JP4134671B2

JP4134671B2 - Plasma processing method

Info

Publication number: JP4134671B2
Application number: JP2002302927A
Authority: JP
Inventors: 義弘柳; 清彦高木; 悌一木村; 利幸渡辺; 雅史森田
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-10-17
Filing date: 2002-10-17
Publication date: 2008-08-20
Anticipated expiration: 2022-10-17
Also published as: JP2004140153A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理方法に関し、特に、ドライエッチング処理において、基板を載置する電極と前記基板との間に発生する静電気を除去するところに特徴があり、効率的にデバイス破壊を低減させることが可能なプラズマ処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶素子製造分野において、製造コスト削減や環境保護の観点から、工程簡略や製造方法の環境負荷の少ない製造方法に変更を望む声が高まっている。特に、次世代フラットパネルとして期待されている液晶や有機ＥＬ素子パネルの価格競争の激化とパネルの大型化、高性能化に伴い、従来の薬液による工法から、プラズマを応用した薄膜加工する工法及び装置が望まれつつある。
【０００３】
しかしながら、真空中にプラズマを発生させ、プロセスガスを乖離させ、イオンやラジカルにより物理的、科学的な反応を組み合わせた加工を行うため、絶縁体である被処理ガラス基板上に多量な電荷を発生させることになる。
【０００４】
このとき、多量に発生した電荷は、薄膜回路の構成上、金属膜と金属膜の間を絶縁する為の絶縁膜が薄膜形成されているが、耐電圧には閾値を持つことになり、その閾値を越えるような電荷を被処理ガラス基板が帯び、帯電した場合には絶縁膜の破壊が発生し、薄膜回路を形成しえなくなる。このため、なるべく被処理ガラス基板上にチャージしないようなプラズマにするか、チャージした電荷をプラズマプロセス上の工夫で低減する取り組みを実施してきた。
【０００５】
以下、図１に代表的なドライエッチング装置を示す。
【０００６】
図１において、１はドライエッチング処理を行うための処理室、２ａ，２ｂ，２ｃは処理室１や後述する真空移載容器５、ロードロック容器８にプロセスガスや不活性ガスを導入するためのガス導入装置、３は基板を載置する電極、４ａ，４ｂ，４ｃは処理室１や後述する真空移載容器５、ロードロック容器８の内部を排気するための真空排気装置、５は処理室１へ基板を真空圧力の状態で出し入れする真空移載容器、６ａは処理室１と真空移載容器５の隔壁となり開閉機構を有するゲート扉、６ｂは真空移載容器５と後述するロードロック容器８の隔壁となり開閉機構を有するゲート扉、６ｃは後述するロードロック容器８を真空に保持するためのゲート扉、７は真空搬送機構、８は大気状態から真空状態へ容器内を減圧する動作や、その逆に真空状態から大気状態へ加圧する動作が出来る機能を有するロードロック容器、９は基板を収納する基板収納装置、１０は基板収納装置９から基板を取り出し、ロードロック容器８へ移載するための大気搬送機構である。なお１１は基板である。
【０００７】
以下、上記ドライエッチング装置を用いた具体的な動作手順について説明する。
【０００８】
まず、基板１１を、基板収納装置９より大気搬送機構１０にて取り出し、ロードロック容器８にガス導入装置２ｃより不活性ガスをパージして大気状態にし、ゲート扉９６ｃを開き、大気搬送機構１０によって、基板１２をロードロック容器８へと搬送する。
【０００９】
次に、ゲート扉６ｃを閉じて、ロードロック容器８において、ガス導入装置２ｃの動作を止め、真空排気装置４ｃより排気し、一定の圧力にまで真空排気が完了した後、ゲート扉６ｂを開く。このとき、真空移載容器５は真空排気装置４ｂが常時真空排気動作しており、常に真空状態を保持した状態となっている。
【００１０】
その後、真空搬送機構７によりロードロック容器８に載置されている基板１１を取り出し、真空移載容器５へと移載して、ゲート扉６ｂを閉じる。処理室１にある真空排気装置４ａは常時真空排気動作しており、容器内は常に真空状態を保持している。このような状態で、ゲート扉６ａが開き、真空移載容器５内の真空搬送機構７にある基板１１は処理室１の電極３へ移載され、ゲート扉６ａが閉まり、プラズマ処理が行われる。
【００１１】
プラズマ処理終了後、Ｎ₂やＯ₂などの不活性ガスによる除電プロセスといわれる、プラズマの発生領域を圧力やパワーにより変化させて、基板１１上に帯電した電荷を除去するプロセス処理を行った後、ゲート扉６ａが開き、真空搬送機構７により、処理室１内の電極３上に載置された基板１１は、処理室１内から取り出され、真空移載容器５内に移載される。
【００１２】
このとき、処理室１内の真空排気装置４ａは、プラズマ処理後の反応生成物が真空移載容器４ａへ流入しないように排気動作をしている。そして、ゲート扉６ａが閉じ、次にゲート扉６ｂが開き、基板１１は真空移載機構５からロードロック容器８へと移載され、ゲート扉６ｂが閉まる。ロードロック容器９内の真空排気装置４ｃが停止し、ガス導入装置２ｃより不活性ガスがパージされ、ロードロック容器８内は真空圧状態から大気圧状態へとなり、ゲート扉６ｃが開く。そして、大気搬送機構１０により、ロードロック容器８内にある基板１１が取り出され、基板収納装置９へと収められる。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００２−２６１１５９号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、処理室１内にて基板１１がプラズマ処理終了後、除電プロセス行い、ゲート扉６ａを開き、真空搬送機構７により、処理室１内の電極３上に載置された基板１１が、処理室１内より取り出され、真空移載容器５内に移載される時に、基板１１の表面に残留帯電した電荷の電位値は図２に示すような挙動を示す。
【００１５】
プラズマ処理後の基板１１の表面に帯電した電荷は、ゲート扉６ａを通過する時に最大電位値を示し、その後も高い電位を保持した状態で真空移載容器５に載置される。基板１１が真空中において移載される際に変化する帯電位が基板１１上に成膜された絶縁膜の耐電圧閾値Ａを越えた時に、絶縁破壊を起こすという問題点がある。
【００１６】
これは、図３に示すように、基板１１が移載する際に、基板表面に帯電した電荷−Ｑが対抗して分極している電極３表面＋Ｑ（この時点では、ｄが限りなく大きいため、（式１）の公式には当てはまらないことから、処理室１の底面、ゲート扉６ａの底面、真空移載容器５の底面へと移り変わる時に、（式１）に当て嵌る「ｄ」が存在している場合に限る。
【００１７】
【数１】

【００１８】
から明らかなように、ｄ（距離）に影響される領域（ｄmin）に達した時に、Ｖ-gが上昇する可能性があるためであると考えられる。
【００１９】
無論、最も基板１１の表面電位が上昇するのは、電極３より基板１１が離れる瞬間であることは、容易に想像がつくが、そのとき絶縁破壊を免れても、基板１１の一部が、ゲート扉６ａを通過しているため、基板１１の一部分のみ表面の電位が異常に上昇する可能性があり、その部分で絶縁破壊が起こると想像されている。
【００２０】
一般的な真空量産設備は、ゲート扉開閉時の圧力損失を小さくするため、ゲート扉を限りなく小さく製作している。基板１１がゲート扉６ａを通過する地点での、基板１１とゲート扉６ａの距離は、限りなく基板１１とゲート扉６ａが近くなり（式１）の影響を受ける範囲となることになる。基板１１上の一部分で電位Ｖ-gが、電極３上にあるときよりも高い値を示すこととなる。前述する内容は、量産設備の形態によっては、ゲート扉６ａだけではなく、他の部分においても、（式１）の影響を受けやすいこともあり得る。
【００２１】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、プラズマ処理後に被処理ガラス基板を移載する際に変化する基板上の電荷量を軽減することが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【００２３】
本発明に係るプラズマ処理方法は、処理室にてエッチング処理されたガラス基板を、真空下において前記処理室から真空移載容器へ移載する際、前記処理室にてＮ ₂ ガスに気化したＨ₂Ｏガスを混入させた不活性ガスによる除電プロセスを行い、その後、前記処理室と前記真空移載容器とにＮ₂ガスを導入することで前記処理室及び前記真空移載容器の圧力を調整しながら、前記処理室から前記真空移載容器へガラス基板を移載することを特徴とする。
【００２４】
このとき、処理室と真空移載容器の圧力値を５〜２０Ｐａの範囲に維持すると好適である。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３６】
本発明のプラズマ処理方法の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００３７】
以下、図１に実施様態について代表的なドライエッチング装置形態について説明する。１はドライエッチング処理を行うための処理室、２ａ，２ｂ，２ｃは処理室１や後述する真空移載容器５、ロードロック容器８にプロセスガスや不活性ガスを導入するためのガス導入装置、３は基板を載置する電極、４ａ，４ｂ，４ｃは処理室１や後述する真空移載容器５、ロードロック容器８の内部を排気するための真空排気装置、５は処理室１へ基板を真空圧力の状態で出し入れする真空移載容器、６ａは処理室１と真空移載容器５の隔壁となり開閉機構を有するゲート扉、６ｂは真空移載容器５と後述するロードロック容器８の隔壁となり開閉機構を有するゲート扉、６ｃは後述するロードロック容器８を真空に保持するためのゲート扉、７は真空搬送機構、８は大気状態から真空状態へ容器内を減圧する動作や、その逆に真空状態から大気状態へ加圧する動作が出来る機能を有するロードロック容器、９は基板を収納する基板収納装置、１０は基板収納装置９から基板を取り出し、ロードロック容器８へ移載するための大気搬送機構である。なお１１は基板である。
【００３８】
以下、上記ドライエッチング装置を用いた具体的な動作手順について説明する。
【００３９】
まず、基板１１を、基板収納装置９より大気搬送機構１１にて取り出し、ロードロック容器８にガス導入装置２ｃよりＮ₂ガスをパージして大気状態にし、ゲート扉６ｃを開き、大気搬送機構１０によって、基板１１をロードロック容器８へと搬送する。
【００４０】
続けて、ゲート扉６ｃを閉じて、ロードロック容器８において、ガス導入装置２ｃの動作を止め、排気装置４ｃより排気し、一定の圧力にまで真空排気が完了した後、ゲート扉６ｂを開く。真空移載容器５は真空排気装置４ｂが常時真空排気動作しており常に真空状態を保持した状態となっている。
【００４１】
真空搬送機構７によりロードロック容器８に載置されている基板１１を取り出し、真空移載容器５へと移載して、ゲート扉６ｂを閉じる。処理室１にある真空排気装置４ａは常時真空排気動作しており容器内は常に真空常置を保持した状態となっている。
【００４２】
このような状態でゲート扉６ａを開き、真空移載容器５内の真空搬送機構７にある基板１１は処理室１の電極３へ移載され、ゲート扉６ａが閉まりプラズマ処理が行われる。
【００４３】
プラズマ処理終了後は、Ｎ₂ などに気化したＨ₂Ｏガスを混入させて不活性ガスによる除電プロセスといわれる、プラズマの発生領域を圧力やパワーにより変化させて、基板１１上に帯電した電荷を除去するプロセス処理を行うことで、プラズマにより帯電した電荷は前記Ｈ₂Ｏガスを混入させることで効率よく、処理室内の雰囲気に逃がすことが可能となり、基板１１上の電荷を除電することが可能となる。
【００４４】
上記のような処理が終了した後は、ゲート扉６ａを開き、ガス導入装置２ｂよりＮ₂ガスを流入させ、真空排気装置４ｂを停止し、真空排気装置４ａにて、処理室２と真空移載容器５内が１５Ｐａになるように調整しながら、真空搬送機構７により、処理室１内の電極３上に載置された基板１１を、処理室１内から取り出し、真空移載容器５内に移載する。
【００４５】
このように、処理室１と真空移載容器５内が１５Ｐａとなるように調整することで、図４に示すように、プラズマ処理後の基板１１の表面に帯電した電荷は、除電され電位は一定となる。そのため、基板１１上に成膜された絶縁膜の耐電圧閾値を越えて、絶縁破壊をおこす問題点が解決される。真空下において、プラズマにより帯電した基板１１上の電荷は、圧力を一定の値まで高めることで、真空容器中の雰囲気に流れ出る作用がある。このため、基板１１上のＶ-gは一定の値を示したと考える。
【００４６】
また、ガス導入装置２ｂへＨ₂Ｏガスを気化して、同時に導入しながら基板１１を処理室１から取り出すと、より効果的で好適である。
【００４７】
その後、ガス導入装置２ｂを停止させ、ゲート扉６ａを閉じ、真空排気装置４ｂを動作させ、真空移載容器５内を所定の圧力以下まで排気し、真空排気装置４ａにて、処理室１内も所定の圧力以下まで排気する。
【００４８】
次に、ゲート扉６ｂを開き、真空移載機構５により基板１１はロードロック容器８へと移載され、ゲート扉６ｂは閉まる。ロードロック容器８内の真空排気装置４ｃが停止し、ガス導入装置２ｃより不活性ガスがパージされ、ロードロック容器８内は真空圧状態から大気圧状態へとなり、ゲート扉６ｃが開き、大気搬送機構１０により、ロードロック容器８内にある基板１１が取り出され、基板収納装置９へと収められる。
【００４９】
以上のことから、プラズマ処理後に被処理ガラス基板を移載する際に変化する基板上の電荷量を軽減することが可能となる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、プラズマ処理中に基板が帯びた電荷を搬送中に効率的に除電でき、効率的にデバイス破壊を低減させることが可能なプラズマ処理方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成図
【図２】従来の実施形態における基板の表面帯電値を示す図
【図３】基板の表面電位の上昇メカニズムを示す概略図
【図４】本発明の実施形態での基板の表面帯電値を示す図
【符号の説明】
１処理室
２ａ，２ｂ，２ｃガス導入装置
３電極
４ａ，４ｂ，４ｃ真空排気装置
５真空移載容器
６ａ，６ｂ，６ｃゲート扉
７真空搬送機構
８ロードロック容器
９基板収納装置
１０大気搬送機構[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma treatment how, in particular, in the dry etching process, there is characterized in that the removal of static electricity generated between the electrode and the substrate for mounting the substrate, reduces efficiently the device breakdown it relates to a possible plasma processing how be.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in the liquid crystal element manufacturing field, there is an increasing demand for a change to a manufacturing method with a simplified process and a less environmental load of the manufacturing method from the viewpoint of manufacturing cost reduction and environmental protection. In particular, as the price competition of liquid crystal and organic EL element panels, which are expected as next-generation flat panels, intensify, the panel size increases, and the performance increases, the conventional thin film processing method using plasma from the conventional chemical method, and An apparatus is being desired.
[0003]
However, plasma is generated in vacuum, process gas is separated, and processing that combines physical and scientific reactions by ions and radicals is performed, so a large amount of charge is generated on the glass substrate to be processed as an insulator. I will let you.
[0004]
In this case, a large amount of electric charge is generated by forming a thin insulating film to insulate between the metal film and the metal film due to the structure of the thin film circuit. When the glass substrate to be processed has a charge exceeding the threshold value and is charged, the insulating film is broken and a thin film circuit cannot be formed. For this reason, efforts have been made to reduce the charged charge by means of a plasma process or to make the plasma not to be charged on the glass substrate to be processed as much as possible.
[0005]
A typical dry etching apparatus is shown in FIG.
[0006]
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a processing chamber for performing a dry etching process, and 2a, 2b, and 2c are for introducing a process gas and an inert gas into the processing chamber 1, a vacuum transfer container 5 and a load lock container 8, which will be described later. A gas introduction device, 3 is an electrode for mounting a substrate, 4a, 4b, and 4c are vacuum evacuation devices for exhausting the interior of the processing chamber 1, a vacuum transfer container 5 described later, and a

load lock container

8, and 5 is a processing chamber. 1 is a vacuum transfer container for loading and unloading a substrate to and from 1 in a vacuum pressure state, 6a is a gate door which serves as a partition wall between the processing chamber 1 and the vacuum transfer container 5 and has an opening / closing mechanism, and 6b is a vacuum transfer container 5 and a load lock container which will be described later. 8 is a gate door having an opening / closing mechanism as a partition wall, 6c is a gate door for holding a load lock container 8 to be described later in vacuum, 7 is a vacuum transfer mechanism, 8 is an operation for depressurizing the inside of the container from an atmospheric state to a vacuum state, ,That A load lock container having a function capable of pressurizing from a vacuum state to an atmospheric state, 9 is a substrate storage device for storing the substrate, and 10 is a substrate storage device for taking out the substrate from the substrate storage device 9 and transferring it to the load lock container 8. It is an atmospheric transfer mechanism. Reference numeral 11 denotes a substrate.
[0007]
Hereinafter, a specific operation procedure using the dry etching apparatus will be described.
[0008]
First, the substrate 11 is taken out from the substrate storage device 9 by the atmospheric transfer mechanism 10, and the load lock container 8 is purged with an inert gas from the gas introducing device 2c to be in an atmospheric state, the gate door 96c is opened, and the atmospheric transfer mechanism 10 is opened. Thus, the substrate 12 is transferred to the load lock container 8.
[0009]
Next, the gate door 6c is closed, the operation of the gas introducing device 2c is stopped in the load lock container 8, the vacuum exhaust device 4c is exhausted, and after the vacuum exhaust is completed to a certain pressure, the gate door 6b is opened. . At this time, the vacuum transfer container 5 is in a state in which the vacuum exhaust device 4b is always evacuated and always kept in a vacuum state.
[0010]
Thereafter, the substrate 11 placed on the load lock container 8 is taken out by the vacuum transfer mechanism 7, transferred to the vacuum transfer container 5, and the gate door 6b is closed. The evacuation device 4a in the processing chamber 1 is always evacuated and the inside of the container is always kept in a vacuum state. In this state, the gate door 6a is opened, the substrate 11 in the vacuum transfer mechanism 7 in the vacuum transfer container 5 is transferred to the electrode 3 in the processing chamber 1, the gate door 6a is closed, and plasma processing is performed. .
[0011]
After completion of the plasma treatment, after performing a process treatment for removing charges charged on the substrate 11 by changing the generation region of the plasma by pressure and power, which is called a neutralization process using an inert gas such as N ₂ or O _2. The gate door 6 a is opened, and the substrate 11 placed on the electrode 3 in the processing chamber 1 is taken out from the processing chamber 1 by the vacuum transfer mechanism 7 and transferred to the vacuum transfer container 5.
[0012]
At this time, the vacuum exhaust device 4a in the processing chamber 1 performs an exhaust operation so that the reaction product after the plasma processing does not flow into the vacuum transfer container 4a. Then, the gate door 6a is closed, then the gate door 6b is opened, the substrate 11 is transferred from the vacuum transfer mechanism 5 to the load lock container 8, and the gate door 6b is closed. The vacuum exhaust device 4c in the load lock container 9 is stopped, the inert gas is purged from the gas introduction device 2c, the inside of the load lock container 8 is changed from the vacuum pressure state to the atmospheric pressure state, and the gate door 6c is opened. Then, the substrate 11 in the load lock container 8 is taken out by the atmospheric transfer mechanism 10 and stored in the substrate storage device 9.
[0013]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-261159 [0014]
[Problems to be solved by the invention]
However, after the plasma processing of the substrate 11 is completed in the processing chamber 1, a static elimination process is performed, the gate door 6 a is opened, and the substrate 11 placed on the electrode 3 in the processing chamber 1 is processed by the vacuum transfer mechanism 7. When taken out from the chamber 1 and transferred into the vacuum transfer container 5, the potential value of the electric charge remaining on the surface of the substrate 11 shows the behavior as shown in FIG.
[0015]
The electric charge charged on the surface of the substrate 11 after the plasma treatment shows a maximum potential value when passing through the gate door 6a, and is then placed on the vacuum transfer container 5 while maintaining a high potential. There is a problem that dielectric breakdown occurs when the charged potential that changes when the substrate 11 is transferred in a vacuum exceeds the withstand voltage threshold A of the insulating film formed on the substrate 11.
[0016]
This is because, as shown in FIG. 3, when the substrate 11 is transferred, the surface of the electrode 3 + Q on which the charge −Q charged on the substrate surface is polarized is opposed (at this point, d is extremely large). Since it does not apply to the formula of (Equation 1), there is “d” that fits in (Equation 1) when changing to the bottom surface of the processing chamber 1, the bottom surface of the gate door 6a, and the bottom surface of the vacuum transfer container 5. Only if you are.
[0017]
[Expression 1]

[0018]
As is clear from this, it is considered that V-g may increase when the region (dmin) affected by d (distance) is reached.
[0019]
Of course, it can be easily imagined that the surface potential of the substrate 11 is most increased at the moment when the substrate 11 is separated from the electrode 3. Since it passes through the gate door 6a, the surface potential of only part of the substrate 11 may rise abnormally, and it is assumed that dielectric breakdown occurs in that part.
[0020]
In general vacuum mass production equipment, the gate door is made as small as possible to reduce the pressure loss when the gate door is opened and closed. The distance between the substrate 11 and the gate door 6a at the point where the substrate 11 passes through the gate door 6a is infinitely close to the substrate 11 and the gate door 6a and is affected by (Equation 1). The potential V-g at a part on the substrate 11 shows a higher value than when it is on the electrode 3. The contents described above may be easily affected by (Equation 1) not only in the gate door 6a but also in other parts depending on the form of mass production equipment.
[0021]
In view of the above-described conventional problems, the present invention provides a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of reducing the amount of charge on a substrate that changes when a glass substrate to be processed is transferred after plasma processing. With the goal.
[0022]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.
[0023]
The plasma processing method according to the present invention, a glass substrate which is etched in the processing chamber, when transferred into the vacuum transfer chamber from the processing chamber under vacuum and vaporized N ₂ gas Te in the processing chamber H A neutralization process using an inert gas mixed with ₂ O gas is performed, and then the pressure of the processing chamber and the vacuum transfer container is adjusted by introducing N ₂ gas into the processing chamber and the vacuum transfer container. However, the glass substrate is transferred from the processing chamber to the vacuum transfer container.
[0024]
At this time, it is preferable to maintain the pressure values of the processing chamber and the vacuum transfer container in the range of 5 to 20 Pa .
[0035]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
[0036]
Embodiments of the plasma treatment how the present invention will be described with reference to the drawings.
[0037]
Hereinafter, a typical dry etching apparatus according to the embodiment will be described with reference to FIG. 1 is a processing chamber for performing a dry etching process, 2a, 2b, and 2c are gas introduction devices for introducing a process gas and an inert gas into the processing chamber 1, a vacuum transfer container 5 and a load lock container 8 described later, 3 is an electrode for placing a substrate, 4a, 4b, and 4c are vacuum evacuation devices for evacuating the interior of the processing chamber 1, a vacuum transfer container 5 and a load lock container 8 described later, and 5 is a substrate for the processing chamber 1. A vacuum transfer container 6a that is put in and out in a vacuum state, 6a is a gate door that serves as a partition wall between the processing chamber 1 and the vacuum transfer container 5 and has an opening / closing mechanism, and 6b is a partition wall between the vacuum transfer container 5 and a load lock container 8 described later. A gate door having an opening / closing mechanism, 6c is a gate door for holding a load lock container 8 to be described later in a vacuum, 7 is a vacuum transfer mechanism, 8 is an operation of decompressing the container from the atmospheric state to the vacuum state, and vice versa. Vacuum state A load-lock container having a function capable of pressurizing to the atmospheric state, 9 is a substrate storage device for storing the substrate, and 10 is an atmospheric transfer mechanism for taking out the substrate from the substrate storage device 9 and transferring it to the load-lock container 8. is there. Reference numeral 11 denotes a substrate.
[0038]
Hereinafter, a specific operation procedure using the dry etching apparatus will be described.
[0039]
First, the substrate 11 is taken out from the substrate storage device 9 by the atmospheric transfer mechanism 11, and the load lock container 8 is purged with N ₂ gas from the gas introduction device 2 c to the atmospheric state, the gate door 6 c is opened, and the atmospheric transfer mechanism 10 is opened. Thus, the substrate 11 is transferred to the load lock container 8.
[0040]
Subsequently, the gate door 6c is closed, the operation of the gas introduction device 2c is stopped in the load lock container 8, the exhaust device 4c is exhausted, and after the vacuum exhaust is completed to a certain pressure, the gate door 6b is opened. The vacuum transfer container 5 is always in a vacuum state because the vacuum exhaust device 4b is always evacuated.
[0041]
The substrate 11 placed on the load lock container 8 is taken out by the vacuum transfer mechanism 7, transferred to the vacuum transfer container 5, and the gate door 6b is closed. The evacuation device 4a in the processing chamber 1 is always evacuated and the inside of the container is always kept in a vacuum.
[0042]
In this state, the gate door 6a is opened, the substrate 11 in the vacuum transfer mechanism 7 in the vacuum transfer container 5 is transferred to the electrode 3 in the processing chamber 1, the gate door 6a is closed, and plasma processing is performed.
[0043]
After the plasma treatment completion, be mixed with the H ₂ O gas which vaporizes etc. N ₂ is said neutralization process with an inert gas, the generation region of plasma is varied by the pressure and power, electric charge accumulated on the substrate 11 By performing the process for removing the charge, the charge charged by the plasma can be efficiently released to the atmosphere in the processing chamber by mixing the H ₂ O gas, and the charge on the substrate 11 can be discharged. It becomes possible.
[0044]
After the above processing is completed, the gate door 6a is opened, N ₂ gas is allowed to flow in from the gas introducing device 2b, the vacuum exhaust device 4b is stopped, and the vacuum chamber 4a and the process chamber 2 are transferred to the vacuum chamber. The substrate 11 placed on the electrode 3 in the processing chamber 1 is taken out from the processing chamber 1 by the vacuum transfer mechanism 7 while adjusting the inside of the mounting vessel 5 to 15 Pa, and the inside of the vacuum transfer container 5 is removed. To be transferred to.
[0045]
In this way, by adjusting the inside of the processing chamber 1 and the vacuum transfer container 5 to 15 Pa, as shown in FIG. 4, the charge charged on the surface of the substrate 11 after the plasma processing is eliminated, and the potential is It becomes constant. Therefore, the problem of causing dielectric breakdown exceeding the withstand voltage threshold value of the insulating film formed on the substrate 11 is solved. Under vacuum, the charge on the substrate 11 charged by plasma has the effect of flowing out to the atmosphere in the vacuum vessel by increasing the pressure to a certain value. For this reason, it is considered that V-g on the substrate 11 shows a constant value.
[0046]
Further, it is more effective and preferable to vaporize the H ₂ O gas into the gas introducing device 2b and take out the substrate 11 from the processing chamber 1 while simultaneously introducing the gas.
[0047]
Thereafter, the gas introduction device 2b is stopped, the gate door 6a is closed, the vacuum exhaust device 4b is operated, the vacuum transfer container 5 is exhausted to a predetermined pressure or less, and the vacuum exhaust device 4a Is exhausted to below a predetermined pressure.
[0048]
Next, the gate door 6b is opened, the substrate 11 is transferred to the load lock container 8 by the vacuum transfer mechanism 5, and the gate door 6b is closed. The evacuation device 4c in the load lock container 8 is stopped, the inert gas is purged from the gas introduction device 2c, the inside of the load lock container 8 is changed from the vacuum pressure state to the atmospheric pressure state, the gate door 6c is opened, and the atmospheric transfer is performed. The substrate 10 in the load lock container 8 is taken out by the mechanism 10 and stored in the substrate storage device 9.
[0049]
From the above, it is possible to reduce the amount of charge on the substrate that changes when the glass substrate to be processed is transferred after the plasma processing.
[0050]
【The invention's effect】
According to the present invention, a charge-tinged a substrate during plasma processing can efficiently charge removal during transport, capable of reducing efficiently the device breakdown plasma treatment how wear in provision.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing a surface charge value of a substrate in a conventional embodiment. FIG. 4 is a diagram showing a surface charge value of a substrate in an embodiment of the present invention.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1

Processing chamber

2a, 2b, 2c Gas introduction apparatus 3

Electrode

4a, 4b, 4c Vacuum exhaust apparatus 5

Vacuum transfer container

6a, 6b, 6c Gate door 7 Vacuum transfer mechanism 8 Load lock container 9 Substrate storage apparatus 10 Atmospheric transfer mechanism

Claims

The glass substrate which has been etched in the processing chamber, when transferred into the vacuum transfer chamber from the processing chamber under vacuum, inert obtained by mixing H ₂ O gas which is vaporized N ₂ gas Te into the processing chamber Performing a static elimination process with gas, and then adjusting the pressure of the processing chamber and the vacuum transfer container by introducing N ₂ gas into the processing chamber and the vacuum transfer container, and the vacuum from the processing chamber A plasma processing method, comprising transferring a glass substrate to a transfer container.

The plasma processing method according to claim 1, wherein pressure values of the processing chamber and the vacuum transfer container are maintained in a range of 5 to 20 Pa.