JP4174486B2 - Image generation apparatus, image generation method, and sample inspection apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、画像生成装置、画像生成方法、或いは試料検査装置に係り、例えば、半導体製造に用いる試料の検査装置及びその試料の検査装置に用いる参照画像の生成手法に関する。   The present invention relates to an image generation apparatus, an image generation method, or a sample inspection apparatus. For example, the present invention relates to a sample inspection apparatus used for semiconductor manufacturing and a reference image generation method used for the sample inspection apparatus.

近年、LSIの高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン(マスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する)を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。よって、かかる微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、微細な回路パターンを描画することができるパターン描画装置を用いる。かかるパターン描画装置を用いてウェハに直接パターン回路を描画することもある。電子ビーム描画装置については、文献にも記載されている(例えば、特許文献1参照)。或いは、電子ビーム以外にもレーザビームを用いて描画するレーザビーム描画装置の開発が試みられており、文献に開示されている(例えば、特許文献2参照)。   In recent years, the circuit line width required for a semiconductor element has been increasingly narrowed as LSI is highly integrated and has a large capacity. These semiconductor elements use an original pattern pattern (also referred to as a mask or a reticle, hereinafter referred to as a mask) on which a circuit pattern is formed, and the pattern is exposed and transferred onto a wafer by a reduction projection exposure apparatus called a stepper. It is manufactured by forming a circuit. Therefore, a pattern drawing apparatus capable of drawing a fine circuit pattern is used for manufacturing a mask for transferring such a fine circuit pattern onto a wafer. A pattern circuit may be directly drawn on a wafer using such a pattern drawing apparatus. The electron beam drawing apparatus is also described in the literature (see, for example, Patent Document 1). Alternatively, development of a laser beam drawing apparatus for drawing using a laser beam in addition to an electron beam has been attempted and disclosed in the literature (for example, see Patent Document 2).

しかし、1ギガビット級のDRAM(ランダムアクセスメモリ)に代表されるように、大規模集積回路(LSI)を構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになろうとしている。このLSIの製造における歩留まりの低下の大きな原因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクの欠陥があげられる。特に、半導体ウェハ上に形成されるLSIのパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。よって、かかる欠陥を検査する装置の開発が行われている。   However, as represented by a 1 gigabit class DRAM (Random Access Memory), a pattern constituting a large scale integrated circuit (LSI) is going to be on the order of submicron to nanometer. One of the major causes of a decrease in yield in the manufacture of LSI is a defect of a mask used when an ultrafine pattern is exposed and transferred onto a semiconductor wafer by a photolithography technique. In particular, with the miniaturization of the pattern dimensions of LSIs formed on semiconductor wafers, the dimensions that must be detected as pattern defects have become extremely small. Therefore, an apparatus for inspecting such a defect has been developed.

一方、マルチメディア化の進展に伴い、LCD(Liquid Crystal Display:液晶ディスプレイ)は、500mm×600mm、またはこれ以上への液晶基板サイズの大型化と、液晶基板上に形成されるTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)等のパターンの微細化が進んでいる。従って、極めて小さいパターン欠陥を広範囲に検査することが要求されるようになってきている。このため、このような大面積LCDのパターン及び大面積LCDを製作する時に用いられるフォトマスクの欠陥を短時間で、効率的に検査する試料検査装置の開発も急務となってきている。   On the other hand, with the development of multimedia, LCDs (Liquid Crystal Display) are increasing in size of the liquid crystal substrate to 500 mm × 600 mm or more, and TFTs (Thin Film Transistors) formed on the liquid crystal substrate. : Thin film transistors) and the like are being miniaturized. Therefore, it is required to inspect a very small pattern defect over a wide range. For this reason, there is an urgent need to develop a sample inspection apparatus for efficiently inspecting defects of a photomask used in manufacturing such a large area LCD pattern and a large area LCD in a short time.

ここで、マスクの欠陥検査方法としては、同一マスク上の異なる場所の同一パターンを比較する「die to die(ダイツーダイ)検査」や、マスクパターンを描画する時に使用したCADデータ(設計データ)と比較する「die to database(ダイツーデータベース)検査」がある。かかる検査装置における検査方法では、例えば、マスクの検査領域をY方向に重なり部分をもつストライプ状の複数の検査領域(検査ストライプ)に分割し、各検査領域ごとに順次検査を行い、最後に全ての検査領域の欠陥を統合してマスク全体の欠陥を検出する。   Here, as a mask defect inspection method, “die to die (die-to-die) inspection” that compares the same pattern at different locations on the same mask, or CAD data (design data) used when drawing the mask pattern is compared. There is “die to database inspection”. In the inspection method in such an inspection apparatus, for example, the inspection area of the mask is divided into a plurality of stripe-shaped inspection areas (inspection stripes) having overlapping portions in the Y direction, and the inspection is performed sequentially for each inspection area, and finally all The defects in the entire inspection area are integrated to detect defects in the entire mask.

例えば、まず、マスクを搭載したXYステージを最初の検査ストライプの検査開始位置まで移動させる。そして、XYステージをX方向に定速度で送りながら、レーザ干渉計で一定ピッチの移動を検出した毎にY方向にレーザスキャン光学装置でレーザビームを走査し、透過光を検出して所定の大きさのエリア毎に二次元画像を取得する。そして、そのエリアの光学画像は、参照画像と比較され、欠陥検出が行われる(例えば、特許文献3参照)。   For example, first, the XY stage on which the mask is mounted is moved to the inspection start position of the first inspection stripe. Then, each time a movement of a constant pitch is detected by the laser interferometer while the XY stage is fed at a constant speed in the X direction, the laser beam is scanned by the laser scanning optical device in the Y direction, and the transmitted light is detected to a predetermined size. A two-dimensional image is acquired for each area. And the optical image of the area is compared with a reference image, and defect detection is performed (for example, refer patent document 3).

ここで、ダイツーダイ比較が共通欠陥を見逃すおそれがあるのに対し、ダイツーデータベース比較は、確実な方法であるが、画像パターンに対応した参照画像データを設計データから生成する必要がある。そのためには、たとえば矩形や三角形など多角形で表現された設計データを画素単位に塗りつぶすことにより二値またはグレイレベル(多値)のラスター画像を生成して光学的な点応答関数をコンボリューション(convolution)することが広く行われている。さらに近似度を向上させるために、点応答関数を画像パターンから推定したりすることなど計算量が多い物理モデルを採用することも考えられる。また、リソグラフィーのシミュレーションでは一般的なモデルである、部分コヒーレント結像モデルを採用することも考えられる。つぎに検査速度の向上のための技術としては、ランレングス(run−length)符号化を用いた高速な画像処理アルゴリズムが知られている。ランレングス符号化は、同一ライン上の二値画像の白と黒の連続した数で画像を符号化するものである。この画像処理アルゴリズムとしては、二次元コンボリューション(例えば、非特許文献1参照)のほか、モフォロジー(morphology)のエロージョン(erosion)やオープニング(opening)などが知られている(例えば、非特許文献2参照)。   Here, while the die-to-die comparison may overlook common defects, the die-to-database comparison is a reliable method, but it is necessary to generate reference image data corresponding to an image pattern from design data. For this purpose, for example, a binary or gray level (multilevel) raster image is generated by painting design data expressed in a polygon such as a rectangle or a triangle in units of pixels, and an optical point response function is convoluted ( Convolution) is widely performed. In order to further improve the degree of approximation, it may be possible to adopt a physical model with a large amount of calculation such as estimating a point response function from an image pattern. It is also conceivable to adopt a partially coherent imaging model, which is a general model in lithography simulation. Next, as a technique for increasing the inspection speed, a high-speed image processing algorithm using run-length coding is known. In run-length encoding, an image is encoded with a continuous number of white and black binary images on the same line. As this image processing algorithm, in addition to two-dimensional convolution (for example, see Non-Patent Document 1), morphology erosion, opening, and the like are known (for example, Non-Patent Document 2). reference).

非特許文献1に基づいて簡単に二次元コンボリューションのアルゴリズムを説明する。入力u(t)にf(t)をコンボリューションして出力y(t)を求めるとする。これを周波数空間で表わすとY(s)=F(s)・U(s)となる。
ここで、Y(s),F(s),U(s)はそれぞれy(t), f(t), u(t)のラプラス変換である。ところが、Y(s)=(1/s)(F(s) ・sU(s))が成り立つので、この式からまず入力U(s)を微分して、つぎにf(t)とコンボリューションして、最後に積分しても同じ結果がえらえることがわかる。ランレングスで与えられる入力u(t)はステップ関数の和であるから、これを微分するとディラックのデルタ関数となり、デルタ関数と任意の関数g(t)のコンボリューションはg(t)の単なる平行移動となるため、コンボリューションを省略することができる。これによって積和演算の手間を著しく減らすことができる。
Based on Non-Patent Document 1, a two-dimensional convolution algorithm will be briefly described. Assume that the output y (t) is obtained by convolving f (t) with the input u (t). This can be expressed in frequency space as Y (s) = F (s) · U (s).
Here, Y (s), F (s), and U (s) are Laplace transforms of y (t), f (t), and u (t), respectively. However, since Y (s) = (1 / s) (F (s) .sU (s)) holds, the input U (s) is first differentiated from this equation, and then f (t) and convolution. Thus, it can be seen that the same result can be obtained even if integration is performed at the end. Since the input u (t) given by the run length is the sum of the step functions, if this is differentiated, it becomes a Dirac delta function, and the convolution of the delta function and an arbitrary function g (t) is simply parallel of g (t). Since it is a movement, convolution can be omitted. This can significantly reduce the labor of product-sum operation.

また、非特許文献2に述べられているようにモフォロジーの技術を活用すれば、リサイズやコーナー丸め処理を実現することができる。ランレングス符号化自体は、非特許文献3に述べられているように、特にファクスなどの二値画像に広く用いられて、情報の欠落なく情報圧縮をはかることが可能な符号化のひとつである。さらに前述したとおり、処理アルゴリズムの効率化も可能である。   In addition, as described in Non-Patent Document 2, if a morphology technique is used, resizing and corner rounding processing can be realized. As described in Non-Patent Document 3, run-length encoding itself is one of encodings that are widely used especially for binary images such as faxes and can perform information compression without loss of information. . Furthermore, as described above, the processing algorithm can be made more efficient.

その他、参照画像を生成する手法が文献に開示されている(例えば、特許文献4,5参照)。   In addition, techniques for generating reference images are disclosed in the literature (see, for example, Patent Documents 4 and 5).

ここで、上述したいずれの従来技術を用いたとしても、例えば、トライトーンやレベンソンマスクのような2層データを用いて作成される多層マスクのダイツーデータベース比較検査のための参照画像を生成することができなかった。そのため、従来は、1層目と2層目の境界で擬似欠陥が発生してしまっていた。従来は、かかる問題を発生させないために、1層目と2層目の境界位置での比較感度を緩くして対応せざるを得なかった。
特開2002−237445号公報 米国特許5386221号公報 特開2000−147749号公報 特開2002−107307号公報 特開2003−107669号公報 Patrice Simard,Leon Bottou, Patrick Haffner,and Yann Le・Cun,“Boxlets: a fast convolution algorithm for neural networks and signal processing”,in Advances in Neural Information Processing Systems,(Denver),1999. F.Ercal,F. Bunyak,F. Hao,and L. Zheng,“A Fast Modular RLE−based Inspection Scheme for PCBs”,Proc.of SPIE−Architectures,Networks,and Intelligent Systems for Manufacturing Integration, Pittsburg,Oct.1997,Vol.3203,pp.49−59. 越智宏、黒田英夫著「図解でわかる画像圧縮技術」、日本実業出版社(1999)
Here, even if any of the above-described conventional techniques is used, a reference image for a die-to-database comparative inspection of a multilayer mask created using, for example, two-layer data such as a tritone or a Levenson mask is generated. I couldn't. Therefore, conventionally, a pseudo defect has occurred at the boundary between the first layer and the second layer. Conventionally, in order not to cause such a problem, it has been unavoidable to deal with the problem by reducing the comparative sensitivity at the boundary position between the first layer and the second layer.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-237445 US Pat. No. 5,386,221 JP 2000-147749 A JP 2002-107307 A JP 2003-107669 A Patrick Simard, Leon Vonto, Patrick Haffner, and Yann Le Cun, “Boxlets: a fast convolution al ce n s e n s e n s e n s e n s e n s e n s e n e n s e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n e n F. Ercal, F.M. Bunyak, F.M. Hao, and L.H. Zheng, “A Fast Modular RLE-based Inspection Scheme for PCBs”, Proc. of SPIE-Architectures, Networks, and Intelligent Systems for Manufacturing Integration, Pittsburg, Oct. 1997, Vol. 3203, pp. 49-59. Tomohiro Oshi, Hideo Kuroda, "Image compression technology understood by illustration", Nihon Jitsugyo Publishing (1999)

以上のように、従来の欠陥検査装置では、例えば、トライトーンやレベンソンマスクのような2層データを用いて作成される多層マスクのダイツーデータベース比較検査のための参照画像を生成することができなかった。そのため、従来は、1層目と2層目の境界で擬似欠陥が発生してしまっていた。従来は、かかる問題を発生させないために、1層目と2層目の境界位置での比較感度を緩くして対応せざるを得なかった。   As described above, the conventional defect inspection apparatus can generate a reference image for die-to-database comparison inspection of a multi-layer mask created using, for example, two-layer data such as tritone and Levenson mask. There wasn't. Therefore, conventionally, a pseudo defect has occurred at the boundary between the first layer and the second layer. Conventionally, in order not to cause such a problem, it has been unavoidable to deal with the problem by reducing the comparative sensitivity at the boundary position between the first layer and the second layer.

本発明は、上述した問題点を克服し、2層データを用いて作成される多層マスクのダイツーデータベース比較検査に用いる、比較感度を緩くしなくても検査可能な参照画像を生成することを目的とする。   The present invention overcomes the above-mentioned problems and generates a reference image that can be inspected without reducing the comparison sensitivity, which is used for die-to-database comparative inspection of a multi-layer mask created using two-layer data. Objective.

本発明の一態様の画像生成装置は、
基体に第1と第2のパターン層を形成する第1と第2の多値画像を入力し、入力された第1と第2の多値画像を合成した場合に、各画素ごとに、前記基体の層と前記第1のパターン層と第2のパターン層とが占める面積比を抽出する抽出部と、
面積比が抽出された前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる2画素の前記面積比を用いて、前記各画素に対する相関計算を行なう相関計算部と、
前記各画素に対して行なわれた相関計算の結果にそれぞれ点応答関数を畳み込み積分することにより前記各画素の階調値を演算し、第1と第2の多値画像を合成した画像を生成する畳み込み積分部と、
を備え
前記相関計算部は、前記各画素を中心とする所定の領域内に位置する、前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる全ての2画素について、
前記基体の層が占める面積比同士の積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値とを計算する第1の計算部と、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値とを計算する第2の計算部と、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値との和を計算する第3の計算部と、
を有することを特徴とする。
An image generation device according to one embodiment of the present invention includes:
When the first and second multi-value images forming the first and second pattern layers are input to the substrate and the input first and second multi-value images are combined, An extraction unit for extracting an area ratio occupied by the base layer, the first pattern layer, and the second pattern layer;
A correlation calculation unit that performs a correlation calculation for each pixel using the area ratio of two pixels that are respectively point-symmetric with each pixel from which the area ratio is extracted;
A point response function is convolved and integrated with the result of the correlation calculation performed on each pixel to calculate the gradation value of each pixel, and an image obtained by combining the first and second multi-valued images is generated. A convolution integrator to
Equipped with a,
The correlation calculation unit is located in a predetermined region centered on each pixel, and all the two pixels that are point-symmetric with each pixel are
The product of the area ratios occupied by the base layer, the total value of the product of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer, and the first pattern layer A first calculation unit for calculating a product value of the area ratios;
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A second calculation unit that calculates a product value of the total value of the first and second weighting factors, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer, and a product value of the third weighting factor;
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A third calculation unit for calculating a sum of a product value of the total value of the first and second weighting factors, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer, and a product value of the third weighting factor When,
It is characterized by having .

そして、本発明の一態様の画像生成方法は、
基体に第1と第2のパターン層を形成する第1と第2の多値画像を入力する入力工程と、
入力された第1と第2の多値画像を合成した場合に、各画素ごとに、前記基体の層と前記第1のパターン層と第2のパターン層とが占める面積比を抽出する抽出工程と、
面積比が抽出された前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる2画素の前記面積比を用いて、前記各画素に対する相関計算を行なう相関計算工程と、
前記各画素に対して行なわれた相関計算の結果にそれぞれ点応答関数を畳み込み積分することにより前記各画素の階調値を演算し、第1と第2の多値画像を合成した画像を生成する畳み込み積分工程と、
を備え
前記相関計算工程において、前記各画素を中心とする所定の領域内に位置する、前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる全ての2画素について、
前記基体の層が占める面積比同士の積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値とを計算し、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値とを計算し、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値との和を計算することを特徴とする。
And the image generation method of one aspect of the present invention includes:
An input step of inputting the first and second multi-value images for forming the first and second pattern layers on the substrate;
An extraction step of extracting an area ratio occupied by the base layer, the first pattern layer, and the second pattern layer for each pixel when the input first and second multi-value images are combined. When,
A correlation calculation step of performing a correlation calculation for each of the pixels using the area ratio of the two pixels that are in point symmetry with the respective pixels from which the area ratio has been extracted;
A point response function is convolved and integrated with the result of the correlation calculation performed on each pixel to calculate the gradation value of each pixel, and an image obtained by combining the first and second multi-valued images is generated. A convolution integration step,
Equipped with a,
In the correlation calculation step, for all two pixels located in a predetermined area centered on each pixel, each corresponding to a point-symmetrical position with each pixel,
The product of the area ratios occupied by the base layer, the total value of the product of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer, and the first pattern layer Calculate the product of the area ratios,
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A product value of the total value of the first and the second weighting factor, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer and a product value of the third weighting factor,
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. The sum of the product value of the total value of the first and the second weighting factor and the product value of the area ratio occupied by the first pattern layer and the product of the third weighting factor is calculated. .

また、本発明の一態様の試料検査装置は、
基体に第1と第2のパターン層を形成する設計データとなる第1と第2の多値画像を入力し、入力された第1と第2の多値画像を合成した場合に、各画素ごとに、前記基体の層と前記第1のパターン層と第2のパターン層とが占める面積比を抽出する抽出部と、
面積比が抽出された前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる2画素の前記面積比を用いて、前記各画素に対する相関計算を行なう相関計算部と、
前記各画素に対して行なわれた相関計算の結果にそれぞれ点応答関数を畳み込み積分することにより前記各画素の階調値を演算し、第1と第2の多値画像を合成した参照画像を生成する畳み込み積分部と、
前記設計データに基づいて製作された被検査試料の光学画像を取得する光学画像取得部と、
前記被検査試料の光学画像と、前記参照画像との比較を行なう比較部と、
を備え
前記相関計算部は、前記各画素を中心とする所定の領域内に位置する、前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる全ての2画素について、
前記基体の層が占める面積比同士の積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値とを計算する第1の計算部と、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値とを計算する第2の計算部と、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値との和を計算する第3の計算部と、
を有することを特徴とする。
In addition, the sample inspection device of one embodiment of the present invention includes:
When the first and second multi-value images as design data for forming the first and second pattern layers on the substrate are input and the input first and second multi-value images are combined, each pixel And an extraction unit for extracting an area ratio occupied by the base layer, the first pattern layer, and the second pattern layer,
A correlation calculation unit that performs a correlation calculation for each pixel using the area ratio of two pixels that are respectively point-symmetric with each pixel from which the area ratio is extracted;
A reference image obtained by combining the first and second multi-valued images by calculating the gradation value of each pixel by convolving and integrating a point response function with the result of the correlation calculation performed on each pixel. A convolution integrator to generate,
An optical image acquisition unit for acquiring an optical image of a sample to be inspected produced based on the design data;
A comparison unit that compares the optical image of the sample to be inspected with the reference image;
Equipped with a,
The correlation calculation unit is located in a predetermined region centered on each pixel, and all the two pixels that are point-symmetric with each pixel are
The product of the area ratios occupied by the base layer, the total value of the product of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer, and the first pattern layer A first calculation unit for calculating a product value of the area ratios;
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A second calculation unit that calculates a product value of the total value of the first and second weighting factors, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer, and a product value of the third weighting factor;
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A third calculation unit for calculating a sum of a product value of the total value of the first and second weighting factors, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer, and a product value of the third weighting factor When,
It is characterized by having .

本発明によれば、各画素ごとに、前記基体の層と前記第1のパターン層と第2のパターン層とが占める面積比を抽出することにより、2層データを重ねた後の面積比を抽出することができる。そして、前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる2画素の前記面積比を用いて、前記各画素に対する相関計算を行ない、点応答関数を畳み込み積分することにより、各画素の階調値を演算することができる。その結果、従来できなかった2層データを用いた高精度な参照画像を生成することができる。よって、1層目と2層目の境界位置での比較感度を緩めなくてもダイツーデータベース比較検査における擬似欠陥の発生を減少させることができる。   According to the present invention, for each pixel, by extracting the area ratio occupied by the base layer, the first pattern layer, and the second pattern layer, the area ratio after overlapping the two-layer data is obtained. Can be extracted. Then, using the area ratio of the two pixels that are in point symmetry with the respective pixels, the correlation calculation is performed for each of the pixels, and the gradation value of each pixel is calculated by convolving and integrating the point response function. be able to. As a result, it is possible to generate a highly accurate reference image using two-layer data that has not been possible in the past. Therefore, the generation of pseudo defects in the die-to-database comparison inspection can be reduced without reducing the comparison sensitivity at the boundary position between the first layer and the second layer.

実施の形態1.
実施の形態1では、多層マスクの一例として、透過層となるガラス基板面(Qz:クォーツ)に位相シフト層となるハーフトーン(HT)膜と遮光膜層となるクロム(Cr)膜を形成したトライトーンマスクのダイツーデータベース比較検査のための参照画像を生成する装置及びその方法のアルゴリズムについて説明する。
Embodiment 1 FIG.
In the first embodiment, as an example of a multilayer mask, a halftone (HT) film as a phase shift layer and a chromium (Cr) film as a light-shielding film layer are formed on a glass substrate surface (Qz: quartz) as a transmission layer. An apparatus for generating a reference image for a die-to-database comparative inspection of a tritone mask and an algorithm of the method will be described.

図1は、実施の形態1における参照画像生成方法の各工程の要部を示す図である。
図1において、実施の形態1における参照画像生成方法でのアルゴリズムは、3層の位相シフトマスクを形成するための、2層の描画データをそれぞれ多値画に展開する工程であるQz/HT多値画展開工程(S102)、HT/Cr多値画展開工程(S104)と、リサイズ工程(S106)、リサイズ工程(S108)と、コーナー丸め工程(S110)、コーナー丸め工程(S112)と、シフト処理工程(S114)と、描画プロセスに基づいて3層の多値画領域を抽出するQz/HT/Cr領域抽出工程(S116)と、注目点を中心として対称な位置にある画素同士で、予め定められた距離以下の2画素を選択して、該2画素がそれぞれ任意の二層により決まる像強度を、該2画素が該層に含まれる場合の面積により重みつき加算する相関計算工程(S118)と、コンボリューション積分するコンボリューション工程(S120)とを実施する。そして、かかる工程により参照画像データを生成して実画と比較する。
FIG. 1 is a diagram illustrating a main part of each step of the reference image generation method according to the first embodiment.
In FIG. 1, the algorithm in the reference image generation method according to the first embodiment is Qz / HT multiple, which is a process of developing two-layer drawing data into multi-valued images for forming a three-layer phase shift mask. Value image development step (S102), HT / Cr multivalue image development step (S104), resizing step (S106), resizing step (S108), corner rounding step (S110), corner rounding step (S112), shift A processing step (S114), a Qz / HT / Cr region extraction step (S116) for extracting a multi-level image region of three layers based on a drawing process, and pixels at symmetrical positions around the point of interest in advance Select two pixels that are less than or equal to the specified distance, and add an image intensity determined by any two layers to the two pixels, weighted by the area when the two pixels are included in the layer. A correlation calculation step of (S118), carrying out the convolution step (S120) for convolution integration. Then, the reference image data is generated by this process and compared with the actual image.

図2は、実施の形態1における試料検査装置の構成を示す概念図である。
図2において、マスクやウェハ等の基板を試料して、かかる試料の欠陥を検査する試料検査装置100は、光学画像取得部と制御系回路を備えている。光学画像取得部は、XYθテーブル102、光源103、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105、センサ回路106、レーザ測長システム122、オートローダ130を備えている。制御系回路では、コンピュータとなる制御計算機110が、バス120を介して、位置回路107、比較回路108、展開回路111、参照回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、プリンタ119に接続されている。また、XYθテーブル102は、X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータにより駆動される。
FIG. 2 is a conceptual diagram showing the configuration of the sample inspection apparatus according to the first embodiment.
In FIG. 2, a sample inspection apparatus 100 that samples a substrate such as a mask or a wafer and inspects defects of the sample includes an optical image acquisition unit and a control system circuit. The optical image acquisition unit includes an XYθ table 102, a light source 103, a magnifying optical system 104, a photodiode array 105, a sensor circuit 106, a laser length measurement system 122, and an autoloader 130. In the control system circuit, a control computer 110 serving as a computer is connected via a bus 120 to a position circuit 107, a comparison circuit 108, a development circuit 111, a reference circuit 112, an autoloader control circuit 113, a table control circuit 114, a magnetic disk device 109, A magnetic tape device 115, a flexible disk device (FD) 116, a CRT 117, a pattern monitor 118, and a printer 119 are connected. The XYθ table 102 is driven by an X-axis motor, a Y-axis motor, and a θ-axis motor.

被検査試料となるフォトマスク101は、XYθ各軸のモータによって水平方向及び回転方向に移動可能に設けられたXYθテーブル102上に載置され、フォトマスク101に形成されたパターンには適切な光源103によって光が照射される。フォトマスク101を透過した光は拡大光学系104を介して、フォトダイオードアレイ105に光学像として結像し、入射する。   A photomask 101 to be inspected is placed on an XYθ table 102 provided so as to be movable in a horizontal direction and a rotation direction by motors of XYθ axes, and an appropriate light source for a pattern formed on the photomask 101. 103 is irradiated with light. The light that has passed through the photomask 101 forms an optical image on the photodiode array 105 via the magnifying optical system 104 and is incident thereon.

図3は、光学画像の取得手順を説明するための図である。
被検査領域は、図3に示すように、Y方向に向かって、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプに仮想的に分割され、更にその分割された各検査ストライプが連続的に走査されるようにXYθテーブル102の動作が制御され、X方向に移動しながら光学画像が取得される。フォトダイオードアレイ105では、図3に示されるようなスキャン幅Wの画像を連続的に入力する。そして、第1の検査ストライプにおける画像を取得した後、第2の検査ストライプにおける画像を今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Wの画像を連続的に入力する。そして、第3の検査ストライプにおける画像を取得する場合には、第2の検査ストライプにおける画像を取得する方向とは逆方向、すなわち、第1の検査ストライプにおける画像を取得した方向に移動しながら画像を取得する。このように、連続的に画像を取得していくことで、無駄な処理時間を短縮することができる。
FIG. 3 is a diagram for explaining an optical image acquisition procedure.
As shown in FIG. 3, the inspection area is virtually divided into a plurality of strip-shaped inspection stripes having a scan width W in the Y direction, and each of the divided inspection stripes is continuously scanned. Thus, the operation of the XYθ table 102 is controlled, and an optical image is acquired while moving in the X direction. In the photodiode array 105, images having a scan width W as shown in FIG. 3 are continuously input. Then, after acquiring the image of the first inspection stripe, the image of the scan width W is continuously input in the same manner while moving the image of the second inspection stripe in the opposite direction. When an image in the third inspection stripe is acquired, the image moves while moving in the direction opposite to the direction in which the image in the second inspection stripe is acquired, that is, in the direction in which the image in the first inspection stripe is acquired. To get. In this way, it is possible to shorten a useless processing time by continuously acquiring images.

フォトダイオードアレイ105上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ105によって光電変換され、更にセンサ回路106によってA/D(アナログデジタル)変換される。これらの光源103、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105、センサ回路106により高倍率の検査光学系が構成されている。   The pattern image formed on the photodiode array 105 is photoelectrically converted by the photodiode array 105 and further A / D (analog-digital) converted by the sensor circuit 106. These light source 103, magnifying optical system 104, photodiode array 105, and sensor circuit 106 constitute a high-magnification inspection optical system.

XYθテーブル102は、制御計算機110の制御の下にテーブル制御回路114により駆動される。そして、XYθテーブル102の移動位置はレーザ測長システム122により測定され、位置回路107に供給される。また、XYθテーブル102上のフォトマスク101はオートローダ制御回路113により駆動されるオートローダ130から搬送されるものとなっている。   The XYθ table 102 is driven by the table control circuit 114 under the control of the control computer 110. The movement position of the XYθ table 102 is measured by the laser length measurement system 122 and supplied to the position circuit 107. The photomask 101 on the XYθ table 102 is transported from an autoloader 130 driven by an autoloader control circuit 113.

センサ回路106から出力された測定パターンデータは、位置回路107から出力されたXYθテーブル102上におけるフォトマスク101の位置を示すデータとともに比較回路108に送られる。   The measurement pattern data output from the sensor circuit 106 is sent to the comparison circuit 108 together with data indicating the position of the photomask 101 on the XYθ table 102 output from the position circuit 107.

一方、フォトマスク101のパターン形成時に用いた設計データは、記憶装置の一例である磁気ディスク109から制御計算機110を通して展開回路111に読み出される。展開回路111により、読み出された被検査試料となるフォトマスク101の設計画像データが2値ないしは多値のイメージデータに変換(展開)され、このイメージデータが参照回路112に送られる。参照回路112は、送られてきた図形のイメージデータに適切なフィルタ処理を施し、参照画像を生成する。   On the other hand, the design data used when forming the pattern of the photomask 101 is read out from the magnetic disk 109 which is an example of a storage device to the development circuit 111 through the control computer 110. The development circuit 111 converts (develops) the design image data of the photomask 101 that is the read sample to be inspected into binary or multivalued image data, and sends this image data to the reference circuit 112. The reference circuit 112 performs an appropriate filter process on the sent graphic image data to generate a reference image.

そして、比較回路108において、実画像となる測定パターンデータと、参照画像とを所定の領域(エリア)の画像として切り出す。そして、測定パターンデータと参照画像との位置合わせ(エリアアライメント)を行い、エリアアライメントされた測定パターンデータと参照画像とを比較し、例えば、その差分が設定された閾値以上であれば欠陥として判定する。   Then, the comparison circuit 108 cuts out the measurement pattern data to be a real image and the reference image as an image of a predetermined area (area). Then, the measurement pattern data and the reference image are aligned (area alignment), and the area-aligned measurement pattern data and the reference image are compared. For example, if the difference is equal to or greater than a set threshold value, it is determined as a defect. To do.

図4は、参照回路の内部構成を示すブロック図である。
図4において、参照回路112は、リサイズ回路312、リサイズ回路314、コーナー丸め回路322、コーナー丸め回路324、シフト処理回路330、Qz/HT/Cr領域抽出回路340、相関計算回路350、コンボリューション回路360を備えている。そして、相関計算回路350は、面積比計算回路352、重み付け計算回路354、トータル和計算回路356を有している。
FIG. 4 is a block diagram showing an internal configuration of the reference circuit.
In FIG. 4, a reference circuit 112 includes a resizing circuit 312, a resizing circuit 314, a corner rounding circuit 322, a corner rounding circuit 324, a shift processing circuit 330, a Qz / HT / Cr region extraction circuit 340, a correlation calculation circuit 350, and a convolution circuit. 360 is provided. The correlation calculation circuit 350 includes an area ratio calculation circuit 352, a weighting calculation circuit 354, and a total sum calculation circuit 356.

図5は、フルトライトーンマスクの工程断面図である。
フォトマスク101の一例であるフルトライトーンマスクの一般的な描画方法を以下に説明する。まず、図5(a)に示すように、マスクブランクスは、空気側からクロム層であるCr膜206、ハーフトーン層であるハーフトーン膜204、クォーツ層となるガラス基板202の三層構造を成しているとする。
FIG. 5 is a process sectional view of a full tritone mask.
A general drawing method of a full tritone mask which is an example of the photomask 101 will be described below. First, as shown in FIG. 5A, the mask blank has a three-layer structure of a chromium film 206 as a chromium layer, a halftone film 204 as a halftone layer, and a glass substrate 202 as a quartz layer from the air side. Suppose you are.

図5(b)に示すように、第一層目の描画データAを用いて描画することにより形成されたレジストパタンをマスキングとして、まずクロム層をエッチングし、次にハーフトーン層のエッチングを行う。   As shown in FIG. 5B, using the resist pattern formed by drawing using the drawing data A of the first layer as a mask, the chromium layer is first etched and then the halftone layer is etched. .

次に、図5(c)に示すように、第二層目の描画データBを用いて描画することにより形成されたレジストパタンをマスキングとしてクロム層のみのエッチングを行う。以上の工程により、クロム層、ハーフトーン層、クォーツ層の三層からなるフルトライトーンマスクを製造することができる。   Next, as shown in FIG. 5C, only the chromium layer is etched using the resist pattern formed by drawing using the drawing data B of the second layer as a mask. Through the above steps, a full tritone mask composed of three layers of a chromium layer, a halftone layer, and a quartz layer can be manufactured.

このトライトーンマスクをデータベース比較検査するための工程を以下に示す。
S(ステップ)102において、Qz/HT多値画展開工程として、展開回路111は、磁気ディスク装置109から第一層目の描画データAを入力し、描画データを画素ごとの多値画データに展開(レンダリング)する。
A process for comparing and inspecting the tritone mask with the database will be described below.
In S (step) 102, as a Qz / HT multilevel image expansion process, the expansion circuit 111 inputs the first layer of drawing data A from the magnetic disk device 109, and converts the drawing data into multivalued image data for each pixel. Expand (render).

S(ステップ)104において、HT/Cr多値画展開工程として、展開回路111は、磁気ディスク装置109から第二層目の描画データBを入力し、描画データを画素ごとの多値画データに展開(レンダリング)する。   In S (step) 104, as the HT / Cr multilevel image expansion process, the expansion circuit 111 inputs the drawing data B of the second layer from the magnetic disk device 109, and converts the drawing data into multivalued image data for each pixel. Expand (render).

S106において、リサイズ工程として、リサイズ回路312は、多値画データに展開された第一層目の描画データAを入力し、第一層目の描画データAに対して、マスク描画プロセス特性に合わせて、多値画のリサイズ処理を行なう。リサイズ処理を行なうことで、第一層目の描画データAにより描画される実画に近づけることができる。   In S106, as a resizing process, the resizing circuit 312 inputs the drawing data A of the first layer expanded into multi-value image data, and matches the drawing data A of the first layer with the mask drawing process characteristics. To resize the multi-valued image. By performing the resizing process, it is possible to approximate the actual image drawn by the drawing data A of the first layer.

S108において、リサイズ工程として、リサイズ回路314は、多値画データに展開された第二層目の描画データBを入力し、第二層目の描画データBに対して、マスク描画プロセス特性に合わせて、多値画のリサイズ処理を行なう。リサイズ処理を行なうことで、第二層目の描画データBにより描画される実画に近づけることができる。   In S108, as the resizing process, the resizing circuit 314 inputs the drawing data B of the second layer expanded into the multi-value image data, and matches the drawing data B of the second layer with the mask drawing process characteristics. To resize the multi-valued image. By performing the resizing process, it is possible to approximate the actual image drawn by the drawing data B of the second layer.

S110において、コーナー丸め工程として、コーナー丸め回路322は、多値画データに展開された第一層目の描画データAを入力し、第一層目の描画データAに対して、マスク描画プロセス特性に合わせて、多値画のコーナー丸め処理を行なう。コーナー丸め処理を行なうことで、第一層目の描画データAにより描画される実画に近づけることができる。   In S110, as the corner rounding step, the corner rounding circuit 322 inputs the drawing data A of the first layer expanded into the multivalued image data, and the mask drawing process characteristics with respect to the drawing data A of the first layer. In accordance with, the corner rounding processing of the multi-valued image is performed. By performing the corner rounding process, it is possible to approximate the actual image drawn by the drawing data A of the first layer.

S112において、コーナー丸め工程として、コーナー丸め回路324は、多値画データに展開された第二層目の描画データBを入力し、第二層目の描画データBに対して、マスク描画プロセス特性に合わせて、多値画のコーナー丸め処理を行なう。コーナー丸め処理を行なうことで、第二層目の描画データBにより描画される実画に近づけることができる。   In S112, as the corner rounding step, the corner rounding circuit 324 inputs the drawing data B of the second layer expanded into the multi-valued image data, and the mask drawing process characteristics with respect to the drawing data B of the second layer. In accordance with, the corner rounding processing of the multi-valued image is performed. By performing the corner rounding process, it is possible to approximate the actual image drawn by the drawing data B of the second layer.

S114において、シフト処理工程として、シフト処理回路330は、第一層目に対する二層目の重ね合わせ精度を考慮して、二層目を一層目に対して位置合わせする。シフト処理工程をリサイズ工程の前に実施すると、せっかくリサイズした領域が重なってしまう場合がある。そこで、シフト処理工程をリサイズ工程の後に実施することにより、リサイズ部分の重なりを防止することができる。さらに、シフト処理工程をコーナー丸め工程の前に実施すると、位置が変わるために本来必要なコーナー丸め量と値が変わってしまう。そこで、シフト処理工程をコーナー丸め工程の後に実施することにより、本来必要なコーナー丸め量にてコーナー丸め処理を行なうことができる。また、後述するQz/HT/Cr領域抽出工程の前に行なうことにより、Qz/HT/Cr領域の再抽出を防止することができる。そして、Qz/HT/Cr領域抽出工程後の計算の再計算を防止することができる。   In S114, as a shift processing step, the shift processing circuit 330 aligns the second layer with respect to the first layer in consideration of the overlay accuracy of the second layer with respect to the first layer. If the shift processing step is performed before the resizing step, the resized regions may overlap. Therefore, by carrying out the shift processing step after the resizing step, overlapping of the resized portions can be prevented. Furthermore, if the shift processing step is performed before the corner rounding step, the corner rounding amount and the value that are originally required change because the position changes. Therefore, by performing the shift processing step after the corner rounding step, the corner rounding processing can be performed with the originally required corner rounding amount. Further, re-extraction of the Qz / HT / Cr region can be prevented by performing it before the Qz / HT / Cr region extraction step described later. And recalculation of the calculation after the Qz / HT / Cr region extraction step can be prevented.

S116において、Qz/HT/Cr領域抽出工程として、抽出部の一例であるQz/HT/Cr領域抽出回路340は、上記リサイズ処理およびコーナー丸め処理をされた二層の多値画から、クォーツ部、ハーフトーン部、クロム部の三層に分離した多値画を再生成する。言い換えれば、Qz/HT/Cr領域抽出回路340は、ガラス基板202にハーフトーン膜204のパターン層とCr膜206のパターン層とを形成する多値画像の第一層目の描画データAと第二層目の描画データBとを入力し、入力された第一層目の描画データAと第二層目の描画データBとを合成した場合に、各画素ごとに、クォーツ部、ハーフトーン部、クロム部が占める面積比を抽出する。   In S116, as the Qz / HT / Cr region extraction step, the Qz / HT / Cr region extraction circuit 340, which is an example of an extraction unit, extracts the quartz portion from the two-layer multivalued image that has been subjected to the resizing process and the corner rounding process. A multi-valued image separated into three layers of a halftone part and a chrome part is regenerated. In other words, the Qz / HT / Cr region extraction circuit 340 includes the drawing data A and the first layer of the first layer of the multilevel image forming the pattern layer of the halftone film 204 and the pattern layer of the Cr film 206 on the glass substrate 202. When the drawing data B of the second layer is input and the input drawing data A of the first layer and the drawing data B of the second layer are combined, a quartz part and a halftone part are provided for each pixel. Extract the area ratio occupied by the chrome part.

Qz/HT/Cr領域抽出工程では、マスク描画プロセスを考慮して、二層の多値画の組み合わせと、実際の層が何に対応するかを予め定義しておく必要がある。ここでは、一例として、図5において説明したマスク描画プロセスにおけるQz/HT/Cr領域抽出について説明する。図5(c)に示す位置にあたる画素X1,X2,X3,X4を一例として説明する。   In the Qz / HT / Cr region extraction step, it is necessary to predefine what the combination of the two-layer multi-valued image and the actual layer correspond to in consideration of the mask drawing process. Here, as an example, Qz / HT / Cr region extraction in the mask drawing process described in FIG. 5 will be described. The pixel X1, X2, X3, X4 corresponding to the position shown in FIG. 5C will be described as an example.

図6は、画素X1におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。
図6(a)の左図は、図5(c)に示す画素X1の領域を切り取った断面図である。そして、図6(a)の右図は、画素X1の領域の上面図である。画素X1の領域は、クォーツ部、ハーフトーン部、クロム部の三層が混在した領域となる。
FIG. 6 is a diagram for explaining Qz / HT / Cr region extraction in the pixel X1.
The left figure of Fig.6 (a) is sectional drawing which cut out the area | region of the pixel X1 shown in FIG.5 (c). And the right figure of Fig.6 (a) is a top view of the area | region of the pixel X1. The region of the pixel X1 is a region in which three layers of a quartz portion, a halftone portion, and a chrome portion are mixed.

かかる領域において、クォーツ部が占める面積比は、第一層目の描画データAのパターンでエッチングされる領域割合で示すことができる。図6(b)では、Aと示している。すなわち、第一層目の描画データAのパターンでは、Cr膜206とハーフトーン膜204との両方をエッチングするので、エッチングされた領域は、必ずクォーツ部となる。   In such a region, the area ratio occupied by the quartz portion can be represented by a region ratio etched by the pattern of the drawing data A of the first layer. In FIG. 6B, this is indicated as A. That is, in the pattern of the drawing data A of the first layer, since both the Cr film 206 and the halftone film 204 are etched, the etched region is always a quartz part.

そして、ハーフトーン部が占める面積比は、第二層目の描画データBのパターンでエッチングされる領域割合から第一層目の描画データAのパターンでエッチングされる領域割合を引いた差分で示すことができる。ここでは、差分値が負になった場合には、面積比は割合値「0」となる。図6(b)では、(B−A,0)と示している。すなわち、第二層目の描画データBのパターンでは、Cr膜206とハーフトーン膜204とのうち、Cr膜206のみをエッチングするので、Cr膜206とハーフトーン膜204とが残った領域では、エッチングされた領域は、必ずハーフトーン部となる。ここで、Cr膜206のエッチング残しを防止するためにも、第二層目の描画データBのパターンでは、既にクォーツ部となった領域もそのパターンに含んでいる方が望ましい。よって、画素単位でみれば、第二層目の描画データBのパターン領域割合から第一層目の描画データAのパターン領域割合を引いた差分がハーフトーン部となる。   The area ratio occupied by the halftone portion is indicated by a difference obtained by subtracting the area ratio etched with the pattern of the drawing data A of the first layer from the area ratio etched with the pattern of the drawing data B of the second layer. be able to. Here, when the difference value becomes negative, the area ratio becomes the ratio value “0”. In FIG. 6B, (B-A, 0) is shown. That is, in the pattern of the drawing data B of the second layer, only the Cr film 206 is etched out of the Cr film 206 and the halftone film 204. Therefore, in the region where the Cr film 206 and the halftone film 204 remain, The etched area always becomes a halftone part. Here, in order to prevent the remaining etching of the Cr film 206, it is desirable that the pattern of the drawing data B of the second layer also includes a region that has already become a quartz part. Therefore, when viewed in pixel units, a difference obtained by subtracting the pattern area ratio of the drawing data A of the first layer from the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer is the halftone portion.

そして、クロム部が占める面積比は、クォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比の残りとなる。   The area ratio occupied by the chromium portion is the remainder of the area ratio occupied by the quartz portion and the area ratio occupied by the halftone portion.

ここで、図6(c)に示すように、例えば、1画素を0から255の面積で分割した分解能で考えた場合に、画素X1が位置する領域に、Cr層形成パターンとなる第一層目の描画データAのパターン領域割合が100/255、HT層形成パターンとなる第二層目の描画データBのパターン領域割合が200/255であったとする。かかる場合、図6(d)に示すように、画素X1におけるクォーツ部、ハーフトーン部、クロム部が占める面積比は、(100/255,100/255,56/255)と抽出することができる。   Here, as shown in FIG. 6C, for example, when the resolution is obtained by dividing one pixel by an area of 0 to 255, the first layer that becomes the Cr layer formation pattern in the region where the pixel X1 is located. Assume that the pattern area ratio of the drawing data A for the eye is 100/255, and the pattern area ratio of the drawing data B for the second layer that is the HT layer formation pattern is 200/255. In this case, as shown in FIG. 6D, the area ratio occupied by the quartz portion, the halftone portion, and the chrome portion in the pixel X1 can be extracted as (100/255, 100/255, 56/255). .

図7は、画素X2におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。
図7(a)の左図は、図5(c)に示す画素X2の領域を切り取った断面図である。そして、図7(a)の右図は、画素X2の領域の上面図である。画素X2の領域は、クォーツ部、ハーフトーン部、クロム部の三層のうち、クロム部が全面に占めた領域となる。
FIG. 7 is a diagram for explaining Qz / HT / Cr region extraction in the pixel X2.
The left figure of Fig.7 (a) is sectional drawing which cut out the area | region of the pixel X2 shown in FIG.5 (c). And the right figure of Fig.7 (a) is a top view of the area | region of the pixel X2. The region of the pixel X2 is a region in which the chrome portion occupies the entire surface among the three layers of the quartz portion, the halftone portion, and the chrome portion.

かかる領域において、クォーツ部が占める面積比は、図7(b)にて「A」と示す第一層目の描画データAのパターン領域割合、ハーフトーン部が占める面積比は、図7(b)にて「B−A,0」と示す第二層目の描画データBのパターン領域割合から第一層目の描画データAのパターン領域割合を引いた差分、クロム部が占める面積比は、図7(b)にて「残り」と示すクォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比の残りで示すことができる。   In this region, the area ratio occupied by the quartz part is the ratio of the pattern area of the drawing data A of the first layer indicated by “A” in FIG. 7B, and the area ratio occupied by the halftone part is FIG. ), The difference obtained by subtracting the pattern area ratio of the drawing data A of the first layer from the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer indicated as “B−A, 0”, and the area ratio occupied by the chromium portion is In FIG. 7B, it can be shown by the remaining area ratio occupied by the quartz portion indicated as “remaining” and the area ratio occupied by the halftone portion.

ここで、図7(c)に示すように、例えば、1画素を0から255の面積で分割した分解能で考えた場合に、画素X2が位置する領域に、Cr層形成パターンとなる第一層目の描画データAのパターン領域割合が0/255、HT層形成パターンとなる第二層目の描画データBのパターン領域割合が0/255であったとする。かかる場合、図7(d)に示すように、画素X2におけるクォーツ部、ハーフトーン部、クロム部が占める面積比は、(0/255,0/255,255/255)と抽出することができる。   Here, as shown in FIG. 7C, for example, when the resolution is obtained by dividing one pixel by an area of 0 to 255, the first layer that becomes the Cr layer formation pattern in the region where the pixel X2 is located. Assume that the pattern area ratio of the drawing data A of the eye is 0/255, and the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer that becomes the HT layer formation pattern is 0/255. In this case, as shown in FIG. 7D, the area ratio occupied by the quartz part, the halftone part, and the chrome part in the pixel X2 can be extracted as (0/255, 0/255, 255/255). .

図8は、画素X3におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。
図8(a)の左図は、図5(c)に示す画素X3の領域を切り取った断面図である。そして、図8(a)の右図は、画素X3の領域の上面図である。画素X3の領域は、クォーツ部、ハーフトーン部、クロム部の三層のうち、ハーフトーン部が全面に占めた領域となる。
FIG. 8 is a diagram for explaining Qz / HT / Cr region extraction in the pixel X3.
The left figure of Fig.8 (a) is sectional drawing which cut out the area | region of the pixel X3 shown in FIG.5 (c). And the right figure of Fig.8 (a) is a top view of the area | region of the pixel X3. The region of the pixel X3 is a region where the halftone portion occupies the entire surface among the three layers of the quartz portion, the halftone portion, and the chrome portion.

かかる領域において、クォーツ部が占める面積比は、図8(b)にて「A」と示す第一層目の描画データAのパターン領域割合、ハーフトーン部が占める面積比は、図8(b)にて「B−A,0」と示す第二層目の描画データBのパターン領域割合から第一層目の描画データAのパターン領域割合を引いた差分、クロム部が占める面積比は、図8(b)にて「残り」と示すクォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比の残りで示すことができる。   In such a region, the area ratio occupied by the quartz part is the ratio of the pattern area of the drawing data A of the first layer indicated by “A” in FIG. 8B, and the area ratio occupied by the halftone part is FIG. ), The difference obtained by subtracting the pattern area ratio of the drawing data A of the first layer from the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer indicated as “B−A, 0”, and the area ratio occupied by the chromium portion is In FIG. 8B, it can be shown by the remaining area ratio occupied by the quartz portion indicated as “remaining” and the remaining area ratio occupied by the halftone portion.

ここで、図8(c)に示すように、例えば、1画素を0から255の面積で分割した分解能で考えた場合に、画素X3が位置する領域に、Cr層形成パターンとなる第一層目の描画データAのパターン領域割合が0/255、HT層形成パターンとなる第二層目の描画データBのパターン領域割合が255/255であったとする。かかる場合、図8(d)に示すように、画素X3におけるクォーツ部、ハーフトーン部、クロム部が占める面積比は、(0/255,255/255,0/255)と抽出することができる。   Here, as shown in FIG. 8C, for example, when the resolution is obtained by dividing one pixel by an area of 0 to 255, the first layer that becomes the Cr layer formation pattern in the region where the pixel X3 is located. Assume that the pattern area ratio of the drawing data A of the eye is 0/255, and the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer that becomes the HT layer formation pattern is 255/255. In this case, as shown in FIG. 8D, the area ratio occupied by the quartz portion, the halftone portion, and the chrome portion in the pixel X3 can be extracted as (0/255, 255/255, 0/255). .

図9は、画素X4におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。
図9(a)の左図は、図5(c)に示す画素X4の領域を切り取った断面図である。そして、図9(a)の右図は、画素X4の領域の上面図である。画素X4の領域は、クォーツ部、ハーフトーン部、クロム部の三層のうち、クォーツ部が全面に占めた領域となる。
FIG. 9 is a diagram for explaining Qz / HT / Cr region extraction in the pixel X4.
The left figure of Fig.9 (a) is sectional drawing which cut out the area | region of the pixel X4 shown in FIG.5 (c). And the right figure of Fig.9 (a) is a top view of the area | region of the pixel X4. The region of the pixel X4 is a region where the quartz portion occupies the entire surface among the three layers of the quartz portion, the halftone portion, and the chrome portion.

かかる領域において、クォーツ部が占める面積比は、図9(b)にて「A」と示す第一層目の描画データAのパターン領域割合、ハーフトーン部が占める面積比は、図9(b)にて「B−A,0」と示す第二層目の描画データBのパターン領域割合から第一層目の描画データAのパターン領域割合を引いた差分、クロム部が占める面積比は、図9(b)にて「残り」と示すクォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比の残りで示すことができる。   In such a region, the area ratio occupied by the quartz portion is the ratio of the pattern region of the drawing data A of the first layer indicated by “A” in FIG. 9B, and the area ratio occupied by the halftone portion is FIG. ), The difference obtained by subtracting the pattern area ratio of the drawing data A of the first layer from the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer indicated as “B−A, 0”, and the area ratio occupied by the chromium portion is The area ratio occupied by the quartz part indicated as “remaining” in FIG. 9B and the remainder of the area ratio occupied by the halftone part can be shown.

ここで、図9(c)に示すように、例えば、1画素を0から255の面積で分割した分解能で考えた場合に、画素X4が位置する領域に、Cr層形成パターンとなる第一層目の描画データAのパターン領域割合が255/255、HT層形成パターンとなる第二層目の描画データBのパターン領域割合が0/255であったとする。かかる場合、図9(d)に示すように、画素X4におけるクォーツ部、ハーフトーン部、クロム部が占める面積比は、(255/255,0/255,0/255)と抽出することができる。   Here, as shown in FIG. 9C, for example, when the resolution is obtained by dividing one pixel by an area of 0 to 255, the first layer that becomes the Cr layer formation pattern in the region where the pixel X4 is located. It is assumed that the pattern area ratio of the eye drawing data A is 255/255, and the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer to be the HT layer formation pattern is 0/255. In this case, as shown in FIG. 9D, the area ratio occupied by the quartz portion, the halftone portion, and the chrome portion in the pixel X4 can be extracted as (255/255, 0/255, 0/255). .

以上のようなアルゴリズムにより、図5において説明したマスク描画プロセスにおけるQz/HT/Cr領域を抽出することができる。   With the algorithm as described above, the Qz / HT / Cr region in the mask drawing process described with reference to FIG. 5 can be extracted.

S118において、相関計算工程として、相関計算部の一例となる相関計算回路350は、面積比が抽出された前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる2画素の面積比を用いて、前記各画素に対する相関計算を行なう。言い換えれば、部分コヒーレント結像モデルに基づき、透過像または反射像に対応した像強度を空間フィルタ処理することにより計算する。ここでは、部分コヒーレント結像モデルとして、抽出された三層に対応した多値画から注目画素の近傍にある第一の画素と、前記注目画素に対して、前記第一の画素と対称な位置にある第二の画素に対して、三層のすべての組み合わせによる積和により値を求める工程と、相関係数と掛け算したものを足し合わせる工程を実施する。   In S118, as a correlation calculation step, the correlation calculation circuit 350, which is an example of a correlation calculation unit, uses the area ratio of two pixels that are point-symmetric to the respective pixels from which the area ratio is extracted. Perform correlation calculation. In other words, based on the partial coherent imaging model, the image intensity corresponding to the transmission image or the reflection image is calculated by performing spatial filtering. Here, as the partially coherent imaging model, the first pixel in the vicinity of the target pixel from the multi-valued image corresponding to the extracted three layers, and the position symmetrical to the first pixel with respect to the target pixel For the second pixel, the step of obtaining a value by the product sum of all combinations of the three layers and the step of adding the product of the correlation coefficient are performed.

図10は、注目点と相関計算を行なう領域と点対称の位置にあたる2画素とを示す図である。
相関計算工程では、注目点を中心として対称な位置にある画素同士で、予め定められた距離以下の2画素を選択して、該2画素がそれぞれ任意の二層により決まる像強度を、該2画素が該層に含まれる場合の面積により重みつき加算する。図10では、注目点の画素X1に対し、点対称の位置にあたる画素Pと画素Qとを示している。そして、画素X1に対して相関計算を行なう領域である近傍領域を示している。近傍領域は、検査波長λと照明レンズの開口数NAと照明しぼりδと画素サイズPS(ピクセルサイズ)に応じて変えることが望ましい。例えば、近傍領域として、注目点の画素を中心にして直径で5〜10画素分の領域とする。かかる近傍領域に位置する全画素について注目点の画素X1への相関計算を行なうことで、注目点の画素X1の階調値を演算した際の精度を向上させることができる。
FIG. 10 is a diagram showing a point of interest, a region where correlation calculation is performed, and two pixels corresponding to point-symmetrical positions.
In the correlation calculation step, two pixels having a predetermined distance or less are selected from pixels located symmetrically with respect to the point of interest, and the image intensity determined by any two layers is determined by the two pixels. Weighted addition is performed according to the area when pixels are included in the layer. FIG. 10 shows a pixel P and a pixel Q that are in a point-symmetrical position with respect to the pixel of interest X1. And the neighborhood area | region which is an area | region which performs a correlation calculation with respect to the pixel X1 is shown. It is desirable to change the neighborhood area according to the inspection wavelength λ, the numerical aperture NA of the illumination lens, the illumination aperture δ, and the pixel size PS (pixel size). For example, the neighborhood region is a region corresponding to 5 to 10 pixels in diameter with the pixel of interest at the center. By calculating the correlation of the pixel of interest X1 with respect to all the pixels located in the vicinity region, it is possible to improve the accuracy when the gradation value of the pixel of interest X1 is calculated.

図11は、画素Pと画素Qの面積比を示す図である。
図11(a)では、抽出された画素Pにおけるクォーツ部、ハーフトーン部、クロム部が占める面積比は、(a,b,c)で示されている。同様に、図11(b)では、抽出された画素Qにおけるクォーツ部、ハーフトーン部、クロム部が占める面積比は、(a,b,c)で示されている。
FIG. 11 is a diagram illustrating the area ratio between the pixel P and the pixel Q.
In FIG. 11A, the area ratio occupied by the quartz portion, the halftone portion, and the chrome portion in the extracted pixel P is indicated by (a 1 , b 1 , c 1 ). Similarly, in FIG. 11B, the area ratio occupied by the quartz portion, the halftone portion, and the chrome portion in the extracted pixel Q is indicated by (a 2 , b 2 , c 2 ).

まず、面積比計算工程として、計算部の一例である面積比計算回路352は、画素Pと画素Qについて、クォーツ部が占める面積比同士の積値と、前記クォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比との積値の合計値と、前記ハーフトーン部が占める面積比同士の積値とを計算する。   First, as an area ratio calculation step, an area ratio calculation circuit 352, which is an example of a calculation unit, for the pixel P and the pixel Q, the product of the area ratios occupied by the quartz part, the area ratio occupied by the quartz part and the halftone The sum of the product values of the area ratio occupied by the part and the product value of the area ratios occupied by the halftone part are calculated.

図12は、画素Pと画素Qについての面積比計算を行なう式を示す図である。
図12に示すように、クォーツ部が占める面積比同士の積値SW1は、SW1=a×aで示すことができる。クォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比との積値の合計値SW2は、SW2=a×b+b×aで示すことができる。ハーフトーン部が占める面積比同士の積値SW3は、SW3=b×bで示すことができる。ここで、クロム部が占める面積比同士の積値と、前記クォーツ部が占める面積比とクロム部が占める面積比との積値の合計値と、前記ハーフトーン部が占める面積比とクロム部が占める面積比との積値の合計値とを計算していないが、クロム部が占める領域は、遮光領域となるため、階調値が「0」となる。よって、クロム部が占める面積比との関係は、あえて計算する必要がないためである。
FIG. 12 is a diagram illustrating an equation for calculating the area ratio for the pixel P and the pixel Q.
As shown in FIG. 12, the product value SW1 of the area ratios occupied by the quartz part can be expressed as SW1 = a 1 × a 2 . The total value SW2 of the product of the area ratio occupied by the quartz portion and the area ratio occupied by the halftone portion can be expressed as SW2 = a 1 × b 2 + b 1 × a 2 . The product value SW3 of the area ratios occupied by the halftone portion can be represented by SW3 = b 1 × b 2 . Here, the product value of the area ratios occupied by the chromium part, the total value of the product values of the area ratio occupied by the quartz part and the area ratio occupied by the chromium part, the area ratio occupied by the halftone part and the chromium part are The total value of the product values with the occupied area ratio is not calculated, but the area occupied by the chrome portion is a light-shielding area, so the gradation value is “0”. Therefore, the relationship with the area ratio occupied by the chromium portion is not required to be calculated.

図13は、画素Pと画素Qについての重み付けマトリクスを示す図である。
図13(a)に示すように、画素Pと画素Qとにおける各領域同士の組合わせは、9通りとなる。そして、それぞれの組合わせに対する重み係数W11〜W33を定める。重み係数は、図13(a)に示すように、W11=1.0,W12=W21=t・cosφ,W22=t,W13=W23=W31=W32=W33=0で定めることができる。ここで、tは、振幅透過率、φは、位相である。クロム部が占める領域は、遮光領域となるため、クロム部が占める面積比と関係する領域の重み係数は、すべて「0」とする。
FIG. 13 is a diagram illustrating a weighting matrix for the pixel P and the pixel Q.
As shown in FIG. 13A, there are nine combinations of regions in the pixel P and the pixel Q. Then, weighting factors W 11 to W 33 for each combination are determined. As shown in FIG. 13A, the weight coefficients are W 11 = 1.0, W 12 = W 21 = t · cos φ, W 22 = t 2 , W 13 = W 23 = W 31 = W 32 = W 33 = 0. Here, t is the amplitude transmittance, and φ is the phase. Since the area occupied by the chrome part is a light shielding area, all the weighting factors of the area related to the area ratio occupied by the chrome part are set to “0”.

次に、重み付け計算工程として、計算部の一例である重み付け計算回路354は、面積比計算されたクォーツ部が占める面積比同士の積値SW1と重み係数W11との積値と、クォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比との積値の合計値SW2と重み係数W12との積値と、ハーフトーン部が占める面積比同士の積値SW3と重み係数W22との積値とを計算する。 Next, the weighting calculation step, the weighting calculating circuit 354 which is an example of a calculation unit, and the product value of the product value SW1 and the weight coefficient W 11 between the area ratio occupied by the quartz portion calculated area ratio, quartz portion product of the product value of the sum SW2 and the weight coefficient W 12 of product value between the area ratio and the halftone portion occupied area ratio, the product value SW3 and the weight coefficient W 22 between the area ratio of the halftone portion occupied occupied Calculate the value.

図14は、画素Pと画素Qについての重み付け計算とトータル和計算とを行なう式を示す図である。
図14(a)に示すように、面積比計算されたクォーツ部が占める面積比同士の積値SW1と重み係数W11との積値=SW1,クォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比との積値の合計値SW2と重み係数W12との積値=SW2・t・cosφ,ハーフトーン部が占める面積比同士の積値SW3と重み係数W22との積値=SW3・tとなる。
FIG. 14 is a diagram illustrating equations for performing weighting calculation and total sum calculation for the pixel P and the pixel Q.
As shown in FIG. 14 (a), product value = SW1 and the product value SW1 and the weight coefficient W 11 between the area ratio occupied by the quartz portion calculated area ratio, occupied area ratio and the halftone area quartz portion occupied product value between the total value SW2 and the weight coefficient W 12 and the product value = SW2 · t · cosφ, product value between the area ratio of the halftone portion occupied SW3 and the weight coefficient W 22 of product value of the area ratio = SW3 · a t 2.

次に、トータル和計算工程として、計算部の一例であるトータル和計算回路356は、クォーツ部が占める面積比同士の積値SW1と重み係数W11との積値と、前記クォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比との積値の合計値SW2と重み係数W12との積値と、ハーフトーン部が占める面積比同士の積値SW3と重み係数W22との積値との和を計算する。
図14(b)に示すように、トータル和=SW1+SW2・t・cosφ+SW3・tとなる。
Area Next, a total sum calculation step, the total sum calculation circuit 356 which is an example of a calculation unit, and the product value of the product value SW1 and the weight coefficient W 11 between the area ratio of quartz portion occupied, that the quartz portion is occupied and product value of the sum SW2 and the weight coefficient W 12 of product value of the area ratio occupied by the specific halftone portion, and a product value SW3 between area ratio halftone portion occupied and product value of the weight coefficient W 22 Calculate the sum of
As shown in FIG. 14 (b), the total sum = SW1 + SW2 · t · cosφ + SW3 · t 2.

そして、画素X1に対して、かかる面積比計算工程と重み付け計算工程とトータル和計算工程とを近傍領域に位置するすべての画素について行い、最後にトータル和計算回路356がその総和を計算する。ここで、近傍領域となる円内に位置する画素に対し、点対称に位置する2画素について1度に計算するため、近傍領域となる円内に位置する画素数の半分の計算回数で終了することができる。   Then, the area ratio calculation process, the weighting calculation process, and the total sum calculation process are performed on the pixels X1 for all the pixels located in the vicinity region, and finally the total sum calculation circuit 356 calculates the sum. Here, since the calculation is performed once for two pixels located in a point symmetry with respect to the pixels located in the circle serving as the neighboring region, the calculation is completed in half the number of pixels located in the circle serving as the neighboring region. be able to.

S120において、コンボリューション工程として、コンボリューション回路360は、画素X1に対して行なわれた相関計算の結果に点応答関数h(x)を畳み込み積分(コンボリューション)することにより、第一層目の描画データAと第二層目の描画データBとの2層データを合成した場合の画素X1の階調値を演算する。   In S120, as a convolution process, the convolution circuit 360 convolves the point response function h (x) with the result of the correlation calculation performed on the pixel X1, thereby obtaining the first layer. A gradation value of the pixel X1 when the two-layer data of the drawing data A and the second-layer drawing data B is synthesized is calculated.

図15は、コンボリューションを行なう式を示す図である。
図15では、中心画素からΔ離れた点対称となる2画素の組合わせを近傍領域全体について計算する式を示している。Γ(x)の変数xは検査波長λ、照明レンズの開口数NA、画素サイズSPとしてλ/(NA・SP)で正規化されている。Γ関数としては例えば一次ベッセル関数J1(x)/xで表わされるものである。g1は、クォーツ部が占める面積比に関する関数、g2は、ハーフトーン部が占める面積比に関する関数、E1は、重み係数W11、E2は、重み係数W12、E3は、重み係数W22を示している。そして、近傍領域全体について計算した合計値に点応答関数h(x)を畳み込み積分(コンボリューション)して画素X1の階調値Gを演算する。図15では、近傍領域内の2画素すべてについて面積比計算工程をおこなった値をまず総和し、その後に重み付け計算工程を行なう式となっているが、上述した各2画素の面積比計算工程に重み付け計算をおこなった値を総和しても結果は同じなので、どちらでも構わない。
FIG. 15 is a diagram illustrating an expression for performing convolution.
FIG. 15 shows an equation for calculating the combination of two pixels that are point-symmetric with respect to the center pixel by Δ from the entire neighboring region. The variable x of Γ (x) is normalized by λ / (NA · SP) as the inspection wavelength λ, the numerical aperture NA of the illumination lens, and the pixel size SP. For example, the Γ function is represented by a primary Bessel function J1 (x) / x. g1 is a function related to the area ratio occupied by the quartz part, g2 is a function related to the area ratio occupied by the halftone part, E1 is a weighting factor W 11 , E2 is a weighting factor W 12 , and E3 is a weighting factor W 22 ing. Then, the tone value G of the pixel X1 is calculated by convolving the point response function h (x) with the total value calculated for the entire neighboring region. In FIG. 15, the values obtained by performing the area ratio calculation process for all two pixels in the vicinity region are first summed, and then the weighting calculation process is performed. Since the result is the same even if the values subjected to the weighting calculation are summed, it does not matter.

注目画素と点対称となる2画素を用いて計算を行なうことで、その中心位置となる注目画素の値の精度を向上させることができる。そして、注目画素に対し、影響を与える近傍領域内に位置する全画素について、同様に計算をすることにより、すべての画素の影響を考慮した高精度な値を得ることができる。   By performing the calculation using two pixels that are point-symmetric with the target pixel, it is possible to improve the accuracy of the value of the target pixel at the center position. Then, by calculating in the same manner for all the pixels located in the neighboring area that affects the target pixel, it is possible to obtain a highly accurate value in consideration of the influence of all the pixels.

そして、第一層目の描画データAと第二層目の描画データBとを合成した場合のすべての画素について、各画素ごとに以上説明したS116からS120の各工程を行なうことで、第一層目の描画データAと第二層目の描画データBとの2層データを合成した参照画像を生成する。   Then, with respect to all the pixels when the first layer drawing data A and the second layer drawing data B are combined, the steps S116 to S120 described above are performed for each pixel, whereby the first step is performed. A reference image is generated by synthesizing two-layer data of the drawing data A for the layer and the drawing data B for the second layer.

図16は、フルトライトーンマスクの別の工程断面図である。
フォトマスク101の一例であるフルトライトーンマスクの図5とは異なる別の描画方法を以下に説明する。まず、図16(a)に示すように、マスクブランクスは、空気側からクロム層であるCr膜206、ハーフトーン層であるハーフトーン膜204、クォーツ層となるガラス基板202の三層構造を成しているとする。
FIG. 16 is another process cross-sectional view of the full tritone mask.
Another drawing method different from FIG. 5 of the full tritone mask which is an example of the photomask 101 will be described below. First, as shown in FIG. 16A, the mask blank has a three-layer structure of a chromium film 206 as a chromium layer, a halftone film 204 as a halftone layer, and a glass substrate 202 as a quartz layer from the air side. Suppose you are.

図16(b)に示すように、第一層目の描画データA’を用いて描画することにより形成されたレジストパタンをマスキングとして、クロム層をエッチングする。   As shown in FIG. 16B, the chromium layer is etched using the resist pattern formed by drawing using the drawing data A 'for the first layer as a mask.

次に、図16(c)に示すように、第二層目の描画データB’を用いて描画することにより形成されたレジストパタンをマスキングとしてハーフトーン層のみのエッチングを行う。以上の工程により、クロム層、ハーフトーン層、クォーツ層の三層からなるフルトライトーンマスクを製造することができる。   Next, as shown in FIG. 16C, only the halftone layer is etched using the resist pattern formed by drawing using the drawing data B 'of the second layer as a mask. Through the above steps, a full tritone mask composed of three layers of a chromium layer, a halftone layer, and a quartz layer can be manufactured.

図17は、画素X1’におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。
図17(a)の左図は、図17(c)に示す画素X1’の領域を切り取った断面図である。そして、図17(a)の右図は、画素X1’の領域の上面図である。画素X1’の領域は、クォーツ部、ハーフトーン部、クロム部の三層が混在した領域となる。
FIG. 17 is a diagram for explaining Qz / HT / Cr region extraction in the pixel X1 ′.
The left figure of Fig.17 (a) is sectional drawing which cut out the area | region of pixel X1 'shown in FIG.17 (c). And the right figure of Fig.17 (a) is a top view of the area | region of pixel X1 '. The region of the pixel X1 ′ is a region in which three layers of a quartz portion, a halftone portion, and a chrome portion are mixed.

かかる領域において、クォーツ部が占める面積比は、第二層目の描画データB’のパターンでエッチングされる領域割合で示すことができる。図17(b)では、B’と示している。すなわち、第二層目の描画データB’のパターンでは、第一層目の描画データA’のパターンでCr膜206エッチングされ、露出したハーフトーン膜204をエッチングするので、第二層目の描画データB’のパターンでエッチングされた領域は、必ずクォーツ部となる。   In such a region, the area ratio occupied by the quartz portion can be represented by a region ratio etched by the pattern of the drawing data B ′ of the second layer. In FIG. 17B, this is indicated as B '. That is, in the pattern of the drawing data B ′ of the second layer, the Cr film 206 is etched by the pattern of the drawing data A ′ of the first layer, and the exposed halftone film 204 is etched. A region etched with the pattern of data B ′ is always a quartz portion.

そして、ハーフトーン部が占める面積比は、第一層目の描画データA’のパターンでエッチングされる領域割合から第二層目の描画データB’のパターンでエッチングされる領域割合を引いた差分で示すことができる。図17(b)では、「A’−B’」と示している。すなわち、第一層目の描画データA’のパターンでCr膜206エッチングされ、露出したハーフトーン膜204のうち、第二層目の描画データB’のパターンでエッチングされずに残った領域がハーフトーン部となる。   The area ratio occupied by the halftone portion is a difference obtained by subtracting the area ratio etched with the pattern of the drawing data B ′ of the second layer from the area ratio etched with the pattern of the drawing data A ′ of the first layer. Can be shown. In FIG. 17B, “A′-B ′” is shown. That is, the Cr film 206 is etched with the pattern of the drawing data A ′ of the first layer, and the remaining halftone film 204 in the pattern of the drawing data B ′ of the second layer is left unetched. Tone part.

そして、クロム部が占める面積比は、クォーツ部が占める面積比とハーフトーン部が占める面積比の残りとなる。   The area ratio occupied by the chromium portion is the remainder of the area ratio occupied by the quartz portion and the area ratio occupied by the halftone portion.

ここで、図17(c)に示すように、例えば、1画素を0から255の面積で分割した分解能で考えた場合に、画素X1’が位置する領域に、Cr層形成パターンとなる第一層目の描画データA’のパターン領域割合が200/255、HT層形成パターンとなる第二層目の描画データB’のパターン領域割合が100/255であったとする。かかる場合、図17(d)に示すように、画素X1’におけるクォーツ部、ハーフトーン部、クロム部が占める面積比は、(100/255,100/255,56/255)と抽出することができる。   Here, as shown in FIG. 17C, for example, when the resolution is obtained by dividing one pixel by an area of 0 to 255, the first Cr layer formation pattern is formed in the region where the pixel X1 ′ is located. Assume that the pattern area ratio of the drawing data A ′ of the layer is 200/255, and the pattern area ratio of the drawing data B ′ of the second layer that becomes the HT layer formation pattern is 100/255. In this case, as shown in FIG. 17D, the area ratio occupied by the quartz portion, the halftone portion, and the chrome portion in the pixel X1 ′ can be extracted as (100/255, 100/255, 56/255). it can.

以上のように、同じフルトライトーンマスクであっても、多値画領域を抽出する方法を、位相シフトマスクの描画データとマスクプロセスに応じて変えることが望ましい。   As described above, it is desirable to change the method of extracting a multi-valued image area in accordance with the drawing data of the phase shift mask and the mask process even for the same full tritone mask.

以上のように、本実施の形態1によれば、各画素の階調値を演算することができる。その結果、従来できなかった2層データを用いた高精度な参照画像を生成することができる。よって、1層目と2層目の境界位置での比較感度を緩めなくてもダイツーデータベース比較検査における擬似欠陥の発生を減少させることができる。   As described above, according to the first embodiment, the gradation value of each pixel can be calculated. As a result, it is possible to generate a highly accurate reference image using two-layer data that has not been possible in the past. Therefore, the generation of pseudo defects in the die-to-database comparison inspection can be reduced without reducing the comparison sensitivity at the boundary position between the first layer and the second layer.

実施の形態2.
実施の形態2では、多層マスクの一例として、透過層となるガラス基板面(Qz:クォーツ)に位相シフト層となる掘り込みシフターと遮光膜層となるクロム(Cr)膜を形成したレベンソンマスクのダイツーデータベース比較検査のための参照画像を生成する方法のアルゴリズムについて説明する。装置構成は、実施の形態1と同様で構わないため、説明を省略する。
Embodiment 2. FIG.
In the second embodiment, as an example of a multilayer mask, a Levenson mask in which a digging shifter serving as a phase shift layer and a chromium (Cr) film serving as a light shielding film layer are formed on a glass substrate surface (Qz: quartz) serving as a transmission layer. An algorithm of a method for generating a reference image for die-to-database comparison inspection will be described. Since the apparatus configuration may be the same as that of the first embodiment, description thereof is omitted.

図18は、レベンソンマスクの工程断面図である。
フォトマスク101の一例であるレベンソンマスクの一般的な描画方法を以下に説明する。まず、図18(a)に示すように、マスクブランクスは、空気側からクロム層であるCr膜206、クォーツ層となるガラス基板202の二層構造を成しているとする。
図18(b)に示すように、まず、第一層目の描画データAにより描画することにより形成されたレジストパタンを用いて、まずクロム層のエッチングを行う。次に、図18(c)に示すように、第二層目の描画データBにより描画することにより形成されたレジストパタンを用いて掘り込み層のエッチングを行ないシフターを形成する。
FIG. 18 is a process sectional view of a Levenson mask.
A general drawing method of a Levenson mask that is an example of the photomask 101 will be described below. First, as shown in FIG. 18A, it is assumed that the mask blank has a two-layer structure of a Cr film 206 as a chromium layer and a glass substrate 202 as a quartz layer from the air side.
As shown in FIG. 18B, first, the chromium layer is first etched using a resist pattern formed by drawing with the drawing data A of the first layer. Next, as shown in FIG. 18C, the digging layer is etched using the resist pattern formed by drawing with the drawing data B of the second layer to form a shifter.

ここで、レベンソンマスクでは、二層目のパタンエッジはクロム層の内部に掛かっているので、二層目の重ね合わせ誤差を考慮する必要がない。よって、S114におけるシフト処理工程は、通常、不要とすることができる。   Here, in the Levenson mask, the pattern edge of the second layer is applied to the inside of the chrome layer, so it is not necessary to consider the overlay error of the second layer. Therefore, the shift process step in S114 can be usually unnecessary.

図19は、画素Y1におけるQz/シフター/Cr領域抽出について説明するための図である。
図19(a)の左図は、図18(c)に示す画素Y1の領域を切り取った断面図である。そして、図19(a)の右図は、画素Y1の領域の上面図である。画素Y1の領域は、クォーツ部、シフター部、クロム部の三層のうち、シフター部とクロム部が混在した領域となる。
FIG. 19 is a diagram for explaining Qz / shifter / Cr region extraction in the pixel Y1.
The left figure of Fig.19 (a) is sectional drawing which cut out the area | region of the pixel Y1 shown in FIG.18 (c). And the right figure of Fig.19 (a) is a top view of the area | region of the pixel Y1. The region of the pixel Y1 is a region where the shifter portion and the chrome portion are mixed among the three layers of the quartz portion, the shifter portion, and the chrome portion.

かかる領域において、クォーツ部が占める面積比は、第一層目の描画データAのパターンでエッチングされる領域割合から第二層目の描画データBのパターンでエッチングされる領域割合を引いた差分で示すことができる。ここでは、差分値が負になった場合には、面積比は割合値「0」となる。図19(b)では、(A−B,0)と示している。すなわち、第一層目の描画データAのパターンでは、Cr膜206のみをエッチングする。そして、第二層目の描画データBのパターンでは、露出したクォーツ部の一部に対して掘り込みシフターを形成する。よって、クォーツ部が占める面積比は第一層目の描画データAのパターン領域割合から第二層目の描画データBのパターン領域割合を引いた差分で示すことができる。ここで、掘り込み部分のエッチング残しを防止するためにも、第二層目の描画データBのパターンでは、Cr膜206領域もそのパターンに含んでいる方が望ましい。よって、画素単位でみれば、A−Bが負になることもあるので、その場合には、「0」となる。   In such a region, the area ratio occupied by the quartz portion is a difference obtained by subtracting the region ratio etched with the pattern of the drawing data B of the second layer from the region ratio etched with the pattern of the drawing data A of the first layer. Can show. Here, when the difference value becomes negative, the area ratio becomes the ratio value “0”. In FIG. 19B, (AB, 0) is shown. That is, in the pattern of the drawing data A of the first layer, only the Cr film 206 is etched. Then, in the pattern of the drawing data B in the second layer, a digging shifter is formed for a part of the exposed quartz portion. Therefore, the area ratio occupied by the quartz portion can be represented by a difference obtained by subtracting the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer from the pattern area ratio of the drawing data A of the first layer. Here, in order to prevent unetched portions from being left behind, it is desirable that the pattern of the drawing data B in the second layer also includes the Cr film 206 region. Therefore, when viewed in pixel units, AB may be negative. In this case, “0” is obtained.

そして、Cr部が占める面積比は、値「1」から第一層目の描画データAのパターン領域割合を引いた差分で示すことができる。図19(b)では、「1−A」と示している。すなわち、第一層目の描画データAのパターンで、Cr膜206をエッチングし、シフター部は、露出したクォーツ部の一部で形成されるので、第一層目の描画データAのパターンで、エッチングされなかった領域がCr部となる。   The area ratio occupied by the Cr portion can be represented by a difference obtained by subtracting the pattern area ratio of the drawing data A of the first layer from the value “1”. In FIG. 19B, “1-A” is shown. That is, the Cr film 206 is etched with the pattern of the drawing data A of the first layer, and the shifter part is formed by a part of the exposed quartz part. The region that has not been etched becomes the Cr portion.

そして、シフター部が占める面積比は、クォーツ部が占める面積比とCr部が占める面積比の残りとなる。   The area ratio occupied by the shifter portion is the remainder of the area ratio occupied by the quartz portion and the area ratio occupied by the Cr portion.

ここで、図19(c)に示すように、例えば、1画素を0から255の面積で分割した分解能で考えた場合に、画素Y1が位置する領域に、Cr層形成パターンとなる第一層目の描画データAのパターン領域割合が100/255、シフター層形成パターンとなる第二層目の描画データBのパターン領域割合が255/255であったとする。かかる場合、図19(d)に示すように、画素Y1におけるクォーツ部、シフター部、クロム部が占める面積比は、(0/255,100/255,156/255)と抽出することができる。   Here, as shown in FIG. 19C, for example, when the resolution is obtained by dividing one pixel by an area of 0 to 255, the first layer that becomes the Cr layer formation pattern in the region where the pixel Y1 is located. Assume that the pattern area ratio of the eye drawing data A is 100/255, and the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer to be the shifter layer formation pattern is 255/255. In this case, as shown in FIG. 19D, the area ratio occupied by the quartz portion, the shifter portion, and the chrome portion in the pixel Y1 can be extracted as (0/255, 100/255, 156/255).

図20は、画素Y2におけるQz/シフター/Cr領域抽出について説明するための図である。
図20(a)の左図は、図18(c)に示す画素Y2の領域を切り取った断面図である。そして、図20(a)の右図は、画素Y2の領域の上面図である。画素Y2の領域は、クォーツ部、シフター部、クロム部の三層のうち、クロム部が全面に占めた領域となる。
FIG. 20 is a diagram for explaining Qz / shifter / Cr region extraction in the pixel Y2.
The left figure of Fig.20 (a) is sectional drawing which cut out the area | region of the pixel Y2 shown in FIG.18 (c). And the right figure of Fig.20 (a) is a top view of the area | region of the pixel Y2. The region of the pixel Y2 is a region where the chrome portion occupies the entire surface among the three layers of the quartz portion, the shifter portion, and the chrome portion.

かかる領域において、クォーツ部が占める面積比は、図20(b)にて「A−B、0」と示す第一層目の描画データAのパターン領域割合から第二層目の描画データBのパターン領域割合を引いた差分、Cr部が占める面積比は、図20(b)にて「1−A」と示す値「1」から第一層目の描画データAのパターン領域割合を引いた差分、シフター部が占める面積比は、図20(b)にて「残り」と示すクォーツ部が占める面積比とCr部が占める面積比の残りで示すことができる。   In such a region, the area ratio occupied by the quartz portion is that of the drawing data B of the second layer from the pattern region ratio of the drawing data A of the first layer indicated as “AB, 0” in FIG. The difference obtained by subtracting the pattern area ratio and the area ratio occupied by the Cr portion are obtained by subtracting the pattern area ratio of the drawing data A of the first layer from the value “1” indicated as “1-A” in FIG. The difference and the area ratio occupied by the shifter part can be represented by the area ratio occupied by the quartz part indicated as “remaining” in FIG. 20B and the remainder of the area ratio occupied by the Cr part.

ここで、図20(c)に示すように、例えば、1画素を0から255の面積で分割した分解能で考えた場合に、画素Y2が位置する領域に、Cr層形成パターンとなる第一層目の描画データAのパターン領域割合が0/255、シフター層形成パターンとなる第二層目の描画データBのパターン領域割合が10/255であったとする。かかる場合、図20(d)に示すように、画素Y2におけるクォーツ部、シフター部、クロム部が占める面積比は、(0/255,0/255,255/255)と抽出することができる。   Here, as shown in FIG. 20C, for example, when the resolution is obtained by dividing one pixel by an area of 0 to 255, the first layer that becomes the Cr layer formation pattern in the region where the pixel Y2 is located. Assume that the pattern area ratio of the eye drawing data A is 0/255, and the pattern area ratio of the second layer drawing data B to be the shifter layer formation pattern is 10/255. In this case, as shown in FIG. 20D, the area ratio occupied by the quartz portion, the shifter portion, and the chrome portion in the pixel Y2 can be extracted as (0/255, 0/255, 255/255).

図21は、画素Y3におけるQz/シフター/Cr領域抽出について説明するための図である。
図21(a)の左図は、図18(c)に示す画素Y3の領域を切り取った断面図である。そして、図21(a)の右図は、画素Y3の領域の上面図である。画素Y3の領域は、クォーツ部、シフター部、クロム部の三層のうち、クォーツ部が全面に占めた領域となる。
FIG. 21 is a diagram for explaining Qz / shifter / Cr region extraction in the pixel Y3.
The left figure of Fig.21 (a) is sectional drawing which cut out the area | region of the pixel Y3 shown in FIG.18 (c). And the right figure of Fig.21 (a) is a top view of the area | region of the pixel Y3. The region of the pixel Y3 is a region where the quartz portion occupies the entire surface among the three layers of the quartz portion, the shifter portion, and the chrome portion.

かかる領域において、クォーツ部が占める面積比は、図21(b)にて「A−B、0」と示す第一層目の描画データAのパターン領域割合から第二層目の描画データBのパターン領域割合を引いた差分、Cr部が占める面積比は、図21(b)にて「1−A」と示す値「1」から第一層目の描画データAのパターン領域割合を引いた差分、シフター部が占める面積比は、図21(b)にて「残り」と示すクォーツ部が占める面積比とCr部が占める面積比の残りで示すことができる。   In such a region, the area ratio occupied by the quartz portion is that of the drawing data B of the second layer from the pattern region ratio of the drawing data A of the first layer indicated as “AB, 0” in FIG. The difference obtained by subtracting the pattern area ratio and the area ratio occupied by the Cr portion are obtained by subtracting the pattern area ratio of the drawing data A of the first layer from the value “1” indicated by “1-A” in FIG. The difference and the area ratio occupied by the shifter part can be shown by the area ratio occupied by the quartz part shown as “remaining” in FIG. 21B and the remainder of the area ratio occupied by the Cr part.

ここで、図21(c)に示すように、例えば、1画素を0から255の面積で分割した分解能で考えた場合に、画素X3が位置する領域に、Cr層形成パターンとなる第一層目の描画データAのパターン領域割合が255/255、シフター層形成パターンとなる第二層目の描画データBのパターン領域割合が0/255であったとする。かかる場合、図21(d)に示すように、画素Y3におけるクォーツ部、シフター部、クロム部が占める面積比は、(255/255,0/255,0/255)と抽出することができる。   Here, as shown in FIG. 21C, for example, when the resolution is obtained by dividing one pixel by an area of 0 to 255, the first layer that becomes the Cr layer formation pattern in the region where the pixel X3 is located. Assume that the pattern area ratio of the eye drawing data A is 255/255, and the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer, which is the shifter layer formation pattern, is 0/255. In such a case, as shown in FIG. 21 (d), the area ratio occupied by the quartz portion, shifter portion, and chrome portion in the pixel Y3 can be extracted as (255/255, 0/255, 0/255).

図22は、画素Y4におけるQz/シフター/Cr領域抽出について説明するための図である。
図22(a)の左図は、図18(c)に示す画素Y4の領域を切り取った断面図である。そして、図22(a)の右図は、画素Y4の領域の上面図である。画素Y4の領域は、クォーツ部、シフター部、クロム部の三層のうち、シフター部が全面に占めた領域となる。
FIG. 22 is a diagram for explaining Qz / shifter / Cr region extraction in the pixel Y4.
The left figure of Fig.22 (a) is sectional drawing which cut out the area | region of pixel Y4 shown in FIG.18 (c). And the right figure of Fig.22 (a) is a top view of the area | region of the pixel Y4. The region of the pixel Y4 is a region where the shifter portion occupies the entire surface among the three layers of the quartz portion, the shifter portion, and the chrome portion.

かかる領域において、クォーツ部が占める面積比は、図22(b)にて「A−B、0」と示す第一層目の描画データAのパターン領域割合から第二層目の描画データBのパターン領域割合を引いた差分、Cr部が占める面積比は、図22(b)にて「1−A」と示す値「1」から第一層目の描画データAのパターン領域割合を引いた差分、シフター部が占める面積比は、図22(b)にて「残り」と示すクォーツ部が占める面積比とCr部が占める面積比の残りで示すことができる。   In such a region, the ratio of the area occupied by the quartz portion is that of the drawing data B of the second layer from the pattern region ratio of the drawing data A of the first layer indicated as “AB, 0” in FIG. The difference obtained by subtracting the pattern area ratio and the area ratio occupied by the Cr portion are obtained by subtracting the pattern area ratio of the drawing data A of the first layer from the value “1” indicated by “1-A” in FIG. The difference and the area ratio occupied by the shifter part can be shown by the area ratio occupied by the quartz part shown as “remaining” in FIG. 22B and the remainder of the area ratio occupied by the Cr part.

ここで、図22(c)に示すように、例えば、1画素を0から255の面積で分割した分解能で考えた場合に、画素X4が位置する領域に、Cr層形成パターンとなる第一層目の描画データAのパターン領域割合が255/255、シフター層形成パターンとなる第二層目の描画データBのパターン領域割合が225/255であったとする。かかる場合、図9(d)に示すように、画素Y4におけるクォーツ部、シフター部、クロム部が占める面積比は、(0/255,255/255,0/255)と抽出することができる。   Here, as shown in FIG. 22C, for example, when the resolution is obtained by dividing one pixel by an area of 0 to 255, the first layer that becomes the Cr layer formation pattern in the region where the pixel X4 is located. It is assumed that the pattern area ratio of the eye drawing data A is 255/255, and the pattern area ratio of the drawing data B of the second layer to be the shifter layer formation pattern is 225/255. In this case, as shown in FIG. 9D, the area ratio occupied by the quartz portion, the shifter portion, and the chrome portion in the pixel Y4 can be extracted as (0/255, 255/255, 0/255).

以上のようなアルゴリズムにより、図18において説明したマスク描画プロセスにおけるQz/シフター/Cr領域を抽出することができる。   With the algorithm as described above, the Qz / shifter / Cr region in the mask drawing process described in FIG. 18 can be extracted.

そして、S118における相関計算工程として、相関計算部の一例となる相関計算回路350は、面積比が抽出された前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる2画素の面積比を用いて、前記各画素に対する相関計算を行なう。ここでは、注目点の画素Y1に対し、点対称の位置にあたる画素P’と画素Q’の面積比を用いて相関計算を行なう。   Then, as a correlation calculation step in S118, the correlation calculation circuit 350, which is an example of a correlation calculation unit, uses the area ratio of two pixels that are in point symmetry with the respective pixels from which the area ratio is extracted. Perform a correlation calculation for. Here, correlation calculation is performed using the area ratio of the pixel P ′ and the pixel Q ′ that are in a point-symmetrical position with respect to the target pixel Y <b> 1.

以下、実施の形態1と異なる点は、重み係数が異なる。
図23は、画素P’と画素Q’についての重み付けマトリクスを示す図である。
図23(a)に示すように、画素P’と画素Q’とにおける各領域同士の組合わせは、9通りとなる。そして、それぞれの組合わせに対する重み係数W11〜W33を定める。重み係数は、図23(a)に示すように、W11=1.0,W12=W21=t・cosφ,W22=t,W13=W23=W31=W32=W33=0で定めることができる。ここで、tは、振幅透過率、φは、位相である。クロム部が占める領域は、遮光領域となるため、クロム部が占める面積比と関係する領域の重み係数は、すべて「0」とする。また、ここでの振幅透過率tは、1より小さいながらもほぼ1に近い値で構わない。
Hereinafter, the weighting coefficient is different from the first embodiment.
FIG. 23 is a diagram illustrating a weighting matrix for the pixel P ′ and the pixel Q ′.
As shown in FIG. 23A, there are nine combinations of the regions in the pixel P ′ and the pixel Q ′. Then, weighting factors W 11 to W 33 for each combination are determined. As shown in FIG. 23 (a), the weighting coefficients are W 11 = 1.0, W 12 = W 21 = t · cos φ, W 22 = t 2 , W 13 = W 23 = W 31 = W 32 = W 33 = 0. Here, t is the amplitude transmittance, and φ is the phase. Since the area occupied by the chrome part is a light shielding area, all the weighting factors of the area related to the area ratio occupied by the chrome part are set to “0”. The amplitude transmittance t here may be a value close to 1 although it is smaller than 1.

その他、実施の形態1と同様の各工程を実施する。   In addition, each process similar to Embodiment 1 is implemented.

以上のように、本実施の形態2によれば、レベンソンマスクにおける各画素の階調値を演算することができる。その結果、従来できなかった2層データを用いた高精度な参照画像を生成することができる。よって、1層目と2層目の境界位置での比較感度を緩めなくてもダイツーデータベース比較検査における擬似欠陥の発生を減少させることができる。   As described above, according to the second embodiment, the gradation value of each pixel in the Levenson mask can be calculated. As a result, it is possible to generate a highly accurate reference image using two-layer data that has not been possible in the past. Therefore, the generation of pseudo defects in the die-to-database comparison inspection can be reduced without reducing the comparison sensitivity at the boundary position between the first layer and the second layer.

上述した本実施の形態によれは、トライトーン、クロムレスおよびレベンソンマスクなどの多層の位相シフトマスクの透過像または反射像と一致した参照画を簡便なモデルで生成することができる。描画プロセスに起因するリサイズ、コーナー丸め、重ね合わせの補正を描画データ毎におこなうことができる。   According to the above-described embodiment, a reference image that matches a transmission image or a reflection image of a multilayer phase shift mask such as a tritone, chromeless, and Levenson mask can be generated with a simple model. Resizing, corner rounding, and overlay correction due to the drawing process can be performed for each drawing data.

以上の説明において、「〜回路」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、FD、或いはROM(リードオンリメモリ)等の記録媒体に記録される。   In the above description, what is described as “˜circuit” or “˜process” can be configured by a computer-operable program. Or you may make it implement by not only the program used as software but the combination of hardware and software. Alternatively, a combination with firmware may be used. When configured by a program, the program is recorded on a recording medium such as a magnetic disk device, a magnetic tape device, an FD, or a ROM (Read Only Memory).

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。   The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples.

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。   In addition, although descriptions are omitted for parts and the like that are not directly required for the description of the present invention, such as a device configuration and a control method, a required device configuration and a control method can be appropriately selected and used.

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての画像生成装置、画像生成方法、及び試料検査装置は、本発明の範囲に包含される。   In addition, all image generation apparatuses, image generation methods, and sample inspection apparatuses that include elements of the present invention and that can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.

実施の形態1における参照画像生成方法の各工程の要部を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a main part of each step of the reference image generation method according to the first embodiment. 実施の形態1における試料検査装置の構成を示す概念図である。1 is a conceptual diagram showing a configuration of a sample inspection apparatus in Embodiment 1. FIG. 光学画像の取得手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the acquisition procedure of an optical image. 参照回路の内部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the internal structure of a reference circuit. フルトライトーンマスクの工程断面図である。It is process sectional drawing of a full tritone mask. 画素X1におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。It is a figure for demonstrating Qz / HT / Cr area | region extraction in the pixel X1. 画素X2におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。It is a figure for demonstrating Qz / HT / Cr area | region extraction in the pixel X2. 画素X3におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。It is a figure for demonstrating Qz / HT / Cr area | region extraction in the pixel X3. 画素X4におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。It is a figure for demonstrating Qz / HT / Cr area | region extraction in the pixel X4. 注目点と相関計算を行なう領域と点対称の位置にあたる2画素とを示す図である。It is a figure which shows an attention point, the area | region which performs correlation calculation, and two pixels which are a point symmetrical position. 画素Pと画素Qの面積比を示す図である。It is a figure which shows the area ratio of the pixel P and the pixel Q. 画素Pと画素Qについての面積比計算を行なう式を示す図である。It is a figure which shows the type | formula which performs area ratio calculation about the pixel P and the pixel Q. FIG. 画素Pと画素Qについての重み付けマトリクスを示す図である。It is a figure which shows the weighting matrix about the pixel P and the pixel Q. 画素Pと画素Qについての重み付け計算とトータル和計算とを行なう式を示す図である。It is a figure which shows the type | formula which performs the weighting calculation about pixel P and pixel Q, and total sum calculation. コンボリューションを行なう式を示す図である。It is a figure which shows the type | formula which performs convolution. フルトライトーンマスクの別の工程断面図である。It is another process sectional drawing of a full tritone mask. 画素X1’におけるQz/HT/Cr領域抽出について説明するための図である。It is a figure for demonstrating Qz / HT / Cr area | region extraction in pixel X1 '. レベンソンマスクの工程断面図である。It is process sectional drawing of a Levenson mask. 画素Y1におけるQz/シフター/Cr領域抽出について説明するための図である。It is a figure for demonstrating Qz / shifter / Cr area | region extraction in the pixel Y1. 画素Y2におけるQz/シフター/Cr領域抽出について説明するための図である。It is a figure for demonstrating Qz / shifter / Cr area | region extraction in the pixel Y2. 画素Y3におけるQz/シフター/Cr領域抽出について説明するための図である。It is a figure for demonstrating Qz / shifter / Cr area | region extraction in the pixel Y3. 画素Y4におけるQz/シフター/Cr領域抽出について説明するための図である。It is a figure for demonstrating Qz / shifter / Cr area | region extraction in the pixel Y4. 画素P’と画素Q’についての重み付けマトリクスを示す図である。It is a figure which shows the weighting matrix about pixel P 'and pixel Q'.

符号の説明Explanation of symbols

100 試料検査装置
101 フォトマスク
102 XYθテーブル
103 光源
104 拡大光学系
105 フォトダイオードアレイ
106 センサ回路
107 位置回路
108 比較回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
112 参照回路
115 磁気テープ装置
202 ガラス基板
204 ハーフトーン膜
206 Cr膜
208 シフター
312,314 リサイズ回路
322,324 コーナー丸め回路
330 シフト処理回路
340 Qz/HT/Cr領域抽出回路
350 相関計算回路
360 コンボリューション回路
352 面積比計算回路
354 重み付け計算回路
356 トータル和計算回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Sample inspection apparatus 101 Photomask 102 XY (theta) table 103 Light source 104 Magnification optical system 105 Photodiode array 106 Sensor circuit 107 Position circuit 108 Comparison circuit 109 Magnetic disk apparatus 110 Control computer 112 Reference circuit 115 Magnetic tape apparatus 202 Glass substrate 204 Halftone film 206 Cr film 208 Shifter 312, 314 Resizing circuit 322, 324 Corner rounding circuit 330 Shift processing circuit 340 Qz / HT / Cr region extraction circuit 350 Correlation calculation circuit 360 Convolution circuit 352 Area ratio calculation circuit 354 Weight calculation circuit 356 Total sum calculation circuit

Claims (3)

基体に第1と第2のパターン層を形成する第1と第2の多値画像を入力し、入力された第1と第2の多値画像を合成した場合に、各画素ごとに、前記基体の層と前記第1のパターン層と第2のパターン層とが占める面積比を抽出する抽出部と、
面積比が抽出された前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる2画素の前記面積比を用いて、前記各画素に対する相関計算を行なう相関計算部と、
前記各画素に対して行なわれた相関計算の結果にそれぞれ点応答関数を畳み込み積分することにより前記各画素の階調値を演算し、第1と第2の多値画像を合成した画像を生成する畳み込み積分部と、
を備え
前記相関計算部は、前記各画素を中心とする所定の領域内に位置する、前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる全ての2画素について、
前記基体の層が占める面積比同士の積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値とを計算する第1の計算部と、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値とを計算する第2の計算部と、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値との和を計算する第3の計算部と、
を有することを特徴とする画像生成装置。
When the first and second multi-value images forming the first and second pattern layers are input to the substrate and the input first and second multi-value images are combined, An extraction unit for extracting an area ratio occupied by the base layer, the first pattern layer, and the second pattern layer;
A correlation calculation unit that performs a correlation calculation for each pixel using the area ratio of two pixels that are respectively point-symmetric with each pixel from which the area ratio is extracted;
A point response function is convolved and integrated with the result of the correlation calculation performed on each pixel to calculate the gradation value of each pixel, and an image obtained by combining the first and second multi-valued images is generated. A convolution integrator to
Equipped with a,
The correlation calculation unit is located in a predetermined region centered on each pixel, and all the two pixels that are point-symmetric with each pixel are
The product of the area ratios occupied by the base layer, the total value of the product of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer, and the first pattern layer A first calculation unit for calculating a product value of the area ratios;
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A second calculation unit that calculates a product value of the total value of the first and second weighting factors, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer, and a product value of the third weighting factor;
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A third calculation unit for calculating a sum of a product value of the total value of the first and second weighting factors, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer, and a product value of the third weighting factor When,
An image generation apparatus comprising:
基体に第1と第2のパターン層を形成する第1と第2の多値画像を入力する入力工程と、
入力された第1と第2の多値画像を合成した場合に、各画素ごとに、前記基体の層と前記第1のパターン層と第2のパターン層とが占める面積比を抽出する抽出工程と、
面積比が抽出された前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる2画素の前記面積比を用いて、前記各画素に対する相関計算を行なう相関計算工程と、
前記各画素に対して行なわれた相関計算の結果にそれぞれ点応答関数を畳み込み積分することにより前記各画素の階調値を演算し、第1と第2の多値画像を合成した画像を生成する畳み込み積分工程と、
を備え
前記相関計算工程において、前記各画素を中心とする所定の領域内に位置する、前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる全ての2画素について、
前記基体の層が占める面積比同士の積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値とを計算し、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値とを計算し、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値との和を計算することを特徴とする画像生成方法。
An input step of inputting the first and second multi-value images for forming the first and second pattern layers on the substrate;
An extraction step of extracting an area ratio occupied by the base layer, the first pattern layer, and the second pattern layer for each pixel when the input first and second multi-value images are combined. When,
A correlation calculation step of performing a correlation calculation for each of the pixels using the area ratio of the two pixels that are in point symmetry with the respective pixels from which the area ratio has been extracted;
A point response function is convolved and integrated with the result of the correlation calculation performed on each pixel to calculate the gradation value of each pixel, and an image obtained by combining the first and second multi-valued images is generated. A convolution integration step,
Equipped with a,
In the correlation calculation step, for all two pixels located in a predetermined area centered on each pixel, each corresponding to a point-symmetrical position with each pixel,
The product of the area ratios occupied by the base layer, the total value of the product of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer, and the first pattern layer Calculate the product of the area ratios,
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A product value of the total value of the first and the second weighting factor, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer and a product value of the third weighting factor,
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. The sum of the product value of the total value of the first and the second weighting factor and the product value of the area ratio occupied by the first pattern layer and the product of the third weighting factor is calculated. Image generation method.
基体に第1と第2のパターン層を形成する設計データとなる第1と第2の多値画像を入力し、入力された第1と第2の多値画像を合成した場合に、各画素ごとに、前記基体の層と前記第1のパターン層と第2のパターン層とが占める面積比を抽出する抽出部と、
面積比が抽出された前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる2画素の前記面積比を用いて、前記各画素に対する相関計算を行なう相関計算部と、
前記各画素に対して行なわれた相関計算の結果にそれぞれ点応答関数を畳み込み積分することにより前記各画素の階調値を演算し、第1と第2の多値画像を合成した参照画像を生成する畳み込み積分部と、
前記設計データに基づいて製作された被検査試料の光学画像を取得する光学画像取得部と、
前記被検査試料の光学画像と、前記参照画像との比較を行なう比較部と、
を備え
前記相関計算部は、前記各画素を中心とする所定の領域内に位置する、前記各画素とそれぞれ点対称の位置にあたる全ての2画素について、
前記基体の層が占める面積比同士の積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値とを計算する第1の計算部と、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値とを計算する第2の計算部と、
計算された前記基体の層が占める面積比同士の積値と第1の重み係数との積値と、前記基体の層が占める面積比と前記第1のパターン層が占める面積比との積値の合計値と第2の重み係数との積値と、前記第1のパターン層が占める面積比同士の積値と第3の重み係数との積値との和を計算する第3の計算部と、
を有することを特徴とする試料検査装置。
When the first and second multi-value images as design data for forming the first and second pattern layers on the substrate are input and the input first and second multi-value images are combined, each pixel And an extraction unit for extracting an area ratio occupied by the base layer, the first pattern layer, and the second pattern layer,
A correlation calculation unit that performs a correlation calculation for each pixel using the area ratio of two pixels that are respectively point-symmetric with each pixel from which the area ratio is extracted;
A reference image obtained by combining the first and second multi-valued images by calculating the gradation value of each pixel by convolving and integrating a point response function with the result of the correlation calculation performed on each pixel. A convolution integrator to generate,
An optical image acquisition unit for acquiring an optical image of a sample to be inspected produced based on the design data;
A comparison unit that compares the optical image of the sample to be inspected with the reference image;
Equipped with a,
The correlation calculation unit is located in a predetermined region centered on each pixel, and all the two pixels that are point-symmetric with each pixel are
The product of the area ratios occupied by the base layer, the total value of the product of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer, and the first pattern layer A first calculation unit for calculating a product value of the area ratios;
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A second calculation unit that calculates a product value of the total value of the first and second weighting factors, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer, and a product value of the third weighting factor;
The calculated product value of the area ratio occupied by the base layer and the first weighting factor, and the product value of the area ratio occupied by the base layer and the area ratio occupied by the first pattern layer. A third calculation unit for calculating a sum of a product value of the total value of the first and second weighting factors, a product value of the area ratios occupied by the first pattern layer, and a product value of the third weighting factor When,
Specimen inspection apparatus characterized by having a.
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