JP4246311B2

JP4246311B2 - ビーム加工方法及び集束イオンビーム装置

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Publication number: JP4246311B2
Application number: JP01210099A
Authority: JP
Inventors: 広靖加賀; 博幸武藤; 恵川上
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-01-20
Filing date: 1999-01-20
Publication date: 2009-04-02
Anticipated expiration: 2019-01-20
Also published as: JP2000215838A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光露光装置や集束イオンビーム（Focused Ion Beam）装置などに用いられるマーク検出方法及びそのマーク検出方法を取り入れたビーム加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マーク検出は、光露光装置、電子線描画装置、集束イオンビーム（以下、ＦＩＢという）装置等で広く用いられている。ＦＩＢ装置の場合、加工すべき試料に予め基準マークを設けておく、あるいはＦＩＢ装置のイオンビームで試料に基準マークを形成する。そして、加工中に基準マークを検出して、その基準マークに対して加工位置が常に一定距離になるように、検出されたマーク位置のずれに応じて逐次加工位置を補正することで、加工位置がずれないようにする機能がある。このように基準マーク位置を検出しながら加工することで、試料を保持しているステージが移動しても予め設定してある条件に従って加工できるため、ＦＩＢビームの偏向範囲より広い領域の加工も無人で行うことができる。この際、重要になるのがマーク検出の精度である。
【０００３】
従来のマーク検出法は、レベル法でマーク信号（波形）の最大と最小の間にある値のスライスレベルを決め、マーク信号波形とスライスレベルの交点をマークエッジとして、マークエッジからマーク中心を算出する方法である。この方法は、簡便でかつ検出処理が速く、波形が対称ならば検出精度が良い。このため、マーク検出の基本をなして、多くの装置で用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記従来の方法は、マーク検出波形にノイズが多かったり非対称な場合、マークのエッジが不鮮明な場合、また、マークのエッジよりも強い信号がマーク近傍で検出される場合はマーク検出精度が低下し、特にマークが半導体デバイスのパターン上にある場合にはマーク検出ができない。
【０００５】
例えばベアーウェーハ上に形成されているマークのように、マーク検出波形のマークエッジが鮮明な場合は、マーク検出波形とスライスレベルの交点をマークエッジとしてマーク中心を求める方法でも問題は生じない。しかし、半導体デバイス上に作られたマークの検出波形は、デバイスパターンの凹凸情報がマーク信号に重なり、つまり、パターンのエッジとマークエッジが重なり、マークエッジとパターンエッジを区別できない場合がある。また、絶縁物と金属が混在する場合、帯電の影響で信号強度（明るさ）が場所場所で大きく変る。このような場合、マーク信号はエッジ検出の条件（エッジ数）を満たさず検出できなかったり、誤検出することがある。
【０００６】
更に、マーク信号が非対称（この原因はマークそのものにあったり、検出器の取付け位置にあったりする）であれば、マークエッジを決めるためのスライスレベルを設定することが難しい。これは、マーク信号の非対称の度合を重心として考えると、重心とスライスレベル法で検出されるマーク中心が略一致するため、非対称なマーク信号の場合、検出されるマーク中心が真のマーク中心からずれる。つまり、レベル法では、非対称なマーク検出波形から求めたマーク中心位置が対称なマーク検出波形から求めたマーク中心位置と異なり、マーク検出精度を低下させる。
【０００７】
特に、イオンビームを用いてマークを検出するＦＩＢ装置の場合、マークがイオンビームのスパッタ作用によって損傷を受け、マーク検出を繰返す毎にマーク検出波形が変わる。このため、他の装置で行われているような方法、つまり、走査ビーム回数を増やして検出信号を加算したり、走査ビームの電流を増してマーク信号のＳ／Ｎを上げる等の方法をとることが出来ない。しかし、マーク信号のＳ／Ｎが悪いと、マーク検出が出来なかったり、検出位置精度が悪くなったり、また、マークの誤検出につながる。
【０００８】
一方、ＦＩＢ装置においてビーム電流を変えて加工することは、加工時間の短縮や加工精度の向上を図る上で不可欠である。しかし、ＦＩＢ装置のビーム電流の変更は、対物レンズ絞りの大きさを変えたり、コンデンサーレンズの倍率を変えたりすることで行われるため、ビーム電流の変更に伴ってビーム光軸が多少ずれて加工位置ずれを招く。これを防ぐには、ビーム電流を変えても位置ずれが起きないように、加工前に予め装置の光軸調整を行っておく必要があった。更にまた、ＦＩＢ装置の自動加工機能の信頼性を高め、加工位置ずれの補正をサブミクロンの精度で正確に行うには、マーク検出の精度と信頼性を高くすることが重要である。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、最小のビーム走査回数（１画取得）でマーク位置を検出することができ、かつ、マークエッジが不明瞭なマーク検出波形からもマーク位置を検出することができる方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明では、試料上のマークをビームで走査し、走査領域から発生する信号から信号波形を得て、１枚の画像データとする。この画像データが５１２×５１２ピクセルからなるとすると、各Ｘ（特定のＸに対するＹの０〜５１１で成す信号）・Ｙ（特定のＹに対するＸの０〜５１１で成す信号）軸のデータ（この場合５１２本）を全て加算したものを信号波形とする。これにより、５１２本の信号波形が加算平均されるので信号波形に乗るランダムなノイズが消去できる。また、各加算方向に垂直なマークエッジは、全ての位置に同様に加算平均され信号が小さくなる。一方、加算方向に平行なマークエッジは、特定の位置に集中的に加算され強調される。この方法によるマークエッジの強調化は、１枚の画像データのみによって可能であり、複数枚の画像データを取込む必要がない。
【００１１】
マーク信号波形は、一般に形状が既知であり、マーク中心に対し特定の対称性がある。本発明では、マーク信号波形のこの性質を用いて、マーク信号波形の持つ対称性と検出信号の対称性が良く一致する点からマーク中心を算出する方法（対称性解析）、マーク信号波形が他の信号と明確に区別できることを利用して、予め検出する基準マーク信号波形を記憶しておき、その基準マーク信号波形と検出マーク信号波形とが最も良く一致する位置をマーク中心として検出する方法（相関解析方法）、あるいはこれらの方法を組み合わせた方法でマーク中心を求める。
【００１２】
また、マーク検出機能を用いることによって基準マークとＦＩＢ加工位置が一定の距離になるようにずれ量を補正できるため、予めＦＩＢ装置のビーム光軸を精密に調整しなくとも、ビーム電流を変えた時の軸ずれを補正しながらビーム電流を色々変えて加工することができる。つまり、マークによる加工位置補正機能によって、予め加工するビーム電流に必要な光軸調整の負担を軽減することができる。このことはまた、サブミクロン精度の加工を短時間で行うことを可能にする。つまり、サブミクロンの加工精度を得るには、小さなビーム電流で加工する必要があるが、加工時間はビーム電流に反比例するので加工精度を上げようとすると加工時間が長くなる。このため、粗加工を大きなビーム電流で、仕上げ加工を小さなビーム電流でと、一つの加工をビーム電流を変えながら行い、ビーム電流を変えた時の軸ずれをマーク検出による加工位置補正機能を用いて補正することで、予めビームの軸を高精度に調整することなくサブミクロンの精度の加工を行うことができる。
【００１３】
すなわち、本発明のマーク検出方法は、試料に設けられたマークの特徴的位置を検出するマーク検出方法において、マークを荷電粒子ビームで走査するとき試料から発生する試料信号に基づいてマーク画像を形成し、前記マーク画像の画素データを一つの軸方向に総加算して得られる信号波形と、前記マーク画像のデータを前記軸方向に直交する方向に総加算して得られる信号波形とを用いてマークの特徴的位置を求めることを特徴とする。マークの特徴的位置とは、例えばマーク中心など、マークに対して一定の位置関係にある位置である。
【００１４】
マークの特徴的位置は、前記マーク検出方法で得られた信号波形と既知の基準波形との相関解析によって求めることができる。相関解析は２つの波形の積又は差分を用いて行うことができる。
マークの特徴的位置は、また、前記マーク検出方法で得られた信号波形と該信号波形の既知の対称性とを用いて求めることができる。
【００１５】
マークの特徴的位置は、また、前記マーク検出方法で得られた信号波形と該信号波形の既知の信号幅と対称性とを用いて求めることができる。
マークの特徴的位置は、また、前記マーク検出方法で得られた信号波形と既知の基準波形との相関解析によりマークの大まかな特徴的位置を求め、その大まかな特徴的位置を中心とした前記信号波形と該信号波形の既知の信号幅と対称性とを用いて求めることができる。
【００１６】
マークの特徴的位置は、また、前記マーク検出方法で得られた信号波形と既知の基準波形との相関解析によりマークの大まかな特徴的位置を求め、その大まかな特徴的位置を中心とした既知の信号幅内で前記信号波形の対称性を解析することにより求めることができる
マークは十字形状のマークとすることができる。
【００１７】
また、本発明のマーク検出方法は、試料に設けられたマークの特徴的位置を検出するマーク検出方法において、マークを荷電粒子ビームで走査するとき試料から発生する試料信号を検出して得られた信号波形と該信号波形の既知の信号幅と対称性とを用いてマークの特徴的位置を求めることを特徴とする。
本発明のビーム加工方法は、試料に荷電粒子ビームを照射して加工を行うビーム加工方法において、試料の加工領域以外の位置に荷電粒子ビームを照射してマークを形成し、そのマークを前述のマーク検出方法で検出して加工位置のずれを補正することを特徴とする。
【００１８】
本発明のビーム加工方法は、また、荷電粒子ビームで試料を照射して加工を行うビーム加工方法において、加工精度に応じてビーム電流を変え、ビーム電流を変えた時に試料に形成されているマークを検出して加工位置のずれを補正することを特徴とする。
本発明の一態様では、十字マークを含む走査領域から得られたマークの画像データから、Ｘ・Ｙ軸方向にそれぞれ加算平均した波形データを得る。マーク中心は、既知の基準波形と上記波形データとの積又は差分の相関解析した結果をもとに、解析領域を制限して対称性解析で再計算しマーク中心を求める。この検出法によれば、イオンビームによるマークの損傷を極力抑えながら高精度にマーク位置を検出することができる。また、半導体デバイス上にマークが有る場合や、マークエッジがデバイスパターンに重なった波形に対しても、検出可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明をＦＩＢ装置に適用した場合のシステム構成を示す図である。イオン源で発生したイオンビーム１は偏向器２で偏向され、ステージ３上に置かれた試料４上を走査する。イオンビーム１が衝突することによって試料４から発生した２次粒子５は、シンチレータ６で検出され、プリアンプ７で増幅される。一方、ビーム走査信号生成装置９は、制御コンピュータ８からビーム走査開始命令を受けると、ビーム走査信号を偏向器制御装置１０に渡し、偏向器制御装置１０では走査（偏向）信号に基づいて生成した電圧を偏向器２に印加し、偏向器２を駆動する。また、走査（偏向）信号と同期して検出した信号は、プリアンプ７で増幅され、モニター１１と信号処理装置１２に分割して供給される。この検出信号は、走査信号と同期してモニター１１に表示されると同時に、信号処理装置１２では、モニターに表示された像をデジタル化してメモリに蓄える。信号処理装置１２のデータは、制御コンピュータ８に渡され、マーク中心を求めるために解析処理される。
【００２０】
ＦＩＢ装置は加工観察装置であり、加工の場合、加工位置がずれることなくサブミクロンの精度で正確に加工を行うことが重要である。このため、加工中に試料に設けられた基準マークを検出して加工位置補正を行う機能と、ステージの移動を伴った加工においても予め設定された条件に従い、加工位置補正を行いながら加工する自動加工機能を備える。ＦＩＢ装置の場合、装置自体のビームを用いて試料にマークを加工することが出来る。そのため、たとえば十字マークを加工した場合、十字の方向がＦＩＢのＸ、Ｙ走査方向と自動的に一致する。このような十字マークを用いてマーク位置を検出する場合について述べる。
【００２１】
図２は、試料上のマーク位置とＦＩＢ加工位置の関係を説明する図である。試料上にはＦＩＢ加工領域２０が設定されている。また、試料上のＦＩＢ加工領域２０から離れた場所に十字マーク２１が加工されている。十字マークの中心座標は（Ｘ₀，Ｙ₀）である。ＦＩＢ加工領域２０中の時々刻々の加工位置の座標は、ＦＩＢ加工領域２０の加工開始点の座標（Ｘ₁，Ｙ₁）と関連付けられて制御コンピュータ８によって管理されている。制御コンピュータ８は、検出されたマーク２１のマーク中心に対して、ＦＩＢ加工領域２０の加工開始点が予め定められた位置関係となるように加工位置を補正する。
【００２２】
次に、本発明によるマーク検出方法について説明する。まず、イオンビーム１でマーク２１を含む走査領域を一面走査し、発生する信号を検出してモニター１１に像の表示を行い、信号処理装置１２で１枚の画像データを得る。たとえば、図３に示すように、像が５１２×５１２ピクセルの画像データＰ(ｘ_i，ｙ_j)（ｉ＝０，１，…，５１１；ｊ＝０，１，…，５１１）からなる場合、Ｘ方向に対しては５１２本（特定のＸ値におけるＹの０〜５１１からなる信号）のデータ、同様にＹ方向に関しても５１２本（特定のＹ値におけるＸの０〜５１１からなる信号）のデータがある。その画像データの各Ｘ，Ｙ軸のデータを全て加算平均し、次式に示す波形データｆ_y(ｘ)，ｆ_x(ｙ)に変える。
【００２３】
【数１】

【００２４】
Ｘ，Ｙ方向に、それぞれの５１２本のデータを加算した波形データｆ_y(ｘ)，ｆ_x(ｙ)を図３に示す。この方法によると、５１２×５１２ピクセルからなる１枚の画像データＰ(ｘ_i，ｙ_j)からＸ，Ｙ方向にそれぞれ５１２本加算平均されるので、１本１本の信号に乗るランダムなノイズを消去することができる。
【００２５】
従来の一般的なエッジ検出法では、マークのエッジを検出するため、マークエッジを含む走査領域を集中的に走査して検出する。この方法は、ＦＩＢ装置のようにビームで試料を加工する装置においては、検出の際に試料を加工してしまうので、検出を繰り返す毎にマークエッジがダレてしまい、マーク信号が変化してマーク検出できなくなる問題が生じる。その対策として走査回数を減らすと、ノイズが増えノイズを誤検出することになる。
【００２６】
一方、上記の本発明による方法では、各加算方向に垂直なマークエッジの信号は加算平均されて小さくなり、逆に加算方向に平行なマークエッジの信号は加算平均によって強調される。従って、マーク検出のために必要なエッジ信号を他の誤検出につながるエッジ信号より大きくすることが出来る。この方法のためのデータは１枚のマーク画像に含まれているデータだけで十分であり、複数枚のマーク画像を取込む必要がない。したがって、ＦＩＢ装置の場合においても、マーク検出の際に生じるマークの損傷を最小限に抑えることができる。
【００２７】
マーク画像データのピクセルデータをＹ軸方向及びＸ軸方向に全て加算平均して波形データｆ_y(ｘ)，ｆ_x(ｙ)に変え、この波形データｆ_y(ｘ)，ｆ_x(ｙ)に基づいてマークエッジを検出し、それからマーク中心を求めることができる。しかし、この方法では鮮明なエッジ信号が得られない場合があり、レベル法ではマークの高精度な検出が困難な場合がある。そこで、マーク検出の精度向上を図るため、本発明では、マーク検出のために更に（１）対称性解析、（２）相関解析、又は（３）対称性解析と相関解析を組合せた解析、を併用する。以下、この解析処理方法について説明する。
【００２８】
（１）対称性解析
図４（ａ）は、図３に示したＸ軸方向及びＹ軸方向の加算処理と対称性解析処理を併用する場合の処理手順を示すフローチャートである。まず、マークが形成されている領域をビームで走査して、マークの２次元画像を取得する（Ｓ１１）。次に、図３に示すように、Ｘ，Ｙ軸方向にそれぞれ平均加算されたマーク信号波形を得る（Ｓ１２）。その後、以下に説明する対称性解析を行い（Ｓ１３）、マークの中心を求める（Ｓ１４）。
【００２９】
一般に関数は、偶関数と奇関数で展開できる。このことを用いてマーク信号波形を偶関数と奇関数で展開する。ここでは、マーク信号波形ｆ_y(ｘ)に関する処理について説明するが、マーク信号波形ｆ_x(ｙ)の処理も全く同様に行われる。マーク信号波形ｆ_y(ｘ)は、ｆ(ｘ)をマーク情報、ｎ(ｘ)をノイズとして次式のように表すことができる。
【００３０】
【数２】

【００３１】
対称性を評価するために次式Ｚ(ｘ)を定義する。ここで、Ｗはマーク幅であり、−Ｗ／２≦ｘ′≦Ｗ／２である。
【００３２】
【数３】

【００３３】
この計算でノイズ成分ｎ(ｘ)は加算平均され消える。また、マーク情報ｆ(ｘ)は、偶関数ｇｅ(ｘ)と奇関数ｇｏ(ｘ)で展開することができ、次の関係が成り立つ。
【００３４】
【数４】

【００３５】
【数５】

であるから、上記〔数３〕の積分Ｚ(ｘ)は、次式のようになる。
【００３６】
【数６】

【００３７】
ただし、Ｅｅ(ｘ)は偶関数成分の関数、Ｅｏ(ｘ)は奇関数成分の関数である。この結果は、求める関数ｆ(ｘ)が偶関数であればその中心は極大値に、奇関数であればその中心は極小値に対応することを示している。上記計算を離散的量として表すと、離散マーク信号波形をｆ[ｉ]として、ｆ[ｉ＋ｊ]とｆ[ｉ−ｊ]の積をマーク幅にわたって加算した次式で表される。−ｋ／２≦ｊ≦ｋ／２ただし、マーク幅Ｗをｋ個に離散化した。
【００３８】
【数７】

【００３９】
規格化が必要であれば、次式ｒ[ｉ]で定義される。
【００４０】
【数８】

【００４１】
この結果からｆ(ｘ)と同様に、マーク信号波形が偶関数であればｒ[ｉ]の極大値がマーク中心として、奇関数であれば極小値がマーク中心として求まる。
図５は、〔数７〕の演算を模式的に表したものである。図５の左側は、マーク信号波形ｆ[ｉ]が奇関数である場合の演算を表し、図５の右側はマーク信号波形ｆ[ｉ]が偶関数である場合の演算を表している。図５（ａ）の左側に示すようにマーク信号波形ｆ[ｉ]が奇関数である場合について説明すると、各点を中心とする幅Ｗａ（−ｋ／２≦ｊ≦ｋ／２）の波形と反転波形とを演算する。図５（ｂ）はｉ=ｉ₁のときの２つの波形と演算結果Ｚ[ｉ₁]を示している。同様に、図５（ｃ）はｉ=ｉ₂のときの２つの波形と演算結果Ｚ[ｉ₂]を、図５（ｄ）はｉ=ｉ₃のときの２つの波形と演算結果Ｚ[ｉ₃]を示している。その結果、Ｚ[ｉ]は図５（ｅ）に示すようになり、対称の中心ｉ₂において極小値をとる。マーク信号波形が偶関数の場合には、図５の右側に示すようになる。Ｚ[ｉ]は図５（ｅ）に示すように計算され、対称の中心ｉ₂において極大値をとる。
【００４２】
上記解析では、マーク信号波形の偶奇性を指定してその波形の偶奇に対応する最大・最小値をマーク中心とする。
対称性解析の応用例として、画像を取込んで画像内のゴミなどをマークとしてみたてる場合がある。この場合、ゴミの縦横の大きさを信号幅として対称性解析を実施すると、極値が得られる。一般に波形は、信号幅の取り方で偶関数として扱うことも奇関数として扱うことも可能であるが、ゴミの大きさを信号幅としてみた場合、ゴミの信号波形の偶奇性が決まる。従って、前記極値は、ゴミの波形が偶関数なら最大値に、奇関数なら最小値としてゴミの位置を求めることができる。この極値点は、ゴミの中心になるとは限らないが、検出する毎に位置が変わることがないので基準点として用いることができる。つまり、上記方法によってゴミをマークとして用いることができる。
しかし、一般にマーク信号波形は偶奇性を合わせ持つため、上記方法では明確なピークが得られない場合がある。
【００４３】
（２）相関解析
そのような場合でもマーク中心を検出できる方法として、予め検出するマーク信号波形を基準波形ｆ₀[ｊ]として登録しておき指定したマーク信号と検出信号の重なりが最も良い点をマーク中心として解析する方法を取る。基準波形は、マーク信号波形の領域（−ｑ０／２≦ｊ≦ｑ０／２）を指定して、指定領域における信号を基準波形とする。相関解析には、積による相関解析と差分による相関解析とがある。
【００４４】
図４（ｂ）は、図３に示したＸ軸方向及びＹ軸方向の加算処理と相関解析処理を併用する場合の処理手順を示すフローチャートである。まず、マークが形成されている領域をビームで走査して、マークの２次元画像を取得する（Ｓ２１）。次に、図３に示すように、Ｘ，Ｙ軸方向にそれぞれ平均加算されたマーク信号波形を得る（Ｓ２２）。また、検出マーク信号波形と相関をとるべき基準マーク信号波形を指定する（Ｓ２３）。その後、以下に説明する相関解析を行い（Ｓ２４）、マークの中心を求める（Ｓ２５）。なお、ステップ２３の基準マーク信号波形の指定は、ステップ２４の前であれば、どの段階で行っても構わない。
（ａ）積による相関解析
積関係で相関を求めるなら、上記〔数７〕のＺ[ｉ]を、次の〔数９〕のように変形し、計算領域をマーク信号波形の領域（−ｑ０／２≦ｊ≦ｑ０／２）として計算すればよい。
【００４５】
【数９】

【００４６】
（ｂ）差分による相関解析
また、差分関係によって相関を用いて求めるなら、次の〔数１０〕で表されるＺ[ｉ]をマーク信号波形の領域（−ｑ０／２≦ｊ≦ｑ０／２）に対して計算すればよい。
【００４７】
【数１０】

【００４８】
いずれの方法もマーク中心が最大値として求まる。図６は、マーク信号波形に対して相関解析を適用した様子を模式的に示したものである。図６（ａ）は基準波形ｆ[ｊ]を示す。基準波形の領域すなわちマーク幅Ｗは（−ｑ０／２≦ｊ≦ｑ０／２）である。図６（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ位置ｉ₁，ｉ₂，ｉ₃における基準波形ｆ[ｊ]と信号波形ｆ[ｉ＋ｊ]のフィッティングと演算結果Ｚ[ｉ₁]，Ｚ[ｉ₂]，Ｚ[ｉ₃]を示す。こうして、図６（ｅ）に示すようにＺ[ｉ]が計算され、信号波形の中心はＺ[ｉ]の最大値の位置として求められる。
【００４９】
また、図７は、同じ信号波形であっても、それを奇関数とみるか偶関数とみるかによって、検出されるマーク中心の位置が異なってくる例を示す。また、この例はマーク幅Ｗの設定の仕方によって検出されるマーク中心の位置が異なってくる例と云うこともできる。
図７（ａ）に示すような信号波形があったとき、いまこれを偶関数として取り扱うとする。具体的にはマーク幅を図示のようにＷ１に設定する。このとき、前述の対称性解析あるいは相関解析を行うと、マーク中心が位置Ｃ１として求められる。一方、図７（ｃ）に示すように、同じ信号波形のマーク幅をＷ２に設定し、偶関数として取り扱うとする。この場合には、図７（ｄ）に示すように、対称性解析によっても相関解析によってもマーク中心はマーク幅Ｗ２内の位置Ｃ２として求められる。
【００５０】
しかし、積や差分による相関解析処理で全ての問題が解決すると云うこともできない。指定したマーク信号波形領域の中心が指定したマーク中心の位置と認識されるので、指定するマーク信号波形の領域と実際のマーク信号波形領域（マーク中心位置）にずれがあると、そのずれがそのまま加工位置のずれとなって現れてしまう。このマーク信号波形領域の指定に起因する人為的ずれを取り除くには、非人為的に（自動的に）マーク中心を求めるようにしなければならない。ただし、ＦＩＢ加工においては、絶対マーク中心と加工位置の対応が取れている必要がない。再現される基準位置に対し加工位置を決めるだけで良い場合が多いので、対称性解析が有効である。対称性解析で求めたマーク中心は、マークの絶対中心（マーク設計中心）と一致しない場合があるが、検出されたマーク中心位置は、再現性良く同じ位置で検出できる。
【００５１】
（３）対称性解析と相関解析の組合せ
非人為的に基準マーク位置を求めるには、相関解析と対称性解析を組み合せるのが有効である。つまり、相関解析で大まかなマーク中心を求めたうえ、そのマーク中心をもとに解析領域を（−ｑ０／２≦ｊ≦ｑ０／２）に制限して対称性解析で再計算すると、非人為的にマーク中心を求めることができる。図４（ｃ）は、この場合の処理手順を示すフローチャートである。まず、マークが形成されている領域をビームで走査して、マークの２次元画像を取得する（Ｓ３１）。次に、図３に示すように、Ｘ，Ｙ軸方向にそれぞれ平均加算されたマーク信号波形を得る（Ｓ３２）。また、検出マーク信号波形と相関をとるべき基準マーク信号波形を指定する（Ｓ３３）。次に、前述の相関解析を行って大まかなマーク中心を求める（Ｓ３４）。更に、その大まかなマーク中心の付近に解析領域を制限し、マーク信号波形の対称性に関する既知の情報を用いて対称性解析を行い（Ｓ３５）、マーク中心を求める（Ｓ３６）。なお、ステップ３３の基準マーク信号波形の指定は、ステップ３４の前であれば、どの段階で行っても構わない。
【００５２】
また、半導体デバイスのパターンの凹凸の影響を受けずに、鮮明なマーク信号の波形を得る方法として、半導体デバイスをタングステン・デポジション膜で覆い、その堆積膜上にマークを加工することで鮮明なマーク信号波形を得ることが出来る。また、半導体デバイスのパターンの凹凸を予めイオンスパッタで除去した上で、マーク加工することでもデバイスパターンの影響を受けないマークを得ることができる。
【００５３】
図８は、本発明のマーク検出方法を用いたＦＩＢ加工方法の一例を説明するフローチャートである。まず、ＦＩＢ加工を行う試料の加工領域とは異なる位置にＦＩＢによりマークを加工する（Ｓ４１）。このマークは、例えば図２に示すような十字マークとすることができる。その後、いままで説明した方法によってマーク検出を行い（Ｓ４２）、加工位置を設定する（Ｓ４３）。この加工位置設定では、図２に示すように、マーク検出で求められたマーク中心（Ｘ₀，Ｙ₀）に対してＦＩＢ加工領域２０の加工開始点（Ｘ₁，Ｙ₁）を設定する。次に、タイマーｔをゼロにリセットする。そして、ＦＩＢ加工領域２０に対してＦＩＢ加工を行い、ステップ４６の判定で加工終了でなければステップ４７に進み、ビーム電流を変更したかどうか判定する。ビーム電流を変更していなければステップ４８に進み、タイマーの計時ｔが設定時間ΔＴを超えていないかどうか判定し、超えていなければステップ４５に戻って加工を行う。
【００５４】
そして、粗加工から仕上げ加工に移行する際などにビーム電流を変更したときは、ステップ４７の判定からステップ４２に進み、マーク検出を行い（Ｓ４２）、その結果に基づいて加工位置補正を行う（Ｓ４３）。また、前回のマーク検出に基づく加工位置補正から、予め定められた時間ΔＴが経過すると、ステップ４８からステップ４２に進み、同様にマーク検出を行い（Ｓ４２）、その結果に基づいて加工位置補正を行う（Ｓ４３）。
【００５５】
【発明の効果】
本発明によると、１枚の画像データからランダムノイズを消去したマーク信号波形を得ることができるため、マークの損傷を最小限に抑えて高精度のマーク検出を行うことができる。また、マーク信号波形を解析演算することによって、半導体デバイス上にマークがあったり、エッジが不明瞭なマークも検出可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明をＦＩＢ装置に適用した場合のシステム構成を示す図。
【図２】試料上のマーク位置とＦＩＢ加工位置の関係を説明する図。
【図３】マークの画像データと、それをＸ軸及びＹ軸方向に加算平均て得た波形データｆ_y(ｘ)，ｆ_x(ｙ)の例を示す図。
【図４】マーク検出のフローチャート。
【図５】奇関数と偶関数に対する対称性解析を説明する模式図。
【図６】マーク信号波形に対する相関解析を説明する模式図。
【図７】信号波形を奇関数とみた場合と、偶関数とみた場合の比較図。
【図８】本発明によるＦＩＢ加工方法の一例を説明するフローチャート。
【符号の説明】
１…イオンビーム、２…偏向器、３…ステージ、４…試料、５…２次粒子、６…シンチレータ、７…プリアンプ、８…制御コンピュータ、９…走査信号生成装置、１０…偏向器制御装置、１１…モニター、１２…信号処理装置、２０…ＦＩＢ加工領域、２１…マーク

Claims

試料に集束イオンビームを照射して加工を行うビーム加工方法において、
試料の加工領域以外の位置に集束イオンビームを照射してマーク中心に対し特定の対称性を有しマークエッジを有する十字マークを形成し、前記十字マークを集束イオンビームで全面走査するとき試料から発生する試料信号に基づいてマーク画像を形成し、前記マーク画像の画素データを前記十字マークのマークエッジと平行な一つの軸方向に総加算して得られる信号波形と、前記マーク画像のデータを前記軸方向に直交する他の軸方向に総加算して得られる信号波形とを用いて、前記軸上の各点を中心とする既知のマーク幅の前記信号波形とその反転波形とを演算する対称性解析の極値によって前記十字マークの特徴的位置を検出して加工位置のずれを補正することを特徴とするビーム加工方法。
請求項１記載のビーム加工方法において、前記信号波形と既知の基準波形との相関解析によりマークの大まかな特徴的位置を求め、前記大まかな特徴的位置を中心とした前記信号波形に対して前記対称性解析を行うことを特徴とするビーム加工方法。
請求項１記載のビーム加工方法において、前記信号波形と既知の基準波形との相関解析によりマークの大まかな特徴的位置を求め、前記大まかな特徴的位置を中心とした既知の信号幅内で前記対称性解析を行うことを特徴とするビーム加工方法。
試料に集束イオンビームを照射して加工を行う集束イオンビーム装置において、
試料の加工領域以外の位置に集束イオンビームを照射してマーク中心に対し特定の対称性を有しマークエッジを有する十字マークを形成する手段と、
前記十字マークを集束イオンビームで全面走査するとき試料から発生する試料信号に基づいてマーク画像を形成する手段と、
前記マーク画像の画素データを前記十字マークのマークエッジと平行な一つの軸方向に総加算した信号波形を取得する手段と、
前記マーク画像のデータを前記軸方向に直交する他の軸方向に総加算した信号波形を取得する手段と、
前記２つの信号波形を用いて、前記軸上の各点を中心とする既知のマーク幅の前記信号波形とその反転波形とを演算する対称性解析の極値によって前記十字マークの特徴的位置を求める手段と、
前記求めた前記十字マークの特徴的位置を用いて加工位置のずれを補正する手段とを備えることを特徴とする集束イオンビーム装置。