JP4178705B2

JP4178705B2 - Shield device

Info

Publication number: JP4178705B2
Application number: JP2000019140A
Authority: JP
Inventors: 勉稲田
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2000-01-27
Filing date: 2000-01-27
Publication date: 2008-11-12
Anticipated expiration: 2020-01-27
Also published as: JP2001211049A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波を利用する高周波利用装置に適用される電磁界性ノイズ（以下、放射ノイズと略することがある）を低減させるためのシールド装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、高周波を利用したスパッタリングやプラズマ放電処理（プラズマエッチング、プラズマＣＳＶ、表面改質など）などにより材料加工や部品洗浄などを行なう高周波利用装置において、放射ノイズを低減することが行なわれている。
【０００３】
図４（ａ）に高周波利用装置の一例を示す。この高周波利用装置は筺体である高周波利用装置本体６内に高周波出力器１と高周波利用部２を収めて形成されており、高周波出力器１と高周波利用部２は同軸ケーブルで形成される給電線１０で電気的に接続されている。高周波出力器１は給電線１０を通じて高周波の電力を高周波利用部２に出力するものであり、また、高周波利用部２は高周波出力器１から出力された高周波の電力を利用してスパッタリングやプラズマ放電処理などを行なう部分である。そして、この高周波利用装置では高周波利用部２を金属製のシールドボックス４で覆うと共にシールドボックス４を高周波利用装置本体６のフレームグランドに電気的に接続することによって、高周波利用部２からの放射ノイズを遮断して低減するものである。
【０００４】
図４（ｂ）に高周波利用装置の他例を示す。この高周波利用装置は図４（ａ）に示すシールドボックス４を用いず、その代わりに、放射ノイズの発生源となる配線類（給電線１０等）にフェライト製のコア１１を挿着したものであり、このコア１１により配線類（給電線１０等）のインピーダンスを上げて高周波のノイズ電流を抑制し、放射ノイズの発生を抑えるようにしたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような高周波利用装置からの放射ノイズの低減対策のうち、図４（ａ）に示す金属によるシールド方法は従来から主に用いられているものであるが、この方法ではシールドボックス４の金属の材質やグラウンドの取り方により充分な放射ノイズの低減効果が得られないことがあった。また、図４（ｂ）に示すコア１１を用いたものでは、コア１１の磁気飽和の問題から高周波の大電流を扱う高周波利用部２のノイズ対策としては充分な放射ノイズの低減効果を得ることができなかった。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、放射ノイズの低減効果が高いシールド装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係るシールド装置Ａは、高周波を出力する高周波出力器１と、高周波出力器１から出力された高周波を利用する高周波利用部２とを備えて高周波利用部２にて材料加工又は部品洗浄等を行なう高周波利用装置に適用されるシールド装置であって、高周波出力器１の高周波の出力インピーダンスと高周波利用部２のインピーダンスを整合させるためのインピーダンス整合回路３を備えると共にインピーダンス整合回路３を収める金属製のケース５をインピーダンス整合回路３のグラウンドとし、このケース５と高周波利用部２を覆う金属製のシールドボックス４とを接合して一体化して電気的に接続し、シールドボックス４が高周波利用部２とシールドボックス４とを収める高周波利用装置本体６のフレームグラウンドから電気的に絶縁されるかあるいはインピーダンス整合回路３のグラウンドとの接続インピーダンスよりも大きなインピーダンスにて、該フレームグラウンドに接続されて成ることを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１１】
図１に本発明のシールド装置Ａを備えた高周波利用装置を示す。この高周波利用装置は筐体である高周波利用装置本体６内に高周波出力器１と高周波利用部２を収めて形成されている。高周波出力器１は高周波アンプ等を内蔵して形成されており、商用電源から供給された電力を高周波利用部２で利用可能な高周波の電力として出力するものであり、高周波出力器１にはコンセントに差し込まれるプラグ１５を備えた電源ケーブル１６が設けられている。高周波利用部２は高周波出力器１から出力された高周波の電力を利用してスパッタリングやプラズマ放電処理などを行なう部分である。例えば、高周波利用部２がプラズマジェットにてプラズマ放電処理を行なうものであれば、放電ノズルと放電ノズル内に放電によりプラズマを生成させるための電極とを具備して高周波利用部２は形成されている。また、高周波利用部２がこのようなプラズマジェットにてプラズマ放電処理を行なうものである場合、高周波出力器１から出力される高周波の周波数は１ｋＨｚ〜５０ＧＨｚ、好ましくは、１０ｋＨｚ〜２００ＭＨｚに設定される。尚、高周波利用部２は高周波の電力を利用するものであれば何でも良く、また、高周波出力器１から出力される高周波の周波数は上記の範囲に限定されるものではない。
【００１２】
シールド装置Ａは高周波利用装置本体６内に収められているものであって、インピーダンス整合回路３と、インピーダンス整合回路３を収める金属製のケース５と、高周波利用部２を覆う金属製のシールドボックス４とで形成されている。インピーダンス整合回路３は高周波出力器１の高周波の電力の出力インピーダンスと高周波利用部２のインピーダンスとを整合させるためのものであって、従来からある任意のものを使用することができるが、例えば、図２のものを用いることができる。このインピーダンス整合回路３は可変コンデンサＣ₁、Ｃ₂と可変インダクタＬを用いて形成されるものであって、可変コンデンサＣ₁、Ｃ₂と可変インダクタＬを操作することによって、高周波出力器１の出力インピーダンスと高周波利用部２のインピーダンスとを整合させるものである。インピーダンス整合回路３は同軸ケーブル等で形成される給電線１０により高周波出力器１と電気的に接続され、また、同軸ケーブル等で形成される接続線２０により高周波利用部２と電気的に接続されている。接続線２０はケース５の内部とシールドボックス４の内部を通して配設されている。尚、高周波利用部２が上記のようなプラズマジェットにてプラズマ放電処理を行なうものであれば、接続線２０は高周波利用部２の電極に接続されている。
【００１３】
インピーダンス整合回路３のケース５とシールドボックス４はアルミニウムや鉄などの導電性のある金属で形成されるものである。また、ケース５とシールドボックス４は外面同士を面で接触させてネジなどで接合して一体化することによって、機械的及び電気的に接続されている。さらに、ケース５はインピーダンス整合回路３とグランド線２１により電気的に接続されており、インピーダンス整合回路３のグラウンドとして用いられている。また、シールドボックス４は塩化ビニル樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性のある樹脂材料で形成される支持台あるいはスペーサーを介して高周波利用装置本体６に固定されている。つまり、シールドボックス４は高周波利用装置本体６のフレームグランドと絶縁された状態、あるいは少なくともケース５とシールドボックス４の接続インピーダンスよりも大きなインピーダンスで高周波利用装置本体６のフレームグランドと接続された状態で、高周波利用装置本体６に取り付けられている。
【００１４】
このように形成される高周波利用装置は、高周波出力器１で発生させた高周波の電力を給電線１０とインピーダンス整合回路３と接続線２０を通じて高周波利用部２に供給し、この高周波の電力を高周波利用部２で利用してスパッタリングやプラズマ放電処理などを行なうものであるが、上記のようなシールド装置を設けたので、放射ノイズを低減することができるものである。
【００１５】
すなわち、本発明のシールド装置は、高周波出力器１の高周波の電力の出力インピーダンスと高周波利用部２のインピーダンスを整合させるためのインピーダンス整合回路３を備えるので、高周波出力器１と高周波利用部２の間のインピーダンス不整合による定在波の発生を抑えることができ、すなわち、高周波出力器１に接続される給電線１０のＶＳＷＲ（電圧定在波比）を小さくすることができ、放射ノイズの主な要因である共振現象を防止することができるものであり、しかも、インピーダンス整合回路３のグラウンドと高周波利用部２を覆う金属製のシールドボックス４とを電気的に接続するので、シールドボックス４に誘導したノイズ電流（高周波電流）をインピーダンス整合回路３（のグランド）に帰還させることができ、放射ノイズを抑えることができるものである。
【００１６】
また、インピーダンス整合回路３のグランドであるケース５とシールドボックス４を面で接触させて接合して一体化するので、ケース５とシールドボックス４を離して電線等で接続するよりも広い面積で両者を接触させて接続することができ、すなわち、ケース５とシールドボックス４を電線等で接続するよりも低インピーダンスで接続することができ、シールドボックス４に誘導するノイズ電流をインピーダンス整合回路３（のグランド）に速やかに帰還させることができ、放射ノイズを最小限に抑えることができるものである。また、通常、高周波利用部２とインピーダンス整合回路３の間はインピーダンスが不整合になることが多く、接続線２０に定在波が発生しやすくて放射ノイズの発生源となる場合があるが、本発明では、ケース５とシールドボックス４を接合して一体化するので、ケース５とシールドボックス４の距離が近くなって接続線２０の長さを短くすることができ、しかも、接続線２０をケース５とシールドボックス４の内部に配置することによって、接続線２０をケース５とシールドボックス４で覆ってシールドすることができ、接続線２０からの放射ノイズを低減することができるものである。
【００１７】
また、高周波利用装置本体６のフレームグラウンドからシールドボックス４が電気的に絶縁されるかあるいはインピーダンス整合回路３のグラウンドとシールドボックス４との接続インピーダンスよりも大きなインピーダンスにて高周波利用装置本体６のフレームグラウンドとシールドボックス４が接続されるように、絶縁性のある樹脂製の支持台あるいはスペーサを介在させてシールドボックス４を高周波利用装置本体６に固定するので、シールドボックス４に誘導したノイズ電流が高周波利用装置本体６に流れ込む（回り込む）のを防止することができ、ノイズ電流の高周波利用装置本体６への流れ込みよるコモンモードループの形成を抑えることができるものである。すなわち、高周波利用装置本体６のフレームグラウンドとシールドボックス４の間のインピーダンスが低い場合、高周波利用部２から発生する電磁界によってシールドボックス４に誘導されたノイズ電流が高周波利用装置本体６に漏洩し、この漏洩電流により高周波出力器１の電源ケーブル１６を介して大面積のコモンモードループが形成されることになり、このコモンモードループにより非常に大きな放射ノイズが発生することになるが、本発明では、絶縁性のある樹脂製の支持台あるいはスペーサを介在させてシールドボックス４を高周波利用装置本体６に固定してシールドボックス４と高周波利用装置本体６を絶縁あるいは高インピーダンスで接続するので、コモンモードループの形成を抑えることができ、放射ノイズを低減することができるものである。
【００１８】
【実施例】
以下本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００１９】
（実施例）
図１に示す高周波利用装置からの放射ノイズの測定を行なった。高周波出力器１から出力される高周波の電力は１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗとした。高周波利用部２はプラズマジェットでプラズマ放電処理を行なうものであって、放電ノズルと電極とを備えて形成した。ケース５とシールドボックス４はアルミニウムで形成し、また、シールドボックス４はアクリル樹脂で形成されるスペーサーを介して高周波利用装置本体６に固定し、シールドボックス４と高周波利用装置本体６を絶縁した。
【００２０】
（比較例）
図４（ａ）に示す高周波利用装置を用いた以外は実施例と同様にした。
【００２１】
図３（ａ）に示す実施例と図３（ｂ）に示す比較例の放射ノイズの測定結果を対比すると、実施例では比較例に比べて最大約３０ｄＢの放射ノイズの低減効果（周波数が７０ＭＨｚ付近）があった。
【００２２】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１の発明は、高周波を出力する高周波出力器と、高周波出力器から出力された高周波を利用する高周波利用部とを備えて高周波利用部にて材料加工又は部品洗浄等を行なう高周波利用装置に適用されるシールド装置であって、高周波出力器の高周波の出力インピーダンスと高周波利用部のインピーダンスを整合させるためのインピーダンス整合回路を備えると共にインピーダンス整合回路のグラウンドと高周波利用部を覆う金属製のシールドボックスとを電気的に接続するので、高周波出力器に接続される高周波の給電線の電圧定在波比を小さくすることができ、放射ノイズの主な要因である共振現象を防止することができるものであり、しかも、インピーダンス整合回路のグラウンドと高周波利用部を覆う金属製のシールドボックスとを電気的に接続するので、シールドボックスに誘導したノイズ電流をインピーダンス整合回路のグランドに帰還させることができ、放射ノイズを抑えることができるものであり、放射ノイズの低減効果が高いものである。
【００２３】
また本発明の請求項１の発明は、インピーダンス整合回路を収める金属製のケースをインピーダンス整合回路のグラウンドとし、このケースとシールドボックスを接合して一体化するので、シールドボックスに誘導するノイズ電流をインピーダンス整合回路のグランドに速やかに帰還させることができ、放射ノイズを最小限に抑えることができるものであり、しかも、高周波利用部へ高周波を供給するための接続線の長さを短くすることができ、接続線からの放射ノイズを低減することができるものであり、放射ノイズの低減効果がさらに高くなるものである。
【００２４】
また本発明の請求項１の発明は、シールドボックスが高周波利用部とシールドボックスとを収める高周波利用装置本体のフレームグラウンドから電気的に絶縁されるかあるいはインピーダンス整合回路のグラウンドとの接続インピーダンスよりも大きなインピーダンスにて、該フレームグラウンドに接続されるので、シールドボックスに誘導したノイズ電流が高周波利用装置本体に回り込むのを防止することができ、ノイズ電流の高周波利用装置本体への流れ込みよるコモンモードループの形成を抑えることができるものであり、放射ノイズの低減効果がさらに高くなるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す概略図である。
【図２】同上のインピーダンス整合回路を示す回路図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は実施例と比較例のノイズの測定結果を示すグラフである。
【図４】（ａ）（ｂ）は従来例を示す概略図である。
【符号の説明】
１高周波出力器
２高周波利用部
３インピーダンス整合回路
４シールドボックス
５ケース
６高周波利用装置本体[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a shield device for reducing electromagnetic noise (hereinafter, may be abbreviated as radiation noise) applied to a high frequency utilization device utilizing high frequency.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, radiation noise has been reduced in high-frequency equipment that performs material processing or component cleaning by sputtering or plasma discharge processing (plasma etching, plasma CSV, surface modification, etc.) using high frequency. .
[0003]
FIG. 4 (a) shows an example of a high frequency utilization device. This high-frequency utilization device is formed by housing a high-frequency output device 1 and a high-frequency utilization portion 2 in a high-frequency utilization device main body 6 that is a casing, and the high-frequency output device 1 and the high-frequency utilization portion 2 are feed lines formed by coaxial cables. 10 is electrically connected. The high-frequency output device 1 outputs high-frequency power to the high-frequency utilization unit 2 through the feeder line 10, and the high-frequency utilization unit 2 uses the high-frequency power output from the high-frequency output device 1 to perform sputtering or plasma discharge. This is the part that performs processing. In this high frequency utilization apparatus, the high frequency utilization section 2 is covered with a metal shield box 4 and the shield box 4 is electrically connected to the frame ground of the high frequency utilization apparatus main body 6, thereby radiating noise from the high frequency utilization section 2. It cuts off and reduces.
[0004]
FIG. 4B shows another example of the high frequency utilization device. This high-frequency utilization device does not use the shield box 4 shown in FIG. 4 (a), but instead is one in which a ferrite core 11 is inserted into wirings (feed line 10 and the like) that are sources of radiation noise. Yes, the core 11 increases the impedance of the wirings (feeding line 10 and the like) to suppress high-frequency noise current and suppress the generation of radiation noise.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Of the countermeasures for reducing the radiation noise from the high-frequency utilization apparatus as described above, the shield method using metal shown in FIG. 4A has been mainly used conventionally. In this method, the metal of the shield box 4 is used. Depending on the material and grounding method, sufficient radiation noise reduction effect may not be obtained. Also, in the case of using the core 11 shown in FIG. 4B, a sufficient radiation noise reduction effect can be obtained as a noise countermeasure for the high-frequency utilization unit 2 that handles high-frequency large current due to the magnetic saturation problem of the core 11. I could not.
[0006]
This invention is made | formed in view of said point, and it aims at providing the shield apparatus with a high reduction effect of radiation noise.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The shield device A according to claim 1 of the present invention includes a high-frequency output device 1 that outputs a high frequency and a high-frequency use unit 2 that uses the high-frequency output from the high-frequency output device 1. A shield device applied to a high-frequency utilization device that performs processing or component cleaning, and includes an impedance matching circuit 3 for matching the high-frequency output impedance of the high-frequency output device 1 and the impedance of the high-frequency utilization unit 2 and impedance matching The metal case 5 containing the circuit 3 is used as the ground of the impedance matching circuit 3, and the case 5 and the metal shield box 4 covering the high-frequency utilization unit 2 are joined and integrated to be electrically connected, and the shield box 4 is from the frame ground of the high-frequency utilization device main body 6 that houses the high-frequency utilization unit 2 and the shield box 4. At greater impedance than connection impedance between the gas insulated by or ground of the impedance matching circuit 3 and it is characterized by comprising connected to the frame ground.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below.
[0011]
FIG. 1 shows a high-frequency utilization device provided with the shield device A of the present invention. This high frequency utilization device is formed by housing a high frequency output device 1 and a high frequency utilization unit 2 in a high frequency utilization device main body 6 which is a casing. The high-frequency output device 1 is formed with a built-in high-frequency amplifier and outputs power supplied from a commercial power source as high-frequency power that can be used by the high-frequency use unit 2. A power cable 16 having a plug 15 to be plugged into is provided. The high-frequency utilization unit 2 is a part that performs sputtering, plasma discharge processing, and the like using high-frequency power output from the high-frequency output device 1. For example, if the high-frequency utilization unit 2 performs plasma discharge treatment with a plasma jet, the high-frequency utilization unit 2 includes a discharge nozzle and an electrode for generating plasma by discharge in the discharge nozzle. Yes. Moreover, when the high frequency utilization part 2 performs a plasma discharge process with such a plasma jet, the frequency of the high frequency output from the high frequency output device 1 is set to 1 kHz to 50 GHz, preferably 10 kHz to 200 MHz. . The high frequency utilization unit 2 may be anything as long as it uses high frequency power, and the high frequency output from the high frequency output device 1 is not limited to the above range.
[0012]
The shield device A is housed in the high-frequency device main body 6, and includes an impedance matching circuit 3, a metal case 5 that houses the impedance matching circuit 3, and a metal shield box that covers the high-frequency use unit 2. 4. The impedance matching circuit 3 is for matching the output impedance of the high-frequency power of the high-frequency output device 1 with the impedance of the high-frequency utilization unit 2, and any conventional one can be used. The thing of FIG. 2 can be used. The impedance matching circuit 3 be one that is formed by using a variable capacitor C _1, C ₂ and a variable inductor L, by operating the variable capacitor C _1, C ₂ and a variable inductor L, the high-frequency output device 1 The output impedance and the impedance of the high-frequency utilization unit 2 are matched. The impedance matching circuit 3 is electrically connected to the high frequency output device 1 by a feeder line 10 formed of a coaxial cable or the like, and is electrically connected to the high frequency utilization unit 2 by a connection line 20 formed of a coaxial cable or the like. ing. The connection line 20 is arranged through the inside of the case 5 and the inside of the shield box 4. In addition, if the high frequency utilization part 2 performs a plasma discharge process with the above plasma jets, the connection line 20 is connected to the electrode of the high frequency utilization part 2.
[0013]
The case 5 and the shield box 4 of the impedance matching circuit 3 are formed of a conductive metal such as aluminum or iron. The case 5 and the shield box 4 are mechanically and electrically connected by bringing the outer surfaces into contact with each other and joining them together with screws or the like. Further, the case 5 is electrically connected to the impedance matching circuit 3 by the ground line 21 and is used as the ground of the impedance matching circuit 3. The shield box 4 is fixed to the high-frequency device main body 6 via a support base or spacer formed of an insulating resin material such as vinyl chloride resin or acrylic resin. That is, the shield box 4 is insulated from the frame ground of the high-frequency device body 6 or is connected to the frame ground of the high-frequency device body 6 with an impedance greater than at least the connection impedance between the case 5 and the shield box 4. The high-frequency device main body 6 is attached.
[0014]
The high-frequency utilization device thus formed supplies high-frequency power generated by the high-frequency output device 1 to the high-frequency utilization unit 2 through the feeder line 10, the impedance matching circuit 3, and the connection line 20. Sputtering or plasma discharge treatment is performed using the utilization unit 2, but since the shield device as described above is provided, radiation noise can be reduced.
[0015]
That is, since the shield device of the present invention includes the impedance matching circuit 3 for matching the output impedance of the high frequency power of the high frequency output device 1 and the impedance of the high frequency utilization unit 2, the high frequency output unit 1 and the high frequency utilization unit 2 Generation of a standing wave due to impedance mismatch between the high-frequency output device 1 can be suppressed, that is, the VSWR (voltage standing wave ratio) of the feeder 10 connected to the high-frequency output device 1 can be reduced. The resonance phenomenon, which is a major factor, can be prevented, and the ground of the impedance matching circuit 3 is electrically connected to the metal shield box 4 covering the high-frequency utilization unit 2. The induced noise current (high-frequency current) can be fed back to the impedance matching circuit 3 (the ground) and radiated. One in which it is possible to suppress the noise.
[0016]
Further, since the case 5 which is the ground of the impedance matching circuit 3 and the shield box 4 are brought into contact with each other and joined together, the case 5 and the shield box 4 are separated and connected to each other in a wider area than the case where the case 5 and the shield box 4 are separated. In other words, the case 5 and the shield box 4 can be connected with a lower impedance than that of connecting with an electric wire or the like, and the noise current induced in the shield box 4 can be connected to the impedance matching circuit 3 It is possible to quickly return to the ground) and to minimize radiation noise. Further, usually, impedance mismatch often occurs between the high-frequency utilization unit 2 and the impedance matching circuit 3, and a standing wave is likely to be generated in the connection line 20, which may be a source of radiation noise. In the present invention, since the case 5 and the shield box 4 are joined and integrated, the distance between the case 5 and the shield box 4 can be reduced, and the length of the connection line 20 can be shortened. By arranging inside the case 5 and the shield box 4, the connection line 20 can be covered and shielded by the case 5 and the shield box 4, and radiation noise from the connection line 20 can be reduced.
[0017]
In addition, the shield box 4 is electrically insulated from the frame ground of the high-frequency device body 6 or the frame of the high-frequency device body 6 has an impedance larger than the connection impedance between the ground of the impedance matching circuit 3 and the shield box 4. Since the shield box 4 is fixed to the high-frequency device main body 6 by interposing an insulating resin support or spacer so that the ground and the shield box 4 are connected, the noise current induced in the shield box 4 is reduced. It is possible to prevent (turn around) the high-frequency utilization device main body 6 from flowing in, and to suppress the formation of a common mode loop due to the flow of noise current into the high-frequency utilization device main body 6. That is, when the impedance between the frame ground of the high-frequency using device body 6 and the shield box 4 is low, noise current induced in the shield box 4 by the electromagnetic field generated from the high-frequency using unit 2 leaks to the high-frequency using device body 6. This leakage current forms a large-area common mode loop via the power cable 16 of the high-frequency output device 1, and this common mode loop generates very large radiation noise. Then, since the shield box 4 is fixed to the high-frequency device main body 6 with an insulating resin support or spacer interposed, the shield box 4 and the high-frequency device main body 6 are connected with insulation or high impedance. Can suppress the formation of mode loops and reduce radiation noise It is those that can be.
[0018]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described specifically by way of examples.
[0019]
(Example)
The radiation noise from the high frequency utilization apparatus shown in FIG. 1 was measured. The high frequency power output from the high frequency output device 1 was 13.56 MHz and 100 W. The high-frequency utilization unit 2 performs plasma discharge treatment with a plasma jet, and is provided with a discharge nozzle and an electrode. The case 5 and the shield box 4 were formed of aluminum, and the shield box 4 was fixed to the high-frequency device main body 6 through a spacer formed of acrylic resin, and the shield box 4 and the high-frequency device main body 6 were insulated.
[0020]
(Comparative example)
Except for using the high frequency utilization apparatus shown in FIG.
[0021]
When the measurement results of the radiation noise of the example shown in FIG. 3A and the comparative example shown in FIG. 3B are compared, the effect of reducing the radiation noise of about 30 dB at the maximum in the example (frequency is 70 MHz) compared to the comparative example. Nearby).
[0022]
【The invention's effect】
As described above, the invention of claim 1 of the present invention includes a high-frequency output device that outputs a high frequency, and a high-frequency use unit that uses the high frequency output from the high-frequency output device, and material processing or parts in the high-frequency use unit A shield device applied to a high-frequency utilization device that performs cleaning or the like, and includes an impedance matching circuit for matching the high-frequency output impedance of the high-frequency output device and the impedance of the high-frequency utilization unit, and uses the ground and high-frequency of the impedance matching circuit This is electrically connected to a metal shield box that covers the part, so the voltage standing wave ratio of the high-frequency feeder connected to the high-frequency output device can be reduced, and resonance is the main cause of radiation noise. The metal that covers the ground of the impedance matching circuit and the high-frequency application section. Because it is electrically connected to the shield box, the noise current induced in the shield box can be fed back to the ground of the impedance matching circuit, and radiation noise can be suppressed, resulting in a high radiation noise reduction effect. Is.
[0023]
In the first aspect of the present invention, the metal case that houses the impedance matching circuit is used as the ground of the impedance matching circuit, and the case and the shield box are joined and integrated. It can be quickly returned to the ground of the impedance matching circuit, and radiation noise can be minimized, and the length of the connection line for supplying high frequency to the high frequency utilization section can be shortened. The radiation noise from the connection line can be reduced, and the effect of reducing the radiation noise is further enhanced.
[0024]
According to the first aspect of the present invention, the shield box is electrically insulated from the frame ground of the high frequency utilization device main body in which the high frequency utilization portion and the shield box are accommodated, or more than the connection impedance with the ground of the impedance matching circuit. Since it is connected to the frame ground with a large impedance, the noise current induced in the shield box can be prevented from flowing into the high-frequency device body, and the common mode loop caused by the noise current flowing into the high-frequency device body Can be suppressed, and the effect of reducing radiation noise is further enhanced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view showing an example of an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an impedance matching circuit of the above.
FIGS. 3A and 3B are graphs showing noise measurement results of an example and a comparative example. FIGS.
4A and 4B are schematic views showing a conventional example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 High frequency output device 2 High frequency utilization part 3 Impedance matching circuit 4 Shield box 5 Case 6 High frequency utilization apparatus main body

Claims

A shield device that is applied to a high-frequency utilization device that includes a high-frequency output device that outputs a high frequency and a high-frequency utilization portion that utilizes the high-frequency output from the high-frequency output device and performs material processing or component cleaning in the high-frequency utilization portion. In addition, an impedance matching circuit is provided to match the high-frequency output impedance of the high-frequency output device and the impedance of the high-frequency utilization section, and a metal case that houses the impedance matching circuit is used as the ground of the impedance matching circuit. The shield box made of metal covering the part is joined and integrated and electrically connected, and the shield box is electrically insulated from the frame ground of the high-frequency use device body that houses the high-frequency use part and the shield box, or Impedance larger than the connection impedance to the case At dance shield apparatus characterized by comprising connected to the frame ground.