JP4182198B2

JP4182198B2 - Generation of chalcogenide elements

Info

Publication number: JP4182198B2
Application number: JP2002056926A
Authority: JP
Inventors: 秋比古大内; ポーラヨセフ
Original assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 2002-03-04
Filing date: 2002-03-04
Publication date: 2008-11-19
Anticipated expiration: 2022-03-04
Also published as: JP2003252612A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カルコゲニド元素を含む薄膜や微粒子等の生産等に用いられるカルコゲニド元素を発生させる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、カルコゲニド元素を含む太陽電池、化合物半導体等の薄膜、微粒子等の生産においては、主に対称ジアルキルカルコゲニド化合物の熱分解または光分解によりカルコゲニド元素が発生させられている。(D. J. Cole-Hamilton, Chem. Commun., 1999, 759)
カルコゲニド元素を含む化合物半導体等の薄膜や微粒子等の生産において、その対称ジアルキルカルコゲニド化合物の熱分解または光分解反応は通常気相中で行われているため、対称ジアルキルカルコゲニド化合物としては、多くの場合揮発性の高いものを用いる必要がある（同上、文献）。
【０００３】
ところが、これらのアルキルカルコゲニド化合物には毒性が有ることが知られており、特にセレン化合物は毒性が高いことから、揮発性の高い有機カルコゲニド化合物を用いることは操業安全性にかなりの問題を抱えている。
また、これらのカルコゲニド元素を含む化合物半導体等の薄膜、微粒子等の生産過程は、多くの場合高温で行われるので、エネルギー多消費型プロセスであるという欠点も有している。
【０００４】
光分解によるカルコゲニド元素の発生も試みられているが、これらの対称ジアルキルカルコゲニド化合物は光反応性が低いために長時間の反応を要するという問題がある。さらに、光反応性の高い対称ジアルキルカルコゲニド化合物としてジベンジルカルコゲニドが知られているが、ジベンジルカルコゲニドは、熱的及び光化学的に非常に不安定な化合物であり、通常の生産現場で使用するには極めて困難であるという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来の技術における上記した実状に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、低揮発性の熱的に安定な有機カルコゲニド化合物を原料として、操業安全性が高く、高温処理を必要としない簡易なカルコゲニド元素の発生法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、カルコゲニド元素単独の薄膜や微粒子、或いはカルコゲニド元素を含む薄膜や微粒子等の生産における難点を克服するため鋭意研究を重ねた結果、特定の有機カルコゲニド化合物に低温で簡易な処理を施すことによってカルコゲニド元素が容易に発生することを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で示される化学構造式から選ばれる１種以上の有機カルコゲニド化合物に紫外線又はそのレーザー光を照射することを特徴とするカルコゲニド元素の発生法である。
Ｒ^１ＸＸＲ^２（１）
（式中、Ｘはセレン又はテルルを表す。Ｒ^１は、置換されていても良い鎖状若しくは脂環状の炭化水素基、縮合多環芳香族炭化水素基又は置換芳香族炭化水素基を表し、Ｒ ^２は、置換されていても良い鎖状若しくは脂環状の炭化水素基、置換されていても良い芳香族炭化水素基を表す。）
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明は、カルコゲニド元素単独で、或いはカルコゲニド元素に他の成分を含めて形成される化合物半導体等の薄膜や微粒子等を生産する方法において、特定の化学構造を有する低揮発性の有機カルコゲニド化合物に紫外線又はそのレーザーを照射するという簡易な処理を施すことにより、低温において安全にカルコゲニド元素を容易に発生させるものである。
【０００９】
本発明に用いられる有機カルコゲニド化合物は、上記一般式（１）で示される化学構造式から選ばれる１種以上であって、２個のカルコゲニド元素（Ｘ）が連結したジカルコゲニド（Ｘ−Ｘ）の両端に、上記した定義のとおりのＲ^１とＲ ^２から選ばれる基が結合している化学構造を有するものである。
これらの有機カルコゲニド化合物は、現在一般的に用いられているジアルキルカルコゲニドと比べ、分子内にカルコゲニド元素を二つ有する為に分子量が大きくなり揮発性が低下し、この効果はカルコゲニド原子に結合している炭化水素基が大きくなり、化合物（１）に変化させることにより分子量が大きくなり顕著になる。この様に化合物が低揮発性になると、これらの化合物の蒸気を吸うことにより人体に取り込まれる量が小さくなり安全性が高まる。更に、事故等によりこれらの化合物が飛散した場合にも大気中の化合物の濃度を低く抑えることができるので、緊急時における安全確保を行う為にも最適である。
これらの有機カルコゲニド化合物は、二つのカルコゲニド元素が直接結合した構造を有する為、紫外線の吸収効率が高くなる。その結果、紫外線の吸収による有機カルコゲニド化合物の分解反応の効率を高めることができるので、この分解反応によるカルコゲニド元素の発生を低温で短時間の内に行うことができる。
【００１０】
本発明方法に用いられる一般式（１）で示される有機カルコゲニド化合物において、カルコゲニド元素のＸとしては、セレン又はテルルである。また、置換されていても良い鎖状若しくは脂環状の炭化水素基としては、揮発性の低減又は熱的安定性の向上させる作用を有するものであればよく、好ましくは炭素数１〜４０、より好ましくは炭素数１〜１５の直鎖状若しくは分岐を持つ鎖状の炭化水素、又は炭素数１〜４０、より好ましくは炭素数１〜１５の環状の炭化水素が例示されるが、必ずしもこれらに限定されない。また、置換されていても良い芳香族炭化水素基としては、紫外線の吸収効率の良いものであり、揮発性の低減又は熱的安定性を向上させる作用を有するものであれば如何なる置換基を有していても良く、その炭素数としては、好ましくは６〜４０、より好ましくは６〜２０のものが例示されるが、必ずしもこれに限定されない。
【００１１】
さらに、置換されていても良い鎖状若しくは脂環状の炭化水素基には、芳香族炭化水素基、これらにＯ、Ｎ、Ｓ等のヘテロ原子等を含む各種官能基で置換された芳香族炭化水素基が含まれ、また、置換されていても良い芳香族炭化水素基には、鎖状若しくは脂環状の炭化水素基、これらにＯ、Ｎ、Ｓ等のヘテロ原子等を含む各種官能基で置換されたものも含まれる。さらにまた、置換されていても良い芳香族炭化水素基には、さらに部分構造としてピリジンやフラン等に代表されるヘテロ原子を含む複素環も含まれる。なお、これらの鎖状若しくは脂環状の炭化水素基、芳香族炭化水素基に置換されていても良い置換基が、炭素原子を含む官能基又は炭化水素基である場合には、置換基に含まれる炭素の数は上記炭素の数には含まれない。
【００１２】
これらの置換基は、特に限定されないが、該有機カルコゲニド化合物の反応性、生成したカルコゲニド元素からなる薄膜や微粒子等、及びカルコゲニド元素を含む薄膜や微粒子等の特性に悪影響を及ぼすものは除かれる。
【００１３】
本発明において好ましく用いられる有機カルコゲニド化合物としては、ビス（４−メチルフェニル）ジカルコゲニド、ビス（３−メチルフェニル）ジカルコゲニド、ビス（２−メチルフェニル）ジカルコゲニド、メチルフェニルジカルコゲニド、エチルフェニルジカルコゲニド、プロピルフェニルジカルコゲニド、ブチルフェニルジカルコゲニド、ペンチルフェニルジカルコゲニド、ヘキシルフェニルジカルコゲニド、シクロペンチルフェニルジカルコゲニド、シクロヘキシルフェニルジカルコゲニド、アリルフェニルジカルコゲニド、メタリルフェニルジカルコゲニド、１，２−ビス（フェニルジカルコゲノ）エタン、１，３−ビス（フェニルジカルコゲノ）プロパン等が挙げられる。
【００１４】
一般式（１）で示される有機カルコゲニド化合物は、単独で使用しても良いが、有機カルコゲニド化合物に対する紫外線照射によるカルコゲニド元素の発生をあまり阻害しない溶媒に溶解、若しくは混合させる等により使用することができる。溶媒としては水、アルコール類、鎖状または環状のアルカン類、エーテル類等の紫外線を透過する溶媒、或いはそれらの混合溶媒を用いることができる。
【００１５】
有機カルコゲニド化合物を溶媒と混合して用いる場合には、適宜の割合で混合して使用でき、その混合比には特に制限はない。また、有機カルコゲニド化合物を溶媒に溶解して用いる場合にも、その濃度に特に制限はなく、溶媒に対する有機カルコゲニド化合物の飽和濃度以下であればよいが、好ましくは溶媒に対して０〜１００重量％、より好ましくは０〜３０重量％とするのが適当である。
【００１６】
本発明においてカルコゲニド元素を発生させるには、有機カルコゲニド化合物、その溶液又はその化合物と溶媒との混合物等をディッピングやスプレー等により基板表面に付着させ、その有機カルコゲニド化合物が溶媒を含んだ状態又は溶媒を除去した状態の薄膜を基板表面に形成させ、この基板が静止した状態、又は移動している状態で紫外線照射を行えばよい。また、その有機カルコゲニド化合物又はその有機カルコゲニド化合物の溶液の液体中に基板を沈め、この基板が静止した状態又は移動している状態で紫外線照射を行ってもよい。
【００１７】
また、有機カルコゲニド化合物、その溶液又はその化合物と溶媒との混合物等をプリントやリソグラフィー等により基板表面にパターンを形成させるように付着させ、その有機カルコゲニド化合物が溶媒を含んだ状態又は溶媒を除去した状態の薄膜を基板表面に形成し、この基板が静止した状態又は移動している状態で紫外線照射を行うことにより、微細パターン状にカルコゲニド元素を発生させることができる。
【００１８】
本発明において紫外線を照射する温度には、特に制限されるものではなく、用いた一般式（１）で示される有機カルコゲニド化合物、その有機カルコゲニド化合物の溶液、又はその有機カルコゲニド化合物と溶媒との混合物、の沸点以下であればよいが、好ましくは−８０℃〜１００℃、より好ましくは０〜５０℃である。
【００１９】
本発明の照射に使用する光源としては特に制限はなく、低圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノン灯等の通常の光源や、各種エキシマランプ等を用いることができる。照射光強度にも特に制限はないが、光として０．１ｍＷ〜１０ｋＷの光源が適している。
【００２０】
また、光源としてレーザーを用いることもできる。レーザー光源としては特に制限はなく、レーザー光はパルス光でも連続照射光でもよいが、エキシマレーザー（ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ、Ｆ _２等）、アルゴンイオンレーザー、クリプトンイオンレーザー、ＹＡＧレーザー（高調波）等を用いることができる。レーザー照射光強度にも特に制限はないが、パルス光では０．１ｍＪ／パルス〜１ｋＪ／パルス、連続光は０．１ｍＷ〜１０ｋＷの光源が適している。
【００２１】
光照射時間は、有機カルコゲニド化合物の構造、紫外線の種類や強度等を考慮することにより適宜定められるが、通常、１０分もあれば充分である。紫外線照射後に、未反応の有機カルコゲニド化合物及びその紫外線反応等により生じた化合物等を、溶媒や真空処理等により除去することによりカルコゲニド薄膜及びカルコゲニドを含む薄膜等の作製を完了できる。
【００２２】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
実施例１
１０％のビス（４−メチルフェニル）ジテルリドのヘキサン溶液を、硝子基板表面にコーティングし、室温で約１分間、空気を吹き付けて溶媒を蒸発により乾燥させた。次に、その硝子表面にクリプトンフッ素エキシマレーザー（１００ｍＪ／ｃｍ^２・パルス、１Ｈｚ）を室温で１０パルス照射し、その後、硝子基板をヘキサンで洗浄し乾燥させたところ、硝子基板表面に膜厚０．０５ｍｍ以下の金属光沢を有する灰色の鏡面状のテルル薄膜が形成された。この薄膜に、セロテープを用いたピーリングテストを行ったところ、薄膜の剥離は起こらなかった。
【００２３】
【発明の効果】
本発明によれば、カルコゲニド元素単独又はカルコゲニド元素を含む燃料電池や化合物半導体等に用いられる薄膜や微粒子等を作製する際、揮発性が低くて毒性が小さく、安定な有機カルコゲニド化合物を用いて低温でカルコゲニド元素を発生させることができるから、低エネルギーで安全に容易に作業できるため、工業的実施に極めて有用である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for generating a chalcogenide element used for production of a thin film or fine particles containing the chalcogenide element.
[0002]
[Prior art]
Currently, in the production of solar cells containing chalcogenide elements, thin films such as compound semiconductors, and fine particles, chalcogenide elements are generated mainly by thermal decomposition or photolysis of symmetric dialkyl chalcogenide compounds. (DJ Cole-Hamilton, Chem. Commun., 1999, 759)
In the production of thin films and fine particles such as compound semiconductors containing chalcogenide elements, the thermal decomposition or photolysis reaction of the symmetric dialkyl chalcogenide compound is usually carried out in the gas phase, so as a symmetric dialkyl chalcogenide compound, in many cases It is necessary to use a highly volatile material (ibid.).
[0003]
However, these alkyl chalcogenide compounds are known to be toxic. In particular, selenium compounds are highly toxic, so the use of highly volatile organic chalcogenide compounds has considerable operational safety problems. Yes.
In addition, production processes of thin films such as compound semiconductors containing chalcogenide elements, fine particles, and the like are often performed at high temperatures, and thus have a drawback of being an energy intensive process.
[0004]
Attempts have also been made to generate chalcogenide elements by photolysis, but these symmetric dialkyl chalcogenide compounds have a problem of requiring a long reaction time because of their low photoreactivity. Furthermore, dibenzyl chalcogenide is known as a highly photoreactive symmetric dialkyl chalcogenide compound, but dibenzyl chalcogenide is a thermally and photochemically very unstable compound, and it is suitable for use in ordinary production sites. Has the problem of being extremely difficult.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
This invention is made | formed in view of the above-mentioned actual condition in a prior art. That is, an object of the present invention is to provide a simple method for generating a chalcogenide element that uses a low-volatile and thermally stable organic chalcogenide compound as a raw material, has high operational safety, and does not require high-temperature treatment.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted extensive research to overcome difficulties in the production of thin films and fine particles of chalcogenide elements alone, or thin films and fine particles containing chalcogenide elements. As a result, simple treatment of specific organic chalcogenide compounds at low temperatures has been achieved. It has been found that a chalcogenide element is easily generated by application, and the present invention has been completed based on this finding.
[0007]
That is, the present invention is a method for generating a chalcogenide element characterized by irradiating one or more organic chalcogenide compounds selected from the chemical structural formula represented by the following general formula (1) with ultraviolet rays or laser light thereof.
R ¹ XXR ² (1)
(In the formula, X represents selenium or tellurium. R ¹ represents an optionally substituted chain or alicyclic hydrocarbon group, a condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group, or a substituted aromatic hydrocarbon group; R ² represents a chain or alicyclic hydrocarbon group which may be substituted, or an aromatic hydrocarbon group which may be substituted.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention relates to a low-volatile organic chalcogenide compound having a specific chemical structure in a method of producing thin films or fine particles such as compound semiconductors formed by chalcogenide elements alone or including other components in chalcogenide elements. By performing a simple treatment of irradiating with ultraviolet rays or a laser thereof , chalcogenide elements are easily generated safely at low temperatures.
[0009]
The organic chalcogenide compound used in the present invention is one or more selected from the chemical structural formula represented by the general formula (1), and dichalcogenide (XX) in which two chalcogenide elements (X) are linked. Have a chemical structure in which groups selected from R ¹ and R ^{2 as} defined above are bonded to both ends.
These organic chalcogenide compounds have two chalcogenide elements in the molecule compared to the dialkyl chalcogenides that are generally used at present, so the molecular weight increases and the volatility decreases, and this effect is bonded to chalcogenide atoms. The hydrocarbon group is increased, and the molecular weight increases and becomes noticeable by changing to the compound (1). When the compounds become low volatility in this way, the amount taken into the human body by sucking the vapors of these compounds is reduced, and safety is increased. Furthermore, even when these compounds are scattered due to an accident or the like, the concentration of the compounds in the atmosphere can be kept low, which is optimal for ensuring safety in an emergency.
Since these organic chalcogenide compounds have a structure in which two chalcogenide elements are directly bonded, the absorption efficiency of ultraviolet rays is increased. As a result, the efficiency of the decomposition reaction of the organic chalcogenide compound due to the absorption of ultraviolet rays can be increased, and the generation of the chalcogenide element by this decomposition reaction can be performed at a low temperature within a short time.
[0010]
In the organic chalcogenide compound represented by the general formula (1) used in the method of the present invention, X of the chalcogenide element is selenium or tellurium. Moreover, the chain or alicyclic hydrocarbon group which may be substituted may be any group having a function of reducing volatility or improving thermal stability, and preferably has 1 to 40 carbon atoms. Preferred examples include straight-chain or branched chain hydrocarbons having 1 to 15 carbon atoms, or cyclic hydrocarbons having 1 to 40 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms. It is not limited. Further, the aromatic hydrocarbon group which may be substituted has any substituent as long as it has a high ultraviolet absorption efficiency and has an action of reducing volatility or improving thermal stability. The number of carbon atoms is preferably 6-40, more preferably 6-20, but is not necessarily limited thereto.
[0011]
Further, the optionally substituted chain or alicyclic hydrocarbon group includes an aromatic hydrocarbon group and an aromatic carbon group substituted with various functional groups including heteroatoms such as O, N, and S. The aromatic hydrocarbon group that contains a hydrogen group and may be substituted includes a chain or alicyclic hydrocarbon group, and various functional groups containing a hetero atom such as O, N, and S. Substituted ones are also included. Furthermore, the optionally substituted aromatic hydrocarbon group further includes a heterocycle containing a hetero atom typified by pyridine, furan and the like as a partial structure. In addition, when the substituent which may be substituted by these chain or alicyclic hydrocarbon group and aromatic hydrocarbon group is a functional group or hydrocarbon group containing a carbon atom, it is included in the substituent. The number of carbons generated is not included in the number of carbons.
[0012]
These substituents are not particularly limited, but those that adversely affect the reactivity of the organic chalcogenide compound, the thin film and fine particles made of the generated chalcogenide element, and the thin film and fine particles containing the chalcogenide element are excluded.
[0013]
Examples of the organic chalcogenide compound preferably used in the present invention include bis (4-methylphenyl) dichalcogenide, bis (3-methylphenyl) dichalcogenide, bis (2-methylphenyl) dichalcogenide, methylphenyldichalcogenide, and ethylphenyldinucleotide. Chalcogenide, propylphenyl dichalcogenide, butylphenyl dichalcogenide, pentylphenyl dichalcogenide, hexylphenyl dichalcogenide, cyclopentylphenyl dichalcogenide, cyclohexylphenyl dichalcogenide, allylphenyl dichalcogenide, methallylphenyl dichalcogenide, 1,2-bis (phenyl Dichalcogeno) ethane, 1,3-bis (phenyldichalcogeno) propane and the like.
[0014]
The organic chalcogenide compound represented by the general formula (1) may be used alone, but may be used by dissolving or mixing it in a solvent that does not significantly inhibit the generation of chalcogenide elements by ultraviolet irradiation of the organic chalcogenide compound. it can. As the solvent, water, alcohols, linear or cyclic alkanes, solvents such as ethers that transmit ultraviolet rays, or a mixed solvent thereof can be used.
[0015]
When the organic chalcogenide compound is used by mixing with a solvent, it can be used by mixing at an appropriate ratio, and the mixing ratio is not particularly limited. Further, when the organic chalcogenide compound is used by dissolving in a solvent, the concentration is not particularly limited and may be not more than the saturated concentration of the organic chalcogenide compound with respect to the solvent, but preferably 0 to 100% by weight with respect to the solvent More preferably, the content is 0 to 30% by weight.
[0016]
In order to generate a chalcogenide element in the present invention, an organic chalcogenide compound, a solution thereof or a mixture of the compound and a solvent is attached to the substrate surface by dipping or spraying, and the organic chalcogenide compound contains a solvent or a solvent. A thin film with the film removed may be formed on the surface of the substrate, and ultraviolet irradiation may be performed while the substrate is stationary or moving. Alternatively, the substrate may be submerged in the liquid of the organic chalcogenide compound or the solution of the organic chalcogenide compound, and ultraviolet irradiation may be performed in a state where the substrate is stationary or moving.
[0017]
In addition, an organic chalcogenide compound, a solution thereof, or a mixture of the compound and a solvent is attached so as to form a pattern on the substrate surface by printing or lithography, and the organic chalcogenide compound contains the solvent or the solvent is removed. By forming a thin film in a state on the surface of the substrate and irradiating with ultraviolet rays while the substrate is stationary or moving, the chalcogenide element can be generated in a fine pattern.
[0018]
In the present invention, the temperature at which ultraviolet rays are irradiated is not particularly limited, and the organic chalcogenide compound represented by the general formula (1) used, a solution of the organic chalcogenide compound, or a mixture of the organic chalcogenide compound and a solvent is used. However, it is preferably −80 ° C. to 100 ° C., more preferably 0 to 50 ° C.
[0019]
There is no restriction | limiting in particular as a light source used for irradiation of this invention, Normal light sources, such as a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a xenon lamp, various excimer lamps, etc. can be used. Although there is no restriction | limiting in particular in irradiation light intensity, The light source of 0.1 mW-10 kW is suitable as light.
[0020]
A laser can also be used as the light source. The laser light source is not particularly limited, and the laser light may be pulsed light or continuous irradiation light, but excimer laser (ArF, KrF, XeCl, XeF, F ₂ etc.), argon ion laser, krypton ion laser, YAG laser (harmonic) Wave) or the like. Although there is no restriction | limiting in particular also in laser irradiation light intensity | strength, 0.1 mJ / pulse-1 kJ / pulse is suitable for pulse light, and 0.1 mW-10 kW light source is suitable for continuous light.
[0021]
The light irradiation time is appropriately determined in consideration of the structure of the organic chalcogenide compound, the type and intensity of ultraviolet rays, and it is usually sufficient for 10 minutes. After the irradiation with ultraviolet rays, the unreacted organic chalcogenide compound and the compound produced by the ultraviolet reaction, etc. are removed by a solvent, vacuum treatment or the like, whereby the production of the chalcogenide thin film and the thin film containing chalcogenide can be completed.
[0022]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited at all by these Examples.
Example 1
A hexane solution of 10% bis (4-methylphenyl) ditelluride was coated on the glass substrate surface, and air was blown at room temperature for about 1 minute to dry the solvent by evaporation. Next, the glass surface was irradiated with 10 pulses of krypton fluorine excimer laser (100 mJ / cm ² · pulse, 1 Hz) at room temperature, and then the glass substrate was washed with hexane and dried to obtain a film thickness of 0 on the glass substrate surface. A gray mirror-like tellurium thin film having a metallic luster of .05 mm or less was formed. When this film was subjected to a peeling test using cello tape, no peeling of the film occurred.
[0023]
【The invention's effect】
According to the present invention, when producing a thin film or fine particles used for a fuel cell or a compound semiconductor containing a chalcogenide element alone or containing a chalcogenide element, the low-volatility, low toxicity, and stable organic chalcogenide compound is used. Can generate chalcogenide elements, and can be easily and safely operated with low energy, which is extremely useful for industrial implementation.

Claims

A method for generating a chalcogenide element, comprising irradiating an organic chalcogenide compound represented by the following general formula (1) with ultraviolet rays or a laser beam thereof.
R ¹ XXR ² (1)
(In the formula, X represents selenium or tellurium. R ¹ represents an optionally substituted chain or alicyclic hydrocarbon group, a condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group, or a substituted aromatic hydrocarbon group; R ² represents a chain or alicyclic hydrocarbon group which may be substituted, or an aromatic hydrocarbon group which may be substituted.