JP4214574B2 - Sensor circuit - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、検出対象物の情報に応じてインピーダンスが変化するセンサを用いたセンサ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
検出対象物の情報に応じてインピーダンスが変化するセンサは、産業用や民生用として広く使用されている。
【0003】
例えば外部磁界を探知する磁気探知装置は、磁場の検出器や測定器などの計測用から始まり、近年では、磁気式スイッチ、磁気式ロータリ・エンコーダ、地磁気センサなどが使用されている。この磁気探知装置としては、ホール素子を用いた磁気探知装置、フラックスゲートセンサを用いた磁気探知装置、磁気抵抗効果素子を用いた磁気探知装置などがある。
【0004】
ホール素子を用いた磁気探知装置は、図13に示すように、両端に電極101,102を設けたホール素子103のホール効果を応用して外部磁界を検出するものである。すなわち、ホール素子を用いた磁気探知装置では、外部磁界の変化によってホール素子103に発生するホール電圧Vhの変化に基づいて外部磁界を検出する。ここで、ホール素子103の厚さをdとし、ホール素子103を流れる電流をIとし、ホール素子103を通る磁束をBとすると、ホール電圧Vhは、下記式(1−1)のようになる。
【0005】
Vh=Rh・I・B/d ・・・(1−1)
しかし、このようなホール電圧Vhは非常に小さいため、ホール素子を用いた磁気探知装置では、例えば、約0.3ガウス程度の地磁気のような微弱な磁界を検出することは困難である。
【0006】
また、フラックスゲートセンサを用いた磁気探知装置は、図14に示すように、外部磁界によってヒステリシス曲線がシフトする特殊な高透磁率材料からなる環状の磁気コア110に、励磁用コイル111及び検出用コイル112を巻回してなるものである。
【0007】
この磁気探知装置で外部磁界を検出する際には、磁気コア110が過飽和状態にまで励磁されるような高周波電流を励磁用コイル111に流しておく。このとき、外部からの磁界が磁気コア110に作用していなければ、検出用コイル112の左右のコイル112a,112bからの出力は同じ出力波形となる。そして、検出用コイル112の左右のコイル112a,112bは逆相に接続されているので、検出用コイル112の左側のコイル112aからの出力と、検出用コイル112の右側のコイル112bからの出力とが互いに打ち消し合って検出用コイル112全体からは何も出力されないこととなる。
【0008】
一方、例えば、励磁用コイル111によって右回りの磁束Bが磁気コア110内に発生しているときに、図14中のNからSに至る方向より外部磁界Heが加わると、外部磁界Heがバイアス磁界として作用して、磁気コア110の右側が早く飽和し、磁気コア110の左側が逆に遅れて飽和する。そして、検出用コイル112の左右のコイル112a,112bは逆相に接続されているので、検出用コイル112の左側のコイル112aからの出力と、検出用コイル112の右側のコイル112bからの出力との差分が、外部磁界Heの大きさに対応して出力されることとなる。
【0009】
しかし、このような磁気探知装置では、検出用コイル112によって磁気信号を電気信号に変換するため、感度を上げるには検出用コイル112の巻き数を多くしたり、外部磁界Heの集束効果を高めるために磁気コア110の形状を大きくする必要がある。したがって、フラックスゲートセンサを用いた磁気探知装置では、小型化や低価格化が非常に困難であった。
【0010】
また、磁気抵抗効果素子を用いた磁界探知装置は、磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果を利用して外部磁界を検出するものである。ここで、磁気抵抗効果素子とは、Ni合金等からなる強磁性薄膜の磁気抵抗効果を応用した磁電変換素子であり、印加された磁界の強さに応じて、その抵抗値が変化する特性を持っている。そして、図15に示すように、磁気抵抗効果素子120を流れる電流Iの方向と、外部磁界Heによる磁気抵抗効果素子120の磁化Mの方向とのなす角をθとし、電流Iの方向と磁化Mの方向とが同一のときの磁気抵抗効果素子120の抵抗値をRaとし、電流Iの方向と磁化Mの方向とのなす角θが90°のときの磁気抵抗効果素子120の抵抗値をRbとすると、磁気抵抗効果素子120の抵抗値Rは、下記式(1−2)のようになる。
【0011】
R=Rb+(Ra−Rb)・cos2θ ・・・(1−2)
また、上記式(1−2)で示される磁気抵抗効果素子120の磁気抵抗効果特性は図16のようになる。ここで、縦軸は、磁気抵抗効果素子120の抵抗値Rであり、横軸は、磁気抵抗効果素子120を流れる電流Iの方向と、外部磁界Heによる磁気抵抗効果素子120の磁化Mの方向とのなす角度θである。
【0012】
しかし、このような磁気抵抗効果素子120において、抵抗変化率の最大値は2〜3%程度と非常に小さいため、適当な大きさのバイアス磁界を加えて感度の良いところを使用したとしても、地磁気のような微弱な磁界では0.05%程度しか抵抗変化が得られない。したがって、磁気抵抗効果素子120を用いた磁気探知装置も感度が不十分であり、地磁気のような微弱な磁界の検出には適してない。さらに、磁気抵抗効果素子120の抵抗変化率は、0.3%/℃程度の大きな温度係数を持っているため、磁気抵抗効果素子120を用いた磁気探知装置では、温度ドリフト等の問題もある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、従来から知られている磁気探知装置では、感度が不十分であったり、小型化や低価格化が難しいという問題があった。
【0014】
そこで、本件出願人は、小型化や低価格化が容易で、高い感度が得られる磁気探知装置として、例えば特願平9−106418号において、磁性体にコイルが巻かれてなる磁気センサを備え、上記磁気センサのコイルに発振電圧が供給されたときに上記コイルに流れる発振電流について、外部磁界により変化する発振電流のピーク値を検出し、この発振電流のピーク値の変化によって外部磁界を探知するようにした磁気探知装置を先に提案している。
【0015】
この磁気探知装置に用いられる磁気センサは、図1に示すように、リボン状やワイヤー状に形成された細長いアモルファス等からなる磁性体1と、この磁性体1の長手方向に巻回された銅線等からなるコイル2とから構成される。ここで、磁性体1には、数ガウス程度の微弱な磁界で急峻な透磁率変化を示す角形特性に優れた磁性材料を用いる。そして、この磁気センサ3のコイル2からは、2つの端子4,5が導出される。
【0016】
つぎに、このような磁気センサ3を用いて外部磁界Heの大きさを検出するときの原理について、図2を参照しながら説明する。図2は、パルス幅Tおよびパルス電圧Vが一定の発振電圧信号Vosを磁気センサ3に供給したときに、磁気センサ3に流れる電流i01及び電流i01を反転させた電流i02が磁気センサ3に流れているときの状態について、磁気センサ3のインダクタンスLの変化と対応させて示したものである。
【0017】
このとき、電流i01及び電流i02を直流バイアス成分を含んだ交流電流とすることが好ましい。このように、電流i01及び電流i02に直流バイアス成分を含ませることにより、これら電流i01及び電流i02からは直流バイアス成分を有する交流磁界が発生し、磁性体1がその長手方向に磁化されることになる。ここで、供給される電流i01及び電流i02は、外部磁界Heが加わって交流磁界がシフトしたとしても、交流磁界が、磁気センサ3のインダクタンスLが急峻な変化を示す範囲を包括するように設定する。
【0018】
以下の説明において、先ず、磁気センサ3に電流i01が流れる場合に関して説明し、次に、磁気センサ3に電流i02が流れる場合に関して説明する。
【0019】
ここで、磁気センサ3に加わる外部磁界HeがHe=0の場合、図2に示すように、磁気センサ3のコイル2に流れる電流i01が0からIhまで変化するように設定すると、磁気センサ3のインダクタンスLはLmaxからLminに変化する。すなわち、この場合、電流i01のピーク値はIhであり、そのときのインダクタンスLはLminである。また、このインダクタンスLがLmaxからLminに変化する電流値をIcとすると、発振電圧信号Vosのパルス幅Tとパルス電圧Vとの積は、ファラデーの法則により下記式(2−1)のように表される。
【0020】
V・T=Lmax・Ic+Lmin・(Ih−Ic)・・・(2−1)
そして、磁気センサ3に対して外部磁界Heが加わる場合、図2に示すように、電流i01が供給された磁気センサ3には、直流バイアス成分が外部磁界He分だけシフトすることとなり、その結果、図2中Ieで示す分だけシフトした電流ie1が流れることになる。そして、電流ie1のピーク値をIe1とすると、発振電圧信号Vosのパルス幅Tとパルス電圧Vとの積は、ファラデーの法則により下記式(2−2)のように表される。
【0021】
V・T=Lmax・(Ic−Ie)+Lmin・(Ie1+Ie−Ic) ・・・(2−2)
したがって、外部磁界Heが加わらない状態から外部磁界Heが加わった状態に変化したときの発振電圧信号Vosのピーク値の変化量をΔI1とすると、変化量ΔI1は、上記式(2−1)及び上記式(2−2)より下記式(2−3)のように表される。
【0022】
ΔI1=Ie1−Ih
={(Lmax−Lmin)/Lmin}・Ie・・・(2−3)
上記式(2−3)から分かるように、見かけ上シフトしたこととなる電流Ieとピーク値の変化量ΔI1とは比例関係にある。そして、この関係において、インダクタンスLの変化量が大きいほどピーク値の変化量ΔI1が大きくなる。また、この関係において、インダクタンスLの変化量が一定、すなわち、インダクタンスLが直線的に変化すると、ピーク値の変化量ΔI1が電流Ieに対してリニアリティをもって変化することとなる。
【0023】
次に、磁気センサ3に対して電流i01を反転させた電流i02が供給された場合について説明する。
【0024】
電流i02が供給された場合において、磁気センサ3に加わる外部磁界HeがHe=0の場合、図5に示すように、磁気センサ3のコイル2に流れる電流i02が0から−Ihまで変化するように設定すると、磁気センサ3のインダクタンスLはLmaxからLminに変化する。すなわち、この場合、電流i01のピーク値は−Ihであり、そのときのインダクタンスLはLminである。また、このインダクタンスLがLmaxからLminに変化する電流値を−Icとすると、発振電圧信号Vosのパルス幅Tとパルス電圧−Vとの積は、ファラデーの法則により下記式(2−4)のように表される。
【0025】
−V・T=Lmax・−Ic+Lmin・(−Ih+Ic)・・・(2−4)
そして、電流i02が供給された状態において、磁気センサ3に対して外部磁界Heが加わる場合、図2に示すように、電流i02が供給された磁気センサ3には、直流バイアス成分が外部磁界He分だけシフトすることとなり、その結果、図5中Ieで示す分だけシフトした電流ie2が流れることになる。そして、電流ie2のピーク値をIe2とすると、発振電圧信号Vosのパルス幅Tとパルス電圧Vとの積は、ファラデーの法則により下記式(2−5)のように表される。
【0026】
−V・T=Lmax・(−Ic−Ie)+Lmin・(Ie−Ie2+Ic)・・・(2−5)
したがって、外部磁界Heが加わらない状態から外部磁界Heが加わった状態に変化したときの発振電圧信号Vosのピーク値の変化量をΔI2とすると、変化量ΔI2は、上記式(2−4)及び上記式(2−5)より下記式(2−6)のように表される。
【0027】
ΔI2=Ie2−Ih
=−{(Lmax−Lmin)/Lmin}・Ie
=−ΔI1 ・・・(2−6)
上記式(2−6)から分かるように、見かけ上シフトしたこととなる電流Ieとピーク値の変化量ΔI2とは比例関係にある。そして、この関係においても、インダクタンスLの変化量が大きいほどピーク値の変化量ΔI2が大きくなる。また、この関係において、インダクタンスLの変化量が一定、すなわち、インダクタンスLが直線的に変化すると、ピーク値の変化量ΔI2が電流Ieに対してリニアリティをもって変化することとなる。また、このピーク値の変化量ΔI2は、上述したピーク値の変化量ΔI1と符号が逆で同じ大きさとなっている。すなわち、ピーク値の変化量ΔI1とピーク値の変化量ΔI2とは、差動の関係にある。
【0028】
そこで、順方向に電流を流したとき、すなわち電流i01を供給したときのピーク値Ie1と、逆方向に電流を流したとき、すなわち電流i02を供給したときのピーク値Ie2とを測定し、これらの差動を取ることにより、外部磁界Heの変化に応じた信号を、一定の方向にだけ電流を流したときに比べて約2倍の出力として取り出すことができる。
【0029】
また、ピーク値Ie1とピーク値Ie2との差動を取ることにより、外部磁界He=0のときには、磁気センサ3に流れるピーク値が互いにキャンセルされるので、外部磁界Heがない状態である0点を容易に認識することができる。
【0030】
さらに、磁気センサ3は温度等によってインダクタンスLの大きさが変化して磁気センサに流れる電流のピーク値に変化が生じるが、磁気センサ3に流れる電流を短時間で反転させることにより、このような温度ドリフトや時間ドリフト等の影響を互いにキャンセルすることができる。したがって、この磁気センサ3では、温度ドリフトや時間ドリフト等の影響を受けることなく、高精度に外部磁界Heを検出することができる。
【0031】
つぎに、以上のような磁気センサを用いて、外部磁界の大きさを電気信号に変換するためのセンサ回路について説明する。
【0032】
このセンサ回路は、図3に示すように、アナログスイッチ回路6内に配された磁気センサ3と、このアナログスイッチ回路6に接続された抵抗7と発振電圧信号を供給するパルス信号発振器8とアナログスイッチ回路6を切り替えるための信号を供給する周波数分周器9を備えている。そして、上記磁気センサ3は、ブリッジ接続された4個のスイッチ6a〜6dを備えたアナログスイッチ回路6内に配されている。磁気センサ3に流れる電流方向は、これら4個のスイッチ6a〜6dをオン/オフ制御することによって反転させることができるようになっている。また、アナログスイッチ回路6に接続された抵抗7は、磁気センサ3に対して直列となるように接続されており、磁気センサ3とこの抵抗7によって積分回路を構成している。
【0033】
この積分回路は、パルス信号発振器8に接続されており、このパルス信号発振器8からパルス幅Tおよびパルス電圧Vが一定の発振電圧信号Vosが供給されると、磁気センサ3および抵抗7に積分電流irが流れ、抵抗7には積分電圧Vrが生じる。この積分電流irは、磁気センサ3に流れる電流の方向を交互に反転させた電流を時系列になるように配置している。
【0034】
なお、アナログスイッチ回路6を切り替えるための信号Q,Q’は、パルス信号発生器8から供給される発振電圧信号Vosを周波数分周器9で分周することによって生成する。これは、磁気センサと抵抗17によって形成される積分回路に供給する発振電圧信号Vosと上記アナログスイッチ回路6の切り替えタイミングを同期させることによって、このセンサ回路の動作の安定度を高めるためである。
【0035】
このようなセンサ回路の動作について、各部の電圧波形のタイムチャートである図4を参照しながら説明する。
【0036】
このセンサ回路では、パルス信号発振器8から、図4の(A)に示すように、パルス幅Tおよびパルス電圧Vが一定の発振電圧信号Vosが周波数分周器9に供給され、図4の(B),(C)に示すように、アナログスイッチ回路6を切り替えるための信号Q,Q’が上記周波数分周器9により作られる。
【0037】
また、上記パルス信号発振器8から発振電圧信号Vosがアナログスイッチ回路6を介して磁気センサ3に供給される。これにより、磁気センサ3と抵抗7とからなる積分回路に積分電流が流れる。このとき、抵抗7に生じる積分電圧Vrの波形は、図4の(D)に示すように、磁気センサ3に流れる電流の応答波形に対応するものであり、したがって、この積分電圧Vrのピーク電圧値は、磁気センサ3に加わる外部磁界Heの大きさに応じて変化する。
【0038】
ここで、切り替え信号Qが“H”で切り替え信号Q’が“L”のときには、図3に示したスイッチ6aおよびスイッチ6bがオンで、スイッチ6cおよびスイッチ6dがオフとなり、磁気センサ3には図3の矢印Aの向きに電流が流れる。
【0039】
また、切り替え信号Qが“L”で切り替え信号Q’が“H”のときには、図3に示したスイッチ6aおよびスイッチ6bがオフで、スイッチ6cおよびスイッチ6dがオンとなり、磁気センサ3には図3の矢印Bの向きに電流が流れる。
【0040】
したがって、積分電圧Vrは、図4の(D)に示すように、磁気センサ3に流れる各々の電流の方向に応じた積分電圧Vr1および積分電圧Vr2によって構成されるので、積分電圧Vr1のピーク値Ve1および積分電圧Vr2のピーク値Ve2は、外部磁界の大きさに対して差動の関係にある。
【0041】
すなわち、この電圧信号Ve1と電圧信号Ve2は、磁気センサ3に発振電圧信号を供給したときに、磁気センサ3に流れる電流の方向を反転させたときの磁気センサ3に流れる発振電流の各々のピーク値を検出したものである。
【0042】
このように、このセンサ回路では、磁気センサ3に加わった外部磁界Heが、磁気センサ3と直列に接続された抵抗7に生じるピーク電圧値として現れ、このピーク電圧値を検出することによって、外部磁界の大きさを探知する。
【0043】
つぎに、磁気センサ3に加わった外部磁界Heが磁気センサ3と直列に接続された抵抗7に生じるピーク電圧値として現れる原理について、さらに詳細に説明する。
【0044】
磁気センサ3と抵抗7が直列に接続された積分回路に流れる電流が立ち上がるときの状態をモデル化した回路図を図5に示す。このような回路において、スイッチ10をオフからオンにすると、磁気センサ3と抵抗7からなる積分回路に直流電源11から直流電圧が印加され、磁気センサ3に電流iが流れる。ここで、磁気センサ3に流れる電流iは、積分回路に印加される直流電圧をV、磁気センサ3のインダクタンスをL、抵抗7の抵抗値をR、電流iの立ち上がり時間をtとすると、下記式(3−1)で表される。
【0045】
【数1】
【0046】
上述したように、磁気センサ3のインダクタンスLは、電流iが立ち上がっている間に、LmaxからLminへ変化する。ここで、電流iは、インダクタンスLがLmaxからLminへの変化を示す範囲を包括するように設定しておく。
【0047】
そして、磁気センサ3のインダクタンスLがLmaxからLminへ変化するため、磁気センサ3に流れる電流iは、図6に示すように、初めはインダクタンスLがLmaxの状態で立ち上がり、やがて、インダクタンスLがLminの状態で立ち上がることとなる。
【0048】
ここで、磁気センサ3に流れる電流iは、インダクタンスLmaxの状態で電流値0から電流値Icまで立ち上がり、この立ち上がり時間をt1とする。つぎに、磁気センサ3に流れる電流iは、インダクタンスLminの状態で電流値Icから電流値Ihまで立ち上がり、この立ち上がり時間をt2とする。これらの立ち上がり時間t1と立ち上がり時間t2との合計の立ち上がり時間をTとし、この時間Tは一定であるとすると上記式(3−1)より、下記式(3−2)のように表される。
【0049】
【数2】
【0050】
そして、上記式(3−2)において、磁気センサ3に加わる外部磁界の大きさに応じて、インダクタンスLがLmaxからLminに変化する電流値Icがシフトするので、立ち上がり時間t1と立ち上がり時間t2の大きさも変化することになる。したがって、外部磁界の大きさに応じて、上述した立ち上がり時間Tの間に磁気センサ3に流れる立ち上がりの電流値Ihも変化することとなる。
【0051】
よって、上述の図3および図4に示したように、磁気センサ3と抵抗7によって構成された積分回路に、パルス幅Tおよびパルス電圧Vが一定の発振電圧信号Vosを供給したときに生じる積分電流のピーク値すなわち抵抗7に生じるピーク電圧Vrは、磁気センサ3に加わった外部磁界Heの大きさに応じて変化することとなる。
【0052】
しかし、このようなセンサ回路では、磁気センサ3と抵抗7との時定数でセンサに流れる電流が決まるため、上記式(3−2)に示したように積分電流のピーク値と外部磁界Heの大きさ(電流値Ic)の関係は直線的であるとはいえず、リニアリティを保証できる外部磁界検出範囲を拡げることは困難であった。
【0053】
上述のように、従来から知られているセンサ回路ではリニアリティの保証が難しいという問題があった。
【0054】
そこで、本発明は、このような従来の実情を鑑みて提案されたものであり、容易にリニアリティの確保ができ、高精度なセンサ回路を提供することを目的とする。
【0055】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために完成された本発明に係るセンサ回路は、検出対象物の情報に応じてインピーダンスが変化するセンサと、各コレクタが互いに接続された第1のNPNトランジスタ及び第2のNPNトランジスタと、各コレクタが互いに接続された第1のPNPトランジスタ及び第2のPNPトランジスタと、上記第1のNPNトランジスタ及び第1のPNPトランジスタの各ベースが出力端に接続されるとともに、上記第1のNPNトランジスタ及び第1のPNPトランジスタの各エミッタ及び上記センサの一端が非反転入力端に共通接続された第1の演算増幅器と、上記第2のNPNトランジスタ及び第2のPNPトランジスタの各ベースが出力端に接続されるとともに、上記第2のNPNトランジスタ及び第2のPNPトランジスタの各エミッタ及び上記センサの他端が非反転入力端に共通接続された第2の演算増幅器とを備え、上記第1の演算増幅器と第2の演算増幅器の非反転入力端に電圧信号を供給し、上記センサのインピーダンス変化に応じて上記第1のNPNトランジスタと第2のNPNトランジスタの各コレクタの接続点あるいは上記第1のPNPトランジスタと第2のPNPトランジスタの各コレクタの接続点の少なくともどちらか一方を流れる電流として検出信号を出力することを特徴する。
【0056】
このセンサ回路は、対象物がもっている情報をセンサのインピーダンスの変化としてのみ検出できるので、容易にリニアリティを確保することができることとなる。例えば、上述した磁気センサ3に発振電圧信号を供給したときに、磁気センサに流れる電流の変化を検出することによって外部磁界の大きさを探知することができる。これは、外部磁界の大きさに応じて磁性体の磁化量が変化し、その結果、コイルのインピーダンス(インダクタンス)が変化するためである。
【0057】
また、このセンサ回路では、第1のNPNトランジスタと第1のPNPトランジスタおよび第2のNPNトランジスタと第2のPNPトランジスタによるブリッジ回路を構成しているので、センサに流れる電流の方向を反転させることができる。それぞれの方向に応じた信号を時系列で、第1のNPNトランジスタと第2のNPNトランジスタの各コレクタの接続点あるいは第1のPNPトランジスタと第2PNPのトランジスタの各コレクタに接続点を流れる電流として出力することとなる。
【0058】
また、このセンサ回路では、第1の演算増幅器と第2の演算増幅器の非反転入力端にパルス電圧を供給すると、センサに流れるピーク電流の変化を検出することによって外部磁界の大きさを探知することができる。
【0059】
また、このセンサ回路では、センサに流れる電流の方向を短時間に反転させたときには、センサのインピータンスに温度ドリフトや時間的ドリフト等が生じても、これらの影響は互いにキャンセルされる。したがって、高精度に外部磁界の大きさを探知することができる。
【0060】
さらに、このセンサ回路では、第1のNPNトランジスタと第2のNPNトランジスタの各コレクタの接続点あるいは第1のPNPトランジスタと第2のPNPトランジスタの各コレクタの接続点に流れる電流を基準電位に接続された抵抗に流すことによって電圧信号として出力することができる。さらに、上記電流をカレントミラー回路を通して抵抗に流すことによって出力ダイナミックレンジを容易に拡げることができる。
【0061】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更が可能であることは言うまでもない。
【0062】
本発明に係るセンサ回路は、例えば図7の回路図に示すような回路構成を有する。
【0063】
この図7に示したセンサ回路は、外部磁界に応じてインピーダンスが変化するセンサ12を備え、NPNトランジスタ13a及びPNPトランジスタ14aの各エミッタと演算増幅器15aの非反転入力端が上記センサ12の一端に共通接続され、NPNトランジスタ13b及びPNPトランジスタ14bの各エミッタと演算増幅器15bの非反転入力端が上記センサ12の他端に共通接続されている。
【0064】
NPNトランジスタ13a及びNPNトランジスタ13bは、各コレクタが互いに接続されており、その接続点が抵抗17を介して直流電源18に接続されている。また、PNPトランジスタ14a及びPNPトランジスタ14bは、各コレクタが互いに接続されており、その接続点が接地されている。
【0065】
演算増幅器15aは、NPNトランジスタ13a及びPNPトランジスタ14aの各ベースに出力端が接続されるとともに、NPNトランジスタ13a及びPNPトランジスタ14aの各エミッタに非反転入力端が接続されている。また、演算増幅器15bは、NPNトランジスタ13b及びPNPトランジスタ14bの各ベースに出力端が接続されるとともに、NPNトランジスタ13b及び第2のPNPトランジスタ14bの各エミッタに非反転入力端が接続されている。
【0066】
そして、演算増幅器15a,15bの各非反転入力端に発振器16から図8に示すような電圧信号V1,V2が供給されるようになっている。
【0067】
つぎに、このセンサ回路の動作について説明する。
【0068】
このセンサ回路において、発振器16から供給される電圧信号V1,V2は、演算増幅器15aとNPNトランジスタ13aとPNPトランジスタ14aで構成する負帰還増幅回路および演算増幅器15bとNPNトランジスタ13bとPNPトランジスタ14bで構成する負帰還増幅回路によって、それぞれセンサ12の両端子間に伝えられる。
【0069】
したがって、センサ12のインピーダンスが対象物がもっている情報により変化すると当該センサ12に流れる電流も変化することとなる。
【0070】
また、センサ12の端子間の電位差によって当該センサ12に流れる電流の方向を反転させることができる。電流がi1のときは、NPNトランジスタ13aとPNPトランジスタ14bを通して流れる。電流がi2のときは、NPNトランジスタ13bとPNPトランジスタ14aを通して流れる。
【0071】
したがって、この電流は流れる方向に応じてNPNトランジスタ13aあるいはNPNトランジスタ13bのコレクタから供給されるので、これらのコレクタの接続点を介して流れる電流isは、センサ12に流れる電流の方向を交互に反転させた電流i1と電流i2を時系列で出力したものとなる。
【0072】
この電流isが抵抗17に流れるので、センサ12のインピーダンスの変化を抵抗17の両端電圧信号Vsとして出力することとなる。したがって、対象物がもっている情報をセンサ12のインピーダンスの変化としてのみ検出しているので、リニアリティが良好である。
【0073】
つぎに、センサ12の一例として上述した磁気センサ3を用いたときの上記センサ回路の動作について、各部の信号波形のタイムチャートである図8を参照しながら説明する。
【0074】
上記センサ回路では、発振器16から、図8の(A),(B)に示すように、パルス幅Tおよびパルス電圧Vが一定の発振電圧信号V1,V2が、上記の負帰還増幅回路によって磁気センサ3の両端子間に伝えられる。この端子間の電位差によって、電流の向きを反転させ、図8の(C),(D)に示すように、センサ10のインピーダンスに応じた大きさの電流i1,i2を流す。電流の方向を交互に反転させた電流i1のピーク電流値ie1と電流i2のピーク電流値ie2は外部磁界の大きさに応じて変化し、差動の関係にある。
【0075】
抵抗17に流れる電流isは、図8の(E)に示すように、ピーク電流値ie1とピーク電流値ie2を時系列で出力したものとなる。この電流isが抵抗17を通して流れることにより、抵抗17の両端電圧信号Vsとして外部磁界の大きさに応じた信号が得られる。
【0076】
ここで、抵抗17の値をRsとすると、両端電圧信号Vsは下記式(4−1)のように表される。
【0077】
Vs=Rs・is ・・・ (4−1)
したがって、センサ回路の感度を上げるためにはRsを大きくすれば良いのであるが、回路の出力ダイナミックレンジが問題となる。図9に示すように、電流isをカレントミラー回路19aを介して抵抗17に流すことによって出力ダイナミックレンジを拡げることができる。
【0078】
また、図10に示すように、NPNトランジスタ13aとNPNトランジスタ13bのコレクタが直流電源18に接続され、PNPトランジスタ14aとPNPトランジスタ14bの各コレクタの接続点を抵抗17を介して基準電位(接地)に接続するようにしても、センサ10のインピーダンスの変化を抵抗17の両端電圧信号Vsとして出力できることは言うまでもない。
【0079】
さらに、図11に示すように、電流isをカレントミラー回路19bを介して抵抗17に流すことによって出力ダイナミックレンジを拡げることができることも言うまでもない。
【0080】
つぎに、上述した外部磁界の大きさを検出する磁気センサ3以外のセンサ回路の一例についても説明する。
【0081】
図12に示すように、コイル20の中に高透磁率のコア21を挿入するとコイルのインダクタンスが変化する。上記センサ12として、このような変位を電気信号に変換する変位センサ22を用いるようにしてもよい。
【0082】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、対象物がもっている情報をセンサのインピーダンスの変化としてのみ検出できるので、容易にリニアリティの確保ができ、高精度なセンサ回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】磁気センサの一例を示す模式図である。
【図2】図1に示した磁気センサによる外部磁界検出の原理を説明するための図である。
【図3】センサ回路の一構成例を示す回路図である。
【図4】図3に示したセンサ回路の動作を示す各部における信号波形のタイムチャートである。
【図5】磁気センサと抵抗からなる積分回路に電流が立ち上がるときの状態をモデル化した回路図である。
【図6】図5に示した積分回路に流れる電流の立ち上がり時の様子を示す図である。
【図7】本発明に係るセンサ回路の一構成例を示す回路図である。
【図8】図7に示したセンサ回路の各部における信号波形のタイムチャートである。
【図9】本発明に係るセンサ回路の他の構成例を示す回路図である。
【図10】本発明に係るセンサ回路の他の構成例を示す回路図である。
【図11】本発明に係るセンサ回路の他の構成例を示す回路図である。
【図12】本発明に係るセンサ回路におけるセンサとして用いられる変位センサの例を示す模式図である。
【図13】ホール素子を用いた磁気探知装置の一例を示す模式図である。
【図14】フラックスゲートセンサを用いた磁気探知装置の一例を示す模式図である。
【図15】磁気抵抗効果素子の一例を示す模式図である。
【図16】磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果特性を示す図である。
【符号の説明】
12 センサ、13a,13b NPNトランジスタ、14a,14b PNPトランジスタ、15a,15b 演算増幅器、16 発振器、17 抵抗、18 直流電源、19a,19b カレントミラー回路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a sensor circuit using a sensor whose impedance changes according to information on a detection object.
[0002]
[Prior art]
A sensor whose impedance changes in accordance with information on a detection object is widely used for industrial use and consumer use.
[0003]
For example, a magnetic detection device that detects an external magnetic field starts from measurement of a magnetic field detector or measuring instrument, and in recent years, a magnetic switch, a magnetic rotary encoder, a geomagnetic sensor, or the like is used. Examples of the magnetic detection device include a magnetic detection device using a Hall element, a magnetic detection device using a fluxgate sensor, and a magnetic detection device using a magnetoresistive effect element.
[0004]
As shown in FIG. 13, the magnetic detector using the Hall element detects an external magnetic field by applying the Hall effect of the
[0005]
Vh = Rh · I · B / d (1-1)
However, since the Hall voltage Vh is very small, it is difficult to detect a weak magnetic field such as a geomagnetism of about 0.3 Gauss with a magnetic detection device using a Hall element.
[0006]
Further, as shown in FIG. 14, a magnetic detection device using a fluxgate sensor has an
[0007]
When an external magnetic field is detected by this magnetic detector, a high-frequency current that causes the
[0008]
On the other hand, for example, when a clockwise magnetic flux B is generated in the
[0009]
However, in such a magnetic detection device, since the magnetic signal is converted into an electric signal by the
[0010]
A magnetic field detection device using a magnetoresistive effect element detects an external magnetic field using the magnetoresistive effect of the magnetoresistive effect element. Here, the magnetoresistive effect element is a magnetoelectric conversion element applying the magnetoresistive effect of a ferromagnetic thin film made of Ni alloy or the like, and has a characteristic that its resistance value changes according to the strength of the applied magnetic field. have. As shown in FIG. 15, the angle between the direction of the current I flowing through the
[0011]
R = Rb + (Ra−Rb) · cos 2 θ (1-2)
Further, the magnetoresistive effect characteristic of the
[0012]
However, in such a
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the conventionally known magnetic detectors have problems that the sensitivity is insufficient and it is difficult to reduce the size and the price.
[0014]
Accordingly, the applicant of the present application is provided with a magnetic sensor in which a coil is wound around a magnetic material in, for example, Japanese Patent Application No. 9-106418, as a magnetic detection device that can be easily downsized and reduced in price and obtain high sensitivity. The peak value of the oscillation current that changes due to the external magnetic field is detected for the oscillation current that flows through the coil when the oscillation voltage is supplied to the coil of the magnetic sensor, and the external magnetic field is detected by the change in the peak value of the oscillation current. The magnetic detector which made it do is proposed previously.
[0015]
As shown in FIG. 1, the magnetic sensor used in this magnetic detection device is composed of a
[0016]
Next, the principle of detecting the magnitude of the external magnetic field He using such a
[0017]
At this time, the current i01 and the current i02 are preferably AC currents including a DC bias component. Thus, by including a DC bias component in the current i01 and the current i02, an AC magnetic field having a DC bias component is generated from the current i01 and the current i02, and the
[0018]
In the following description, the case where the current i01 flows through the
[0019]
Here, when the external magnetic field He applied to the
[0020]
V · T = Lmax · Ic + Lmin · (Ih−Ic) (2-1)
When the external magnetic field He is applied to the
[0021]
V · T = Lmax · (Ic−Ie) + Lmin · (Ie1 + Ie−Ic) (2-2)
Therefore, if the amount of change in the peak value of the oscillation voltage signal Vos when the external magnetic field He is changed to the state where the external magnetic field He is applied is ΔI1, the amount of change ΔI1 is expressed by the above equation (2-1) and From the above formula (2-2), it is expressed as the following formula (2-3).
[0022]
ΔI1 = Ie1-Ih
= {(Lmax−Lmin) / Lmin} · Ie (2-3)
As can be seen from the above equation (2-3), the current Ie that is apparently shifted and the amount of change ΔI1 in the peak value are in a proportional relationship. In this relationship, the change amount ΔI1 of the peak value increases as the change amount of the inductance L increases. In this relationship, when the change amount of the inductance L is constant, that is, when the inductance L changes linearly, the change amount ΔI1 of the peak value changes with linearity with respect to the current Ie.
[0023]
Next, the case where the current i02 obtained by inverting the current i01 is supplied to the
[0024]
When the current i02 is supplied and the external magnetic field He applied to the
[0025]
−V · T = Lmax · −Ic + Lmin · (−Ih + Ic) (2-4)
When an external magnetic field He is applied to the
[0026]
−V · T = Lmax · (−Ic−Ie) + Lmin · (Ie−Ie2 + Ic) (2-5)
Therefore, when the amount of change in the peak value of the oscillation voltage signal Vos when the external magnetic field He is not changed to the state where the external magnetic field He is applied is ΔI2, the amount of change ΔI2 is expressed by the above equation (2-4) and From the above formula (2-5), it is represented as the following formula (2-6).
[0027]
ΔI2 = Ie2-Ih
= − {(Lmax−Lmin) / Lmin} · Ie
= −ΔI1 (2-6)
As can be seen from the above equation (2-6), the current Ie that is apparently shifted and the amount of change ΔI2 in the peak value are in a proportional relationship. Also in this relationship, the amount of change ΔI2 in the peak value increases as the amount of change in inductance L increases. In this relationship, when the change amount of the inductance L is constant, that is, when the inductance L changes linearly, the change amount ΔI2 of the peak value changes with linearity with respect to the current Ie. The peak value change ΔI2 has the same sign and the same magnitude as the peak value change ΔI1 described above. That is, the peak value variation ΔI1 and the peak value variation ΔI2 are in a differential relationship.
[0028]
Therefore, when a current flows in the forward direction, that is, when the current i01 is supplied, a peak value Ie1 is measured, and when a current flows in the reverse direction, that is, when the current i02 is supplied, the peak value Ie2 is measured. By taking this differential, a signal corresponding to a change in the external magnetic field He can be taken out as an output that is about twice that of when a current is passed only in a certain direction.
[0029]
Further, by taking the difference between the peak value Ie1 and the peak value Ie2, when the external magnetic field He = 0, the peak values flowing through the
[0030]
Further, in the
[0031]
Next, a sensor circuit for converting the magnitude of the external magnetic field into an electric signal using the magnetic sensor as described above will be described.
[0032]
As shown in FIG. 3, the sensor circuit includes a
[0033]
This integration circuit is connected to a pulse signal oscillator 8, and when an oscillation voltage signal Vos having a constant pulse width T and pulse voltage V is supplied from the pulse signal oscillator 8, an integration current is supplied to the
[0034]
Signals Q and Q ′ for switching the
[0035]
The operation of such a sensor circuit will be described with reference to FIG. 4 which is a time chart of the voltage waveform of each part.
[0036]
In this sensor circuit, as shown in FIG. 4A, an oscillation voltage signal Vos having a constant pulse width T and pulse voltage V is supplied to the frequency divider 9 from the pulse signal oscillator 8, as shown in FIG. As shown in B) and (C), signals Q and Q ′ for switching the
[0037]
An oscillation voltage signal Vos is supplied from the pulse signal oscillator 8 to the
[0038]
Here, when the switching signal Q is “H” and the switching signal Q ′ is “L”, the switch 6 a and the switch 6 b shown in FIG. 3 are turned on, the switch 6 c and the switch 6 d are turned off, and the magnetic sensor 3 A current flows in the direction of arrow A in FIG.
[0039]
When the switching signal Q is “L” and the switching signal Q ′ is “H”, the switch 6 a and the switch 6 b shown in FIG. 3 are turned off, the switch 6 c and the switch 6 d are turned on, and the magnetic sensor 3 A current flows in the direction of arrow B in FIG.
[0040]
Therefore, as shown in FIG. 4D, the integration voltage Vr is constituted by the integration voltage Vr1 and the integration voltage Vr2 corresponding to the direction of each current flowing through the
[0041]
That is, the voltage signal Ve1 and the voltage signal Ve2 are the peaks of the oscillation currents flowing through the
[0042]
As described above, in this sensor circuit, the external magnetic field He applied to the
[0043]
Next, the principle that the external magnetic field He applied to the
[0044]
FIG. 5 shows a circuit diagram modeling the state when the current flowing in the integrating circuit in which the
[0045]
[Expression 1]
[0046]
As described above, the inductance L of the
[0047]
Since the inductance L of the
[0048]
Here, the current i flowing through the
[0049]
[Expression 2]
[0050]
In the above equation (3-2), the current value Ic at which the inductance L changes from Lmax to Lmin is shifted according to the magnitude of the external magnetic field applied to the
[0051]
Therefore, as shown in FIG. 3 and FIG. 4 described above, the integration that occurs when the pulse width T and the pulse voltage V are supplied to the integration circuit constituted by the
[0052]
However, in such a sensor circuit, since the current flowing through the sensor is determined by the time constant of the
[0053]
As described above, there is a problem that it is difficult to guarantee linearity with a conventionally known sensor circuit.
[0054]
Therefore, the present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and an object thereof is to provide a highly accurate sensor circuit that can easily ensure linearity.
[0055]
[Means for Solving the Problems]
The sensor circuit according to the present invention completed to achieve the above object includes a sensor whose impedance changes in accordance with information of a detection target, a first NPN transistor and a second NPN transistor each connected to each other. An NPN transistor, a first PNP transistor and a second PNP transistor whose collectors are connected to each other, and bases of the first NPN transistor and the first PNP transistor are connected to an output terminal, and the first A first operational amplifier in which each of the emitters of one NPN transistor and the first PNP transistor and one end of the sensor are commonly connected to a non-inverting input terminal; and each base of the second NPN transistor and the second PNP transistor Is connected to the output terminal, and the second NPN transistor and the second PNP transistor A second operational amplifier in which each emitter of the transistor and the other end of the sensor are commonly connected to a non-inverting input terminal, and a voltage signal is applied to the non-inverting input terminal of the first operational amplifier and the second operational amplifier. And at least a connection point between the collectors of the first NPN transistor and the second NPN transistor or a connection point between the collectors of the first PNP transistor and the second PNP transistor according to a change in impedance of the sensor. It is characterized in that a detection signal is output as a current flowing through one of them.
[0056]
Since this sensor circuit can only detect information held by the object as a change in the impedance of the sensor, linearity can be easily ensured. For example, when an oscillation voltage signal is supplied to the
[0057]
Further, in this sensor circuit, since a bridge circuit is configured by the first NPN transistor, the first PNP transistor, the second NPN transistor, and the second PNP transistor, the direction of the current flowing through the sensor is reversed. Can do. A signal corresponding to each direction is time-sequentially expressed as a current flowing through the connection point between the collectors of the first NPN transistor and the second NPN transistor or the collectors of the first PNP transistor and the second PNP transistor. Will be output.
[0058]
In this sensor circuit, when a pulse voltage is supplied to the non-inverting input terminals of the first operational amplifier and the second operational amplifier, the magnitude of the external magnetic field is detected by detecting a change in the peak current flowing through the sensor. be able to.
[0059]
Further, in this sensor circuit, when the direction of the current flowing in the sensor is reversed in a short time, even if a temperature drift or a time drift occurs in the sensor impedance, these influences are cancelled. Therefore, the magnitude of the external magnetic field can be detected with high accuracy.
[0060]
Further, in this sensor circuit, the current flowing through the connection point of each collector of the first NPN transistor and the second NPN transistor or the connection point of each collector of the first PNP transistor and the second PNP transistor is connected to the reference potential. It can be output as a voltage signal by flowing it through the resistor. Furthermore, the output dynamic range can be easily expanded by flowing the current through a resistor through a current mirror circuit.
[0061]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the following examples, and it goes without saying that modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
[0062]
The sensor circuit according to the present invention has a circuit configuration as shown in the circuit diagram of FIG.
[0063]
The sensor circuit shown in FIG. 7 includes a
[0064]
The collectors of the NPN transistor 13 a and the
[0065]
The operational amplifier 15a has an output terminal connected to each base of the NPN transistor 13a and the PNP transistor 14a, and a non-inverting input terminal connected to each emitter of the NPN transistor 13a and the PNP transistor 14a. The
[0066]
Then, voltage signals V1 and V2 as shown in FIG. 8 are supplied from the
[0067]
Next, the operation of this sensor circuit will be described.
[0068]
In this sensor circuit, the voltage signals V1 and V2 supplied from the
[0069]
Therefore, when the impedance of the
[0070]
Further, the direction of the current flowing through the
[0071]
Therefore, since this current is supplied from the collector of the NPN transistor 13a or
[0072]
Since the current is flows through the
[0073]
Next, the operation of the sensor circuit when the
[0074]
In the sensor circuit, as shown in FIGS. 8A and 8B, oscillation voltage signals V1 and V2 having a constant pulse width T and pulse voltage V are magnetically generated from the
[0075]
As shown in FIG. 8E, the current is flowing through the
[0076]
Here, assuming that the value of the
[0077]
Vs = Rs · is (4-1)
Therefore, in order to increase the sensitivity of the sensor circuit, Rs should be increased, but the output dynamic range of the circuit becomes a problem. As shown in FIG. 9, the output dynamic range can be expanded by flowing the current is through the
[0078]
As shown in FIG. 10, the collectors of the NPN transistor 13a and the
[0079]
Furthermore, as shown in FIG. 11, it goes without saying that the output dynamic range can be expanded by flowing the current is through the
[0080]
Next, an example of a sensor circuit other than the
[0081]
As shown in FIG. 12, when a core 21 having a high magnetic permeability is inserted into the
[0082]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, since information held by an object can be detected only as a change in the impedance of the sensor, linearity can be easily ensured and a highly accurate sensor circuit is provided. Can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a magnetic sensor.
2 is a diagram for explaining the principle of external magnetic field detection by the magnetic sensor shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of a sensor circuit.
4 is a time chart of signal waveforms at various parts showing the operation of the sensor circuit shown in FIG. 3; FIG.
FIG. 5 is a circuit diagram modeling a state when a current rises in an integrating circuit including a magnetic sensor and a resistor.
6 is a diagram illustrating a state when a current flowing through the integration circuit illustrated in FIG. 5 rises. FIG.
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration example of a sensor circuit according to the present invention.
8 is a time chart of signal waveforms at various parts of the sensor circuit shown in FIG. 7;
FIG. 9 is a circuit diagram showing another configuration example of the sensor circuit according to the present invention.
FIG. 10 is a circuit diagram showing another configuration example of the sensor circuit according to the present invention.
FIG. 11 is a circuit diagram showing another configuration example of the sensor circuit according to the present invention.
FIG. 12 is a schematic diagram showing an example of a displacement sensor used as a sensor in the sensor circuit according to the present invention.
FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of a magnetic detection device using a Hall element.
FIG. 14 is a schematic diagram showing an example of a magnetic detection device using a fluxgate sensor.
FIG. 15 is a schematic diagram showing an example of a magnetoresistive element.
FIG. 16 is a diagram showing magnetoresistive effect characteristics of the magnetoresistive effect element.
[Explanation of symbols]
12 sensor, 13a, 13b NPN transistor, 14a, 14b PNP transistor, 15a, 15b operational amplifier, 16 oscillator, 17 resistor, 18 DC power supply, 19a, 19b current mirror circuit
Claims (6)
各コレクタが互いに接続された第1のNPNトランジスタ及び第2のNPNトランジスタと、
各コレクタが互いに接続された第1のPNPトランジスタ及び第2のPNPトランジスタと、
上記第1のNPNトランジスタ及び第1のPNPトランジスタの各ベースが出力端に接続されるとともに、上記第1のNPNトランジスタ及び第1のPNPトランジスタの各エミッタ及び上記センサの一端が非反転入力端に共通接続された第1の演算増幅器と、
上記第2のNPNトランジスタ及び第2のPNPトランジスタの各ベースが出力端に接続されるとともに、上記第2のNPNトランジスタ及び第2のPNPトランジスタの各エミッタ及び上記センサの他端が非反転入力端に共通接続された第2の演算増幅器とを備え、
上記第1の演算増幅器と第2の演算増幅器の非反転入力端に電圧信号を供給し、上記センサのインピーダンス変化に応じて上記第1のNPNトランジスタと第2のNPNトランジスタの各コレクタの接続点あるいは上記第1のPNPトランジスタと第2のPNPトランジスタの各コレクタの接続点の少なくともどちらか一方を流れる電流として検出信号を出力することを特徴としたセンサ回路。A sensor whose impedance changes according to the information of the detection object;
A first NPN transistor and a second NPN transistor, each collector connected to each other;
A first PNP transistor and a second PNP transistor, each collector connected to each other;
The bases of the first NPN transistor and the first PNP transistor are connected to the output terminal, and the emitters of the first NPN transistor and the first PNP transistor and one end of the sensor are connected to the non-inverting input terminal. A first operational amplifier connected in common;
The bases of the second NPN transistor and the second PNP transistor are connected to an output terminal, and the emitters of the second NPN transistor and the second PNP transistor and the other end of the sensor are connected to a non-inverting input terminal. And a second operational amplifier commonly connected to
A voltage signal is supplied to the non-inverting input terminals of the first operational amplifier and the second operational amplifier, and a connection point between the collectors of the first NPN transistor and the second NPN transistor according to a change in impedance of the sensor. Alternatively, the sensor circuit outputs a detection signal as a current flowing through at least one of connection points of the collectors of the first PNP transistor and the second PNP transistor.
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