JP4185054B2 - Magneto-optical recording medium - Google Patents

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Description

【０００１】
【技術分野】
本発明は、記録層、再生層、および中間層を含む多層磁性部を有し、再生に際して再生層における磁区拡大ないし磁壁移動を伴う光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【背景技術】
近年、光磁気記録媒体が注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。光磁気記録媒体は、垂直磁化膜からなる記録層を有し、当該記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録されている。この記録信号は、再生信号読み取り用の所定の光学系で読み取られる。
【０００３】
光磁気記録媒体の技術の分野では、再生信号読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、種々の再生方式が開発されている。例えば、ＤＷＤＤ(domain wall displacement detection)、および、ＭＡＭＭＯＳ(magnetic amplifying magneto-optical system）である。そのような光磁気記録媒体は、例えば、特開平１０−１４９５９２号公報、特開２００１−２２９５８５公報、および国際公開ＷＯ９８／０２８７８号公報に開示されている。
【０００４】
ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体においては、記録層と、再生層と、これらの間の中間層とによる積層構造を有する磁性材料部が、所定の基板の上に設けられている。これら３層は、各々、一般に、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。記録層は相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層は相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層は他の２層より低いキュリー温度を有し、これら３層は、中間層のキュリー温度より低温の所定条件下において隣接２層間に交換相互作用が働くように積層されている。
【０００５】
記録層には、媒体の走査方向に沿って所定の信号が記録されている。具体的には、記録層には、媒体走査方向に連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区が形成されており、従って、走査方向に沿って記録信号に応じた間隔で起立する複数の磁壁が形成されている。再生層および中間層は、媒体温度が中間層のキュリー温度より低い温度条件の下では中間層を介して記録層と再生層とが交換結合し、且つ、媒体温度が中間層のキュリー温度を越える所定の温度条件の下では再生層内で磁壁移動現象が起こるように、構成されている。媒体温度が中間層のキュリー温度より低い所定の温度条件の下では、中間層を介して記録層と交換結合している再生層には、記録層と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成されている。媒体温度が中間層のキュリー温度より高い温度条件の下では、中間層の自発磁化が消失し、当該中間層を介する記録層および再生層の交換結合は切断される。その結果、磁壁抗磁力の小さな再生層において磁壁が移動可能となる。当該磁壁は、再生層内に温度勾配が存在する場合に、より高温な領域へと移動する。
【０００６】
上述のような積層構造を有する磁性材料部よりなる情報トラックが形成されているＤＷＤＤ方式光磁気ディスクの再生動作においては、当該ディスクを回転させつつ情報トラックに再生用のレーザビームを照射することによって、当該情報トラックを走査する。このとき、磁性材料部よりなる情報トラックの内部には、ビーム照射領域において当該走査方向に温度勾配が生ずる。ビーム照射領域における、中間層のキュリー温度の等温線を、再生層の磁壁が当該走査に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁は再生層内をより高温側へと移動する。再生層内をこのように磁壁が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用レーザビームを照射して磁壁移動を順次検知することにより、当該媒体の記録信号が読み取られることとなる。
【０００７】
ＤＷＤＤ方式に基づく再生においては、再生用レーザビームのスポット全体ではなく、ビームスポット内の等温線（中間層のキュリー温度の等温線）により、情報トラックを構成する再生層ないし記録層の記録パターンが弁別される。したがって、ＤＷＤＤ方式においては、再生信号読取り用の光学系における分解能の限界を超えて記録層に高密度に記録された信号であっても、即ち最小記録マーク長がスポット径よりも小さな記録パターンであっても、再生することが可能なのである。例えば、再生用レーザビームとして赤レーザ（ビームスポット径：約１μｍ）を採用する場合であっても、長さ０．１μｍ以下の記録マークは原理的には再生され得る。
【０００８】
以上のように、ＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体では、再生ビームスポット内の温度分布に対応する中間層の磁気特性の変化に伴う記録層および再生層の交換結合状態の切換わりを利用して、高再生分解能化が図られている。
【０００９】
同様に、ＭＡＭＭＯＳ方式光磁気記録媒体も、記録層と、再生層と、これらの間において他の２層より低いキュリー温度を有する中間層と、による積層構造を有する磁性材料部を備え、再生ビームスポット内の温度分布に対応する中間層の磁気特性の変化に伴う記録層および再生層の交換結合状態の切換わりを利用して、高再生分解能化が図られている。
【００１０】
ＤＷＤＤ方式やＭＡＭＭＯＳ方式の光磁気記録媒体などのような、再生に際して再生層における磁壁移動ないし磁区拡大を伴う光磁気記録媒体では、記録層と再生層の交換結合状態の切換り即ち結合状態および分断状態の間の切換りが急峻であるほど、再生信号においてジッタが低減する即ちジッタ特性が向上する傾向にあることが知られている。ジッタが小さいほど、より短い記録マークについて良好な記録再生特性を実現することができる。短マークの記録再生特性の向上は、光磁気記録媒体において高記録密度化を図るうえで好適である。
【００１１】
従来の技術においては、記録層と再生層の交換結合状態の切換りを急峻にすべく、例えば、記録層と中間層の間に極めて薄い非磁性材料層を設けることによって、記録層と中間層の間および再生層と中間層の間の磁気的な結合力を低下させる手法が取られる場合がある。
【００１２】
しかしながら、このような手法によると、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、特に再生層のマーク保磁力ないし再生層へのマーク転写力が、相対的に過度に脆弱となってしまう傾向にある。そのため、このような従来の手法は実用的でない場合が多い。
【００１３】
【発明の開示】
本発明は、このような状況の下で考え出されたものであって、再生信号のジッタ特性を適切に向上することのできる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１４】
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、相対的に保磁力の小さな低保磁力部および相対的に保磁力の大きな高保磁力部よりなる積層構造を有して記録機能を担うための記録層と、再生機能を担うための再生層と、記録層の低保磁力部および再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、からなる積層構造を備える。
【００１５】
このような構成の光磁気記録媒体においては、再生信号のジッタ特性を適切に向上することができる。本発明の第１の側面における記録層は、高保磁力部および低保磁力部よりなる積層構造を有し、低保磁力部の側で中間層と面接触する。高保磁力部および低保磁力部は、記録層として協働して機能するための磁気特性を示す磁性材料を含んで構成されている。一般的に、磁性膜の保磁力が大きいほど磁性膜間に作用する交換結合力は大きく、本発明の第１の側面においては、低保磁力部は高保磁力部よりも小さな保磁力を有する。したがって、低保磁力部と中間層の間に作用する交換結合力は、仮に高保磁力部と中間層が直接に面接触している場合に高保磁力部と中間層の間に作用する交換結合力よりも、小さい。
【００１６】
また、一般的に、磁性膜の保磁力は温度依存性を示すので、磁性膜間の交換結合力も温度依存性を示し、例えばＤＷＤＤ方式やＭＡＭＭＯＳ方式の光磁気記録媒体においては、低温側から中間層のキュリー温度にかけて媒体温度が高温になるほど当該中間層とともに記録層の保磁力が低下することによって記録層と中間層の間に作用する交換結合力が低下するように構成される。本発明の第１の側面においては、記録層における中間層との界面に低保磁力部が存在することに起因して、仮に高保磁力部と中間層が直接に面接触している場合よりも、記録層と中間層との間に働く交換結合力は、中間層のキュリー温度近傍にて急峻に低下する。記録層の低保磁力部の存在に起因する、記録層と中間層の間の交換結合力の低下の度合いは、当該記録層と中間層の保磁力が小さくなるほど、従って、媒体温度が中間層のキュリー温度に近いほど、相対的に大きくなり、その結果、記録層と中間層の間に働く交換結合力は、中間層のキュリー温度近傍にて急峻に低下するのである。記録層と中間層の間に働く交換結合力が急峻に低下するほど、記録層の磁区と再生層の磁区との結合が遮断されて開始する再生層の磁壁移動については、開始位置の揺らぎが抑制される。その結果、光磁気記録媒体の再生信号のジッタは低減する。
【００１７】
加えて、本発明の第１の側面においては、記録層における中間層との界面の保磁力を部分的に低下せしめることによって、中間層のキュリー温度近傍における記録層と中間層の間の交換結合力の低下を適切に急峻にすることができるので、中間層の保磁力を適切に維持することができる。したがって、中間層と再生層の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層のマーク保磁力ないし再生層へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００１８】
以上のように、本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、中間層のキュリー温度の直前までは、記録層と再生層との間において外乱に耐え得る充分な結合を維持しつつ、中間層のキュリー温度では当該結合を急峻に切断することができ、その結果、再生信号のジッタ特性を適切に向上することができるのである。したがって、第１の側面の光磁気記録媒体によると、短い記録マークについて良好な記録再生特性を実現することができる。このような光磁気記録媒体は、高記録密度化を図るうえで好適である。
【００１９】
本発明の１の側面において、好ましくは、低保磁力部の厚さは、高保磁力部の厚さの１／３０〜１／３である。このような範囲において、ジッタ特性の向上は顕著である傾向にある。
【００２０】
本発明の第２の側面によると他の光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、記録機能を担うための記録層と、再生機能を担うための再生層と、記録層および再生層の間に介在し、相対的に小さな保磁力を有して記録層に接する低保磁力部および相対的に大きな保磁力を有する高保磁力部よりなる積層構造を有して記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、からなる積層構造を備える。
【００２１】
このような構成の光磁気記録媒体においては、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、再生信号のジッタ特性を適切に向上することができる。本発明の第２の側面における中間層は、高保磁力部および低保磁力部の積層構造を有し、低保磁力部の側で記録層と面接触する。高保磁力部および低保磁力部は、中間層として協働して機能するための磁気特性を示す磁性材料を含んで構成されている。低保磁力部は高保磁力部よりも小さな保磁力を有するので、低保磁力部と記録層の間に作用する交換結合力は、仮に高保磁力部と記録層が直接に面接触している場合に高保磁力部と記録層の間に作用する交換結合力よりも、小さい。
【００２２】
また、本発明の第２の側面においては、中間層における記録層との界面に低保磁力部が存在することに起因して、仮に高保磁力部と記録層が直接に面接触している場合よりも、中間層と記録層との間に働く交換結合力は、中間層のキュリー温度近傍にて急峻に低下する。中間層の低保磁力部の存在に起因する、中間層と記録層の間の交換結合力の低下の度合いは、当該中間層と記録層の保磁力が小さくなるほど、従って、媒体温度が中間層のキュリー温度に近いほど、相対的に大きくなり、その結果、中間層と記録層の間に働く交換結合力は、中間層のキュリー温度近傍にて急峻に低下するのである。中間層と記録層の間に働く交換結合力が急峻に低下するほど、記録層の磁区と再生層の磁区との結合が遮断されて開始する再生層の磁壁移動においては、開始位置の揺らぎが抑制される。その結果、光磁気記録媒体の再生信号のジッタは低減する。
【００２３】
加えて、本発明の第２の側面においては、中間層における記録層との界面の保磁力を低下せしめることによって、中間層のキュリー温度近傍における中間層と記録層の間の交換結合力の低下を適切に急峻にすることができるので、中間層における再生層との界面においては高い保磁力を適切に維持することができる。したがって、中間層と再生層の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層のマーク保磁力ないし再生層へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００２４】
以上のように、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体においては、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、再生信号のジッタ特性を適切に向上することができ、従って、短い記録マークについて良好な記録再生特性を実現することができるのである。このような光磁気記録媒体は、高記録密度化を図るうえで好適である。
【００２５】
本発明の第１および第２の側面において、好ましくは、低保磁力部は、高保磁力部を構成するための材料に窒素または酸素が添加された組成を有する材料よりなる。このような構成によると、磁性を発現するための材料としては高保磁力部と低保磁力部にて同一の磁性材料を用いることができ、記録層を適切に構成することができる。また、本構成によると、高保磁力部に対する低保磁力部の保磁力の低下の程度を適切に調節することができる。
【００２６】
好ましくは、再生層は、中間層のキュリー温度に対して−７０〜＋７０℃の範囲に補償温度を有する。このように、中間層のキュリー温度の近傍に再生層が補償温度を有する場合、中間層のキュリー温度の近傍にて再生層は高い保磁力を有することとなる。したがって、本構成は、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対して、再生層のマーク保磁力ないし再生層へのマーク転写力を適切に確保するうえで好適である。
【００２７】
好ましくは、記録層、中間層、および再生層は、ＭＡＭＭＯＳ方式またはＤＷＤＤ方式を実現するための多層構造をなす。本発明は、ＭＡＭＭＯＳ方式またはＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体として実施する場合に特に実益が高い。
【００２８】
好ましくは、記録層に接する放熱部を更に備え、当該放熱部は、熱伝導率σ１を有する第１熱良伝導層と、熱伝導率σ２を有して記録層に接する第２熱良伝導層と、熱伝導率σ３を有して第１熱良伝導層および第２熱良伝導層の間に介在する熱分布調整層と、からなる積層構造を有する。熱伝導率σ１は熱伝導率σ２より大きく、且つ、熱伝導率σ３は熱伝導率σ２より小さい。このような構成は、多層磁性部を有する光磁気記録媒体において、磁性部からの放熱を適切に実現するうえで好適である。
【００２９】
好ましくは、再生層および中間層の間に、当該中間層よりもキュリー温度の大きな制御層を更に備える。このような構成によると、例えばＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体として本発明を実施する場合に、記録マーク後端に起因するゴースト信号を防止または充分に抑制することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
図１および図２は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ１を表す。光磁気記録媒体Ｘ１は、基板Ｓと、記録層１１と、再生層１２と、中間層１３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、再生方式としてＭＡＭＭＯＳ方式を採用し且つフロントイルミネーション方式である光磁気ディスクとして構成されたものである。図１は、光磁気記録媒体Ｘ１の部分断面を模式的に表すものであり、図２は、光磁気記録媒体Ｘ１において情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部の積層構成を表す。
【００３１】
基板Ｓは、ランドおよびグルーブを含む所定の凹凸形状を有する。そのような基板Ｓは、ガラス基板、シリコン基板、または樹脂基板である。樹脂基板としては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる基板を採用することができる。
【００３２】
記録層１１は、ランド部および／またはグルーブ部において記録機能を担う部位であり、高保磁力部１１ａおよび低保磁力部１１ｂよりなる積層構造を有する。高保磁力部１１ａは、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり且つ垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。他の磁性膜についても同様である。高保磁力部１１ａを構成するアモルファス合金に含まれる希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、高保磁力部１１ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。
【００３３】
低保磁力部１１ｂは、高保磁力部１１ａを構成するアモルファス合金と所定の添加元素とからなる。したがって、低保磁力部１１ｂも、高保磁力部１１ａと同様に垂直磁化膜である。添加元素としては、例えば、ＮやＯを採用することができる。より具体的には、低保磁力部１１ｂは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣоＮやＴｂＦｅＣоＯを採用することができる。また、記録層１１の厚さは、例えば１５〜９０ｎｍである。
【００３４】
再生層１２は、ランド部および／またはグルーブ部において再生機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり且つ垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。また、再生層１２は、記録層１１よりも小さな磁壁抗磁力を有する。再生層１２は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。再生層１２の厚さは、例えば１０〜５０ｎｍである。
【００３５】
中間層１３は、記録層１１および再生層１２の間に作用する交換結合を選択的に中継および遮断する機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり且つ垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。また、中間層１３は、記録層１１および再生層１２よりも低いキュリー温度を有する。中間層１３は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層１３の厚さは、例えば３〜３０ｎｍである。
【００３６】
以上のような記録層１１、再生層１２、および中間層１３の積層構成において、本実施形態では、所定の温度条件にて記録層１１から中間層１３を介して再生層１２へ転写されたマークが、より高温の条件にて、再生層１２の飽和磁化によって拡大するように構成されている。
【００３７】
放熱部１４は、レーザ照射時などに、記録層１１、再生層１２、および中間層１３にて発生する熱を適切に基板Ｓに伝導するための部位であり、本実施形態では、図３または図４に示す積層構成を有する。
【００３８】
図３に示す放熱部１４は、熱良伝導層１４ａと、熱分布調整層１４ｂとからなる積層構造を有する。熱良伝導層１４ａは、高熱伝導材料よりなる。当該高熱伝導材料としては、例えばＡｇＰｄＣｕＳｉ合金やＡｇＰｄＣｕ合金を採用することができる。熱分布調整層１４ｂは、熱良伝導層１４ａよりも熱伝導率が低く、例えばＳｉＮよりなる。ＳｉＮよりなる熱分布調整層１４ｂは、基板Ｓと記録層１１との間の誘電体層としても機能する。熱良伝導層１４ａの厚さは、例えば５〜８０ｎｍであり、熱分布調整層１４ｂの厚さは、例えば５〜８０ｎｍである。
【００３９】
図４に示す放熱部１４は、熱良伝導層１４ｃと、熱分布調整層１４ｄと、熱良伝導層１４ｅとからなる積層構造を有する。熱良伝導層１４ｃ，１４ｅは、高熱伝導材料よりなる。当該高熱伝導材料としては、例えばＡｇＰｄＣｕ合金やＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を採用することができる。熱分布調整層１４ｄは、熱良伝導層１４ｃよりも熱伝導率が低く、例えばＳｉＮよりなる。ＳｉＮよりなる熱分布調整層１４ｄは、基板Ｓと記録層１１との間の誘電体層としても機能する。熱良伝導層１４ｃの熱伝導率をσ１とし、熱良伝導層１４ｅの熱伝導率をσ２とし、熱分布調整層１４ｄの熱伝導率をσ３とする場合、σ１＞σ２＞σ３の関係が成立するのが好ましい。熱良伝導層１４ｃの厚さは、例えば５〜８０ｎｍであり、熱分布調整層１４ｄの厚さは、例えば５〜４０ｎｍであり、熱良伝導層１４ｅの厚さは、例えば５〜８０ｎｍである。
【００４０】
光磁気記録媒体Ｘ１への記録においては、当該媒体に対して保護膜１６の側から、記録用レーザがパルス照射され、当該媒体は瞬間的に加熱される。記録用レーザは、中間層１３よりも高いキュリー温度を有する記録層１１をそのキュリー温度より高温に加熱すべく、中間層１３のキュリー温度より高温であり且つ記録層１１および再生層１２のキュリー温度より低温に中間層１３を加熱するための再生用レーザよりも、高パワー（高エネルギー）で照射される。放熱部１４が図４に示す構成を有する場合、相対的に高パワーの記録用レーザのパルス照射により瞬間的に生ずる熱は、記録層１１から熱良伝導層１４ｅに移動した後、当該熱良伝導層１４ｅに滞留する傾向にある。基板Ｓの方向への当該熱の移動は、熱分布調整層１４ｄにより抑制されるためである。記録用レーザのパルス照射により瞬間的に生じる熱が熱良伝導層１４ｅに滞留する傾向にあるため、効率よく記録層１１を高温とすることができる。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１に対する記録用レーザについては、パワーを低減することが可能となる。
【００４１】
一方、光磁気記録媒体Ｘ１の再生においては、当該媒体に対して保護膜１６の側から、記録用レーザよりも低パワー（低エネルギー）の再生用レーザが連続照射され、当該媒体は連続的に加熱される。連続的に加熱されるため、当該媒体は過度に高温になりやすい。放熱部１４が図４に示す構成を有する場合、相対的に低パワーの再生用レーザの連続照射により連続的に生ずる熱は、記録層１１に直接に接する熱良伝導層１４ｅへと移動した後、更に、熱良伝導層１４ｅから熱分布調整層１４ｄ、および熱良伝導層１４ｃを介して基板Ｓへと伝わりやすい。熱分布調整層１４ｄは、このような熱伝導を阻害しない程度の低熱伝導率を有する。再生用レーザの連続照射により連続的に生ずる熱は、このように、放熱部１４を介して基板Ｓへと効率よく伝わり、その結果、例えば再生層１２が過度に高温となることを適切に防止することができる。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１に対する再生用レーザについては、パワーを高めることが可能となる。再生用レーザとして短波長の青色レーザ（波長：例えば４００〜４１０ｎｍ）を採用する場合、再生信号のＣＮＲを向上するうえで照射パワーを高めることは、好適であることが知られている。
【００４２】
誘電体層１５は、記録層１１、再生層１２、および中間層１３を保護するための部位であり、加えて、媒体の光磁気特性を向上させるための部位でもある。このような誘電体層１５は、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ2，ＹＳｉＯ2，ＺｎＳｉＯ2，ＡｌＯ，またはＡｌＮよりなる。誘電体層１５の厚さは、例えば１０〜９０ｎｍである。
【００４３】
保護膜１６は、記録層１１、再生層１２、および中間層１３を外界から物理的に保護するためのものであり、記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する透明材料よりなる。そのような透明材料としては、例えばＵＶ硬化性の透明樹脂を採用することができる。保護膜１６の厚さは、例えば１０〜１００μｍである。
【００４４】
図５ａ〜図５ｃは、光磁気記録媒体Ｘ１の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、まず、図５ａに示すように、所定のランド・グルーブ形状を有する基板Ｓに対し、放熱部１４を形成する。放熱部１４は、図３または図４に示す積層構成の各層に対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、形成することができる。
【００４５】
次に、図５ｂに示すように、放熱部１４の上に記録層１１を形成する。具体的には、まず、高保磁力部１１ａに対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、所定の材料を堆積成長させる。スパッタリングの途中、成長する材料膜の厚さが所定の厚さに至った時点で、低保磁力部１１ｂを構成するための上述の添加元素を、スパッタリングガスとしてスパッタリング装置のチャンバ内に導入して成膜を継続する。このような手法によると、添加元素の導入以前までの材料堆積成長により、高保磁力部１１ａが形成され、導入以後の材料堆積成長により、添加元素が取り込まれた低保磁力部１１ｂが形成される。このようにして、放熱部１４の上に記録層１１を積層形成することができる。
【００４６】
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、図５ｃに示すように、記録層１１の上に中間層１３、再生層１２、誘電体層１５、および保護膜１６を順次積層形成する。中間層１３、再生層１２、および誘電体層１５は、各々に対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、形成することができる。保護膜１６は、スピンコーティング法により誘電体層１５の上にＵＶ硬化性透明樹脂を塗布した後、当該樹脂膜を紫外線照射することによって形成することができる。以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。
【００４７】
光磁気記録媒体Ｘ１における記録層１１は、高保磁力部１１ａおよび低保磁力部１１ｂよりなる積層構造を有し、低保磁力部１１ｂの側で中間層１３と面接触する。高保磁力部１１ａおよび低保磁力部１１ｂは、記録層１１として協働して機能するための磁気特性を示す磁性材料を含んで構成されており、低保磁力部１１ｂと中間層１３の間に作用する交換結合力は、仮に高保磁力部１１ａと中間層１３が直接に面接触している場合に高保磁力部１１ａと中間層１３の間に作用する交換結合力よりも、小さい。
【００４８】
また、光磁気記録媒体Ｘ１においては、記録層１１における中間層１３との界面に低保磁力部１１ｂが存在することに起因して、仮に高保磁力部１１ａと中間層１３が直接に面接触している場合よりも、記録層１１と中間層１３との間に働く交換結合力は、キュリー温度近傍にて急峻に低下する。記録層１１の低保磁力部１１ｂの存在に起因する、記録層１１と中間層１３の間の交換結合力の低下の度合いは、当該記録層１１と中間層１３の保磁力が小さくなるほど、従って、中間層１３のキュリー温度に近いほど、相対的に大きくなり、その結果、記録層１１と中間層１３の間に働く交換結合力は、キュリー温度近傍にて急峻に低下するのである。記録層１１と中間層１３の間に働く交換結合力が急峻に低下するほど、記録層１１の磁区と再生層１２の磁区との結合が遮断されて開始する再生層１２の磁壁移動においては、開始位置の揺らぎが抑制される。その結果、光磁気記録媒体Ｘ１の再生信号のジッタ特性は向上する。
【００４９】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ１においては、記録層１１における中間層１３との界面の保磁力を低下せしめることによって、中間層１３のキュリー温度近傍における記録層１１と中間層１３の間の交換結合力の低下を適切に急峻にすることができるので、中間層１３の保磁力を適切に維持することができる。したがって、中間層１３と再生層１２の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層１２のマーク保磁力ないし再生層１２へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００５０】
図６および図７は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ２を表す。光磁気記録媒体Ｘ２は、基板Ｓと、記録層２１と、再生層１２と、中間層２３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、再生方式としてＭＡＭＭＯＳ方式を採用し且つフロントイルミネーション方式である光磁気ディスクとして構成されたものである。図６は、光磁気記録媒体Ｘ２の部分断面を模式的に表すものであり、図７は、光磁気記録媒体Ｘ２において情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部の積層構成を表す。
【００５１】
光磁気記録媒体Ｘ２は、記録層１１とは異なる記録層２１、および、中間層１３とは異なる中間層２３を有する点において光磁気記録媒体Ｘ１と相違する。光磁気記録媒体Ｘ２における基板Ｓ、再生層１２、放熱部１４、誘電体層１５、および保護膜１６の構造および構成材料については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様である。
【００５２】
記録層２１は、ランド部および／またはグルーブ部において記録機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、記録層２１は、再生層１２よりも大きな磁壁抗磁力を有する。記録層２１は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。記録層２１の厚さは、例えば１５〜１００ｎｍである。
【００５３】
中間層２３は、記録層２１および再生層１２の間に作用する交換結合を選択的に中継および遮断する機能を担う部位であり、高保磁力部２３ａおよび低保磁力部２３ｂよりなる積層構造を有する。
【００５４】
高保磁力部２３ａは、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。具体的には、高保磁力部２３ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅ，ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。高保磁力部２３ａの厚さは、例えば１０〜１００ｎｍである。
【００５５】
低保磁力部２３ｂは、高保磁力部２３ａを構成するアモルファス合金と所定の添加元素とからなる。したがって、低保磁力部２３ｂも、高保磁力部２３ａと同様に垂直磁化膜である。添加元素としては、例えば、ＮやＯを採用することができる。より具体的には、低保磁力部２３ｂは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＮ，ＴｂＦｅＯ，ＧｄＦｅＮ，またはＧｄＦｅＯを採用することができる。低保磁力部２３ｂの厚さは、例えば０．５〜３０ｎｍである。
【００５６】
このような高保磁力部２３ａおよび低保磁力部２３ｂよりなる中間層２３は、本実施形態では、記録層２１および再生層１２よりも小さなキュリー温度を有する。また、中間層２３の厚さは、例えば３〜３０ｎｍである。
【００５７】
図８ａ〜図８ｃは、光磁気記録媒体Ｘ２の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、まず、図８ａに示すように、所定のランド・グルーブ形状を有する基板Ｓに対し、放熱部１４および記録層２１を順次形成する。放熱部１４を構成する層および記録層２１は、各層に対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、形成することができる。
【００５８】
次に、図８ｂに示すように、記録層２１の上に中間層２３を形成する。具体的には、まず、低保磁力部２３ｂに対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、上述の添加元素をスパッタリングガスとしてスパッタリング装置のチャンバ内に導入しつつ、所定の材料を堆積成長させる。スパッタリングの途中、成長する材料膜の厚さが所定の厚さに至った時点で、添加元素ガスの導入を停止して成膜を継続する。このような手法によると、添加元素導入の停止以前までの材料堆積成長により、低保磁力部２３ｂが形成され、停止以後の材料堆積成長により、添加元素が取り込まれていない高保磁力部２３ａが形成される。このようにして、記録層２１の上に中間層２３を積層形成することができる。
【００５９】
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、次に、図８ｃに示すように、中間層２３の上に、再生層１２、誘電体層１５、および保護膜１６を順次形成する。再生層１２、誘電体層１５、および保護膜１６の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ１の製造方法において上述したのと同様である。
【００６０】
光磁気記録媒体Ｘ２における中間層２３は、高保磁力部２３ａおよび低保磁力部２３ｂの積層構造を有し、低保磁力部２３ｂの側で記録層２１と面接触する。高保磁力部２３ａおよび低保磁力部２３ｂは、中間層２３として協働して機能するための磁気特性を示す磁性材料を含んで構成されている。低保磁力部２３ｂは高保磁力部２３ａよりも小さな保磁力を有するので、低保磁力部２３ｂと記録層２１の間に作用する交換結合力は、仮に高保磁力部２３ａと記録層２１が直接に面接触している場合に高保磁力部２３ａと記録層２１の間に作用する交換結合力よりも、小さい。
【００６１】
光磁気記録媒体Ｘ２においては、中間層２３の低保磁力部２３ｂの存在に起因する、中間層２３と記録層２１の間の交換結合力の低下の度合いは、当該中間層２３と記録層２１の保磁力が小さくなるほど、従って、中間層２３のキュリー温度に近いほど、相対的に大きくなり、その結果、中間層２３と記録層２１の間に働く交換結合力は、中間層２３のキュリー温度近傍にて急峻に低下するのである。中間層２３と記録層２１の間に働く交換結合力が急峻に低下するほど、記録層２１の磁区と再生層１２の磁区との結合が遮断されて開始する再生層１２の磁壁移動においては、開始位置の揺らぎが抑制される。その結果、光磁気記録媒体の再生信号のジッタ特性は向上する。
【００６２】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ２においては、中間層２３における記録層２１との界面の保磁力を低下せしめることによって、中間層２３のキュリー温度近傍における中間層２３と記録層２１の間の交換結合力の低下を適切に急峻にすることができるので、中間層２３における再生層１２との界面においては高い保磁力を適切に維持することができる。したがって、中間層２３と再生層２１の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層１２のマーク保磁力を適切に確保することが可能となる。
【００６３】
図９および図１０は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ３を表す。光磁気記録媒体Ｘ３は、基板Ｓと、記録層３１と、再生層３２と、中間層３３と、制御層３４と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、再生方式としてＤＷＤＤ方式を採用し且つフロントイルミネーション方式である光磁気ディスクとして構成されたものである。図９は、光磁気記録媒体Ｘ３の部分断面を模式的に表すものであり、図１０は、光磁気記録媒体Ｘ３において情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部の積層構成を表す。
【００６４】
光磁気記録媒体Ｘ３は、記録層１１、中間層１３、および再生層１２よりなる積層構造とは異なる記録層３１、中間層３３、制御層３４、および再生層３２よりなる積層構造を有する点において、光磁気記録媒体Ｘ１と相違する。光磁気記録媒体Ｘ３における基板Ｓ、放熱部１４、誘電体層１５、および保護膜１６の構造および構成材料については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様である。
【００６５】
記録層３１は、ランド部および／またはグルーブ部において記録機能を担う部位であり、高保磁力部３１ａおよび低保磁力部３１ｂよりなる積層構造を有する。高保磁力部３１ａは、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。高保磁力部３１ａを構成するアモルファス合金に含まれる希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、高保磁力部３１ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。
【００６６】
低保磁力部３１ｂは、高保磁力部３１ａを構成するアモルファス合金と所定の添加元素とからなる。したがって、低保磁力部３１ｂも、高保磁力部３１ａと同様に垂直磁化膜である。添加元素としては、例えば、ＮやＯを採用することができる。より具体的には、低保磁力部３１ｂは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо−ＳｉやＴｂＦｅＣо−Ｏを採用することができる。
【００６７】
このような高保磁力部３１ａおよび低保磁力部３１ｂよりなる記録層３１は、本実施形態では、再生層３２よりも大きな磁壁抗磁力を有する。また、記録層３１の厚さは、例えば１５〜１００ｎｍである。
【００６８】
再生層３２は、ランド部および／またはグルーブ部において再生機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、再生層３２は、記録層３１よりも小さな磁壁抗磁力を有する。再生層３２は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。再生層３２の厚さは、例えば１０〜５０ｎｍである。
【００６９】
中間層３３は、記録層３１および再生層３２の間に作用する交換結合を選択的に中継および遮断する機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、中間層３３は、記録層３１および再生層３２よりも低いキュリー温度を有する。中間層３３は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層３３の厚さは、例えば３〜９０ｎｍである。
【００７０】
制御層３４は、ＤＷＤＤ方式再生において発生し得ることが知られているゴースト信号を防止ないし抑制するためのものであり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、制御層３４は、中間層３３よりも低いキュリー温度を有する。制御層３４は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。制御層３４の厚さは、例えば１〜１５ｎｍである。
【００７１】
光磁気記録媒体Ｘ３の製造においては、まず、所定のランド・グルーブ形状を有する基板Ｓに対し、放熱部１４、記録層３１、および中間層３３を順次形成する。放熱部１４、記録層３１、および中間層３３の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ１の放熱部１４、記録層１１、および中間層１３の形成手法と同様である。
【００７２】
次に、中間層３３の上に制御層３４を形成する。具体的には、制御層３４に対応する所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により、所定の材料を堆積成長させる。
【００７３】
次に、制御層３４の上に再生層３２、誘電体層１５、および保護膜１６を順次積層形成する。再生層３２、誘電体層１５、および保護膜１６の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ１の再生層１２、誘電体層１５、および保護膜１６の形成手法と同様である。
【００７４】
光磁気記録媒体Ｘ３における記録層３１は、高保磁力部３１ａおよび低保磁力部３１ｂの積層構造を有し、低保磁力部３１ｂの側で中間層３３と面接触する。そのため、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様の理由に基づき、低保磁力部３１ｂと中間層１３の間に作用する交換結合力は小さく、記録層３１と中間層３３の間に働く交換結合力は、中間層３３のキュリー温度近傍にて急峻に低下する。したがって、光磁気記録媒体Ｘ３においては、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様の理由に基づき、再生層３２の磁壁が移動を開始する位置の揺らぎが抑制されて、再生信号について良好なジッタ特性が得られる。
【００７５】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ３においては、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様の理由に基づき、中間層３３にて保磁力を適切に維持することができる。したがって、光磁気記録媒体Ｘ３においては、中間層３３と再生層３２の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層３２のマーク保磁力ないし再生層３２へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００７６】
図１１および図１２は、本発明の第４の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ４を表す。光磁気記録媒体Ｘ４は、基板Ｓと、記録層４１と、再生層３２と、中間層４３と、制御層３４と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、再生方式としてＤＷＤＤ方式を採用し且つフロントイルミネーション方式である光磁気ディスクとして構成されたものである。図１１は、光磁気記録媒体Ｘ４の部分断面を模式的に表すものであり、図１２は、光磁気記録媒体Ｘ４において情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部の積層構成を表す。
【００７７】
光磁気記録媒体Ｘ４は、記録層３１とは異なる記録層４１、および、中間層３３とは異なる中間層４３を有する点において光磁気記録媒体Ｘ３と相違する。光磁気記録媒体Ｘ４における再生層３２および制御層３４の構造および構成材料については、光磁気記録媒体Ｘ３に関して上述したのと同様である。光磁気記録媒体Ｘ４における基板Ｓ、放熱部１４、誘電体層１５、および保護膜１６の構造および構成材料については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様である。
【００７８】
記録層４１は、ランド部および／またはグルーブ部において記録機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。また、記録層４１は、再生層３２よりも大きな磁壁抗磁力を有する。記録層４１は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。記録層４１の厚さは、例えば１５〜１００ｎｍである。
【００７９】
中間層４３は、記録層４１および再生層３２の間に作用する交換結合を選択的に中継および遮断する機能を担う部位であり、高保磁力部４３ａおよび低保磁力部４３ｂよりなる積層構造を有する。
【００８０】
高保磁力部４３ａは、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる。高保磁力部４３ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅ，ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。高保磁力部４３ａの厚さは、例えば３〜６０ｎｍである。
【００８１】
低保磁力部４３ｂは、高保磁力部４３ａを構成するアモルファス合金と所定の添加元素とからなる。したがって、低保磁力部４３ｂも、高保磁力部４３ａと同様に垂直磁化膜である。添加元素としては、例えば、ＮやＯを採用することができる。より具体的には、低保磁力部４３ｂは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅ−Ｎ，ＴｂＦｅ−Ｏ，ＧｄＦｅ−Ｎ，またはＧｄＦｅ−Ｏを採用することができる。低保磁力部４３ｂの厚さは、例えば０．５〜３０ｎｍである。
【００８２】
このような高保磁力部４３ａおよび低保磁力部４３ｂよりなる中間層４３は、記録層４１および再生層３２よりも小さなキュリー温度を有する。また、中間層４３の厚さは、例えば３〜９０ｎｍである。
【００８３】
光磁気記録媒体Ｘ４の製造においては、まず、所定のランド・グルーブ形状を有する基板Ｓに対し、放熱部１４、記録層４１、および中間層４３を順次形成する。放熱部１４の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ１の放熱部１４の形成手法と同様である。記録層４１および中間層４３の形成手法については、光磁気記録媒体Ｘ２の記録層２１および中間層２３の形成手法と同様である。
【００８４】
次に、中間層４３の上に、光磁気記録媒体Ｘ３と同様にして、制御層３４、再生層３２、誘電体層１５、および保護膜１６を順次積層形成する。
【００８５】
光磁気記録媒体Ｘ４における中間層４３は、高保磁力部４３ａおよび低保磁力部４３ｂの積層構造を有し、低保磁力部４３ｂの側で記録層４１と面接触する。そのため、光磁気記録媒体Ｘ２に関して上述したのと同様の理由に基づき、低保磁力部４３ｂと記録層４１の間に作用する交換結合力は小さく、中間層４３と記録層４１の間に働く交換結合力は、中間層４３のキュリー温度近傍にて急峻に低下する。したがって、光磁気記録媒体Ｘ４においては、光磁気記録媒体Ｘ２に関して上述したのと同様の理由に基づき、再生層３２の磁壁が移動を開始する位置の揺らぎが抑制されて、再生信号について良好なジッタ特性が得られる。
【００８６】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ４においては、光磁気記録媒体Ｘ３に関して上述したのと同様の理由に基づき、中間層４３における再生層３２との界面にて保磁力を適切に維持することができる。したがって、光磁気記録媒体Ｘ４においては、中間層４３と再生層３２の間において良好な交換結合力を達成し、隣接トラックやアクチュエータからの漏洩磁界などの外乱に対し、再生層３２のマーク保磁力ないし再生層３２へのマーク転写力を適切に確保することが可能となる。
【００８７】
〔実施例１〕
図１３に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【００８８】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用して行うＤＣスパッタリング法により、光磁気ディスク用基板（ガラス製、直径：１３０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド領域幅：０．３μｍ、グルーブ領域幅：０．３μｍ、グルーブ深さ：４７ｎｍ）の上にＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を成膜することにより、厚さ５０ｎｍの熱良伝導層を形成した。具体的には、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットとＳｉターゲットを用いたコスパッタリングを行い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【００８９】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱良伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの熱分布調整層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。このようにして、熱良伝導層および熱分布調整層からなる放熱部を形成した。
【００９０】
次に、放熱部の熱分布調整層上に記録層を形成した。具体的には、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＣｏ膜の厚さが２８ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内にスパッタリングガスとしてＡｒガスに加えてＮ2ガスを導入し、熱分布調整層上の材料膜の厚さが３０ｎｍとなるまで成膜した。このときのＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比は２：１とし、スパッタガス圧力は１．５Ｐａとし、放電電力は５００Ｗに維持した。このようにして、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｎ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層を形成した。Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｎは、Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16の組成の磁性材料にＮが分散している材料であることを意味する。後出の他の低保磁力部の組成についても、同様に表記する。
【００９１】
形成された高保磁力部の保磁力（３０℃）は１０ｋＯｅであり、低保磁力部の保磁力は、これよりも小さい。このような記録層のキュリー温度は３５０℃であった。
【００９２】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、ＤＣスパッタリング法により、記録層上にＴｂＦｅアモルファス合金（Ｔｂ20Ｆｅ80）を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの中間層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。形成された中間層のキュリー温度は１５０℃であった。
【００９３】
次に、ＤＣスパッタリング法により、中間層上にＧｄＦｅアモルファス合金（Ｇｄ26Ｆｅ74）を成膜することによって、厚さ２０ｎｍの再生層を形成した。本スパッタリングにおいては、ＧｄＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。形成された再生層のキュリー温度は３４０℃であった。
【００９４】
次に、ＤＣスパッタリング法により、再生層上にＳｉＮを成膜することにより、厚さ３５ｎｍの誘電体層を形成した。具体的条件については、本実施例における上述の熱分布調整層の形成に関して上述したのと同様である。
【００９５】
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、ＵＶ硬化性の透明樹脂を誘電体層上に１５μｍの厚さに塗布した。次に、３０秒間の紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【００９６】
〔実施例２〕
図１３に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【００９７】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を、厚さ３０ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【００９８】
次に、チャンバ内の放電を停止した後、ＡｒガスおよびＮ2ガスを当該チャンバ内に３分間導入し、当該ＴｂＦｅＣｏ膜（厚さ３０ｎｍ）の露出面から深さ２ｎｍまでの領域を窒化した。このときのＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比は２：１とした。
【００９９】
このようにして、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｎ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１００】
〔実施例３〕
図１４に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１０１】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＣｏ膜の厚さが２８ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内にスパッタリングガスとしてＡｒガスに加えてＯ2ガスを導入し、熱分布調整層上の材料膜の厚さが３０ｎｍとなるまで成膜した。このときのＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比は３：１とし、スパッタガス圧力は１．５Ｐａとし、放電電力は５００Ｗに維持した。このようにして、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｏ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１０２】
〔実施例４〕
図１４に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１０３】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を、厚さ３０ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１０４】
次に、チャンバ内の放電を停止した後、ＡｒガスおよびＯ2ガスを当該チャンバ内に２分間導入し、当該ＴｂＦｅＣｏ膜（厚さ３０ｎｍ）の露出面から深さ２ｎｍまでの領域を酸化した。このときのＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比は３：１とした。
【０１０５】
このようにして、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｏ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１０６】
〔実施例５〕
図１５に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１０７】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例１と同様にして、光磁気ディスク用基板の上に熱良伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ５０ｎｍ）および熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）を順次形成した。
【０１０８】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜することによって、厚さ３０ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。形成された記録層の保磁力（３０℃）は、１２ｋＯｅであり、キュリー温度は３４０℃であった。
【０１０９】
次に、記録層上に中間層を形成した。具体的には、まず、ＤＣスパッタリング法により、記録層上にＴｂＦｅＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用し、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＮ膜の厚さが１ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内へのＮ2ガスの導入を停止し、記録層上の材料膜の厚さが１０ｎｍとなるまで成膜した。このようにして、低保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80Ｎ、厚さ１ｎｍ）および高保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80、厚さ９ｎｍ）よりなる中間層を形成した。
【０１１０】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、実施例１と同様にして、中間層上に、再生層（Ｇｄ26Ｆｅ74、厚さ２０ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ、厚さ３５ｎｍ）、および保護膜（ポリエチレンテレフタレートを含む透明なＵＶ硬化性樹脂、厚さ１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１１１】
〔実施例６〕
図１６に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、中間層の形成以外は実施例５と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、および再生層は、各々、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１１２】
本実施例の中間層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、記録層上にＴｂＦｅＯ材料を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＯ2ガスを使用し、ＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅ合金ターゲットをスパッタしつつ、当該ＴｂＦｅＯ膜の厚さが１ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内へのＯ2ガスの導入を停止し、記録層上の材料膜の厚さが１０ｎｍとなるまで成膜した。このようにして、低保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80Ｏ、厚さ１ｎｍ）および高保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80、厚さ９ｎｍ）よりなる中間層を形成した。
【０１１３】
〔実施例７〜１５〕
記録層における高保磁力部の厚さおよび低保磁力部の厚さを、２８ｎｍおよび２ｎｍに代えて、３０ｎｍおよび０．５ｎｍ（実施例７）、３０ｎｍおよび１ｎｍ（実施例８）、３０ｎｍおよび２ｎｍ（実施例９）、３０ｎｍおよび５ｎｍ（実施例１０）、３０ｎｍおよび１５ｎｍ（実施例１１）、６０ｎｍおよび１ｎｍ（実施例１２）、６０ｎｍおよび２ｎｍ（実施例１３）、６０ｎｍおよび２０ｎｍ（実施例１４）、または、６０ｎｍおよび３０ｎｍ（実施例１５）とした以外は実施例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、実施例７〜１５の光磁気記録媒体を作製した。
【０１１４】
〔実施例１６〕
図１７に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、放熱部の形成以外は実施例１と同様にして、保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１１５】
本実施例の放熱部の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、ディスク用基板上にＡｇＰｄＣｕアモルファス合金（Ａｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1）を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの第１熱良伝導層を形成した。本スパッタリングでは、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【０１１６】
次に、ＤＣスパッタリング法により、第１熱良伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの熱分布調整層を形成した。本スパッタリングでは、ＳｉＮターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【０１１７】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＡｇＰｄＣｕＳｉアモルファス合金（Ａｇ97Ｐｄ1Ｃｕ1Ｓｉ1）を成膜することによって、厚さ３０ｎｍの第２熱良伝導層を形成した。本スパッタリングでは、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットとＳｉターゲットを用いてコスパッタリングを行い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を
８００Ｗとした。
【０１１８】
このようにして、第１熱良伝導層（Ａｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1、厚さ１０ｎｍ）、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）、および第２熱良伝導層（Ａｇ97Ｐｄ1Ｃｕ1Ｓｉ1、厚さ３０ｎｍ）よりなる放熱部を形成した。この放熱部における第１熱良伝導層の熱伝導率σ１、第２熱良伝導層の熱伝導率σ２、および熱分布調整層の熱伝導率σ３は、下記式（１）の関係を有する。
【０１１９】
【数１】

Figure 0004185054
【０１２０】
〔比較例１〕
図１８に示す積層構成を有してＭＡＭＭＯＳ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、高保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２８ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16Ｎ、厚さ２ｎｍ）よりなる記録層に代えて、ＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）よりなる厚さ３０ｎｍの記録層を形成した以外は、実施例１と同様にして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１２１】
本実施例の記録層の形成においては、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１２２】
〔比較例２〕
記録層の厚さを、３０ｎｍに代えて６０ｎｍとした以外は、比較例１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１２３】
〔実施例１７〕
図１９に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１２４】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用して行うＤＣスパッタリング法により、光磁気ディスク用基板（直径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド領域幅：０．２８μｍ、グルーブ領域幅：０．２８μｍ、グルーブ深さ：４７ｎｍ）の上に、実施例１と同様にして、熱良伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ５０ｎｍ）および熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）を順次積層形成することによって、放熱部を形成した。
【０１２５】
次に、放熱部の熱分布調整層上に記録層を形成した。具体的には、まず、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＣｏ膜の厚さが６０ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内にスパッタリングガスとしてＡｒガスに加えてＮ2ガスを導入し、熱分布調整層上の材料膜の厚さが６３ｎｍとなるまで成膜した。このときのＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比は３：１とし、スパッタガス圧力は１．５Ｐａとし、放電電力は５００Ｗに維持した。このようにして、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｎ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１２６】
形成された高保磁力部の保磁力（３０℃）は１２ｋＯｅであり、低保磁力部の保磁力は、これより小さい。このような記録層のキュリー温度は３４０℃であった。
【０１２７】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、ＤＣスパッタリング法により、記録層上にＴｂＦｅアモルファス合金（Ｔｂ20Ｆｅ80）を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの中間層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。形成された中間層のキュリー温度は１４０℃であった。
【０１２８】
次に、ＤＣスパッタリング法により、中間層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10）を成膜することによって、厚さ３ｎｍの制御層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を８００Ｗとした。形成された制御層のキュリー温度は１６０℃であった。
【０１２９】
次に、ＤＣスパッタリング法により、制御層上にＧｄＦｅアモルファス合金（Ｇｄ26Ｆｅ74）を成膜することによって、厚さ２０ｎｍの再生層を形成した。本スパッタリングにおいては、ＧｄＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。形成された再生層のキュリー温度は３４０℃であった。
【０１３０】
次に、ＤＣスパッタリング法により、再生層上にＳｉＮを成膜することにより、厚さ３５ｎｍの誘電体層を形成した。具体的条件については、実施例１における上述の熱分布調整層の形成に関して上述したのと同様である。
【０１３１】
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの保護膜を形成した。具体的手法については、実施例１における上述の保護膜の形成に関して上述したのと同様である。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１３２】
〔実施例１８〕
図１９に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１７と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１３３】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、放熱部の熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を、厚さ６３ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１３４】
次に、チャンバ内の放電を停止した後、ＡｒガスおよびＮ2ガスを当該チャンバ内に４分間導入し、当該ＴｂＦｅＣｏ膜（厚さ６３ｎｍ）の露出面から深さ３ｎｍまでの領域を窒化した。このときのＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比は３：１とした。
【０１３５】
このようにして、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｎ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１３６】
〔実施例１９〕
図２０に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１７と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１３７】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、放熱部の熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットをスパッタしつつ、ＴｂＦｅＣｏ膜の厚さが６０ｎｍに至った時点でスパッタリング装置のチャンバ内にスパッタリングガスとしてＡｒガスに加えてＯ2ガスを導入し、熱分布調整層上の材料膜の厚さが６３ｎｍとなるまで成膜した。このときのＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比は３：１とし、スパッタガス圧力は１．５Ｐａとし、放電電力は５００Ｗに維持した。このようにして、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｏ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１３８】
〔実施例２０〕
図２０に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、記録層の形成以外は実施例１７と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１３９】
本実施例の記録層の形成においては、まず、ＤＣスパッタリング法により、放熱部の熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を、厚さ６３ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１４０】
次に、チャンバ内の放電を停止した後、ＡｒガスおよびＯ2ガスを当該チャンバ内に２分間導入し、当該ＴｂＦｅＣｏ膜（厚さ６３ｎｍ）の露出面から深さ３ｎｍまでの領域を酸化した。このときのＡｒガスおよびＯ2ガスの流量比は３：１とした。
【０１４１】
このようにして、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｏ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層を形成した。
【０１４２】
〔実施例２１〕
図２１に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。
【０１４３】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例１と同様にして、光磁気ディスク用基板の上に熱良伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ５０ｎｍ）および熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）を順次形成した。
【０１４４】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を成膜することによって、厚さ６３ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。形成された記録層の保磁力（３０℃）は、１２ｋＯｅであり、キュリー温度は３４０℃であった。
【０１４５】
次に、実施例５と同様にして、低保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80 Ｎ、厚さ１ｎｍ）および高保磁力部（Ｔｂ20Ｆｅ80、厚さ９ｎｍ）よりなる中間層を記録層上に形成した。
【０１４６】
次に、実施例１７と同様にして、中間層上に、制御層（Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃｏ10、厚さ３ｎｍ）、再生層（Ｇｄ26Ｆｅ74、厚さ２０ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ、厚さ３５ｎｍ）、および保護膜（ＵＶ硬化性透明樹脂、厚さ１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１４７】
〔実施例２２〕
図２２に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、中間層の形成以外は実施例２１と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層、中間層、制御層、および再生層は、各々、ＤＷＤＤ方式再生を実現するための磁気特性を有する。本実施例の中間層は、実施例６と同様にして形成した。
【０１４８】
〔実施例２３〜２６〕
記録層における高保磁力部の厚さおよび低保磁力部の厚さを、６０ｎｍおよび３ｎｍに代えて、６０ｎｍおよび１ｎｍ（実施例２３）、６０ｎｍおよび２ｎｍ（実施例２４）、６０ｎｍおよび２０ｎｍ（実施例２５）、または、６０ｎｍおよび３０ｎｍ（実施例２６）とした以外は実施例１７と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、実施例２３〜２６の光磁気記録媒体を作製した。
【０１４９】
〔実施例２７〕
図２３に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、放熱部の形成以外は実施例１７と同様にして、保護膜の形成までを行うことによって、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の放熱部は、実施例１６と同様にして形成した。
【０１５０】
〔比較例３〕
図２４に示す積層構成を有してＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、高保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16、厚さ６０ｎｍ）および低保磁力部（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16Ｎ、厚さ３ｎｍ）よりなる記録層に代えて、ＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ61Ｃｏ16）よりなる厚さ６３ｎｍの記録層を形成した以外は、実施例１７と同様にして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１５１】
本実施例の記録層の形成においては、ＤＣスパッタリング法により、放熱部の熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）の上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ28Ｆｅ56Ｃｏ16）を成膜した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。
【０１５２】
〔比較例４〕
記録層の厚さを、６３ｎｍに代えて６０ｎｍとした以外は、比較例３と同様にして、熱良伝導層の形成から保護膜の形成までを行うことによって、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１５３】
〔評価〕
図２５は、実施例１および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。本ジッタ測定においては、まず、媒体における情報トラックに対して所定のランダムパターンを記録した。当該記録処理は、リード／ライトテスタを使用して磁界変調記録方式により行った。このテスタにおいて、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を３ｍ/ｓとし、印加磁界を１５０Ｏｅとした。次に、当該光磁気記録媒体を再生して、再生信号の出力レベルをスペクトルアナライザを使用して測定した。この再生処理においては、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を３ｍ/ｓとし、印加磁界を０Ｏｅとした。実施例１および比較例１の光磁気記録媒体について、このような記録再生処理を、ランダムパターンにおける最短記録マーク長ごとに行い、処理ごとに再生信号のジッタを測定した。ジッタ測定には、タイムインターバルアナライザ（岩通電機製）を使用した。図２５のグラフでは、横軸にて、ランダムパターンにおける最短記録マーク長を表し、縦軸にてジッタ（％）を表す。また、このグラフでは、実施例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｅ１で表し、比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｃ１で表す。
【０１５４】
図２５のグラフによると、実施例１の光磁気記録媒体は、比較例１の光磁気記録媒体よりも小さなジッタを示すことが判る。ジッタ低減の程度は、最短記録マーク長が小さくなるほど顕著となる傾向にある。また、実施例１の光磁気記録媒体では、最短記録マーク長が０．１μｍ以下であっても、実用に供し得るジッタ１２．５％以下を達成している。このようなジッタの低減は、実施例１の光磁気記録媒体では、再生処理において、記録層と中間層ないし再生層と間の交換結合力が急峻に変化しているためと考えられる。加えて、再生信号の波形については、実施例１の光磁気記録媒体では、比較例１の光磁気記録媒体よりも、矩形化していることを確認している。矩形の再生信号は、ジッタの低減をもたらすのに加え、ＭＡＭＭＯＳ方式やＤＷＤＤ方式などの再生において利用される微分検出に適している。
【０１５５】
図２６は、実施例２〜４および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフであり、図２７は、実施例５，６および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。ジッタ測定手法については、実施例１の光磁気記録媒体のジッタ測定手法と同様である。図２６および図２７のグラフでは、横軸にて、ランダムパターンにおける最短記録マーク長を表し、縦軸にてジッタ（％）を表す。また、これらのグラフでは、実施例２〜６の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｅ２〜Ｅ６で表し、比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｃ１で表す。
【０１５６】
図２６および図２７のグラフによると、実施例２〜６の光磁気記録媒体の方が、比較例１の光磁気記録媒体よりも、ジッタは小さいことが判る。ジッタ低減の程度は、最短記録マーク長が小さくなるほど顕著となる傾向にある。実施例２〜６の光磁気記録媒体においても、実施例１の光磁気記録媒体と同様に、再生処理において、記録層と中間層ないし再生層と間の交換結合力が急峻に変化していると考えられる。
【０１５７】
図２８は、実施例１の光磁気記録媒体における再生層の保磁力測定の結果を表すグラフである。図２８のグラフでは、横軸にて再生層の温度を表し、縦軸にて、当該再生層の正味の保磁力Ｈを表す。また、このグラフでは、実施例１における再生層の保磁力変化を線Ｅ１’で表す。
【０１５８】
図２８のグラフによると、実施例１の光磁気記録媒体では、中間層のキュリー温度１５０℃付近にて再生層の保磁力Ｈが発散していることが判る。すなわち、この再生層は、中間層のキュリー温度付近にて補償温度を有するのである。再生層および／または中間層の保磁力が大きいほど、当該再生層と中間層の間の交換結合力は大きい。したがって、実施例１の光磁気記録媒体では、中間層のキュリー温度付近にて再生層が補償温度を有するため、再生処理において再生層と中間層との間の交換結合力は、中間層のキュリー温度直前まで比較的大きい。このような構成は、外乱耐性の観点から好ましい。
【０１５９】
図２９は、実施例７〜１１および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表であり、図３０は、実施例１２〜１５および比較例２の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。本ジッタ測定においては、まず、媒体における情報トラックに対し、記録マークと同一の長さのスペースを介してマーク長７５ｎｍの記録マークを繰り返し記録した。当該記録処理は、リード／ライトテスタを使用して磁界変調記録方式により行った。このテスタにおいて、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を１５０Ｏｅとした。次に、当該光磁気記録媒体を再生して、再生信号の出力レベルをスペクトルアナライザを使用して測定した。この再生処理においては、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を０Ｏｅとした。実施例７〜１５および比較例１，２の光磁気記録媒体について、このような記録再生処理を行い、処理ごとに再生信号のジッタを測定した。図２９および図３０の表には、各光磁気記録媒体について、高保磁力部の厚さ、低保磁力部の厚さ、これらの比（高保磁力部の厚さ：低保磁力部の厚さ）、および測定に係るジッタを掲げる。
【０１６０】
図２９の表によると、記録層の高保磁力部の厚さが３０ｎｍである場合、ジッタ低減の観点からは、低保磁力部の厚さは２ｎｍ程度が最適であることが判る。また、図３０の表によると、記録層の高保磁力部の厚さが６０ｎｍである場合、ジッタ低減の観点からは、低保磁力部の厚さは２〜２０ｎｍ程度が最適であることが判る。実用に供するためにはジッタが１２．５％以下であるのが好ましいことを考慮すると、高保磁力部と低保磁力部の厚さ比は、３０：１〜３：１が好ましいことが理解できよう。すなわち、低保磁力部の厚さは、高保磁力部の厚さの１／３０〜１／３であるのが好ましいことが理解できよう。
【０１６１】
図３１は、実施例１および実施例１６について、放熱部の構造の相違に基づく、媒体のジッタ、ＣＮＲ、Ｐｗ、およびＰｒの変化を示す表である。ジッタ測定は、実施例１および実施例１６について、所定の同一条件で測定した。また、記録用レーザのパワーおよび再生用レーザのパワーの複数の組み合わせについて、組み合わせごとに記録再生処理を行い、各記録再生処理についてＣＮＲを測定する。最も高いＣＮＲを得たときの記録レーザパワーＰｗおよび再生レーザパワーＰｒを、図３１の表に掲げる。
【０１６２】
図３１の表によると、実施例１６の光磁気記録媒体では、実施例１の光磁気記録媒体よりも、ジッタが低減され、ＣＮＲが向上し、必要とされる記録レーザパワーＰｗが低減され、且つ、照射可能な再生レーザパワーＰｒが増大していることが判る。
【０１６３】
図３２は、実施例１７および比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフであり、図３３は、実施例２１，２２および比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。ジッタ測定手法については、実施例１の光磁気記録媒体の上述のジッタ測定手法と同様である。図３２および図３３のグラフでは、横軸にて、ランダムパターンにおける最短記録マーク長を表し、縦軸にてジッタ（％）を表す。また、これらのグラフでは、実施例１７，２１，２２の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｅ１７，Ｅ２１，Ｅ２２で表し、比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を線Ｃ３で表す。
【０１６４】
図３２および図３３のグラフによると、実施例１７，２１，２２の光磁気記録媒体の方が、比較例３の光磁気記録媒体よりも、ジッタは小さいことが判る。ジッタ低減の程度は、最短記録マーク長が小さくなるほど顕著となる傾向にある。実施例１７，２１，２２の光磁気記録媒体においても、実施例１の光磁気記録媒体と同様に、再生処理において、記録層と中間層ないし再生層と間の交換結合力が急峻に変化していると考えられる。
【０１６５】
図３４は、実施例１８〜２０および比較例３の光磁気記録媒体について、最短マーク長の相違に基づくジッタの変化を表す表である。本ジッタ測定においては、まず、媒体における情報トラックに対し、記録マークと同一の長さのスペースを介して所定のマーク長の記録マークを繰り返し記録した。当該記録処理は、リード／ライトテスタを使用して磁界変調記録方式により行った。このテスタにおいて、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を１５０Ｏｅとした。次に、当該光磁気記録媒体を再生して、再生信号の出力レベルをスペクトルアナライザを使用して測定した。この再生処理においては、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録用レーザ波長は４０５ｎｍであり、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を０Ｏｅとした。実施例１８〜２０および比較例３の光磁気記録媒体について、記録マーク長が０．１５μｍの場合と０．０９μｍの場合とで、このような記録再生処理を行い、処理ごとに再生信号のジッタを測定した。
【０１６６】
図３４の表によると、実施例１８〜２０の光磁気記録媒体では、比較例３の光磁気記録媒体よりも、いずれの最短マーク長においてもジッタが低減されていることが判る。
【０１６７】
図３５は、実施例２３〜２６および比較例４の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。ジッタ測定手法については、実施例７の光磁気記録媒体の上述のジッタ測定手法と同様である。図３５の表には、各光磁気記録媒体について、高保磁力部の厚さ、低保磁力部の厚さ、これらの比、および測定に係るジッタを掲げる。
【０１６８】
図３５の表によると、記録層の高保磁力部の厚さが６０ｎｍである場合には、低保磁力部の厚さは２〜２０ｎｍ程度が最適であることが判る。実用に供するためにはジッタが１２．５％以下であるのが好ましいことを考慮すると、高保磁力部と低保磁力部の厚さ比は、３０：１〜３：１が好ましいことが理解できよう。
【０１６９】
図３６は、実施例１７および実施例２７について、放熱部の構造の相違に基づく、媒体のジッタ、ＣＮＲ、Ｐｗ、およびＰｒの変化を示す表である。これらデータの取得手法は、実施例１,１６に関して図３１の表に掲げたデータの取得手法と同様である。
【０１７０】
図３６の表によると、実施例２７の光磁気記録媒体では、実施例１７の光磁気記録媒体よりも、ジッタが低減され、ＣＮＲが向上し、必要とされる記録レーザパワーＰｗが低減され、且つ、照射可能な再生レーザパワーＰｒが増大していることが判る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図２】 図２は、図１に示す光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図３】 図３は、放熱部およびその近傍の拡大断面模式図である。
【図４】 図４は、図３の放熱部とは異なる積層構成を有する放熱部およびその近傍の拡大断面模式図である。
【図５】 図５ａ〜図５ｃは、図１に示す光磁気記録媒体の製造方法を表す。
【図６】 図６は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図７】 図７は、図６に示す光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図８】 図８ａ〜図８ｃは、図６に示す光磁気記録媒体の製造方法を表す。
【図９】 図９は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図１０】 図１０は、図９に示す光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１１】 図１１は、本発明の第４の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図１２】 図１２は、図１１に示す光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１３】 図１３は、実施例１および実施例２の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１４】 図１４は、実施例３および実施例４の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１５】 図１５は、実施例５の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１６】 図１６は、実施例６の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１７】 図１７は、実施例１６の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１８】 図１８は、比較例１の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１９】 図１９は、実施例１７および実施例１８の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２０】 図２０は、実施例１９および実施例２０の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２１】 図２１は、実施例２１の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２２】 図２２は、実施例２２の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２３】 図２３は、実施例２７の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２４】 図２４は、比較例３の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図２５】 図２５は、実施例１および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図２６】 図２６は、実施例２〜４および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図２７】 図２７は、実施例５，６および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図２８】 図２８は、実施例１の光磁気記録媒体における再生層の保磁力測定の結果を表すグラフである。
【図２９】 図２９は、実施例７〜１１および比較例１の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。
【図３０】 図３０は、実施例１２〜１５および比較例２の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。
【図３１】 図３１は、実施例１および実施例１６について、放熱部の構造の相違に基づく、媒体のジッタ、ＣＮＲ、Ｐｗ、およびＰｒの変化を示す表である。
【図３２】 図３２は、実施例１７および比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図３３】 図３３は、実施例２１，２２および比較例３の光磁気記録媒体のジッタ特性を表すグラフである。
【図３４】 図３４は、実施例１８〜２０および比較例３の光磁気記録媒体について、最短マーク長の相違に基づくジッタの変化を示す表である。
【図３５】 図３５は、実施例２３〜２６および比較例４の光磁気記録媒体のジッタ測定の結果を掲げる表である。
【図３６】 図３６は、実施例１７および実施例２７について、放熱部の構造の相違に基づく、媒体のジッタ、ＣＮＲ、Ｐｗ、およびＰｒの変化を示す表である。[0001]
【Technical field】
  The present invention relates to a magneto-optical recording medium having a multilayer magnetic portion including a recording layer, a reproducing layer, and an intermediate layer, and accompanying magnetic domain expansion or domain wall movement in the reproducing layer during reproduction.
[0002]
[Background]
  In recent years, magneto-optical recording media have attracted attention. The magneto-optical recording medium is a rewritable recording medium that is configured using various magnetic properties of a magnetic material and has two functions of thermomagnetic recording and reproduction using a magneto-optical effect. The magneto-optical recording medium has a recording layer made of a perpendicular magnetization film, and a predetermined signal is recorded in the recording layer as a change in the magnetization direction. This recording signal is read by a predetermined optical system for reading a reproduction signal.
[0003]
  In the field of magneto-optical recording media, various reproducing systems have been developed for practically reproducing signals recorded at a high density exceeding the limit of resolution in an optical system for reading reproduced signals. For example, DWDD (domain wall displacement detection) and MAMMOS (magnetic amplifying magneto-optical system). Such magneto-optical recording media are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 10-149592, 2001-229585, and International Publication WO 98/02878.
[0004]
  In a DWDD type magneto-optical recording medium, a magnetic material portion having a laminated structure of a recording layer, a reproducing layer, and an intermediate layer therebetween is provided on a predetermined substrate. Each of these three layers is generally a perpendicular magnetization film made of a rare earth-transition metal amorphous alloy. The recording layer exhibits a relatively large domain wall coercivity, the reproducing layer exhibits a relatively small domain wall coercivity, the intermediate layer has a lower Curie temperature than the other two layers, and these three layers are the Curie of the intermediate layer. They are laminated so that exchange interaction works between two adjacent layers under a predetermined condition lower than the temperature.
[0005]
  A predetermined signal is recorded on the recording layer along the scanning direction of the medium. Specifically, the recording layer is formed with a plurality of magnetic domains each having a predetermined length corresponding to a recording signal, the magnetization of which is alternately reversed continuously in the medium scanning direction. A plurality of domain walls standing at intervals corresponding to the recording signal are formed along the. In the reproducing layer and the intermediate layer, the recording layer and the reproducing layer are exchange-coupled via the intermediate layer under a temperature condition where the medium temperature is lower than the Curie temperature of the intermediate layer, and the medium temperature exceeds the Curie temperature of the intermediate layer. It is configured such that a domain wall motion phenomenon occurs in the reproducing layer under a predetermined temperature condition. Under a predetermined temperature condition where the medium temperature is lower than the Curie temperature of the intermediate layer, the reproducing layer exchange-coupled to the recording layer via the intermediate layer includes a magnetic domain magnetized in the same direction as the recording layer, and a magnetic section. The domain wall is formed. Under a temperature condition in which the medium temperature is higher than the Curie temperature of the intermediate layer, the spontaneous magnetization of the intermediate layer disappears, and the exchange coupling between the recording layer and the reproducing layer via the intermediate layer is broken. As a result, the domain wall can move in the reproducing layer having a small domain wall coercive force. The domain wall moves to a higher temperature region when a temperature gradient exists in the reproducing layer.
[0006]
  In the reproducing operation of the DWDD type magneto-optical disk in which the information track made of the magnetic material portion having the laminated structure as described above is formed, the information track is irradiated with a reproducing laser beam while rotating the disk. The information track is scanned. At this time, a temperature gradient is generated in the scanning direction in the beam irradiation region inside the information track made of the magnetic material portion. In the beam irradiation region, the magnetic wall moves to the higher temperature side in the reproducing layer at the moment when the magnetic wall of the reproducing layer passes the isothermal line of the Curie temperature in the beam irradiation region from the low temperature region to the high temperature region with the scanning. To do. When the domain wall moves in the reproducing layer in this way, the magnetization of the domain wall moving region is reversed. The domain wall motion is detected by detecting this magnetization reversal with a predetermined optical system as a change in the polarization plane of the light reflected on the surface of the reproducing layer. By irradiating the reproducing laser beam along the information track and sequentially detecting the domain wall movement, the recording signal of the medium is read.
[0007]
  In reproduction based on the DWDD method, the recording pattern of the reproducing layer or recording layer constituting the information track is not the entire spot of the reproducing laser beam but the isotherm (the Curie temperature isotherm of the intermediate layer) in the beam spot. Discriminated. Therefore, in the DWDD system, even a signal recorded at a high density on the recording layer exceeding the resolution limit in the optical system for reading the reproduction signal, that is, with a recording pattern in which the minimum recording mark length is smaller than the spot diameter. Even if it exists, it can be played back. For example, even when a red laser (beam spot diameter: about 1 μm) is used as a reproducing laser beam, a recording mark having a length of 0.1 μm or less can be reproduced in principle.
[0008]
  As described above, in the DWDD system magneto-optical recording medium, the switching of the exchange coupling state of the recording layer and the reproducing layer accompanying the change in the magnetic characteristics of the intermediate layer corresponding to the temperature distribution in the reproducing beam spot is utilized. Reproduction resolution is improved.
[0009]
  Similarly, the MAMMOS type magneto-optical recording medium also includes a magnetic material portion having a laminated structure of a recording layer, a reproducing layer, and an intermediate layer having a lower Curie temperature between the other two layers, and a reproducing beam. High reproduction resolution is achieved by utilizing the switching of the exchange coupling state of the recording layer and the reproducing layer in accordance with the change in the magnetic characteristics of the intermediate layer corresponding to the temperature distribution in the spot.
[0010]
  In magneto-optical recording media with domain wall movement or domain expansion in the reproducing layer during reproduction, such as DWDD and MAMMOS magneto-optical recording media, switching of the exchange coupling state between the recording layer and the reproducing layer, ie, coupling state and separation It is known that the steeper switching between states tends to reduce jitter in the reproduction signal, that is, improve jitter characteristics. The smaller the jitter, the better the recording / reproducing characteristics for shorter recording marks. The improvement in the recording / reproducing characteristics of the short mark is suitable for increasing the recording density in the magneto-optical recording medium.
[0011]
  In the prior art, in order to make the switching of the exchange coupling state between the recording layer and the reproducing layer abrupt, for example, by providing an extremely thin nonmagnetic material layer between the recording layer and the intermediate layer, the recording layer and the intermediate layer In some cases, a technique for reducing the magnetic coupling force between the reproducing layer and the intermediate layer is used.
[0012]
  However, according to such a method, marks in the reproduction layer are particularly protected against disturbances such as leakage magnetic fields from adjacent tracks and actuators.MagnetismThe force or the mark transfer force to the reproduction layer tends to be relatively weak. Therefore, such a conventional method is often not practical.
[0013]
DISCLOSURE OF THE INVENTION
  The present invention has been conceived under such circumstances, and an object thereof is to provide a magneto-optical recording medium capable of appropriately improving the jitter characteristics of a reproduction signal.
[0014]
  According to a first aspect of the present invention, a magneto-optical recording medium is provided. This magneto-optical recording medium has a laminated structure composed of a low coercive force portion having a relatively small coercive force and a high coercive force portion having a relatively large coercive force, and a recording layer for carrying a recording function, and a reproducing function. It has a laminated structure comprising a reproducing layer for carrying, and an intermediate layer for changing the exchange coupling state of the recording layer and the reproducing layer interposed between the low coercive force portion of the recording layer and the reproducing layer.
[0015]
  In the magneto-optical recording medium having such a configuration, it is possible to appropriately improve the jitter characteristic of the reproduction signal. The recording layer according to the first aspect of the present invention has a highMagnetismIt has a laminated structure consisting of a force portion and a low coercive force portion, and is in surface contact with the intermediate layer on the low coercive force portion side. The high coercive force portion and the low coercive force portion are configured to include a magnetic material exhibiting magnetic characteristics for functioning in cooperation as a recording layer. In general, the greater the coercivity of the magnetic film, the greater the exchange coupling force acting between the magnetic films. In the first aspect of the present invention, the low coercivity part has a smaller coercivity than the high coercivity part. Therefore, the exchange coupling force acting between the low coercive force portion and the intermediate layer is the exchange coupling force acting between the high coercive force portion and the intermediate layer when the high coercive force portion and the intermediate layer are in direct surface contact. Smaller than.
[0016]
  In general, since the coercive force of the magnetic film is temperature-dependent, the exchange coupling force between the magnetic films is also temperature-dependent. For example, in the case of a DWDD type or MAMMOS type magneto-optical recording medium, the intermediate temperature is low. As the medium temperature rises toward the Curie temperature of the layer, the coercivity of the recording layer together with the intermediate layer decreases, so that the exchange coupling force acting between the recording layer and the intermediate layer decreases. In the first aspect of the present invention, the low coercivity portion and the intermediate layer are in direct surface contact with each other due to the presence of the low coercivity portion at the interface between the recording layer and the intermediate layer. The exchange coupling force acting between the recording layer and the intermediate layer sharply decreases in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer. The degree of decrease in the exchange coupling force between the recording layer and the intermediate layer due to the presence of the low coercive force portion of the recording layer is such that the smaller the coercivity of the recording layer and the intermediate layer, the more the medium temperature Accordingly, the exchange coupling force acting between the recording layer and the intermediate layer sharply decreases near the Curie temperature of the intermediate layer. As the exchange coupling force acting between the recording layer and the intermediate layer sharply decreases, the fluctuation of the starting position is less with respect to the domain wall motion of the reproducing layer that starts when the coupling between the magnetic domain of the recording layer and the magnetic domain of the reproducing layer is interrupted. It is suppressed. As a result, the jitter of the reproduction signal of the magneto-optical recording medium is reduced.
[0017]
  In addition, in the first aspect of the present invention, the exchange coupling between the recording layer and the intermediate layer in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer is achieved by partially reducing the coercivity of the recording layer at the interface with the intermediate layer. Since the decrease in force can be appropriately steep, the coercive force of the intermediate layer can be appropriately maintained. Therefore, a good exchange coupling force is achieved between the intermediate layer and the reproduction layer, and the mark of the reproduction layer is protected against disturbances such as leakage magnetic fields from adjacent tracks and actuators.MagnetismIt is possible to appropriately secure the force or the mark transfer force to the reproduction layer.
[0018]
  As described above, in the magneto-optical recording medium according to the first aspect of the present invention, a sufficient coupling capable of withstanding disturbance is maintained between the recording layer and the reproducing layer until just before the Curie temperature of the intermediate layer. However, at the Curie temperature of the intermediate layerTheAs a result, the jitter characteristic of the reproduction signal can be appropriately improved. Therefore, according to the magneto-optical recording medium of the first aspect, good recording / reproducing characteristics can be realized for a short recording mark. Such a magneto-optical recording medium is suitable for increasing the recording density.
[0019]
  In one aspect of the present invention, preferably, the thickness of the low coercive force portion is 1/30 to 1/3 of the thickness of the high coercive force portion. Within such a range, the improvement in jitter characteristics tends to be significant.
[0020]
  According to the second aspect of the present invention, another magneto-optical recording medium is provided. This magneto-optical recording medium includes a recording layer for carrying a recording function, a reproducing layer for carrying a reproducing function, a recording layer interposed between the recording layer and the reproducing layer, and having a relatively small coercive force. And an intermediate layer for changing the exchange coupling state of the recording layer and the reproducing layer, and a laminated structure comprising a low coercive force portion in contact with the magnetic recording medium and a high coercive force portion having a relatively large coercive force. .
[0021]
  In the magneto-optical recording medium having such a configuration, the jitter characteristic of the reproduction signal can be appropriately improved as in the magneto-optical recording medium according to the first aspect. The intermediate layer according to the second aspect of the present invention has a highMagnetismIt has a laminated structure of a force portion and a low coercive force portion, and is in surface contact with the recording layer on the low coercive force portion side. The high coercive force portion and the low coercive force portion are configured to include a magnetic material exhibiting magnetic characteristics for functioning in cooperation as an intermediate layer. Since the low coercive force part has a smaller coercive force than the high coercive force part, the exchange coupling force acting between the low coercive force part and the recording layer is assumed when the high coercive force part and the recording layer are in direct surface contact. The exchange coupling force acting between the high coercive force portion and the recording layer is smaller.
[0022]
  Further, in the second aspect of the present invention, the high coercive force portion and the recording layer are in direct surface contact due to the presence of the low coercive force portion at the interface with the recording layer in the intermediate layer. Rather, the exchange coupling force acting between the intermediate layer and the recording layer sharply decreases in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer. The degree of decrease in the exchange coupling force between the intermediate layer and the recording layer due to the presence of the low coercive force portion of the intermediate layer is such that the lower the coercivity of the intermediate layer and the recording layer, the lower the medium temperature. Accordingly, the exchange coupling force acting between the intermediate layer and the recording layer sharply decreases near the Curie temperature of the intermediate layer. As the exchange coupling force acting between the intermediate layer and the recording layer decreases sharply, the start position fluctuates in the domain wall motion of the reproducing layer that starts when the coupling between the magnetic domain of the recording layer and the magnetic domain of the reproducing layer is cut off. It is suppressed. As a result, the jitter of the reproduction signal of the magneto-optical recording medium is reduced.
[0023]
  In addition, in the second aspect of the present invention, the exchange coupling force between the intermediate layer and the recording layer in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer is reduced by reducing the coercive force at the interface between the intermediate layer and the recording layer. Therefore, it is possible to appropriately maintain a high coercive force at the interface between the intermediate layer and the reproducing layer. Therefore, a good exchange coupling force is achieved between the intermediate layer and the reproduction layer, and the mark coercive force of the reproduction layer or the mark transfer force to the reproduction layer is appropriately applied to disturbances such as leakage magnetic fields from adjacent tracks and actuators. It can be secured.
[0024]
  As described above, in the magneto-optical recording medium according to the second aspect of the present invention, similarly to the magneto-optical recording medium according to the first aspect, it is possible to appropriately improve the jitter characteristics of the reproduction signal. Thus, good recording / reproducing characteristics can be realized for short recording marks. Such a magneto-optical recording medium is suitable for increasing the recording density.
[0025]
  In the first and second aspects of the present invention, preferably, the low coercive force portion is made of a material having a composition in which nitrogen or oxygen is added to a material for forming the high coercive force portion. According to such a configuration, the same magnetic material can be used in the high coercive force portion and the low coercive force portion as the material for developing magnetism, and the recording layer can be appropriately configured. Further, according to this configuration, the degree of reduction in the coercive force of the low coercive force portion relative to the high coercive force portion can be appropriately adjusted.
[0026]
  Preferably, the reproducing layer has a compensation temperature in the range of −70 to + 70 ° C. with respect to the Curie temperature of the intermediate layer. Thus, when the reproducing layer has a compensation temperature in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer, the reproducing layer has a high coercive force in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer. Therefore, this configuration protects the mark on the playback layer against disturbances such as leakage magnetic fields from adjacent tracks and actuators.MagnetismThis is suitable for appropriately securing the force or the mark transfer force to the reproducing layer.
[0027]
  Preferably, the recording layer, the intermediate layer, and the reproducing layer have a multilayer structure for realizing the MAMMOS method or the DWDD method. The present invention is particularly effective when implemented as a MAMMOS or DWDD magneto-optical recording medium.
[0028]
  Preferably, the heat dissipation portion further contacts the recording layer, and the heat dissipation portion includes a first heat good conductivity layer having a thermal conductivity σ1 and a second heat good conductivity layer having a heat conductivity σ2 and being in contact with the recording layer. And a heat distribution adjusting layer interposed between the first heat good conduction layer and the second heat good conduction layer and having a thermal conductivity σ3. The thermal conductivity σ1 is larger than the thermal conductivity σ2, and the thermal conductivity σ3 is smaller than the thermal conductivity σ2. Such a configuration is suitable for appropriately realizing heat dissipation from the magnetic part in a magneto-optical recording medium having a multilayer magnetic part.
[0029]
  Preferably, a control layer having a higher Curie temperature than the intermediate layer is further provided between the reproduction layer and the intermediate layer. According to such a configuration, for example, when the present invention is implemented as a DWDD type magneto-optical recording medium, it is possible to prevent or sufficiently suppress the ghost signal caused by the trailing end of the recording mark.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  1 and 2 show a magneto-optical recording medium X1 according to the first embodiment of the present invention. The magneto-optical recording medium X1 includes a substrate S, a recording layer 11, a reproducing layer 12, an intermediate layer 13, a heat radiating portion 14, a dielectric layer 15, and a protective film 16, and uses a MAMMOS method as a reproducing method. It is constructed as a magneto-optical disk that is adopted and has a front illumination system. FIG. 1 schematically shows a partial cross section of the magneto-optical recording medium X1, and FIG. 2 shows a stacked configuration of land portions and / or groove portions used as information tracks in the magneto-optical recording medium X1.
[0031]
  The substrate S has a predetermined uneven shape including lands and grooves. Such a substrate S is a glass substrate, a silicon substrate, or a resin substrate. As the resin substrate, for example, a substrate made of polycarbonate (PC) resin, polymethyl methacrylate (PMMA) resin, epoxy resin, or polyolefin resin can be employed.
[0032]
  The recording layer 11 is a part that assumes a recording function in the land part and / or the groove part, and has a laminated structure including a high coercive force part 11a and a low coercive force part 11b. The high coercive force portion 11a is a perpendicular magnetization film made of an amorphous alloy containing a rare earth element and a transition metal and having perpendicular magnetic anisotropy and magnetized in the perpendicular direction. The vertical direction means a direction perpendicular to the film surface of the magnetic film constituting the layer. The same applies to other magnetic films. As the rare earth element contained in the amorphous alloy constituting the high coercive force portion 11a, Tb, Gd, Dy, Nd, Pr, or the like can be used. As the transition metal, Fe, Co, or the like can be used. More specifically, the high coercive force portion 11a is made of, for example, TbFeCо, DyFeCо, or TbDyFeCо having a predetermined composition.
[0033]
  The low coercive force portion 11b is made of an amorphous alloy constituting the high coercive force portion 11a and a predetermined additive element. Therefore, the low coercive force portion 11b is also a perpendicular magnetization film like the high coercive force portion 11a. For example, N or O can be adopted as the additive element. More specifically, the low coercive force portion 11b can employ, for example, TbFeCоN or TbFeCоO having a predetermined composition. Moreover, the thickness of the recording layer 11 is, for example, 15 to 90 nm.
[0034]
  The reproducing layer 12 is a part that plays a reproducing function in the land part and / or the groove part, and is made of an amorphous alloy containing a rare earth element and a transition metal, and has a perpendicular magnetic anisotropy and is perpendicularly magnetized in the vertical direction. It is a magnetized film. The reproducing layer 12 has a domain wall coercive force smaller than that of the recording layer 11. The reproduction layer 12 is made of, for example, GdFeCо, GdDyFeCо, GdTbDyFeCо, NdDyFeCо, NdGdFeCо, or PrDyFeCо having a predetermined composition. The thickness of the reproduction layer 12 is, for example, 10 to 50 nm.
[0035]
  The intermediate layer 13 has a function of selectively relaying and blocking the exchange coupling acting between the recording layer 11 and the reproducing layer 12, and is made of an amorphous alloy containing a rare earth element and a transition metal and has a perpendicular magnetic property. This is a perpendicular magnetization film magnetized in the perpendicular direction. Further, the intermediate layer 13 has a Curie temperature lower than that of the recording layer 11 and the reproducing layer 12. The intermediate layer 13 is made of, for example, GdFe, TbFe, GdFeCо, GdDyFeCо, GdTbDyFeCо, NdDyFeCо, NdGdFeCо, or PrDyFeCо having a predetermined composition. The thickness of the intermediate layer 13 is, for example, 3 to 30 nm.
[0036]
  In the laminated structure of the recording layer 11, the reproduction layer 12, and the intermediate layer 13 as described above, in this embodiment, marks transferred from the recording layer 11 to the reproduction layer 12 through the intermediate layer 13 under a predetermined temperature condition. However, it is configured to expand due to the saturation magnetization of the reproducing layer 12 under a higher temperature condition.
[0037]
  The heat radiating portion 14 is a portion for appropriately conducting heat generated in the recording layer 11, the reproducing layer 12, and the intermediate layer 13 to the substrate S at the time of laser irradiation or the like. It has the laminated structure shown in FIG.
[0038]
  The heat radiating portion 14 shown in FIG. 3 has a laminated structure including a heat good conductive layer 14a and a heat distribution adjusting layer 14b. The heat good conductive layer 14a is made of a high heat conductive material. For example, an AgPdCuSi alloy or an AgPdCu alloy can be used as the high thermal conductivity material. The heat distribution adjusting layer 14b has a lower thermal conductivity than the heat good conductive layer 14a, and is made of, for example, SiN. The heat distribution adjustment layer 14 b made of SiN also functions as a dielectric layer between the substrate S and the recording layer 11. The thickness of the heat good conductive layer 14a is, for example, 5 to 80 nm, and the thickness of the heat distribution adjusting layer 14b is, for example, 5 to 80 nm.
[0039]
  The heat radiating portion 14 shown in FIG. 4 has a laminated structure including a heat good conduction layer 14c, a heat distribution adjustment layer 14d, and a heat good conduction layer 14e. The heat conductive layers 14c and 14e are made of a high heat conductive material. For example, an AgPdCu alloy or an AgPdCuSi alloy can be used as the high thermal conductivity material. The heat distribution adjusting layer 14d is a heat conductive layer.14cThe thermal conductivity is lower than that of SiN, for example. Heat distribution adjustment layer made of SiN14dAlso functions as a dielectric layer between the substrate S and the recording layer 11. When the thermal conductivity of the thermal good conduction layer 14c is σ1, the thermal conductivity of the thermal good conduction layer 14e is σ2, and the thermal conductivity of the heat distribution adjusting layer 14d is σ3, the relation of σ1> σ2> σ3 is established. It is preferable to do this. The thickness of the heat good conductive layer 14c is, for example, 5 to 80 nm, the thickness of the heat distribution adjusting layer 14d is, for example, 5 to 40 nm, and the thickness of the heat good conductive layer 14e is, for example, 5 to 80 nm. .
[0040]
  In recording on the magneto-optical recording medium X1, the recording laser is pulse-irradiated from the protective film 16 side to the medium, and the medium is instantaneously heated. The recording laser has a temperature higher than the Curie temperature of the intermediate layer 13 and the Curie temperature of the recording layer 11 and the reproducing layer 12 in order to heat the recording layer 11 having a higher Curie temperature than the intermediate layer 13 to a temperature higher than the Curie temperature. It is irradiated with higher power (higher energy) than a reproducing laser for heating the intermediate layer 13 at a lower temperature. When the heat radiating section 14 has the configuration shown in FIG. 4, the heat generated instantaneously by the pulse irradiation of the relatively high power recording laser moves from the recording layer 11 to the heat good conductive layer 14e, and then the heat good. It tends to stay in the conductive layer 14e. This is because the movement of the heat in the direction of the substrate S is suppressed by the heat distribution adjusting layer 14d. Since the heat generated instantaneously by the pulse irradiation of the recording laser tends to stay in the heat good conductive layer 14e, the recording layer 11 can be efficiently heated to a high temperature. Therefore, the power of the recording laser for the magneto-optical recording medium X1 can be reduced.
[0041]
  On the other hand, in reproducing the magneto-optical recording medium X1, a reproducing laser having a lower power (lower energy) than that of the recording laser is continuously irradiated on the medium from the protective film 16 side, and the medium continuously Heated. Since the medium is continuously heated, the medium tends to be excessively hot. When the heat radiating portion 14 has the configuration shown in FIG. 4, the heat continuously generated by continuous irradiation of the relatively low power reproducing laser moves to the heat good conductive layer 14 e that is in direct contact with the recording layer 11. Furthermore, it is easy to be transmitted from the heat conductive layer 14e to the substrate S through the heat distribution adjusting layer 14d and the heat conductive layer 14c. The heat distribution adjusting layer 14d has such a low thermal conductivity that does not hinder such heat conduction. Thus, the heat continuously generated by continuous irradiation of the reproduction laser is efficiently transmitted to the substrate S through the heat radiating portion 14 as described above, and as a result, for example, the reproduction layer 12 is appropriately prevented from becoming excessively high temperature. can do. Therefore, the power of the reproducing laser for the magneto-optical recording medium X1 can be increased. In the case where a short-wavelength blue laser (wavelength: 400 to 410 nm, for example) is employed as the reproduction laser, it is known that it is preferable to increase the irradiation power in order to improve the CNR of the reproduction signal.
[0042]
  The dielectric layer 15 is a part for protecting the recording layer 11, the reproducing layer 12, and the intermediate layer 13, and is also a part for improving the magneto-optical characteristics of the medium. Such a dielectric layer 15 is made of, for example, SiN, SiO.2, YSiO2, ZnSiO2, AlO, or AlN. The thickness of the dielectric layer 15 is, ExampleFor example, it is 10 to 90 nm.
[0043]
  The protective film 16 is for physically protecting the recording layer 11, the reproducing layer 12, and the intermediate layer 13 from the outside world, and is made of a transparent material having sufficient transparency with respect to the recording laser and the reproducing laser. Become. As such a transparent material, for example, a UV curable transparent resin can be employed. The thickness of the protective film 16 is, for example, 10 to 100 μm.
[0044]
  5a to 5c show a method for manufacturing the magneto-optical recording medium X1. In the manufacture of the magneto-optical recording medium X1, first, as shown in FIG. 5a, the heat radiating portion 14 is formed on the substrate S having a predetermined land / groove shape. The heat radiating portion 14 can be formed by a sputtering method using a single target or a plurality of targets made of a predetermined material corresponding to each layer of the laminated structure shown in FIG. 3 or FIG.
[0045]
  Next, as shown in FIG. 5 b, the recording layer 11 is formed on the heat radiating portion 14. Specifically, first, a predetermined material is deposited and grown by sputtering using a single target or a plurality of targets made of a predetermined material corresponding to the high coercive force portion 11a. During the sputtering, when the thickness of the material film to be grown reaches a predetermined thickness, the above-described additive element for constituting the low coercive force portion 11b is introduced into the chamber of the sputtering apparatus as a sputtering gas. Continue film formation. According to such a method, the high coercivity portion 11a is formed by material deposition growth before the introduction of the additive element, and the low coercivity portion 11b in which the additive element is taken in is formed by material deposition growth after the introduction. . In this manner, the recording layer 11 can be laminated on the heat radiating portion 14.
[0046]
  In the manufacture of the magneto-optical recording medium X1, next, as shown in FIG. 5c, the intermediate layer 13, the reproducing layer 12, the dielectric layer 15, and the protective film 16 are sequentially stacked on the recording layer 11. The intermediate layer 13, the reproducing layer 12, and the dielectric layer 15 can be formed by a sputtering method using a single target or a plurality of targets made of a predetermined material corresponding to each of them. The protective film 16 can be formed by applying a UV curable transparent resin on the dielectric layer 15 by spin coating and then irradiating the resin film with ultraviolet rays. As described above, the magneto-optical recording medium X1 can be manufactured.
[0047]
  The recording layer 11 in the magneto-optical recording medium X1 has a high storage capacity.MagnetismIt has a laminated structure including a force portion 11a and a low coercive force portion 11b, and is in surface contact with the intermediate layer 13 on the low coercive force portion 11b side. The high coercive force portion 11 a and the low coercive force portion 11 b are configured to include a magnetic material exhibiting magnetic characteristics for functioning in cooperation with the recording layer 11, and between the low coercive force portion 11 b and the intermediate layer 13. The exchange coupling force that acts is smaller than the exchange coupling force that acts between the high coercivity portion 11 a and the intermediate layer 13 if the high coercivity portion 11 a and the intermediate layer 13 are in direct surface contact.
[0048]
  In the magneto-optical recording medium X1, the high coercive force portion 11a and the intermediate layer 13 are in direct surface contact with each other due to the presence of the low coercive force portion 11b at the interface between the recording layer 11 and the intermediate layer 13. The exchange coupling force acting between the recording layer 11 and the intermediate layer 13 is sharply reduced near the Curie temperature. The degree of decrease in the exchange coupling force between the recording layer 11 and the intermediate layer 13 due to the presence of the low coercive force portion 11b of the recording layer 11 increases as the coercivity of the recording layer 11 and the intermediate layer 13 decreases. The closer to the Curie temperature of the intermediate layer 13, the larger it becomes, and as a result, the exchange coupling force acting between the recording layer 11 and the intermediate layer 13 sharply decreases near the Curie temperature. As the exchange coupling force acting between the recording layer 11 and the intermediate layer 13 sharply decreases, in the domain wall motion of the reproducing layer 12 that starts when the coupling between the magnetic domain of the recording layer 11 and the magnetic domain of the reproducing layer 12 is blocked, Start position fluctuation is suppressed. As a result, the jitter characteristic of the reproduction signal of the magneto-optical recording medium X1 is improved.
[0049]
  In addition, in the magneto-optical recording medium X1, the exchange coupling between the recording layer 11 and the intermediate layer 13 in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer 13 is reduced by reducing the coercive force at the interface of the recording layer 11 with the intermediate layer 13. Since the decrease in force can be appropriately steep, the coercive force of the intermediate layer 13 can be appropriately maintained. Therefore, a good exchange coupling force is achieved between the intermediate layer 13 and the reproduction layer 12, and the mark of the reproduction layer 12 is protected against disturbance such as a leakage magnetic field from an adjacent track or actuator.MagnetismIt is possible to appropriately secure the force or the mark transfer force to the reproduction layer 12.
[0050]
  6 and 7 show a magneto-optical recording medium X2 according to the second embodiment of the present invention. The magneto-optical recording medium X2 includes a substrate S, a recording layer 21, a reproducing layer 12, an intermediate layer 23, a heat radiating portion 14, a dielectric layer 15, and a protective film 16, and uses a MAMMOS method as a reproducing method. It is constructed as a magneto-optical disk that is adopted and has a front illumination system. FIG. 6 schematically shows a partial cross section of the magneto-optical recording medium X2, and FIG. 7 shows a stacked configuration of land portions and / or groove portions used as information tracks in the magneto-optical recording medium X2.
[0051]
  The magneto-optical recording medium X2 is different from the magneto-optical recording medium X1 in that it has a recording layer 21 different from the recording layer 11 and an intermediate layer 23 different from the intermediate layer 13. The structures and constituent materials of the substrate S, the reproducing layer 12, the heat radiation portion 14, the dielectric layer 15, and the protective film 16 in the magneto-optical recording medium X2 are the same as those described above with respect to the magneto-optical recording medium X1.
[0052]
  The recording layer 21 is a part that assumes a recording function in the land part and / or the groove part, and is made of an amorphous alloy perpendicular magnetization film containing a rare earth element and a transition metal. The recording layer 21 has a domain wall coercive force larger than that of the reproducing layer 12. The recording layer 21 is made of, for example, TbFeCо, DyFeCо, or TbDyFeCо having a predetermined composition. The thickness of the recording layer 21 is, for example, 15 to 100 nm.
[0053]
  The intermediate layer 23 has a laminated structure composed of a high coercive force portion 23a and a low coercive force portion 23b. The intermediate layer 23 has a function of selectively relaying and blocking exchange coupling acting between the recording layer 21 and the reproducing layer 12. .
[0054]
  The high coercive force portion 23a is made of an amorphous alloy perpendicular magnetization film containing a rare earth element and a transition metal. Specifically, the high coercive force portion 23a is made of, for example, TbFe, GdFe, GdFeCо, GdDyFeCо, GdTbDyFeCо, NdDyFeCо, NdGdFeCо, or PrDyFeCо having a predetermined composition. The thickness of the high coercive force portion 23a is, for example, 10 to 100 nm.
[0055]
  The low coercive force portion 23b is made of an amorphous alloy constituting the high coercive force portion 23a and a predetermined additive element. Therefore, the low coercive force portion 23b is also a perpendicular magnetization film like the high coercive force portion 23a. For example, N or O can be adopted as the additive element. More specifically, the low coercive force portion 23b can employ, for example, TbFeN, TbFeO, GdFeN, or GdFeO having a predetermined composition. The thickness of the low coercive force portion 23b is, for example, 0.5 to 30 nm.
[0056]
  In this embodiment, the intermediate layer 23 composed of the high coercive force portion 23 a and the low coercive force portion 23 b has a lower Curie temperature than the recording layer 21 and the reproducing layer 12. Moreover, the thickness of the intermediate | middle layer 23 is 3-30 nm, for example.
[0057]
  8a to 8c show a method for manufacturing the magneto-optical recording medium X2. In the manufacture of the magneto-optical recording medium X2, first, as shown in FIG. 8a, the heat radiation portion 14 and the recording layer 21 are sequentially formed on the substrate S having a predetermined land / groove shape. The layers constituting the heat radiation part 14 and the recording layer 21 can be formed by a sputtering method using a single target or a plurality of targets made of a predetermined material corresponding to each layer.
[0058]
  Next, as shown in FIG. 8 b, the intermediate layer 23 is formed on the recording layer 21. Specifically, first, the above-described additive element is introduced into the chamber of the sputtering apparatus as a sputtering gas by a sputtering method using a single target or a plurality of targets made of a predetermined material corresponding to the low coercive force portion 23b. While a predetermined material is deposited and grown. During the sputtering, when the thickness of the growing material film reaches a predetermined thickness, the introduction of the additive element gas is stopped and the film formation is continued. According to such a method, the low coercive force portion 23b is formed by the material deposition growth before the introduction of the additive element is stopped, and the high coercive force portion 23a in which the additive element is not taken in is formed by the material deposition growth after the stop. Is done. In this way, the intermediate layer 23 can be laminated on the recording layer 21.
[0059]
  In the manufacture of the magneto-optical recording medium X2, next, as shown in FIG. 8c, the reproducing layer 12, the dielectric layer 15, and the protective film 16 are sequentially formed on the intermediate layer. The formation method of the reproducing layer 12, the dielectric layer 15, and the protective film 16 is the same as that described above in the method of manufacturing the magneto-optical recording medium X1.
[0060]
  The intermediate layer 23 in the magneto-optical recording medium X2 has a high storage capacity.MagnetismForce part 23a and low coercive forcePart 23bAnd is in surface contact with the recording layer 21 on the low coercive force portion 23b side. The high coercive force portion 23 a and the low coercive force portion 23 b are configured to include a magnetic material that exhibits magnetic characteristics for functioning in cooperation with the intermediate layer 23. Since the low coercive force portion 23b has a smaller coercive force than the high coercive force portion 23a, the exchange coupling force acting between the low coercive force portion 23b and the recording layer 21 is assumed to be directly between the high coercive force portion 23a and the recording layer 21. The exchange coupling force acting between the high coercive force portion 23 a and the recording layer 21 when in surface contact is smaller.
[0061]
  In the magneto-optical recording medium X2, the degree of decrease in the exchange coupling force between the intermediate layer 23 and the recording layer 21 due to the presence of the low coercive force portion 23b of the intermediate layer 23 depends on the intermediate layer 23 and the recording layer 21. As the coercive force of the intermediate layer 23 decreases, the closer to the Curie temperature of the intermediate layer 23, the higher the relative coercive force. As a result, the exchange coupling force acting between the intermediate layer 23 and the recording layer 21 increases. It drops sharply in the vicinity. As the exchange coupling force acting between the intermediate layer 23 and the recording layer 21 sharply decreases, in the domain wall motion of the reproducing layer 12 that starts when the coupling between the magnetic domain of the recording layer 21 and the magnetic domain of the reproducing layer 12 is blocked, Start position fluctuation is suppressed. As a result, the jitter characteristic of the reproduction signal of the magneto-optical recording medium is improved.
[0062]
  In addition, in the magneto-optical recording medium X2, the exchange coupling between the intermediate layer 23 and the recording layer 21 in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer 23 is reduced by reducing the coercive force at the interface of the intermediate layer 23 with the recording layer 21. Since the drop in force can be made appropriately steep, a high coercive force can be appropriately maintained at the interface of the intermediate layer 23 with the reproducing layer 12. Therefore, a good exchange coupling force is achieved between the intermediate layer 23 and the reproduction layer 21, and the mark of the reproduction layer 12 is protected against disturbance such as a leakage magnetic field from an adjacent track or actuator.MagnetismIt becomes possible to secure the power appropriately.
[0063]
  9 and 10 show a magneto-optical recording medium X3 according to the third embodiment of the present invention. The magneto-optical recording medium X3 includes a substrate S, a recording layer 31, a reproducing layer 32, an intermediate layer 33, a control layer 34, a heat radiating portion 14, a dielectric layer 15, and a protective film 16, and is reproduced. A DWDD system is adopted as a system, and the magneto-optical disk is a front illumination system. FIG. 9 schematically shows a partial cross section of the magneto-optical recording medium X3, and FIG. 10 shows a stacked configuration of land portions and / or groove portions used as information tracks in the magneto-optical recording medium X3.
[0064]
  The magneto-optical recording medium X3 has a laminated structure composed of a recording layer 31, an intermediate layer 33, a control layer 34, and a reproducing layer 32, which is different from the laminated structure composed of the recording layer 11, the intermediate layer 13, and the reproducing layer 12. This is different from the magneto-optical recording medium X1. The structures and constituent materials of the substrate S, the heat radiating portion 14, the dielectric layer 15, and the protective film 16 in the magneto-optical recording medium X3 are the same as those described above regarding the magneto-optical recording medium X1.
[0065]
  The recording layer 31 is a part responsible for a recording function in the land portion and / or the groove portion, and has a laminated structure including a high coercive force portion 31a and a low coercive force portion 31b. The high coercive force portion 31a is made of an amorphous alloy perpendicular magnetization film containing a rare earth element and a transition metal. As the rare earth element contained in the amorphous alloy constituting the high coercive force portion 31a, Tb, Gd, Dy, Nd, Pr, or the like can be used. As the transition metal, Fe, Co, or the like can be used. More specifically, the high coercive force portion 31a is made of, for example, TbFeCо, DyFeCо, or TbDyFeCо having a predetermined composition.
[0066]
  The low coercive force portion 31b is made of an amorphous alloy constituting the high coercive force portion 31a and a predetermined additive element. Therefore, the low coercive force portion 31b is also a perpendicular magnetization film like the high coercive force portion 31a. For example, N or O can be adopted as the additive element. More specifically, the low coercive force portion 31b can employ, for example, TbFeCо-Si or TbFeCо-O having a predetermined composition.
[0067]
  In this embodiment, the recording layer 31 including the high coercive force portion 31 a and the low coercive force portion 31 b has a domain wall coercive force larger than that of the reproducing layer 32. The thickness of the recording layer 31 is, for example, 15 to 100 nm.
[0068]
  The reproducing layer 32 is a part that plays a reproducing function in the land part and / or the groove part, and is made of an amorphous alloy perpendicular magnetization film containing a rare earth element and a transition metal. The reproducing layer 32 has a domain wall coercive force smaller than that of the recording layer 31. The reproduction layer 32 is made of, for example, GdFeCо, GdDyFeCо, GdTbDyFeCо, NdDyFeCо, NdGdFeCо, or PrDyFeCо having a predetermined composition. The thickness of the reproduction layer 32 is, for example, 10 to 50 nm.
[0069]
  The intermediate layer 33 has a function of selectively relaying and blocking exchange coupling acting between the recording layer 31 and the reproducing layer 32, and is made of an amorphous alloy perpendicular magnetization film containing a rare earth element and a transition metal. Further, the intermediate layer 33 has a lower Curie temperature than the recording layer 31 and the reproducing layer 32. The intermediate layer 33 is made of, for example, GdFe, TbFe, GdFeCо, GdDyFeCо, GdTbDyFeCо, NdDyFeCо, NdGdFeCо, or PrDyFeCо having a predetermined composition. The thickness of the intermediate layer 33 is, for example, 3 to 90 nm.
[0070]
  The control layer 34 is for preventing or suppressing a ghost signal that is known to be generated in the DWDD reproduction, and is made of an amorphous alloy perpendicular magnetization film containing a rare earth element and a transition metal. The control layer 34 has a lower Curie temperature than the intermediate layer 33. The control layer 34 is made of, for example, GdFe, TbFe, GdFeCо, GdDyFeCо, GdTbDyFeCо, NdDyFeCо, NdGdFeCо, or PrDyFeCо having a predetermined composition. The thickness of the control layer 34 is, for example, 1 to 15 nm.
[0071]
  In the manufacture of the magneto-optical recording medium X3, first, the heat radiation part 14, the recording layer 31, and the intermediate layer 33 are sequentially formed on the substrate S having a predetermined land / groove shape. The method for forming the heat radiating portion 14, the recording layer 31, and the intermediate layer 33 is the same as the method for forming the heat radiating portion 14, the recording layer 11, and the intermediate layer 13 of the magneto-optical recording medium X1.
[0072]
  Next, the control layer 34 is formed on the intermediate layer 33. Specifically, the predetermined material is deposited and grown by sputtering using a single target or a plurality of targets made of the predetermined material corresponding to the control layer 34.
[0073]
  Next, the reproducing layer 32, the dielectric layer 15, and the protective film 16 are sequentially stacked on the control layer 34. The method for forming the reproducing layer 32, the dielectric layer 15, and the protective film 16 is the same as the method for forming the reproducing layer 12, the dielectric layer 15, and the protective film 16 of the magneto-optical recording medium X1.
[0074]
  The recording layer 31 in the magneto-optical recording medium X3 has a high storage capacity.MagnetismIt has a laminated structure of a force portion 31a and a low coercive force portion 31b, and is in surface contact with the intermediate layer 33 on the low coercive force portion 31b side. Therefore, the exchange coupling force acting between the low coercive force portion 31b and the intermediate layer 13 is small and the exchange acting between the recording layer 31 and the intermediate layer 33 is based on the same reason as described above regarding the magneto-optical recording medium X1. The bonding force decreases sharply near the Curie temperature of the intermediate layer 33. Therefore, in the magneto-optical recording medium X3, based on the same reason as described above with respect to the magneto-optical recording medium X1, the fluctuation of the position where the magnetic wall of the reproducing layer 32 starts to move is suppressed, and the reproduced signal has good jitter. Characteristics are obtained.
[0075]
  In addition, in the magneto-optical recording medium X3, the coercive force can be appropriately maintained in the intermediate layer 33 based on the same reason as described above with respect to the magneto-optical recording medium X1. Therefore, in the magneto-optical recording medium X3, a good exchange coupling force is achieved between the intermediate layer 33 and the reproducing layer 32, and the mark of the reproducing layer 32 is protected against disturbance such as a leakage magnetic field from an adjacent track or actuator.MagnetismIt is possible to appropriately secure the force or the mark transfer force to the reproduction layer 32.
[0076]
  11 and 12 show a magneto-optical recording medium X4 according to the fourth embodiment of the present invention. The magneto-optical recording medium X4 includes a substrate S, a recording layer 41, a reproducing layer 32, an intermediate layer 43, a control layer 34, a heat radiating portion 14, a dielectric layer 15, and a protective film 16, and reproduces it. A DWDD system is adopted as a system, and the magneto-optical disk is a front illumination system. FIG. 11 schematically shows a partial cross section of the magneto-optical recording medium X4, and FIG. 12 shows a stacked configuration of land portions and / or groove portions used as information tracks in the magneto-optical recording medium X4.
[0077]
  The magneto-optical recording medium X4 is different from the magneto-optical recording medium X3 in that it has a recording layer 41 different from the recording layer 31 and an intermediate layer 43 different from the intermediate layer 33. The structures and constituent materials of the reproducing layer 32 and the control layer 34 in the magneto-optical recording medium X4 are the same as those described above regarding the magneto-optical recording medium X3. The structures and constituent materials of the substrate S, the heat radiating portion 14, the dielectric layer 15, and the protective film 16 in the magneto-optical recording medium X4 are the same as those described above regarding the magneto-optical recording medium X1.
[0078]
  The recording layer 41 is a part that assumes a recording function in the land portion and / or the groove portion, and is made of an amorphous alloy perpendicular magnetization film containing a rare earth element and a transition metal. The recording layer 41 has a domain wall coercive force larger than that of the reproducing layer 32. The recording layer 41 is made of, for example, TbFeCо, DyFeCо, or TbDyFeCо having a predetermined composition. The thickness of the recording layer 41 is, for example, 15 to 100 nm.
[0079]
  The intermediate layer 43 has a laminated structure including a high coercive force portion 43a and a low coercive force portion 43b. The intermediate layer 43 has a function of selectively relaying and blocking exchange coupling acting between the recording layer 41 and the reproducing layer 32. .
[0080]
  The high coercive force portion 43a is made of an amorphous alloy perpendicular magnetization film containing a rare earth element and a transition metal. The high coercive force portion 43a is made of, for example, TbFe, GdFe, GdFeCо, GdDyFeCо, GdTbDyFeCо, NdDyFeCо, NdGdFeCо, or PrDyFeCо having a predetermined composition. The thickness of the high coercive force portion 43a is, for example, 3 to 60 nm.
[0081]
  The low coercive force portion 43b is made of an amorphous alloy constituting the high coercive force portion 43a and a predetermined additive element. Therefore, the low coercive force portion 43b is also a perpendicular magnetization film like the high coercive force portion 43a. For example, N or O can be adopted as the additive element. More specifically, the low coercive force portion 43b may employ, for example, TbFe—N, TbFe—O, GdFe—N, or GdFe—O having a predetermined composition. The thickness of the low coercive force portion 43b is, for example, 0.5 to 30 nm.
[0082]
  The intermediate layer 43 including the high coercive force portion 43 a and the low coercive force portion 43 b has a lower Curie temperature than the recording layer 41 and the reproduction layer 32. Moreover, the thickness of the intermediate layer 43 is, for example, 3 to 90 nm.
[0083]
  In the manufacture of the magneto-optical recording medium X4, first, the heat radiation part 14, the recording layer 41, and the intermediate layer 43 are sequentially formed on the substrate S having a predetermined land / groove shape. The method for forming the heat radiating portion 14 is the same as the method for forming the heat radiating portion 14 of the magneto-optical recording medium X1. The method for forming the recording layer 41 and the intermediate layer 43 is the same as the method for forming the recording layer 21 and the intermediate layer 23 of the magneto-optical recording medium X2.
[0084]
  Next, the control layer 34, the reproducing layer 32, the dielectric layer 15, and the protective film 16 are sequentially stacked on the intermediate layer 43 in the same manner as the magneto-optical recording medium X3.
[0085]
  The intermediate layer 43 in the magneto-optical recording medium X4 has a high storage capacity.MagnetismIt has a laminated structure of a force portion 43a and a low coercive force portion 43b, and is in surface contact with the recording layer 41 on the low coercive force portion 43b side. Therefore, based on the same reason as described above for the magneto-optical recording medium X2, the exchange coupling force acting between the low coercive force portion 43b and the recording layer 41 is small, and the exchange acting between the intermediate layer 43 and the recording layer 41. The bonding force sharply decreases near the Curie temperature of the intermediate layer 43. Therefore, in the magneto-optical recording medium X4, based on the same reason as described above with respect to the magneto-optical recording medium X2, the fluctuation of the position where the magnetic wall of the reproducing layer 32 starts to move is suppressed, and the reproduced signal has good jitter. Characteristics are obtained.
[0086]
  In addition, in the magneto-optical recording medium X4, the coercive force can be appropriately maintained at the interface between the intermediate layer 43 and the reproducing layer 32 for the same reason as described above with respect to the magneto-optical recording medium X3. Therefore, in the magneto-optical recording medium X4, a good exchange coupling force is achieved between the intermediate layer 43 and the reproduction layer 32, and the mark of the reproduction layer 32 is protected against disturbance such as a leakage magnetic field from an adjacent track or actuator.MagnetismIt is possible to appropriately secure the force or the mark transfer force to the reproduction layer 32.
[0087]
    [Example 1]
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a MAMMOS type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. In the magneto-optical recording medium of the present embodiment, the recording layer, the intermediate layer, and the reproducing layer each have magnetic characteristics for realizing MAMMOS type reproduction.
[0088]
  In the production of the magneto-optical recording medium of this example, first, a magneto-optical disk substrate (made of glass, diameter: 130 mm, thickness: 1.2 mm, land, by a DC sputtering method using a DC magnetron sputtering apparatus. An AgPdCuSi alloy was formed on the region width: 0.3 μm, groove region width: 0.3 μm, and groove depth: 47 nm, thereby forming a thermally conductive layer having a thickness of 50 nm. Specifically, co-sputtering using an AgPdCu alloy target and a Si target was performed, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 800 W.
[0089]
  Next, a 5 nm thick heat distribution adjusting layer was formed by depositing SiN on the heat good conductive layer by DC sputtering. Specifically, using an Si target, Ar gas and N as sputtering gas2A SiN film was formed on the substrate by reactive sputtering using a gas. In this sputtering, Ar gas and N2The gas flow ratio was 3: 1, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 800 W. In this way, a heat radiating portion composed of a heat good conductive layer and a heat distribution adjusting layer was formed.
[0090]
  Next, a recording layer was formed on the heat distribution adjusting layer of the heat radiating portion. Specifically, first, a TbFeCo amorphous alloy (TbFeB) is formed on the heat distribution adjustment layer by DC sputtering.twenty threeFe61Co16) Was formed. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 500 W. While sputtering the TbFeCo alloy target, when the thickness of the TbFeCo film reaches 28 nm, N is added to the Ar gas as a sputtering gas in the chamber of the sputtering apparatus.2Gas was introduced, and the film was formed until the thickness of the material film on the heat distribution adjusting layer became 30 nm. Ar gas and N at this time2The gas flow ratio was 2: 1, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was maintained at 500 W. In this way, the high coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16, Thickness 28 nm) and low coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16N, a thickness of 2 nm) was formed. Tbtwenty threeFe61Co16N is Tbtwenty threeFe61Co16It means that N is dispersed in the magnetic material having the composition. The composition of other low coercive force portions to be described later is similarly expressed.
[0091]
  The coercive force (30 ° C.) of the formed high coercive force portion is 10 kOe, and the coercive force of the low coercive force portion is smaller than this. The Curie temperature of such a recording layer was 350 ° C.
[0092]
  In the production of the magneto-optical recording medium of this example, a TbFe amorphous alloy (TbFe) was then formed on the recording layer by DC sputtering.20Fe80) To form an intermediate layer having a thickness of 10 nm. In this sputtering, a TbFe alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 0.3 Pa, and the sputtering power was 500 W. The Curie temperature of the formed intermediate layer was 150 ° C.
[0093]
  Next, a GdFe amorphous alloy (GdFe) is formed on the intermediate layer by DC sputtering.26Fe74) Was formed to form a reproduction layer having a thickness of 20 nm. In this sputtering, a GdFe alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 0.3 Pa, and the sputtering power was 500 W. The Curie temperature of the formed reproduction layer was 340 ° C.
[0094]
  Next, a dielectric layer having a thickness of 35 nm was formed by depositing SiN on the reproducing layer by DC sputtering. Specific conditions are the same as those described above regarding the formation of the above-described heat distribution adjusting layer in this embodiment.
[0095]
  Next, a protective film having a thickness of 15 μm was formed on the dielectric layer. Specifically, first, a UV curable transparent resin was applied on the dielectric layer to a thickness of 15 μm by spin coating. Next, the resin film was cured by ultraviolet irradiation for 30 seconds. As described above, the magneto-optical recording medium of this example was produced.
[0096]
    [Example 2]
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a MAMMOS type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was produced by performing from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film in the same manner as in Example 1 except for the formation of the recording layer. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, each of the recording layer, the intermediate layer, and the reproducing layer has magnetic characteristics for realizing MAMMOS reproduction.
[0097]
  In the formation of the recording layer of this example, first, a TbFeCo amorphous alloy (Tb) is formed on the heat distribution adjusting layer (SiN, thickness 5 nm) by DC sputtering.twenty threeFe61Co16) Until the thickness reached 30 nm. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 500 W.
[0098]
  Next, after the discharge in the chamber is stopped, Ar gas and N2A gas was introduced into the chamber for 3 minutes to nitride the region from the exposed surface of the TbFeCo film (thickness 30 nm) to a depth of 2 nm. Ar gas and N at this time2The gas flow ratio was 2: 1.
[0099]
  In this way, the high coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16, Thickness 28 nm) and low coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16N, a thickness of 2 nm) was formed.
[0100]
    Example 3
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a MAMMOS type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was produced by performing from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film in the same manner as in Example 1 except for the formation of the recording layer. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, each of the recording layer, the intermediate layer, and the reproducing layer has magnetic characteristics for realizing MAMMOS reproduction.
[0101]
  In the formation of the recording layer of this example, first, a TbFeCo amorphous alloy (TbFe) is formed on the heat distribution adjusting layer by DC sputtering.twenty threeFe61Co16) Was formed. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 500 W. While sputtering the TbFeCo alloy target, when the thickness of the TbFeCo film reaches 28 nm, it is added to the sputtering apparatus chamber in addition to Ar gas as sputtering gas.2Gas was introduced, and the film was formed until the thickness of the material film on the heat distribution adjusting layer became 30 nm. Ar gas and O at this time2The gas flow ratio is 3: 1, SuThe putter gas pressure was 1.5 Pa and the discharge power was maintained at 500W. In this way, the high coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16, Thickness 28 nm) and low coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16O, a thickness of 2 nm) was formed.
[0102]
    Example 4
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a MAMMOS type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was produced by performing from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film in the same manner as in Example 1 except for the formation of the recording layer. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, each of the recording layer, the intermediate layer, and the reproducing layer has magnetic characteristics for realizing MAMMOS reproduction.
[0103]
  In the formation of the recording layer of this example, first, a TbFeCo amorphous alloy (Tb) is formed on the heat distribution adjusting layer (SiN, thickness 5 nm) by DC sputtering.twenty threeFe61Co16) Until the thickness reached 30 nm. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 500 W.
[0104]
  Next, after the discharge in the chamber is stopped, Ar gas and O2A gas was introduced into the chamber for 2 minutes to oxidize a region from the exposed surface of the TbFeCo film (thickness 30 nm) to a depth of 2 nm. Ar gas and O at this time2The gas flow ratio was 3: 1.
[0105]
  In this way, the high coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16, Thickness 28 nm) and low coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16O, a thickness of 2 nm) was formed.
[0106]
    Example 5
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a MAMMOS type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, each of the recording layer, the intermediate layer, and the reproducing layer has magnetic characteristics for realizing MAMMOS reproduction.
[0107]
  In the production of the magneto-optical recording medium of this example, first, in the same manner as in Example 1, a heat good conductive layer (AgPdCuSi, thickness 50 nm) and a heat distribution adjusting layer (SiN, A thickness of 5 nm) was sequentially formed.
[0108]
  Next, a TbFeCo amorphous alloy (TbFe) is formed on the heat distribution adjusting layer by DC sputtering.twenty threeFe61Co16) To form a recording layer having a thickness of 30 nm. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 500 W. The formed recording layer had a coercive force (30 ° C.) of 12 kOe and a Curie temperature of 340 ° C.
[0109]
  Next, an intermediate layer was formed on the recording layer. Specifically, first, TbFeN was formed on the recording layer by DC sputtering. In this sputtering, a TbFe alloy target is used, and Ar gas and N are used as sputtering gases.2Gas, Ar gas and N2The gas flow ratio was 3: 1, the sputtering gas pressure was 0.5 Pa, and the discharge power was 500 W. While sputtering the TbFe alloy target, when the thickness of the TbFeN film reaches 1 nm, N into the chamber of the sputtering apparatus2The introduction of the gas was stopped, and the film was formed until the thickness of the material film on the recording layer reached 10 nm. In this way, the low coercive force portion (Tb20Fe80N, thickness 1 nm) and high coercive force portion (Tb20Fe80An intermediate layer having a thickness of 9 nm) was formed.
[0110]
  In the production of the magneto-optical recording medium of this example, next, in the same manner as in Example 1, the reproducing layer (Gd26Fe74, Thickness 20 nm), dielectric layer (SiN, thickness 35 nm), and protective film (transparent UV curable resin containing polyethylene terephthalate, thickness 15 μm) were formed in sequence. As described above, the magneto-optical recording medium of this example was produced.
[0111]
    Example 6
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a MAMMOS type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was produced by performing from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film in the same manner as in Example 5 except for the formation of the intermediate layer. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, each of the recording layer, the intermediate layer, and the reproducing layer has magnetic characteristics for realizing MAMMOS reproduction.
[0112]
  In forming the intermediate layer of this example, first, a TbFeO material was formed on the recording layer by DC sputtering. In this sputtering, a TbFe alloy target is used, and Ar gas and O as sputtering gas.2Gas, Ar gas and O2The gas flow ratio was 3: 1, the sputtering gas pressure was 0.5 Pa, and the discharge power was 500 W. While sputtering the TbFe alloy target, when the thickness of the TbFeO film reaches 1 nm, O 2 into the chamber of the sputtering apparatus is obtained.2The introduction of the gas was stopped, and the film was formed until the thickness of the material film on the recording layer reached 10 nm. In this way, the low coercive force portion (Tb20Fe80O, thickness 1 nm) and high coercive force portion (Tb20Fe80An intermediate layer having a thickness of 9 nm) was formed.
[0113]
    [Examples 7 to 15]
  The thickness of the high coercive force portion and the thickness of the low coercive force portion in the recording layer were changed to 28 nm and 2 nm, 30 nm and 0.5 nm (Example 7), 30 nm and 1 nm (Example 8), 30 nm and 2 nm ( Example 9), 30 nm and 5 nm (Example 10), 30 nm and 15 nm (Example 11), 60 nm and 1 nm (Example 12), 60 nm and 2 nm (Example 13), 60 nm and 20 nm (Example 14), Alternatively, the magneto-optical recording media of Examples 7 to 15 were prepared by carrying out from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film in the same manner as in Example 1 except that the thickness was 60 nm and 30 nm (Example 15). Produced.
[0114]
    Example 16
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a MAMMOS type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was manufactured by performing the same process as in Example 1 except for the formation of the heat radiating part until the formation of the protective film.
[0115]
  In the formation of the heat radiating portion of this example, first, an AgPdCu amorphous alloy (Ag) is formed on a disk substrate by DC sputtering.98Pd1Cu1) To form a first heat good conductive layer having a thickness of 10 nm. In this sputtering, an AgPdCu alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 800 W.
[0116]
  Next, a SiN film was formed on the first heat good conductive layer by DC sputtering to form a heat distribution adjusting layer having a thickness of 5 nm. In this sputtering, an SiN target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 800 W.
[0117]
  Next, a heat distribution adjustment layer is formed by DC sputtering.aboveAgPdCuSi amorphous alloy (Ag97Pd1Cu1Si1) To form a second heat good conductive layer having a thickness of 30 nm. In this sputtering, co-sputtering is performed using an AgPdCu alloy target and an Si target, Ar gas is used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure is 1.5 Pa, and the discharge power is
800W.
[0118]
  In this way, the first heat good conductive layer (Ag98Pd1Cu1, Thickness 10 nm), heat distribution adjustment layer (SiN, thickness 5 nm), and second heat good conduction layer (Ag)97Pd1Cu1Si1, 30 nm thick) was formed. The heat conductivity σ1 of the first heat good conduction layer, the heat conductivity σ2 of the second heat good conduction layer, and the heat distribution adjustment layer in this heat radiation portionThermal conductivity ofσ3 has the relationship of the following formula (1).
[0119]
[Expression 1]
Figure 0004185054
[0120]
    [Comparative Example 1]
  A magneto-optical recording medium of this comparative example was manufactured as a MAMMOS type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the high coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16, Thickness 28 nm) and low coercive force portion (Tbtwenty threeFe61Co16In place of the recording layer made of N and a thickness of 2 nm, a TbFeCo amorphous alloy (Tbtwenty threeFe61Co16The magneto-optical recording medium of this comparative example was produced in the same manner as in Example 1 except that a 30 nm-thick recording layer was formed.
[0121]
  In the formation of the recording layer of this example, a TbFeCo amorphous alloy (Tb) was formed on the heat distribution adjusting layer (SiN, thickness 5 nm) by DC sputtering.twenty threeFe61Co16) Was formed. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 500 W.
[0122]
    [Comparative Example 2]
  The magneto-optical recording medium of this comparative example is obtained by performing the process from the formation of a heat conductive layer to the formation of a protective film in the same manner as in Comparative Example 1, except that the thickness of the recording layer is 60 nm instead of 30 nm. Was made.
[0123]
    Example 17
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a DWDD type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, the recording layer, the intermediate layer, the control layer, and the reproducing layer each have magnetic characteristics for realizing DWDD reproduction.
[0124]
  In the production of the magneto-optical recording medium of the present example, first, a magneto-optical disk substrate (diameter: 120 mm, thickness: 1.2 mm, land area width: by a DC sputtering method using a DC magnetron sputtering apparatus. 0.28 μm, groove region width: 0.28 μm, groove depth: 47 nm) In the same manner as in Example 1, a heat conductive layer (AgPdCuSi, thickness 50 nm) and a heat distribution adjustment layer (SiN, thickness) The heat dissipation portion was formed by sequentially stacking 5 nm).
[0125]
  Next, a recording layer was formed on the heat distribution adjusting layer of the heat radiating portion. Specifically, first, a TbFeCo amorphous alloy (TbFeB) is formed on the heat distribution adjustment layer by DC sputtering.28Fe56Co16) Was formed. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.0 Pa, and the discharge power was 500 W. While sputtering the TbFeCo alloy target, when the thickness of the TbFeCo film reaches 60 nm, N is added to the sputtering gas in the sputtering apparatus chamber in addition to Ar gas.2Gas was introduced, and the film was formed until the thickness of the material film on the heat distribution adjusting layer reached 63 nm. Ar gas and N at this time2The gas flow ratio was 3: 1, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was maintained at 500 W. In this way, the high coercive force portion (Tb28Fe56Co16, Thickness 60 nm) and low coercivity part (Tb28Fe56Co16N, a thickness of 3 nm) was formed.
[0126]
  The coercive force (30 ° C.) of the formed high coercive force portion is 12 kOe, and the coercive force of the low coercive force portion is smaller than this. The Curie temperature of such a recording layer was 340 ° C.
[0127]
  In the production of the magneto-optical recording medium of this example, a TbFe amorphous alloy (TbFe) was then formed on the recording layer by DC sputtering.20Fe80) To form an intermediate layer having a thickness of 10 nm. In this sputtering, a TbFe alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 0.3 Pa, and the sputtering power was 500 W. The Curie temperature of the formed intermediate layer was 140 ° C.
[0128]
  Next, a TbFeCo amorphous alloy (TbFe) is formed on the intermediate layer by DC sputtering.20Fe70CoTen) To form a control layer having a thickness of 3 nm. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 0.3 Pa, and the sputtering power was 800 W. The curie temperature of the formed control layer was 160 ° C.
[0129]
  Next, a GdFe amorphous alloy (GdFe) is formed on the control layer by DC sputtering.26Fe74) Was formed to form a reproduction layer having a thickness of 20 nm. In this sputtering, a GdFe alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 0.3 Pa, and the sputtering power was 500 W. The Curie temperature of the formed reproduction layer was 340 ° C.
[0130]
  Next, a dielectric layer having a thickness of 35 nm was formed by depositing SiN on the reproducing layer by DC sputtering. Specific conditions are the same as those described above regarding the formation of the above-described heat distribution adjusting layer in Example 1.
[0131]
  Next, a protective film having a thickness of 15 μm was formed on the dielectric layer. The specific method is the same as that described above with respect to the formation of the protective film in Example 1. As described above, the magneto-optical recording medium of this example was produced.
[0132]
    Example 18
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a DWDD type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was produced by carrying out from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film in the same manner as in Example 17 except for the formation of the recording layer. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, the recording layer, the intermediate layer, the control layer, and the reproducing layer each have magnetic characteristics for realizing DWDD reproduction.
[0133]
  In the formation of the recording layer of this example, first, a TbFeCo amorphous alloy (Tb) is formed on the heat distribution adjusting layer (SiN, thickness 5 nm) of the heat radiating portion by DC sputtering.28Fe56Co16) Until the thickness reached 63 nm. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.0 Pa, and the discharge power was 500 W.
[0134]
  Next, after the discharge in the chamber is stopped, Ar gas and N2Gas was introduced into the chamber for 4 minutes, and a region from the exposed surface of the TbFeCo film (thickness 63 nm) to a depth of 3 nm was nitrided. Ar gas and N at this time2The gas flow ratio was 3: 1.
[0135]
  In this way, the high coercive force portion (Tb28Fe56Co16, Thickness 60 nm) and low coercivity part (Tb28Fe56Co16N, a thickness of 3 nm) was formed.
[0136]
    Example 19
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a DWDD type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was produced by carrying out from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film in the same manner as in Example 17 except for the formation of the recording layer. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, the recording layer, the intermediate layer, the control layer, and the reproducing layer each have magnetic characteristics for realizing DWDD reproduction.
[0137]
  In the formation of the recording layer of this example, first, a TbFeCo amorphous alloy (TbFe) is formed on the heat distribution adjusting layer of the heat radiating portion by DC sputtering.28Fe56Co16) Was formed. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.0 Pa, and the discharge power was 500 W. While sputtering the TbFeCo alloy target, when the thickness of the TbFeCo film reaches 60 nm, it is added to the sputtering apparatus chamber in addition to Ar gas as sputtering gas.2Gas was introduced, and the film was formed until the thickness of the material film on the heat distribution adjusting layer reached 63 nm. Ar gas and O at this time2The gas flow ratio is 3: 1, SuThe putter gas pressure was 1.5 Pa and the discharge power was maintained at 500W. In this way, the high coercive force portion (Tb28Fe56Co16, Thickness 60 nm) and low coercivity part (Tb28Fe56Co16O, a thickness of 3 nm) was formed.
[0138]
    Example 20
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a DWDD type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was produced by carrying out from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film in the same manner as in Example 17 except for the formation of the recording layer. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, the recording layer, the intermediate layer, the control layer, and the reproducing layer each have magnetic characteristics for realizing DWDD reproduction.
[0139]
  In the formation of the recording layer of this example, first, a TbFeCo amorphous alloy (Tb) is formed on the heat distribution adjusting layer (SiN, thickness 5 nm) of the heat radiating portion by DC sputtering.28Fe56Co16), Thickness63Film formation was performed until the thickness reached nm. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.5 Pa, and the discharge power was 500 W.
[0140]
  Next, after the discharge in the chamber is stopped, Ar gas and O2A gas was introduced into the chamber for 2 minutes to oxidize the region from the exposed surface of the TbFeCo film (thickness 63 nm) to a depth of 3 nm. Ar gas and O at this time2The gas flow ratio was 3: 1.
[0141]
  In this way, the high coercive force portion (Tb28Fe56Co16, Thickness 60 nm) and low coercivity part (Tb28Fe56Co16O, a thickness of 3 nm) was formed.
[0142]
    Example 21
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a DWDD type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, the recording layer, the intermediate layer, the control layer, and the reproducing layer each have magnetic characteristics for realizing DWDD reproduction.
[0143]
  In the production of the magneto-optical recording medium of this example, first, in the same manner as in Example 1, a heat good conductive layer (AgPdCuSi, thickness 50 nm) and a heat distribution adjusting layer (SiN, A thickness of 5 nm) was sequentially formed.
[0144]
  Next, a TbFeCo amorphous alloy (TbFe) is formed on the heat distribution adjusting layer by DC sputtering.28Fe56Co16) To form a recording layer having a thickness of 63 nm. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.0 Pa, and the discharge power was 500 W. The formed recording layer had a coercive force (30 ° C.) of 12 kOe and a Curie temperature of 340 ° C.
[0145]
  Next, in the same manner as in Example 5, the low coercive force portion (Tb20Fe80 N, Thickness 1 nm) and high coercive force portion (Tb20Fe80, A thickness of 9 nm) was formed on the recording layer.
[0146]
  Next, in the same manner as in Example 17, the control layer (Tb20Fe70CoTen, Thickness 3 nm), reproduction layer (Gd26Fe74, Thickness 20 nm), dielectric layer (SiN, thickness 35 nm), and protective film (UV curable transparent resin, thickness 15 μm) were sequentially formed. As described above, the magneto-optical recording medium of this example was produced.
[0147]
    [Example 22]
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a DWDD type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was produced by performing from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film in the same manner as in Example 21 except for the formation of the intermediate layer. In the magneto-optical recording medium of this embodiment, the recording layer, the intermediate layer, the control layer, and the reproducing layer each have magnetic characteristics for realizing DWDD reproduction. The intermediate layer of this example was formed in the same manner as in Example 6.
[0148]
    [Examples 23 to 26]
  The thickness of the high coercive force portion and the thickness of the low coercive force portion in the recording layer is changed to 60 nm and 1 nm (Example 23), 60 nm and 2 nm (Example 24), 60 nm and 20 nm (Example), instead of 60 nm and 3 nm. 25) Or, except that the thickness is 60 nm and 30 nm (Example 26), the magneto-optical properties of Examples 23 to 26 are carried out in the same manner as in Example 17 from the formation of the heat good conductive layer to the formation of the protective film. A recording medium was produced.
[0149]
    Example 27
  A magneto-optical recording medium of this example was manufactured as a DWDD type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the magneto-optical recording medium of this example was produced by carrying out the process up to the formation of the protective film in the same manner as in Example 17 except for the formation of the heat radiating portion. The heat dissipation part of this example was formed in the same manner as in Example 16.
[0150]
    [Comparative Example 3]
  A magneto-optical recording medium of this comparative example was manufactured as a DWDD type and front illumination type magneto-optical disk having the laminated structure shown in FIG. Specifically, the high coercive force portion (Tb28Fe56Co16, Thickness 60 nm) and low coercivity part (Tb28Fe56Co16In place of the recording layer made of N and a thickness of 3 nm, a TbFeCo amorphous alloy (Tb28Fe61Co16The magneto-optical recording medium of this comparative example was produced in the same manner as in Example 17 except that a recording layer having a thickness of 63 nm was formed.
[0151]
  In the formation of the recording layer of this example, a TbFeCo amorphous alloy (Tb) was formed on the heat distribution adjusting layer (SiN, thickness 5 nm) of the heat radiating portion by DC sputtering.28Fe56Co16) Was formed. In this sputtering, a TbFeCo alloy target was used, Ar gas was used as the sputtering gas, the sputtering gas pressure was 1.0 Pa, and the discharge power was 500 W.
[0152]
    [Comparative Example 4]
  The magneto-optical recording medium of this comparative example is obtained by performing the process from the formation of a heat conductive layer to the formation of a protective film in the same manner as in Comparative Example 3 except that the thickness of the recording layer is set to 60 nm instead of 63 nm. Was made.
[0153]
    [Evaluation]
  FIG. 25 is a graph showing the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Example 1 and Comparative Example 1. In this jitter measurement, first, a predetermined random pattern was recorded on an information track on the medium. The recording process was performed by a magnetic field modulation recording method using a read / write tester. In this tester, the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85, the recording laser wavelength was 405 nm, the laser scanning speed was 3 m / s, and the applied magnetic field was 150 Oe. Next, the magneto-optical recording medium was reproduced, and the output level of the reproduction signal was measured using a spectrum analyzer. In this reproduction process, the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85, the recording laser wavelength was 405 nm, the laser scanning speed was 3 m / s, and the applied magnetic field was 0 Oe. For the magneto-optical recording media of Example 1 and Comparative Example 1, such a recording / reproducing process was performed for each shortest recording mark length in the random pattern, and the jitter of the reproduced signal was measured for each process. A time interval analyzer (manufactured by Iwao Denki Co., Ltd.) was used for jitter measurement. In the graph of FIG. 25, the horizontal axis represents the shortest recording mark length in the random pattern, and the vertical axis represents jitter (%). In this graph, the jitter characteristic of the magneto-optical recording medium of Example 1 is represented by line E1, and the jitter characteristic of the magneto-optical recording medium of Comparative Example 1 is represented by line C1.
[0154]
  According to the graph of FIG. 25, it can be seen that the magneto-optical recording medium of Example 1 exhibits a smaller jitter than the magneto-optical recording medium of Comparative Example 1. The degree of jitter reduction tends to become more prominent as the shortest recording mark length decreases. Further, in the magneto-optical recording medium of Example 1, even when the shortest recording mark length is 0.1 μm or less, a jitter of 12.5% or less that can be practically used is achieved. Such a reduction in jitter is thought to be due to the abrupt change in exchange coupling force between the recording layer and the intermediate layer or the reproducing layer in the reproducing process in the magneto-optical recording medium of Example 1. In addition, it has been confirmed that the waveform of the reproduction signal is rectangular in the magneto-optical recording medium of Example 1 than in the magneto-optical recording medium of Comparative Example 1. The rectangular reproduction signal is suitable for differential detection used in reproduction such as the MAMMOS system and the DWDD system in addition to reducing jitter.
[0155]
  FIG. 26 is a graph showing the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Examples 2 to 4 and Comparative Example 1. FIG. 27 shows the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Examples 5 and 6 and Comparative Example 1. It is a graph. The jitter measurement method is the same as the jitter measurement method of the magneto-optical recording medium of the first embodiment. In the graphs of FIGS. 26 and 27, the horizontal axis represents the shortest recording mark length in the random pattern, and the vertical axis represents jitter (%). In these graphs, the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Examples 2 to 6 are represented by lines E2 to E6, and the jitter characteristic of the magneto-optical recording medium of Comparative Example 1 is represented by a line C1.
[0156]
  26 and 27, it can be seen that the magneto-optical recording media of Examples 2 to 6 have smaller jitter than the magneto-optical recording medium of Comparative Example 1. The degree of jitter reduction tends to become more prominent as the shortest recording mark length decreases. Also in the magneto-optical recording media of Examples 2 to 6, as in the magneto-optical recording medium of Example 1, the exchange coupling force between the recording layer and the intermediate layer or the reproducing layer changes sharply in the reproducing process. it is conceivable that.
[0157]
  FIG. 28 shows an example.1'sIt is a graph showing the result of the coercive force measurement of the reproducing layer in a magneto-optical recording medium. In the graph of FIG. 28, the horizontal axis represents the temperature of the reproducing layer, and the vertical axis represents the net coercive force H of the reproducing layer. In this graph, the change in the coercive force of the reproducing layer in Example 1 is indicated by a line E1 '.To express.
[0158]
  From the graph of FIG. 28, it can be seen that in the magneto-optical recording medium of Example 1, the coercive force H of the reproducing layer diverges near the Curie temperature of 150 ° C. of the intermediate layer. That is, the reproducing layer has a compensation temperature in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer. The greater the coercive force of the reproduction layer and / or the intermediate layer, the greater the exchange coupling force between the reproduction layer and the intermediate layer. Therefore, in the magneto-optical recording medium of Example 1, since the reproducing layer has a compensation temperature in the vicinity of the Curie temperature of the intermediate layer, the exchange coupling force between the reproducing layer and the intermediate layer during the reproducing process is Until just before the temperatureRelativelylarge. Such a configuration is preferable from the viewpoint of disturbance tolerance.
[0159]
  FIG. 29 is a table listing the results of jitter measurements of the magneto-optical recording media of Examples 7 to 11 and Comparative Example 1, and FIG. 30 is the jitter measurement of the magneto-optical recording media of Examples 12 to 15 and Comparative Example 2. It is a table that lists the results. In this jitter measurement, first, a recording mark having a mark length of 75 nm was repeatedly recorded on an information track on the medium through a space having the same length as the recording mark. The recording process was performed by a magnetic field modulation recording method using a read / write tester. In this tester, the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85, the recording laser wavelength was 405 nm, the laser scanning speed was 6 m / s, and the applied magnetic field was 150 Oe. Next, the magneto-optical recording medium was reproduced, and the output level of the reproduction signal was measured using a spectrum analyzer. In this reproduction process, the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85, the recording laser wavelength was 405 nm, the laser scanning speed was 6 m / s, and the applied magnetic field was 0 Oe. Such recording / reproduction processing was performed on the magneto-optical recording media of Examples 7 to 15 and Comparative Examples 1 and 2, and the jitter of the reproduction signal was measured for each processing. 29 and 30 show the thickness of the high coercivity portion, the thickness of the low coercivity portion, and the ratio of these (the thickness of the high coercivity portion: the thickness of the low coercivity portion). ) And jitter related to measurement.
[0160]
  According to the table of FIG. 29, when the thickness of the high coercive force portion of the recording layer is 30 nm, the thickness of the low coercive force portion is optimally about 2 nm from the viewpoint of jitter reduction. Further, according to the table of FIG. 30, when the thickness of the high coercive force portion of the recording layer is 60 nm, the thickness of the low coercive force portion is optimally about 2 to 20 nm from the viewpoint of reducing jitter. . Considering that the jitter is preferably 12.5% or less for practical use, it can be understood that the thickness ratio of the high coercive force portion and the low coercive force portion is preferably 30: 1 to 3: 1. Like. That is, it can be understood that the thickness of the low coercive force portion is preferably 1/30 to 1/3 of the thickness of the high coercive force portion.
[0161]
  FIG. 31 is a table showing changes in the jitter, CNR, Pw, and Pr of the medium based on the difference in the structure of the heat radiating unit for Example 1 and Example 16. Jitter measurement was performed under the same conditions for Example 1 and Example 16. Further, for a plurality of combinations of the power of the recording laser and the power of the reproduction laser, recording / reproduction processing is performed for each combination, and CNR is measured for each recording / reproduction processing. The recording laser power Pw and reproduction laser power Pr when the highest CNR is obtained are listed in the table of FIG.
[0162]
  According to the table of FIG. 31, in the magneto-optical recording medium of Example 16, the jitter is reduced, the CNR is improved, and the required recording laser power Pw is reduced, compared to the magneto-optical recording medium of Example 1. It can also be seen that the reproduction laser power Pr that can be irradiated is increased.
[0163]
  FIG. 32 is a graph showing the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Example 17 and Comparative Example 3, and FIG. 33 is a graph showing the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Examples 21 and 22 and Comparative Example 3. is there. The jitter measurement technique is the same as the jitter measurement technique described above for the magneto-optical recording medium of the first embodiment. 32 and 33, the horizontal axis represents the shortest recording mark length in the random pattern, and the vertical axis represents jitter (%). In these graphs, the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Examples 17, 21, and 22 are represented by lines E17, E21, and E22.3The jitter characteristic of the magneto-optical recording medium is represented by line C3.
[0164]
  32 and 33 show that the magneto-optical recording media of Examples 17, 21, and 22 have smaller jitter than the magneto-optical recording medium of Comparative Example 3. The degree of jitter reduction tends to become more prominent as the shortest recording mark length decreases. Also in the magneto-optical recording media of Examples 17, 21, and 22, as in the magneto-optical recording medium of Example 1, the exchange coupling force between the recording layer and the intermediate layer or the reproducing layer changes sharply in the reproducing process. It is thought that.
[0165]
  FIG. 34 shows the shortest marks for the magneto-optical recording media of Examples 18 to 20 and Comparative Example 3.LongIt is a table | surface showing the change of the jitter based on a difference. In this jitter measurement, first, a recording mark having a predetermined mark length was repeatedly recorded on an information track on the medium through a space having the same length as the recording mark. The recording process was performed by a magnetic field modulation recording method using a read / write tester. In this tester, the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85, the recording laser wavelength was 405 nm, the laser scanning speed was 6 m / s, and the applied magnetic field was 150 Oe. Next, the magneto-optical recording medium was reproduced, and the output level of the reproduction signal was measured using a spectrum analyzer. In this reproduction process, the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85, the recording laser wavelength was 405 nm, the laser scanning speed was 6 m / s, and the applied magnetic field was 0 Oe. For the magneto-optical recording media of Examples 18 to 20 and Comparative Example 3, such recording / reproduction processing was performed when the recording mark length was 0.15 μm and 0.09 μm. Was measured.
[0166]
  According to the table of FIG. 34, it can be seen that the magneto-optical recording media of Examples 18 to 20 have reduced jitter at any shortest mark length as compared with the magneto-optical recording medium of Comparative Example 3.
[0167]
  FIG. 35 is a table listing the results of jitter measurement of the magneto-optical recording media of Examples 23 to 26 and Comparative Example 4. The jitter measurement method is the same as the above-described jitter measurement method of the magneto-optical recording medium of Example 7. In the table of FIG. 35, for each magneto-optical recording medium, the thickness of the high coercive force portion, the thickness of the low coercive force portion, the ratio thereof, and the jitter related to the measurement are listed.
[0168]
  According to the table of FIG. 35, when the thickness of the high coercive force portion of the recording layer is 60 nm, the optimum thickness of the low coercive force portion is about 2 to 20 nm. Considering that the jitter is preferably 12.5% or less for practical use, it can be understood that the thickness ratio of the high coercive force portion and the low coercive force portion is preferably 30: 1 to 3: 1. Like.
[0169]
  FIG. 36 is a table showing changes in the jitter, CNR, Pw, and Pr of the medium based on the difference in the structure of the heat radiating unit for Example 17 and Example 27. These data acquisition methods are the same as the data acquisition methods listed in the table of FIG.
[0170]
  According to the table of FIG. 36, in the magneto-optical recording medium of Example 27, the jitter is reduced, the CNR is improved, and the required recording laser power Pw is reduced, compared with the magneto-optical recording medium of Example 17. It can also be seen that the reproduction laser power Pr that can be irradiated is increased.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic partial sectional view of a magneto-optical recording medium according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows a laminated structure of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view of a heat dissipating part and its vicinity.
4 is a schematic enlarged cross-sectional view of a heat dissipating part having a different laminated structure from the heat dissipating part of FIG. 3 and its vicinity. FIG.
5a to 5c show a method of manufacturing the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 6 is a schematic partial sectional view of a magneto-optical recording medium according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 shows a stacked structure of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
8a to 8c show a manufacturing method of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 9 is a schematic partial sectional view of a magneto-optical recording medium according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 shows a stacked structure of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 11 is a schematic partial sectional view of a magneto-optical recording medium according to a fourth embodiment of the present invention.
12 shows a stacked structure of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
FIG. 13 shows a laminated structure of magneto-optical recording media of Example 1 and Example 2.
FIG. 14 shows a laminated structure of magneto-optical recording media of Example 3 and Example 4.
FIG. 15 shows a laminated structure of a magneto-optical recording medium of Example 5.
FIG. 16 shows a laminated structure of the magneto-optical recording medium of Example 6.
FIG. 17 shows the laminated structure of the magneto-optical recording medium of Example 16.
FIG. 18 shows a laminated structure of the magneto-optical recording medium of Comparative Example 1.
FIG. 19 shows a laminated structure of magneto-optical recording media of Example 17 and Example 18.
FIG. 20 shows a laminated structure of magneto-optical recording media of Example 19 and Example 20.
FIG. 21 shows the laminated structure of the magneto-optical recording medium of Example 21.
FIG. 22 shows the laminated structure of the magneto-optical recording medium of Example 22.
FIG. 23 shows the laminated structure of the magneto-optical recording medium of Example 27.
FIG. 24 shows a laminated structure of the magneto-optical recording medium of Comparative Example 3.
FIG. 25 is a graph showing the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Example 1 and Comparative Example 1.
FIG. 26 is a graph showing the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Examples 2 to 4 and Comparative Example 1.
FIG. 27 is a graph showing the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Examples 5 and 6 and Comparative Example 1.
FIG. 28 shows an example.1'sIt is a graph showing the result of the coercive force measurement of the reproducing layer in a magneto-optical recording medium.
FIG. 29 is a table listing the results of jitter measurements of the magneto-optical recording media of Examples 7 to 11 and Comparative Example 1.
FIG. 30 is a table listing the results of jitter measurements of the magneto-optical recording media of Examples 12 to 15 and Comparative Example 2.
FIG. 31 is a table showing changes in the jitter, CNR, Pw, and Pr of the medium based on the difference in the structure of the heat radiating unit for Example 1 and Example 16;
FIG. 32 is a graph showing the jitter characteristics of magneto-optical recording media of Example 17 and Comparative Example 3;
FIG. 33 is a graph showing the jitter characteristics of the magneto-optical recording media of Examples 21 and 22 and Comparative Example 3;
FIG. 34 is a table showing the change in jitter based on the difference in the shortest mark length for the magneto-optical recording media of Examples 18 to 20 and Comparative Example 3;
FIG. 35 is a table listing the results of jitter measurements of the magneto-optical recording media of Examples 23 to 26 and Comparative Example 4;
FIG. 36 is a table showing changes in the jitter, CNR, Pw, and Pr of the medium based on the difference in the structure of the heat radiating portion for Example 17 and Example 27.

Claims (2)

ＤＷＤＤ方式またはＭＡＭＭＯＳ方式の光磁気記録媒体であって、
相対的に保磁力の小さな低保磁力部、および、当該低保磁力部の厚さの３〜３０倍の厚さを有し且つ相対的に保磁力の大きな高保磁力部、よりなる積層構造を有する、記録機能を担うための記録層と、
再生機能を担うための再生層と、
前記記録層の前記低保磁力部および前記再生層の間に介在し、当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるために当該記録層および再生層よりも低いキュリー温度を有する、中間層と、からなる積層構造を備え、
前記低保磁力部は、前記高保磁力部を構成する磁性材料に窒素または酸素を添加した材料からなり、且つ、低温側から前記中間層の前記キュリー温度にかけて、媒体温度が高温になるほど保磁力が低下するように構成されて前記高保磁力部よりも保磁力が小さい、
光磁気記録媒体。A DWDD or MAMMOS magneto-optical recording medium,
A laminated structure comprising a low coercive force portion having a relatively small coercive force, and a high coercive force portion having a thickness of 3 to 30 times the thickness of the low coercive force portion and a relatively large coercive force. A recording layer for carrying a recording function;
A playback layer for playing playback functions;
An intermediate layer interposed between the low coercive force portion of the recording layer and the reproducing layer and having a Curie temperature lower than that of the recording layer and the reproducing layer in order to change the exchange coupling state of the recording layer and the reproducing layer And a laminated structure consisting of
The low coercivity portion is Ri Do a material obtained by adding nitrogen or oxygen in the magnetic material constituting the high coercivity portion, and, toward the Curie temperature of the low-temperature-side intermediate layer, coercivity higher medium temperature becomes high Is configured such that the coercive force is smaller than the high coercive force portion,
Magneto-optical recording medium. 前記中間層は、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金垂直磁化膜よりなる、請求項１に記載の光磁気記録媒体。  The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the intermediate layer is made of an amorphous alloy perpendicular magnetization film containing a rare earth element and a transition metal.
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