JP4127557B2 - アクティブマトリクス型液晶電気光学装置 - Google Patents
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Description
電気光学装置に関する。
面にほぼ平行にする方式(以下、スーパーTFT方式と呼ぶ)が、例えば特開平6−16
0878により開示されている。この場合、1枚の基板上に形成されたソース電極、コモ
ン電極間に電界を誘起させ、その電界方向に液晶分子を配向させている。また、特開平6
−214244では、電極をセル厚の高さとすることで、液晶に印加する電界を均一にし
ている。
チングするため、視野角による液晶の光学特性の変化が少ない。このため、視野角による
光漏れ、コントラストの低下等が、従来のTN、STN方式に比べ小さい。
の構造をしており、この電極から発生する電界が台形、もしくは矩形の頂点を境に、非連
続的になっていた。これにより、液晶に印加される電界が、ある点を境に変化する。つま
り、電界(電束密度)が台形、もしくは矩形の頂点上下で急激に変化する。このため、電
界による液晶スイッチングがセル内で一様に行われず、電界OFF→ON状態、もしくは
ON→OFF状態への時間(それぞれ立ち上がり時間、立ち下がり時間と称する。)がセ
ル内でばらつくという現象が見られた。
現れる欠点である。
(103)上に形成された、高さa、幅cの矩形断面かつ電極間隔が2bの一対の平行電
極(101、102)間に、電圧を印加した場合の、電極周囲の電気力線の態様について
述べる。(電荷の形成する電気力線については、電磁気学の著書、例えば永田一清著『電
磁気学』、朝倉書店、及び後藤・山崎共編『詳解電磁気学演習』、共立出版などを参照。
)なお、ここでは基板に平行かつ電極に垂直な方向をx軸、基板表面に対し垂直な方向を
y軸とする。さらに、基板に平行な電極面がy=0となるように、原点を定義する。
(1)y<0(−b≦x≦b)、即ち電極に挟まれた領域。
電荷は電極表面(104、105)で一様に分布しているとみなせるため、電気力線(
106)は電極に垂直(基板に平行)である。
(2)y>0、即ち電極上部の領域。
ここでは簡単のため、xy平面上での電気力線の態様を調べる。
電荷は電極表面(107、108)で一様に分布しているとみなせる。
y>0の領域の任意の点について、原点からの距離をr、rとx軸のなす角をθとする
。また、zを複素平面上の点としてx、y及びr、θを用いて表すと、
ここで、解析を容易にするため、wなる値を、
従って、w平面でu=一定で表される曲線群はxy平面ではr=一定の曲線群、つまり
、原点を中心とした同心円群となる。
上記の結果について示したのが図1であり、電極側面と電極上面とで電界分布が異なる
ことが分かる。
同様である。なぜならば、電界は電極面に垂直に形成されるものであるから、テーパー部
の電界と基板に平行な部分の電界は、電極頂点で非連続となる。
る。これは微細化により電極数が増加し、電極間距離が小さくなると非連続的な電界が高
密度に分布してしまうからである。
をセル厚の高さにする発明が、特開平6−214244で提案されている。しかし極端に
高さの高い電極を作製するには、以下の技術的困難が生じる。
の差が大きくなりやすい。横電界で液晶を駆動するスーパーTFT方式では電極厚の差は
、即ち電極間距離の差となる。従って、セル厚方向の電界強度が同一画素内で異なるため
液晶駆動が難しくなる。
起こしやすい。
大きなテーパー角を得るのは、困難である。
非連続的な電界を発生しない電極構造が求められている。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備えた液晶電気光学装置であ
って、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が曲断面を持つことを特徴とする液晶電気光学装置
である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備えた液晶電気光学装置であ
って、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が、半円もしくは半楕円の断面を持つことを特徴と
する液晶電気光学装置である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極のうち液晶駆動用電極と共通電極は少なくとも一つ以上の同一基板に平行に形
成された部分を有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備えた液晶電気光学装置であ
って、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が曲断面を持つことを特徴とする液晶電気光学装置
である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極のうち液晶駆動用電極と共通電極は少なくとも一つ以上の同一基板に平行に形
成された部分を有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備えた液晶電気光学装置であ
って、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が、半円もしくは半楕円の断面を持つことを特徴と
する液晶電気光学装置である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極のうち液晶駆動用電極と共通電極は少なくとも一つ以上の同一基板に平行に形
成された部分を有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備え、
前記電極には非線型素子が接続された液晶電気光学装置であって、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が曲断面を持つことを特徴とする液晶電気光学装置
である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極のうち液晶駆動用電極と共通電極は少なくとも一つ以上の同一基板に平行に形
成された部分を有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備え、
前記電極には非線型素子が接続され、
前記基板には液晶材料を駆動する周辺駆動回路が形成された液晶電気光学装置であって
、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が曲断面を持つことを特徴とする液晶電気光学装置
である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極のうち液晶駆動用電極と共通電極は少なくとも一つ以上の同一基板に平行に形
成された部分を有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備え、
前記電極には非線型素子が接続された液晶電気光学装置であって、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が、半円もしくは半楕円の断面を持つことを特徴と
する液晶電気光学装置である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極のうち液晶駆動用電極と共通電極は少なくとも一つ以上の同一基板に平行に形
成された部分を有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備え、
前記電極には非線型素子が接続され、
前記基板には液晶材料を駆動する周辺駆動回路が形成された液晶電気光学装置であって
、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が、半円もしくは半楕円の断面を持つことを特徴と
する液晶電気光学装置である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備えた液晶電気光学装置であ
って、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が曲断面を有し、
前記電極面周囲の電気力線の接線方向が、電極全面に渡り連続的に変化することを特徴
とする液晶電気光学装置である。
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の少なくともいずれか一方、もしくは両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、
前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備えた液晶電気光学装置であ
って、
前記電極のうち少なくとも一つ以上が、半円もしくは半楕円の断面を有し、
前記電極面周囲の電気力線の接線方向が、電極全面に渡り連続的に変化することを特徴
とする液晶電気光学装置である。
、ネマチック液晶を用い、横方向電界で前記液晶材料を駆動し、前記駆動素子としてa−
SiTFTを用いたアクティブマトリクス型の液晶電気光学装置の画素部の概略であり、
図5は図4においてA−A′方向の断面を示したものである。
ゲート電極、404はコモン電極(共通電極)、405はゲート絶縁膜、406はa−S
i、407はソース電極、408はドレイン電極、409は保護膜、411は配向膜、4
12は偏光板、413は液晶層である。
間の電界(横方向電界)強度を制御し、液晶材料を動作させるものである。
料、例えばガラス、石英などの無機材料などが用いられる。TFT等を形成する基板(以
下TFT基板とする)には、無アルカリガラスや石英ガラスを用いる。また、液晶電気光
学装置の軽量化を目的とする場合、複屈折性の少ないフィルム、例えばPES(ポリエチ
レンサルフェート)などを用いることもできる。
式でも良い。
けでよいが、アクティブマトリクス方式の場合、このほかにスイッチング素子として非線
形素子、例えば薄膜トランジスタ(TFT)やダイオードを各画素毎に形成する。
ランジスタを用いることが出来る。アクティブマトリクス方式の場合上記駆動素子の構成
は、スタガー型、逆スタガー型といった公知の構成を利用することが出来る。また、ポリ
シリコンを用いたトランジスタを用いた場合、液晶材料を駆動する周辺駆動回路をTFT
を作製した基板に形成することが可能である。周辺駆動回路はTFTを作製するのと同じ
プロセスで作製することが可能となる。この周辺駆動回路は、n−ch及びp−chトラ
ンジスタを組み合わせた相補型素子から形成される。
断面は以下に示す方法によりなだらかな断面もしくは曲断面を有するようにする。本明細
書に示す、なだらかな面もしくは曲面を持つ断面を作製する方法としては、ドライプロセ
ス、ウエットプロセスのいずれの方法でも可能である。このうちドライプロセスでは、
(a)異方性プラズマエッチングと、等方性プラズマエッチングを組み合わせる方法
(b)マスクを用いプラズマ等方エッチングを行う方法
が挙げられる。
行う。次にマスクをとり、等方性プラズマエッチングを行わない部分にレジストを塗布す
る。その後、曲断面を持たせたい部分に、マスクのない状態で等方性プラズマエッチング
を行う。これにより、凸部が削られ、なだらかな曲断面を持つ電極を作製する事が出来る
。その後前記レジストを剥離する。また、(b)の方法としては、放電ガス電圧を適切に
定めることで、きれいな円弧断面を得ることが出来る。
選択比の差が、あまり変わらないものを使用する。またレジストはテーパー角が小さめの
ものを使用する。すると、ウエットな等方的エッチングにより、マスクと被エッチング電
極は、同程度の速度で、エッチングされていく。これにより、電極頂点に丸みのある、な
だらかな曲断面を持つ電極を作製する事が出来る。
を持つ電極の作製方法は、これらの方法に限定されるわけではない。
どの手法により電極材料を構成する金属の酸化膜を形成することで、これを層間絶縁膜と
することも可能である。これによれば、隣接する電極や電極パターンが重なりあうような
構成となった場合でも電極間の絶縁性を向上することが可能となる。
iN)を用いることが可能である。
る。また、対向基板には特に電極を形成する必要はないが、場合によっては基板の一部も
しくは全面に電極を形成しても構わない。この時の電極材料としては上記の金属の他、透
光性を有する材料、例えばITO等を使用することが出来る。
表示に関わらない部分を遮光するため、Cr等の金属もしくは黒色の顔料が分散された樹
脂材料などにより、ブラックマトリクスを形成する(図示せず)。さらに、カラー表示の
場合には各画素に対応する位置にR(赤)、G(緑)、B(青)もしくはC(シアン)、
M(マジェンダ)、Y(黄)のカラーフィルターを形成する。カラーフィルターの各色の
配置はストライプ配置又はデルタ配置などが利用できる。
処理は液晶分子が基板に対して平行かつ一軸に配向するように行う。前記配向処理として
は基板面を直接、もしくはナイロン、ポリイミド等の有機樹脂よりなる膜(配向膜)(4
11)を塗布後前記樹脂面上を、一方向に擦るラビング処理が有効である。
誘電率異方性が正の材料の場合、電界に非平行、望ましくは電界と45゜をなす方向とす
る。さらにまた、誘電率異方性が負の材料の場合、電界に垂直でない方向、望ましくは電
界と45゜をなす方向とする。また対向基板側のラビング処理は、TFT基板のラビング
方向に平行、もしくは反平行をなすようになされる。
液晶セルとする。前記一対の基板のいずれか一方に、接着剤としてシール剤(図示せず)
を所望のパターンに形成する。シール剤としては熱硬化型、紫外線硬化型等の樹脂材料を
使用する。前記樹脂材料としてはエポキシ系、ウレタンアクリレート系などの材料を使用
することが可能である。また、他方の基板には前記一対の基板の間隔をセル全体に一定に
保持するためスペーサー(図示せず)を散布する。シール剤硬化後、液晶材料を液晶セル
に真空注入法等により注入する。
を示す材料が挙げられるが、特にネマチック材料を用いることが望ましい。さらに、ネマ
チック液晶の中でも、駆動方法によって誘電異方性が正もしくは負を示すものを適宜選択
して使用する。さらに、複屈折の影響を小さくするため、屈折率異方性は小さいものが望
ましい。
対の偏光板(412)をその光軸が直交するように配置し、前記一対の偏光板の間に液晶
セルを挟む。この時液晶材料の配向方向は、検光子即ち光源に近い方の偏光板の光軸に平
行である。
は液晶材料は長軸を基板に平行かつラビング方向に平行に一軸配向している。次に、電界
印加時は、配向規制力が強い配向膜界面近傍の液晶分子は、ラビング方向に平行な向きを
維持し、配向規制力が弱い液晶層中央近傍の液晶分子は電界により光軸が変化する。誘電
異方性が正の液晶材料を用いた場合には液晶分子の長軸が電界方向に対して平行になるよ
うな向きとなり、誘電異方性が負の場合には液晶分子の長軸が電界方向に対して垂直にな
るような向きとなる。
内で検光子の光軸に平行となるため、入射光は偏光子を透過できず、この時の透過光量は
ゼロとなる。一方、電界印加時は液晶材料の光軸の向きが変化することで入射光は楕円偏
光となり、偏光子を透過する。
方に金属等からなる反射板を形成すれば、偏光板を1枚しか用いずに液晶電気光学装置を
作製することが可能となり、明るいディスプレイを実現できる。また上記金属性の反射板
は画素等の電極を兼ねることも可能である。
本明細書に示す液晶電気光学装置の構成とすると、従来の液晶電気光学装置において用
いられた矩形、もしくは台形断面を有する電極に比べ、電極周囲の電界は連続的になる。
この電界の連続性は、電極に電圧を印加した場合の、電極周囲の電気力線の態様を見れば
明らかである。以下、図2をもって電極周囲の電気力線の態様を詳細に説明する。
ここでは、O1 、O2 を結ぶ直線をx軸、x軸に垂直な方向をy軸とする。また、O1
、O2 の中点を原点と定義する。
図2に示されるように任意のP点を通る電気力線を考える。これは、PとO1 、O2 軸
の作る平面上にある。
この電気力線をO1 、O2 軸のまわりに、一回転させると一つの回転対称面が得られる
が、この回転面の任意の断面を通る電束は一定となるはずである。
そこで、Pを通る垂直断面Sを貫く電束を求めてみる。
O1 P及びO2 PがO1 O2 軸となす角をそれぞれθ1 、θ2 とすると、q1 によるS
を通る電束ψ1 は、
位面(111)を示した。
ているとしても変わりはない。さらに、y≧0の領域は、半円形の二つの電極の作り出す
電界として近似する事が可能である。従って、電極断面が半円形であれば電気力線の分布
は、セル厚方向に対して連続になる。
れることはなく、楕円の曲率を利用したものでも同様の効果が得られる。また、断面形状
が正半円なだけでなく、円弧をなすようにしても同様の効果が得られる。さらに電極のエ
ッジ断面が円弧等の曲面を有するようにしても良い。もちろん、境界変化の緩やかな多角
形形状を有する断面を持つ電極でも良い。
、カバレッジも良好である。そのため、カバレッジの悪さに起因する、不純物の混入、断
線等を防ぐ効果もある。
−Si型TFTだけではなく、poly−Si型TFTにも利用出来ることはいうまでも
ない。
た場合に比べ活性層の移動度が大きく、a−Siと同等の特性をより小さい素子領域で得
られるため、各素子の微細化、ひいては高開口率化が可能となる。また、横電界印加にあ
たっても、キャリヤ移動度の大きいpoly−SiをTFT活性層に用いた場合の方が、
高速応答が実現できる。さらに、poly−Siを用いた場合、基板上に液晶材料を駆動
するための周辺駆動回路をも形成することが可能となり、装置作製プロセスの低減、歩留
りの向上、装置価格の低下に寄与する。
たが、これに限ることなく、例えば従来のTN方式等の縦電界を印加する方式の液晶電気
光学装置に用いることでも、端部の電界の乱れを低減することが出来、また、カバレッジ
の良い電気光学装置を作製することが出来る。
以下に、本発明の実施例を挙げる。
の立ち上がり特性がよく、簡便な工程で液晶電気光学装置が得られる。さらに本発明は、
画素部の微細化にも対応できる。
1000〜3000Åの酸化珪素膜を形成した。この酸化珪素膜の形成方法としては、酸
素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマCVD法を用いればよい。その上にCrを1000
〜5000Å成膜し、パターニングした。その後、レジストをマスクとして用い等方性プ
ラズマエッチングを行った。この時、放電ガス電圧を適切に設定し、電極に曲面を持たせ
た。これにより、ゲート電極(403)、コモン電極(共通電極)(404)を形成した
。
)を作製した。これは、窒化珪素(SiN)でも構わない。ゲート電極上にゲート絶縁膜
を介して非晶質シリコン膜(406)を形成した。前記非晶質シリコン膜のパターンの一
部に重畳するように、Alよりなるソース電極(407)、ドレイン電極(408)を形
成した。この時、レジストをマスクとして用い等方性プラズマエッチングを行い、放電ガ
ス電圧を適切に設定し、電極に曲面を持たせた。次にTFT保護膜として酸化珪素絶縁膜
(409)を形成した。この絶縁膜はSiN膜でも構わない。
ため表示に関わらない部分を遮光するため、Cr等の金属もしくは黒色の顔料が分散され
た樹脂材料などにより、ブラックマトリクスを形成した。
を形成した。配向膜としてはポリイミドを公知のスピンコート法もしくはDIP法などに
より形成した。次に配向膜表面をラビングした。
性が正の材料の場合、電界に非平行、望ましくは電界と45゜をなす方向とする。また、
誘電率異方性が負の材料の場合、電界に垂直でない方向、望ましくは電界と45゜をなす
方向とする。また対向基板側のラビング処理は、TFT基板のラビング方向に平行、もし
くは反平行をなすようになされる。
。前記一対の基板は、基板間に直径3μmの球状スペーサーを挟むことでパネル面内全体
で均一な基板間隔となるようにした。また、前記一対に基板を接着固定するためにエポキ
シ系の接着剤でシールした。シールのパターンは画素領域、周辺駆動回路領域を囲むよう
にした。この後所定の形状に前記一対の基板を切断した後、基板間に液晶材料を注入した
。
偏光板をその光軸が直交するように配置し、いずれか一方の偏光板の光軸をラビング方向
に平行にした。
スプレイより、立ち上がり特性のバラツキの少ない良好な表示が得られた。
ス回路とした。この制作工程について、図6及び図7を用いて説明する。図6は、本実施
例画素部周辺の概略図である。また、図7は、図6のB−B′−B′′の断面を示したも
のであり、左側に駆動回路のTFTの作製工程を、右側にアクティブマトリクス回路のT
FTの作製工程をそれぞれ示した。なお、この工程は低温ポリシリコンプロセスのもので
ある。
02)を形成した。この酸化珪素膜の形成方法は、実施例1に示した方法と同じでよい。
〜1500Å、好ましくは500〜1000Åに形成した。そして、500℃以上、好ま
しくは、500〜600℃の温度で熱アニールを行い、シリコン膜を結晶化させた、もし
くは、結晶性を高めた。熱アニールによって結晶化ののち、光(レーザーなど)アニール
をおこなって、さらに結晶化を高めてもよい。また、熱アニールによる結晶化の際に特開
平6−244103、同6−244104に記述されているように、ニッケル等のシリコ
ンの結晶化を促進させる元素(触媒元素)を添加してもよい。
チャネル型TFT用)、(603)(Nチャネル型TFT用)とマトリクス回路のTFT
(画素TFT) の活性層(604)を形成した。さらに、酸素雰囲気中でのスパッタ法に
よって厚さ500〜2000Åの酸化珪素のゲート絶縁膜(605)を形成した。ゲート
絶縁膜の形成方法としては、プラズマCVD法を用いてもよい。プラズマCVD法によっ
て酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスとして、一酸化二窒素(N2 O)もしくは酸
素(O2 )とモノシラン(SiH4 ) を用いることが好ましかった。
成した。ここでアルミニウムはその後の熱プロセスによってヒロックが発生するのを防止
するため、シリコンまたはスカンジウム、パラジウムなどを含有するものを用いてもよい
。そして、等方性プラズマエッチングを行いゲート電極(606、607、608)と、
コモン電極(609)(共通電極)を形成した(図7(A))。この時、放電ガス電圧を
適切に設定し、電極に曲面を持たせた。その後、イオンドーピング法によって、全ての島
状活性層に、ゲート電極をマスクとして自己整合的に、フォスフィン(PH3 )をドーピ
ングガスとして、燐が注入される。ドーズ量は1×1012〜5×1013原子/cm2 する
。
この結果、弱いN型領域(610、611、612) が形成された。(図7(B ))
活性層(614)のうち、ゲート電極に平行にゲート電極(608)の端から3μm離れ
た部分まで覆うフォトレジストのマスク(614) が形成される。
そして、再びイオンドーピング法によってフォスフィンをドーピングガスとして燐を注
入する。ドーズ量は1×1014〜5×1015原子/cm2 とする。この結果として、強い
N型領域(ソース、ドレイン)(615、616)が形成される。画素TFT上のフォト
レジスト(614)に覆われていた領域(617)は、今回のドーピングでは燐が注入さ
れないので、弱いN型のままとなる。(図7(C ))
18)で覆い、ジボラン(B2 H6 )をドーピングガスとして、イオンドーピング法によ
り、島状領域(602)に硼素が注入される。ドーズ量は5×1014〜8×1015原子/
cm2 とする。 このドーピングでは、硼素のドーズ量が図7(C)における燐のドーズ
量が上回るため、先に形成されていた弱いN型領域(610)は強いP型領域(619)
に反転する。
以上のドーピングにより、強いN型領域(ソース/ドレイン)(615、616)、強
いP型領域(ソース/ドレイン)(619)、弱いN型領域(低濃度不純物領域)(61
7)が形成される。(図7(D))
グによるダメージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリコンの結晶性を回復さ
せた。その後、全面に層間絶縁物(620)として、プラズマCVD法によって酸化珪素
膜を厚さ3000〜6000Å形成した。これは、窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化
珪素膜の多層膜であってもよい。そして、層間絶縁膜(620)をウエットエッチング法
またはドライエッチング法によって、エッチングして、ソース/ドレインにコンタクトホ
ールを形成した。
タンとアルミニウムの多層膜を形成する。これをレジストマスクとして用い等方性プラズ
マエッチングした。この時、放電ガス電圧を適切に設定し、電極に曲面を持たせ、周辺回
路の電極・配線(621、622、623)および画素TFTの電極・配線(624、6
25)を形成した。
さらに、プラズマCVD法によって、厚さ1000〜3000Åの窒化珪素膜(626
)が層間膜として形成された。(図7(E))
素領域及び周辺駆動回路領域を囲むようなパターンとした。さらにこの後、実施例1と同
様に一対の基板上に偏光板それぞれ貼り付け、液晶電気光学装置とした。
スプレイより、立ち上がり特性のバラツキの少ない良好な表示が得られた。
ため、作製コストが少なくてすむという利点がある。
103 基板表面
104、105 電極側面
106、109、110 電気力線
107、108 電極上面
111 等電位面
401、601 基板
402 下地膜
403 ゲート電極
404 コモン電極
405 ゲート絶縁膜
406 a−Siシリコン膜
407 ソース電極
408 ドレイン電極
409 TFT保護膜
411 配向膜
412 偏光板
413 液晶層
602、603、604 活性層
605 ゲート絶縁膜(酸化珪素)
606、607、608 ゲート線
608 コモン(共通)電極
610、611、612 弱いN型領域
613、614 フォトレジストのマスク
615、616 強いN型領域(ソース/ドレイン)
617 低濃度不純物領域
618 フォトレジストのマスク
619 強いP型領域(ソース/ドレイン)
620 層間絶縁膜
621〜625 周辺駆動回路、画素TFTの電極・配線
626 窒化珪素膜
Claims (8)
- 第1の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜及びITOからなるドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、
前記第1の基板上に設けられたコモン電極と、
前記第1の基板と対向する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に挟持され、前記ドレイン電極と前記コモン電極との間の電界によって駆動される液晶層と、を有し、
前記ドレイン電極は、当該電極断面の頂点に丸みを有し且つ電極断面が円または楕円の曲率を利用した形状であることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶電気光学装置。 - 第1の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜及びITOからなるドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、
前記第1の基板上に設けられたコモン電極と、
前記第1の基板と対向する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に挟持され、前記ドレイン電極と前記コモン電極との間の電界によって駆動される液晶層と、を有し、
前記コモン電極は、当該電極断面の頂点に丸みを有し且つ電極断面が円または楕円の曲率を利用した形状であることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶電気光学装置。 - 第1の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜及びITOからなるドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、
前記第1の基板上に設けられたコモン電極と、
前記第1の基板と対向する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に挟持され、前記ドレイン電極と前記コモン電極との間の電界によって駆動される液晶層と、を有し、
前記ドレイン電極及び前記コモン電極は、当該電極断面の頂点に丸みを有し且つ電極断面が円または楕円の曲率を利用した形状であることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶電気光学装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記第2の基板には樹脂からなるブラックマトリクスが設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶電気光学装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記第1の基板及び前記第2の基板には樹脂からなるブラックマトリクスが設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶電気光学装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記第2の基板には、ストライプ配置又はデルタ配置となるようにカラーフィルターが設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶電気光学装置。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記第2の基板の全面には、透光性を有する電極材料が設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶電気光学装置。
- 請求項7において、前記透光性を有する電極材料は、ITOであることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶電気光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006047613A JP4127557B2 (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | アクティブマトリクス型液晶電気光学装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005114867A Division JP2005309432A (ja) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | 液晶電気光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006215573A JP2006215573A (ja) | 2006-08-17 |
JP4127557B2 true JP4127557B2 (ja) | 2008-07-30 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4127557B2 (ja) |
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