JP4115764B2

JP4115764B2 - Semiconductor laser device characteristic evaluation method and semiconductor laser device characteristic inspection apparatus

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Publication number: JP4115764B2
Application number: JP2002205739A
Authority: JP
Inventors: 茂博山田
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Filing date: 2002-07-15
Publication date: 2008-07-09
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置の特性評価方法および半導体レーザ装置の特性検査装置に関し、特に、光ピックアップ装置等に用いられる半導体レーザ装置の特性評価方法および半導体レーザ装置の特性検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体レーザ装置を用いる装置として光ディスクの読み出しおよび書き込み用の光ピックアップ装置がある。この光ピックアップ装置は、図５に示すように、光源である半導体レーザ素子４１と、この半導体レーザ素子４１からの光を分割するグレーティング４３と、このグレーティング４３からの光が通過するホログラム素子４４と、このホログラム素子４４を通過した光を平行にするコリメータレンズ４５と、このコリメータレンズ４５によって平行にされた光を集光して、光ディスク５３の表面５３ａにスポットを形成するオブジェクトレンズ４６と、このスポットから反射した後にホログラム素子４４で回折した光を複数の受光領域Ｄ１〜Ｄ５で受ける受光素子４２とを備える。
【０００３】
上記グレーティング４３は、半導体レーザ素子４１から出射されたレーザ光から、グレーティング４３の格子で回折されずに透過する０次光である主ビームと、±１次回折光である二つの副ビームを取り出している。尚、グレーティング４３からホログラム素子４４に入射して回折した光は、オブジェクトレンズ４６に入射しないようになっている。
【０００４】
上記構成において、半導体レーザ素子４１から出射されたレーザ光は、グレーティング４３で上記主ビームと二つの副ビームから構成される三つの光に分割された後、ホログラム素子４４を通過してコリメータレンズ４５で平行にされる。上記コリメータレンズ４５でそれぞれ平行にされた三つの光は、オブジェクトレンズ４６によって光ディスク５３の表面５３ａに三つのスポットを形成する。上記光ディスク５３の表面５３ａに形成された三つのスポットで反射した光は、オブジェクトレンズ４６とコリメータレンズ４５を通過した後、ホログラム素子４４で回折され受光素子４２に入射する。尚、上記ホログラム素子４４は、上記主ビームを２つのビームに分割し、その２つに分割された主ビームの内の一方のビームは、受光素子４２の受光領域Ｄ２,Ｄ３の境界線上に入射するようになっている。そして、この受光領域Ｄ２,Ｄ３の境界線上に入射した主ビームの出力を用いて、良く知られたナイフエッヂ法による焦点誤差信号検出を行っている。また、主ビームの内の他方のビームは、受光領域Ｄ４に入射する。この受光領域Ｄ４の信号出力は、受光領域Ｄ２,Ｄ３の境界線上に入射した主ビームによる受光領域Ｄ２,Ｄ３の信号出力と共に、光ディスクに記録されたピット情報信号（ＲＦ信号）を読み取るために使用される。また、副ビームは、受光領域Ｄ１,Ｄ５に入射する。この光ピックアップ装置は、それら受光領域Ｄ１,Ｄ５からの信号出力を用いて、良く知られた３ビーム法によるトラック誤差信号検出を行っている。
【０００５】
一方、光ディスク５３からの反射光の内でホログラム４４で回折されない光は、グレーティング４３を通って半導体レーザ素子４１に戻る。このような戻り光が半導体レーザ素子に入射すると、半導体レーザ素子のレーザ出力強度が微妙に変動するいわゆる「戻り光雑音」を発生することが知られている。特に、光ディスクに信号を書き込むために用いられる光出力が大きい半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置は、一般にコヒーレンシィが良い単一モード発振型であるため、戻り光雑音が大きくなる。この戻り光雑音を防ぐために、高周波重畳法を一般に用いる。この高周波重畳法は、半導体レーザ装置の駆動電流に、光ディスクに記録されたピット情報信号（ＲＦ信号）の周波数より十分高い周波数を有する高周波を重畳することによって、半導体レーザ装置を多モード動作にしてモードホッピング雑音を防止するというものである。尚、光ディスクに記録されたピット情報信号の周波数が数ＭＨｚ〜数十ＭＨｚであれば、重畳される高周波は数百ＭＨｚであり、上記光ディスクに記録された信号の１０倍以上程度の周波数となっている。
【０００６】
しかしながら、上記高周波重畳法を用いても戻り光雑音が無くならない半導体レーザ装置もある。従来、このような半導体レーザ装置を選別するための半導体レーザ装置の特性評価方法がある。この半導体レーザ装置の特性評価方法を用いた特性検査装置は、図６に示すように半導体レーザ素子をパッケージにいれた半導体レーザ装置６１から出射されるレーザ光を平行にするコリメータレンズ６２と、このコリメータレンズ６２で平行にされた光が透過するビームスプリッタ６４と、このビームスプリッタ６４を透過したレーザ光を反射鏡６５上に集光するオブジェクトレンズ６３と、上記反射鏡６５で反射して、更に、上記ビームスプリッタ６４で分岐したレーザ光の光量を測定する光検出器６７と、半導体レーザ装置を駆動する半導体レーザドライバ６６とを備える。
【０００７】
この半導体レーザ装置の特性検査装置は、以下のようにして半導体レーザ装置の良品と不良品を選別する。
【０００８】
先ず第１ステップとして、半導体レーザ装置６１からの出射光を、オブジェクトレンズ６３の後段の反射鏡６５に代えて設置した半導体レーザ装置６１の出力検出用の光検出器６８で受光し、その光量Ｐ０を測定する。この光量Ｐ０の測定は、半導体レーザ装置６１から出射されるレーザ光が、所定の光量を有しているか否かを判断するために行われる。そして、この状態で、半導体レーザ装置６１の駆動電流Iの測定を行い、また、半導体レーザ装置６１から出射され光検出器６８で反射し、更に、ビームスプリッタ６４で分岐したレーザ光を光検出器６７で受光し、その光量Ｐ１の測定を行う。この第１ステップでは、上記光検出器６８での反射光が半導体レーザ装置６１に戻らないようにしておくことにより、戻り光が無い状態での所定の駆動電流Ｉに対する光量Ｐ１が測定される。このとき、上記所定の駆動電流Ｉは、高周波が重畳されており、その平均値をＩ_ａｖｅとしている。
【０００９】
次に第２ステップでは、レーザ光がオブジェクトレンズ６３により反射鏡６５上で焦点を結ぶように反射鏡６５を戻すことにより、半導体レーザ装置６１から出射されて反射鏡６５で反射した後、ビームスプリッタ６４を透過したレーザ光が、半導体レーザ装置６１から出射されたレーザ光の出射光量の１／４程度の出射光量を有している状態で半導体レーザ装置６１に戻るようにする。そして、この状態で、上記第１ステップの測定と同様な測定を行う。すなわち、上記第２ステップでは、高周波を重畳した半導体レーザ装置６１の駆動電流の値を上記第１ステップの測定値Ｉ_ａｖｅと一致するように半導体レーザドライバ６６の駆動電流を調整し、このときに、半導体レーザ装置６１から出射されて反射鏡６５で反射し、更に、ビームスプリッタ６４で分岐したレーザ光の光量Ｐ２を光検出器６７により測定する。
【００１０】
このような測定を行った後、光検出器６７により測定した光量Ｐ１とＰ２に基づいて半導体レーザ装置の良品と不良品を選別する。
【００１１】
具体的には、次式（１）で定義されるＳＣＯＯＰを用いて半導体レーザ装置の良品と不良品を選別する。
【００１２】
ＳＣＯＯＰ＝（（Ｐ２−Ｐ１）／Ｐ１）×１００（％）・・・・（１）
【００１３】
従来の選別法では、上記ＳＣＯＯＰの値が小さいほど、戻り光雑音が小さい高品質の半導体レーザ装置となり、このＳＣＯＯＰの値が所定値以下（例えば２００％以下）の半導体レーザ装置のみを良品として選別している。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体レーザ装置の特性評価方法では、反射鏡を用いて半導体レーザ装置単独の戻り光に対する特性を測定しているので、半導体レーザ装置を実使用状態にした時、例えば、この半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に組み込んだ状態にした時、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性が変化するという問題があり、半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさが正確に評価できないという問題がある。
【００１５】
また、上記ＳＣＯＯＰを算出するため、光検出器６７による測定を２回も行わなければならないので、戻り光雑音の大きさを評価する検査ステップが複雑になって、検査に多くの時間を要するという問題がある。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、戻り光雑音の大きさを正確に評価でき、かつ、戻り光雑音の大きさを評価する検査ステップを軽減できる半導体レーザ装置の特性評価方法および半導体レーザ装置の特性検査装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の半導体レーザ装置の特性評価方法は、先ず半導体レーザ装置からレーザ光を光ディスクに入射して、この光ディスクから、この光ディスクの情報を含む信号光を得る。そして、この信号光の中から上記光ディスクの記録情報を表わすＲＦ信号の最大値と平均値を取り出し、上記光ディスクの記録情報を表すＲＦ信号の最大値と平均値とから半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを評価する。
【００１８】
この発明の半導体レーザ装置の特性評価方法によれば、半導体レーザ装置の実使用状態で、光ディスクからの反射光から得られた光ディスクの記録情報を表わすＲＦ信号を用いることによって、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価する。したがって、従来の反射鏡を用いて半導体レーザ装置単独の戻り光に対する特性を評価する半導体レーザ装置の特性評価方法と比較して、半導体レーザ装置の使用状態における戻り光雑音の大きさを正確に評価することができる。
【００１９】
また、上記光ディスクからの反射光から検出されるＲＦ信号を一回測定するだけで、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価できる。これにより、従来の式（１）で定義されるＳＣＯＯＰを用いた半導体レーザ装置の特性評価方法のように、光検出器による光量測定を２回も行う必要がなく、また、従来の半導体レーザ装置の特性評価方法で必要であった半導体レーザ装置の駆動電流測定、駆動電流調整および反射鏡の位置調整等のステップも省略できる。したがって、この発明の半導体レーザ装置の特性評価方法では、検査ステップが単純になり、測定時間を短縮できる。
【００２０】
また、１実施形態の半導体レーザ装置の特性評価方法は、上記半導体レーザ装置が、光ピックアップ装置に組み込まれていることを特徴としている。
【００２１】
上記実施形態によれば、半導体レーザ装置を事前に光ピックアップ装置に組込んだ状態で半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価するので、従来の式（１）で定義されるＳＣＯＯＰを用いた半導体レーザ装置の特性評価方法のように、光検出器による測定を２回も行う必要がなく、光ピックアップ装置に使用する半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを評価する検査ステップを削減できる。
【００２２】
また、この発明の半導体レーザ装置の特性検査装置は、半導体レーザ装置からのレーザ光を光ディスクに集光する光学手段と、
上記光ディスクからの上記光ディスクの記録情報を含む信号光を受光する受光手段と、
上記受光手段の出力から上記記録情報を表わすＲＦ信号の最大値を得るＲＦ信号最大値取得手段と、
上記受光手段の出力から上記ＲＦ信号の平均値を得るＲＦ信号平均値取得手段と、
上記ＲＦ信号の最大値と上記ＲＦ信号の平均値とに基づいて上記半導体レーザ装置の戻り光雑音を評価する評価手段とを備え、
上記記録情報を表わすＲＦ信号の周波数より高い周波数の駆動電流によって、上記半導体レーザ装置を駆動するドライバを備えることを特徴としている。
【００２３】
したがって、この発明の半導体レーザ装置の特性検査装置によれば、半導体レーザ装置の実使用状態すなわち半導体レーザ装置を光ディスクと一緒に使用した状態で、上記光ディスクからの反射光から得られた光ディスクの記録情報を表わすＲＦ信号を用いることによって、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価するので、半導体レーザ装置を光ディスクと一緒に使用した時の戻り光雑音の大きさを正確に評価することができる。
【００２４】
また、この発明の半導体レーザ装置の特性検査装置は、上記光ディスクからの反射光から検出されるＲＦ信号を一回測定するだけで、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価できるので、評価ステップを単純にでき、測定時間を短縮できる。
【００２５】
【００２６】
また、この発明の半導体レーザ装置の特性検査装置によれば、上記ドライバは、上記記録情報を表わすＲＦ信号の周波数より高い周波数の駆動電流を出力することによって、上記半導体レーザ装置を多モード動作にするので、半導体レーザ装置に戻ってくる戻り光が引き起こすモードホッピング雑音を軽減することができる。
【００２７】
また、１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置は、上記半導体レーザ装置に、受光手段を搭載している。
【００２８】
上記実施形態によれば、上記半導体レーザ装置に受光手段を搭載しているので、この半導体レーザ装置の特性検査装置が備える光学系を容易に構成でき、半導体レーザ装置の特性検査装置をコンパクトにすることができる。
【００２９】
この発明で峻別できる半導体レーザ装置は、直流駆動時において単一モードのレーザ光を出射する半導体レーザ装置において、駆動電流の直流成分に高周波を重畳した状態で、戻り光がない状態における出射光の光出力をＰ１とし、戻り光の光出力が出射光の光出力の略１／４である状態における出射光の光出力をＰ２とし、コンパクトディスクからの記録情報を含む信号光から検出したＲＦ信号の最大値をＲＦ_ｔｏｐとし、上記コンパクトディスクからの記録情報を含む信号光から検出したＲＦ信号の平均値をＲＦ_ａｖｅとしたときに、
（Ｐ２−Ｐ１）／Ｐ１≧２.０
かつ、
ＲＦ_ｔｏｐ／ＲＦ_ａｖｅ≦２.２
の条件を満たすことを特徴としている。
【００３０】
上記構成において、（Ｐ２−Ｐ１）／Ｐ１≧２.０の条件は、従来のＳＣＯＯＰによる半導体レーザ装置の特性評価方法に基づいて、半導体レーザ装置の不良品を示す基準として一般的に用いられており、ＲＦ_ｔｏｐ／ＲＦ_ａｖｅ≦２.２の条件は、本発明のＲＦ信号の平均値ＲＦ_ａｖｅに対する最大値ＲＦ_ｔｏｐの比を用いた半導体レーザ装置の特性評価方法に基づいて、半導体レーザ装置の良品を示す基準である。したがって、この発明で峻別される半導体レーザ装置は、従来の半導体レーザ装置の特性評価方法で不良品と判断され、かつ、本発明の半導体レーザ装置の特性評価方法で良品と判断される。この発明で峻別される半導体レーザ装置によれば、従来の半導体レーザ装置の特性評価方法で不良品と判断されたが、実際には良品である半導体レーザ装置を使用できるようになるので、半導体レーザ装置の生産効率をよくすることができる。
【００３１】
また、この発明で峻別できる半導体レーザ装置は、数百Ｍｚの周波数の駆動電流で半導体レーザ装置を駆動して戻り光雑音をある程度回避した状態で、上記コンパクトディスクからの記録情報を含む信号光から検出したＲＦ信号の平均値に対するＲＦ信号の最大値の比が２.３以下であることを特徴としている。
【００３２】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記ＲＦ信号の平均値に対するＲＦ信号の最大値の比が２.３より高くて不良品である確率が非常に高い半導体レーザ装置を、確実に排除することができるので、正確に良品と判別された半導体レーザ装置が得られる。
【００３３】
この発明で峻別できる半導体レーザ装置を備える光ピックアップ装置であって、上記光ディスクに記録情報を書き込むときには、上記半導体レーザ装置の駆動電流の直流成分に高周波が重畳されない一方、上記光ディスクから記録情報を読み出すときには、上記半導体レーザ装置の駆動電流の直流成分に高周波が重畳される光ピックアップ装置は、以下の有利な作用効果を有する。
【００３４】
すなわち、上記光ピックアップ装置によれば、上記光ディスクから記録情報を読み出すときに、上記半導体レーザ装置の駆動電流の直流成分に高周波が重畳されるので、上記記録情報の読み出し時に半導体レーザ装置のモードホッピング雑音を抑制して、上記光ディスクの情報を確実に読み出すことができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３６】
（第１実施形態）
図１に本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の特性評価方法を用いた半導体レーザ装置の特性検査装置の構成図を示す。
【００３７】
この第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置は、半導体レーザ素子をパッケージにいれた半導体レーザ装置１と、この半導体レーザ装置１から出射されるレーザ光を平行にするコリメータレンズ２と、このコリメータレンズ２で平行にされた光が透過するビームスプリッタ４と、このビームスプリッタ４を透過したレーザ光を集光して、光ディスクの一例としてのコンパクトディスク（以下、ＣＤという）６上にスポットを形成するオブジェクトレンズ３と、上記ＣＤ６上のスポットで反射して、更にビームスプリッタ４で分岐したレーザ光を回折するホログラム素子７と、上記ホログラム素子７からの回折光を受けて、その回折光に含まれる光信号を電気信号に変換する受光手段の一例としての多分割受光素子８と、この多分割受光素子８からの電気信号を増幅するシグナルアンプリファイア（以下、シグナルアンプという）９と、上記シグナルアンプ９で増幅された電気信号のうちのＲＦ信号を受けて、このＲＦ信号を処理するシグナルプロセッサ１０と、このシグナルプロセッサ１０からの信号を受けるＣＲＴ（Cathode Ray Tube）１１と、上記半導体レーザ装置１を上記ＲＦ信号の周波数より高い周波数の駆動電流によって駆動する半導体レーザドライバ１３とを備える。
【００３８】
ここで、ＲＦ信号とは、光ディスク（第１実施形態ではＣＤ６）に記録されたピット情報信号であり、詳細には、光ディスクのピットの有無に応じて信号の大きさが大きくなったり小さくなったりする信号である。
【００３９】
上記シグナルプロセッサ１０は、ＲＦ信号の最大値を得るＲＦ信号最大値取得手段と、ＲＦ信号の平均値を得るＲＦ信号平均値取得手段と、上記ＲＦ信号の最大値と上記ＲＦ信号の平均値とに基づいて半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを評価する評価手段とを有している。
【００４０】
また、コリメータレンズ２とオブジェクトレンズ３は、半導体レーザ装置からのレーザ光をＣＤ６に集光する光学手段を構成している。
【００４１】
上記構成において、半導体レーザ装置１から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ２で平行にされビームスプリッタ４を透過した後、オブジェクトレンズ３によってＣＤ６上にスポットを形成する。そして、上記スポットで反射した反射光（ＣＤ６のピット情報を含んだ信号光）は、オブジェクトレンズ３を再度透過してビームスプリッタ４でホログラム素子７の方に分岐する。上記ホログラム素子７は、入射した光を多分割受光素子８の方に導く。そして、上記多分割受光素子８で検出された電気信号をシグナルアンプ９で増幅し、この増幅された電気信号のうちのＣＤ６のＲＦ信号（ピット情報信号）を、シグナルプロセッサ１０に入力する。上記シグナルプロセッサ１０は、上記ＲＦ信号の最大値と平均値とを検出し、更に、上記ＲＦ信号の平均値に対する最大値の比を計算する。そして、上記シグナルプロセッサ１０の計算結果をＣＲＴ１１に表示する。
【００４２】
上記第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置では、半導体レーザ装置１から出射され、ＣＤ６で反射してビームスプリッタ４を透過して、再び半導体レーザ装置１に戻ってくるレーザ光の光量が、半導体レーザ装置１から出射されたレーザ光の出射光量の１／４程度になるようにしている。
【００４３】
詳述しないが、上記第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置は、シグナルアンプ９で増幅された電気信号のうちの焦点誤差信号とトラック誤差信号とを用い、通常の光ピックアップ装置のようにサーボコントローラ１２を用いてオブジェクトレンズ３の位置を制御している。
【００４４】
図３は、上記ＣＲＴ１１に表示される典型的なＲＦ信号である。図３の横軸は時間を示し、縦軸はシグナルアンプ９で増幅された多分割受光素子８の信号出力を示している。図３（Ａ）は、個々のピットの情報が見えるまで時間軸を広げて見たＲＦ信号のアイパターンである。本第１実施形態では、光ディスクとしてＣＤ６を採用しているので、最も短いピットは、３Ｔ（Ｔは１チャネルビットの周期）の時間を有し、最も長いピットは、１１Ｔの時間を有する。その間の時間（４Ｔ〜１０Ｔ）においては、１ビット分づつ長さの異なるピットが形成されている。その結果、最も周期の短い信号が３Ｔの長さのピットからの信号に対応し、４Ｔ,５Ｔ,・・・,１１Ｔの長さのピットからの信号に対応する周期の信号が、上記３Ｔの長さのピットからの信号に重なって観測されている。
【００４５】
図３（Ｂ）は、戻り光の影響を受けにくい半導体レーザ装置における、典型的なＲＦ信号波形３５を示している。ＲＦ信号には、上記のように周期の異なる様々な信号が含まれるが、戻り光の影響を受けにくい半導体レーザ装置では、ＲＦ信号の最大値と最小値は、夫々略一定となり、ＲＦ信号は、時間軸を縮めて見ると図３（Ｂ）のように略一定の振幅の波形３５を示す。
【００４６】
一方、戻り光の影響を受けやすい半導体レーザ装置では、ＲＦ信号波形に図３（Ｃ）に示すスパイク状の波形３６が現れ、戻り光の影響を受けにくい半導体レーザ装置と比較して、ＲＦ信号波形における上記スパイク状の波形３６を除いた交流成分の波形の振幅が減少する。これは、長いピットにレーザ光が入射した時に、戻り光雑音の影響を受け易い半導体レーザ装置では、戻り光雑音によって半導体レーザ装置の出力が変動し易くなり、図３（Ｃ）に示すスパイク状の波形３６が、大きな振幅を有する分、上記スパイク状の波形３６を除いた交流成分の波形の振幅が小さくなるためだと考えられる。
【００４７】
上記戻り光雑音によって変動するＲＦ信号波形を定量的に評価するため、グランドＧＮＤを基準値としたときのＲＦ信号の最大値をＲＦ_ｔｏｐとし、グランドＧＮＤを基準値としたときのＲＦ信号の平均値をＲＦ_ａｖｅとしたとき、半導体レーザ装置の良品と不良品を選別する新しい評価基準、すなわち、ＲＦ信号の歪みの大きさを表わす歪み率を次式（２）で定義する。
【００４８】
歪み率＝（ＲＦ_ｔｏｐ／ＲＦ_ａｖｅ）×１００（％）・・・・（２）
【００４９】
尚、理解しやすいように、図３（Ｂ）または（Ｃ）に、グランドＧＮＤと、ＲＦ信号の最大値ＲＦ_ｔｏｐと、ＲＦ信号の平均値ＲＦ_ａｖｅとを示している。
【００５０】
上記歪み率は、ＲＦ信号波形にスパイク状の波形等の歪がある場合と、歪みが無い場合との差を顕著に表わすことができる。この半導体レーザ装置の特性評価方法では、上記歪み率が小さいほど、半導体レーザ装置は、戻り光の影響を受けにくい高品質なレーザ装置となる。
【００５１】
尚、上記歪み率を算出するにあたり、半導体レーザ装置の出力を一定に保つように、図１に示す半導体レーザドライバ１３の出力電流値を制御しても、光学系に入るレーザ光の光量が必ずしも一定にならないといった問題や、光ディスク６上でのレーザ光の集光状態が異なるといった問題があり、これらの問題に起因してＲＦ信号の直流成分のレベルが変化する。上記歪み率に基づく評価基準では、これらＲＦ信号の直流成分のレベルの変化の影響を排除するために、ＲＦ信号の平均値であるＲＦ_ａｖｅを基準にとっている。
【００５２】
図４において、横軸は式（２）で定義した歪み率を示し、縦軸は式（１）で定義したＳＣＯＯＰを表わしている。図４における実線は、多くの実測データに基づいた、歪み率とＳＣＯＯＰの相関関係を示している。
【００５３】
従来の評価基準では、ＳＣＯＯＰが、２００％以下の半導体レーザ装置を合格としていた。しかしながら、従来の評価基準では、ＳＣＯＯＰが２１０％程度の従来の評価基準で不合格と判断された半導体レーザ装置の中には実際には合格品が多数含まれ、評価基準は目安でしかなかった。
【００５４】
本発明の歪み率を評価基準とする半導体レーザ装置の特性評価方法では、歪み率が２２０％以下の半導体レーザ装置を合格とする。本発明の評価基準である歪み率では、不良品は歪み率が２３０％以上のものばかりであり、歪み率が２２０％以下の半導体レーザ装置と、歪み率が２３０％以上の半導体レーザ装置との間には良否の顕著な差が見られた。
【００５５】
尚、図４のＡで示す領域は、ＳＣＯＯＰが２００％以下かつ歪み率が２２０％以下の領域であり、図４のＣで示す領域は、歪み率が２２０％より大きい領域である。一方、図４のＢで示す領域は、ＳＣＯＯＰが２００％より大きくかつ歪み率が２２０％以下の領域である。
【００５６】
上記領域Ａは、従来の評価基準でも本発明の評価基準でも合格となる半導体レーザ装置によって占められている領域であり、上記領域Ｃは、従来の評価基準でも本発明の評価基準でも不合格となる半導体レーザ装置によって占められている領域である。一方、上記領域Ｂは、従来の評価基準では不合格で本発明の評価基準では合格になる半導体レーザ装置によって占められている領域である。
【００５７】
図４における従来の評価基準でも本発明の評価基準でも合格となる半導体レーザ装置が占める領域Ａは、検査された半導体レーザ装置全体の７０％程度であり、図４の従来の評価基準でも本発明の評価基準でも不合格となる半導体レーザ装置が占めている領域Ｃは、検査された半導体レーザ装置全体の１０％程度である。一方、図４の従来の評価基準では不合格で本発明の評価基準では合格になる半導体レーザ装置が占めている領域Ｂは、検査された半導体レーザ装置全体の２０％程度となっている。
【００５８】
上記第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置に用いられた半導体レーザ装置の特性評価方法によれば、ＣＤ６にレーザ光を照射することによって、ＣＤ６のピッド情報を含む信号光を得るステップと、ＣＤ６のピッド情報であるＲＦ信号の最大値ＲＦ_ｔｏｐを得るステップと、ＲＦ信号の平均値ＲＦ_ａｖｅを得るステップと、最大値ＲＦ_ｔｏｐと平均値ＲＦ_ａｖｅに基づいて半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを評価するステップ、すなわち、式（２）で定義される歪み率によって半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価するステップとによって、半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを評価する。したがって、ＣＤ６を用いることによって半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価するので、従来の反射鏡を用いて半導体レーザ装置の単独の戻り光に対する特性を評価する半導体レーザ装置の特性評価方法と比較して、半導体レーザ装置の使用状態における戻り光雑音の大きさを正確に評価することができる。
【００５９】
また、ＣＤ６からの反射光から検出されるＲＦ信号を一回測定するだけで、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価できる。これにより、従来の式（１）で定義されるＳＣＯＯＰを用いた半導体レーザ装置の特性評価方法のように、光検出器による光量測定を２回も行う必要がなく、また、従来の半導体レーザ装置の特性評価方法で必要であった半導体レーザ装置の駆動電流測定、駆動電流調整および反射鏡の位置調整等のステップも省略できる。したがって、この発明の半導体レーザ装置の特性評価方法では、検査ステップが単純になり、測定時間を短縮できる。
【００６０】
また、半導体レーザ装置を事前に光ピックアップ装置に組込んだ状態で、すなわち、実使用の状態で半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価することによって合格品の割合を増やすことができる。
【００６１】
また、式（１）で定義されたＳＣＯＯＰが２００％以上（（Ｐ２−Ｐ１）／Ｐ１≧２.０）で、かつ、式（２）で定義された歪み率が２２０パーセント以下（ＲＦ_ｔｏｐ／ＲＦ_ａｖｅ≦２.２）の半導体レーザ装置を新たに製品として使用することができるようになる。したがって、従来の評価基準で不合格品と判断されたが、実際には合格品であった全体の２０％を占める半導体レーザ装置を良品にすることができるので、半導体レーザ装置の生産効率を向上させることができる。
【００６２】
また、式（２）で定義された歪み率が２３０パーセント以下（ＲＦ信号の平均値に対するＲＦ信号の最大値の比が２.３以下）という評価基準を、良品の半導体レーザ装置の選別基準にすることによって、歪み率が２３０％よりも高くて不良品である確率が非常に高い半導体レーザ装置を確実に排除して、良品の半導体レーザ装置を製品にすることができる。
【００６３】
また、上記第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置によれば、半導体レーザ装置の実使用状態、すなわち、半導体レーザ装置をＣＤ６と一緒に使用する状態で、ＣＤ６からの反射光から得られたＣＤ６のピッド情報を表わすＲＦ信号を用いることによって、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価するので、半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを正確に評価することができる。
【００６４】
また、ＣＤ６からの反射光から検出される上記ＲＦ信号を一回測定するだけで、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価できるので、評価ステップを単純にでき、測定時間を短縮できる。
【００６５】
また、上記半導体レーザドライバ１３は、ピッド情報信号であるＲＦ信号の周波数より高い周波数の駆動電流を出力して半導体レーザ装置を多モード動作にするので、半導体レーザ装置に戻ってくる戻り光が引き起こすモードホッピング雑音を軽減することができる。
【００６６】
（第２実施形態）
図２に本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置の特性評価方法を用いた半導体レーザ装置の特性検査装置の構成図を示す。この第２実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置は、第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置における半導体レーザ装置１の代わりにホログラムレーザ装置２９を用いた点と、第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置のシグナルプロセッサ１０の機能を二つのシグナルプロセッサ２１,２２に分割した点のみが本質的に異なる。
【００６７】
この第２実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置においては、第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置の構成部と同一の構成部については同一参照番号を付して説明を省略する。
【００６８】
上記ホログラムレーザ装置２９は、ＣＤ６からの記録情報を含む信号光を受光する受光手段の機能を兼ねている。また、コリメータレンズ２とオブジェクトレンズ３は、上記ホログラムレーザ装置２９からのレーザ光をＣＤ６に集光する光学手段を構成している。
【００６９】
上記ホログラムレーザ装置２９は、図示しないが、半導体レーザ素子と、ホログラム素子と、受光手段の一例としての多分割受光素子とを搭載している。
【００７０】
上記シグナルプロセッサ２１は、シグナルアンプ９で増幅されたＲＦ信号を受けて、ＲＦ信号の最大値と平均値とを取得している。また、上記シグナルプロセッサ２２は、シグナルプロセッサ２１からＲＦ信号の最大値とＲＦ信号の平均値とを受けて、第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置のシグナルプロセッサ１０と同様に、上記ＲＦ信号の平均値に対する最大値の比である式（２）で定義される歪み率を計算している。
【００７１】
上記シグナルプロセッサ２１は、ＲＦ信号最大値取得手段と、ＲＦ信号平均値取得手段とを有し、シグナルプロセッサ２２は、半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを評価する評価手段を有している。
【００７２】
上記構成において、ホログラムレーザ装置２９から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ２とオブジェクトレンズ３を介してＣＤ６上に到達し、このＣＤ６で反射してオブジェクトレンズ３とコリメータレンズ２を再度通ってホログラムレーザ装置２９に内蔵されたホログラム素子に到達する。そして、このホログラム素子からの回折光を受けた多分割受光素子が光信号を電気信号に変換し、この電気信号をシグナルアンプ９に出力する。
【００７３】
尚、詳述しないが、この第２実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置においても第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置のように式（２）に基づいて、良品の半導体レーザ装置と不良品の半導体レーザ装置とを選別している。
【００７４】
上記第２実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置は、多分割受光素子を搭載したホログラムレーザ装置２９を使用しているので、上記第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置と同様の効果を有した上で、第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置におけるビームスプリッタ４、ホログラム素子７および多分割受光素子８を削減して、光学系を容易に構成できる。
【００７５】
尚、この発明の第１および第２実施形態の半導体レーザ装置の特性評価方法では、光ディスクとしてＣＤ６を採用したが、この発明の半導体レーザ装置の特性検査装置に採用できるＣＤ以外の光ディスクとして、例えば、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）、コンパクトディスク−読み出し専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、ミニディスク（ＭＤ）および光磁気ディスク（ＭＯ）等がある。また、本発明の半導体レーザ装置の特性評価方法は、光ディスク装置のトラッキング方式には関係しないので、３ビーム法を用いる必要も無く、追記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）のように案内溝のある光ディスクを使用することもできる。
【００７６】
尚、上記第１および第２実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置で良品と判断された半導体レーザ装置を、読み出し機能または書き込み機能の少なくとも一方を有する光ピックアップ装置に組み込んで用いても良いし、他の装置に組み込んで用いても良い。
【００７７】
また、上記第１および第２実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置で良品と判断された半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に組み込んで、ＣＤの記録情報の読み出し時に半導体レーザ装置の駆動電流の直流成分に高周波を重畳するようにすると、上記記録情報の読み出し時に半導体レーザ装置のモードホッピング雑音を抑制できて、上記ＣＤの記録情報を確実に読み出すことができる。
【００７８】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の半導体レーザ装置の特性評価方法は、半導体レーザ装置からレーザ光を光ディスクに入射して、この光ディスクから、記録情報を含む信号光を得るステップと、上記信号光から光ディスクの記録情報を表わすＲＦ信号の最大値を得るステップと、上記信号光からＲＦ信号の平均値を得るステップと、上記ＲＦ信号の最大値と平均値に基づいて半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを評価するステップとを有するものである。
【００７９】
したがって、半導体レーザ装置の実使用状態で、半導体レーザ装置と一緒に使用する光ディスクからの反射光から得られた光ディスクの記録情報を表わすＲＦ信号を用いることによって、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価するので、半導体レーザ装置の使用時における戻り光雑音の大きさを正確に評価することができる。
【００８０】
また、上記光ディスクからの反射光から検出されるＲＦ信号を一回測定するだけで、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価できるので、評価ステップを単純にでき、測定時間を短縮できる。
【００８１】
また、この発明の半導体レーザ装置の特性検査装置は、半導体レーザ装置からのレーザ光を光ディスクに集光する光学手段と、上記光ディスクからの記録情報を表わす信号光を受光する受光手段と、上記受光手段の出力から記録情報を表わすＲＦ信号の最大値を得るＲＦ信号最大値取得手段と、上記受光手段の出力からＲＦ信号の平均値を得るＲＦ信号平均値取得手段と、上記ＲＦ信号の最大値と上記ＲＦ信号の平均値とに基づいて半導体レーザ装置の戻り光雑音を評価する評価手段とを備え、上記ＲＦ信号を用いて半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを評価するものである。
【００８２】
したがって、半導体レーザ装置の実使用状態で、半導体レーザ装置と一緒に使用する光ディスクからの反射光から得られた光ディスクの記録情報を表わすＲＦ信号を用いることによって、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価するので、半導体レーザ装置の使用時における戻り光雑音の大きさを正確に評価することができる。
【００８３】
また、上記光ディスクからの反射光から検出されるＲＦ信号を一回測定するだけで、半導体レーザ装置の戻り光に対する特性を評価できるので、半導体レーザ装置の戻り光雑音の大きさを評価する時の検査ステップおよび検査時間を削減できる。
【００８４】
また、この発明で峻別される半導体レーザ装置は、式（１）で定義されたＳＣＯＯＰが２００以上で、かつ、式（２）で定義された歪み率が２２０以下である半導体レーザ装置であり、従来の半導体レーザ装置の特性評価方法で不良品と判断され、かつ、本発明の半導体レーザ装置の特性評価方法で良品と判断された半導体レーザ装置である。したがって、従来の半導体レーザ装置の特性評価方法で不良品と判断されたが、実際には良品である半導体レーザ装置を使用できるので、半導体レーザ装置の生産効率をよくすることができる。
【００８５】
また、この発明で峻別される半導体レーザ装置は、数百Ｍｚの周波数を有する駆動電流で駆動して戻り光雑音をある程度回避した状態で、上記コンパクトディスクからの記録情報を含む信号光から検出したＲＦ信号の平均値に対するＲＦ信号の最大値の比が２.３以下の半導体装置である。したがって、ＲＦ信号の平均値に対するＲＦ信号の最大値の比が２.３より高くて不良品である確率が非常に高い半導体レーザ装置を確実に排除して、正確に良品と判断されたの半導体レーザ装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置の構成図である。
【図２】この発明の第２実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置の構成図である。
【図３】図３（Ａ）は、上記第１実施形態の半導体レーザ装置の特性検査装置の時間軸の尺度を拡大したＲＦ信号であり、図３（Ｂ）,（Ｃ）は、夫々、良品と不良品の半導体レーザ装置を有する半導体レーザ装置の特性検査装置の一般的なＲＦ信号である。
【図４】歪み率とＳＣＯＯＰとの関係を示す図である。
【図５】従来の光ピックアップ装置における光学系を示す構成図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置の特性検査装置の構成図である。
【符号の説明】
１半導体レーザ装置
２コリメータレンズ
３オブジェクトレンズ
６コンパクトディスク
８多分割受光素子
１３半導体レーザドライバ
１０,２１,２２シグナルプロセッサ
２９ホログラムレーザ装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a semiconductor laser device characteristic evaluation method and a semiconductor laser device characteristic inspection device.In placeIn particular, a method for evaluating the characteristics of a semiconductor laser device used in an optical pickup device or the like, and a characteristic inspection device for a semiconductor laser deviceIn placeRelated.
[0002]
[Prior art]
  2. Description of the Related Art Conventionally, there is an optical pickup device for reading and writing optical discs as a device using a semiconductor laser device. As shown in FIG. 5, the optical pickup device includes a semiconductor laser element 41 that is a light source, a grating 43 that divides the light from the semiconductor laser element 41, and a hologram element 44 through which the light from the grating 43 passes. The collimator lens 45 that collimates the light that has passed through the hologram element 44, the object lens 46 that collects the light collimated by the collimator lens 45 and forms a spot on the surface 53a of the optical disc 53, and And a light receiving element 42 that receives light diffracted by the hologram element 44 after being reflected from the spot by a plurality of light receiving regions D1 to D5.
[0003]
  The grating 43 extracts, from the laser light emitted from the semiconductor laser element 41, a main beam that is zero-order light that is transmitted without being diffracted by the grating 43 and two sub-beams that are ± first-order diffracted light. Yes. The light diffracted by entering the hologram element 44 from the grating 43 is prevented from entering the object lens 46.
[0004]
  In the above configuration, the laser light emitted from the semiconductor laser element 41 is divided into three lights composed of the main beam and two sub beams by the grating 43, and then passes through the hologram element 44 to collimator lens 45. In parallel. The three lights made parallel by the collimator lens 45 form three spots on the surface 53 a of the optical disk 53 by the object lens 46. The light reflected by the three spots formed on the surface 53 a of the optical disk 53 passes through the object lens 46 and the collimator lens 45, is diffracted by the hologram element 44, and enters the light receiving element 42. The hologram element 44 divides the main beam into two beams, and one of the two divided main beams is incident on the boundary line between the light receiving regions D2 and D3 of the light receiving element 42. It is supposed to be. A focus error signal is detected by a well-known knife edge method using the output of the main beam incident on the boundary line between the light receiving regions D2 and D3. The other of the main beams is incident on the light receiving region D4. The signal output of the light receiving area D4 is used for reading the pit information signal (RF signal) recorded on the optical disc together with the signal output of the light receiving areas D2 and D3 by the main beam incident on the boundary line of the light receiving areas D2 and D3. Is done. The sub beam is incident on the light receiving areas D1 and D5. This optical pickup device performs track error signal detection by the well-known three-beam method using signal outputs from the light receiving regions D1 and D5.
[0005]
  On the other hand, light that is not diffracted by the hologram 44 among the reflected light from the optical disk 53 passes through the grating 43 and returns to the semiconductor laser element 41. It is known that when such return light is incident on the semiconductor laser element, so-called “return light noise” in which the laser output intensity of the semiconductor laser element fluctuates slightly is generated. In particular, a semiconductor laser device including a semiconductor laser element having a large optical output used for writing a signal on an optical disk is generally a single mode oscillation type with good coherency, and therefore, the return light noise becomes large. In order to prevent this return light noise, a high frequency superposition method is generally used. This high-frequency superposition method makes a semiconductor laser device operate in a multimode by superimposing a high frequency having a frequency sufficiently higher than the frequency of a pit information signal (RF signal) recorded on an optical disc on the drive current of the semiconductor laser device. This is to prevent mode hopping noise. If the frequency of the pit information signal recorded on the optical disc is several MHz to several tens of MHz, the high frequency to be superimposed is several hundred MHz, which is about 10 times the frequency of the signal recorded on the optical disc. ing.
[0006]
  However, there is a semiconductor laser device in which the return light noise is not lost even when the high frequency superposition method is used. Conventionally, there is a method for evaluating characteristics of a semiconductor laser device for selecting such a semiconductor laser device. As shown in FIG. 6, a characteristic inspection apparatus using the characteristic evaluation method for a semiconductor laser device includes a collimator lens 62 that collimates laser light emitted from a semiconductor laser device 61 in which a semiconductor laser element is contained in a package, A beam splitter 64 through which the light collimated by the collimator lens 62 passes, an object lens 63 that condenses the laser light that has passed through the beam splitter 64 on the reflecting mirror 65, and the reflecting mirror 65, and further reflected. A photodetector 67 for measuring the amount of laser light branched by the beam splitter 64 and a semiconductor laser driver 66 for driving the semiconductor laser device are provided.
[0007]
  This semiconductor laser device characteristic inspection device sorts out good and defective semiconductor laser devices as follows.
[0008]
  First, as a first step, light emitted from the semiconductor laser device 61 is received by an output detection photodetector 68 of the semiconductor laser device 61 installed in place of the reflecting mirror 65 at the rear stage of the object lens 63, and the light amount P0 thereof. Measure. The measurement of the light quantity P0 is performed in order to determine whether or not the laser light emitted from the semiconductor laser device 61 has a predetermined light quantity. In this state, the driving current I of the semiconductor laser device 61 is measured, and the laser beam emitted from the semiconductor laser device 61 and reflected by the photodetector 68 and further branched by the beam splitter 64 is detected by the photodetector. The light is received at 67 and the amount of light P1 is measured. In this first step, the amount of light P1 with respect to a predetermined drive current I in the absence of return light is measured by preventing the reflected light from the photodetector 68 from returning to the semiconductor laser device 61. At this time, the predetermined drive current I is superimposed with a high frequency, and its average value is I_aveIt is said.
[0009]
  Next, in the second step, the laser beam is emitted from the semiconductor laser device 61 and reflected by the reflecting mirror 65 by returning the reflecting mirror 65 so that the laser beam is focused on the reflecting mirror 65 by the object lens 63, and then the beam splitter. The laser beam that has passed through 64 is returned to the semiconductor laser device 61 in a state where the laser beam emitted from the semiconductor laser device 61 has an emitted light amount that is about ¼ of the emitted light amount of the laser light. In this state, the same measurement as that in the first step is performed. That is, in the second step, the value of the driving current of the semiconductor laser device 61 on which the high frequency is superimposed is the measured value I of the first step._aveThe driving current of the semiconductor laser driver 66 is adjusted so as to coincide with the above, and at this time, the light quantity P2 of the laser light emitted from the semiconductor laser device 61 and reflected by the reflecting mirror 65 and further branched by the beam splitter 64 is converted into light. Measurement is performed by the detector 67.
[0010]
  After performing such a measurement, good and defective semiconductor laser devices are selected based on the light quantities P1 and P2 measured by the photodetector 67.
[0011]
  Specifically, the non-defective product and the defective product of the semiconductor laser device are selected using SCOOP defined by the following formula (1).
[0012]
  SCOOP = ((P2−P1) / P1) × 100 (%) (1)
[0013]
  In the conventional sorting method, the smaller the SCOOP value, the lower the return light noise, and the higher the quality of the semiconductor laser device. is doing.
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
  However, in the conventional method for evaluating the characteristics of the semiconductor laser device, since the characteristics of the semiconductor laser device alone with respect to the return light are measured using a reflecting mirror, when the semiconductor laser device is put into actual use, for example, this semiconductor laser device When the laser device is incorporated in the optical pickup device, there is a problem that the characteristic of the semiconductor laser device with respect to the return light changes, and there is a problem that the magnitude of the return light noise of the semiconductor laser device cannot be accurately evaluated.
[0015]
  Further, since the SCOOP is calculated, the measurement by the photodetector 67 must be performed twice, so that the inspection step for evaluating the magnitude of the return optical noise becomes complicated, and the inspection takes a lot of time. There's a problem.
[0016]
  Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser device characteristic evaluation method and a semiconductor laser device characteristic inspection that can accurately evaluate the magnitude of the return light noise and reduce the inspection step for evaluating the magnitude of the return light noise. To provide an apparatus.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the above object, in the method for evaluating characteristics of a semiconductor laser device according to the present invention, laser light is first incident on an optical disc from the semiconductor laser device, and signal light including information on the optical disc is obtained from the optical disc. Then, the maximum value and average value of the RF signal representing the recording information of the optical disk are extracted from the signal light, and the return light noise of the semiconductor laser device is obtained from the maximum value and average value of the RF signal representing the recording information of the optical disk. Evaluate the size of.
[0018]
  According to the characteristic evaluation method of the semiconductor laser device of the present invention, the return of the semiconductor laser device is obtained by using the RF signal representing the recording information of the optical disc obtained from the reflected light from the optical disc in the actual use state of the semiconductor laser device. Evaluate the characteristics for light. Therefore, compared to the conventional method for evaluating the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light using a conventional reflector, the magnitude of the return light noise in the usage state of the semiconductor laser device is accurately evaluated. can do.
[0019]
  In addition, the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light can be evaluated by measuring the RF signal detected from the reflected light from the optical disk only once. Thus, unlike the conventional method for evaluating the characteristics of a semiconductor laser device using SCOOP defined by the formula (1), it is not necessary to perform light quantity measurement by a photodetector twice, and the conventional semiconductor laser device Steps such as drive current measurement of the semiconductor laser device, drive current adjustment, and position adjustment of the reflecting mirror, which are necessary in the characteristic evaluation method, can be omitted. Therefore, in the method for evaluating characteristics of a semiconductor laser device according to the present invention, the inspection step is simplified and the measurement time can be shortened.
[0020]
  The characteristic evaluation method for a semiconductor laser device according to one embodiment is characterized in that the semiconductor laser device is incorporated in an optical pickup device.
[0021]
  According to the above embodiment, since the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light are evaluated in a state where the semiconductor laser device is incorporated in the optical pickup device in advance, the semiconductor using the SCOOP defined by the conventional equation (1) Unlike the laser device characteristic evaluation method, it is not necessary to perform measurement by a photodetector twice, and the inspection step for evaluating the magnitude of the return light noise of the semiconductor laser device used in the optical pickup device can be reduced.
[0022]
  According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser device characteristic inspection apparatus comprising: optical means for condensing a laser beam from a semiconductor laser device on an optical disk;,
A light receiving means for receiving signal light including recording information of the optical disk from the optical disk;
RF signal maximum value acquisition means for obtaining the maximum value of the RF signal representing the recording information from the output of the light receiving means;
RF signal average value obtaining means for obtaining an average value of the RF signal from the output of the light receiving means;
Evaluation means for evaluating return optical noise of the semiconductor laser device based on the maximum value of the RF signal and the average value of the RF signal;
A driver for driving the semiconductor laser device with a driving current having a frequency higher than the frequency of the RF signal representing the recording information is provided.
[0023]
  Therefore, according to the characteristic inspection apparatus for a semiconductor laser device of the present invention, the recording of the optical disk obtained from the reflected light from the optical disk in the actual use state of the semiconductor laser apparatus, that is, the semiconductor laser apparatus used together with the optical disk. Since the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light are evaluated by using the RF signal representing the information, the magnitude of the return light noise when the semiconductor laser device is used together with the optical disk can be accurately evaluated.
[0024]
  The characteristic inspection device for a semiconductor laser device according to the present invention can evaluate the characteristic of the semiconductor laser device with respect to the return light only by measuring the RF signal detected from the reflected light from the optical disk once. It can be simplified and the measurement time can be shortened.
[0025]
[0026]
  Also, a characteristic inspection apparatus for the semiconductor laser device of the present inventionTherefore, the driver outputs a driving current having a frequency higher than the frequency of the RF signal representing the recording information, thereby causing the semiconductor laser device to operate in a multimode. Can reduce the mode hopping noise.
[0027]
  In the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus according to one embodiment, a light receiving means is mounted on the semiconductor laser device.
[0028]
  According to the above embodiment, since the light receiving means is mounted on the semiconductor laser device, the optical system provided in the characteristic inspection device of the semiconductor laser device can be easily configured, and the characteristic inspection device of the semiconductor laser device can be made compact. be able to.
[0029]
  ThisInventionCan be distinguished byThe semiconductor laser device emits single-mode laser light during direct current drive, and the light output of the emitted light in the state where high frequency is superimposed on the direct current component of the drive current and there is no return light is P1. The optical output of the outgoing light in a state where the optical output of the return light is approximately ¼ of the optical output of the outgoing light is P2, and the maximum value of the RF signal detected from the signal light including the record information from the compact disc is RF._topThe average value of the RF signal detected from the signal light including the recording information from the compact disc is RF_aveAnd when
  (P2-P1) /P1≧2.0
  And,
  RF_top/ RF_ave≦ 2.2
It is characterized by satisfying the following conditions.
[0030]
  In the above configuration, the condition of (P2−P1) /P1≧2.0 is generally used as a standard indicating a defective product of the semiconductor laser device based on the conventional method for evaluating the characteristics of the semiconductor laser device by SCOOP. And RF_top/ RF_aveThe condition of ≦ 2.2 is the average value RF of the RF signal of the present invention._aveMaximum value RF for_topThis is a standard indicating a non-defective semiconductor laser device based on a method for evaluating characteristics of the semiconductor laser device using the ratio of the above. Therefore, this inventionDistinguished byThe semiconductor laser device is determined to be defective by the conventional semiconductor laser device characteristic evaluation method, and is determined to be non-defective by the semiconductor laser device characteristic evaluation method of the present invention. This inventionDistinguished byAccording to the semiconductor laser device, it was determined that the conventional semiconductor laser device characteristic evaluation method was defective. However, since a semiconductor laser device that is actually good can be used, the production efficiency of the semiconductor laser device is improved. can do.
[0031]
  Also, this inventionCan be distinguished byThe semiconductor laser device is an average value of RF signals detected from signal light including recording information from the compact disc in a state in which the semiconductor laser device is driven with a driving current having a frequency of several hundreds of Mz to avoid a return light noise to some extent. The ratio of the maximum value of the RF signal with respect to is 2.3 or less.
[0032]
  According to the semiconductor laser device having the above configuration, the semiconductor laser device in which the ratio of the maximum value of the RF signal to the average value of the RF signal is higher than 2.3 and the probability of being a defective product is very high is reliably eliminated. Therefore, a semiconductor laser device that is accurately determined as a good product can be obtained.
[0033]
  ThisInventionCan be distinguished byAn optical pickup device including a semiconductor laser device, wherein when recording information is written on the optical disc, a high frequency is not superimposed on a direct current component of a driving current of the semiconductor laser device, while when reading the recording information from the optical disc, the semiconductor laser High frequency is superimposed on the DC component of the drive current of the deviceThe optical pickup device has the following advantageous effects.The
[0034]
  That is, the aboveAccording to the optical pickup device, when reading recorded information from the optical disk, a high frequency is superimposed on the direct current component of the driving current of the semiconductor laser device, so that mode hopping noise of the semiconductor laser device is suppressed when reading the recorded information. As a result, the information on the optical disk can be reliably read out.
[0035]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.
[0036]
  (First embodiment)
  FIG. 1 shows a configuration diagram of a characteristic inspection apparatus for a semiconductor laser device using the characteristic evaluation method for a semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention.
[0037]
  The semiconductor laser device characteristic inspection apparatus according to the first embodiment includes a semiconductor laser device 1 in which a semiconductor laser element is placed in a package, a collimator lens 2 that collimates laser light emitted from the semiconductor laser device 1, and this A beam splitter 4 through which the light collimated by the collimator lens 2 passes, and the laser beam that has passed through the beam splitter 4 is condensed to form a spot on a compact disc (hereinafter referred to as a CD) 6 as an example of an optical disc. The object lens 3 to be formed, the hologram element 7 that diffracts the laser beam reflected by the spot on the CD 6 and further branched by the beam splitter 4, and receives the diffracted light from the hologram element 7. A multi-divided light receiving element 8 as an example of a light receiving means for converting an included optical signal into an electric signal, and the multi-divided receiving element. A signal amplifier (hereinafter referred to as a signal amplifier) 9 that amplifies an electric signal from the element 8 and a signal processor 10 that receives an RF signal among the electric signals amplified by the signal amplifier 9 and processes the RF signal. And a CRT (Cathode Ray Tube) 11 that receives a signal from the signal processor 10 and a semiconductor laser driver 13 that drives the semiconductor laser device 1 with a drive current having a frequency higher than the frequency of the RF signal.
[0038]
  Here, the RF signal is a pit information signal recorded on the optical disc (CD 6 in the first embodiment). Specifically, the magnitude of the signal increases or decreases depending on the presence or absence of pits on the optical disc. Signal.
[0039]
  The signal processor 10 includes an RF signal maximum value obtaining unit that obtains a maximum value of the RF signal, an RF signal average value obtaining unit that obtains an average value of the RF signal, a maximum value of the RF signal, and an average value of the RF signal, And evaluation means for evaluating the magnitude of the return light noise of the semiconductor laser device.
[0040]
  The collimator lens 2 and the object lens 3 constitute an optical means for condensing the laser light from the semiconductor laser device on the CD 6.
[0041]
  In the above configuration, the laser light emitted from the semiconductor laser device 1 is collimated by the collimator lens 2, passes through the beam splitter 4, and then forms a spot on the CD 6 by the object lens 3. Then, the reflected light (signal light including the pit information of CD 6) reflected by the spot is transmitted again through the object lens 3 and branched toward the hologram element 7 by the beam splitter 4. The hologram element 7 guides incident light toward the multi-segment light receiving element 8. Then, the electric signal detected by the multi-divided light receiving element 8 is amplified by the signal amplifier 9, and the RF signal (pit information signal) of CD 6 out of the amplified electric signal is input to the signal processor 10. The signal processor 10 detects a maximum value and an average value of the RF signal, and further calculates a ratio of the maximum value to the average value of the RF signal. Then, the calculation result of the signal processor 10 is displayed on the CRT 11.
[0042]
  In the characteristic inspection apparatus of the semiconductor laser device of the first embodiment, the amount of laser light emitted from the semiconductor laser device 1, reflected by the CD 6, transmitted through the beam splitter 4, and returned to the semiconductor laser device 1 again. The laser beam emitted from the semiconductor laser device 1 is set to about ¼ of the emitted light quantity.
[0043]
  Although not described in detail, the characteristic inspection device for the semiconductor laser device according to the first embodiment uses a focus error signal and a track error signal among the electric signals amplified by the signal amplifier 9 and is like an ordinary optical pickup device. In addition, the position of the object lens 3 is controlled using a servo controller 12.
[0044]
  FIG. 3 shows a typical RF signal displayed on the CRT 11. The horizontal axis of FIG. 3 indicates time, and the vertical axis indicates the signal output of the multi-segment light receiving element 8 amplified by the signal amplifier 9. FIG. 3A shows an eye pattern of an RF signal viewed with the time axis expanded until the individual pit information can be seen. In the first embodiment, CD6 is adopted as the optical disc, so the shortest pit has a time of 3T (T is a period of one channel bit), and the longest pit has a time of 11T. During the time (4T to 10T), pits having different lengths are formed for each bit. As a result, the signal having the shortest period corresponds to the signal from the pit having the length of 3T, and the signal having the period corresponding to the signal from the pit having the length of 4T, 5T,. Observed over the signal from the long pit.
[0045]
  FIG. 3B shows a typical RF signal waveform 35 in a semiconductor laser device that is not easily affected by the return light. The RF signal includes various signals having different periods as described above. However, in a semiconductor laser device that is not easily affected by the return light, the maximum value and the minimum value of the RF signal are substantially constant, and the RF signal is When the time axis is reduced, a waveform 35 having a substantially constant amplitude is shown as shown in FIG.
[0046]
  On the other hand, in the semiconductor laser device that is easily influenced by the return light, a spike-like waveform 36 shown in FIG. 3C appears in the RF signal waveform, and the RF signal is compared with the semiconductor laser device that is not easily affected by the return light. The amplitude of the waveform of the AC component excluding the spike-like waveform 36 in the waveform decreases. This is because the output of the semiconductor laser device is likely to fluctuate due to the return light noise in the semiconductor laser device that is easily affected by the return light noise when the laser light is incident on the long pit, and the spike shape shown in FIG. This is because the amplitude of the waveform of the alternating current component excluding the spike-like waveform 36 is reduced because the waveform 36 of FIG.
[0047]
  In order to quantitatively evaluate the RF signal waveform that fluctuates due to the return optical noise, the maximum value of the RF signal when the ground GND is used as a reference value is RF_topAnd the average value of the RF signal when the ground GND is the reference value is RF_aveThen, a new evaluation criterion for selecting good and defective semiconductor laser devices, that is, a distortion rate representing the magnitude of distortion of the RF signal is defined by the following equation (2).
[0048]
  Distortion rate = (RF_top/ RF_ave) X 100 (%) (2)
[0049]
  For easy understanding, FIG. 3B or FIG. 3C shows the ground GND and the RF signal maximum value RF._topAnd RF signal average value RF_aveIt shows.
[0050]
  The distortion rate can significantly represent the difference between when the RF signal waveform has a distortion such as a spike-like waveform and when there is no distortion. In this characteristic evaluation method for a semiconductor laser device, the smaller the distortion rate, the higher the quality of the semiconductor laser device that is less susceptible to the influence of return light.
[0051]
  In calculating the distortion rate, even if the output current value of the semiconductor laser driver 13 shown in FIG. 1 is controlled so as to keep the output of the semiconductor laser device constant, the amount of laser light entering the optical system is not necessarily limited. There is a problem that it is not constant, and there is a problem that the condensing state of the laser beam on the optical disk 6 is different. Due to these problems, the level of the DC component of the RF signal changes. In the evaluation criteria based on the distortion rate, in order to eliminate the influence of the change in the level of the DC component of these RF signals, the RF signal that is the average value of the RF signals_aveIs the standard.
[0052]
  In FIG. 4, the horizontal axis represents the distortion rate defined by the equation (2), and the vertical axis represents SCOOP defined by the equation (1). The solid line in FIG. 4 shows the correlation between the distortion rate and SCOOP based on a lot of actual measurement data.
[0053]
  According to the conventional evaluation criteria, a semiconductor laser device having a SCOOP of 200% or less is accepted. However, in the conventional evaluation criteria, many of the semiconductor laser devices judged to be unacceptable by the conventional evaluation criteria of SCOOP of about 210% are actually included in the number of acceptable products, and the evaluation criteria are only a guide. .
[0054]
  In the semiconductor laser device characteristic evaluation method using the distortion rate as an evaluation criterion of the present invention, a semiconductor laser device having a distortion rate of 220% or less is accepted. In the distortion rate which is the evaluation criterion of the present invention, defective products are only those having a distortion rate of 230% or more. A semiconductor laser device having a distortion rate of 220% or less and a semiconductor laser device having a distortion rate of 230% or more. There was a remarkable difference between good and bad.
[0055]
  The area indicated by A in FIG. 4 is an area where SCOOP is 200% or less and the distortion rate is 220% or less, and the area indicated by C in FIG. 4 is an area where the distortion rate is greater than 220%. On the other hand, the region indicated by B in FIG. 4 is a region where the SCOOP is larger than 200% and the distortion rate is 220% or less.
[0056]
  The region A is a region occupied by a semiconductor laser device that passes both the conventional evaluation criteria and the evaluation criteria of the present invention, and the region C is rejected by both the conventional evaluation criteria and the evaluation criteria of the present invention. The region occupied by the semiconductor laser device. On the other hand, the region B is a region occupied by a semiconductor laser device that fails the conventional evaluation criteria and passes the evaluation criteria of the present invention.
[0057]
  The area A occupied by the semiconductor laser device that passes both the conventional evaluation criteria in FIG. 4 and the evaluation criteria of the present invention is about 70% of the entire semiconductor laser device inspected. The region C occupied by the semiconductor laser device that fails even in the evaluation criteria is about 10% of the entire semiconductor laser device inspected. On the other hand, the region B occupied by the semiconductor laser device that fails the conventional evaluation standard of FIG. 4 and passes the evaluation standard of the present invention is about 20% of the entire semiconductor laser device inspected.
[0058]
  According to the semiconductor laser device characteristic evaluation method used in the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus according to the first embodiment, by irradiating the CD 6 with laser light, signal light including pid information of the CD 6 is obtained. , The maximum value RF of the RF signal which is the pid information of CD6_topAnd obtaining an average value RF of the RF signal_aveAnd a maximum value RF_topAnd mean value RF_aveThe step of evaluating the magnitude of the return light noise of the semiconductor laser device based on the above, that is, the step of evaluating the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light by the distortion rate defined by the equation (2), Evaluate the magnitude of the return optical noise. Therefore, since the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light are evaluated by using the CD6, it is compared with the characteristic evaluation method of the semiconductor laser device that evaluates the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the single return light using a conventional reflector. Thus, the magnitude of the return light noise in the usage state of the semiconductor laser device can be accurately evaluated.
[0059]
  Further, the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light can be evaluated by measuring the RF signal detected from the reflected light from the CD 6 only once. Thus, unlike the conventional method for evaluating the characteristics of a semiconductor laser device using SCOOP defined by the formula (1), it is not necessary to perform light quantity measurement by a photodetector twice, and the conventional semiconductor laser device Steps such as drive current measurement of the semiconductor laser device, drive current adjustment, and position adjustment of the reflecting mirror, which are necessary in the characteristic evaluation method, can be omitted. Therefore, in the method for evaluating characteristics of a semiconductor laser device according to the present invention, the inspection step is simplified and the measurement time can be shortened.
[0060]
  In addition, the percentage of acceptable products can be increased by evaluating the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light in a state where the semiconductor laser device is incorporated in the optical pickup device in advance, that is, in a state of actual use.
[0061]
  Further, the SCOOP defined by the formula (1) is 200% or more ((P2-P1) /P1≧2.0), and the distortion rate defined by the formula (2) is 220% or less (RF_top/ RF_ave≦ 2.2) The semiconductor laser device can be newly used as a product. Therefore, although it was judged as a non-acceptable product according to the conventional evaluation criteria, the semiconductor laser device that occupies 20% of the overall product that was actually accepted can be made a non-defective product, improving the production efficiency of the semiconductor laser device. Can be made.
[0062]
  Further, the evaluation criterion that the distortion rate defined by the equation (2) is 230% or less (the ratio of the maximum value of the RF signal to the average value of the RF signal is 2.3 or less) is used as a selection criterion for a good semiconductor laser device. By doing so, a semiconductor laser device having a distortion rate higher than 230% and a very high probability of being a defective product can be surely excluded, and a good semiconductor laser device can be made into a product.
[0063]
  Further, according to the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus of the first embodiment, the semiconductor laser device is obtained from the reflected light from the CD 6 in the actual use state, that is, in the state where the semiconductor laser device is used together with the CD 6. Since the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light are evaluated by using the RF signal representing the CD6 pid information, the magnitude of the return light noise of the semiconductor laser device can be accurately evaluated.
[0064]
  Further, since the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light can be evaluated by measuring the RF signal detected from the reflected light from the CD 6 only once, the evaluation step can be simplified and the measurement time can be shortened.
[0065]
  Further, the semiconductor laser driver 13 outputs a driving current having a frequency higher than the frequency of the RF signal that is a pid information signal to cause the semiconductor laser device to operate in a multimode, so that return light returning to the semiconductor laser device causes Mode hopping noise can be reduced.
[0066]
  (Second Embodiment)
  FIG. 2 shows a configuration diagram of a characteristic inspection apparatus for a semiconductor laser device using the characteristic evaluation method for a semiconductor laser device according to the second embodiment of the present invention. The semiconductor laser device characteristic inspection apparatus according to the second embodiment uses a hologram laser device 29 in place of the semiconductor laser apparatus 1 in the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus according to the first embodiment. The only difference is that the function of the signal processor 10 of the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus is divided into two signal processors 21 and 22.
[0067]
  In the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus according to the second embodiment, the same components as those of the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0068]
  The hologram laser device 29 also functions as a light receiving means for receiving signal light including recording information from the CD 6. The collimator lens 2 and the object lens 3 constitute optical means for condensing the laser beam from the hologram laser device 29 onto the CD 6.
[0069]
  Although not shown, the hologram laser device 29 includes a semiconductor laser element, a hologram element, and a multi-segment light receiving element as an example of a light receiving means.
[0070]
  The signal processor 21 receives the RF signal amplified by the signal amplifier 9 and obtains the maximum value and the average value of the RF signal. Further, the signal processor 22 receives the maximum value of the RF signal and the average value of the RF signal from the signal processor 21 and, similarly to the signal processor 10 of the characteristic inspection apparatus of the semiconductor laser device of the first embodiment, The distortion rate defined by Equation (2), which is the ratio of the maximum value to the average value of the signal, is calculated.
[0071]
  The signal processor 21 has RF signal maximum value acquisition means and RF signal average value acquisition means, and the signal processor 22 has evaluation means for evaluating the magnitude of the return optical noise of the semiconductor laser device. .
[0072]
  In the above configuration, the laser light emitted from the hologram laser device 29 reaches the CD 6 through the collimator lens 2 and the object lens 3, is reflected by the CD 6, passes through the object lens 3 and the collimator lens 2 again, and is holograms. The hologram element built in the laser device 29 is reached. The multi-divided light receiving element that receives the diffracted light from the hologram element converts the optical signal into an electric signal and outputs the electric signal to the signal amplifier 9.
[0073]
  Although not described in detail, the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus according to the second embodiment is a good semiconductor laser apparatus based on the equation (2) as in the semiconductor laser apparatus characteristic inspection apparatus according to the first embodiment. And defective semiconductor laser devices.
[0074]
  Since the characteristic inspection device for the semiconductor laser device of the second embodiment uses the hologram laser device 29 equipped with a multi-segment light receiving element, the same effect as the characteristic inspection device for the semiconductor laser device of the first embodiment is used. In addition, the optical system can be easily configured by reducing the beam splitter 4, the hologram element 7 and the multi-divided light receiving element 8 in the characteristic inspection apparatus for the semiconductor laser device of the first embodiment.
[0075]
  In the characteristics evaluation method of the semiconductor laser device according to the first and second embodiments of the present invention, CD6 is adopted as the optical disk. However, as an optical disk other than CD that can be employed in the characteristic inspection apparatus of the semiconductor laser device according to the present invention, for example, Digital versatile disk (DVD), compact disk-read only memory (CD-ROM), mini disk (MD), magneto-optical disk (MO), and the like. Further, the characteristic evaluation method of the semiconductor laser device of the present invention is not related to the tracking method of the optical disk device, so there is no need to use the three-beam method, and there is a guide groove as in a write once compact disk (CD-R). An optical disk can also be used.
[0076]
  It should be noted that the semiconductor laser device determined to be a non-defective product by the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus of the first and second embodiments may be incorporated into an optical pickup device having at least one of a reading function and a writing function. Alternatively, it may be incorporated in another device.
[0077]
  In addition, the semiconductor laser device determined to be a non-defective product by the semiconductor laser device characteristic inspection apparatus of the first and second embodiments is incorporated into an optical pickup device, so that the drive current of the semiconductor laser device can be DC when reading recorded information on a CD. When a high frequency is superimposed on the component, mode hopping noise of the semiconductor laser device can be suppressed when reading the recorded information, and the recorded information on the CD can be read reliably.
[0078]
【The invention's effect】
  As is clear from the above, the method for evaluating characteristics of a semiconductor laser device according to the present invention comprises a step of making a laser beam incident on an optical disc from the semiconductor laser device to obtain signal light including recording information from the optical disc, and the signal light Obtaining a maximum value of the RF signal representing the recording information of the optical disc from the optical signal, obtaining an average value of the RF signal from the signal light, and return light noise of the semiconductor laser device based on the maximum value and the average value of the RF signal. And a step of evaluating the size of.
[0079]
  Therefore, by using the RF signal representing the recording information of the optical disk obtained from the reflected light from the optical disk used together with the semiconductor laser device in the actual use state of the semiconductor laser device, the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light can be improved. Since the evaluation is performed, it is possible to accurately evaluate the magnitude of the return light noise when the semiconductor laser device is used.
[0080]
  In addition, since the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light can be evaluated by measuring the RF signal detected from the reflected light from the optical disk only once, the evaluation step can be simplified and the measurement time can be shortened.
[0081]
  According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser device characteristic inspection apparatus comprising: optical means for condensing laser light from a semiconductor laser device on an optical disk; light receiving means for receiving signal light representing recording information from the optical disk; RF signal maximum value acquisition means for obtaining the maximum value of the RF signal representing recording information from the output of the means, RF signal average value acquisition means for obtaining the average value of the RF signal from the output of the light receiving means, and the maximum value of the RF signal And evaluation means for evaluating the return light noise of the semiconductor laser device based on the average value of the RF signal, and evaluating the magnitude of the return light noise of the semiconductor laser device using the RF signal.
[0082]
  Therefore, by using the RF signal representing the recording information of the optical disk obtained from the reflected light from the optical disk used together with the semiconductor laser device in the actual use state of the semiconductor laser device, the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light can be improved. Since the evaluation is performed, it is possible to accurately evaluate the magnitude of the return light noise when the semiconductor laser device is used.
[0083]
  In addition, since the characteristics of the semiconductor laser device with respect to the return light can be evaluated by measuring the RF signal detected from the reflected light from the optical disk only once, when evaluating the magnitude of the return light noise of the semiconductor laser device. Inspection steps and inspection time can be reduced.
[0084]
  Also, this inventionDistinguished byThe semiconductor laser device is a semiconductor laser device in which the SCOOP defined by the formula (1) is 200 or more and the distortion rate defined by the formula (2) is 220 or less, and the characteristics of the conventional semiconductor laser device are evaluated. This is a semiconductor laser device that is determined to be defective by the method and that is determined to be non-defective by the method for evaluating characteristics of the semiconductor laser device of the present invention. Therefore, the conventional semiconductor laser device characteristic evaluation method determines that the product is defective. However, since a good semiconductor laser device can actually be used, the production efficiency of the semiconductor laser device can be improved.
[0085]
  Also, this inventionDistinguished byThe semiconductor laser device is driven by a drive current having a frequency of several hundred Mz to avoid the return light noise to some extent, and the RF signal corresponding to the average value of the RF signals detected from the signal light including the recording information from the compact disc This is a semiconductor device having a maximum value ratio of 2.3 or less. Therefore, a semiconductor laser device in which the ratio of the maximum value of the RF signal to the average value of the RF signal is higher than 2.3 and has a very high probability of being a defective product is surely excluded, and the semiconductor that has been accurately determined as a good product. A laser device can be obtained.
[Brief description of the drawings]
1 is a configuration diagram of a characteristic inspection apparatus for a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a configuration diagram of a characteristic inspection apparatus for a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention.
3A is an RF signal obtained by enlarging the scale of the time axis of the characteristic inspection apparatus of the semiconductor laser device of the first embodiment, and FIGS. 3B and 3C are respectively This is a general RF signal of a characteristic inspection apparatus for a semiconductor laser device having good and defective semiconductor laser devices.
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a distortion rate and SCOOP.
FIG. 5 is a configuration diagram showing an optical system in a conventional optical pickup device.
FIG. 6 is a configuration diagram of a characteristic inspection apparatus for a conventional semiconductor laser device.
[Explanation of symbols]
  1 Semiconductor laser device
  2 Collimator lens
  3 Object lens
  6 Compact disc
  8 Multi-segment photo detector
  13 Semiconductor laser driver
  10, 21, 22 Signal processor
  29 Hologram laser device

Claims

Laser light is incident on the optical disk from the semiconductor laser device to obtain signal light including recording information of the optical disk reflected from the optical disk;
Obtaining a maximum value of an RF signal representing the recording information from the signal light;
Obtaining an average value of the RF signal from the signal light;
A method for evaluating characteristics of a semiconductor laser device, comprising: evaluating a magnitude of a return light noise of the semiconductor laser device based on a maximum value of the RF signal and an average value of the RF signal.

2. The semiconductor laser device characteristic evaluation method according to claim 1, wherein the semiconductor laser device is incorporated in an optical pickup device.

Optical means for condensing the laser light from the semiconductor laser device onto the optical disc;
A light receiving means for receiving signal light including recording information of the optical disk from the optical disk;
RF signal maximum value acquisition means for obtaining the maximum value of the RF signal representing the recording information from the output of the light receiving means;
RF signal average value obtaining means for obtaining an average value of the RF signal from the output of the light receiving means;
Evaluation means for evaluating return optical noise of the semiconductor laser device based on the maximum value of the RF signal and the average value of the RF signal ;
The driving current having a frequency higher than the frequency of the RF signal representing the recorded information, the semiconductor laser device of the characteristic test device according to claim Rukoto includes a driver for driving the semiconductor laser device.

In characteristic inspecting apparatus for a semiconductor laser device according to claim 3, in the semiconductor laser device, a semiconductor laser device of the characteristic test device characterized that you have mounted the light-receiving means.