JP4191642B2 - Transflective liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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雄一 升谷
慎吾 永野
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三菱電機株式会社
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本発明は、表示装置の画素電極として1画素内に光を透過する透過画素電極と光を反射する反射画素電極を有する半透過型液晶表示装置、およびその製造方法に関するものである。 The present invention is a transflective liquid crystal display device having a reflective pixel electrode which reflects transmissive pixel electrode and the light passing through the light into one pixel as a pixel electrode of a display device, and a manufacturing method thereof.

従来の一般的な液晶表示装置として、光源をその背面または側面に配設して画像表示を行う透過型液晶表示装置と、基板に反射板を設置し周囲光を反射板表面で反射させることにより画像表示を行う反射型液晶表示装置がある。 As a conventional general liquid crystal display device, a liquid crystal display device displays an image by disposing a light source on the back or side, by reflecting by the reflection plate surface ambient light established the reflector substrate there is a reflective liquid crystal display device for displaying images. 透過型液晶表示装置は、周囲光が非常に明るい場合には、周囲光に比べて表示光が暗いため表示を観察できず、表示を観察できるようにするためには光源の強度を上げる必要があり、消費電力が増大するという問題がある。 Transmissive liquid crystal display device, when the ambient light is very bright, can not observe the display for dark display light than the surrounding light, it is necessary to increase the intensity of the light source in order to be able to observe the display Yes, there is a problem that power consumption is increased. 他方、反射型液晶表示装置は、周囲光が暗い場合には視認性が極端に低下するという欠点を有する。 On the other hand, the reflection type liquid crystal display device has the disadvantage that visibility when the ambient light is dark is extremely lowered. これらの問題点を解決するために、1画素内に光を透過する透過画素電極と光を反射する反射画素電極を有する液晶表示装置(以下、半透過型液晶表示装置と称す)が提案されている。 To solve these problems, a liquid crystal display device having a transmissive pixel electrode and the reflective pixel electrode which reflects light transmitted through the light in one pixel (hereinafter, referred to as a transflective liquid crystal display device) is proposed there.

従来の半透過型液晶表示装置においては、1画素内に透過画素電極と反射画素電極を有するTFTアレイ基板として、透明絶縁性基板上に設けられた第一の導電膜からなる複数本のゲート電極を備えたゲート配線、補助容量電極および補助容量配線と、ゲート配線と第一の絶縁膜を介して交差する第二の導電膜からなる複数本のソース電極を備えたソース配線と、ゲート電極上に第一の絶縁膜を介して設けられた半導体層とソース電極およびドレイン電極からなる薄膜トランジスタ(以下、TFTと称す)と、TFTとゲート配線およびソース配線の上部に設けられた第二の絶縁膜および有機樹脂膜からなる層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介してTFTのドレイン電極と電気的に接続された透過率の高い導電膜か In conventional transflective liquid crystal display device, as a TFT array substrate having a transparent pixel electrode and the reflective pixel electrode in one pixel, a plurality of gate electrodes consisting of a first conductive film provided on a transparent insulating substrate gate wiring having a storage capacitor electrode and the storage capacitor line and the gate wiring and the source wiring having a plurality of source electrodes made of the second conductive film crossing over the first insulating film, a gate electrode on the the first insulating film made of a semiconductor layer and a source electrode and a drain electrode provided over the thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) and a second insulating film provided on the upper portion of the TFT and the gate wiring and a source wiring and an interlayer insulating film made of an organic resin film, high or conductive film of the drain electrode that are electrically connected to the transmittance of the TFT through a contact hole formed in the interlayer insulating film なる透過画素電極と、透過画素電極と共に設けられた透過率の高い導電膜上に形成され、透過率の高い導電膜およびコンタクトホールを介してTFTのドレイン電極と電気的に接続された反射率の高い導電膜からなる反射画素電極とを備えた構造が開示されている(例えば、特許文献1参照)。 Comprising a transparent pixel electrode, it is formed on the high transmittance which is provided with the transmissive pixel electrode conductive film, through a high transmittance conductive film and the contact hole on the drain electrode and electrically connected to the reflectivity of the TFT and a reflective pixel electrode made of a highly conductive film structure is disclosed (for example, see Patent Document 1).
特開2003−248232号公報(第6−11頁、第1図) JP 2003-248232 JP (No. 6-11 page, FIG. 1)

上記文献等に開示された従来の半透過型液晶表示装置においては、液晶駆動時の補助容量は、第二の導電膜からなるドレイン電極を第一の導電膜からなる補助容量電極および補助容量配線の形成領域にまで亘って形成し、第一の絶縁膜を介して補助容量電極および補助容量配線に重畳させることにより形成している。 In conventional transflective liquid crystal display device disclosed in the above documents or the like, the auxiliary capacitor during liquid crystal driving, the second drain electrode made of a conductive film made of the first conductive film storage capacitor electrode and the storage capacitor line of formed over until the formation region, it is formed by superimposing the first insulating film storage capacitor electrode and the storage capacitor line via. また、光を反射して表示を行う反射部と光を透過して表示を行う透過部の光路長を等しくする、すなわち、反射領域の液晶厚を透過領域の液晶厚の約半分にするために、反射画素電極を層間絶縁膜の上に配置し、透過画素電極を層間絶縁膜および第一の絶縁膜を除去した透明絶縁性基板上に直接配置している。 Further, to equalize the optical path length of the transmission unit for performing and displaying transmitted through the reflective portion and the light for performing display by reflecting light, i.e., to about half of the liquid crystal thickness of the liquid crystal thickness in the reflective region transmissive region the reflective pixel electrode disposed on the interlayer insulating film, it is disposed directly transmissive pixel electrode in the interlayer insulating film and the first insulating film removing the transparent insulating substrate a.

しかし、反射画素電極を層間絶縁膜の上に配置し、透過画素電極を層間絶縁膜等を除去した透明絶縁性基板上に直接配置する構造では、透過画素電極部の層間絶縁膜を除去することにより生じる層間絶縁膜のエッジ部分において、液晶の配向異常が発生して表示品位を低下させる恐れがある。 However, the reflective pixel electrode disposed on the interlayer insulating film, the structure of arranging the transmissive pixel electrode directly in the interlayer insulating film such as a transparent insulating substrate was removed, removing the interlayer insulating film of the transmissive pixel electrode portions in the edge portion of the interlayer insulating film caused by the liquid crystal orientation abnormality is likely to lower the display quality occurs. これを防止するために、層間絶縁膜のエッジ部分を反射画素電極で覆う構造が提示されているが、このエッジ部分における反射光は表示に寄与しないため、開口率を低下させる原因となっていた。 In order to prevent this, but the structure of covering an edge portion of the interlayer insulating film in the reflection pixel electrode is presented, light reflected at the edge portion because it does not contribute to the display, causing to lower the aperture ratio . また、層間絶縁膜として用いられる有機樹脂は材料コストが高いという問題があった。 Further, the organic resin used as the interlayer insulating film has a problem of high material costs.

従来の半透過型液晶表示装置では、反射領域の液晶厚を透過領域の液晶厚の約半分にするための構成として、例えば非特許文献1に示すように、対向基板側において反射領域に対応する位置に透明樹脂により凸部を形成する構造が開示されている。 In the conventional transflective liquid crystal display device, as a configuration for a liquid crystal thickness in the reflective area to about half of the liquid crystal thickness in the transmission region, for example, as shown in Non-Patent Document 1, corresponding to the reflective region the counter substrate side structure forming a convex portion is disclosed by the transparent resin in position. 本従来構造においては、有機樹脂からなる層間絶縁膜上に透過画素電極と反射画素電極が形成され、対向基板側には、透過領域の液晶厚の約半分の厚みの凸部が透明樹脂により形成されている。 In this conventional structure formation, the transmissive pixel electrode and the reflective pixel electrode in the interlayer insulating film made of organic resin is formed, on the counter substrate side, the convex portion of about half the thickness of the liquid crystal thickness in the transmission region is a transparent resin It is. 本従来構造においても、材料コストが高い有機樹脂を用いていることにより、製造コストを増大させるという問題があった。 In this conventional structure, by the material cost is using a high organic resin, there is a problem of increasing the manufacturing cost.

また、反射領域の液晶厚を透過領域の液晶厚の約半分にするために、対向基板側の反射領域に対応する位置に透明樹脂により凸部を形成する構成においては、TFTアレイ基板に層間絶縁膜を用いない構造も考えられるが、この場合、対向基板側に形成する凸部の厚みは、透過領域の液晶厚の約半分の厚みから、TFTアレイ基板側の反射画素電極と透過画素電極との高低差分を差し引いた厚みとする必要がある。 In order to about half of the liquid crystal thickness of the liquid crystal thickness a transmissive region in the reflective region, in the configuration of forming the protrusions by a transparent resin in a position corresponding to the reflective region of the counter substrate side, an interlayer insulating the TFT array substrate Although conceivable structure without using the film, in this case, the thickness of the convex portion formed on the counter substrate side, the crystal thickness of about half the thickness of the transmissive region, the reflective pixel electrodes of the TFT array substrate side and the transmissive pixel electrode it is necessary to make the thickness of which is obtained by subtracting the height difference. 従来構造においては、画素の開口率を向上させるために、反射画素電極は補助容量を形成する補助容量配線とドレイン電極の形成領域に重ねて設けられるため、反射画素電極と透過画素電極の高低差としては、補助容量配線とドレイン電極および反射画素電極の膜厚をあわせた値となり、その値を透過領域の液晶厚の約半分から差し引いた厚みを有する凸部を対向基板側に形成しなければならないが、透明樹脂からなる凸部は薄く形成することが難しいという問題があった。 In the conventional structure, in order to improve the aperture ratio of a pixel, for reflecting pixel electrode is provided to overlap the forming region of the storage capacitor line and the drain electrode to form a storage capacitance, the height difference between the reflective pixel electrode and the transparent pixel electrode as becomes a film value that the combined thickness of the auxiliary capacitance line and the drain electrode and the reflective pixel electrode, to be formed a protrusion having a thickness obtained by subtracting the value of about half of the liquid crystal thickness in the transmission region to the counter substrate side not do, but the convex portion made of a transparent resin has a problem that it is difficult to form thin.

また、従来の半透過型液晶表示装置において、液晶駆動時の補助容量を形成するためのドレイン電極は、画素を囲む配線(ソース配線)と同一層に形成されるため、隣接するソース配線との間隙が狭くなり短絡が生じやすくなるという問題があった。 Further, in the conventional transflective liquid crystal display device, the drain electrode to form a storage capacitance at the liquid crystal driving, because they are formed in the same layer as the wiring surrounding the pixel (source wiring), the adjacent source lines gap there is a problem that will short-circuit is likely to occur narrow.

本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、1画素内に光を透過する透過画素電極と光を反射する反射画素電極を有する半透過型液晶表示装置において、材料コストの高い有機樹脂膜を用いず、かつ歩留まりを低下させずに大きな補助容量を得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, in the transflective liquid crystal display device having a reflective pixel electrode which reflects transmissive pixel electrode and the light passing through the light in one pixel, the material without using a costly organic resin film, and aims to obtain a large storage capacitance without decreasing the yield.

本発明に係わる半透過型液晶表示装置は、1画素内に光を透過する透過画素電極と光を反射する反射画素電極を有するTFTアレイ基板と、対向透明電極を有する対向基板との間に液晶が配置されてなる半透過型液晶表示装置であって、 Transflective liquid crystal display device according to the present invention, liquid crystal between the TFT array substrate having a reflective pixel electrode which reflects transmissive pixel electrode and the light passing through the light in one pixel, a counter substrate having a counter transparent electrode there a transflective liquid crystal display device in which are disposed,
TFTアレイ基板は、 TFT array substrate,
透明絶縁性基板上に形成された第一の導電膜からなるゲート電極を有する複数本のゲート配線と補助容量電極および補助容量配線と、 A plurality of gate lines and the storage capacitor electrode and the storage capacitor line having a gate electrode made of the first conductive film formed on a transparent insulating substrate,
第一の導電膜の上に形成された第一の絶縁膜と、 A first insulating film formed on the first conductive film,
第一の絶縁膜上に形成された第二の導電膜からなり、ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線およびドレイン電極と、 Made from a second conductive film formed on the first insulating film, a source wiring and a drain electrode having a plurality of source electrodes intersecting the gate lines,
ゲート電極と、ゲート電極上に第一の絶縁膜を介して形成された半導体層と、ソース電極およびドレイン電極からなる薄膜トランジスタと、 A gate electrode, a semiconductor layer formed via a first insulating film on the gate electrode, a thin film transistor of a source electrode and a drain electrode,
薄膜トランジスタおよび第二の導電膜の上に形成された第二の絶縁膜と、 A second insulating film formed over the thin film transistor and the second conductive film,
第二の絶縁膜上に形成され、第二の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極と電気的に接続された透過率の高い導電膜からなる透過画素電極と、 A second formed on the insulating film, the transmissive pixel electrode composed of the second insulating drain electrode through a contact hole formed in the film and electrically connected to the high transmittance conductive film,
透過画素電極とともに透過率の高い導電膜で形成された透明導電膜部上に形成され、透明導電膜部およびコンタクトホールを介してドレイン電極に電気的に接続された反射率の高い導電膜からなる反射画素電極を備えており、 It is formed on the transparent conductive film portions formed at high transmittance conductive film with the transmissive pixel electrode, made of a high conductive films electrically connected to the reflectivity to the drain electrode through the transparent conductive film portion and the contact hole It includes a reflective pixel electrode,
反射画素電極は、第一の絶縁膜および第二の絶縁膜を介して補助容量電極および補助容量配線に重畳されて補助容量を形成しているものである。 Reflective pixel electrodes are those first insulating film and the second insulating film superimposed on the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance lines via to form a storage capacitance.

本発明によれば、液晶駆動時の補助容量は、第一の導電膜からなる補助容量配線に、画素を囲む配線とは絶縁層を介して異なる層に設けられている反射画素電極を重畳することにより形成されており、反射画素電極と配線との短絡を考慮する必要が無いため、反射画素電極の形成面積を大きくして大きな補助容量を得ることができる。 According to the present invention, the auxiliary capacitor during liquid crystal driving, the auxiliary capacitance lines consisting of the first conductive film, the wiring surrounding the pixel to superimposing the reflective pixel electrodes provided in different layers separated by the insulating layer are formed by, there is no need to consider the short-circuiting between the wiring and the reflective pixel electrode, it is possible to obtain a large storage capacitance by increasing the formation area of ​​the reflective pixel electrode. また、TFTアレイ基板に材料コストの高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を用いない構成とする場合においても、反射画素電極と透過画素電極との高低差は補助容量配線の膜厚分のみであり、その値を透過領域の液晶厚の約半分から差し引いた厚みを有する凸部を、対向基板側の反射領域に対応する位置に透明樹脂により形成することは可能であり、反射部と透過部の光路長を等しくすることができる。 Further, in the case of a structure without using the interlayer insulating film made of a high organic resin of the material cost of the TFT array substrate is also difference in height between the reflective pixel electrode and the transparent pixel electrode is only the thickness of the auxiliary capacitance line component, a convex portion having a thickness obtained by subtracting from about half of the liquid crystal thickness of the value transmissive region, it is possible to form a transparent resin in a position corresponding to the reflective region of the counter substrate side, the optical path of the transmission portion and the reflection portion it can be equal in length. 以上ことから、表示品質に優れ、高歩留まりおよび低コストの半透過型液晶表示装置が得られる。 Since above, excellent display quality, transflective liquid crystal display device of high yield and low cost can be obtained.

実施の形態1. The first embodiment.
以下に、本発明を実施するための最良の形態である実施の形態1について述べる。 Hereinafter will be described the first embodiment is the best mode for carrying out the present invention. 図1は、本発明の実施の形態1における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の一画素を示す平面図、図2(a)〜(f)は、図1と同様に本実施の形態1における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の製造プロセスフローを示す断面図である。 Figure 1 is a plan view showing one pixel of a TFT array substrate constituting the transflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 (a) ~ (f), the present embodiment similar to FIG. 1 manufacturing process flow of a TFT array substrate constituting the transflective liquid crystal display device in embodiment 1 of a cross-sectional view showing a. 図中、同一、相当部分には同一符号を付している。 In the figures, the same, in which corresponding parts are denoted by the same reference numerals.

なお、図2(a)〜(f)では、半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の主要部分、すなわち図中左から順にゲート端子部、ソース端子部、ゲート/ソース交差部、TFT部、画素/ドレインコンタクト部、反射画素電極部、透過画素電極部の断面を連続的に示しているが、各部分の実際の寸法や位置関係を正確に示すものではない。 In FIG. 2 (a) ~ (f), the main portion of the TFT array substrate constituting the transflective liquid crystal display device, that is, the gate terminal portion in order from the left in the drawing, the source terminal portion, the gate / source intersection, TFT parts, the pixel / drain contact portion, the reflective pixel electrode portion, although the cross section of the transmissive pixel electrode portions are continuously shown, does not accurately indicate the actual dimensions and positional relationships of the respective parts. 例えば、図2に示すゲート端子部およびソース端子部は表示領域以外の基板端部に形成されており、これらの端子を介して駆動回路から信号が入力されるものである。 For example, the gate terminal portion and the source terminal portion shown in FIG. 2 is formed in the substrate end portions other than the display area, in which the signal from the drive circuit via these terminals are input.

本実施の形態における半透過型液晶表示装置は、図2(f)に示すように、1画素内に光を透過する透過画素電極と光を反射する反射画素電極を有するTFTアレイ基板に、対向透明電極を有する対向基板を対向して配置し、それらの間に液晶を配置したものである。 Transflective liquid crystal display device of this embodiment, as shown in FIG. 2 (f), the TFT array substrate having a reflective pixel electrode which reflects transmissive pixel electrode and the light passing through the light in one pixel, the counter and arranged opposite the opposite substrate having a transparent electrode, it is obtained by placing the liquid crystal therebetween. まず、本実施の形態1におけるTFTアレイ基板の構造について、図1および図2(e)を用いて説明する。 First, the structure of the TFT array substrate according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2 (e).

ガラス基板等の透明絶縁性基板1上には、第一の導電膜2からなるゲート電極21を備えたゲート配線22、ゲート端子23、補助容量電極および補助容量配線24が形成されている。 On the transparent insulating substrate 1 such as a glass substrate, the first conductive film 2 gate wiring 22 with the gate electrode 21 made of the gate terminal 23, the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance lines 24 are formed. ゲート電極21はTFT部に、ゲート配線22はゲート/ソース交差部に、ゲート端子23はゲート端子部に、補助容量電極および補助容量配線24は反射画素電極部に、それぞれ形成される。 The gate electrode 21 is TFT portion, the gate wiring 22 to the gate / source intersection, the gate terminal 23 is the gate terminal portion, the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitor wire 24 to the reflective pixel electrode portions, are formed respectively.

第一の導電膜2は第一の絶縁膜(ゲート絶縁膜)3により覆われ、さらに、TFT部では、ゲート電極21上に、第一の絶縁膜3を介して半導体層である半導体能動膜4およびオーミックコンタクト膜5が形成されている。 The first conductive film 2 is covered by a first insulating film (gate insulating film) 3, further, the TFT portion on the gate electrode 21, the semiconductor active film is a semiconductor layer through the first insulating film 3 4 and the ohmic contact film 5 is formed. このオーミックコンタクト膜5は中央部が除去されて二つの領域に分割され、一方には第二の導電膜6からなるソース電極61、他方には同様に第二の導電膜6からなるドレイン電極62が積層されている。 The ohmic contact film 5 is divided is removed central portion into two regions, a source electrode 61 made of the second conductive film 6 on the one hand, the drain electrode 62 on the other consisting of the second conductive film 6 as well There has been laminated. これらのゲート電極21と半導体能動膜4とソース電極61およびドレイン電極62によりスイッチング素子であるTFTが構成されている。 TFT is configured as a switching element by the gate electrode 21 and the semiconductor active film 4 and the source electrode 61 and drain electrode 62.

図2(f)において、ソース電極61から左側にソース配線63およびソース端子64が延び、またドレイン電極62から右側に第二の導電膜部分65が延びている。 In FIG. 2 (f), the source wiring 63 and the source terminal 64 to the left from the source electrode 61 extends, also has the second conductive film portion 65 on the right side from the drain electrode 62 extends. ソース配線63はゲート/ソース交差部に、またソース端子64はソース端子部にそれぞれ形成される。 Source line 63 to the gate / source intersection, and the source terminal 64 are formed respectively on the source terminal portion. 第二の導電膜部分65は、ゲート電極21と、補助容量電極および補助容量配線24との間の第一の絶縁膜3上に延びている。 The second conductive film portion 65 includes a gate electrode 21, the first extending on the insulating film 3 between the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance lines 24. この導電膜部分65は、画素/ドレインコンタクト部に形成されている。 The conductive film portion 65 is formed in the pixel / drain contact portion.
なお、ゲート配線22とソース配線63との交差部には、交差部の耐電圧を向上させるために半導体能動膜4およびオーミックコンタクト膜5を残存させている。 Note that the intersection of the gate wiring 22 and the source line 63, thereby leaving the semiconductor active film 4 and the ohmic contact film 5 in order to improve the withstand voltage of the intersection.

上記構成要素を覆うように第二の絶縁膜7が形成されている。 The second insulating film 7 so as to cover the above components are formed. また、ドレイン電極61上の第二の絶縁膜7、ゲート端子23上の第一の絶縁膜3および第二の絶縁膜7、ソース端子64上の第二の絶縁膜7にはそれぞれコンタクトホール81、82、83が形成されている。 The second insulating film 7 on the drain electrode 61, the first insulating film 3 and the second insulating film 7 on the gate terminals 23, first on the source terminal 64 second each of the insulating film 7 contact hole 81 , 82 and 83 are formed. コンタクトホール81は、画素/ドレインコンタクト部に形成され、具体的には、補助容量電極および補助容量配線24と、ゲート電極21との間にあって、ドレイン電極62から延びた第二の導電膜部分65の上に開口される。 Contact hole 81 is formed in the pixel / drain contact portion, specifically, the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitor line 24, be between the gate electrode 21, the second conductive film portion 65 extending from the drain electrode 62 It is opened on top of the. コンタクトホール82、83は、ゲート端子部およびソース端子部に形成され、それぞれゲート端子23およびソース端子64の上に開口する。 Contact holes 82, 83 formed in the gate terminal portion and the source terminal portion, respectively opened on the gate terminal 23 and source terminal 64.

透過率の高い導電膜である透明導電性膜9が第二の絶縁膜7上に形成され、この透明導電性膜9は、コンタクトホール81、82、83の底部および側壁部を覆うと共に、ドレイン電極61とコンタクトホール81を介して電気的に接続された電極パターン91、ゲート端子23とコンタクトホール82を介して電気的に接続された端子パターン92、ソース端子64とコンタクトホール83を介して電気的に接続された端子パターン93を第二の絶縁膜7上に形成する。 A transparent conductive film 9 is high transmittance conductive film is formed on the second insulating film 7, the transparent conductive film 9 covers the bottom and side wall of the contact hole 81, 82 and 83, the drain electrode 61 and the contact hole 81 electrically connected through the electrodes pattern 91, the gate terminal 23 and the terminal patterns 92 are electrically connected through a contact hole 82, via the source terminal 64 and the contact hole 83 electrically the manner connected terminal patterns 93 formed on the second insulating film 7. ドレイン電極61と電気的に接続された電極パターン91は、透過画素電極91aと、透明導電膜部分91bを有する。 Drain electrode 61 is electrically connected to the electrode pattern 91 includes a transmissive pixel electrode 91a, a transparent conductive film portion 91b. 透明画素電極91aは、透明画素電極部に形成され、第一の絶縁膜3と第二の絶縁膜7の上にあって、透明画素電極の機能を果たす。 Transparent pixel electrode 91a is formed on the transparent pixel electrode portions, and the first insulating film 3 be on the second insulating film 7, serve transparent pixel electrode. 透明導電膜部分91bは、反射画素電極部に形成され、第一の絶縁膜3および第二の絶縁膜7を介して補助容量電極および補助容量配線24に重なり、補助容量を形成する。 The transparent conductive film portion 91b is formed on the reflective pixel electrode portion overlaps the storage capacitor electrode and the storage capacitor line 24 via the first insulating film 3 and the second insulating film 7 is formed an auxiliary capacitor. 透明導電膜部分91bは、下層に補助容量電極および補助容量配線24等が形成され透過部として用いることのできない。 The transparent conductive film portion 91b can not be used as the storage capacitor electrode and the storage capacitor line 24 or the like to the lower layer forming the transmissive portion. また、端子パターン92、93介して駆動回路からゲート配線22もしくはソース配線63に信号が入力される。 The signal is inputted to the gate line 22 or source line 63 from the drive circuit via terminal patterns 92 and 93.

透明導電膜部91b上には、反射率の高い導電膜からなる反射画素電極10が形成されている。 On the transparent conductive film portion 91b, the reflective pixel electrode 10 made of a high reflectivity conductive film is formed. このように、反射画素電極10を、下層に補助容量電極および補助容量配線24が形成されている領域である透明導電膜部分91bに重ねて形成することは、透過領域として利用できない部分を反射領域として利用できるため、開口率を向上させる上で好ましい。 Thus, the reflective pixel electrode 10, be overlapped by forming the transparent conductive film portion 91b is a region in which the auxiliary capacitance electrodes and the auxiliary capacitance line 24 in the lower layer is formed, a part that can not be used as a transmissive region reflective region the availability as is preferable in order to improve the aperture ratio. この反射画素電極10は反射画素電極部に形成され、絶縁膜(第一の絶縁膜3および第二の絶縁膜7)を介して補助容量電極および補助容量配線24に重畳されるため、液晶駆動時の補助容量が形成されて良好な表示を行うことができる。 The reflective pixel electrode 10 is formed on the reflective pixel electrode portions, to be superimposed on the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitor line 24 via an insulating film (first insulating film 3 and the second insulating film 7), the liquid crystal driving it is possible to perform satisfactory display is auxiliary capacitor when the formation.

また、従来構造の半透過型液晶表示装置では、ドレイン電極を補助容量電極および補助容量配線の形成領域にまで亘って形成し、ドレイン電極と補助容量電極および補助容量配線により補助容量を形成していたため、ドレイン電極は同一層に形成されるソース配線との短絡が生じないようにソース配線と間隔を有して形成する必要があったが、本実施の形態では、補助容量を形成するための反射画素電極10は、ソース配線63とは異なる層に形成されるため、ソース配線63との短絡を考慮することなく反射画素電極10を形成することができ、大きな補助容量を形成することができる。 Further, in the transflective liquid crystal display device of the conventional structure, a drain electrode formed over until the formation region of the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance lines, to form a storage capacitance with the storage capacitor electrode and the storage capacitor line and the drain electrode and therefore, the drain electrode has been necessary to form a source wiring and a distance so as not to cause short circuit between the source wiring are formed on the same layer, in this embodiment, for forming an auxiliary capacitor reflective pixel electrode 10 is to be formed on the layer different from the source wiring 63, it is possible to form the reflective pixel electrode 10 without considering the short circuit between the source line 63, it is possible to form a large storage capacitance .

反射画素電極10は透明導電膜部91bおよびコンタクトホール81を介してドレイン電極62と電気的に接続され、また、透過画素電極91aは連続して形成されている透明導電膜部91bおよびコンタクトホール81を介してドレイン電極62と電気的に接続されている。 Reflective pixel electrode 10 is electrically connected to the drain electrode 62 via the transparent conductive film portion 91b and the contact hole 81, also a transparent conductive film portion 91b is transmissive pixel electrode 91a is formed continuously and the contact hole 81 It is electrically connected to the drain electrode 62 through the. これらの反射画素電極10と透過画素電極91aは、TFTアレイ基板と対向配置される対向基板に形成された対向透明電極との間に印加された電圧により液晶の配向を制御するものである。 These reflective pixel electrode 10 and the transmissive pixel electrode 91a is for controlling the orientation of liquid crystal by a voltage applied between the transparent counter electrode formed on the counter substrate disposed TFT array substrate and the counter.

次に、本実施の形態1における半透過型液晶表示装置の製造工程について、図2を用いて説明する。 Next, the manufacturing process of the transflective liquid crystal display device according to the first embodiment will be described with reference to FIG.

まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板1を洗浄して表面を浄化した後、この透明絶縁性基板1上にスパッタリング法等により第一の導電膜2を成膜する。 First, after cleaning the surface by washing the transparent insulating substrate 1 such as a glass substrate, forming a first conductive film 2 by sputtering or the like on the transparent insulating substrate 1. 第一の導電膜2としては、例えばクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)またはこれらを主成分とする合金等が用いられる。 The first conductive film 2, for example, chromium (Cr), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti) or alloys consisting primarily of these is used. 本実施の形態では、第一の導電膜2として膜厚400nmのクロム膜を成膜する。 In this embodiment, a chromium film having a film thickness of 400nm as a first conductive film 2.

なお、第一の導電膜2上には、後述の工程でエッチングによりコンタクトホール82が形成され、コンタクトホール82内には電気的接続を得るための導電性薄膜(透明導電性膜9)が形成されるため、表面酸化が生じにくい金属薄膜や酸化されても導電性を有する金属薄膜を第一の金属膜2として用いることが好ましい。 Incidentally, on the first conductive film 2, a contact hole 82 is formed by etching in a later step, the conductive thin film to obtain an electrical connection in the contact holes 82 (the transparent conductive film 9) is formed because it is, it is preferable to use a metal thin film having conductivity even surface oxidation is unlikely metal thin film or oxide occurs as the first metal film 2.

次に、第一の写真製版工程にて第一の導電膜2をパターニングし、図2(a)に示すように、ゲート端子23、ゲート配線22、ゲート電極21、補助容量電極および補助容量配線24を形成する。 Then, by patterning the first conductive film 2 in a first photolithography step, as shown in FIG. 2 (a), a gate terminal 23, the gate wiring 22, the gate electrode 21, the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance lines to form a 24. 写真製版工程では、基板を洗浄後、感光性レジストを塗布、乾燥したのちに、所定のパターンが形成されたマスクを通して露光し、現像することにより基板上にマスクパターンを転写したレジストを形成し、感光性レジストを加熱硬化させたのちに第一の金属膜のエッチングを行い、その後感光性レジストを剥離する。 The photolithography process, after cleaning the substrate, applying a photosensitive resist, after drying, exposed to light through a predetermined mask pattern is formed, a resist transferring the mask pattern onto a substrate by developing, etched first metal film after cured by heating the photosensitive resist is peeled off thereafter photosensitive resist.

なお、第一の導電膜2のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウエットエッチング法で行うことができる。 Note that the etching of the first conductive film 2 can be performed by wet etching using a known etchant. 例えば、第一の導電膜2がクロムで構成されている場合には、第二硝酸セリウムアンモニウムおよび硝酸が混合された水溶液が用いられる。 For example, if the first conductive film 2 is composed of chromium, an aqueous solution of the second cerium ammonium nitrate and nitric acid are mixed is used. また、第一の金属膜2のエッチングにおいては、パターンエッジの段差部における絶縁膜のカバレッジを向上させて他の配線との段差部での短絡を防止するために、パターンエッジ断面が台形状のテーパー形状となるようにテーパーエッチングすることが好ましい。 In the first etching of the metal film 2, in order to prevent a short circuit at the step portion of the to improve the coverage of the insulating film other wiring in the step of the pattern edge, pattern edge cross section trapezoidal it is preferable to taper etching so that the tapered shape.

次に、プラズマCVD法等により第一の絶縁膜3、半導体能動膜4、オーミックコンタクト膜5を連続して成膜する。 Then, a plasma CVD method or the like by a first insulating film 3, the semiconductor active film 4 is deposited continuously ohmic contact film 5. ゲート絶縁膜となる第一の絶縁膜3としては、SiNx膜、SiOy膜、SiOzNw膜のいずれかの単層膜もしくはこれらを積層した多層膜が用いられる(なお、x、y、z、wはそれぞれ化学量論組成を表す正数である)。 The first insulating film 3 as a gate insulating film, SiNx film, SiOy film, either a single layer film or a multilayer film obtained by stacking these SiOzNw film is used (Note, x, y, z, w is each is a positive number representing the stoichiometric composition). 第一の絶縁膜3の膜厚は、薄い場合にはゲート配線22とソース配線63の交差部で短絡を生じやすく、厚い場合にはTFTのON電流が小さくなり表示特性が低下することから、第一の導電膜2の厚さ程度以上で、かつなるべく薄くすることが好ましい。 The film thickness of the first insulating film 3, if thin prone to short-circuit at the intersection of the gate wiring 22 and the source line 63, since the display characteristics becomes small ON current of the TFT is lowered when thick, in the first conductive film 2 over a thickness of about, and as much as possible it is preferable to thin. また、絶縁膜はピンホール等の発生による層間ショートを防止するために、複数回に分けて成膜することが好ましい。 The insulating film in order to prevent the interlayer short circuit due to occurrence of pinholes, it is preferable to form a plurality of times. 本実施の形態では、膜厚300nmのSiN膜を成膜した後、さらに膜厚100nmのSiN膜を成膜することにより、膜厚400nmのSiN膜を第一の絶縁膜3として形成する。 In this embodiment, after forming a SiN film having a thickness of 300 nm, by further forming a SiN film having a film thickness of 100 nm, an SiN film with a thickness of 400nm as a first insulating film 3.

半導体能動膜4としては、アモルファスシリコン(a―Si)膜、ポリシリコン(p―Si)膜等が用いられる。 As the semiconductor active film 4, an amorphous silicon (a-Si) film, a polysilicon (p-Si) film or the like is used. 半導体能動膜4の膜厚は、薄い場合には後述するオーミックコンタクト膜5のドライエッチング時に膜の消失が発生し、厚い場合にはTFTのON電流が小さくなることから、オーミックコンタクト膜5のドライエッチング時におけるエッチング量の制御性と、必要とするTFTのON電流値を考慮して選択する。 The thickness of the semiconductor active film 4, thin loss film during dry etching of the ohmic contact film 5 to be described later if occurs, since the ON current of the TFT becomes smaller if a thick, dry the ohmic contact film 5 and controllability of the etching amount in etching, selected in consideration of ON current of the TFT in need. 本実施の形態では、半導体能動膜4として膜厚150nmのa―Si膜を成膜する。 In this embodiment, forming the a-Si film with a thickness of 150nm as semiconductor active film 4.

オーミックコンタクト膜5としては、a―Siにリン(P)を微量にドーピングしたn型a―Si膜、あるいはn型p―Si膜が用いられる。 The ohmic contact film 5, n-type a-Si film doped with phosphorus (P) to trace the a-Si, or n-type p-Si film is used. 本実施の形態では、オーミックコンタクト膜5として膜厚30nmのn型a―Si膜を成膜する。 In this embodiment, depositing the n-type a-Si film with a thickness of 30nm as an ohmic contact layer 5.

次に、第2の写真製版工程にて、図2(b)に示すように、半導体能動膜4およびオーミックコンタクト膜5を少なくともTFT部が形成される部分に残存するようにパターニングする。 Next, in the second photolithography step, as shown in FIG. 2 (b), patterned to remain at least in part the TFT portion is formed a semiconductor active film 4 and the ohmic contact film 5. なお、半導体能動膜4およびオーミックコンタクト膜5はTFT部が形成される部分の他に、ゲート配線22とソース配線63が交差する部分にも残存させることにより、交差部での耐電圧が大きくなり好ましい。 The semiconductor active film 4 and the ohmic contact film 5 to other parts of the TFT portion is formed by the gate lines 22 and source lines 63 to be left at the intersection, the withstand voltage at the intersection is large preferable. なお、半導体能動膜4およびオーミックコンタクト膜5のエッチングは、公知のガス組成(例えば、SF とO の混合ガスまたはCF とO の混合ガス)を用いてドライエッチング法で行うことができる。 The etching of the semiconductor active film 4 and the ohmic contact layer 5, a known gas composition (e.g., SF 6 mixed gas or mixed gas of CF 4 and O 2 in O 2) be carried out by dry etching using a it can.

次に、スパッタリング法等により第二の導電膜6を成膜する。 Then, depositing a second conductive film 6 by sputtering or the like. 第二の導電膜6としては、例えばクロム、モリブデン、タンタル、チタンまたはこれらを主成分とする合金などが用いられる。 The second conductive film 6, for example, chromium, molybdenum, tantalum, an alloy of titanium or main component thereof is used. 本実施の形態では、膜厚400nmのクロム膜を成膜する。 In this embodiment, a chromium film having a thickness of 400 nm. なお、第二の導電膜6上には、後述の工程でエッチングによりコンタクトホールが形成され、コンタクトホール内には電気的接続を得るための導電性薄膜(透明導電性膜9)が形成されるため、表面酸化が生じにくい金属薄膜や酸化されても導電性を有する金属薄膜を第二の導電膜6として用いることが好ましい。 Incidentally, on the second conductive film 6 is formed a contact hole by etching in a later step, the conductive thin film to obtain an electrical connection (transparent conductive film 9) is formed in the contact hole Therefore, it is preferable to use a metal thin film having conductivity even surface oxidation is unlikely metal thin film or oxide occurs as the second conductive film 6.

次に、第三の写真製版工程にて第二の導電膜6をパターニングし、ソース端子64、ソース配線63、ソース電極61、ドレイン電極62および第二の導電膜部分65を形成する。 Then, by patterning the second conductive film 6 in the third photolithography process, the source terminal 64, a source wiring 63, a source electrode 61, drain electrode 62 and the second conductive film portion 65. ソース電極61は、ソース配線63とゲート配線22が交差する部分にまで亘って形成される。 The source electrode 61 is formed over until the portion where the source wiring 63 and the gate line 22 intersect. なお、第二の導電膜6のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウエットエッチング法で行うことができる。 Note that the etching of the second conductive film 6 can be performed by wet etching using a known etchant.

続いて、TFT部のオーミックコンタクト膜5の中央部をエッチング除去し、図2(c)に示すように半導体能動膜4を露出させる。 Subsequently, the central portion of the ohmic contact layer 5 of the TFT portion is removed by etching to expose the semiconductor active film 4 as shown in Figure 2 (c). なお、オーミックコンタクト膜5のエッチングは、公知のガス組成(例えば、SF とO の混合ガスまたはCF とO の混合ガス)を用いてドライエッチング法で行うことができる。 The etching of the ohmic contact layer 5 may be carried out by dry etching using a known gas composition (e.g., mixed gas, or mixed gas of CF 4 and O 2 of SF 6 and O 2).

次に、プラズマCVD法等により第二の絶縁膜7を成膜する。 Then, depositing a second insulating film 7 by a plasma CVD method or the like. 第二の絶縁膜7としては、第一の絶縁膜3と同様の材質により形成することができ、膜厚は下層パターンのカバレッジを考慮して決めることが好ましい。 The second insulating film 7, it can be formed by the same material as the first insulating film 3, the film thickness is preferably determined in consideration of the coverage of the lower layer pattern. 本実施の形態では、第二の絶縁膜7として膜厚400nmのSiN膜を成膜する。 In this embodiment, depositing the film thickness 400 nm SiN film serving as the second insulating film 7.

次に、第四の写真製版工程にて第二の絶縁膜7および第一の絶縁膜3をパターニングし、図2(d)に示すように、第二の導電膜部分65上にコンタクトホール81、ゲート端子23上にコンタクトホール82、ソース端子64上にコンタクトホール83を形成する。 Next, a second insulating film 7 and the first insulating film 3 in a fourth photolithography step patterned, as shown in FIG. 2 (d), the contact hole 81 on the second conductive film portion 65 , a contact hole 82 on the gate terminal 23, a contact hole 83 on the source terminal 64. なお、ゲート端子23上の第一の絶縁膜3および第二の絶縁膜7は、一度にエッチングされてコンタクトホール82が形成される。 Note that the first insulating film 3 and the second insulating film 7 on the gate terminal 23, a contact hole 82 is formed by etching at a time. 第一の絶縁膜3および第二の絶縁膜7のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウエットエッチング法、もしくは公知のガス組成を用いてドライエッチング法で行うことができる。 Etching the first insulating film 3 and the second insulating film 7 may be performed by dry etching using a wet etching method, or a known gas composition using a known etchant. また、第二の絶縁膜7および第一の絶縁膜3のエッチングにおいては、コンタクトホール内での導電性薄膜のカバレッジを向上させるために、テーパーエッチングすることが好ましい。 In the second insulating film 7 and the first etching of the insulating film 3, in order to improve the coverage of the conductive thin film in the contact hole, it is preferable to taper etching.

なお、この時点においては、図2(d)に示すように、TFT部と反射画素電極部の間の画素/ドレインコンタクト部に位置するコンタクトホール81により第二の導電膜6からなる第二の導電膜部分65が露出し、コンタクトホール82により第一の導電膜2からなるゲート端子23が露出し、コンタクトホール83により第二の導電膜6からなるソース端子64が露出している。 Incidentally, in this time, as shown in FIG. 2 (d), the contact hole 81 is located in pixel / drain contact portion between the reflective pixel electrode portion TFT portion second consisting of the second conductive film 6 conductive portion 65 is exposed, the first conductive film 2 gate terminal 23 of the exposed by the contact hole 82, the source terminal 64 made of the second conductive film 6 via the contact hole 83 is exposed.

次に、スパッタリング法等により透明導電性膜9を成膜する。 Then, depositing a transparent conductive film 9 by sputtering or the like. 透明導電性膜9としてはITO、SnO などを用いることができ、特に化学的安定性の観点からITOを用いることが好ましい。 ITO is a transparent conductive film 9, such as SnO 2 can be used, it is particularly preferable to use the ITO from the viewpoint of chemical stability. なお、ITOは、結晶化ITOまたはアモルファスITO(a−ITO)のいずれでもよいが、a−ITOを用いた場合は、パターニング後、結晶化温度180℃以上に加熱して結晶化させる必要がある。 Incidentally, ITO may be either crystallized ITO or amorphous ITO (a-ITO), in the case of using a-ITO, after patterning, it is necessary to crystallize by heating above the crystallization temperature 180 ° C. . 本実施の形態では、透明導電性膜として膜厚80nmのa−ITOを成膜する。 In this embodiment, the formation of the a-ITO film thickness 80nm as a transparent conductive film.

次に、第五の写真製版工程にて透明導電性膜9をパターニングし、図2(e)に示すように、電極パターン91(透過画素電極91aと透明導電膜部91b)、および端子パターン92、93を形成する。 Then, by patterning the transparent conductive film 9 at a fifth photolithography process, as shown in FIG. 2 (e), the electrode pattern 91 (transmissive pixel electrode 91a and the transparent conductive film portion 91b), and terminal patterns 92 , to form a 93. このとき、コンタクトホール81、82、83の底部および側壁部は透明絶縁性膜9により被覆される。 At this time, the bottom and the side wall of the contact hole 81, 82 and 83 are covered by a transparent insulating film 9. なお、コンタクトホール81、82、83の底部に露出しているゲート端子23を構成する第一の導電膜2、およびドレイン電極62、ソース端子64および第二の導電膜部分65を構成する第二の導電膜6は、表面酸化が生じにくい金属(クロム)により構成されているため、ドレイン電極62、ゲート端子23、ソース端子64および第二の導電膜部分65は透明導電性膜9と良好なコンタクト抵抗を得ることができ、ドレイン電極62はコンタクトホール81を介して電極パターン91と、ゲート端子23はコンタクトホール82を介して端子パターン92と、ソース端子64はコンタクトホール83を介して端子パターン93と電気的に接続されている。 Incidentally, the second constituting the first conductive film 2, and the drain electrode 62, the source terminal 64 and the second conductive film portion 65 which constitutes the gate terminal 23 exposed to the bottoms of the contact holes 81, 82 and 83 conductive film 6, because they are composed of hard metal generated surface oxide (chromium), the drain electrode 62, gate terminal 23, a source terminal 64 and the second conductive film portion 65 and the transparent conductive film 9 good it is possible to obtain the contact resistance, the drain electrode 62 is the electrode pattern 91 through the contact hole 81, the gate terminal 23 and the terminal pattern 92 through the contact hole 82, a terminal pattern source terminal 64 through a contact hole 83 93 are electrically connected to the.

なお、透明導電性膜9のエッチングは、使用する材料によって公知のエッチャントもしくは公知のガス組成を用いて行うことができる。 The etching of the transparent conductive film 9 can be performed using a known etchant or known gas composition by the material used. また、透明導電性膜9のエッチングおよび感光性レジストの剥離後、a−ITOを結晶化させるために大気中で180℃以上に加熱する。 Further, after peeling the etching and photoresist of the transparent conductive film 9 is heated above 180 ° C. in air in order to crystallize the a-ITO.

次に、スパッタリング法等により反射画素電極10を構成する第三の導電膜10a、10bを成膜する。 Next, a third conductive film 10a constituting the reflective pixel electrode 10 by sputtering or the like, 10b is deposited. 第三の導電膜10a、10bとしては、例えばクロム、モリブデン、タンタル、チタンまたはこれらを主成分とする合金を下層とし、アルミニウム(Al)、銀(Ag)またはこれらを主成分とする合金を上層とする二層構造を有した薄膜を用いることができる。 The third conductive film 10a, as is 10b, for example, chromium, molybdenum, tantalum, an alloy with titanium or main component thereof as a bottom layer, an aluminum (Al), the upper layer of silver (Ag) or these as a main component an alloy it can be used a thin film having a two-layer structure in which the. なお、上層の第三の導電膜10bは、反射画素電極として用いられるため、反射率の高い導電膜により構成する。 Incidentally, the third conductive film 10b of the upper layer, because it is used as a reflective pixel electrode, constituting a high reflectance conductive film. 本実施の形態では、下層の第三の金属膜10aとして膜厚100nmのクロム膜、上層の第三の導電膜10bとして膜厚300nmのアルミニウムと銅(Cu)の合金膜を成膜する。 In this embodiment, depositing the alloy film of the lower layer of the third metal film 10a as a film thickness of 100nm chromium film, a film thickness 300nm of aluminum and copper as a third conductive film 10b of the upper layer (Cu).

次に、第六の写真製版工程にて第三の導電膜10a、10bをパターニングし、図2(f)に示すように、反射画素電極10を形成する。 Next, a third conductive film 10a in a sixth photolithography process, patterning the 10b, as shown in FIG. 2 (f), forming a reflective pixel electrode 10. 反射画素電極10はドレイン電極62と電気的に接続された透明導電膜部91b上に形成される。 Reflective pixel electrode 10 is formed on the drain electrode 62 is electrically connected to the transparent conductive film portions on 91b. なお、第三の導電膜10a、10bのエッチングは、公知のエッチャントを用いてウエットエッチング法で行うことができる。 Note that the etching of the third conductive film 10a, 10b can be performed by wet etching using a known etchant. 以上の工程を経て、図2(f)に示すように、1画素内に透過画素電極91aと反射画素電極10とを有するTFTアレイ基板が完成する。 Through the above steps, as shown in FIG. 2 (f), TFT array substrate having the transmissive pixel electrode 91a in one pixel and the reflective pixel electrode 10 is completed.

このようにして形成されたTFTアレイ基板は、その後のパネル組み立て工程において配向膜が塗布され、一定の方向にラビング処理が施される。 Such a TFT array substrate which is formed by the alignment film in the subsequent panel assembly process is applied, rubbing treatment is performed in a predetermined direction. 同様に、他の透明絶縁性基板上にブラックマトリクス、カラーフィルタ、カラーフィルタの保護膜、対向透明電極等が形成された対向基板にも配向膜が塗布されラビング処理が施される。 Similarly, other transparent insulating black matrix on a substrate, a color filter, a protective film for color filter, rubbing the alignment film is applied to a counter substrate such counter transparent electrode is formed is applied. これらのTFTアレイ基板と対向基板とを互いの配向膜が向き合うようにスペーサを介して重ね合わせ、基板周縁部をシール材にて接着し、両基板間に液晶を封止する。 And these TFT array substrate and the counter substrate superposed through a spacer so as to face to each other of the alignment film, bonding the substrate peripheral portion at the sealing member to seal the liquid crystal between the substrates. このようにして形成された液晶パネルの背面にバックライトユニットに取り付けることにより、本実施の形態1における半透過型液晶表示装置が完成する。 By attaching the back of the thus liquid crystal panel formed by the backlight unit, a transflective liquid crystal display device in Embodiment 1 is completed.

一般に、半透過型液晶表示装置では、光を反射して表示を行う反射画素電極部と光を透過して表示を行う透過画素電極部における光路長を等しくして光学特性の整合性を向上させるために、反射領域の液晶厚を透過領域の液晶厚の約半分にすることが好ましい。 In general, the semi-transmission type liquid crystal display device improves the consistency of optical properties at equal optical path length in the transmissive pixel electrode unit which performs display by transmitting the reflective pixel electrode portion and a light for performing display by reflecting light for, it is preferable that about half of the liquid crystal thickness of the liquid crystal thickness in the reflective area transmissive region. 反射領域の液晶厚を透過領域の液晶厚の約半分にするための方法の一つとして、対向基板側の反射領域に対応する位置に透明樹脂により凸部を形成する構成が提示されており、本実施の形態1によるTFTアレイ基板を該構成に適用することにより、反射画素電極部と透過画素電極部の光学特性の整合性が良好な表示品質に優れた半透過型液晶表示装置を形成することができる。 The liquid crystal thickness in the reflective region as a way for about half of the liquid crystal thickness in the transmission region, and configured to form a convex portion is presented by a transparent resin in a position corresponding to the reflective region of the counter substrate side, by applying the TFT array substrate according to the first embodiment in the configuration, to form a semi-transmissive liquid crystal display device consistent optical properties of the transparent pixel electrode portions and the reflective pixel electrode portions and excellent excellent display quality be able to.

図3に本実施の形態1によるTFTアレイ基板と反射領域に凸部を有する対向基板からなる半透過型液晶パネルの断面図を示す。 It shows a cross-sectional view of a transflective liquid crystal panel comprising a counter substrate on the TFT array substrate and the reflection area according to the first embodiment will have a convex portion in FIG. 対向基板101は、透明絶縁性基板102上にブラックマトリクス103、カラーフイルタ104、対向透明電極105、および反射領域に対応する位置には透明樹脂による凸部106が形成されている。 Counter substrate 101, a black matrix 103 on the transparent insulating substrate 102, a color filter 104, the convex portion 106 is formed by opposing the transparent electrode 105 and the transparent resin is in a position corresponding to the reflective region. なお、図3においては、TFTアレイ基板100および対向基板101に塗布される配向膜の記載は省略されている。 In FIG. 3, wherein the alignment film is coated on the TFT array substrate 100 and the counter substrate 101 is omitted.

反射領域の液晶厚drを透過領域の液晶厚dtの半分にするためには、透明樹脂による凸部106の厚みΔd CFは、透過領域の液晶厚dtの1/2から反射画素電極10と透過画素電極91aの高低差(ギャップ)Δd TFTを差し引いた厚みとすることが必要である。 The liquid crystal thickness dr in the reflective region to half of the liquid crystal thickness dt of the transparent region, the thickness [Delta] d CF convex portions 106 by the transparent resin is transmissive-half of the liquid crystal thickness dt of the transmissive region and the reflective pixel electrode 10 it is necessary that the thickness obtained by subtracting the height difference between the pixel electrode 91a (gap) [Delta] d TFT. 本実施の形態において、反射画素電極10と透過画素電極91aの高低差Δd TFTは、反射画素電極10形成部と透過画素電極91aの形成部の層構成より、補助容量配線24と反射画素電極10に起因するものであり、その厚みは補助容量配線24を構成する第一の導電膜2の膜厚400nmと、反射画素電極10を構成する第三の導電膜10a、10bの膜厚400nmを合わせたものである。 In this embodiment, the height difference [Delta] d TFT of the reflective pixel electrode 10 transparent pixel electrode 91a, from the layer structure of the forming portion of the transmissive pixel electrode 91a and the reflective pixel electrode 10 formation portion, the auxiliary capacitor line 24 and the reflective pixel electrode 10 to be due, its thickness is combined with the first film thickness 400nm conductive film 2 constituting the auxiliary capacitor line 24, the third conductive film 10a constituting the reflective pixel electrodes 10 and 10b thickness 400nm of those were. 透過領域の液晶厚dtを4μmとした場合、凸部の厚みΔd CFは、2μmからΔd TFTの800nmを差し引いた1.2μmとなり、透明樹脂による凸部の形成は可能である。 If the liquid crystal thickness dt of the transparent region was 4 [mu] m, the thickness [Delta] d CF of the convex portion, 1.2 [mu] m becomes minus the 800nm of [Delta] d TFT from 2 [mu] m, formation of the convex portion by the transparent resin is possible.

なお、上記実施の形態1では、反射領域の液晶厚と透過領域の液晶厚に差を設けて反射画素電極部と透過画素電極部における光学特性の整合性を向上させる方法として、対向基板側の反射領域に対応する位置に透明樹脂により凸部を形成する構造を示したが、本実施の形態1によるTFTアレイ基板を他の光学特性の整合性を向上させ得る方法に適用することは可能である。 Although in the above-mentioned first embodiment, as a method for improving the consistency of optical properties in the transmissive pixel electrode portions and the reflective pixel electrode portion is provided a liquid crystal difference in thickness of the liquid crystal thickness a transmissive region in the reflective region, the counter substrate side although the structure forming a convex portion of a transparent resin in a position corresponding to the reflective region, applying the TFT array substrate according to the first embodiment in the method capable of improving the integrity of other optical characteristics can be is there.

以上のように、本実施の形態1では、液晶駆動時の補助容量は、第一の導電膜2からなる補助容量配線24に、画素を囲む配線(ゲート配線22、ソース配線63等)とは絶縁層を介して異なる層に設けられている反射画素電極10を重畳することにより形成されており、反射画素電極10と配線との短絡を考慮する必要が無いため、反射画素電極10の形成面積を大きくでき、大きな補助容量を得ることができる。 As described above, in the first embodiment, the auxiliary capacitor during liquid crystal driving, the auxiliary capacitance line 24 made of the first conductive film 2, and the wiring surrounding the pixel (gate wiring 22, a source wiring 63, etc.) is formed by superimposing the reflective pixel electrodes 10 that are provided in different layers with an insulating layer, since there is no need to consider the short-circuiting between the wiring and the reflective pixel electrode 10, the formation area of ​​the reflective pixel electrodes 10 the can be increased, it is possible to obtain a large storage capacitance. また、TFTアレイ基板に材料コストの高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を用いない構成とする場合においても、対向基板側の反射領域に対応する位置に透明樹脂による凸部を形成することにより、反射画素電極部と透過画素電極部における光路長を等しくして光学特性の整合性を向上させることができる。 Further, in the case of a structure without using the interlayer insulating film made of a high organic resin of the material cost of the TFT array substrate also, by forming a convex portion of a transparent resin in a position corresponding to the reflective region of the counter substrate side, reflecting it is possible to improve the consistency of optical properties at equal optical path length in the transmissive pixel electrode portions and the pixel electrode portion. 以上ことから、表示品質に優れ、高歩留まりおよび低コストの半透過型液晶表示装置が得られる。 Since above, excellent display quality, transflective liquid crystal display device of high yield and low cost can be obtained.

実施の形態2. The second embodiment.
図4は、本発明の実施の形態2における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板を示す断面図である。 Figure 4 is a sectional view showing a TFT array substrate constituting the transflective liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. 図中、同一、相当部分には同一符号を付している。 In the figures, the same, in which corresponding parts are denoted by the same reference numerals.

本実施の形態2における半透過型液晶表示装置の構造および製造工程については、TFTアレイ基板に形成される反射画素電極10が第三の絶縁膜11により被覆される部分を除いては上記実施の形態一と同様であるので説明を省略する。 The structure and manufacturing process of the transflective liquid crystal display device according to the second embodiment, except for the portion where the reflective pixel electrode 10 formed on the TFT array substrate is covered by the third insulating film 11 of the above-described It omitted because it is similar to the embodiment one.

本実施の形態におけるTFTアレイ基板は、上記実施の形態1と同様に、透明絶縁性基板1上に第一の導電膜2からなるゲート電極21とゲート配線22とゲート端子23と補助容量電極および補助容量配線24、第一の絶縁膜3、半導体能動膜4、オーミックコンタクト膜5、第二の導電膜6からなるソース電極61とドレイン電極62とソース配線63とソース端子64、第二の導電膜部分65、第二の絶縁膜7、ドレイン電極62上のコンタクトホール81、ゲート端子23上のコンタクトホール82、ソース端子64上のコンタクトホール83、透明導電性膜9からなる電極パターン91(透過画素電極91a、透明導電膜部91b)と端子パターン92、93、および反射画素電極10が形成されている。 TFT array substrate in this embodiment, as in the first embodiment, the gate electrode 21 and the gate wiring 22 and the gate terminal 23 made of the first conductive film 2 on the transparent insulating substrate 1 auxiliary capacitance electrode and auxiliary capacitor line 24, the first insulating film 3, the semiconductor active film 4, the ohmic contact layer 5, the second source electrode 61 and the drain electrode 62 and the source line 63 and the source terminal 64 formed of a conductive film 6, the second conductive membrane portion 65, the second insulating film 7, a contact hole 81 on the drain electrode 62, a contact hole 82 on the gate terminal 23, a contact hole 83 on the source terminal 64, a transparent conductive film 9 the electrode pattern 91 (transmission pixel electrode 91a, a transparent conductive film portion 91b) and the terminal patterns 92 and 93, and the reflective pixel electrode 10 is formed. さらに、本実施の形態では、図4に示すように、反射画素電極10上に第三の絶縁膜11が形成され、反射画素電極10は第三の絶縁膜11によりその全面が覆われている。 Further, in this embodiment, as shown in FIG. 4, the third insulating film 11 is formed on the reflective pixel electrode 10, the reflective pixel electrode 10 has its entire surface covered by the third insulating film 11 .

次に、本実施の形態2における半透過型液晶表示装置の製造工程について説明する。 Next, a description will be given of a manufacturing process of a transflective liquid crystal display device according to the second embodiment. なお、透明導電性膜9からなる電極パターン91(透過画素電極91a、透明導電膜部91b)および端子パターン92、93を形成する工程までは上記実施の形態1と同様であるので説明を省略する。 Incidentally, omitted because the electrode pattern 91 (transmissive pixel electrode 91a, a transparent conductive film portion 91b) made of a transparent conductive film 9 until forming a and the terminal patterns 92 and 93 are the same as in the first embodiment .

上記実施の形態1と同様の工程により、透明絶縁性基板1上には第一の導電膜2からなるゲート電極21とゲート配線22とゲート端子23と補助容量電極および補助容量配線24、第一の絶縁膜3、半導体能動膜4、オーミックコンタクト膜5、第二の導電膜6からなるソース電極61とドレイン電極62とソース配線63とソース端子64と第二の導電膜部分65、第二の絶縁膜7、第二の導電膜65上のコンタクトホール81、ゲート端子23上のコンタクトホール82、ソース端子64上のコンタクトホール83、透明導電性膜9からなる電極パターン91(透過画素電極91a、透明導電膜部91b)と端子パターン92、93が形成されている。 Through the same process as in the first embodiment, on the transparent insulating substrate 1 a first conductive film and second gate electrode 21 and the gate wiring 22 and the gate terminal 23 made of an auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitor line 24, the first the insulating film 3, the semiconductor active film 4, the ohmic contact layer 5, the second source electrode 61 and the drain electrode 62 and the source line 63 and the source terminal 64 and the second conductive film portion 65 formed of a conductive film 6, the second insulating film 7, the second conductive film on the 65 contact hole 81, a contact hole 82 on the gate terminal 23, the electrode pattern 91 made of the contact hole 83, the transparent conductive film 9 on the source terminal 64 (transmissive pixel electrode 91a, terminal pattern 92 and 93 are formed and the transparent conductive film portion 91b).

次に、スパッタリング法等により反射画素電極10を構成する第三の導電膜10a、10bを成膜する。 Next, a third conductive film 10a constituting the reflective pixel electrode 10 by sputtering or the like, 10b is deposited. 第三の導電膜10a、10bとしては、例えばクロム、モリブデン、タンタル、チタンまたはこれらを主成分とする合金を下層とし、アルミニウム(Al)、銀(Ag)またはこれらを主成分とする合金を上層とする二層構造を有した薄膜を用いることができる。 The third conductive film 10a, as is 10b, for example, chromium, molybdenum, tantalum, an alloy with titanium or main component thereof as a bottom layer, an aluminum (Al), the upper layer of silver (Ag) or these as a main component an alloy it can be used a thin film having a two-layer structure in which the. 本実施の形態では、下層の第三の金属膜10aとして膜厚100nmのクロム膜、上層の第三の導電膜10bとして膜厚300nmのアルミニウムと銅(Cu)の合金膜を成膜する。 In this embodiment, depositing the alloy film of the lower layer of the third metal film 10a as a film thickness of 100nm chromium film, a film thickness 300nm of aluminum and copper as a third conductive film 10b of the upper layer (Cu).

続けて、プラズマCVD法等により第三の絶縁膜11を成膜する。 Subsequently, forming a third insulating film 11 by a plasma CVD method or the like. 第三の絶縁膜11としては、第一の絶縁膜3と同様の材質による膜厚100nmから500nmの薄膜を用いることができる。 The third insulating film 11, it is possible to use 500nm thin film thickness 100nm by the same material as the first insulating film 3. 本実施の形態では、第三の絶縁膜11として膜厚100nmのSiN膜を成膜する。 In this embodiment, depositing the film thickness 100 nm SiN film as the third insulating film 11.

次に、第六の写真製版工程にて第三の絶縁膜11および第三の導電膜10a、10bをパターニングし、図4に示すように、反射画素電極10および反射画素電極10を被覆する第三の絶縁膜11を形成する。 Next, a third insulating film 11 and the third conductive film 10a in the sixth photolithography step, and 10b are patterned, as shown in FIG. 4, first to cover the reflection pixel electrodes 10 and the reflective pixel electrode 10 forming a third insulating film 11. 反射画素電極10はドレイン電極62と電気的に接続された透明導電膜部91b上に形成される。 Reflective pixel electrode 10 is formed on the drain electrode 62 is electrically connected to the transparent conductive film portions on 91b. なお、この写真製版工程においては、同一レジストパターンを用いて第三の絶縁膜11および第三の導電膜10a、10bのパターニングを行う。 Incidentally, in this photolithographic process, the third insulating film 11 and the third conductive film 10a, the patterning of 10b performed using the same resist pattern. 以上の工程を経て、図4に示すように、1画素内に透過画素電極91aと反射画素電極10とを有するTFTアレイ基板が完成する。 Through the above steps, as shown in FIG. 4, TFT array substrate having the transmissive pixel electrode 91a in one pixel and the reflective pixel electrode 10 is completed. 以降、上記実施の形態1と同様の工程により半透過型液晶表示装置を形成する。 Later, to form a semi-transmissive liquid crystal display device by the same process as in the first embodiment.

一般に、半透過型液晶表示装置においては、光を反射して表示を行う反射画素電極部と光を透過して表示を行う透過画素電極部との光路長を近づけ光学特性を一致させるために、反射画素電極部の液晶厚を小さくする必要がある。 In general, in the transflective liquid crystal display device, in order to match the optical characteristics closer to the optical path length of the transmissive pixel electrode unit which performs display by transmitting the reflective pixel electrode portion and a light for performing display by reflecting light, it is necessary to reduce the crystal thickness of the reflective pixel electrode portion. その結果、面間(TFTアレイ基板の反射画素電極と対向基板の対向透明電極間)でショートが発生し歩留まりが低下するという問題があった。 As a result, short circuit occurs yield with (between opposed transparent electrodes of the reflective pixel electrode and a counter substrate of the TFT array substrate) between the surfaces is lowered. 本実施の形態2では、反射画素電極10上に第三の絶縁膜11を形成することにより、反射画素電極10と対向透明電極間のショートの発生を抑制することができる。 In the second embodiment, by forming the third insulating film 11 on the reflective pixel electrode 10, it is possible to suppress the occurrence of short circuit between the reflective pixel electrodes 10 and the transparent counter electrode.

以上のように、本実施の形態2においては、上記実施の形態1と同様の効果が得られると共に、反射画素電極10上に同一写真製版工程により第三の絶縁膜11を形成することにより、写真製版工程を追加することなく反射画素電極10と対向透明電極間のショートの発生を抑制することができ、半透過型液晶表示装置の歩留まりを向上させることができる。 As described above, in the second embodiment, the same advantages as the first embodiment can be obtained, by forming a third insulating film 11 by the same photolithographic process on the reflective pixel electrode 10, it is possible to suppress a short circuit occurrence between the reflective pixel electrodes 10 and the transparent counter electrode without adding a photolithography process, it is possible to improve the yield of the transflective liquid crystal display device.

本発明は、液晶表示装置に利用され、特に低消費電力化が要求される中、小型の携帯情報機器のモニターとして利用することができる。 The present invention is utilized in a liquid crystal display device, particularly in the low power consumption is required, can be used as a monitor for small portable information devices.

本発明の実施の形態1における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の一画素を示す平面図である。 One pixel of a TFT array substrate constituting the transflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention is a plan view showing. 本発明の実施の形態1における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の製造プロセスフローを示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing a manufacturing process flow of a TFT array substrate constituting the transflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態1における半透過型液晶表示装置の一例を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing an example of a transflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態2における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板を示す断面図である。 The TFT array substrate constituting the transflective liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention is a cross-sectional view illustrating.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 透明絶縁性基板、2 第一の導電膜、21 ゲート電極、22 ゲート配線、 First transparent insulating substrate, 2 a first conductive film, 21 gate electrode, 22 a gate wiring,
23ゲート端子、24 補助容量配線、3 第一の絶縁膜(ゲート絶縁膜)、 23 gate terminal 24 storage capacitor line, 3 first insulating film (gate insulating film),
4 半導体能動膜、5 オーミックコンタクト膜、6 第二の導電膜、 4 semiconductor active film, 5 the ohmic contact layer, 6 second conductive film,
61 ソース電極、62 ドレイン電極、63 ソース配線、64 ソース端子、 61 source electrode, 62 drain electrode, 63 source wiring, 64 a source terminal,
65 導電膜部分、 65 conductive film part,
7 第二の絶縁膜、8a、8b、8c コンタクトホール、9 透明導電性膜、 7 the second insulating film, 8a, 8b, 8c contact hole 9 a transparent conductive film,
91 電極パターン、91a 透過画素電極、91b 透明導電膜部、 91 electrode patterns, 91a transmissive pixel electrode, 91b transparent conductive film portion,
92、93 端子パターン、10反射画素電極、10a、10b 第三の導電膜、 92 and 93 terminal pattern, 10 the reflective pixel electrodes, 10a, 10b a third conductive film,
11 第三の絶縁膜、100 TFTアレイ基板、101 対向基板、 11 third insulating film, 100 TFT array substrate, 101 a counter substrate,
102 透明絶縁性基板、103 ブラックマトリクス、104 カラーフイルタ、105 対向透明電極、106 凸部。 102 transparent insulating substrate, 103 a black matrix, 104 color filter 105 facing the transparent electrode, 106 protrusions.

Claims (3)

  1. 1画素内に光を透過する透過画素電極と光を反射する反射画素電極を有するTFTアレイ基板と、対向透明電極を有する対向基板との間に液晶が配置されてなる半透過型液晶表示装置において、 A TFT array substrate having a reflective pixel electrode which reflects transmissive pixel electrode and the light passing through the light in one pixel, in the transflective liquid crystal display device in which liquid crystal is disposed between the counter substrate having a counter transparent electrode ,
    前記TFTアレイ基板は、 The TFT array substrate,
    透明絶縁性基板上に形成された第一の導電膜からなる複数本のゲート電極を備えたゲート配線と補助容量電極および補助容量配線、 First gate wiring having a plurality of gate electrodes formed of a conductive film and the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitor wiring formed on a transparent insulating substrate,
    前記第一の導電膜の上に形成された第一の絶縁膜、 First insulating film formed on said first conductive film,
    前記第一の絶縁膜上に形成された第二の導電膜からなり、前記ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線およびドレイン電極、 The first consists of the second conductive film formed on the insulating film, a source wiring and a drain electrode with a source electrode of the plurality of crossing the gate line,
    前記ゲート電極と、前記ゲート電極上に前記第一の絶縁膜を介して形成された半導体層と前記ソース電極およびドレイン電極からなる薄膜トランジスタ、 Wherein a gate electrode, the first insulating film and the semiconductor layer formed through the source electrode and the thin film transistor of the drain electrode on the gate electrode,
    前記薄膜トランジスタおよび前記第二の導電膜の上に形成された第二の絶縁膜、 Said thin film transistor and the second conductive second insulating film formed on the film,
    前記第二の絶縁膜上に形成され、前記第二の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続された透過率の高い導電膜からなる透過画素電極、 The second is formed on the insulating film, the second insulating through a contact hole formed in the film made of the drain electrode and electrically connected to the high transmittance conductive film transparent pixel electrode,
    前記透過画素電極とともに前記透過率の高い導電膜で形成された透明導電膜部上に形成され、前記透明導電膜部および前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極に電気的に接続された反射率の高い導電膜からなる反射画素電極を備え、 The transmission together with the pixel electrode is formed on the transmittance high conductive film formed in the transparent conductive film portions on, of the transparent conductive film portion and electrically connected reflectivity to the drain electrode through the contact hole a reflective pixel electrode made of a high conductive layer,
    前記反射画素電極は、前記第一の絶縁膜および前記第二の絶縁膜を介して前記補助容量電極および補助容量配線に重畳されて補助容量を形成していることを特徴とする半透過型液晶表示装置。 The reflective pixel electrode, a transflective liquid crystal, characterized by being the first insulating film and the second insulating film is superimposed on the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance lines via to form a storage capacitance display device.
  2. 前記反射画素電極は、第三の絶縁膜により被覆されていることを特徴とする請求項1記載の半透過型液晶表示装置。 The reflective pixel electrode, a transflective liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that it is covered by the third insulating film.
  3. 1画素内に光を透過する透過画素電極と光を反射する反射画素電極を有するTFTアレイ基板と、対向透明電極を有する対向基板との間に液晶が配置されてなる半透過型液晶表示装置の製造方法において、 A TFT array substrate having a transparent pixel electrode and the reflective pixel electrode which reflects light transmitted through the light in one pixel, a transflective liquid crystal display device in which liquid crystal is disposed between the counter substrate having a counter transparent electrode in the manufacturing method,
    前記TFTアレイ基板の製造方法は、透明絶縁性基板上に第一の導電膜を成膜し、パターニングしてゲート電極とゲート配線と補助容量電極および補助容量配線を形成する工程と、 Manufacturing method of the TFT array substrate includes forming a first conductive film is formed, patterned gate electrode and the gate line and the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance lines on a transparent insulating substrate,
    前記第一の導電膜の上に第一の絶縁膜、半導体能動膜、オーミックコンタクト膜を順次成膜する工程と、 The first insulating film on the first conductive film, a semiconductor active film, a step of sequentially forming the ohmic contact layer,
    前記半導体能動膜と前記オーミックコンタクト膜をパターニングして前記ゲート電極の上に前記第一の絶縁膜を介して半導体層を形成する工程と、 Forming a semiconductor layer over the first insulating film on the gate electrode by patterning the ohmic contact layer and the semiconductor active film,
    前記第一の絶縁膜および前記半導体層の上に第二の導電膜を成膜し、パターニングしてソース電極とドレイン電極とソース配線を形成する工程と、 Forming a second conductive film is formed, a source wiring and a source electrode and a drain electrode by patterning on said first insulating film and the semiconductor layer,
    前記第一の絶縁膜および前記第二の導電膜の上に第二の絶縁膜を成膜する工程と、 A step of forming a second insulating film on the first insulating film and the second conductive film,
    前記第二の絶縁膜をパターニングして前記ドレイン電極上の前記第二の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、 Forming a contact hole in the second insulating film on the drain electrode by patterning the second insulating film,
    前記第二の絶縁膜上および前記コンタクトホール内に透過率の高い導電膜を成膜し、パターニングして前記ドレイン電極と電気的に接続された透明導電膜部および透過画素電極を形成する工程と、 And forming the second high permeability conductive film is formed in the insulating film and the contact hole, patterned electrically connected to the drain electrode is a transparent conductive film portion and the transmissive pixel electrode ,
    前記透過率の高い導電膜の上方に反射率の高い導電膜および第三の絶縁膜を成膜し、前記反射率の高い導電膜および前記第三の絶縁膜を同一写真製版工程によりパターニングして、前記透明導電膜部上に前記透明導電膜部および前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極に電気的に接続された反射画素電極および前記反射画素電極を被覆する第三の絶縁膜を形成する工程を備え、 Said upper having a high reflectivity conductive film and the third insulating film having a high transmittance conductive film is formed, the high reflectance conductive film and the third insulating film is patterned by the same photolithography process forming a third insulating film covering the reflective pixel electrode and the reflective pixel electrode is electrically connected to the drain electrode through the transparent conductive film portion and the contact hole on the transparent conductive film portion equipped with a,
    前記反射画素電極は、前記第一の絶縁膜および前記第二の絶縁膜を介して前記補助容量電極および補助容量配線に重畳されて補助容量を形成していることを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。 The reflective pixel electrode, a transflective liquid crystal, characterized by being the first insulating film and the second insulating film is superimposed on the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance lines via to form a storage capacitance method for manufacturing a display device.
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