JP4144331B2

JP4144331B2 - Magnetic memory, information recording circuit, and information reading circuit

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Publication number: JP4144331B2
Application number: JP2002327380A
Authority: JP
Inventors: 広之大森
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-11-11
Filing date: 2002-11-11
Publication date: 2008-09-03
Anticipated expiration: 2022-11-11
Also published as: JP2004164719A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭＲＡＭ（Magnetic Randam Access Memory ）と称されるトンネル磁気抵抗効果素子を利用したメモリに適用して好適な磁気メモリ、並びにその磁気メモリを使用して情報の記録及び読出しを行う情報記録回路及び情報読出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コンピュータなどでの情報機器ではランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）として、動作が高速で、高密度なダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）が広く使われている。しかし、ＤＲＡＭは電源を切ると情報が消えてしまう揮発性メモリであるため、情報が消えない不揮発のメモリが望まれている。不揮発メモリの候補として、磁性体の磁化で情報を記録する磁気ランダム・アクセス・メモリ（以下ＭＲＡＭと称する）が注目され、開発が進められている。
【０００３】
図１２は、現在開発が進められているＭＲＡＭの一般的な構造を模式的に示した図である。ここでは、磁性体の磁化方向で情報を記憶する記憶素子のトンネル絶縁膜を介した一方の電極が接続されている配線をワード線、そのワード線に直交して配置されている線をビット線と呼ぶ。図１２に示した構成について説明すると、ビット線については、記録（記憶）された情報を読み出す際に、記憶素子５が接続されたＭＯＳトランジスタ６を動作させるための第１のビット線１と、記録の際に電流を流す第２のビット線２との２つのビット線を有する。ワード線３については、各ビット線１，２と直交状態で配置してあり、このワード線３についても、記録の際に同様に電流を流す。
【０００４】
強磁性トンネル効果により磁化状態で抵抗が変化する記憶素子は、第２のビット線２とワード線３が直交する位置の近傍に配置してあり、その記憶素子５の一方の電極はワード線３に接続させてあり、記憶素子５の他方の電極はＭＯＳトランジスタ６のドレインに接続させてある。また、ＭＯＳトランジスタ６のゲートは第１のビット線１に接続させてあり、ソースは第２のビット線２に接続させてある。
【０００５】
このような構成としてあることで、第２のビット線２とワード線３に同時に電流を流すと交点で磁場が合成され強まり、合成磁場４が発生する。なお、以下の説明ではＭＯＳトランジスタ６がｎ型の場合について説明する。記憶素子に情報を書き込む記録動作を行う時は、第１のビット線１の電圧と第２のビット線２の電圧差をＭＯＳトランジスタ６の動作しきい電圧よりも小さくしておいて、ワード線３とビット線２に電流を流し、図１２に示す合成磁場４を発生させる。
【０００６】
記憶素子に記憶された情報を読出す再生動作時は、ワード線３に電圧をかけて第１のビット線１と第２のビット線２の間にＭＯＳトランジスタ６の動作しきい電圧より大きな電圧をかけると、ワード線３から第２のビット線２に電流が流れ、電圧と電流の関係から強磁性トンネル素子のトンネル抵抗が検出でき、記憶素子５に記録（記憶）された情報が読み出しできる。
【０００７】
【非特許文献１】
日経エレクトロニクス日経ＢＰ社２００１年２月１２日第７８９号１５１〜１７１頁
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような従来から提案されている構造のＭＲＡＭは、絶縁膜を夾んだ磁性体の膜間を流れるトンネル電流で磁化状態を検出するため、安定した検出を行うためには、強磁性トンネル効果による大きなトンネル抵抗の変化が必要である。しかし、大きな抵抗変化率が得られる絶縁膜の厚さは限られていて、特に薄い絶縁膜を再現性良く作製するのは難しく、トンネル接合の単位面積あたりの抵抗を低減することは難しい。
【０００９】
従来から提案されている検出処理では、抵抗ノイズの増加などで抵抗の大きな素子の状態を高速で検出するのは難しく、素子の微細化に伴ってトンネル抵抗も増加し、ＭＲＡＭの動作速度の向上の障害になると考えられる。また、素子の微細化により素子間の保磁力のばらつきが大きくなり、情報を選択的に記録することが難しくなってきている。
【００１０】
本発明は、これらの点に鑑みてなされたものであり、高密度に素子が形成された磁気メモリであっても、高速で信頼性の高い記録や読み出しを可能にすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気メモリは、磁化方向により情報を保持する複数の磁性体記憶素子を有する磁気メモリにおいて、一方の電極が第１のアドレス線に接続された磁性体記憶素子と、磁性体記憶素子の他方の電極がゲートに接続され、ドレインとソースとが第１のアドレス線と第２のアドレス線に接続されたＭＯＳトランジスタと、ＭＯＳトランジスタのゲートと第２のアドレス線とを接続する抵抗とを備えた構成としたことを特徴とする。
【００１２】
このように構成したことで、第１，第２のアドレスの交点の近傍に配置した磁性体記憶素子と、その磁性体記憶素子に接続したＭＯＳトランジスタ及び抵抗とで、磁気メモリの１つの記憶セルが構成されることになる。
【００１３】
また本発明の磁気メモリの情報記録回路は、上述した磁気メモリに適用される記録回路であり、情報を記録する磁性体記憶素子に接続されたＭＯＳトランジスタのゲートとソース又はドレイン間の電位差を、ＭＯＳトランジスタの動作しきい電圧以下に保ちながら、そのＭＯＳトランジスタに接続された第１及び第２のアドレス線の少なくとも一方に電流を流して、素子に情報を記録するようにしたことを特徴とする。
【００１４】
このように構成したことで、第１，第２のアドレス線に同時に電流を流して、それぞれの線で発生する電流磁場の合成によって、ワード線とビット線の交点の記憶素子の磁化が反転し、所望の磁化状態とすることで情報が記録される。
【００１５】
また本発明の磁気メモリの情報読出回路は、上述した磁気メモリに適用される記録回路であり、情報を読出すために選択された磁性体記憶素子に接続されたＭＯＳトランジスタのゲートとソース又はドレイン間の電位差を、ＭＯＳトランジスタの動作しきい電圧より大きくなるように、そのＭＯＳトランジスタに接続された第１のアドレス線と第２のアドレス線の間に電圧を印加し、その印加された電圧で流れる電流を検出して、素子に記憶された情報を判別するようにしたことを特徴とする。
【００１６】
このように構成したことで、第１，第２のアドレス線間の電圧を動作しきい電圧よりも高くすれば、ＭＯＳトランジスタが動作し、第１のアドレス線から第２のアドレス線に電流が流れる。ここで、第１のアドレス線と第２のアドレス線間に時間変化する電圧、例えば鋸歯状の電圧を加えると、ゲートには強磁性トンネル素子と抵抗体によって分圧された電圧がかかり、ゲート電圧がしきい値電圧を超えたときにドレインとソース間に大きな電流が流れる。強磁性トンネル素子の両側の磁化が平行か反平行かでゲートにかかる電圧が変わるので、磁化状態によってＭＯＳトランジスタが動作する時間が変わり、ビット線に流れるパルス電流の時間およびパルス幅に変化が生じる。この時間やパルス幅から記録された情報を読み出すことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態を、図１〜図５を参照して説明する。
まず、本例の磁気メモリの基本的構造について説明する。図１は、本例の磁気メモリの１ビットを記録するための最小単位の回路（セル）を示したものである。図１中１１，１２はアドレス線である。ここでは、アドレス線１１をビット線とし、アドレス線１２をワード線とする。このビット線１１とワード線１２との交点の近傍に、１単位（１セル）の磁気メモリが構成される。
【００１８】
即ち、ワード線１２には、強磁性トンネル素子（以下単に記憶素子と称する）１３の一方の電極と、ＭＯＳトランジスタ１４のドレイン（Ｄ）が接続してある。記憶素子１３の他方の電極は、ＭＯＳトランジスタ１４のゲート（Ｇ）に接続してあり、さらにこのゲート及び記憶素子１３の他方の電極は、抵抗１５の一方の電極に接続してある。ＭＯＳトランジスタ１４のソース（Ｓ）は、ビット線１１と接続してある。抵抗１５の他方の電極についても、ビット線１１と接続してある。なお、ＭＯＳトランジスタ１４は、ここではｎ型ＭＯＳトランジスタを使用する。
【００１９】
このように磁気メモリを構成した上で、記録（記憶）時には、ビット線１１とワード線１２に電流を流して、ビット線１１とワード線１２の交点の近傍に発生した合成磁場１７を、その交点の近傍に配置された記憶素子１３に作用させて、記憶素子１３の磁化方向を反転させて、情報を記憶する。この情報の記憶時には、ＭＯＳトランジスタ１４の動作を制御するために、ビット線１１とワード線１２の間の電位差を利用する。本例の場合には、記録時にｎ型ＭＯＳトランジスタ１４を動作させないために、ワード線１２とビット線１１の電圧差を、ＭＯＳトランジスタ１４の動作しきい電圧以下に設定する。ここではトランジスタ１４の動作しきい電圧をＶｔと呼ぶ。トランジスタの動作しきい電圧Ｖｔとするためには、記憶素子１３の抵抗値をＲｊとし、抵抗１５の抵抗値をＲｒとしたとき、ワード線の電圧が｛ビット線電圧＋Ｖｔ×〔Ｒｒ／（Ｒｒ＋Ｒｊ）〕｝以下であれば、トランジスタ１４のゲート電圧とソース電圧の電圧差が、動作しきい電圧Ｖｔ以下になる。
【００２０】
磁気メモリからの読出し時には、ワード線１２に時間変化する電圧、例えば鋸歯状の電圧Ｖ１を印加する。この時間変化する電圧を印加すると、トランジスタ１４のゲートには記憶素子１３と抵抗１５によって分圧された電圧がかかり、トランジスタ１４のゲート電圧が、動作しきい電圧Ｖｔを超えたときにドレインとソース間に大きな電流が流れる。この電流を、ビット線１１に接続された抵抗１６を使用して検出し、出力パルスＰ１を得る。なお、抵抗１６は、各ビット線１１に読出し用として接続されているものであり、実際には１ビットの記憶素子毎に接続されているものではない。
【００２１】
図２は、この図１に示す構成で、時間変化する電圧をワード線に印加したときの入出力特性を示した図である。図２（ａ）は、ワード線に印加した時間変化する電圧波形（ここでは徐々に電圧が高くなるいわゆる鋸歯状波）である。このような電圧波形を印加したとき、トランジスタ１４のゲート・ソース間の電圧についても、図２（ｂ）に示すように印加電圧に比例して上昇する。そして、このゲート・ソース間の電圧が動作しきい電圧Ｖｔを超えたとき、このＭＯＳトランジスタ１４が動作し、ワード線１２からビット線１１に電流が流れ、図２（ｃ）に示すように、出力信号電流が得られる。このビット線１１を流れる電流は、図１に示した抵抗１６を使用して、電圧波形として検出することができる。
【００２２】
ここで、入力として図２（ａ）に示すような鋸歯状の電圧が加わった場合、ＭＯＳトランジスタ１４のゲート−ソース間電圧は、強磁性トンネル素子（記憶素子）１３と抵抗１５で分圧されているので、強磁性トンネル素子の磁化方向でゲート電圧が変化し、強磁性トンネル抵抗が小さい方がゲート電圧が高くなる。即ち、強磁性トンネル抵抗が小さくなる方向の磁化状態（磁化状態１）のときには、ＭＯＳトランジスタ１４のゲート−ソース間電圧は、図２（ｂ）に破線で示す電圧変化となり、図２（ｃ）に破線で示す出力信号波形が得られる。また、強磁性トンネル抵抗が大きくなる方向の磁化状態（磁化状態２）のときには、ＭＯＳトランジスタ１４のゲート−ソース間電圧は、図２（ｂ）に実線で示す電圧変化となり、図２（ｃ）に実線で示す出力信号波形が得られ、磁化状態１よりも時間幅の短いパルス波形となる。
【００２３】
なお、ここではワード線１２に電圧をかけてビット線１１で電流を検出する処理について説明したが、ビット線１１に電圧をかけてワード線１２で電流を検出することも可能である。この場合には、ＭＯＳトランジスタのドレインとソースはほぼ等価なので、強磁性トンネル素子と抵抗体の関係が、ワード線１２に電圧をかけてビット線１１で電流を検出する場合と逆になるだけである。図３は、このビット線１１に電圧をかけてワード線１２で電流を検出する場合の入出力特性例を示した図である。入力として図３（ａ）に示すような鋸歯状の電圧をビット線１１に印加したとする。このとき、強磁性トンネル抵抗が小さくなる方向の磁化状態（磁化状態１）のときには、ＭＯＳトランジスタ１４のゲート−ソース間電圧は、図３（ｂ）に破線で示す電圧変化となり、図３（ｃ）に破線で示す出力信号波形が得られる。また、強磁性トンネル抵抗が大きくなる方向の磁化状態（磁化状態２）のときには、ＭＯＳトランジスタ１４のゲート−ソース間電圧は、図３（ｂ）に実線で示す電圧変化となり、図３（ｃ）に実線で示す出力信号波形が得られ、磁化状態１よりも時間幅の大きいパルス波形となり、図２の例とは大小関係が逆になる。
【００２４】
このようにして、磁化状態１（破線）と磁化状態２（実線）とで、時間幅の異なるパルスが得られる。時間幅の差を検出することで、記憶素子１３の磁化状態を判別することが可能になる。具体的には、例えばパルス幅の違い、或いはパルス応答の少なくともいずれか一方を検出することで、磁化状態を判別できる。
【００２５】
図４は、本例の各セルをマトリクス状に配置して磁気メモリを構成させた回路例を示す図である。この例では、横方向にワード線Ｗ₁，Ｗ₂，Ｗ₃…が平行に配置してあり、縦方向にビット線Ｂ₁，Ｂ₂，…Ｂ_n（ｎは任意の整数）が平行に配置してある。各ビット線Ｂ₁，Ｂ₂，…Ｂ_nの一端及び他端には、ビット線アドレスデコーダ及びドライバ２１，２２が接続してある。同様に、各ワード線Ｗ₁，Ｗ₂，Ｗ₃…の一端及び他端には、ワード線アドレスデコーダ及びドライバ２３，２４が接続してある。これらのデコーダ及びドライバ２１〜２４には、図示しない制御手段からの制御データが供給されて、その制御データをデコードして、指示されたビット線又はワード線に、記録用又は読出用の電流を流すドライブ処理が行われる。
【００２６】
各セルの構成について説明すると、例えばワード線Ｗ₁とビット線Ｂ₁の交点の近傍に形成されるセルは、ワード線Ｗ₁に、記憶素子３１ａの一方の電極と、ＭＯＳトランジスタ４１ａのドレインとが接続してあり、そのトランジスタ４１ａのゲートに、記憶素子３１ａの他方の電極と、抵抗５１ａの一方の電極とが接続してある。さらに、トランジスタ４１ａのソースと、抵抗５１ａの他方の電極とが、ビット線Ｂ₁に接続してある。
【００２７】
他のセルについても、記憶素子３１ｂ〜３１ｎ，３２ａ〜３２ｎ，３３ａ〜３３ｎ…と、トランジスタ４１ｂ〜４１ｎ，４２ａ〜４２ｎ，４３ａ〜４３ｎ…と、抵抗５１ｂ〜５１ｎ，５２ａ〜５２ｎ，５３ａ〜５３ｎ…が同様に接続してある。
【００２８】
各ビット線及びワード線が接続されたデコーダ及びドライバでの処理例について説明すると、例えば記録時には、ビット線アドレスデコーダ及びドライバ２１，２２の内の一方のデコーダ及びドライバ２１から、記録を行うセルに接続されたビット線に電流が流す処理が行われ、もう一方のデコーダ及びドライバ２２からは電流が流されない。また、ワード線アドレスデコーダ及びドライバ２３，２４の内の一方のデコーダ及びドライバ２３から、記録を行うセルに接続されたワード線に電流が流す処理が行われ、もう一方のデコーダ及びドライバ２４からは電流が流されない。
【００２９】
そして読出し時には、例えば、ビット線アドレスデコーダ及びドライバ２１，２２は電流を流さず、２つのワード線アドレスデコーダ及びドライバ２３，２４から、読出しを行うセルが接続されたワード線に時間変化する電圧を印加して、各セルのトランジスタを作動させる。
【００３０】
また、ここではワード線アドレスデコーダ及びドライバ２４に、パルス幅判別部２５が接続してあり、各ワード線を流れるパルス電流を、パルス幅判別部２５内の抵抗で検出して、そのパルス幅の判別することで、所望のセルの記憶素子の磁化状態を判別することができる。
【００３１】
なお、本例のように各セルを構成させた場合、抵抗体抵抗値（Ｒｒ）および強磁性トンネル素子の抵抗値（Ｒｊ）を大きくすれば、ＭＯＳトランジスタを通らずに強磁性トンネル素子から抵抗体を通って流れる電流を小さくでき、配線間に流れる漏れ電流を小さくできより信号品質を上げることができる。抵抗体の抵抗値と強磁性トンネル素子の抵抗の比は、ＭＯＳトランジスタの動作しきい電圧、強磁性トンネル素子の耐圧などを考慮して決定すればよい。
【００３２】
図５は、本例の磁気メモリを半導体で構成させた場合の、１つのセルの断面構造を模式的に示した図である。この磁気メモリは、シリコン基板７２上に構成させてあり、横の素子と横断的に接続されている配線であるワード線６１が、一番上に形成してある。記憶素子としては、トンネル絶縁膜６４の上下に、第１の磁性層６３と第２の磁性層６５とを配置して構成してあり、導体柱６２でワード線６１と第１の磁性層６３との間を接続してある。
【００３３】
抵抗を構成する導体膜６７の上には、この抵抗の一方の電極６６が形成してあり、導体膜６７の下には、ビット線６８が形成してある。このビット線６８は、図中の奥行き方向に連続している。抵抗の電極６６は、記憶素子を構成する第２の磁性層６５と接続してあり、さらに導体柱７３とも接続してある。導体柱７３は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極７０とコンデンサの電極６６とを接続してある。ＭＯＳトランジスタのソース電極６９は、ビット線６８に接続してあり、ＭＯＳトランジスタのドレイン電極７１は、導体柱７４を介してワード線６１に接続してある。
【００３４】
この図５に示した構造として形成させる場合に、ＭＯＳトランジスタ、ワード線やビット線などの配線、及び導体柱については、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）等で使用されている一般的な材料や作製技術で作製でできる。
【００３５】
抵抗を構成する導体膜６７としては、非晶質Ｓｉ、ＳｉＣなどの高抵抗体を用いても良いし、薄い絶縁膜を流れるトンネル電流を利用しても良い。抵抗の一方の電極となる電極膜６６は強磁性トンネル素子の下地としても機能するので、強磁性トンネル素子の特性を低下させない材料を用いるのが良く、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗなどが利用できる。強磁性トンネル素子に用いる磁性体の片方は反強磁性体により一方向に磁化が固定された固定磁化層を用いるのが安定した磁化基準として適当である。強磁性体としてはＲｈＭｎ，ＩｒＭｎ，ＰｔＭＮなどのＭｎ合金が適当で、固定磁化層としてはＣｏ，ＣｏＦｅ，ＮｉＦｅなどの結晶質合金、ＣｏＢなどの非晶質を用いることができる。また、固定磁化層をＲｕなどの金属で複数層に分断し、それらを反平行に結合させて外部への漏洩磁場を減らして用いることもできる。もう一方の磁性層はＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの結晶質合金、ＣｏＢ、ＧｄＦｅＣｏなどの非晶質合金が利用可能である。磁気異方性は素子の形状異方性を利用するのが簡単であるが、さらに、磁場中熱処理を行って誘導磁気異方性を付加しても良い。
【００３６】
次に、本発明の第２の実施の形態を、図６〜図８を参照して説明する。
本例においては、第１の実施の形態で説明した磁気メモリに、参照用の記憶素子を設けて、記憶素子に記憶された情報の読出しが良好にできるようにしたものである。即ち、第１の実施の形態で説明した図２に示すように、磁化方向の違いにより検出されるパルス幅の変化は、比較的小さな時間であり、パルス幅の検出を精度良く行う必要があるが、本実施の形態では、そのパルス幅の検出を、参照用の記憶素子を設けて簡単かつ確実に検出できるようにしたものである。
【００３７】
図６は、参照用素子を使用して検出する原理を示した図である。各セルの基本的な構成については、既に第１の実施の形態で説明したセル構成と同じであり、ワード線１２に、記憶素子１３の一方の電極と、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１４のドレインが接続してある。記憶素子１３の他方の電極は、ＭＯＳトランジスタ１４のゲートに接続してあり、ゲート及び記憶素子１３の他方の電極は、抵抗１５の一方の電極に接続してある。ＭＯＳトランジスタ１４のソースと抵抗１５の他方の電極は、ビット線１１に接続してある。ここではこのセル構成を、記憶セルと称する。
【００３８】
そして本例においては、ビット線１１を、この記憶素子１３に記憶された情報の読出しを行うためのＥx-ＯＲゲート１８の一方の入力端に接続してある。このとき、ビット線１１とＥx-ＯＲゲート１８の入力端との間には、電流検出用の抵抗１６の一端が接続してある。抵抗１６の他端は接地させてある。
【００３９】
そして図６に示すように、この情報記憶用のセル（記憶セル）とは別に、参照用の記憶素子を使用したセル（参照セル）が構成させてある。即ち、記憶素子１３と等価な構成で、磁化方向が一定の方向に決められた参照用の記憶素子（以下単に参照素子と称する）１７を設け、この参照素子１７の一方の電極を、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１４′のドレインとともにワード線１２に接続してある。参照素子１７の他方の電極は、ＭＯＳトランジスタ１４′のゲートに接続してあり、ゲート及び参照素子１７の他方の電極は、抵抗１５′の一方の電極に接続してある。ＭＯＳトランジスタ１４′のソースと抵抗１５′の他方の電極は、Ｅx-ＯＲゲート１８の他方の入力端に接続してある。このとき、トランジスタ１４′とＥx-ＯＲゲート１８の入力端との間には、電流検出用の抵抗１６′の一端が接続してある。抵抗１６′の他端は接地させてある。そして、Ｅx-ＯＲゲート１８で入力信号の排他的論理和演算を行い、その演算出力を出力端子１８ａに得る。
【００４０】
このように構成したことで、記憶素子１３に記憶された情報を読出す際には、ワード線１２にパルス電圧を印加することで、出力端子１８ａに得られる信号から、記憶素子１３に記憶された情報を読出すことが可能になる。この読出し処理について図５の中に記載したパルスを参照して説明すると、ワード線１２に時間変化する電圧Ｖ１（ここでは鋸歯状波）を加えると、記憶セルから記憶素子１３に記憶された情報に基づいたパルス電圧Ｐ１が出力され、参照セルから参照素子１７に記憶された情報に基づいたパルス電圧Ｐ２が出力される。ここで、記憶素子１３での磁化方向と、参照素子１７での磁化方向とが等しい場合には、パルス電圧Ｐ１，Ｐ２が同じパルス電圧になり、２つの素子１３，１７での磁化方向が等しくない場合には、パルス電圧Ｐ１，Ｐ２が異なる長さのパルスとなる。
【００４１】
従って、この２つのパルス信号Ｐ１，Ｐ２をＥx-ＯＲゲート回路１８に供給することで、二つの状態が同じときは、パルスの波形が重なるのでＥx-ＯＲゲート回路１８からの出力が出ない状態になるが、二つの磁化状態が異なると、パルスの立ち上がりの位置が異なるので、この立ち上がりの時間差に対応したパルスＰ３が出力端子１８ａから出力される。つまり二つの素子の磁化状態が同じか異なるかが判別できる。参照素子の磁化状態は確定しているので、記憶素子の磁化状態も確定できる。
【００４２】
このように参照セルを設けて比較する構成としたことで、記憶素子に記憶された情報の検出が良好に行える。即ち、例えば強磁性トンネル接合の抵抗値にばらつきが有る場合、単独の素子の遅延時間だけでは磁化状態の検出誤りが多くなる。ここで本例の場合には、読み出された素子の磁化が参照素子の磁化と同じ場合は出力がなく、異なる場合に出力が得られるので、検出結果が明瞭になる。なお、読み出そうとする素子と参照素子との距離が離れると、伝送による信号の減衰や遅延の影響が現れるので、参照素子は読み出そうとする素子に近接して配置した方がよいが、全ての素子の近くに参照素子を配置すると記録可能な素子数が減少してしまう。
【００４３】
次に、このような参照セルを設ける場合の磁気メモリ全体の構成例を、図７を参照して説明する。この図７において、第１の実施の形態で説明した磁気メモリの全体構成である、図４に対応する部分には同一符号を付与してある。
【００４４】
図７の例では、各ワード線Ｗ₁，Ｗ₂，Ｗ₃毎に参照セルを設ける構成としてあり、各ワード線Ｗ₁，Ｗ₂，Ｗ₃と、右端のビット線Ｂ_xとの交点の近傍に構成されるセルを、参照セルとしてある。即ち、記憶素子３１_x，３２_x，３３_xを、予め磁化方向が定まった参照素子としてあり、それぞれの記憶素子３１_x，３２_x，３３_xに接続されたトランジスタ４１_x，４２_x，４３_x及び抵抗５１_x，５２_x，５３_xで、参照セルを構成してある。記憶セルの構成については、第１の実施の形態で図４で説明した構成と同じであり、ビット線アドレスデコーダ及びドライバ２１，２２とワード線アドレスデコーダ及びドライバ２３，２４についても、同じ構成であり、各デコーダ及びドライバでの、各記憶セルに情報を記録させる処理及び読出しさせる処理についても、基本的に同じである。
【００４５】
この参照セルが接続されたビット線Ｂ_xに得られる信号と、隣接したビット線Ｂ₃に得られる信号とを、Ｅx-ＯＲゲート回路８２ｃの一方及び他方の入力端に供給する。また、ビット線Ｂ₃に得られる信号と、隣接したビット線Ｂ₂に得られる信号とを、Ｅx-ＯＲゲート回路８２ｂの一方及び他方の入力端に供給する。また、ビット線Ｂ₂に得られる信号と、隣接したビット線Ｂ₁に得られる信号とを、Ｅx-ＯＲゲート回路８２ａの一方及び他方の入力端に供給する。なお、各ビット線Ｂ₁，Ｂ₂，Ｂ₃，Ｂ_xには、検出用の抵抗８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｘの一端が接続してある。
【００４６】
各Ｅx-ＯＲゲート回路８２ａの排他的論理和出力は、判別部８３に供給して、出力状態から各記憶セルの記憶情報を判別する。図８は、判別部８３を使用した判別処理例を示したフローチャートである。まず、読出すワード線が選択される（ステップＳ１１）。ここでは、例えばワード線Ｗ₁を選択し、このワード線Ｗ₁に読出し用のパルス状の電流を流したとする。
【００４７】
このとき、判別部８３では、最初にＥx-ＯＲゲート回路８２ｃから供給される、参照素子３１ｘの出力と、その参照素子３１ｘに隣接する記憶素子３１ｃの出力との排他的論理和出力を判断して、記憶素子３１ｃに記憶された情報を判断する（ステップＳ１２）。この判断処理については、図６を参照して説明したパルス電圧Ｐ３の有無を判断する処理と同じである。
【００４８】
次に、Ｅx-ＯＲゲート回路８２ｂから供給される、記憶素子３１ｃの出力と、その記憶素子３１ｃに隣接する記憶素子３１ｂの出力との排他的論理和出力を判断して、記憶素子３１ｂに記憶された情報を判断する（ステップＳ１３）。このときには、ステップＳ１２で記憶素子３１ｃの記憶状態（磁化方向）については既に判っているので、Ｅx-ＯＲゲート回路８２ｂの排他的論理和出力から、記憶素子３１ｃの記憶状態と記憶素子３１ｂの記憶状態とが等しいか否か判り、結果的に記憶素子３１ｂの記憶状態が判断できることになる。
【００４９】
以下、同様にして隣接した記憶素子間での排他的論理和出力を順に判断することで、ワード線Ｗ₁に接続された全ての記憶セルに記憶された情報が判断できることになる。このように隣接した記憶セル毎に比較して、順に記憶状態を判別することで、常に隣接する素子間で比較して判別することになり、比較する２つの素子の距離を最小にすることができ、良好な読出しが可能になる。即ち、読み出そうとする素子と参照素子との距離が離れると、伝送による信号の減衰や遅延の影響が現れるので、参照素子は読み出そうとする素子に近接して配置した方がよいが、全ての素子の近くに参照素子を配置すると記録可能な素子数が減少してしまうが、本例の読出し処理を行うことで、各ワード線に１つ参照セルを設けるだけで良く、少ない数の参照セルで良好な読出しが可能になる。
【００５０】
なお、図７の例では、各ワード線の右端に記憶セルを配置するようにしたが、その他の位置に、記憶セルを配置するようにしても良い。また、図７の例では、同一のワード線の中で、隣接素子同士を比較するようにしたが、隣接するビット線同士の素子（セル）間でも比較を行うようにして、全てのワード線に参照セルを配置するのではなく、数ワード線に１つだけ参照セルを設けるようにしても良い。或いは、隣接するビット線同士の素子（セル）間での比較を、全ての位置で行うようにして、１個の磁気メモリに１個だけ参照セルを設ける構成とすることも可能である。
【００５１】
また、参照素子を一方向に磁化する処理としては、強い外部磁場を加えて一方向に磁化しても良いし、ビット線とワード線に電流を流して素子を一つずつ磁化しても良いし、まとめて磁化しても良いが、他の記憶素子の磁化に影響を与える可能性もあるので、記録を行う前の初期化の過程で行うのが適当である。
【００５２】
次に、本発明の第３の実施の形態を、図９〜図１１を参照して説明する。
本例においては、第１の実施の形態で説明した磁気メモリの各記憶セルの近傍に、磁場印加及び加熱用の素子を配置して、記録の選択性を高めた構成としたものである。
【００５３】
図９は、本例の磁気メモリの各記憶セルの構成例を示した図で、図９では１つのワード線１２に接続された２つの記憶セルを示している。ここでは、ワード線１２とビット線１１ａとの交点の近傍に、記憶素子１３ａを使用した１つの記憶セル（第１の記憶セル）が構成され、ワード線１２とビット線１１ｂとの交点の近傍に、記憶素子１３ｂを使用したもう１つの記憶セル（第２の記憶セル）が構成されている。
【００５４】
第１の記憶セルについては、ワード線１２に、記憶素子１３ａの一方の電極が接続してある。ｎ型ＭＯＳトランジスタ１４ａのドレインについては、抵抗１９ａを介してワード線１２に接続してある。記憶素子１３ａの他方の電極は、ＭＯＳトランジスタ１４ａのゲートに接続してあり、ゲート及び記憶素子１３ａの他方の電極は、抵抗１５ａの一方の電極に接続してある。ＭＯＳトランジスタ１４ａのソースと抵抗１５ａの他方の電極は、ビット線１１ａに接続してある。
【００５５】
第２の記憶セルについては、ワード線１２に、記憶素子１３ｂの一方の電極が接続してある。ｎ型ＭＯＳトランジスタ１４ｂのドレインについては、抵抗１９ｂを介してワード線１２に接続してある。記憶素子１３ｂの他方の電極は、ＭＯＳトランジスタ１４ｂのゲートに接続してあり、ゲート及び記憶素子１３ｂの他方の電極は、抵抗１５ｂの一方の電極に接続してある。ＭＯＳトランジスタ１４ｂのソースと抵抗１５ｂの他方の電極は、ビット線１１ａに接続してある。
【００５６】
ここで、第２の記憶セルの抵抗１９ｂについては、第１の記憶セルの記憶素子１３ａと隣接した位置に配置してあり、図９に矢印で示すように、抵抗１９ｂで発する磁場印加及び加熱の作用２０が、記憶素子１３ａに及ばすようにしてある。また、第２の記憶セルの記憶素子１３ｂと隣接した位置には、ワード線１２上の第３の記憶セル（図示せず）の抵抗１９ｃが配置されて、その抵抗１９ｃで発する磁場印加及び加熱が、記憶素子１３ｂに作用するようにしてある。
【００５７】
このように構成した場合の記録動作について説明すると、例えばビット線１１ａとワード線１２の電位を同じにしておいて、隣接したビット線１１ｂの電圧を下げて、ワード線１２とビット線１１ｂの電圧差を、ＭＯＳトランジスタ１４ｂの動作しきい電圧以上にすると、ＭＯＳトランジスタ１４ｂのドレインとソースの間に電流が流れ、抵抗１９ｂの磁場印加および加熱機構が動作する。抵抗１９ｂの発生する磁場や熱によって記憶素子１３ａの保磁力は低下し、ワード線１２やビット線１１ａに流す電流を低減でき、目的の素子以外の素子への影響を少なくできる。
【００５８】
図１０は、このようなセル構成を適用した磁気メモリの全体構成例を示した図である。この例では、第２の実施の形態で説明した参照セルを、各ワード線Ｗ₁，Ｗ₂，Ｗ₃毎に配置した構成を適用してあり、図４，図７に対応する部分には同一符号を付与してある。
【００５９】
図１０の例では、各セルのＭＯＳトランジスタ４１ａ〜４１ｘ，４２ａ〜４２ｘ，４３ａ〜４３ｘのドレインと、ワード線Ｗ₁，Ｗ₂，Ｗ₃との間に、磁場印加及び加熱の作用を行う抵抗１０１ａ〜１０１ｘ，１０２ａ〜１０２ｘ，１０３ａ〜１０３ｘを接続してある。そして、各抵抗１０１ａ〜１０１ｘ，１０２ａ〜１０２ｘ，１０３ａ〜１０３ｘを、隣接したセルの記憶素子３１ａ〜３１ｃ，３２ａ〜３２ｃ，３３ａ〜３３ｃに近接した位置に配置する。なお、各ワード線上の左端に配された記憶セルに接続された抵抗１０１ａ，１０２ａ，１０３ａについては、他の記憶セルと特性を合わせるために接続されたものであり、他のセルに磁場印加及び加熱の作用を行うものではない。また、参照セルの記憶素子（参照素子）３１ｘ，３２ｘ，３３ｘについては、予め磁化方向が定まった素子であり、記憶（記録）処理が必要ないので、磁場印加及び加熱の作用を行う抵抗を近接配置する必要がない。
【００６０】
図１０に示した磁気メモリのビット線アドレスデコーダ及びドライバ２１，２２とワード線アドレスデコーダ及びドライバ２３，２４での、各記憶セルに情報を記録させる処理及び読出しさせる処理は、第２の実施の形態で図７で説明した構成と基本的に同じであり、読出し時に、参照素子を使用したＥx-ＯＲゲート回路８２ａ，８２ｂ，８２ｃを使用した検出処理についても、第２の実施の形態で説明した処理と同じである。但し、記憶素子に情報を記憶させる記録処理時には、情報を記憶させる記憶セルに記録用の電流を流すだけでなく、その記憶セルの記憶素子に磁場印加及び加熱の作用を行う抵抗が接続された記憶セルにも、その作用を行うための電流を流すドライブ処理を行う必要がある。
【００６１】
図１１は、本例の磁気メモリを半導体で構成させた場合の、１つのセルの断面構造を模式的に示した図である。この磁気メモリは、シリコン基板７２上に構成させてあり、横の素子と横断的に接続されている配線であるワード線９１が、一番上に形成してある。記憶素子として、トンネル絶縁膜６４の上下に、第１の磁性層６３と第２の磁性層６５とを配置して構成してある点は、第１の実施の形態の構成（図４参照）と同じである。この記憶素子の第１の磁性層６３は、配線９３と導体柱９２とを介してワード線９１に接続してある。
【００６２】
ここで、配線９３は隣接したセルの導体柱９５まで延長されて接続してある。この配線９３で、磁性層６３，６５とトンネル絶縁膜６４で構成される記憶素子に、磁場の印加及び加熱の作用を行う構成としてある。
【００６３】
第２の磁性層６５の下側で、電極６６を介して抵抗を構成する導体膜６７が形成してあり、導体膜６７の下にビット線６８が形成してあり、導体柱７３を介して電極６６とＭＯＳトランジスタのゲート電極７０とが接続してある構成については、図４で説明した構成と同じである。
【００６４】
このように構成して、配線９３を設けたことで、この配線９３の抵抗が、磁場の印加及び加熱の作用を行うようになる。この場合、配線抵抗を小さくすれば電流を多く流しても発熱が小さいので、磁場の印加の効果を主に用いることができ、高抵抗にすれば少ない電流で発熱させることができるので加熱の効果を主に利用することができる。また、磁場の強さを強めるために、配線９３の上面に軟磁性体を配置してもよい。この配線９３による作用を行うためには、ワード線と記録しようとする素子があるビット線に隣接したビット線との電圧差をＭＯＳトランジスタの動作しきい電圧以上にすればよい。このとき記録しようとする素子のあるワード線、ビット線の一方か両方に電流を流せば、記録が可能である。記憶素子に接続したＭＯＳトランジスタに流せる電流はワード線やビット線の電流に比べれば小さいが、記憶素子近傍に磁場印加や加熱機構を配置することで有効に機能させることができる。また、本例のように磁場印加、加熱機構を用いる場合、ビット線が本来のビット線の本数より一本多く必要であるが、読み出し参照用のビット線を用いれば、素子数の増加を抑えることができ、効率良く磁気メモリを構成することができる。
【００６５】
なお、上述した実施の形態では、配線の抵抗により、磁場の印加と加熱を行うようにしたが、磁場の印加と加熱のいずれか一方だけを行う素子（手段）を配置しても良い。
【００６６】
【発明の効果】
本発明によると、強磁性トンネル素子の抵抗変化を抵抗とＭＯＳトランジスタによってパルスの遅延時間やパルス幅に変換して出力するので、記憶素子が微細化しても、情報の記録や読出しが安定して行える。
【００６７】
また、２つのアドレス線（ワード線及びビット線）間の電圧でＭＯＳトランジスタの動作を制御するので、アドレス線間の電圧を変えることで、２つのアドレス線の内のそれぞれ一本ずつで記録にも読み出しにも対応できる。
【００６８】
また、磁化参照用の素子を設けて、さらに隣接素子間での演算で記憶情報を検出するようにしたことで、素子間のばらつきや信号遅延の影響を少なくして、確実な情報読み出しができる。この場合、例えば磁化参照用の素子を１つのアドレス線毎に配置したことで、全てのアドレス線から読出す際に、参照用素子を容易に参照することができ、良好な読出しが可能になる。
【００６９】
さらに、記憶素子に隣接したセルへの配線に、磁場印加及び／又は加熱手段を設ける構成としたことで、隣接したセルのトランジスタを磁場印加及び／又は加熱の制御に使用でき、記録誤りを低減でき、良好な記録が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による磁気メモリの構成例を示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による入出力特性の例を示す波形図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による入出力特性の別の例を示す波形図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による磁気メモリの全体構成例を示す構成図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による磁気メモリの断面構造の例を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による磁気メモリの構成例を示す回路図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態による磁気メモリの全体構成例を示す構成図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態によるデータ判別処理例を示したフローチャートである。
【図９】本発明の第３の実施の形態による構成例を示す回路図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態による磁気メモリの全体構成例を示す構成図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態による磁気メモリの断面構造の例を示す断面図である。
【図１２】従来から提案されているＭＲＡＭの構成の一例を示した回路図である。
【符号の説明】
１…第１のビット線、２…第２のビット線、３…ワード線、４…合成磁場、５…記憶素子、６…ＭＯＳトランジスタ、１１，１１ａ，１１ｂ…ビット線、１２…ワード線、１３…記憶素子、１４，１４′…ＭＯＳトランジスタ、１５，１５′…コンデンサ、１６，１６′…抵抗、１７…参照用記憶素子、１８…Ｅx-ＯＲゲート回路、１８ａ…出力端子、１９ａ〜１９ｃ…抵抗、２１，２２…ビットアドレスデコーダ及びドライバ、２３，２４…ワード線アドレスデコーダ及びドライバ、２５…パルス幅判別部、３１ａ〜３１ｎ，３２ａ〜３２ｎ，３３ａ〜３３ｎ…記憶素子、４１ａ〜４１ｎ，４２ａ〜４２ｎ，４３ａ〜４３ｎ…ＭＯＳトランジスタ、５１ａ〜５１ｎ，５２ａ〜５２ｎ，５３ａ〜５３ｎ…コンデンサ、６１…ワード線、６２…導体柱、６３…第１の磁性層、６４…トンネル絶縁膜、６５…第２の磁性層、６６…抵抗の第１の電極、６７…導体膜（抵抗）、６８…ビット線、６９…トランジスタのソース電極、７０…トランジスタのゲート電極、７１…トランジスタのドレイン電極、７２…シリコン基板、７３，７４…導体柱、８１ａ〜８１ｘ…抵抗、８２ａ〜８２ｃ…Ｅx-ＯＲゲート回路、８３…判別部、９１…ワード線、９２…導体柱、９３…配線、９５…導体柱、９６…ビット線、１０１ａ〜１０１ｘ，１０２ａ〜１０２ｘ，１０３ａ〜１０３ｘ…抵抗[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is a magnetic memory suitable for application to a memory using a tunnel magnetoresistive effect element called MRAM (Magnetic Randam Access Memory), and information recording for recording and reading information using the magnetic memory. The present invention relates to a circuit and an information reading circuit.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, in information equipment such as computers, dynamic RAM (DRAM) having high speed and high density is widely used as random access memory (RAM). However, since DRAM is a volatile memory in which information disappears when the power is turned off, a nonvolatile memory in which information does not disappear is desired. As a candidate for a nonvolatile memory, a magnetic random access memory (hereinafter referred to as an MRAM) that records information by magnetization of a magnetic material has attracted attention and is being developed.
[0003]
FIG. 12 is a diagram schematically showing a general structure of an MRAM currently under development. Here, the wiring connected to one electrode through the tunnel insulating film of the storage element that stores information in the magnetization direction of the magnetic material is a word line, and the line arranged orthogonal to the word line is a bit line. Call it. The configuration shown in FIG. 12 will be described. For the bit line, when reading recorded (stored) information, the first bit line 1 for operating the MOS transistor 6 to which the storage element 5 is connected; Two bit lines are connected to the second bit line 2 through which a current flows during recording. The word line 3 is arranged in a state orthogonal to the bit lines 1 and 2, and a current is similarly applied to the word line 3 during recording.
[0004]
The memory element whose resistance changes in the magnetized state due to the ferromagnetic tunnel effect is disposed in the vicinity of the position where the second bit line 2 and the word line 3 are orthogonal to each other, and one electrode of the memory element 5 is the word line 3. The other electrode of the memory element 5 is connected to the drain of the MOS transistor 6. The gate of the MOS transistor 6 is connected to the first bit line 1 and the source is connected to the second bit line 2.
[0005]
With such a configuration, when a current is simultaneously supplied to the second bit line 2 and the word line 3, a magnetic field is synthesized and strengthened at the intersection, and a synthesized magnetic field 4 is generated. In the following description, the case where the MOS transistor 6 is n-type will be described. When performing a recording operation for writing information to the memory element, the voltage difference between the voltage of the first bit line 1 and the second bit line 2 is made smaller than the operation threshold voltage of the MOS transistor 6, and the word line 3 and the bit line 2 are supplied with current to generate a synthetic magnetic field 4 shown in FIG.
[0006]
In the reproducing operation of reading information stored in the storage element, a voltage higher than the operation threshold voltage of the MOS transistor 6 is applied between the first bit line 1 and the second bit line 2 by applying a voltage to the word line 3. Is applied, the current flows from the word line 3 to the second bit line 2, the tunnel resistance of the ferromagnetic tunnel element can be detected from the relationship between the voltage and the current, and the information recorded (stored) in the storage element 5 can be read out. .
[0007]
[Non-Patent Document 1]
Nikkei Electronics Nikkei Business Publications, Inc. February 12, 2001, No. 789, pages 151-171
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the MRAM having the structure proposed in the related art detects a magnetization state by a tunnel current flowing between magnetic films sandwiching an insulating film. A large change in tunnel resistance due to the tunnel effect is necessary. However, the thickness of the insulating film that can provide a large rate of change in resistance is limited, and it is difficult to produce a particularly thin insulating film with good reproducibility, and it is difficult to reduce the resistance per unit area of the tunnel junction.
[0009]
In the detection processing that has been proposed in the past, it is difficult to detect the state of a high-resistance element at high speed due to an increase in resistance noise, etc., and the tunnel resistance also increases with the miniaturization of the element, improving the operation speed of the MRAM. It seems to be an obstacle. Also, the miniaturization of elements increases the variation in coercive force between elements, making it difficult to selectively record information.
[0010]
The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to enable high-speed and highly reliable recording and reading even in a magnetic memory in which elements are formed at high density.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
A magnetic memory according to the present invention includes a magnetic memory element having a plurality of magnetic memory elements that retain information according to the magnetization direction, and a magnetic memory element having one electrode connected to a first address line; A MOS transistor having the other electrode connected to the gate, a drain and a source connected to the first address line and the second address line, and a resistor connecting the gate of the MOS transistor and the second address line. It is characterized by having a configuration provided.
[0012]
With this configuration, one storage cell of the magnetic memory includes a magnetic memory element arranged near the intersection of the first and second addresses, and a MOS transistor and a resistor connected to the magnetic memory element. Will be configured.
[0013]
The information recording circuit of the magnetic memory of the present invention is a recording circuit applied to the magnetic memory described above, and the potential difference between the gate and the source or drain of the MOS transistor connected to the magnetic storage element for recording information is Information is recorded in the element by supplying a current to at least one of the first and second address lines connected to the MOS transistor while keeping the operation threshold voltage or less of the MOS transistor. .
[0014]
With this configuration, the magnetization of the memory element at the intersection of the word line and the bit line is inverted by simultaneously passing current through the first and second address lines and by synthesizing the current magnetic field generated in each line. Information is recorded by setting a desired magnetization state.
[0015]
The information reading circuit of the magnetic memory according to the present invention is a recording circuit applied to the magnetic memory described above, and the gate and source or drain of a MOS transistor connected to the magnetic memory element selected for reading information. A voltage is applied between the first address line and the second address line connected to the MOS transistor so that the potential difference between them becomes larger than the operating threshold voltage of the MOS transistor. It is characterized in that the current stored is detected to discriminate information stored in the element.
[0016]
With this configuration, if the voltage between the first and second address lines is made higher than the operating threshold voltage, the MOS transistor operates and current flows from the first address line to the second address line. Flowing. Here, when a time-varying voltage, for example, a sawtooth voltage, is applied between the first address line and the second address line, a voltage divided by the ferromagnetic tunnel element and the resistor is applied to the gate. A large current flows between the drain and source when the voltage exceeds the threshold voltage. Since the voltage applied to the gate changes depending on whether the magnetizations on both sides of the ferromagnetic tunnel element are parallel or antiparallel, the time during which the MOS transistor operates changes depending on the magnetization state, and the time and pulse width of the pulse current flowing through the bit line change. . The recorded information can be read from the time and pulse width.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
First, the basic structure of the magnetic memory of this example will be described. FIG. 1 shows a minimum unit circuit (cell) for recording one bit of the magnetic memory of this example. In FIG. 1, reference numerals 11 and 12 denote address lines. Here, the address line 11 is a bit line, and the address line 12 is a word line. In the vicinity of the intersection of the bit line 11 and the word line 12, one unit (one cell) of magnetic memory is formed.
[0018]
That is, to the word line 12, one electrode of a ferromagnetic tunnel element (hereinafter simply referred to as a storage element) 13 and the drain (D) of the MOS transistor 14 are connected. The other electrode of the memory element 13 is connected to the gate (G) of the MOS transistor 14, and the other electrode of the gate and the memory element 13 is connected to one electrode of the resistor 15. The source (S) of the MOS transistor 14 is connected to the bit line 11. The other electrode of the resistor 15 is also connected to the bit line 11. Here, as the MOS transistor 14, an n-type MOS transistor is used.
[0019]
With the magnetic memory configured as described above, during recording (storing), a current is passed through the bit line 11 and the word line 12 to generate a synthetic magnetic field 17 generated in the vicinity of the intersection of the bit line 11 and the word line 12. Information is stored by acting on the memory element 13 arranged in the vicinity of the intersection to reverse the magnetization direction of the memory element 13. When this information is stored, the potential difference between the bit line 11 and the word line 12 is used to control the operation of the MOS transistor 14. In the case of this example, in order not to operate the n-type MOS transistor 14 at the time of recording, the voltage difference between the word line 12 and the bit line 11 is set to be equal to or less than the operation threshold voltage of the MOS transistor 14. Here, the operation threshold voltage of the transistor 14 is referred to as Vt. In order to set the operation threshold voltage Vt of the transistor, when the resistance value of the memory element 13 is Rj and the resistance value of the resistor 15 is Rr, the voltage of the word line is {bit line voltage + Vt × [Rr / (Rr + Rj ]]} Or less, the voltage difference between the gate voltage and the source voltage of the transistor 14 becomes the operating threshold voltage Vt or less.
[0020]
When reading from the magnetic memory, a time-varying voltage, for example, a sawtooth voltage V1, is applied to the word line 12. When this time-varying voltage is applied, a voltage divided by the memory element 13 and the resistor 15 is applied to the gate of the transistor 14, and when the gate voltage of the transistor 14 exceeds the operating threshold voltage Vt, the drain and source A large current flows between them. This current is detected using a resistor 16 connected to the bit line 11, and an output pulse P1 is obtained. The resistor 16 is connected to each bit line 11 for reading, and is not actually connected to each 1-bit storage element.
[0021]
FIG. 2 is a diagram showing input / output characteristics when a time-varying voltage is applied to the word line in the configuration shown in FIG. FIG. 2A shows a time-varying voltage waveform (here, a so-called sawtooth waveform in which the voltage gradually increases) applied to the word line. When such a voltage waveform is applied, the voltage between the gate and source of the transistor 14 also rises in proportion to the applied voltage as shown in FIG. When the voltage between the gate and the source exceeds the operating threshold voltage Vt, the MOS transistor 14 operates, current flows from the word line 12 to the bit line 11, and as shown in FIG. An output signal current is obtained. The current flowing through the bit line 11 can be detected as a voltage waveform using the resistor 16 shown in FIG.
[0022]
Here, when a sawtooth voltage as shown in FIG. 2A is applied as an input, the gate-source voltage of the MOS transistor 14 is divided by the ferromagnetic tunnel element (memory element) 13 and the resistor 15. Therefore, the gate voltage changes depending on the magnetization direction of the ferromagnetic tunnel element, and the gate voltage increases as the ferromagnetic tunnel resistance decreases. That is, in the magnetization state (magnetization state 1) in the direction of decreasing the ferromagnetic tunnel resistance, the gate-source voltage of the MOS transistor 14 changes as shown by the broken line in FIG. 2B, and FIG. An output signal waveform indicated by a broken line is obtained. In the magnetization state (magnetization state 2) in the direction in which the ferromagnetic tunnel resistance increases, the voltage between the gate and the source of the MOS transistor 14 changes as shown by the solid line in FIG. 2B, and FIG. An output signal waveform indicated by a solid line is obtained, and a pulse waveform having a shorter time width than the magnetization state 1 is obtained.
[0023]
Here, the process of applying a voltage to the word line 12 and detecting the current by the bit line 11 has been described, but it is also possible to apply a voltage to the bit line 11 and detect the current by the word line 12. In this case, since the drain and the source of the MOS transistor are almost equivalent, the relationship between the ferromagnetic tunnel element and the resistor is merely opposite to the case where the voltage is applied to the word line 12 and the current is detected by the bit line 11. is there. FIG. 3 is a diagram showing an example of input / output characteristics when a voltage is applied to the bit line 11 and a current is detected by the word line 12. Assume that a sawtooth voltage as shown in FIG. 3A is applied to the bit line 11 as an input. At this time, in the magnetization state (magnetization state 1) in the direction in which the ferromagnetic tunnel resistance decreases, the gate-source voltage of the MOS transistor 14 changes as shown by the broken line in FIG. ), An output signal waveform indicated by a broken line is obtained. Further, in the magnetization state (magnetization state 2) in the direction in which the ferromagnetic tunnel resistance increases, the gate-source voltage of the MOS transistor 14 changes as shown by the solid line in FIG. 3B, and FIG. An output signal waveform indicated by a solid line is obtained, and a pulse waveform having a time width larger than that of the magnetization state 1 is obtained, and the magnitude relationship is opposite to that of the example of FIG.
[0024]
In this way, pulses having different time widths are obtained in the magnetization state 1 (broken line) and the magnetization state 2 (solid line). By detecting the time width difference, the magnetization state of the storage element 13 can be determined. Specifically, for example, the magnetization state can be determined by detecting at least one of a difference in pulse width and a pulse response.
[0025]
FIG. 4 is a diagram showing a circuit example in which each cell of this example is arranged in a matrix to form a magnetic memory. In this example, the word line W in the horizontal direction ₁ , W ₂ , W _Three ... are arranged in parallel, and the bit line B in the vertical direction ₁ , B ₂ , ... B _n (N is an arbitrary integer) are arranged in parallel. Each bit line B ₁ , B ₂ , ... B _n A bit line address decoder and drivers 21 and 22 are connected to one end and the other end of each. Similarly, each word line W ₁ , W ₂ , W _Three The word line address decoder and drivers 23 and 24 are connected to one end and the other end of. These decoders and drivers 21 to 24 are supplied with control data from control means (not shown), decode the control data, and supply a current for recording or reading to the designated bit line or word line. A drive process is performed.
[0026]
The configuration of each cell will be described. For example, the word line W ₁ And bit line B ₁ The cell formed in the vicinity of the intersection of the word lines W ₁ In addition, one electrode of the memory element 31a is connected to the drain of the MOS transistor 41a, and the other electrode of the memory element 31a and one electrode of the resistor 51a are connected to the gate of the transistor 41a. is there. Further, the source of the transistor 41a and the other electrode of the resistor 51a are connected to the bit line B. ₁ Is connected to.
[0027]
Also for other cells, the storage elements 31b to 31n, 32a to 32n, 33a to 33n, transistors 41b to 41n, 42a to 42n, 43a to 43n, and resistors 51b to 51n, 52a to 52n, 53a to 53n,. Are connected in the same way.
[0028]
An example of processing in a decoder and driver to which each bit line and word line are connected will be described. For example, at the time of recording, one of the bit line address decoder and the drivers 21 and 22 and the driver 21 is transferred to a cell to be recorded. A process is performed in which a current flows through the connected bit line, and no current flows from the other decoder and driver 22. In addition, a process of flowing a current from one decoder and driver 23 of the word line address decoder and drivers 23 and 24 to a word line connected to a cell to be recorded is performed, and the other decoder and driver 24 Current does not flow.
[0029]
At the time of reading, for example, the bit line address decoder and drivers 21 and 22 do not pass current, and the time-varying voltage is applied from the two word line address decoders and drivers 23 and 24 to the word line to which the cell to be read is connected. Apply to activate the transistor in each cell.
[0030]
Here, a pulse width determination unit 25 is connected to the word line address decoder and driver 24, and a pulse current flowing through each word line is detected by a resistor in the pulse width determination unit 25, and the pulse width of the pulse width determination unit 25 is detected. By determining, the magnetization state of the memory element of the desired cell can be determined.
[0031]
When each cell is configured as in this example, if the resistance value (Rr) and the resistance value (Rj) of the ferromagnetic tunnel element are increased, the resistance from the ferromagnetic tunnel element does not pass through the MOS transistor. The current flowing through the body can be reduced, the leakage current flowing between the wirings can be reduced, and the signal quality can be further improved. The ratio between the resistance value of the resistor and the resistance of the ferromagnetic tunnel element may be determined in consideration of the operating threshold voltage of the MOS transistor, the breakdown voltage of the ferromagnetic tunnel element, and the like.
[0032]
FIG. 5 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of one cell when the magnetic memory of this example is formed of a semiconductor. This magnetic memory is configured on a silicon substrate 72, and a word line 61, which is a wiring connected transversely to a lateral element, is formed on the top. As a memory element, a first magnetic layer 63 and a second magnetic layer 65 are arranged above and below a tunnel insulating film 64, and a word line 61 and a first magnetic layer 63 are formed by conductor columns 62. Is connected.
[0033]
One electrode 66 of this resistor is formed on the conductor film 67 constituting the resistor, and a bit line 68 is formed below the conductor film 67. The bit line 68 is continuous in the depth direction in the figure. The resistance electrode 66 is connected to the second magnetic layer 65 constituting the memory element, and is further connected to the conductor pillar 73. The conductor pillar 73 connects the gate electrode 70 of the MOS transistor and the electrode 66 of the capacitor. The source electrode 69 of the MOS transistor is connected to the bit line 68, and the drain electrode 71 of the MOS transistor is connected to the word line 61 via the conductor pillar 74.
[0034]
When the structure shown in FIG. 5 is formed, MOS transistors, wiring such as word lines and bit lines, and conductor columns are generally used in dynamic random access memory (DRAM) and the like. Can be made with materials and production techniques.
[0035]
As the conductor film 67 constituting the resistor, a high resistance body such as amorphous Si or SiC may be used, or a tunnel current flowing through a thin insulating film may be used. Since the electrode film 66 serving as one electrode of the resistor also functions as a base of the ferromagnetic tunnel element, it is preferable to use a material that does not deteriorate the characteristics of the ferromagnetic tunnel element, and Ta, Ti, W, or the like can be used. As one of the magnetic materials used for the ferromagnetic tunnel element, it is suitable as a stable magnetization reference to use a fixed magnetic layer whose magnetization is fixed in one direction by an antiferromagnetic material. Mn alloys such as RhMn, IrMn, and PtMN are suitable as the ferromagnetic material, and crystalline alloys such as Co, CoFe, and NiFe, and amorphous materials such as CoB can be used as the fixed magnetization layer. Further, the fixed magnetic layer can be divided into a plurality of layers with a metal such as Ru, and these can be coupled antiparallel to reduce the leakage magnetic field to the outside. As the other magnetic layer, a crystalline alloy such as CoFe or NiFe, or an amorphous alloy such as CoB or GdFeCo can be used. As the magnetic anisotropy, it is easy to use the shape anisotropy of the element. However, the induced magnetic anisotropy may be added by performing a heat treatment in a magnetic field.
[0036]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In this example, the reference memory element is provided in the magnetic memory described in the first embodiment so that the information stored in the memory element can be read satisfactorily. That is, as shown in FIG. 2 described in the first embodiment, the change in the pulse width detected by the difference in the magnetization direction is a relatively small time, and it is necessary to detect the pulse width with high accuracy. However, in the present embodiment, the detection of the pulse width is made simple and reliable by providing a reference storage element.
[0037]
FIG. 6 is a diagram showing the principle of detection using a reference element. The basic configuration of each cell is the same as the cell configuration already described in the first embodiment, and one electrode of the storage element 13 and the drain of the n-type MOS transistor 14 are connected to the word line 12. It is. The other electrode of the memory element 13 is connected to the gate of the MOS transistor 14, and the other electrode of the gate and the memory element 13 is connected to one electrode of the resistor 15. The source of the MOS transistor 14 and the other electrode of the resistor 15 are connected to the bit line 11. Here, this cell configuration is referred to as a memory cell.
[0038]
In this example, the bit line 11 is connected to one input terminal of an Ex-OR gate 18 for reading information stored in the storage element 13. At this time, one end of a resistor 16 for current detection is connected between the bit line 11 and the input end of the Ex-OR gate 18. The other end of the resistor 16 is grounded.
[0039]
As shown in FIG. 6, a cell (reference cell) using a reference storage element is formed separately from the information storage cell (memory cell). That is, a reference storage element (hereinafter simply referred to as a reference element) 17 having a configuration equivalent to the storage element 13 and having a magnetization direction determined in a fixed direction is provided, and one electrode of the reference element 17 is connected to an n-type. It is connected to the word line 12 together with the drain of the MOS transistor 14 '. The other electrode of the reference element 17 is connected to the gate of the MOS transistor 14 ', and the other electrode of the gate and the reference element 17 is connected to one electrode of the resistor 15'. The source of the MOS transistor 14 ′ and the other electrode of the resistor 15 ′ are connected to the other input terminal of the Ex-OR gate 18. At this time, one end of a current detection resistor 16 ′ is connected between the transistor 14 ′ and the input end of the Ex-OR gate 18. The other end of the resistor 16 'is grounded. Then, an exclusive OR operation of the input signal is performed by the Ex-OR gate 18, and the operation output is obtained at the output terminal 18a.
[0040]
With this configuration, when information stored in the storage element 13 is read, a pulse voltage is applied to the word line 12 to store the information in the storage element 13 from a signal obtained at the output terminal 18a. It is possible to read the information. The reading process will be described with reference to the pulses described in FIG. 5. When the voltage V1 that changes over time (here, sawtooth wave) is applied to the word line 12, the information stored in the storage element 13 from the storage cell. Is output, and the pulse voltage P2 based on the information stored in the reference element 17 is output from the reference cell. Here, when the magnetization direction in the storage element 13 and the magnetization direction in the reference element 17 are equal, the pulse voltages P1 and P2 are the same pulse voltage, and the magnetization directions in the two elements 13 and 17 are equal. If not, the pulse voltages P1 and P2 are pulses having different lengths.
[0041]
Therefore, by supplying these two pulse signals P1 and P2 to the Ex-OR gate circuit 18, when the two states are the same, the waveforms of the pulses overlap so that no output from the Ex-OR gate circuit 18 is output. However, when the two magnetization states are different, the rising position of the pulse is different, so that the pulse P3 corresponding to this rising time difference is output from the output terminal 18a. That is, it can be determined whether the magnetization states of the two elements are the same or different. Since the magnetization state of the reference element is determined, the magnetization state of the storage element can also be determined.
[0042]
Since the reference cell is provided and compared as described above, information stored in the storage element can be detected satisfactorily. That is, for example, when the resistance value of the ferromagnetic tunnel junction varies, the detection error of the magnetization state increases only with the delay time of a single element. Here, in the case of this example, there is no output when the magnetization of the read element is the same as the magnetization of the reference element, and an output is obtained when it is different, so the detection result becomes clear. Note that if the distance between the element to be read and the reference element increases, the influence of signal attenuation or delay due to transmission appears. Therefore, it is better to place the reference element close to the element to be read. If the reference elements are arranged near all the elements, the number of recordable elements is reduced.
[0043]
Next, a configuration example of the entire magnetic memory in the case where such a reference cell is provided will be described with reference to FIG. In FIG. 7, the same reference numerals are given to the portions corresponding to FIG. 4, which is the entire configuration of the magnetic memory described in the first embodiment.
[0044]
In the example of FIG. 7, each word line W ₁ , W ₂ , W _Three A reference cell is provided for each word line W. ₁ , W ₂ , W _Three And the rightmost bit line B _x A cell configured in the vicinity of the intersection with is used as a reference cell. That is, the memory element 31 _x , 32 _x , 33 _x As a reference element having a predetermined magnetization direction, and each storage element 31 _x , 32 _x , 33 _x Transistor 41 connected to _x , 42 _x , 43 _x And resistor 51 _x , 52 _x , 53 _x Thus, a reference cell is configured. The configuration of the memory cell is the same as that described in FIG. 4 in the first embodiment, and the bit line address decoder / drivers 21 and 22 and the word line address decoder / drivers 23 and 24 have the same configuration. Yes, the processing for recording and reading information in each memory cell in each decoder and driver is basically the same.
[0045]
Bit line B to which this reference cell is connected _x And the adjacent bit line B _Three Are supplied to one and the other input terminals of the Ex-OR gate circuit 82c. In addition, bit line B _Three And the adjacent bit line B ₂ Are supplied to one and the other input terminals of the Ex-OR gate circuit 82b. In addition, bit line B ₂ And the adjacent bit line B ₁ Are supplied to one and the other input terminals of the Ex-OR gate circuit 82a. Each bit line B ₁ , B ₂ , B _Three , B _x Are connected to one ends of detection resistors 81a, 81b, 81c, 81x.
[0046]
The exclusive OR output of each Ex-OR gate circuit 82a is supplied to the determination unit 83, and the storage information of each storage cell is determined from the output state. FIG. 8 is a flowchart showing an example of determination processing using the determination unit 83. First, a word line to be read is selected (step S11). Here, for example, the word line W ₁ Select this word line W ₁ It is assumed that a pulsed current for reading is supplied to.
[0047]
At this time, the determination unit 83 determines an exclusive OR output between the output of the reference element 31x and the output of the storage element 31c adjacent to the reference element 31x, which is first supplied from the Ex-OR gate circuit 82c. Then, the information stored in the storage element 31c is determined (step S12). This determination process is the same as the process for determining the presence or absence of the pulse voltage P3 described with reference to FIG.
[0048]
Next, an exclusive OR output between the output of the storage element 31c and the output of the storage element 31b adjacent to the storage element 31c supplied from the Ex-OR gate circuit 82b is determined, and stored in the storage element 31b. The determined information is determined (step S13). At this time, since the storage state (magnetization direction) of the storage element 31c is already known in step S12, the storage state of the storage element 31c and the storage of the storage element 31b are determined from the exclusive OR output of the Ex-OR gate circuit 82b. Whether or not the state is equal can be determined, and as a result, the storage state of the storage element 31b can be determined.
[0049]
In the same manner, the exclusive OR output between adjacent storage elements is sequentially determined in the same manner, so that the word line W ₁ The information stored in all the memory cells connected to can be determined. In this way, by comparing the adjacent storage cells in order and determining the storage state in order, the comparison is always made between the adjacent elements, and the distance between the two elements to be compared can be minimized. Can be read out satisfactorily. That is, when the distance between the element to be read and the reference element is increased, the influence of signal attenuation or delay due to transmission appears. Therefore, it is better to place the reference element close to the element to be read. If the reference elements are arranged close to all the elements, the number of recordable elements is reduced. However, by performing the read processing of this example, it is only necessary to provide one reference cell for each word line, and a small number. Good reading can be performed with the reference cells.
[0050]
In the example of FIG. 7, the memory cell is arranged at the right end of each word line. However, the memory cell may be arranged at other positions. In the example of FIG. 7, adjacent elements are compared in the same word line, but all word lines are also compared between elements (cells) of adjacent bit lines. Instead of arranging reference cells in the first, only one reference cell may be provided for several word lines. Alternatively, it is possible to provide a configuration in which only one reference cell is provided in one magnetic memory so that comparison between elements (cells) of adjacent bit lines is performed at all positions.
[0051]
As a process for magnetizing the reference element in one direction, a strong external magnetic field may be applied to magnetize the reference element in one direction, or current may be passed through the bit line and the word line to magnetize the elements one by one. However, although magnetization may be performed collectively, there is a possibility of affecting the magnetization of other storage elements, so it is appropriate to carry out the initialization process before recording.
[0052]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In this example, a magnetic field application and heating element is arranged in the vicinity of each storage cell of the magnetic memory described in the first embodiment to improve the recording selectivity.
[0053]
FIG. 9 is a diagram showing a configuration example of each storage cell of the magnetic memory of this example, and FIG. 9 shows two storage cells connected to one word line 12. Here, one storage cell (first storage cell) using the storage element 13a is formed in the vicinity of the intersection between the word line 12 and the bit line 11a, and in the vicinity of the intersection between the word line 12 and the bit line 11b. In addition, another memory cell (second memory cell) using the memory element 13b is configured.
[0054]
For the first memory cell, one electrode of the memory element 13 a is connected to the word line 12. The drain of the n-type MOS transistor 14a is connected to the word line 12 via a resistor 19a. The other electrode of the memory element 13a is connected to the gate of the MOS transistor 14a, and the other electrode of the gate and the memory element 13a is connected to one electrode of the resistor 15a. The source of the MOS transistor 14a and the other electrode of the resistor 15a are connected to the bit line 11a.
[0055]
For the second memory cell, one electrode of the memory element 13 b is connected to the word line 12. The drain of the n-type MOS transistor 14b is connected to the word line 12 via a resistor 19b. The other electrode of the memory element 13b is connected to the gate of the MOS transistor 14b, and the other electrode of the gate and the memory element 13b is connected to one electrode of the resistor 15b. The source of the MOS transistor 14b and the other electrode of the resistor 15b are connected to the bit line 11a.
[0056]
Here, the resistance 19b of the second memory cell is arranged at a position adjacent to the memory element 13a of the first memory cell, and as shown by an arrow in FIG. 9, application and heating of a magnetic field generated by the resistor 19b. The action 20 of the above is applied to the memory element 13a. Further, a resistor 19c of a third memory cell (not shown) on the word line 12 is disposed at a position adjacent to the memory element 13b of the second memory cell, and application and heating of a magnetic field generated by the resistor 19c. However, it acts on the memory element 13b.
[0057]
The recording operation in such a configuration will be described. For example, the potentials of the bit line 11a and the word line 12 are kept the same, the voltage of the adjacent bit line 11b is lowered, and the voltage of the word line 12 and the bit line 11b is reduced. When the difference is made equal to or higher than the operation threshold voltage of the MOS transistor 14b, a current flows between the drain and source of the MOS transistor 14b, and the magnetic field application and heating mechanism of the resistor 19b operates. The coercive force of the memory element 13a is lowered by the magnetic field and heat generated by the resistor 19b, the current flowing through the word line 12 and the bit line 11a can be reduced, and the influence on elements other than the target element can be reduced.
[0058]
FIG. 10 is a diagram showing an example of the overall configuration of a magnetic memory to which such a cell configuration is applied. In this example, the reference cell described in the second embodiment is connected to each word line W. ₁ , W ₂ , W _Three A configuration arranged every time is applied, and the same reference numerals are given to portions corresponding to FIGS. 4 and 7.
[0059]
In the example of FIG. 10, the drains of the MOS transistors 41a to 41x, 42a to 42x, 43a to 43x of each cell, and the word line W ₁ , W ₂ , W _Three Are connected to resistors 101a to 101x, 102a to 102x, and 103a to 103x for applying a magnetic field and heating. And each resistance 101a-101x, 102a-102x, 103a-103x is arrange | positioned in the position close to the memory elements 31a-31c, 32a-32c, 33a-33c of an adjacent cell. Note that the resistors 101a, 102a, and 103a connected to the memory cells arranged at the left end on each word line are connected to match the characteristics of the other memory cells. It does not perform the heating action. Further, the storage elements (reference elements) 31x, 32x, 33x of the reference cell are elements whose magnetization directions are determined in advance and do not require a storage (recording) process. There is no need to place them.
[0060]
The processing for recording and reading information in each memory cell in the bit line address decoder / drivers 21 and 22 and the word line address decoder / drivers 23 and 24 of the magnetic memory shown in FIG. The configuration is basically the same as the configuration described with reference to FIG. 7, and the detection processing using the Ex-OR gate circuits 82a, 82b, and 82c using the reference element at the time of reading is also described in the second embodiment. It is the same as the processing. However, during the recording process for storing information in the memory element, not only the current for recording is supplied to the memory cell for storing the information, but also a resistance for applying a magnetic field and heating is connected to the memory element of the memory cell. It is necessary to perform a drive process in which a current for performing the action is also applied to the memory cell.
[0061]
FIG. 11 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of one cell when the magnetic memory of this example is formed of a semiconductor. This magnetic memory is configured on a silicon substrate 72, and a word line 91 which is a wiring that is transversely connected to a lateral element is formed on the top. The configuration of the first embodiment (see FIG. 4) is that the first magnetic layer 63 and the second magnetic layer 65 are arranged above and below the tunnel insulating film 64 as a storage element. Is the same. The first magnetic layer 63 of the memory element is connected to the word line 91 via a wiring 93 and a conductor column 92.
[0062]
Here, the wiring 93 is extended and connected to the conductor column 95 of the adjacent cell. The wiring 93 is configured to apply a magnetic field and heat the memory element composed of the magnetic layers 63 and 65 and the tunnel insulating film 64.
[0063]
A conductor film 67 constituting a resistor is formed under the second magnetic layer 65 via the electrode 66, and a bit line 68 is formed under the conductor film 67, via the conductor pillar 73. The configuration in which the electrode 66 and the gate electrode 70 of the MOS transistor are connected is the same as the configuration described in FIG.
[0064]
By configuring in this way and providing the wiring 93, the resistance of the wiring 93 acts to apply a magnetic field and to heat. In this case, if the wiring resistance is reduced, the heat generation is small even if a large amount of current is passed. Therefore, the effect of applying a magnetic field can be mainly used, and if the resistance is high, the heat can be generated with a small current. Can be used mainly. In order to increase the strength of the magnetic field, a soft magnetic material may be disposed on the upper surface of the wiring 93. In order to perform the operation by the wiring 93, the voltage difference between the word line and the bit line adjacent to the bit line where the element to be recorded is located should be equal to or higher than the operation threshold voltage of the MOS transistor. At this time, recording can be performed by supplying a current to one or both of a word line and a bit line where an element to be recorded exists. Although the current that can be passed through the MOS transistor connected to the memory element is smaller than that of the word line or bit line, it can function effectively by arranging a magnetic field application or heating mechanism in the vicinity of the memory element. In addition, when a magnetic field application and heating mechanism is used as in this example, one bit line is required more than the original number of bit lines, but if a read reference bit line is used, an increase in the number of elements is suppressed. Therefore, the magnetic memory can be configured efficiently.
[0065]
In the above-described embodiment, the magnetic field is applied and heated by the resistance of the wiring. However, an element (means) that performs only one of the application and heating of the magnetic field may be arranged.
[0066]
【The invention's effect】
According to the present invention, the resistance change of the ferromagnetic tunnel element is converted into a pulse delay time and pulse width by a resistor and a MOS transistor and output, so that even when the memory element is miniaturized, information recording and reading are stable. Yes.
[0067]
In addition, since the operation of the MOS transistor is controlled by the voltage between the two address lines (word line and bit line), the voltage between the address lines can be changed to record each one of the two address lines. Can also be read.
[0068]
In addition, by providing an element for magnetization reference and detecting stored information by calculation between adjacent elements, it is possible to reliably read out information by reducing the influence of variation between elements and signal delay. . In this case, for example, by arranging the magnetization reference element for each address line, when reading from all address lines, the reference element can be easily referred to, and good reading is possible. .
[0069]
Furthermore, the memory element Next to Wiring to adjacent cells In addition, By adopting a configuration in which magnetic field application and / or heating means are provided, the transistors in adjacent cells can be used for control of magnetic field application and / or heating, recording errors can be reduced, and good recording becomes possible.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of a magnetic memory according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a waveform diagram showing an example of input / output characteristics according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a waveform diagram showing another example of input / output characteristics according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of the overall configuration of a magnetic memory according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a sectional view showing an example of a sectional structure of the magnetic memory according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration example of a magnetic memory according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a configuration diagram showing an example of the overall configuration of a magnetic memory according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a flowchart showing an example of data discrimination processing according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration example according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a configuration diagram showing an example of the overall configuration of a magnetic memory according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a sectional view showing an example of a sectional structure of a magnetic memory according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a circuit diagram showing an example of a configuration of a conventionally proposed MRAM.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st bit line, 2 ... 2nd bit line, 3 ... Word line, 4 ... Synthetic magnetic field, 5 ... Memory element, 6 ... MOS transistor, 11, 11a, 11b ... Bit line, 12 ... Word line, DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 ... Memory element 14, 14 '... MOS transistor, 15, 15' ... Capacitor, 16, 16 '... Resistance, 17 ... Reference memory element, 18 ... Ex-OR gate circuit, 18a ... Output terminal, 19a-19c ... resistors 21, 22 ... bit address decoders and drivers, 23, 24 ... word line address decoders and drivers, 25 ... pulse width discriminators, 31a-31n, 32a-32n, 33a-33n ... storage elements, 41a-41n, 42a to 42n, 43a to 43n ... MOS transistors, 51a to 51n, 52a to 52n, 53a to 53n ... capacitors, 61 ... word lines, 62 ... Body pillar, 63 ... first magnetic layer, 64 ... tunnel insulating film, 65 ... second magnetic layer, 66 ... first electrode of resistance, 67 ... conductor film (resistance), 68 ... bit line, 69 ... transistor Source electrode, 70 ... transistor gate electrode, 71 ... transistor drain electrode, 72 ... silicon substrate, 73, 74 ... conductor pillar, 81a-81x ... resistor, 82a-82c ... Ex-OR gate circuit, 83 ... discriminating section 91 ... Word line, 92 ... Conductor column, 93 ... Wiring, 95 ... Conductor column, 96 ... Bit line, 101a-101x, 102a-102x, 103a-103x ... Resistance

Claims

In a magnetic memory having a plurality of magnetic memory elements that retain information according to the magnetization direction,
A plurality of first address lines arranged in parallel;
A plurality of second address lines arranged in parallel in a state of crossing each of the first address lines;
A plurality of magnetic memory elements disposed at the intersections of the first address lines and the second address lines, one electrode of which is connected to the first address lines;
A plurality of MOS transistors in which the other electrode of each of the magnetic memory elements is connected to a gate, and a drain and a source are connected to the first address line and the second address line;
A magnetic memory comprising a plurality of resistors connecting the gates of the respective MOS transistors and a second address line.

The magnetic memory according to claim 1.
At least one of the plurality of magnetic storage elements is a reference storage element having a predetermined magnetization direction. Magnetic memory.

The magnetic memory according to claim 2.
The reference memory element is arranged for each of the plurality of first address lines.

The magnetic memory according to claim 1.
A plurality of magnetic field application and / or heating means connected between each of the MOS transistors and the first address line;
A part of each of the magnetic field application and / or heating means is to an adjacent magnetic memory element different from the magnetic memory element to which the magnetic field application and / or heating means is connected via a MOS transistor. A magnetic memory located at a position where a magnetic field is applied or heated .

The magnetic memory according to claim 4.
Each of the magnetic field application and / or heating means is a resistance magnetic memory.

An information recording circuit for recording information in a magnetic memory having a plurality of magnetic storage elements that hold information according to the magnetization direction,
As the magnetic memory,
A plurality of first address lines arranged in parallel;
A plurality of second address lines arranged in parallel in a state of crossing each of the first address lines;
A plurality of magnetic memory elements disposed at the intersections of the first address lines and the second address lines, one electrode of which is connected to the first address lines;
A plurality of MOS transistors in which the other electrode of each of the magnetic memory elements is connected to a gate, and a drain and a source are connected to the first address line and the second address line;
A plurality of resistors for connecting the gate of each of the MOS transistors and a second address line;
The potential difference between the gate and source or drain of the MOS transistor connected to the element for recording information among the plurality of magnetic memory elements is connected to the MOS transistor while keeping the potential difference below the operating threshold voltage of the MOS transistor. An information recording circuit comprising driving means for causing a current to flow through at least one of the first and second address lines.

The information recording circuit according to claim 6, wherein
As the magnetic memory,
A plurality of magnetic field application and / or heating means connected between said respective MOS transistor and the first address line is provided, wherein a portion of each of the magnetic field application and / or heating means, the magnetic field application and The heating means is arranged at a position for performing the action of applying a magnetic field to or heating the adjacent magnetic storage element different from the magnetic storage element connected via the MOS transistor,
Said drive means also flow a current between the first address line and the second address line connected to the magnetic field application and / or the heating means adjacent the magnetic memory element for recording information, the information An information recording circuit in which a magnetic memory element to be recorded is applied with a magnetic field or heated .

An information reading circuit for reading information recorded in a magnetic memory having a plurality of magnetic storage elements that hold information according to the magnetization direction,
As the magnetic memory,
A plurality of first address lines arranged in parallel;
A plurality of second address lines arranged in parallel in a state of crossing each of the first address lines;
A plurality of magnetic memory elements disposed at the intersections of the first address lines and the second address lines, one electrode of which is connected to the first address lines;
A plurality of MOS transistors in which the other electrode of each of the magnetic memory elements is connected to a gate, and a drain and a source are connected to the first address line and the second address line;
A plurality of resistors for connecting the gate of each of the MOS transistors and a second address line;
The potential difference between the gate and the source or drain of the MOS transistor connected to the element selected for reading information in the plurality of magnetic memory elements is made larger than the operating threshold voltage of the MOS transistor. Driving means for applying a voltage between the first address line and the second address line connected to the MOS transistor;
An information reading circuit comprising: a determining unit that detects a current flowing at a voltage applied by the driving unit to determine information stored in the element.

The information readout circuit according to claim 8, wherein
As the voltage application by the driving means, a time-varying voltage is applied,
An information readout circuit for discriminating information stored in a selected element by detecting at least one of a pulse width of a current or a time delay of a pulse response.

The information readout circuit according to claim 8, wherein
At least one of the plurality of magnetic storage elements included in the magnetic memory is a reference storage element having a predetermined magnetization direction,
The driving means applies a voltage so as to read a signal from at least the reference storage element and the selected storage element,
The determination means determines information stored from a logical operation of a signal read from a reference storage element and a signal read from a selected storage element.

The information reading circuit according to claim 10, wherein
The driving means applies a voltage so as to read signals from all the storage elements between the reference storage element and the selected storage element,
The logical operation in the determination means reads out signals from all the storage elements between the reference storage element and the selected storage element ,
Performing a logical operation of the signal read from the memory element for reference and the signal read from the memory element adjacent to the memory element to determine the memory information of the adjacent memory element;
A process of determining the storage information of the storage element by performing a logical operation on the signal read from the storage element that has determined the storage information and the signal read from the storage element adjacent to the storage element that has determined the storage information. An information reading circuit that sequentially performs until the stored information of the selected storage element is determined .