JP4138282B2 - Method for manufacturing organic electroluminescence element - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機 EL 素子、有機発光素子ともいう)の製造方法に関する
【0002】
【従来の技術】
有機発光素子(有機EL素子等)は、強い蛍光をもつ有機絶縁体薄膜の両面に陽極及び陰極からなる電極を取り付け、直流電圧を印加することにより発光する。具体的には、陽極(カソード電極)から正電荷が、陰極(アノード電極)から負電荷が注入され、印加された電場によりそれらは薄膜中を移動する。薄膜中を移動した正負の電荷はある確率で再結合し、再結合に際して放出されたエネルギーは蛍光分子の一重項励起状態(分子励起子)の形成に消費される。分子励起子はその発光量子効率の割合だけ外部に光を放出し基底状態に戻る。この際放出される光をEL発光として利用して発光ディスプレイ、レーザー素子が作製されている。
【0003】
上記の有機絶縁体薄膜は、例えば電子輸送層、電子注入層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層等からなり、総称して有機EL層と呼ばれる。またカソード電極には通常Al、Mg、Ag等の金属材料が使われることが多く、アノード電極にはEL発光を取り出すために、ITO(インジウム錫酸化物)等の透明電極が用いられる事が多い。またカソード電極、アノード電極それぞれと有機EL層の間には、バッファ層が形成される場合が多い。
【0004】
低分子材料を用いて有機絶縁体薄膜の構成要素を形成する手法としては、メタルマスクを併用した真空蒸着法が挙げられる。一方高分子材料を用いた形成方法としてはスピンコート方式が有名である。メタルマスクを用いた真空蒸着法では、アノード電極をパターニングした基板の上に、各有機EL層を同様のパターンで形成し、更にカソード電極を別のパターンで形成するのが一般的である。メタルマスクを使ったパターニングの例としては、2000年11月時点で33μm×100μmのパターンを形成したという報告がなされている(「有機ELから有機トランジスタへ」シンポジウムにて)。スピンコート法とは溶媒に高分子材料を溶解させ、その溶液を基板の上に滴下し、基板を所定の回転数で回すことで均一な膜厚をもつ有機EL層を形成する手法である。
【0005】
また近年、予め有機EL層を、PET(Polyethylene Terephthalate)フィルムのような支持体の表面に熱伝播層(剥離層も兼用)と共に成膜し(今後ドナーフィルムと称する)、これを基板上に貼付け、支持体の裏面側からレーザーをスキャンすることでストライプ状のパターニングが可能である成膜方法(以下、熱転写法と記載)が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上述したメタルマスクを用いた蒸着方式では、有機EL層、アノード電極、もしくはカソード電極を作製する毎にマスクを用いる必要があり、マスクの位置合せ、マスクそのものの加工の難しさによる解像度の限界、真空蒸着法との併用による画素寸法の不均一性、真空蒸着装置を用いることによるコスト高、スループットの悪さといった問題がある。また、スピンコート法を用いた素子作製においては、同一面内での画素分離ができないこと、溶媒を用いることによる有機EL層用の高分子材料の選択性の低さ等が問題である。
【0007】
これに対して熱転写法を用いることで、メタルマスクの必要性は無くなり、また予め高分子材料を積層したフィルムを用意することで、スピンコートでは不可能だったパターニングも可能となる。但しこの手法では、ストライプパターン以外のパターンを作製することはレーザー光源の安定性、制御性の難しさから困難であるという課題がある。
更に有機EL層と陰極を同時にパターニングするという公報があるが(特開平11−260549号公報)、有機EL膜への熱的ダメージ等の問題があり、素子の実用化にあたっては大きなブレークスルーが必要とされる。
【0008】
【課題を解決するための手段】
かくして、本発明によれば、少なくとも基板上に、第1電極、発光層を含む有機層及び第2電極を備えた発光素子の製造方法であって、第1電極を備えた基板上に第1電極より10-2 10 -5 cal/cm・s・℃の範囲で低い熱伝導度の所定パターンの有機膜を形成し、第1電極及び有機膜上に有機層を置き、有機層が第1電極上に転写されるが有機膜上には転写されない条件下での熱転写法により第1電極上に第1電極と整合させて有機層を形成することからなり、
有機膜が、基板上に所定パターンのマスクを介して紫外線を照射し、紫外線照射領域にのみ選択的に低分子材料を吸着させた自己組織化単分子膜として形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明では、予め第1電極を備えた基板(例えば、ガラス基板、樹脂基板、半導体基板)の上に、発光層を含む有機層を自己整合的に形成するために、例えばリソグラフィー技術や自己組織化単分子膜作成技術を用いて、汎用性ポリマー(例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、キシレン系樹脂等)、以下に例示する低分子材料等からなる有機膜のパターンを形成することを特徴の1つとしている。
【0010】
基板上へ発光層を含む有機層を熱転写する場合、転写条件にもよるが、転写膜/基板界面では100〜350℃の温度が発生する。有機発光素子を形成する上で、その発生した熱の挙動をコントロールすることは非常に重要である。基本的に有機物は耐熱性が劣るものが多いのがその理由である。ここで材料の違いによる熱的性質を利用する上で重要なパラメーターの一つに熱伝導率k(cal/cm・s.・℃)が挙げられる。温度分布が定常状態にある場合、熱の流れる方向(x軸)に直角な単位面積の面を単位時間に通過する熱流束qは、温度勾配
(dT/dx)
に比例し
q=k(dT/dx)
と表される。もし温度が非定常状態ならば(例えば温度が時間により変化する場合)、各点の温度は次式で表される。
σT/σt=k/ρc・(σ2T/σx2
【0011】
ここでT:温度、x:位置、t:時間、ρ:密度、c:比熱である。固体中の熱伝導は、伝導電子の運動によるものと、原子の熱振動の伝播によるものとからなる。金属等では前者による熱伝導が支配的であるが、絶縁体では後者による熱伝導が起こり、そのとき
k=cρul/3
となる。ここでu:音速、l:格子振動の平均自由行程である。事前に行った実験によれば、例えばITOの熱伝導度は2.5×10-2(cal/cm・s・℃)程度であるが、アクリル樹脂では4.8〜5.0×10-4(cal/cm・s・℃)程度の値を示した。
なお、本発明では、第1電極より有機膜の熱伝導度が 10-2〜10-5cal/cm・s・℃の範囲で低い。
【0012】
本発明では、有機発光素子の第1電極を備えた基板(第1電極は、例えばITOで構成されるアノードや電極(Al,Mg等)で構成されるカソードである)上に有機膜からなる所定のパターンを形成する。このようにして作られた基板に有機層熱転写用のドナーフィルムを密着させ、例えば紫外のレーザー光にて、フィルム側からスキャンする。スキャン幅は光路中に挿入されたスリット、結像レンズ、ビームプロファイル又はスキャン回数等により、数μm〜数mm以上で制御できる。またスキャンの方法は試料ステージをスキャンする場合と、レーザー光そのものをスキャンする場合が考えられるが、どちらでも構わない。熱転写後ドナーフィルムを機械的手法にて基板より取り除くと、熱伝導度の高い基板上に転写膜が作製され、熱伝導度の低い有機膜上には転写膜が作製されない。このように転写膜を容易にかつ自己整合的に所定パターンに形成することができる。
【0013】
有機膜を所定のパターンに形成する方法は、有機膜の種類により適宜選択することができる。有機膜がポリマー膜からなる場合、光(紫外線等)、電子線、イオン線、X線等の光源により任意の形状に形成するリソグラフィー技術により所定のパターンに形成することができる。
【0014】
低分子材料からなる場合、例えばマスクをかけた紫外線を用いて、任意のパターン形状の照射領域を作製し、紫外線が露光された部分だけに低分子材料を自己組織化単分子(SAM)膜として成長させることで所定のパターンに形成することができる。この場合、成膜後のパターン加工は必要としないため、任意の形状を正確に作製することができる。また紫外線照射を行った基板表面は、水の接触角が限りなく0°に近づき、非常に塗れ易い表面となる。このような親水性の表面となる主な要因は、接触角の測定結果から考察して、高密度の水酸基が基板表面を覆っているものと思われる。なお、本発明において、低分子材料として、分子量が200〜500の材料を使用することが好ましい。
【0015】
低分子材料としては、末端にクロロシリル基からなる共有結合性基を有する有機分子が使用できる。この有機分子を使用すれば、共有結合性基が、紫外線照射された基板表面の水酸基密度が高くなっていることを利用し、水酸基と選択的に結合することで有機膜よりなるパターン形成を容易に行うことができる。用いられる有機分子の分子構造式は、例えば、一般式(1)V-(CH2)x-W-(CH2)y-SiClnX3-nで表される(但し式中nは1〜3の整数、x及びyは正の整数でx+yは5〜18程度が最も扱いやすい。Vは-CH3、-CH=CH2、-COOH、ハロゲン原子、-CO2CH3、-SiClnX3-n、-Si(OR)nX3-n、-CN等が挙げられる。WはCH2、アルケニレン、アルキニレン、フェニレン、ピリジレン、チェニレン等が挙げられる。Xは低級アルキル基で特にCH3、C2H5が好ましい)。
【0016】
基板表面の水酸基密度が高くなっていることを利用する別の低分子材料として、末端に低級アルコキシシリル基からなる共有結合性基を有する有機分子が挙げられる。用いられる有機分子の分子構造式は、一般式(2)V-(CH2)x-W-(CH2)y-Si(OR)nX3-nで表される。RにはC1〜C6までの低級アルキル基(好ましくはメチル基、エチル基)が用いられる。
基板表面の水酸基密度が高くなっていることを利用する更に別の低分子材料として、末端にフォスフォン酸基を有する有機分子が挙げられる。用いられる有機分子の分子構造式は、一般式(3)SH-(CH2)x-PH2O3で表される。xは正の整数で5〜18程度が最も扱いやすい。
【0017】
基板表面の水酸基密度が高くなっていることを利用する他の低分子材料として、末端にカルボキシル基を有する有機分子が挙げられる。用いられる有機分子の分子構造式は、一般式(4)Z-(CH2)x-COOHで表される。xは正の整数で5〜18程度が最も扱いやすい。Zには-SHや-CH3等が用いられる。
末端にフォスフォン酸基又はカルボキシル基を有する有機分子からなる単分子膜を、Zr、Hf、Cu又はZnからなる群から選択される金属イオンを介して、それぞれ又は交互に複数回積層した積層膜としてもよい。
更に、上記有機膜には、第1電極と第2電極とが電気的に接触することを防ぐためのスペーサーの役割を果たさせてもよい。
【0018】
本発明の有機発光素子の製造方法は、有機EL素子の製造方法に適用することが好ましい。以下では有機EL素子を例にとり、熱転写法による有機発光素子の製造方法を説明する。まず、本発明の方法は、基板側から又は第2電極側からのいずれの側から発光を取り出す形式の有機EL素子でも適用できる。基板側から発光を取り出す場合は、基板及び第1電極に透明材料を、第2電極側から発光を取り出す場合は、第2電極に透明材料が使用される。
【0019】
熱転写法では、熱転写用のドナー基板上に熱転写を所望する有機EL素子の層を形成する。ドナー基板としては、特に限定されることなく樹脂フィルムのような公知のドナー基板を使用することができる。このドナー基板上には、転写効率を向上させるために公知の熱伝播層、光熱変換層、転写補助層(第2電極を構成する材料より低融点の材料からなる層)を予め形成しておいてもよい。
【0020】
ドナー基板上に、第2電極を形成する。形成法は、使用する材料により異なるが、例えば、蒸着法、電子ビーム法、スパッタ法、スプレー法等が挙げられる。更に、第2電極上に少なくとも発光層を含む有機層を形成する。フルカラーの有機EL素子の場合は、発光層をRGBの各色に塗り分ければよい。この場合、1枚のドナー基板に3色の発光層を形成してもよく、色毎に3枚のドナー基板を使用してもよい。発光層以外の有機層としては、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。有機層の形成法は、例えば、蒸着法、スピンコート法、印刷法、インクジェット法等が挙げられる。
【0021】
発光層に用いられる材料としては、例えば、トリス(8−ヒドロキシナト)アルミニウム錯体(Alq3)、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム(BAlq)、ベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾチアゾール系化合物等が挙げられる。また、発光色の変更や特性向上のために、ドーパントを添加することもできる。このようなドーパントとしては、キナクリドン、ルブレン、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスリチル)−4H−ピラン(DCM)、クマリン誘導体等が挙げられる。
【0022】
正孔輸送層や正孔注入層に用いられる材料としては、例えば、N,N'−ジフェニル−N,N'(3−メチルフェニル)−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジアミン(TPD)、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(α−ナフチル)−1,1'−ビフェニル−4,4'−ジアミン(α―NPD)、銅フタロシアニン(CuPc)、オキサジアゾール、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物等が挙げられる。
電子輸送層や電子注入層に用いられる材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリス(8−ヒドロキシナト)アルミニウム錯体(Alq3)、トリアゾール誘導体等が挙げられる。
以上の方法により有機EL素子を構成する層が積層されたドナー基板(ドナーフィルム)を得ることができる。
【0023】
次に、ドナーフィルムと基板とを貼り合わせ熱転写し、ドナー基板を剥離する。すなわち、ドナー基板と基板とを両基板が外側になるように貼り合わせ、基板側に形成した最上層上に、ドナー基板上に形成した層を熱転写し、ドナー基板を剥離する。
熱転写法の熱源としては、ドナー基板側に形成された第二電極と有機層とを、基板側に熱転写できるものであれば特に限定されない。より具体的には、高精細なパターンを得るために局所的に強いエネルギーを与えるのが好ましく、レーザー光、特に紫外レーザー光、YAGレーザー光を効果的に用いることができる。また、連続発振のレーザー光を用いることにより、より完全なラインパターンを得ることができる。
【0024】
この熱転写法について具体的に説明する。
まず、第一電極と有機層とが接するように、ドナー基板と基板とを貼り合わせる。このとき、貼り合せ部に気泡が残らないように、貼り合せたものをローラー等で圧着し、脱気することが好ましい。真空ラミネート法が気泡除去に有効である。次いで、レーザー光を照射する。従来では、このレーザー光を熱転写を所望するパターン状に照射していたが、本発明では熱転写される基板の表面に有機膜を形成しているため、そのような必要はなく、基板全面を照射してもよい。また、従来のようにパターン状に照射してもよい。
照射後にドナー基板を剥離することにより、第1電極が形成された基板上に、第2電極や有機層が熱転写され、有機EL素子が得られる。
【0025】
上記方法では、有機層と第2電極を同時に熱転写したが、別々に熱転写してもよく、第2電極を熱転写法以外の方法(例えば、蒸着法、スパッタ法等)で形成してもよい。第2電極を別に熱転写又は他の方法で形成する場合は、第2電極側の有機層上に第2電極バッファ層を設けてもよい。
【0026】
【実施例】
実施例1
厚さ1.0μm程度のガラス基板上にアノード(第1電極)である厚さ100nm程度のITO膜を積層する。ITO膜を含むガラス基板上に、汎用性ポリマーの1種としてアクリル樹脂(JSR社製PC409)をスピンコートにて塗布した。スピンコートの条件は2000rpm/30秒とし、100℃/100秒プレベークして、0.1μm程度の厚みの有機膜を作製した。露光装置を用いて、所定パターンのマスクを介して100mJ/cm2(365nm)にて露光を行った後、現像液で60秒の現像を行った。その後超純水洗浄を室温で60秒行い、更にクリーンオーブンで220℃/60分加熱した。露光時のマスクの形状により、各種形状のパターニングが可能であるが、今回は解像度2.0×2.0μmのドットパターンを作製した。
また、リソグラフィー技術は光の他、電子線やX線を光源として用いた技術が進んできており、0.15μmのデザインルールにも対応が可能となっており、リソグラフィーの解像度を更に改良することが可能である。
【0027】
今回用いたドナーフィルムは、PETフィルム上に熱伝播層(剥離層も兼用)が作製された支持体(今後ベースフィルムと称する)上に、まず陰極バッファ層としてLiF(フッ化リチウム)を1nm程度の厚さで積層した後、発光層としてキノリールアルミニウム錯体(以下Alq3)と正孔注入層としてN,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(αナフチル)−1,1'−ビフェニル−4,4'−ジアミン(以下α−NPD)をそれぞれ30nmの厚さで蒸着することで有機層を形成した。蒸着は、蒸着装置内のベース真空度が5.0×10-7torr程度の雰囲気下で行い、膜厚制御には水晶振動子モニターを用いた。
【0028】
このドナーフィルムをITO膜を備えた基板に密着させ、PETフィルム側から、例えば紫外光レーザーにてスキャンする。スキャンの方法は試料ステージをスキャンする場合と、レーザーそのものをスキャンする場合のどちらでも構わないが、今回は試料ステージを0.1〜3.0m/秒でスキャンした。熱転写後ベースフィルムを機械的に基板より取り除くと、熱伝導度の高い基板上には転写膜が作製され、熱伝導度の低いアクリル樹脂からなる有機膜上には転写膜(有機層)が作製されなかった(図1)。有機膜上と有機膜の存在しない基板上の転写膜の層構造の確認は、オージェ電子分光装置、原子間力顕微鏡、エネルギー分光装置を用いて行った。図1中、1は転写膜、2はアクリル樹脂、3はITO膜、4はガラス基板を意味する。
【0029】
実施例2
実施例1に記載の汎用性ポリマーを、塩酸+第二塩化鉄やHBr(臭化水素)でパターニングされたITO膜の上で、特にITO膜のエッジ部分に製膜することで、陰極として蒸着される電極材料との電気的なコンタクトを防ぐ役割も付加した。パターニングされたITO膜を有する基板上に、アクリル樹脂を塗布後、ITO膜のエッジ部分のみに選択的にポリマーが残るように実施例1と同様なフォトリソグラフィ処理を行った。この基板上に熱転写法により実施例1と同じ有機層を製膜し、更に陰極としてAl電極(第2電極)を100nmの厚さで蒸着した。電気的手法による試験の結果、Al電極とITO膜間に流れる電流は存在しないことが分かった(図2)。更にITO膜上、ITO膜エッジ部分のアクリル樹脂上での転写膜のパターン形成と、熱転写後の状態については、オージェ電子分光装置、原子間力顕微鏡、エネルギー分光装置を用いて確認した。図2中、5はAl電極を意味する。
【0030】
実施例3
実施例1のアクリル樹脂の代わりに、有機低分子材料を用いた任意のパターン形状の作製を行った(図3)。紫外線照射時に3μm周期のラインアンドスペースを持つマスク7を用いて、ITO膜を備えた基板上に選択的な紫外線照射を行った。照射条件はエキシマランプ6を用い、出力10mW/cm2程度、照射時間10分程度である。紫外線が照射された基板は、水の接触角が限りなく0°に近づき、非常に塗れ易い表面を形成した。一方、紫外線照射が行われなかったITO表面は水の接触角が90°程度の値を示し、疎水性の表面状態を示していた。この基板をSAM膜成長基板として用いることで、紫外線照射部位に選択的に吸着するSAM膜からなる有機膜を形成した。
この実施例では、SAM膜として、OTS(オクタデシルトリクロロシラン)溶液から作製した膜を用いた。以降、実施例1と同様に転写膜のパターン形成を行った。転写膜の状態については、オージェ電子分光装置、原子間力顕微鏡、エネルギー分光装置を用いて確認した。
【0031】
実施例4
実施例3に記載のSAM膜によるパターン化基板を作製する際に、水酸基と選択的に結合する末端にクロロシリル基からなる共有結合性基を有する有機分子を吸着させて任意のパターンからなる有機膜を作製した。まず、ITO基板表面の特定の領域だけに、3μm周期のラインアンドスペースを持つマスクを用いて紫外線を照射し、その基板をあらかじめ用意しておいた1mM濃度のOTS溶液中に15分程度浸漬した。OTS溶液は、オクタデシルトリクロロシラン[CH3(CH2)17SiCl3,OTS]79μlを、n-ヘキサデカン;70ml+四塩化炭素;30mlに混ぜて作製した。通常OTS溶液中は、単分子膜厚で基板を一様に覆うよりも過剰な分子濃度で作製されており、基板と結合できない余剰なOTS分子は、基板を溶液から取り出した時点でほとんど溶液側へ流れるが、OTS単分子膜の上に物理吸着によって残留する可能性も有る。そのために、SAM分子で表面が覆われた基板を、クロロホルムで3分間洗浄し、その後Arガスでブローし乾燥させた。
CH3(CH2)17SiCl2Oからなる単分子膜がOを介して形成される様子を下記式(化1)に示す。
CH3-(CH2)17-SiCl3+(-OH)
→CH3-(CH2)17-SiCl2-O-+HCl (化1)
【0032】
その後まだ未反応のOTS分子のSi-Cl基も、大気中(もしくは溶液中)の水分と反応してSi-OH基が形成される。その様子を下記式(化2)に示す。
CH3-(CH2)17-SiCl2-O-+2H2O
→CH3-(CH2)17-Si(OH)2-O-+2HCl (化2)
【0033】
次にシラノール基(-SiOH)が隣のシラノール基と脱水縮合して下記式(化3)に示す結合ができる。
n[CH3-(CH2)17-Si(OH)2-O-]
→n[CH3-(CH2)17-SiO2-O-]+nH2O (化3)
被膜の確認はエリプソメトリーで行い、OTS分子は基板上に約20nm厚さで選択的に吸着していた。これにより基板表面にCH3(CH2)17SiOからなる単分子膜がOを介して形成された。このようにして作製された基板上に実施例1と同様な手法により転写膜を作製すると、ITO基板露出部では転写膜が確認されたが、有機膜上には転写膜は確認されなかった(図4)。転写膜の状態については、オージェ電子分光装置、原子間力顕微鏡、エネルギー分光装置を用いて確認した。図4中、9はシロキサン結合をもつSAM膜からなる有機膜を意味する。
【0034】
実施例5
実施例4において用いたOTS分子をオクタデシルトリメトキシシラン[CH3(CH2)17Si(OCH3)3]分子に代えること以外は同様の実験を行った。具体的には、基板を、あらかじめ用意しておいた、1mM濃度のオクタデシルトリメトキシシラン溶液中に30分程度浸漬すること以外は実施例4と同様にした。実施例4の脱塩酸反応が脱アルコール反応に変わる以外は前記化学反応式(化1〜3)と同様に進行し(化4〜6)、化学反応式(化6)に示す単分子膜が基板上に形成された。オクタデシルトリメトキシシラン分子からなる単分子膜が、紫外線照射領域に形成された。その後、クロロホルムで3分間洗浄して、Arガスでブローし乾燥させた。
CH3(CH2)17Si(OCH3)3+(-OH)
→CH3-(CH2)17Si(OCH3)2-O-+CH3OH (化4)
【0035】
その後まだ未反応のOTS分子のSi-Cl基も、大気中(もしくは溶液中)の水分と反応してSi-OH基が形成される。その様子を下記式(化5)に示す。
CH3-(CH2)17-Si(OCH3)2-O-+2H2O)
→CH3-(CH2)17-Si(OH)2-O-+2CH3OH (化5)
【0036】
次にシラノール基(-SiOH)が隣のシラノール基と脱水縮合して下記式(化6)に示す結合ができる。
n[CH3-(CH2)17-Si(OH)2-O]
→n[CH3-(CH2)17-SiO2-O]+nH2O (化6)
被膜の確認はエリプソメトリーで行い、オクタデシルトリメトキシシラン分子は基板上に約25nm厚さで選択的に吸着していた。このようにして作製された基板上に転写膜を作製すると、基板露出部では転写膜が確認されたが、有機膜上には転写膜は確認されなかった(図4)。転写膜の状態については、オージェ電子分光装置、原子間力顕微鏡、エネルギー分光装置を用いて確認した。
【0037】
実施例6
実施例4において用いたOTS分子をメルカプトフォスフォン酸;SH(CH2)4PH2O3分子に代えること以外は同様の実験を行った。具体的には、基板を、あらかじめ用意しておいた、メルカプトフォスフォン酸溶液中に浸漬した。メルカプトフォスフォン酸溶液は、純エタノール溶媒中、直鎖有機分子の一種であり末端に-SH基を持ち、反対側の末端には-PH2O3基を持つことを特徴とするメルカプトフォスフォン酸分子を1mMの濃度で展開することで準備した。メルカプトフォスフォン酸溶液中に30分間放置することで、単分子膜厚のメルカプトフォスフォン酸分子が基板上に約0.8nm厚さで選択的に吸着していた。被膜の確認はエリプソメトリーで行った。このようにして作製された有機膜を備えた基板上に転写膜を作製すると、基板露出部では転写膜が確認されたが、有機膜上には転写膜は確認されなかった(図5)。転写膜の状態については、オージェ電子分光装置、原子間力顕微鏡、エネルギー分光装置を用いて確認した。図5中、10はメルカプトフォスフォン酸分子のSAM膜からなる有機膜を意味する。
【0038】
実施例7
実施例4において用いたOTS分子を16-ビスフォスフォン酸分子に代えること以外は同様の実験を行った。具体的には、基板を、あらかじめ用意しておいた、16-ビスフォスフォン酸溶媒中に30分程度放置することで、単分子膜厚の16-ビスフォスフォン酸分子が、マスクを通して紫外線が照射された基板表面を覆った。16-ビスフォン酸溶液は、純エタノール溶媒中、直鎖有機分子の一種であり両末端に-PH2O3基を持つことを特徴とする16-ビスフォスフォン酸O3H2P(CH2)16PH2O3を1mMの濃度で展開することで準備した。その後リンスの為、基板を純エタノール中に漬し超音波洗浄を行った。更にArガスブローにて乾燥させた。有機膜の確認はエリプソメトリーで行い、16-ビスフォスフォン酸分子は、基板上に約2〜3nmの厚さで選択的に吸着していた。このようにして作製された有機膜を備えた基板上に転写膜を作製すると、基板露出部では転写膜が確認されたが、有機膜上には転写膜は確認されなかった(図6)。転写膜の状態については、オージェ電子分光装置、原子間力顕微鏡、エネルギー分光装置を用いて確認した。図6中、11は16-ビスフォスフォン酸分子のSAM膜からなる有機膜を意味する。
【0039】
実施例8
実施例7と同様に、基板表面に16-ビスフォスフォン酸分子単分子膜を形成した後、この単分子膜を1層目とし、単分子膜を備えた基板を、別途用意したZn2+イオンを生成する1mMジンクパークロレートヘキサヒドレート;Zn(ClO42・6H2O水溶液中に5分静置した。この処理により、隣接した16-ビスフォスフォン酸2分子の持つ-PH2O3基とZn2+イオンが反応して、Znで単分子膜の表面が覆われた基板が作製される。その後この基板を純エタノール中で超音波洗浄することで、余分なジンクパークロレートヘキサヒドレートをリンスした。
【0040】
この基板を、再度16-ビスフォスフォン酸溶液中に30分程度静置することで2層目の16-ビスフォスフォン酸単分子薄膜を形成した。被膜の確認はエリプソメトリーで行い、16-ビスフォスフォン酸2分子とZnからなる多層膜(有機膜)は、基板上に約4.6nm厚さで選択的に吸着していた。
この行程を繰り返すことで、分子レベルで正確に制御された、任意の膜厚(ほぼ単分子膜厚2.3nmの整数倍の厚さ)の累積膜(有機膜)を作成することが可能である。また金属イオン溶液として、それぞれ1mMのZrOCl2やHfOCl2を用いた場合でも前述と同様に16-ビスフォスフォン酸2分子とZr、Hfからなる多層膜が基板上に選択的に吸着され、約4.6nm厚さの被膜を形成していることがエリプソメーターにより確認された。
【0041】
このようにして作製された基板上に転写膜を作製すると、基版露出部では転写膜が確認されたが、有機膜上には転写膜は確認されなかった(図7)。転写膜の状態については、オージェ電子分光装置、原子間力顕微鏡、エネルギー分光装置を用いて確認した。図7中、12は16-ビスフォスフォン酸2分子とZnからなる多層膜からなる有機膜を意味する。
【0042】
実施例9
またメルカプト酢酸溶液を用いること以外は、上記実施例8の16-ビスフォスフォン酸積層膜と同様に積層膜を形成した。具体的には、メルカプト酢酸溶液は、純エタノール溶媒中、直鎖有機分子の一種であり末端に-SH基を持ち、反対側の末端にカルボキシル基を持つことを特徴とするメルカプト酢酸分子を1mMの濃度で展開することで準備した。先ず3μm周期のラインアンドスペースを持つマスクを用いて紫外線が照射された基板を、メルカプト酢酸溶液中に30分間放置し、純エタノール中で超音波洗浄することで余分なメルカプト酢酸分子を除去し、1層目のメルカプト酢酸単分子膜を約1.2nm厚さで選択的に吸着させた(図8)。被膜の確認はエリプソメトリーで行った。図8中、13はメルカプト酢酸単分子膜を意味する。
【0043】
1層目のメルカプト酢酸単分子膜を備えた基板を別途用意した1mM濃度のCuアセテート溶液中で5分静置後、再度メルカプト酢酸溶液中に30分浸漬した。この処理により、メルカプト酢酸2分子の持つ-SH基とCuアセテートの持つCuイオンがサルファイド結合し、2分子厚さのメルカプト酢酸単分子膜で覆われた基板が形成された。その後この基板を純エタノール中で超音波洗浄することで、余分なメルカプト酢酸分子、Cuアセテート分子やCuイオンをリンスした。更にArブローにて乾燥させた。被膜の確認はエリプソメトリーで行い、メルカプト酢酸2分子とCuからなる多層膜は、基板上に約4.6nm厚さで選択的に吸着していた。このようにして作製された基板上に転写膜を作製すると、基板露出部では転写膜が確認されたが、有機膜上には転写膜は確認されなかった。転写膜の状態については、オージェ電子分光装置、原子間力顕微鏡、エネルギー分光装置を用いて確認した。
【0044】
実施例10
実施例1〜実施例9に記載の有機EL素子のうち、実施例1、実施例4、実施例7で作製した有機EL素子は、いずれも4〜5(mA/cm2)の電流密度を与えることで350〜400(cd/cm2)の発光輝度を得ることができた(図9)。
【0045】
【発明の効果】
本発明によれば、従来の有機EL素子開発で問題となっている、マスクによる素子分離の限界の克服や、転写膜パターンの多様化が可能となり、更にその解決手段もリソグラフィーや自己組織化分子膜作製技術の応用で達成することができるため、素子作製時のプロセスの簡略化が可能となる。更に上記の有機絶縁膜を任意の形状に作製することができるため、応用範囲は更に拡がり、様々な構成の新規素子を創出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】アクリル樹脂によりパターニングされた熱転写法による本発明の製造方法により得られる有機EL素子の概略図である。
【図2】電極間の電流リークを防ぐ構成を説明する本発明の製造方法にかかる有機EL素子の概略断面図である。
【図3】本発明の製造方法におけるマスクを用いた紫外線照射領域の形成方法を説明するための概略図である。
【図4】本発明の製造方法におけるシロキサン結合をもつSAM膜を用いた転写膜のパターニング方法を説明するための概略図である。
【図5】本発明の製造方法におけるメルカプトフォスフォン酸単分子膜を用いた転写膜のパターニング方法を説明するための概略図である。
【図6】本発明の製造方法における16-ビスフォスフォン酸単分子膜を用いた転写膜のパターニング方法を説明するための概略図である。
【図7】本発明の製造方法における16-ビスフォスフォン酸単分子膜を用いた転写膜のパターニング方法を説明するための概略図である。
【図8】本発明の製造方法におけるメルカプトフォスフォン酸分子膜を用いた転写膜のパターニング方法を説明するための概略図である。
【図9】本発明の製造方法により得られた有機EL素子の電流密度−発光輝度特性を示すグラフである。
【符号の説明】
1 転写膜
2 アクリル樹脂
3 ITO膜
4 ガラス基板
5 Al電極
6 エキシマランプ
7 マスク
8 紫外線照射部位
9 シロキサン結合をもつSAM膜からなる有機膜
10 メルカプトフォスフォン酸分子のSAM膜からなる有機膜
11 16-ビスフォン酸分子のSAM膜からなる有機膜
12 16-ビスフォスフォン酸2分子とZnからなる多層膜からなる有機膜
13 メルカプト酢酸単分子膜
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention is organicElectroluminescenceelement(Hereinafter organic EL Element, also called organic light-emitting element)Related to the manufacturing method.
[0002]
[Prior art]
An organic light emitting element (organic EL element or the like) emits light by attaching electrodes composed of an anode and a cathode on both sides of an organic insulator thin film having strong fluorescence and applying a DC voltage. Specifically, positive charges are injected from the anode (cathode electrode) and negative charges are injected from the cathode (anode electrode), and they move in the thin film by the applied electric field. Positive and negative charges moving through the thin film recombine with a certain probability, and the energy released upon recombination is consumed to form a singlet excited state (molecular exciton) of the fluorescent molecule. Molecular excitons emit light to the outside at the rate of their luminescence quantum efficiency and return to the ground state. A light emitting display and a laser element are manufactured using the light emitted at this time as EL light emission.
[0003]
The organic insulator thin film includes, for example, an electron transport layer, an electron injection layer, a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and the like, and is collectively referred to as an organic EL layer. Also, metal materials such as Al, Mg, and Ag are usually used for the cathode electrode, and transparent electrodes such as ITO (indium tin oxide) are often used for the anode electrode to extract EL light emission. . In many cases, a buffer layer is formed between each of the cathode and anode electrodes and the organic EL layer.
[0004]
As a method for forming a constituent element of an organic insulator thin film using a low molecular material, there is a vacuum deposition method using a metal mask in combination. On the other hand, a spin coating method is famous as a forming method using a polymer material. In the vacuum deposition method using a metal mask, each organic EL layer is generally formed in the same pattern on the substrate on which the anode electrode is patterned, and further, the cathode electrode is formed in another pattern. As an example of patterning using a metal mask, a 33 μm × 100 μm pattern was reported as of November 2000 (at the Symposium “From Organic EL to Organic Transistor”). The spin coating method is a method of forming an organic EL layer having a uniform film thickness by dissolving a polymer material in a solvent, dropping the solution onto a substrate, and rotating the substrate at a predetermined rotation speed.
[0005]
In recent years, an organic EL layer has been formed in advance on the surface of a support such as a PET (Polyethylene Terephthalate) film together with a heat propagation layer (also used as a release layer) (hereinafter referred to as a donor film), and this is applied to the substrate. There has been proposed a film forming method (hereinafter referred to as a thermal transfer method) in which stripe patterning is possible by scanning a laser from the back side of the support.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the vapor deposition method using the above-described metal mask, it is necessary to use a mask every time an organic EL layer, an anode electrode, or a cathode electrode is manufactured, and the resolution is limited due to the difficulty in aligning the mask and processing the mask itself. In addition, there are problems such as non-uniform pixel dimensions due to combined use with the vacuum deposition method, high cost and poor throughput due to the use of the vacuum deposition apparatus. In addition, in device fabrication using the spin coating method, pixel separation within the same plane cannot be achieved, and the selectivity of the polymer material for the organic EL layer due to the use of a solvent is a problem.
[0007]
On the other hand, the use of a thermal transfer method eliminates the need for a metal mask, and by preparing a film in which a polymer material is laminated in advance, patterning that is impossible with spin coating becomes possible. However, this method has a problem that it is difficult to produce a pattern other than the stripe pattern due to the difficulty of stability and controllability of the laser light source.
Furthermore, although there is a publication that simultaneously patterns the organic EL layer and the cathode (Japanese Patent Laid-Open No. 11-260549), there is a problem such as thermal damage to the organic EL film, and a large breakthrough is required for practical use of the device It is said.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
  Thus, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device including at least a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode on a substrate, wherein the first electrode is provided on the substrate including the first electrode. 10 from electrodes -2 ~ Ten -Five cal / cm ・ s ・ ℃In the rangeAn organic film having a predetermined pattern with low thermal conductivity is formed, an organic layer is placed on the first electrode and the organic film, and the organic layer is transferred onto the first electrode but not transferred onto the organic film. Forming an organic layer on the first electrode in alignment with the first electrode by a thermal transfer methodConsists of
The organic film is formed on the substrate as a self-assembled monomolecular film by irradiating ultraviolet rays through a mask with a predetermined pattern and selectively adsorbing low molecular weight materials only in the ultraviolet irradiation region.Organic characterizedElectroluminescenceAn element manufacturing method is provided.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the present invention, in order to form an organic layer including a light emitting layer in a self-aligned manner on a substrate (for example, a glass substrate, a resin substrate, a semiconductor substrate) provided with a first electrode in advance, for example, lithography technology or self-organization. Patterns of organic films made of general-purpose polymers (for example, acrylic resins, epoxy resins, urethane resins, xylene resins, etc.), low molecular materials exemplified below, etc. are formed using a modified monomolecular film creation technology This is one of the features.
[0010]
When the organic layer including the light emitting layer is thermally transferred onto the substrate, a temperature of 100 to 350 ° C. is generated at the transfer film / substrate interface, depending on the transfer conditions. In forming an organic light emitting device, it is very important to control the behavior of the generated heat. The reason is that many organic substances are basically inferior in heat resistance. Here, thermal conductivity k (cal / cm · s. · ° C.) is one of the important parameters in utilizing the thermal properties due to the difference in materials. When the temperature distribution is in a steady state, the heat flux q passing through a unit area plane perpendicular to the heat flow direction (x axis) per unit time is a temperature gradient.
(DT / dx)
Proportional to
q = k (dT / dx)
It is expressed. If the temperature is in an unsteady state (for example, when the temperature changes with time), the temperature at each point is expressed by the following equation.
σT / σt = k / ρc · (σ2T / σx2)
[0011]
  Here, T: temperature, x: position, t: time, ρ: density, c: specific heat. Thermal conduction in a solid consists of conduction electrons and propagation of atomic thermal vibrations. The heat conduction by the former is dominant in the metal etc., but the heat conduction by the latter occurs in the insulator.
k = cρul / 3
It becomes. Here, u: speed of sound, l: mean free path of lattice vibration. According to previous experiments, for example, the thermal conductivity of ITO is 2.5 × 10-2(Cal / cm · s · ° C), but 4.8 to 5.0 × 10 for acrylic resin-FourThe value was about (cal / cm · s · ° C).
  In the present invention, the thermal conductivity of the organic film is higher than that of the first electrode., 10-2~Ten-FiveLow in cal / cm · s · ° C rangeYes.
[0012]
In the present invention, an organic film is formed on a substrate provided with a first electrode of an organic light emitting element (the first electrode is an anode made of, for example, ITO or a cathode made of an electrode (Al, Mg, etc.)). A predetermined pattern is formed. A donor film for organic layer thermal transfer is brought into close contact with the substrate thus prepared, and scanned from the film side with, for example, ultraviolet laser light. The scan width can be controlled from several μm to several mm or more depending on the slit inserted in the optical path, the imaging lens, the beam profile, or the number of scans. The scanning method may be a case where the sample stage is scanned or a case where the laser light itself is scanned. When the donor film is removed from the substrate by a mechanical method after thermal transfer, a transfer film is produced on the substrate having high thermal conductivity, and no transfer film is produced on the organic film having low thermal conductivity. In this way, the transfer film can be easily formed in a predetermined pattern in a self-aligning manner.
[0013]
The method for forming the organic film in a predetermined pattern can be appropriately selected depending on the type of the organic film. When the organic film is made of a polymer film, it can be formed into a predetermined pattern by a lithography technique in which the organic film is formed into an arbitrary shape by a light source such as light (ultraviolet light, etc.), an electron beam, an ion beam, or an X-ray.
[0014]
In the case of a low molecular weight material, for example, an ultraviolet ray with a mask is used to create an irradiation area of an arbitrary pattern shape, and the low molecular weight material is used as a self-assembled monomolecular (SAM) film only on the part exposed to the ultraviolet light. It can be formed in a predetermined pattern by growing. In this case, since pattern processing after film formation is not required, an arbitrary shape can be accurately produced. Further, the surface of the substrate that has been irradiated with ultraviolet rays has a contact angle of water as close as possible to 0 °, and becomes a surface that is very easy to apply. The main factor for such a hydrophilic surface is considered to be that a high-density hydroxyl group covers the substrate surface from the measurement result of the contact angle. In the present invention, it is preferable to use a material having a molecular weight of 200 to 500 as the low molecular weight material.
[0015]
As the low molecular weight material, an organic molecule having a covalent bond group composed of a chlorosilyl group at the terminal can be used. If this organic molecule is used, the covalent bond group makes use of the fact that the hydroxyl group density on the surface of the substrate that has been irradiated with ultraviolet rays is increased. Can be done. The molecular structure of the organic molecule used is, for example, the general formula (1) V- (CH2)x-W- (CH2)y-SiClnX3-n(Where n is an integer of 1 to 3, x and y are positive integers, and x + y is most easily handled in the range of 5 to 18. V is —CH.Three, -CH = CH2, -COOH, halogen atom, -CO2CHThree, -SiClnX3-n, -Si (OR)nX3-n, -CN and the like. W is CH2, Alkenylene, alkynylene, phenylene, pyridylene, chenylene and the like. X is a lower alkyl group, especially CHThree, C2HFiveIs preferred).
[0016]
Another low molecular weight material that utilizes the increased hydroxyl group density on the substrate surface is an organic molecule having a covalent bond group consisting of a lower alkoxysilyl group at the terminal. The molecular structure of the organic molecule used is the general formula (2) V- (CH2)x-W- (CH2)y-Si (OR)nX3-nIt is represented by R is a C1-C6 lower alkyl group (preferably a methyl group or an ethyl group).
Still another low molecular weight material utilizing the fact that the hydroxyl group density on the substrate surface is high is an organic molecule having a phosphonic acid group at the terminal. The molecular structure of the organic molecule used is the general formula (3) SH- (CH2)x-PH2OThreeIt is represented by x is a positive integer, and about 5 to 18 is the easiest to handle.
[0017]
Another low molecular weight material that utilizes the increased hydroxyl group density on the substrate surface includes organic molecules having a carboxyl group at the terminal. The molecular structure of the organic molecule used is the general formula (4) Z- (CH2)xExpressed as -COOH. x is a positive integer, and about 5 to 18 is the easiest to handle. Z is -SH or -CHThreeEtc. are used.
A laminated film in which a monomolecular film made of an organic molecule having a phosphonic acid group or a carboxyl group at the end is laminated several times each or alternately via a metal ion selected from the group consisting of Zr, Hf, Cu or Zn It is good.
Further, the organic film may serve as a spacer for preventing the first electrode and the second electrode from being in electrical contact.
[0018]
The method for producing an organic light emitting device of the present invention is preferably applied to a method for producing an organic EL device. In the following, an organic EL element is taken as an example, and a method for manufacturing an organic light emitting element by a thermal transfer method will be described. First, the method of the present invention can be applied to an organic EL device in which light emission is extracted from either the substrate side or the second electrode side. When light emission is taken out from the substrate side, a transparent material is used for the substrate and the first electrode, and when light emission is taken out from the second electrode side, a transparent material is used for the second electrode.
[0019]
In the thermal transfer method, a layer of an organic EL element for which thermal transfer is desired is formed on a donor substrate for thermal transfer. The donor substrate is not particularly limited, and a known donor substrate such as a resin film can be used. On this donor substrate, a known heat propagation layer, photothermal conversion layer, and transfer auxiliary layer (a layer made of a material having a lower melting point than the material constituting the second electrode) are formed in advance in order to improve transfer efficiency. May be.
[0020]
A second electrode is formed on the donor substrate. The formation method varies depending on the material used, and examples thereof include a vapor deposition method, an electron beam method, a sputtering method, and a spray method. Further, an organic layer including at least a light emitting layer is formed on the second electrode. In the case of a full-color organic EL element, the light emitting layer may be separately applied to each color of RGB. In this case, three colors of light emitting layers may be formed on one donor substrate, or three donor substrates may be used for each color. Examples of the organic layer other than the light emitting layer include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. Examples of the method for forming the organic layer include a vapor deposition method, a spin coating method, a printing method, and an ink jet method.
[0021]
As a material used for the light emitting layer, for example, tris (8-hydroxynato) aluminum complex (AlqThree), Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (p-phenylphenolate) aluminum (BAlq), benzoxazole compounds, benzothiazole compounds, and the like. In addition, a dopant can be added to change the emission color or improve the characteristics. Examples of such a dopant include quinacridone, rubrene, 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminosrityl) -4H-pyran (DCM), and a coumarin derivative.
[0022]
Examples of materials used for the hole transport layer and the hole injection layer include N, N′-diphenyl-N, N ′ (3-methylphenyl) -1,1′-diphenyl-4,4′-diamine ( TPD), N, N′-diphenyl-N, N′-bis (α-naphthyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (α-NPD), copper phthalocyanine (CuPc), oxadiazole , Pyrazoline compounds, hydrazone compounds, and the like.
Examples of materials used for the electron transport layer and the electron injection layer include oxadiazole derivatives, tris (8-hydroxynato) aluminum complexes (AlqThree), Triazole derivatives and the like.
By the above method, a donor substrate (donor film) on which layers constituting an organic EL element are laminated can be obtained.
[0023]
Next, the donor film and the substrate are bonded and thermally transferred, and the donor substrate is peeled off. That is, the donor substrate and the substrate are bonded so that both substrates are on the outside, the layer formed on the donor substrate is thermally transferred onto the uppermost layer formed on the substrate side, and the donor substrate is peeled off.
The heat source of the thermal transfer method is not particularly limited as long as the second electrode and the organic layer formed on the donor substrate side can be thermally transferred to the substrate side. More specifically, it is preferable to apply locally strong energy to obtain a high-definition pattern, and laser light, particularly ultraviolet laser light and YAG laser light can be used effectively. Further, a more complete line pattern can be obtained by using continuous wave laser light.
[0024]
This thermal transfer method will be specifically described.
First, the donor substrate and the substrate are bonded so that the first electrode and the organic layer are in contact with each other. At this time, it is preferable to deaerate by bonding the bonded material with a roller or the like so that no bubbles remain in the bonded region. A vacuum laminating method is effective for removing bubbles. Next, laser light is irradiated. In the past, this laser beam was irradiated in a pattern that desired thermal transfer. However, in the present invention, an organic film is formed on the surface of the substrate to be thermally transferred. May be. Moreover, you may irradiate in pattern shape like the past.
By peeling the donor substrate after irradiation, the second electrode and the organic layer are thermally transferred onto the substrate on which the first electrode is formed, and an organic EL element is obtained.
[0025]
In the above method, the organic layer and the second electrode are thermally transferred at the same time. However, the organic layer and the second electrode may be separately thermally transferred. When the second electrode is separately formed by thermal transfer or another method, a second electrode buffer layer may be provided on the organic layer on the second electrode side.
[0026]
【Example】
Example 1
An ITO film having a thickness of about 100 nm, which is an anode (first electrode), is laminated on a glass substrate having a thickness of about 1.0 μm. On a glass substrate including an ITO film, an acrylic resin (PC409 manufactured by JSR) was applied as a kind of general-purpose polymer by spin coating. The spin coating conditions were 2000 rpm / 30 seconds and prebaked at 100 ° C./100 seconds to produce an organic film having a thickness of about 0.1 μm. 100mJ / cm through a mask with a predetermined pattern using an exposure tool2After exposure at (365 nm), development was performed for 60 seconds with a developer. Thereafter, ultrapure water was washed at room temperature for 60 seconds, and further heated in a clean oven at 220 ° C./60 minutes. Depending on the shape of the mask at the time of exposure, various shapes can be patterned, but this time, a dot pattern with a resolution of 2.0 × 2.0 μm was produced.
In addition to light, lithography technology is progressing with the use of electron beams and X-rays as light sources, and it is possible to meet the design rule of 0.15 μm, which can further improve the resolution of lithography. Is possible.
[0027]
The donor film used this time is about 1 nm of LiF (lithium fluoride) as a cathode buffer layer on a support (hereinafter referred to as base film) on which a heat propagation layer (also used as a release layer) is formed on a PET film. After the lamination with a thickness of quinolyl aluminum complex (hereinafter referred to as Alq)Three) And N, N′-diphenyl-N, N′-bis (α-naphthyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (hereinafter α-NPD) as a hole injection layer with a thickness of 30 nm, respectively. The organic layer was formed by vapor deposition. For vapor deposition, the base vacuum in the vapor deposition system is 5.0 × 10.-7A quartz oscillator monitor was used for controlling the film thickness.
[0028]
The donor film is brought into close contact with a substrate provided with an ITO film, and scanned from the PET film side with, for example, an ultraviolet laser. The scanning method may be either the case of scanning the sample stage or the case of scanning the laser itself, but this time the sample stage was scanned at 0.1 to 3.0 m / sec. When the base film is mechanically removed from the substrate after thermal transfer, a transfer film is produced on the substrate with high thermal conductivity, and a transfer film (organic layer) is produced on the organic film made of acrylic resin with low thermal conductivity. Not (FIG. 1). The layer structure of the transfer film on the organic film and on the substrate without the organic film was confirmed using an Auger electron spectrometer, an atomic force microscope, and an energy spectrometer. In FIG. 1, 1 is a transfer film, 2 is an acrylic resin, 3 is an ITO film, and 4 is a glass substrate.
[0029]
Example 2
The versatile polymer described in Example 1 is deposited on the ITO film patterned with hydrochloric acid + ferric chloride or HBr (hydrogen bromide), especially at the edge of the ITO film, and is deposited as a cathode. The role of preventing electrical contact with the electrode material is also added. After applying an acrylic resin on the substrate having the patterned ITO film, the same photolithography process as in Example 1 was performed so that the polymer remained selectively only at the edge portion of the ITO film. The same organic layer as in Example 1 was formed on this substrate by a thermal transfer method, and an Al electrode (second electrode) was deposited as a cathode to a thickness of 100 nm. As a result of electrical testing, it was found that there was no current flowing between the Al electrode and the ITO film (Figure 2). Furthermore, the pattern formation of the transfer film on the ITO film and the acrylic resin at the edge of the ITO film and the state after the thermal transfer were confirmed using an Auger electron spectrometer, an atomic force microscope, and an energy spectrometer. In FIG. 2, 5 means an Al electrode.
[0030]
Example 3
Instead of the acrylic resin of Example 1, an arbitrary pattern shape using an organic low molecular weight material was produced (FIG. 3). Using the mask 7 having a line and space with a period of 3 μm at the time of ultraviolet irradiation, selective ultraviolet irradiation was performed on the substrate provided with the ITO film. The irradiation conditions are an excimer lamp 6 and an output of 10 mW / cm2The irradiation time is about 10 minutes. The substrate irradiated with ultraviolet rays had a contact angle of water as close as possible to 0 °, and formed a surface that was very easy to apply. On the other hand, the ITO surface that was not irradiated with ultraviolet rays had a water contact angle of about 90 °, indicating a hydrophobic surface state. By using this substrate as a SAM film growth substrate, an organic film made of a SAM film that is selectively adsorbed to the ultraviolet irradiation site was formed.
In this example, a film made from an OTS (octadecyltrichlorosilane) solution was used as the SAM film. Thereafter, the transfer film pattern was formed in the same manner as in Example 1. The state of the transfer film was confirmed using an Auger electron spectrometer, an atomic force microscope, and an energy spectrometer.
[0031]
Example 4
An organic film having an arbitrary pattern by adsorbing an organic molecule having a covalent bond group composed of a chlorosilyl group at a terminal selectively bonded to a hydroxyl group when producing a patterned substrate using the SAM film described in Example 3 Was made. First, only a specific area on the ITO substrate surface was irradiated with ultraviolet rays using a mask having a line and space with a period of 3 μm, and the substrate was immersed in a 1 mM OTS solution prepared in advance for about 15 minutes. . OTS solution is octadecyltrichlorosilane [CHThree(CH2)17SiClThree, OTS] was prepared by mixing 79 μl with n-hexadecane; 70 ml + carbon tetrachloride; 30 ml. Usually, the OTS solution is made with a molecular concentration that is excessive compared to the uniform coverage of the substrate with a monomolecular film thickness, and excess OTS molecules that cannot bind to the substrate are almost completely removed from the solution when the substrate is removed from the solution. However, it may remain on the OTS monolayer by physical adsorption. For this purpose, the substrate whose surface was covered with SAM molecules was washed with chloroform for 3 minutes and then blown with Ar gas and dried.
CHThree(CH2)17SiCl2A state in which a monomolecular film made of O is formed through O is shown in the following formula (Formula 1).
CHThree-(CH2)17-SiClThree+ (-OH)
→ CHThree-(CH2)17-SiCl2-O- + HCl (Chemical formula 1)
[0032]
Thereafter, Si-Cl groups of unreacted OTS molecules also react with moisture in the atmosphere (or in solution) to form Si-OH groups. This is shown in the following formula (Formula 2).
CHThree-(CH2)17-SiCl2-O- + 2H2O
→ CHThree-(CH2)17-Si (OH)2-O- + 2HCl (Chemical formula 2)
[0033]
Next, the silanol group (—SiOH) is dehydrated and condensed with the adjacent silanol group to form a bond represented by the following formula (Formula 3).
n [CHThree-(CH2)17-Si (OH)2-O-]
→ n [CHThree-(CH2)17-SiO2-O-] + nH2O
The coating was confirmed by ellipsometry, and the OTS molecules were selectively adsorbed on the substrate at a thickness of about 20 nm. This makes CH on the substrate surface.Three(CH2)17A monomolecular film made of SiO was formed through O. When a transfer film was produced on the thus produced substrate by the same method as in Example 1, a transfer film was confirmed at the exposed portion of the ITO substrate, but no transfer film was confirmed on the organic film ( FIG. 4). The state of the transfer film was confirmed using an Auger electron spectrometer, an atomic force microscope, and an energy spectrometer. In FIG. 4, 9 denotes an organic film made of a SAM film having a siloxane bond.
[0034]
Example 5
The OTS molecule used in Example 4 was converted to octadecyltrimethoxysilane [CHThree(CH2)17Si (OCHThree)Three] A similar experiment was conducted except that it was replaced with a molecule. Specifically, the same procedure as in Example 4 was performed except that the substrate was immersed in an octadecyltrimethoxysilane solution having a concentration of 1 mM prepared in advance for about 30 minutes. Except that the dehydrochlorination reaction in Example 4 is changed to a dealcoholization reaction, the reaction proceeds in the same manner as the chemical reaction formulas (Chemical Formulas 1 to 3) (Chemical Formulas 4 to 6), and the monomolecular film shown in the chemical reaction formula (Chemical Formula 6) Formed on the substrate. A monomolecular film composed of octadecyltrimethoxysilane molecules was formed in the ultraviolet irradiation region. Thereafter, it was washed with chloroform for 3 minutes and then blown with Ar gas and dried.
CHThree(CH2)17Si (OCHThree)Three+ (-OH)
→ CHThree-(CH2)17Si (OCHThree)2-O- + CHThreeOH
[0035]
Thereafter, Si-Cl groups of unreacted OTS molecules also react with moisture in the atmosphere (or in solution) to form Si-OH groups. This is shown in the following formula (Formula 5).
CHThree-(CH2)17-Si (OCHThree)2-O- + 2H2O)
→ CHThree-(CH2)17-Si (OH)2-O- + 2CHThreeOH
[0036]
Next, the silanol group (—SiOH) is dehydrated and condensed with the adjacent silanol group to form a bond represented by the following formula (Formula 6).
n [CHThree-(CH2)17-Si (OH)2-O]
→ n [CHThree-(CH2)17-SiO2-O] + nH2O
The coating was confirmed by ellipsometry, and octadecyltrimethoxysilane molecules were selectively adsorbed on the substrate at a thickness of about 25 nm. When a transfer film was produced on the substrate thus produced, the transfer film was confirmed at the exposed portion of the substrate, but no transfer film was confirmed on the organic film (FIG. 4). The state of the transfer film was confirmed using an Auger electron spectrometer, an atomic force microscope, and an energy spectrometer.
[0037]
Example 6
The OTS molecule used in Example 4 was converted to mercaptophosphonic acid; SH (CH2)FourPH2OThreeA similar experiment was performed except that the molecule was replaced. Specifically, the substrate was immersed in a mercaptophosphonic acid solution prepared in advance. Mercaptophosphonic acid solution is a kind of linear organic molecule in pure ethanol solvent, and has -SH group at the end and -PH at the opposite end.2OThreeMercaptophosphonic acid molecules characterized by having a group were prepared by developing at a concentration of 1 mM. By leaving it in the mercaptophosphonic acid solution for 30 minutes, the mercaptophosphonic acid molecules having a monomolecular thickness were selectively adsorbed on the substrate at a thickness of about 0.8 nm. The coating was confirmed by ellipsometry. When a transfer film was produced on the substrate provided with the organic film thus produced, the transfer film was confirmed on the exposed portion of the substrate, but no transfer film was confirmed on the organic film (FIG. 5). The state of the transfer film was confirmed using an Auger electron spectrometer, an atomic force microscope, and an energy spectrometer. In FIG. 5, 10 denotes an organic film made of a SAM film of mercaptophosphonic acid molecules.
[0038]
Example 7
A similar experiment was conducted except that the OTS molecule used in Example 4 was replaced with a 16-bisphosphonic acid molecule. Specifically, by leaving the substrate in a 16-bisphosphonic acid solvent prepared in advance for about 30 minutes, 16-bisphosphonic acid molecules with a monomolecular film thickness can be irradiated with ultraviolet rays through the mask. The irradiated substrate surface was covered. 16-Bisphonic acid solution is a kind of linear organic molecule in pure ethanol solvent.2OThree16-bisphosphonic acid O characterized by having a groupThreeH2P (CH2)16PH2OThreeWas prepared by developing at a concentration of 1 mM. Thereafter, for rinsing, the substrate was immersed in pure ethanol and subjected to ultrasonic cleaning. Furthermore, it was dried by Ar gas blow. The organic film was confirmed by ellipsometry, and 16-bisphosphonic acid molecules were selectively adsorbed on the substrate at a thickness of about 2 to 3 nm. When a transfer film was produced on the substrate provided with the organic film thus produced, the transfer film was confirmed on the exposed portion of the substrate, but no transfer film was confirmed on the organic film (FIG. 6). The state of the transfer film was confirmed using an Auger electron spectrometer, an atomic force microscope, and an energy spectrometer. In FIG. 6, 11 denotes an organic film made of a SAM film of 16-bisphosphonic acid molecules.
[0039]
Example 8
As in Example 7, after forming a 16-bisphosphonic acid molecular monomolecular film on the substrate surface, this monomolecular film was used as the first layer, and a substrate provided with the monomolecular film was separately prepared.2+1 mM zinc perchlorate hexahydrate that produces ions; Zn (ClOFour)2・ 6H2It was left to stand in O aqueous solution for 5 minutes. By this treatment, -PH of two adjacent 16-bisphosphonic acid molecules2OThreeBase and Zn2+The ions react to produce a substrate whose surface of the monomolecular film is covered with Zn. Thereafter, the substrate was ultrasonically cleaned in pure ethanol to rinse excess zinc perchlorate hexahydrate.
[0040]
This substrate was allowed to stand again in a 16-bisphosphonic acid solution for about 30 minutes to form a second 16-bisphosphonic acid monomolecular thin film. The coating was confirmed by ellipsometry, and the multilayer film (organic film) composed of two molecules of 16-bisphosphonic acid and Zn was selectively adsorbed on the substrate at a thickness of about 4.6 nm.
By repeating this process, it is possible to create a cumulative film (organic film) with an arbitrary film thickness (substantially an integral multiple of the monomolecular film thickness 2.3 nm) that is precisely controlled at the molecular level. . Each metal ion solution is 1 mM ZrOCl.2Or HfOCl2In the same way as described above, the multilayer film composed of two molecules of 16-bisphosphonic acid and Zr and Hf is selectively adsorbed on the substrate, and an ellipso film is formed with a thickness of about 4.6 nm. Confirmed by meter.
[0041]
When a transfer film was prepared on the substrate thus prepared, the transfer film was confirmed at the exposed base portion, but no transfer film was confirmed on the organic film (FIG. 7). The state of the transfer film was confirmed using an Auger electron spectrometer, an atomic force microscope, and an energy spectrometer. In FIG. 7, 12 denotes an organic film composed of a multilayer film composed of two molecules of 16-bisphosphonic acid and Zn.
[0042]
Example 9
Further, a laminated film was formed in the same manner as the 16-bisphosphonic acid laminated film of Example 8 except that a mercaptoacetic acid solution was used. Specifically, a mercaptoacetic acid solution is a kind of linear organic molecule in a pure ethanol solvent and has a 1-mM mercaptoacetic acid molecule having a -SH group at the end and a carboxyl group at the opposite end. Prepared by developing at a concentration of. First, the substrate irradiated with ultraviolet rays using a mask having a line and space with a period of 3 μm is left in a mercaptoacetic acid solution for 30 minutes, and ultrasonically washed in pure ethanol to remove excess mercaptoacetic acid molecules. The first layer of mercaptoacetic acid monomolecular film was selectively adsorbed at a thickness of about 1.2 nm (FIG. 8). The coating was confirmed by ellipsometry. In FIG. 8, 13 denotes a mercaptoacetic acid monomolecular film.
[0043]
The substrate provided with the first layer of mercaptoacetic acid monomolecular film was allowed to stand in a separately prepared 1 mM Cu acetate solution for 5 minutes and then immersed again in the mercaptoacetic acid solution for 30 minutes. By this treatment, -SH group of two molecules of mercaptoacetic acid and Cu ions of Cu acetate were sulfide-bonded, and a substrate covered with a bimolecular-thick mercaptoacetic acid monomolecular film was formed. The substrate was then ultrasonically cleaned in pure ethanol to rinse excess mercaptoacetic acid molecules, Cu acetate molecules, and Cu ions. Furthermore, it was dried with Ar blow. The coating was confirmed by ellipsometry, and the multilayer film composed of two mercaptoacetic acid molecules and Cu was selectively adsorbed on the substrate at a thickness of about 4.6 nm. When a transfer film was produced on the substrate thus produced, the transfer film was confirmed on the exposed portion of the substrate, but no transfer film was confirmed on the organic film. The state of the transfer film was confirmed using an Auger electron spectrometer, an atomic force microscope, and an energy spectrometer.
[0044]
Example 10
Among the organic EL elements described in Examples 1 to 9, the organic EL elements prepared in Example 1, Example 4, and Example 7 are all 4-5 (mA / cm2) 350-400 (cd / cm)2) Was obtained (FIG. 9).
[0045]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to overcome the limitations of element separation by masks and diversify transfer film patterns, which are problems in the development of conventional organic EL elements, and further solve the problem by lithography and self-organized molecules. Since this can be achieved by application of a film manufacturing technique, the process at the time of element manufacturing can be simplified. Further, since the organic insulating film can be formed in an arbitrary shape, the application range is further expanded, and new elements having various structures can be created.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of an organic EL device obtained by the production method of the present invention by a thermal transfer method patterned with an acrylic resin.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device according to the manufacturing method of the present invention, illustrating a configuration for preventing current leakage between electrodes.
FIG. 3 is a schematic view for explaining a method of forming an ultraviolet irradiation region using a mask in the manufacturing method of the present invention.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a transfer film patterning method using a SAM film having a siloxane bond in the manufacturing method of the present invention.
FIG. 5 is a schematic view for explaining a patterning method of a transfer film using a mercaptophosphonic acid monomolecular film in the production method of the present invention.
FIG. 6 is a schematic view for explaining a transfer film patterning method using a 16-bisphosphonic acid monomolecular film in the production method of the present invention.
FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a patterning method of a transfer film using a 16-bisphosphonic acid monomolecular film in the production method of the present invention.
FIG. 8 is a schematic view for explaining a patterning method of a transfer film using a mercaptophosphonic acid molecular film in the production method of the present invention.
FIG. 9 is a graph showing current density-luminescence luminance characteristics of an organic EL device obtained by the production method of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Transfer membrane
2 Acrylic resin
3 ITO film
4 Glass substrate
5 Al electrode
6 Excimer lamp
7 Mask
8 UV irradiation site
9 Organic film consisting of SAM film with siloxane bond
10 Organic film consisting of SAM film of mercaptophosphonic acid molecule
11 Organic film composed of SAM film of 16-bisphonic acid molecule
12 16-Bisphosphonic acid 2 molecule and Zn multi-layer organic film
13 Mercaptoacetic acid monolayer

Claims (6)

少なくとも基板上に、第1電極、発光層を含む有機層及び第2電極を備えた発光素子の製造方法であって、第1電極を備えた基板上に第1電極より10-2 10 -5 cal/cm・s・℃の範囲で低い熱伝導度の所定パターンの有機膜を形成し、第1電極及び有機膜上に有機層を置き、有機層が第1電極上に転写されるが有機膜上には転写されない条件下での熱転写法により第1電極上に第1電極と整合させて有機層を形成することからなり、
有機膜が、基板上に所定パターンのマスクを介して紫外線を照射し、紫外線照射領域にのみ選択的に低分子材料を吸着させた自己組織化単分子膜として形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
On at least a substrate, a first electrode, a manufacturing method of a light emitting element having an organic layer and a second electrode including a light emitting layer, from the first electrode on a substrate having a first electrode 10 - 2 and 10 - An organic film with a predetermined pattern of low thermal conductivity is formed in the range of 5 cal / cm · s · ° C, an organic layer is placed on the first electrode and the organic film, and the organic layer is transferred onto the first electrode. the organic film in alignment with the first electrode on the first electrode by a thermal transfer method under conditions not transferred consists in forming the organic layer,
An organic film is formed as a self-assembled monomolecular film in which ultraviolet rays are irradiated onto a substrate through a mask having a predetermined pattern and a low molecular material is selectively adsorbed only in the ultraviolet irradiation region. Manufacturing method of electroluminescent element.
有機膜が、第1電極と第2電極との間の短絡を防ぐように両電極間に位置している請求項1に記載の製造方法。  The manufacturing method according to claim 1, wherein the organic film is positioned between both electrodes so as to prevent a short circuit between the first electrode and the second electrode. 単分子膜が、末端にクロロシリル基又は低級アルコキシシリル基からなる共有結合性基を有する有機分子を吸着させることにより得られる請求項1又は2に記載の製造方法。The production method according to claim 1 or 2 , wherein the monomolecular film is obtained by adsorbing an organic molecule having a covalent bond group composed of a chlorosilyl group or a lower alkoxysilyl group at a terminal. 単分子膜が、末端にフォスフォン酸基又はカルボキシル基を有する有機分子を吸着させることにより得られる請求項1又は2に記載の製造方法。The production method according to claim 1 or 2 , wherein the monomolecular film is obtained by adsorbing an organic molecule having a phosphonic acid group or a carboxyl group at a terminal. 有機膜が、末端にフォスフォン酸基又はカルボキシル基を有する有機分子からなる単分子膜を、Zr、Hf、Cu又はZnからなる群から選択される金属イオンを介して、それぞれ又は交互に複数回積層した積層膜からなる請求項に記載の製造方法。The organic film is a monomolecular film made of an organic molecule having a phosphonic acid group or a carboxyl group at the terminal, and is alternately or alternately plural times via a metal ion selected from the group consisting of Zr, Hf, Cu or Zn. The manufacturing method of Claim 4 which consists of a laminated film laminated | stacked. 有機膜が、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、キシレン系樹脂から選択されるポリマー膜である請求項1又は2に記載の製造方法。  The manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein the organic film is a polymer film selected from an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, and a xylene resin.
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