異なるウェーハ上でチップの互いに相当する同一個所の観察を繰り返し行うこととなるので、1回目の観察での試料ステージ位置に生じた位置ずれを次回から補正すれば良い。その結果、本発明の機能によって1回目又は特に初回テストでの位置ずれ発生を次回から補正するので、以降の観察ではステージ送りを高精度で行うことが可能となる。   On the other hand, the misregistration correction function, which is a feature of the present invention, is particularly effective for a case where the same type of chip baking is performed on a large number of wafers, such as a DRAM having a large production number as an observation sample. That is, when a certain amount of sampling inspection is performed from a large number of wafers, the number of inspections increases. It is considered that the chips manufactured by the same semiconductor process were baked under substantially the same conditions up to the chip position accuracy on the wafer. When it is necessary to observe a large number of wafers baked by the same process, the same portion of the chip corresponding to each other is repeatedly observed on different wafers. Any misalignment occurring at the sample stage position may be corrected from the next time. As a result, the occurrence of misalignment in the first time or particularly in the first test is corrected from the next time by the function of the present invention, so that the stage feed can be performed with high accuracy in the subsequent observation.

しかし、それ以外で例えばASIC等のように生産枚数の少ない場合には、検査枚数も少なく、場合によっては1回の検査にて焼き付け条件が決定される場合もある。こうした場合では、1回目での位置精度を必ずしも高精度化し得ない本発明の機能は有効で無い。そこで、この機能を場合によってはOFFとする必要がある。   However, in other cases, such as ASIC, when the number of produced sheets is small, the number of inspections is small, and in some cases, the printing conditions may be determined by one inspection. In such a case, the function of the present invention which cannot necessarily increase the position accuracy at the first time is not effective. Therefore, this function must be turned off in some cases.

本発明の機能のON/OFFの切り替えによって、試料ステージの位置精度の高い場合と低い場合が生じると、試料ステージの移動終了後に行う観察パターンの探索を画像処理によって自動的に行う必要のあるウェーハ面上での領域の広さに違いを生じる。すなわち、高い位置精度で試料ステージが停止した後では、すでに停止位置は観察パターンに近い位置に達しているので、探索を行う必要のある領域は必然的に狭くなる。また、逆に低い位置精度で試料ステージが停止した後では、停止位置と観察パターンの間には距離を大きく残しているので、探索を行う必要のある領域は必然的に広くなる。   When the ON / OFF switching of the function of the present invention causes a high or low position accuracy of the sample stage, a wafer that needs to be automatically searched for an observation pattern by image processing after the movement of the sample stage is completed There is a difference in the size of the area on the surface. That is, after the sample stage is stopped with high position accuracy, the stop position has already reached a position close to the observation pattern, so that the area that needs to be searched is inevitably narrowed. On the other hand, after the sample stage is stopped with low position accuracy, a large distance remains between the stop position and the observation pattern, so that the area that needs to be searched is inevitably widened.

本発明では、これに対処するために位置ずれ補正機能のスイッチングON/OFFを行う機能を付属させる。図3に示すように、制御盤(B)15には位置ずれ補正機能をON又はOFFとするスイッチを付加している。これを操作者が操作することによって位置ずれ補正機能を有効又は無効として本発明の走査型電子顕微鏡を操作することを可能とする。また、図2に示すように制御盤(A)7には、位置ずれ補正機能の現在実行状態を操作者へ伝えるための位置ずれ補正機能実行状態表示器65を備えている。操作者は、観察する試料の種類によって機能の選択に誤りが無いかを確認しながら操作を行うことができる。一方、本発明の走査型電子顕微鏡では手動による操作の他に、観察手順記憶装置40(レシピ)に記録された手順に従ってコンピュータ等の制御装置により自動的に観察を行う場合もある。本発明では、観察手順記憶装置40に位置ずれ補正機能ON/OFF登録記憶装置を備えている。位置ずれ補正機能ON/OFF登録記憶装置には図6に示すようにON/OFF状態が登録されており、観察手順記憶装置40を使って自動観察する際に位置ずれ補正機能の実行状態ON/OFFを切り替えることを可能としている。   In the present invention, in order to cope with this, a function for switching ON / OFF of the misalignment correction function is attached. As shown in FIG. 3, the control panel (B) 15 is provided with a switch for turning the position deviation correction function ON or OFF. By operating this, an operator can operate the scanning electron microscope of the present invention with the positional deviation correction function being enabled or disabled. Further, as shown in FIG. 2, the control panel (A) 7 is provided with a misalignment correction function execution state display 65 for transmitting the current execution state of the misalignment correction function to the operator. The operator can perform the operation while checking whether there is an error in selecting the function depending on the type of sample to be observed. On the other hand, in the scanning electron microscope of the present invention, in addition to the manual operation, observation may be automatically performed by a control device such as a computer according to the procedure recorded in the observation procedure storage device 40 (recipe). In the present invention, the observation procedure storage device 40 is provided with a positional deviation correction function ON / OFF registration storage device. As shown in FIG. 6, an ON / OFF state is registered in the misregistration correction function ON / OFF registration storage device. When the observation procedure storage device 40 is used for automatic observation, the execution status ON / OFF of the misregistration correction function is registered. It is possible to switch OFF.

また、位置ずれ補正機能の実行に際して、観察している試料の種類により補正に使用する過去の位置ずれ量測定結果をどの時点まで遡るかによって補正の効果による結果を変えることが可能となる。すなわち、例えば観察表面で電子線照射によりチャージアップしやすい場合には、滞留電荷の発生する電位分布のゆがみとその刻々と変化する状態によって走査型電子顕微鏡によって観察されている視野位置の試料表面で刻々と変化して行く現象が発生する。これをドリフトと呼ぶ。ドリフト現象の頻度が多くかつ程度の大きい試料の観察では、試料ステージと走査型電子顕微鏡視野との相対的な位置関係で常に不確定な変動を生じており、例えば、それが傾向としてある方向へと刻々と移動して行く。こうしたドリフト現象の位置ずれへ与える影響が大きい場合に、本発明の機能において過去の位置ずれ量測定結果を時間的に長期に渡って遡ると、ずれ量に含まれる偏差が大きくなり、本来の目的である正確な位置へのステージ送りを行うことができない。そこで本発明では過去に遡る位置ずれ量測定結果の数、すなわちそれらは一定の間隔でサンプリングされているので、測定点数分に相当する時間を限り、観察を行う試料によって操作者の判断により位置ずれ量測定点数を調整する機能を付加する。本発明では、図2に示すように制御盤(A)上に位置ずれ補正有効データ点数pcjの表示を行い、かつ同時に操作者によってpcjを入力するための入力窓を兼ね備えた補正有効データ点数入力窓66を備えている。   Further, when executing the positional deviation correction function, the result of the correction effect can be changed depending on the point in time of the past positional deviation amount measurement result used for correction depending on the type of sample being observed. That is, for example, when it is easy to charge up by irradiating an electron beam on the observation surface, the potential distribution on the surface of the sample observed by the scanning electron microscope depends on the distortion of the potential distribution in which the stagnant charges are generated and the state that changes every moment. A phenomenon that changes every moment occurs. This is called drift. In the observation of a sample having a high frequency and a large drift phenomenon, an uncertain fluctuation always occurs in the relative positional relationship between the sample stage and the scanning electron microscope field of view. And move every moment. When the effect of the drift phenomenon on the positional deviation is large, if the past positional deviation amount measurement result is traced back over time in the function of the present invention, the deviation included in the deviation amount becomes large, and the original purpose It is not possible to feed the stage to an accurate position. Therefore, in the present invention, the number of positional deviation amount measurement results going back in the past, that is, since they are sampled at regular intervals, the positional deviation is determined by the operator's judgment depending on the sample to be observed for a time corresponding to the number of measurement points. Adds a function to adjust the number of measurement points. In the present invention, as shown in FIG. 2, the effective position data correction point pcj is displayed on the control panel (A), and at the same time, the correction effective data point input having an input window for inputting pcj by the operator is provided. A window 66 is provided.

また、位置ずれ補正機能のスイッチングON/OFFと同様に、観察手順記憶装置40(レシピ)に記録された手順に従ってコンピュータ等の制御装置により自動的に観察を行う場合もある。本発明では、図1に示すように観察手順記憶装置40には位置ずれ量補正使用点数登録記憶装置62を備えている。この位置ずれ量補正使用点数登録記憶装置62には、図7に示すように位置ずれ補正有効データ点数pcjの必要なときに読み出し可能で、記憶しておきたいときに書き込み可能な状態で記録されている。
本発明では、過去の一定期間に位置ずれ量を測定し続けて、ある時点からその測定結果を用いて移動目標位置に補正を行うことで新たな移動目標位置を決定し、その後の移動時での試料ステージ位置精度を向上させる方法もある。
In addition, as in the case of switching ON / OFF of the positional deviation correction function, observation may be automatically performed by a control device such as a computer according to the procedure recorded in the observation procedure storage device 40 (recipe). In the present invention, as shown in FIG. 1, the observation procedure storage device 40 includes a misregistration amount correction use point registration storage device 62. In this misregistration amount correction use point registration storage device 62, as shown in FIG. 7, the misregistration correction effective data point pcj can be read when necessary, and is recorded in a writable state when it is desired to store. ing.
In the present invention, the position shift amount is continuously measured for a fixed period in the past, and a new movement target position is determined by correcting the movement target position using the measurement result from a certain point in time. There is also a method for improving the sample stage position accuracy.

本発明では、位置ずれ量測定機能をON又はOFFする機能によってこれを可能とする。図3に示すように、制御盤(B)15には位置ずれ測定機能をON又はOFFとするスイッチを付加している。これを操作者が操作することによって位置ずれ量測定機能を有効又は無効とすることで本発明の走査型電子顕微鏡を操作することを可能とする。   In the present invention, this is enabled by the function of turning on or off the positional deviation amount measuring function. As shown in FIG. 3, the control panel (B) 15 is provided with a switch for turning the position deviation measuring function ON or OFF. The scanning electron microscope of the present invention can be operated by enabling or disabling the positional deviation amount measuring function by operating the operator.

また、図2に示すように制御盤(A)7には位置ずれ量測定機能のその時点での実行状態を操作者に対して伝えるための位置ずれ量測定機能実行状態表示器68を備えている。操作者は、その都度に観察の目的に沿って機能の選択に誤りが無いかを確認しながら操作を行うことができる。   Further, as shown in FIG. 2, the control panel (A) 7 is provided with a positional deviation amount measuring function execution state display 68 for informing the operator of the execution state of the positional deviation amount measuring function at that time. Yes. The operator can perform the operation while checking whether there is an error in the selection of the function in accordance with the purpose of observation each time.

一方、本発明の走査型電子顕微鏡では手動による操作の他に図12に示している観察手順記憶装置40(レシピ)に記録された手順に従ってコンピュータ等の制御装置により自動的に観察を行う場合もある。本発明では、観察手順記憶装置40に位置ずれ量測定機能ON/OFF登録記憶装置68を備えている。位置ずれ量測定機能ON/OFF登録記憶装置68には図21に示すようにON/OFF状態が登録されており、観察手順記憶装置40を使って自動観察される際に位置ずれ量測定機能の実行状態ON/OFFを切り替えることを可能としている。   On the other hand, in the scanning electron microscope of the present invention, in addition to manual operation, there is a case where observation is automatically performed by a control device such as a computer in accordance with the procedure recorded in the observation procedure storage device 40 (recipe) shown in FIG. is there. In the present invention, the observation procedure storage device 40 is provided with a positional deviation amount measurement function ON / OFF registration storage device 68. The positional deviation amount measurement function ON / OFF registration storage device 68 is registered with an ON / OFF state as shown in FIG. 21, and the positional deviation amount measurement function when the observation procedure storage device 40 is automatically observed is used. It is possible to switch the execution state ON / OFF.

これらは走査型電子顕微鏡本体のSEM制御装置6を動かしているソフト上に実現しても良い。したがって本発明では図1のように別に実物として制御盤を設けるのみならず、あらゆる形での制御盤実現方法を含むものである。操作者は制御盤(A)7及び(B)15の画面上に相当する表示を見たり、そこで必要な指示を与えることができる。制御盤(A)7にて予め登録された観察部分のチップ内座標値(xs,ys)と、観察しようとする試料の配置位置(nx,ny)が出力される。すると座標値変換器12にて、その位置の指示座標Xa-Yaの原点位置S2(0,0)からの距離を出力するようになっている。   These may be realized on software operating the SEM control device 6 of the scanning electron microscope main body. Accordingly, in the present invention, not only a control panel is provided as an actual product as shown in FIG. The operator can view the corresponding display on the screens of the control panels (A) 7 and (B) 15 and give necessary instructions there. The in-chip coordinate value (xs, ys) of the observation portion registered in advance in the control panel (A) 7 and the arrangement position (nx, ny) of the sample to be observed are output. Then, the coordinate value converter 12 outputs the distance from the origin position S2 (0, 0) of the designated coordinates Xa-Ya at that position.

他に手動操作によって試料ステージを動かすために、ステージ制御装置5にはスイッチ類としてトラックボール13等が接続されている。トラックボール13が操作された場合は、その回転に従って試料ステージ1が移動するようにモータ2又は3を駆動する。   In addition, in order to move the sample stage by manual operation, a trackball 13 or the like is connected to the stage controller 5 as switches. When the trackball 13 is operated, the motor 2 or 3 is driven so that the sample stage 1 moves according to the rotation.

トラックボール13又は制御盤(A)7での操作者の指示を受けて移動指令が実行されると、ステージ制御装置5はリニアスケール24の座標読み取り値をリニアスケールコントローラ14より受け取り、この座標値が移動指示値(xst,yst)に相当する値と一致するまでモータ2及び3を駆動する。   When a movement command is executed in response to an operator instruction on the trackball 13 or the control panel (A) 7, the stage control device 5 receives the coordinate read value of the linear scale 24 from the linear scale controller 14, and this coordinate value. Motors 2 and 3 are driven until the value coincides with the value corresponding to the movement instruction value (xst, yst).

操作者は必要に応じて制御盤(B)15の各種スイッチを押してその都度必要な機能を実行する。図3に各種スイッチの搭載状況を示す。操作者が配置用座標較正点AP1登録スイッチを押すと、SEM制御装置6ではその時点での試料ステージ位置をリニアスケール24にて読み取り、その値を較正点登録装置16へ登録記憶する。また、配置用座標較正点AP2登録スイッチを押すとAP1と同様の方法にて登録記憶される。一方、測長点登録MPスイッチを押すと、上記較正点登録時と同様にその時点での試料ステージ位置をリニアスケール24にて読み取り、その値を測長点登録記憶装置17へ登録記憶する。以上のスイッチ類では、操作者がスイッチを押すとその時点での試料ステージ位置が各々の目的のために登録・記録される。   The operator presses various switches on the control panel (B) 15 as necessary to execute necessary functions each time. FIG. 3 shows the mounting status of various switches. When the operator presses the placement coordinate calibration point AP1 registration switch, the SEM control device 6 reads the sample stage position at that time with the linear scale 24 and registers and stores the value in the calibration point registration device 16. When the arrangement coordinate calibration point AP2 registration switch is pressed, registration and storage are performed in the same manner as AP1. On the other hand, when the length measuring point registration MP switch is pressed, the sample stage position at that time is read by the linear scale 24 and the value is registered and stored in the length measuring point registration storage device 17 as in the case of the calibration point registration. In the above switches, when the operator presses the switch, the sample stage position at that time is registered and recorded for each purpose.

上記の登録操作後に観察を行うために改めてウェーハを搭載し直したときに、操作者が座標較正AP1を押すと、上記操作で記憶登録されている位置とその時点での試料ステージの位置との関連付けが行われる。また座標較正AP2でも同様に記憶登録されている位置とその時点での試料ステージ位置との関連付けを行う。AP1とAP2についてともに関連付けが終了すると、自動的に観察位置を指定するための指示座標Xa-Yaとステージ座標Xst-Ystの間での座標較正が行われる。   When the operator presses the coordinate calibration AP1 when the wafer is loaded again for observation after the registration operation, the position stored and registered in the operation and the position of the sample stage at that time are displayed. Association is performed. Similarly, the coordinate calibration AP2 associates the position stored and registered with the sample stage position at that time. When the association is completed for both AP1 and AP2, coordinate calibration between the designated coordinates Xa-Ya and stage coordinates Xst-Yst for automatically specifying the observation position is performed.

位置ずれ補正機能ON/OFFスイッチを操作者が押すと、位置ずれ補正機能をON又はOFFとすることができる。また、位置ずれ量測定機能ON/OFFスイッチを操作者が押すと、試料ステージの移動終了毎に視野位置の位置ずれ量の測定を実行する機能をON又はOFFとすることができる。   When the operator presses the misalignment correction function ON / OFF switch, the misalignment correction function can be turned ON or OFF. Further, when the operator presses the position deviation amount measurement function ON / OFF switch, the function of measuring the position deviation amount of the visual field position every time the movement of the sample stage is completed can be turned ON or OFF.

一方、図12の観察手順記憶装置40には自動測長シーケンスを実行するための各種データが収められている。ここに含まれる較正点登録記憶装置16、測長点登録記録装置17には、自動測長シーケンスを実行する際の較正点AP及び測長点MPに関する、例えばチップ内位置座標値(xa,ya)(xm,ym)・チップ配列位置(nxa,nya)(nxm,nym)・画像照合による位置特定を実行する際に使うSEM画像記録等が操作者の意図に従って登録されている。   On the other hand, the observation procedure storage device 40 of FIG. 12 stores various data for executing the automatic length measurement sequence. The calibration point registration storage device 16 and the measurement point registration recording device 17 included therein include, for example, in-chip position coordinate values (xa, ya) related to the calibration point AP and the measurement point MP when the automatic length measurement sequence is executed. ) (xm, ym), chip array position (nxa, nya) (nxm, nym), and SEM image recording used when performing position identification by image collation are registered according to the intention of the operator.

図4に較正点登録記憶装置の一例を示す。較正点登録記憶装置16内には、較正点の数だけAP1,AP2と各々についての自動観察を行うために必要とされる情報が登録されている。例えば、AP1では、ウェーハ21上での観察点AP1を含んだあるチップに移動してポインティングペン27にてSEM像上で具体的に指示を行って求められた観察位置をチップ内座標値に変換して登録する。すなわち、SEM制御装置6側で、その時点でのステージ座標値(xst,yst)とチップ配列(nx,ny)から観察したい部分の位置をポインティングペンで指示された位置座標のチップ内座標値(xa,ya)へ変換して求める。このようにして求められたチップ内座標値(xa,ya)とチップ配列(nx,ny)は、画像照合に用いる観察部分像とともに図5に示すように登録記憶される。AP2についても同様である。   FIG. 4 shows an example of the calibration point registration storage device. In the calibration point registration storage device 16, AP1 and AP2 as many as the number of calibration points and information necessary for performing automatic observation for each are registered. For example, in AP1, the observation position obtained by moving to a certain chip including the observation point AP1 on the wafer 21 and giving a specific instruction on the SEM image with the pointing pen 27 is converted into an in-chip coordinate value. And register. That is, on the SEM control device 6 side, the position coordinates of the portion to be observed from the stage coordinate values (xst, yst) and the chip arrangement (nx, ny) at that time are in-chip coordinate values of the position coordinates indicated by the pointing pen ( xa, ya). The in-chip coordinate values (xa, ya) and the chip arrangement (nx, ny) obtained in this way are registered and stored as shown in FIG. 5 together with the observation partial image used for image collation. The same applies to AP2.

図5に測長点登録記憶装置の一例を示す。測長点登録記憶装置17A内には、測長点の数だけMP1,MP2,…,MPjと各々についての自動観察を行うために必要とされる情報が登録されている。例えば、MP1では、ウェーハ21上での観察点MP1を含んだあるチップに移動してポインティングペン27にてSEM像上で具体的に指示を行って求められた観察位置をチップ内座標値に変換して登録する。すなわち、SEM制御装置6側でその時点でのステージ座標値(xst,yst)とチップ配列(nx,ny)から観察したい部分の位置をポインティングペンで指示された位置座標のチップ内座標値(xm,ym)へ変換して求める。このようにして求められたチップ内座標値(xm,ym)とチップ配列(nx,ny)は、画像照合に用いる観察部分像とともに図5に示すように登録記憶される。MP2,…,MPjについても同様である。   FIG. 5 shows an example of the measuring point registration storage device. In the measurement point registration storage device 17A, information necessary for performing automatic observation for each of MP1, MP2,..., MPj and the number of measurement points is registered. For example, in MP1, the observation position obtained by moving to a certain chip including the observation point MP1 on the wafer 21 and giving a specific instruction on the SEM image with the pointing pen 27 is converted into an in-chip coordinate value. And register. That is, on the SEM control device 6 side, the position of the portion desired to be observed from the stage coordinate value (xst, yst) and the chip arrangement (nx, ny) at that point in time is the in-chip coordinate value (xm , ym). The in-chip coordinate values (xm, ym) and the chip arrangement (nx, ny) obtained in this way are registered and stored as shown in FIG. 5 together with the observation partial image used for image collation. The same applies to MP2,.

ところで、チップ内座標値(xm,ym)とチップ配列(nx,ny)によって表される観察位置への試料ステージ移動を所定の回数だけ繰り返すと、移動目標位置への試料ステージ移動終了後に残った視野位置ずれ量を各測長点MP1,MP2,…,MPjについて、観察回数に従って記憶登録する。例えばMP1では、(dxm11,dym11),(dxm12,dym12),…,(dxm1i,dym1i)とi回の移動分の視野位置ずれ量を登録記憶する。MP2,…,MPjについても同様である。   By the way, if the sample stage movement to the observation position represented by the in-chip coordinate value (xm, ym) and the chip arrangement (nx, ny) is repeated a predetermined number of times, it remains after the movement of the sample stage to the movement target position is completed. The visual field position shift amount is stored and registered in accordance with the number of observations for each of the measurement points MP1, MP2,. For example, in MP1, (dxm11, dym11), (dxm12, dym12), ..., (dxm1i, dym1i) and the visual field position shift amount for i movements are registered and stored. The same applies to MP2,.

一方、本発明の位置ずれ補正機能を自動測長シーケンス実行時に実現するための位置ずれ補正機能ON/OFF登録記憶装置61と位置ずれ補正使用点数登録記憶装置62を観察手順記憶装置40に備えている。それらを図6及び図7に示す。これらは自動測長シーケンス上では図8に示すシーケンスにて実行される。すなわち以下の通りとなる。   On the other hand, the observation procedure storage device 40 includes a positional deviation correction function ON / OFF registration storage device 61 and a positional deviation correction use point registration storage device 62 for realizing the positional deviation correction function of the present invention during execution of the automatic length measurement sequence. Yes. They are shown in FIGS. These are executed in the sequence shown in FIG. 8 on the automatic length measurement sequence. That is, it is as follows.

ステップSA001:観察手順記憶装置に記憶してあるON/OFF登録内容の読取り
ステップSA002:ステップSA001の結果でON/OFFチェック
ステップSA003:制御盤(A)の位置ずれ補正機能実行状態登録内容の読み取り
ステップSA004:ステップSA003の結果でON/OFFチェック
ステップSSA001:位置ずれ補正ON/OFF機能をON
ステップSSA002:位置ずれ補正ON/OFF機能をOFF
Step SA001: Reading the ON / OFF registration contents stored in the observation procedure storage device Step SA002: Checking the ON / OFF based on the result of Step SA001 Step SA003: Reading the registration information of the position correction function execution status of the control panel (A) Step SA004: ON / OFF check based on the result of Step SA003 Step SSA001: ON / OFF function for misalignment correction
Step SSA002: Misalignment correction ON / OFF function OFF

また、位置ずれ量測定を自動測長シーケンス実行時に平行して行うかどうかを予め決定又は設定しておくための位置ずれ量測定機能ON/OFF登録記録装置を観察手順記憶装置40に備えている。それを図21に示す。これは図22に示すシーケンスにて実行される。すなわち以下の通りとなる。   In addition, the observation procedure storage device 40 is provided with a positional deviation amount measurement function ON / OFF registration recording device for determining or setting in advance whether or not the positional deviation amount measurement is performed in parallel when the automatic length measurement sequence is executed. . This is shown in FIG. This is executed in the sequence shown in FIG. That is, it is as follows.

ステップSD001:観察手順記憶装置に記憶してある位置ずれ量測定機能実行状態ON/OFF読取り
ステップSD002:ステップSD001の結果でON/OFFチェック
ステップSD003:制御盤(A)の位置ずれ量測定機能実行状態登録内容の読み取り
ステップSD004:ステップSD003の結果でON/OFF手動スイッチのチェック
ステップSSD001:位置ずれ量測定機能ON/OFFをON
ステップSSD002:位置ずれ量測定機能ON/OFFをOFF
Step SD001: Position deviation amount measurement function execution state stored in the observation procedure storage device ON / OFF reading Step SD002: ON / OFF check based on the result of step SD001 Step SD003: Position deviation amount measurement function execution of control panel (A) Reading status registration contents Step SD004: Checking the ON / OFF manual switch based on the result of step SD003 Step SSD001: Turning ON / OFF the position deviation measurement function
Step SSD002: Position deviation amount measurement function ON / OFF OFF

図9に画像照合により測長点位置を求める仕組みを示す。SEM画像を取り込んだ画像メモリ9上には目的とするパターン以外にも種々の像を映し出している。画像メモリ9では、予め測長点登録記憶装置17に例えばMP1に登録された測長点位置を特定するためのSEM像と同じサイズの領域(以下では画像枠30と呼ぶ)を上記の画像メモリ9上から画像枠位置指示器31からの指示による任意の位置から切り出して、画像照合装置32へ送る。   FIG. 9 shows a mechanism for obtaining the measurement point position by image collation. In addition to the target pattern, various images are displayed on the image memory 9 in which the SEM image is taken. In the image memory 9, an area (hereinafter referred to as an image frame 30) having the same size as the SEM image for specifying the measurement point position registered in advance in the measurement point registration storage device 17, for example, in MP 1 is referred to as the above image memory. 9 Cut out from an arbitrary position according to an instruction from the image frame position indicator 31 from above, and send it to the image collating device 32.

画像照合装置32では、測長点登録記憶装置17に登録された画像26-2とこれの相関値を求めてその一致度を求める。これがある一定レベル値以上を超えており「一致」と判断すると、画像照合一致時ON信号adjをONとしてゲート33からこの時点で画像枠位置指示器31の指示している画像位置(xg,yg)をSEM制御装置6へ出力する。ただし(xg,yg)は一次電子線走査範囲に対応した画像全体を含む画像メモリ9上の座標XG-YGでの値である。   The image collation device 32 obtains the degree of coincidence by obtaining the image 26-2 registered in the measurement point registration storage device 17 and its correlation value. If this exceeds a certain level value and is judged to be “match”, the ON signal adj at the time of image matching is turned ON and the image position (xg, yg) indicated by the image frame position indicator 31 at this time from the gate 33 is turned ON. ) To the SEM control device 6. However, (xg, yg) is a value at coordinates XG-YG on the image memory 9 including the entire image corresponding to the primary electron beam scanning range.

一方、偏向オフセット量指示器34では、この時の一次電子線走査範囲の試料上での位置を示す座標値(xdof,ydof)を偏向指示器35へ出力する。偏向指示器35では、SEM制御装置6で生成されているSEM像倍率に連動した振幅値を持つ「のこぎり波」信号に加えるオフセット量を座標値(xdof,ydof)に連動するように変化させて、偏向器20によって走査される一次電子線の試料上での走査位置を任意に変化させる。実際には、アンプ36での増幅時に発生する誤差等の問題を抱えることを防ぐために偏向器を上記のものとは別に用意して、オフセット量分の一次電子線の偏向をそこで行うようにする。このとき上記の偏向器には倍率連動振幅の「のこぎり波」をそのまま加えるようにする。   On the other hand, the deflection offset amount indicator 34 outputs coordinate values (xdof, ydof) indicating the position of the primary electron beam scanning range on the sample at this time to the deflection indicator 35. In the deflection indicator 35, the offset amount added to the “sawtooth wave” signal having the amplitude value linked to the SEM image magnification generated by the SEM control device 6 is changed so as to be linked to the coordinate value (xdof, ydof). The scanning position of the primary electron beam scanned by the deflector 20 on the sample is arbitrarily changed. Actually, in order to prevent problems such as errors generated during amplification by the amplifier 36, a deflector is prepared separately from the above, and the deflection of the primary electron beam corresponding to the offset amount is performed there. . At this time, a “sawtooth wave” having a magnification interlocking amplitude is directly applied to the deflector.

以上の一連の動作によって、もし画像の「一致」の得られない場合には画像照合一致時ON信号adjがOFFとなりゲート33は閉じられて、位置信号(xg,yg)は出力されない。さらに、この時の画像枠位置指示器31は1ステップ分のみx方向又はy方向にずらされて、再び上記の一連の画像照合の動作が繰り返される。もし、画像枠30の移動によって画像メモリ上の全ての領域を覆い尽くしてしまい、新たな移動先の無い場合には、画像照合装置32は偏向オフセット量指示器34へオフセット量を変更するように指示信号を出力する。   According to the series of operations described above, if the “match” of the image is not obtained, the ON signal adj at the time of the image collation match is turned OFF, the gate 33 is closed, and the position signal (xg, yg) is not output. Further, the image frame position indicator 31 at this time is shifted in the x direction or the y direction by one step, and the above-described series of image collation operations are repeated again. If all the areas on the image memory are covered by the movement of the image frame 30 and there is no new movement destination, the image collating device 32 changes the offset amount to the deflection offset amount indicator 34. An instruction signal is output.

偏向オフセット量指示器34では、1ステップ分のみx方向又はy方向に偏向信号のオフセット量を変更する。もし、一次電子線走査可能範囲全域に渡って走査範囲を移動させても、なおSEM画像の「一致」が得られない場合には、SEM制御器は試料ステージ位置を1ステップ分のみx方向又はy方向に移動させるようにステージ制御装置5への指示位置を変更する。以上の一連の動作によって測長点の位置を特定する特徴的なパターンを写したSEM像を探索する。   The deflection offset amount indicator 34 changes the offset amount of the deflection signal in the x direction or the y direction only for one step. If the SEM image “coincidence” is still not obtained even when the scanning range is moved over the entire scanning range of the primary electron beam, the SEM controller sets the sample stage position in the x direction or by one step. The indicated position to the stage controller 5 is changed so as to move in the y direction. An SEM image in which a characteristic pattern for specifying the position of the measurement point is copied is searched for by the series of operations described above.

SEM像上で目的とするパターンが抽出されたら、較正点登録記憶装置16に記憶されているSEM画像上での較正点の位置(十字印)が特定されるので、このときに画像メモリ9に付属されているスケール38によって画像枠30上での座標の原点(例えば画像枠の重心)からの距離(ddix,ddiy)が自動的に求められる。これはスケール38を制御しているスケール制御器37によってSEM制御装置6へ(ddix,ddiy)が出力される。一方、偏向オフセット量指示器34からは、この時の偏向走査範囲のオフセット量を示す信号(xdof,ydof)がSEM制御装置6へ出力されている。   When the target pattern is extracted on the SEM image, the position (cross mark) of the calibration point on the SEM image stored in the calibration point registration storage device 16 is specified. The distance (ddix, ddiy) from the origin of the coordinates on the image frame 30 (for example, the center of gravity of the image frame) is automatically obtained by the attached scale 38. In this case, (ddix, ddiy) is output to the SEM controller 6 by the scale controller 37 that controls the scale 38. On the other hand, the deflection offset amount indicator 34 outputs a signal (xdof, ydof) indicating the offset amount of the deflection scanning range at this time to the SEM control device 6.

ここまでの一連の動作によって、SEM制御装置6には求める測長点の位置を求めるために必要な座標値の全てが入力された。それらは、すなわち、(xg,yg)、(xdof,ydof)、(ddx,ddy)である。先ずウェーハ上に置かれた指示座標Xa-Yaで表される画像枠の位置(xm,ym)を、(xg,yg)と(xdof,ydof)から〔数2〕により求める。なお、f1とf2は式右辺から左辺への変換を表す関数である。   Through the series of operations so far, all the coordinate values necessary for obtaining the position of the length measurement point to be obtained are input to the SEM control device 6. They are (xg, yg), (xdof, ydof), (ddx, ddy). First, the position (xm, ym) of the image frame represented by the designated coordinates Xa-Ya placed on the wafer is obtained from (xg, yg) and (xdof, ydof) by [Equation 2]. Note that f1 and f2 are functions representing conversion from the right side of the expression to the left side.

〔数2〕
xm=f1(xdof,xg)
ym=f2(ydof,yg)
[Equation 2]
xm = f1 (xdof, xg)
ym = f2 (ydof, yg)

さらに、やはり指示座標Xa-Yaで表される測長点の位置(xxst,yyst)を上記と求めた(xm,ym)と(ddix,ddiy)から〔数3〕により求める。なお、f3とf4は式右辺から左辺への変換を表す関数である。   Further, the position (xxst, yyst) of the length measurement point also represented by the designated coordinates Xa-Ya is obtained by [Equation 3] from (xm, ym) and (ddix, ddiy) obtained as described above. Note that f3 and f4 are functions representing conversion from the right side of the expression to the left side.

〔数3〕
xxst=f3(xm,ddix)
yyst=f4(ym,ddiy)
[Equation 3]
xxst = f3 (xm, ddix)
yyst = f4 (ym, ddiy)

以上の動作シーケンスをフローチャートに示すと図11となる。このフローチャートは、目標位置へのステージ移動終了後に視野のずれ量を求める一連の処理の流れを示している。   FIG. 11 is a flowchart showing the above operation sequence. This flowchart shows a flow of a series of processes for obtaining a visual field shift amount after the stage movement to the target position is completed.

ステップS001:目標位置へのステージ移動終了
ステップS002:視野内での目標パターン有無は?
ステップS003:位置ずれ量検出機能状態ON/OFF
ステップS004:視野ずれ量を検出
ステップS005:目標位置に対する視野ずれ量出力
ステップS006:視野ずれ量記憶・登録
ステップS007:視野内で新たに画像枠の移動は可能か?
ステップS008:視野内で画像枠を一定量移動
ステップS009:新たにイメージシフトによる走査範囲の移動は可能か?
ステップS010:イメージシフト一定量移動
ステップS011:ステージ一定量移動
ステップS012:次観察位置へ移動
Step S001: End of stage movement to target position Step S002: Is there a target pattern in the field of view?
Step S003: Position deviation detection function status ON / OFF
Step S004: Detect visual field deviation amount Step S005: Output visual field deviation amount with respect to target position Step S006: Visual field deviation amount storage / registration step S007: Is it possible to newly move the image frame within the visual field?
Step S008: Move the image frame by a certain amount within the field of view Step S009: Is it possible to newly move the scanning range by image shift?
Step S010: Image shift constant amount movement step S011: Stage constant amount movement step S012: Move to the next observation position

さらに座標較正点位置の特定でも上記の探索動作は基本的には全く同じものである。
ここで図10に、ステージ座標Xst-Ystと指示座標Xa-Yaの間の座標値変換の仕組みを示す。2点鎖線の内側が座標値変換器12の構造を示している。
Further, the above search operation is basically the same for specifying the coordinate calibration point position.
FIG. 10 shows a mechanism of coordinate value conversion between the stage coordinates Xst-Yst and the designated coordinates Xa-Ya. The inner side of the two-dot chain line shows the structure of the coordinate value converter 12.

SEM制御装置6では、制御盤(A)7から観察位置を指示する信号(xs,ys)(nx,ny)を測長点登録記憶装置17Aからは測長点NOのMP.NO、観察位置を示す(xs,ys)(nx,ny)、また前回の観察までに相当する位置で発生した視野ずれを示す(dx,dy)、測長点の位置を特定するのに用いるSEM画像を受け取っている。必要に応じてこれらの値の表示盤への表示の際や、登録記憶する必要のある時には上記とは逆方向にSEM制御装置6から出力される。   In the SEM control device 6, a signal (xs, ys) (nx, ny) instructing the observation position from the control panel (A) 7 is sent from the measurement point registration storage device 17A to the MP.NO of the measurement point NO, the observation position. (Xs, ys) (nx, ny) indicating the field of view displacement that occurred at the position corresponding to the previous observation (dx, dy), and receiving the SEM image used to identify the position of the measurement point ing. If necessary, these values are output from the SEM control device 6 in the opposite direction to the above when the values are displayed on the display board or when it is necessary to register and store them.

SEM制御装置6では、これらのデータを受けて、先ず観察位置を示す(xs,ys)(nx,ny)をBuff2及びBuff3を経由してADD1へ出力する。ADD1ではチップ設計情報であるピッチ(px,py)、オフセット量(xoffset,yoffset)を基に仮指示座標値(xaa,yaa)を出力する。Buff1経由で出力された視野ずれ量(dx,dy)は上記仮指示座標値(xaa,yaa)とともにADD2にて算術されて指示座標値(xa,ya)となる。指示座標値(xa,ya)はCONV1にてステージ座標値(xst,yst)へ変換され、試料ステージ制御装置5へ出力される。   In response to these data, the SEM control device 6 first outputs (xs, ys) (nx, ny) indicating the observation position to ADD1 via Buff2 and Buff3. In ADD1, provisional designated coordinate values (xaa, yaa) are output based on the pitch (px, py) and offset amounts (xoffset, yoffset), which are chip design information. The visual field shift amount (dx, dy) output via Buff1 is arithmetically operated by ADD2 together with the temporary designated coordinate value (xaa, yaa) to become the designated coordinate value (xa, ya). The indicated coordinate value (xa, ya) is converted into a stage coordinate value (xst, yst) by CONV1 and output to the sample stage control device 5.

上記の一連の流れは、SEM制御装置6からステージ制御装置5へ観察位置の座標値を指示する際のものを示したものである。ここで逆にリニアスケール24を読み取ったステージ座標値をSEM制御装置6側へ戻す必要がある。これは、先ずリニアスケール24の読み取り座標値であるステージ座標値(xxst,yyst)をCONV2によって指示座標値(xxa,yya)へ変換する。DIV1は、ADD1と同様にSEM制御装置6からチップ設計情報であるピッチ(p x,py)、オフセット量(xoffset,yoffset)を受け取っており、これを基に(xxa,yya)で示されている現ステージ位置をチップ配列(nnx,nny)とチップ内座標値(xxs,yys)で表されるように変換する。チップ内座標値(xxs,yys)は、Buff6に受けられているその観察位置にてSEM制御装置6のステージ制御装置5へ指示している座標値との間でDIF1において差(ddx,ddy)の算術に使われる。この差(ddx,ddy)は、観察位置を指示したものの実際には観察視野上で位置ずれを生じた距離を表している。こうして求められた(ddx,ddy)、(xxs,yys)、(nnx,nny)は測長点登録記憶装置17A・較正点記憶装置16等へ記憶登録処理される。   The above-described series of flows shows a flow when the coordinate value of the observation position is instructed from the SEM control device 6 to the stage control device 5. Here, on the contrary, it is necessary to return the stage coordinate value obtained by reading the linear scale 24 to the SEM control device 6 side. First, the stage coordinate value (xxst, yyst), which is the read coordinate value of the linear scale 24, is converted into the indicated coordinate value (xxa, yya) by CONV2. DIV1 receives the pitch (px, py) and offset amount (xoffset, yoffset), which are chip design information, from SEM control device 6 in the same manner as ADD1, and is indicated by (xxa, yya) based on this. The current stage position is converted so as to be represented by a chip array (nnx, nny) and in-chip coordinate values (xxs, yys). The in-chip coordinate value (xxs, yys) is the difference (ddx, ddy) in DIF1 from the coordinate value instructed to the stage control device 5 of the SEM control device 6 at the observation position received by Buff6. Used for arithmetic. This difference (ddx, ddy) represents the distance at which the position of the observation is actually generated although the observation position is indicated. The (ddx, ddy), (xxs, yys), and (nnx, nny) thus obtained are stored and registered in the measurement point registration storage device 17A, the calibration point storage device 16 and the like.

以上、上記の実施の形態は過去の一定期間に収得した位置ずれ量を記憶しておくことで、ある時点からの試料ステージ移動目標位置の補正に用いるものであった。一方、試料ステージの観察位置への移動終了毎に、測定される位置ずれ量を用いてその移動時に採用されていた移動目標位置をその都度に補正して新たな補正後移動目標位置を求めかつ記憶し続ける方法による実施の形態がある。その実施の形態では、次回の同一個所又は相当する観察位置への移動時には、それまでに記憶されて来た過去の補正後移動目標位置を用いて統計学的な処理によって新たな移動目標位置を求める。   As described above, the above-described embodiment is used for correcting the sample stage movement target position from a certain point in time by storing the amount of positional deviation obtained in a past fixed period. On the other hand, each time the movement of the sample stage to the observation position is completed, the movement target position that was adopted at the time of movement is corrected each time using the measured displacement amount, and a new corrected movement target position is obtained. There is an embodiment by the method of continuing to memorize. In the embodiment, at the next movement to the same location or the corresponding observation position, a new movement target position is obtained by statistical processing using the past corrected movement target position stored so far. Ask.

この実施の形態では、図1に示す本発明の前記実施の形態とは特に測長点登録記憶装置が異なる。すなわち、視野位置ずれ量(dxm,dym)ではなく補正後移動目標位置(xmt,ymt)の履歴を各測長点毎に記憶する。図23に測長点登録記憶装置の一例を示す。   This embodiment is different from the embodiment of the present invention shown in FIG. That is, not the visual field position shift amount (dxm, dym) but the history of the corrected movement target position (xmt, ymt) is stored for each length measuring point. FIG. 23 shows an example of a measuring point registration storage device.

測長点登録記憶装置17内には、測長点の数だけMP1,MP2,…,MPjと各々についての自動観察を行うために必要とされる情報が登録されている。例えば、MP1では、ウェーハ21上での観察点MP1を含んだあるチップに移動してポインティングペン27にてSEM像上で具体的に指示を行って求められた観察位置をチップ内座標値に変換して登録する。すなわち、SEM制御装置6側でその時点でのステージ座標値(xst,yst)とチップ配列(nx,ny)から観察したい部分の位置をポインティングペンで指示された位置座標のチップ内座標値(xm,ym)へ変換して求める。このようにして求められたチップ内座標値(xm,ym)とチップ配列(nx,ny)は、画像照合に用いる観察部分像とともに図23に示すように登録記憶される。MP2,…,MPjについても同様である。これらの仕組みは図5に示した例と同様である。   In the measuring point registration storage device 17, MP1, MP2,..., MPj and information necessary for performing automatic observation for each of the measuring points are registered. For example, in MP1, the observation position obtained by moving to a certain chip including the observation point MP1 on the wafer 21 and giving a specific instruction on the SEM image with the pointing pen 27 is converted into an in-chip coordinate value. And register. That is, on the SEM control device 6 side, the position of the portion desired to be observed from the stage coordinate value (xst, yst) and the chip arrangement (nx, ny) at that point in time is the in-chip coordinate value (xm , ym). The in-chip coordinate values (xm, ym) and the chip array (nx, ny) obtained in this way are registered and stored as shown in FIG. 23 together with the observation partial images used for image collation. The same applies to MP2,. These mechanisms are the same as in the example shown in FIG.

ところで、チップ内座標値(xm,ym)とチップ配列(nx,ny)によって表される観察位置への試料ステージ移動を所定の回数だけ繰り返すと、移動目標位置への試料ステージ移動終了後に残った視野位置ずれ量を各回数時毎に測定する。また同時に、これらの値を補正値として、その時点で採用されていた移動目標位置の補正・再決定を行う。これらの補正後移動目標位置座標値(xmt,ymt)は、各測長点MP1,MP2,…,MPjについて、観察回数に従って記憶登録される。それは、例えばMP1では、(xmt11,ymt11),(xmt12,ymt12),…,(xmt1i,ymt1i)とi回の移動分の視野位置ずれ量を登録記憶する。MP2,…,MPjについても同様である。   By the way, if the sample stage movement to the observation position represented by the in-chip coordinate value (xm, ym) and the chip arrangement (nx, ny) is repeated a predetermined number of times, it remains after the movement of the sample stage to the movement target position is completed. The visual field position shift amount is measured every time. At the same time, these values are used as correction values, and the movement target position employed at that time is corrected and redetermined. These corrected movement target position coordinate values (xmt, ymt) are stored and registered in accordance with the number of observations for each of the measurement points MP1, MP2,. For example, in MP1, (xmt11, ymt11), (xmt12, ymt12),..., (Xmt1i, ymt1i) and the visual field position shift amount for i movements are registered and stored. The same applies to MP2,.

一方、本発明の走査型電子顕微鏡では手動による操作の他に、図24に示した観察手順記憶装置40B(レシピ)に記録された手順に従ってコンピュータ等の制御装置により自動的に観察を行う場合もある。本発明では、観察手順記憶装置40Bに位置ずれ量測定機能ON/OFF登録記憶装置68を備えている。位置ずれ量測定機能ON/OFF登録記憶装置68には図21に示すようにON/OFF状態が登録されており、観察手順記憶装置40Bを使って自動観察する際に位置ずれ量測定機能の実行状態ON/OFFを切り替えることを可能としている。これらの基本的な仕組みは上記した本発明の実施形態である「過去の一定期間に収得した位置ずれ量を記憶しておき、ある時点からの試料ステージ移動目標位置の補正に用いる」方法の場合と同様である。異なる点は、そこに備えられた測長点登録記憶装置が17Aではなく17Bとなっており、視野位置ずれ量(dxm,dym)を記憶するのではなく補正後移動目標位置(xmt,ymt)を記憶する点にある。   On the other hand, in the scanning electron microscope of the present invention, in addition to manual operation, observation may be automatically performed by a control device such as a computer according to the procedure recorded in the observation procedure storage device 40B (recipe) shown in FIG. is there. In the present invention, the observation procedure storage device 40B is provided with a positional deviation amount measurement function ON / OFF registration storage device 68. The positional deviation amount measurement function ON / OFF registration storage device 68 has ON / OFF states registered as shown in FIG. 21, and executes the positional deviation amount measurement function when performing automatic observation using the observation procedure storage device 40B. It is possible to switch the state ON / OFF. These basic mechanisms are in the case of the above-described method of the present invention, which is “a method for storing a positional deviation amount acquired in a fixed period in the past and using it for correction of a sample stage movement target position from a certain point”. It is the same. The difference is that the measuring point registration storage device provided there is 17B instead of 17A, and the corrected moving target position (xmt, ymt) is not stored, but the visual field position shift amount (dxm, dym) is not stored. The point is to remember.

なお、画像照合により測長点位置を求める仕組みは図9に示した実施の形態と同じものである。ここでも、この実施の形態の方法によって求められた視野位置ずれ量を用いて移動目標位置の補正を行う。これらは走査型電子顕微鏡本体のSEM制御装置6を動かしているソフト上に実現しても良い。したがって本発明は図1のように別に実物として制御盤を設けるのみならず、あらゆる形での制御盤実現方法を含むものである。   The mechanism for obtaining the measurement point position by image collation is the same as that in the embodiment shown in FIG. Again, the movement target position is corrected using the visual field position shift amount obtained by the method of this embodiment. These may be realized on software operating the SEM control device 6 of the scanning electron microscope main body. Accordingly, the present invention includes not only a separate control panel as shown in FIG. 1 but also a control panel realization method in all forms.

ところで、図25にステージ座標Xst-Ystと指示座標Xa-Yaの間の座標値変換の仕組みを示す。2点鎖線の内側が座標値変換器12の構造を示している。SEM制御装置6では、制御盤(A)7から観察位置を指示する信号(xs,ys)(nx,ny)を測長点登録記憶装置17Bからは測長点NOのMP.NO、観察位置を示す(xs,ys)(nx,ny)、また前回の観察までに相当する位置で発生した視野ずれを示す(dx,dy)、測長点の位置を特定するのに用いるSEM画像を受け取っている。必要に応じてこれらの値の表示盤への表示の際や、登録記憶する必要のある時には上記とは逆方向にSEM制御装置6から出力される。   FIG. 25 shows a mechanism of coordinate value conversion between the stage coordinates Xst-Yst and the designated coordinates Xa-Ya. The inner side of the two-dot chain line shows the structure of the coordinate value converter 12. In the SEM control device 6, a signal (xs, ys) (nx, ny) instructing the observation position from the control panel (A) 7 is sent from the measurement point registration storage device 17B to the MP.NO of the measurement point NO, the observation position. (Xs, ys) (nx, ny) indicating the field of view displacement that occurred at the position corresponding to the previous observation (dx, dy), and receiving the SEM image used to identify the position of the measurement point ing. If necessary, these values are output from the SEM control device 6 in the opposite direction to the above when the values are displayed on the display board or when it is necessary to register and store them.

SEM制御装置6では、これらのデータを受けて、先ず観察位置を示す(xs,ys)(nx,ny)をBuff2及びBuff3を経由してADD1へ出力する。ADD1ではチップ設計情報であるピッチ(px,py)、オフセット量(xoffset,yoffset)を基に仮指示座標値(xaa,yaa)を出力する。Buff1経由で出力された補正後移動目標位置(xmt,ymt)は上記仮指示座標値(xaa,yaa)とともにCONV3にて変換されて指示座標値(xa,ya)となる。指示座標値(xa,ya)はCONV1にてステージ座標値(xst,yst)へ変換され、試料ステージ制御装置5へ出力される。   In response to these data, the SEM control device 6 first outputs (xs, ys) (nx, ny) indicating the observation position to ADD1 via Buff2 and Buff3. In ADD1, provisional designated coordinate values (xaa, yaa) are output based on the pitch (px, py) and offset amounts (xoffset, yoffset), which are chip design information. The corrected movement target position (xmt, ymt) output via Buff1 is converted by CONV3 together with the temporary designated coordinate value (xaa, yaa) to become the designated coordinate value (xa, ya). The indicated coordinate value (xa, ya) is converted into a stage coordinate value (xst, yst) by CONV1 and output to the sample stage control device 5.

上記の一連の流れはSEM制御装置6からステージ制御装置5へ観察位置の座標値を指示する際のものを示したものである。ここで逆にリニアスケール24を読み取ったステージ座標値をSEM制御装置6側へ戻す必要がある。これは、先ずリニアスケール24の読み取り座標値であるステージ座標値(xxst,yyst)をCONV2によって指示座標値(xxa,yya)へ変換する。DIV1は、ADD1と同様にSEM制御装置6からチップ設計情報であるピッチ(px,py)、オフセット量(xoffset,yoffset)を受け取っており、これを基に(xxa,yya)で示されている現ステージ位置をチップ配列(nnx,nny)とチップ内座標値(xxs,yys)で表されるように変換する。チップ内座標値(xxs,yys)は、Buff6に受けられているその観察位置にてSEM制御装置6のステージ制御装置5へ指示している座標値との間でDIF1において差(ddx,ddy)の算術に使われる。この差(ddx,ddy)は、観察位置を指示したものの実際には観察視野上で位置ずれを生じた距離を表している。ここで、SEM制御装置6ではその時点で採用していた移動目標位置に対してその視野位置ずれ量(ddx,ddy)を用いた補正を行い新たな補正後移動目標位置(xmt,ymt)を求める。こうして求められた(xmt,ymt)、(xxs,yys)、(nnx,nny)は測長点登録記憶装置17B・較正点記憶装置16等へ記憶登録処理される。   The above-described series of flow shows a flow when the coordinate value of the observation position is instructed from the SEM control device 6 to the stage control device 5. Here, on the contrary, it is necessary to return the stage coordinate value obtained by reading the linear scale 24 to the SEM control device 6 side. First, the stage coordinate value (xxst, yyst), which is the read coordinate value of the linear scale 24, is converted into the indicated coordinate value (xxa, yya) by CONV2. DIV1 receives the pitch (px, py) and offset amount (xoffset, yoffset), which are chip design information, from SEM control device 6 in the same manner as ADD1, and is indicated by (xxa, yya) based on this. The current stage position is converted so as to be represented by a chip array (nnx, nny) and in-chip coordinate values (xxs, yys). The in-chip coordinate value (xxs, yys) is the difference (ddx, ddy) in DIF1 from the coordinate value instructed to the stage control device 5 of the SEM control device 6 at the observation position received by Buff6. Used for arithmetic. This difference (ddx, ddy) represents the distance at which the position of the observation is actually generated although the observation position is indicated. Here, the SEM control device 6 performs correction using the visual field position shift amount (ddx, ddy) with respect to the moving target position employed at that time, and sets a new corrected moving target position (xmt, ymt). Ask. Thus obtained (xmt, ymt), (xxs, yys), (nnx, nny) are subjected to storage registration processing in the measuring point registration storage device 17B, the calibration point storage device 16 and the like.

以下、本実施の形態での操作手順を説明する。いったん実際にウェーハを試料ステージに搭載した様子を図1に示す。このときに一時的に固定されたステージ座標Xst-Ystと指示座標Xa-Yaの位置関係をもって位置基準とする。以降、観察しなければならない位置を示す座標値(Xa,Ya)を実際にステージの動く移動距離を示す座標値(Xst,Yst)へ変換を行う。   Hereinafter, an operation procedure in the present embodiment will be described. FIG. 1 shows how the wafer is actually mounted on the sample stage. At this time, the positional reference is based on the positional relationship between the stage coordinates Xst-Yst and the designated coordinates Xa-Ya that are temporarily fixed. Thereafter, the coordinate value (Xa, Ya) indicating the position to be observed is converted into the coordinate value (Xst, Yst) indicating the moving distance of the stage.

走査型電子顕微鏡制御装置側では、このときの座標Xa-Yaを基準としてウェーハ上にチップ設計データに基付いた位置関係でチップ大きさ・配置・ウェーハ面内での回転方向等を四角形であるチップ外形を枠に、その複数個の並びを格子状として仮想的に登録する。図1では、3×3の並びになっている。これらの格子で表されるチップのうちの2つには座標較正を行うのに適した位置確定用の特徴点4aと4b(十字印で表示)を含んでいる。また、他の1の格子には観察するパターン位置を示す4c(十字印で表示)が含まれている。   On the scanning electron microscope control device side, the chip size, arrangement, rotation direction in the wafer surface, etc. are quadrangular based on the positional relationship based on the chip design data on the wafer with reference to the coordinates Xa-Ya at this time. Using the chip outer shape as a frame, the plurality of arrangements are virtually registered as a grid. In FIG. 1, the arrangement is 3 × 3. Two of the chips represented by these lattices include feature points 4a and 4b (indicated by crosses) for position determination suitable for coordinate calibration. The other grid includes 4c (indicated by a cross) indicating the pattern position to be observed.

この格子を基準として各々に定義されるチップ内座標Xt-Ytによって以降でのチップ内での観察部分(パターン)の位置座標値を表現する。図1では(Xs,Ys)で表されている。同じ観察部分でもチップの異なる位置を観察するときには、チップ内座標値にチップ配列ピッチ分のオフセットを考慮することで、観察位置の座標値を求める。   The position coordinate value of the observed portion (pattern) in the chip thereafter is expressed by the in-chip coordinates Xt-Yt defined for each of these grids as a reference. In FIG. 1, it is represented by (Xs, Ys). When observing different positions of the chip even in the same observation portion, the coordinate value of the observation position is obtained by considering the offset corresponding to the chip arrangement pitch in the coordinate value within the chip.

まず、ステージ座標Xst-Ystと指示座標Xa-Yaとの間の座標較正のための特徴点の登録を行う。トラックボール13を操作して、第一の試料4aの特徴的な場所AP1(チップパターン上の一部又は露光位置合わせ用タグ等)を顕微鏡の視野の中央へ移動し、座標較正点AP1登録スイッチを操作する。これによって、ステージ制御装置6は、制御盤(A)7からの指示座標値入力待ちの状態となる。次に、制御盤(A)7のSEM画像9上で、座標較正に使用する特徴点の場所をポンティングペン12で指示する。制御盤(A)7ではSEM画像9に写し出されている視野の座標Xm-Ymでの座標値を出力する。このときの座標Xm-Ymは例えば視野中心に原点を持っており、試料ステージの停止位置と一致している。SEM制御装置6では、この座標値(xm1,ym1)と試料ステージの位置を示すリニアスケール24の読み取り値(xL1,yL1)との算術により配置用座標較正点AP1登録位置(xch1,ych1)を求め、これを記憶する。算術は例えば〔数4〕のように両者の和となる。   First, feature points for coordinate calibration between the stage coordinates Xst-Yst and the designated coordinates Xa-Ya are registered. By operating the trackball 13, the characteristic location AP1 of the first sample 4a (a part on the chip pattern or an exposure alignment tag or the like) is moved to the center of the field of view of the microscope, and the coordinate calibration point AP1 registration switch To operate. As a result, the stage control device 6 enters a state waiting for input of the designated coordinate value from the control panel (A) 7. Next, on the SEM image 9 of the control panel (A) 7, the location of the feature point used for coordinate calibration is indicated with the ponting pen 12. The control panel (A) 7 outputs the coordinate values of the visual field coordinates Xm-Ym projected in the SEM image 9. The coordinates Xm-Ym at this time have an origin at the center of the visual field, for example, and coincide with the stop position of the sample stage. In the SEM control device 6, the coordinate position for calibration coordinates AP1 registration position (xch1, ych1) is calculated by arithmetic operation of the coordinate value (xm1, ym1) and the read value (xL1, yL1) of the linear scale 24 indicating the position of the sample stage. Ask and remember this. Arithmetic is the sum of both, for example, [Equation 4].

〔数4〕
xch1=xm1+xL1
ych1=ym1+yL1
[Equation 4]
xch1 = xm1 + xL1
ych1 = ym1 + yL1

これら座標位置に関する処理の他に同時に、そのときのSEM画像を記録し、このときAP1と画像を関連付けして登録する。その様子を図4中の較正点登録記憶装置16に示す。例えば較正点登録NO1であるAP1では、観察点のチップ内座標値は(xa1,ya1)でチップ配列は(nxa1,nya1)となっている。また画像照合するパターン位置はSEM登録画像中の十字印で示されている。これにより、以後の観察では走査型電子顕微鏡制御装置側で特徴点位置のチップ内座標値(xa,ya)と予め登録されているチップ配列位置(nxa,nya)から自動的に試料ステージを移動させるべき位置座標値(xst,yst)を求め、さらにこの部分に関連付け記憶されている較正点部分像26-1との画像照合によって座標較正点の自動特定を行う。次に同様にして第二の試料4bの特徴的な場所AP2についても登録を行い、(xch2,ych2)を記憶する。また、やはり第一の特徴点AP1と同様にSEM画像を記録する。   In addition to the processing related to these coordinate positions, the SEM image at that time is simultaneously recorded, and at this time, AP1 and the image are associated and registered. This state is shown in the calibration point registration storage device 16 in FIG. For example, in AP1, which is calibration point registration NO1, the in-chip coordinate value of the observation point is (xa1, ya1) and the chip arrangement is (nxa1, nya1). The pattern position for image matching is indicated by a cross in the SEM registered image. As a result, in subsequent observations, the sample stage is automatically moved from the in-chip coordinate value (xa, ya) of the feature point position and the pre-registered chip arrangement position (nxa, nya) on the scanning electron microscope controller side. A position coordinate value (xst, yst) to be obtained is obtained, and a coordinate calibration point is automatically specified by image collation with a calibration point partial image 26-1 stored in association with this portion. Next, registration is also performed for the characteristic location AP2 of the second sample 4b in the same manner, and (xch2, ych2) is stored. Also, an SEM image is recorded in the same manner as the first feature point AP1.

ここで実際に試料であるウェーハ21を試料ステージ1に搭載したまま走査型電子顕微鏡で観察しながら手動、例えばトラックボール13により移動し、予め観察したい部分の位置を実際の試料上にて手動でポインティングペン27にて指示する。さらに制御盤(B)15の測長点登録MPスイッチを押すと、これをSEM制御装置6側でその時点でのステージ座標値(xst,yst)とチップ配列(nx,ny)から観察したい部分の位置をチップ内座標値(xs,ys)に変換して求めて、観察部分SEM画像とともに関連付けされて記憶する。その様子を図5中の測長点登録記憶装置17に示す。例えば測長点登録NO1であるMP1では、観察点のチップ内座標値は(xm1,ym1)でチップ配列は(nxm1,nym1)となっている。また測長する位置はSEM登録画像中の十字印で示されている。これにより、以後の観察ではSEM制御装置6側で観察部分位置のチップ内座標値(xs,ys)と予め登録されているチップ配列(nx,ny)位置から自動的に試料ステージを移動させるべき座標値(xst,yst)を求め、さらにこの部分に関連付け記憶されている観察部分像26-2との画像照合によって観察部分の自動特定を行う。上記の特徴点の登録を終えると、次回からのウェーハの試料ステージ1の搭載の際には、登録された特徴点の位置を照合することで座標較正を行い、座標指示位置精度を高くする。   Here, while actually observing with a scanning electron microscope while the wafer 21 which is a sample is mounted on the sample stage 1, it is moved manually, for example, by the trackball 13, and the position of the portion to be observed in advance is manually moved on the actual sample. The pointing pen 27 is used to give an instruction. When the measuring point registration MP switch on the control panel (B) 15 is further pressed, the SEM control device 6 side wants to observe the stage coordinate value (xst, yst) and the chip arrangement (nx, ny) at that time. Is converted into in-chip coordinate values (xs, ys) and stored together with the observed partial SEM image. This is shown in the measuring point registration storage device 17 in FIG. For example, in MP1, which is the measurement point registration NO1, the in-chip coordinate value of the observation point is (xm1, ym1) and the chip arrangement is (nxm1, nym1). The position for measuring the length is indicated by a cross in the SEM registered image. Thus, in the subsequent observation, the sample stage should be automatically moved from the in-chip coordinate value (xs, ys) of the observation portion position and the pre-registered chip arrangement (nx, ny) position on the SEM control device 6 side. The coordinate value (xst, yst) is obtained, and the observation part is automatically specified by image collation with the observation partial image 26-2 stored in association with this part. When the registration of the feature points is completed, the next time the sample stage 1 is mounted on the wafer, coordinate calibration is performed by collating the positions of the registered feature points, and the coordinate indication position accuracy is increased.

次に、観察を行う段階に入る。まず、ステージ座標Xst-Ystと指示座標Xa-Yaとの間の座標較正を行う。トラックボール7を操作して、第1の試料4aの特徴的な場所AP1を顕微鏡の視野の中央へ移動し、座標較正AP1スイッチを操作する。これによって、SEM制御装置6は制御盤(A)7からの入力待ちの状態となる。次に、制御盤(A)7のSEM画像9上で、座標較正に使用する特徴点の場所をポインティングペン12で指示する。制御盤(A)7ではSEM画像に写し出されている視野の座標Xm-Ymでの座標値を出力する。このときの座標Xm-Ymは例えば視野中心に原点を持っており、試料ステージの停止位置と一致している。SEM制御装置6では、この座標値(xm1,ym1)と試料ステージの位置を示すリニアスケール24の読み取り値(xL1,yL1)との算術により配置用座標較正点AP1位置(x1,y1)を上記登録時と同様の方法によって求める。第2の特徴点AP2についても、AP1と同様の方法により(x2,y2)として求める。   Next, an observation stage is entered. First, coordinate calibration between the stage coordinates Xst-Yst and the designated coordinates Xa-Ya is performed. By operating the trackball 7, the characteristic location AP1 of the first sample 4a is moved to the center of the field of view of the microscope, and the coordinate calibration AP1 switch is operated. As a result, the SEM control device 6 waits for input from the control panel (A) 7. Next, on the SEM image 9 of the control panel (A) 7, the location of the feature point used for coordinate calibration is indicated by the pointing pen 12. The control panel (A) 7 outputs the coordinate value of the visual field coordinate Xm-Ym projected in the SEM image. The coordinates Xm-Ym at this time have an origin at the center of the visual field, for example, and coincide with the stop position of the sample stage. In the SEM control device 6, the position coordinate calibration point AP1 position (x1, y1) is calculated by the arithmetic of the coordinate value (xm1, ym1) and the read value (xL1, yL1) of the linear scale 24 indicating the position of the sample stage. It is calculated by the same method as when registering. The second feature point AP2 is also obtained as (x2, y2) by the same method as AP1.

以上のように(x1,y1)と(x2,y2)を求めたら、登録時の位置(xch1,ych1)と(xch2,ych2)との間で各々比較・算術することにより、座標指示手段上の座標Xa-Yaと試料ステージ座標Xst-Ystとの間の座標較正を行う。座標較正は特公昭63−94548号公報と同様の方法で行うことができる。   When (x1, y1) and (x2, y2) are obtained as described above, by comparing and calculating between the positions (xch1, ych1) and (xch2, ych2) at the time of registration, The coordinate calibration between the Xa-Ya coordinate and the sample stage coordinate Xst-Yst is performed. Coordinate calibration can be performed in the same manner as Japanese Patent Publication No. 63-94548.

測頂点登録記憶装置17に記憶されているチップ配列(nx,ny)とチップ内座標値(xs,ys)、視野ずれ量(dx,dy)を受け取ったSEM制御装置6は観察・測長すべきパターン部分の指示座標値(xa,ya)を求め、これを座標値変換装置12へ出力する。この際には〔数5〕による変換を行う。   The SEM control device 6 that has received the chip arrangement (nx, ny), the in-chip coordinate value (xs, ys), and the visual field shift amount (dx, dy) stored in the vertex registration storage device 17 observes and measures the length. The designated coordinate value (xa, ya) of the power pattern portion is obtained and output to the coordinate value conversion device 12. At this time, conversion according to [Equation 5] is performed.

〔数5〕
dx=fsx(dxm(1),dxm(2),…)
dy=fsy(dym(1),dym(2),…)
[Equation 5]
dx = fsx (dxm (1), dxm (2),…)
dy = fsy (dym (1), dym (2),…)

ところで、実用的には記憶容量をある程度に限る必要があるので、実際には無限数に視野ずれ量を保持し用いることはできない。そこで〔数6〕を用いる。   By the way, since it is necessary to limit the storage capacity to a certain degree in practice, the field-of-view shift amount cannot be held and used in an infinite number in practice. Therefore, [Formula 6] is used.

〔数6〕
dx=fsx(dxm(1),dxm(2),…dxm(j))
dy=fsy(dym(1),dym(2),…dym(j))
[Equation 6]
dx = fsx (dxm (1), dxm (2),… dxm (j))
dy = fsy (dym (1), dym (2),… dym (j))

ただし、fsx、fsyは本発明における統計処理方法を表す関数である。さらにj=mpj(mpj:登録されている位置ずれ補正有効データ点数)となる。ここで、統計処理方法のうち簡便に実現する方法の一例として所定数の結果について平均化する方法がある。これは〔数7〕の通りである。   Here, fsx and fsy are functions representing the statistical processing method in the present invention. Further, j = mpj (mpj: registered misregistration correction effective data points). Here, there is a method of averaging a predetermined number of results as an example of a method that is easily realized among the statistical processing methods. This is as shown in [Equation 7].

〔数7〕
dx=(dxm(1)+dxm(2)+…+dxm(j))/j
dy=(dym(1)+dym(2)+…+dym(j))/j
[Equation 7]
dx = (dxm (1) + dxm (2) +… + dxm (j)) / j
dy = (dym (1) + dym (2) +… + dym (j)) / j

ただし、j=mpj(mpj:登録されている位置ずれ補正有効データ点数)となる。また、他の統計処理方法の一例として所定数の結果について、得られた時間の現在に近い方に重い荷重平均を得る方法がある。これは〔数8〕のとおりである。   However, j = mpj (mpj: registered misregistration correction effective data points). Another example of the statistical processing method is a method of obtaining a heavy load average for a predetermined number of results closer to the present time. This is as shown in [Equation 8].

〔数8〕
dx=(D1dxm(1)+D2dxm(2)+…+Djdxm(j))/j
dy=(D1dym(1)+D2dym(2)+…+Djdym(j))/j
[Equation 8]
dx = (D1 dxm (1) + D2 dxm (2) +… + Dj dxm (j)) / j
dy = (D1 dym (1) + D2 dym (2) +… + Dj dym (j)) / j

ただし、D1<D2<…<Djかつ(D1+D2+…+Dj)/j=1、また、j=mpj(mpj:登録されている位置ずれ補正有効データ点数)となる。また得られた時間はdxm(j)が最も現在に近く、次にdxm(j-1)以下…dxm(2)、dxm(1)と続く。dyを得るための各要素に付けられた番号も同様な並びとなっている。   However, D1 <D2 <... <Dj and (D1 + D2 +... + Dj) / j = 1, and j = mpj (mpj: registered misregistration correction effective data points). The obtained time is dxm (j) closest to the present time, then dxm (j-1) and below ... dxm (2), dxm (1). The numbers assigned to each element for obtaining dy are in a similar sequence.

ところで、一方で試料ステージの移動終了の毎に測定された視野位置ずれ量測定結果をその都度に移動目標位置へ反映させた補正後移動目標位置を求めて、これを記憶しておき次回の同じ又は相当する個所への移動の際に使用することを繰り返す方法による実施の形態がある。この実施の形態では、指示座標Xa-Yaを用いて観察したい位置を指示する方法、ステージ座標Xst-Ystとの間で行う座標較正の取る方法、測長点位置を表す(nxm,nym)と(xm,ym)を求めて測長点登録記憶装置17Bへ登録する等の基本的な仕組みは前記実施の形態と同様である。測定された視野位置ずれ量(dxm,dym)より次回観察時の移動目標位置(xmt(j+1),ymt(j+1))を求める式は〔数9〕となる。   By the way, on the other hand, a corrected movement target position is obtained by reflecting the measurement result of the visual field position deviation measured each time the movement of the sample stage is reflected in the movement target position, and this is stored and stored next time. Alternatively, there is an embodiment based on a method of repeating the use when moving to a corresponding place. In this embodiment, a method of indicating the position to be observed using the indicated coordinates Xa-Ya, a method of performing coordinate calibration between the stage coordinates Xst-Yst, (nxm, nym) representing the measurement point position and The basic mechanism such as obtaining (xm, ym) and registering it in the measuring point registration storage device 17B is the same as in the above embodiment. An equation for obtaining the movement target position (xmt (j + 1), ymt (j + 1)) at the next observation from the measured visual field position shift amount (dxm, dym) is [Equation 9].

〔数9〕
xmt(j+1)=xmt(j)−dxm(j)
ymt(j+1)=ymt(j)−dym(j)
[Equation 9]
xmt (j + 1) = xmt (j) −dxm (j)
ymt (j + 1) = ymt (j) −dym (j)

この算術を観察位置への試料ステージの移動を終了する毎に繰り返すことで時系列的に移動目標位置を求めて行く。また、その結果は自動的に測長点登録記憶装置17Bへ記憶される。
このようにして試料ステージ移動終了毎に視野位置ずれ量からその時点での移動目標位置を求めるが、次回に同じ又は相当する観察点への移動に際しては過去に時系列的に求められまた記憶されている複数の移動目標位置をやはり測長点登録記憶装置17Bより読み出して、さらに統計学的な処理を施して新たな移動目標位置を求め、かつその移動目標位置へ移動させることで安定した試料ステージの停止精度を確保することができる。すなわち、測頂点登録記憶装置17Bに記憶されているチップ配列(nx,ny)とチップ内座標値(xs,ys)、移動目標位置(xmt,ymt)を受け取ったSEM制御装置6は観察・測長すべきパターン部分の指示座標値(xa,ya)を求め、これを座標値変換装置12へ出力する。この際には〔数10〕による変換を行う。
By repeating this arithmetic every time the movement of the sample stage to the observation position is completed, the movement target position is obtained in time series. The result is automatically stored in the measuring point registration storage device 17B.
In this way, the movement target position at that time is obtained from the visual field position deviation amount every time the movement of the sample stage is completed. The next movement to the same or corresponding observation point is obtained and stored in time series in the past. A plurality of moving target positions are read out from the measuring point registration storage device 17B, further subjected to statistical processing to obtain a new moving target position, and moved to the moving target position, thereby stabilizing the sample. The stopping accuracy of the stage can be ensured. That is, the SEM control device 6 that has received the chip array (nx, ny), the in-chip coordinate values (xs, ys), and the movement target position (xmt, ymt) stored in the measured vertex registration storage device 17B observes and measures. The designated coordinate value (xa, ya) of the pattern portion to be lengthened is obtained and output to the coordinate value conversion device 12. In this case, conversion according to [Equation 10] is performed.

〔数10〕
xmt=fssx(xmt(S−1),xmt(S−2),…)
ymt=fssy(ymt(S−1),ymt(S−2),…)
[Equation 10]
xmt = fssx (xmt (S−1), xmt (S−2),…)
ymt = fssy (ymt (S−1), ymt (S−2),…)

ただし、次観察のための試料ステージ移動直前の時点を表すS、以下S−1,S−2,…へと時間を遡る。ところで、実用的には記憶容量をある程度に限る必要があるので、実際には無限数に移動目標位置を保持し用いることはできない。そこで〔数11〕を用いる。   However, the time is traced back to S representing the time immediately before the movement of the sample stage for the next observation, hereinafter S-1, S-2,. By the way, practically, it is necessary to limit the storage capacity to a certain extent, so in practice it is not possible to hold and use an infinite number of movement target positions. Therefore, [Equation 11] is used.

〔数11〕
xmt=fssx(xmt(S−1),xmt(S−2),…xmt(S−j))
ymt=fssy(ymt(S−1),ymt(S−2),…ymt(S−j))
[Equation 11]
xmt = fssx (xmt (S−1), xmt (S−2), ... xmt (S−j))
ymt = fssy (ymt (S−1), ymt (S−2),… ymt (S−j))

ただし、fssx、fssyは本発明における統計処理方法を表す関数である。さらにj=mpj(mpj:登録されている位置ずれ補正有効データ点数)となる。ここで、統計処理方法のうち簡便に実現する方法の一例として所定数の結果について平均化する方法がある。これは〔数12〕の通りである。   Here, fssx and fssy are functions representing the statistical processing method in the present invention. Further, j = mpj (mpj: registered misregistration correction effective data points). Here, there is a method of averaging a predetermined number of results as an example of a method that is easily realized among the statistical processing methods. This is as shown in [Equation 12].

〔数12〕
xmt=(xmt(S−1)+xmt(S−2)+…+xmt(S−j))/j
ymt=(ymt(S−1)+ymt(S−2)+…+ymt(S−j))/j
[Equation 12]
xmt = (xmt (S−1) + xmt (S−2) +… + xmt (S−j)) / j
ymt = (ymt (S−1) + ymt (S−2) +… + ymt (S−j)) / j

ただし、j=mpj(mpj:登録されている位置ずれ補正有効データ点数)となる。また、他の統計処理方法の一例として所定数の結果について、得られた時間の現在に近い方に重い荷重平均を得る方法がある。これは〔数13〕のとおりである。   However, j = mpj (mpj: registered misregistration correction effective data points). Another example of the statistical processing method is a method of obtaining a heavy load average for a predetermined number of results closer to the present time. This is as shown in [Equation 13].

〔数13〕
xmt=(D1xmt(S−1)+D2xmt(S−2)+…+Djxmt(S−j))/j
ymt=(D1ymt(S−1)+D2ymt(S−2)+…+Djymt(S−j))/j
[Equation 13]
xmt = (D1 xmt (S−1) + D2 xmt (S−2) +… + Dj xmt (S−j)) / j
ymt = (D1 ymt (S−1) + D2 ymt (S−2) +… + Dj ymt (S−j)) / j

ただし、D1<D2<…<Djかつ(D1+D2+…+Dj)/j=1、また、j=mpj(mpj:登録されている位置ずれ補正有効データ点数)となる。また得られた時間は、例えばxmtではxmt(S−1)が最も現在に近く次にxmt(S−2)以下…xmt(S−j+1)、xmt(S−j)と続く。ymtを得るための各要素に付けられた番号も同様な並びとなっている。   However, D1 <D2 <... <Dj and (D1 + D2 +... + Dj) / j = 1, and j = mpj (mpj: registered misregistration correction effective data points). In addition, for example, in xmt, xmt (S−1) is closest to the present time, and is next to xmt (S−2) or less, followed by xmt (S−j + 1) and xmt (S−j). The numbers assigned to each element to obtain ymt are in the same sequence.

一方、座標値変換装置12では、これを実際に試料ステージ1の移動すべき位置を示すステージ座標値(xst,yst)へと変換して、ステージ制御装置5へと出力する。ステージ制御装置5では、この座標値にリニアスケール24の示す座標値(xL,yL)が一致、又は相当する位置座標値と一致するまで試料ステージ1をXY方向各々に接続されているモータ2及び3を駆動する。所定の位置へ試料ステージ1の移動を終了したら走査型電子顕微鏡の像にて観察又は測長等の所定の動作を行い、終了後に次段の観察点への移動を開始する。   On the other hand, the coordinate value conversion device 12 converts this into a stage coordinate value (xst, yst) indicating the position where the sample stage 1 should actually move, and outputs it to the stage control device 5. In the stage control device 5, the coordinate values (xL, yL) indicated by the linear scale 24 coincide with this coordinate value, or until the sample position 1 coincides with the corresponding position coordinate value, the motor 2 connected to each of the XY directions and 3 is driven. When the movement of the sample stage 1 to a predetermined position is completed, a predetermined operation such as observation or length measurement is performed on the image of the scanning electron microscope, and movement to the next observation point is started after completion.

以上の方法では、特徴点登録終了後の次回観察からのウェーハ再搭載では、特徴点の指定を手動によってポインティングペン27等を用いて行っていた。しかし、これをSEM画像に写し出されている特徴点付近のパターン形を特徴点登録時にその位置に関連付けされて記憶されていた特徴点SEM画像と画像照合することで、自動認識を行うことも可能である。これにより顕微鏡の自動観察において、自動座標較正・自動観察位置抽出・自動観察・自動測長を迅速に正確に行うことを可能とする。また、これら画像照合による自動認識は観察位置の指定でも同様に適用される。   In the above method, when the wafer is reloaded from the next observation after the registration of the feature points, the feature points are manually specified using the pointing pen 27 or the like. However, it is also possible to perform automatic recognition by comparing the pattern shape near the feature point projected in the SEM image with the feature point SEM image stored in association with the position when the feature point is registered. It is. This makes it possible to quickly and accurately perform automatic coordinate calibration, automatic observation position extraction, automatic observation, and automatic length measurement in automatic observation of a microscope. Moreover, the automatic recognition by these image collation is similarly applied to the designation of the observation position.

以上の本発明を実施することによって、例えば図19に示すように、破線で示されている設計データによる格子の中で実線で示されている実チップ全体が常にある角度で傾いている場合や、図20に示すように破線の設計データ格子に対して実線の実チップ毎に傾いている場合にも、各チップとともに傾いて位置されている等の種々の要因により理想的な位置より位置ずれを生じている測長点mp1〜mp9の位置を正確に走査型電子顕微鏡視野内に捉えることが可能となる。   By implementing the present invention as described above, for example, as shown in FIG. 19, the entire real chip indicated by the solid line in the grid based on the design data indicated by the broken line is always inclined at an angle. As shown in FIG. 20, even when each solid chip is tilted with respect to the broken design data grid, it is displaced from the ideal position due to various factors such as being tilted with each chip. Thus, it is possible to accurately capture the positions of the measurement points mp1 to mp9 that are in the field of view of the scanning electron microscope.

以上、本発明の実施により図30に示すように位置ずれ量は観察回数を重ねる毎に0付近へと収束される。従って、同じ試料を繰り返し観察するような用途に適した顕微鏡等において、試料ステージのより正確な位置決め動作を行うことが可能となる。   As described above, according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. Therefore, it is possible to perform a more accurate positioning operation of the sample stage in a microscope or the like suitable for the purpose of repeatedly observing the same sample.

ところで、以上の実施例においては異なる装置間で全く同じ観察手順に従って自動観察を行いたい場合のことを考慮していない。一方で、同種の観察装置を複数台並べて、同じ観察手順に従って自動観察を行いたいという要求も多い。こうした要求に対して、観察手順記録(較正点記憶と測長点記憶を含む)を交換して使用することで実現する。   By the way, in the above embodiment, the case where it is desired to perform automatic observation according to the same observation procedure between different apparatuses is not considered. On the other hand, there are many requests for arranging a plurality of observation devices of the same type and performing automatic observation according to the same observation procedure. In response to such a requirement, it is realized by exchanging and using observation procedure records (including calibration point memory and measurement point memory).

複数の走査型電子顕微鏡間では、その試料ステージの製作の精度にバラツキを生じることが多い。そこで、記録された位置ずれ量検出結果がどの装置で検出したものかを常に明らかにしておく必要がある。本発明では、装置識別記号(例えば装置製造番号)を観察手順記憶装置40に位置ずれ量(dxm,dym)検出結果と同時に登録させる。   In many cases, there are variations in the accuracy of the production of the sample stage between a plurality of scanning electron microscopes. Therefore, it is necessary to always clarify with which apparatus the recorded displacement detection result is detected. In the present invention, a device identification symbol (for example, a device manufacturing number) is registered in the observation procedure storage device 40 at the same time as the positional deviation amount (dxm, dym) detection result.

図13に、試料ステージ移動開始前に次の観察位置で試料ステージの移動目標位置のチップ配列(nxm1,nxm2)、チップ内座標値(xm1,ym1)が判明した後に、すでに位置ずれ量(dxm,dym)が装置識別記号(例えば装置製造番号)と関連付けされて観察手順記憶装置40Aに記憶されており、それをSEM制御装置へ読み込んでステージ位置の補正データとして利用するときのブロック図を示す。   In FIG. 13, after the tip array (nxm1, nxm2) and the in-chip coordinate values (xm1, ym1) of the target movement position of the sample stage are found at the next observation position before starting the specimen stage movement, the positional deviation amount (dxm , dym) is stored in the observation procedure storage device 40A in association with the device identification symbol (for example, device serial number), and is read into the SEM control device and used as stage position correction data. .

SEM制御装置より装置識別装置52−1に位置ずれ補正データの読み込み要求信号rreqを受け取ると、装置識別装置52−1は本発明の走査型電子顕微鏡装置B(51)に個別に備えられている装置識別記憶部67より装置識別記号「B」を読み取り、これを観察手順記憶装置40−1へ伝える。観察手順記憶装置40−1では、デバイス番号DevNoBと関連付けされている位置ずれ補正データ(dxmb1,dymb1),(dxmb2,dymb2),…,(dxmbi,dymbi)をSEM制御装置へ出力し、本発明の特徴である位置ずれ補正を行う。これを実線矢印で示す。ここで、例えば装置識別記憶部67より装置識別記号「A」の記憶されている時には、破線矢印のようにデバイス番号DevNoAと関連付けされている位置ずれ補正データ(dxma1,dyma1),(dxma2,dyma2),…,(dxmai,dymai)をSEM制御装置へ出力する。   When the apparatus identification device 52-1 receives the read request signal rreq for misregistration correction data from the SEM control device, the device identification device 52-1 is individually provided in the scanning electron microscope apparatus B (51) of the present invention. The device identification symbol “B” is read from the device identification storage unit 67 and transmitted to the observation procedure storage device 40-1. The observation procedure storage device 40-1 outputs the positional deviation correction data (dxmb1, dymb1), (dxmb2, dymb2),..., (Dxmbi, dymbi) associated with the device number DevNoB to the SEM control device. The positional deviation correction, which is a feature of This is indicated by a solid line arrow. Here, for example, when the device identification symbol “A” is stored from the device identification storage unit 67, the positional deviation correction data (dxma1, dyma1), (dxma2, dyma2) associated with the device number DevNoA as indicated by the broken line arrow. ), ..., (dxmai, dymai) are output to the SEM control device.

以上の処理の流れを図14のフローチャートに示す。
ステップSB001:試料ステージ移動指令発生
ステップSB002:SEM制御本体よりずれ量要求発生
ステップSB003:ずれ量記憶コントローラは予め観察手順記憶装置内に格納してある装置名Bを読み取って、DvNoBに相当するずれ量データを格納している場所にアクセスする。
ステップSB004:前記格納場所からずれ量データをSEM制御本体側へ送る。
ステップSB005:SEM制御本体では、受け取ったデータを基に試料ステージ移動目標位置を補正して新たな目標位置とする。
ステップSB006:前記目標位置へ試料ステージ移動開始
The flow of the above processing is shown in the flowchart of FIG.
Step SB001: Sample stage movement command generation step SB002: Deviation amount request generation from SEM control body Step SB003: Deviation amount storage controller reads device name B stored in the observation procedure storage device in advance, and a deviation corresponding to DvNoB Access the location where quantity data is stored.
Step SB004: Send deviation data from the storage location to the SEM control body.
Step SB005: The SEM control main body corrects the sample stage movement target position based on the received data to obtain a new target position.
Step SB006: Start moving the sample stage to the target position

図15に、すでに試料ステージ停止後に、観察位置で試料ステージの移動目標位置のチップ配列(nxm1,nxm2)、チップ内座標値(xm1,ym1)であるときに、測定される位置ずれ量(dxm,dym)が装置識別記号(例えば装置製造番号)と関連付けされて観察手順記憶装置40に記憶される様子をブロック図で示す。   FIG. 15 shows the positional deviation amount (dxm) that is measured when the tip array (nxm1, nxm2) and the in-chip coordinate values (xm1, ym1) at the observation position have already been stopped after the sample stage is stopped. , dym) is associated with a device identification symbol (for example, a device serial number) and stored in the observation procedure storage device 40 in a block diagram.

SEM制御装置より装置識別装置52−1が位置ずれ補正データの書き込み要求信号wreqを受け取ると、装置識別装置52−1は本発明の走査型電子顕微鏡装置B(51)に個別に備えられている装置識別記憶部67より装置識別記号「B」を読み取り、これを観察手順記憶装置40−1へ伝える。観察手順記憶装置40−1では、デバイス番号DevNoBと関連付けされている位置ずれ補正データ記憶場所(dxmb1,dymb1),(dxmb2,dymb2),…,(dxmbi,dymbi)へSEM制御装置より出力された位置ずれ量を順次格納される。これを実線矢印で示す。ここで、例えば装置識別記憶部67より装置識別記号「A」が記憶されている時には、破線矢印のようにデバイス番号DevNoAと関連付けされている位置ずれ補正データ記憶場所(dxma1,dyma1),(dxma2,dyma2),…,(dxmai,dymai)へSEM制御装置より位置ずれ量を出力する。   When the device identification device 52-1 receives the write error correction signal wreq from the SEM control device, the device identification device 52-1 is individually provided in the scanning electron microscope apparatus B (51) of the present invention. The device identification symbol “B” is read from the device identification storage unit 67 and transmitted to the observation procedure storage device 40-1. In the observation procedure storage device 40-1, the positional deviation correction data storage locations (dxmb1, dymb1), (dxmb2, dymb2), ..., (dxmbi, dymbi) associated with the device number DevNoB are output from the SEM control device. The amount of displacement is stored sequentially. This is indicated by a solid line arrow. Here, for example, when the device identification symbol “A” is stored from the device identification storage unit 67, the misalignment correction data storage locations (dxma1, dyma1), (dxma2) associated with the device number DevNoA as indicated by the broken line arrows , dyma2),..., (dxmai, dymai), the positional deviation amount is output from the SEM control device.

以上の処理の流れを図16のフローチャートに示す。
ステップSC001:試料ステージ移動終了
ステップSC002:観察位置ずれ量測定結果確定
ステップSC003:ずれ量記憶コントローラは予め観察手順記憶装置内に格納してある装置名Bを読み取って、DvNoBに相当するずれ量データを格納している場所にアクセスする。
ステップSC004:前記格納場所へ確定した位置ずれ量データをSEM制御本体側から送る。
ステップSC005:前記格納場所では、受け取ったデータを以前に格納してあるデータに続いて順番に格納する。
ステップSC006:終了
The flow of the above processing is shown in the flowchart of FIG.
Step SC001: Sample stage movement end step SC002: Observation position deviation amount measurement result confirmation step SC003: Deviation amount storage controller reads device name B stored in the observation procedure storage device in advance, and deviation amount data corresponding to DvNoB Access the location where the is stored.
Step SC004: The positional deviation amount data determined to the storage location is sent from the SEM control main body side.
Step SC005: At the storage location, the received data is stored in order following the previously stored data.
Step SC006: End

ところで、一方で試料ステージの移動終了の毎に測定された視野位置ずれ量測定結果をその都度移動目標位置へ反映させた補正後移動目標位置を求めて、これを記憶しておき次回の同じ又は相当する個所への移動の際に使用することを繰り返す方法による実施の形態がある。この実施の形態では、測定された視野位置ずれ量(dxm,dym)ではなく、そのずれ量を用いて補正を施した移動目標位置(xmt,ymt)を扱うことになる。   By the way, on the other hand, a corrected movement target position that reflects the measurement result of the visual field position deviation measured every time the movement of the sample stage is reflected in the movement target position is stored, and this is stored and stored next time or There is an embodiment based on a method of repeating the use when moving to a corresponding location. In this embodiment, not the measured visual field position shift amount (dxm, dym) but the movement target position (xmt, ymt) corrected using the shift amount is handled.

図26に試料ステージ移動開始前に次の観察位置で試料ステージの補正後移動目標位置のチップ配列(nxm1,nxm2)、チップ内座標値(xm1,ym1)が判明した後に、すでに補正後移動目標位置( xmt,ymt)が装置識別記号(例えば装置製造番号)と関連付けされて観察手順記憶装置40Bに記憶されており、それをSEM制御装置へ読み込んでステージ位置の補正データとして利用するときのブロック図を示す。   In FIG. 26, after the tip array (nxm1, nxm2) and the in-chip coordinate values (xm1, ym1) of the target movement after correction of the sample stage are found at the next observation position before starting the movement of the sample stage, the corrected movement target has already been obtained. A block when the position (xmt, ymt) is associated with an apparatus identification symbol (for example, an apparatus manufacturing number) and stored in the observation procedure storage apparatus 40B, and is read into the SEM control apparatus and used as stage position correction data The figure is shown.

SEM制御装置より装置識別装置52−1が補正後位置目標位置データの読み込み要求信号rreqを受け取ると、装置識別装置52−1は本発明の走査型電子顕微鏡装置B(51)に個別に備えられている装置識別記憶部67より装置識別記号「B」を読み取り、これを観察手順記憶装置40−1へ伝える。観察手順記憶装置40−1では、デバイス番号DevNoBと関連付けされている補正後移動目標位置データ(xmtb1,ymtb1),(xmtb2,ymtb2),…,(xmtbi,ymtbi)をSEM制御装置へ出力し、本発明の特徴である位置ずれ補正を行う。これを実線矢印で示す。ここで、例えば装置識別記憶部67より装置識別記号「A」の記憶されている時には、破線矢印のようにデバイス番号DevNoAと関連付けされている位置ずれ補正データ(xmta1,ymta1),(xmta2,ymta2),…,(xmtai,ymtai)をSEM制御装置へ出力する。   When the device identification device 52-1 receives the corrected position target position data read request signal rreq from the SEM control device, the device identification device 52-1 is individually provided in the scanning electron microscope apparatus B (51) of the present invention. The device identification symbol “B” is read from the device identification storage unit 67, which is transmitted to the observation procedure storage device 40-1. The observation procedure storage device 40-1 outputs corrected movement target position data (xmtb1, ymtb1), (xmtb2, ymtb2),..., (Xmtbi, ymtbi) associated with the device number DevNoB to the SEM control device, Misalignment correction, which is a feature of the present invention, is performed. This is indicated by a solid line arrow. Here, for example, when the device identification symbol “A” is stored in the device identification storage unit 67, the positional deviation correction data (xmta1, ymta1), (xmta2, ymta2) associated with the device number DevNoA as indicated by the broken line arrow. ), ..., (xmtai, ymtai) are output to the SEM controller.

以上の処理の流れを図27のフローチャートに示す。
ステップSE001:試料ステージ移動指令発生
ステップSE002:SEM制御本体よりずれ量要求発生
ステップSE003:ずれ量記憶コントローラは予め観察手順記憶装置内に格納してある装置名Bを読み取って、DvNoBに相当する補正後移動目標位置データを格納している場所にアクセスする。
ステップSE004:前記格納場所から補正後移動目標位置データをSEM制御本体側へ送る。
ステップSE005:SEM制御本体では、受け取ったデータを基に試料ステージ移動目標位置を補正して新たな目標位置とする。
ステップSE006:前記目標位置へ試料ステージ移動開始
The flow of the above processing is shown in the flowchart of FIG.
Step SE001: Sample stage movement command generation step SE002: Deviation amount request generation from the SEM control body Step SE003: The deviation amount storage controller reads the device name B stored in the observation procedure storage device in advance, and corrects it corresponding to DvNoB Access the location where the rear movement target position data is stored.
Step SE004: Send the corrected movement target position data from the storage location to the SEM control main body.
Step SE005: The SEM control main body corrects the sample stage movement target position based on the received data to obtain a new target position.
Step SE006: Start moving the sample stage to the target position

図28に、すでに試料ステージ停止後に、観察位置で試料ステージの移動目標位置のチップ配列(nxm1,nxm2)、チップ内座標値(xm1,ym1)であるときに、測定される位置ずれ量(dxm,dym)より求められた補正後移動目標位置(xmt,ymt)が装置識別記号(例えば装置製造番号)と関連付けされて観察手順記憶装置40Bに記憶される様子をブロック図で示す。   FIG. 28 shows the positional deviation amount (dxm) that is measured when the tip array (nxm1, nxm2) and in-chip coordinate values (xm1, ym1) at the observation position after the sample stage is stopped are in the observation position. , dym) is a block diagram showing how the corrected movement target position (xmt, ymt) obtained in association with the device identification symbol (for example, device manufacturing number) is stored in the observation procedure storage device 40B.

SEM制御装置より装置識別装置52−1が補正後移動目標位置データの書き込み要求信号wreqを受け取ると、装置識別装置52−1は本発明の走査型電子顕微鏡装置B(51)に個別に備えられている装置識別記憶部67より装置識別記号「B」を読み取り、これを観察手順記憶装置40−1へ伝える。観察手順記憶装置40−1では、デバイス番号DevNoBと関連付けされている補正後移動目標位置データ記憶場所(xmtb1,ymtb1),(xmtb2,ymtb2),…,(xmtbi,ymtbi)へSEM制御装置より出力された補正後移動目標位置を順次格納する。これを実線矢印で示す。ここで、例えば装置識別記憶部67より装置識別記号「A」が記憶されている時には、破線矢印のようにデバイス番号DevNoAと関連付けされている補正後移動目標位置データ記憶場所(xmta1,ymta1),(xmta2,ymta2),…,(xmtai,ymtai)へSEM制御装置より位置ずれ量を出力する。   When the apparatus identification device 52-1 receives the corrected movement target position data write request signal wreq from the SEM control device, the apparatus identification device 52-1 is individually provided in the scanning electron microscope apparatus B (51) of the present invention. The device identification symbol “B” is read from the device identification storage unit 67, which is transmitted to the observation procedure storage device 40-1. In the observation procedure storage device 40-1, the corrected movement target position data storage locations (xmtb1, ymtb1), (xmtb2, ymtb2), ..., (xmtbi, ymtbi) associated with the device number DevNoB are output from the SEM control device. The corrected corrected movement target positions are sequentially stored. This is indicated by a solid line arrow. Here, for example, when the device identification symbol “A” is stored from the device identification storage unit 67, the corrected movement target position data storage location (xmta1, ymta1), which is associated with the device number DevNoA, as indicated by the broken line arrow, The positional deviation amount is output from the SEM control device to (xmta2, ymta2),..., (xmtai, ymtai).

以上の処理の流れを図29のフローチャートに示す。
ステップSF001:試料ステージ移動終了
ステップSF002:観察位置ずれ量測定結果確定
ステップSF003:ずれ量記憶コントローラは予め観察手順記憶装置内に格納してある装置名Bを読み取って、DvNoBに相当する補正後移動目標位置データを格納している場所にアクセスする。
ステップSF004:前記格納場所へ確定した補正後移動目標位置データをSEM制御本体側から送る。
ステップSF005:前記格納場所では、受け取ったデータを以前に格納してあるデータに続いて順番に格納する。
ステップSF006:終了
The flow of the above processing is shown in the flowchart of FIG.
Step SF001: Sample stage movement end step SF002: Observation position deviation amount measurement result determination step SF003: The deviation amount storage controller reads the device name B stored in the observation procedure storage device in advance and moves after correction corresponding to DvNoB. Access the location where the target position data is stored.
Step SF004: Send corrected corrected target position data to the storage location from the SEM control main body side.
Step SF005: At the storage location, the received data is stored in order following the previously stored data.
Step SF006: End

以上のように、例えば図17に示すようなステージ位置決め誤差を持つ走査型電子顕微鏡装置Aと図18に示すようなステージ位置決め誤差を持つ走査型電子顕微鏡装置Bの間で観察手順記録を共有しても、位置ずれ量の異なることを原因とするステージ位置決め誤差を生じることはない。以上の本発明により、より高い位置精度での視野出しを走査型電子顕微鏡にて実現することが可能となる。なお、本発明は走査型電子顕微鏡のみならず試料ステージを備えた他の観察装置及び顕微鏡にも適用可能である。   As described above, for example, an observation procedure record is shared between a scanning electron microscope apparatus A having a stage positioning error as shown in FIG. 17 and a scanning electron microscope apparatus B having a stage positioning error as shown in FIG. However, there is no stage positioning error caused by the difference in the amount of displacement. According to the present invention as described above, it is possible to realize field-of-view with higher positional accuracy with a scanning electron microscope. The present invention can be applied not only to a scanning electron microscope but also to other observation apparatuses and microscopes equipped with a sample stage.

本発明による荷電粒子線装置の一例である走査型電子顕微鏡の概要を示す図。The figure which shows the outline | summary of the scanning electron microscope which is an example of the charged particle beam apparatus by this invention. 制御盤(A)の説明図。Explanatory drawing of a control panel (A). 制御盤(B)の説明図。Explanatory drawing of a control panel (B). 較正点登録記憶装置の一例を示す図。The figure which shows an example of a calibration point registration memory | storage device. 測長点登録記憶装置の一例を示す図。The figure which shows an example of the measuring point registration memory | storage device. 位置ずれ補正機能ON/OFF登録記憶装置の説明図。Explanatory drawing of a position shift correction function ON / OFF registration storage device. 位置ずれ量補正使用点数登録記憶装置の説明図。Explanatory drawing of a position shift amount correction use point number registration storage device. 処理手順の一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of a process procedure. 画像照合により測長点位置を求める仕組みを示す図。The figure which shows the mechanism which calculates | requires a measurement point position by image collation. ステージ座標と指示座標の間の座標値変換の仕組みを示す図。The figure which shows the mechanism of the coordinate value conversion between a stage coordinate and an instruction | indication coordinate. 動作シーケンスの一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of an operation | movement sequence. 観察手順記憶装置の説明図。Explanatory drawing of an observation procedure memory | storage device. 観察手順記憶装置からの読み取り状態を示す図。The figure which shows the reading state from an observation procedure memory | storage device. 動作シーケンスの一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of an operation | movement sequence. 観察手順記憶装置への書き込み状態を示す図。The figure which shows the write-in state to an observation procedure memory | storage device. 動作シーケンスの一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of an operation | movement sequence. 試料ステージ位置精度の一例を示す図。The figure which shows an example of sample stage position accuracy. 試料ステージ位置精度の他の例を示す図。The figure which shows the other example of sample stage position accuracy. 設計に対して実チップ全体がある角度で傾いている状態を示す図。The figure which shows the state which the whole real chip inclines at a certain angle with respect to design. 設計データ格子に対して実チップ毎に傾いている状態を示す図。The figure which shows the state inclined for every real chip | tip with respect to a design data lattice. 位置ずれ量測定機能ON/OFF登録記憶装置の説明図。Explanatory drawing of a positional deviation amount measurement function ON / OFF registration storage device. 動作シーケンスの一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of an operation | movement sequence. 測長点登録記憶装置の一例を示す図。The figure which shows an example of the measuring point registration memory | storage device. 観察手順記憶装置の一例を示す図。The figure which shows an example of an observation procedure memory | storage device. ステージ座標と指示座標の間の座標値変換の仕組みを示す図。The figure which shows the mechanism of the coordinate value conversion between a stage coordinate and an instruction | indication coordinate. 観察手順記憶装置からの読み取り状態を示す図。The figure which shows the reading state from an observation procedure memory | storage device. 動作シーケンスの一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of an operation | movement sequence. 観察手順記憶装置への書き込み状態を示す図。The figure which shows the write-in state to an observation procedure memory | storage device. 動作シーケンスの一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of an operation | movement sequence. 位置ずれ量が観察回数を重ねる毎に収束される様子を示す図。The figure which shows a mode that a positional offset amount is converged whenever it repeats the number of observations.

符号の説明Explanation of symbols

1…試料ステージ、2…モータX、3…モータY、4…試料(チップ)、5…ステージ制御装置、6…SEM制御装置、7…制御盤(A)、8…座標値入力窓、9…SEM画像(画像メモリ)、10…チップ配列指示座標、11…チップ内位置指示座標、12…座標値変換器、13…トラックボール、14…リニアスケールコントローラ、15…制御盤(B)、16…較正点登録記憶装置、17…測長点登録記憶装置、18…電子源、19…電子レンズ、20…偏向器、21…ウェーハ、22…検出器、23…画像生成装置、24−1…Yリニアスケール、24−2…Xリニアスケール、26…登録記憶SEM画像、27…ポインティングペン、28…較正手順ファイル、29…測長手順ファイル、30…画像枠、31…画像枠位置指示器、32…画像照合装置、33…ゲート、34…偏向オフセット量指示器、35…偏向指示器、36…アンプ、37…スケール制御器、38−1…Xスケール、38−2…Yスケール、40…観察手順記憶装置、50…走査型電子顕微鏡装置A、51…走査型電子顕微鏡装置B、52…装置識別装置、53…装置記号記録装置、61…位置ずれ補正機能ON/OFF登録記憶装置、62…位置ずれ量補正使用点数登録記憶装置、65…位置ずれ補正機能実行状態表示器、66…補正有効データ点数入力窓、67…装置識別記憶部
adj…画像照合一致時ON信号、pcj(PCJ)…位置ずれ補正有効データ点数、rreq…読み込み時位置ずれ補正データ要求信号、wreq…書き込み時位置ずれ補正データ要求信号
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sample stage, 2 ... Motor X, 3 ... Motor Y, 4 ... Sample (chip), 5 ... Stage control apparatus, 6 ... SEM control apparatus, 7 ... Control panel (A), 8 ... Coordinate value input window, 9 ... SEM image (image memory), 10 ... Chip arrangement instruction coordinates, 11 ... In-chip position instruction coordinates, 12 ... Coordinate value converter, 13 ... Trackball, 14 ... Linear scale controller, 15 ... Control panel (B), 16 ... calibration point registration storage device, 17 ... measurement point registration storage device, 18 ... electron source, 19 ... electron lens, 20 ... deflector, 21 ... wafer, 22 ... detector, 23 ... image generation device, 24-1 ... Y linear scale, 24-2 ... X linear scale, 26 ... registered storage SEM image, 27 ... pointing pen, 28 ... calibration procedure file, 29 ... length measurement procedure file, 30 ... image frame, 31 ... image frame position indicator, DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Image collation apparatus, 33 ... Gate, 34 ... Deflection offset indicator, 35 ... Deflection indicator, 36 ... Amplifier, 37 ... Scale controller, 38-1 ... X scale, 38-2 ... Y scale, 40 ... Observation procedure storage device 50... Scanning electron microscope device A 51. Scanning electron microscope device B 52. Device identification device 53. Device symbol recording device 61 61 Position misalignment correction function ON / OFF registration storage device 62 ... misregistration amount correction use point registration storage device, 65 ... misregistration correction function execution status display, 66 ... correction effective data point input window, 67 ... device identification storage unit adj ... ON signal when image collation coincides, pcj (PCJ) ... Position correction effective data points, rreq ... Position correction data request signal at reading, wreq ... Position correction data request signal at writing

Claims (9)

荷電粒子線を発生する荷電粒子線源と、試料を保持して移動する試料ステージと、前記荷電粒子線源から放出された荷電粒子線を試料に収束するレンズと、前記荷電粒子線を偏向する偏向器と、試料の画像を検出する画像検出手段と、検出された画像を表示する画像表示手段と、試料上の位置を指示する座標指示手段と、前記座標指示手段上の座標値と前記試料ステージ上の座標値とを較正可能に対応付け前記座標指示手段上で指示した座標値と対応する前記試料ステージの位置へ前記試料ステージを移動させる手段とを備える荷電粒子線装置において、
同じ工程により製造された複数の試料上での互いに相当する同一箇所の観察位置を観察しようとする時に、前記座標指示手段で指示した前記観察位置に対応する移動目標位置に前記試料ステージを移動させ、移動終了後に前記画像検出手段によって前記観察位置の位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出手段と、算出された位置ずれ量を記憶する記憶手段を有し、位置ずれ量算出手段により求められた位置ずれ量に基づいて、次回以降に前記同じ工程により製造された異なる試料上の前記観察位置に相当する観察位置への移動時に採用する移動目標位置座標値を制御し、試料ステージ停止時の前記試料の所定位置と画像表示手段の所定位置とが一致するように動作する位置ずれ補正手段と、
装置識別手段とを有し、
前記位置ずれ量を記憶する記憶手段は装置識別記号を付けて前記位置ずれ量を記憶し、前記位置ずれ補正手段によって前記試料ステージの移動目標位置を決定するときに、前記装置識別手段によって識別された自らの装置識別記号が付与された位置ずれ量を統計処理した結果に基づいて前記試料ステージの移動目標位置を決定することを特徴とする荷電粒子線装置。
A charged particle beam source that generates a charged particle beam, a sample stage that holds and moves the sample, a lens that converges the charged particle beam emitted from the charged particle beam source onto the sample, and deflects the charged particle beam Deflector, image detecting means for detecting an image of the sample, image display means for displaying the detected image, coordinate indicating means for indicating the position on the sample, coordinate values on the coordinate indicating means, and the sample In a charged particle beam apparatus comprising: means for correlating a coordinate value on a stage so as to be calibrated; and means for moving the sample stage to the position of the sample stage corresponding to the coordinate value designated on the coordinate designating means,
When observing observation positions at the same corresponding position on a plurality of samples manufactured by the same process, the sample stage is moved to a movement target position corresponding to the observation position indicated by the coordinate instruction means. A positional deviation amount calculating means for calculating the positional deviation amount of the observation position by the image detecting means after the movement is completed, and a storage means for storing the calculated positional deviation amount, and obtained by the positional deviation amount calculating means. Based on the positional deviation amount, the movement target position coordinate value adopted when moving to the observation position corresponding to the observation position on the different sample manufactured by the same process after the next time is controlled, and the sample stage is stopped when the sample stage is stopped. A positional deviation correction means that operates so that a predetermined position of the sample and a predetermined position of the image display means coincide;
Device identification means,
The storage means for storing the positional deviation amount stores the positional deviation amount with an apparatus identification symbol, and is identified by the apparatus identification means when the movement target position of the sample stage is determined by the positional deviation correction means. A charged particle beam apparatus characterized in that a movement target position of the sample stage is determined based on a result of statistical processing of a positional deviation amount to which an apparatus identification symbol is assigned.
荷電粒子線を発生する荷電粒子線源と、試料を保持して移動する試料ステージと、前記荷電粒子線源から放出された荷電粒子線を試料に収束するレンズと、前記荷電粒子線を偏向する偏向器と、試料の画像を検出する画像検出手段と、検出された画像を表示する画像表示手段と、試料上の位置を指示する座標指示手段と、前記座標指示手段上の座標値と前記試料ステージ上の座標値とを較正可能に対応付け前記座標指示手段上で指示した座標値と対応する前記試料ステージの位置へ前記試料ステージを移動させる手段とを備える荷電粒子線装置において、
同じ工程により製造された複数の試料上での互いに相当する同一箇所の観察位置を観察しようとする時に、前記座標指示手段で指示した前記観察位置に対応する移動目標位置に前記試料ステージを移動させ、移動終了後に前記画像検出手段によって前記観察位置の位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出手段と、算出された位置ずれ量を用いてその時点で採用されていた移動目標位置座標値を補正して補正後移動目標位置座標値を求める手段と、求めた補正後移動目標位置座標値を記憶する記憶手段を有し、前記記憶手段に記憶されている補正後移動目標位置座標値に基づいて、次回以降に前記同じ工程により製造された異なる試料上の前記観察位置に相当する観察位置への移動時に採用する移動目標位置座標値を制御し、試料ステージ停止時の前記試料の所定位置と画像表示手段の所定位置とが一致するように動作する位置ずれ補正手段と、
装置識別手段とを有し、
前記補正後移動目標位置座標値を記憶する記憶手段は装置識別記号を付けて前記補正後移動目標位置座標値を記憶し、前記位置ずれ補正手段によって前記試料ステージの移動目標位置を決定するときに、前記装置識別手段によって識別された自らの装置識別記号が付与された補正後移動目標位置座標値を統計処理した結果に基づいて前記試料ステージの移動目標位置を決定することを特徴とする荷電粒子線装置。
A charged particle beam source that generates a charged particle beam, a sample stage that holds and moves the sample, a lens that converges the charged particle beam emitted from the charged particle beam source onto the sample, and deflects the charged particle beam Deflector, image detecting means for detecting an image of the sample, image display means for displaying the detected image, coordinate indicating means for indicating the position on the sample, coordinate values on the coordinate indicating means, and the sample In a charged particle beam apparatus comprising: means for correlating a coordinate value on a stage so as to be calibrated; and means for moving the sample stage to the position of the sample stage corresponding to the coordinate value designated on the coordinate designating means,
When observing observation positions at the same corresponding position on a plurality of samples manufactured by the same process, the sample stage is moved to a movement target position corresponding to the observation position indicated by the coordinate instruction means. A positional deviation amount calculating means for calculating the positional deviation amount of the observation position by the image detecting means after the movement is completed, and correcting the movement target position coordinate value employed at that time using the calculated positional deviation amount. Means for determining the corrected movement target position coordinate value, and storage means for storing the calculated corrected movement target position coordinate value, based on the corrected movement target position coordinate value stored in the storage means, Control the movement target position coordinate value used when moving to the observation position corresponding to the observation position on a different sample manufactured by the same process after the next time, and when the sample stage is stopped And positional deviation correcting means operates to the predetermined position coincides with a predetermined position and the image display unit of the sample,
Device identification means,
The storage means for storing the corrected movement target position coordinate value stores the corrected movement target position coordinate value with a device identification symbol, and determines the movement target position of the sample stage by the positional deviation correction means. The charged particle is characterized in that the movement target position of the sample stage is determined based on a result of statistical processing of the corrected movement target position coordinate value to which the apparatus identification symbol identified by the apparatus identification unit is assigned. Wire device.
請求項1又は2記載の荷電粒子線装置において、観察予定位置と観察部分画像とその観察順序を記憶した観察手順記憶装置を備え、前記観察手順記憶装置内の観察予定位置座標値と関連付けして前記位置ずれ量又は補正後移動目標位置座標値を記憶することを特徴とする荷電粒子線装置。   The charged particle beam apparatus according to claim 1 or 2, further comprising an observation procedure storage device that stores an observation scheduled position, an observation partial image, and an observation order thereof, and is associated with the observation planned position coordinate value in the observation procedure storage device. A charged particle beam apparatus that stores the displacement amount or the corrected movement target position coordinate value. 請求項1,2又は3記載の荷電粒子線装置において、任意の観察位置への移動を行う際の移動目標位置座標を制御するときに、それ以前に収得された複数回分の前記位置ずれ量又は補正後移動目標位置座標値の統計処理結果を用いることを特徴とする荷電粒子線装置。   In the charged particle beam apparatus according to claim 1, 2 or 3, when controlling the movement target position coordinates when moving to an arbitrary observation position, the positional deviation amount for a plurality of times obtained before or A charged particle beam apparatus using a statistical processing result of a corrected movement target position coordinate value. 請求項4記載の荷電粒子線装置において、前記位置ずれ量算出手段で過去に遡って有効とされる位置ずれ量算出点数を予め指定する手段を有することを特徴とする荷電粒子線装置。   5. The charged particle beam apparatus according to claim 4, further comprising means for preliminarily designating a position shift amount calculation point that is effective retroactively by the position shift amount calculation means. 請求項1〜5のいずれか1項記載の荷電粒子線装置において、前記位置ずれ補正手段を有効又は無効に切り替える手段を有することを特徴とする荷電粒子線装置。   The charged particle beam apparatus according to claim 1, further comprising a unit that switches the position deviation correction unit between valid and invalid. 請求項6記載の荷電粒子線装置において、前記位置ずれ補正手段の有効又は無効の指定を予め記憶する手段を有し、自動観察時に前記位置ずれ補正手段の有効又は無効を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。   7. The charged particle beam apparatus according to claim 6, further comprising means for preliminarily storing designation of validity or invalidity of the positional deviation correction means, and controlling validity or invalidity of the positional deviation correction means during automatic observation. Charged particle beam device. 請求項1〜5のいずれか1項記載の荷電粒子線装置において、前記位置ずれ量算出手段を有効又は無効に切り替える手段を有することを特徴とする荷電粒子線装置。   6. The charged particle beam apparatus according to claim 1, further comprising means for switching the position deviation amount calculating means between valid and invalid. 請求項8記載の荷電粒子線装置において、前記位置ずれ量算出手段の有効又は無効の指定を予め記憶する手段を有し、自動観察時に前記位置ずれ量算出手段の有効又は無効を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。   9. The charged particle beam apparatus according to claim 8, further comprising a unit that stores in advance designation of validity or invalidity of the positional deviation amount calculation unit, and controls validity or invalidity of the positional deviation amount calculation unit during automatic observation. Characterized charged particle beam device.
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