JP4211994B2 - 高周波フィルタ - Google Patents

Description

本発明は、少なくとも３個の共振器を有する積層型の高周波フィルタに関する。

ブルートゥース規格の通信装置や無線ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）用の通信装置では、小型化、薄型化の要求が強いことから、高密度の部品実装技術が要求されている。そこで、積層基板を用いて部品を集積することも提案されている。

ところで、上記通信装置における部品の一つに、受信信号を濾波するバンドパスフィルタがある。このバンドパスフィルタとしては、例えば特許文献１および特許文献２に記載されているような積層型のバンドパスフィルタが知られている。この積層型のバンドパスフィルタは、積層基板における導体層を用いて構成された複数の共振器を備えている。この積層型のバンドパスフィルタにおいて、隣接する共振器同士は誘導結合している。また、特許文献１および特許文献２に記載されているように、積層型のバンドパスフィルタでは、隣接する共振器同士を容量結合させる場合もある。この場合には、誘導結合の大きさと容量結合の大きさとによって、バンドパスフィルタにおける２つの減衰極の周波数と通過帯域幅とを調整することができる。従って、隣接する共振器同士を容量結合させることにより、隣接する共振器同士を容量結合させない場合に比べて、バンドパスフィルタの特性の調整が容易になる。

また、特許文献２には、隣接しない共振器間を２つのバイパスコンデンサと伝送線路の直列回路で容量結合させる技術が記載されている。特許文献２に記載されたフィルタは、３個の共振器電極と、それぞれ隣接する２つの共振器電極に対向する２個の段間結合コンデンサ電極と、２個の段間結合コンデンサ電極に対向する１個のバイパス電極とを備えている。このフィルタでは、隣接する２つの共振器電極とこれらに対向する１つの段間結合コンデンサ電極とによって、隣接する２つの共振器同士を容量結合させる２つの段間結合コンデンサが形成される。また、２つの段間結合コンデンサ電極とこれらに対向する１つのバイパス電極とによって、２つのバイパスコンデンサが形成される。この技術によれば、隣接しない共振器間の磁界結合の影響を受けずに、隣接しない共振器間の容量を調整することによって、減衰極を制御することが可能になる。

特開２００３−３１８６０５号公報 特開２００１−５３５０２号公報

特許文献２に記載された技術では、段間結合コンデンサ電極は、段間結合コンデンサとバイパスコンデンサとに共用されている。そのため、この技術では、段間結合コンデンサの容量とは独立してバイパスコンデンサの容量を制御することが難しい。また、この技術では、隣接する共振器同士を容量結合させずに、隣接しない共振器間を容量結合させることができない。そのため、この技術では、バンドパスフィルタの特性の調整が難しいという問題点がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、少なくとも３個の共振器を有する積層型の高周波フィルタであって、特性の調整が容易な高周波フィルタを提供することにある。

本発明の第１または第２の高周波フィルタは、交互に積層された誘電体層と導体層とを含む積層基板と、それぞれ積層基板内の導体層よりなる第１ないし第３の共振器を備え、第３の共振器は、第１の共振器と第２の共振器の間に配置され、第１の共振器と第３の共振器が誘導結合していると共に、第２の共振器と第３の共振器が誘導結合しているものである。

本発明の第１の高周波フィルタは、更に、積層基板内の導体層よりなる、第１の共振器と第２の共振器とを容量結合するための少なくとも１つの容量結合用導体層を備えている。容量結合用導体層は、第１の共振器との間に第１のキャパシタを形成するための第１の部分と、第２の共振器との間に第２のキャパシタを形成するための第２の部分と、長手方向の一方の端部が第１の部分に接続され、長手方向の他方の端部が第２の部分に接続された第３の部分とを有している。第３の部分のうちの少なくとも一部の幅は第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも小さい。

本発明の第１の高周波フィルタでは、隣接しない第１の共振器と第２の共振器とを容量結合するための容量結合用導体層が設けられている。この容量結合用導体層において、第３の部分のうちの少なくとも一部の幅は第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも小さい。そのため、本発明では、第３の部分のうちの少なくとも一部の幅が第１の部分の幅および第２の部分の幅と等しいか、第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも大きい場合に比べて、第３の部分と第３の共振器との間に発生する容量が小さくなる。

本発明の第１の高周波フィルタにおいて、第３の部分のうちの少なくとも一部の幅は、第１の部分の幅の２分の１以下であり、且つ第２の部分の幅の２分の１以下であってもよい。

また、本発明の第１の高周波フィルタは、更に、それぞれ積層基板内の導体層よりなり、第１ないし第３の共振器に接続された第１ないし第３の電極を備え、第１ないし第３の電極は、それぞれ積層基板内の誘電体層を介して、第１の部分、第２の部分、第３の部分に対向していてもよい。

また、本発明の第１の高周波フィルタにおいて、第１の共振器と第３の共振器は更に容量結合し、第２の共振器と第３の共振器は更に容量結合していてもよい。

また、本発明の第１の高周波フィルタにおいて、第１ないし第３の共振器はいずれも両端開放の１／２波長共振器であり、容量結合用導体層は２つ設けられ、一方の容量結合用導体層は、第１の共振器と第２の共振器の一方の端部同士を結合し、他方の容量結合用導体層は、第１の共振器と第２の共振器の他方の端部同士を結合してもよい。

また、本発明の第１の高周波フィルタにおいて、第１ないし第３の共振器はいずれも、一方の端部が開放され、他方の端部が短絡された１／４波長共振器であり、容量結合用導体層は、第１の共振器と第２の共振器の他方の端部同士を結合してもよい。

本発明の第２の高周波フィルタは、更に、積層基板内の導体層よりなる、第１の共振器と第２の共振器とを容量結合するための少なくとも１つの容量結合用導体層を備えている。容量結合用導体層は、第１の共振器と第２の共振器のうちの一方との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分と、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分に接続され、長手方向の他方の端部が第１の共振器と第２の共振器のうちの他方に接続された連結部分とを有している。連結部分のうちの少なくとも一部の幅はキャパシタ形成部分の幅よりも小さい。

本発明の第２の高周波フィルタでは、隣接しない第１の共振器と第２の共振器とを容量結合するための容量結合用導体層が設けられている。この容量結合用導体層において、連結部分のうちの少なくとも一部の幅はキャパシタ形成部分の幅よりも小さい。そのため、本発明では、連結部分のうちの少なくとも一部の幅がキャパシタ形成部分の幅と等しいか、キャパシタ形成部分の幅よりも大きい場合に比べて、連結部分と第３の共振器との間に発生する容量が小さくなる。

本発明の第２の高周波フィルタにおいて、連結部分のうちの少なくとも一部の幅は、キャパシタ形成部分の幅の２分の１以下であってもよい。

また、本発明の第２の高周波フィルタは、更に、それぞれ積層基板内の導体層よりなり、第１ないし第３の共振器に接続された第１ないし第３の電極を備え、第１の電極と第２の電極の一方は、積層基板内の誘電体層を介してキャパシタ形成部分に対向し、第３の電極は、積層基板内の誘電体層を介して、連結部分に対向してもよい。

また、本発明の第２の高周波フィルタにおいて、第１の共振器と第３の共振器は更に容量結合し、第２の共振器と第３の共振器は更に容量結合していてもよい。

また、本発明の第２の高周波フィルタにおいて、第１ないし第３の共振器はいずれも両端開放の１／２波長共振器であり、容量結合用導体層は２つ設けられ、一方の容量結合用導体層は、第１の共振器と第２の共振器の一方の端部同士を結合し、他方の容量結合用導体層は、第１の共振器と第２の共振器の他方の端部同士を結合してもよい。

また、本発明の第２の高周波フィルタにおいて、第１ないし第３の共振器はいずれも、一方の端部が開放され、他方の端部が短絡された１／４波長共振器であり、容量結合用導体層は、第１の共振器と第２の共振器の他方の端部同士を結合してもよい。

本発明の第１の高周波フィルタでは、容量結合用導体層において、第３の部分のうちの少なくとも一部の幅は第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも小さい。そのため、本発明によれば、第３の部分の幅が第１の部分の幅および第２の部分の幅と等しいか、第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも大きい場合に比べて、第３の部分と第３の共振器との間に発生する容量を小さくすることができる。従って、本発明によれば、容量結合用導体層によって発生する第１の共振器と第３の共振器との間の容量結合の大きさおよび第２の共振器と第３の共振器との間の容量結合の大きさを小さくしながら、隣接しない第１の共振器と第２の共振器との間の容量結合の大きさを調整することが可能になる。これにより、本発明によれば、少なくとも３個の共振器を有する積層型の高周波フィルタの特性の調整が容易になるという効果を奏する。

本発明の第２の高周波フィルタでは、容量結合用導体層において、連結部分のうちの少なくとも一部の幅はキャパシタ形成部分の幅よりも小さい。そのため、本発明によれば、連結部分のうちの少なくとも一部の幅がキャパシタ形成部分の幅と等しいか、キャパシタ形成部分の幅よりも大きい場合に比べて、連結部分と第３の共振器との間に発生する容量を小さくすることができる。従って、本発明によれば、容量結合用導体層によって発生する第１の共振器と第３の共振器との間の容量結合の大きさおよび第２の共振器と第３の共振器との間の容量結合の大きさを小さくしながら、隣接しない第１の共振器と第２の共振器との間の容量結合の大きさを調整することが可能になる。これにより、本発明によれば、少なくとも３個の共振器を有する積層型の高周波フィルタの特性の調整が容易になるという効果を奏する。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る高周波フィルタの構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る高周波フィルタの回路構成を示す回路図である。図２は、本実施の形態に係る高周波フィルタの外観を示す斜視図である。

図１に示したように、本実施の形態に係る高周波フィルタ１は、不平衡信号の入力または出力が行われる１つの不平衡入出力端子２と、平衡信号の入力または出力が行われる２つの平衡入出力端子３Ａ，３Ｂと、それぞれＴＥＭ線路よりなる共振器１１，１２，１３とを備えている。共振器１１，１２，１３は、回路構成上、不平衡入出力端子２と平衡入出力端子３Ａ，３Ｂとの間に設けられている。なお、ＴＥＭ線路とは、電界および磁界が共に電磁波の進行方向に垂直な断面内にのみ存在する電磁波であるＴＥＭ波（Transverse Electromagnetic Wave）を伝送する伝送線路である。

共振器１１，１２，１３はいずれも、両端開放の１／２波長共振器である。この共振器１１，１２，１３はいずれも、一方向に長い形状を有している。共振器１３は、共振器１１と共振器１２の間に配置されている。また、共振器１１，１２，１３は互いに平行に配置されている。隣接する共振器１１，１３は誘導結合し、隣接する共振器１２，１３も誘導結合している。共振器１１，１２，１３は、それぞれ本発明における第１の共振器、第２の共振器、第３の共振器に対応する。

高周波フィルタ１は、更に、共振器１１の一方の端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ２１と、共振器１１の他方の端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ２２と、共振器１２の一方の端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ２３と、共振器１２の他方の端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ２４と、共振器１３の一方の端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ２５と、共振器１３の他方の端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ２６とを備えている。

高周波フィルタ１は、更に、共振器１１の一方の端部と共振器１２の一方の端部との間に設けられたキャパシタ２７と、共振器１１の他方の端部と共振器１２の他方の端部との間に設けられたキャパシタ２８とを備えている。

高周波フィルタ１は、更に、共振器１１の一方の端部と他方の端部との間に設けられたキャパシタ７１，７２と、共振器１２の一方の端部と他方の端部との間に設けられたキャパシタ７３，７４と、共振器１３の一方の端部と他方の端部との間に設けられたキャパシタ７５，７６とを備えている。キャパシタ７１，７２は直列に接続され、キャパシタ７３，７４は直列に接続され、キャパシタ７５，７６は直列に接続されている。

キャパシタ７１とキャパシタ７２との間における中間点は、共振器１１の共振周波数において、電位的にグランドとみなすことができる。同様に、キャパシタ７３とキャパシタ７４との間における中間点は、共振器１２の共振周波数において、電位的にグランドとみなすことができる。また、キャパシタ７５とキャパシタ７６との間における中間点は、共振器１３の共振周波数において、電位的にグランドとみなすことができる。

キャパシタ２１，２２，７１，７２は、共振器１１の共振周波数の調整等のために設けられている。同様に、キャパシタ２３，２４，７３，７４は、共振器１２の共振周波数の調整等のために設けられている。また、キャパシタ２５，２６，７５，７６は、共振器１３の共振周波数の調整等のために設けられている。

図２に示したように、高周波フィルタ１は、更に、高周波フィルタ１の構成要素を一体化するための積層基板３０を備えている。後で詳しく説明するが、積層基板３０は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含んでいる。共振器１１，１２，１３は、積層基板３０内の導体層を用いて構成されている。また、共振器１１，１２，１３は、分布定数線路になっている。キャパシタ２１〜２８，７１〜７６は、積層基板３０内の導体層と誘電体層を用いて構成されている。

隣接する共振器１１，１３は誘導結合して、隣接する共振器１２，１３も誘導結合している。また、共振器１１，１２は、キャパシタ２７，２８を介して容量結合している。共振器１１，１２，１３は、所定の周波数帯域内の周波数の信号を選択的に通過させるバンドパスフィルタを構成する。このバンドパスフィルタにおける２つの減衰極の周波数と通過帯域幅は、共振器１１，１３の誘導結合、共振器１２，１３の誘導結合および共振器１１，１２の容量結合の各大きさによって調整することができる。

次に、本実施の形態に係る高周波フィルタ１の作用について説明する。高周波フィルタ１の不平衡入出力端子２に不平衡の信号が入力された場合には、この信号のうち、所定の周波数帯域内の周波数の信号が選択的に、共振器１１，１２，１３によって構成されるバンドパスフィルタを通過する。共振器１１，１２，１３では、長手方向についての一方の半分の部分と他方の半分の部分とで電界の位相が１８０°異なる。そのため、平衡入出力端子３Ａ，３Ｂから出力される各電圧は、位相が互いに１８０°異なっている。従って、平衡入出力端子３Ａ，３Ｂからは、平衡信号が出力される。逆に、平衡入出力端子３Ａ，３Ｂに平衡信号が入力された場合には、この信号のうち、所定の周波数帯域内の周波数の信号が選択的に、共振器１１，１２，１３によって構成されるバンドパスフィルタを通過し、不平衡入出力端子２から不平衡の信号が出力される。このように、本実施の形態に係る高周波フィルタ１は、バンドパスフィルタの機能とバランの機能とを兼ね備えている。

次に、図２ないし図１７を参照して、積層基板３０の構成について詳しく説明する。図２に示したように、積層基板３０は、上面と底面と４つの側面を有する直方体形状をなしている。積層基板３０の上面、側面および底面には、端子２，３Ａ，３Ｂと、２つのグランド端子３１，３２と、端子３３が配置されている。端子３３は、積層基板３０の内部の導体層にも外部回路にも接続されない。

図３ないし図１４は、それぞれ、上から１層目ないし１２層目の誘電体層の上面を示している。図１５は、上から１３層目ないし１７層目の誘電体層の上面を代表して示している。図１６は、上から１８層目の誘電体層の上面を示している。図１７は、上から１８層目の誘電体層およびその下の導体層を、上から見た状態で表したものである。図３に示した１層目の誘電体層４１の上面には、導体層は形成されていない。

図４に示した２層目の誘電体層４２の上面には、グランド用導体層４２１が形成されている。このグランド用導体層４２１は、グランド端子３１，３２に接続されている。

図５に示した３層目の誘電体層４３の上面には、電極用導体層４３１Ａ，４３１Ｂ，４３２Ａ，４３２Ｂ，４３３Ａ，４３３Ｂと、導体層４３１Ｃとが形成されている。導体層４３１Ｃの一端部は、導体層４３１Ａに接続されている。

また、誘電体層４３には、それぞれ導体層４３１Ａ，４３１Ｂ，４３２Ａ，４３２Ｂ，４３３Ａ，４３３Ｂに接続されたスルーホール４３４Ａ，４３４Ｂ，４３５Ａ，４３５Ｂ，４３６Ａ，４３６Ｂと、導体層４３１Ｃの他端部に接続されたスルーホール４３７とが形成されている。

導体層４３１Ａ，４３１Ｂ，４３２Ａ，４３２Ｂ，４３３Ａ，４３３Ｂは、図４に示した誘電体層４２を介して、図４に示したグランド用導体層４２１に対向している。図１に示したキャパシタ２１は、導体層４３１Ａ，４２１と誘電体層４２とによって構成されている。図１に示したキャパシタ２２は、導体層４３１Ｂ，４２１と誘電体層４２とによって構成されている。図１に示したキャパシタ２３は、導体層４３２Ａ，４２１と誘電体層４２とによって構成されている。図１に示したキャパシタ２４は、導体層４３２Ｂ，４２１と誘電体層４２とによって構成されている。図１に示したキャパシタ２５は、導体層４３３Ａ，４２１と誘電体層４２とによって構成されている。図１に示したキャパシタ２６は、導体層４３３Ｂ，４２１と誘電体層４２とによって構成されている。

図６に示した４層目の誘電体層４４の上面には、導体層４４１，４４２，４４３が形成されている。導体層４４１は、図５に示した誘電体層４３を介して図５に示した導体層４３１Ａ，４３１Ｂに対向している。導体層４４２は、図５に示した誘電体層４３を介して図５に示した導体層４３２Ａ，４３２Ｂに対向している。導体層４４３は、図５に示した誘電体層４３を介して図５に示した導体層４３３Ａ，４３３Ｂに対向している。

また、誘電体層４４には、スルーホール４４４Ａ，４４４Ｂ，４４５Ａ，４４５Ｂ，４４６Ａ，４４６Ｂ，４４７が形成されている。スルーホール４４４Ａ，４４４Ｂ，４４５Ａ，４４５Ｂ，４４６Ａ，４４６Ｂ，４４７には、それぞれ、図５に示したスルーホール４３４Ａ，４３４Ｂ，４３５Ａ，４３５Ｂ，４３６Ａ，４３６Ｂ，４３７が接続されている。

図７に示した５層目の誘電体層４５の上面には、電極用導体層４５１Ａ，４５１Ｂ，４５２Ａ，４５２Ｂ，４５３Ａ，４５３Ｂが形成されている。導体層４５１Ａ，４５１Ｂ，４５２Ａ，４５２Ｂ，４５３Ａ，４５３Ｂは、それぞれ、図５に示した導体層４３１Ａ，４３１Ｂ，４３２Ａ，４３２Ｂ，４３３Ａ，４３３Ｂに対向している。

また、誘電体層４５には、それぞれ導体層４５１Ａ，４５１Ｂ，４５２Ａ，４５２Ｂ，４５３Ａ，４５３Ｂに接続されたスルーホール４５４Ａ，４５４Ｂ，４５５Ａ，４５５Ｂ，４５６Ａ，４５６Ｂと、スルーホール４５７とが形成されている。スルーホール４５４Ａ，４５４Ｂ，４５５Ａ，４５５Ｂ，４５６Ａ，４５６Ｂ，４５７には、それぞれ、図６に示したスルーホール４４４Ａ，４４４Ｂ，４４５Ａ，４４５Ｂ，４４６Ａ，４４６Ｂ，４４７が接続されている。

図６に示した導体層４４１は、図６に示した誘電体層４４を介して図７に示した導体層４５１Ａ，４５１Ｂに対向している。図６に示した導体層４４２は、図６に示した誘電体層４４を介して図７に示した導体層４５２Ａ，４５２Ｂに対向している。図６に示した導体層４４３は、図６に示した誘電体層４４を介して図７に示した導体層４５３Ａ，４５３Ｂに対向している。

図１に示したキャパシタ７１は、導体層４３１Ａ，４４１，４５１Ａと誘電体層４３，４４とによって構成されている。図１に示したキャパシタ７２は、導体層４３１Ｂ，４４１，４５１Ｂと誘電体層４３，４４とによって構成されている。図１に示したキャパシタ７３は、導体層４３２Ａ，４４２，４５２Ａと誘電体層４３，４４とによって構成されている。図１に示したキャパシタ７４は、導体層４３２Ｂ，４４２，４５２Ｂと誘電体層４３，４４とによって構成されている。

図８に示した６層目の誘電体層４６の上面には、容量結合用導体層４６１，４６２と、導体層４６３とが形成されている。導体層４６１は、共振器１１との間にキャパシタを形成するための第１の部分４６１ａと、共振器１２との間にキャパシタを形成するための第２の部分４６１ｂと、長手方向の一方の端部が第１の部分４６１ａに接続され、長手方向の他方の端部が第２の部分４６１ｂに接続された第３の部分４６１ｃとを有している。導体層４６２は、共振器１１との間にキャパシタを形成するための第１の部分４６２ａと、共振器１２との間にキャパシタを形成するための第２の部分４６２ｂと、長手方向の一方の端部が第１の部分４６２ａに接続され、長手方向の他方の端部が第２の部分４６２ｂに接続された第３の部分４６２ｃとを有している。

導体層４６１の第１の部分４６１ａ、第２の部分４６１ｂ、第３の部分４６１ｃは、それぞれ、図７に示した誘電体層４５を介して図７に示した導体層４５１Ａ，４５２Ａ，４５３Ａに対向している。同様に、導体層４６２の第１の部分４６２ａ、第２の部分４６２ｂ、第３の部分４６２ｃは、それぞれ、図７に示した誘電体層４５を介して図７に示した導体層４５１Ｂ，４５２Ｂ，４５３Ｂに対向している。導体層４６３は、図７に示した誘電体層４５を介して図７に示した導体層４５３Ａ，４５３Ｂに対向している。

導体層４６１において、第３の部分４６１ｃの幅は、第１の部分４６１ａの幅および第２の部分４６１ｂの幅よりも小さい。ここで、第１の部分４６１ａ、第２の部分４６１ｂ、第３の部分４６１ｃの各幅とは、それぞれ、導体層４６１の上面に平行で、且つ第３の部分４６１ｃの長手方向に直交する方向についての第１の部分４６１ａ、第２の部分４６１ｂ、第３の部分４６１ｃの各長さを言う。

同様に、導体層４６２において、第３の部分４６２ｃの幅は、第１の部分４６２ａの幅および第２の部分４６２ｂの幅よりも小さい。ここで、第１の部分４６２ａ、第２の部分４６２ｂ、第３の部分４６２ｃの各幅とは、それぞれ、導体層４６２の上面に平行で、且つ第３の部分４６２ｃの長手方向に直交する方向についての第１の部分４６２ａ、第２の部分４６２ｂ、第３の部分４６２ｃの各長さを言う。

また、誘電体層４６には、スルーホール４６４Ａ，４６４Ｂ，４６５Ａ，４６５Ｂ，４６６Ａ，４６６Ｂ，４６７が形成されている。スルーホール４６４Ａ，４６４Ｂ，４６５Ａ，４６５Ｂ，４６６Ａ，４６６Ｂ，４６７には、それぞれ、図７に示したスルーホール４５４Ａ，４５４Ｂ，４５５Ａ，４５５Ｂ，４５６Ａ，４５６Ｂ，４５７が接続されている。

図９に示した７層目の誘電体層４７の上面には、電極用導体層４７１Ａ，４７１Ｂ，４７２Ａ，４７２Ｂ，４７３Ａ，４７３Ｂが形成されている。導体層４７１Ａ，４７１Ｂ，４７２Ａ，４７２Ｂ，４７３Ａ，４７３Ｂは、それぞれ、図７に示した導体層４５１Ａ，４５１Ｂ，４５２Ａ，４５２Ｂ，４５３Ａ，４５３Ｂに対向している。

図８に示した導体層４６１の第１の部分４６１ａ、第２の部分４６１ｂ、第３の部分４６１ｃは、それぞれ、誘電体層４６を介して図９に示した導体層４７１Ａ，４７２Ａ，４７３Ａに対向している。同様に、図８に示した導体層４６２の第１の部分４６２ａ、第２の部分４６２ｂ、第３の部分４６２ｃは、それぞれ、誘電体層４６を介して図９に示した導体層４７１Ｂ，４７２Ｂ，４７３Ｂに対向している。図８に示した導体層４６３は、誘電体層４６を介して図９に示した導体層４７３Ａ，４７３Ｂに対向している。

図１に示したキャパシタ７５は、導体層４３３Ａ，４４３，４５３Ａ，４６３，４７３Ａと誘電体層４３，４４，４５，４６とによって構成されている。図１に示したキャパシタ７６は、導体層４３３Ｂ，４４３，４５３Ｂ，４６３，４７３Ｂと誘電体層４３，４４，４５，４６とによって構成されている。

また、図９に示した誘電体層４７には、それぞれ導体層４７１Ａ，４７１Ｂ，４７２Ａ，４７２Ｂ，４７３Ａ，４７３Ｂに接続されたスルーホール４７４Ａ，４７４Ｂ，４７５Ａ，４７５Ｂ，４７６Ａ，４７６Ｂと、スルーホール４７７とが形成されている。スルーホール４７４Ａ，４７４Ｂ，４７５Ａ，４７５Ｂ，４７６Ａ，４７６Ｂ，４７７には、それぞれ、図８に示したスルーホール４６４Ａ，４６４Ｂ，４６５Ａ，４６５Ｂ，４６６Ａ，４６６Ｂ，４６７が接続されている。

図７ないし図９に示したように、導体層４６１の第１の部分４６１ａは、誘電体層４５を介して導体層４５１Ａに対向していると共に、誘電体層４６を介して導体層４７１Ａに対向している。これら第１の部分４６１ａ、導体層４５１Ａ，４７１Ａ、誘電体層４５，４６によって、本発明における第１のキャパシタに対応するキャパシタが形成される。また、導体層４６１の第２の部分４６１ｂは、誘電体層４５を介して導体層４５２Ａに対向していると共に、誘電体層４６を介して導体層４７２Ａに対向している。これら第２の部分４６１ｂ、導体層４５２Ａ，４７２Ａ、誘電体層４５，４６によって、本発明における第２のキャパシタに対応するキャパシタが形成される。第１の部分４６１ａ、導体層４５１Ａ，４７１Ａ、誘電体層４５，４６によって形成されるキャパシタと、第２の部分４６１ｂ、導体層４５２Ａ，４７２Ａ、誘電体層４５，４６によって形成されるキャパシタは、直列に接続され、この２つのキャパシタによって図１に示したキャパシタ２７が構成される。

同様に、導体層４６２の第１の部分４６２ａは、誘電体層４５を介して導体層４５１Ｂに対向していると共に、誘電体層４６を介して導体層４７１Ｂに対向している。これら第１の部分４６２ａ、導体層４５１Ｂ，４７１Ｂ、誘電体層４５，４６によって、本発明における第１のキャパシタに対応するキャパシタが形成される。また、導体層４６２の第２の部分４６２ｂは、誘電体層４５を介して導体層４５２Ｂに対向していると共に、誘電体層４６を介して導体層４７２Ｂに対向している。これら第２の部分４６２ｂ、導体層４５２Ｂ，４７２Ｂ、誘電体層４５，４６によって、本発明における第２のキャパシタに対応するキャパシタが形成される。第１の部分４６２ａ、導体層４５１Ｂ，４７１Ｂ、誘電体層４５，４６によって形成されるキャパシタと、第２の部分４６２ｂ、導体層４５２Ｂ，４７２Ｂ、誘電体層４５，４６によって形成されるキャパシタは、直列に接続され、この２つのキャパシタによって図１に示したキャパシタ２８が構成される。

図１０に示した８層目の誘電体層４８の上面には、導体層４８１，４８２が形成されている。導体層４８１の一端部は平衡入出力端子３Ａに接続され、導体層４８２の一端部は平衡出力端子３Ｂに接続されている。また、誘電体層４８には、スルーホール４８４Ａ，４８４Ｂ，４８５Ａ，４８５Ｂ，４８６Ａ，４８６Ｂ，４８７が形成されている。スルーホール４８５Ａは、導体層４８１の他端部に接続されている。スルーホール４８５Ｂは、導体層４８２の他端部に接続されている。また、スルーホール４８４Ａ，４８４Ｂ，４８５Ａ，４８５Ｂ，４８６Ａ，４８６Ｂ，４８７には、それぞれ、図９に示したスルーホール４７４Ａ，４７４Ｂ，４７５Ａ，４７５Ｂ，４７６Ａ，４７６Ｂ，４７７が接続されている。

図１１に示した９層目の誘電体層４９の上面には、導体層４９１が形成されている。導体層４９１の一端部は不平衡入出力端子２に接続されている。また、誘電体層４９には、スルーホール４９４Ａ，４９４Ｂ，４９５Ａ，４９５Ｂ，４９６Ａ，４９６Ｂが形成されている。スルーホール４９４Ａ，４９４Ｂ，４９５Ａ，４９５Ｂ，４９６Ａ，４９６Ｂには、それぞれ、図１０に示したスルーホール４８４Ａ，４８４Ｂ，４８５Ａ，４８５Ｂ，４８６Ａ，４８６Ｂが接続されている。また、導体層４９１には、図１０に示したスルーホール４８７が接続されている。

図１２に示した１０層目の誘電体層５０には、スルーホール５０４Ａ，５０４Ｂ，５０５Ａ，５０５Ｂ，５０６Ａ，５０６Ｂが形成されている。スルーホール５０４Ａ，５０４Ｂ，５０５Ａ，５０５Ｂ，５０６Ａ，５０６Ｂには、それぞれ、図１１に示したスルーホール４９４Ａ，４９４Ｂ，４９５Ａ，４９５Ｂ，４９６Ａ，４９６Ｂが接続されている。

図１３に示した１１層目の誘電体層５１の上面には、共振器用導体層５１１，５１２，５１３が形成されている。導体層５１１は、一方向に長い主要部分５１１ｍと、主要部分５１１ｍの一端部から延びるように形成された腕部５１１ａと、主要部分５１１ｍの他端部から延びるように形成された腕部５１１ｂとを有している。導体層５１２は、一方向に長い主要部分５１２ｍと、主要部分５１２ｍの一端部から延びるように形成された腕部５１２ａと、主要部分５１２ｍの他端部から延びるように形成された腕部５１２ｂとを有している。導体層５１３は、一方向に長い形状を有している。導体層５１１，５１２，５１３は、それぞれ共振器１１，１２，１３の一部を構成する。

主要部分５１１ｍ、導体層５１３および主要部分５１２ｍは、同じ誘電体層５１の上において、互いに平行に配置されている。導体層５１３は、主要部分５１１ｍ，５１２ｍの間に配置されている。そして、導体層５１１と導体層５１３は誘導結合し、導体層５１２と導体層５１３も誘導結合している。

また、誘電体層５１には、スルーホール５１４Ａ，５１４Ｂ，５１５Ａ，５１５Ｂ，５１６Ａ，５１６Ｂが形成されている。スルーホール５１４Ａは腕部５１１ａに接続されている。スルーホール５１４Ｂは腕部５１１ｂに接続されている。スルーホール５１５Ａは腕部５１２ａに接続されている。スルーホール５１５Ｂは腕部５１２ｂに接続されている。スルーホール５１６Ａは導体層５１３の一端部に接続されている。スルーホール５１６Ｂは導体層５１３の他端部に接続されている。また、スルーホール５１４Ａ，５１４Ｂ，５１５Ａ，５１５Ｂ，５１６Ａ，５１６Ｂには、それぞれ、図１２に示したスルーホール５０４Ａ，５０４Ｂ，５０５Ａ，５０５Ｂ，５０６Ａ，５０６Ｂが接続されている。

図１４に示した１２層目の誘電体層５２の上面には、共振器用導体層５２１，５２２，５２３が形成されている。導体層５２１は、一方向に長い主要部分５２１ｍと、主要部分５２１ｍの一端部から延びるように形成された腕部５２１ａと、主要部分５２１ｍの他端部から延びるように形成された腕部５２１ｂとを有している。導体層５２２は、一方向に長い主要部分５２２ｍと、主要部分５２２ｍの一端部から延びるように形成された腕部５２２ａと、主要部分５２２ｍの他端部から延びるように形成された腕部５２２ｂとを有している。導体層５２３は、一方向に長い形状を有している。導体層５２１，５２２，５２３は、それぞれ共振器１１，１２，１３の他の一部を構成する。

主要部分５２１ｍ、導体層５２３および主要部分５２２ｍは、同じ誘電体層５２の上において、互いに平行に配置されている。導体層５２３は、主要部分５２１ｍ，５２２ｍの間に配置されている。そして、導体層５２１と導体層５２３は誘導結合し、導体層５２２と導体層５２３も誘導結合している。また、導体層５２１，５２２，５２３は、それぞれ、図１３に示した誘電体層５１を介して、図１３に示した導体層５１１，５１２，５１３に対向している。

腕部５２１ａ，５２１ｂ，５２２ａ，５２２ｂには、それぞれ、図１３に示したスルーホール５１４Ａ，５１４Ｂ，５１５Ａ，５１５Ｂが接続されている。導体層５２３の一端部には、図１３に示したスルーホール５１６Ａが接続されている。導体層５２３の他端部には、図１３に示したスルーホール５１６Ｂが接続されている。

導体層５１１，５２１によって構成される共振器１１の一方の端部には、導体層４３１Ａ，４５１Ａ，４７１Ａが接続されている。このうち、導体層４５１Ａ，４７１Ａは、誘電体層４５，４６を介して導体層４６１の第１の部分４６１ａに対向するため、本発明における第１の電極に対応する。また、共振器１１の他方の端部には、導体層４３１Ｂ，４５１Ｂ，４７１Ｂが接続されている。このうち、導体層４５１Ｂ，４７１Ｂは、誘電体層４５，４６を介して導体層４６２の第１の部分４６２ａに対向するため、本発明における第１の電極に対応する。

導体層５１２，５２２によって構成される共振器１２の一方の端部には、導体層４３２Ａ，４５２Ａ，４７２Ａが接続されている。このうち、導体層４５２Ａ，４７２Ａは、誘電体層４５，４６を介して導体層４６１の第２の部分４６１ｂに対向するため、本発明における第２の電極に対応する。また、共振器１２の他方の端部には、導体層４３２Ｂ，４５２Ｂ，４７２Ｂが接続されている。このうち、導体層４５２Ｂ，４７２Ｂは、誘電体層４５，４６を介して導体層４６２の第２の部分４６２ｂに対向するため、本発明における第２の電極に対応する。

導体層５１３，５２３によって構成される共振器１３の一方の端部には、導体層４３３Ａ，４５３Ａ，４７３Ａが接続されている。このうち、導体層４５３Ａ，４７３Ａは、誘電体層４５，４６を介して導体層４６１の第３の部分４６１ｃに対向するため、本発明における第３の電極に対応する。また、共振器１３の他方の端部には、導体層４３３Ｂ，４５３Ｂ，４７３Ｂが接続されている。このうち、導体層４５３Ｂ，４７３Ｂは、誘電体層４５，４６を介して導体層４６２の第３の部分４６２ｃに対向するため、本発明における第３の電極に対応する。

図１５に示したように、１３層目ないし１７層目の誘電体層５３〜５７の上面には、導体層は形成されていない。

図１６に示した１８層目の誘電体層５８の上面には、グランド用導体層５８１が形成されている。このグランド用導体層５８１は、グランド端子３１，３２に接続されている。

図１７に示したように、誘電体層５８の下面、すなわち積層基板３０の底面には、端子２，３Ａ，３Ｂ，３１，３２，３３に接続される導体層６０２，６０３Ａ，６０３Ｂ，６３１，６３２，６３３が形成されている。

なお、本実施の形態において、積層基板３０としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板３０としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。

以上説明したように、本実施の形態に係る高周波フィルタ１は、隣接しない共振器１１と共振器１２とを容量結合するための容量結合用導体層４６１，４６２を備えている。導体層４６１は、共振器１１との間にキャパシタを形成するための第１の部分４６１ａと、共振器１２との間にキャパシタを形成するための第２の部分４６１ｂと、長手方向の一方の端部が第１の部分４６１ａに接続され、長手方向の他方の端部が第２の部分４６１ｂに接続された第３の部分４６１ｃとを有している。導体層４６２は、共振器１１との間にキャパシタを形成するための第１の部分４６２ａと、共振器１２との間にキャパシタを形成するための第２の部分４６２ｂと、長手方向の一方の端部が第１の部分４６２ａに接続され、長手方向の他方の端部が第２の部分４６２ｂに接続された第３の部分４６２ｃとを有している。

導体層４６１において、第３の部分４６１ｃの幅は、第１の部分４６１ａの幅および第２の部分４６１ｂの幅よりも小さい。そのため、本実施の形態では、第３の部分４６１ｃの幅が第１の部分４６１ａの幅および第２の部分４６１ｂの幅と等しいか、第１の部分４６１ａの幅および第２の部分４６１ｂの幅よりも大きい場合に比べて、第３の部分４６１ｃと共振器１３の間に発生する容量を小さくすることができる。なお、図８に示した例では、第３の部分４６１ｃ全体の幅が第１の部分４６１ａの幅および第２の部分４６１ｂの幅よりも小さくなっている。しかし、本実施の形態では、第３の部分４６１ｃのうちの少なくとも一部、特に導体層４５３Ａ，４７３Ａに対向する部分の幅が第１の部分４６１ａの幅および第２の部分４６１ｂの幅よりも小さくなっていればよい。これにより、上記の効果が得られる。

同様に、導体層４６２において、第３の部分４６２ｃの幅は、第１の部分４６２ａの幅および第２の部分４６２ｂの幅よりも小さい。そのため、本実施の形態では、第３の部分４６２ｃの幅が第１の部分４６２ａの幅および第２の部分４６２ｂの幅と等しいか、第１の部分４６２ａの幅および第２の部分４６２ｂの幅よりも大きい場合に比べて、第３の部分４６２ｃと共振器１３の間に発生する容量を小さくすることができる。なお、図８に示した例では、第３の部分４６２ｃ全体の幅が第１の部分４６２ａの幅および第２の部分４６２ｂの幅よりも小さくなっている。しかし、本実施の形態では、第３の部分４６２ｃのうちの少なくとも一部、特に導体層４５３Ｂ，４７３Ｂに対向する部分の幅が第１の部分４６２ａの幅および第２の部分４６２ｂの幅よりも小さくなっていればよい。これにより、上記の効果が得られる。

以上のことから、本実施の形態によれば、容量結合用導体層４６１，４６２によって発生する共振器１１，１３間の容量結合の大きさおよび共振器１２，１３間の容量結合の大きさを小さくしながら、隣接しない共振器１１，１２間の容量結合の大きさを調整することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、高周波フィルタ１の特性の調整が容易になる。

また、本実施の形態に係る高周波フィルタ１では、隣接する共振器１１，１３間の結合方法および隣接する共振器１２，１３間の結合方法は、それぞれ主に誘導結合である。この場合、後で説明するシミュレーョンの結果から分かるように、上述のように隣接する共振器１１，１３間の容量結合の大きさおよび隣接する共振器１２，１３間の容量結合の大きさを小さくすることにより、バンドパスフィルタにおける通過帯域幅を大きくすることができると共に、通過帯域外の減衰量を大きくすることができる。

導体層４６１において、第３の部分４６１ｃのうちの少なくとも一部の幅は、第１の部分４６１ａの幅の２分の１以下であり、且つ第２の部分４６１ｂの幅の２分の１以下であることが好ましい。同様に、導体層４６２において、第３の部分４６２ｃのうちの少なくとも一部の幅は、第１の部分４６２ａの幅の２分の１以下であり、且つ第２の部分４６２ｂの幅の２分の１以下であることが好ましい。その理由については、後でシミュレーョンの結果を参照して説明する。

また、本実施の形態では、共振器１１〜１３の各端部とグランドとの間にキャパシタ２１〜２６を設けている。これにより、本実施の形態によれば、共振器１１〜１３の物理的な長さを、バンドバスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／２よりも短くすることができる。その結果、本実施の形態によれば、高周波フィルタ１の小型化が可能になる。

次に、本実施の形態に係る高周波フィルタ１の効果を確認するために行ったシミュレーョンの結果について説明する。このシミュレーョンでは、バンドパスフィルタの通過帯域がおよそ２４００〜２５００ＭＨｚになるように設計された高周波フィルタ１の第１ないし第４のモデルを使用した。２４００〜２５００ＭＨｚという通過帯域は、ブルートゥース規格の通信装置や無線ＬＡＮ用の通信装置において用いられるバンドパスフィルタの通過帯域に対応する。

第１ないし第４のモデルにおいて、導体層４６１の第１の部分４６１ａ、第２の部分４６１ｂおよび導体層４６２の第１の部分４６２ａ、第２の部分４６２ｂの各幅は、全て１７５μｍとした。第１のモデルでは、導体層４６１の第３の部分４６１ｃおよび導体層４６２の第３の部分４６２ｃの各幅を、上記第１の部分４６１ａ，４６２ａおよび第２の部分４６１ｂ，４６２ｂの幅と等しくした。第２のモデルでは、第３の部分４６１ｃ，４６２ｃの各幅を、上記第１の部分４６１ａ，４６２ａおよび第２の部分４６１ｂ，４６２ｂの幅の４分の３とした。第３のモデルでは、第３の部分４６１ｃ，４６２ｃの各幅を、上記第１の部分４６１ａ，４６２ａおよび第２の部分４６１ｂ，４６２ｂの幅の２分の１とした。第４のモデルでは、第３の部分４６１ｃ，４６２ｃの各幅を、上記第１の部分４６１ａ，４６２ａおよび第２の部分４６１ｂ，４６２ｂの幅の７分の２である５０μｍとした。

図１８ないし図２１は、それぞれ、シミュレーョンによって得られた第１ないし第４のモデルの通過・減衰特性を示す特性図である。図１８ないし図２１を比較すると分かるように、第３の部分４６１ｃ，４６２ｃの各幅が小さくなるほど、バンドパスフィルタにおける減衰極が急峻になり、通過帯域幅が大きくなり、通過帯域外の減衰量が大きくなる。従って、バンドパスフィルタにおける減衰極を急峻にし、通過帯域幅を大きくし、通過帯域外の減衰量を大きくするためには、第３の部分４６１ｃ，４６２ｃの各幅は小さいほどよい。

また、図１８ないし図２１を比較すると分かるように、第３の部分４６１ｃ，４６２ｃの各幅が、第１の部分４６１ａ，４６２ａおよび第２の部分４６１ｂ，４６２ｂの幅の２分の１以下になると、上述のように減衰極が急峻になり、通過帯域幅が大きくなり、通過帯域外の減衰量が大きくなるという効果が顕著になる。従って、第３の部分４６１ｃのうちの少なくとも一部の幅および第３の部分４６２ｃのうちの少なくとも一部の幅は、第１の部分４６１ａ，４６２ａおよび第２の部分４６１ｂ，４６２ｂの幅の２分の１以下であることが好ましい。

また、バンドパスフィルタの通過帯域が広帯域符号分割多重接続（Ｗ−ＣＤＭＡ）方式の携帯電話で使用される周波数帯域である１９２０〜２１７０ＭＨｚになるように高周波フィルタ１を設計する場合において、上記周波数帯域外における減衰量を３０ｄＢ以上とするには、第３の部分４６１ｃのうちの少なくとも一部の幅および第３の部分４６２ｃのうちの少なくとも一部の幅を、第１の部分４６１ａ，４６２ａおよび第２の部分４６１ｂ，４６２ｂの幅の２分の１以下にしなければならない。

なお、第３の部分４６１ｃのうちの少なくとも一部の幅および第３の部分４６２ｃのうちの少なくとも一部の幅を小さくすることには、製造技術の面から限界がある。現状の技術から考えると、第３の部分４６１ｃのうちの少なくとも一部の幅および第３の部分４６２ｃのうちの少なくとも一部の幅は、５０μｍ以上であることが好ましい。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る高周波フィルタについて説明する。まず、図２２および図２３を参照して、本実施の形態に係る高周波フィルタの構成について説明する。図２２は、本実施の形態に係る高周波フィルタの回路構成を示す回路図である。図２３は、本実施の形態に係る高周波フィルタの外観を示す斜視図である。

図２２に示したように、本実施の形態に係る高周波フィルタ１０１は、信号の入出力が行われる２つの入出力端子１０２，１０３と、それぞれＴＥＭ線路よりなる共振器１１１，１１２，１１３とを備えている。共振器１１１，１１２，１１３は、回路構成上、入出力端子１０２，１０３の間に設けられている。

共振器１１１，１１２，１１３はいずれも、一方の端部が開放され、他方の端部が短絡された１／４波長共振器である。この共振器１１１，１１２，１１３はいずれも、一方向に長い形状を有している。共振器１１３は、共振器１１１と共振器１１２の間に配置されている。また、共振器１１１，１１２，１１３は互いに平行に配置されている。隣接する共振器１１１，１１３は誘導結合し、隣接する共振器１１２，１１３も誘導結合している。共振器１１１，１１２，１１３は、それぞれ本発明における第１の共振器、第２の共振器、第３の共振器に対応する。

高周波フィルタ１０１は、更に、共振器１１１の一方の端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ１２１と、共振器１１２の一方の端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ１２２と、共振器１１３の一方の端部とグランドとの間に設けられたキャパシタ１２３とを備えている。入出力端子１０２は、共振器１１１の一方の端部に接続されている。入出力端子１０３は、共振器１１２の一方の端部に接続されている。共振器１１１，１１２，１１３の各他方の端部はグランドに接続されている。

高周波フィルタ１０１は、更に、共振器１１１の一方の端部と共振器１１３の一方の端部との間に設けられたキャパシタ１２４と、共振器１１２の一方の端部と共振器１１３の一方の端部との間に設けられたキャパシタ１２５と、共振器１１１の一方の端部と共振器１１２の一方の端部との間に設けられたキャパシタ１２６とを備えている。

図２３に示したように、高周波フィルタ１０１は、更に、高周波フィルタ１０１の構成要素を一体化するための積層基板１３０を備えている。後で詳しく説明するが、積層基板１３０は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含んでいる。共振器１１１，１１２，１１３は、積層基板１３０内の導体層を用いて構成されている。また、共振器１１１，１１２，１１３は、分布定数線路になっている。キャパシタ１２１〜１２６は、積層基板１３０内の導体層と誘電体層を用いて構成されている。

隣接する共振器１１１，１１３は誘導結合し、隣接する共振器１１２，１１３も誘導結合している。また、共振器１１１，１１３はキャパシタ１２４を介して容量結合し、共振器１１２，１１３はキャパシタ１２５を介して容量結合し、共振器１１１，１１２はキャパシタ１２６を介して容量結合している。共振器１１１，１１２，１１３は、所定の周波数帯域内の周波数の信号を選択的に通過させるバンドパスフィルタを構成する。このバンドパスフィルタにおける２つの減衰極の周波数と通過帯域幅は、共振器１１１，１１３の誘導結合、共振器１１２，１１３の誘導結合、共振器１１１，１１３の容量結合、共振器１１２，１１３の容量結合および共振器１１１，１１２の容量結合の各大きさによって調整することができる。

次に、本実施の形態に係る高周波フィルタ１０１の作用について説明する。高周波フィルタ１０１の入出力端子１０２に信号が入力された場合には、この信号のうち、所定の周波数帯域内の周波数の信号が選択的に、共振器１１１，１１２，１１３によって構成されるバンドパスフィルタを通過し、入出力端子１０３から出力される。逆に、入出力端子１０３に信号が入力された場合には、この信号のうち、所定の周波数帯域内の周波数の信号が選択的に、共振器１１１，１１２，１１３によって構成されるバンドパスフィルタを通過し、入出力端子１０２から出力される。

次に、図２３ないし図３８を参照して、積層基板１３０の構成について詳しく説明する。図２３に示したように、積層基板１３０は、上面と底面と４つの側面を有する直方体形状をなしている。積層基板１３０の上面、側面および底面には、端子１０２，１０３と、２つのグランド端子１３１，１３２が配置されている。

図２４ないし図３５は、それぞれ、上から１層目ないし１２層目の誘電体層の上面を示している。図３６は、上から１３層目ないし１５層目の誘電体層の上面を代表して示している。図３７は、上から１６層目の誘電体層の上面を示している。図３８は、上から１６層目の誘電体層およびその下の導体層を、上から見た状態で表したものである。図２４に示した１層目の誘電体層１４１の上面には、導体層は形成されていない。

図２５に示した２層目の誘電体層１４２の上面には、グランド用導体層７２１が形成されている。このグランド用導体層７２１は、グランド端子１３１，１３２に接続されている。

図２６に示した３層目の誘電体層１４３の上面には、電極用導体層７３１，７３２，７３３が形成されている。導体層７３１，７３２，７３３は、図２５に示した誘電体層１４２を介して、図２５に示したグランド用導体層７２１に対向している。また、誘電体層１４３には、それぞれ導体層７３１，７３２，７３３に接続されたスルーホール７３４，７３５，７３６が形成されている。

図２７に示した４層目の誘電体層１４４の上面には、グランド用導体層７４１が形成されている。このグランド用導体層７４１は、グランド端子１３２に接続されている。また、グランド用導体層７４１は、図２６に示した誘電体層１４３を介して、図２６に示した導体層７３１，７３２，７３３に対向している。また、誘電体層１４４には、スルーホール７４４，７４５，７４６が形成されている。スルーホール７４４，７４５，７４６には、それぞれ、図２６に示したスルーホール７３４，７３５，７３６が接続されている。

図２８に示した５層目の誘電体層１４５の上面には、電極用導体層７５１，７５２，７５３が形成されている。導体層７５１，７５２，７５３は、図２７に示した誘電体層１４４を介して、図２７に示したグランド用導体層７４１に対向している。また、誘電体層１４５には、それぞれ導体層７５１，７５２，７５３に接続されたスルーホール７５４，７５５，７５６が形成されている。スルーホール７５４，７５５，７５６には、それぞれ、図２７に示したスルーホール７４４，７４５，７４６が接続されている。

図２２に示したキャパシタ１２１は、導体層７２１，７３１，７４１，７５１と誘電体層１４２，１４３，１４４とによって構成されている。図２２に示したキャパシタ１２２は、導体層７２１，７３２，７４１，７５２と誘電体層１４２，１４３，１４４とによって構成されている。図２２に示したキャパシタ１２３は、導体層７２１，７３３，７４１，７５３と誘電体層１４２，１４３，１４４とによって構成されている。

図２９に示した６層目の誘電体層１４６の上面には、容量結合用導体層７６１，７６２が形成されている。導体層７６１は、図２８に示した誘電体層１４５を介して、図２８に示した導体層７５１，７５２，７５３に対向している。また、誘電体層１４６には、スルーホール７６４，７６５，７６６が形成されている。スルーホール７６６は導体層７６１に接続されている。また、スルーホール７６４，７６５，７６６には、それぞれ、図２８に示したスルーホール７５４，７５５，７５６が接続されている。

導体層７６２は、共振器１１１との間にキャパシタを形成するための第１の部分７６２ａと、共振器１１２との間にキャパシタを形成するための第２の部分７６２ｂと、長手方向の一方の端部が第１の部分７６２ａに接続され、長手方向の他方の端部が第２の部分７６２ｂに接続された第３の部分７６２ｃとを有している。第１の部分７６２ａ、第２の部分７６２ｂ、第３の部分７６２ｃは、それぞれ、図２８に示した誘電体層１４５を介して図２８に示した導体層７５１，７５２，７５３に対向している。

導体層７６２において、第３の部分７６２ｃの幅は、第１の部分７６２ａの幅および第２の部分７６２ｂの幅よりも小さい。ここで、第１の部分７６２ａ、第２の部分７６２ｂ、第３の部分７６２ｃの各幅とは、それぞれ、導体層７６２の上面に平行で、且つ第３の部分７６２ｃの長手方向に直交する方向についての第１の部分７６２ａ、第２の部分７６２ｂ、第３の部分７６２ｃの各長さを言う。

図３０に示した７層目の誘電体層１４７の上面には、電極用導体層７７１，７７２，７７３が形成されている。導体層７７１，７７２，７７３は、それぞれ、図２９に示した誘電体層１４６を介して、図２７に示した導体層７６１に対向している。また、導体層７７１，７７２，７７３は、それぞれ、図２９に示した誘電体層１４６を介して、図２７に示した導体層７６２の第１の部分７６２ａ、第２の部分７６２ｂ、第３の部分７６２ｃに対向している。また、誘電体層１４７には、それぞれ導体層７７１，７７２，７７３に接続されたスルーホール７７４，７７５，７７６が形成されている。スルーホール７７４，７７５，７７６には、それぞれ、図２９に示したスルーホール７６４，７６５，７６６が接続されている。

図２２に示したキャパシタ１２４は、導体層７５１，７５３，７６１，７７１，７７３と誘電体層１４５，１４６とによって構成されている。また、図２２に示したキャパシタ１２５は、導体層７５２，７５３，７６１，７７２，７７３と誘電体層１４５，１４６とによって構成されている。

図２８ないし図３０に示したように、導体層７６２の第１の部分７６２ａは、誘電体層１４５を介して導体層７５１に対向していると共に、誘電体層１４６を介して導体層７７１に対向している。これら第１の部分７６２ａ、導体層７５１，７７１、誘電体層１４５，１４６によって、本発明における第１のキャパシタに対応するキャパシタが形成される。また、導体層７６２の第２の部分７６２ｂは、誘電体層１４５を介して導体層７５２に対向していると共に、誘電体層１４６を介して導体層７７２に対向している。これら第２の部分７６２ｂ、導体層７５２，７７２、誘電体層１４５，１４６によって、本発明における第２のキャパシタに対応するキャパシタが形成される。第１の部分７６２ａ、導体層７５１，７７１、誘電体層１４５，１４６によって形成されるキャパシタと、第２の部分７６２ｂ、導体層７５２，７７２、誘電体層１４５，１４６によって形成されるキャパシタは、直列に接続され、この２つのキャパシタによって図２２に示したキャパシタ１２６が構成される。

図３１に示した８層目の誘電体層１４８には、スルーホール７８４，７８５，７８６が形成されている。スルーホール７８４，７８５，７８６には、それぞれ、図３０に示したスルーホール７７４，７７５，７７６が接続されている。

図３２に示した９層目の誘電体層１４９には、スルーホール７９４，７９５，７９６が形成されている。スルーホール７９４，７９５，７９６には、それぞれ、図３１に示したスルーホール７８４，７８５，７８６が接続されている。

図３３に示した１０層目の誘電体層１５０の上面には、導体層８０１，８０２が形成されている。導体層８０１の一端部は入出力端子２に接続され、導体層８０２の一端部は入出力端子３に接続されている。また、誘電体層１５０には、スルーホール８０４，８０５，８０６が形成されている。スルーホール８０４は、導体層８０１の他端部に接続されている。スルーホール８０５は、導体層８０２の他端部に接続されている。また、スルーホール８０４，８０５，８０６には、それぞれ、図３２に示したスルーホール７９４，７９５，７９６が接続されている。

図３４に示した１１層目の誘電体層１５１には、スルーホール８１４，８１５，８１６が形成されている。スルーホール８１４，８１５，８１６には、それぞれ、図３３に示したスルーホール８０４，８０５，８０６が接続されている。

図３５に示した１２層目の誘電体層１５２の上面には、共振器用導体層８２１，８２２，８２３が形成されている。導体層８２１は、一方向に長い主要部分８２１ｍと、主要部分８２１ｍの一端部から延びるように形成された腕部８２１ａとを有している。導体層８２２は、一方向に長い主要部分８２２ｍと、主要部分８２２ｍの一端部から延びるように形成された腕部８２２ａとを有している。導体層８２３は、一方向に長い形状を有している。導体層８２１，８２２，８２３は、それぞれ共振器１１１，１１２，１１３を構成する。

また、誘電体層１５２には、スルーホール８２４，８２５，８２６が形成されている。スルーホール８２４は腕部８２１ａに接続されている。スルーホール８２５は腕部８２２ａに接続されている。スルーホール８２６は導体層８２３の一端部に接続されている。また、スルーホール８２４，８２５，８２６には、それぞれ、図３４に示したスルーホール８１４，８１５，８１６が接続されている。また、主要部分８２１ｍ，８２２ｍ、導体層８２３の各他端部はグランド端子１３２に接続されている。

主要部分８２１ｍ、導体層８２３および主要部分８２２ｍは、同じ誘電体層１５２の上において、互いに平行に配置されている。導体層８２３は、主要部分８２１ｍ，８２２ｍの間に配置されている。そして、導体層８２１と導体層８２３は誘導結合し、導体層８２２と導体層８２３も誘導結合している。

導体層８２１によって構成される共振器１１１の一方の端部には、導体層７３１，７５１，７７１，８０１が接続されている。このうち、導体層７５１，７７１は、誘電体層１４５，１４６を介して導体層７６２の第１の部分７６２ａに対向するため、本発明における第１の電極に対応する。

導体層８２２によって構成される共振器１１２の一方の端部には、導体層７３２，７５２，７７２，８０２が接続されている。このうち、導体層７５２，７７２は、誘電体層１４５，１４６を介して導体層７６２の第２の部分７６２ｂに対向するため、本発明における第２の電極に対応する。

導体層８２３によって構成される共振器１１３の一方の端部には、導体層７３３，７５３，７７３が接続されている。このうち、導体層７５３，７７３は、誘電体層１４５，１４６を介して導体層７６２の第３の部分７６２ｃに対向するため、本発明における第３の電極に対応する。

図３６に示したように、１３層目ないし１５層目の誘電体層１５３〜１５５の上面には、導体層は形成されていない。

図３７に示した１６層目の誘電体層１５６の上面には、グランド用導体層８６１が形成されている。このグランド用導体層８６１は、グランド端子１３１，１３２に接続されている。

図３８に示したように、誘電体層１５６の下面、すなわち積層基板１３０の底面には、端子１０２，１０３，１３１，１３２に接続される導体層９０２，９０３，９３１，９３２が形成されている。

なお、本実施の形態において、積層基板１３０としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板１３０としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。

以上説明したように、本実施の形態に係る高周波フィルタ１０１は、隣接しない共振器１１１と共振器１１２とを容量結合するための容量結合用導体層７６２を備えている。導体層７６２は、共振器１１１との間にキャパシタを形成するための第１の部分７６２ａと、共振器１１２との間にキャパシタを形成するための第２の部分７６２ｂと、長手方向の一方の端部が第１の部分７６２ａに接続され、長手方向の他方の端部が第２の部分７６２ｂに接続された第３の部分７６２ｃとを有している。

導体層７６２において、第３の部分７６２ｃの幅は、第１の部分７６２ａの幅および第２の部分７６２ｂの幅よりも小さい。そのため、本実施の形態では、第３の部分７６２ｃの幅が第１の部分７６２ａの幅および第２の部分７６２ｂの幅と等しいか、第１の部分７６２ａの幅および第２の部分７６２ｂの幅よりも大きい場合に比べて、第３の部分７６２ｃと共振器１１３の間に発生する容量を小さくすることができる。なお、図２９に示した例では、第３の部分７６２ｃ全体の幅が第１の部分７６２ａの幅および第２の部分７６２ｂの幅よりも小さくなっている。しかし、本実施の形態では、第３の部分７６２ｃのうちの少なくとも一部、特に導体層７５３，７７３に対向する部分の幅が第１の部分７６２ａの幅および第２の部分７６２ｂの幅よりも小さくなっていればよい。これにより、上記の効果が得られる。

以上のことから、本実施の形態によれば、容量結合用導体層７６２によって発生する共振器１１１，１１３間の容量結合の大きさおよび共振器１１２，１１３間の容量結合の大きさを小さくしながら、隣接しない共振器１１１，１１２間の容量結合の大きさを調整することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、高周波フィルタ１０１の特性の調整が容易になる。

第１の実施の形態と同様に、導体層７６２において、第３の部分７６２ｃのうちの少なくとも一部の幅は、第１の部分７６２ａの幅の２分の１以下であり、且つ第２の部分７６２ｂの幅の２分の１以下であることが好ましい。

また、本実施の形態では、共振器１１１〜１１３のそれぞれの一方の端部とグランドとの間にキャパシタ１２１〜１２３を設けている。これにより、本実施の形態によれば、共振器１１１〜１１３の物理的な長さを、バンドバスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４よりも短くすることができる。その結果、本実施の形態によれば、高周波フィルタ１０１の小型化が可能になる。

［第３の実施の形態］
次に、図３９および図４０を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る高周波フィルタについて説明する。本実施の形態に係る高周波フィルタ１の回路構成および外観は、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態に係る高周波フィルタ１では、積層基板３０における上から５層目の上面に形成された導体層および５層目の誘電体層に形成されたスルーホールの構成と、上から６層目の誘電体層の上面に形成された導体層の構成が、第１の実施の形態と異なっている。図３９は、本実施の形態における５層目の誘電体層の上面を示している。図４０は、本実施の形態における６層目の誘電体層の上面を示している。

図３９に示した５層目の誘電体層４５の上面には、第１の実施の形態と同様に、電極用導体層４５１Ａ，４５１Ｂ，４５２Ａ，４５２Ｂ，４５３Ａ，４５３Ｂが形成されている。また、誘電体層４５には、第１の実施の形態と同様に、それぞれ導体層４５１Ａ，４５１Ｂ，４５２Ａ，４５２Ｂ，４５３Ａ，４５３Ｂに接続されたスルーホール４５４Ａ，４５４Ｂ，４５５Ａ，４５５Ｂ，４５６Ａ，４５６Ｂと、スルーホール４５７とが形成されている。本実施の形態では、誘電体層４５には、更に、それぞれ導体層４５１Ａ，４５１Ｂに接続されたスルーホール４５８Ａ，４５８Ｂが形成されている。

図４０に示した６層目の誘電体層４６の上面には、容量結合用導体層４６８，４６９と、導体層４６３とが形成されている。導体層４６８は、共振器１２との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分４６８ａと、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分４６８ａに接続され、長手方向の他方の端部が共振器１１に接続された連結部分４６８ｂとを有している。導体層４６９は、共振器１２との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分４６９ａと、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分４６９ａに接続され、長手方向の他方の端部が共振器１１に接続された連結部分４６９ｂとを有している。

キャパシタ形成部分４６８ａは、図３９に示した誘電体層４５を介して図３９に示した導体層４５２Ａに対向している。連結部分４６８ｂの他方の端部は、図３９に示したスルーホール４５８Ａを介して図３９に示した導体層４５１Ａに接続されている。同様に、キャパシタ形成部分４６９ａは、図３９に示した誘電体層４５を介して図３９に示した導体層４５２Ｂに対向している。連結部分４６９ｂの他方の端部は、図３９に示したスルーホール４５８Ｂを介して図３９に示した導体層４５１Ｂに接続されている。導体層４６３は、図３９に示した誘電体層４５を介して図３９に示した導体層４５３Ａ，４５３Ｂに対向している。

導体層４６８において、連結部分４６８ｂの幅は、キャパシタ形成部分４６８ａの幅よりも小さい。ここで、キャパシタ形成部分４６８ａ、連結部分４６８ｂの各幅とは、それぞれ、導体層４６８の上面に平行で、且つ連結部分４６８ｂの長手方向に直交する方向についてのキャパシタ形成部分４６８ａ、連結部分４６８ｂの各長さを言う。

同様に、導体層４６９において、連結部分４６９ｂの幅は、キャパシタ形成部分４６９ａの幅よりも小さい。ここで、キャパシタ形成部分４６９ａ、連結部分４６９ｂの各幅とは、それぞれ、導体層４６９の上面に平行で、且つ連結部分４６９ｂの長手方向に直交する方向についてのキャパシタ形成部分４６９ａ、連結部分４６９ｂの各長さを言う。

また、誘電体層４６には、第１の実施の形態と同様に、スルーホール４６４Ａ，４６４Ｂ，４６５Ａ，４６５Ｂ，４６６Ａ，４６６Ｂ，４６７が形成されている。

図４０に示した導体層４６８のキャパシタ形成部分４６８ａ、連結部分４６８ｂは、それぞれ、誘電体層４６を介して図９に示した導体層４７２Ａ，４７３Ａに対向している。同様に、図４０に示した導体層４６９のキャパシタ形成部分４６９ａ、連結部分４６９ｂは、それぞれ、誘電体層４６を介して図９に示した導体層４７２Ｂ，４７３Ｂに対向している。

図３９、図４０および図９に示したように、導体層４６８のキャパシタ形成部分４６８ａは、誘電体層４５を介して導体層４５２Ａに対向していると共に、誘電体層４６を介して導体層４７２Ａに対向している。これらキャパシタ形成部分４６８ａ、導体層４５２Ａ，４７２Ａ、誘電体層４５，４６によって、導体層４６８と共振器１２との間にキャパシタが形成される。このキャパシタは、図１に示したキャパシタ２７となる。

同様に、導体層４６９のキャパシタ形成部分４６９ａは、誘電体層４５を介して導体層４５２Ｂに対向していると共に、誘電体層４６を介して導体層４７２Ｂに対向している。これらキャパシタ形成部分４６９ａ、導体層４５２Ｂ，４７２Ｂ、誘電体層４５，４６によって、導体層４６９と共振器１２との間にキャパシタが形成される。このキャパシタは、図１に示したキャパシタ２８となる。

以上説明したように、本実施の形態に係る高周波フィルタ１は、隣接しない共振器１１と共振器１２とを容量結合するための容量結合用導体層４６８，４６９を備えている。導体層４６８は、共振器１２との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分４６８ａと、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分４６８ａに接続され、長手方向の他方の端部が共振器１１に接続された連結部分４６８ｂとを有している。導体層４６９は、共振器１２との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分４６９ａと、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分４６９ａに接続され、長手方向の他方の端部が共振器１１に接続された連結部分４６９ｂとを有している。

導体層４６８において、連結部分４６８ｂの幅は、キャパシタ形成部分４６８ａの幅よりも小さい。そのため、本実施の形態では、連結部分４６８ｂの幅がキャパシタ形成部分４６８ａの幅と等しいか、キャパシタ形成部分４６８ａの幅よりも大きい場合に比べて、連結部分４６８ｂと共振器１３の間に発生する容量を小さくすることができる。なお、図４０に示した例では、連結部分４６８ｂ全体の幅がキャパシタ形成部分４６８ａの幅よりも小さくなっている。しかし、本実施の形態では、連結部分４６８ｂのうちの少なくとも一部、特に導体層４５３Ａ，４７３Ａに対向する部分の幅がキャパシタ形成部分４６８ａの幅よりも小さくなっていればよい。これにより、上記の効果が得られる。

同様に、導体層４６９において、連結部分４６９ｂの幅は、キャパシタ形成部分４６９ａの幅よりも小さい。そのため、本実施の形態では、連結部分４６９ｂの幅がキャパシタ形成部分４６９ａの幅と等しいか、キャパシタ形成部分４６９ａの幅よりも大きい場合に比べて、連結部分４６９ｂと共振器１３の間に発生する容量を小さくすることができる。なお、図４０に示した例では、連結部分４６９ｂ全体の幅がキャパシタ形成部分４６９ａの幅よりも小さくなっている。しかし、本実施の形態では、連結部分４６９ｂのうちの少なくとも一部、特に導体層４５３Ｂ，４７３Ｂに対向する部分の幅がキャパシタ形成部分４６９ａの幅よりも小さくなっていればよい。これにより、上記の効果が得られる。

以上のことから、本実施の形態によれば、容量結合用導体層４６８，４６９によって発生する共振器１１，１３間の容量結合の大きさおよび共振器１２，１３間の容量結合の大きさを小さくしながら、隣接しない共振器１１，１２間の容量結合の大きさを調整することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、高周波フィルタ１の特性の調整が容易になる。

第１の実施の形態と同様に、導体層４６８において、連結部分４６８ｂのうちの少なくとも一部の幅は、キャパシタ形成部分４６８ａの幅の２分の１以下であることが好ましく、導体層４６９において、連結部分４６９ｂのうちの少なくとも一部の幅は、キャパシタ形成部分４６９ａの幅の２分の１以下であることが好ましい。

また、本実施の形態によれば、第１の実施の形態に比べて、キャパシタ２７，２８を形成するために必要な領域の面積を小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、高周波フィルタ１の小型化が可能になる。

なお、本実施の形態において、容量結合用導体層４６８は、共振器１１との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分と、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分に接続され、長手方向の他方の端部が共振器１２に接続された連結部分とを有していてもよい。この場合、容量結合用導体層４６８の形状は、例えば、図４０に示した形状に対して左右対称な形状となり、図３９に示した誘電体層４５において、スルーホール４５８Ａの代わりに、導体層４５２Ａに接続され且つ容量結合用導体層４６８の連結部分の他方の端部に接続されたスルーホールが設けられる。

同様に、容量結合用導体層４６９は、共振器１１との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分と、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分に接続され、長手方向の他方の端部が共振器１２に接続された連結部分とを有していてもよい。この場合、容量結合用導体層４６９の形状は、例えば、図４０に示した形状に対して左右対称な形状となり、図３９に示した誘電体層４５において、スルーホール４５８Ｂの代わりに、導体層４５２Ｂに接続され且つ容量結合用導体層４６９の連結部分の他方の端部に接続されたスルーホールが設けられる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図４１を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る高周波フィルタについて説明する。本実施の形態に係る高周波フィルタ１０１の回路構成および外観は、第２の実施の形態と同様である。本実施の形態に係る高周波フィルタ１０１では、積層基板１３０における上から６層目の上面に形成された導体層および６層目の誘電体層に形成されたスルーホールの構成が、第２の実施の形態と異なっている。図４１は、本実施の形態における６層目の誘電体層の上面を示している。

図４１に示した６層目の誘電体層１４６の上面には、容量結合用導体層７６１，７６８が形成されている。導体層７６１の構成は、第２の実施の形態と同様である。また、誘電体層１４６には、第２の実施の形態と同様のスルーホール７６４，７６５，７６６が形成されている。

導体層７６８は、共振器１１２との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分７６８ａと、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分７６８ａに接続され、長手方向の他方の端部が共振器１１１に接続された連結部分７６８ｂとを有している。誘電体層１４６には、更に、連結部分７６８ｂの他方の端部に接続されたスルーホール７６９が形成されている。

キャパシタ形成部分７６８ａは、図２８に示した誘電体層１４５を介して図２８に示した導体層７５２に対向していると共に、図４１に示した誘電体層１４６を介して図３０に示した導体層７７２に対向している。これらキャパシタ形成部分７６８ａ、導体層７５２，７７２、誘電体層１４５，１４６によって、導体層７６８と共振器１２との間にキャパシタが形成される。このキャパシタは、図２２に示したキャパシタ１２６となる。

連結部分７６８ｂは、図２８に示した誘電体層１４５を介して図２８に示した導体層７５３に対向していると共に、図４１に示した誘電体層１４６を介して図３０に示した導体層７７３に対向している。連結部分７６８ｂの他方の端部は、図４１に示したスルーホール７６９を介して図３０に示した導体層７７１に接続されている。

導体層７６８において、連結部分７６８ｂの幅は、キャパシタ形成部分７６８ａの幅よりも小さい。ここで、キャパシタ形成部分７６８ａ、連結部分７６８ｂの各幅とは、それぞれ、導体層７６８の上面に平行で、且つ連結部分７６８ｂの長手方向に直交する方向についてのキャパシタ形成部分７６８ａ、連結部分７６８ｂの各長さを言う。

以上説明したように、本実施の形態に係る高周波フィルタ１０１は、隣接しない共振器１１１と共振器１１２とを容量結合するための容量結合用導体層７６８を備えている。導体層７６８は、共振器１１２との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分７６８ａと、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分７６８ａに接続され、長手方向の他方の端部が共振器１１１に接続された連結部分７６８ｂとを有している。

導体層７６８において、連結部分７６８ｂの幅は、キャパシタ形成部分７６８ａの幅よりも小さい。そのため、本実施の形態では、連結部分７６８ｂの幅がキャパシタ形成部分７６８ａの幅と等しいか、キャパシタ形成部分７６８ａの幅よりも大きい場合に比べて、連結部分７６８ｂと共振器１１３の間に発生する容量を小さくすることができる。なお、図４１に示した例では、連結部分７６８ｂ全体の幅がキャパシタ形成部分７６８ａの幅よりも小さくなっている。しかし、本実施の形態では、連結部分７６８ｂのうちの少なくとも一部、特に導体層７５３，７７３に対向する部分の幅がキャパシタ形成部分７６８ａの幅よりも小さくなっていればよい。これにより、上記の効果が得られる。

以上のことから、本実施の形態によれば、容量結合用導体層７６８によって発生する共振器１１１，１１３間の容量結合の大きさおよび共振器１１２，１１３間の容量結合の大きさを小さくしながら、隣接しない共振器１１１，１１２間の容量結合の大きさを調整することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、高周波フィルタ１０１の特性の調整が容易になる。

第２の実施の形態と同様に、導体層７６８において、連結部分７６８ｂのうちの少なくとも一部の幅は、キャパシタ形成部分７６８ａの幅の２分の１以下であることが好ましい。

また、本実施の形態によれば、第２の実施の形態に比べて、キャパシタ１２６を形成するために必要な領域の面積を小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、高周波フィルタ１０１の小型化が可能になる。

なお、本実施の形態において、容量結合用導体層７６８は、共振器１１１との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分と、長手方向の一方の端部がキャパシタ形成部分に接続され、長手方向の他方の端部が共振器１１２に接続された連結部分とを有していてもよい。この場合、容量結合用導体層７６８の形状は、例えば、図４１に示した形状に対して左右対称な形状となり、図４１に示した誘電体層１４６において、スルーホール７６９の代わりに、容量結合用導体層４６８の連結部分の他方の端部に接続され且つ導体層７７２に接続されたスルーホールが設けられる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明の高周波フィルタは、第１ないし第３の共振器を含む４個以上の共振器を備えていてもよい。

本発明の高周波フィルタは、ブルートゥース規格の通信装置や無線ＬＡＮ用の通信装置において用いられるフィルタ、特にバンドパスフィルタとして有用である。

本発明の第１の実施の形態に係る高周波フィルタの回路構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波フィルタの外観を示す斜視図である。 図２に示した積層基板における１層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における２層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における３層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における４層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における５層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における６層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における７層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における８層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における９層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における１０層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における１１層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における１２層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における１３層目ないし１７層目の誘電体層の上面を代表して示す平面図である。 図２に示した積層基板における１８層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２に示した積層基板における１８層目の誘電体層およびその下の導体層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波フィルタの効果を確認するために行ったシミュレーョンの結果を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波フィルタの効果を確認するために行ったシミュレーョンの結果を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波フィルタの効果を確認するために行ったシミュレーョンの結果を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波フィルタの効果を確認するために行ったシミュレーョンの結果を示す特性図である。 本発明の第２の実施の形態に係る高周波フィルタの回路構成を示す回路図である。 本発明の第２の実施の形態に係る高周波フィルタの外観を示す斜視図である。 図２３に示した積層基板における１層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における２層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における３層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における４層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における５層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における６層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における７層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における８層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における９層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における１０層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における１１層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における１２層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における１３層目ないし１５層目の誘電体層の上面を代表して示す平面図である。 図２３に示した積層基板における１６層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 図２３に示した積層基板における１６層目の誘電体層およびその下の導体層を示す平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る高周波フィルタの積層基板における５層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る高周波フィルタの積層基板における６層目の誘電体層の上面を示す平面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る高周波フィルタの積層基板における６層目の誘電体層の上面を示す平面図である。

符号の説明

１…高周波フィルタ、２…不平衡入出力端子、３Ａ，３Ｂ…平衡入出力端子、１１〜１３…共振器、２１〜２８…キャパシタ、３０…積層基板、４６１，４６２…容量結合用導体層、４６１ａ，４６２ａ…第１の部分、４６１ｂ，４６２ｂ…第２の部分、４６１ｃ，４６２ｃ…第３の部分。

Claims (6)

1. 交互に積層された誘電体層と導体層とを含む積層基板と、
   それぞれ前記積層基板内の導体層よりなる第１ないし第３の共振器を備え、
   前記第３の共振器は、前記第１の共振器と第２の共振器の間に配置され、
   前記第１の共振器と第３の共振器が誘導結合していると共に、前記第２の共振器と第３の共振器が誘導結合している高周波フィルタであって、
   前記第１ないし第３の共振器はいずれも両端開放の１／２波長共振器であり、
   更に、前記積層基板内の導体層よりなる、前記第１の共振器と第２の共振器とを容量結合するための２つの容量結合用導体層を備え、
   一方の容量結合用導体層は、前記第１の共振器と第２の共振器の一方の端部同士を結合し、他方の容量結合用導体層は、前記第１の共振器と第２の共振器の他方の端部同士を結合し、
   前記２つの容量結合用導体層は、それぞれ、前記第１の共振器との間に第１のキャパシタを形成するための第１の部分と、前記第２の共振器との間に第２のキャパシタを形成するための第２の部分と、長手方向の一方の端部が前記第１の部分に接続され、長手方向の他方の端部が前記第２の部分に接続された第３の部分とを有し、
   前記第３の部分のうちの少なくとも一部の幅は前記第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも小さく、
   更に、前記第３の共振器の両端の間にキャパシタを形成するためのそれぞれ１つ以上の第１ないし第３の導体層を備え、
   前記第１の導体層は、スルーホールを介して前記第３の共振器の一方の端部に接続され、
   前記第２の導体層は、他のスルーホールを介して前記第３の共振器の他方の端部に接続され、
   前記第３の導体層は、誘電体層を介して前記第１および第２の導体層に対向し、
   １つの第３の導体層は、前記２つの容量結合用導体層と同じ誘電体層の上に配置され、且つ前記２つの容量結合用導体層における２つの第３の部分のうち、前記第１の部分の幅および第２の部分の幅よりも幅が小さい２つの部分の間に配置されていることを特徴とする高周波フィルタ。
2. 前記第３の部分のうちの少なくとも一部の幅は、前記第１の部分の幅の２分の１以下であり、且つ前記第２の部分の幅の２分の１以下であることを特徴とする請求項１記載の高周波フィルタ。
3. 更に、それぞれ前記積層基板内の導体層よりなり、前記第１ないし第３の共振器に接続された第１ないし第３の電極を備え、
   前記第１ないし第３の電極は、それぞれ前記積層基板内の誘電体層を介して、１つの容量結合用導体層における前記第１の部分、第２の部分、第３の部分に対向していることを特徴とする請求項１または２記載の高周波フィルタ。
4. 交互に積層された誘電体層と導体層とを含む積層基板と、
   それぞれ前記積層基板内の導体層よりなる第１ないし第３の共振器を備え、
   前記第３の共振器は、前記第１の共振器と第２の共振器の間に配置され、
   前記第１の共振器と第３の共振器が誘導結合していると共に、前記第２の共振器と第３の共振器が誘導結合している高周波フィルタであって、
   前記第１ないし第３の共振器はいずれも両端開放の１／２波長共振器であり、
   更に、前記積層基板内の導体層よりなる、前記第１の共振器と第２の共振器とを容量結合するための２つの容量結合用導体層を備え、
   一方の容量結合用導体層は、前記第１の共振器と第２の共振器の一方の端部同士を結合し、他方の容量結合用導体層は、前記第１の共振器と第２の共振器の他方の端部同士を結合し、
   前記２つの容量結合用導体層は、それぞれ、前記第１の共振器と第２の共振器のうちの一方との間にキャパシタを形成するためのキャパシタ形成部分と、長手方向の一方の端部が前記キャパシタ形成部分に接続され、長手方向の他方の端部が前記第１の共振器と第２の共振器のうちの他方に接続された連結部分とを有し、
   前記連結部分のうちの少なくとも一部の幅は前記キャパシタ形成部分の幅よりも小さく、
   更に、前記第３の共振器の両端の間にキャパシタを形成するためのそれぞれ１つ以上の第１ないし第３の導体層を備え、
   前記第１の導体層は、スルーホールを介して前記第３の共振器の一方の端部に接続され、
   前記第２の導体層は、他のスルーホールを介して前記第３の共振器の他方の端部に接続され、
   前記第３の導体層は、誘電体層を介して前記第１および第２の導体層に対向し、
   １つの第３の導体層は、前記２つの容量結合用導体層と同じ誘電体層の上に配置され、且つ前記２つの容量結合用導体層における２つの連結部分のうち、前記キャパシタ形成部分の幅よりも幅が小さい２つの部分の間に配置されていることを特徴とする高周波フィルタ。
5. 前記連結部分のうちの少なくとも一部の幅は、前記キャパシタ形成部分の幅の２分の１以下であることを特徴とする請求項４記載の高周波フィルタ。
6. 更に、それぞれ前記積層基板内の導体層よりなり、前記第１ないし第３の共振器に接続された第１ないし第３の電極を備え、
   前記第１の電極と第２の電極の一方は、前記積層基板内の誘電体層を介して、１つの容量結合用導体層における前記キャパシタ形成部分に対向し、前記第３の電極は、前記積層基板内の誘電体層を介して、１つの容量結合用導体層における前記連結部分に対向していることを特徴とする請求項４または５記載の高周波フィルタ。

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