JP4114196B2 - Method of peeling electronic component and mounting method thereof - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の剥離方法及びその実装方法に関し、例えば支持体上に粘着状態の半導体ウェーハを個々の電子部品にダイシング後に、個片化した電子部品を支持体から剥離する方法及びその実装方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程で、回路が作製されたウェーハを個々のチップ部品に切り出す工程においては、BG(back grind)テープと称される紫外線剥離テープにウェーハの回路形成面を貼り付けてウェーハを切り出し、その後ウェーハを貼り付けた側とは反対側のBGテープ面から紫外線を当てて粘着力をなくして、実装機などで実装したり、モールドしたりする方法が一般的である。
【0003】
図3に、BGテープにウェーハを貼り付け、これを個々のチップ部品に切り出した後、針を用いてチップ部品を剥離する概略の工程を示す。なお、回路が形成されたウェーハ上の各素子には、それぞれ外部と接続するための電極が形成されているが、図3では図示省略した。
【0004】
まず、図3(a)に示すように、BGテープ14の粘着材13の面にウェーハ12を貼り付けた後、図3(b)に示すように、例えばダイヤモンドカッター16を用い、ウェーハ12を所定の寸法Lにダイシングしてチップ部品12Aに個片化する。次は図3(c)に示すように、BGテープ14を矢印のようにXY方向に延伸し、チップ部品12A同士の間を所定間隔Wに配列する。
【0005】
次は、図3(d)に示すように、吸着ヘッド11を剥離するチップ部品12Aの上面に近づけておき、これと反対側のBGテープ14面側から針15を突き刺してチップ部品12Aを選択的に押し上げることにより、粘着していたチップ部品12Aが剥離しかけると同時に、BGテープ14とチップ部品12A間に空気が入り込んで剥離され、チップ部品12Aが吸着ヘッド11に吸着される。
【0006】
吸着ヘッド11は不図示の実装機の一部分を構成するものであり、吸着ヘッド11に吸着されたチップ部品12Aは実装基板側へ搬送され、図4に示すように実装基板20の電極21に対し、チップ部品12Aの電極17a、17bがはんだ22を用いてフリップチップボンディングされる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記の実装工程は、切り出された半導体ウェーハや実装部品を、これらが貼りつけられた側とは反対側のBGテープ面から紫外線を照射することにより、粘着力がなくなったとは言え、実際にはこれらの部品を吸着ヘッドなどで取り出すことは非常に難しく、テープ全面に貼り付いている場合、これらの部品とテープとの間に空気を入れないと剥がすことは不可能である。従って現在は、紫外線照射に加え、裏面(回路形成面を粘着した面の反対側面)から針を突き刺して空気を部品とテープとの間に入れることによって剥離する方法がとられている。
【0008】
しかしながら、最近は対象の部品や回路が非常に小さくなってきており、例えば0.6mm×0.3mmの実装部品や更に小さいものまで作製されるようになっている。そのため針の直径を小さくする必要があるが、強度の点からも針をあまり細くすることができない。そして、実装部品が薄い場合、部品を損傷させるという問題が発生することがある。また、針で突くため粘着材が部品の粘着面側に残るという現象が発生する。フリップ実装では、実装する部品の回路形成面に粘着材が残ると、はんだ等の付きが悪くなり、不良品発生の原因となる。従って、このような現象を解消すべく、様々な方法が試されているが決定的な解決の方法は見つかっていない。
【0009】
そこで本発明の目的は、実装する電子部品の支持体への粘着面に粘着材が残留することなく、電子部品が支持体から剥離され、良好に実装が可能な電子部品の剥離方法及びその実装方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、電子部品を粘着材により支持体上に粘着固定した状態から前記電子部品を剥離する方法において、
前記粘着材とは反対側から前記支持体を通して前記粘着材に紫外線レーザ光を照射す ることによって、前記粘着材をアブレーションによりガス化して前記電子部品を前記支 持体から剥離する
ことを特徴とする、電子部粉の剥離方法(以下、本発明の剥離方法と称する。)に係るものである。
【0011】
本発明の剥離方法によれば、紫外線レーザ光の照射により粘着材をアブレーションでガス化して剥離するので、粘着材が熱の発生なしにガス化して消失すると共に、非接触で電子部品をその特性を損なうことなしに支持体から剥離することができる。従って、粘着材を残留させずに電子部品を容易に剥離できるため、実装後に接続不良が生じることがなく、また剥離される電子部品が動かされることがないため、配列した位置精度を維持することができる。
【0012】
また、本発明は、電子部品を粘着材により支持体上に粘着固定した状態から前記電子部品を剥離し、この剥離された電子部品を実装基板に実装する方法において、
前記粘着材とは反対側から前記支持体を通して前記粘着材に紫外線レーザ光を照射す ることによって、前記粘着材をアブレーションによりガス化して前記電子部品を前記支 持体から剥離し、この剥離された電子部品を前記実装基板に実装する
ことを特徴とする、電子部品の実装方法(以下、本発明の実装方法と称する。)に係るものである。
【0013】
本発明の実装方法によれば、上記した本発明の剥離方法で電子部品を剥離して実装するので、本発明の剥離方法と同様の効果の下で、高精度に実装することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態を説明する。
【0015】
上記した本発明の剥離方法及び実装方法においては、前記粘着材とは反対側から前記支持体を通して前記粘着材に前記紫外線レーザ光(以下、単にレーザ光と称する。)を照射して、前記粘着材をガス化することにより、電子部品と支持体との間の粘着材が消失するため、粘着材を残留させずに電子部品を剥離できる点で望ましい。
【0016】
この場合、前記電子部品を吸着ヘッドで保持しながら前記レーザ光を照射することが、電子部品の配列位置を保持できる点で望ましい。
【0017】
そして、電子部品の剥離に際しては、複数の前記電子部品に個片化すべき半導体基体を前記支持体の一方の面に前記粘着材によって粘着固定し、この粘着状態で前記電子部品を個片化し、前記支持体を延伸して、個片化した前記電子部品間を所定の間隔に配列し、この状態で前記粘着材に前記レーザ光を照射することが、粘着材を残留させずに剥離できる点で望ましい。
【0018】
更にこの場合、前記レーザとしてパルスレーザを用いることが、レーザ光を支持体のみ透過させ、電子部品を加熱することなく、その特性を損なわせることがない点で望ましい。
【0019】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面参照下で具体的に説明する。
【0020】
本実施の形態の剥離方法では、パルスレーザを使用することが重要である。連続発振するCW(Continuous wave)レーザの場合、多くは電子部品が発熱してその特性が変わる可能性があることと、良好なアブレーション状況を得るためには、パルスレーザを用いて時系列的にはパルス幅を短くするほどよいためである。
【0021】
また、レーザの種類としては、対象部品にもよるが、一般的には赤外線レーザではSi(シリコン)からなるウェーハを透過する特性があるので、紫外線領域のレーザを用いる。具体的には、エキシマレーザ、YAG2倍波、3倍波及びLD(レーザダイオード)などである。
【0022】
エネルギーが同じである場合は、波長は短いほどよいが、その場合、BGテープの透過率が悪くなり、BGテープの基材層や粘着材層で反応してしまう可能性がある。PVC(ポリ塩化ビニル)系の基材では紫外域のレーザで反応する知見を得ている。PO(ポリオレフィン)系の基材では300nm程度までの紫外線レーザを透過することを確認している。
【0023】
パルスレーザを用いる場合、レーザの集光は1μm以下まで可能であり、その程度の実装部品を剥離することが原理上可能である。また、パルスレーザのために熱の影響をほとんど考慮する必要はない。
【0024】
既述したように、本実施の形態は、ウェーハから切り出して個片化したチップ部品をBGテープから剥離し、これを実装基板へ実装する方法である。しかし、フリップチップボンディング後の修正は不可能であるため、高精度にチップ部品の配列位置を保持すると共に、電極の接続不良等を生じさせないことが要求される。従って、BGテープに粘着固定したウェーハをダイシング後に、BGテープを延伸してチップ部品を所定間隔に配列し、剥離時にもこの間隔を保持するのみでなく、接続不良の原因となる粘着材等の電極面への残留がないことが、フリップチップボンディングに不可欠の条件である。
【0025】
従って、チップ部品をBGテープから剥離する際に、粘着材が消失され、非接触でチップ部品を剥離することが理想的であり、そのためには、レーザ光を用いてBGテープの裏面側からレーザ光を照射し、部品の粘着材界面をμmオーダー(例えば5μm以下)でアブレーションさせてガスを発生させることにより、チップ部品と粘着材との間に空間を生じさせて剥離することが効果的である。
【0026】
これにより、接続不良の原因になる粘着材がガス化して消失すると共に、所定間隔でピッチ配列されたチップ部品の配列の位置を変化させることなく、配列の間隔を保持して吸着剥離し、実装基板上の決められた位置に実装することができる。
【0027】
図1に、本実施の形態によるチップ部品の剥離から、剥離されたチップ部品の搬送までの工程を工程順に示す。なお、図3及び図4に示した従来例と共通の部位は同一の符号を用いる。
【0028】
本実施の形態もウェーハをBGテープに貼り付けてからウェーハをダイシングした後、BGテープを延伸して個片化されたチップ部品間を所定間隔に配列するまでの工程は従来と同様である。従って、図1(a)はチップ部品間を所定間隔に配列した状態(図3(c)に相当)を示す。
【0029】
即ち、図1(a)は個片化されたチップ部品12Aが、吸着ヘッド11によって搬送され、実装基板上の決められた位置に実装されるために、各チップ部品間の間隔Wが所定の間隔に配列された状態である。
【0030】
そして、次は図1(b)に示すように、実装するチップ部品12Aの位置に選択的に吸着ヘッド11が移動し、チップ部品12Aの背面に当接し吸着する。この状態におけるチップ部品12Aの表面に形成されている電極等はBGテープ14側に位置し、粘着材13によってBGテープ14に粘着しているので、吸着ヘッド11はチップ部品12Aの平坦な背面に吸着するが、この状態ではBGテープ14側にチップ部品が粘着固定されているため、吸着ヘッド11の接触によりチップ部品12Aの位置精度が狂うことはない。
【0031】
次に図1(c)に示すように、実装しようとするチップ部品12Aの位置の粘着材13に対して、チップ部品12Aが固定されている面とは反対側のBGテープ14の面からレーザ光10を照射する。そしてこのレーザは上記した如くパルスレーザを使用するため、チップ部品12Aを加熱することがなく、粘着材13をアブレーションさせてガス化し、その部分の粘着材13が消失して欠除部18が生じるものの、チップ部品12Aは吸着ヘッド11に支持されているので、チップ部品12Aの位置が動くことはない。
【0032】
次は図1(d)に示すように、実装しようとするチップ部品12Aは、吸着ヘッド11に吸着されたまま実装基板側へ搬送される。
【0033】
このように、本実施の形態による剥離方法は、従来の紫外線照射及び針で下から突き上げて機械的に剥離するのとは異なり、非接触で剥離することができるため、所定間隔に配列された位置が変化することなく、所定間隔に保持された状態で剥離し、しかも粘着材が消失して残留していない状態の電子部品を搬送することができる。
【0034】
また、この剥離方法により、剥離用の針が作れないような小さな実装部品でも、確実に剥離させて実装基板に実装することが可能になる。理論上1μm2程度の部品の剥離も可能である。
【0035】
図2は、上記のようにしてBGテープ14から剥離したチップ部品12Aが、吸着ヘッド11によって実装基板20上へ搬送され、フリップチップボンディングされる状態を示している。この場合、上記した如く、実装しようとするチップ部品12Aがレーザ光を用いて非接触で剥離されているため、所定の配列位置が保持されたまま、しかも、接着材13がアブレーションされ、チップ部品12Aの電極17側の面に接着材13が残らないので、ボンディング時にはんだの接続不良を発生させることがなく、実装基板20の決められた位置に高精度でフリップチップボンディングすることができる。
【0036】
上記したように、本実施の形態の剥離方法及び実装方法によれば、個片化されたチップ部品12Aを針を用いず、チップ部品12Aを貼り付けた側とは反対側のBGテープ14の面をレーザ光で照射して、接着材13をアブレーションさせることにより、粘着材13がガス化して消失するのでチップ部品12Aを確実に剥離することができると共に、接続不良などの発生原因となる粘着材13がチップ部品12Aの電極面に残ることを防止することができ、従来、針を細くすることには限界があって難しいという問題や、針で突き刺すことによって粘着材13が残ってしまい、これが接続不良の原因となっているという等の問題を解消することができる。
【0037】
本実施の形態は本発明の技術的思想に基づいて変形することが可能である。
【0038】
例えば、チップ部品の剥離に用いるのに最適なレーザの種類に対し、最も適した材質でBGテープを作製することにより、剥離工程が統一化され、生産性を高めることも可能になる。
【0039】
また、BGテープの粘着材をアブレーションし易い材質で構成することにより、更に短波長域のレーザを用いることも可能になる。
【0040】
【発明の作用効果】
上述した如く、本発明の電子部品の剥離方法及びその実装方法によれば、レーザ光の照射によりアブレーションで粘着材をガス化して剥離するので、粘着材が熱の発生なしにガス化して消失すると共に、非接触で電子部品をその特性を損なうことなしに支持体から剥離することができる。従って、粘着材を残留させずに電子部品を容易に剥離できるため、実装後に接続不良が生じることがなく、また、剥離される電子部品が動かされることがないため、配列した位置精度を維持しながら実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による電子部品の剥離方法を工程順に示す概略断面図である。
【図2】同、実施の形態による電子部品の実装方法を示す概略断面図である。
【図3】従来例による電子部品の剥離方法の一例を工程順に示す概略断面図である。
【図4】同、電子部品の実装状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
10…レーザ光、11…吸着ヘッド、12…ウェーハ、
12A…チップ部品(電子部品)、13…粘着材、14…BGテープ、
15…針、16…ダイヤモンドカッター、17、21…電極、18…欠除部、
20…実装基板、22…はんだ、L…寸法、W…間隔[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electronic component peeling method and a mounting method thereof, for example, a method of peeling an individualized electronic component from a support after dicing a sticky semiconductor wafer on the support into individual electronic components, and a mounting method thereof It is about.
[0002]
[Prior art]
In the semiconductor device manufacturing process, in the process of cutting the wafer on which the circuit has been made into individual chip parts, the wafer circuit is cut by attaching the circuit forming surface of the wafer to an ultraviolet release tape called BG (back grind) tape. Then, a method is generally employed in which ultraviolet rays are applied from the side of the BG tape opposite to the side on which the wafer is attached to remove the adhesive force, and mounting or molding is performed by a mounting machine or the like.
[0003]
FIG. 3 shows a schematic process of attaching a wafer to a BG tape, cutting it into individual chip parts, and then peeling the chip parts using a needle. Each element on the wafer on which the circuit is formed is provided with an electrode for connection to the outside, but is not shown in FIG.
[0004]
First, as shown in FIG. 3A, after the
[0005]
Next, as shown in FIG. 3D, the suction head 11 is kept close to the top surface of the
[0006]
The suction head 11 constitutes a part of a mounting machine (not shown), and the
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In the mounting process described above, although the cut semiconductor wafer and the mounting component are irradiated with ultraviolet rays from the BG tape surface opposite to the side to which these are attached, the adhesive force is lost. It is very difficult to take out these parts with a suction head or the like. When the parts are stuck on the entire surface of the tape, it is impossible to remove them unless air is put between these parts and the tape. Therefore, at present, in addition to ultraviolet irradiation, a method is used in which the needle is pierced from the back surface (the side opposite to the surface to which the circuit forming surface is adhered) and air is introduced between the component and the tape.
[0008]
However, recently, the target components and circuits have become very small, and for example, mounting components of 0.6 mm × 0.3 mm and even smaller ones have been manufactured. Therefore, it is necessary to reduce the diameter of the needle, but the needle cannot be made too thin from the viewpoint of strength. And when a mounting component is thin, the problem of damaging a component may generate | occur | produce. In addition, a phenomenon occurs in which the adhesive material remains on the adhesive surface side of the component due to piercing with the needle. In flip mounting, if an adhesive remains on the circuit forming surface of a component to be mounted, the attachment of solder or the like deteriorates, causing defective products. Therefore, various methods have been tried to solve such a phenomenon, but no definitive solution has been found.
[0009]
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for peeling an electronic component that allows the electronic component to be peeled off from the support without leaving an adhesive material on the pressure-sensitive adhesive surface of the electronic component to be mounted, and to mount the electronic component. It is to provide a method.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
That is, the present invention is a method of peeling the electronic component from a state in which the electronic component is adhesively fixed on a support with an adhesive.
The I I is an adhesive from the side opposite to the Rukoto be irradiated with ultraviolet laser light to the adhesive material through said support, peeling the electronic part is gasified by ablation of the adhesive material from the supporting lifting body
The present invention relates to an electronic part powder peeling method (hereinafter referred to as the peeling method of the present invention).
[0011]
According to the peeling method of the present invention, since the adhesive material is gasified and ablated by irradiation with ultraviolet laser light, the adhesive material gasifies and disappears without generation of heat, and the characteristics of the electronic component are contactless. It can be peeled off from the support without impairing . Therefore , since the electronic parts can be easily peeled off without leaving an adhesive material, connection failure does not occur after mounting, and the peeled electronic parts are not moved. Can do.
[0012]
Further, the present invention is a method of peeling the electronic component from a state in which the electronic component is adhesively fixed on a support with an adhesive, and mounting the peeled electronic component on a mounting substrate .
Wherein the adhesive material I by the Rukoto be irradiated with ultraviolet laser light to the adhesive through the support from the opposite side, the adhesive material is gasified by ablation and peeling the electronic part from the supporting lifting member, to implement this peeling electronic component on the mounting board
Wherein the mounting method of electronic components are those relating to (hereinafter, mounting method called. Of the present invention).
[0013]
According to the mounting method of the present invention, since the electronic component is peeled and mounted by the above-described peeling method of the present invention, it can be mounted with high accuracy under the same effect as the peeling method of the present invention.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.
[0015]
In the peeling method and the mounting method of the present invention described above, the adhesive material is irradiated with the ultraviolet laser light (hereinafter simply referred to as laser light) through the support from the side opposite to the adhesive material, and the adhesive material is applied . By gasifying the material, the adhesive material between the electronic component and the support disappears, which is desirable in that the electronic component can be peeled without the adhesive material remaining.
[0016]
In this case, it is desirable to irradiate the laser beam while holding the electronic component with a suction head because the arrangement position of the electronic component can be held.
[0017]
And when peeling the electronic component, the semiconductor substrate to be separated into a plurality of the electronic components is adhesively fixed to the one surface of the support by the adhesive material, and the electronic components are separated into pieces in this adhesive state, Extending the support and arranging the separated electronic components at a predetermined interval, and irradiating the adhesive material with the laser light in this state allows separation without leaving the adhesive material Is desirable.
[0018]
Further, in this case, it is desirable to use a pulsed laser as the laser because the laser beam is transmitted only through the support and the electronic components are not heated and the characteristics thereof are not impaired.
[0019]
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0020]
In the peeling method of this embodiment, it is important to use a pulse laser. In the case of a CW (Continuous wave) laser that continuously oscillates, in many cases, electronic components may generate heat and their characteristics may change, and in order to obtain a good ablation situation, a pulse laser is used in time series. This is because the shorter the pulse width, the better.
[0021]
Although the type of laser depends on the target component, generally, an infrared laser has a characteristic of transmitting a wafer made of Si (silicon), and therefore a laser in the ultraviolet region is used. Specifically, an excimer laser, a YAG second harmonic, a third harmonic, and an LD (laser diode) are used.
[0022]
When the energy is the same, the shorter the wavelength, the better. However, in that case, the transmittance of the BG tape is deteriorated, and there is a possibility that it reacts with the base material layer or the adhesive material layer of the BG tape. The PVC (polyvinyl chloride) base material has been known to react with an ultraviolet laser. It has been confirmed that a PO (polyolefin) -based substrate transmits an ultraviolet laser up to about 300 nm.
[0023]
In the case of using a pulse laser, the laser can be focused to 1 μm or less, and it is possible in principle to peel off the mounted components to that extent. Also, there is little need to consider the effects of heat due to the pulsed laser.
[0024]
As described above, the present embodiment is a method in which a chip component cut out from a wafer and separated into pieces is peeled from the BG tape and mounted on a mounting board. However, since correction after flip-chip bonding is impossible, it is required to maintain the arrangement position of the chip parts with high accuracy and not to cause defective connection of electrodes. Therefore, after dicing the wafer that is adhesively fixed to the BG tape, the BG tape is stretched and the chip parts are arranged at a predetermined interval. It is an indispensable condition for flip chip bonding that there is no residue on the electrode surface.
[0025]
Therefore, when the chip part is peeled off from the BG tape, it is ideal that the adhesive material disappears and the chip part is peeled off in a non-contact manner. For this purpose, a laser beam is used from the back side of the BG tape. It is effective to create a space between the chip component and the adhesive material by irradiating light and ablating the adhesive material interface of the component on the order of μm (for example, 5 μm or less) to generate gas. is there.
[0026]
As a result, the adhesive material that causes connection failure is gasified and disappears, and without changing the position of the arrangement of the chip components arranged at a predetermined interval, the adhering separation is performed while maintaining the arrangement interval. It can be mounted at a predetermined position on the substrate.
[0027]
In FIG. 1, the process from peeling of the chip component by this Embodiment to conveyance of the peeled chip component is shown in order of process. In addition, the same code | symbol is used for the site | part common to the prior art example shown in FIG.3 and FIG.4.
[0028]
In the present embodiment, the process from pasting the wafer to the BG tape, dicing the wafer, and extending the BG tape and arranging the separated chip parts at a predetermined interval is the same as the conventional process. Accordingly, FIG. 1A shows a state (corresponding to FIG. 3C) in which chip parts are arranged at a predetermined interval.
[0029]
That is, in FIG. 1A, since the
[0030]
Next, as shown in FIG. 1B, the suction head 11 selectively moves to the position of the
[0031]
Next, as shown in FIG. 1C, the laser is applied from the surface of the
[0032]
Next, as shown in FIG. 1D, the
[0033]
As described above, the peeling method according to the present embodiment is arranged in a predetermined interval because it can be peeled in a non-contact manner, unlike the conventional ultraviolet irradiation and mechanical peeling by pushing up from below with a needle. Without changing the position, it is possible to transport an electronic component that is peeled in a state of being held at a predetermined interval and in which the adhesive material has not disappeared and remains.
[0034]
Also, with this peeling method, even a small mounting component that cannot make a peeling needle can be securely peeled and mounted on a mounting board. Theoretically, parts of about 1 μm 2 can be peeled off.
[0035]
FIG. 2 shows a state in which the
[0036]
As described above, according to the peeling method and the mounting method of the present embodiment, the separated
[0037]
This embodiment can be modified based on the technical idea of the present invention.
[0038]
For example, by producing a BG tape with the most suitable material for the type of laser that is most suitable for peeling chip components, the peeling process can be unified and productivity can be increased.
[0039]
Further, by configuring the adhesive material of the BG tape with a material that can be easily ablated, it is possible to use a laser having a shorter wavelength region.
[0040]
[Effects of the invention]
As described above, according to the method for peeling an electronic component and the mounting method thereof according to the present invention , the adhesive material is gasified and peeled by ablation by laser light irradiation, so that the adhesive material is gasified and disappears without generating heat. together, it can be separated from the support of the electronic component in a non-contact manner without impairing its characteristics. Therefore , since the electronic components can be easily peeled off without leaving an adhesive material, connection failure does not occur after mounting, and the peeled electronic components are not moved. While can be implemented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an electronic component peeling method according to an embodiment of the present invention in the order of steps.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a method for mounting an electronic component according to the embodiment.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for peeling an electronic component according to a conventional example in order of steps.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a mounted state of the electronic component.
[Explanation of symbols]
10 ... Laser beam, 11 ... Suction head, 12 ... Wafer,
12A ... chip parts (electronic parts), 13 ... adhesive material, 14 ... BG tape,
15 ... Needle, 16 ... Diamond cutter, 17, 21 ... Electrode, 18 ... Missing part,
20 ... Mounting board, 22 ... Solder, L ... Dimension, W ... Spacing
Claims (10)
前記粘着材とは反対側から前記支持体を通して前記粘着材に紫外線レーザ光を照射す ることによって、前記粘着材をアブレーションによりガス化して前記電子部品を前記支 持体から剥離する
ことを特徴とする、電子部品の剥離方法。In the method of peeling the electronic component from the state where the electronic component is adhesively fixed on the support with an adhesive material,
The I I is an adhesive from the side opposite to the Rukoto be irradiated with ultraviolet laser light to the adhesive material through said support, peeling the electronic part is gasified by ablation of the adhesive material from the supporting lifting body
Wherein the peeling method of the electronic component.
前記粘着材とは反対側から前記支持体を通して前記粘着材に紫外線レーザ光を照射す ることによって、前記粘着材をアブレーションによりガス化して前記電子部品を前記支 持体から剥離し、この剥離された電子部品を前記実装基板に実装する
ことを特徴とする、電子部品の実装方法。In a method of peeling the electronic component from a state in which the electronic component is adhesively fixed on a support with an adhesive, and mounting the peeled electronic component on a mounting board ,
Wherein the adhesive material I by the Rukoto be irradiated with ultraviolet laser light to the adhesive through the support from the opposite side, the adhesive material is gasified by ablation and peeling the electronic part from the supporting lifting member, to implement this peeling electronic component on the mounting board
An electronic component mounting method characterized by the above.
Priority Applications (1)
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JP2002003021A JP4114196B2 (en) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | Method of peeling electronic component and mounting method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002003021A JP4114196B2 (en) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | Method of peeling electronic component and mounting method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003203881A JP2003203881A (en) | 2003-07-18 |
JP4114196B2 true JP4114196B2 (en) | 2008-07-09 |
Family
ID=27642722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002003021A Expired - Fee Related JP4114196B2 (en) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | Method of peeling electronic component and mounting method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4114196B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006245209A (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Manufacturing method of semiconductor chip |
KR102536844B1 (en) | 2018-10-15 | 2023-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus and method of manufacturing the same |
CN115647574A (en) * | 2022-10-31 | 2023-01-31 | 上海威固特闪信息技术有限公司 | Glass cover stripping method of semiconductor device |
-
2002
- 2002-01-10 JP JP2002003021A patent/JP4114196B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003203881A (en) | 2003-07-18 |
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JP2020092202A (en) | Wafer processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041129 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20070125 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425 Year of fee payment: 4 |
|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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