JP4152685B2

JP4152685B2 - Electroluminescent device forming substrate

Info

Publication number: JP4152685B2
Application number: JP2002211986A
Authority: JP
Inventors: 範人伊藤; 智之立川
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2002-07-22
Filing date: 2002-07-22
Publication date: 2008-09-17
Anticipated expiration: 2022-07-22
Also published as: JP2004055367A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、保管安定性に優れ、輸送に適したエレクトロルミネッセント（以下、エレクトロルミネッセントをＥＬと略す場合がある。）素子形成用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＬ素子は、対向する電極から注入された正孔および電子が発光部内で結合し、そのエネルギーで発光部中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。その中でも、有機物質を発光材料として用いた有機薄膜ＥＬディスプレイは、印加電圧が１０Ｖ弱であっても高輝度な発光が実現するなど発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示ディスプレイへの応用が期待されている。
【０００３】
このようなＥＬ素子を用いたディスプレイの製造にあっては、第１電極層や有機ＥＬ層のパターニングが通常なされている。このＥＬ素子のパターニング方法としては、発光材料をシャドウマスクを介して蒸着する方法、インクジェットによる塗りわけ方法、紫外線照射により特定の発光色素を破壊する方法、スクリーン印刷法等がある。しかしながら、これらの方法では、発光効率や光の取り出し効率の高さ、製造工程の簡便さや高精細なパターン形成の全てを実現するＥＬ素子を提供することはできなかった。
【０００４】
このような問題点を解決する手段として、発光部をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより形成するＥＬ素子の製造方法が提案されている。この方法によれば、従来行われてきた蒸着によるパターニング法と比較すると、高精度のアライメント機構を備えた真空設備等が不要であることから、比較的容易にかつ安価に製造することができる。一方、インクジェット方式を用いたパターニング法と比較すると、パターニングを補助する構造物や基板に対する前処理等を行うことがない点で好ましく、さらにインクジェットヘッドの吐出精度との関係から、フォトリソグラフィー法による製造方法の方がより高精細なパターンの形成に対しては好ましい方法であるといった利点を有するものであった。
【０００５】
このようなＥＬ素子の製造方法に際しては、製造工程の簡略化のため、例えば、発光層までが既に形成されているＥＬ素子形成用基板等の中間製品が求められる場合がある。
【０００６】
しかしながら、このような中間製品を製品化するにあたっては保管安定性等の面からいくつかの問題点が存在する。というのも、ＥＬ素子の製造途中で製造される中間製品では、水および酸素等に曝されると劣化する発光層等の有機ＥＬ層の保護が充分でない場合が多いからである。従って、ＥＬ素子製造工程の簡略化を実現する中間製品を得るためには、発光層等の保護が課題となっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、保管安定性に優れ、長距離輸送にも耐えうる輸送耐性を保持するＥＬ素子形成用基板を提供することを主目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、基板と、上記基板上にパターン状に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、パターン状に形成された発光部と、上記発光部の直上に形成され、上記発光部の表面および側面を覆うように形成された保護層とを有し、上記保護層が、上記発光部の表面および側面を覆うように形成されたフォトレジスト層を含むことを特徴とするＥＬ素子形成用基板を提供する。
【０００９】
本発明のＥＬ素子形成用基板とは、最終的にＥＬ素子として製造される前の段階で、基板上に例えば発光部までが形成されている基板等を示すものである。以下、このＥＬ素子形成用基板を中間製品という場合がある。このようなＥＬ素子の中間製品は、発光部が、水、酸素および光等の影響に敏感であることから、発光部の保護が不十分な中間製品では、保管安定性に欠け、市場に流通させることは困難であった。そこで、本発明においては、発光部上に保護層が成膜されている状態の中間製品とすることにより、中間製品に保管安定性および輸送耐性を保持させることを可能とした。さらに、保護層を簡易な方法で剥離できるように形成することにより、その後のＥＬ素子の製造に支障をきたすことがなく、良好なＥＬ素子を大幅に簡略された製造方法により製造することが可能となる。
【００１１】
本発明においては、発光部の表面および側面を保護層によって被覆することにより、発光部をより水および酸素等の影響から防護し、保管安全性および輸送に適したＥＬ素子形成用基板とすることができるからである。
【００１２】
上記発明においては、上記保護層は、上記フォトレジスト層、または、上記フォトレジスト層および剥離層からなることが好ましい。
【００１３】
フォトレジスト層は、発光部をフォトリソグラフィー法により形成する際に、パターンを形成するために用いるものであり、これをそのまま保護層として利用することにより、保護層を設けるための特別な工程等を必要とせずに、保管安定性および輸送耐性に優れた中間製品を得ることができるからである。一方、剥離層は、フォトレジスト層等の不要な層を最終的に除去する際、これらの層の剥離を容易にするために設けられる層である。この剥離層をその目的と共に保護層としても利用することにより、中間製品からＥＬ素子を完成させる際の保護層を剥離する工程が容易となり、良好なＥＬ素子を製造することができるからである。
【００１４】
上記発明においては、上記保護層の水蒸気透過率が、０．１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下であり、酸素透過率が、０．１ｃｃ／ｍ^２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００１５】
上記範囲内の水蒸気透過率および酸素透過率を保持する保護層であれば、発光部を水および酸素等の影響から充分に保護することが可能であるからである。
【００１６】
上記発明においては、上記保護層の厚みは、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００１７】
上記範囲内の膜厚を有している保護層であれば、耐水性および耐酸素性に加え強度の面からも発光部を充分に保護することが可能であり、輸送等に際して問題のないＥＬ素子の中間製品とすることができるからである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明のＥＬ素子形成用基板、すなわちＥＬ素子の中間製品は、基板と、前記基板上にパターン状に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された発光部と、前記発光部の表面を覆うように形成された保護層とを有することを特徴とするものである。
【００１９】
通常ＥＬ素子の製造においては、ＥＬ素子を構成する複数の層を煩雑な工程を経て製造する必要がある。これらの工程は、精密で高度な技術を必要とするものであり、このような複雑な手間を有する工程を簡略化する方法として、例えば、発光層等が既に形成されている中間製品を利用してＥＬ素子を製造する方法が考えられる。
【００２０】
本発明においては、このように製造工程の大幅な簡略化を実現する中間製品を提供するに際して、外気に曝されることを嫌う発光層を保護層により保護した形状を有する中間製品とすることにより、保管安定性および輸送耐性を満足するようにした点に特徴を有するものである。
【００２１】
このような利点を有する本発明のＥＬ素子の中間製品の一例を図示したものが図１である。以下、図１について説明する。
【００２２】
まず、基板１上には、第１電極層２がパターン状に形成され、さらに、前記第１電極層２上にパターン状に第１発光部３、第２発光部４および第３発光部５が形成されている。さらに、各々の発光部上には、各発光部が水、酸素等に曝されることから保護する保護層６が成膜されている。
【００２３】
以下、このような構成を有する本発明のＥＬ素子の中間製品に関して、各構成毎に詳細に説明する。
【００２４】
１．保護層
本発明における保護層とは、その下に形成されている発光部等を水および酸素等の影響から保護する役割を担う層である。このような保護層としては、耐水性および耐酸素性に優れた層であれば特に限定されない。具体的に保護層の水蒸気透過率は、０．１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下であることが好ましく、その中でも、０．０１ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下の範囲内であることが好ましい。また、酸素透過率は、０．１ｃｃ／ｍ^２／ｄａｙ以下であることが好ましく、その中でも、０．０１ｃｃ／ｍ^２／ｄａｙ以下の範囲内であることが好ましい。
【００２５】
これは、上記範囲よりも水蒸気透過率及び酸素透過率が高いものを保護層とすると、耐水性および耐酸素性が充分でなく、その下に形成されている発光部に水および酸素等の影響が及ぶ可能性が高くなるからである。
【００２６】
さらに保護層の厚みは、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２７】
保護層の膜厚を上記範囲内とすることにより、耐水性および耐酸素性が十分に発現され、かつ強度も保持されることから、輸送耐性にも優れた中間製品とすることができるからである。
【００２８】
このような保護層は、発光部の表面を覆うように形成されていることが好ましく、さらに、発光部の側面をも覆うように形成されていてもよい。発光部の側面をも保護層により被覆することより、より一層水および酸素等の影響から発光部を保護することが可能となり、保管安定性を向上させることができるからである。
【００２９】
本発明の保護層としては、耐水性および耐酸素性が充分なものであれば特に限定はされない。また、その設け方としては、本発明の保護層を得るために特に煩雑な手間等を要しない製造方法であれば、特に限定はされない。例えば、発光部のパターニングが終了した段階で、各発光部上に積層されている不要な層を除去した後、保護層を新たに成膜する方法や、ＥＬ素子の製造工程途中の形状が中間製品としてそのまま活用できるような製造方法等が挙げられる。前者の方法であれば保護層を所望の形状に形成することができるが、後者の方法のほうが、手間を要しないため製造効率上有利である。このような後者の方法においては、フォトレジスト層および剥離層を保護層として用いることが好ましい。両者を保護層として用いることにより、製造工程途中の段階で、そのまま本発明の中間製品とすることができるからである。
【００３０】
なお、保護層がフォトレジスト層または剥離層からなる場合は、フォトレジスト層または剥離層のいずれか一層からなるものとしてもよいし、両層が積層した２層からなる保護層であってもよい。
【００３１】
以下、本発明の保護層に好ましい態様であるフォトレジスト層および剥離層について詳細に説明する。
【００３２】
（１）フォトレジスト層
フォトレジスト層は、発光部等をフォトリソグラフィー法によりパターニングする際に、所望のパターンを形成するために用いられる層である。また、パターニングが終了した後は、フォトレジスト層自身は不要となりフォトレジスト剥離液等を用いて除去される。
【００３３】
本発明においては、発光部のパターニングが終了した段階で、フォトレジスト層を剥離することなく、保護層として利用することにより、保管安定性および輸送耐性に優れたＥＬ素子の中間製品とすることができるのである。
【００３４】
このようなフォトレジスト層を形成する材料としては、耐水性および耐酸素性に優れており、フォトリソグラフィー法においてフォトレジストとして用いることが可能であるものならば特に限定はされない。また、本発明に用いることができるフォトレジストは、ポジ型であってもネガ型であっても特に限定されるものではないが、発光部などの有機ＥＬ層の形成に用いる溶媒に不溶であるものが好ましい。具体的には、ノボラック樹脂と感光材としてジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）化合物とから成るポジ型フォトレジスト、ポリイミド、ウレタン樹脂、アクリル樹脂等のネガ型フォトレジスト等が挙げられる。その中でも特に、ノボラック樹脂と感光材としてジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）化合物とから成るポジ型フォトレジストであることが好ましい。
【００３５】
このフォトレジストの塗布方法は、一般的に塗工液を全面に塗布する方法であれば特に限定されるものではなく、具体的には、スピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等の塗布方法が用いられる。
【００３６】
上記塗布方法により発光層上に塗布されたフォトレジストは、ポジ型を用いた場合、発光部が形成される位置は、紫外線が露光されないようにパターン露光し、現像、洗浄を経て、発光部形成のパターンに沿ったフォトレジスト層を得ることができる。
【００３７】
（２）剥離層
本発明において剥離層とは、発光部のパターニングが終了し、次いで、発光部上に形成されているフォトレジスト層等の不要な層を除去する際、不要な層の除去を助け、良好な状態でフォトレジスト層等が剥離されることを可能とする層である。このような役割を担う剥離層をフォトレジスト層の下に設けることにより、フォトレジスト層等を剥離する際、剥離層上に形成されているフォトレジスト層等もろとも速やかに剥離することができるのである。従って、基板等の損傷の少ないＥＬ素子を製造することが可能であるといった利点を有する。
【００３８】
本発明においては、上記剥離層は剥離層形成用塗工液を塗布して、乾燥させることにより得られる。以下、このような剥離層形成用塗工液を構成する各材料および、剥離層を剥離する際に用いる剥離層剥離液について説明する。
【００３９】
▲１▼ 剥離材料
本発明に用いられる剥離層を構成する剥離材料としては、剥離層を剥離する際に用いる剥離層剥離液に対する溶解性が高いものであれば特に限定されない。また、剥離層はフォトレジスト層の下に位置するため、フォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液に不溶である材料が好ましい。
【００４０】
このような材料としては、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、尿素樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等を適当な溶媒に溶解させ塗工液としたものを剥離層形成用塗工液として用いることができる。
【００４１】
▲２▼ 溶媒
剥離層形成用塗工液は、一般的に発光層上に塗布され剥離層を形成する場合が多い。従って、この剥離層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、発光層に対する溶解度が２５℃、１気圧で、０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは、０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。
【００４２】
このような溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類等が挙げられる。
【００４３】
▲３▼ 添加剤
その他、添加剤としてフッ素系離型剤、シリコーン系の離型剤等を用いることができる。その中でも、フッ素系離型剤であることが好ましい。このような添加剤は、界面張力が小さいことから、剥離層の剥離性を高め、より一層良好な状態での剥離層の剥離を容易に可能とするからである。
【００４４】
▲４▼ 剥離層剥離液
次いで、剥離層を剥離する際に用いる剥離層剥離液について説明する。この剥離層剥離液としては、パターン状に形成された発光部を溶解させずに、充分に剥離層を溶解させることができるものであれば特に限定されないが、上述した剥離層形成用塗工液の溶媒をそのまま使用することが可能である。
【００４５】
２．基板
本発明に用いられる基板は、透明性が高いものであれば特に限定されるものではなく、ガラス等の無機材料や、透明樹脂等を用いることができる。
【００４６】
上記透明樹脂としては、フィルム状に成形が可能であれば特に限定されるものではないが、透明性が高く、耐溶媒性、耐熱性の比較的高い高分子材料が好ましい。具体的には、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフッ化ビニル（ＰＦＶ）、ポリアクリレート（ＰＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、非晶質ポリオレフィン、またはフッ素系樹脂等が挙げられる。
【００４７】
３．第１電極層
上記基板上には、上述したように第１電極層が形成されている。このような第１電極層としては、透明電極層であることが好ましく、例えば、酸化錫膜、ＩＴＯ膜、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物膜等が挙げられる。本発明においては、その中でもＩＴＯ膜が好適に用いられる。
【００４８】
４．発光部
本発明における発光部としては、高精細なパターニングが可能である形成方法により形成されたものであれば特に限定はされない。このような発光部としては、蒸着法、吐出法、印刷法、フォトリソグラフィー法等の方法により形成することができる。しかしながら、本発明においては、保護層をフォトレジスト層または剥離層の少なくとも一方から形成することが好ましいため、これら両層を用いる形成方法であるフォトリソグラフィー法を用いて形成された発光部であることが好ましい。従って、フォトリソグラフィー法により発光部を形成する際に用いる塗工液を発光層形成用塗工液とし、以下、この発光層形成用塗工液の組成等について説明する。
【００４９】
なお、本発明においては、種類の異なる発光部を複数回にわたりフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、基板上に複数種類の発光部を形成することから、複数色の発光部が形成されるものである。したがって、複数種類の発光層形成用塗工液が用いられる。以下、これら発光層形成用塗工液を構成する各材料について説明する。
【００５０】
（１）発光材料
本発明に用いられる発光材料としては、蛍光を発する材料を含み発光するものであれば特に限定されず、発光機能と正孔輸送機能や電子輸送機能をかねていることができる。本発明においては、発光部はフォトリソグラフィー法によりパターニングされることが好ましいため、発光部を形成する材料が、フォリソグラフィー法に用いられるフォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト剥離液に不溶である材料が好ましい。また、発光部をフォトリソグラフィー法によりパターニングする際に用いるフォトレジストが、発光部の形成に用いる溶媒に不溶の材料を用いることが好ましい。
【００５１】
このような発光材料としては、色素系材料、金属錯体系材料、および高分子系材料を挙げることができる。
【００５２】
▲１▼色素系材料
色素系材料としては、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を挙げることができる。
【００５３】
▲２▼金属錯体系材料
金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。
【００５４】
▲３▼高分子系材料
高分子系の材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体、金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。
【００５５】
本発明においては、発光層形成用塗工液を用いてフォトリソグラフィー法により発光部を精度よく形成することができるという利点を活かすという観点から、発光材料として上記高分子系材料を用いたものがより好ましい。
【００５６】
（２）溶媒
発光層形成用塗工液は、製造段階ではフォトレジスト層上に塗布される場合がある。したがって、この発光層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、フォトレジストに対する溶解度が２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。例えば、フォトレジストが一般的なノボラック系ポジレジストの場合、ベンゼン、トルエン、キシレンの各異性体およびそれらの混合物、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、クメン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンの各異性体およびそれらの混合物等をはじめとする芳香族系溶媒、アニソール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、２−ブタノン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ジグライム等をはじめとするエーテル系溶媒、ジクロロメタン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１−クロロナフタレン等のクロル系溶媒、シクロヘキサノン等が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能であり、２種以上の混合溶媒であっても良い。
【００５７】
（３）添加剤
本発明に用いられる発光層形成用塗工液には、上述したような発光材料および溶媒に加えて種々の添加剤を添加することが可能である。例えば、発光部中の発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング材料が添加される場合がある。このドーピング材料としては例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィレン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等を挙げることができる。
【００５８】
４．ＥＬ素子の中間製品の製造方法
次に、本発明のＥＬ素子の中間製品の製造方法について簡単に説明する。
【００５９】
本発明のＥＬ素子の中間製品の製造方法としては、本発明の中間製品を得るために特に煩雑な手間等を要しない製造方法であれば特に限定はされない。例えば、発光層のパターニングが終了した段階で、各発光部上に積層されている不要な層を除去した後、保護層を成膜する方法や、ＥＬ素子の製造工程途中の形状が中間製品としてそのまま活用できるような製造方法等が挙げられる。前記の方法であれば、所望の形状に保護層を形成しやすく、発光層の表面のみならず側面をも保護層により被覆することが可能であるという利点を有するが、後者の製造方法とすると、保護層を設けるための工程を特別に必要としないため製造効率等を考慮すると、後者の方法を用いることが好ましい。
【００６０】
以下、ＥＬ素子の製造工程途中の形状が中間製品としてそのまま活用できるような製造方法について説明するが、保護層がフォトレジスト層からなる態様を第１実施態様とし、保護層に剥離層が含まれている態様を第２実施態様として、各実施態様に分けて説明する。
【００６１】
なお、以下の説明において、「発光層」とは発光層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより形成された層を意味し、「発光部」とは所定の位置に形成された発光層を意味するものとする。さらに、フォトレジスト層を第１、第２および第３フォトレジスト層の３種類を用いているが、便宜上使い分けているだけであり、全て同様のフォトレジスト層であってもよい。
【００６２】
（１）第１実施態様
第１実施態様は、保護層にフォトレジスト層を利用する場合の中間製品の製造方法である。以下、本実施態様の説明として、本実施態様の一例を図示した図２を用いて具体的に説明する。
【００６３】
まず、図２（ａ）に示すように、第１電極層２２を有する基板２１上に、表面に第１フォトレジスト層２４を有し、パターン状に形成された第１発光部２３を準備する。この第１発光部２３のパターニング方法に関しては、通常行われているフォトリソグラフィー法により形成することができる。
【００６４】
次いで、図２（ｂ）に示すように、第２発光層形成用塗工液を塗布し第２発光層２５を形成し、さらに第２発光層２５上にポジ型フォトレジストを全面塗布し第２フォトレジスト層２４′を成膜する。このような基板に対し、図２（ｃ）に示すように、第２発光部が形成される位置のみ未露光部となるようにマスク２６を介して、紫外線をパターン露光する。その後、第２フォトレジスト層２４′の露光部分をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図２（ｄ）に示すように、第２発光部が形成される領域上のみ残存する第２フォトレジスト層２４′が形成される。
【００６５】
次いで、図２（ｄ）に示すように、第２フォトレジスト層２４′が除去され露出している部分の第２発光層２５をドライエッチングを用いて除去し、図２（ｅ）に示すように、表面に第２フォトレジスト層２４′を有する第２発光部２５′を得る。
【００６６】
この例に示すＥＬ素子の中間製品の製造方法においては、３色の発光部を形成するため、さらに引き続き製造工程が必要となるが、例えば、２色の発光部で構成されるＥＬ素子の中間製品を提供するならば、このフォトレジスト層を保護層として利用することにより、保護層を設けるために特別な処理等を施すことなく、２色の発光部で構成される中間製品を製造することが可能である。
【００６７】
次いで、３色目の発光部のパターニングを行う。第１電極層２２と、第１フォトレジスト層２４を表面に有する第１発光部２３と、第２フォトレジスト層２４′表面に有する第２発光部２５′とを有する基板２１上に、図２（ｆ）に示すように、第３発光層形成用塗工液を塗布し、第３発光層２７を形成し、さらに、その上にポジ型フォトレジストを全面塗布し、第３フォトレジスト層２４″形成する。
【００６８】
次いで、図２（ｇ）に示すように、第３発光部が形成される位置のみ未露光部となるように、フォトマスク２６を介して紫外線をパターン露光する。その後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図２（ｈ）に示すように、第３発光部が形成される領域上のみ第３フォトレジスト層２４″が残る。
【００６９】
次いで、第３フォトレジスト層２４″が除去され露出している部分の第３発光層２７をドライエッチングを用いて除去し、図２（ｉ）に示すような表面に第３フォトレジスト層２４″を有する第３発光部２７′を形成する。
【００７０】
本実施態様によれば、各発光部のパターニングが終了した段階で、図２（ｉ）に示すように、各発光部上には一層のフォトレジスト層が積層されている状態に形成することができる。従って、このフォトレジスト層を保護層として活用することにより、本発明のＥＬ素子の中間製品を製造することができる。
【００７１】
また、各発光部のパターニングが終了した後、新たにフォトレジストを全面塗布することにより、発光部の側面をも被覆する保護層を形成することが可能である。この場合、既に各発光部上に積層されているフォトレジスト層を剥離した後に、新たにフォトレジストを塗布する方法であってもよいし、残存させたまま新たにフォトレジストを塗布する方法であってもよい。
【００７２】
２．第２実施態様
次いで、保護層に剥離層を含む場合の態様である第２実施態様について説明する。
【００７３】
本実施態様の一例を図示したものが図３である。以下図３を用いて本実施態様について簡単に説明する。
【００７４】
なお、以下の説明において、剥離層を第１、第２および第３剥離層として使い分けているが、便宜上使い分けているだけであり、全て同様の構成を有する剥離層であってもよい。
【００７５】
本実施態様においては、まず図３（ａ）に示すように、パターン状に形成された第１電極層３２を有する基板３１上に第１発光層形成用塗工液を塗布し、第１発光層３３を形成する。さらに第１発光層３３上に剥離層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより第１剥離層３４を形成する。この場合、剥離層形成用塗工液の塗布方法としては、スピンコーティング等の公知な塗布方法により塗布することが可能である。
【００７６】
次いで、第１剥離層３４上にポジ型フォトレジストを全面塗布し、第１フォトレジスト層３５を形成する。これにより、第１発光層３３、第１剥離層３４および第１フォトレジスト層３５がこの順に積層されている基板３１を得る。
【００７７】
次いで、図３（ｂ）に示すように第１発光部が形成される領域が未露光部となるように、マスク３６を介して紫外線をパターン照射する。その後、第１フォトレジスト層の露光部分をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図３（ｃ）に示すように、第１発光部上のみに残存する第１フォトレジスト層３５を得る。
【００７８】
次いで、第１フォトレジスト層３５が除去され露出している部分の第１剥離層３４を、その第１剥離層３４の下に位置する第１発光層３３と共にドライエッチングを用いて除去することにより、図３（ｄ）に示すように、表面に第１フォトレジスト層３５および第１剥離層３４を有する第１発光部３３′が形成される。
【００７９】
次いで、図３（ｅ）に示すように、第２発光層形成用塗工液を塗布し、第２発光層３７を形成し、さらにその上に剥離層形成用塗工液を塗布し、第２剥離層３４′を設ける。この場合の第２剥離層３４′の形成方法に関しても上記第１剥離層３４の形成方法と同様の方法で形成することができる。さらに、この第２剥離層３４′上にポジ型フォトレジストを全面塗布し、第２フォトレジスト層３５′を形成する。
【００８０】
次いで、図３（ｆ）に示すように、第２発光部が形成される位置にのみ未露光部となるように、フォトマスク３６を介して紫外線をパターン露光した後、第２フォトレジスト層３５′をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図３（ｇ）に示すように第２発光部が形成される領域上のみに残存する第２フォトレジスト層３５′を得る。
【００８１】
さらに、第２フォトレジスト層３５′が除去され露出している第２剥離層３４′およびその下に位置する第２発光層３７を、ドライエッチングを用いて共に除去し、図３（ｈ）に示すように第２フォトレジスト層３５′および第２剥離層３４′を表面に有する第２発光部３７′を形成する。
【００８２】
この例に示すＥＬ素子の中間製品の製造方法においては、３色の発光部を形成するため、さらに引き続き製造工程が必要となるが、例えば２色の発光部で構成されるＥＬ素子の中間製品を提供するならば、第２発光部のパターニングが終了した段階で、フォトレジスト層および剥離層の両層を保護層として活用することにより、本発明のＥＬ素子の中間製品とすることが可能である。なお、フォトレジスト層をフォトレジスト剥離層により剥離し、剥離層のみを保護層として活用することも可能である。
【００８３】
次いで、３色目の発光部のパターニングを行う。図３（ｉ）に示すように、第３発光層形成用塗工液を塗布し、第３発光層３８を形成し、さらに、その上に剥離層形成用塗工液を塗布し、第３剥離層３４″を設ける。そして、第３剥離層３４″上にポジ型フォトレジストを塗布し、第３フォトレジスト層３５″を形成する。
【００８４】
次いで、図３（ｊ）に示すように、第３発光部が形成される位置のみ未露光部となるように、フォトマスク３６を介して紫外線をパターン露光した後、フォトレジスト現像液を用いて現像し、洗浄することにより、図３（ｋ）に示すように、第３発光部が形成される領域上のみ第３フォトレジスト層を残存させる。
【００８５】
次いで、第３フォトレジスト層３５″が除去され露出している第３剥離層３４″およびその下に位置する第３発光層３８を、ドライエッチングを用いて共に除去することにより、図３（ｌ）に示すように、表面に第３フォトレジスト層３５″および第３剥離層３４″を有する第３発光部３８′が形成される。
【００８６】
本実施態様によれば、各発光部のパターニングが終了した段階で、各発光部上には、剥離層およびフォトレジスト層が一層ずつ積層されている状態に製造されるため、この両層を保護層として利用することにより、本発明のＥＬ素子の中間製品を得ることができる。
【００８７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００８８】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【００８９】
［実施例］
６インチ□、板厚１．１ｍｍのパターニングされたＩＴＯ基板を洗浄した。バッファー層塗布液（バイエル製BaytronP）を０．５ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２５００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【００９０】
第１発光層として、バッファー層上にポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子ＭＥＨ−ＰＰＶの１ｗｔ％キシレン溶液を１ｍｌとり、基板の中心部に滴下してスピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【００９１】
剥離層として尿素系樹脂（BASF製Laropal）の３％酢酸エチル溶液を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は１０００Åとなった。
【００９２】
ポジ型フォトレジスト液（東京応化製OFPR-800）を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は約１μｍとなった。８０℃で３０秒間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第１色目の発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液（東京応化製NMD-3）で２０秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。
【００９３】
ドライエッチングにてフォトレジストのない部分の発光層、バッファー層および剥離層を除去し、第１発光部を得た。
【００９４】
第２バッファー層として前記バッファー層と同様に、バッファー層塗布液（バイエル製BaytronP）を０．５ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２５００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【００９５】
第２発光層としてポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子ＭＥＨ−ＰＰＶの１ｗｔ％キシレン溶液を１ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【００９６】
第２剥離層として尿素系樹脂（BASF製Laropal）の３％酢酸エチル溶液を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は１０００Åとなった。
【００９７】
ポジ型フォトレジスト液（東京応化製OFPR-800）を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は約１μｍとなった。８０℃で３０秒間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第１色目の発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液（東京応化製NMD-3）で２０秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。
【００９８】
ドライエッチングにて第１および第２発光部以外の部分の発光層、バッファー層および剥離層を除去し、第２発光部を得た。
【００９９】
第３バッファー層として前記バッファー層と同様に、バッファー層塗布液（バイエル製BaytronP）を０．５ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２５００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１００】
第３剥離層として尿素系樹脂（BASF製Laropal）の３％酢酸エチル溶液を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は１０００Åとなった。
【０１０１】
第３発光層としてポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子ＭＥＨ−ＰＰＶの１ｗｔ％キシレン溶液を１ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１０２】
ポジ型フォトレジスト液（東京応化製OFPR-800）を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は約１μｍとなった。８０℃で３０秒間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第１色目の発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液（東京応化製NMD-3）で２０秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。
【０１０３】
ドライエッチングにて発光部以外の部分の発光層、バッファー層および剥離層を除去し、所望の基板を得た。
【０１０４】
さらに、得られた基板を酢酸エチル浴中に浸漬して、発光層上のフォトレジストを全て除去し、パターニングされた発光層を露出させた。
【０１０５】
１００℃で１時間乾燥した後、得られた基板上に第２電極層としてＣａを５００Å、さらに保護層としてＡｇを２５００Åの厚みで蒸着し、ＥＬ素子を作製した。
【０１０６】
ＩＴＯ電極側を正極、Ａｇ電極側を負極に接続し、ソースメータにより、直流電流を印加した。１０Ｖ印加時に第１、２および３の発光部それぞれより発光が認められた。
【０１０７】
【発明の効果】
本発明によれば、発光部上に保護層が成膜されている状態の中間製品とすることにより、保管安定性および輸送耐性に優れた中間製品とすることを可能とし、本発明の中間製品を用いることにより、ＥＬ素子の製造にかかる手間を大幅に簡略化することができるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ素子の中間製品の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のＥＬ素子の中間製品の製造方法の一例を示す工程図である。
【図３】本発明のＥＬ素子の中間製品の製造方法の他の例を示す工程図である。
【符号の説明】
１ … 基板
２ … 第１電極層
３ … 第１発光部
４ … 第２発光部
５ … 第３発光部
６ … 保護層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electroluminescent (hereinafter sometimes abbreviated as EL) element forming substrate that is excellent in storage stability and suitable for transportation.
[0002]
[Prior art]
In an EL element, holes and electrons injected from opposing electrodes are combined in a light emitting part, and the fluorescent material in the light emitting part is excited by the energy to emit light of a color corresponding to the fluorescent substance. It attracts attention as a light-emitting planar display element. Among them, organic thin-film EL displays using organic substances as light-emitting materials have high light-emission efficiency such as high-luminance light emission even when the applied voltage is less than 10 V, and can emit light with a simple element structure. It is expected to be applied to advertisements that display these patterns in light emission and other simple display displays at low cost.
[0003]
In manufacturing a display using such an EL element, patterning of the first electrode layer and the organic EL layer is usually performed. As a patterning method of this EL element, there are a method of evaporating a luminescent material through a shadow mask, a method of coating by ink jet, a method of destroying a specific luminescent dye by ultraviolet irradiation, a screen printing method and the like. However, these methods cannot provide an EL element that realizes all of light emission efficiency, high light extraction efficiency, simple manufacturing process, and high-definition pattern formation.
[0004]
As means for solving such a problem, a method for manufacturing an EL element formed by patterning a light emitting portion by a photolithography method has been proposed. According to this method, as compared with the conventional patterning method by vapor deposition, a vacuum facility equipped with a highly accurate alignment mechanism or the like is unnecessary, so that it can be manufactured relatively easily and inexpensively. On the other hand, compared with the patterning method using the inkjet method, it is preferable in that it does not perform pre-processing on a structure or a substrate that assists patterning, and is further manufactured by a photolithography method in view of the discharge accuracy of the inkjet head. The method has an advantage that it is a preferable method for forming a higher definition pattern.
[0005]
In such an EL element manufacturing method, for example, an intermediate product such as an EL element forming substrate in which the light emitting layer is already formed may be required to simplify the manufacturing process.
[0006]
However, when such an intermediate product is commercialized, there are some problems from the viewpoint of storage stability and the like. This is because an intermediate product manufactured in the middle of manufacturing an EL element often has insufficient protection of an organic EL layer such as a light emitting layer that deteriorates when exposed to water and oxygen. Accordingly, in order to obtain an intermediate product that simplifies the EL element manufacturing process, the protection of the light emitting layer and the like has been a problem.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its main object to provide a substrate for forming an EL element that has excellent storage stability and retains transport resistance that can withstand long-distance transport. is there.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to the present invention, a substrate, a first electrode layer formed in a pattern on the substrate, and a first electrode layer are formed. Formed in a pattern Light emitting part, Formed immediately above the light emitting part, And a protective layer formed so as to cover the surface and side surfaces of the light emitting unit, and the protective layer includes a photoresist layer formed so as to cover the surface and side surfaces of the light emitting unit. An EL element forming substrate is provided.
[0009]
The EL element forming substrate of the present invention refers to a substrate in which, for example, up to a light emitting portion is formed on the substrate before it is finally manufactured as an EL element. Hereinafter, this EL element forming substrate may be referred to as an intermediate product. Such an intermediate product of EL element is sensitive to the influence of water, oxygen, light, etc., so the intermediate product with insufficient protection of light emitting part lacks storage stability and is distributed in the market. It was difficult to do. Therefore, in the present invention, by using an intermediate product in which a protective layer is formed on the light emitting portion, it is possible to maintain the storage stability and transport resistance of the intermediate product. Furthermore, by forming the protective layer so that it can be peeled off by a simple method, it is possible to manufacture a good EL device by a greatly simplified manufacturing method without hindering the subsequent manufacture of the EL device. It becomes.
[0011]
In the present invention, the surface and side surfaces of the light emitting part are covered with a protective layer to further protect the light emitting part from the influence of water, oxygen, etc., and to provide an EL element forming substrate suitable for storage safety and transportation. Because you can.
[0012]
Up Memorandum In the morning ,Up The protective layer ,the above Photoresist layer , Or The photoresist layer and Peeling Layer It is preferable that
[0013]
The photoresist layer is used to form a pattern when the light emitting part is formed by a photolithography method. By using this as a protective layer as it is, a special process for providing the protective layer is performed. This is because an intermediate product excellent in storage stability and transport resistance can be obtained without necessity. On the other hand, the peeling layer is a layer provided for facilitating peeling of these layers when an unnecessary layer such as a photoresist layer is finally removed. This is because by using this release layer as a protective layer together with its purpose, the process of peeling off the protective layer when an EL element is completed from an intermediate product becomes easy, and a good EL element can be manufactured.
[0014]
Up Memorandum In the morning ,Up The water vapor permeability of the protective layer is 0.1 g / m ² / Day or less, and the oxygen permeability is 0.1 cc / m ² / Day or less is preferable.
[0015]
This is because a protective layer that retains the water vapor transmission rate and oxygen transmission rate within the above ranges can sufficiently protect the light emitting portion from the influence of water, oxygen, and the like.
[0016]
Up Memorandum In the morning ,Up The thickness of the protective layer is preferably in the range of 0.1 μm to 10 μm.
[0017]
If the protective layer has a film thickness within the above range, it is possible to sufficiently protect the light emitting part from the viewpoint of strength in addition to water resistance and oxygen resistance, and there is no problem in transportation and the like. This is because it can be an intermediate product.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The substrate for forming an EL element of the present invention, that is, an intermediate product of the EL element, includes a substrate, a first electrode layer formed in a pattern on the substrate, a light emitting unit formed on the first electrode layer, And a protective layer formed to cover the surface of the light emitting portion.
[0019]
Usually, in the manufacture of an EL element, it is necessary to manufacture a plurality of layers constituting the EL element through complicated processes. These processes require precise and advanced technology. As a method for simplifying such complicated processes, for example, an intermediate product in which a light emitting layer or the like is already formed is used. Thus, a method for manufacturing an EL element can be considered.
[0020]
In the present invention, when providing an intermediate product that realizes a significant simplification of the manufacturing process as described above, an intermediate product having a shape in which a light-emitting layer that is not exposed to the outside air is protected by a protective layer is used. It is characterized by satisfying storage stability and transport resistance.
[0021]
FIG. 1 shows an example of an intermediate product of the EL element of the present invention having such advantages. Hereinafter, FIG. 1 will be described.
[0022]
First, the first electrode layer 2 is formed in a pattern on the substrate 1, and the first light emitting unit 3, the second light emitting unit 4, and the third light emitting unit 5 are formed in a pattern on the first electrode layer 2. Is formed. Further, a protective layer 6 is formed on each light emitting part to protect each light emitting part from being exposed to water, oxygen and the like.
[0023]
Hereinafter, the intermediate product of the EL element of the present invention having such a configuration will be described in detail for each configuration.
[0024]
1. Protective layer
The protective layer in the present invention is a layer that plays a role of protecting the light emitting part and the like formed thereunder from the influence of water, oxygen and the like. Such a protective layer is not particularly limited as long as it is a layer excellent in water resistance and oxygen resistance. Specifically, the water vapor permeability of the protective layer is 0.1 g / m. ² / Day or less, preferably 0.01 g / m ² / Day or less is preferable. The oxygen permeability is 0.1 cc / m ² / Day or less, preferably 0.01 cc / m ² / Day or less is preferable.
[0025]
This is because if the protective layer is one having a water vapor transmission rate and oxygen transmission rate higher than the above ranges, the water resistance and oxygen resistance are not sufficient, and the light emitting part formed thereunder is affected by water, oxygen, and the like. This is because there is a high possibility of reaching.
[0026]
Furthermore, the thickness of the protective layer is preferably in the range of 0.1 μm to 10 μm.
[0027]
This is because by setting the thickness of the protective layer within the above range, water resistance and oxygen resistance are sufficiently expressed and strength is maintained, so that an intermediate product excellent in transport resistance can be obtained. .
[0028]
Such a protective layer is preferably formed so as to cover the surface of the light emitting part, and may be formed so as to also cover the side surface of the light emitting part. This is because by covering the side surface of the light emitting portion with the protective layer, the light emitting portion can be further protected from the influence of water, oxygen, etc., and the storage stability can be improved.
[0029]
The protective layer of the present invention is not particularly limited as long as it has sufficient water resistance and oxygen resistance. In addition, the method for providing the protective layer is not particularly limited as long as it is a manufacturing method that does not require particularly troublesome work to obtain the protective layer of the present invention. For example, after the patterning of the light emitting part is completed, an unnecessary layer stacked on each light emitting part is removed, and then a protective layer is newly formed, or the shape during the EL element manufacturing process is intermediate Production methods that can be used as products are included. The former method can form the protective layer in a desired shape, but the latter method is advantageous in terms of production efficiency because it does not require labor. In the latter method, it is preferable to use a photoresist layer and a release layer as a protective layer. This is because by using both as protective layers, the intermediate product of the present invention can be used as it is in the middle of the production process.
[0030]
In addition, when a protective layer consists of a photoresist layer or a peeling layer, it may consist of either a photoresist layer or a peeling layer, and may be a protective layer consisting of two layers in which both layers are laminated. .
[0031]
Hereinafter, the photoresist layer and the release layer, which are preferred embodiments for the protective layer of the present invention, will be described in detail.
[0032]
(1) Photoresist layer
The photoresist layer is a layer used to form a desired pattern when the light emitting portion or the like is patterned by a photolithography method. Further, after the patterning is completed, the photoresist layer itself becomes unnecessary and is removed using a photoresist stripping solution or the like.
[0033]
In the present invention, when the patterning of the light emitting portion is completed, the intermediate layer of the EL element having excellent storage stability and transport resistance can be obtained by using it as a protective layer without peeling off the photoresist layer. It can be done.
[0034]
A material for forming such a photoresist layer is not particularly limited as long as it is excellent in water resistance and oxygen resistance and can be used as a photoresist in a photolithography method. The photoresist that can be used in the present invention is not particularly limited, whether it is a positive type or a negative type, but is insoluble in a solvent used for forming an organic EL layer such as a light emitting portion. Those are preferred. Specific examples include positive photoresists composed of a novolak resin and a diazonaphthoquinone (DNQ) compound as a photosensitive material, negative photoresists such as polyimide, urethane resin, and acrylic resin. Among these, a positive photoresist comprising a novolak resin and a diazonaphthoquinone (DNQ) compound as a photosensitive material is particularly preferable.
[0035]
The method for applying the photoresist is not particularly limited as long as it is generally a method for applying the coating liquid to the entire surface. Specifically, the spin coating method, the casting method, the dipping method, the bar coating method, Coating methods such as blade coating, roll coating, gravure coating, flexographic printing, and spray coating are used.
[0036]
When the photoresist applied on the light emitting layer by the above coating method is a positive type, the light emitting portion is formed at a position where the light emitting portion is formed by pattern exposure so that ultraviolet rays are not exposed, and after development and washing, the light emitting portion is formed. A photoresist layer along the pattern can be obtained.
[0037]
(2) Release layer
In the present invention, the peeling layer means that when the patterning of the light emitting portion is completed, and then unnecessary layers such as a photoresist layer formed on the light emitting portion are removed, the removal of the unnecessary layers is helped and a good state is obtained. In this layer, the photoresist layer or the like can be peeled off. By providing a peeling layer under such a role under the photoresist layer, when peeling the photoresist layer, etc., it is possible to quickly peel off the photoresist layer, etc. formed on the peeling layer. is there. Therefore, there is an advantage that it is possible to manufacture an EL element with little damage to a substrate or the like.
[0038]
In this invention, the said peeling layer is obtained by apply | coating the coating liquid for peeling layer formation, and making it dry. Hereinafter, each material which comprises such a peeling layer formation coating liquid and the peeling layer peeling liquid used when peeling a peeling layer are demonstrated.
[0039]
(1) Release material
The release material constituting the release layer used in the present invention is not particularly limited as long as it has high solubility in the release layer release solution used when the release layer is released. In addition, since the release layer is located below the photoresist layer, a material that is insoluble in a photoresist solvent and a photoresist developer is preferable.
[0040]
As such a material, a coating solution prepared by dissolving polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, urea resin, acrylic resin, polyester resin, polycarbonate resin or the like in an appropriate solvent is used as a coating solution for forming a release layer. be able to.
[0041]
(2) Solvent
In many cases, the release layer-forming coating solution is generally applied onto the light emitting layer to form a release layer. Therefore, it is preferable to select a solvent having a solubility in the light-emitting layer of 25 ° C. and 1 atm, 0.001 (g / g solvent) or less as the solvent used in the release layer forming coating solution. It is preferable to select a solvent of 0.0001 (g / g solvent) or less.
[0042]
Examples of such a solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), and methyl isobutyl ketone (MIBK), and esters such as ethyl acetate and butyl acetate.
[0043]
(3) Additive
In addition, a fluorine release agent, a silicone release agent, or the like can be used as an additive. Among these, it is preferable that it is a fluorine-type mold release agent. This is because such an additive has a low interfacial tension, so that the peelability of the release layer is enhanced and the release layer can be easily peeled in a better state.
[0044]
(4) Release layer remover
Next, the peeling layer peeling solution used when peeling the peeling layer will be described. The release layer release liquid is not particularly limited as long as it can dissolve the release layer sufficiently without dissolving the light emitting portion formed in a pattern, but the release layer forming coating liquid described above. These solvents can be used as they are.
[0045]
2. substrate
The substrate used in the present invention is not particularly limited as long as it has high transparency, and an inorganic material such as glass, a transparent resin, or the like can be used.
[0046]
The transparent resin is not particularly limited as long as it can be formed into a film, but a polymer material having high transparency, relatively high solvent resistance and heat resistance is preferable. Specifically, polyethersulfone, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyetheretherketone (PEEK), polyvinyl fluoride (PFV), polyacrylate (PA), polypropylene (PP), polyethylene (PE) , Amorphous polyolefin, or fluorine-based resin.
[0047]
3. First electrode layer
As described above, the first electrode layer is formed on the substrate. Such a first electrode layer is preferably a transparent electrode layer, and examples thereof include a tin oxide film, an ITO film, and a composite oxide film of indium oxide and zinc oxide. In the present invention, an ITO film is preferably used among them.
[0048]
4). Light emitting part
The light emitting part in the present invention is not particularly limited as long as it is formed by a forming method capable of high-definition patterning. Such a light emitting portion can be formed by a method such as a vapor deposition method, a discharge method, a printing method, or a photolithography method. However, in the present invention, since the protective layer is preferably formed from at least one of the photoresist layer and the release layer, the light-emitting portion is formed using a photolithography method, which is a formation method using both layers. Is preferred. Accordingly, the coating liquid used for forming the light emitting part by photolithography is used as the light emitting layer forming coating liquid. Hereinafter, the composition of the light emitting layer forming coating liquid will be described.
[0049]
In the present invention, a plurality of types of light-emitting portions are formed on the substrate by patterning different types of light-emitting portions a plurality of times using a photolithography method, so that light-emitting portions of a plurality of colors are formed. Is. Therefore, a plurality of types of light emitting layer forming coating solutions are used. Hereinafter, each material which comprises these light emitting layer forming coating liquids is demonstrated.
[0050]
(1) Luminescent material
The light emitting material used in the present invention is not particularly limited as long as it contains a material that emits fluorescence and emits light, and can also have a light emitting function, a hole transport function, and an electron transport function. In the present invention, since the light emitting portion is preferably patterned by a photolithography method, the material forming the light emitting portion is insoluble in a photoresist solvent, a photoresist developer, and a photoresist stripping solution used in the photolithography method. A material is preferred. Moreover, it is preferable that the photoresist used when patterning the light emitting portion by a photolithography method uses a material insoluble in the solvent used for forming the light emitting portion.
[0051]
Examples of such a light emitting material include a dye material, a metal complex material, and a polymer material.
[0052]
(1) Dye-based materials
Examples of dye-based materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, triphenylamine derivatives, oxadiazol derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, silole derivatives, thiophene ring compounds, pyridine rings Examples thereof include compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, and the like.
[0053]
(2) Metal complex materials
Examples of metal complex materials include aluminum quinolinol complex, benzoquinolinol beryllium complex, benzoxazole zinc complex, benzothiazole zinc complex, azomethyl zinc complex, porphyrin zinc complex, europium complex, etc. Examples thereof include a metal complex having a rare earth metal such as Tb, Eu, or Dy and having a oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure, or the like as a ligand.
[0054]
(3) Polymeric material
Polymer materials include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, the above dye bodies, and metal complex light emitting materials. Can be mentioned.
[0055]
In the present invention, from the viewpoint of taking advantage of the ability to accurately form a light emitting portion by a photolithography method using a light emitting layer forming coating solution, a material using the above polymer material as a light emitting material is used. More preferred.
[0056]
(2) Solvent
The light emitting layer forming coating solution may be applied on the photoresist layer in the production stage. Therefore, as the solvent used in the light emitting layer forming coating solution, it is preferable to select a solvent having a solubility in a photoresist of 25 ° C. or less and 0.001 (g / g solvent) or less at 1 atm. It is preferable to select a solvent of 0.0001 (g / g solvent) or less. For example, when the photoresist is a general novolak positive resist, isomers of benzene, toluene, xylene and mixtures thereof, mesitylene, tetralin, p-cymene, cumene, ethylbenzene, diethylbenzene, butylbenzene, chlorobenzene, dichlorobenzene Aromatic solvents including isomers and mixtures thereof, anisole, phenetole, butylphenyl ether, tetrahydrofuran, 2-butanone, 1,4-dioxane, diethyl ether, diisopropyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, Ether solvents such as diglyme, dichloromethane, 1,1-dichloroethane, 1,2-dichloroethane, trichloroethylene, tetrachloroethylene, chloroform, carbon tetrachloride , 1-chloro solvents chloronaphthalene, but cyclohexanone, may be used as long as conditions are satisfied solvent even this addition, it may be a mixture of two or more solvents.
[0057]
(3) Additive
In addition to the light emitting material and the solvent as described above, various additives can be added to the light emitting layer forming coating solution used in the present invention. For example, a doping material may be added for the purpose of improving the light emission efficiency in the light emitting part or changing the light emission wavelength. Examples of the doping material include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrene derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazoline derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like.
[0058]
4). Method for manufacturing intermediate product of EL element
Next, a method for manufacturing the intermediate product of the EL element of the present invention will be briefly described.
[0059]
The method for producing the intermediate product of the EL element of the present invention is not particularly limited as long as it is a production method that does not require particularly troublesome work to obtain the intermediate product of the present invention. For example, after the patterning of the light emitting layer is completed, after removing unnecessary layers stacked on each light emitting portion, a method of forming a protective layer or a shape in the process of manufacturing an EL element is an intermediate product. Production methods that can be used as they are. The above-described method has an advantage that it is easy to form a protective layer in a desired shape, and it is possible to cover not only the surface of the light emitting layer but also the side surfaces with the protective layer. Since the process for providing the protective layer is not required, it is preferable to use the latter method in consideration of production efficiency.
[0060]
Hereinafter, a manufacturing method in which the shape of the EL device during the manufacturing process can be used as it is as an intermediate product will be described. The first embodiment is an embodiment in which the protective layer is a photoresist layer, and the protective layer includes a release layer. This embodiment will be described as a second embodiment separately for each embodiment.
[0061]
In the following description, “light emitting layer” means a layer formed by applying and drying a light emitting layer forming coating solution, and “light emitting portion” is a light emitting formed at a predetermined position. It shall mean a layer. Furthermore, although three types of photoresist layers, the first, second, and third photoresist layers, are used, they are selectively used for convenience, and all may be the same photoresist layer.
[0062]
(1) First embodiment
The first embodiment is a method for manufacturing an intermediate product when a photoresist layer is used for the protective layer. Hereinafter, this embodiment will be described in detail with reference to FIG. 2 illustrating an example of this embodiment.
[0063]
First, as shown in FIG. 2A, a first light-emitting portion 23 having a first photoresist layer 24 on the surface and formed in a pattern on a substrate 21 having a first electrode layer 22 is prepared. . With respect to the patterning method of the first light emitting portion 23, it can be formed by a usual photolithography method.
[0064]
Next, as shown in FIG. 2B, a second light emitting layer forming coating solution is applied to form a second light emitting layer 25, and a positive photoresist is applied over the entire surface of the second light emitting layer 25. Two photoresist layers 24 'are deposited. As shown in FIG. 2C, such a substrate is subjected to pattern exposure with ultraviolet rays through a mask 26 so that only the position where the second light emitting portion is formed becomes an unexposed portion. Thereafter, the exposed portion of the second photoresist layer 24 'is developed with a photoresist developer and washed to leave the second photoresist layer 24' remaining only on the region where the second light emitting portion is formed, as shown in FIG. Two photoresist layers 24 'are formed.
[0065]
Next, as shown in FIG. 2D, the portion of the second light emitting layer 25 exposed by removing the second photoresist layer 24 ′ is removed by dry etching, as shown in FIG. In addition, a second light emitting portion 25 'having a second photoresist layer 24' on the surface is obtained.
[0066]
In the method of manufacturing an intermediate product of EL elements shown in this example, since a three-color light emitting portion is formed, a manufacturing process is further required. If a product is provided, by using this photoresist layer as a protective layer, an intermediate product composed of light emitting parts of two colors can be manufactured without applying a special treatment to provide the protective layer. Is possible.
[0067]
Next, patterning of the light emitting portion of the third color is performed. On the substrate 21 having the first electrode layer 22, the first light emitting part 23 having the first photoresist layer 24 on the surface, and the second light emitting part 25 'having the second photoresist layer 24' on the surface, FIG. As shown in (f), a third light-emitting layer forming coating solution is applied to form a third light-emitting layer 27, and a positive photoresist is applied over the entire surface to form a third photoresist layer 24. "Form.
[0068]
Next, as shown in FIG. 2G, ultraviolet light is pattern-exposed through a photomask 26 so that only the position where the third light emitting portion is formed becomes an unexposed portion. Thereafter, development is performed with a photoresist developer and washing is performed, so that the third photoresist layer 24 ″ remains only on the region where the third light emitting portion is formed, as shown in FIG.
[0069]
Next, the exposed portion of the third light emitting layer 27 where the third photoresist layer 24 ″ is removed is removed by dry etching, and the third photoresist layer 24 ″ is formed on the surface as shown in FIG. A third light-emitting portion 27 'having is formed.
[0070]
According to this embodiment, at the stage where the patterning of each light emitting portion is completed, as shown in FIG. 2 (i), a single photoresist layer is formed on each light emitting portion. it can. Therefore, an intermediate product of the EL element of the present invention can be manufactured by utilizing this photoresist layer as a protective layer.
[0071]
In addition, after the patterning of each light emitting portion is completed, it is possible to form a protective layer that also covers the side surface of the light emitting portion by newly applying a whole photoresist. In this case, it is possible to apply a new photoresist after peeling off the photoresist layer already laminated on each light emitting part, or to apply a new photoresist while remaining. May be.
[0072]
2. Second embodiment
Next, a second embodiment, which is an embodiment when the protective layer includes a release layer, will be described.
[0073]
An example of this embodiment is shown in FIG. Hereinafter, this embodiment will be briefly described with reference to FIG.
[0074]
In the following description, the release layer is selectively used as the first, second, and third release layers, but is used only for convenience, and may be a release layer that has the same configuration.
[0075]
In this embodiment, first, as shown in FIG. 3A, a first light-emitting layer-forming coating solution is applied onto a substrate 31 having a first electrode layer 32 formed in a pattern, and first light emission is performed. Layer 33 is formed. Further, a first release layer 34 is formed by applying a release layer forming coating solution on the first light emitting layer 33 and drying it. In this case, as a method for applying the release layer forming coating liquid, it is possible to apply by a known application method such as spin coating.
[0076]
Next, a positive photoresist is applied on the entire surface of the first release layer 34 to form a first photoresist layer 35. Thereby, the substrate 31 on which the first light emitting layer 33, the first peeling layer 34, and the first photoresist layer 35 are laminated in this order is obtained.
[0077]
Next, as shown in FIG. 3B, pattern irradiation with ultraviolet rays is performed through a mask 36 so that the region where the first light emitting portion is formed becomes an unexposed portion. Thereafter, the exposed portion of the first photoresist layer is developed with a photoresist developer and washed to remove the first photoresist layer 35 remaining only on the first light emitting portion, as shown in FIG. obtain.
[0078]
Next, by removing the exposed first release layer 34 of the first photoresist layer 35 together with the first light emitting layer 33 located below the first release layer 34 by using dry etching. As shown in FIG. 3D, a first light emitting portion 33 ′ having a first photoresist layer 35 and a first release layer 34 on the surface is formed.
[0079]
Next, as shown in FIG. 3 (e), a second light emitting layer forming coating solution is applied to form a second light emitting layer 37, and then a release layer forming coating solution is applied thereon, Two release layers 34 'are provided. In this case, the second release layer 34 ′ can be formed by the same method as the method for forming the first release layer 34. Further, a positive photoresist is applied on the entire surface of the second release layer 34 'to form a second photoresist layer 35'.
[0080]
Next, as shown in FIG. 3F, the second photoresist layer 35 is exposed after pattern exposure with ultraviolet rays through a photomask 36 so that the unexposed portion is formed only at the position where the second light emitting portion is formed. ′ Is developed with a photoresist developer and washed to obtain a second photoresist layer 35 ′ that remains only on the region where the second light emitting portion is formed, as shown in FIG.
[0081]
Further, the second release layer 34 ′ exposed by removing the second photoresist layer 35 ′ and the second light emitting layer 37 located therebelow are removed together by dry etching, and FIG. As shown, a second light emitting portion 37 'having a second photoresist layer 35' and a second release layer 34 'on its surface is formed.
[0082]
In the method for manufacturing an intermediate product of EL elements shown in this example, since a three-color light emitting part is formed, a manufacturing process is further required. For example, an intermediate product of an EL element composed of two color light emitting parts. If the patterning of the second light emitting part is completed, the intermediate layer of the EL element of the present invention can be obtained by utilizing both the photoresist layer and the release layer as protective layers. is there. It is also possible to peel the photoresist layer with the photoresist peeling layer and use only the peeling layer as the protective layer.
[0083]
Next, patterning of the light emitting portion of the third color is performed. As shown in FIG. 3 (i), a third light emitting layer forming coating solution is applied to form a third light emitting layer 38, and a release layer forming coating solution is further applied thereon. A release layer 34 "is provided. A positive photoresist is applied on the third release layer 34" to form a third photoresist layer 35 ".
[0084]
Next, as shown in FIG. 3 (j), after exposing the pattern of ultraviolet rays through the photomask 36 so that only the position where the third light emitting part is formed becomes an unexposed part, a photoresist developer is used. By developing and washing, as shown in FIG. 3 (k), the third photoresist layer is left only on the region where the third light emitting portion is formed.
[0085]
Next, the third release layer 34 ″ exposed by removing the third photoresist layer 35 ″ and the third light emitting layer 38 located thereunder are removed together by dry etching, thereby removing the third release layer 34 ″ shown in FIG. 3), a third light-emitting portion 38 'having a third photoresist layer 35 "and a third release layer 34" on the surface is formed.
[0086]
According to this embodiment, at the stage where the patterning of each light emitting part is completed, since a release layer and a photoresist layer are laminated one by one on each light emitting part, both layers are protected. By using it as a layer, an intermediate product of the EL device of the present invention can be obtained.
[0087]
The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration substantially the same as the technical idea described in the claims of the present invention and exhibits the same function and effect. It is included in the technical scope.
[0088]
【Example】
The following examples further illustrate the invention.
[0089]
[Example]
A patterned ITO substrate having a thickness of 6 inches and a thickness of 1.1 mm was cleaned. 0.5 ml of a buffer layer coating solution (Bayer BayP) was dropped on the center of the substrate and spin coating was performed. The layer was formed by holding at 2500 rpm for 20 seconds. As a result, the film thickness became 800 mm.
[0090]
As a 1st light emitting layer, 1 ml of 1 wt% xylene solutions of polyparaphenylene vinylene derivative light emitting polymer MEH-PPV were taken on the buffer layer, and it was dripped at the center part of the board | substrate, and spin coating was performed. The layer was formed by holding at 2000 rpm for 10 seconds. As a result, the film thickness became 800 mm.
[0091]
As a release layer, 1 ml of a 3% ethyl acetate solution of urea resin (BASF Laropal) was taken and dropped onto the center of the substrate to perform spin coating. The layer was formed by holding at 2000 rpm for 20 seconds. As a result, the film thickness became 1000 mm.
[0092]
1 ml of a positive type photoresist solution (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was taken and dropped onto the center of the substrate to perform spin coating. The layer was formed by holding at 2000 rpm for 20 seconds. As a result, the film thickness was about 1 μm. Pre-baking was performed at 80 ° C. for 30 seconds. Then, it set to the alignment exposure machine with the exposure mask, and exposed the ultraviolet-ray to the part which wants to remove light emitting layers other than the light emission part of the 1st color. After developing with a resist developer (NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) for 20 seconds, it was washed with water to remove the photoresist in the exposed area.
[0093]
The light emitting layer, the buffer layer, and the release layer where there was no photoresist were removed by dry etching to obtain a first light emitting portion.
[0094]
As the second buffer layer, 0.5 ml of a buffer layer coating solution (Baytron P, manufactured by Bayer) was taken and dropped onto the center of the substrate for spin coating. The layer was formed by holding at 2500 rpm for 20 seconds. As a result, the film thickness became 800 mm.
[0095]
As the second light-emitting layer, 1 ml of a 1 wt% xylene solution of polyparaphenylene vinylene derivative light-emitting polymer MEH-PPV was taken and dropped on the center of the substrate to perform spin coating. The layer was formed by holding at 2000 rpm for 10 seconds. As a result, the film thickness became 800 mm.
[0096]
As a second release layer, 1 ml of a 3% ethyl acetate solution of urea-based resin (Laropal manufactured by BASF) was taken and dropped on the center of the substrate to perform spin coating. The layer was formed by holding at 2000 rpm for 20 seconds. As a result, the film thickness became 1000 mm.
[0097]
1 ml of a positive type photoresist solution (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was taken and dropped onto the center of the substrate to perform spin coating. The layer was formed by holding at 2000 rpm for 20 seconds. As a result, the film thickness was about 1 μm. Pre-baking was performed at 80 ° C. for 30 seconds. Then, it set to the alignment exposure machine with the exposure mask, and exposed the ultraviolet-ray to the part which wants to remove light emitting layers other than the light emission part of the 1st color. After developing with a resist developer (NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) for 20 seconds, it was washed with water to remove the photoresist in the exposed area.
[0098]
The light emitting layer, the buffer layer, and the peeling layer other than the first and second light emitting portions were removed by dry etching to obtain a second light emitting portion.
[0099]
As the third buffer layer, 0.5 ml of the buffer layer coating solution (Bayer Bay Bay P) was taken and dropped onto the center of the substrate to perform spin coating. The layer was formed by holding at 2500 rpm for 20 seconds. As a result, the film thickness became 800 mm.
[0100]
As a third release layer, 1 ml of a 3% ethyl acetate solution of urea-based resin (Laropal manufactured by BASF) was taken and dropped on the center of the substrate to perform spin coating. The layer was formed by holding at 2000 rpm for 20 seconds. As a result, the film thickness became 1000 mm.
[0101]
As the third light emitting layer, 1 ml of a 1 wt% xylene solution of polyparaphenylene vinylene derivative light emitting polymer MEH-PPV was taken and dropped on the center of the substrate to perform spin coating. The layer was formed by holding at 2000 rpm for 10 seconds. As a result, the film thickness became 800 mm.
[0102]
1 ml of a positive type photoresist solution (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was taken and dropped onto the center of the substrate to perform spin coating. The layer was formed by holding at 2000 rpm for 20 seconds. As a result, the film thickness was about 1 μm. Pre-baking was performed at 80 ° C. for 30 seconds. Then, it set to the alignment exposure machine with the exposure mask, and exposed the ultraviolet-ray to the part which wants to remove light emitting layers other than the light emission part of the 1st color. After developing with a resist developer (NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) for 20 seconds, it was washed with water to remove the photoresist in the exposed area.
[0103]
The light emitting layer, buffer layer, and release layer other than the light emitting portion were removed by dry etching to obtain a desired substrate.
[0104]
Further, the obtained substrate was immersed in an ethyl acetate bath to remove all the photoresist on the light emitting layer, and the patterned light emitting layer was exposed.
[0105]
After drying at 100 ° C. for 1 hour, Ca was vapor-deposited as a second electrode layer in a thickness of 500 Å and a protective layer was Ag in a thickness of 2500 、 to produce an EL device.
[0106]
The ITO electrode side was connected to the positive electrode, the Ag electrode side was connected to the negative electrode, and a direct current was applied by a source meter. Light emission was observed from each of the first, second, and third light emitting portions when 10 V was applied.
[0107]
【The invention's effect】
According to the present invention, an intermediate product in which a protective layer is formed on the light-emitting portion can be used as an intermediate product having excellent storage stability and transport resistance. By using this, it is possible to greatly simplify the labor for manufacturing the EL element.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an intermediate product of an EL element of the present invention.
FIG. 2 is a process diagram showing an example of a method for producing an intermediate product of EL elements of the present invention.
FIG. 3 is a process diagram showing another example of a method for producing an intermediate product of an EL element according to the present invention.
[Explanation of symbols]
1 ... Substrate
2 ... 1st electrode layer
3 ... 1st light emission part
4 ... 2nd light emission part
5 ... 3rd light emission part
6 ... Protective layer

Claims

A substrate; a first electrode layer formed in a pattern on the substrate; a light-emitting portion formed in a pattern on the first electrode layer; and the light-emitting portion directly on the light-emitting portion. And a protective layer formed so as to cover the surface and the side surface of the light emitting unit, and the protective layer is formed to cover the surface and the side surface of the light emitting unit. A substrate for forming an electroluminescent element, comprising:

The substrate for forming an electroluminescent element according to claim 1, wherein the protective layer includes the photoresist layer or the photoresist layer and a release layer.

The substrate for forming an electroluminescent element according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the protective layer is in a range of 0.1 µm to 10 µm.