JP4179214B2 - Sensor temperature characteristics inspection method - Google Patents

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本発明は、複数の抵抗素子をブリッジ接続して構成され、対象となる物理量に応じた電圧を出力するセンサ部と、センサ部の出力のオフセット及び温度ドリフトを補正するとともに出力を増幅し、センサ出力として出力する処理部とを備えるセンサの温度特性検査方法に関するものである。   The present invention is configured by connecting a plurality of resistive elements in a bridge, and outputs a voltage corresponding to a target physical quantity, and corrects an offset and temperature drift of the output of the sensor unit and amplifies the output. The present invention relates to a method for inspecting temperature characteristics of a sensor including a processing unit that outputs as an output.

従来、複数の抵抗素子をブリッジ接続して構成され、対象となる物理量に応じた電圧を出力するセンサ部と、センサ部の出力のオフセット及び温度ドリフトを補正するとともに出力を増幅し、センサ出力として出力する処理部とを備えるセンサとして、例えばエアバックシステムに適用される荷重センサが知られている。   Conventionally, it is configured by connecting a plurality of resistance elements in a bridge, and outputs a voltage according to the target physical quantity, and corrects the offset and temperature drift of the output of the sensor unit and amplifies the output as a sensor output For example, a load sensor applied to an airbag system is known as a sensor including an output processing unit.

例えば図5(a)に示すように、荷重センサ100(以下センサ100と示す)は、シートフレームに締結されるとともに、荷重を荷重検出プレートに伝達するアッパアーム(可動アーム)10と、シートレールに締結されるとともに、荷重を支持するロアアーム(固定アーム)20と、4個の歪ゲージで構成したブリッジ回路からなるセンサ部を有する荷重検出プレート30と、センサ部の出力を増幅等の所定処理する処理部40、保護カバー50とにより構成される。   For example, as shown in FIG. 5A, a load sensor 100 (hereinafter referred to as sensor 100) is fastened to a seat frame, and transmits an load to a load detection plate (movable arm) 10 and a seat rail. A lower arm (fixed arm) 20 that is fastened and supports a load, a load detection plate 30 that has a sensor unit composed of a bridge circuit composed of four strain gauges, and a predetermined process such as amplification of the output of the sensor unit The processing unit 40 and the protective cover 50 are included.

従って、シートに荷重が加わりシートフレームが歪むと、アッパアーム10を介して荷重検出プレート30に荷重が伝達され、ブリッジ回路を構成する歪ゲージの抵抗値が変化し、ブリッジ回路のバランスが変化する。そして、図5(b)に示すように、ブリッジ回路の各中点に電位差が生じ、この電位差、すなわちセンサ部31の出力が処理部40にて増幅され、センサ出力として外部に出力される。尚、図5はセンサ100を説明するための図であり、(a)は外観を示す斜視図、(b)はセンサ部及び処理部の概略構成を示すブロック図である。図5(b)においては、説明上必要な部分のみを図示している。   Accordingly, when a load is applied to the seat and the seat frame is distorted, the load is transmitted to the load detection plate 30 via the upper arm 10, the resistance value of the strain gauge constituting the bridge circuit is changed, and the balance of the bridge circuit is changed. Then, as shown in FIG. 5B, a potential difference is generated at each midpoint of the bridge circuit, and this potential difference, that is, the output of the sensor unit 31 is amplified by the processing unit 40 and output to the outside as a sensor output. 5A and 5B are diagrams for explaining the sensor 100, in which FIG. 5A is a perspective view showing an appearance, and FIG. 5B is a block diagram showing a schematic configuration of a sensor unit and a processing unit. In FIG. 5B, only the portions necessary for explanation are shown.

ここで、センサ100においては、センサ出力の温度によるばらつき(すなわち温度特性)が所定範囲内にあることを補償する必要がある。そのために、センサ100の製造工程において、温度特性を補償するための検査が実行される。尚、ここでいう温度によるばらつきとは温度ドリフトによる出力ばらつきを示している。   Here, in the sensor 100, it is necessary to compensate that variation (that is, temperature characteristics) of the sensor output due to temperature is within a predetermined range. Therefore, in the manufacturing process of the sensor 100, an inspection for compensating temperature characteristics is performed. Here, the variation due to temperature indicates output variation due to temperature drift.

従来の温度特性検査は以下の手順で実施される。例えば、試作・設計段階においてセンサ出力のばらつき(温度ドリフトによる)が小さい場合、荷重検出プレート30と処理部40とを接続した状態で、図5(b)に示すように、増幅部40aに加算される温度ドリフト調整電圧として設計値をそのまま設定(メモリ(図示せず)に格納)する。そして、アッパアーム10及びロアアーム20の組み付け、感度調整等を行った後、例えば基準室温、センサ100の使用温度範囲における最高温度、最低温度の3点におけるセンサ出力を抜き取り或いは全数検査する。これにより、出力のばらつき量から良否選別をし、センサ出力の温度特性を補償している。   The conventional temperature characteristic inspection is performed by the following procedure. For example, when variation in sensor output (due to temperature drift) is small in the prototype / design stage, the load detection plate 30 and the processing unit 40 are connected to each other and added to the amplification unit 40a as shown in FIG. The design value is set as it is as the temperature drift adjustment voltage (stored in a memory (not shown)). Then, after assembling the upper arm 10 and the lower arm 20, adjusting the sensitivity, etc., for example, the sensor outputs at three points of the reference room temperature, the maximum temperature in the operating temperature range of the sensor 100, and the minimum temperature are extracted or 100% tested. As a result, the quality is selected based on the amount of output variation, and the temperature characteristics of the sensor output are compensated.

それに対し、試作・設計段階において温度ドリフトによるセンサ出力のばらつきが大きい場合には、設計値を温度ドリフト調整電圧として設定すると、検査時に出力ばらつき不良が増加するため、設計値をそのまま用いることはできない。従って、図6に示すように、例えばセンサ1個(或いは1ロットに1個)毎にセンサ100の使用温度範囲(例えば−30〜65℃)における異なる2つの温度(例えば最高温度と最低温度)を選択し、各温度条件にて温度ドリフト調整電圧を任意の値で少なくとも2点(図6においてはそれぞれ3点)増幅部40aに印加する。そして、各温度条件における複数(図6において3点)のセンサ出力値を結んだ線の交点の値を、本センサ100における温度ドリフト調整電圧として設定する。この場合、センサ(ロット)毎の温度特性に応じた温度ドリフト調整電圧とすることができるので、温度ドリフトによる出力ばらつきを小さくすることができる。特に、温度ドリフトによる出力差が通常最も大きくなる最高温度と最低温度を2つの温度とすると、より効果的である。尚、図6は、温度ドリフト調整電圧の設定を説明するための補足図である。   On the other hand, if the variation in sensor output due to temperature drift is large at the prototype / design stage, setting the design value as the temperature drift adjustment voltage increases the output variation defect during inspection, so the design value cannot be used as it is. . Therefore, as shown in FIG. 6, for example, two different temperatures (for example, maximum temperature and minimum temperature) in the operating temperature range (for example, −30 to 65 ° C.) of the sensor 100 for each sensor (or one for each lot). And at least two points (three points in FIG. 6) of the temperature drift adjustment voltage are applied to the amplifying unit 40a with arbitrary values under each temperature condition. Then, the value of the intersection of lines connecting a plurality of sensor output values (three points in FIG. 6) under each temperature condition is set as the temperature drift adjustment voltage in the sensor 100. In this case, since the temperature drift adjustment voltage according to the temperature characteristics of each sensor (lot) can be obtained, output variations due to temperature drift can be reduced. In particular, it is more effective when the maximum temperature and the minimum temperature at which the output difference due to the temperature drift is usually the largest are two temperatures. FIG. 6 is a supplementary diagram for explaining setting of the temperature drift adjustment voltage.

しかしながら、この温度ドリフト調整工程においては、異なる2つの温度条件にて温度ドリフト調整電圧を設定することにより、温度ドリフトの補正精度を向上しているものの、それ以外のセンサ100の使用温度範囲において、設定された温度ドリフト調整電圧により、センサ出力のばらつきが所定の範囲内となることを補償しているものではない。従って、センサ出力の温度特性を補償するために、特性検査工程において、例えば基準室温、センサ100の使用温度範囲における最高温度、最低温度の3点におけるセンサ出力を全数或いは抜き取り検査する必要がある。すなわち、センサ100を量産する生産ラインとして、温度ドリフト調整と、特性検査の異なる2つの工程において温度調整装置が必要であるので、製造工程が複雑となり、製造コストが増加するという問題がある。   However, in this temperature drift adjustment step, the temperature drift adjustment voltage is set under two different temperature conditions to improve the temperature drift correction accuracy. However, in other operating temperature ranges of the sensor 100, The set temperature drift adjustment voltage does not compensate for variations in the sensor output within a predetermined range. Therefore, in order to compensate the temperature characteristics of the sensor output, it is necessary to inspect all or all of the sensor outputs at three points, for example, the reference room temperature, the maximum temperature in the operating temperature range of the sensor 100, and the minimum temperature in the characteristic inspection process. That is, as a production line for mass production of the sensor 100, a temperature adjusting device is required in two processes different in temperature drift adjustment and characteristic inspection, so that there is a problem that the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing cost increases.

本発明は上記問題点に鑑み、特に試作・設計段階において、温度ドリフトによるセンサ出力のばらつきが大きい場合、製造工程を簡素化することができるセンサの温度特性検査方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method for inspecting a temperature characteristic of a sensor capable of simplifying a manufacturing process when sensor output variation due to temperature drift is large particularly in a prototype / design stage. .

上記目的を達成する為に請求項1に記載の発明は、複数の抵抗素子をブリッジ接続して構成され、対象となる物理量に応じた電圧を出力するセンサ部と、センサ部の出力のオフセット及び温度ドリフトを補正するとともに出力を増幅し、センサ出力として出力する処理部とを備えるセンサの温度特性検査方法に関するものである。そして、基準室温において、センサ出力が基準電圧と略等しくなるように、処理部にオフセット調整電圧を加算する初期設定工程と、初期設定工程後、センサの使用温度範囲において、基準室温と、基準室温よりも高い温度と、基準室温よりも低い温度との3つの温度を選択し、各温度条件にて、センサ出力の温度ドリフトを調整するために処理部に加算される温度ドリフト調整電圧を、処理部に任意の値で少なくとも2点印加する調整工程と、調整工程後、3つの温度条件から2つを選択し、選択されたそれぞれの温度条件にて、温度ドリフト調整電圧の印加により得られた複数のセンサ出力を結び、得られた線が互いに交差する交点位置の温度ドリフト調整電圧の値を、所定の温度ドリフト調整電圧として処理部に加算する設定工程と、設定工程に引き続いて、所定の前記温度ドリフト調整電圧が加算された状態における、設定工程にて選択された2つの温度条件のセンサ出力と、残りの温度条件のセンサ出力との出力差を算出し、当該出力差が閾値以下であるか否かを検査する検査工程とを備えることを特徴とする。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is configured by connecting a plurality of resistance elements in a bridge, and outputs a voltage corresponding to a target physical quantity, an offset of an output of the sensor unit, and The present invention relates to a method for inspecting temperature characteristics of a sensor, which includes a processing unit that corrects temperature drift, amplifies an output, and outputs the sensor output. Then, an initial setting step of adding an offset adjustment voltage to the processing unit so that the sensor output is substantially equal to the reference voltage at the reference room temperature, and after the initial setting step, the reference room temperature and the reference room temperature in the sensor operating temperature range The temperature drift adjustment voltage that is added to the processing unit to adjust the temperature drift of the sensor output under each temperature condition is selected. An adjustment step of applying at least two points with arbitrary values to the part, and after the adjustment step, two were selected from three temperature conditions, and obtained by applying a temperature drift adjustment voltage under each of the selected temperature conditions A setting step of connecting a plurality of sensor outputs and adding the value of the temperature drift adjustment voltage at the intersection where the obtained lines intersect each other to the processing unit as a predetermined temperature drift adjustment voltage; Subsequent to the predetermined step, the output difference between the sensor output of the two temperature conditions selected in the setting step and the sensor output of the remaining temperature conditions in the state where the predetermined temperature drift adjustment voltage is added is calculated. And an inspection step for inspecting whether the output difference is equal to or less than a threshold value.

このように、本発明のセンサの温度特性検査方法によると、調整工程において、基準室温と、基準室温よりも高い温度と、基準室温よりも低い温度との3つの温度において、任意の温度ドリフト調整電圧におけるセンサ出力を測定する。また、検査工程において、温度ドリフト調整電圧の設定に用いなかった残りの温度条件のセンサ出力を基準とし、温度ドリフト調整電圧の設定に用いた2つの温度条件のセンサ出力との出力差が閾値以下であるか検査する。   As described above, according to the temperature characteristic inspection method of the sensor of the present invention, in the adjustment step, any temperature drift adjustment is performed at three temperatures of the reference room temperature, the temperature higher than the reference room temperature, and the temperature lower than the reference room temperature. Measure the sensor output at voltage. Also, in the inspection process, the output difference between the sensor output of the two temperature conditions used for setting the temperature drift adjustment voltage is less than the threshold, based on the sensor output of the remaining temperature conditions not used for setting the temperature drift adjustment voltage. Inspect whether it is.

すなわち、調整・設定・検査からなる温度ドリフト調整工程において、従来の特性検査同様3つの温度条件の出力ばらつきを検査するので、センサ出力の温度特性を補償することができる。従って、従来はセンサの製造工程において、温度調整が温度ドリフト調整工程と、特性検査工程の2つの工程で必要であったが、特性検査工程においては、基準室温におけるセンサ出力のみを確認すれば良いので温度調整が不要となり、製造工程を簡素化することができる。また、製造コストを低減することができる。   That is, in the temperature drift adjustment process including adjustment, setting, and inspection, output variations under three temperature conditions are inspected as in the case of the conventional characteristic inspection, so that the temperature characteristics of the sensor output can be compensated. Therefore, conventionally, in the sensor manufacturing process, temperature adjustment was required in two processes, a temperature drift adjustment process and a characteristic inspection process. In the characteristic inspection process, only the sensor output at the reference room temperature needs to be confirmed. Therefore, temperature adjustment becomes unnecessary and the manufacturing process can be simplified. In addition, the manufacturing cost can be reduced.

尚、上述したセンサの温度特性検査方法は、温度ドリフト調整電圧を製造工程にて調整するセンサに対して有効であり、例えば試作・設計段階で、温度特性によるセンサ出力のばらつきが大きいセンサに対して特に効果的である。   Note that the above-described method for inspecting the temperature characteristics of a sensor is effective for a sensor that adjusts the temperature drift adjustment voltage in the manufacturing process. For example, for a sensor having a large variation in sensor output due to temperature characteristics at the prototype / design stage. Particularly effective.

また、検査工程において閾値と比較・判定される出力差は、温度ドリフト調整電圧設定後に新たに測定されたセンサ出力の差であっても良いし、調整工程にて測定された結果を結ぶ線から算出された値から求められたものであっても良い。   In addition, the output difference compared / determined with the threshold value in the inspection process may be a difference in sensor output newly measured after setting the temperature drift adjustment voltage, or from a line connecting the results measured in the adjustment process. What was calculated | required from the calculated value may be sufficient.

尚、設定工程において、選択された2つの温度条件における交点位置から、所定の温度ドリフト調整電圧を設定するためには、請求項2に記載のように、基準室温よりも低い温度におけるセンサ出力が、処理部に印加する温度ドリフト調整電圧を増加させると増加し、基準室温よりも高い温度におけるセンサ出力が、処理部に印加する温度ドリフト調整電圧を増加させると減少する関係にあると良い。しかしながら、それ以外にも、上述とは逆に基準室温よりも低い温度におけるセンサ出力が、処理部に印加する温度ドリフト調整電圧を増加させると減少し、基準室温よりも高い温度におけるセンサ出力が、処理部に印加する温度ドリフト調整電圧を増加させると増加する関係にあっても良い。   In the setting step, in order to set a predetermined temperature drift adjustment voltage from the intersection position in the two selected temperature conditions, the sensor output at a temperature lower than the reference room temperature is set as described in claim 2. The temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit increases, and the sensor output at a temperature higher than the reference room temperature is preferably decreased when the temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit is increased. However, contrary to the above, the sensor output at a temperature lower than the reference room temperature is decreased when the temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit is increased, and the sensor output at a temperature higher than the reference room temperature is The relationship may be increased when the temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit is increased.

また、設定工程において選択される2つの温度条件は、基準室温よりも高い温度と、基準室温よりも低い温度の2点に限定されるものではない。しかしながら、温度ドリフトによるセンサ出力のばらつきは温度差が大きいほど大きくなるので、請求項3に記載のように、基準室温よりも高い温度と、基準室温よりも低い温度の2点を選択し、両温度条件におけるセンサ出力が等しくなる交点の値を温度ドリフト調整電圧として設定すると、使用温度範囲を考慮して温度ドリフト調整電圧を設定することができる。また、検査工程において、選択された2つの間の温度である基準室温のセンサ出力を基準とするので、出力差は温度ドリフトによる誤差をほとんど含まず小さな値となる。従って、閾値との比較による良否判定を精度良く実施することができる。特に、請求項4に記載のように、2つの温度条件を使用温度範囲における最高温度及び最低温度とすると、センサの使用温度範囲全体を補償することができる。   Further, the two temperature conditions selected in the setting process are not limited to two points, a temperature higher than the reference room temperature and a temperature lower than the reference room temperature. However, since the variation in sensor output due to temperature drift increases as the temperature difference increases, two points, a temperature higher than the reference room temperature and a temperature lower than the reference room temperature, are selected as described in claim 3. If the value of the intersection at which the sensor outputs are equal under the temperature condition is set as the temperature drift adjustment voltage, the temperature drift adjustment voltage can be set in consideration of the operating temperature range. Further, since the sensor output at the reference room temperature, which is the temperature between the two selected, is used as a reference in the inspection process, the output difference is a small value that hardly includes errors due to temperature drift. Therefore, it is possible to perform the quality determination by comparison with the threshold with high accuracy. In particular, as described in claim 4, when the two temperature conditions are the maximum temperature and the minimum temperature in the use temperature range, the entire use temperature range of the sensor can be compensated.

また、設定工程において設定された温度ドリフト調整電圧により温度ドリフトをより精度良く補正するためには、請求項5に記載のように、調整工程において、処理部に任意の値で印加する温度ドリフト調整電圧のうち、少なくとも2点を、設定工程における交点位置の温度ドリフト調整電圧の値よりも低い値と高い値とすると良い。また、請求項6に記載のように、調整工程において、処理部に印加する任意の温度ドリフト調整電圧を2点だけでなく3点以上とすると良い。   In addition, in order to more accurately correct the temperature drift by the temperature drift adjustment voltage set in the setting step, as described in claim 5, in the adjustment step, the temperature drift adjustment applied to the processing unit with an arbitrary value. Of the voltages, at least two points may be lower and higher than the value of the temperature drift adjustment voltage at the intersection point in the setting step. Further, as described in claim 6, in the adjustment step, it is preferable that an arbitrary temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit is not only two points but also three points or more.

尚、請求項1〜6に記載のセンサは、請求項7に記載のように、歪ゲージで構成した荷重センサに好適である。   In addition, the sensor of Claims 1-6 is suitable for the load sensor comprised by the strain gauge as described in Claim 7.

以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。尚、以下の実施形態においては、複数の抵抗素子をブリッジ接続して構成され、対象となる物理量に応じた電圧を出力するセンサ部と、センサ部の出力のオフセット及び温度ドリフトを補正するとともに出力を増幅し、センサ出力として出力する処理部とを備えるセンサとして、荷重センサを例にとり説明する。
(第1の実施形態)
図1は本実施形態における荷重センサを説明するための、全体の構成を示す外観斜視図である。尚、荷重センサは、車両のシート下部に取り付けられ、シートに着座する着座者の体重を検出する。そして、この検出信号に基づいて、乗員の安全を確保する装置(シートベルトやエアバッグシステム)の動作が制御される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a plurality of resistance elements are bridge-connected, and a sensor unit that outputs a voltage according to a target physical quantity, and offset and temperature drift of the output of the sensor unit are corrected and output. A load sensor will be described as an example of a sensor including a processing unit that amplifies the signal and outputs it as a sensor output.
(First embodiment)
FIG. 1 is an external perspective view showing an overall configuration for explaining a load sensor in the present embodiment. The load sensor is attached to the lower part of the seat of the vehicle and detects the weight of the seated person sitting on the seat. And based on this detection signal, operation | movement of the apparatus (seat belt and airbag system) which ensures a passenger | crew's safety is controlled.

図1に示すように、荷重センサ100は、シートフレームに締結されるとともに、荷重を荷重検出プレートに伝達するアッパアーム(可動アーム)10と、シートレールに締結されるとともに、荷重を支持するロアアーム(固定アーム)20と、4個の歪ゲージで構成したブリッジ回路からなるセンサ部を有する荷重検出プレート30と、センサ部の出力の増幅処理等を実行する回路基板を有する処理部40と、保護カバー50とにより構成される。   As shown in FIG. 1, the load sensor 100 is fastened to the seat frame and transmits an load to the load detection plate (upper arm (movable arm) 10), and is fastened to the seat rail and supports the load ( (Fixed arm) 20, load detection plate 30 having a sensor unit composed of a bridge circuit composed of four strain gauges, a processing unit 40 having a circuit board for performing amplification processing of the output of the sensor unit, and a protective cover 50.

従って、シートに荷重が加わりシートフレームが歪むと、アッパアーム10を介して荷重検出プレート30に荷重が伝達され、ブリッジ回路を構成する歪ゲージの抵抗値が変化し、ブリッジ回路のバランスが変化する。そして、ブリッジ回路の各中点に電位差が生じ、この電位差、すなわちセンサ部の出力が処理部40にて増幅され、センサ出力として外部に出力される。   Accordingly, when a load is applied to the seat and the seat frame is distorted, the load is transmitted to the load detection plate 30 via the upper arm 10, the resistance value of the strain gauge constituting the bridge circuit is changed, and the balance of the bridge circuit is changed. A potential difference is generated at each midpoint of the bridge circuit, and this potential difference, that is, the output of the sensor unit is amplified by the processing unit 40 and output to the outside as a sensor output.

次に、荷重センサ100の製造工程の一例について、図2の工程フロー図に基づいて説明する。先ず、4個の歪ゲージがセンサ部としてのブリッジ回路を構成するように貼着された荷重検出プレート30と、増幅等の所定処理回路が形成された回路基板を有する処理部40とを準備し、両者を仮組み付けして電気的に接続させる。そして、この状態で、処理部40における回路基板の所定位置にプローブを接触させてセンサ部出力のオフセット(零点)調整及び温度ドリフト(オフセットの温度特性)調整を実施する。この工程において、処理部40に加算されるオフセット調整電圧と温度ドリフト調整電圧が設定(回路基板に搭載されたEPROM等のメモリに書き込み)される。   Next, an example of the manufacturing process of the load sensor 100 will be described based on the process flow diagram of FIG. First, a load detection plate 30 attached so that four strain gauges constitute a bridge circuit as a sensor unit, and a processing unit 40 having a circuit board on which a predetermined processing circuit such as amplification is formed are prepared. The two are temporarily assembled and electrically connected. In this state, the probe is brought into contact with a predetermined position of the circuit board in the processing unit 40, and the offset (zero point) adjustment of the sensor unit output and the temperature drift (temperature characteristic of the offset) are adjusted. In this step, an offset adjustment voltage and a temperature drift adjustment voltage added to the processing unit 40 are set (written in a memory such as an EPROM mounted on the circuit board).

オフセット及び温度ドリフト調整後、アーム(アッパアーム10及びロアアーム20)を荷重検出プレート30に対して組み付ける。そして、プローブを処理部40の回路基板の所定位置に当接させると共に、アッパアーム10に所定の荷重を印加して、感度調整を実施する。この工程において、センサ部出力を補正するための感度調整電圧が設定(回路基板に搭載されたEPROM等のメモリに書き込み)される。尚、本実施形態における感度センサ100においては、処理部40の回路基板上に感度調整用のICチップが集積されており、感度の温度特性については部品補償されている。また、感度調整時に荷重を印加しているので、感度調整後に再度オフセットの調整(確認)を行う。   After the offset and temperature drift adjustment, the arms (upper arm 10 and lower arm 20) are assembled to the load detection plate 30. Then, the probe is brought into contact with a predetermined position of the circuit board of the processing unit 40, and a predetermined load is applied to the upper arm 10 to perform sensitivity adjustment. In this step, a sensitivity adjustment voltage for correcting the sensor unit output is set (written in a memory such as an EPROM mounted on the circuit board). In the sensitivity sensor 100 according to the present embodiment, an IC chip for sensitivity adjustment is integrated on the circuit board of the processing unit 40, and the temperature characteristics of the sensitivity are compensated for components. Since a load is applied during sensitivity adjustment, offset adjustment (confirmation) is performed again after sensitivity adjustment.

そして感度調整後、特性検査が実施される。この特性検査においては、温度ドリフトによるセンサ出力のばらつきが閾値以下であるかを検査し、良否選別することで、センサ出力の温度特性を補償している。そして、温度特性が良好な荷重センサ100について、処理部40の回路基板を保護ケースに締め付け固定、アッパアーム10への保護カバー50組み付け、ネームプレートの貼り付けを実施し、外観検査を実施した後、良品の荷重センサ100が完成する。このように、上述した各工程が1つの生産ラインを形成しており、各工程を連続的流れることで荷重センサ100が量産される。   After the sensitivity adjustment, a characteristic inspection is performed. In this characteristic inspection, it is inspected whether the variation in sensor output due to temperature drift is equal to or less than a threshold value, and the pass / fail selection is made to compensate the temperature characteristic of the sensor output. For the load sensor 100 with good temperature characteristics, the circuit board of the processing unit 40 is fastened and fixed to the protective case, the protective cover 50 is attached to the upper arm 10, the name plate is attached, and the appearance inspection is performed. A non-defective load sensor 100 is completed. Thus, each process mentioned above forms one production line, and the load sensor 100 is mass-produced by flowing through each process continuously.

ここで、従来の量産工程においては、例えば試作・設計段階において温度ドリフトによるセンサ出力のばらつきが大きく、設計値を温度ドリフト調整電圧として設定することができない場合のように温度ドリフト調整電圧を調整する場合、例えば温度ドリフト調整工程において、センサ1個(或いは1ロットに1個)毎に荷重センサ100の使用温度範囲(例えば−30〜65℃)における異なる2つの温度(例えば最高温度と最低温度)を選択し、各温度条件にて温度ドリフト調整電圧を任意の値で少なくとも2点、処理部40の回路基板にプローブを当接させて印加する。そして、各温度条件における複数のセンサ出力値を結んだ線の交点の値を、本荷重センサ100における温度ドリフト調整電圧として設定(所定の温度ドリフト調整電圧を与えるデータをメモリに格納)する。この場合、センサ(ロット)毎の温度特性に応じた温度ドリフト調整電圧とすることができるので、温度ドリフトによる出力ばらつきを小さくすることができる。特に、調整時に選択する2つの温度を、温度ドリフトによる出力差が通常最も大きくなる最高温度と最低温度とすると、より効果的である。   Here, in the conventional mass production process, for example, the temperature drift adjustment voltage is adjusted so that the sensor output varies greatly due to temperature drift in the prototype / design stage and the design value cannot be set as the temperature drift adjustment voltage. In this case, for example, in the temperature drift adjustment step, two different temperatures (for example, maximum temperature and minimum temperature) in the operating temperature range (for example, −30 to 65 ° C.) of the load sensor 100 for each sensor (or one for one lot). And at least two temperature drift adjustment voltages with arbitrary values under each temperature condition, and the probe is applied to the circuit board of the processing unit 40 and applied. Then, the value of the intersection of the lines connecting the plurality of sensor output values under each temperature condition is set as the temperature drift adjustment voltage in the load sensor 100 (data giving a predetermined temperature drift adjustment voltage is stored in the memory). In this case, since the temperature drift adjustment voltage according to the temperature characteristics of each sensor (lot) can be obtained, output variations due to temperature drift can be reduced. In particular, it is more effective if the two temperatures selected at the time of adjustment are the highest temperature and the lowest temperature at which the output difference due to the temperature drift is usually the largest.

しかしながら、この温度ドリフト調整工程においては、異なる2つの温度条件にて温度ドリフト調整電圧を設定することにより、温度ドリフトの補正精度を向上しているものの、それ以外の荷重センサ100の使用温度範囲において、設定された温度ドリフト調整電圧により、センサ出力のばらつきが所定の範囲内となることを補償しているものではない。従って、センサ出力の温度特性を補償するために、上述の特性検査工程において、例えば基準室温、荷重センサ100の使用温度範囲における最高温度、最低温度の3点におけるセンサ出力を全数或いは抜き取り検査する必要がある。すなわち、荷重センサ100を量産する生産ラインとして、温度ドリフト調整と、特性検査の異なる2つの工程において温度調整装置が必要であるので、製造工程が複雑となり、製造コストが増加するという問題がある。   However, in this temperature drift adjustment step, the temperature drift adjustment accuracy is improved by setting the temperature drift adjustment voltage under two different temperature conditions, but in other operating temperature ranges of the load sensor 100 than that. The set temperature drift adjustment voltage does not compensate for variations in sensor output within a predetermined range. Therefore, in order to compensate for the temperature characteristics of the sensor output, in the above-described characteristic inspection process, for example, all or all of the sensor outputs at the reference temperature, the maximum temperature in the operating temperature range of the load sensor 100, and the minimum temperature must be inspected. There is. That is, as a production line for mass production of the load sensor 100, a temperature adjusting device is required in two processes different in temperature drift adjustment and characteristic inspection. Therefore, there is a problem that the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing cost increases.

それに対し、上記問題を解決する本実施形態の温度特性検査方法について、図3及び図4を用いて説明する。図3は、温度ドリフトを調整するための補正回路の構成を説明するためのブロック図である。図4は、温度ドリフト調整工程における温度特性検査を説明するための図である。尚、温度特性検査方法は、上述した荷重センサ100の製造工程において、温度ドリフト調整工程と特性検査工程に適用されるものであり、温度ドリフト調整工程に特徴がある。そして、その結果、特性検査工程における温度調整を不要とすることができる。   On the other hand, the temperature characteristic inspection method of this embodiment that solves the above problem will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a block diagram for explaining a configuration of a correction circuit for adjusting the temperature drift. FIG. 4 is a diagram for explaining the temperature characteristic inspection in the temperature drift adjustment step. The temperature characteristic inspection method is applied to the temperature drift adjustment process and the characteristic inspection process in the manufacturing process of the load sensor 100 described above, and is characterized by the temperature drift adjustment process. As a result, temperature adjustment in the characteristic inspection process can be made unnecessary.

先ず温度ドリフトを補正するための回路構成を説明する。尚、図3においては、処理部40の回路構成のうち、説明に必要な部分のみを記載している。図3に示すように、4つの歪ゲージから構成されたセンサ部31の出力は、感度調整(図示せず)された後、処理部40のオペアンプ60にて前段増幅される。このとき、オペアンプ60は、荷重センサ100の印加電源5Vの半分である2.5Vを基準電位として作動するように構成されている。   First, a circuit configuration for correcting temperature drift will be described. In FIG. 3, only a part necessary for explanation is shown in the circuit configuration of the processing unit 40. As shown in FIG. 3, the output of the sensor unit 31 composed of four strain gauges is subjected to sensitivity adjustment (not shown) and then amplified by the operational amplifier 60 of the processing unit 40. At this time, the operational amplifier 60 is configured to operate with 2.5 V, which is half of the applied power 5 V of the load sensor 100, as a reference potential.

また、オペアンプ62と抵抗61,63によって反転増幅器が構成されている。この反転増幅器は、オペアンプ61同様、2.5Vを基準電位として作動するようになっており、オペアンプ60の出力をさらに増幅するように構成されている。   The operational amplifier 62 and the resistors 61 and 63 constitute an inverting amplifier. Like the operational amplifier 61, this inverting amplifier operates with 2.5 V as a reference potential, and is configured to further amplify the output of the operational amplifier 60.

オフセット調整電圧V0は、抵抗64を介してオペアンプ62に入力される。温度ドリフト調整電圧Vtは、オペアンプ66、抵抗65,67によって構成された反転増幅器と抵抗68を介してオペアンプ62に入力される。この反転増幅器も、オペアンプ60同様、2.5Vを基準電位として作動するようになっている。本実施形態においては、反転増幅器を構成する抵抗65,67は基準室温(25℃)でともに10kΩであり、一方の抵抗65が温度依存性を有しており(抵抗温度係数が2600ppm/℃)、他方の抵抗67がほとんど温度依存性を有さない(抵抗温度係数が100ppm/℃以下)抵抗で構成されている。従って、後述する調整及び設定工程において、温度ドリフト調整電圧の印加により得られた複数のセンサ出力を結び、得られた各温度条件の線が互いに交差するように、この反転増幅器によって、オペアンプ62に入力される温度ドリフト調整電圧Vtに温度特性を持たせている。   The offset adjustment voltage V0 is input to the operational amplifier 62 via the resistor 64. The temperature drift adjustment voltage Vt is input to the operational amplifier 62 through the operational amplifier 66 and an inverting amplifier composed of resistors 65 and 67 and the resistor 68. As with the operational amplifier 60, this inverting amplifier is also operated with 2.5V as a reference potential. In this embodiment, the resistors 65 and 67 constituting the inverting amplifier are both 10 kΩ at the reference room temperature (25 ° C.), and one resistor 65 has temperature dependency (resistance temperature coefficient is 2600 ppm / ° C.). The other resistor 67 has a temperature dependency (resistance temperature coefficient is 100 ppm / ° C. or less). Therefore, in the adjustment and setting process described later, a plurality of sensor outputs obtained by application of the temperature drift adjustment voltage are connected, and this inverting amplifier causes the operational amplifier 62 to connect the obtained temperature condition lines to each other. The input temperature drift adjustment voltage Vt has temperature characteristics.

尚、特許請求の範囲で言うところの処理部40に加算される温度ドリフト調整電圧とは、この反転増幅器によって温度特性を持たせた後の電圧のことを示している。また、オフセット調整電圧V0及び温度ドリフト調整電圧Vtは、各調整工程において、処理部40の回路基板の所定位置にプローブを当接させることによりオペアンプ62に加算することができ、設定後は、オペアンプ62に加算するためにデジタルデータとして回路基板のメモリ(図示せず)に格納される。   Note that the temperature drift adjustment voltage added to the processing unit 40 in the claims means a voltage after the temperature characteristics are given by the inverting amplifier. Further, the offset adjustment voltage V0 and the temperature drift adjustment voltage Vt can be added to the operational amplifier 62 by bringing the probe into contact with a predetermined position of the circuit board of the processing unit 40 in each adjustment step. In order to add to 62, it is stored as digital data in a memory (not shown) of the circuit board.

また、オペアンプ62と、抵抗61,63,64,68,69によって加算器が構成されている。従って、オフセット調整電圧V0や温度ドリフト調整電圧Vtを含む各入力電圧にそれぞれ一定の係数(各抵抗61,64,68,69に対する抵抗63の比)を乗じて加算した(オフセット及び温度ドリフトが補正された)出力を、オペアンプ62の出力端子からセンサ出力Voutとして出力する。以上の構成により、センサ部31の出力は、処理部40にてオフセット及び温度ドリフト補正されるとともに増幅されて、処理部40からセンサ出力Voutとして出力される。   The adder is constituted by the operational amplifier 62 and the resistors 61, 63, 64, 68, and 69. Therefore, each input voltage including the offset adjustment voltage V0 and the temperature drift adjustment voltage Vt is multiplied by a certain coefficient (ratio of the resistance 63 to each resistance 61, 64, 68, 69) and added (offset and temperature drift are corrected). Output) from the output terminal of the operational amplifier 62 as a sensor output Vout. With the above configuration, the output of the sensor unit 31 is offset and temperature drift corrected by the processing unit 40, amplified, and output from the processing unit 40 as a sensor output Vout.

ここで、本実施形態においては、生産ラインの1工程である温度ドリフト調整工程を、調整工程、設定工程、及び検査工程の3つの工程に細分化している。   Here, in the present embodiment, the temperature drift adjustment process, which is one process in the production line, is subdivided into three processes: an adjustment process, a setting process, and an inspection process.

具体的には、従来同様、先ず基準室温において、処理部40の回路基板の所定位置にプローブを当接し、センサ出力が基準電圧と略等しくなるようオフセット調整電圧を設定する。本実施形態においてはセンサ出力が基準電圧と略等しくなるようなオフセット調整電圧が求められ、デジタルデータとしてメモリに格納される。   Specifically, as in the prior art, first, at the reference room temperature, the probe is brought into contact with a predetermined position on the circuit board of the processing unit 40, and the offset adjustment voltage is set so that the sensor output becomes substantially equal to the reference voltage. In the present embodiment, an offset adjustment voltage is obtained so that the sensor output becomes substantially equal to the reference voltage, and is stored in the memory as digital data.

その後、オフセット調整電圧が抵抗64を介してオペアンプ62に加算された状態で、調整工程が実施される。調整工程においては、センサ100の使用温度範囲(本実施形態においては−30〜65℃)において、基準室温(本実施形態において25℃)と、基準室温よりも高い温度(本実施形態においては65℃)と、基準室温よりも低い温度(本実施形態においては−30℃)との3つの温度を選択する。そして、図4に示すように、各温度条件にて処理部40の回路基板の所定位置にプローブを当接させて、温度ドリフト調整電圧を任意の値で少なくとも2点(本実施形態においては3点)印加し、センサ出力を測定する。尚、図4において、■が基準室温、▲が65℃、◆が−30℃におけるセンサ出力を示している。   Thereafter, the adjustment step is performed in a state where the offset adjustment voltage is added to the operational amplifier 62 via the resistor 64. In the adjustment process, in the operating temperature range of the sensor 100 (-30 to 65 ° C. in the present embodiment), the reference room temperature (25 ° C. in the present embodiment) and a temperature higher than the reference room temperature (65 in the present embodiment). C) and a temperature lower than the reference room temperature (-30 ° C. in the present embodiment). Then, as shown in FIG. 4, the probe is brought into contact with a predetermined position of the circuit board of the processing unit 40 under each temperature condition, and the temperature drift adjustment voltage is set to at least two arbitrary values (3 in the present embodiment). Point) Apply and measure the sensor output. In FIG. 4, ▪ indicates the sensor output at the reference room temperature, ▲ indicates 65 ° C., and ◆ indicates −30 ° C.

そして、調整工程後、設定工程が実施される。設定工程においては、調整工程において3つの温度条件から2つ(本実施形態においては、65℃と−30℃)を選択し、選択されたそれぞれの温度条件にて、温度ドリフト調整電圧の印加により得られた複数のセンサ出力を結び、得られた線が互いに交差する交点位置の温度ドリフト調整電圧の値(図4における破線矢印の示す値)を、所定の温度ドリフト調整電圧Vtとして設定(メモリにデジタルデータとして格納)する。   And a setting process is implemented after an adjustment process. In the setting step, two of the three temperature conditions (65 ° C. and −30 ° C. in the present embodiment) are selected in the adjustment step, and the temperature drift adjustment voltage is applied under the selected temperature conditions. The value of the temperature drift adjustment voltage (the value indicated by the dashed arrow in FIG. 4) at the intersection point where the obtained sensor outputs are connected and the obtained lines intersect with each other is set as a predetermined temperature drift adjustment voltage Vt (memory) Stored as digital data).

さらに、設定工程後、検査工程が実施される。検査工程においては、所定の温度ドリフト調整電圧Vtがオペアンプ66、抵抗65,67によって構成された反転増幅器と抵抗68を介してオペアンプ62に加算された状態における設定工程にて選択された2つの温度条件(65℃及び−30℃)のセンサ出力(すなわち上述の交点位置におけるセンサ出力)と、残りの温度条件(本実施形態において25℃)のセンサ出力との出力差ΔVを算出し、当該出力差ΔVが閾値以下であるか否かを検査する。   Further, after the setting process, an inspection process is performed. In the inspection process, the two temperatures selected in the setting process in a state where the predetermined temperature drift adjustment voltage Vt is added to the operational amplifier 62 through the inverting amplifier constituted by the operational amplifier 66 and the resistors 65 and 67 and the resistor 68. An output difference ΔV between the sensor output under the conditions (65 ° C. and −30 ° C.) (that is, the sensor output at the above-described intersection position) and the sensor output under the remaining temperature conditions (25 ° C. in the present embodiment) is calculated, and the output It is checked whether or not the difference ΔV is equal to or less than a threshold value.

このとき、検査工程において閾値と比較・判定される出力差ΔVは、温度ドリフト調整電圧設定後(すなわち検査工程において)それぞれの温度条件にて新たにそれぞれのセンサ出力を算出することにより求めても良いし、図4に示すように調整工程にて測定された結果を結ぶ線をもとに算出しても良い。   At this time, the output difference ΔV compared with the threshold value in the inspection process may be obtained by newly calculating each sensor output under each temperature condition after setting the temperature drift adjustment voltage (that is, in the inspection process). The calculation may be performed based on a line connecting the results measured in the adjustment process as shown in FIG.

このように、本実施形態における荷重センサ100の温度特性検査方法によると、調整工程において、基準室温と、基準室温よりも高い温度と、基準室温よりも低い温度との3つの温度において、任意の温度ドリフト調整電圧におけるセンサ出力を測定する。また、検査工程において、温度ドリフト調整電圧の設定に用いなかった残りの温度条件のセンサ出力を基準とし、温度ドリフト調整電圧の設定に用いた2つの温度条件のセンサ出力との出力差が閾値以下であるか検査する。   As described above, according to the temperature characteristic inspection method for the load sensor 100 in the present embodiment, in the adjustment step, the reference temperature, the temperature higher than the reference room temperature, and the temperature lower than the reference room temperature are arbitrarily set. Measure the sensor output at the temperature drift adjustment voltage. Also, in the inspection process, the output difference between the sensor output of the two temperature conditions used for setting the temperature drift adjustment voltage is less than the threshold, based on the sensor output of the remaining temperature conditions not used for setting the temperature drift adjustment voltage. Inspect whether it is.

すなわち、調整・設定・検査からなる温度ドリフト調整工程において、従来の特性検査同様3つの温度条件の出力ばらつきを検査するので、センサ出力の温度特性を補償することができる。従って、従来はセンサの製造工程において、温度調整が温度ドリフト調整工程と、特性検査工程の2つの工程で必要であったが、特性検査工程においては、基準室温におけるセンサ出力のみを確認すれば良いので温度調整が不要となり、製造工程を簡素化することができる。また、製造コストを低減することができる。   That is, in the temperature drift adjustment process including adjustment, setting, and inspection, output variations under three temperature conditions are inspected as in the case of the conventional characteristic inspection, so that the temperature characteristics of the sensor output can be compensated. Therefore, conventionally, in the sensor manufacturing process, temperature adjustment was required in two processes, a temperature drift adjustment process and a characteristic inspection process. In the characteristic inspection process, only the sensor output at the reference room temperature needs to be confirmed. Therefore, temperature adjustment becomes unnecessary and the manufacturing process can be simplified. In addition, the manufacturing cost can be reduced.

また、本実施形態における荷重センサ100の温度特性検査方法は、試作・設計段階に定めた温度ドリフト調整電圧(設計値)と異なる値を、量産工程である調整工程にて実際に温度調整して設定する場合に適用することができる。従って、例えば試作・設計段階で、温度特性によるセンサ出力のばらつきが大きい荷重センサ100に対して好適である。   In addition, the temperature characteristic inspection method of the load sensor 100 according to the present embodiment actually adjusts the temperature different from the temperature drift adjustment voltage (design value) determined in the prototype / design stage in the adjustment process which is a mass production process. It can be applied when setting. Therefore, for example, it is suitable for the load sensor 100 in which variations in sensor output due to temperature characteristics are large at the prototype / design stage.

尚、設定工程において選択される2つの温度条件は、基準室温よりも高い温度と、基準室温よりも低い温度の2点に限定されるものではない。しかしながら、温度ドリフトによるセンサ出力のばらつきは温度差が大きいほど大きくなるので、設定工程において、基準室温よりも高い温度と、基準室温よりも低い温度の両温度条件におけるセンサ出力が等しくなる交点の値を温度ドリフト調整電圧として設定することで、使用温度範囲を考慮して温度ドリフト調整電圧を設定することができる。特に、本実施形態に示したように、2つの温度条件が使用温度範囲における最高温度及び最低温度であると、センサの使用温度範囲全体を補償することができる。また、検査工程において、選択された2つの間の温度である基準室温のセンサ出力を基準とするので、出力差は温度ドリフトによる誤差をほとんど含まず小さな値となる。従って、閾値との比較による良否判定を精度良く実施することができる。   Note that the two temperature conditions selected in the setting step are not limited to two points: a temperature higher than the reference room temperature and a temperature lower than the reference room temperature. However, the sensor output variation due to temperature drift increases as the temperature difference increases. Therefore, in the setting process, the intersection value at which the sensor output is equal in both the temperature higher than the reference room temperature and the temperature lower than the reference room temperature. By setting as the temperature drift adjustment voltage, the temperature drift adjustment voltage can be set in consideration of the operating temperature range. In particular, as shown in the present embodiment, when the two temperature conditions are the maximum temperature and the minimum temperature in the use temperature range, the entire use temperature range of the sensor can be compensated. Further, since the sensor output at the reference room temperature, which is the temperature between the two selected, is used as a reference in the inspection process, the output difference is a small value that hardly includes errors due to temperature drift. Therefore, it is possible to perform the quality determination by comparison with the threshold with high accuracy.

また、調整工程において、処理部40に少なくとも2点任意の値で印加する温度ドリフト調整電圧の値は特に限定されるものではない。しかしながら、本実施形態に示すように、少なくとも2点を設定工程における交点位置の温度ドリフト調整電圧の値よりも低い値と高い値とすると良い。すなわち、交点位置の値に対して高い値或いは低い値の一方に偏らないように、印加する任意の値を設定すると、印加する温度ドリフト補正電圧が一方に偏った場合よりも、設定工程において設定された温度ドリフト調整電圧により温度ドリフトを精度良く補正することができる。   In the adjustment step, the value of the temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit 40 at an arbitrary value of at least two points is not particularly limited. However, as shown in the present embodiment, at least two points may be lower and higher than the value of the temperature drift adjustment voltage at the intersection position in the setting step. That is, if an arbitrary value to be applied is set so as not to be biased to one of a high value or a low value with respect to the value of the intersection point position, the temperature drift correction voltage to be applied is set in the setting step rather than being biased to one. The temperature drift can be accurately corrected by the temperature drift adjustment voltage.

また、処理部40に任意で印加する温度ドリフト調整電圧は、設定工程において交点位置を求めるために少なくとも2点あれば良いが、3点以上とすると、設定工程において設定された温度ドリフト調整電圧により温度ドリフトをより精度良く補正することができる。   In addition, the temperature drift adjustment voltage that is optionally applied to the processing unit 40 may be at least two points in order to obtain the intersection position in the setting step, but if it is three or more points, the temperature drift adjustment voltage is set by the temperature drift adjustment voltage set in the setting step. The temperature drift can be corrected with higher accuracy.

以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施する事ができる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made.

本実施形態においては、センサとして荷重センサ100を例にとり説明した。しかしながら、それ以外にも、複数の抵抗素子をブリッジ接続して構成され、対象となる物理量に応じた電圧を出力するセンサ部と、センサ部の出力のオフセット及び温度ドリフトを補正するとともに出力を増幅し、センサ出力として出力する処理部とを備えるセンサ(例えば、圧力センサや加速度センサ等)であれば、本実施形態に示した温度特性検査方法を適用することができる。   In the present embodiment, the load sensor 100 has been described as an example of the sensor. However, in addition to this, a plurality of resistive elements are connected in a bridge, and a sensor unit that outputs a voltage corresponding to the target physical quantity, and offset and temperature drift of the sensor unit output are corrected and the output is amplified. And if it is a sensor (for example, a pressure sensor, an acceleration sensor, etc.) provided with the process part output as a sensor output, the temperature characteristic test | inspection method shown in this embodiment is applicable.

また、設定工程において、選択された2つの温度条件における交点位置から、所定の温度ドリフト調整電圧を設定するために、本実施形態においては、図4に示すように、基準室温よりも低い温度におけるセンサ出力が、処理部40に印加する温度ドリフト調整電圧を増加させると増加し、基準室温よりも高い温度におけるセンサ出力が、処理部40に印加する温度ドリフト調整電圧を増加させると減少する関係にある例を示した。しかしながら、それ以外にも、上述とは逆に基準室温よりも低い温度におけるセンサ出力が、処理部40に印加する温度ドリフト調整電圧を増加させると減少し、基準室温よりも高い温度におけるセンサ出力が、処理部40に印加する温度ドリフト調整電圧を増加させると増加する関係にあっても良い。   Further, in the setting step, in order to set a predetermined temperature drift adjustment voltage from the intersection position in the two selected temperature conditions, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, at a temperature lower than the reference room temperature. The sensor output increases as the temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit 40 increases, and the sensor output at a temperature higher than the reference room temperature decreases as the temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit 40 increases. An example is given. However, in contrast to the above, the sensor output at a temperature lower than the reference room temperature decreases as the temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit 40 increases, and the sensor output at a temperature higher than the reference room temperature decreases. The temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit 40 may be increased to increase.

本発明の第1の実施形態における荷重センサを説明するための、全体の構成を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows the whole structure for demonstrating the load sensor in the 1st Embodiment of this invention. 荷重センサ100を製造工程の一例を示すフロー図である。It is a flowchart which shows an example of a manufacturing process of the load sensor. 温度ドリフトを調整するための補正回路の構成を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the structure of the correction circuit for adjusting a temperature drift. 温度ドリフト調整工程における温度特性検査を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the temperature characteristic test | inspection in a temperature drift adjustment process. 従来のセンサ(荷重センサ)を説明するための図であり、(a)は外観斜視図、(b)はセンサ部及び処理部の概略構成を示すブロック図である。It is a figure for demonstrating the conventional sensor (load sensor), (a) is an external appearance perspective view, (b) is a block diagram which shows schematic structure of a sensor part and a process part. 温度ドリフト調整電圧の設定を説明するための補足図である。It is a supplementary figure for demonstrating the setting of a temperature drift adjustment voltage.

符号の説明Explanation of symbols

30・・・荷重検出プレート
31・・・センサ部
40・・・処理部
60,62,66・・・オペアンプ
61,63〜65,67〜69・・・抵抗
100・・・荷重センサ
30 ... Load detection plate 31 ... Sensor unit 40 ... Processing unit 60, 62, 66 ... Operational amplifier 61, 63-65, 67-69 ... Resistance 100 ... Load sensor

Claims (7)

複数の抵抗素子をブリッジ接続して構成され、対象となる物理量に応じた電圧を出力するセンサ部と、前記センサ部の出力のオフセット及び温度ドリフトを補正するとともに前記出力を増幅し、センサ出力として出力する処理部とを備えるセンサの温度特性検査方法であって、
基準室温において、前記センサ出力が基準電圧と略等しくなるように、前記処理部にオフセット調整電圧を加算する初期設定工程と、
前記初期設定工程後、前記センサの使用温度範囲において、前記基準室温と、前記基準室温よりも高い温度と、前記基準室温よりも低い温度との3つの温度を選択し、各温度条件にて、前記センサ出力の温度ドリフトを調整すべく前記処理部に加算される温度ドリフト調整電圧を、前記処理部に任意の値で少なくとも2点印加する調整工程と、
前記調整工程後、前記3つの温度条件から2つを選択し、選択されたそれぞれの温度条件にて、前記温度ドリフト調整電圧の印加により得られた複数の前記センサ出力を結び、得られた線が互いに交差する交点位置の前記温度ドリフト調整電圧の値を、所定の温度ドリフト調整電圧として前記処理部に加算する設定工程と、
前記設定工程に引き続いて、所定の前記温度ドリフト調整電圧が加算された状態における、前記設定工程にて選択された前記2つの温度条件のセンサ出力と、残りの温度条件のセンサ出力との出力差を算出し、当該出力差が閾値以下であるか否かを検査する検査工程と、を備えることを特徴とするセンサの温度特性検査方法。
A sensor unit configured by bridge-connecting a plurality of resistance elements and outputting a voltage corresponding to a target physical quantity, and correcting the offset and temperature drift of the output of the sensor unit and amplifying the output as a sensor output A temperature characteristic inspection method for a sensor comprising a processing unit for outputting,
An initial setting step of adding an offset adjustment voltage to the processing unit so that the sensor output is substantially equal to a reference voltage at a reference room temperature;
After the initial setting step, in the operating temperature range of the sensor, select three temperatures, the reference room temperature, a temperature higher than the reference room temperature, and a temperature lower than the reference room temperature, in each temperature condition, An adjustment step of applying at least two temperature drift adjustment voltages added to the processing unit to adjust the temperature drift of the sensor output at an arbitrary value to the processing unit;
After the adjustment step, two of the three temperature conditions are selected, and the plurality of sensor outputs obtained by applying the temperature drift adjustment voltage are connected under the selected temperature conditions. A setting step of adding the value of the temperature drift adjustment voltage at the intersection position where the two intersect each other to the processing unit as a predetermined temperature drift adjustment voltage;
Subsequent to the setting step, an output difference between the sensor outputs of the two temperature conditions selected in the setting step and the sensor outputs of the remaining temperature conditions in a state where the predetermined temperature drift adjustment voltage is added. And a test step of checking whether or not the output difference is equal to or less than a threshold value.
前記基準室温よりも低い温度におけるセンサ出力は、前記処理部に印加する前記温度ドリフト調整電圧を増加させると増加し、前記基準室温よりも高い温度におけるセンサ出力は、前記処理部に印加する前記温度ドリフト調整電圧を増加させると減少することを特徴とする請求項1に記載のセンサの温度特性検査方法。   The sensor output at a temperature lower than the reference room temperature increases when the temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit is increased, and the sensor output at a temperature higher than the reference room temperature is applied to the processing unit. The method for inspecting temperature characteristics of a sensor according to claim 1, wherein the temperature characteristic decreases when the drift adjustment voltage is increased. 前記設定工程において選択される2つの温度条件は、前記基準室温よりも高い温度と、前記基準室温よりも低い温度の2点であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のセンサの温度特性検査方法。   3. The sensor according to claim 1, wherein the two temperature conditions selected in the setting step are two points: a temperature higher than the reference room temperature and a temperature lower than the reference room temperature. 4. Temperature characteristic inspection method. 前記2つの温度条件は、前記センサの使用温度範囲における最高温度及び最低温度であることを特徴とする請求項3に記載のセンサの温度特性検査方法。   4. The sensor temperature characteristic inspection method according to claim 3, wherein the two temperature conditions are a maximum temperature and a minimum temperature in a use temperature range of the sensor. 前記調整工程において、前記処理部に任意の値で印加する前記温度ドリフト調整電圧のうち、少なくとも2点を、前記設定工程における交点位置の前記温度ドリフト調整電圧の値よりも低い値と高い値とすることを特徴とする請求項1〜4いずれか1項に記載のセンサの温度特性検査方法。   In the adjustment step, at least two points of the temperature drift adjustment voltage to be applied to the processing unit at an arbitrary value are lower and higher than the value of the temperature drift adjustment voltage at the intersection position in the setting step. The temperature characteristic inspection method for a sensor according to any one of claims 1 to 4, wherein: 前記調整工程において、前記処理部に印加する任意の前記温度ドリフト調整電圧を3点以上とすることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載のセンサの温度特性検査方法。   6. The temperature characteristic inspection method for a sensor according to claim 1, wherein in the adjustment step, the temperature drift adjustment voltage applied to the processing unit is set to three or more points. 前記センサは、歪ゲージで構成した荷重センサであることを特徴とする請求項1〜6いずれか1項に記載のセンサの温度特性検査方法。   The temperature characteristic inspection method for a sensor according to claim 1, wherein the sensor is a load sensor configured by a strain gauge.
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