JP4235778B2 - Projection optical system, projection optical apparatus, scanning exposure apparatus, optical processing method, and exposure method - Google Patents

Projection optical system, projection optical apparatus, scanning exposure apparatus, optical processing method, and exposure method Download PDF

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、第1の物体(マスク、レチクル等)の像を第2の物体(基板等)上にほぼ等倍で形成するための反射屈折型の投影光学系に関する。また、本発明は、広帯域の紫外光に基づいて、感光材を塗布した基板上にマスクの像を形成する投影露光装置や、紫外光によるレーザアブレーション可能なポリマー樹脂上に紫外光を投射して加工を行うレーザ加工装置などの、デバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)製造に用いられる投影光学装置に関する。さらには、本発明は、上記デバイスを製造するための光加工方法、露光方法やデバイス製造方法にも関する。
【0002】
【従来の技術】
波長248.4nmの紫外光を発するKrFエキシマレーザを用いた露光装置用の等倍の投影光学系として、例えば米国特許第5,696,631号に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上述の米国特許第5,696,631号に開示された投影光学系は、屈折型光学系であるために、光学系を構成するレンズ部材が反射屈折型に比べて多くなるという問題点がある。
また、レンズ部材が合成石英(Fused Silica)のみにより構成されているため、狭帯化されていないKrFエキシマレーザ(発振波長の半値幅が中心発振波長に対して1nm程度)を用いた光学装置に上述の投影光学系を用いたときには色収差が補正されていないため、良好な結像性能が得られないという問題点がある。このため、被露光体上での露光エネルギーを向上させるためにレーザ光源を広帯化する(狭帯化しない)ことができず、高スループットを得られない。
【0004】
そこで、本発明は、比較的少ない光学部材でコンパクトに構成されているにもかかわらず、良好な光学性能(特に良好なる色収差補正)が達成された投影光学系を得ること、また簡素な構成でありながら、高スループットを達成できる投影光学装置、走査型露光装置を得ることを目的とする。さらに、本発明は、上記投影光学系、投影光学装置あるいは走査型露光装置等を用いて、良好なるデバイスを製造することができる光加工方法や露光方法を得ることも目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明の1つの態様にかかる投影光学系は、例えば図1に示す如く、第1の物体からの光を第2の物体に結像して、前記第1の物体 (10) の像を前記第2の物体 (30) 上へ投影する投影光学系であって、
正の屈折力を有する正レンズ群(G1P) と、負の屈折力を有する負レンズ群(G1N) と、凹面反射鏡(M1)とを備え、
前記正レンズ群、前記負レンズ群及び前記凹面反射鏡は、前記第1物体からの光が前記正レンズ群及び前記負レンズ群を順に経て前記凹面反射鏡に達し、前記凹面反射鏡にて反射された光が前記負レンズ群及び正レンズ群を順に経て前記第2物体へ向かうように、かつ前記第1及び第2物体側がテレセントリックとなるように位置決めされ、
前記正レンズ群は、螢石からなり正の屈折力を有するレンズと、合成石英からなり負の屈折力を有するレンズとを少なくとも含み、
前記負レンズ群は、螢石からなり負屈折力を有するレンズを含むものである。
【0006】
本発明の好ましい態様によれば、前記負レンズ群(G1N) は、凹面形状を有する第1凹屈折面と、該第1凹屈折面側に凹面を向けた形状の第2凹屈折面を有するものである。
この好ましい態様において、前記負レンズ群は、前記第1凹屈折面を有しかつ負の屈折力を有する第1負レンズ(L1N1)と、該第1負レンズと前記凹面反射鏡との間に配置されて前記第2凹屈折面を有する第1メニスカスレンズ(L1N2)とを備えることが好ましい。
【0007】
また、本発明の1つの態様にかかる投影光学系は、前記凹面反射鏡の反射面に配置された開口絞りを有することが好ましい。
また、本発明の1つの態様にかかる投影光学系において、前記第1物体からの光を前記正レンズ群へ導き、前記正レンズ群を介した前記凹面反射鏡からの光を前記第2物体側へ導くための光路偏向部材(P1)を有することが好ましい。
【0008】
また、上述の目的を達成するために、本発明の別の態様にかかる投影光学系は、例えば図1に示す通り、第1の物体からの光を第2の物体に結像して、前記第1の物体 (10) の像を前記第2の物体 (30) 上へ投影する投影光学系であって、
正の屈折力を有する第1正レンズ群(G1P) と、負の屈折力を有する第1負レンズ群(G1N) と、第1凹面反射鏡(M1)とを備える第1結像光学系(S1)と、
正の屈折力を有する第2正レンズ群(G2P) と、負の屈折力を有する第2負レンズ群(G2N) と、第2凹面反射鏡(M2)とを備える第2結像光学系(S2)とを備え、
前記第1及び第2結像光学系は、前記第1物体からの光が前記第1正レンズ群及び前記第1負レンズ群を順に経て前記第1凹面反射鏡に達し、前記第1凹面反射鏡にて反射された光が前記第1負レンズ群及び第1正レンズ群を順に経て1次像を形成し、該1次像からの光が前記第2正レンズ群及び前記第2負レンズ群を順に経て前記第2凹面反射鏡に達し、前記第2凹面反射鏡にて反射された光が前記第2負レンズ群及び第2正レンズ群を順に経て前記第2物体上に2次像を形成するように、かつ前記第1及び第2物体側がテレセントリックとなるように位置決めされ、
前記第1及び第2正レンズ群は、螢石からなり正の屈折力を有するレンズと、合成石英からなり負の屈折力を有するレンズとを少なくとも含み、
前記第1及び第2負レンズ群は、螢石からなり負屈折力を有するレンズを含むものである。
【0009】
ここで、本発明の好ましい態様によれば、前記第1負レンズ群(G1N) は、凹面形状を有する第1凹屈折面と、該第1凹屈折面側に凹面を向けた形状の第2凹屈折面を有し、前記第2負レンズ群(G2N) は、凹面形状を有する第3凹屈折面と、該第3凹屈折面側に凹面を向けた形状の第4凹屈折面を有するものである。
この好ましい態様において、前記第1負レンズ群は、前記第1凹屈折面を有しかつ負の屈折力を有する第1負レンズ(L1N1)と、該第1負レンズと前記第1凹面反射鏡との間に配置されて前記第2凹屈折面を有する第1メニスカスレンズ(L1N2)とを備え、前記第2負レンズ群は、前記第3凹屈折面を有しかつ負の屈折力を有する第2負レンズ(L2N1)と、該第2負レンズと前記第2凹面反射鏡との間に配置されて前記第2凹屈折面を有する第2メニスカスレンズ(L2N2)とを備ることが好ましい。
【0010】
また、本発明の別の態様にかかる投影光学系において、前記第1及び第2凹面反射鏡のうちの少なくとも一方の反射面に配置された開口絞りを有することが好ましい。
また、本発明の別の態様にかかる投影光学系において、前記1次像の位置に配置された視野絞りを有することが好ましい。
【0011】
また、本発明の別の態様にかかる投影光学系において、前記第1物体からの光を前記第1正レンズ群へ導き、前記第1正レンズ群を介した前記第1凹面反射鏡からの光を前記1次像へ導くための第1光路偏向部材(P1)と、前記1次像からの光を前記第2正レンズ群へ導き、前記第2正レンズ群を介した前記第2凹面反射鏡からの光を前記2次像へ導くための第2光路偏向部材(P2)とを有することが好ましい。
【0012】
そして、本発明にかかる投影光学装置は、例えば図1に示す通り、広帯域の紫外レーザ光を供給するレーザ光源(40)と、該レーザ光源からの光を前記第1物体上の所定の領域へ導く照明光学系(41)と、上述の投影光学系とを備え、該投影光学系により前記第1物体上の前記所定の領域内の像を前記第2物体上へ形成するものである。
【0013】
以上の各態様及び好ましい態様における投影光学系を用いれば、第2物体(被加工物)に対して光加工を行うことができる。この場合における光加工方法は、広帯域の紫外レーザ光を前記第1物体上の所定の領域へ導く照明工程と、前記投影光学系とを用いて前記第1物体上の前記所定の領域内の像を前記第2物体上へ形成する投影工程とを有することが好ましい。
【0014】
ところで、本発明は、以上に記載した各態様に限ることなく、以下に示すような各種態様としても良い。
上記の目的を達成するために、本発明のさらに別の態様にかかる投影光学系は、例えば、図1及び図11に示す如く、所定波長を含む第1の物体 (10) からの光を第2の物体 (30) に結像して、前記第1の物体 (10) の像を前記第2の物体 (30) 上へ投影する投影光学系であって、
正の屈折力を有する正レンズ群(G1P,G2P) と、負の屈折力を有する負レンズ群(G1N,G2N) と、凹面反射鏡(M1,M2) とを備え、
前記正レンズ群、前記負レンズ群及び前記凹面反射鏡は、前記第1物体からの光が前記正レンズ群及び前記負レンズ群を順に経て前記凹面反射鏡に達し、前記凹面反射鏡にて反射された光が前記負レンズ群及び前記正レンズ群を順に経て前記第2物体へ向かうように配置され、
前記負レンズ群(GN1,GN2) は、凹面形状の屈折力面を有する負レンズ(L1N1,L2N1) と、該負レンズ(L1N1,L2N1) と前記凹面反射鏡(M1,M2)との間に配置されたメニスカスレンズ(L1N2,L2N2) とを少なくとも含み、
前記正レンズ群と前記負レンズ群との間の光軸に沿った距離をDとし、前記第1メニスカスレンズと第2メニスカスレンズとの間の光軸に沿った距離をLとするとき、以下の関係を満足するように構成したものである。
【0015】
0.01<L/D<0.5
この場合における好ましい態様かかる投影光学系によれば、前記正レンズ群(G1P,G2P) は、図11に示す如く、前記第1物体側から順に、正の屈折力を有する第1の正レンズ(L1P1,L2P1) と、負の屈折力を有する第1の負レンズ(L1P2,L2P2) と、正の屈折力を有する第2の正レンズ(L1P3,L2P3) とを少なくとも有し、
前記光束は、所定の第1波長(g線: 436nm) λ1 と、前記第1波長λ1 よりも短い第2波長(h線: 406nm) λ2 と、前記第2波長λ2 よりも短い第3波長(i線: 365nm) λ3 とを有し、
前記正レンズ群中の前記第1の負レンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnn1(λ1 )、前記正レンズ群中の前記第1の負レンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnn1(λ2 )、前記正レンズ群中の前記第1の負レンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnn1(λ3 )、前記負レンズ群中の前記負レンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnm1(λ1 )、前記負レンズ群中の前記負レンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnm1(λ2 )、前記負レンズ群中の前記負レンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnm1(λ3 )とするとき、以下の関係を満足することが好ましい。
【0016】
νn =(nn (λ2 )−1)/(nn (λ3 )−nn (λ1 ))
νm =(nm (λ2 )−1)/(nm (λ3 )−nm (λ1 ))
νm1−νn1>0
また、本発明の別の好ましい態様による投影光学系は、第1波長(g線: 436nm) λ1 に対する前記正レンズ群(G1P,G2P) のぺッツバール和をPSP (λ1 )とし、第2波長(h線: 406nm) λ2 に対する前記正レンズ群のぺッツバール和をPSP (λ2 )、第3波長(i線: 365nm) λ3 に対する前記正レンズ群のペッツバール和をPSP (λ3 )とするとき、以下の関係を満足することが望ましい。
【0017】
0<PSP (λ2 )− PSP (λ1 )<0.00001
0<PSP (λ3 )− PSP (λ1 )<0.00001
また、本発明のさらに別の好ましい態様による投影光学系は、第1波長(g線: 436nm) λ1 に対する前記負レンズ群のぺッツバール和をPSN (λ1 )とし、第2波長(h線: 406nm) λ2 に対する前記負レンズ群のぺッツバール和をPSN (λ2 )、第3波長(i線: 365nm) λ3 に対する前記負レンズ群のペッツバール和をPSN (λ3 )とするとき、以下の関係を満足することかより望ましい。
【0018】
0<PSN (λ1 )−PSN (λ2 )<0.00001
0<PSN (λ1 )−PSN (λ3 )<0.00001
そして、以上の各態様及び好ましい態様における投影光学系を用いれば、第2物体(被加工物)に対して光加工を行うことができる。この場合における光加工方法は、前記光束として広帯域の紫外レーザ光を前記第1物体上の所定の領域へ導く照明工程と、前記投影光学系を用いて前記第1物体上の前記所定の領域内の像を前記第2物体上へ形成する投影工程を含むことが望ましい。
【0019】
また、以上の各態様及び好ましい態様における投影光学系を用いれば、第2物体(被加工物)に対して露光を行ってデバイスの製造することができる。この場合におけるデバイス製造方法は、前記光束を前記第1物体としてのマスクへ導く照明工程と、前記投影光学系とを用いて前記マスクのパターン像を前記第2物体としての感光性基板へ形成する投影工程とを含むことが好ましい。
【0020】
また、以上の各態様及び好ましい態様における投影光学系と、前記光束を前記第1物体としてのマスクへ導く照明光学系とを露光装置に設ければ、該投影光学系により前記マスクのパターン像を前記第2物体としての感光性基板へ形成することができ、良好なるデバイスを製造することができる。
さらに、上記の目的を達成するために、さらにまた別の態様にかかる走査型露光装置は、例えば図11に示す如く、所定のパターンが形成されたマスク(10)を照明する照明光学系(41)と、前記マスク (10) からの光を結像して前記マスクパターンの像を感光性基板 (30) に投影する投影光学系とを備え、前記投影光学系に対して前記マスクと前記感光性基板とを相対的に移動させることにより前記マスクのパターンを前記感光性基板に露光するものであって、
前記投影光学系は、前記第1の物体からの光を集光して1次像を形成する第1反射屈折光学系(K1)と、前記1次像からの光を集光して2次像を形成する第2反射屈折光学系(K2)とを含み、
前記第1反射屈折光学系(K1)は、正の屈折力を有する第1の正レンズ群(G1P) と、負の屈折力を有する第1の負レンズ群(G1N) と、第1の凹面反射鏡(M1)とを含み、
前記第1の正レンズ群、前記第1の負レンズ群及び前記第1の凹面反射鏡は、前記マスクからの光が前記第1の正レンズ群及び前記第1の負レンズ群を順に経て第1の凹面反射鏡に達し、前記第1の凹面反射鏡にて反射された光が前記第1の負レンズ群及び前記第1の正レンズ群を順に経て前記1次像を形成するようにそれぞれ配置され、
前記第2反射屈折光学系(K2)は、正の屈折力を有する第2の正レンズ群(G2P) と、負の屈折力を有する第2の負レンズ群(G2N) と、第2の凹面反射鏡(M2)と含み、
前記第2の正レンズ群、前記第2の負レンズ群及び前記第2の凹面反射鏡は、前記1次像からの光が前記第2の正レンズ群及び前記第2の負レンズ群を順に経て第2の凹面反射鏡に達し、前記第2の凹面反射鏡にて反射された光が前記第2の負レンズ群及び前記第2の正レンズ群を順に経て前記2次像を形成するようにそれぞれ配置され、
前記第1の負レンズ群は、負の屈折力を有する第1のメニスカスレンズ(L1N1)と、前記第1のメニスカスレンズ(L1N1)と前記第1の凹面反射鏡(M1)の間に配置された第2のメニスカスレンズ(L1N2)とを有し、
前記第2の負レンズ群は、負の屈折力を有する第3のメニスカスレンズ(L2N1)と、前記第3のメニスカスレンズ(L2N1)と前記第2の凹面反射鏡(M2)の間に配置された第4のメニスカスレンズ(L2N2)とを有し、
前記第1の正レンズ群と前記第1の負レンズ群との間の光軸に沿った距離をD1 とし、前記第2の正レンズ群と前記第2の負レンズ群との間の光軸に沿った距離をD2 、前記第1メニスカスレンズと第2メニスカスレンズとの間の光軸に沿った距離をL1 、前記第3メニスカスレンズと第4メニスカスレンズとの間の光軸に沿った距離をL2 とするとき、以下の関係を満足するように構成したものである。
【0021】
0.01<L1 /D1 <0.5
0.01<L2 /D2 <0.5
この場合における好ましい態様かかる走査型露光装置によれば、前記第1の正レンズ群は、前記マスク側から順に、正の屈折力を有する第1の正レンズと、負の屈折力を有する第1の負レンズと、正の屈折力を有する第2の正レンズとを少なくとも有し、
前記第2の正レンズ群は、前記1次像側から順に、正の屈折力を有する第3の正レンズと、負の屈折力を有する第2の負レンズと、正の屈折力を有する第4の正レンズとを少なくとも有し、
前記光は、所定の第1波長(g線: 436nm) λ1 と、前記第1波長λ1 よりも短い第2波長(h線: 406nm) λ2 と、前記第2波長λ2 よりも短い第3波長(i線: 365nm) λ3 とを有し、
前記第1の正レンズ群中の前記第1の負レンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnn1(λ1 )、前記第1の正レンズ群中の前記第1の負レンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnn1(λ2 )、前記第1の正レンズ群中の前記第1の負レンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnn1(λ3 )、前記第1の負レンズ群中の前記第1メニスカスレンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnm1(λ1 )、前記第1の負レンズ群中の前記第1メニスカスレンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnm1(λ2 )、前記第2の負レンズ群中の前記第1メニスカスレンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnm1(λ3 )、前記第2の正レンズ群中の前記第2の負レンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnn2(λ1 )、前記第2の正レンズ群中の前記第2の負レンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnn2(λ2 )、前記第2の正レンズ群中の前記第2の負レンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnn2(λ3 )、前記第2の負レンズ群中の前記第3メニスカスレンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnm3(λ1 )、前記第1の負レンズ群中の前記第3メニスカスレンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnm3(λ2 )、前記第2の負レンズ群中の前記第3メニスカスレンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnm3(λ3 )とするとき、以下の関係を満足することをがより好ましい。
【0022】
νn1=(nn1(λ2 )−1)/(nn1(λ3 )−nn1(λ1 ))
νm1=(nm1(λ2 )−1)/(nm1(λ3 )−nm1(λ1 ))
νm1−νn1>0
νn2=(nn2(λ2 )−1)/(nn2(λ3 )−nn2(λ1 ))
νm3=(nm3(λ2 )−1)/(nm3(λ3 )−nm3(λ1 ))
νm3−νn2>0
また、別の好ましい態様かかる走査型露光装置によれば、第1波長(g線: 436nm) λ1 に対する前記第1の正レンズ群のぺッツバール和をPSP1(λ1 )とし、第2波長(h線: 406nm) λ2 に対する前記第1の正レンズ群のぺッツバール和をPSP1(λ2 )、第3波長(i線: 365nm) λ3 に対する前記第1の正レンズ群のペッツバール和をPSP1(λ3 )、前記第1波長λ1 に対する前記第2の正レンズ群のぺッツバール和をPSP2(λ1 )とし、前記第2波長λ2 に対する前記第2の正レンズ群のぺッツバール和をPSP2(λ2 )、前記第3波長λ3 に対する前記第2の正レンズ群のペッツバール和をPSP2(λ3 )とするとき、以下の関係を満足することが好ましい。
【0023】
0<PSP1(λ2 )−PSP1(λ1 )<0.00001
0<PSP1(λ3 )−PSP1(λ1 )<0.00001
0<PSP2(λ2 )−PSP2(λ1 )<0.00001
0<PSP2(λ3 )−PSP2(λ1 )<0.00001
また、さらに別の好ましい態様かかる走査型露光装置によれば、第1波長(g線: 436nm) λ1 に対する前記第1の負レンズ群のぺッツバール和をPSN1(λ1 )とし、第2波長(h線: 406nm) λ2 に対する前記第1の負レンズ群のぺッツバール和をPSN1(λ2 )、第3波長(i線: 365nm) λ3 に対する前記第1の負レンズ群のペッツバール和をPSN1(λ3 )、前記第1波長λ1 に対する前記第2の負レンズ群のぺッツバール和をPSN2(λ1 )とし、前記第2波長λ2 に対する前記第2の負レンズ群のぺッツバール和をPSN2(λ2 )、前記第3波長λ3 に対する前記第2の負レンズ群のペッツバール和をPSN2(λ3 )とするとき、以下の関係を満足することが望ましい。
【0024】
0<PSN1(λ1 )− PSN1(λ2 )<0.00001
0<PSN1(λ1 )− PSN1(λ3 )<0.00001
0<PSN2(λ1 )− PSN2(λ2 )<0.00001
0<PSN2(λ1 )− PSN2(λ3 )<0.00001
また、以上の各態様及び好ましい態様における走査型露光装置を用いれば、感光性基板(第2物体)に対して露光を行って、良好なるデバイスの製造することができる。この場合におけるデバイスを製造する方法は、前記照明光学系を用いて前記マスクを照明する照明工程と、前記投影光学系を用いて前記マスクのパターン像を前記感光性基板へ形成する投影工程と、前記投影光学系に対して前記マスクと前記感光性基板とを相対的に移動させる走査工程とを含むことが好ましい。
【0025】
【発明の実施の形態】
以上の如き本発明の1つの形態においては、例えば狭帯化されていないKrFエキシマレーザ(発振波長の半値幅が中心発振波長248.4nmに対して1nm程度)からの紫外光を前記第1の物体を照明する光源として用いた場合においても、正の屈折力を有する正レンズ群(第1及び第2正レンズ群)が、少なくとも1つ以上の正の屈折力を有する螢石からなるレンズと、負の屈折力を有する合成石英からなるレンズとを含むことにより、色収差の補正が可能となる。
【0026】
また、負レンズ群(第1及び第2の負レンズ群)は、少なくとも1つ以上の負の屈折力を有する螢石からなるレンズを含むことにより、狭帯化されていないレーザからの紫外光の波長の違いに基づく像面湾曲量の発生量の違いを小さくすることが可能としている。
なお、本発明においては、狭帯化されていないKrFエキシマレーザだけではなく、狭帯化されていないArFエキシマレーザなどのレーザ光源を適用できる。
【0027】
さらに、正の屈折力を有する正レンズ群と負の屈折力を有する負レンズ群とからなる合成光学系の後側焦点位置近傍に凹面反射鏡を配置することにより、正レンズ群、負レンズ群及び凹面反射鏡からなる反射屈折型光学系を物体側と像側とにおいてテレセントリックな光学系とすることができる(第1正レンズ群と第1負レンズ群とからなる合成光学系の後側焦点位置近傍に第1凹面反射鏡を配置し、かつ第2正レンズ群と第2負レンズ群とからなる合成光学系の後側焦点位置近傍に第2凹面反射鏡を配置することにより、第1及び第2結像光学系を物体側と像側とにおいてテレセントリックな光学系とすることができる)。
【0028】
また、負レンズ群(第1及び第2負レンズ群)中に、互いに凹面を向かい合わせてなる第1及び第2凹屈折面(第1乃至第4凹屈折面)を設けることにより、タンジェンシャル像面及びサジタル像面の平坦性を向上させることができる。
そして、凹面反射鏡(第1及び第2の凹面反射鏡の少なくとも一方)の反射面に開口絞りを配置することにより、ヴィグネッティング・フリー(あらゆる像高において口径食が無い状態)とすることが可能となる。また、この構成の場合、正レンズ群、負レンズ群及び凹面反射鏡からなる反射屈折型光学系の屈折力配置が凹面鏡に関して対称となるため、倍率色収差の発生を抑えることができ、正レンズ群及び負レンズ群では、実質的に軸上色収差のみを補正すれば良い。
【0029】
また、本発明の別の形態としては、前述のように、狭帯化されていないKrFエキシマレーザ(発振波長の半値幅が中心発振波長248.4nmに対して1nm程度)等からの紫外光を前記第1の物体を照明する光源として用いた場合、あるいはg線(436nm)、h線(406nm)及びi線(365nm) 等を含む光を供給する光源部から光を第1物体を照明する光として用いた場合に、色収差の補正の可能として、スループットの向上を大幅に改善し得るようにしたものである。
【0030】
すなわち、この形態においては、投影光学系中の負レンズ群(G1N、G2N)は、第1の凹面形状の屈折力面を有する負レンズ(第1メニスカスレンズL1N1又は第3メニスカスレンズL2N1)と第2の凹面形状の屈折力面を有するメニスカスレンズ(第2メニスカスレンズL1N2又は第4メニスカスレンズL2N2)を少なくとも有する構成とし、投影光学系中の正レンズ群(G1P、G2P)と負レンズ群(G1N、G2N)との間に形成される空間(群間隔D:第1の正レンズ群G1P と第1の負レンズ群G1N との間に形成される空間の軸上距離D1 又は第2の正レンズ群G2P と第2の負レンズ群G2N との間に形成される空間の軸上距離D2 )に対して凹面状の屈折面を有する2つのレンズの間に形成される空間(レンズ間隔L:第1メニスカスレンズL1N1と第2メニスカスレンズL1N2との間に形成される空間の軸上距離L1 又は第3メニスカスレンズL2N1と第4メニスカスレンズL2N2との間に形成される空間の軸上距離L2 )を適切にすることによって、色収差の補正と光学系の小型化とを十分に両立させることができる。
【0031】
具体的には、以下の(1)式、あるいは(2)式及び(3)式を満足することが望ましい。
【0032】
【数1】
(1) 0.01<L/D<0.5
(2) 0.01<L1 /D1 <0.5
(3) 0.01<L2 /D2 <0.5
ここで、(1)式乃至(3)式の下限値を越えると、D(D1 又はD2 )の値が大きくなり、投影光学系中の反射屈折光学系(K1、K2)の物理的な寸法が大きくなる。この結果、装置自体の大型化を招くため好ましくない。また、(1)式乃至(3)式の下限値を越えることにより、投影光学系中の正レンズ群(G1P,G2P) の焦点距離が長くなる場合には、色収差の補正が困難となる不都合が生じる。また、(1)式乃至(3)式の下限値を越えることにより、投影光学系中の負レンズ群(G1N,G2N) の焦点距離が長くなる場合には、球面収差が補正不足となるため好ましくない。
【0033】
反対に、(1)式乃至(3)式の上限値を越えると、投影光学系中の負レンズ群(G1N,G2N) の焦点距離が短くなり、色収差の補正が困難となるばかりか、球面収差が補正過剰となるため好ましくない。なお、色収差や球面収差をより十分に補正するためには、上記(1)式乃至(3)式の上限値を0.2とすることがより一層好ましい。
【0034】
また、以上の構成に基づいて、例えば、図11及び図12に示す如く、第1波長のg線、第2波長のh線及び第3波長のi線の3つの波長を含む光束を用いた場合に、正レンズ群中の第1の負レンズの分散νn (第1の正レンズ群の第1の負レンズL1P2の分散νn1又は第2の正レンズ群の第2の負レンズL2P2の分散νn2)は、負レンズ群中の最も正レンズ群側に配置された負レンズの分散νm (負レンズ群中の第1メニスカスレンズの分散νm1又は負レンズ群中の第3メニスカスレンズの分散νm3)よりも相対的に小さいことが好ましい。
【0035】
具体的には、正レンズ群(G1P,G2P)は、正の屈折力を有する第1の正レンズ(L1P1,L2P1))と、負の屈折力を有する第1の負レンズ(L1P2,L2P2) と、正の屈折力を有する第2の正レンズ(L1P3,L2P3) とを少なくとも有する構成とし、正レンズ群(G1P,G2P)中の第1の負レンズ(L1P2,L2P2) の第1波長λ1 に対する屈折率をnn (λ1 )、正レンズ群(G1P,G2P)中の第1の負レンズ(L1P2,L2P2) の第2波長λ2 に対する屈折率をnn (λ2 )、正レンズ群(G1P,G2P)中の第1の負レンズ(L1P2,L2P2) の第3波長λ3 に対する屈折率をnn (λ3 )、負レンズ群(G1N,G2N)中の最も正レンズ群側に配置された負レンズ(L1N1,L2N1) の第1波長λ1 に対する屈折率をnm (λ1 )、負レンズ群(G1N,G2N)中の最も正レンズ群側に配置された負レンズ(L1N1,L2N1) の第2波長λ2 に対する屈折率をnm (λ2 )、負レンズ群(G1N,G2N)中の最も正レンズ群側に配置された負レンズ(L1N1,L2N1) の第3波長λ3 に対する屈折率をnm (λ3 )とするとき、以下の(4)乃至(6)式の関係を満足することが好ましい。
【0036】
【数2】
(4) νn =(nn (λ2 )−1)/(nn (λ3 )−nn (λ1 ))
(5) νm =(nm (λ2 )−1)/(nm (λ3 )−nm (λ1 ))
(6) νm −νn >0
なお、正レンズ群中の第1の負レンズ(L1P2,L2P2) の分散νn は上記の(4)式に示すように定義され、負レンズ群中の最も正レンズ群側に配置された負レンズ(L1N1,L2N1) の分散νm は上記の(5)式に示すように定義される。
【0037】
以上の(4)式乃至(6)式を換言すれば、以下の(8)式乃至(12)式に示すように表現することができる。
【0038】
【数3】
(7) νn1=(nn1(λ2 )−1)/(nn1(λ3 )−nn1(λ1 ))
(8) νm1=(nm1(λ2 )−1)/(nm1(λ3 )−nm1(λ1 ))
(9) νm1−νn1>0
(10) νn2=(nn2(λ2 )−1)/(nn2(λ3 )−nn2(λ1 ))
(11) νm3=(nm3(λ2 )−1)/(nm3(λ3 )−nm3(λ1 ))
(12) νm3−νn2>0
但し、nn1(λ1 )は第1の正レンズ群G1P 中の第1の負レンズL1P2の第1波長λ1 に対する屈折率、nn1(λ2 )は第1の正レンズ群G1P 中の第1の負レンズL1P2の第2波長λ2 に対する屈折率、nn1(λ3 )は第1の正レンズ群G1P 中の第1の負レンズL1P2の第3波長λ3 に対する屈折率、nm1(λ1 )は第1の負レンズ群G1N 中において最も第1の正レンズ群G1P 側に配置された負レンズ(第1メニスカスレンズ)L1N1の第1波長λ1 に対する屈折率、nm1(λ2 )は第1の負レンズ群G1N 中において最も第1の正レンズ群G1P 側に配置された負レンズ(第1メニスカスレンズ)L1N1の第2波長λ2 に対する屈折率、nm1(λ3 )は第1の負レンズ群G1N 中において最も第1の正レンズ群G1P 側に配置された負レンズ(第1メニスカスレンズ)L1N1の第3波長λ3 に対する屈折率、nn2(λ1 )は第2の正レンズ群G2P 中の第2の負レンズL2P2の第1波長λ1 に対する屈折率、nn2(λ2 )は第2の正レンズ群G2P 中の第2の負レンズL2P2の第2波長λ2 に対する屈折率、nn2(λ3 )は第2の正レンズ群G2P 中の前記第2の負レンズL2P2の第3波長λ3 に対する屈折率、nm3(λ1 )は第2の負レンズ群G2N 中において最も第2の正レンズ群G2P 側に配置された負レンズ(第3メニスカスレンズ)L2N1の第1波長λ1 に対する屈折率、nm3(λ2 )は第2の負レンズ群G2N 中において最も第2の正レンズ群G2P 側に配置された負レンズ(第3メニスカスレンズ)L2N1の第2波長λ2 に対する屈折率、nm3(λ3 )は第2の負レンズ群G2N 中において最も第2の正レンズ群G2P 側に配置された負レンズ(第3メニスカスレンズ)L2N1の第3波長λ3 に対する屈折率である。
【0039】
ここで、以上の(6)式、(9)式及び(12)式の関係を満たさないと、第1波長λ1 、第2波長λ2 及び第3波長λ3 の各波長に対する像面湾曲量の差を小さくすることが困難となり好ましくない。
また、所定の複数波長に対する正レンズ群(第1及び第2の正レンズ群G1P,G2P)のぺッツバール和の差が所定の範囲となるように正レンズ群(G1P,G2P) を構成することが好ましい。
【0040】
具体的には、第1波長λ1 に対する正レンズ群(G1P,G2P) のぺッツバール和をPSP (λ1 )とし、第2波長λ2 に対する正レンズ群(G1P,G2P) のぺッツバール和をPSP (λ2 )、第3波長λ3 に対する正レンズ群(G1P,G2P) のペッツバール和をPSP (λ3 )とするとき、以下の(13)及び(14)式の関係を満足することが好ましい。
【0041】
【数4】
(13) 0<PSP (λ2 )−PSP (λ1 )<0.00001
(14) 0<PSP (λ3 )−PSP (λ1 )<0.00001
以上の(13)式乃至(14)式を換言すれば、以下の(15)式乃至(18)式に示すように表現することができる。
【0042】
【数5】
(15) 0<PSP1(λ2 )−PSP1(λ1 )<0.00001
(16) 0<PSP1(λ3 )−PSP1(λ1 )<0.00001
(17) 0<PSP2(λ2 )−PSP2(λ1 )<0.00001
(18) 0<PSP2(λ3 )−PSP2(λ1 )<0.00001
但し、PSP1(λ1 )は第1波長λ1 に対する第1の正レンズ群G1P のぺッツバール和、PSP1(λ2 )は第2波長λ2 に対する第1の正レンズ群G1P のぺッツバール和、PSP1(λ3 )は第3波長λ3 に対する第1の正レンズ群G1P のペッツバール和、PSP2(λ1 )は第1波長λ1 に対する第2の正レンズ群G2P のぺッツバール和、PSP2(λ2 )は第2波長λ2 に対する第2の正レンズ群G2P のぺッツバール和、PSP2(λ3 )は第3波長λ3 に対する第2の正レンズ群G2P のペッツバール和である。
【0043】
ここで、(13)式乃至(18)式の上限値を越えると、正レンズ群(G1P,G2P) において、第1波長λ1 による像面湾曲量に対して、第2波長λ2 及び第3波長λ3 による像面湾曲量の量的な差が大きくなり、良好な像を得ることが困難となり好ましくない。逆に(13)式乃至(18)式の下限値を越えると、正レンズ群(G1P,G2P) において、より短い波長(第1波長λ1 に対する第2波長λ2 及び第3波長λ3 )のぺッツバール和が小さくなり、ぺッツバール和に関して互いに逆作用を持つ正レンズ群(G1P,G2P) と負レンズ群(G1N,G2N) とによって、ぺッツバール和を補正することが困難となるため好ましくない。
【0044】
さらに、また、所定の複数波長に対する負レンズ群(第1及び第2の負レンズ群G1N,G2N)のぺッツバール和の差が所定の範囲となるように負レンズ群(G1N,G2N) を構成することが好ましい。
具体的には、第1波長λ1 に対する負レンズ群(G1N,G2N) のぺッツバール和をPSN (λ1 )とし、第2波長λ2 に対する負レンズ群(G1N,G2N) のぺッツバール和をPSN (λ2 )、第3波長λ3 に対する負レンズ群(G1N,G2N) のペッツバール和をPSN (λ3 )とするとき、以下の(19)式及び(20)式の関係を満足することが好ましい。
【0045】
【数6】
(19) 0<PSN (λ1 )−PSN (λ2 )<0.00001
(20) 0<PSN (λ1 )−PSN (λ3 )<0.00001
以上の(19)式乃至(20)式を換言すれば、以下の(15)式乃至(24)式に示すように表現することができる。
【0046】
【数7】
(21) 0<PSN1(λ1 )−PSN1(λ2 )<0.00001
(22) 0<PSN1(λ1 )−PSN1(λ3 )<0.00001
(23) 0<PSN2(λ1 )−PSN2(λ2 )<0.00001
(24) 0<PSN2(λ1 )−PSN2(λ3 )<0.00001
但し、PSN1(λ1 )は第1波長λ1 に対する第1の負レンズ群G1N のぺッツバール和、PSN1(λ2 )は第2波長λ2 に対する第1の負レンズ群G1N のぺッツバール和、PSN1(λ3 )は第3波長λ3 に対する第1の負レンズ群G1N のペッツバール和、PSN2(λ1 )は第1波長λ1 に対する第2の負レンズ群G2N のぺッツバール和、PSN2(λ2 )は第2波長λ2 に対する第2の負レンズ群G2N のぺッツバール和、PSN2(λ3 )は第3波長λ3 に対する第2の負レンズ群G2N のペッツバール和である。
【0047】
ここで、(19)式乃至(24)式の上限値を越えると、負レンズ群(G1N,G2N) において、第1波長λ1 による像面湾曲量に対して、第2波長λ2 及び第3波長λ3 による像面湾曲量の量的な差が大きくなり、良好な像を得ることが困難となり好ましくない。逆に(19)式乃至(24)式の下限値を越えると、負レンズ群(G1N,G2N) において、より短い波長(第1波長λ1 に対する第2波長λ2 及び第3波長λ3 )のぺッツバール和が大きくなり、ぺッツバール和に関して互いに逆作用を持つ負レンズ群(G1N,G2N) と正レンズ群(G1P,G2P) とによって、ぺッツバール和を補正することが困難となるため好ましくない。
【0048】
さて、本発明の各実施の形態に係る実施例について添付図面に基づいて説明する。なお、後述する各実施例とも本発明を露光装置に応用した例を代表させて説明しているが、後述する基板ステージKS上に穴あけ加工や凹凸の加工等が施されるべき被加工物を基板30の代わりに配置するとともに、後述するマスクステージMS上に露光用のマスク10の代わりに被加工物に対して穴あけ加工や凹凸の加工等を施すべき開口等を持つ光加工用のマスクを配置すれば、各実施例に示す露光装置は、アブレーション作用を利用した光加工装置として用いることが可能となる。
【0049】
図1は本発明の実施の形態にかかる投影光学系を走査型投影露光装置に適用した例を概略的に示す図である。図1では、所定のパターンが形成されたマスク10と、レジストが塗布された基板30とが搬送される方向(走査方向)をX軸、前記マスク10の平面内でX軸と直交する方向をY軸、前記マスク10の法線方向をZ軸にとっている。
【0050】
図1において、投影光学系は、前記マスク10上の回路パターンの一次像を形成する第1反射屈折型結像光学系K1と、この一次像からの光に基づいて前記基板30上に回路パターンの正立正像(二次像)を形成する第2反射屈折型結像光学系K2とを有する。前記第1反射屈折型結像光学系K1は、前記マスク10の面(XY平面)に対して45°で斜設された反射面P1a、P1bを持つ直角プリズムP1と、正の屈折力を有する第1正レンズ群G1Pと、負の屈折力を有する第1負レンズ群G1Nとから構成される第1屈折光学系S1と、第1凹面反射鏡M1とを有する。
【0051】
ここで、前記第1正レンズ群G1Pは、螢石からなり正の屈折力を有するレンズL1P1と、合成石英からなり負の屈折力を有するレンズL1P2と、螢石からなり正の屈折力を有するレンズL1P3と、螢石からなり正の屈折力を有するレンズL1P 4とから構成され、前記第1負レンズ群G1Nは、螢石からなり前記第1凹面反射鏡M1側に凹面を向けた形状で負の屈折力を有する第1の負レンズL1N1と、前記第1正レンズ群G1P側に凹面を向けた第1のメニスカスレンズL1N2とから構成される。
【0052】
また、前記第2反射屈折型結像光学系K2は、前記第1反射屈折型結像光学系K1の構成と全く同一であり、即ち、前記基板30の面(XY平面)に対して45°で斜設された反射面P2a、P2bを持つ直角プリズムP2と、正の屈折力を有する第2正レンズ群G2Pと、負の屈折力を有する第2負レンズ群G2Nとから構成される第2屈折光学系S2と、前記第2凹面反射鏡M2とを有する。
【0053】
ここで、前記第2正レンズ群G2Pは、螢石からなり正の屈折力を有するレンズL2P1と、合成石英ガラスからなり負の屈折力を有するレンズL2P2と、螢石からなり正の屈折力を有するレンズL2P3と、螢石からなり正の屈折力を有するレンズL2P4とから構成され、前記第2負レンズ群G2Nは、螢石からなり前記第2凹面反射鏡M2側に凹面を向けた形状で負の屈折力を有する第2の負レンズL2N1と、前記第2の正レンズ群G2P側に凹面を向けた第2のメニスカスレンズL2N2とから構成される。
【0054】
なお、前記第1反射屈折型結像光学系K1により形成される回路パターンの一次像形成位置には、前記基板30での投影領域を規定する視野絞りFSが設けられる。
さて、発振器40は狭帯化されていないKrFエキシマレーザ光を発振し、この発振器40からのレーザビームは、照明光学系41を介してマスク10上の回路パターンへ向かい,マスク10上の所定の領域は、照明光学系41からの照明光(露光光)によりほぼ均一の照度で照明される。なお、照明光学系41としては、当該技術分野で一般的に使用されるものを用いることができる。
【0055】
この回路パターンを介した光は、図1にて−Z方向で表わされる方向に沿って進行し、前記直角プリズムP1の反射面P1aにより90°偏向されて図中+X方向へ向けて進行し、前記第1正レンズ群G1P(L1P1〜L1P4)に入射する。前記第1正レンズ群G1Pに入射した光は、前記第1負レンズ群G1N(L1N1〜L1N2)を介して前記第1凹面反射鏡M1に達する。ここで、前記第1凹面反射鏡M1は、前記第1屈折光学系S1(G1P、G1N)の後側焦点位置の近傍に配置される。すなわち、前記第1凹面反射鏡M1は、前記第1反射屈折型結像光学系K1の瞳面に位置している。なお、第1屈折光学系S1の後側焦点位置とは、前記直角プリズムP1側を前側とし、前記第1凹面反射鏡M1側を後側とした際の後側焦点の位置である。
【0056】
次に、前記第1凹面反射鏡M1にて反射された光は、前記第1負レンズ群G1N及び前記第1正レンズ群G1Pを順に介して図中−X方向に沿って進行して前記直角プリズムP1の反射面P1bに向かう。
そして、前記直角プリズムP1の反射面P1bに達する光は、前記反射面P1bにて略90°偏向されて図中−Z方向に沿って進行し、前記視野絞りFSの位置に回路パターンの一次像を形成する。この一次像においては、X方向における横倍率は略+1倍であり、かつY方向おける横倍率が略−1倍である。一次像からの光は、前記第2反射屈折型結像光学系K2を介して、前記基板30上に回路パターンの二次像を形成する。ここで、この二次像のX方向及びY方向における横倍率は略+1倍である。すなわち、上記基板30上に形成される二次像は、正立正像である。なお、前記第2反射屈折型結像光学系K2の有する機能は、前記第1反射屈折型結像光学系K1の機能と同等であるため、ここでは詳しい説明を省略する。
【0057】
このように、上記基板30上に形成される回路パターンの像が正立正像であるため、マスクステージMSに保持されている上記マスク10と基板ステージKSに保持されている上記基板30とを一体に(あるいは別体に同期させて)同一方向に移動させれば、走査露光を行うことができる。なお、マスクステージMSと基板ステージKSとを一体に移動させるときには、例えばマスクステージMSと基板ステージKSとをキャリッジの上に設け、当該キャリッジを移動させれば良い。
【0058】
また、上述の第1反射屈折型結像光学系K1においては、前記第1屈折光学系S1の後側焦点位置の近傍に前記第1凹面反射鏡M1が配置されているため、上記マスク10側及び上記視野絞りFS側においてテレセントリックとなる。また、前記第2反射屈折型結像光学系K2においても、第2屈折光学系S2の後側焦点位置の近傍に前記第2凹面反射鏡M2が配置されているため、前記視野絞りFS側及び上記基板30側においてテレセントリックとなる。従って、上記投影光学系PLは、両側(上記マスク10側及び上記基板30側)テレセントリック光学系である。
【0059】
そして、以下の表1には、図1に示した第1及び第2反射屈折型投影光学系( K1、K2) の諸元の値及び条件対応値を掲げる。但し、左端の数字は物体側( 又は一次像) からの第1凹面反射鏡M1( 又は第2凹面反射鏡M2) までの順序を示し、 rはレンズ面又は反射面の曲率半径、dはレンズ面間隔を示している。また、Dは正レンズ群(G1P、G2P)と負レンズ群(G1N、G2N)との間の軸上距離(群間隔)、D1 は第1正レンズ群G1Pと第1負レンズ群G1Nとの間の軸上距離(群間隔)、D2 は第2正レンズ群G2Pと第2負レンズ群G2Nとの間の軸上距離(群間隔)、Lは負レンズ群(G1N、G2N)中の2つのメニスカスレンズ(L1N1とL1N2、又はL2N1とL2N2)の間の軸上距離(レンズ間隔)、L1 は第1負レンズ群G1Nにおける第1メニスカスレンズL1N1と第2メニスカスレンズL1N2との間の軸上距離(レンズ間隔)、L2 は第2負レンズ群G2Nにおける第3メニスカスレンズL2N1と第4メニスカスレンズL2N2との間の軸上距離(レンズ間隔)である。
【0060】
なお、合成石英及び螢石の屈折率は以下の通りである。
波長(nm) 螢石 合成石英
247.9 1.46807 1.50867
248.4 1.46788 1.50839
248.9 1.46769 1.50811
【0061】
【表1】

Figure 0004235778
〔第1実施例の条件対応値〕
D=D1 =D2 =275
L=L1 =L2 =14.8
L/D=L1 /D1 =L2 /D2 =0.0538
なお、表1において、像高Yは46mmであり、物体面側での開口数N.A.は0.1である。また、第0番目の面は物体面又は像面を示している。
【0062】
ここで、表1に示した光学系では、第1屈折光学系S1の第1正レンズ群G1P(L1P1〜L1P4)の中で正の屈折力を有するレンズL1P1( 焦点距離352.1mm)と、正の屈折力を有するレンズL1P3( 焦点距離328.5mm)とは蛍石から、また、負の屈折力を有するレンズレンズL1P2( 焦点距離-212.7mm) は合成石英から、さらに、第1負レンズ群G1N(L1N1〜L1N2)の中で負の屈折力を有するレンズL1N1( 焦点距離-1688.8mm)は螢石から構成されていることがわかる。
【0063】
図2、図3及び図4は、それぞれタンジェンシャル面内及びサジタル面内のコマ収差図である。ここで、図2は狭帯化されていないKrFエキシマレーザの発振中心波長λ=248.4nmにおけるコマ収差図、図3は半値幅の短波長側λ=247.9nmにおけるコマ収差図、図4は半値幅の長波長側λ=248.9nmにおけるコマ収差図である。なお、図2、図3及び図4において、点線で示す曲線はタンジェンシャル面内のコマ収差を、実線で示す曲線はサジタル面内のコマ収差を表わす。 また、図5は、上記各波長における非点収差図であり、図中点線で示す曲線はタンジェンシャル面内の焦点位置を、実線で示す曲線はサジタル面内の焦点位置を示している。
【0064】
これら図2乃至図5においては、狭帯化されていないKrFエキシマレーザの発振中心波長λ=248.4nmをWLCとし、半値幅の短波長側λ=247.9nmの波長をWLSとし、長波長側λ=248.9nmの波長をWLLとしている。
これらの収差図から、本発明における第1の実施例は、狭帯化されていないKrFエキシマレーザの発振波長域内において良好な光学性能を有していることがわかる。
【0065】
次に、図6を参照しながら投影光学系を構成する第1反射屈折型結像光学系K1( 又は第2反射屈折型結像光学系K2) の第2の実施例について説明する。図6には第1反射屈折型結像光学系K1のみのレンズ構成図を示し、第2反射屈折型結像光学系K2は、第1反射屈折型結像光学系と同じ構成であるので、説明を省略している。また、説明を簡略化にするために、図6においては、前記第1屈折光学系S1( 又は第2屈折光学系S2) の左側に配置されている光路偏向部材としての直角プリズムP1( 又は直角プリズムP2) の図示を省略している。第2の実施例では、これらの第1及び第2反射屈折型結像光学系を図1に示すように直列に配置して投影光学系を構成する。
【0066】
図6に示す如く、第1反射屈折型結像光学系K1( 又は第2反射屈折型結像光学系K2) は、第1正レンズ群G1P( 又は第2正レンズ群G2P)及び第1負レンズ群G1N(又は第2負レンズ群G2N)との2群から構成される第1屈折光学系S1( 又は第2屈折光学系S2) と第1凹面反射鏡M1( 又は第2凹面反射鏡M2) とを有する。
【0067】
前記第1正レンズ群G1P( 又は前記第2正レンズ群G2P)は、レンズL1P1〜L1P5( 又はレンズL2P1〜L2P5)から構成され、前記第1負レンズ群G1N(又は前記第2負レンズ群G2N)は、レンズL1N1〜L1N2( 又はレンズL2N1〜L2N2)から構成される。
そして、以下の表2には、図6に示した投影光学系の諸元の値を掲げる。但し、左端の数字は物体側( 又は一次像) からの第1凹面反射鏡M1( 又は第2凹面反射鏡M2) までの順序を示し、 rはレンズ面又は反射面の曲率半径、dはレンズ面間隔を示している。
【0068】
【表2】
Figure 0004235778
〔第2実施例の条件対応値〕
D=D1 =D2 =241.6
L=L1 =L2 =10
L/D=L1 /D1 =L2 /D2 =0.0414
なお、表2において、像高Yは46mmであり、物体面側での開口数N.A.は0.1である。また、第0番目の面は物体面又は像面を示している。
【0069】
ここで、表2に示した光学系では、第1屈折光学系S1の第1正レンズ群G1P(L1P1〜L1P5)の中で正の屈折力を有するレンズL1P1( 焦点距離307.2mm)と、正の屈折力を有するレンズL1P4( 焦点距離335.9mm)と、正の屈折力を有するレンズL1P5( 焦点距離755.2mm)とは蛍石から、また、負の屈折力を有するレンズレンズL1P2( 焦点距離-596.9mm) と、負の屈折力を有するレンズレンズL1P3( 焦点距離-382.8mm) とは合成石英から、さらに、第1負レンズ群G1N(L1N1〜L1N2)の中で負の屈折力を有するレンズL1N1( 焦点距離-1217.3mm)は螢石から構成されていることがわかる。
【0070】
図7、図8及び図9は、それぞれタンジェンシャル面内及びサジタル面内のコマ収差図である。ここで、図7は狭帯化されていないKrFエキシマレーザの発振中心波長λ=248.4nmにおけるコマ収差図、図8は半値幅の短波長側λ=247.9nmにおけるコマ収差図、図9は半値幅の長波長側λ=248.9nmにおけるコマ収差図である。なお、図7、図8及び図9において、点線で示す曲線はタンジェンシャル面内のコマ収差を、実線で示す曲線はサジタル面内のコマ収差を表わす。
【0071】
また、図10は、上記各波長における非点収差図であり、図中点線で示す曲線はタンジェンシャル面内の焦点位置を、実線で示す曲線はサジタル面内の焦点位置を示している。
これら図7乃至図10においては、狭帯化されていないKrFエキシマレーザの発振中心波長λ=248.4nmをWLCとし、半値幅の短波長側λ=247.9nmの波長をWLSとし、長波長側λ=248.9nmの波長をWLLとしている。
【0072】
これらの収差図から、本発明における第2の実施例は、狭帯化されていないKrFエキシマレーザの発振波長域内において良好な光学性能を有していることがわかる。
次に、図11及び図12を参照しながら本発明の別の実施の形態にかかる投影光学系を走査型投影露光装置に適用した第3の実施例について説明する。図11及び図12において、図1に示した部材と同じ機能を有する部材には同じ符号を付してある。
【0073】
図11に示す走査型投影露光装置において、図1に示した走査型投影露光装置と異なる所は、狭幅化されていない自然発振のエキシマレーザ光を供給するエキシマレーザ光源を含む発振器40の代わりに、g線(436nm)、h線(405nm)及びi線(365nm)を含む光束を供給する光源部42を設けた点、および投影光学系PL中の主に各屈折光学系(S1、S2)の構成を変更した点である。なお、以上の相違点以外は、図11に示す走査型投影露光装置と図1に示すものと同じあるため重複部分については説明を省略する。
【0074】
さて、図11に示すように、光源部42は、例えば、所定の複数の波長、すなわちg線(436nm)、h線(405nm)及びi線(365nm)を含む光束を発する水銀アークランプと、この水銀アークランプからの光を集光する楕円鏡等の集光鏡と、この集光鏡を介した光束を所定の状態の光束(ほぼ平行光束等)に変換する集光光学系(コリメート系等)等を含んでいる。
【0075】
従って、光源部42から供給される光束、即ちg線(436nm)、h線(405nm)及びi線(365nm)を含む光束は適切な光束状態のもとで照明光学系41へ導かれる。
このように、光源部42にて供給される所定の複数の波長の光を有する光束(露光光)は、照明光学系41を介してマスク10上の回路パターンへ向かい、マスク10上の所定の領域は、照明光学系41からの照明光(露光光)によりほぼ均一の照度で照明される。そして、均一照明されたマスク10のパターンからの光は、投影光学系(K1、K2)を介して感光性基板30に結像され、感光性基板30上には、マスク10のパターン像が形成される。このとき、マスクステージMSにて保持されているマスク10と基板ステージKSにて保持されている基板30とを一体的に移動させれば、マスク10の全面パターン像が感光性基板30上に露光することができる。
【0076】
ここで、図11に示す投影光学系は、露光光としている所定の複数の波長(g線、h線、i線)の光に対して色収差補正が施されている。
図11において、投影光学系は、前記マスク10上の回路パターンの一次像を形成する第1反射屈折型結像光学系K1と、この一次像からの光に基づいて前記基板30上に回路パターンの正立正像(二次像)を形成する第2反射屈折型結像光学系K2とを有する。図12では、各反射屈折型結像光学系(K1、K2)のを拡大した様子を示している。
【0077】
前記第1反射屈折型結像光学系K1は、前記マスク10の面(XY平面)に対して45°で斜設された反射面P1a、P1bを持つ直角プリズムP1と、正の屈折力を有する第1正レンズ群G1Pと、負の屈折力を有する第1負レンズ群G1Nとから構成される第1屈折光学系S1と、第1凹面反射鏡M1とを有する。 ここで、前記第1正レンズ群G1Pは、両凸形状の正レンズ(第1の正レンズ)L1P1と、第1凹面反射鏡M1側に凸面を向けたメニスカス形状の負レンズ(第1の負レンズ)L1P2と、両凸形状の正レンズ(第2の正レンズ)L1P3とから構成され、前記第1負レンズ群G1Nは、第1凹面反射鏡M1側に凹面を向けたメニスカス形状の負レンズ(第1のメニスカスレンズ)L1N1と、第1凹面反射鏡M1側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズ(第2のメニスカスレンズ)L1N2とから構成される。
【0078】
また、前記第2反射屈折型結像光学系K2は、前記第1反射屈折型結像光学系K1の構成と全く同一であり、即ち、前記基板30の面(XY平面)に対して45°で斜設された反射面P2a、P2bを持つ直角プリズムP2と、正の屈折力を有する第2正レンズ群G2Pと、負の屈折力を有する第2負レンズ群G2Nとから構成される第2屈折光学系S2と、前記第2凹面反射鏡M2とを有する。
【0079】
ここで、前記第2正レンズ群G2Pは、両凸形状の正レンズ(第3の正レンズ)L2P1と、第2凹面反射鏡M2側に凸面を向けたメニスカス形状の負レンズ(第2の負レンズ)L2P2と、両凸形状の正レンズ(第4の正レンズ)L2P3とから構成され、前記第2負レンズ群G2Nは、第2凹面反射鏡M2側に凹面を向けたメニスカス形状の負レンズ(第3のメニスカスレンズ)L2N1と、第2凹面反射鏡M2側に凸面を向けたメニスカス形状の正レンズ(第4のメニスカスレンズ)L2N2とから構成される。
【0080】
なお、前記第1反射屈折型結像光学系K1により形成される回路パターンの一次像形成位置には、前記基板30での投影領域を規定する視野絞りFSが設けられる。また、上述の第1反射屈折型結像光学系K1 においては、前記第1屈折光学系S1 の略後側焦点位置に前記第1凹面反射鏡M1 が配置されているため、上記マスク10側及び上記視野絞りFS側においてテレセントリックとなる。さらに、前記第2反射屈折型結像光学系K2 においても、第2屈折光学系S2 の略後側焦点位置に前記第2凹面反射鏡M2 が配置されているため、前記視野絞りFS側及び上記基板30側においてテレセントリックとなる。従って、上記投影光学系PLは、両側(上記マスク10側及び上記基板30側)テレセントリック光学系である。
【0081】
さて、以下の表3には、図11に示した第1及び第2反射屈折光学系(K1 、K2)の諸元の値及び条件対応値を掲げる。但し、左端の数字は物体側( 又は一次像) からの第1凹面反射鏡M1(又は第2凹面反射鏡M2)までの順序を示し、 rはレンズ面又は反射面の曲率半径、dはレンズ面間隔、ng は露光波長の光(g線:436nm)に対する媒質(光学材料)の屈折率、nh は露光波長の光(h線:406nm)対する媒質(光学材料)の屈折率、ni は露光波長の光(i線:365nm)対する媒質(光学材料)の屈折率を示している。
【0082】
【表3】
Figure 0004235778
Figure 0004235778
なお、表3において、像高Yは47mmであり、物体面側での開口数N.A.は0.1である。また、第0番目の面は物体面又は像面を示している。
【0083】
ここで、以下の表4に第3実施例の像高毎の波面収差のr.m.s.値をg線、h線、i線に対して、Wrms(g)、Wrms(h)、Wrms(i)として掲げる。
【0084】
【表4】
Figure 0004235778
表3に示すように第3実施例の投影光学系は各条件を満足しているため、上記表4に示す如く、本発明における第3の実施例の投影光学系は良好な光学性能を有していることが分かる。
【0085】
次に、図13を参照しながら図11に示す投影光学系を構成する各反射屈折光学系(K1、K2)の第4の実施例について説明する。図13には第1反射屈折型結像光学系K1のみのレンズ構成図を示し、第2反射屈折型結像光学系K2は、第1反射屈折型結像光学系と同じ構成であるので、説明を省略している。また、説明を簡略化にするために、図13においては、前記第1屈折光学系S1( 又は第2屈折光学系S2) の左側に配置されている光路偏向部材としての直角プリズムP1( 又は直角プリズムP2) の図示を省略している。第4の実施例では、これらの第1及び第2反射屈折型結像光学系を図11に示すように直列に配置して投影光学系を構成する。
【0086】
図13に示す如く、第1反射屈折型結像光学系K1( 又は第2反射屈折型結像光学系K2) は、第1正レンズ群G1P( 又は第2正レンズ群G2P)及び第1負レンズ群G1N(又は第2負レンズ群G2N)との2群から構成される第1屈折光学系S1( 又は第2屈折光学系S2) と第1凹面反射鏡M1( 又は第2凹面反射鏡M2)とを有する。
【0087】
図13に示す第4の実施例の反射屈折型結像光学系(K1、K2)において、図11に示す第3の実施例と異なる所は、正レンズ群(G1P、G2P)中の第2の正レンズの凹面反射鏡(M1、M2)側に負のメニスカスレンズ(L1P4、L2P4)を新たに配置した点である
前記第1正レンズ群G1P( 又は前記第2正レンズ群G2P)は、レンズL1P1〜L1P4( 又はレンズL2P1〜L2P4)から構成され、前記第1負レンズ群G1N(又は前記第2負レンズ群G2N)は、レンズL1N1〜L1N2( 又はレンズL2N1〜L2N2)から構成される。
【0088】
そして、以下の表5には、図13に示した投影光学系の諸元の値及び条件対応値を掲げる。但し、左端の数字は物体側( 又は一次像) からの第1凹面反射鏡M1(又は第2凹面反射鏡M2)までの順序を示し、 rはレンズ面又は反射面の曲率半径、dはレンズ面間隔、ng は露光波長の光(g線:436nm)に対する媒質(光学材料)の屈折率、nh は露光波長の光(h線:406nm)対する媒質(光学材料)の屈折率、ni は露光波長の光(i線:365nm)対する媒質(光学材料)の屈折率を示している。
【0089】
【表5】
Figure 0004235778
Figure 0004235778
なお、表5において、像高Yは47mmであり、物体面側での開口数N.A.は0.1である。また、第0番目の面は物体面又は像面を示している。
【0090】
ここで、以下の表6に第4実施例の像高毎の波面収差のr.m.s.値をg線、h線、i線に対して、Wrms(g)、Wrms(h)、Wrms(i)として掲げる。
【0091】
【表6】
Figure 0004235778
表5に示すように第4実施例の投影光学系は各条件を満足しているため、上記表6に示す如く、本発明における第4の実施例の投影光学系は良好な光学性能を有していることが分かる。
【0092】
なお、上述の実施例においては、本発明のよる投影光学系を第1反射屈折型結像光学系K1と第2反射屈折型結像光学系K2とに適応したが、前記第1反射屈折型結像光学系K1の前記反射面P1a、P1bを持つ直角プリズムP1の前記反射面P1a又はP1bのどちらか一方の反射面をダハ面を有するものとして、第1反射屈折型結像光学系を構成することにより等倍の正立正像を形成することも可能である。なお、このようなダハ面を有する光路偏向部材としては例えば特開平4-251812号に開示されている。
【0093】
また、上述の各実施例においては、反射屈折型結像光学系(K1、K2)の負レンズ群(G1N、G2N)中の最も正レンズ群(G1P、G2P)側に配置された負レンズ(L1N1、L2N1)をメニスカス形状としたが、このレンズ(L1N1、L2N1)において負の屈折力を有していればどの様な形状とすることもできる。この場合、負レンズ(L1N1、L2N1)は凹面を有していることが好ましく、この負レンズ(L1N1、L2N1)と反射鏡(M1、M2)との間に配置されるメニスカスレンズ(L1N2、L2N2)は、負レンズ(L1N1、L2N1)に形成される凹面と対向した凹面を有していることがより望ましい。
【0094】
また、上述の実施例において、走査型露光装置に適応される投影光学系を第1反射屈折型結像光学系K1と第2反射屈折型結像光学系K2とにより構成されるものとしたが、走査方向と直交する方向に複数の投影光学系(第1反射屈折型結像光学系K1と第2反射屈折型結像光学系K2とにより構成されるもの)を配置することにより、より広い露光領域を形成することも可能である。このような複数の投影光学系を千鳥配置するものとしては、例えば特開平8-211294号に開示されている。
【0095】
このように、上述の実施の形態に係る各実施例によれば、本発明による投影光学系を適応したとき、狭帯化されていないKrFエキシマレーザやg線〜i線等を含む広い波長域の紫外光等を用いた光学装置(投影露光装置、レーザ加工装置など)に対して良好な光学性能を付与することが可能となる。これにより、上記光学装置では、比較的広い波長域の遠紫外光を利用して被露光体上での露光エネルギーを高めることができ、高スループットを達成できる。
【0096】
特に、上述の実施の形態に係る各実施例に記載の装置又は投影光学系を用いて基板に穴を形成する等の光加工を行う光加工方法(又は投影方法)や基板に所定のパターンを転写する露光方法を実行することにより良好なるデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。この場合における投影方法や露光方法としては、照明光学系41を用いて第1物体(マスク10)の所定領域(パターン領域)に紫外光(加工光)を導く工程(照明工程)と、投影光学系を用いて第1物体の所定領域の像(マスク10のパターン像)を第2物体(感光性基板30)に形成する工程(投影工程)を有することが好ましく、さらに、投影光学系に対して第1物体と第2物体とを移動させる工程(走査工程)を有することがより好ましい。
【0097】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、比較的広い波長域の遠紫外光を利用する光学装置に、良好な光学性能を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第1実施例の構成を示す図である。
【図2】本発明による第1実施例のコマ収差図である。
【図3】本発明による第1実施例のコマ収差図である。
【図4】本発明による第1実施例のコマ収差図である。
【図5】本発明による第1実施例の非点収差図である。
【図6】本発明による第2実施例を示すレンズ構成図である。
【図7】本発明による第2実施例のコマ収差図である。
【図8】本発明による第2実施例のコマ収差図である。
【図9】本発明による第2実施例のコマ収差図である。
【図10】本発明による第2実施例の非点収差図である。
【図11】本発明による第3実施例の構成を示す図である。
【図12】本発明による第3実施例を示すレンズ構成図である。
【図13】本発明による第4実施例を示すレンズ構成図である。
【符号の説明】
1‥‥‥第1反射屈折型結像光学系
2‥‥‥第2反射屈折型結像光学系
1P‥‥第1正レンズ群
1N‥‥第1負レンズ群
2P‥‥第2正レンズ群
2N‥‥第2負レンズ群
1‥‥‥第1凹面反射鏡
2‥‥‥第2凹面反射鏡
1‥‥‥第1屈折光学系
2‥‥‥第2屈折光学系
10‥‥‥マスク
30‥‥‥基板
41‥‥‥照明光学系[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a catadioptric projection optical system for forming an image of a first object (mask, reticle, etc.) on a second object (substrate, etc.) at substantially the same magnification. The present invention also provides a projection exposure apparatus that forms a mask image on a substrate coated with a photosensitive material based on broadband ultraviolet light, and projects ultraviolet light onto a polymer resin that can be laser ablated by ultraviolet light. The present invention relates to a projection optical apparatus used for manufacturing a device (semiconductor element, imaging element, liquid crystal display element, thin film magnetic head, etc.) such as a laser processing apparatus for processing. Furthermore, the present invention also relates to an optical processing method, an exposure method, and a device manufacturing method for manufacturing the device.
[0002]
[Prior art]
For example, U.S. Pat. No. 5,696,631 discloses a projection optical system of equal magnification for an exposure apparatus using a KrF excimer laser emitting ultraviolet light having a wavelength of 248.4 nm.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
Since the projection optical system disclosed in the above-mentioned US Pat. No. 5,696,631 is a refractive optical system, there is a problem that the number of lens members constituting the optical system is larger than that of the catadioptric type. .
In addition, since the lens member is composed only of synthetic silica, an optical device using a non-narrowed KrF excimer laser (the half width of the oscillation wavelength is about 1 nm with respect to the central oscillation wavelength). When the projection optical system described above is used, there is a problem that good imaging performance cannot be obtained because chromatic aberration is not corrected. Therefore, the laser light source cannot be widened (not narrowed) in order to improve the exposure energy on the object to be exposed, and high throughput cannot be obtained.
[0004]
Therefore, the present invention provides a projection optical system that achieves good optical performance (particularly good chromatic aberration correction) despite a compact configuration with relatively few optical members, and has a simple configuration. It is an object of the present invention to obtain a projection optical apparatus and a scanning exposure apparatus that can achieve high throughput. Furthermore, another object of the present invention is to obtain an optical processing method and an exposure method capable of manufacturing a good device using the projection optical system, the projection optical apparatus, the scanning exposure apparatus, or the like.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the above object, a projection optical system according to one aspect of the present invention includes, for example, as shown in FIG.The light from the first object is imaged on the second object, and the first object (Ten) Image of the second object (30) A projection optical system for projecting upward,
  Positive lens group (G1P) And a negative lens group having negative refractive power (G1N) And concave reflector (M1)
  In the positive lens group, the negative lens group, and the concave reflecting mirror, light from the first object reaches the concave reflecting mirror in order through the positive lens group and the negative lens group, and is reflected by the concave reflecting mirror. Positioned so that the emitted light is directed to the second object through the negative lens group and the positive lens group in order, and the first and second object sides are telecentric,
  The positive lens group includes at least a lens made of meteorite and having a positive refractive power, and a lens made of synthetic quartz and having a negative refractive power,
  The negative lens group includes a lens made of meteorite and having negative refractive power.
[0006]
According to a preferred aspect of the present invention, the negative lens group (G1N) Has a first concave refracting surface having a concave shape and a second concave refracting surface having a concave surface facing the first concave refracting surface.
In this preferred embodiment, the negative lens group includes a first negative lens (L having the first concave refractive surface and negative refractive power).1N1) And a first meniscus lens (L) having the second concave refracting surface disposed between the first negative lens and the concave reflecting mirror.1N2).
[0007]
Moreover, it is preferable that the projection optical system concerning one aspect of this invention has an aperture stop arrange | positioned at the reflective surface of the said concave reflecting mirror.
In the projection optical system according to one aspect of the present invention, light from the first object is guided to the positive lens group, and light from the concave reflecting mirror via the positive lens group is guided to the second object side. Optical path deflecting member (P1).
[0008]
  In order to achieve the above object, a projection optical system according to another aspect of the present invention includes, for example, as shown in FIG.The light from the first object is imaged on the second object, and the first object (Ten) Image of the second object (30) A projection optical system for projecting upward,
  First positive lens group having positive refractive power (G1P) And the first negative lens group (G1N) And the first concave reflector (M1) First imaging optical system (S)1)When,
  Second positive lens group having positive refractive power (G2P) And a second negative lens group having negative refractive power (G2N) And the second concave reflector (M2) Second imaging optical system (S)2)
  In the first and second imaging optical systems, light from the first object reaches the first concave reflecting mirror through the first positive lens group and the first negative lens group in order, and the first concave reflection is performed. The light reflected by the mirror sequentially passes through the first negative lens group and the first positive lens group to form a primary image, and the light from the primary image forms the second positive lens group and the second negative lens. The light reaches the second concave reflecting mirror sequentially through the group, and the light reflected by the second concave reflecting mirror sequentially passes through the second negative lens group and the second positive lens group to form a secondary image on the second object. And so that the first and second object sides are telecentric,
  The first and second positive lens groups include at least a lens made of meteorite and having a positive refractive power, and a lens made of synthetic quartz and having a negative refractive power,
  The first and second negative lens groups include lenses made of meteorite and having negative refractive power.
[0009]
Here, according to a preferred aspect of the present invention, the first negative lens group (G1N) Has a first concave refracting surface having a concave shape, and a second concave refracting surface having a concave surface facing the first concave refracting surface, and the second negative lens group (G2N) Has a third concave refracting surface having a concave shape and a fourth concave refracting surface having a concave surface facing the third concave refracting surface.
In this preferred embodiment, the first negative lens group includes a first negative lens (L) having the first concave refractive surface and negative refractive power.1N1), And a first meniscus lens (L) having the second concave refracting surface and disposed between the first negative lens and the first concave reflecting mirror.1N2And the second negative lens group includes a second negative lens (L) having the third concave refracting surface and having a negative refractive power.2N1), And a second meniscus lens (L) having the second concave refracting surface disposed between the second negative lens and the second concave reflecting mirror.2N2).
[0010]
In the projection optical system according to another aspect of the present invention, it is preferable that the projection optical system includes an aperture stop disposed on at least one of the first and second concave reflecting mirrors.
In the projection optical system according to another aspect of the present invention, it is preferable that a field stop is disposed at the position of the primary image.
[0011]
In the projection optical system according to another aspect of the present invention, the light from the first object is guided to the first positive lens group, and the light from the first concave reflecting mirror passes through the first positive lens group. A first optical path deflecting member (P1), And a second optical path for guiding light from the primary image to the second positive lens group and guiding light from the second concave reflecting mirror via the second positive lens group to the secondary image. Deflection member (P2).
[0012]
The projection optical apparatus according to the present invention includes, as shown in FIG. 1, for example, a laser light source (40) that supplies a broadband ultraviolet laser beam and light from the laser light source to a predetermined region on the first object. An illumination optical system (41) for guiding and the projection optical system described above are provided, and an image in the predetermined area on the first object is formed on the second object by the projection optical system.
[0013]
If the projection optical system in each of the above aspects and preferred aspects is used, optical processing can be performed on the second object (workpiece). In this case, the optical processing method uses an illumination process for guiding broadband ultraviolet laser light to a predetermined area on the first object, and an image in the predetermined area on the first object using the projection optical system. Projecting on the second object.
[0014]
  By the way, this invention is not restricted to each aspect described above, It is good also as various aspects as shown below.
  In order to achieve the above object, a projection optical system according to still another aspect of the present invention includes, for example, as shown in FIGS.First object including a predetermined wavelength (Ten) Light from the second object (30) Imaged on the first object (Ten) Image of the second object (30) A projection optical system for projecting upward,
  Positive lens group (G1P, G2P) And a negative lens group having negative refractive power (G1N, G2N) And concave reflector (M1, M2)
  In the positive lens group, the negative lens group, and the concave reflecting mirror, light from the first object reaches the concave reflecting mirror in order through the positive lens group and the negative lens group, and is reflected by the concave reflecting mirror. Arranged so that the emitted light goes to the second object through the negative lens group and the positive lens group in order,
  The negative lens group (GN1, GN2) Is a negative lens (L1N1, L2N1) And the negative lens (L1N1, L2N1) And the concave reflector (M1, M2At least a meniscus lens (L1N2, L2N2) disposed between
  When the distance along the optical axis between the positive lens group and the negative lens group is D and the distance along the optical axis between the first meniscus lens and the second meniscus lens is L, It is configured to satisfy the relationship.
[0015]
0.01 <L / D <0.5
A preferred embodiment in this case According to such a projection optical system, the positive lens group (G1P, G2P) Is a first positive lens (L) having a positive refractive power in order from the first object side, as shown in FIG.1P1, L2P1) And a first negative lens (L1P2, L2P2) And a second positive lens (L1P3, L2P3) And at least
The luminous flux has a predetermined first wavelength (g-line: 436 nm) λ1And the first wavelength λ1Shorter second wavelength (h line: 406nm) λ2And the second wavelength λ2Shorter third wavelength (i-line: 365nm) λThreeAnd
The first wavelength λ of the first negative lens in the positive lens group.1The refractive index for nn11), The second wavelength λ of the first negative lens in the positive lens group.2The refractive index for nn12), The third wavelength λ of the first negative lens in the positive lens groupThreeThe refractive index for nn1Three), The first wavelength λ of the negative lens in the negative lens group1The refractive index for nm11), The second wavelength λ of the negative lens in the negative lens group2The refractive index for nm12), The third wavelength λ of the negative lens in the negative lens groupThreeThe refractive index for nm1Three), It is preferable to satisfy the following relationship.
[0016]
νn= (Nn2) -1) / (nnThree-Nn1))
νm= (Nm2) -1) / (nmThree-Nm1))
νm1−νn1> 0
The projection optical system according to another preferred embodiment of the present invention has a first wavelength (g-line: 436 nm) λ1The positive lens group (G1P, G2P) PS Petzval sumP1) And the second wavelength (h-line: 406 nm) λ2PS for Petzval sum of the positive lens groupP2), Third wavelength (i-line: 365 nm) λThreePS for the Petzval sum of the positive lens groupPThree), It is desirable to satisfy the following relationship.
[0017]
0 <PSP2-PSP1) <0.00001
0 <PSPThree-PSP1) <0.00001
A projection optical system according to still another preferred embodiment of the present invention has a first wavelength (g-line: 436 nm) λ1PS for the Petzval sum of the negative lens groupN1) And the second wavelength (h-line: 406 nm) λ2PS for the Petzval sum of the negative lens groupN2), Third wavelength (i-line: 365 nm) λThreePS for the Petzval sum of the negative lens groupNThree), It is more desirable to satisfy the following relationship.
[0018]
0 <PSN1) -PSN2) <0.00001
0 <PSN1) -PSNThree) <0.00001
If the projection optical system in each of the above aspects and preferred aspects is used, optical processing can be performed on the second object (workpiece). In this case, the optical processing method includes an illumination step for guiding a broadband ultraviolet laser beam as the light flux to a predetermined region on the first object, and the inside of the predetermined region on the first object using the projection optical system. Preferably, the method includes a projection step of forming an image of the second image on the second object.
[0019]
If the projection optical system in each of the above aspects and preferred aspects is used, a device can be manufactured by exposing the second object (workpiece). In this case, the device manufacturing method forms a pattern image of the mask on the photosensitive substrate as the second object by using the illumination process for guiding the light flux to the mask as the first object and the projection optical system. A projection step.
[0020]
  If the projection optical system in each of the above aspects and preferred aspects and an illumination optical system for guiding the light beam to the mask as the first object are provided in the exposure apparatus, the pattern image of the mask is generated by the projection optical system. It can be formed on a photosensitive substrate as the second object, and a good device can be manufactured.
  Furthermore, in order to achieve the above object, a scanning exposure apparatus according to still another aspect includes an illumination optical system (41) that illuminates a mask (10) on which a predetermined pattern is formed, as shown in FIG. )When,The mask (Ten) An image of the mask pattern is formed by imaging light from the photosensitive substrate (30) Project toA projection optical system, and exposing the photosensitive substrate with a pattern of the mask by moving the mask and the photosensitive substrate relative to the projection optical system,
  The projection optical system condenses light from the first object to form a primary image (K1), And a second catadioptric optical system (K) that collects light from the primary image to form a secondary image.2) And
  The first catadioptric optical system (K1) Is a first positive lens group (G1P) And the first negative lens group (G1N) And the first concave reflector (M1) And
  In the first positive lens group, the first negative lens group, and the first concave reflecting mirror, light from the mask passes through the first positive lens group and the first negative lens group in order. 1 so that the light reflected by the first concave reflecting mirror sequentially passes through the first negative lens group and the first positive lens group to form the primary image. Arranged,
  The second catadioptric optical system (K2) Is a second positive lens group (G2P) And a second negative lens group (G2N) And the second concave reflector (M2)
  In the second positive lens group, the second negative lens group, and the second concave reflecting mirror, light from the primary image sequentially passes through the second positive lens group and the second negative lens group. Then, the light reaches the second concave reflecting mirror, and the light reflected by the second concave reflecting mirror sequentially passes through the second negative lens group and the second positive lens group to form the secondary image. Each placed in
  The first negative lens group includes a first meniscus lens (L1N1) And the first meniscus lens (L1N1) And the second concave reflecting mirror (M1), the second meniscus lens (L1N2)
  The second negative lens group includes a third meniscus lens (L2N1) And the third meniscus lens (L2N1) And the second concave reflecting mirror (M2) and a fourth meniscus lens (L2N2)
  The distance along the optical axis between the first positive lens group and the first negative lens group is D1And D is the distance along the optical axis between the second positive lens group and the second negative lens group.2, L is a distance along the optical axis between the first meniscus lens and the second meniscus lens.1, The distance along the optical axis between the third meniscus lens and the fourth meniscus lens is L2In this case, the following relationship is satisfied.
[0021]
0.01 <L1/ D1<0.5
0.01 <L2/ D2<0.5
In this case, according to the scanning exposure apparatus, the first positive lens group includes, in order from the mask side, the first positive lens having a positive refractive power and the first positive lens having a negative refractive power. And at least a second positive lens having a positive refractive power,
The second positive lens group includes, in order from the primary image side, a third positive lens having a positive refractive power, a second negative lens having a negative refractive power, and a first positive lens having a positive refractive power. 4 positive lenses,
The light has a predetermined first wavelength (g-line: 436 nm) λ1And the first wavelength λ1Shorter second wavelength (h line: 406nm) λ2And the second wavelength λ2Shorter third wavelength (i-line: 365nm) λThreeAnd
The first wavelength λ of the first negative lens in the first positive lens group1The refractive index for nn11), The second wavelength λ of the first negative lens in the first positive lens group.2The refractive index for nn12), The third wavelength λ of the first negative lens in the first positive lens group.ThreeThe refractive index for nn1Three), A first wavelength λ of the first meniscus lens in the first negative lens group.1The refractive index for nm11), The second wavelength λ of the first meniscus lens in the first negative lens group.2The refractive index for nm12), The third wavelength λ of the first meniscus lens in the second negative lens group.ThreeThe refractive index for nm1Three), The first wavelength λ of the second negative lens in the second positive lens group.1The refractive index for nn21), The second wavelength λ of the second negative lens in the second positive lens group.2The refractive index for nn22), The third wavelength λ of the second negative lens in the second positive lens group.ThreeThe refractive index for nn2Three), The first wavelength λ of the third meniscus lens in the second negative lens group.1The refractive index for nm31), The second wavelength λ of the third meniscus lens in the first negative lens group.2The refractive index for nm32), The third wavelength λ of the third meniscus lens in the second negative lens group.ThreeThe refractive index for nm3Three), It is more preferable to satisfy the following relationship.
[0022]
νn1= (Nn12) -1) / (nn1Three-Nn11))
νm1= (Nm12) -1) / (nm1Three-Nm11))
νm1−νn1> 0
νn2= (Nn22) -1) / (nn2Three-Nn21))
νm3= (Nm32) -1) / (nm3Three-Nm31))
νm3−νn2> 0
According to another preferred aspect of the scanning exposure apparatus, the first wavelength (g-line: 436 nm) λ1PS for the Petzval sum of the first positive lens group with respect toP11) And the second wavelength (h-line: 406 nm) λ2PS for the Petzval sum of the first positive lens group with respect toP12), Third wavelength (i-line: 365 nm) λThreePS for the Petzval sum of the first positive lens group with respect toP1Three), The first wavelength λ1PS for the Petzval sum of the second positive lens group with respect toP21) And the second wavelength λ2PS for the Petzval sum of the second positive lens group with respect toP22), The third wavelength λThreePS is the Petzval sum of the second positive lens groupP2Three), It is preferable to satisfy the following relationship.
[0023]
0 <PSP12) -PSP11) <0.00001
0 <PSP1Three) -PSP11) <0.00001
0 <PSP22) -PSP21) <0.00001
0 <PSP2Three) -PSP21) <0.00001
According to still another preferred aspect of the scanning exposure apparatus, the first wavelength (g-line: 436 nm) λ1PS for the Petzval sum of the first negative lens group with respect toN11) And the second wavelength (h-line: 406 nm) λ2PS for the Petzval sum of the first negative lens group with respect toN12), Third wavelength (i-line: 365 nm) λThreePS for the Petzval sum of the first negative lens group for PSN1Three), The first wavelength λ1PS for the Petzval sum of the second negative lens group with respect toN21) And the second wavelength λ2PS for the Petzval sum of the second negative lens group with respect toN22), The third wavelength λThreePS for the Petzval sum of the second negative lens group with respect toN2Three), It is desirable to satisfy the following relationship.
[0024]
0 <PSN11-PSN12) <0.00001
0 <PSN11-PSN1Three) <0.00001
0 <PSN21-PSN22) <0.00001
0 <PSN21-PSN2Three) <0.00001
Moreover, if the scanning exposure apparatus in each of the above aspects and preferred aspects is used, a photosensitive device (second object) can be exposed to produce a good device. The device manufacturing method in this case includes an illumination step of illuminating the mask using the illumination optical system, a projection step of forming a pattern image of the mask on the photosensitive substrate using the projection optical system, Preferably, the method includes a scanning step of moving the mask and the photosensitive substrate relative to the projection optical system.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In one embodiment of the present invention as described above, for example, ultraviolet light from a KrF excimer laser that is not narrowed (the half width of the oscillation wavelength is about 1 nm with respect to the central oscillation wavelength of 248.4 nm) is used. Even when used as a light source for illuminating an object, the positive lens group (first and second positive lens groups) having a positive refractive power is a lens made of at least one meteorite having a positive refractive power; By including a lens made of synthetic quartz having negative refractive power, chromatic aberration can be corrected.
[0026]
Further, the negative lens group (first and second negative lens groups) includes at least one lens made of meteorite having negative refractive power, so that the ultraviolet light from the laser that is not narrowed. It is possible to reduce the difference in the amount of field curvature generated based on the difference in wavelength.
In the present invention, not only a KrF excimer laser that is not narrowed but also a laser light source such as an ArF excimer laser that is not narrowed can be applied.
[0027]
Further, by arranging a concave reflecting mirror in the vicinity of the rear focal position of the composite optical system composed of a positive lens group having a positive refractive power and a negative lens group having a negative refractive power, a positive lens group and a negative lens group And a catadioptric optical system composed of a concave reflecting mirror can be a telecentric optical system on the object side and the image side (the back focal point of the composite optical system composed of the first positive lens group and the first negative lens group). The first concave reflecting mirror is disposed in the vicinity of the position, and the second concave reflecting mirror is disposed in the vicinity of the rear focal position of the combining optical system including the second positive lens group and the second negative lens group. And the second imaging optical system can be a telecentric optical system on the object side and the image side).
[0028]
Further, by providing first and second concave refracting surfaces (first to fourth concave refracting surfaces) with the concave surfaces facing each other in the negative lens group (first and second negative lens groups), tangential. The flatness of the image plane and the sagittal image plane can be improved.
Then, by arranging an aperture stop on the reflecting surface of the concave reflecting mirror (at least one of the first and second concave reflecting mirrors), it is possible to make the vignetting free (a state in which there is no vignetting at any image height). It becomes possible. In this configuration, since the refractive power arrangement of the catadioptric optical system including the positive lens group, the negative lens group, and the concave reflecting mirror is symmetric with respect to the concave mirror, the occurrence of lateral chromatic aberration can be suppressed, and the positive lens group In the negative lens group, it is only necessary to correct only the longitudinal chromatic aberration.
[0029]
As another embodiment of the present invention, as described above, ultraviolet light from a non-narrowed KrF excimer laser (the half width of the oscillation wavelength is about 1 nm with respect to the central oscillation wavelength of 248.4 nm) is used. When used as a light source for illuminating the first object, or illuminates the first object with light from a light source unit that supplies light including g-line (436 nm), h-line (406 nm), i-line (365 nm), etc. When used as light, correction of chromatic aberration is possible, and the improvement in throughput can be greatly improved.
[0030]
That is, in this embodiment, the negative lens group (G1N, G2N) Is a negative lens (first meniscus lens L) having a first concave refractive surface.1N1Or the third meniscus lens L2N1) And a second concave meniscus lens (second meniscus lens L)1N2Or 4th meniscus lens L2N2) And a positive lens group (G in the projection optical system)1P, G2P) And negative lens group (G1N, G2N) (Group interval D: first positive lens group G)1P And the first negative lens group G1N The axial distance D of the space formed between1Or the second positive lens group G2P And the second negative lens group G2N The axial distance D of the space formed between2), A space formed between two lenses having a concave refractive surface (lens spacing L: first meniscus lens L)1N1And second meniscus lens L1N2The axial distance L of the space formed between1Or 3rd meniscus lens L2N1And 4th meniscus lens L2N2The axial distance L of the space formed between2) Is made appropriate, both the correction of chromatic aberration and the miniaturization of the optical system can be made sufficiently compatible.
[0031]
Specifically, it is desirable to satisfy the following expression (1), or (2) and (3).
[0032]
[Expression 1]
(1) 0.01 <L / D <0.5
(2) 0.01 <L1/ D1<0.5
(3) 0.01 <L2/ D2<0.5
Here, if the lower limit value of the equations (1) to (3) is exceeded, D (D1Or D2) Increases, and the catadioptric optical system (K1, K2) Physical dimensions will increase. As a result, the apparatus itself is undesirably increased in size. Further, when the lower limit value of the expressions (1) to (3) is exceeded, the positive lens group (G1P, G2PWhen the focal length is long, there is a disadvantage that it is difficult to correct chromatic aberration. Further, when the lower limit value of the expressions (1) to (3) is exceeded, the negative lens group (G1N, G2N) Is not preferable because the spherical aberration is insufficiently corrected.
[0033]
On the contrary, if the upper limit value of the expressions (1) to (3) is exceeded, the negative lens group (G1N, G2N) Becomes short, which makes correction of chromatic aberration difficult, and spherical aberration becomes overcorrected. In order to sufficiently correct chromatic aberration and spherical aberration, it is more preferable to set the upper limit of the above equations (1) to (3) to 0.2.
[0034]
Further, based on the above configuration, for example, as shown in FIGS. 11 and 12, a light beam including three wavelengths of a first wavelength g-line, a second wavelength h-line, and a third wavelength i-line is used. The dispersion ν of the first negative lens in the positive lens groupn(First negative lens L of the first positive lens group1P2Variance νn1Or the second negative lens L of the second positive lens group2P2Variance νn2) Is the dispersion ν of the negative lens arranged closest to the positive lens group in the negative lens group.m(Dispersion ν of the first meniscus lens in the negative lens groupm1Or the dispersion ν of the third meniscus lens in the negative lens groupm3) Is preferably relatively smaller.
[0035]
Specifically, the positive lens group (G1P, G2P) Is a first positive lens (L1P1, L2P1)) And a first negative lens (L1P2, L2P2) And a second positive lens (L1P3, L2P3) And a positive lens group (G1P, G2P) In the first negative lens (L1P2, L2P2) First wavelength λ1The refractive index for nn1), Positive lens group (G1P, G2P) In the first negative lens (L1P2, L2P2) Second wavelength λ2The refractive index for nn2), Positive lens group (G1P, G2P) In the first negative lens (L1P2, L2P2) Third wavelength λThreeThe refractive index for nnThree), Negative lens group (G1N, G2N) Negative lens (L1N1, L2N1) First wavelength λ1The refractive index for nm1), Negative lens group (G1N, G2N) Negative lens (L1N1, L2N1) Second wavelength λ2The refractive index for nm2), Negative lens group (G1N, G2N) Negative lens (L1N1, L2N1) Third wavelength λThreeThe refractive index for nmThree), It is preferable to satisfy the following relationships (4) to (6).
[0036]
[Expression 2]
(4) νn= (Nn2) -1) / (nnThree-Nn1))
(5) νm= (Nm2) -1) / (nmThree-Nm1))
(6) νm−νn> 0
The first negative lens in the positive lens group (L1P2, L2P2) Variance νnIs defined as shown in the above equation (4), and the negative lens (L1N1, L2N1) Variance νmIs defined as shown in equation (5) above.
[0037]
In other words, the above expressions (4) to (6) can be expressed as the following expressions (8) to (12).
[0038]
[Equation 3]
(7) νn1= (Nn12) -1) / (nn1Three-Nn11))
(8) νm1= (Nm12) -1) / (nm1Three-Nm11))
(9) νm1−νn1> 0
(10) νn2= (Nn22) -1) / (nn2Three-Nn21))
(11) νm3= (Nm32) -1) / (nm3Three-Nm31))
(12) νm3−νn2> 0
However, nn11) Is the first positive lens group G1P Inside first negative lens L1P2First wavelength λ1Refractive index for nn12) Is the first negative lens L in the first positive lens group G1P1P2Second wavelength λ2Refractive index for nn1Three) Is the first positive lens group G1P Inside first negative lens L1P2Third wavelength λThreeRefractive index for nm11) Is the first negative lens group G1N The first positive lens group G1P Negative lens (first meniscus lens) L1N1First wavelength λ1Refractive index for nm12) Is the first negative lens group G1N The first positive lens group G1P Negative lens (first meniscus lens) L1N1Second wavelength λ2Refractive index for nm1Three) Is the first negative lens group G1N The first positive lens group G1P Negative lens (first meniscus lens) L1N1Third wavelength λThreeRefractive index for nn21) Is the second positive lens group G2P Second negative lens L in2P2First wavelength λ1Refractive index for nn22) Is the second positive lens group G2P Second negative lens L in2P2Second wavelength λ2Refractive index for nn2Three) Is the second positive lens group G2P Inside the second negative lens L2P2Third wavelength λThreeRefractive index for nm31) Is the second negative lens group G2N Second most positive lens group G2P Negative lens (third meniscus lens) L2N1First wavelength λ1Refractive index for nm32) Is the second negative lens group G2N Second most positive lens group G2P Negative lens (third meniscus lens) L2N1Second wavelength λ2Refractive index for nm3Three) Is the second negative lens group G2N Second most positive lens group G2P Negative lens (third meniscus lens) L2N1Third wavelength λThreeIs the refractive index.
[0039]
Here, if the relationship of the above formulas (6), (9), and (12) is not satisfied, the first wavelength λ1, Second wavelength λ2And the third wavelength λThreeIt is difficult to reduce the difference in curvature of field with respect to each wavelength.
Further, a positive lens group (first and second positive lens groups G for a plurality of predetermined wavelengths).1P, G2P) So that the difference in Petzval sum of1P, G2P) Is preferable.
[0040]
Specifically, the first wavelength λ1Positive lens group (G1P, G2P) PS Petzval sumP1) And the second wavelength λ2Positive lens group (G1P, G2P) PS Petzval sumP2), Third wavelength λThreePositive lens group (G1P, G2P) PS Petzval sumPThree), It is preferable to satisfy the relationship of the following expressions (13) and (14).
[0041]
[Expression 4]
(13) 0 <PSP2) -PSP1) <0.00001
(14) 0 <PSPThree) -PSP1) <0.00001
In other words, the above expressions (13) to (14) can be expressed as the following expressions (15) to (18).
[0042]
[Equation 5]
(15) 0 <PSP12) -PSP11) <0.00001
(16) 0 <PSP1Three) -PSP11) <0.00001
(17) 0 <PSP22) -PSP21) <0.00001
(18) 0 <PSP2Three) -PSP21) <0.00001
However, PSP11) Is the first wavelength λ1First positive lens group G against1P Petzval sum, PSP12) Is the second wavelength λ2First positive lens group G against1P Petzval sum, PSP1Three) Is the third wavelength λThreeFirst positive lens group G against1P Petzval sum, PSP21) Is the first wavelength λ1Second positive lens group G for2P Petzval sum, PSP22) Is the second wavelength λ2Second positive lens group G for2P Petzval sum, PSP2Three) Is the third wavelength λThreeSecond positive lens group G for2P The Petzval sum.
[0043]
Here, if the upper limit value of the expressions (13) to (18) is exceeded, the positive lens group (G1P, G2P) At the first wavelength λ1The second wavelength λ with respect to the curvature of field due to2And the third wavelength λThreeThis is not preferable because the difference in the amount of curvature of field due to the image becomes large, making it difficult to obtain a good image. On the contrary, if the lower limit of the expressions (13) to (18) is exceeded, the positive lens group (G1P, G2P) At a shorter wavelength (first wavelength λ1The second wavelength λ2And the third wavelength λThree) Petzval sum is small, and positive lens group (G1P, G2P) And negative lens group (G1N, G2N), It is difficult to correct the Petzval sum.
[0044]
Furthermore, a negative lens group (first and second negative lens groups G for a plurality of predetermined wavelengths).1N, G2N) So that the difference in Petzval sum of1N, G2N) Is preferable.
Specifically, the first wavelength λ1Negative lens group (G1N, G2N) PS Petzval sumN1) And the second wavelength λ2Negative lens group (G1N, G2N) PS Petzval sumN2), Third wavelength λThreeNegative lens group (G1N, G2N) PS Petzval sumNThree), It is preferable to satisfy the relationship of the following formulas (19) and (20).
[0045]
[Formula 6]
(19) 0 <PSN1) -PSN2) <0.00001
(20) 0 <PSN1) -PSNThree) <0.00001
In other words, the above expressions (19) to (20) can be expressed as the following expressions (15) to (24).
[0046]
[Expression 7]
(21) 0 <PSN11) -PSN12) <0.00001
(22) 0 <PSN11) -PSN1Three) <0.00001
(23) 0 <PSN21) -PSN22) <0.00001
(24) 0 <PSN21) -PSN2Three) <0.00001
However, PSN11) Is the first wavelength λ1Negative lens group G for1N Petzval sum, PSN12) Is the second wavelength λ2Negative lens group G for1N Petzval sum, PSN1Three) Is the third wavelength λThreeNegative lens group G for1N Petzval sum, PSN21) Is the first wavelength λ1Second negative lens group G for2N Petzval sum, PSN22) Is the second wavelength λ2Second negative lens group G for2N Petzval sum, PSN2Three) Is the third wavelength λThreeSecond negative lens group G for2N The Petzval sum.
[0047]
Here, if the upper limit value of the equations (19) to (24) is exceeded, the negative lens group (G1N, G2N) At the first wavelength λ1The second wavelength λ with respect to the curvature of field due to2And the third wavelength λThreeThis is not preferable because the difference in the amount of curvature of field due to the image becomes large, making it difficult to obtain a good image. Conversely, if the lower limit value of the equations (19) to (24) is exceeded, the negative lens group (G1N, G2N) At a shorter wavelength (first wavelength λ1The second wavelength λ2And the third wavelength λThree) Of Petzval sum, and negative lens group (G1N, G2N) And positive lens group (G1P, G2P), It is difficult to correct the Petzval sum.
[0048]
Now, examples according to each embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In each of the embodiments described later, an example in which the present invention is applied to an exposure apparatus is described as a representative. However, a workpiece to be subjected to drilling or uneven processing on a substrate stage KS to be described later is described. An optical processing mask having an opening or the like to be drilled or processed on the workpiece instead of the exposure mask 10 on the mask stage MS (described later) is arranged instead of the substrate 30. If it arrange | positions, it will become possible to use the exposure apparatus shown in each Example as an optical processing apparatus using an ablation action.
[0049]
FIG. 1 is a diagram schematically showing an example in which a projection optical system according to an embodiment of the present invention is applied to a scanning projection exposure apparatus. In FIG. 1, the direction (scanning direction) in which the mask 10 on which a predetermined pattern is formed and the substrate 30 coated with a resist are transported is the X axis, and the direction orthogonal to the X axis is in the plane of the mask 10. The Y axis and the normal direction of the mask 10 are set to the Z axis.
[0050]
In FIG. 1, the projection optical system is a first catadioptric imaging optical system K that forms a primary image of a circuit pattern on the mask 10.1And a second catadioptric imaging optical system K that forms an erect image (secondary image) of the circuit pattern on the substrate 30 based on the light from the primary image.2And have. The first catadioptric imaging optical system K1Is a reflecting surface P inclined at 45 ° to the surface (XY plane) of the mask 101a, P1bRight-angle prism P with1And a first positive lens group G having a positive refractive power1PAnd a first negative lens group G having negative refractive power1NA first refractive optical system S1 and a first concave reflecting mirror M.1And have.
[0051]
Here, the first positive lens group G1PIs a lens L made of meteorite and having positive refractive power1P1And a lens L made of synthetic quartz and having a negative refractive power1P2And a lens L made of meteorite and having a positive refractive power1P3And a lens L made of meteorite and having a positive refractive power1P FourThe first negative lens group G1NIs made of meteorite, said first concave reflector M1First negative lens L having a negative refractive power in a shape with a concave surface facing the side1N1And the first positive lens group G1PThe first meniscus lens L with the concave surface facing the side1N2It consists of.
[0052]
The second catadioptric imaging optical system K2Is the first catadioptric imaging optical system K1In other words, the reflection surface P is inclined at 45 ° with respect to the surface (XY plane) of the substrate 30.2a, P2bRight-angle prism P with2And a second positive lens group G having a positive refractive power2PAnd a second negative lens group G having negative refractive power2NThe second refractive optical system S composed of2And the second concave reflecting mirror M2And have.
[0053]
Here, the second positive lens group G2PIs a lens L made of meteorite and having positive refractive power2P1And a lens L made of synthetic quartz glass and having negative refractive power2P2And a lens L made of meteorite and having a positive refractive power2P3And a lens L made of meteorite and having a positive refractive power2P4The second negative lens group G2NIs made of meteorite, said second concave reflector M2A second negative lens L2N1 having a negative refractive power in a shape with a concave surface facing the side, and the second positive lens group G2PSecond meniscus lens L with concave surface facing side2N2It consists of.
[0054]
The first catadioptric imaging optical system K1A field stop FS that defines a projection area on the substrate 30 is provided at a primary image formation position of the circuit pattern formed by the above.
Now, the oscillator 40 oscillates a KrF excimer laser beam that is not narrowed, and the laser beam from the oscillator 40 travels toward the circuit pattern on the mask 10 via the illumination optical system 41, and passes through a predetermined pattern on the mask 10. The area is illuminated with substantially uniform illuminance by illumination light (exposure light) from the illumination optical system 41. In addition, as the illumination optical system 41, what is generally used in the said technical field can be used.
[0055]
The light passing through this circuit pattern travels along the direction represented by the −Z direction in FIG.1Reflective surface P1aThe first positive lens group G is deflected by 90 ° and travels in the + X direction in the figure.1P(L1P1~ L1P4). The first positive lens group G1PThe light incident on the first negative lens group G1N(L1N1~ L1N2) Through the first concave reflecting mirror M1To reach. Here, the first concave reflecting mirror M1 includes the first refractive optical system S.1(G1P, G1N) Near the rear focal position. That is, the first concave reflecting mirror M1Is the first catadioptric imaging optical system K1Located on the pupil plane. The first refractive optical system S1The rear focal position is the right-angle prism P1The first concave reflecting mirror M with the side as the front side1This is the position of the rear focal point when the side is the rear side.
[0056]
Next, the first concave reflecting mirror M1The light reflected by the first negative lens group G1NAnd the first positive lens group G1PAnd proceeding along the -X direction in the figure through1Reflective surface P1bHead for.
And the right angle prism P1Reflective surface P1bThe light reaching the reflecting surface P1bIs deflected by approximately 90 ° and travels in the −Z direction in the figure to form a primary image of the circuit pattern at the position of the field stop FS. In this primary image, the lateral magnification in the X direction is about +1 times, and the lateral magnification in the Y direction is about -1. The light from the primary image is emitted from the second catadioptric imaging optical system K.2Then, a secondary image of the circuit pattern is formed on the substrate 30. Here, the lateral magnification of the secondary image in the X and Y directions is approximately +1 times. That is, the secondary image formed on the substrate 30 is an erect image. The second catadioptric imaging optical system K2The function of the first catadioptric imaging optical system K is1Since this is equivalent to the function of, detailed explanation is omitted here.
[0057]
Thus, since the image of the circuit pattern formed on the substrate 30 is an erect image, the mask 10 held on the mask stage MS and the substrate 30 held on the substrate stage KS are integrated. If they are moved in the same direction (or synchronized with another), scanning exposure can be performed. When the mask stage MS and the substrate stage KS are moved together, for example, the mask stage MS and the substrate stage KS may be provided on the carriage and the carriage may be moved.
[0058]
In addition, the first catadioptric imaging optical system K described above.1In the first refractive optical system S1In the vicinity of the rear focal position of the first concave reflecting mirror M1Therefore, telecentricity is provided on the mask 10 side and the field stop FS side. The second catadioptric imaging optical system K2In the second refractive optical system S2Since the second concave reflecting mirror M2 is disposed in the vicinity of the rear focal position, telecentricity is achieved on the field stop FS side and the substrate 30 side. Therefore, the projection optical system PL is a telecentric optical system on both sides (the mask 10 side and the substrate 30 side).
[0059]
Table 1 below shows the first and second catadioptric projection optical systems (K1, K2) The values of specifications and the corresponding values are listed. However, the leftmost number is the first concave reflecting mirror M from the object side (or primary image).1(Or second concave reflector M2), R is the radius of curvature of the lens surface or reflecting surface, and d is the lens surface interval. D is a positive lens group (G1P, G2P) And negative lens group (G1N, G2N) On-axis distance (group spacing) to D)1Is the first positive lens group G1PAnd first negative lens group G1NOn-axis distance between groups (group spacing), D2Is the axial distance (group spacing) between the second positive lens group G2P and the second negative lens group G2N, and L is the negative lens group (G1N, G2N) Two meniscus lenses (L1N1And L1N2Or L2N1And L2N2) On-axis distance (lens spacing), L1Is the first negative lens group G1NThe first meniscus lens L1N1And the second meniscus lens L1N2On-axis distance between lens (lens spacing), L2Is the second negative lens group G2N3rd meniscus lens L2N1And 4th meniscus lens L2N2Is the on-axis distance (lens interval).
[0060]
The refractive indexes of synthetic quartz and meteorite are as follows.
Wavelength (nm) Meteorite Synthetic quartz
247.9 1.46807 1.50867
248.4 1.46788 1.50839
248.9 1.46769 1.50811
[0061]
[Table 1]
Figure 0004235778
[Values corresponding to conditions of the first embodiment]
D = D1= D2= 275
L = L1= L2= 14.8
L / D = L1/ D1= L2/ D2= 0.0538
In Table 1, the image height Y is 46 mm, and the numerical aperture N.I. A. Is 0.1. The 0th surface indicates the object surface or the image surface.
[0062]
Here, in the optical system shown in Table 1, the first refractive optical system S is used.1First positive lens group G1P(L1P1~ L1P4) Lens L having positive refractive power1P1(Focal length 352.1mm) and lens L with positive refractive power1P3(Focal distance 328.5mm) is from fluorite and lens lens L with negative refractive power1P2(Focal length -212.7mm) is made of synthetic quartz, and the first negative lens group G1N(L1N1~ L1N2) Lens L having negative refractive power1N1It can be seen that (focal length -1688.8mm) is composed of meteorites.
[0063]
2, 3 and 4 are coma aberration diagrams in the tangential plane and in the sagittal plane, respectively. Here, FIG. 2 is a coma aberration diagram at an oscillation center wavelength λ = 248.4 nm of a non-narrowed KrF excimer laser, FIG. 3 is a coma aberration diagram at a short wavelength side λ = 247.9 nm of a half-value width, FIG. Is a coma aberration diagram at the long wavelength side λ = 248.9 nm of the half width. 2, 3, and 4, the curve indicated by the dotted line represents the coma aberration in the tangential plane, and the curve indicated by the solid line represents the coma aberration in the sagittal plane. FIG. 5 is an astigmatism diagram at each wavelength. In the figure, a curve indicated by a dotted line indicates a focal position in the tangential plane, and a curve indicated by a solid line indicates a focal position in the sagittal plane.
[0064]
In these FIGS. 2 to 5, the oscillation center wavelength λ = 248.4 nm of the non-narrowed KrF excimer laser is WLC, the half wavelength half wavelength λ = 247.9 nm is WLS, and the long wavelength The wavelength of the side λ = 248.9 nm is WLL.
From these aberration diagrams, it can be seen that the first example of the present invention has good optical performance in the oscillation wavelength range of the KrF excimer laser which is not narrowed.
[0065]
Next, a first catadioptric imaging optical system K constituting the projection optical system with reference to FIG.1(Or second catadioptric imaging optical system K2The second embodiment will be described. FIG. 6 shows the first catadioptric imaging optical system K.12 shows a lens configuration diagram of the second catadioptric imaging optical system K2Since this is the same configuration as the first catadioptric imaging optical system, description thereof is omitted. In order to simplify the description, the first refractive optical system S is shown in FIG.1(Or second refractive optical system S2Right angle prism P as an optical path deflecting member disposed on the left side of1(Or right-angle prism P2) Is omitted. In the second embodiment, these first and second catadioptric imaging optical systems are arranged in series as shown in FIG. 1 to form a projection optical system.
[0066]
As shown in FIG. 6, the first catadioptric imaging optical system K1(Or second catadioptric imaging optical system K2) Is the first positive lens group G1P(Or the second positive lens group G2P) And the first negative lens group G1N(Or second negative lens group G2N) And the first refractive optical system S composed of two groups1(Or second refractive optical system S2) And the first concave reflector M1(Or second concave reflector M2)
[0067]
The first positive lens group G1P(Or the second positive lens group G2P) Is the lens L1P1~ L1P5(Or lens L2P1~ L2P5), And the first negative lens group G1N(Or the second negative lens group G2N) Is the lens L1N1~ L1N2(Or lens L2N1~ L2N2).
In Table 2 below, values of specifications of the projection optical system shown in FIG. 6 are listed. However, the leftmost number is the first concave reflecting mirror M from the object side (or primary image).1(Or second concave reflector M2), R is the radius of curvature of the lens surface or reflecting surface, and d is the lens surface interval.
[0068]
[Table 2]
Figure 0004235778
[Values corresponding to conditions of the second embodiment]
D = D1= D2= 241.6
L = L1= L2= 10
L / D = L1/ D1= L2/ D2= 0.0414
In Table 2, the image height Y is 46 mm, and the numerical aperture N.I. A. Is 0.1. The 0th surface indicates the object surface or the image surface.
[0069]
Here, in the optical system shown in Table 2, the first refractive optical system S is used.1First positive lens group G1P(L1P1~ L1P5) Lens L having positive refractive power1P1(Focal length 307.2mm) and lens L with positive refractive power1P4(Focal length 335.9mm) and lens L with positive refractive power1P5(Focal distance 755.2mm) is a lens lens L made of fluorite and having negative refractive power1P2(Focal length -596.9mm) and lens lens L with negative refractive power1P3(Focal distance -382.8mm) means synthetic quartz, and the first negative lens group G1N(L1N1~ L1N2) Lens L having negative refractive power1N1It can be seen that (focal length -1217.3mm) is composed of meteorites.
[0070]
7, 8 and 9 are coma aberration diagrams in the tangential plane and in the sagittal plane, respectively. 7 is a coma aberration diagram at an oscillation center wavelength λ = 248.4 nm of a non-narrowed KrF excimer laser, FIG. 8 is a coma aberration diagram at the short wavelength side λ = 247.9 nm of the half width, FIG. Is a coma aberration diagram at the long wavelength side λ = 248.9 nm of the half width. In FIGS. 7, 8, and 9, the curve indicated by the dotted line represents the coma aberration in the tangential plane, and the curve indicated by the solid line represents the coma aberration in the sagittal plane.
[0071]
FIG. 10 is an astigmatism diagram at each wavelength. In the figure, a curve indicated by a dotted line indicates a focal position in the tangential plane, and a curve indicated by a solid line indicates a focal position in the sagittal plane.
In these FIGS. 7 to 10, the oscillation center wavelength λ = 248.4 nm of the non-narrowed KrF excimer laser is WLC, the half wavelength half wavelength λ = 247.9 nm is WLS, and the long wavelength The wavelength of the side λ = 248.9 nm is WLL.
[0072]
From these aberration diagrams, it can be seen that the second embodiment of the present invention has good optical performance within the oscillation wavelength range of the KrF excimer laser that is not narrowed.
Next, a third example in which the projection optical system according to another embodiment of the present invention is applied to a scanning projection exposure apparatus will be described with reference to FIGS. 11 and 12, members having the same functions as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
[0073]
The scanning projection exposure apparatus shown in FIG. 11 differs from the scanning projection exposure apparatus shown in FIG. 1 in place of an oscillator 40 including an excimer laser light source for supplying a naturally oscillated excimer laser light that is not narrowed. Are provided with a light source unit 42 for supplying a light beam including g-line (436 nm), h-line (405 nm) and i-line (365 nm), and each refractive optical system (S1, S2) Is changed. Except for the above differences, the scanning projection exposure apparatus shown in FIG. 11 is the same as that shown in FIG.
[0074]
As shown in FIG. 11, the light source unit 42 includes, for example, a mercury arc lamp that emits a light beam including a plurality of predetermined wavelengths, that is, g-line (436 nm), h-line (405 nm), and i-line (365 nm), A condensing mirror such as an elliptical mirror that condenses the light from this mercury arc lamp, and a condensing optical system (collimating system) that converts the light beam that passes through this condensing mirror into a light beam in a predetermined state (substantially parallel light beam, etc.) Etc.).
[0075]
Therefore, a light beam supplied from the light source unit 42, that is, a light beam including g-line (436 nm), h-line (405 nm) and i-line (365 nm) is guided to the illumination optical system 41 under an appropriate light beam state.
In this way, the light beam (exposure light) having light of a plurality of predetermined wavelengths supplied by the light source unit 42 travels toward the circuit pattern on the mask 10 via the illumination optical system 41 and passes through the predetermined pattern on the mask 10. The area is illuminated with substantially uniform illuminance by illumination light (exposure light) from the illumination optical system 41. Then, the light from the pattern of the mask 10 that is uniformly illuminated is projected into the projection optical system (K1, K2) To form a pattern image of the mask 10 on the photosensitive substrate 30. At this time, if the mask 10 held by the mask stage MS and the substrate 30 held by the substrate stage KS are moved together, the entire pattern image of the mask 10 is exposed on the photosensitive substrate 30. can do.
[0076]
Here, in the projection optical system shown in FIG. 11, chromatic aberration correction is performed on light having a plurality of predetermined wavelengths (g-line, h-line, i-line) as exposure light.
In FIG. 11, the projection optical system is a first catadioptric imaging optical system K that forms a primary image of a circuit pattern on the mask 10.1And a second catadioptric imaging optical system K that forms an erect image (secondary image) of the circuit pattern on the substrate 30 based on the light from the primary image.2And have. In FIG. 12, each catadioptric imaging optical system (K1, K2) Is enlarged.
[0077]
The first catadioptric imaging optical system K1Is a reflecting surface P inclined at 45 ° to the surface (XY plane) of the mask 101a, P1bRight-angle prism P with1And a first positive lens group G having a positive refractive power1PAnd a first negative lens group G having negative refractive power1NThe first refractive optical system S composed of1And the first concave reflecting mirror M1And have. Here, the first positive lens group G1PIs a biconvex positive lens (first positive lens) L1P1And the first concave reflecting mirror M1Meniscus negative lens (first negative lens) L with convex surface facing to the side1P2And a biconvex positive lens (second positive lens) L1P3The first negative lens group G1NIs the first concave reflector M1Meniscus negative lens (first meniscus lens) L with the concave surface facing side1N1And the first concave reflecting mirror M1Meniscus-shaped positive lens (second meniscus lens) L with a convex surface facing the side1N2It consists of.
[0078]
The second catadioptric imaging optical system K2Is the first catadioptric imaging optical system K1In other words, the reflection surface P is inclined at 45 ° with respect to the surface (XY plane) of the substrate 30.2a, P2bAnd a second positive lens group G having positive refractive power2PAnd a second negative lens group G having negative refractive power2NThe second refractive optical system S composed of2And the second concave reflecting mirror M2.
[0079]
Here, the second positive lens group G2PIs a biconvex positive lens (third positive lens) L2P1And the second concave reflecting mirror M2Meniscus negative lens (second negative lens) L with the convex surface facing the side2P2And a biconvex positive lens (fourth positive lens) L2P3The second negative lens group G2NIs the second concave reflecting mirror M2Meniscus negative lens (third meniscus lens) L with the concave surface facing side2N1And the second concave reflecting mirror M2Meniscus-shaped positive lens (fourth meniscus lens) L with the convex surface facing the side2N2It consists of.
[0080]
The first catadioptric imaging optical system K1A field stop FS that defines a projection area on the substrate 30 is provided at a primary image formation position of the circuit pattern formed by the above. In addition, the first catadioptric imaging optical system K described above.1In the first refractive optical system S1Of the first concave reflecting mirror M at a substantially rear focal position of1Therefore, telecentricity is provided on the mask 10 side and the field stop FS side. Further, the second catadioptric imaging optical system K2In the second refractive optical system S2The second concave reflecting mirror M at a substantially rear focal position of2Therefore, telecentricity is provided on the field stop FS side and the substrate 30 side. Therefore, the projection optical system PL is a telecentric optical system on both sides (the mask 10 side and the substrate 30 side).
[0081]
Table 3 below shows the first and second catadioptric optical systems (K) shown in FIG.1, K2) Values of specifications and values corresponding to conditions. However, the leftmost number is the first concave reflecting mirror M from the object side (or primary image).1(Or second concave reflector M2), R is the radius of curvature of the lens surface or reflecting surface, d is the lens surface interval, ngIs the refractive index of the medium (optical material) for light of exposure wavelength (g-line: 436 nm), nhIs the refractive index of the medium (optical material) with respect to light of exposure wavelength (h line: 406 nm), niIndicates the refractive index of the medium (optical material) with respect to light of the exposure wavelength (i-line: 365 nm).
[0082]
[Table 3]
Figure 0004235778
Figure 0004235778
In Table 3, the image height Y is 47 mm, and the numerical aperture N.I. A. Is 0.1. The 0th surface indicates the object surface or the image surface.
[0083]
Here, in Table 4 below, r.e. of wavefront aberration for each image height in the third example is shown. m. s. Values are listed as Wrms (g), Wrms (h), and Wrms (i) for g line, h line, and i line.
[0084]
[Table 4]
Figure 0004235778
As shown in Table 3, since the projection optical system of the third example satisfies each condition, the projection optical system of the third example of the present invention has good optical performance as shown in Table 4 above. You can see that
[0085]
Next, referring to FIG. 13, each catadioptric optical system (K) constituting the projection optical system shown in FIG.1, K2The fourth embodiment will be described. FIG. 13 shows the first catadioptric imaging optical system K.12 shows a lens configuration diagram of the second catadioptric imaging optical system K2Since this is the same configuration as the first catadioptric imaging optical system, description thereof is omitted. In order to simplify the description, the first refractive optical system S is shown in FIG.1(Or second refractive optical system S2Right angle prism P as an optical path deflecting member disposed on the left side of1(Or right-angle prism P2) Is omitted. In the fourth embodiment, the first and second catadioptric imaging optical systems are arranged in series as shown in FIG. 11 to form a projection optical system.
[0086]
As shown in FIG. 13, the first catadioptric imaging optical system K1(Or second catadioptric imaging optical system K2) Is the first positive lens group G1P(Or the second positive lens group G2P) And the first negative lens group G1N(Or second negative lens group G2N) And the first refractive optical system S composed of two groups1(Or second refractive optical system S2) And the first concave reflector M1(Or the second concave reflecting mirror M2).
[0087]
The catadioptric imaging optical system (K) of the fourth embodiment shown in FIG.1, K2) Is different from the third embodiment shown in FIG. 11 in that the positive lens group (G1P, G2P) Second positive lens concave reflector (M)1, M2) Side negative meniscus lens (L1P4, L2P4) Is a newly placed point
The first positive lens group G1P(Or the second positive lens group G2P) Is the lens L1P1~ L1P4(Or lens L2P1~ L2P4), And the first negative lens group G1N(Or the second negative lens group G2N) Is the lens L1N1~ L1N2(Or lens L2N1~ L2N2).
[0088]
Table 5 below lists values and condition corresponding values of the projection optical system shown in FIG. However, the leftmost number is the first concave reflecting mirror M from the object side (or primary image).1(Or second concave reflector M2), R is the radius of curvature of the lens surface or reflecting surface, d is the lens surface interval, ngIs the refractive index of the medium (optical material) for light of exposure wavelength (g-line: 436 nm), nhIs the refractive index of the medium (optical material) with respect to light of exposure wavelength (h line: 406 nm), niIndicates the refractive index of the medium (optical material) with respect to light of the exposure wavelength (i-line: 365 nm).
[0089]
[Table 5]
Figure 0004235778
Figure 0004235778
In Table 5, the image height Y is 47 mm, and the numerical aperture N.I. A. Is 0.1. The 0th surface indicates the object surface or the image surface.
[0090]
Here, in Table 6 below, r.e. of wavefront aberration for each image height in the fourth example is shown. m. s. Values are listed as Wrms (g), Wrms (h), and Wrms (i) for g line, h line, and i line.
[0091]
[Table 6]
Figure 0004235778
As shown in Table 5, since the projection optical system of the fourth example satisfies each condition, the projection optical system of the fourth example of the present invention has good optical performance as shown in Table 6 above. You can see that
[0092]
In the above-described embodiments, the projection optical system according to the present invention is the first catadioptric imaging optical system K.1And second catadioptric imaging optical system K2The first catadioptric imaging optical system K1The reflective surface P of1a, P1bRight-angle prism P with1The reflective surface P of1aOr P1bIt is also possible to form an equal-magnification erect image by constructing the first catadioptric imaging optical system with either one of the reflecting surfaces having a roof surface. An optical path deflecting member having such a roof surface is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-251812.
[0093]
In each of the above-described embodiments, the catadioptric imaging optical system (K1, K2) Negative lens group (G1N, G2N) Most positive lens group (G1P, G2P) Side negative lens (L1N1, L2N1) Has a meniscus shape, but this lens (L1N1, L2N1) Can have any shape as long as it has a negative refractive power. In this case, the negative lens (L1N1, L2N1) Preferably has a concave surface, and this negative lens (L1N1, L2N1) And reflector (M1, M2Meniscus lens (L)1N2, L2N2) Is the negative lens (L1N1, L2N1It is more desirable to have a concave surface opposite to the concave surface formed in (1).
[0094]
In the above-described embodiment, the projection optical system adapted to the scanning exposure apparatus is the first catadioptric imaging optical system K.1And second catadioptric imaging optical system K2However, a plurality of projection optical systems (first catadioptric imaging optical system K in the direction perpendicular to the scanning direction).1And second catadioptric imaging optical system K2It is also possible to form a wider exposure area. An arrangement in which a plurality of such projection optical systems are arranged in a staggered manner is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 8-211294.
[0095]
As described above, according to each example according to the above-described embodiment, when the projection optical system according to the present invention is applied, a wide wavelength range including a KrF excimer laser and g-line to i-line that are not narrowed. Good optical performance can be imparted to an optical apparatus (such as a projection exposure apparatus or a laser processing apparatus) using ultraviolet light. Thereby, in the said optical apparatus, the exposure energy on a to-be-exposed body can be raised using the far ultraviolet light of a comparatively wide wavelength range, and high throughput can be achieved.
[0096]
In particular, an optical processing method (or projection method) for performing optical processing such as forming a hole in the substrate using the apparatus or projection optical system described in each example according to the above-described embodiment, or a predetermined pattern on the substrate. By executing the exposure method for transferring, a good device (semiconductor element, imaging element, liquid crystal display element, thin film magnetic head, etc.) can be manufactured. In this case, the projection method and the exposure method include a step (illumination step) of guiding ultraviolet light (processing light) to a predetermined region (pattern region) of the first object (mask 10) using the illumination optical system 41, and projection optics. It is preferable to include a step (projection step) of forming an image of a predetermined area of the first object (pattern image of the mask 10) on the second object (photosensitive substrate 30) using the system, and further to the projection optical system. It is more preferable to have a step (scanning step) of moving the first object and the second object.
[0097]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide good optical performance to an optical device that uses far ultraviolet light in a relatively wide wavelength range.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment according to the present invention.
FIG. 2 is a coma aberration diagram of the first example according to the present invention.
FIG. 3 is a coma aberration diagram of the first example according to the present invention.
FIG. 4 is a coma aberration diagram of the first example according to the present invention.
FIG. 5 is an astigmatism diagram of the first example according to the present invention.
FIG. 6 is a lens configuration diagram showing a second example according to the present invention.
FIG. 7 is a coma aberration diagram of a second example according to the present invention.
FIG. 8 is a coma aberration diagram of a second example according to the present invention.
FIG. 9 is a coma aberration diagram of the second example according to the present invention.
FIG. 10 is an astigmatism diagram of the second embodiment according to the present invention.
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a third exemplary embodiment according to the present invention.
FIG. 12 is a lens configuration diagram showing a third example according to the present invention.
FIG. 13 is a lens configuration diagram showing a fourth example according to the present invention.
[Explanation of symbols]
K11st catadioptric imaging optical system
K22nd catadioptric imaging optical system
G1PFirst positive lens group
G1NFirst negative lens group
G2P2nd positive lens group
G2N2nd negative lens group
M1... 1st concave reflector
M22nd concave reflector
S11st refractive optical system
S22nd refractive optical system
10 ... Mask
30 ... Substrate
41 Illumination optics

Claims (18)

所定波長を含む第1の物体からの光を第2の物体に結像して、前記第1の物体の像を前記第2の物体上へ投影する投影光学系において、
正の屈折力を有する正レンズ群と、負の屈折力を有する負レンズ群と、凹面反射鏡とを備え、
前記正レンズ群、前記負レンズ群及び前記凹面反射鏡は、前記第1物体からの光が前記正レンズ群及び前記負レンズ群を順に経て前記凹面反射鏡に達し、前記凹面反射鏡にて反射された光が前記負レンズ群及び前記正レンズ群を順に経て前記第2物体へ向かうように配置され、
前記負レンズ群は、第1凹面形状の屈折力面を有する負レンズと、該負レンズと前記凹面反射鏡との間に配置されて第2凹面形状の屈折力面を有するメニスカスレンズとを少なくとも含み、
前記正レンズ群と前記負レンズ群との間に形成される空間の光軸に沿った距離をDとし、前記負レンズ群における前記負レンズと前記メニスカスレンズとの間に形成される空間の光軸に沿った距離をLとするとき、以下の関係を満足することを特徴とする投影光学系。
0.01<L/D<0.5
In a projection optical system that images light from a first object including a predetermined wavelength onto a second object and projects an image of the first object onto the second object,
A positive lens group having a positive refractive power, a negative lens group having a negative refractive power, and a concave reflecting mirror,
In the positive lens group, the negative lens group, and the concave reflecting mirror, light from the first object reaches the concave reflecting mirror in order through the positive lens group and the negative lens group, and is reflected by the concave reflecting mirror. Arranged so that the emitted light goes to the second object through the negative lens group and the positive lens group in order,
The negative lens group includes at least a negative lens having a first concave refracting power surface, and a meniscus lens having a second concave refracting power surface disposed between the negative lens and the concave reflecting mirror. Including
The distance along the optical axis of the space formed between the positive lens group and the negative lens group is D, and the light in the space formed between the negative lens and the meniscus lens in the negative lens group A projection optical system satisfying the following relationship, where L is a distance along the axis.
0.01 <L / D <0.5
前記正レンズ群は、前記第1物体側から順に、正の屈折力を有する第1の正レンズと、負の屈折力を有する第1の負レンズと、正の屈折力を有する第2の正レンズとを少なくとも有し、
前記光束は、所定の第1波長λ1 と、前記第1波長λ1 よりも短い第2波長λ2 と、前記第2波長λ2 よりも短い第3波長λ3 とを有し、
前記正レンズ群中の前記第1の負レンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnn (λ1 )、前記正レンズ群中の前記第1の負レンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnn (λ2 )、前記正レンズ群中の前記第1の負レンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnn (λ3 )、前記負レンズ群中の前記負レンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnm (λ1 )、前記負レンズ群中の前記負レンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnm (λ2 )、前記負レンズ群中の前記負レンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnm (λ3 )とするとき、以下の関係を満足することを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。
νn =(nn (λ2 )−1)/(nn (λ3 )−nn (λ1 ))
νm =(nm (λ2 )−1)/(nm (λ3 )−nm (λ1 ))
νm −νn >0
The positive lens group includes, in order from the first object side, a first positive lens having positive refractive power, a first negative lens having negative refractive power, and a second positive lens having positive refractive power. And at least a lens,
The luminous flux has a predetermined first wavelength λ 1 , a second wavelength λ 2 shorter than the first wavelength λ 1, and a third wavelength λ 3 shorter than the second wavelength λ 2 .
The refractive index for the first wavelength λ 1 of the first negative lens in the positive lens group is n n1 ), and the refractive index for the second wavelength λ 2 of the first negative lens in the positive lens group. N n2 ), the refractive index of the first negative lens in the positive lens group with respect to the third wavelength λ 3 , n n3 ), the first wavelength of the negative lens in the negative lens group lambda refractive index n m for the 1 1), first of the refractive index with respect to the second wavelength lambda 2 of the negative lens in the negative lens group n m2), the negative lens in the negative lens group The projection optical system according to claim 1 , wherein the following relationship is satisfied when the refractive index for the three wavelengths λ 3 is n m3 ).
ν n = (n n2 ) −1) / (n n3 ) −n n1 ))
ν m = (n m2 ) −1) / (n m3 ) −n m1 ))
ν m −ν n > 0
前記光束は、所定の第1波長λ1 と、前記第1波長λ1 よりも短い第2波長λ2 と、前記第2波長λ2 よりも短い第3波長λ3 とを有し、
前記第1波長λ1 に対する前記正レンズ群のぺッツバール和をPSP (λ1 )とし、前記第2波長λ2 に対する前記正レンズ群のぺッツバール和をPSP (λ2 )、前記第3波長λ3 に対する前記正レンズ群のペッツバール和をPSP (λ3 )とするとき、以下の関係を満足することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影光学系。
0<PSP (λ2 )−PSP (λ1 )<0.00001
0<PSP (λ3 )−PSP (λ1 )<0.00001
The luminous flux has a predetermined first wavelength λ 1 , a second wavelength λ 2 shorter than the first wavelength λ 1, and a third wavelength λ 3 shorter than the second wavelength λ 2 .
The Petzval sum of the positive lens group for the first wavelength λ 1 is PS P1 ), the Petzval sum of the positive lens group for the second wavelength λ 2 is PS P2 ), and the third 3. The projection optical system according to claim 1 , wherein the following relationship is satisfied when the Petzval sum of the positive lens group with respect to the wavelength λ 3 is PS P3 ).
0 <PS P2 ) −PS P1 ) <0.00001
0 <PS P3 ) −PS P1 ) <0.00001
前記光束は、所定の第1波長λ1 と、前記第1波長λ1 よりも短い第2波長λ2 と、前記第2波長λ2 よりも短い第3波長λ3 とを有し、
前記第1波長λ1 に対する前記負レンズ群のぺッツバール和をPSN (λ1 )とし、前記第2波長λ2 に対する前記負レンズ群のぺッツバール和をPSN (λ2 )、前記第3波長λ3 に対する前記負レンズ群のペッツバール和をPSN (λ3 )とするとき、以下の関係を満足することを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の投影光学系。
0<PSN (λ1 )−PSN (λ2 )<0.00001
0<PSN (λ1 )−PSN (λ3 )<0.00001
The luminous flux has a predetermined first wavelength λ 1 , a second wavelength λ 2 shorter than the first wavelength λ 1, and a third wavelength λ 3 shorter than the second wavelength λ 2 .
The Petzval sum of the negative lens group for the first wavelength λ 1 is PS N1 ), the Petzval sum of the negative lens group for the second wavelength λ 2 is PS N2 ), and the third 4. The projection optical according to claim 1 , wherein the following relation is satisfied when the Petzval sum of the negative lens group with respect to the wavelength λ 3 is PS N3 ): system.
0 <PS N1 ) −PS N2 ) <0.00001
0 <PS N1 ) −PS N3 ) <0.00001
前記光束として広帯域の紫外レーザ光を前記第1物体上の所定の領域へ導く照明工程と、
請求項7に記載の投影光学系を用いて前記第1物体上の前記所定の領域内の像を前記第2物体上へ形成する投影工程を含むことを光加工方法。
An illumination step for guiding a broadband ultraviolet laser beam as the luminous flux to a predetermined area on the first object;
An optical processing method comprising: a projection step of forming an image in the predetermined area on the first object on the second object using the projection optical system according to claim 7.
前記光束を前記第1物体としてのマスクへ導く照明工程と、
請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の投影光学系とを用いて前記マスクのパターン像を前記第2物体としての感光性基板へ形成する投影工程とを含むことを露光方法。
An illumination process for guiding the luminous flux to a mask as the first object;
An exposure method comprising: a projection step of forming a pattern image of the mask on a photosensitive substrate as the second object using the projection optical system according to any one of claims 1 to 4 .
前記光束を前記第1物体としてのマスクへ導く照明光学系と、請求項1乃至請求項4の何れか一項記載の投影光学系とを備え、
該投影光学系により前記マスクのパターン像を前記第2物体としての感光性基板へ形成することを特徴とする投影光学装置。
An illumination optical system that guides the luminous flux to a mask as the first object, and a projection optical system according to any one of claims 1 to 4 ,
A projection optical apparatus, wherein the pattern image of the mask is formed on the photosensitive substrate as the second object by the projection optical system.
所定のパターンが形成されたマスクを照明する照明光学系と、前記マスクからの光を結像して前記マスクパターンの像を感光性基板に投影する投影光学系とを備え、前記投影光学系に対して前記マスクと前記感光性基板とを相対的に移動させることにより前記マスクのパターンを前記感光性基板に露光する走査型露光装置において、
前記投影光学系は、前記第1の物体からの光を集光して1次像を形成する第1反射屈折光学系と、前記1次像からの光を集光して2次像を形成する第2反射屈折光学系とを含み、
前記第1反射屈折光学系は、正の屈折力を有する第1の正レンズ群と、負の屈折力を有する第1の負レンズ群と、第1の凹面反射鏡とを含み、
前記第1の正レンズ群、前記第1の負レンズ群及び前記第1の凹面反射鏡は、前記マスクからの光が前記第1の正レンズ群及び前記第1の負レンズ群を順に経て第1の凹面反射鏡に達し、前記第1の凹面反射鏡にて反射された光が前記第1の負レンズ群及び前記第1の正レンズ群を順に経て前記1次像を形成するようにそれぞれ配置され、
前記第2反射屈折光学系は、正の屈折力を有する第2の正レンズ群と、負の屈折力を有する第2の負レンズ群と、第2の凹面反射鏡と含み、
前記第2の正レンズ群、前記第2の負レンズ群及び前記第2の凹面反射鏡は、前記1次像からの光が前記第2の正レンズ群及び前記第2の負レンズ群を順に経て第2の凹面反射鏡に達し、前記第2の凹面反射鏡にて反射された光が前記第2の負レンズ群及び前記第2の正レンズ群を順に経て前記2次像を形成するようにそれぞれ配置され、
前記第1の負レンズ群は、負の屈折力を有する第1のメニスカスレンズと、前記第1メニスカスレンズと前記第1の凹面反射鏡との間に配置された第2のメニスカスレンズとを有し、
前記第2の負レンズ群は、負の屈折力を有する第3のメニスカスレンズと、前記第3メニスカスレンズと前記第2の凹面反射鏡との間に配置された第4のメニスカスレンズとを有し、
前記第1の正レンズ群と前記第1の負レンズ群との間に形成される空間の光軸に沿った距離をD1 とし、前記第2の正レンズ群と前記第2の負レンズ群との間に形成される空間の光軸に沿った距離をD2 、前記第1メニスカスレンズと第2メニスカスレンズとの間に形成される空間の光軸に沿った距離をL1 、前記第3メニスカスレンズと第4メニスカスレンズとの間に形成される空間の光軸に沿った距離をL2 とするとき、以下の関係を満足することを特徴とする走査型露光装置。
0.01<L1 /D1 <0.5
0.01<L2 /D2 <0.5
An illumination optical system that illuminates a mask on which a predetermined pattern is formed, and a projection optical system that forms an image of light from the mask and projects an image of the mask pattern onto a photosensitive substrate, the projection optical system including In the scanning type exposure apparatus for exposing the pattern of the mask to the photosensitive substrate by relatively moving the mask and the photosensitive substrate,
The projection optical system condenses light from the first object to form a primary image, and condenses light from the primary image to form a secondary image. A second catadioptric optical system,
The first catadioptric optical system includes a first positive lens group having a positive refractive power, a first negative lens group having a negative refractive power, and a first concave reflecting mirror,
In the first positive lens group, the first negative lens group, and the first concave reflecting mirror, light from the mask passes through the first positive lens group and the first negative lens group in order. 1 so that the light reflected by the first concave reflecting mirror sequentially passes through the first negative lens group and the first positive lens group to form the primary image. Arranged,
The second catadioptric optical system includes a second positive lens group having a positive refractive power, a second negative lens group having a negative refractive power, and a second concave reflecting mirror,
In the second positive lens group, the second negative lens group, and the second concave reflecting mirror, light from the primary image sequentially passes through the second positive lens group and the second negative lens group. Then, the light reaches the second concave reflecting mirror, and the light reflected by the second concave reflecting mirror sequentially passes through the second negative lens group and the second positive lens group to form the secondary image. Each placed in
The first negative lens group includes a first meniscus lens having a negative refractive power, and a second meniscus lens disposed between the first meniscus lens and the first concave reflecting mirror. And
The second negative lens group includes a third meniscus lens having a negative refractive power, and a fourth meniscus lens disposed between the third meniscus lens and the second concave reflecting mirror. And
The distance along the optical axis of the space formed between the first positive lens of the first negative lens group and group and D 1, the second of said second negative lens group and a positive lens group L 1, the distance along the optical axis of the space formed between the distance along the optical axis of the space formed between D 2, the first meniscus lens and the second meniscus lens between the first A scanning exposure apparatus characterized by satisfying the following relationship, where L 2 is a distance along the optical axis of a space formed between the 3 meniscus lens and the fourth meniscus lens.
0.01 <L 1 / D 1 <0.5
0.01 <L 2 / D 2 <0.5
前記第1の正レンズ群は、前記マスク側から順に、正の屈折力を有する第1の正レンズと、負の屈折力を有する第1の負レンズと、正の屈折力を有する第2の正レンズとを少なくとも有し、
前記第2の正レンズ群は、前記1次像側から順に、正の屈折力を有する第3の正レンズと、負の屈折力を有する第2の負レンズと、正の屈折力を有する第4の正レンズとを少なくとも有し、
前記光は、所定の第1波長λ1 と、前記第1波長λ1 よりも短い第2波長λ2 と、前記第2波長λ2 よりも短い第3波長λ3 とを有し、
前記第1の正レンズ群中の前記第1の負レンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnn1(λ1 )、前記第1の正レンズ群中の前記第1の負レンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnn1(λ2 )、前記第1の正レンズ群中の前記第1の負レンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnn1(λ3 )、前記第1の負レンズ群中の前記第1メニスカスレンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnm1(λ1 )、前記第1の負レンズ群中の前記第1メニスカスレンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnm1(λ2 )、前記第1の負レンズ群中の前記第1メニスカスレンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnm1(λ3 )、前記第2の正レンズ群中の前記第2の負レンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnn2(λ1 )、前記第2の正レンズ群中の前記第2の負レンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnn2(λ2 )、前記第2の正レンズ群中の前記第2の負レンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnn2(λ3 )、前記第2の負レンズ群中の前記第3メニスカスレンズの第1波長λ1 に対する屈折率をnm3(λ1 )、前記第2の負レンズ群中の前記第3メニスカスレンズの第2波長λ2 に対する屈折率をnm3(λ2 )、前記第2の負レンズ群中の前記第3メニスカスレンズの第3波長λ3 に対する屈折率をnm3(λ3 )とするとき、以下の関係を満足することを特徴とする請求項8に記載の走査型露光装置。
νn1=(nn1(λ2 )−1)/(nn1(λ3 )−nn1(λ1 ))
νm1=(nm1(λ2 )−1)/(nm1(λ3 )−nm1(λ1 ))
νm1−νn1>0
νn2=(nn2(λ2 )−1)/(nn2(λ3 )−nn2(λ1 ))
νm3=(nm3(λ2 )−1)/(nm3(λ3 )−nm3(λ1 ))
νm3−νn2>0
The first positive lens group includes, in order from the mask side, a first positive lens having a positive refractive power, a first negative lens having a negative refractive power, and a second positive lens having a positive refractive power. And at least a positive lens,
The second positive lens group includes, in order from the primary image side, a third positive lens having a positive refractive power, a second negative lens having a negative refractive power, and a first positive lens having a positive refractive power. 4 positive lenses,
The light has a predetermined first wavelength λ 1 , a second wavelength λ 2 shorter than the first wavelength λ 1, and a third wavelength λ 3 shorter than the second wavelength λ 2 .
The refractive index of the first negative lens in the first positive lens group with respect to the first wavelength λ 1 is n n11 ), and the second of the first negative lens in the first positive lens group. The refractive index for the wavelength λ 2 is n n12 ), the refractive index for the third wavelength λ 3 of the first negative lens in the first positive lens group is n n13 ), and the first the refractive index for the first wavelength lambda 1 of the first meniscus lens in the negative lens group n m11), the refractive index with respect to the second wavelength lambda 2 of the first of said first meniscus lens in the negative lens group N m12 ), and the refractive index of the first meniscus lens in the first negative lens group with respect to the third wavelength λ 3 is n m13 ), and the first positive lens group in the second positive lens group. the first refractive index for the wavelength lambda 1 of the second negative lens n n21), the second wavelength of the second of said second negative lens in the positive lens group lambda 2 N n22) the refraction index against, the second refractive index with respect to the third wavelength lambda 3 of the second negative lens in the positive lens group n n23), said second negative lens group n m3 (lambda 1) the refractive index for the first wavelength lambda 1 of the third meniscus lens in the second refractive index to the wavelength lambda 2 of the third meniscus lens in the second negative lens group n m32 ), where the refractive index with respect to the third wavelength λ 3 of the third meniscus lens in the second negative lens group is nm 33 ), the following relationship is satisfied: The scanning exposure apparatus according to claim 8 .
ν n1 = (n n12 ) −1) / (n n13 ) −n n11 ))
ν m1 = (n m12 ) −1) / (n m13 ) −n m11 ))
ν m1 −ν n1 > 0
ν n2 = (n n22 ) −1) / (n n23 ) −n n21 ))
ν m3 = (n m32 ) -1) / (n m33 ) −n m31 ))
ν m3 −ν n2 > 0
前記光は、所定の第1波長λ1 と、前記第1波長λ1 よりも短い第2波長λ2 と、前記第2波長λ2 よりも短い第3波長λ3 とを有し、
前記第1波長λ1 に対する前記第1の正レンズ群のぺッツバール和をPSP1(λ1 )とし、前記第2波長λ2 に対する前記第1の正レンズ群のぺッツバール和をPSP1(λ2 )、前記第3波長λ3 に対する前記第1の正レンズ群のペッツバール和をPSP1(λ3 )、前記第1波長λ1 に対する前記第2の正レンズ群のぺッツバール和をPSP2(λ1 )とし、前記第2波長λ2 に対する前記第2の正レンズ群のぺッツバール和をPSP2(λ2 )、前記第3波長λ3 に対する前記第2の正レンズ群のペッツバール和をPSP2(λ3 )とするとき、以下の関係を満足することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の走査型露光装置。
0<PSP1(λ2 )−PSP1(λ1 )<0.00001
0<PSP1(λ3 )−PSP1(λ1 )<0.00001
0<PSP2(λ2 )−PSP2(λ1 )<0.00001
0<PSP2(λ3 )−PSP2(λ1 )<0.00001
The light has a predetermined first wavelength λ 1 , a second wavelength λ 2 shorter than the first wavelength λ 1, and a third wavelength λ 3 shorter than the second wavelength λ 2 .
The Petzval sum of the first positive lens group for the first wavelength λ 1 is PS P11 ), and the Petzval sum of the first positive lens group for the second wavelength λ 2 is PS P12), the third the Petzval sum of the first positive lens group with respect to the wavelength lambda 3 PS P1 (lambda 3), the Petzval sum of the second positive lens group with respect to the first wavelength lambda 1 PS P2 ( lambda 1) and then, the second wavelength lambda said second Petzval sum of the positive lens group for 2 PS P2 (lambda 2), the Petzval sum of the second positive lens group with respect to the third wavelength lambda 3 PS The scanning exposure apparatus according to claim 8 or 9 , wherein when P23 ) is satisfied, the following relationship is satisfied.
0 <PS P12 ) −PS P11 ) <0.00001
0 <PS P13 ) −PS P11 ) <0.00001
0 <PS P22 ) −PS P21 ) <0.00001
0 <PS P23 ) −PS P21 ) <0.00001
前記光は、所定の第1波長λ1 と、前記第1波長λ1 よりも短い第2波長λ2 と、前記第2波長λ2 よりも短い第3波長λ3 とを有し、
前記第1波長λ1 に対する前記第1の負レンズ群のぺッツバール和をPSN1(λ1 )とし、前記第2波長λ2 に対する前記第1の負レンズ群のぺッツバール和をPSN1(λ2 )、前記第3波長λ3 に対する前記第1の負レンズ群のペッツバール和をPSN1(λ3 )、前記第1波長λ1 に対する前記第2の負レンズ群のぺッツバール和をPSN2(λ1 )とし、前記第2波長λ2 に対する前記第2の負レンズ群のぺッツバール和をPSN2(λ2 )、前記第3波長λ3 に対する前記第2の負レンズ群のペッツバール和をPSN2(λ3 )とするとき、以下の関係を満足することを特徴とする請求項8乃至請求項10の何れか一項に記載の走査型露光装置。
0<PSN1(λ1 )−PSN1(λ2 )<0.00001
0<PSN1(λ1 )−PSN1(λ3 )<0.00001
0<PSN2(λ1 )−PSN2(λ2 )<0.00001
0<PSN2(λ1 )−PSN2(λ3 )<0.00001
The light has a predetermined first wavelength λ 1 , a second wavelength λ 2 shorter than the first wavelength λ 1, and a third wavelength λ 3 shorter than the second wavelength λ 2 .
The Petzval sum of the first negative lens group for the first wavelength λ 1 is PS N11 ), and the Petzval sum of the first negative lens group for the second wavelength λ 2 is PS N12), the third the Petzval sum of the first negative lens unit with respect to the wavelength lambda 3 PS N1 (lambda 3), the Petzval sum of the second negative lens group with respect to the first wavelength lambda 1 PS N2 ( lambda 1) and then, the second wavelength Petzval sum of the second negative lens group with respect to λ 2 PS N2 (λ 2) , the Petzval sum of the second negative lens group with respect to the third wavelength lambda 3 PS 11. The scanning exposure apparatus according to claim 8, wherein N 23 ) satisfies the following relationship.
0 <PS N11 ) −PS N12 ) <0.00001
0 <PS N11 ) −PS N13 ) <0.00001
0 <PS N21 ) −PS N22 ) <0.00001
0 <PS N21 ) −PS N23 ) <0.00001
請求項8乃至請求項11の何れか一項に記載の走査型露光装置を用いてデバイスを製造するための露光方法において、
前記照明光学系を用いて前記マスクを照明する照明工程と、
前記投影光学系を用いて前記マスクのパターン像を前記感光性基板へ形成する投影工程と、
前記投影光学系に対して前記マスクと前記感光性基板とを相対的に移動させる走査工程とを含むことを特徴とする露光方法。
In the exposure method for manufacturing a device using the scanning exposure apparatus according to any one of claims 8 to 11 ,
An illumination step of illuminating the mask using the illumination optical system;
A projection step of forming a pattern image of the mask on the photosensitive substrate using the projection optical system;
An exposure method comprising: a scanning step of moving the mask and the photosensitive substrate relative to the projection optical system.
第1の物体からの光を第2の物体に結像して、前記第1の物体の像を前記第2の物体上へ投影する投影光学系において、
正の屈折力を有する正レンズ群と、負の屈折力を有する負レンズ群と、凹面反射鏡とを備え、
前記正レンズ群、前記負レンズ群及び前記凹面反射鏡は、前記第1物体からの光が前記正レンズ群及び前記負レンズ群を順に経て前記凹面反射鏡に達し、前記凹面反射鏡にて反射された光が前記負レンズ群及び前記正レンズ群を順に経て前記第2物体へ向かうように、かつ前記第1及び第2物体側がテレセントリックとなるように位置決めされ、
前記正レンズ群は、螢石からなり正の屈折力を有するレンズと、合成石英からなり負の屈折力を有するレンズとを少なくとも含み、
前記負レンズ群は、螢石からなり負屈折力を有するレンズを含むことを特徴とする投影光学系。
In a projection optical system that images light from a first object onto a second object and projects an image of the first object onto the second object,
A positive lens group having a positive refractive power, a negative lens group having a negative refractive power, and a concave reflecting mirror,
In the positive lens group, the negative lens group, and the concave reflecting mirror, light from the first object reaches the concave reflecting mirror in order through the positive lens group and the negative lens group, and is reflected by the concave reflecting mirror. Positioned so that the emitted light travels through the negative lens group and the positive lens group in turn toward the second object, and the first and second object sides are telecentric,
The positive lens group includes at least a lens made of meteorite and having a positive refractive power, and a lens made of synthetic quartz and having a negative refractive power,
The projection optical system, wherein the negative lens group includes a lens made of meteorite and having negative refractive power.
前記負レンズ群は、凹面形状を有する第1凹屈折面と、該第1凹屈折面側に凹面を向けた形状の第2凹屈折面を有することを特徴とする請求項13記載の投影光学系。The projection optical system according to claim 13 , wherein the negative lens group includes a first concave refractive surface having a concave shape and a second concave refractive surface having a concave surface directed toward the first concave refractive surface. system. 前記負レンズ群は、前記第1凹屈折面を有しかつ負の屈折力を有する第1負レンズと、該第1負レンズと前記凹面反射鏡との間に配置されて前記第2凹屈折面を有する第1メニスカスレンズとを備えることを特徴とする請求項14記載の投影光学系。The negative lens group is disposed between the first negative lens having the first concave refracting surface and having negative refracting power, and the first negative lens and the concave reflecting mirror. The projection optical system according to claim 14 , further comprising a first meniscus lens having a surface. 第1の物体からの光を第2の物体に結像して、前記第1の物体の像を第2の物体上へ投影する投影光学系において、
正の屈折力を有する第1正レンズ群と、負の屈折力を有する第1負レンズ群と、第1凹面反射鏡とを備える第1結像光学系と、
正の屈折力を有する第2正レンズ群と、負の屈折力を有する第2負レンズ群と、第2凹面反射鏡とを備える第2結像光学系とを備え、
前記第1及び第2結像光学系は、前記第1物体からの光が前記第1正レンズ群及び前記第1負レンズ群を順に経て前記第1凹面反射鏡に達し、前記第1凹面反射鏡にて反射された光が前記第1負レンズ群及び第1正レンズ群を順に経て1次像を形成し、該1次像からの光が前記第2正レンズ群及び前記第2負レンズ群を順に経て前記第2凹面反射鏡に達し、前記第2凹面反射鏡にて反射された光が前記第2負レンズ群及び第2正レンズ群を順に経て前記第2物体上に2次像を形成するように、かつ前記第1及び第2物体側がテレセントリックとなるように位置決めされ、
前記第1及び第2正レンズ群は、螢石からなり正の屈折力を有するレンズと、合成石英からなり負の屈折力を有するレンズとを少なくとも含み、
前記第1及び第2負レンズ群は、螢石からなり負屈折力を有するレンズを含むことを特徴とする投影光学系。
In a projection optical system that images light from a first object onto a second object and projects an image of the first object onto the second object,
A first imaging optical system including a first positive lens group having a positive refractive power, a first negative lens group having a negative refractive power, and a first concave reflecting mirror;
A second imaging optical system comprising a second positive lens group having a positive refractive power, a second negative lens group having a negative refractive power, and a second concave reflecting mirror;
In the first and second imaging optical systems, light from the first object reaches the first concave reflecting mirror through the first positive lens group and the first negative lens group in order, and the first concave reflection is performed. The light reflected by the mirror sequentially passes through the first negative lens group and the first positive lens group to form a primary image, and the light from the primary image forms the second positive lens group and the second negative lens. The light reaches the second concave reflecting mirror sequentially through the group, and the light reflected by the second concave reflecting mirror sequentially passes through the second negative lens group and the second positive lens group to form a secondary image on the second object. And so that the first and second object sides are telecentric,
The first and second positive lens groups include at least a lens made of meteorite and having a positive refractive power, and a lens made of synthetic quartz and having a negative refractive power,
The projection optical system according to claim 1, wherein the first and second negative lens groups include lenses made of meteorite and having negative refractive power.
広帯域の紫外レーザ光を供給するレーザ光源と、
該レーザ光源からの光を前記第1物体上の所定の領域へ導く照明光学系と、
請求項13乃至16の何れか一項記載の投影光学系とを備え、
該投影光学系により前記第1物体上の前記所定の領域内の像を前記第2物体上へ形成することを特徴とする投影光学装置。
A laser light source for supplying broadband ultraviolet laser light;
An illumination optical system for guiding light from the laser light source to a predetermined area on the first object;
A projection optical system according to any one of claims 13 to 16 ,
A projection optical apparatus, wherein the projection optical system forms an image in the predetermined area on the first object on the second object.
広帯域の紫外レーザ光を前記第1物体上の所定の領域へ導く照明工程と、
請求項13乃至16の何れか一項記載の投影光学系とを用いて前記第1物体上の前記所定の領域内の像を前記第2物体上へ形成する投影工程とを有することを光加工方法。
An illumination process for guiding broadband ultraviolet laser light to a predetermined area on the first object;
A projection step of forming an image in the predetermined region on the first object on the second object using the projection optical system according to any one of claims 13 to 16. Method.
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