JP4115788B2

JP4115788B2 - ORGANIC LIGHT EMITTING MATERIAL, ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND DISPLAY USING THE SAME

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Publication number: JP4115788B2
Application number: JP2002270165A
Authority: JP
Inventors: 俊満都築; 静士時任; 信彦白沢; 敏泰鈴木
Original assignee: Japan Broadcasting Corp
Current assignee: Japan Broadcasting Corp
Priority date: 2002-09-17
Filing date: 2002-09-17
Publication date: 2008-07-09
Anticipated expiration: 2022-09-17
Also published as: JP2004107441A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラットディスプレイ等に利用される、有機発光材料、有機発光素子およびこれを用いたアクティブマトリクス方式のディスプレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
フラットディスプレイに用いる各種素子の１つとして、有機発光素子が実用化されつつあり、発光効率のさらなる向上が求められている。発光効率向上の手法の１つとして、３重項励起子の利用があげられる。有機発光素子では、有機層内での正孔と電子との再結合により、１重項励起子と３重項励起子が１：３の割合で生成されると考えられている。しかしながら、従来の発光材料においては、生成した３重項励起子は、その励起寿命が長いため、失活過程において、放射失活よりも無輻射の熱失活が優先的におこる。したがって、従来の有機発光素子では、１重項励起子からの放射（蛍光）のみを発光として利用し、３重項励起子からの放射（燐光）を有効な発光として利用することができなかった。これに対し、Princeton大の研究グループより、室温で燐光を示す燐光性有機材料を発光層に用いた有機発光素子が報告されている（例えば、非特許文献１、２参照。）。これらの素子は、蛍光材料を用いた有機発光素子に比較して高い発光効率を示す。以来、燐光材料を用いた有機発光素子の研究が活発に行われるようになった。これらの研究において用いられている燐光性有機材料は、白金やイリジウム等の重金属を中心に有する錯体構造を有している。典型的な緑色燐光材料として、tris
(2‐phenylpyridine) iridium等があげられる。
【０００３】
有機発光素子の発光層においては、発光過程における濃度消光による励起子の無輻射失活を抑制し、発光効率の向上を図るため、これらの発光材料は通常、適切なホスト材料に数パーセントの割合でドープされて用いられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【非特許文献１】
M. A. Baldo et al., Nature, 395,151 (1998)
【非特許文献２】
M. A. Baldo et al., Appl. Phys. Lett., 175, 4(1999)
【特許文献１】
特開２０００−３１５５７９号公報（第３−１０頁）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、これらの燐光材料は通常、有機発光素子の発光層において、ホスト材料にドーピングして用いられる。ドーピングにより作製された発光層を有する有機発光素子の発光効率は、ドーピング濃度により大きく変化するため、高い効率を示す素子を安定的に作製するためには、ドーピング濃度の正確な制御が求められる。通常、この発光層の製膜法としては、２つの蒸着源からの真空蒸着（共蒸着法）により行われる。しかしながら、共蒸着によりドーピングを行う際には、発光層全体にわたってドープ濃度を均一にすることは極めて困難である。ドーピングの手法を用いなくても、すなわち、単独で発光層を形成しても高い発光効率が得られる燐光材料が開発されれば、この間題は解決される。
【０００６】
本発明は、単独で用いるか否かに拘らず、すなわち、ドーピングの手法を用いるか否かに拘らず、高い発光効率を示す有機発光素子の作製を可能にする有機発光材料、有機発光素子およびこれを用いたディスプレイを提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明の有機発光材料は、少なくとも１つ以上のフッ素原子またはＣ _ｎＦ _２ｎ＋１で表されるフッ素化アルキル基で置換されたアリール基を、置換基として１つ有する配位子を含む発光性金属錯体からなることを特徴とするものである。
【０００８】
すなわち、本発明の有機発光材料は、パーフルオロアリールで置換された配位子と中心金属イオンからなる金属錯体構造を有するものであり、このようにパーフルオロアリールで置換された大きな配位子を有しているため、発光素子において生成する励起子同士の相互作用が小さくなり、濃度消光を起こりにくくすることができると考えられる。
【０００９】
その結果、有機発光材料を単独で用いても、すなわち、ホスト材料に有機発光材料をドーピングするという手法を用いなくても、高い発光効率を示す有機発光素子の作製が可能になる。
この場合、有機発光材料の中心金属が、遷移金属および希土類金属のうちから選ばれる金属であれば好ましく、イリジウムを用いるのが特に好ましい。
【００１０】
また、本発明に係る有機発光素子は、１対の陽陰各電極とこれら１対の電極間に挟まれた単層または多層の有機薄膜によって構成され、そのうち少なくとも１層に上記の有機発光材料を含む発光層を設けたことを特徴とするものであり、これにより、上記有機発光材料の効果を奏する有機発光素子を得ることができる。
【００１１】
また、本発明に係るアクティブマトリクス方式のディスプレイは、上記の有機発光素子と２個以上の薄膜トランジスタとで画素が構成されていることを特徴とするものであり、これにより、高い発光効率、高い応答速度を有するディスプレイを得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る有機発光材料、有機発光素子およびディスプレイについて詳細に説明する。
【００１３】
＜有機発光材料＞
本実施形態に係る有機発光材料は、パーフルオロアリールで置換された配位子と中心金属イオンからなる金属錯体構造を有するものである。
また、この有機発光材料は、下記構造式（I）により表される少なくとも１つ以上の、フッ素原子またはＣ_ｎＦ_２ｎ＋１で表されるフッ素化アルキル基で置換されたアリール基を置換基として１つ有するフェニルピリジンを配位子とする発光性金属錯体からなることが好ましい。
【００１４】
【化３】

【００１５】
ここで、Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_８のうち、Ｒ _６またはＲ _７は、少なくとも１つ以上の、フッ素原子またはＣ_ｎＦ_２ｎ＋１表されるフッ素化アルキル基で置換されたアリール基を含み、その他のＲは水素原子である。
【００１６】
また、上記発光性金属錯体の錯体中心金属は、遷移金属または希土類金属であることが好ましい。
ここで、遷移金属としては、イリジウム、白金、金、ルテニウム等を用いればよく、また、希土類金属としては、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム等を用いればよく、特にイリジウムとするのが好ましい。
すなわち、発光性金属錯体は、例えば下記構造式（II）により表されるイリジウム錯体とすることが好ましい。
【００１７】
【化４】

【００１８】
ここで、Ｒは水素原子または置換基を表す。Ｒ_９〜Ｒ_１６のうちＲ _１４またはＲ _１５は、少なくとも１つ以上の、フッ素原子またはＣ_ｎＦ_２ｎ＋１で表されるフッ素化アルキル基で置換されたアリール基を含み、その他のＲは水素原子である。Ｌは、前記フッ素原子または前記フッ素化アルキル置換アリール基を含むフェニルピリジン以外の配位子を表す。ｎは１〜３の整数、ｍは０〜４の整数を表す。
【００１９】
ここで、上記アルキル基としては、好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは１〜６、特に好ましくは１〜３であり、例えばメチル、エチル、iso-プロピル、tert-ブチル、n-オクチル、n-デシル、n-ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等がある。
【００２０】
また、上記アリール基としては、好ましくは炭素数６〜１８、より好ましくは６〜１４、特に好ましくは６〜１０であり、例えばフェニル、p-メチルフェニル、ナフチル、アントラニル等がある。
【００２１】
また、上記Ｒ_９〜Ｒ_１６のうち、上記アリール基を含まないものは、水素原子、アルキル基であることが好ましい。
Ｒが置換基である場合に環構造を形成していてもよい。環構造は複環であっても単環であってもよい。
【００２２】
上述したイリジウム錯体は、前記構造式（II）におけるＲ _１４またはＲ _１５がペンタフルオロフェニル基で置換されたフェニルピリジンを配位子として含むことが好ましい。
また、上記イリジウム錯体は、その電荷に応じて対イオンを有していてもよい。この対イオンは有機イオンおよび無機イオンのいずれであってもよい。
【００２３】
なお、イリジウム錯体は、配位子の構造制御により青から赤色の光を高効率で発光する特性を有するので、下記発光層に含有させることによって、発光素子の発光効率を向上させることができる。
【００２４】
以下に、本実施形態における、構造式（II）で表されるイリジウム錯体の具体例を示す（ただし、(i) 、 (iv) および (vii) 以外は参考例として除く）。
【００２５】
【化５】

【００２６】
【化６】

【００２７】
＜有機発光素子＞
また、本実施形態に係る有機発光素子は、上述した有機発光材料を含む一層または多層の有機膜が陽極および陰極に挟まれた状態に形成されてなる。
具体的には、図１に示すように、ガラス基板１上に、透明陽極層２、正孔輸送層３、発光層４、正孔ブロック層５、電子輸送層６および陰極層７を蒸着により、順次積層してなる。
【００２８】
上記のように構成された有機発光素子に対して、透明陽極層２と陰極層７との間に所定の直流電圧を印加すると、発光層４から高輝度の発光が得られる。この発光のメカニズムは以下の様に考えられている。
【００２９】
すなわち、上記２つの層間に所定の直流電圧が印加されると、透明陽極層２から正孔輸送層３に流入された正孔が発光層４まで輸送される。一方、陰極層７から電子輸送層６に注入された電子は発光層４まで輸送され、この発光層４中を拡散移動することにより上記正孔と再結合し、電気的に中和状態とされる。この再結合が行なわれると所定のエネルギーが放出され、そのエネルギーにより発光層４内の有機発光材料が１重項励起状態および３重項励起状態に励起される。その状態から基底状態に戻る際に光が放出される。
【００３０】
上記ガラス基板１としては、通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス等を用いるが、これに替えて透明樹脂基板を用いることも可能である。
またガラス基板１の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば制約はなく、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
【００３１】
また、上記透明陽極層２は正孔輸送層３および発光層４等に正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物等を用いることができる。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物等があり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。
【００３２】
また、透明陽極層２の層厚は、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍである。
また、上記透明陽極層２の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、真空蒸着法、電子ビーム法、スパッタリング法、化学反応法等の方法が用いられる。
【００３３】
一方、上記陰極層７は電子輸送層６、正孔ブロック層５および発光層４等に電子を供給するものであり、隣接する電子輸送層６との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選択される。
【００３４】
この陰極層７の形成材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属およびそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属およびそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等がある。
【００３５】
陰極層７の層厚は形成材料により選択可能であり、例えば、１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍである。
陰極層７の作製には真空蒸着法、電子ビーム法、スパッタリング法、コーティング法等の方法が用いられる。
【００３６】
上記発光層４には上記イリジウム錯体等の有機発光材料を単独で含ませてもよいが、上記イリジウム錯体等をドープするホスト材料を含有させてもよい。ホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するものおよびアリールシラン骨格を有するもの等がある。この場合、ホスト材料とイリジウム錯体等の有機発光材料とを共蒸着等することによって、発光材料がホスト材料にドープされた発光層４を形成することができる。
【００３７】
上記発光層４の層厚は特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５μｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜１μｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜５００ｎｍであるのがさらに好ましい。
【００３８】
上記発光層４の形成方法は、特に限定されるものではないが、真空蒸着法、電子ビーム法、スパッタリング法、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法等の方法が用いられ、好ましくは真空蒸着法である。
【００３９】
また、上記正孔輸送層３の形成材料としては、透明陽極層２からの正孔を輸送することができればよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、上記イリジウム化合物等がある。
【００４０】
また、上記正孔輸送層３の層厚としては、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜１μｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜５００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔輸送層３の形成方法としては、上記発光層４の形成方法と略同様の方法が用いられる。
【００４１】
上記電子輸送層６、および上記正孔ブロック層５の形成材料としては、陰極層７からの電子を輸送する機能、および透明陽極層２から注入された正孔をブロックする機能を各々有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、および上記イリジウム化合物等がある。
【００４２】
上記電子輸送層６、および上記正孔ブロック層５の層厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜１μｍであるのがより好ましい。
電子輸送層６、および上記正孔ブロック層５の形成方法としては、上記発光層４の形成方法と略同様の方法が用いられる。
【００４３】
なお、本発明の有機発光素子としては、上記各層１〜７の他、電子注入層、正孔注入層、電子ブロック層、保護層等を設けるように構成することが可能である。
【００４４】
また、本発明の有機発光素子は、下記ディスプレイの他、表示素子、バックライト、光通信、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読取光源、標識、看板、インテリア等の広範に亘る各分野の用途に供することができる。
【００４５】
＜ディスプレイ＞
また、本実施形態に係るディスプレイは、上述した有機発光素子と、２個以上の薄膜トランジスタとにより各画素が形成されている。
【００４６】
このディスプレイはアクティブマトリクス方式を採用しており、画素数が多くなっても、非選択点に不要な電圧が印加されるおそれが小さく、また、高デューティ時においても効率低下や劣化を生じるおそれが小さく、応答性に優れているという利点を有している。
【００４７】
個々の画素数は各々独立して同時に駆動することができ、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）方式を採用することができる。
【００４８】
＜有機発光材料の合成＞
以下、上述した本実施形態に係る有機発光材料を合成する方法について、１つの具体例をもって説明する。ここでは、有機発光材料としての、ビス（５−ペンタフルオロフェニル−２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２′）イリジウム（アセチルアセトネート）（以下（ppy‐C₆F₅)₂Ir(acac)と略す）を合成する場合について説明する。
【００４９】
まず、下記スキーム（１）にしたがって、配位子ppy−C₆F₅の合成を行った。
【００５０】
【化７】

【００５１】
Mg（1.3g，54.1mmol）を三口フラスコ（500mL）に秤り取り、アルゴン環境下でＴＨＦ（tetrahydrofuran）（100mL）を加えた。ここにC₆F₅Br（6.9mL＝13.6g，d＝1.98，1.55mmol）を室温で滴下した。室温で１時間撹拌した後、CuBr（15.8g，110mmol）を加えさらに１時間撹拌した。ここにdioxane（25mL）を加え、さらに１時間撹拌した後、Br‐ppy（4.1g，17.56mmol）／トルエン（180mL）を滴下し、９５℃で３日間撹拌した。反応終了後、室温まで放冷してから反応液をセライト（登録商標）でろ過してろ液をドライアップし、トルエン（400mL）に再度溶かしてセライトでろ過した後、CHC1₃/Hexane（体積比１：１）でカラム精製した。マススペクトルにより目的の化合物のフラクションを確認し、溶媒留去した固体をヘキサンで洗浄した。配位子ppy-C₆H₅の収量は2.78g（49.3％）であった。
【００５２】
次に、スキーム（１）において得られた配位子ppy‐C₆F₅を用い、スキーム（２）にしたがって、(ppy‐C₆F₅)₂Ir(Cl)dimerを合成した。
【００５３】
【化８】

【００５４】
Na₃IrCl₆（280mg，0.55mmol）とppy‐C₆F₅（441mg，1.37mmol）をシュレンクに秤取りアルゴン置換した。ここに2‐ethoxyethano1（40mL）を加え、凍結脱気した後、１０５℃で１０時間に亘り加熱した。反応終了後、室温まで放冷し、溶媒留去し、トルエンで抽出してヘキサンとの混合溶液から再結晶を行い、(ppy‐C₆F₅)₂Ir(Cl)dimerを得た。収量は300mg（62.8％）であった。
【００５５】
次に、(ppy‐C₆F₅)₂Ir(Cl)dimerを用い、スキーム（３）にしたがって、錯体合成を行った。
【００５６】
【化９】

【００５７】
(ppy‐C₆F₅)₂Ir(Cl)dimer（350mg，0.40mmol Ir）とNa₂CO₃（100mg，0.95mmol）をシュレンクに秤取りアルゴン置換した。ここにethanol（100mL）を加え軽く脱気した後、acety1acetone（d＝0.975，90mg，92μL，0.9mmol）を加えて５０℃で４時間に亘り反応させた。溶媒留去し、カラム精製（e1uent：CHCl₃）でオレンジ色の錯体を得た。この錯体をtrain sublimationで最終的に精製し、138mg（36.9％）のオレンジ色の結晶性化合物である、(ppy‐C₆F₅)₂Ir(acac)を得た。
【００５８】
以下、上述した如き有機発光材料を用いた有機発光素子の作製とその特性について説明する。
なお、これらの実施例は、説明のための単なる例示であって、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００５９】
《実施例１》 (ppy−C₆F₅)₂Ir(acac)を用いたドープ型有機発光素子
【００６０】
真空蒸着により、図１に示すような積層型有機発光素子を作製した。１０^−５Ｐａ程度の真空下において、透明陽極層２としてのindium‐tin oxide（ITO）を形成したガラス基板１上に、正孔輸送層３としての40nm厚のＮ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−NPD）と、35nm厚の発光層４と、正孔ブロック層５としての10nm厚のbathocupuroine（BCP）と、電子輸送層６としての35nm厚のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Alq₃）を、順次積層した後、陰極層７として0.5nm厚のフッ化リチウムおよび100nm厚のアルミニウムを積層した。発光層４は、共蒸着により、ホスト材料４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（CBP）に対し、ドーパントである(ppy‐C₆F₅)₂Ir(acac)を６％ドープした膜を作製して用いた。
【００６１】
このようにして作製された各素子において、ＩＴＯ透明陽極層２に対し正の電圧を印加したとき、いずれの素子からもドーパントである(ppy‐C₆F₅)₂Ir(acac)からの、高輝度、高効率黄色発光が観測された。すなわち、このドープ型有機発光素子からの発光は、最高輝度が約80,000cd/m²で、輝度100cd/m²における発光の外部量子効率が約15％という極めて高い値のものであった。ここで、発光の外部量子効率は、素子に注入された荷電担体の数に対する、素子外部へ放出された光子の数の比率により算出した。
【００６２】
《実施例２》 (ppy‐C₆F₅)₂Ir(acac)を用いた非ドープ型有機発光素子
【００６３】
真空蒸着により、図２に示すような積層型有機発光素子を作製した。上記実施例１と同程度の真空下において透明陽極層１２としてのＩＴＯ膜を形成したガラス基板１１上に、正孔輸送層１３としての40nm厚のα−ＮＰＤ、35nm厚の発光層１４、正孔ブロック層１５としての10nm厚のＢＣＰ、電子輸送層１６としての35nm厚のAlq_３をこの順に積層した後、陰極１７として0.5nm厚のフッ化リチウムおよび100nm厚のアルミニウムを積層した。このようにして各層１２〜１７を作製した点は上記実施例１と同様である。しかし、本実施例では、上記実施例１と異なり、発光層１４として、ホスト材料を用いることなく、(ppy‐C₆F₅)₂Ir(acac)を単独で用いた。本実施例による非ドープ型の有機発光素子からの発光は、最高輝度が約30,000cd/m²で、輝度100cd/m²における発光量子効率が約６％という高い値のものであった。一般に、非ドープ型の有機発光素子の量子効率は、ドープ型の素子に比べて著しく低いことが知られているが、本実施例に係る有機発光材料を用いることで、非ドープ型の有機発光素子においても、十分に高い量子効率を得ることができた。
【００６４】
このように本実施例のものでは、発光効率の不安定化を防止するためのドーパントのドープ量制御を行なうことなく、従来に比して十分に高い発光効率を得ることができる。
【００６５】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明の有機発光材料によれば、ホスト材料と共に発光層を形成するドープ型の有機発光素子に用いた場合には極めて高い発光効率を得ることができ、さらに、有機発光材料単独で発光層を形成する非ドープ型の有機発光素子に用いた場合にも、従来技術に比して高い発光効率を得ることができる。
【００６６】
したがって、極めて高い発光効率を得たい場合にはドープ型の有機発光素子に用い、一方、発光効率の安定性を重要視する場合にはドーパントのドープ制御を不要とし得る非ドープ型の有機発光素子に用いるというように、その要求に応じた選択を行なうことができる。
【００６７】
また、本発明のディスプレイによれば、上記有機発光素子によって各画素を構成することにより、発光安定性に優れ、高い発光効率を示すディスプレイを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１に係る有機発光素子（ドープ型素子）の概略構成を示す図
【図２】本発明の実施例２に係る有機発光素子（非ドープ型素子）の概略構成を示す図
【符号の説明】
１、１１ガラス基板
２、１２透明陽極層
３、１３正孔輸送層
４、１４発光層
５、１５正孔ブロック層
６、１６電子輸送層
７、１７陰極層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic light emitting material, an organic light emitting element, and an active matrix type display using the same, which are used for a flat display or the like.
[0002]
[Prior art]
As one of various elements used in flat displays, organic light emitting elements are being put into practical use, and further improvement in light emission efficiency is required. One technique for improving luminous efficiency is to use triplet excitons. In the organic light emitting device, it is considered that singlet excitons and triplet excitons are generated in a ratio of 1: 3 by recombination of holes and electrons in the organic layer. However, in the conventional luminescent material, the generated triplet exciton has a long excitation lifetime, and therefore, non-radiative thermal deactivation occurs preferentially over radiative deactivation in the deactivation process. Therefore, in the conventional organic light emitting device, only radiation (fluorescence) from singlet excitons can be used as light emission, and radiation from triplet excitons (phosphorescence) cannot be used as effective light emission. . In contrast, a research group of Princeton University has reported an organic light-emitting device using a phosphorescent organic material that exhibits phosphorescence at room temperature as a light-emitting layer (for example, see Non-Patent Documents 1 and 2). These elements exhibit high luminous efficiency compared to organic light emitting elements using fluorescent materials. Since then, research on organic light emitting devices using phosphorescent materials has been actively conducted. The phosphorescent organic material used in these studies has a complex structure mainly having heavy metals such as platinum and iridium. Tris as a typical green phosphorescent material
(2-phenylpyridine) iridium and the like.
[0003]
In the light-emitting layer of organic light-emitting devices, these light-emitting materials are usually a few percent of the appropriate host material in order to suppress non-radiative deactivation of excitons due to concentration quenching in the light-emission process and improve the light-emitting efficiency. (See, for example, Patent Document 1).
[0004]
[Non-Patent Document 1]
MA Baldo et al., Nature, 395,151 (1998)
[Non-Patent Document 2]
MA Baldo et al., Appl. Phys. Lett., 175, 4 (1999)
[Patent Document 1]
JP 2000-315579 A (page 3-10)
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, these phosphorescent materials are usually used by doping the host material in the light emitting layer of the organic light emitting device. Since the light emitting efficiency of an organic light emitting device having a light emitting layer manufactured by doping varies greatly depending on the doping concentration, accurate control of the doping concentration is required to stably manufacture a device exhibiting high efficiency. Usually, the light emitting layer is formed by vacuum evaporation (co-evaporation method) from two evaporation sources. However, when doping is performed by co-evaporation, it is extremely difficult to make the doping concentration uniform over the entire light emitting layer. This problem can be solved if a phosphorescent material that can obtain high luminous efficiency without using a doping technique, that is, forming a light emitting layer alone, is developed.
[0006]
The present invention relates to an organic light-emitting material, an organic light-emitting element, and an organic light-emitting element that can produce an organic light-emitting element exhibiting high light emission efficiency regardless of whether or not it is used alone, that is, whether or not a doping technique is used. The object is to provide a display using this.
[0007]
[Means and Actions for Solving the Problems]
The organic light-emitting material of the present invention includes a light-emitting metal including a ligand having at least one aryl group substituted with at least one fluorine atom or a fluorinated alkyl group represented by C _n F _{2n + 1} as a substituent. It is characterized by comprising a complex.
[0008]
That is, the organic light-emitting material of the present invention has a metal complex structure composed of a ligand substituted with perfluoroaryl and a central metal ion, and thus a large ligand substituted with perfluoroaryl is used. Therefore, it is considered that the interaction between excitons generated in the light-emitting element is reduced, and concentration quenching can be made difficult to occur.
[0009]
As a result, it is possible to produce an organic light emitting device exhibiting high light emission efficiency without using an organic light emitting material alone, that is, without using a technique of doping an organic light emitting material into a host material.
In this case, the central metal of the organic light emitting material is preferably a metal selected from transition metals and rare earth metals, and iridium is particularly preferably used.
[0010]
The organic light-emitting device according to the present invention includes a pair of positive and negative electrodes and a single-layer or multi-layer organic thin film sandwiched between the pair of electrodes. In this way, an organic light emitting device having the effect of the organic light emitting material can be obtained.
[0011]
In addition, an active matrix display according to the present invention is characterized in that a pixel is constituted by the above organic light emitting element and two or more thin film transistors, whereby high luminous efficiency and high response are achieved. A display with speed can be obtained.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an organic light emitting material, an organic light emitting element, and a display according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
[0013]
<Organic luminescent material>
The organic light emitting material according to this embodiment has a metal complex structure composed of a ligand substituted with perfluoroaryl and a central metal ion.
Further, the organic luminescent material, at least one or more represented by the following structural formula (I), the fluorine atom or C _{n F} 2n _{+ 1} is substituted with a fluorinated alkyl group represented by an aryl group as location substituent It is preferable to consist of a luminescent metal complex having one phenylpyridine as a ligand.
[0014]
[Chemical 3]

[0015]
Here, R represents a hydrogen atom or a substituent. Among R _{1 to} R ₈ , R ₆ or R ₇ includes at least one aryl group substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group represented by C _n F _{2n + 1} , and the other R is a hydrogen atom It is .
[0016]
Moreover, it is preferable that the complex center metal of the said luminescent metal complex is a transition metal or a rare earth metal.
Here, iridium, platinum, gold, ruthenium or the like may be used as the transition metal, and europium, terbium, dysprosium or the like may be used as the rare earth metal, and iridium is particularly preferable.
That is, the luminescent metal complex is preferably an iridium complex represented by the following structural formula (II), for example.
[0017]
[Formula 4]

[0018]
Here, R represents a hydrogen atom or a substituent. R ₁₄ or _{R 15} of R ₉ to R ₁₆ is at least one, includes a fluorine atom or a _C n _{F 2n + 1} is substituted with a fluorinated alkyl group represented by an aryl group, the other R is a hydrogen atom It is . L represents a ligand other than phenylpyridine containing the fluorine atom or the fluorinated alkyl-substituted aryl group. n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 0 to 4.
[0019]
Here, the alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably 1 to 3 carbon atoms such as methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and the like.
[0020]
Moreover, as said aryl group, Preferably it is C6-C18, More preferably, it is 6-14, Most preferably, it is 6-10, for example, phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl etc. are mentioned.
[0021]
Further, among the R ₉ to R _16, which does not contain the aryl group is a hydrogen atom, an alkyl group is preferred.
A ring structure may be formed when R is a substituent. The ring structure may be bicyclic or monocyclic.
[0022]
The iridium complex described above preferably contains, as a ligand, phenylpyridine in which R ₁₄ or R ₁₅ in the structural formula (II) is substituted with a pentafluorophenyl group.
Moreover, the said iridium complex may have a counter ion according to the electric charge. This counter ion may be either an organic ion or an inorganic ion.
[0023]
Note that since the iridium complex has a characteristic of emitting blue to red light with high efficiency by controlling the structure of the ligand, the luminous efficiency of the light-emitting element can be improved by containing the iridium complex in the following light-emitting layer.
[0024]
Below, in the present embodiment, specific examples of the iridium complex represented by Structural Formula (II) (provided that, (i), (iv) and (vii) other except as a reference example).
[0025]
[Chemical formula 5]

[0026]
[Chemical 6]

[0027]
<Organic light emitting device>
In addition, the organic light emitting device according to the present embodiment is formed in a state in which a single layer or a multilayer organic film containing the organic light emitting material described above is sandwiched between an anode and a cathode.
Specifically, as shown in FIG. 1, a transparent anode layer 2, a hole transport layer 3, a light emitting layer 4, a hole blocking layer 5, an electron transport layer 6 and a cathode layer 7 are deposited on a glass substrate 1 by vapor deposition. Are sequentially laminated.
[0028]
When a predetermined DC voltage is applied between the transparent anode layer 2 and the cathode layer 7 to the organic light emitting device configured as described above, light emission with high luminance can be obtained from the light emitting layer 4. The mechanism of this light emission is considered as follows.
[0029]
That is, when a predetermined DC voltage is applied between the two layers, holes flowing from the transparent anode layer 2 to the hole transport layer 3 are transported to the light emitting layer 4. On the other hand, the electrons injected from the cathode layer 7 into the electron transport layer 6 are transported to the light emitting layer 4 and recombine with the holes by diffusing and moving through the light emitting layer 4 to be electrically neutralized. The When this recombination is performed, predetermined energy is released, and the organic light emitting material in the light emitting layer 4 is excited to a singlet excited state and a triplet excited state by the energy. Light is emitted when the state returns to the ground state.
[0030]
As the glass substrate 1, soda lime glass, non-alkali glass or the like is usually used, but a transparent resin substrate can be used instead.
The thickness of the glass substrate 1 is not limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength. For example, a thickness of 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more is used.
[0031]
The transparent anode layer 2 supplies holes to the hole transport layer 3 and the light emitting layer 4 and the like, and a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof may be used. it can. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide and indium tin oxide (ITO), metals such as gold, silver, chromium and nickel, and these metals and conductive metal oxides. Mixtures or laminates of these materials, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and laminates of these with ITO. ITO is preferable from the viewpoints of properties and transparency.
[0032]
Further, the layer thickness of the transparent anode layer 2 is preferably in the range of usually 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm.
Various methods are used for producing the transparent anode layer 2 depending on the material. For example, in the case of ITO, methods such as a vacuum deposition method, an electron beam method, a sputtering method, and a chemical reaction method are used.
[0033]
On the other hand, the cathode layer 7 supplies electrons to the electron transport layer 6, the hole blocking layer 5, the light emitting layer 4, and the like, and considers adhesion to the adjacent electron transport layer 6, ionization potential, stability, and the like. To be selected.
[0034]
As a material for forming the cathode layer 7, a metal, an alloy, a metal halide, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Specific examples thereof include alkali metals and fluorides or oxides thereof. Alkaline earth metals and fluorides or oxides thereof, gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys or mixed metals thereof, lithium-aluminum alloys or mixed metals thereof, magnesium-silver alloys or mixed metals thereof, There are rare earth metals such as indium and ytterbium.
[0035]
The layer thickness of the cathode layer 7 can be selected according to the forming material. For example, the thickness of the cathode layer 7 is preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm.
The cathode layer 7 is produced by a method such as a vacuum deposition method, an electron beam method, a sputtering method, or a coating method.
[0036]
The light emitting layer 4 may contain an organic light emitting material such as the iridium complex alone, or may contain a host material that is doped with the iridium complex or the like. Examples of the host material include those having a carbazole skeleton, those having a diarylamine skeleton, those having a pyridine skeleton, those having a pyrazine skeleton, those having a triazine skeleton, and those having an arylsilane skeleton. In this case, the light emitting layer 4 in which the host material is doped with the host material can be formed by co-evaporation of the host material and an organic light emitting material such as an iridium complex.
[0037]
The layer thickness of the light emitting layer 4 is not particularly limited, but is usually preferably 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and further preferably 10 nm to 500 nm.
[0038]
The method for forming the light emitting layer 4 is not particularly limited, but a vacuum deposition method, an electron beam method, a sputtering method, a molecular lamination method, a coating method (spin coating method, casting method, dip coating method, etc.), inkjet A method such as a method, a printing method, or an LB method is used, and a vacuum deposition method is preferable.
[0039]
Moreover, as a forming material of the said positive hole transport layer 3, the hole from the transparent anode layer 2 should just be transported. Specific examples include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives. , Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole) derivatives, aniline compounds Examples thereof include copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organosilane derivatives, and the above iridium compounds.
[0040]
The layer thickness of the hole transport layer 3 is not particularly limited, but is usually preferably 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and more preferably 10 nm to 500 nm. Further preferred.
As a method for forming the hole transport layer 3, a method substantially similar to the method for forming the light emitting layer 4 is used.
[0041]
The material for forming the electron transport layer 6 and the hole blocking layer 5 has a function of transporting electrons from the cathode layer 7 and a function of blocking holes injected from the transparent anode layer 2. If it is, Specific examples include triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives. , Represented by metal complexes of aromatic ring tetracarboxylic anhydrides such as distyrylpyrazine derivatives, naphthalene and perylene, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, benzoxazoles and benzothiazoles as ligands There are various metal complexes, organosilane derivatives, and the above iridium compounds.
[0042]
The layer thickness of the electron transport layer 6 and the hole blocking layer 5 is not particularly limited, but is usually preferably 1 nm to 5 μm, and more preferably 5 nm to 1 μm.
As a method for forming the electron transport layer 6 and the hole blocking layer 5, a method substantially similar to the method for forming the light emitting layer 4 is used.
[0043]
In addition, as an organic light emitting element of this invention, it can be comprised so that an electron injection layer, a hole injection layer, an electron block layer, a protective layer, etc. other than each said layers 1-7 may be provided.
[0044]
In addition to the following display, the organic light-emitting device of the present invention includes a wide range of display devices, backlights, optical communications, electrophotography, illumination light sources, recording light sources, exposure light sources, reading light sources, signs, signboards, interiors, etc. Can be used for field applications.
[0045]
<Display>
Further, in the display according to the present embodiment, each pixel is formed by the above-described organic light emitting element and two or more thin film transistors.
[0046]
This display uses an active matrix system, and even if the number of pixels increases, there is little risk of unnecessary voltage being applied to the non-selected points, and there is a risk that efficiency will be reduced or deteriorated even at high duty. It has the advantage of being small and excellent in responsiveness.
[0047]
The number of individual pixels can be driven independently and simultaneously. For example, a TFT (Thin Film Transistor) method can be adopted.
[0048]
<Synthesis of organic light-emitting materials>
Hereinafter, the method for synthesizing the organic light emitting material according to the present embodiment described above will be described with one specific example. Here, bis (5-pentafluorophenyl-2-phenylpyridinato-N, C ² ') iridium (acetylacetonate) (hereinafter (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (acac) ) Will be described.
[0049]
First, the ligand ppy-C ₆ F ₅ was synthesized according to the following scheme (1).
[0050]
[Chemical 7]

[0051]
Mg (1.3 g, 54.1 mmol) was weighed into a three-necked flask (500 mL), and THF (tetrahydrofuran) (100 mL) was added under an argon environment. C ₆ F ₅ Br (6.9 mL = 13.6 g, d = 1.98, 1.55 mmol) was added dropwise thereto at room temperature. After stirring at room temperature for 1 hour, CuBr (15.8 g, 110 mmol) was added and further stirred for 1 hour. Dioxane (25 mL) was added thereto, and the mixture was further stirred for 1 hour, and then Br-ppy (4.1 g, 17.56 mmol) / toluene (180 mL) was added dropwise, followed by stirring at 95 ° C. for 3 days. After completion of the reaction, the filtrate was dried up by filtering the reaction solution was allowed to cool to room temperature through Celite®, filtered through celite redissolved in toluene (400 mL), CHC1 ₃ / Hexane (volume ratio 1: 1) column purification. The fraction of the desired compound was confirmed by mass spectrum, and the solid obtained by evaporating the solvent was washed with hexane. The yield of the ligand ppy-C ₆ H ₅ was 2.78 g (49.3%).
[0052]
Next, (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (Cl) dimer was synthesized according to scheme (2) using the ligand ppy-C ₆ F ₅ obtained in scheme (1).
[0053]
[Chemical 8]

[0054]
Na ₃ IrCl ₆ (280 mg, 0.55 mmol) and ppy-C ₆ F ₅ (441 mg, 1.37 mmol) were weighed into Schlenk and purged with argon. 2-Ethoxyethano1 (40 mL) was added thereto, freeze degassed, and heated at 105 ° C. for 10 hours. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature, the solvent was distilled off, extracted with toluene, and recrystallized from a mixed solution with hexane to obtain (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (Cl) dimer. The yield was 300 mg (62.8%).
[0055]
Next, complex synthesis was performed according to scheme (3) using (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (Cl) dimer.
[0056]
[Chemical 9]

[0057]
(ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (Cl) dimer (350 mg, 0.40 mmol Ir) and Na ₂ CO ₃ (100 mg, 0.95 mmol) were weighed into Schlenk and purged with argon. Ethanol (100 mL) was added thereto and lightly degassed, and then acetic1acetone (d = 0.975, 90 mg, 92 μL, 0.9 mmol) was added and reacted at 50 ° C. for 4 hours. The solvent was distilled off and column purification (e1uent: CHCl ₃ ) gave an orange complex. This complex was finally purified by train sublimation to obtain 138 mg (36.9%) of an orange crystalline compound (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (acac).
[0058]
Hereinafter, fabrication and characteristics of an organic light-emitting element using the organic light-emitting material as described above will be described.
In addition, these Examples are only illustrations for description, and the present invention is not limited to these Examples.
[0059]
Example 1 Doped Organic Light-Emitting Device Using (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (acac)
A stacked organic light emitting device as shown in FIG. 1 was produced by vacuum deposition. Under a vacuum of about 10 ⁻⁵ Pa, N, N′-di (naphthalene) having a thickness of 40 nm as the hole transport layer 3 is formed on the glass substrate 1 on which indium-tin oxide (ITO) is formed as the transparent anode layer 2. -1-yl) -N, N′-diphenylbenzidine (α-NPD), a 35 nm thick light emitting layer 4, a 10 nm thick bathocupuroine (BCP) as the hole blocking layer 5, and an electron transporting layer 6 35 nm-thick tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq ₃ ) was sequentially laminated, and then 0.5 nm-thick lithium fluoride and 100 nm-thick aluminum were laminated as the cathode layer 7. The light emitting layer 4 is formed by co-evaporation with 6% of (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (acac) as a dopant with respect to the

host material

4,4′-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP). A doped film was prepared and used.
[0061]
When a positive voltage is applied to the ITO transparent anode layer 2 in each of the devices thus fabricated, the dopant from (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (acac), which is a dopant from any device, High brightness and high efficiency yellow luminescence was observed. That is, light emission from the doped organic light emitting device, the maximum luminance of about 80,000cd / m ^2, the external quantum efficiency of light emission in the luminance 100 cd / m ² were of very high value of about 15%. Here, the external quantum efficiency of light emission was calculated by the ratio of the number of photons emitted outside the device to the number of charge carriers injected into the device.
[0062]
Example 2 Undoped Organic Light-Emitting Device Using (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (acac)
A stacked organic light emitting device as shown in FIG. 2 was produced by vacuum deposition. On a glass substrate 11 on which an ITO film as a transparent anode layer 12 is formed under a vacuum similar to that in Example 1, a 40 nm thick α-NPD as a hole transport layer 13, a 35 nm thick light emitting layer 14, After laminating 10 nm-thick BCP as the hole blocking layer 15 and 35 nm-thick Alq ₃ as the electron transport layer 16 in this order, 0.5 nm-thick lithium fluoride and 100 nm-thick aluminum were laminated as the cathode 17. Thus, the points which produced each layer 12-17 are the same as that of the said Example 1. FIG. However, in this example, unlike the above Example 1, (ppy-C ₆ F ₅ ) ₂ Ir (acac) was used alone as the light emitting layer 14 without using a host material. Emission from undoped organic light-emitting element according to the embodiment is the maximum luminance of about 30,000cd / m ^2, luminous quantum efficiency at a luminance 100 cd / m ² were of high value of about 6%. In general, it is known that the quantum efficiency of an undoped organic light-emitting device is significantly lower than that of a doped device, but by using the organic light-emitting material according to this example, an undoped organic light-emitting device is used. Also in the device, a sufficiently high quantum efficiency could be obtained.
[0064]
As described above, according to the present example, a sufficiently high luminous efficiency can be obtained as compared with the prior art without controlling the doping amount of the dopant for preventing the destabilization of the luminous efficiency.
[0065]
【The invention's effect】
As described above, according to the organic light emitting material of the present invention, when used in a doped organic light emitting device that forms a light emitting layer together with a host material, extremely high luminous efficiency can be obtained. Even when it is used in an undoped organic light emitting device in which a light emitting layer is formed of a light emitting material alone, it is possible to obtain a higher luminous efficiency than in the prior art.
[0066]
Therefore, an undoped organic light emitting device that can be used for a doped organic light emitting device when extremely high light emitting efficiency is desired, whereas the dopant doping control is not necessary when the stability of the light emitting efficiency is important. The selection according to the request can be performed.
[0067]
Further, according to the display of the present invention, by constituting each pixel with the organic light emitting element, it is possible to obtain a display having excellent light emission stability and high light emission efficiency.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an organic light-emitting element (doped element) according to Example 1 of the present invention. FIG. 2 is a schematic configuration of an organic light-emitting element (undoped element) according to Example 2 of the present invention. Figure showing symbols [Explanation of symbols]
1, 11

Glass substrate

2, 12 Transparent anode layer 3, 13

Hole transport layer

4, 14

Light emitting layer

5, 15 Hole block layer 6, 16

Electron transport layer

7, 17 Cathode layer

Claims

Coordinating the following structural formulas at least one of which is represented by (I), a fluorine atom or a C _{n F} 2n _{+ 1} with one having phenylpyridine a fluorinated alkyl-substituted aryl group with a group as location substituent represented An organic light-emitting material comprising a light-emitting metal complex as a child.

(However, R represents a hydrogen atom or a substituent. Of R _{1 to} R ₈ , R ₆ or R ₇ represents at least one fluorine atom or a fluorinated alkyl group represented by C _n F _{2n + 1.} Including a substituted aryl group, and the other R is a hydrogen atom .)

The organic light-emitting material according to claim 1 wherein said complex the central metal of the luminescent metal complex, characterized in that a transition metal or a rare earth metal.

Following structural formula at least one of which is represented by (II), aryl groups substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group represented by C _{n F} 2n _{+ 1,} including one having a ligand as substituents An organic light-emitting material comprising an iridium complex.

(However, R represents a hydrogen atom or a substituent. Of R _{9 to} R ₁₆ , R ₁₄ or R ₁₅ is substituted with at least one fluorine atom or a fluorinated alkyl group represented by C _n F _{2n + 1.} R is a hydrogen atom, L is a ligand other than phenylpyridine including the fluorine atom or the fluorinated alkyl-substituted aryl group, n is an integer of 1 to 3, m represents an integer of 0 to 4.)

The iridium complex, an organic light-emitting material according to claim 3, characterized in that it comprises a phenylpyridine substituted with Bae pentafluorophenyl group as a ligand.

In the organic light emitting device having a plurality of layers including a light emitting layer composed of a single layer or a multilayer of the organic film sandwiched between an anode and a cathode, the light emitting layer, an organic light emitting according to any one of claims 1-4 An organic light emitting device comprising a material.

The organic light-emitting device according to claim 5, wherein the plurality of layers are formed on a flexible substrate.

Display of an active matrix type, wherein the organic light emitting device according to claim 5 or 6, that is pixels formed by the two or more thin-film transistors.