JP4137265B2 - Vaporization structure - Google Patents
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えばTa系、具体的にはペンタエトキシタンタル〔Ta(OC2 H5 )5 〕などの主として低蒸気圧材料気化供給装置に適用される気化部構造の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種の低蒸気圧材料気化供給装置に適用される気化部構造は、例えば液体材料供給装置などの液体材料を定量気化することができるように、当該装置に組み込まれた気化器に適用され、半導体製造装置のチャンバ等の各種ユースポイントに供給するべく、この気化器で液体を気化させる。
【0003】
その具体的な構造は、図7の(A),(B)に示されるようになっている。
例えばステンレス鋼などのように熱伝導性および耐腐食性の良好な金属材料からなる本体ブロック01内に、互いに交わることのないキャリアガス導入路02と気化ガス導出路03とが設けられている。
【0004】
また、液体材料導入路04は、その一方の開口(液体材料導入口)がこの本体ブロック01の一つの側面に形成され、他方の開口(液体材料導出口)05が前記側面に直交するこの本体ブロックの01の上面06に形成されている。そして、この他方の開口(液体材料導出口)05の周囲には、この開口05と同芯状に溝07が穿設されている。したがって、前記他方の開口(液体材料導出口)05の周縁と前記溝07の内周面の上縁との間には平坦な円テーブル状の平滑面Tが形成されている。
【0005】
前記溝07に臨むようにして前記キャリアガス導入路02の開口08と気化ガス導出路03の開口09が開設されている。前記キャリアガス導入路02の開口08と気化ガス導出路03の開口09は、前記液体材料導入路04の他方の開口05を中心にして対称位置に配設されるようになっている。
【0006】
また、この本体ブロックの01の上面には下端にダイヤフラム010が備わった弁ブロック011が気密を保って配設されていて、このダイヤフラム010と前記溝07とによって気化室012が形成されている。そして、このダイヤフラム010の中心部010Aが上下動することによって、前記液体材料導出口05が開閉されるように構成されている。所謂ダイレクトイン方式が採用されている。
【0007】
したがって、液体材料を所定量気化するに当たっては、ダイヤフラム010のり中心部010Aをやや上動させて、このダイヤフラム010の中心部010A下面が本体ブロック01の上面、つまり前記平滑面Tに対して僅かに離間させた状態にする。これによって、前記液体材料導出口05は開放される。
【0008】
次いで、液体材料を液体材料導入路04に供給すると同時に、キャリアガス導入路02にキャリアガスを供給する。液体材料は前記液体材料導出口05から前記ダイヤフラム010と平滑面Tとの間の僅かな隙間を介して前記溝07側に染み出してゆき、溝07の内周面とダイヤフラム010の会合点で、表面張力によってダイヤフラム010の下面に付着する。
【0009】
しかし、重力の働きによって、前記溝07の内周面を伝って溝底側に滴り落ちるように染みだしてくる。一方キャリアガスは溝07に臨んで開設されている開口08を介して溝07内に流入し、この開口08から左右に分岐して溝07内を半周して前記気化ガス導出路03の開口11からこの気化ガス導出路03に流入してゆく。このとき、この溝07内に流入したキャリアガスに液体材料が接触し気化が促進される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のダイレクトイン方式によると、溝07内に供給されるキャリアガスの流れは、溝幅の中央部分の流速が早くなる反面、周壁側は緩速になる傾向があり、気液の充分な接触が適わず、望ましい気化効率が得られなかった。
【0011】
また、前記液体材料導出口05から前記ダイヤフラム010と平滑面Tとの間の僅かな隙間を介して前記溝07側に染み出してくる液体材料は、重力によって、溝07の内周面とダイヤフラム010の会合点に滞留するので、キャリアガスとの接触面積が格段に狭く、やはり気液の充分な接触が適わず、望ましい気化効率が得られなかった。
【0012】
また、このように気化室012で完全に気化が行われず、液体材料が液体のままあるいはミスト状で残留すると、そのまま二次側の配管、つまり気化ガス導出路03、更にそれ以降の配管系に供給され、二次側配管内で熱分解して酸化タンタルとして結晶したり、そのまま気化部内に残留して前記と同様の反応物を生成する。
【0013】
本発明は、この従来構造の欠点に鑑みで開発されたもので、基本的には、液体材料の気化量は、液体材料とキャリアガスとの接触面積に比例するという原理をうまく活用しようとするもので、液体材料を可及的に広く拡げて、併せてキャリアガスとの接触面積が可及的に増大できるように工夫された点に特徴がある。
【0014】
従って本発明は、たとえ低蒸気圧材料であっても、その気化効率を格段に向上できるようにし、併せて反応生成物の生成を格段に低減できるようにすることを課題とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明では、液体材料を気化室で平面状に広く拡げ、この平面状に広く拡げられた液体材料の外周から内周に向かってキャリアガスが境界面上を流れるように構成され、また、気化ガス導出口が気化部の上方にあるようにしたものである。
【0016】
この手段によれば、気化室内に広く拡がった液体材料の表面上を、その外周から内周に向かってキャリアガスが流れる。このとき、液体材料とキャリアガスの境界面上で気化が促進され、気化されたガスはキャリアガスに混合され、混合ガスは気化部の上方の気化ガス導出口から所要の流路から所要の装置へ流下される。その結果、液体材料とキャリアガスとの接触面積を、従来の構造と違って格段に増大できる。
【0017】
したがって、この発明は次の効果を有する。
液体材料をダイヤフラムの上面に広く拡散して、この広く拡散された液体材料の上面を、その外周から内周に向かってキャリアガスが流れるので、液体材料とキャリアガスとの接触面積が格段に増大し、気化効率を大幅に向上できる。
【0018】
その結果、気化室に供給された液体材料が、液体のままあるいはミスト状で残留するおそれがなくなる。したがって、従来構造と違って、液体のままあるいはミスト状のまま、この気化ガス導出口から二次側流路へ供給されるおそれをうまく阻止でき、二次側流路内で、例えば熱分解して酸化タンタルとして、結晶したり、そのまま気化部内に残留して前記と同様の反応物を生成させてしまう欠点がなくなった。
【0019】
また、気化ガス導出口が気化部の上方に開口されているので、液体材料が液体のままで二次側路内に流下する恐れがなくなった。
【0020】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態を、図面の記載を参照しながら説明する。
【0021】
(第1の実施の形態)
図1〜図4は、この発明を低蒸気圧材料気化供給装置の気化部構造に適用した場合の第1の実施の形態を示す。
図1は、この発明の低蒸気圧材料気化供給装置の気化部の拡大断面図、図2は、本体ブロックと弁ブロックとを分離した状態を斜め下から見た分解外観図、図3は、要部の断面図、また、図4は作用の説明図で、気化室を下方から見上げたた状態の底面図である。
これらの図において、1は熱伝導性および耐腐食性の良好な金属材料から形成された本体ブロック、2は弁ブロックである。図2に示されるように、前記本体ブロック1内部には互いに交わることのないキャリアガス導入路3と気化ガス導出路4とが設けられている。
【0022】
液体材料導入路5は、図2に示されるように、その一方の開口(液体材料導入口)6がこの本体ブロック1の一つの側面7に形成され、他方の開口(液体材料導出口)8が前記側面7に直交するこの本体ブロックの1の下面9に形成されている。そして、この他方の開口(液体材料導出口)8の周囲で前記本体ブロックの1の下面9には、この他方の開口8を中心にして、下面開放の内外二重の溝10,11が同芯状に穿設されている。この他方の開口8と同芯状にこれら内外の溝10,11が穿設されているので、前記他方の開口(液体材料導出口)8の周縁と前記内側の溝11の内周面の下縁との間には平坦な円テーブル状の平滑面Tが形成されている。この平滑面Tは、本体ブロック1の下面9と同じ平面上に位置して構成される。
【0023】
両溝10,11は隔壁12によって互いに仕切られている。しかし、この隔壁12は、その立ち上がり寸法Aが、本体ブロック1の下面9よりもやや上位に変位していて、この隔壁12の下縁13を介して内外の両溝10,11が連通連結されている。
【0024】
前記キャリアガス導入路3の開口14が前記二重溝の外側の溝10の底に、また気化ガス導出路4の開口15が前記二重溝の内側の溝11の底に形成され、これら両開口14,15が前記液体材料導入路5の他方の開口8を中心にして180°位相を異ならせて配置されている。
【0025】
また、この本体ブロック1の下面9には上端にダイヤフラム16が備わった前記弁ブロック2が気密を保って配設されていて、このダイヤフラム16と前記両溝10,11とによって気化室17が形成されている。
【0026】
前記本体ブロック1の下面9には周縁を残して中央部分に浅い凹入孔18が形成されていて、前記ダイヤフラム16はその両端の肉厚部16Bがこの本体ブロック1の下面9の周縁と弁ブロック2の上面19の周縁の間に挾持されると共に、前記浅い凹入孔18内の周部に配されたパッキング20によって前記気化室17の気密が保たれるように構成されている。
【0027】
そして、このダイヤフラム16の中央肉厚部16Aは、その径が前記平坦な円テーブル状の平滑面Tの直径よりも大径に形成されていて、この平滑面Tに面接触するように配置されている。そして、このダイヤフラム16の中央肉厚部16Aが上下作動することによって、前記他方の開口(液体材料導出口)8が開放されたり閉止されたりする。併せて、このダイヤフラム16の上面と前記隔壁12の下縁13との間には狭い間隙流路21が形成されることになる。
【0028】
また、前記弁ブロック2内には、前記ダイヤフラム16の中央肉厚部16Aの上下動を司る、例えばピエゾ素子を積層して形成されるピエゾアクチュエータ22が内蔵されている。
【0029】
図3に示されるように、前記本体ブロック1と弁ブロック2との間には、前記ダイヤフラム16を含めた弁構造分23が介装されている。
この弁構造部23は、図示されるように、前記本体ブロック1の下面側に延設された流体流路5の流路開口8を上面平坦面で開閉する前記ダイヤフラム16、このダイヤフラム16が前記流路開口8を常時開放する方向に付勢するように働く、バネ受け24とバネ25と、そしてこのバネ25の下端を、このダイヤフラム16のプランジャー部26に関連付けて固定するための割りピンで形成されるバネ止め27とからなる付勢機構28から構成される。前記プランジャー部26は、図1にも示されるように、ダイヤフラム16の中央肉厚部16Aが下方に凸に延出されて形成されている。
【0030】
また、このダイヤフラム16の周縁肉厚部16Bにはその下面から一段窪ませて、前記プランジャー部26を中心にして同芯状の、凹入段部29が設けられていて、ここに前記ピエゾアクチュエータ22を嵌入させる弁ブロック2の筒部材30の上方に一体的に突出延設された嵌合突条31が嵌合されている。また、この凹入段部29で前記バネ受け24がバネ25の押圧力によって弾性的に付勢保持されている。
【0031】
また、図示されるように、ピエゾアクチュエータ22の出力部材(具体的にはダイヤフラムで構成されている)32の上面中央と、弁構造部23のプランジャー部26の下面中央には、それぞれ円錐状の凹み33,34が形成され、これら上下の凹み33,34に挟持されるようにして真球35が介装されて球面軸受け部36がピエゾアクチュエータ22の出力部材32の上面と弁構造部23のプランジャー部26の間に形成されている。
【0032】
なお、前記ダイヤフラム16の中央肉厚部16Aの周囲にヒーター37(図1中想像線で示す)を設け、気化室17の温度調整を図れるようにすることもできる。気化室17を温めることによって、低蒸気圧材料の気化を一層効率よく行えるからである。また、図3中38は本体ブロック1内に設けられていて、このブロック全体を温めるためのカートリッジヒータである。
【0033】
次に、上記第1の実施の形態の作動を説明する。
液体材料Lを所定量気化するに当たっては、先ず、ピエゾアクチュエータ22に所定の電圧を加えることにより、その出力を出力部材32を介して前記球面軸受け36に伝え、更にプランジャー部26に伝える。その結果、ダイヤフラム16の中央肉厚部16Aが作動し、このダイヤフラム16の中央肉厚部16Aの上面を前記平滑面Tに対して僅かに離間或いは接近させて、前記液体材料導入路5の他方の開口8の開き度合いを調整し、液体材料導入路5を流れる流体の流量を調整する。
【0034】
次いで、液体材料Lを液体材料導入路5に供給すると同時に、キャリアガス導入路3にキャリアガスGを供給する。液体材料Lは、図4に示されるように、前記液体材料導出口8から前記ダイヤフラム16と平滑面Tとの間の僅かな隙間を介して前記内側の溝11側に向かって染み出してゆき、この内側の溝11の内周面とダイヤフラム16の会合点で、内側の溝11側に染み出し、更に内側の溝11の内周面とダイヤフラムの会合点から、重力の働きと表面張力によってダイヤフラム16の上面に付着しつつ、円状に広く拡がって拡散するように染みだしてくる(図1上三角形黒塗り部分)。
【0035】
一方キャリアガスGは、図1,図4に示されるように、外側の溝10に臨んで開設されている開口14を介してこの外側の溝10内に流入し、この開口14から左右に分岐してこの外側の溝10内全域に行き渡るとともに、内側の溝11との仕切りである前記隔壁12の下縁13とダイヤフラム16の上面との間の間隙流路21を介して、内側の溝11の周域から中心に向かうようにしてこの内側の溝11内に均等に流入される。
【0036】
このとき、このキャリアガスGは、この内側の溝11内にあって、前記ダイヤフラム16の上面に広く拡散された液体材料Lの表面上を流れ、液面との境界で液体材料Lが気化し、このキャリアガスGに混合され、その気化を格段に促進する。気化されたガスEは気化ガス導出路4の開口15からキャリアガスG共々気化ガス導出路内4へと流下する。
【0037】
このように、液体材料Lを広く拡散させることができるので、従来の構造と違って、液体材料LとキャリアガスGとの接触面積を格段に拡げることが可能になり、気化効率を大幅に向上できる。
【0038】
また、キャリアガスGの外側の溝10から内側の溝11への流入は、前記隔壁12とダイヤフラム16との間の隙間流路21を介して行われることによって、キャリアガスGは内側の溝11内での流速が増大する。その結果、前記広く拡散された液体材料Lの表面には、常時この早い流れの新しいキャリアガスGが供給され、その後、気化ガス導出路4に流下してゆくこととなり、気化効率の大幅な向上が図れる。
【0039】
また、気化ガス導出路4が気化室17の上部に開口されているので、液体材料Lが液体のままで気化ガス導出路4内に流下する恐れがなくなった。
【0040】
(第2の実施の形態)
次に図5に示される構造は、この発明を低蒸気圧材料気化供給装置の気化部構造に適用して場合の第2の実施の形態を示す。
この第2の実施の形態は、図1〜図4に示される第1の実施の形態の、下方にピエゾアクチュエータ22を備えた弁ブロック2が配され、上方に液体材料導入路5が備わった本体ブロック1が配された構造と違って、本体ブロック1が下方に配され、弁ブロック2が上方に配される構成が採用されている。その具体構造は以下の通りである。
【0041】
なお、図5において図1〜4に示した符号と同じ符号は同一物であるので、その詳細な説明は省略する。
【0042】
先ず、本体ブロック1はその上面39が平坦な面に形成され、その中央部分に液体材料導入路5の他方の開口8が開口される。また、この液体材料導入路5の横脇にはキャリアガス導入路3が設けられ、その開口14がやはりこの上面39に開口される。
【0043】
また、ピエゾアクチュエータ22を備えた弁ブロック2は、この本体ブロック1の上面39上に気密状にして配されたダイヤフラム16の更に上面に気密状にして配されている。
【0044】
このダイヤフラム16は、中央の上方に延びるプランジャー部26の下方に一体的に軸部40が延設されてなり、この軸部40とプランジャー部26との境界部分の全周に薄肉部16Cが設けられ、この薄肉部16Cの全周に周辺肉厚部16Aが一体に形成されてなる。また前記軸部40の下面は平坦面に形成され、前記本体ブロック1の上面39に開設されている液体材料導入路5の他方の開口8に対峙して配される。したがって、前記ピエゾアクチュエータ22が作動されると、軸部40が上下動し、その下面が本体ブロック1の上面39に接当・離間されることによって、前記他方の開口8が開閉される。
【0045】
そして、本第2の実施の形態では、このダイヤフラム16の周辺肉厚部16Bの下面16Dに、下方開放に形成された環状の溝42と、この環状の溝42の内側で、このダイヤフラム16の軸部40と周辺肉厚部16B、そして両者を繋ぐ薄肉部16Cとで区画されて下方が開放されてなる環状の溝43とで内外二重の溝が同心状に形成される。
【0046】
また、両溝42,43の間は隔壁12によって互いに仕切られている。しかし、この隔壁12は、その立ち上がり寸法が、このダイヤフラム16の下面16Dよりもやや上位に変位していて、この隔壁12の下縁13と前記本体ブロック1の上面39との間に隙間が形成され、この隙間流路21を介して内外の両溝42,43が連通連結されている。
【0047】
このダイヤフラム16の周辺肉厚部16Bには、その外周からこの内側の溝43まで貫通させて形成された気化ガス導出路4が連通連結されている。そして、内側の溝42側の開口15が、前記キャリアガス導入路3の開口14に対して前記液体導入路5の他方の開口8を中心にして180°位相を異ならせて配置されている。そして、このダイヤフラム16と両溝42,43とによって、気化室17が形成される。
【0048】
したがって、液体材料Lを所定量気化するに当たっては、先ずピエゾアクチュエータ22を作動させて、ダイヤフラム16をやや上動させて前記液体材料導入路5の他方の開口8を開放する。次いで、前記第1の実施の形態と同様にして液体材料Lを液体材料導入路5に、また、キャリアガスGをキャリアガス導入路3にそれぞれ供給して、液体材料Lを気化室17において気化させる。液体材料Lが気化されるメカニズムは、前記第1の実施の形態と同様であり、本実施の形態においても、従来の構造に比べて格段に効率のよい気化を可能にするもので、前記第1の実施の形態と同様の効果を発揮する。
【0049】
更に、本第2の実施の形態では、ダイヤフラム16に気化室17を形成するように工夫された点に特徴がある。つまり、ダイヤフラム16に内外の二重の溝42,43、更には気化ガス導出路4を形成するようにしたもので、気化部構造の形成を、本体ブロック1に形成するのに比べれば、比較的廉価で、しかも容易に行える点に特徴がある。
【0050】
(第3の実施の形態)
次に図6に示される構造は、この発明を低蒸気圧材料気化供給装置の気化部構造に適用して場合の第3の実施の形態を示す。
本第3の実施の形態では、基本的には前記第2の実施の形態に示される構成、つまりダイヤフラム16を液体材料Lの気化部構造に有効に活用するための構造を踏襲するものである。
以下前記第2の実施の形態に示される構造との相違点のみを詳説し、同一の構造については、図中同一の符号を付してその詳細な説明は省略する。また、この図6において図1〜4に示した符号と同じ符号は同一物であるので、その詳細な説明は省略する。
【0051】
そこで、第2の実施の形態に示される構造との相違点は、前記外側の溝42と、隙間流路21を構成する具体的な構造とに存する。
まず、外側の溝43は本体ブロック1の上面39に形成される。
【0052】
また、前記隙間流路21は、次のように構成される。
前記ダイヤフラム16に形成された内側の溝43の下向き開口の外周縁に、全周にわたって上方に浅く凹ませた凹入部45が形成される。そしてこの凹入部45の外縁、つまりダイヤフラム16の下面16Dとこの凹入部45の外周壁45Aとの会合点46が前記本体ブロック1に形成されている外側の溝42の内周壁42Aを越えてその溝幅のほぼ中間点に達するように形成されて、この凹入部45が常時前記内側の溝42と連通されているように形成される。このようにすることによって、本体ブロック1の上面39とこの凹入部45との間に隙間が形成されることになる。この隙間を隙間流路21として機能させる。
【0053】
このように本第3の実施の形態においては、ダイヤフラム16には内側の溝43と気化ガス導出路4、そして隙間流路45とが形成されるのみで、外側の溝42を形成する構造部分は本体ブロック1側に形成される点で、前記第2の実施の形態と少し相違する。
【0054】
したがって、ピエゾアクチュエータ22の作動させて、ダイヤフラム16をやや上動させて前記液体材料導入路5の他方の開口8を開放し、前記第1の実施の形態と同様にして液体材料L並びにキャリアガスGを供給する。次いで、液体材料Lを気化室17において気化させる。液体材料Lが気化されるメカニズムは、前記第1の実施の形態と同様であり、本実施の形態においても、従来の構造に比べて格段に効率のよい気化を可能にするもので、前記第1の実施の形態と同様の効果を発揮する。
【0055】
さらに、本第3の実施の形態では、ダイヤフラム16に気化室17を形成するように工夫された点に特徴がある。つまり、ダイヤフラム16に内側の溝43、気化ガス導出路4、更には隙間流路45を形成するようにしたもので、気化部構造の全てを本体ブロック1に形成するのに比べれば、格段に廉価で、しかも容易に製造できる点に特徴がある。
【0056】
なお、図1〜図6の各実施の形態において、前記ダイヤフラム16とこれによって開閉される液体材料導入路5の他方に開口8との関係は、ノルマルクローズタイプが採用されているが、ノルマルオープンタイプにも適用されることはいうまでもない。
【0057】
また、各実施の形態は、本発明の所期の目的を逸脱しない範囲で相互に適宜組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明を低蒸気圧材料気化供給装置の気化部構造に適用した場合の第1の実施の形態を示し、気化室部分の一部切欠き拡大縦断面図である。
【図2】前記低蒸気圧材料気化供給装置の分解外観図である。
【図3】前記低蒸気圧材料気化供給装置の要部の拡大断面図である。
【図4】前記低蒸気圧材料気化供給装置の気化部構造の作用説明図で、気化室部分を下面からみた底面図である。
【図5】この発明を低蒸気圧材料気化供給装置の気化部構造に適用した場合の第2の実施の形態を示し、前記低蒸気圧材料気化供給装置の要部の拡大断面図である。
【図6】この発明を低蒸気圧材料気化供給装置の気化部構造に適用した場合の第3の実施の形態を示し、前記低蒸気圧材料気化供給装置の要部の拡大断面図である。
【図7】従来の低蒸気圧材料気化供給装置の気化部構造を示し、(A)は要部の拡大断面図、(B)は気化室部分を上面からみた平面図である。
【符号の説明】
1…本体ブロック体、2…弁ブロック、3…液体材料導入路、4…キャリアガス導入路、5…気化ガス導出路、8…他方の開口、9…下面、10,42…外側の溝、11,43…内側の溝、12…隔壁、13…隔壁の下縁,14…開口、15…開口、16…ダイヤフラム、17…気化室、21…間隙流路、23…弁構造部、28…付勢機構、E…気化ガス、G…キャリアガス、L…液体材料。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an improvement in a vaporization part structure mainly applied to, for example, a low vapor pressure material vaporization supply apparatus such as Ta-based, specifically pentaethoxytantalum [Ta (OC 2 H 5 ) 5 ].
[0002]
[Prior art]
The vaporization part structure applied to this kind of low vapor pressure material vaporization and supply apparatus is applied to a vaporizer incorporated in the apparatus so that the liquid material such as a liquid material supply apparatus can be vaporized quantitatively. In order to supply to various use points such as a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, the liquid is vaporized by this vaporizer.
[0003]
The specific structure is as shown in FIGS. 7A and 7B.
For example, a carrier
[0004]
In addition, the liquid
[0005]
An
[0006]
Further, a
[0007]
Therefore, when vaporizing the liquid material by a predetermined amount, the
[0008]
Next, the carrier gas is supplied to the carrier
[0009]
However, due to the action of gravity, it oozes out so as to drip to the groove bottom side along the inner peripheral surface of the
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, according to such a conventional direct-in method, the flow of the carrier gas supplied into the
[0011]
Further, the liquid material that oozes out from the liquid
[0012]
In addition, when the
[0013]
The present invention was developed in view of the drawbacks of this conventional structure. Basically, the principle is that the amount of vaporization of the liquid material is proportional to the contact area between the liquid material and the carrier gas. Therefore, it is characterized in that it has been devised so that the liquid material can be expanded as widely as possible and the contact area with the carrier gas can be increased as much as possible.
[0014]
Therefore, even if it is a low vapor pressure material, this invention makes it a subject to make it possible to improve the vaporization efficiency remarkably and to reduce the production | generation of a reaction product markedly.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In the invention of
[0016]
According to this means, the carrier gas flows from the outer periphery toward the inner periphery on the surface of the liquid material that has spread widely in the vaporization chamber. At this time, vaporization is promoted on the boundary surface between the liquid material and the carrier gas, the vaporized gas is mixed with the carrier gas, and the mixed gas is supplied from the vaporized gas outlet port above the vaporization unit to the required device from the required flow path. To flow down. As a result, the contact area between the liquid material and the carrier gas can be significantly increased unlike the conventional structure.
[0017]
Therefore, this invention has the following effects.
Since the liquid material is diffused widely on the upper surface of the diaphragm, and the carrier gas flows from the outer periphery to the inner periphery on the upper surface of the widely diffused liquid material, the contact area between the liquid material and the carrier gas is remarkably increased. Therefore, the vaporization efficiency can be greatly improved.
[0018]
As a result, there is no possibility that the liquid material supplied to the vaporization chamber remains in a liquid state or in a mist state. Therefore, unlike the conventional structure, it is possible to prevent the possibility that the liquid gas or the mist is supplied from the vaporized gas outlet to the secondary side flow path, and in the secondary side flow path, for example, it is thermally decomposed. Thus, the tantalum oxide crystallizes or remains in the vaporization part as it is, thereby generating the same reaction product as described above.
[0019]
In addition, since the vaporized gas outlet port is opened above the vaporization section, there is no risk that the liquid material will flow down into the secondary side channel while remaining in the liquid state.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
[0021]
(First embodiment)
1 to 4 show a first embodiment in the case where the present invention is applied to a vaporizing part structure of a low vapor pressure material vaporizing and supplying apparatus.
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a vaporizing portion of a low vapor pressure material vaporizing and supplying apparatus of the present invention, FIG. 2 is an exploded external view of a state in which a main body block and a valve block are separated from an oblique bottom, and FIG. FIG. 4 is a bottom view of the main part in a state where the vaporization chamber is looked up from below.
In these drawings,
[0022]
As shown in FIG. 2, the liquid
[0023]
Both
[0024]
An
[0025]
Further, the
[0026]
The
[0027]
The central
[0028]
In the
[0029]
As shown in FIG. 3, a
As shown in the figure, the
[0030]
Further, the peripheral
[0031]
Further, as shown in the figure, a conical shape is formed at the center of the upper surface of the output member 32 (specifically formed of a diaphragm) 32 of the
[0032]
A heater 37 (shown by an imaginary line in FIG. 1) may be provided around the central
[0033]
Next, the operation of the first embodiment will be described.
In vaporizing the liquid material L by a predetermined amount, first, by applying a predetermined voltage to the
[0034]
Next, at the same time as the liquid material L is supplied to the liquid
[0035]
On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 4, the carrier gas G flows into the
[0036]
At this time, the carrier gas G flows in the
[0037]
As described above, since the liquid material L can be diffused widely, unlike the conventional structure, the contact area between the liquid material L and the carrier gas G can be greatly expanded, and the vaporization efficiency is greatly improved. it can.
[0038]
In addition, the carrier gas G flows into the
[0039]
Further, since the vaporized gas lead-out
[0040]
(Second Embodiment)
Next, the structure shown in FIG. 5 shows a second embodiment in the case where the present invention is applied to the vaporizing part structure of the low vapor pressure material vaporizing and supplying apparatus.
In the second embodiment, the
[0041]
In FIG. 5, the same reference numerals as those shown in FIGS.
[0042]
First, the
[0043]
Further, the
[0044]
The
[0045]
In the second embodiment, the
[0046]
The
[0047]
A vaporized gas lead-out
[0048]
Therefore, to vaporize the liquid material L by a predetermined amount, first, the
[0049]
Furthermore, the second embodiment is characterized in that it is devised to form the vaporizing
[0050]
(Third embodiment)
Next, the structure shown in FIG. 6 shows a third embodiment in the case where the present invention is applied to the vaporization part structure of the low vapor pressure material vaporization supply apparatus.
In the third embodiment, basically, the configuration shown in the second embodiment, that is, the structure for effectively utilizing the
Hereinafter, only differences from the structure shown in the second embodiment will be described in detail, and the same structure is denoted by the same reference numeral in the drawing, and detailed description thereof is omitted. In FIG. 6, the same reference numerals as those shown in FIGS. 1 to 4 are the same, and a detailed description thereof will be omitted.
[0051]
Therefore, the difference from the structure shown in the second embodiment resides in the
First, the
[0052]
The
A recessed
[0053]
As described above, in the third embodiment, the
[0054]
Therefore, the
[0055]
Furthermore, the third embodiment is characterized in that it is devised to form the vaporizing
[0056]
1 to 6, the relationship between the
[0057]
The embodiments can be combined with each other as appropriate without departing from the intended purpose of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially cutaway enlarged longitudinal sectional view of a vaporization chamber portion showing a first embodiment when the present invention is applied to a vaporization portion structure of a low vapor pressure material vaporization supply device.
FIG. 2 is an exploded external view of the low vapor pressure material vaporization supply device.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the low vapor pressure material vaporization supply device.
FIG. 4 is an operation explanatory view of a vaporization unit structure of the low vapor pressure material vaporization supply device, and is a bottom view of a vaporization chamber portion seen from the lower surface.
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the low vapor pressure material vaporization supply device, showing a second embodiment when the present invention is applied to the vaporization portion structure of the low vapor pressure material vaporization supply device.
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the low vapor pressure material vaporization supply device, showing a third embodiment when the present invention is applied to the vaporization portion structure of the low vapor pressure material vaporization supply device.
7A and 7B show a vaporization part structure of a conventional low vapor pressure material vaporization supply apparatus, in which FIG. 7A is an enlarged cross-sectional view of a main part, and FIG. 7B is a plan view of a vaporization chamber portion as viewed from above.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
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JP01692099A JP4137265B2 (en) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | Vaporization structure |
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- 1999-01-26 JP JP01692099A patent/JP4137265B2/en not_active Expired - Fee Related
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