JP4191756B2 - Magnetic disk unit - Google Patents
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Description
本発明は、ヘッドディスクアッセンブリ(HDA)を有する磁気ディスク装置に関する。 The present invention relates to a magnetic disk device having a head disk assembly (HDA).
磁気ディスク装置に用いられるHDAは、記録媒体である磁気ディスクや高速回転中の磁気ディスクに対向して磁気情報の記録及び再生を行う磁気ヘッド、ヘッド駆動機構などを収納する筐体として金属製のベースとカバーを有し、ベースとカバーの当接部を密閉した気密構造により、筐体内部への塵埃の混入が防止されている。ベースとカバーの両部材間を密閉する部材には、例えば特許文献1、2に記載されているように、金属層を絶縁性樹脂層で挟んだ三層構造のシールテープを用いることが近年一般的となってきた。シールテープの金属層は電磁シールド効果を発揮し、絶縁性樹脂層はシールテープに柔軟性を与えて密閉性を向上させる。この三層構造のシールテープは、いずれか一方の絶縁性樹脂層に塗布した粘着剤によりベース及びカバーの外周面に沿って貼付されることで、該ベースとカバーの当接部を封止する。
上記シールテープによる封止は、従来、ひとつずつ手作業で実施されている。密閉度を向上させるためにシール貼付位置は厳密に規定されており、シール貼付位置が規定位置からずれた場合には、貼り付けたシールテープを剥がして、新たなシールテープを貼り直す必要がある。しかしながら、シールテープ剥離作業を行うと、HDAの素子部にダメージが生じることが判明した。 Conventionally, the sealing with the sealing tape is performed manually one by one. In order to improve the degree of sealing, the sticking position of the seal is strictly defined. If the sticking position of the sticker deviates from the specified position, it is necessary to peel off the sticking tape and reapply a new sealing tape. . However, it has been found that when the seal tape peeling operation is performed, the element portion of the HDA is damaged.
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、シールテープ−HDA間の静電気放電を防止し、HDA素子部にダメージを与えない磁気ディスク装置を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to obtain a magnetic disk device that prevents electrostatic discharge between the seal tape and the HDA and does not damage the HDA element portion.
本発明は、シールテープ剥離作業によりHDAの素子部がダメージを受ける原因が、シールテープ−HDA間で生じる静電気放電にあるとの結論に達して完成されたものである。シールテープ剥離作業によりシールテープ−HDA間で静電気放電が生じるメカニズムは、以下のように考えられる。すなわち、シールテープが絶縁性樹脂層内に金属層を有する層構造であることにより、シールテープをベースとカバーの当接部から剥離すると、先ず、粘着剤を塗布した側(HDAに接着している側)の絶縁性樹脂層(下部絶縁性樹脂層)に高電圧の剥離帯電が発生し、この剥離帯電により、金属層内に電荷が誘導される。シールテープの剥離量が増える(シールテープとHDAの接着面積が減少する)につれて、金属層内に誘導される電荷量は増え、下部絶縁性樹脂層を挟んで対向する金属層とHDAの間の静電容量は低下し、この静電容量低下に伴い金属層−HDA間の電圧は増大する。そして、金属層−HDA間の電圧が下部絶縁層の絶縁耐圧を超えると、金属層−HDA間で静電気放電(高電圧放電)が起こり、この静電気放電によりHDAの素子部がダメージを受ける。静電気放電が起こる可能性は、シールテープがHDAから完全に離れる瞬間、最も大きくなる。そこで、本発明は、シールテープを弾性層/金属層/弾性層/導電層の四層構造にして金属層−導電層間に電荷を蓄積させることで、シールテープ剥離に伴う金属層−HDA間の電圧増加を抑制することを提案する。 The present invention has been completed with the conclusion that the cause of damage to the HDA element due to the sealing tape peeling work is the electrostatic discharge generated between the sealing tape and the HDA. The mechanism by which electrostatic discharge occurs between the seal tape and the HDA due to the seal tape peeling operation is considered as follows. That is, since the sealing tape has a layer structure having a metal layer in the insulating resin layer, when the sealing tape is peeled off from the contact portion between the base and the cover, first, the adhesive-coated side (attached to the HDA) The high-voltage peeling charge is generated in the insulating resin layer (lower insulating resin layer) on the other side, and charge is induced in the metal layer by this peeling charging. As the amount of peeling of the sealing tape increases (the adhesive area between the sealing tape and HDA decreases), the amount of charge induced in the metal layer increases, and between the metal layer and the HDA facing each other across the lower insulating resin layer. The capacitance decreases, and the voltage between the metal layer and the HDA increases as the capacitance decreases. When the voltage between the metal layer and the HDA exceeds the withstand voltage of the lower insulating layer, electrostatic discharge (high voltage discharge) occurs between the metal layer and the HDA, and the element portion of the HDA is damaged by this electrostatic discharge. The potential for electrostatic discharge is greatest at the moment the seal tape is completely removed from the HDA. Therefore, the present invention has a four-layer structure of the seal tape of elastic layer / metal layer / elastic layer / conductive layer, and charges are accumulated between the metal layer and the conductive layer, so that the seal layer is peeled off between the metal layer and the HDA. We propose to suppress the voltage increase.
すなわち、本発明は、磁気ヘッド構造体を収納する金属製のベース及びカバーと、このベース及びカバーの外周面に貼付されて両部材間を密閉するシールテープとを備えたヘッドディスクアッセンブリを有する磁気ディスク装置において、シールテープは、ベース及びカバー側から順に下部弾性絶縁層、金属層、上部弾性絶縁層及び導電層を積層して形成されていることを特徴としている。上部弾性絶縁層上に導電層を設けることで、上部弾性絶縁層を挟んで対向する金属層と導電層が平行平板コンデンサとして機能し、金属層−導電層間に電荷が蓄積されるので、シールテープ剥離に伴って金属層−HDA間の静電容量が低下しても、金属層−導電層間の静電容量により、金属層−HDA間の電圧が過度に大きくならずに済む。 That is, the present invention provides a magnetic disk having a head disk assembly including a metal base and cover for housing a magnetic head structure, and a seal tape attached to the outer peripheral surface of the base and cover to seal between the two members. In the disk device, the seal tape is formed by laminating a lower elastic insulating layer, a metal layer, an upper elastic insulating layer, and a conductive layer in order from the base and the cover side. By providing a conductive layer on the upper elastic insulating layer, the metal layer and the conductive layer facing each other across the upper elastic insulating layer function as a parallel plate capacitor, and charges are accumulated between the metal layer and the conductive layer. Even if the capacitance between the metal layer and the HDA is reduced due to the peeling, the voltage between the metal layer and the HDA is not excessively increased due to the capacitance between the metal layer and the conductive layer.
上部弾性絶縁層は、下部弾性絶縁層よりも薄い。金属層と導電層の間に介在する上部弾性絶縁層が薄くなるほど金属層−導電層間の静電容量が大きくなり、また、金属層とベース及びカバーの間に介在することになる下部弾性絶縁層が厚くなるほど該下部弾性絶縁層の絶縁耐圧が上がるので、シールテープ剥離に伴う金属層−HDA間の電圧増大をより抑えられる。下部弾性絶縁層の厚さは、実際的には、電磁遮蔽する周波数に応じて決定されるので、上部弾性絶縁層は少なくとも下部弾性絶縁層より薄いことが好ましい。 Upper elastic insulating layer is not thin than the lower elastic insulating layer. The thinner the upper elastic insulating layer interposed between the metal layer and the conductive layer, the larger the capacitance between the metal layer and the conductive layer, and the lower elastic insulating layer interposed between the metal layer and the base and cover. Since the withstand voltage of the lower elastic insulating layer increases as the thickness of the lower elastic insulating layer increases, it is possible to further suppress an increase in voltage between the metal layer and the HDA due to peeling of the seal tape. Since the thickness of the lower elastic insulating layer is actually determined according to the frequency of electromagnetic shielding, it is preferable that the upper elastic insulating layer is at least thinner than the lower elastic insulating layer.
導電層は、ポリオキシエチレン系界面活性剤、またはアニオン・カチオン系界面活性剤により形成された帯電防止層であることが好ましい。あるいは、導電性樹脂材料により形成された導電性樹脂層であることが好ましい。導電層は、金属材料で形成することも勿論可能であるが、腐食等による耐久性を考慮する必要がある。 The conductive layer is preferably an antistatic layer formed of a polyoxyethylene surfactant or an anionic / cationic surfactant. Or it is preferable that it is the conductive resin layer formed of the conductive resin material. Of course, the conductive layer can be formed of a metal material, but it is necessary to consider durability due to corrosion or the like.
下部弾性絶縁層は、ベース及びカバーに接着する絶縁性粘着層と、この粘着層と金属層の間に介在する絶縁性樹脂層とにより形成されていることが実際的である。 It is practical that the lower elastic insulating layer is formed of an insulating adhesive layer that adheres to the base and the cover, and an insulating resin layer that is interposed between the adhesive layer and the metal layer.
本発明によれば、上部弾性絶縁層を挟んで対向する金属層と導電層がコンデンサとして機能するので、シールテープ剥離に伴って金属層−HDA間の静電容量が低下しても、金属層−導電層間の静電容量により金属層−HDA間の電圧増加は抑制される。これにより、シールテープ−HDA間の静電気放電を防止し、HDA素子部にダメージを与えない磁気ディスク装置が得られる。 According to the present invention, the metal layer and the conductive layer facing each other across the upper elastic insulating layer function as a capacitor. Therefore, even if the capacitance between the metal layer and the HDA is reduced due to peeling of the seal tape, the metal layer -The increase in voltage between the metal layer and the HDA is suppressed by the capacitance between the conductive layers. As a result, a magnetic disk device that prevents electrostatic discharge between the seal tape and the HDA and does not damage the HDA element portion can be obtained.
図1〜図3は、本発明の一実施形態によるHDAを有する磁気ディスク装置を示している。図1はHDA外観図である。HDAは、複数の磁気ヘッドからなる素子部や複数枚の磁気ディスク、素子部を駆動するための駆動機構等の磁気ヘッド構造体と、この磁気ヘッド構造体を収納する金属製のベース10及びカバー20と、このベース10及びカバー20の外周面に沿って貼付されて両部材間を密閉するシールテープ30とを有している。ベース10及びカバー20は、その外観形状が略長方形状をなし、HDA厚さ方向の上下に分離するタイプの筐体であって、不図示のネジ部材により一体化されている。ベース10とカバー20の当接部(当接面、当接位置)αは、図1の破線で示される。 1 to 3 show a magnetic disk device having an HDA according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is an external view of the HDA. The HDA includes a magnetic head structure such as an element unit composed of a plurality of magnetic heads, a plurality of magnetic disks, a drive mechanism for driving the element unit, and a metal base 10 and a cover for housing the magnetic head structure. 20 and a seal tape 30 which is affixed along the outer peripheral surfaces of the base 10 and the cover 20 and seals between both members. The base 10 and the cover 20 have a substantially rectangular shape and are separated from each other in the HDA thickness direction, and are integrated by a screw member (not shown). A contact portion (contact surface, contact position) α between the base 10 and the cover 20 is indicated by a broken line in FIG.
図2は、シールテープ30を単体で示す(A)断面図及び(B)平面図である。シールテープ30は、電磁遮蔽効果を発揮する金属層32と、この金属層32の上下に積層した、該シールテープ30に柔軟性を与えて密閉度を高める下部弾性絶縁層31及び上部弾性絶縁層33と、上部弾性絶縁層33の上に積層形成した導電層34とを有する多層構造をなしている。本明細書中では、ベース10及びカバー20に接着する側の弾性絶縁層を、下部弾性絶縁層31と定義する。 2A is a sectional view and FIG. 2B is a plan view showing the seal tape 30 as a single unit. The seal tape 30 includes a metal layer 32 that exhibits an electromagnetic shielding effect, and a lower elastic insulating layer 31 and an upper elastic insulating layer that are laminated above and below the metal layer 32 to give the seal tape 30 flexibility and increase hermeticity. 33 and a conductive layer 34 formed on the upper elastic insulating layer 33 to form a multilayer structure. In this specification, the elastic insulating layer on the side to be bonded to the base 10 and the cover 20 is defined as a lower elastic insulating layer 31.
金属層32は、アルミニウムやニッケル等の金属材料により10μm程度の厚さで形成されている。この金属層32はシールテープ30の全長に存在し、金属層32の幅寸法(短手方向の寸法)W32は、下部弾性絶縁層31と上部弾性絶縁層33によって完全に被覆されるように、下部弾性絶縁層31及び上部弾性絶縁層33の幅寸法(短手方向の寸法)W31、W33よりも狭く設定されている。シールテープ30がベース10及びカバー20に貼付されているとき、金属層32は、下部弾性絶縁層31を挟んで対向するベース10及びカバー20とともに平行平板コンデンサとして機能する一方、上部弾性絶縁層33を挟んで対向する導電層34とともに平行平板コンデンサとして機能する。 The metal layer 32 is formed with a thickness of about 10 μm from a metal material such as aluminum or nickel. The metal layer 32 exists over the entire length of the seal tape 30, and the width dimension (dimension in the short direction) W <b> 32 of the metal layer 32 is completely covered by the lower elastic insulating layer 31 and the upper elastic insulating layer 33. The lower elastic insulating layer 31 and the upper elastic insulating layer 33 are set to be narrower than the width dimensions (dimensions in the short direction) W31 and W33. When the seal tape 30 is affixed to the base 10 and the cover 20, the metal layer 32 functions as a parallel plate capacitor together with the base 10 and the cover 20 facing each other with the lower elastic insulating layer 31 interposed therebetween, while the upper elastic insulating layer 33. It functions as a parallel plate capacitor together with the conductive layer 34 facing each other.
下部弾性絶縁層31は、ベース10及びカバー20に接着する絶縁性粘着層31aと、この絶縁性粘着層31aと金属層32の間に介在する絶縁性樹脂層31bから構成されている。絶縁性粘着層31aは、例えばアクリル等による絶縁性樹脂粘着テープ(シート)からなり、その接着面(ベース10及びカバー20に対向する面)31a1がシールテープ30が貼付される前の状態では剥離紙で覆われている。絶縁性樹脂層31bは、例えばポリエチレンテレフタラート(PET)やポリ塩化ビニル(PVC)等の絶縁樹脂材料により形成されている。下部弾性絶縁層31は、その厚さが厚いほど、シールテープ30がベース10及びカバー20に貼付されているときに金属層32−ベース10及びカバー20間に生じる静電容量が小さくなり、絶縁耐圧を高めることができる。下部弾性絶縁層31の厚さは、具体的に本実施形態では30μm程度であるが、金属層32の電磁遮蔽する周波数に応じて決定されることが実際的である。 The lower elastic insulating layer 31 includes an insulating adhesive layer 31 a that adheres to the base 10 and the cover 20, and an insulating resin layer 31 b that is interposed between the insulating adhesive layer 31 a and the metal layer 32. The insulating adhesive layer 31a is made of, for example, an insulating resin adhesive tape (sheet) made of acrylic or the like, and the adhesive surface (the surface facing the base 10 and the cover 20) 31a1 is peeled off before the seal tape 30 is applied. Covered with paper. The insulating resin layer 31b is formed of an insulating resin material such as polyethylene terephthalate (PET) or polyvinyl chloride (PVC). As the thickness of the lower elastic insulating layer 31 is increased, the capacitance generated between the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20 when the seal tape 30 is attached to the base 10 and the cover 20 is reduced. The breakdown voltage can be increased. The thickness of the lower elastic insulating layer 31 is specifically about 30 μm in the present embodiment, but it is practical that it is determined according to the frequency of the metal layer 32 that is electromagnetically shielded.
上部弾性絶縁層33は、絶縁性樹脂層31bと同様に、例えばポリエチレンテレフタラート(PET)やポリ塩化ビニル(PVC)等の絶縁樹脂材料により形成されている。この上部弾性絶縁層33は、金属層32と導電層34の間に介在しているので、その厚さが薄いほど金属層32−導電層34間の静電容量を大きくすることができる。上部弾性絶縁層33の厚さは、具体的に10μm程度であり、下部弾性絶縁層31よりも薄く設定されている。 The upper elastic insulating layer 33 is formed of an insulating resin material such as polyethylene terephthalate (PET) or polyvinyl chloride (PVC), similarly to the insulating resin layer 31b. Since the upper elastic insulating layer 33 is interposed between the metal layer 32 and the conductive layer 34, the capacitance between the metal layer 32 and the conductive layer 34 can be increased as the thickness is reduced. The thickness of the upper elastic insulating layer 33 is specifically about 10 μm, and is set thinner than the lower elastic insulating layer 31.
導電層34は、ディッピング(ポリオキシエチレン系界面活性剤またはアニオン・カチオン系界面活性剤からなる溶液中にシールテープ30を浸漬して該シールテープ30の表面をコーティングする工程)により形成された帯電防止層、または、例えばカーボン、金属繊維等の導電材料を混入した樹脂材料により形成された導電性樹脂層であって、10μm程度の厚さを有している。この導電層34は、上部弾性絶縁層33の上面を覆っており、金属層32とは非接触(非導通)である。 The conductive layer 34 is formed by dipping (a step of coating the surface of the seal tape 30 by immersing the seal tape 30 in a solution comprising a polyoxyethylene surfactant or an anionic / cationic surfactant). A conductive resin layer formed of a prevention layer or a resin material mixed with a conductive material such as carbon or metal fiber, and has a thickness of about 10 μm. The conductive layer 34 covers the upper surface of the upper elastic insulating layer 33 and is not in contact (non-conductive) with the metal layer 32.
上記シールテープ30の貼付位置は、HDAの気密性確保のためにベース10及びカバー20に対して厳密に規定されており、シール貼付位置が予め設定された規定位置からずれているHDAに対しては、シールテープ30をベース10及びカバー20から剥がして、新たなシールを貼りなおす必要がある。シールテープ剥離作業は、ベース10及びカバー20をグランド電位に接続し、シールテープ表面の導電層34をグランド電位に接続した状態で実施する。シールテープ30を剥離すると、下部弾性絶縁層31に剥離帯電が生じ、この剥離帯電による誘導電荷は金属層32内に誘導され、金属層32−導電層34間に蓄積される。シールテープの剥離距離が増えるにつれて、金属層32内に誘導される電荷量は増える。このとき、下部弾性絶縁層31を挟んで対向する金属層32−ベース10及びカバー20間の静電容量は低下するが、金属層32−導電層34間の静電容量は増えるので、この金属層32−導電層34間の静電容量により、金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧増加は抑えられる。 The sticking position of the seal tape 30 is strictly defined with respect to the base 10 and the cover 20 in order to ensure the airtightness of the HDA, and the seal sticking position with respect to the HDA whose position is deviated from a preset prescribed position. Needs to peel off the seal tape 30 from the base 10 and the cover 20 and reapply a new seal. The seal tape peeling operation is performed in a state where the base 10 and the cover 20 are connected to the ground potential, and the conductive layer 34 on the surface of the seal tape is connected to the ground potential. When the sealing tape 30 is peeled off, peeling electrification occurs in the lower elastic insulating layer 31, and induced charges due to the peeling charging are induced in the metal layer 32 and accumulated between the metal layer 32 and the conductive layer 34. As the peeling distance of the sealing tape increases, the amount of charge induced in the metal layer 32 increases. At this time, the capacitance between the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20 facing each other across the lower elastic insulating layer 31 decreases, but the capacitance between the metal layer 32 and the conductive layer 34 increases. Due to the capacitance between the layer 32 and the conductive layer 34, an increase in voltage between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 is suppressed.
以下では、図3を参照し、金属層32−導電層34間の静電容量による、金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧増加抑制効果について、より詳細に説明する。 Below, with reference to FIG. 3, the voltage increase suppression effect between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 by the electrostatic capacitance between the metal layer 32-conductive layer 34 is demonstrated in detail.
ベース10及びカバー20の外周面に沿って貼付されたシールテープ30において、下部弾性絶縁層31を挟んで対向する金属層32とベース10及びカバー20を平行平板コンデンサとして考えると、誘電率ε、金属層32の表面積S、及び、金属層32からベース10及びカバー20までの距離(下部弾性絶縁層31の厚さ)d1としたとき、金属層32−ベース10及びカバー20間に生じる静電容量C1は、次式(1)により与えられる。
C1=ε・S/d1 ・・・(1)
In the seal tape 30 attached along the outer peripheral surfaces of the base 10 and the cover 20, when the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20 facing each other with the lower elastic insulating layer 31 interposed therebetween are considered as parallel plate capacitors, a dielectric constant ε, When the surface area S of the metal layer 32 and the distance from the metal layer 32 to the base 10 and the cover 20 (thickness of the lower elastic insulating layer 31) d1 are electrostatic charges generated between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 The capacitance C1 is given by the following equation (1).
C1 = ε · S / d1 (1)
次に、シールテープ剥離作業による静電容量変化及び電圧変化について考えてみる。シールテープ30を剥がす際には、該シールテープ30の下部弾性絶縁層31に剥離帯電が生じ、この剥離帯電により金属層32に電荷が誘導されると推測される。この剥離帯電により生じる帯電量をQとすると、金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧V1は、次式(2)により与えられる。
V1=Q/(C1+Cf) ・・・(2)
但し、Cf;浮遊容量である。
このとき、シールテープ30の全長L、剥離距離xとすると、金属層32−ベース10及びカバー20間の静電容量C1は、次式(3)で表される。
C1=(ε・S(1−x/L))/d1 ・・・(3)
式(3)から明らかなように、シールテープ剥離作業により剥離距離xが大きくなれば、金属層32−ベース10及びカバー20間の静電容量C1は減少する。
Next, let us consider the capacitance change and voltage change due to the seal tape peeling operation. When the sealing tape 30 is peeled off, it is presumed that peeling electrification occurs in the lower elastic insulating layer 31 of the sealing tape 30 and electric charges are induced in the metal layer 32 by this peeling charging. When the charge amount generated by the peeling charging is Q, the voltage V1 between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 is given by the following equation (2).
V1 = Q / (C1 + Cf) (2)
Where Cf: stray capacitance.
At this time, assuming that the total length L of the seal tape 30 is the separation distance x, the capacitance C1 between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 is expressed by the following equation (3).
C1 = (ε · S (1-x / L)) / d1 (3)
As is clear from the equation (3), when the peeling distance x is increased by the sealing tape peeling operation, the capacitance C1 between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 is reduced.
ここで、上部弾性絶縁層33を挟んで対向する金属層32と導電層34についても平行平板コンデンサとして考えると、金属層32から導電層34までの距離(上部弾性絶縁層33の厚さ)d2としたとき、導電層34が接地されている場合に金属層32−導電層34間に生じる静電容量C2は、次式(4)により与えられる。
C2=ε・S/d2 ・・・(4)
Here, when the metal layer 32 and the conductive layer 34 facing each other with the upper elastic insulating layer 33 interposed therebetween are also considered as parallel plate capacitors, the distance from the metal layer 32 to the conductive layer 34 (thickness of the upper elastic insulating layer 33) d2. When the conductive layer 34 is grounded, the capacitance C2 generated between the metal layer 32 and the conductive layer 34 is given by the following equation (4).
C2 = ε · S / d2 (4)
従って、金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧Vは、次式(5)により与えられる。
V=Q/(C1+C2+Cf) ・・・(5)
Therefore, the voltage V between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 is given by the following equation (5).
V = Q / (C1 + C2 + Cf) (5)
シールテープ30を完全に剥離すると、その剥離距離xはシールテープ30の全長Lに等しくなるから、金属層32−ベース10及びカバー20間の静電容量C1=0となり、金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧Vは、次式(6)で表される。
V=Q/(C2+Cf) ・・・(6)
ここで、金属層32−導電層34間の静電容量C2は浮遊容量Cfに比べて非常に大きく(C2>>Cf)、式(6)において浮遊容量Cfは無視できる程度である。したがって、式(6)からも明らかなように、金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧Vは金属層32−導電層34間の静電容量C2に依存し、この静電容量C2が大きくなるほど電圧Vは小さくなることが分かる。
When the seal tape 30 is completely peeled off, the peel distance x becomes equal to the total length L of the seal tape 30, so that the capacitance C1 = 0 between the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20, and the metal layer 32 and the base 10. The voltage V between the cover 20 and the cover 20 is expressed by the following equation (6).
V = Q / (C2 + Cf) (6)
Here, the capacitance C2 between the metal layer 32 and the conductive layer 34 is much larger than the stray capacitance Cf (C2 >> Cf), and the stray capacitance Cf is negligible in the equation (6). Therefore, as apparent from the equation (6), the voltage V between the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20 depends on the capacitance C2 between the metal layer 32 and the conductive layer 34, and this capacitance C2 is It can be seen that the voltage V decreases as the value increases.
一方、上部弾性絶縁層33の上に導電層34が存在していない場合、また、導電層34が接地されていない場合において、シールテープ30を完全に剥離すると、その剥離距離xはシールテープ30の全長Lに等しくなるから、金属層32−ベース10及びカバー20間の静電容量C1=0となり、金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧V'は、次式(7)により与えられる。
V'=Q/(Cf) ・・・(7)
上述したように浮遊容量Cfは非常に小さいため、式(7)から明らかなように、金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧V'は非常に大きくなる。このように金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧V'が大きくなると、下部弾性絶縁層31の絶縁破壊が生じ、金属層32−ベース10及びカバー20間で静電放電が生じる可能性が大きくなってしまう。
On the other hand, when the conductive layer 34 is not present on the upper elastic insulating layer 33 or when the conductive layer 34 is not grounded, the peeling distance x is equal to the sealing tape 30 when the sealing tape 30 is completely peeled off. Therefore, the capacitance C1 = 0 between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 is obtained, and the voltage V ′ between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 is given by the following equation (7). It is done.
V ′ = Q / (Cf) (7)
As described above, since the stray capacitance Cf is very small, the voltage V ′ between the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20 becomes very large as is apparent from the equation (7). When the voltage V ′ between the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20 increases as described above, breakdown of the lower elastic insulating layer 31 may occur, and electrostatic discharge may occur between the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20. Will become bigger.
上述した、上部弾性絶縁層33の上に導電層34が存在し、且つ、シールテープ剥離作業時に導電層34が接地されている場合と、上部弾性絶縁層33の上に導電層34が存在していない場合または導電層34が接地されていない場合とにおいて、シールテープ30を完全に剥離したときの金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧V、V'を比べてみると、その電圧比V:V'は、式(8)により与えられる。
V:V'=(Q/(C2+Cf)):(Q/Cf)
=1:(C2/Cf+1) ・・・(8)
As described above, the conductive layer 34 exists on the upper elastic insulating layer 33 and the conductive layer 34 is grounded when the seal tape is peeled off, and the conductive layer 34 exists on the upper elastic insulating layer 33. When the voltage V, V ′ between the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20 is compared when the sealing tape 30 is completely peeled off when the conductive layer 34 is not grounded or when the conductive layer 34 is not grounded, The ratio V: V ′ is given by equation (8).
V: V ′ = (Q / (C2 + Cf)): (Q / Cf)
= 1: (C2 / Cf + 1) (8)
上記式(8)からも明らかなように、上部弾性絶縁層33の上に導電層34が存在し、且つ、シールテープ剥離作業時に導電層34が接地されている場合には、上部弾性絶縁層33の上に導電層34が存在していない場合または導電層34が存在していても接地されていない場合に比べて、金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧は非常に小さく、シールテープ剥離に伴う金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧増加を抑制することができる。シールテープ剥離に伴う金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧増加が抑えられれば、該金属層32−ベース10及びカバー20間で静電気放電は生じず、シールテープ剥離作業中のHDAの素子部ダメージを回避できる。 As is clear from the above equation (8), when the conductive layer 34 exists on the upper elastic insulating layer 33 and the conductive layer 34 is grounded during the peeling operation of the seal tape, the upper elastic insulating layer The voltage between the metal layer 32 and the base 10 and the cover 20 is very small as compared with the case where the conductive layer 34 is not present on 33 or the case where the conductive layer 34 is present but not grounded. An increase in voltage between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 due to tape peeling can be suppressed. If an increase in voltage between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 due to peeling of the sealing tape is suppressed, electrostatic discharge does not occur between the metal layer 32-base 10 and the cover 20, and the element of the HDA during the sealing tape peeling operation You can avoid the damage.
以上の本実施形態では、ポリオキシエチレン系界面活性剤またはアニオン・カチオン系界面活性剤により形成された帯電防止層、または、例えばカーボン、金属繊維等の導電材料を混入した樹脂材料により形成された導電樹脂層を導電層34として用いているが、導電層34を、金属材料により形成することは勿論可能である。但し、導電層34を金属材料により形成する場合には、腐食などによる耐久性を考慮する必要がある。 In the above embodiment, the antistatic layer formed of a polyoxyethylene surfactant or an anionic / cationic surfactant, or a resin material mixed with a conductive material such as carbon or metal fiber is used. Although the conductive resin layer is used as the conductive layer 34, the conductive layer 34 can of course be formed of a metal material. However, when the conductive layer 34 is formed of a metal material, it is necessary to consider durability due to corrosion or the like.
また本実施形態では、上部弾性絶縁層33の厚さを下部弾性絶縁層31の厚さよりも薄く設定しているが、上部弾性絶縁層33及び下部弾性絶縁層31の厚さは適宜設定してもよい。本実施形態のように上部弾性絶縁層33の厚さをより薄くすれば金属層32−導電層34間の静電容量C2が大きくなり、下部弾性絶縁層31の厚さをより厚くすれば該下部弾性絶縁層31の絶縁耐圧が上がるので、シールテープ剥離に伴う金属層32−ベース10及びカバー20間の電圧増加をより抑制することができる。 In this embodiment, the thickness of the upper elastic insulating layer 33 is set to be thinner than the thickness of the lower elastic insulating layer 31, but the thicknesses of the upper elastic insulating layer 33 and the lower elastic insulating layer 31 are appropriately set. Also good. If the thickness of the upper elastic insulating layer 33 is reduced as in the present embodiment, the capacitance C2 between the metal layer 32 and the conductive layer 34 is increased, and if the thickness of the lower elastic insulating layer 31 is increased, the capacitance C2 is increased. Since the withstand voltage of the lower elastic insulating layer 31 is increased, an increase in voltage between the metal layer 32-base 10 and the cover 20 due to peeling of the seal tape can be further suppressed.
10 ベース
20 カバー
30 シールテープ
31 下部弾性絶縁層
31a 絶縁性粘着層
31b 絶縁性樹脂層
32 金属層
33 上部弾性絶縁層
34 導電層
10 Base 20 Cover 30 Sealing Tape 31 Lower Elastic Insulating Layer 31a Insulating Adhesive Layer 31b Insulating Resin Layer 32 Metal Layer 33 Upper Elastic Insulating Layer 34 Conductive Layer
Claims (4)
前記シールテープは、前記ベース及びカバー側から順に下部弾性絶縁層、金属層、上部弾性絶縁層及び導電層を積層して形成されており、
前記上部弾性絶縁層は、前記下部弾性絶縁層よりも薄いことを特徴とする磁気ディスク装置。 In a magnetic disk device having a head disk assembly comprising a metal base and cover for housing a magnetic head structure, and a seal tape affixed to the outer peripheral surface of the base and cover and sealing between the two members.
The sealing tape is formed by laminating a lower elastic insulating layer, a metal layer, an upper elastic insulating layer and a conductive layer in order from the base and cover side ,
The magnetic disk drive according to claim 1, wherein the upper elastic insulating layer is thinner than the lower elastic insulating layer .
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