JP4134390B2

JP4134390B2 - Manufacturing method of semiconductor dynamic quantity sensor

Info

Publication number: JP4134390B2
Application number: JP24069298A
Authority: JP
Inventors: 一彦加納; 幸裕竹内
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1998-08-26
Filing date: 1998-08-26
Publication date: 2008-08-20
Anticipated expiration: 2018-08-26
Also published as: JP2000068527A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、梁構造の可動部を有し、例えば加速度、ヨーレート、振動等の力学量を検出する半導体力学量センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の半導体力学量センサとして、特開平９−１４５７４０号公報に示す加速度センサがある。この加速度センサの平面構成を図９（ａ）に示し、そのＨ−Ｈ断面を図９（ｂ）に示す。この加速度センサは、シリコンで構成された基板３０、アンカ部１１、おもり可動電極１２、梁部１３、固定電極１４で構成されるスイッチ式の加速度センサとなっている。
【０００３】
アンカ部１１は、円柱形状で、基板３０上に形成されている。おもり可動電極１２は、円筒形状で、基板３０の表面と所定の間隔を隔ててほぼ平行に設けられており、基板３０と垂直方向の略円柱状側面、すなわち円周状に形成された円周側面１２ａを有している。
梁部１３は、一端がアンカ部１１に固定され他端がおもり可動電極１２に固定されており、おもり可動電極１２をアンカ部１１に対して支持する。この梁部１３は、複数本（図では４本）設けられており、それぞれを、平面的に見て円弧の一部となる形状にし、また断面において横の長さに対する縦の長さの比を大きくした形状にすることによって、基板３０の表面に対し平行方向に弾性変形するバネ部を構成している。
【０００４】
固定電極１４は、内側が円柱をくり抜いた形状で、おもり可動電極１２の外側に所定の間隔を隔てて基板３０上に形成されており、おもり可動電極１２の検出面１２ａに対向する円周側面１４ａを有している。
アンカ部１１、おもり可動電極１２、梁部１３、固定電極１４は、半導体層としてのシリコン膜をエッチングして形成されたもので、おもり可動電極１２と梁部１３にて梁構造の可動部を構成し、固定電極１４にて固定部を構成している。また、それぞれの表面には、導電性をもたせるために不純物が導入されている。従って、おもり可動電極１２の円周側面１２ａは導電性の検出面となり、固定電極１４の円周側面１４ａは導電性の被検出面となる。また、アンカ部１１、固定電極１４は、図に示すように、酸化膜２１、２２によって、基板３０上に固定されている。
【０００５】
上記した構成において、基板３０の表面と平行な方向に加速度が生じたとき、基板３０の表面と平行な方向におもり可動電極１２が変位し、おもり可動電極１２の検出面１２ａと固定電極１４の被検出面１４ａとが接触する。この接触状態を、図示しない検出回路により検出することによって、加速度が検出される。
上記した加速度センサは、次のようにして製造される。
【０００６】
まず、図１０（ａ）に示すように、シリコン基板３０に犠牲層をなす酸化膜２０を成膜し、その上にシリコン膜１０を成膜した基板を用意する。
次に、図１０（ｂ）に示すように、シリコン膜１０をエッチングして、シリコン膜１０を、アンカ部１１、おもり可動電極１２、梁部１３、固定電極１４の形状にパターニングする。この後、シリコン表面に導電性を持たせるためにアンカ部１１、おもり可動電極１２、梁部１３、固定電極１４の各部に不純物を導入する。
【０００７】
最後に、図１０（ｃ）に示すように、おもり可動電極１２、梁部１３直下の酸化膜２０をフッ化水素系液体によりエッチング、すなわち犠牲層エッチングを行って、可動部を可動状態にする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記した製造方法においては、犠牲層エッチングによって可動部の下の酸化膜２０を除去しているが、その犠牲層エッチングの終点を確認することが難しく、エッチング時間をオーバーしてしまうとアンカ部１１や固定電極１４が基板３０に固定できないという問題がある。
【０００９】
本発明は上記問題に鑑みたもので、犠牲層エッチングの終点を容易に確認できるようにすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明においては、犠牲層エッチングの終点検出パターンを形成しておき、犠牲層エッチングによる終点検出パターンの変位状態によって可動部の下の犠牲層の除去を確認することを特徴としている。
【００１１】
終点検出パターンの下にある犠牲層が犠牲層エッチング時にエッチングされて終点検出パターンが変位するため、その変位状態によって可動部の下の犠牲層の除去を確認することができ、犠牲層エッチングの終点を容易に確認することができる。
この場合、終点検出パターンは、請求項２に記載の発明のように、可動部と同時にパターニング形成すれば、終点検出パターンを形成するための余分な工程を必要としないため、製造工程を簡単にすることができる。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明のように、終点検出パターンを幅の異なる複数の構造体で形成しておけば、それぞれの構造体の変位状態に基づいて犠牲層エッチングの終点を容易に確認することができる。この場合、請求項４に記載の発明のように、終点検出パターンをなす複数の構造体として、可動部の下側の犠牲層が除去されるエッチング時間でエッチングされる幅より広いものと狭いもの含むように形成すれば、幅の狭い方の構造体の下の犠牲層が除去され幅の広い方の構造体の下の犠牲層が残っている状態にて、より容易に犠牲層エッチングの終点を確認することができる。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明のように、終点検出パターンの一部を固定部に接続した状態で形成するようにすれば、犠牲層エッチング時に終点検出パターンが離脱することがないため、センサの歩留まりを良好にすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。
図１に本発明の一実施形態に係る加速度センサ構成を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ断面図である。この図１において、図９に示すものと同一符号を付したものは、同一物であることを示している。従って、この実施形態における加速度センサは、図９に示すものと同様、シリコンで構成された基板３０、アンカ部１１、おもり可動電極１２、梁部１３、固定電極１４で構成されるスイッチ式の加速度センサとなっている。
【００１５】
この実施形態においては、固定電極１４の形成領域に、おもり可動電極１２、梁部１３を基板３０からリリースするエッチング、すなわち犠牲層エッチングの終点を検出するための終点検出パターン４１〜４６が形成されている。
以下、この実施形態における加速度センサの製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、シリコン基板３０に犠牲層をなす酸化膜２０を成膜し、その上に半導体層としてのシリコン膜１０を成膜した基板（ウェハ）を用意する。この基板としては、ＳＯＩ基板を用いることもできる。
【００１６】
次に、図２（ｂ）に示すように、シリコン膜１０をエッチングして、シリコン膜１０を、アンカ部１１、おもり可動電極１２、梁部１３、固定電極１４、および終点検出パターン４１〜４６の形状にパターニングする。この終点検出パターンは、図１（ａ）に示すように、Ａ−Ａ断面での幅が終点検出パターン４１から終点検出パターン４６にいくに従って広くなっており、終点検出パターン４６の幅がおもり可動電極１２の幅と同じになっている。この後、シリコン表面に導電性を持たせるためにアンカ部１１、おもり可動電極１２、梁部１３、固定電極１４の各部に不純物を導入する。
【００１７】
最後に、図２（ｃ）に示すように、おもり可動電極１２、梁部１３直下の酸化膜２０をフッ化水素系液体によりエッチングすることで、可動部を可動状態にする。この際、終点検出パターン４１〜４６は固定電極１３と接続されていないため、直下の酸化膜２０がエッチングによって除去されると、図に示すように下側に落ちる。エッチングが進行するに従い、幅の狭い終点検出パターンから順に下側に落ち、おもり可動電極１２の下側の酸化膜２０のエッチングが終了すると、終点検出パターン４５が下に落ちる。エッチング終了後、光学顕微鏡等で上部から終点検出パターン４１〜４６の変位状態を観察することにより、エッチングが終了していることを視覚的に確認することができる。
【００１８】
次に、上記した終点検出パターン４１〜４６の動作を、図３〜図６を用いて説明する。図３は、エッチングする前の状態を示し、図４〜図６にエッチング後の３つの挙動パターンを示す。なお、各図の（ａ）は終点検出パターン４１〜４６が形成されている領域の平面図、（ｂ）は断面図である。第１の挙動パターンは、図４に示すように、終点検出パターンがそのまま基板３０側に下がり基板３０に付着する。第２の挙動パターンは、図５に示すように、犠牲層エッチング中あるいはそのあとの水洗工程等で終点検出パターンが水平方向に移動して、基板３０側に下がり基板３０に付着する。第３の挙動パターンは、図６に示すように、犠牲層エッチング中あるいはそのあとの水洗工程等で終点検出パターンが基板３０から離れ液中に取り込まれる。いずれの場合も、エッチング終了後、光学顕微鏡で上部から観察することにより酸化膜２０除去のエッチングがどこまで進行しているかを判断することができる。
【００１９】
なお、終点検出パターンの幅は、基板３０からリリースされる梁構造体（可動部）の幅の一番広いところに設定するのが好ましいが、構造体幅とエッチング幅が必ずしも一致しない場合がある。その場合、基板３０からリリースされる構造体のエッチング時間に相当する構造体幅を設定し、その設定した幅の前後に梁幅の狭いものと広いものを形成しておくと、酸化膜２０除去のエッチングの進行を判断しやすくなる。このようなパターンを設けることにより、エッチング液の温度変化や劣化等によるエッチングレートの変化があった場合でも、エッチング終了後、上部から終点検出パターンを観察することによりエッチングが終了しているか否かを判断することができる。
【００２０】
また、終点検出パターン４１〜４６としては、図１に示すような構造のものに限らず、図７に示すような片持ち梁構造のものであってもよい。この場合、エッチングの終点検出は梁先端の幅の広いところで行う。図８に、エッチング後の終点検出パターン４１〜４６の状態を示す。梁の先端の幅広個所の下の酸化膜２０が除去されると、下方または横方向に構造体が付着し、梁が変形するため、エッチング終了後、このパターンを観察することにより、エッチングが終了しているか否かを判断することができる。
【００２１】
このように終点検出パターン４１〜４６を片持ち梁構造にすることによって、それが基板３０から離脱することがないためセンサの歩留まりが向上できる。すなわち、図６に見られるように、終点検出パターンが液中に取り込まれると、それがウェハ表面に再付着し、ゴミとなる恐れがあるが、片持ち梁構造にすることで、それがウェハから離脱することがなく、従ってゴミとなることがないためセンサの歩留まりが向上する。なお、片持ち梁構造に限らず、基板３０になんらかの形で固定されていれば同様の効果を奏する。
【００２２】
また、上記した製造方法においては、基板３０の上に酸化膜２０、シリコン膜１０を成膜した基板を用意し、シリコン酸化膜１０をエッチングして、可動部と固定部をパターニングするものを示したが、第１のシリコン基板に可動部と固定部を画定するための溝を形成しておき、その上に犠牲層をなす酸化膜を形成し、その酸化膜の表面を平坦化した後、第２のシリコン基板と貼り合わせ、この後、第１のシリコン基板の表面を研磨して、前記溝から前記犠牲層をなす酸化膜をエッチングにより除去して可動部を可動にする製造方法を用いることもできる。
【００２３】
なお、本発明は上記したような加速度センサに限らず、梁構造体の可動電極と固定電極とを対向させて力学量を検出するものであれば、その他の構造の加速度センサ、ヨーレートセンサなどに適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る加速度センサの構成を示す図である。
【図２】図１に示す加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【図３】終点検出パターン４１〜４６のエッチング前の状態を示す図である。
【図４】図３に示すもののエッチング後の第１の挙動パターンを示す図である。
【図５】図３に示すもののエッチング後の第２の挙動パターンを示す図である。
【図６】図３に示すもののエッチング後の第３の挙動パターンを示す図である。
【図７】終点検出パターン４１〜４６の他の形成例におけるエッチング前の状態を示す図である。
【図８】図７に示すもののエッチング後の挙動パターンを示す図である。
【図９】従来の加速度センサの構成を示す図である。
【図１０】図９に示す加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
１０…シリコン膜、１１…アンカ部、１２…おもり可動電極、１３…梁部、
１４…固定電極、２０、２１、２２…酸化膜、３０…基板、
４１〜４６…終点検出パターン。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor dynamic quantity sensor having a movable part having a beam structure and detecting a dynamic quantity such as acceleration, yaw rate, vibration, and the like.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as this type of semiconductor dynamic quantity sensor, there is an acceleration sensor disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-145740. FIG. 9A shows a planar configuration of this acceleration sensor, and FIG. 9B shows a HH cross section thereof. This acceleration sensor is a switch type acceleration sensor composed of a substrate 30 made of silicon, an anchor portion 11, a movable weight electrode 12, a beam portion 13, and a fixed electrode 14.
[0003]
The anchor portion 11 has a cylindrical shape and is formed on the substrate 30. The weight movable electrode 12 has a cylindrical shape and is provided substantially parallel to the surface of the substrate 30 at a predetermined interval. The weight movable electrode 12 is a substantially cylindrical side surface perpendicular to the substrate 30, that is, a circumferentially formed circumferential shape. It has a side surface 12a.
The beam portion 13 has one end fixed to the anchor portion 11 and the other end fixed to the weight movable electrode 12, and supports the weight movable electrode 12 with respect to the anchor portion 11. A plurality of beam portions 13 (four in the figure) are provided, each of which has a shape that becomes a part of an arc when seen in a plan view, and the ratio of the vertical length to the horizontal length in the cross section. By making the shape larger, a spring portion is formed which is elastically deformed in a direction parallel to the surface of the substrate 30.
[0004]
The fixed electrode 14 has a shape in which a cylinder is hollowed out, is formed on the substrate 30 at a predetermined interval outside the weight movable electrode 12, and is a circumferential side surface facing the detection surface 12 a of the weight movable electrode 12. 14a.
The anchor portion 11, the movable weight electrode 12, the beam portion 13, and the fixed electrode 14 are formed by etching a silicon film as a semiconductor layer, and the movable portion having a beam structure is formed by the movable weight electrode 12 and the beam portion 13. The fixed portion is configured by the fixed electrode 14. In addition, impurities are introduced into each surface in order to provide conductivity. Therefore, the circumferential side surface 12a of the weight movable electrode 12 becomes a conductive detection surface, and the circumferential side surface 14a of the fixed electrode 14 becomes a conductive detection surface. Further, the anchor portion 11 and the fixed electrode 14 are fixed on the substrate 30 by oxide films 21 and 22, as shown in the figure.
[0005]
In the configuration described above, when acceleration occurs in a direction parallel to the surface of the substrate 30, the weight movable electrode 12 is displaced in a direction parallel to the surface of the substrate 30, and the detection surface 12 a of the weight movable electrode 12 and the fixed electrode 14 The detected surface 14a comes into contact. By detecting this contact state by a detection circuit (not shown), acceleration is detected.
The acceleration sensor described above is manufactured as follows.
[0006]
First, as shown in FIG. 10A, an oxide film 20 that forms a sacrificial layer is formed on a silicon substrate 30, and a substrate on which the silicon film 10 is formed is prepared.
Next, as shown in FIG. 10B, the silicon film 10 is etched to pattern the silicon film 10 into the shape of the anchor portion 11, the movable weight electrode 12, the beam portion 13, and the fixed electrode 14. Thereafter, impurities are introduced into the anchor portion 11, the weight movable electrode 12, the beam portion 13, and the fixed electrode 14 in order to provide conductivity to the silicon surface.
[0007]
Finally, as shown in FIG. 10 (c), the movable movable electrode 12 and the oxide film 20 immediately below the beam portion 13 are etched with a hydrogen fluoride liquid, that is, sacrificial layer etching is performed to make the movable portion movable. .
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In the manufacturing method described above, the oxide film 20 under the movable portion is removed by sacrificial layer etching, but it is difficult to confirm the end point of the sacrificial layer etching, and the anchor portion 11 is exceeded if the etching time is exceeded. There is another problem that the fixed electrode 14 cannot be fixed to the substrate 30.
[0009]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to make it possible to easily confirm the end point of sacrificial layer etching.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, in the first aspect of the present invention, a sacrificial layer etching end point detection pattern is formed, and the sacrificial layer under the movable portion is removed depending on the displacement state of the end point detection pattern by sacrificial layer etching. It is characterized by confirming.
[0011]
Since the sacrificial layer under the end point detection pattern is etched during the sacrificial layer etching and the end point detection pattern is displaced, the removal of the sacrificial layer under the movable part can be confirmed according to the displacement state, and the sacrificial layer etching end point is confirmed. Can be easily confirmed.
In this case, if the end point detection pattern is formed by patterning at the same time as the movable portion as in the invention described in claim 2, an extra step for forming the end point detection pattern is not required, and thus the manufacturing process is simplified. can do.
[0012]
Further, if the end point detection pattern is formed of a plurality of structures having different widths as in the invention described in claim 3, the end point of the sacrifice layer etching can be easily confirmed based on the displacement state of each structure. can do. In this case, as in the invention described in claim 4, as the plurality of structures forming the end point detection pattern, those having a width wider than or narrower than the width etched by the etching time for removing the sacrificial layer below the movable portion If it is formed so that the sacrificial layer under the narrower structure is removed and the sacrificial layer under the wider structure remains, the sacrificial layer etching end point becomes easier. Can be confirmed.
[0013]
Further, as in the fifth aspect of the invention, if a part of the end point detection pattern is formed in a state of being connected to the fixed portion, the end point detection pattern will not be detached during the sacrifice layer etching. Yield can be improved.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments shown in the drawings will be described below.
FIG. 1 shows an acceleration sensor configuration according to an embodiment of the present invention. (A) is a top view, (b) is AA sectional drawing in (a). In FIG. 1, the same reference numerals as those shown in FIG. 9 denote the same items. Accordingly, the acceleration sensor in this embodiment is a switch type acceleration composed of the substrate 30 made of silicon, the anchor portion 11, the weight movable electrode 12, the beam portion 13, and the fixed electrode 14 as shown in FIG. It is a sensor.
[0015]
In this embodiment, the end point detection patterns 41 to 46 for detecting the end point of the etching that releases the weight movable electrode 12 and the beam portion 13 from the substrate 30, that is, the sacrifice layer etching, are formed in the formation region of the fixed electrode 14. ing.
Hereinafter, the manufacturing method of the acceleration sensor in this embodiment is demonstrated.
First, as shown in FIG. 2A, an oxide film 20 that forms a sacrificial layer is formed on a silicon substrate 30, and a substrate (wafer) on which a silicon film 10 as a semiconductor layer is formed is prepared. As this substrate, an SOI substrate can also be used.
[0016]
Next, as shown in FIG. 2B, the silicon film 10 is etched, and the silicon film 10 is changed into an anchor portion 11, a weight movable electrode 12, a beam portion 13, a fixed electrode 14, and end point detection patterns 41 to 46. Patterned into a shape. As shown in FIG. 1A, the end point detection pattern has a width in the AA section that increases from the end point detection pattern 41 to the end point detection pattern 46, and the end point detection pattern 46 has a width that is movable. The width of the electrode 12 is the same. Thereafter, impurities are introduced into the anchor portion 11, the weight movable electrode 12, the beam portion 13, and the fixed electrode 14 in order to provide conductivity to the silicon surface.
[0017]
Finally, as shown in FIG. 2C, the movable part is made movable by etching the weight movable electrode 12 and the oxide film 20 immediately below the beam part 13 with a hydrogen fluoride liquid. At this time, since the end point detection patterns 41 to 46 are not connected to the fixed electrode 13, when the oxide film 20 immediately below is removed by etching, the end point detection patterns 41 to 46 fall downward as shown in the figure. As the etching proceeds, the end point detection pattern 45 falls downward in order from the narrow end point detection pattern, and when the etching of the oxide film 20 below the weight movable electrode 12 is finished, the end point detection pattern 45 falls downward. After the etching is completed, it is possible to visually confirm that the etching is completed by observing the displacement state of the end point detection patterns 41 to 46 from above with an optical microscope or the like.
[0018]
Next, the operation of the end point detection patterns 41 to 46 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 shows a state before etching, and FIGS. 4 to 6 show three behavior patterns after etching. In addition, (a) of each figure is a top view of the area | region in which the end point detection patterns 41-46 are formed, (b) is sectional drawing. In the first behavior pattern, as shown in FIG. 4, the end point detection pattern falls to the substrate 30 side as it is and adheres to the substrate 30. In the second behavior pattern, as shown in FIG. 5, the end point detection pattern moves in the horizontal direction during or after the sacrificial layer etching, and drops to the substrate 30 side and adheres to the substrate 30. In the third behavior pattern, as shown in FIG. 6, the end point detection pattern is separated from the substrate 30 and taken into the liquid during the sacrificial layer etching or in the subsequent water washing step. In any case, it is possible to determine how far the etching for removing the oxide film 20 has progressed by observing from above with an optical microscope after the etching is completed.
[0019]
Note that the width of the end point detection pattern is preferably set to the widest width of the beam structure (movable part) released from the substrate 30, but the structure width and the etching width may not necessarily match. . In that case, the structure width corresponding to the etching time of the structure released from the substrate 30 is set, and when the narrow and wide beam widths are formed before and after the set width, the oxide film 20 is removed. It becomes easy to judge the progress of etching. Whether or not etching is completed by observing the end point detection pattern from the top after completion of etching even when there is a change in etching rate due to temperature change or deterioration of the etchant by providing such a pattern. Can be judged.
[0020]
Further, the end point detection patterns 41 to 46 are not limited to the structure as shown in FIG. 1 but may have a cantilever structure as shown in FIG. In this case, the end point of etching is detected at a wide end of the beam. FIG. 8 shows the states of the end point detection patterns 41 to 46 after etching. When the oxide film 20 under the wide portion at the tip of the beam is removed, the structure adheres downward or laterally, and the beam is deformed. Therefore, the etching is completed by observing this pattern after the etching is completed. It can be judged whether or not.
[0021]
By making the end point detection patterns 41 to 46 into a cantilever structure in this way, the sensor yield can be improved because it does not detach from the substrate 30. In other words, as shown in FIG. 6, when the end point detection pattern is taken into the liquid, it may be reattached to the wafer surface and become dust. The sensor yield is improved because it is not separated from the sensor and therefore does not become dust. It should be noted that the same effect can be obtained as long as the substrate 30 is fixed in some form, not limited to the cantilever structure.
[0022]
In the above manufacturing method, a substrate in which the oxide film 20 and the silicon film 10 are formed on the substrate 30 is prepared, and the silicon oxide film 10 is etched to pattern the movable portion and the fixed portion. However, after forming a groove for defining the movable portion and the fixed portion in the first silicon substrate, forming an oxide film as a sacrificial layer thereon, and planarizing the surface of the oxide film, A manufacturing method is used in which the movable portion is moved by bonding the second silicon substrate and then polishing the surface of the first silicon substrate to remove the oxide film forming the sacrificial layer from the groove by etching. You can also.
[0023]
The present invention is not limited to the acceleration sensor as described above, but may be an acceleration sensor, a yaw rate sensor, or the like having any other structure as long as the mechanical quantity is detected by making the movable electrode and the fixed electrode of the beam structure face each other. It can also be applied.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an acceleration sensor according to an embodiment of the present invention.
2 is a process diagram showing a method of manufacturing the acceleration sensor shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating a state before etching of end point detection patterns 41 to 46;
FIG. 4 is a diagram showing a first behavior pattern after etching of what is shown in FIG. 3;
FIG. 5 is a diagram showing a second behavior pattern after etching of what is shown in FIG. 3;
6 is a diagram showing a third behavior pattern after etching of what is shown in FIG. 3; FIG.
FIG. 7 is a diagram showing a state before etching in another example of forming end point detection patterns 41 to 46;
8 is a diagram showing a behavior pattern after etching of what is shown in FIG. 7;
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a conventional acceleration sensor.
10 is a process diagram showing a method of manufacturing the acceleration sensor shown in FIG. 9. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Silicon film, 11 ... Anchor part, 12 ... Weight movable electrode, 13 ... Beam part,
14 ... fixed electrode, 20, 21, 22 ... oxide film, 30 ... substrate,
41 to 46: end point detection patterns.

Claims

A substrate having a semiconductor layer in which a movable part and a fixed part of a beam structure are patterned through a sacrificial layer on a substrate is prepared, and the sacrificial layer under the movable part is removed by etching to remove the movable part. In a method of manufacturing a semiconductor mechanical quantity sensor that is movable by the action of a mechanical quantity,
The semiconductor end point detection pattern is formed in the semiconductor layer, and the removal of the sacrificial layer under the movable part is confirmed according to the displacement state of the end point detection pattern by the etching. Method.

2. The method of manufacturing a semiconductor dynamic quantity sensor according to claim 1, wherein the end point detection pattern is formed by patterning simultaneously with the movable portion.

3. The method of manufacturing a semiconductor dynamic quantity sensor according to claim 1, wherein the end point detection pattern is formed of a plurality of structures having different widths.

4. The semiconductor according to claim 3, wherein the plurality of structures are formed so as to include ones wider and narrower than a width etched by an etching time during which a sacrificial layer below the movable portion is removed. Manufacturing method of mechanical quantity sensor.

5. The method of manufacturing a semiconductor dynamic quantity sensor according to claim 1, wherein a part of the end point detection pattern is formed in a state of being connected to the fixed portion.